3D NAND 工艺通过堆叠存储单元, 提供更高的比特密度, 上海伯东日本 Atonarp Aston™ 质谱分析仪适用于先进半导体工艺(如沉积和蚀刻)所需的定量气体分析. 沉积应用中: 实时过程气体监控,以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程 蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁.3D NAND 工艺概述工艺步骤 堆叠沉积: 交替氧化物(蓝色)和氮化物(绿色)薄膜沉积(每个堆叠 200 对) 通道蚀刻: 沉积硬掩模, 形成开口, 高纵横比通道贯穿所有层(每个晶片1 万亿个孔) 阶梯蚀刻: 字线的接触焊盘是使用产生阶梯结构的受控蚀刻来创建的. ASTON 优势 均匀的厚度对电气性能至关重要. Aston™ 质谱分析仪可实现厚度控制, 层定义和化学计量工程. 高纵横比通道孔需要从上到下完整且均匀, 没有弯曲或扭曲. Aston™ 质谱能够在腔内测量蚀刻反应物. 蚀刻轮廓控制精度(埃). 蚀刻深度能力(微米).Aston™ 质谱仪通过动态测量化学物质来实现蚀刻 工艺步骤 狭缝蚀刻: 沉积硬掩模层, 形成硬开口图案, 蚀刻狭缝以分离通道孔列. 这将创建一个存储单元阵列. 字线沉积: 在一些 3D NAND 方案中, 去除氮化物层, 然后使用由内向外的原子层沉积工艺(紫色)创建钨字线. 晶圆上最终 3D NAND 结构的横截面 ASTON优势 Aston™ 质谱仪通过连续测量反应物来实现蚀刻的均匀性和精度. 去除氮化层并填充钨. Aston™ 质谱仪实现了分子水平的控制. 来源: Lam Research: 3D NAND - Key Process Steps (2016) url: https://www.youtube.com/watch?v=hglK1cf3meM Aston™ 质谱仪优势ppb 级灵敏度的高速采样非常适合高纵横比的 3D 结构耐腐蚀性气体, 坚固紧凑易于集成到工具平台中沉积应用中: 实时过程气体监控,以驱动自动化工具调整以实现过程控制, 沉积步骤之间的终点检测, 实现层的化学计量工程蚀刻应用中: 以 ppb 为单位测量的工艺气体和副产品, 启用端点腔室清洁 Atonarp Aston™ 质谱分析仪技术参数类型Impact-300Impact-300DPPlasma-200Plasma-200DPPlasma-300Plasma-300DP型号AST3007AST3006AST3005AST3004AST3003AST3002质量分离四级杆真空系统分子泵分子泵隔膜泵分子泵分子泵隔膜泵分子泵分子泵隔膜泵检测器FC /SEM质量范围2-2852-2202-285分辨率0.8±0.2检测限0.1 PPM工作温度15-35“℃功率350 W重量15 kg尺寸299 x 218 x 331 LxWxH(mm)400 x 240 x 325 LxWxH(mm)若您需要进一步的了解 Atonarp Aston™ 在线质谱分析仪详细信息或讨论, 请参考以下联络方式:上海伯东: 罗先生
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