第三代臭氧发生器

2012年6月9日，“十二五”国家重大科技专项、青岛市科技发展计划关键技术攻关项目——“大型臭氧发生器设备研制及产业化”科技成果评估会议在青岛举行，来自清华大学、上海市政工程研究总院、臭氧行业等国内臭氧技术领域的资深专家，参加了项目的现场测试和科技成果评估，评估专家认为“该成果是我国臭氧装备制造技术的一项重大突破，是国内首台臭氧产量达到100kg/h级的臭氧发生器，其各项性能指标达到国际领先水平，并填补了国内大型臭氧装备制造技术的空白。” 　　项目承担单位青岛国林实业股份有限公司，在拥有多年臭氧装备制造技术和经验的基础上，于2010年启动大型臭氧装备的研制工作，并在国家重大专项计划和青岛市科技发展计划的支持下，历时两年的科研攻关，先后突破了高效臭氧发生单元技术、大型臭氧发生器技术、1200kW的容性负载臭氧发生器专用大功率中频逆变电源技术、大型臭氧发生器电源控制与监测技术等6大关键技术，并申请国家发明专利2项、实用新型专利2项。经过了2个月的厂内稳定运行，经国家电子电器安全质量监督检验中心检测，其臭氧浓度、臭氧产量、臭氧电耗等指标均达到国际领先水平。该项目的研制，标志着我国拥有完全自主知识产权120kg/h大型臭氧发生器的研发制造技术，并成为目前为止世界三个仅有此项制造技术的国家之一。项目的研制成功和推广应用，将有力促进我国臭氧装备制造水平和应用水平的提高，推动我国生态文明建设和国民生活质量。同时，也将大大增强我国市政给水及环保领域对国产大型臭氧设备的信心，为国产臭氧装备制造行业赢得更加广阔的市场。 　　120kg/h大型臭氧发生器及其系列产品可广泛应用于市政饮用水处理、污水处理、工业废水处理、烟气脱硝、纸浆漂白、精细化工氧化等领域，是国家“十二五”以及未来在饮用水安全、环境保护和节能减排等方面“转方式，调结构”的重要发展方向，也是我国面向环保工程应用并可替代进口的重大技术装备。

清除自来水中致癌致畸物与治理空气、水体污染有了新利器。记者从近日在榕举行的“高性能国产化大型臭氧装备重大突破”成果汇报会暨新闻发布会获悉，由福建新大陆科技集团自主研发的130kg大型臭氧发生器正式面世，这标志着该公司成为国内首个可批量生产100kg以上大型臭氧发生器的制造商，打破了该领域长期受制于人的格局，可使产品价格下降了一半以上。 　　来自清华大学、武汉大学等11位专家鉴定认为，该设备采用可叠加集束的蜂窝模块积木式设计，解决了臭氧发生器大型化设计的关键技术难题，是目前世界最先进、最大型、并可批量投产的臭氧发生器之一，将大大降低大型臭氧发生器技术在各领域的规模应用门槛。 　　据介绍，大型臭氧发生器主要应用于生活饮用水深度处理、各类难降解工业污水处理、大气防污脱硫脱硝处理，以及印染、造纸、化工等行业的大型环保治理工程，是国家实现“十二五”环境保护减排目标不可或缺的关键设备。

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 基本信息 关键内容： 臭氧发生器 开标时间： 2022-05-06 09:00 采购金额： 209.00万元 采购单位： 中南大学湘雅二医院 采购联系人： 黄老师 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 安徽省招标集团股份有限公司 代理联系人： 王宇乐 代理联系方式： 立即查看 详细信息 中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目公开遴选公告 湖南省-长沙市-芙蓉区 状态：公告 更新时间：2022-04-06 招标文件: 附件1 附件2 中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目公开遴选公告 2022年04月06日 16:06 公告信息： 采购项目名称 中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目 品目 货物/医药品/医用材料/其他医用材料 采购单位 中南大学湘雅二医院 行政区域 长沙市 公告时间 2022年04月06日 16:06 获取招标文件时间 2022年04月06日至2022年04月22日每日上午:9:00 至 12:00 下午:14:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥400 获取招标文件的地点 “优质采云采购平台”（http://www.youzhicai.com/） 开标时间 2022年05月06日 09:00 开标地点 线上开标：“优质采云采购平台”（http://www.youzhicai.com/）； 线下开标地点：湖南省长沙市开福区芙蓉中路绿地中心 T2 栋 18 层 1808 室。 预算金额 ￥209.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 王宇乐、钱乐乐、奚峻 项目联系电话 19958141026、18900760576、0731-85530680 采购单位 中南大学湘雅二医院 采购单位地址 湖南省长沙市人民中路 139 号 采购单位联系方式 黄老师，0731-85294138 代理机构名称 安徽省招标集团股份有限公司 代理机构地址 湖南省长沙市开福区芙蓉中路绿地中心T2栋1808室 代理机构联系方式 王宇乐：19958141026；钱乐乐：18900760576；奚峻：0731-85530680 附件： 附件1 中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目遴选公告.docx 附件2 3、中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目清单（新）.xlsx 项目概况 中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目 招标项目的潜在投标人应在“优质采云采购平台”（http://www.youzhicai.com/）获取招标文件，并于2022年05月06日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：GN2022-23-1417 项目名称：中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目 预算金额：209.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 目录名称 参数用途或功能描述 入围家数 预估年使用金额（万元） 遴选保证金（元） 1 球囊导管套件(一次性脑科手术用球囊导管套件) 三叉神经痛三叉神经节球囊压迫术 2 80 30000 2 一次性脊柱双极球形射频消融电极 用于脊柱内镜手术时镜下椎间盘消融、止血、清理结缔组织、纤维环成型，需与医院现有的joimax ELLMAN射频仪配套使用。 2 48 20000 3 半植入式蛛网膜下腔药物输注装置 用于各种顽固性疼痛如癌痛的蛛网膜下腔的精确给药治疗。要求能长期留管输注吗啡、局麻药等，能多次穿刺，能接外用PCA泵,有导引钢丝，长度不短于80cm。 2 33 12000 4 一次性等离子刀头（直头、弯头） 用于颈椎、腰椎椎间盘突出症椎间盘消融,需与医院现有杰西品牌等离子消融发生器配套使用 2 4015000 5 射频穿刺针 用于疼痛性疾病的神经、软组织、椎间盘等的射频治疗，5、10、15cm，需与医院现有Baylis射频仪配套使用 2 3 1200 6 臭氧大自血套件和臭氧套袋 中枢神经及外周神经损伤后、外周血管疾病、带状疱疹感染、免疫性疾病、糖尿病足等多种疼痛性疾病以及失眠等非疼痛性疾病的治疗，需与医院现有卡特臭氧发生器配套使用 2 5 2000 合同履行期限：3年 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 按相关政策执行 3.本项目的特定资格要求：1）具备与所投耗材相应的生产或经营许可证（如医疗器械生产或经营备案凭证、医疗器械生产或经营许可证）。2）所投耗材如纳入医疗器械管理的，必须具有相应的备案凭证或注册证（如医疗器械备案凭证、医疗器械注册证等）。3）所采购目录属于湖南省阳光采购挂网范围内的，则申报目录必须是湖南省阳光采购挂网产品，所采购目录不属于湖南省阳光采购挂网范围内的，则申报目录无需是湖南省阳光采购挂网产品。4）接受生产企业（境外产品国内总代理视同为生产企业）或具备有效授权委托书的经营企业参与。5）供应商对每一标包只能选择一个品牌进行申报，否则取消该标包入围资格。4.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加同一标包的申请。5.与采购人存在利害关系可能影响入围公正性的法人、其他组织或者个人，不得参加申请。6.在提交申请文件截止时间前被“信用中国”网站列入失信被执行人和重大税收违法案件当事人名单的或被“中国政府采购网”网站列入政府采购严重违法失信行为记录名单（处罚期限尚未届满的），不得申请。7.符合法律、行政法规规定的其他条件。 三、获取招标文件 时间：2022年04月06日 至 2022年04月22日，每天上午9:00至12:00，下午14:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：“优质采云采购平台”（http://www.youzhicai.com/） 方式：在线下载 售价：￥400.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年05月06日 09点00分（北京时间） 开标时间：2022年05月06日 09点00分（北京时间） 地点：线上开标：“优质采云采购平台”（http://www.youzhicai.com/）；线下开标地点：湖南省长沙市开福区芙蓉中路绿地中心 T2 栋 18 层 1808 室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、遴选公告发布媒介：中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）、优质采云采购平台（www.youzhicai.com）、中南大学湘雅二医院（http://www.xyeyy.com/3/29/index.htm）发布。 2、潜在遴选申请人须登陆 优质采云采购平台 （网址：www.youzhicai.com，以下称 优质采平台 ）参与本项目遴选采购活动。首次登陆须办理注册手续，请务必选择注册为 遴选申请人角色 类型。注册流程见优质采平台 用户注册 栏目，咨询热线：400-0099-555。因未及时办理注册手续影响参加遴选采购活动的，责任自负。 3、已注册的潜在遴选申请人可登录优质采平台获取遴选文件，遴选文件费用采用银联线上支付，支持各类开通银联服务的银行账户。本项目的遴选文件及其他资料（含澄清、答疑及相关补充文件）通过优质采平台发布，委托人/代理机构不再另行书面通知，潜在遴选申请人应及时关注、查阅优质采平台。因未及时查看导致不利后果的，责任自负。 4、潜在遴选申请人支付遴选文件费用前需核对单位名称及统一社会信用代码，确认无误后支付费用，并通过优质采交易平台直接获取电子发票。若单位名称、统一社会信用代码发生变化或填写有误，须先进行注册信息修改，修改内容审核通过后，再进行费用支付。 5、已注册的潜在遴选申请人若注册信息发生变更（如：与初始注册信息不一致），应及时网上提交变更申请。因未及时变更导致不利后果的，责任自负。 6、本项目采用全流程电子化遴选采购方式，潜在遴选申请人须办理CA数字证书（以下简称CA），CA用于电子投标/响应文件的签章及上传（上传投标/响应文件需使用CA进行加密）；CA办理详见《关于优质采平台数字证书办理的须知》（www.youzhicai.com/ActivityTopic/AdviceDetail/8f80a7ec-911f-4c4d-a123-f8849880f045）；咨询热线：400-0099-555。 7、电子投标/响应文件必须使用 优质采遴选申请文件制作工具 制作生成并上传。下载地址：toolcdn.youzhicai.com/tools/BidderTools.zip，使用说明书及视频教程下载地址: file.youzhicai.com/files/BidderHelp.rar。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：中南大学湘雅二医院 地址：湖南省长沙市人民中路 139 号 联系方式：黄老师，0731-85294138 2.采购代理机构信息 名 称：安徽省招标集团股份有限公司 地 址：湖南省长沙市开福区芙蓉中路绿地中心T2栋1808室 联系方式：王宇乐：19958141026；钱乐乐：18900760576；奚峻：0731-85530680 3.项目联系方式 项目联系人：王宇乐、钱乐乐、奚峻 电 话： 19958141026、18900760576、0731-85530680 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：臭氧发生器 开标时间：2022-05-06 09:00 预算金额：209.00万元 采购单位：中南大学湘雅二医院 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：安徽省招标集团股份有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目公开遴选公告 湖南省-长沙市-芙蓉区 状态：公告 更新时间： 2022-04-06 招标文件: 附件1 附件2 中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目公开遴选公告 2022年04月06日 16:06 公告信息： 采购项目名称 中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目 品目 货物/医药品/医用材料/其他医用材料 采购单位 中南大学湘雅二医院 行政区域 长沙市 公告时间 2022年04月06日 16:06 获取招标文件时间 2022年04月06日至2022年04月22日每日上午:9:00 至 12:00 下午:14:00 至 17:00（北京时间，法定节假日除外） 招标文件售价 ￥400 获取招标文件的地点 “优质采云采购平台”（http://www.youzhicai.com/） 开标时间 2022年05月06日 09:00 开标地点 线上开标：“优质采云采购平台”（http://www.youzhicai.com/）； 线下开标地点：湖南省长沙市开福区芙蓉中路绿地中心 T2 栋 18 层 1808 室。 预算金额 ￥209.000000万元（人民币） 联系人及联系方式： 项目联系人 王宇乐、钱乐乐、奚峻 项目联系电话 19958141026、18900760576、0731-85530680 采购单位 中南大学湘雅二医院 采购单位地址 湖南省长沙市人民中路 139 号 采购单位联系方式 黄老师，0731-85294138 代理机构名称 安徽省招标集团股份有限公司 代理机构地址 湖南省长沙市开福区芙蓉中路绿地中心T2栋1808室 代理机构联系方式 王宇乐：19958141026；钱乐乐：18900760576；奚峻：0731-85530680 附件： 附件1 中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目遴选公告.docx 附件2 3、中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目清单（新）.xlsx 项目概况 中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目 招标项目的潜在投标人应在“优质采云采购平台”（http://www.youzhicai.com/）获取招标文件，并于2022年05月06日 09点00分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：GN2022-23-1417 项目名称：中南大学湘雅二医院疼痛科耗材入围遴选项目 预算金额：209.0000000 万元（人民币） 采购需求： 包号 目录名称参数用途或功能描述 入围家数 预估年使用金额（万元） 遴选保证金（元） 1 球囊导管套件(一次性脑科手术用球囊导管套件) 三叉神经痛三叉神经节球囊压迫术 2 80 30000 2 一次性脊柱双极球形射频消融电极 用于脊柱内镜手术时镜下椎间盘消融、止血、清理结缔组织、纤维环成型，需与医院现有的joimax ELLMAN射频仪配套使用。 2 48 20000 3 半植入式蛛网膜下腔药物输注装置 用于各种顽固性疼痛如癌痛的蛛网膜下腔的精确给药治疗。要求能长期留管输注吗啡、局麻药等，能多次穿刺，能接外用PCA泵,有导引钢丝，长度不短于80cm。 2 33 12000 4 一次性等离子刀头（直头、弯头） 用于颈椎、腰椎椎间盘突出症椎间盘消融,需与医院现有杰西品牌等离子消融发生器配套使用 2 40 15000 5 射频穿刺针 用于疼痛性疾病的神经、软组织、椎间盘等的射频治疗，5、10、15cm，需与医院现有Baylis射频仪配套使用 2 3 1200 6 臭氧大自血套件和臭氧套袋 中枢神经及外周神经损伤后、外周血管疾病、带状疱疹感染、免疫性疾病、糖尿病足等多种疼痛性疾病以及失眠等非疼痛性疾病的治疗，需与医院现有卡特臭氧发生器配套使用 2 5 2000 合同履行期限：3年 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 按相关政策执行 3.本项目的特定资格要求：1）具备与所投耗材相应的生产或经营许可证（如医疗器械生产或经营备案凭证、医疗器械生产或经营许可证）。2）所投耗材如纳入医疗器械管理的，必须具有相应的备案凭证或注册证（如医疗器械备案凭证、医疗器械注册证等）。3）所采购目录属于湖南省阳光采购挂网范围内的，则申报目录必须是湖南省阳光采购挂网产品，所采购目录不属于湖南省阳光采购挂网范围内的，则申报目录无需是湖南省阳光采购挂网产品。4）接受生产企业（境外产品国内总代理视同为生产企业）或具备有效授权委托书的经营企业参与。5）供应商对每一标包只能选择一个品牌进行申报，否则取消该标包入围资格。4.单位负责人为同一人或者存在控股、管理关系的不同单位，不得同时参加同一标包的申请。5.与采购人存在利害关系可能影响入围公正性的法人、其他组织或者个人，不得参加申请。6.在提交申请文件截止时间前被“信用中国”网站列入失信被执行人和重大税收违法案件当事人名单的或被“中国政府采购网”网站列入政府采购严重违法失信行为记录名单（处罚期限尚未届满的），不得申请。7.符合法律、行政法规规定的其他条件。 三、获取招标文件 时间：2022年04月06日 至 2022年04月22日，每天上午9:00至12:00，下午14:00至17:00。（北京时间，法定节假日除外） 地点：“优质采云采购平台”（http://www.youzhicai.com/） 方式：在线下载 售价：￥400.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2022年05月06日 09点00分（北京时间） 开标时间：2022年05月06日 09点00分（北京时间） 地点：线上开标：“优质采云采购平台”（http://www.youzhicai.com/）；线下开标地点：湖南省长沙市开福区芙蓉中路绿地中心 T2 栋 18 层 1808 室。 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 1、遴选公告发布媒介：中国政府采购网（http://www.ccgp.gov.cn/）、优质采云采购平台（www.youzhicai.com）、中南大学湘雅二医院（http://www.xyeyy.com/3/29/index.htm）发布。 2、潜在遴选申请人须登陆 优质采云采购平台 （网址：www.youzhicai.com，以下称 优质采平台 ）参与本项目遴选采购活动。首次登陆须办理注册手续，请务必选择注册为 遴选申请人角色 类型。注册流程见优质采平台 用户注册 栏目，咨询热线：400-0099-555。因未及时办理注册手续影响参加遴选采购活动的，责任自负。 3、已注册的潜在遴选申请人可登录优质采平台获取遴选文件，遴选文件费用采用银联线上支付，支持各类开通银联服务的银行账户。本项目的遴选文件及其他资料（含澄清、答疑及相关补充文件）通过优质采平台发布，委托人/代理机构不再另行书面通知，潜在遴选申请人应及时关注、查阅优质采平台。因未及时查看导致不利后果的，责任自负。 4、潜在遴选申请人支付遴选文件费用前需核对单位名称及统一社会信用代码，确认无误后支付费用，并通过优质采交易平台直接获取电子发票。若单位名称、统一社会信用代码发生变化或填写有误，须先进行注册信息修改，修改内容审核通过后，再进行费用支付。 5、已注册的潜在遴选申请人若注册信息发生变更（如：与初始注册信息不一致），应及时网上提交变更申请。因未及时变更导致不利后果的，责任自负。 6、本项目采用全流程电子化遴选采购方式，潜在遴选申请人须办理CA数字证书（以下简称CA），CA用于电子投标/响应文件的签章及上传（上传投标/响应文件需使用CA进行加密）；CA办理详见《关于优质采平台数字证书办理的须知》（www.youzhicai.com/ActivityTopic/AdviceDetail/8f80a7ec-911f-4c4d-a123-f8849880f045）；咨询热线：400-0099-555。 7、电子投标/响应文件必须使用 优质采遴选申请文件制

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 基本信息 关键内容： 臭氧发生器 开标时间： null 采购金额： 420.00万元 采购单位： 菏泽青水清环保科技有限公司 采购联系人： 冯先生 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 红城国际工程项目管理有限公司 代理联系人： 李先生 代理联系方式： 立即查看 详细信息 菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次）招标公告 山东省-菏泽市-牡丹区 状态：公告 更新时间：2021-12-08 菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次）招标公告 发布时间：2021-12-08 菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次）招标公告 一、招标条件 本招标项目菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次）已经相关部门批准，招标人为菏泽青水清环保科技有限公司，资金为企业自筹资金。根据相关规定，项目已具备采购条件，现委托红城国际工程项目管理有限公司拟就该项目以公开招标的方式进行采购，欢迎符合要求的投标人参加本次招标。 二、项目概况与招标范围： 1、项目名称：菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次） 2、项目编号：HCGJQ-2021-24 3、供货地点：招标人指定地点 4、供货期：50日历天 5、采购范围：本项目共划分 一 个标段。 菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次）包括图纸、清单及相关资料包括的全部内容；具体见招标文件； 三、项目预算： 招标控制价：420万元 四、招标项目内容 本项目采购2套10kg/h富氧源臭氧发生器系统和2套10kg/h空气源臭氧发生器系统，包括设备设计、运输、安装指导设备调试、验收、项目相关操作人员培训、业务指导以及质保期内售后服务等。具体内容详见《招标文件》、《技术规范》等详细供货范围及供货清单。 五、投标人资格要求 1. 投标人在中国境内依法注册，具有履行合同所必需的专业技术能力； 2. 投标人须具有与本项目相关经营范围的有效营业执照，能合法提供本次采购货物及服务、具备生产、经营、开发相关设备经验的制造商； 3.根据《关于在招标投标活动中对失信被执行人实施联合惩戒的通知》之规定，投标人应为通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）或各级信用信息共享平台查询未被列为失信被执行人； 4.参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明； 5.单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同投标人，不得参加同一合同项下的采购活动； 6.本项目不接受联合体投标，不允许转包、不接受贴牌产品； 7.本项目采用资格后审。 六、报名要求及获取招标文件： （1）统一社会信用代码的营业执照副本； （2）法定代表人身份证（法定代表人到场的），或法定代表人授权委托书和法定代表人身份证复印件及委托代理人身份证（委托代理人到场的）； （3）“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）或中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询。失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录查询结果截图打印页； （4）参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明。 注：（1）报名资料的审验并不作为潜在投标人资格条件的最终通过或合格，潜在投标人应对资料的真实性等负责；评审时须对投标人进行资格后审，不符合项目资格条件的投标人的投标文件将被拒绝，潜在投标人应自负其风险费用。 （2）有意者请携带以上证件加盖单位公章的复印件两份（不接受彩印件、电子扫描件），2021年12月9日起至2021年12月15日9:00-17:00（法定节假日除外），到菏泽市万象广场3号楼5楼会议室报名。 （3）注：开标时间及投标文件递交的截止时间详见招标文件；逾期送达的或者未送达指定地点的投标文件，招标人不予受理。招标文件300元 /份，售后不退。 七、投标文件的递交时间及开标时间、地点 投标文件递交截止时间、开标时间及地点：详见招标文件。 八、发布公告的媒介 本次招标公告在中国招标投标公共服务平台、山东省采购与招标网、菏泽市公共资源（国有产权）交易服务平台同时发布。 九、联系方式 招 标 人：菏泽青水清环保科技有限公司 地 址：菏泽市牡丹区大学路与重庆路交叉口东北侧 联 系 人：冯先生 联系电话：18265811813 代理机构：红城国际工程项目管理有限公司 地 址：菏泽市中华路万象广场3号楼 联 系 人：李先生 联系电话：15865011809 电子邮箱：hcgjyxgshz@163.com × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：臭氧发生器 开标时间：null 预算金额：420.00万元 采购单位：菏泽青水清环保科技有限公司 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：红城国际工程项目管理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次）招标公告 山东省-菏泽市-牡丹区 状态：公告 更新时间： 2021-12-08 菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次）招标公告 发布时间：2021-12-08 菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次）招标公告 一、招标条件 本招标项目菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次）已经相关部门批准，招标人为菏泽青水清环保科技有限公司，资金为企业自筹资金。根据相关规定，项目已具备采购条件，现委托红城国际工程项目管理有限公司拟就该项目以公开招标的方式进行采购，欢迎符合要求的投标人参加本次招标。 二、项目概况与招标范围： 1、项目名称：菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次） 2、项目编号：HCGJQ-2021-24 3、供货地点：招标人指定地点 4、供货期：50日历天 5、采购范围：本项目共划分 一 个标段。 菏泽青水清环保科技有限公司臭氧发生器系统设备采购及安装项目（二次）包括图纸、清单及相关资料包括的全部内容；具体见招标文件； 三、项目预算： 招标控制价：420万元 四、招标项目内容 本项目采购2套10kg/h富氧源臭氧发生器系统和2套10kg/h空气源臭氧发生器系统，包括设备设计、运输、安装指导设备调试、验收、项目相关操作人员培训、业务指导以及质保期内售后服务等。具体内容详见《招标文件》、《技术规范》等详细供货范围及供货清单。 五、投标人资格要求 1. 投标人在中国境内依法注册，具有履行合同所必需的专业技术能力； 2. 投标人须具有与本项目相关经营范围的有效营业执照，能合法提供本次采购货物及服务、具备生产、经营、开发相关设备经验的制造商； 3.根据《关于在招标投标活动中对失信被执行人实施联合惩戒的通知》之规定，投标人应为通过“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）或各级信用信息共享平台查询未被列为失信被执行人； 4.参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明； 5.单位负责人为同一人或者存在直接控股、管理关系的不同投标人，不得参加同一合同项下的采购活动； 6.本项目不接受联合体投标，不允许转包、不接受贴牌产品； 7.本项目采用资格后审。 六、报名要求及获取招标文件： （1）统一社会信用代码的营业执照副本； （2）法定代表人身份证（法定代表人到场的），或法定代表人授权委托书和法定代表人身份证复印件及委托代理人身份证（委托代理人到场的）； （3）“信用中国”网站（www.creditchina.gov.cn）或中国政府采购网（www.ccgp.gov.cn）查询。失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、政府采购严重违法失信行为记录查询结果截图打印页； （4）参加政府采购活动前3年内在经营活动中没有重大违法记录的书面声明。 注：（1）报名资料的审验并不作为潜在投标人资格条件的最终通过或合格，潜在投标人应对资料的真实性等负责；评审时须对投标人进行资格后审，不符合项目资格条件的投标人的投标文件将被拒绝，潜在投标人应自负其风险费用。 （2）有意者请携带以上证件加盖单位公章的复印件两份（不接受彩印件、电子扫描件），2021年12月9日起至2021年12月15日9:00-17:00（法定节假日除外），到菏泽市万象广场3号楼5楼会议室报名。 （3）注：开标时间及投标文件递交的截止时间详见招标文件；逾期送达的或者未送达指定地点的投标文件，招标人不予受理。招标文件300元 /份，售后不退。 七、投标文件的递交时间及开标时间、地点 投标文件递交截止时间、开标时间及地点：详见招标文件。 八、发布公告的媒介 本次招标公告在中国招标投标公共服务平台、山东省采购与招标网、菏泽市公共资源（国有产权）交易服务平台同时发布。 九、联系方式 招 标 人：菏泽青水清环保科技有限公司 地 址：菏泽市牡丹区大学路与重庆路交叉口东北侧 联 系 人：冯先生 联系电话：18265811813 代理机构：红城国际工程项目管理有限公司 地 址：菏泽市中华路万象广场3号楼 联 系 人：李先生 联系电话：15865011809 电子邮箱：hcgjyxgshz@163.com

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 基本信息 关键内容： 臭氧发生器 开标时间： 2021-09-30 09:30 采购金额： 190.00万元 采购单位： 海口永庄水务有限公司 采购联系人： 唐先生 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 海南坤亿项目管理有限公司 代理联系人： 陈工 代理联系方式： 立即查看 详细信息 永庄水厂原水预处理项目-10KG臭氧发生器成套设备采购 海南省-海口市-美兰区 状态：公告 更新时间：2021-09-11 受海口永庄水务有限公司的委托，海南坤亿项目管理有限公司就永庄水厂原水预处理项目-10KG臭氧发生器成套设备采购（项目编号：HNKY-HK-C2021037）所需的货物组织公开招标，欢迎合格的投标供应商前来投标。有关事项如下： 一、采购项目： 1、项目名称:永庄水厂原水预处理项目-10KG臭氧发生器成套设备采购； （1）用途：工作需要； （2）技术要求：见“用户需求书”； （3）本项目采购预算金额为：1900000.00元； (4) 采购数量:2套10KG臭氧发生器成套设备； （5）供货期：30日历天； （6）质量要求：合格。 二、投标供应商资格要求 1、投标供应商应具有在中华人民共和国注册的、具有独立承担民事责任能力的法人（证明材料：提供营业执照副本复印件、组织机构代码证副本复印件、税务登记证副本复印件或改革后的“三证合一”或“多证合一”营业执照复印件）； 2、具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，投标供应商须提供2020年经审计的财务报告或2021年任意1个月的企业财务报表，包括资产负债表、损益表（或利润表）、现金流量表及公司财务会计制度。提供的资料须加盖公章。）； 3、具有履行合同所必需的设备和专业技术能力；（证明材料：投标供应商须提供具备履行本项目合同所必需的设备和专业技术能力的承诺书（格式自拟）。） 4、投标供应商有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录（证明材料：提供2021年任意1个月依法缴纳税收和社会保障资金的证明材料复印件加盖公章）； 5、参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录； 6、投标供应商未被列入信用中国网站(www.creditchina.gov.cn)的“失信被执行人”、“重大税收违法案件当事人名单”和中国政府采购网；(www.ccgp.gov.cn) 的“政府采购严重违法失信行为记录名单”的供应商；（证明材料：投标供应商提供查询结果网页截图加盖公章，截图日期须在本项目采购公告发出之日后，投标文件递交截止时间前。）； 7、 按时并足额缴纳投标保证金（证明材料：投标保证金缴付凭证复印件加盖公章）； 8、本项目不接受联合体投标。 9、符合法律、行政法规规定及招标文件要求的其他条件。 三、采购文件的获取： 1、发售标书时间：2021年09月10日08:30时至2021年09月16日17:00时。 2、发售标书地点：海口市美兰区蓝天路12号国机中洋公馆2栋1301房。 3、标书售价：招标文件每套售价500.00元。 4、投标供应商提问截止时间：2021年09月17日 17:00时止（北京时间）。 5、购买招标文件时必须提供以下材料（复印件加盖公章，原件备查）： （1）营业执照副本、组织机构代码证副本、税务登记证副本或按照国家“三证合一、一照一码”登记制度申请核发的新版合法的营业执照副本。 （2）法人代表授权委托书原件及法人代表身份证复印件、授权代表须提供身份证复印件。 四、投标文件和保证金的递交： 1、投标文件递交截止时间：2021年09月30日 09:30时（北京时间）。 2、投标文件递交地址(地点)：海口市美兰区蓝天路51号京航大酒店5楼3开标室，如有变动另行通知。 3、投标保证金金额均为：￥15000.00元。 4、保证金缴纳截止时间：投标文件递交截止时间前缴纳至采购代理机构指定账户。 五、公告发布媒介：。 六、其他 需要落实的政府采购政策：《政府采购促进中小企业发展暂行办法》、《节能产品政府采购实施意见》、《关于环境标志产品政府采购实施的意见》、《关于信息安全产品实施政府采购的通知》、《关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》、《财政部 司法部关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》。 七、采购人及代理机构联系方式： 招标人：海口永庄水务有限公司 地 址：海南省海口市 联系人：唐先生 联系电话：0898-66269665 代理人：海南坤亿项目管理有限公司 联系地址：海口市美兰区蓝天路12号国机中洋公馆2栋1302房 联系人：陈工 联系方式：0898-66513395 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：臭氧发生器 开标时间：2021-09-30 09:30 预算金额：190.00万元 采购单位：海口永庄水务有限公司 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：海南坤亿项目管理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 永庄水厂原水预处理项目-10KG臭氧发生器成套设备采购 海南省-海口市-美兰区 状态：公告 更新时间： 2021-09-11 受海口永庄水务有限公司的委托，海南坤亿项目管理有限公司就永庄水厂原水预处理项目-10KG臭氧发生器成套设备采购（项目编号：HNKY-HK-C2021037）所需的货物组织公开招标，欢迎合格的投标供应商前来投标。有关事项如下： 一、采购项目： 1、项目名称:永庄水厂原水预处理项目-10KG臭氧发生器成套设备采购； （1）用途：工作需要； （2）技术要求：见“用户需求书”； （3）本项目采购预算金额为：1900000.00元； (4) 采购数量:2套10KG臭氧发生器成套设备； （5）供货期：30日历天； （6）质量要求：合格。 二、投标供应商资格要求 1、投标供应商应具有在中华人民共和国注册的、具有独立承担民事责任能力的法人（证明材料：提供营业执照副本复印件、组织机构代码证副本复印件、税务登记证副本复印件或改革后的“三证合一”或“多证合一”营业执照复印件）； 2、具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度，投标供应商须提供2020年经审计的财务报告或2021年任意1个月的企业财务报表，包括资产负债表、损益表（或利润表）、现金流量表及公司财务会计制度。提供的资料须加盖公章。）； 3、具有履行合同所必需的设备和专业技术能力；（证明材料：投标供应商须提供具备履行本项目合同所必需的设备和专业技术能力的承诺书（格式自拟）。） 4、投标供应商有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录（证明材料：提供2021年任意1个月依法缴纳税收和社会保障资金的证明材料复印件加盖公章）； 5、参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录； 6、投标供应商未被列入信用中国网站(www.creditchina.gov.cn)的“失信被执行人”、“重大税收违法案件当事人名单”和中国政府采购网；(www.ccgp.gov.cn) 的“政府采购严重违法失信行为记录名单”的供应商；（证明材料：投标供应商提供查询结果网页截图加盖公章，截图日期须在本项目采购公告发出之日后，投标文件递交截止时间前。）； 7、 按时并足额缴纳投标保证金（证明材料：投标保证金缴付凭证复印件加盖公章）； 8、本项目不接受联合体投标。 9、符合法律、行政法规规定及招标文件要求的其他条件。 三、采购文件的获取： 1、发售标书时间：2021年09月10日08:30时至2021年09月16日17:00时。 2、发售标书地点：海口市美兰区蓝天路12号国机中洋公馆2栋1301房。 3、标书售价：招标文件每套售价500.00元。 4、投标供应商提问截止时间：2021年09月17日 17:00时止（北京时间）。5、购买招标文件时必须提供以下材料（复印件加盖公章，原件备查）： （1）营业执照副本、组织机构代码证副本、税务登记证副本或按照国家“三证合一、一照一码”登记制度申请核发的新版合法的营业执照副本。 （2）法人代表授权委托书原件及法人代表身份证复印件、授权代表须提供身份证复印件。 四、投标文件和保证金的递交： 1、投标文件递交截止时间：2021年09月30日 09:30时（北京时间）。 2、投标文件递交地址(地点)：海口市美兰区蓝天路51号京航大酒店5楼3开标室，如有变动另行通知。 3、投标保证金金额均为：￥15000.00元。 4、保证金缴纳截止时间：投标文件递交截止时间前缴纳至采购代理机构指定账户。 五、公告发布媒介：。 六、其他 需要落实的政府采购政策：《政府采购促进中小企业发展暂行办法》、《节能产品政府采购实施意见》、《关于环境标志产品政府采购实施的意见》、《关于信息安全产品实施政府采购的通知》、《关于促进残疾人就业政府采购政策的通知》、《财政部 司法部关于政府采购支持监狱企业发展有关问题的通知》。 七、采购人及代理机构联系方式： 招标人：海口永庄水务有限公司 地 址：海南省海口市 联系人：唐先生 联系电话：0898-66269665 代理人：海南坤亿项目管理有限公司 联系地址：海口市美兰区蓝天路12号国机中洋公馆2栋1302房 联系人：陈工 联系方式：0898-66513395

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近日，有消息称，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。这一消息再次将第三代半导体映入人们的视线。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 第一代半导体兴起于20世纪五十年代，以硅（Si）、锗（Ge）半导体材料为代表，广泛应用于集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业。20世纪九十年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以砷化镓、锑化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 近年来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表的第三代半导体材料开始初露头角。第三代半导体具备高击穿电场、高热导率、高电子饱和速率及抗强辐射能力等优异性能，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 0em " 密集出台第三代半导体发展政策 /h3 p 　　2014 年，美国总统奥巴马宣布成立“下一代功率电子技术国家制造业创新中心” 同期，日本建立了“下一代功率半导体封装技术开发联盟 欧洲启动了产学研项目“LASTP OWER”，由意法半导体公司牵头，协同来自意大利、德国、法国、瑞典、希腊和波兰等六个欧洲国家的私营企业、大学和公共研究中心，联合攻关SiC和GaN的关键技术。 /p p 　　我国政府高度重视第三代半导体材料的研究与开发，从 2004 年开始对第三代半导体领域的研究进行了部署，启动了一系列重大研究项目，2013 年中国科技部在 863 计划新材料技术领域项目征集指南中明确将第三代半导体材料及应用列为重要内容。2015年，中国建立第三代半导体材料及应用联合创新基地，，国家科技部、工信部、北京市科委牵头成立第三代半导体产业技术创新战略联盟(CASA)，推动我国第三代半导体材料及器件研发和相关产业发展。 /p p 　　我国在“中国制造2025”计划中明确提出要大力发展第三代半导体产业。国内厂商在第三代半导体进行全产业链布局，自主可控能力较强。国内厂商布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节，第三代半导体全产业链布局，可完全自主可控。 /p table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" style=" border-collapse:collapse border:none" tbody tr class=" firstRow" td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 政策名称 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 发布时间 /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 相关内容 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《科技部关于举办第七届中国创新创业大赛的通知》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2018/3 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 大赛设立专业赛事，促进创新方法实践、港澳台创业交流、大中小企业协同创新创业、军民融合以及新能源汽车、第三代半导体等专业领域创新创业 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《第三代半导体电力电子技术路线图》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2018/7 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p style=" text-indent:28px" 路线图主要从衬底 span / /span 外延 span / /span 器件、封装 span / /span 模块、 span SiC /span 应用、 span GaN /span 应用等四个方面展开论述，提出了中国发展第三代半导体电力电子技术的路径建议和对未来产业发展的预测 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《工业和信息化部关于印发重点新材料首批次应用示范指导目录（ span 2019 /span 年版）》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2019/11 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 将 span GaN /span 单晶衬底、功率器件用 span GaN /span 外延片、 span SiC /span 外延片， span SiC /span 单晶衬底等第三代半导体产品纳入目录 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《长江三角洲区域一体化发展规划纲要》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2019/12 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 明确要求长三角区域加快培育布局第三代半导体产业，推动制造业高质量发展 /p /td /tr tr td width=" 184" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 《中国（安徽）自由贸易试验区总体方案》 /p /td td width=" 80" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p span 2020/9/21 /span /p /td td width=" 289" valign=" top" style=" border: 1px solid rgb(0, 0, 0) padding: 5px " p 将第三代半导体产业列入安徽自由贸易试验区发展重点 /p /td /tr /tbody /table p style=" text-indent: 2em text-align: justify " 此外，地方政府更是密集出台大量政策来响应国家计划，扶持第三代半导体产业发展。2018年，福建省出台9项政策，北京2项。2019年，福建省出台2项政策，江苏省出台1项，北京2项，广东省1项，山东省2项。据CASA统计，2019年1季度，我国各级政府机构涉及第三代半导体相关的政策条文就多达10条（2018年同期18条），政策内容涉及集群培育、科研奖励、人才培育、项目招商、生产激励等多个方面，地区包括天津、深圳、济南、北京、厦门、南昌、广州、徐州等8个地区。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 今年更是有消息称大力发展第三代半导体将写入“十四五”规划。在国家政策的大力支持下，国内第三代半导体产线陆续开通，产能不断增加。据CASA Research不完全统计，2019年，国内主要企业Si基GaN外延片(不含LED)折算6英寸产能约为20万片/年，Si基GaN器件(不含LED)折算6英寸产能约为19万片/年。SiC基GaN外延片折算4英寸产能约为10万片/年，SiC基GaN器件折算4英寸产能约为8万片/年。SiC方面，国内主要企业导电型SiC衬底折合4英寸产能约为50万片/年，半绝缘SiC衬底折合4英寸产能约为寸产能约为20万片/年 SiC外延片折算6英寸产能约为20万片/年。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 0em " 分析检测仪器助力第三代半导体发展 /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 随着工业、汽车等市场需求的增加，以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料的重要性与优越性逐渐凸显了出来。同时，随着第三代半导体材料产业化技术日趋成熟，生产成本不断降低，使得第三代半导体材料突破传统硅基半导体材料的瓶颈，从而引领了新一轮产业革命。未来采用第三代半导体材料器件的产品和企业将会越来越多。但在半导体器件向小型化和集成化方向发展的同时，半导体器件特性测试也越来越重要。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 数字源表源测量单元（SMU）就被视为是可支持第三代半导体材料器件的测试仪器。这种仪器在同一引脚或连接器上结合了源功能和测量功能，它将电源或函数发生器，数字万用表（DMM）或示波器，电流源和电子负载的功能集成到一个紧密同步的仪器中。可以在输出电压或电流的同时，测量电压和/或电流。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 一般说来，SMU测量能力超过类似单台仪器的任意组合。SMU可以进行高精度，高分辨率和高灵活性的测试分析。被广泛应用在 IV 检定、测试半导体及非线性设备和材料等方面的测试方面。这对于吞吐量和准确度尤其如此。源和测量电路的详尽设计知识和工作电路之间的反馈实现补偿技术能实现优秀的仪器特性，包括能针对具体工作条件进行动态调整的近乎完美输入和输出阻抗。这种紧密集成以极高分辨率实现快速源-测量周期。这些优点在半成品晶圆以及成品上进行的半导体测量中最突出。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " SiC、GaN等薄膜外延生长后，需要检测薄膜的表面形貌来表征材料生长效果。通常使用高分辨率的透射电镜（HRTEM）检测，它只是分辨率比较高，一般透射电镜能做的工作它也能做，但高分辨电镜物镜极靴间距比较小，所以双倾台的转角相对于分析型的电镜要小一些。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 高分辨X射线衍射是半导体材料表征的标准装备，可用于半导体材料和器件等的研究和生产质量控制。其适用于各种薄膜样品的测试应用，尤其适合外延薄膜和单晶晶圆的结构分析和表征，例如：摇摆曲线分析、倒易空间图、反射率、薄膜物相分析、掠入射表面分析、残余应力和织构分析等。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 此外，光致发光光谱(PL)、原子力显微镜、二次离子质谱（SIMS）、椭圆偏振仪等是第三代半导体的检测的重要仪器。随着国内第三代半导体的研究热潮和产业大面积落地，第三代半导体检测仪器将迎来巨大的市场机遇。 /p p style=" text-align: center text-indent: 0em " a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/iCSMD2020/" target=" _self" img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202010/uepic/3bb43945-c34d-4a4d-b174-450445394cb6.jpg" title=" 半导体材料与器件.jpg" alt=" 半导体材料与器件.jpg" / /a /p

美国兰博柱后衍生系统(第三代柱后衍生装置)美国原装柱后衍生系统，克服了市场现有柱后衍生仪在压力、流量及温度控制等诸多不足，其超高的精度，优异的性能，以及无可比拟的多功能设计，独领柱后衍生检测领域。 美国兰博柱后衍生系统主要特点： 高精度* 衍生剂流量精度提升10倍以上* 反应器控温精度提升5倍以上 性能卓越，多用途* 自保护：超压、漏液自动停泵，温度过热保护功能* 无缝兼容任何品牌及型号HPLC系统* 所有泵参数均可实现前面板与电脑的双重控制* 高精度柱塞泵使系统呈现卓越的灵敏性与连贯性* 泵精密部件采用特殊化学惰性材质，结实耐用* 在线自清洗设计，延长密封圈使用寿命* 化学惰性流路延长系统的使用寿命并减少维护花费* 连续反应圈，完全密闭，多向流动实现有效混合* 多种反应器任选，反应器体积可特别定制* 反应器更换更加便捷，使应用的改变更加容易* 超高精密度的反应温控设计，超快速恒温性能，极大程度节省用户时间，保证检测结果重现性* 数字显示交互式显示面板* 可堆砌式整体试剂储存盘、抗腐蚀底盘* 先进的气路控制组件，随时观测惰性N2气流量* 加压式试剂瓶、气体压力分流管与调控器装置，防止氧化试剂氧化* 可实现除作为柱后衍生之外的其它功能美国兰博柱后衍生系统应用分析：柱后衍生仪配备高效液相色谱使用，分析功能非常强大，可对多种物质进行检测，包括：* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定氨基甲酸盐杀虫剂含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定草苷膦除草剂含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定胍基类化合物含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定毒枝菌素含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定致人瘫痪或麻痹的甲壳类或贝类水生动物毒素含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定百草枯和杀草快含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定聚醚类抗生素含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定磺胺药含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定单端孢霉烯霉菌毒素含量* 高效液相色谱配合柱后衍生系统测定 维生素B1、B6含量* 更多… 创新点： 第三代柱后衍生系统荣耀上市！ 美国原装第三代柱后衍生装置克服了第二代产品压力、流量精度、温度精度之不足，必将以其超高的精度以及无可比拟的多功能设计，独领柱后衍生化检测领域。 兰博第三代柱后衍生系统 全新设计，超高精度。 第三代柱后衍生装置主要特点： 高精度 衍生剂流量精度提升10倍以上 反应器控温精度提升5倍以上 性能卓越，多用途 自保护：超压、漏液自动停泵，温度过热保护功能 无缝兼容任何品牌及型号HPLC系统 所有泵参数均可实现前面板与电脑的双重控制 高精度柱塞泵使系统呈现卓越的灵敏性与连贯性 泵精密部件采用特殊化学惰性材质，结实耐用 在线自清洗设计，延长密封圈使用寿命 化学惰性流路延长系统的使用寿命并减少维护花费 连续反应圈，完全密闭，多向流动实现有效混合 多种反应器任选，反应器体积可特别定制 反应器更换更加便捷，使应用的改变更加容易 超高精密度的反应温控设计，超快速恒温性能，极大程度节省用户时间，保证检测结果重现性 数字显示交互式显示面板 可堆砌式整体试剂储存盘、抗腐蚀底盘 先进的气路控制组件，随时观测惰性N2气流量 加压式试剂瓶、气体压力分流管与调控器装置，防止氧化试剂氧化 可实现除作为柱后衍生之外的其它功能 第三代柱后衍生系统

仪器信息网讯 第一代半导体兴起于20世纪五十年代，以硅（Si）、锗（Ge）半导体材料为代表，广泛应用于集成电路、电子信息网络工程、电脑、手机、电视、航空航天、各类军事工程和迅速发展的新能源、硅光伏产业。20世纪九十年代以来，随着移动通信的飞速发展、以光纤通信为基础的信息高速公路和互联网的兴起,以砷化镓、锑化铟为代表的第二代半导体材料开始崭露头角。二十一世纪以来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料开始初露头角。第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的导热率、更高的抗辐射能力、更大的电子饱和漂移速率等特性，可以实现更好的电子浓度和运动控制，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率电子器件，在光电子和微电子领域具有重要的应用价值。目前，市场火热的5G基站、新能源汽车和快充等都是第三代半导体的重要应用领域。随着工业、汽车等市场需求的增加，以GaN、SiC为代表的第三代半导体材料的重要性与优越性逐渐凸显了出来。同时，随着第三代半导体材料产业化技术日趋成熟，生产成本不断降低，使得第三代半导体材料突破传统硅基半导体材料的瓶颈，从而引领了新一轮产业革命。未来采用第三代半导体材料器件的产品和企业将会越来越多。但在半导体器件向小型化和集成化方向发展的同时，半导体器件特性测试也越来越重要。针对于此，仪器信息网在2022年12月21日举办的第三届“半导体材料、器件研究与应用”网络会议上，特设置了第三代半导体研究与检测技术专场。邀请第三代半导体领域相关研究、应用与检测专家、知名仪器企业技术代表，以线上分享报告、在线与网友交流互动形式，为同行搭建公益学习互动平台，增进学术交流。为回馈线上参会网的支持，增进会议线上交流互动，会务组决定在会议期间增设多轮抽奖环节，欢迎大家报名参会。同时，只要报名参会并将会议官网分享微信朋友圈积赞30个可以获得《2021年度科学仪器行业发展报告》（独家首发）一本，（兑奖方式见文末）报名参会进群还将获得半导体相关学习电子资料压缩包一份。会议同期，还有部分赞助厂商将抽取幸运观众，邮寄企业周边产品。本次会议免费参会，报名链接：https://insevent.instrument.com.cn/t/5ia 或扫描二维码报名第三代半导体研究与检测技术专场专场会议日程：时间报告题目演讲嘉宾专场2：第三代半导体研究与检测技术（12月21日）9:30氮化镓增强型功率器件进展黄火林(大连理工大学 教授)10:00如何利用牛津原子力显微镜评价化合物半导体质量刘志文 (牛津仪器科技（上海）有限公司)10:30Epitaxial growth of thick GaN layers on Si substrates and the physics of carbon impurity杨学林(北京大学 正高级工程师)11:00海洋光学微型光谱仪在半导体领域的应用卢坤俊(海洋光学 资深技术&应用专家)11:30GaN电力电子器件研究进展赵胜雷(西安电子科技大学 副教授)直播抽奖：5张30元京东卡12:00午休午休音乐14:00GaN功率器件及功率集成电路技术魏进(北京大学 研究员)14:30布鲁克新一代能谱仪及其在半导体样品上的应用陈剑锋（布鲁克（北京）科技有限公司 应用工程师）15:00聚焦离子束及飞秒激光微纳加工徐宗伟（天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 副教授）15:30雷尼绍拉曼光谱技术的发展及其在半导体材料分析中的应用王志芳（雷尼绍(上海)贸易有限公司北京分公司 光谱产品部应用经理）16:00GaN半导体器件的仿真设计与制备研究张紫辉（河北工业大学 教授）16:30氮化物半导体的原子尺度晶格极性研究王涛（北京大学 高级工程师）直播抽奖：5张30元京东卡嘉宾介绍大连理工大学 黄火林 教授黄火林，大连理工大学教授/博导&省第三代半导体技术创新中心副主任，在国内外长期从事第三代氮化镓材料半导体功率器件研发工作。2014年从新加坡国立大学回国后加入大连理工大学，建立第三代半导体电子器件实验室；已在IEEE EDL、T-ED、T-PEL等领域著名期刊和重要国际会议上发表学术论文超过五十篇；近五年已经申请或授权国际、国内发明专利近三十项（第一发明人）；主持国家级、省部级纵向及横向课题十余项。【摘要】氮化镓材料是第三代半导体的典型代表，利用该材料异质结结构2DEG优势制造的新一代功率器件已经进入民用和军用领域。增强型（常关型）操作是目前该领域的主要技术难题之一，本次报告将介绍氮化镓增强型功率器件的关键技术问题和研究进展。牛津仪器科技（上海）有限公司 刘志文 高级应用科学家刘志文，2006年博士毕业于大连理工大学三束国家重点实验室，博士期间主要利用AFM，TEM，XRD等技术手段研究PVD制备的氧化物薄膜的生长机制。毕业之后直接加入安捷伦科技，作为纳米测量部的应用科学家，主要从事AFM的应用工作。2018年加入牛津仪器Asylum Research。目前作为牛津仪器的高级应用科学家，主要从事原子力显微镜的应用推广、测试方法的研究以及AFM相关的多系统耦合。【摘要】 近几年，由于化合物半导体行业的飞速发展，其衬底以及外延薄膜质量评价越来越受到关注。如何评价高质量衬底和外延薄膜对工艺优化至关重要。原子力显微镜（AFM）是评价衬底和薄膜质量不可或缺的技术手段。在本次讲座中，主要用AFM从表面结构，力学性质和电学性质全面评价衬底和薄膜质量，涉及材料生长机制、表面不均匀性、缺陷类型、粗糙度、表面污染、力学性质、导电、表面电势、高压击穿等，从而实现对衬底和薄膜质量的全面评估。北京大学 杨学林 正高级工程师杨学林，1981年生，北京大学宽禁带半导体研究中心高级工程师，国家优秀青年科学基金获得者。2004年和2009年分别在吉林大学和北京大学获学士和博士学位，2009年-2012年在日本东京大学从事博士后研究工作。近年来在Si衬底上GaN基材料的MOCVD外延生长、C杂质的掺杂调控、缺陷影响电子器件可靠性的机理研究等方面取得了多项进展。以第一/通讯作者在PRL,AFM,APL等期刊上发表SCI论文30余篇；在本领域国内外学术会议上做邀请报告近20次，申请/授权国家发明专利13件。【摘要】 In this talk, we will discuss current challenges and summarize our latest progresses in the growth of thick GaN layers on Si substrates and physics of the carbon impurity in GaN. We firstly propose a large lattice-mismatch induced stress control technology to grow crack-free GaN and high mobility AlGaN/GaN as well as InAl(Ga)N/GaN heterostructures on Si substrates. Then, a Ga vacancy engineering is demonstrated for growth of thick GaN layers on Si substrates and fabrication of quasi-vertical GaN devices. Finally, the C doping behaviors in GaN are discussed, including the observation of two localized vibrational modes of CN in GaN and clarifying the formation and dissociation process of C-H complex in GaN.海洋光学 卢坤俊 资深技术&应用专家现任海洋光学亚洲公司资深应用工程师，拥有应用化学硕士学位。主要负责光纤光谱仪相关产品的技术支持与光谱解决方案的应用开发工作，具有丰富的材料、化学应用背景。【摘要】 介绍海洋光学公司及工业客户合作模式，并分享海洋光学微型光谱仪在半导体膜厚测量， PECVD过程监控，Plasma Etching终点指示以及 Plasma Cleaning过程监控中的原理及应用。西安电子科技大学 赵胜雷 副教授赵胜雷，博士，副教授，华山学者菁英人才。主要从事研究氮化物功率器件与应用研究，面向国家重大需求，深入探索器件工作机理，提出多种新型结构，大幅提升器件性能。主持和参与国家科技重大专项、国家自然科学基金等项目10余项，发表SCI论文70余篇，申请与授权发明专利30余项，获得中国电子学会技术发明一等奖。【摘要】GaN电力电子器件经过20多年的科研与产业化发展，已在电力电子器件研究领域与市场占据一席之地，但还有很大提升空间。GaN器件与Si、SiC器件相比有何优点，有何不足？本报告将从当前商业化pGaN器件遇到的问题、新型双向阻断功率应用等角度出发探讨GaN电力电子器件的关键技术。北京大学 魏进 研究员魏进，北京大学集成电路学院研究员、博士生导师。分别获中山大学、电子科技大学、香港科技大学的学士、硕士、博士学位。曾任职英诺赛科科技有限公司研发经理、香港科技大学博士后研究员、香港科技大学研究助理教授。长期致力于 GaN 基、 SiC 基功率电子器件及功率集成电路技术的研究。在IEDM、IEEE EDL等著名国际会议/期刊发表学术论文140余篇，其中一作/通讯作者论文40余篇，总引用2000余次，H因子为28。【摘要】 GaN功率半导体器件具有卓越的高平开关能力，有望大幅度提升功率开关系统的效率与功率密度。本报告将讨论GaN功率半导体器件及集成电路面临的关键技术难题（包含动态导通电阻退化，动态阈值电压漂移等）的物理机制及解决方案。布鲁克（北京）科技有限公司 陈剑锋 应用工程师2003年毕业于中科院长春应化所，主要研究方向是高分辨电子显微镜在高分子结晶中的应用，毕业后加入FEI，负责SEM/SDB的应用、培训以及市场等推广工作。2011年加入安捷伦公司负责SEM的市场和应用工作，2018年在赛默飞负责SEM的应用工作。2021年加入布鲁克，负责EDS、EBSD、 Micro-XRF等产品的技术支持工作，对电子显微镜的相关应用具有多年的实操经验。【摘要】 随着目前工业和自动化控制的发展，促使人们在半导体行业上不断突破到更微观的结构，能谱和电子显微镜因为在纳米尺度上的分析能力和直观的结果解读使之在半导体行业以及相应的材料，结构，性能的研究，测试，表征等方面的依赖性也变得越来越高，布鲁克纳米分析部门推出第七代能谱配合EBSD和同轴TKD等技术继续在分析测试，失效分析，产品工艺改进和品质控制等领域助力新能源行业的发展，本期报告我们将主要介绍布鲁克新一代能谱仪特点应用，让新老客户对我们的产品及应用有一个更好的了解和认知。天津大学精密测试技术及仪器国家重点实验室 徐宗伟 副教授徐宗伟，天津大学英才副教授，博导。研究领域：宽禁带半导体器件、超快能量束（离子、fs激光）加工、拉曼及荧光光谱表征、微纳加工机理、微刀具制备及纳米切削技术。中国电子显微镜学会聚焦离子束专业委员会委员。【摘要】 聚焦离子束、飞秒激光微纳加工，由于其精度高、直写成型和灵活性高等优势，成为重要的微纳制造技术。随着纳米功能器件制造需求和制造难度的不断增加，对基于聚焦离子束和飞秒激光制造技术提出了许多新的挑战。报告结合加工工艺优化、光谱表征以及原子尺度模拟等研究手段，分享两种先进制造技术在制备微纳光学功能器件、原子尺度点缺陷色心、宽禁带半导体功能结构中的应用。雷尼绍(上海)贸易有限公司北京分公司光谱产品部应用经理 王志芳王博士，毕业于中国科学技术大学物理系，现任雷尼绍光谱产品部应用经理。主要从事拉曼光谱技术在各个领域的开发和应用工作，具有多年的拉曼光谱系统使用经验及拉曼光谱分析经验。【摘要】 半导体材料和器件的性能及稳定性往往与材料本身的性质联系在一起，包括材料应力、缺陷、杂质、载流子浓度还有温度响应等等。拉曼光谱检测可以获得以上半导体材料的性质，并且拉曼光谱还具有速度快、无需制样、无损伤等表征优势，可以同时获得静态及动态变化中的结构信息，已经成为半导体材料表征和器件测试的一个重要手段。本次报告主要介绍雷尼绍拉曼技术在半导体领域的应用方向和相关案例，同时分享适用于半导体领域的拉曼技术的发展和应用。河北工业大学 张紫辉 教授张紫辉，男，生于1983年，2006年毕业于山东大学并获得理学学士学位，2015年毕业于新加坡南洋理工大学并获博士学位，后留校担任南洋理工大学研究员，目前担任河北工业大学教授、博士生导师、河北省特聘专家。主要研究第三代半导体器件、半导体器件物理、芯片仿真技术。目前已经在Applied Physics Letters、IEEE Electron Devices、Optics Express、Optics Letters等领域内权威SCI 期刊发表科研论文130多篇，其中以第一作者/通讯作者发表文章80余篇； 参与出版学术著作5部；获授权美国专利、中国国家专利共计21项，申请18项，已经完成成果转化4项；先后主持各类科研项目15项。【摘要】 本次报告将围绕深紫外发光二极管（DUV LED）、Micro-LED、日盲紫外探测器和肖特基功率二极管（SBD），详细阐述半导体器件仿真技术在半导体器件设计和制备过程中的关键作用，同时深入探讨影响各类半导体器件性能指标的关键因素，并提出优化设计方案：（1）探索提高AlGaN基DUV LED载流子注入效率、光提取效率、电流扩展效应的方法及机理；（2）研究抑制GaN基Micro-LED侧壁非辐射复合的方法，并提高发光效率；（3）研究降低紫外探测器的暗电流、提高响应度的方法和相关器件物理；（4）利用半导体仿真技术探索GaN基SBD的击穿过程，并优化器件架构设计，制备高击穿电压的GaN基SBD。北京大学 王涛 高级工程师王涛，北京大学电子显微镜实验室高级工程师，2013年在四川大学获得学士学位， 2018年在北京大学获得博士学位，曾在沙特阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）和德国莱布尼兹晶体生长研究所（IKZ）交流学习。目前主要从事（超）宽禁带半导体材料纳米尺度物性研究，主要包括利用高空间分辨、高能量分辨电子显微镜技术研究材料的物性，以及原位条件下材料的物性调控研究。以第一作者或通讯作者在Advanced Materials、 Light: Science & Applications、Advanced Science、Applied Physics Letters和Nanomaterials等期刊上发表多篇文章。兑奖方式：1） 直播间抽奖中奖后，凭借中奖截图凭证联系直播助手领奖；2） 分享朋友圈兑奖，凭借朋友圈点赞截图，联系直播助手领取《2021年度科学仪器行业发展报告》扫码加直播助手微信

第三代半导体具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、抗辐射能 力强等优点，是半导体产业的新型组成部分，可广泛用于新能源汽车、智能电网、轨道交通、半导体照明、新一代移动通信、消费类电子等领域，具有广阔的应用前景，已经成为全球半导体产业新的战略竞争高地。第三代半导体“十四五”强势开局，迎来国家政策红利2021年，正值十四五开局之年，国家也出台了一系列相关政策，全面加大了对第三代半导体产业的支持和投入力度，第三代半导体迎来了发展新机遇。《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》3月14日，十三届全国人大四次会议通过《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》单行本，其中“第二篇 坚持创新驱动发展 全面塑造发展新优势”中的科技前沿领域攻关专栏的集成电路中提到，“集成电路设计工具、重点装备和高纯靶材等关键材料研发，集成电路先进工艺和绝缘栅双极性晶体管（IGBT）、微机电系统（MEMS）等特色工艺突破，先进存储技术升级，碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。”《国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项》12月23日，科技部发布了《国家重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”重点专项2021 年度公开指南拟立项项目公示清单》，公示时间为2021年12月13日至2021年12月17日。清单公示了22个项目，其中包括了“面向大数据中心应用的 8 英寸硅衬底上氮化镓基外延材料、功率电子器件及电源模块关键技术研究”、“大尺寸 SiC 单晶衬底制备产业化技术”、“基于氮化物半导体的纳米像元发光器件研究”、“中高压 SiC 超级结电荷平衡理论研究及器件研制”、“晶圆级 Si(100)基 GaN 单片异质集成关键技术研究”、“GaN 单晶新生长技术研究”等第三代半导体项目。《重点新材料首批次应用示范指导目录（2021年版）》12月31日，工信部公布了《重点新材料首批次应用示范指导目录（2021年版）》，《重点新材料首批次应用示范指导目录（2019年版）》（工信部原〔2019〕254号）同时废止。目录按照《新材料产业发展指南》对新材料的划分方法，分为先进基础材料、关键战略材料和前沿新材料三大类，每个大类里面又细分小类。其中，关键战略材料中的先进半导体材料和新型显示材料中包括了氮化镓单晶衬底、氮化镓外延片、碳化硅同质外延片、碳化硅单晶衬底等第三代半导体材料。《长三角G60科创走廊建设方案》4月1日，科技部、国家发展改革委、工业和信息化部、人民银行、银保监会和证监会联合联合发布了《长三角G60科创走廊建设方案》（简称《建设方案》）。《建设方案》明确，在重点领域培育一批具有国际竞争力的龙头企业，加快培育布局量子信息、类脑芯片、第三代半导体、基因编辑等一批未来产业。2021年发布的多个国家政策持续加码第三代半导体产业，第三代半导体行业市场一片“蓝海”。各地摩拳擦掌，第三代半导体被纳入地方产业规划随着一系列国家政策开始落地，国内各地区也纷纷响应并提出相关发展方向。除了第三代半导体产业的专项政策外，第三代半导体作为半导体产业的重点方向，得到了各省市的系统布局和重视。发布时间发布部门政策名称相关政策内容2月江苏省人民政府《江苏省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》实施未来产业培育计划，前瞻布局第三代半导体、基因技术、 空天与海洋开发、量子科技、氢能与储能等领域。2月陕西省人民政府《陕西省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》重点开展第三代半导体所需化合物半导体（碳化硅、氮化镓）设计与制造工艺研发。3月上海临港新片区《中国（上海）自由贸易试验区临港新片区集成电路产业专项规划（2021-2025）》积极引进国内外第三代半导体等材料企业，加强关键材料的本地化配套能力。在第三代半导体、特色工艺、基础材料、重大装备等重点领域，依托龙头企业、大平台等搭建连接本地、辐射全国、融入全球的技术创新网络，鼓励产学研合作及上下游产业链协同开展技术研发创新，加速技术产品的验证及应用。新片区集成电路产业化核心承载区，重点布局集成电路先进制造、核心装备、关键材料、第三代半导体及高端封装测试等产业。3月辽宁省人民政府《辽宁省国民经济和社会发展第十四个五年规划和二〇三五年远景目标纲要》采用 “项目＋团队”引才方式，引领带动第三代半导体等未来产业快速发展；聚焦第三代半导体等前沿科技和产业变革领域，加快布局。4月山西省人民政府《山西省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》做大做强砷化镓、碳化硅等第二/三代半导体衬底材料—芯片—封装—应用创新链条,积极建设国家半导体材料研发生产基地。加速实现碳化硅第三代半导体材料等领域的重大产品规模化生产，重点推进碳化硅单晶衬底、外延材料制造加工等项目，打造抢占国际战略制高点的半导体衬底材料产业基地。5月浙江省人民政府《浙江省重大建设项目“十四五”规划》围绕打造国内重要的集成电路产业基地目标，突破第三代半导体芯片等技术6月山西省人民政府《山西省人民政府关于促进半导体产业高质量发展引导集成电路产业健康发展的指导意见》聚焦低缺陷砷化镓晶体材料、高纯半绝缘碳化硅单晶衬底材料、氮化镓材料等第二/三代半导体材料。积极开展大尺寸高纯半绝缘４H－SiC单晶设备、电子级金刚石生长设备、半导体先进封装关键工艺设备、高精度无损检测关键设备、MOCVD 核心设备等的研制7月上海市人民政府《上海市先进制造业发展“十四五”规划》制造封测，加快先进工艺研发，支持12英寸先进工艺生产线建设和特色工艺产线建设，争取产能倍增，加快第三代化合物半导体发展。7月福建省人民政府《福建省"十四五"制造业高质量发展专项规划》加速化合物半导体研发和应用，加强砷化镓射频芯片、氮化镓/碳化硅高功率芯片制造7月重庆市人民政府《重庆市制造业高质量发展“十四五”规划》制造业技术攻关部分重点领域：大尺寸硅片、GaAs（砷化镓）/InP（磷化铟）/GaN（氮化镓）/SiC（碳化硅）等化合物半导体衬底及外延等。8月江苏省人民政府《江苏省“十四五”制造业高质量发展规划》加快第三代半导体等先进电子材料的关键技术突破。重点发展氮化镓、碳化硅等第三代半导体材料8月广东省人民政府《广东省制造业高质量发展“十四五”规划》依托广州、深圳、珠海、东莞、江门等市大力发展氮化镓、碳化硅、氧化锌、氧化镓、氮化铝、金刚石等第三代半导体材料制造, 支持氮化镓、碳化硅、砷化镓、 磷化铟等化合物半导体器件和模块的研发制造, 培育壮大化合物半导体 IDM (集成器件制造) 企业, 支持建设射频、 传感器、 电力电子等器件生产线, 推动化合物半导体产品的推广应用。11月安徽省人民政府《安徽省国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》做强第三代半导体材料产业链，提升集成电路领域核心竞争力。支持面向电子信息、新能源、高端装备领域的第三代半导体等先进结构材料攻关。11月湖北省人民政府《湖北省制造业高质量发展“十四五”规划》在芯片制造方面，加快布局第二、三代半导体晶片及外延衬底（砷化镓、氮化镓、碳化硅）等特色芯片生产线。突破发展大尺寸硅单晶抛光片、外延片等关键基础材料，第三代半导体材料、低缺陷蓝宝石人工晶体等新型传感材料。11月河北省人民政府《河北省建设全国产业转型升级试验区“十四五”规划》发挥第三代半导体等比较优势，嵌入国内外产业链条、完善细分产业链，大力发展相关材料、部件、仪器、设备等制造业，提升整机、终端产品规模和市场竞争力，打造一批特色突出、优势明显电子信息制造业集群，部分领域达到国内领先水平。加快碳化硅单晶及外延材料、砷化镓、磷化铟和单晶锗等第三代半导体新材料研发及产业化。大力发展第三代半导体材料及器件、等产业。12月上海市经济和信息化委员会《上海市电子信息产业发展“十四五”规划》开展关键材料设计与制备工艺攻关，加速第三代半导体射频和功率器件等对传统硅器件的替代。12月山东省工业和信息化厅《山东省第三代半导体产业发展“十四五”规划》全文各地争相规划的背后，是对半导体产业的重视和新突破点的筹谋。第三代半导体产业市场正在加速前行，第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）发布的《第三代半导体产业发展报告（2020）》指出，未来5年将是第三代半导体产业发展的关键期，全球资本加速进入第三代半导体材料、器件领域，产能大幅度提升，企业并购频发，正处于产业爆发前的“抢跑”阶段。因此，地方政府和企业们也在新赛道上提速卡位，不过需要指出的是，目前半导体市场90%仍然是以硅材料为代表的第一代半导体，第三代半导体的市场份额不到10%，和一代二代形成互补，还需要继续攻坚和培育。

5月25日至30日，以“开放合作、共享未来”为主题的2023中关村论坛在北京举办。期间，北京（国际）第三代半导体创新发展论坛在中关村国家自主创新示范区展示中心举行。科学技术部党组成员、副部长相里斌在开幕致辞中表示，以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体具有优异性能，在新能源汽车、信息通讯、智能电网等领域有巨大的市场。科技部一直高度重视第三代半导体的技术创新和产业发展，从“十五”期间开始给予了长期持续支持，建立了从材料、器件到应用的第三代半导体全产业链创新能力。下一步还将与各地方沟通协作，加强统筹谋划和技术布局，加强人才培养，加强国际合作，推动产业链各环节有机衔接，强化以企业为主体、产学研用协同的创新生态。北京市委常委、副市长靳伟指出，北京市委市政府高度重视第三代半导体科技与产业发展。在前期成果基础上，北京市将进一步围绕建设国际科技创新中心战略定位，以打造世界领先科技园区为指引，面向国家发展战略需求，加强第三代半导体核心关键技术攻关、产业生态建设、应用场景拓展，推动在京形成第三代半导体技术高地与高水平产业集群。科学技术部原副部长、国际半导体照明联盟主席曹健林表示，2022年在全球疫情和需求端疲软等多重因素影响下，全球半导体产业进入下行周期。但在新能源汽车、光伏、储能等需求带动下，国际第三代半导体产业增长超预期，整个产业进入高速成长期。纵观全球科技发展大势，科学研究范式正在发生深刻变革，协同创新、合作创新、开放创新已成为不可阻挡的大势所趋。中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇表示，以化合物半导体材料，特别是第三代半导体材料为代表的半导体新材料快速崛起，未来10年将对国际半导体产业发展产生至关重要的影响。半导体产业的全球化属性是不可改变的。创新对半导体行业尤为重要，加强技术研究和原始创新，实现关键核心技术突破，以创新驱动产业高质量发展，同时要坚持加强全球产业链供应链的协作，仍是半导体产业发展的重要路径。在产业推介环节，北京市顺义区委副书记、区长崔小浩做了“北京第三代半导体产业发展推介”，提出要立足北京顺义领先的区位优势，进一步夯实基础、创新模式、优化政策、完善生态、提升配套，加快建设北京第三代半导体核心承载地。在论坛上，第三代半导体产业技术创新战略联盟联合中关村科技园区顺义园、武汉东湖新技术开发区面向产业界及各地方政府共同发布了《推动第三代半导体应用，践行“双碳”战略倡议》，促进第三代半导体器件应用，助力“双碳”战略实施，发挥我国大市场优势，以应用促发展，加快迭代研发，促进技术、标准、人才、专利全生态系统的完善。在项目签约环节，北京市顺义区人民政府与北京国联万众半导体科技有限公司、北京特思迪半导体设备有限公司、清控华创（北京）能源互联网技术研究院有限公司、北京晶格领域半导体有限公司、北京铭镓半导体有限公司、北京漠石科技有限公司等在会上进行一系列项目签约，总投资额近18亿元，标志着顺义区第三代半导体产业已瞄准从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，产业集群效应初步显现。在特邀报告环节，第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲，中科院北京纳米能源与系统研究所所长、中国科学院外籍院士、欧洲科学院院士王中林等国内外专家通过方式做了精彩的特邀报告，分析了第三代半导体技术及产业国内外最新进展及未来发展趋势。论坛还举行了“先进半导体产业教育发展研究院”启动仪式，吹响我国半导体人力资源水平提升的号角。据悉，当日共有来自国内外知名企业、研究机构的院士专家、业内重点企业代表等约500人出席论坛

日前，位于北京中关村顺义园的第三代半导体产业园正式投入运行。该产业园占地7.4万平方米，将以新能源汽车、5G通讯、能源互联网等重大应用需求为牵引，积极突破核心技术，实现第三代半导体技术与产业自主可控，形成国内领先、国际一流的第三代半导体产业集聚区。走进顺义第三代半导体产业园的科创芯园壹号，6栋楼分布四周，中心处是一个休闲公园，既有用于办公的楼宇，也有高承重的生产厂房，由首钢基金创业公社负责运营。“1、2、3号楼主要定位芯片设计、工艺设计、孵化服务等办公型企业以及食堂、会议展览等园区配套服务；4、5、6号楼主要定位工艺加工、研发生产等研发生产型企业。”园区运营负责人朱毅峰说。园区采用“孵化平台-加速平台-产业园区”的全链条孵化培育模式，专注于第三代半导体光电子、电力电子、微波射频三大领域，聚合发展全产业链，提供孵化服务、投融资服务、产业服务等，精准匹配资本需求，构建第三代半导体产业服务全链条的培育体系。目前已有两家半导体领域的前沿企业入驻。未来，园区还将依托北大物理学院、中科院物理所专家资源，筹备建立科创芯园壹号院士工作站，充分发挥院士工作站在高端人才引进和技术研发方面的优势，重点研究第三代半导体材料与器件领域的新技术与新产品，着力于关键核心技术突破、科技成果转化和科技骨干人才培养。此外，还将面向科研单位和实体企业共享相关实验平台。

日前，英飞凌工业功率控制事业部大中华区市场推广总监陈子颖先生和英飞凌科技电源与传感事业部大中华区应用市场总监程文涛先生在媒体采访中就第三代半导体技术价值、产业发展和技术趋势进行了深入解读。进入后摩尔时代，一方面，人类社会追求以万物互联、人工智能、大数据、智慧城市、智能交通等技术提高生活质量，发展的步伐正在加速。另一方面，通过低碳生活改善全球气候状况也越来越成为大家的共识。目前全球能源需求的三分之一左右是用电需求，能源需求的日益增长，化石燃料资源的日渐耗竭，以及气候变化等问题，要求我们去寻找更智慧、更高效的能源生产、传输、配送、储存和使用方式。在整个能源转换链中，第三代半导体技术的节能潜力可为实现长期的全球节能目标做出很大贡献。除此之外，宽禁带产品和解决方案有利于提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本，因此将在交通、数据中心、智能楼宇、家电、个人电子设备等等极为广泛的应用场景中为能效提升做出贡献。例如在电力电子系统应用中，一直期待1200V以上耐压的高速功率器件出现，这样的器件当今非SiC MOSFET莫属。而硅MOSFET主要应用在650V以下的中低功率领域。除高速之外，碳化硅还具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率等特点，尤其适合对高温、高功率、高压、高频以及抗辐射等恶劣条件要求较高的应用。功率密度是器件技术价值的另一个重要方面。SiC MOSFET芯片面积比IGBT小很多，譬如100A/1200V的SiC MOSFET芯片大小大约是IGBT与续流二级管之和的五分之一。因此，在高功率密度和高速电机驱动应用中，SiC MOSFET的价值能够得到很好的体现，其中包括650V SiC MOSFET。在耐高压方面，1200V以上高压的SiC高速器件，可以通过提高系统的开关频率来提高系统性能，提高系统功率密度。这里举两个例子：电动汽车直流充电桩的功率单元，如果采用Si MOSFET，则需要两级LLC串联，电路复杂，而如果采用SiC MOSFET，单级LLC就可以实现，从而大大提高充电桩的功率单元单机功率。三相系统中的反激式电源，1700V SiC MOSFET也是完美的解决方案，可以比1500V硅MOSFET损耗降低50%，提高效率2.5%。在可靠性和质量保证方面，SiC器件有平面栅和沟槽栅两种类型，英飞凌的沟槽栅SiC MOSFET能很好地规避平面栅的栅极氧化层可靠性问题，同时功率密度也更高。正是由于SiC MOSFET这些出色的性能，其在光伏逆变器、UPS、ESS、电动汽车充电、燃料电池、电机驱动和电动汽车等领域都有相应的应用。然而，碳化硅是否会成为通吃一切应用的终极解决方案呢？众所周知，硅基功率半导体的代表——IGBT技术，在进一步提升性能方面遇到了一些困难。开关损耗与导通饱和压降降低相互制约，降低损耗和提升效率的空间越来越小，于是业界开始希望SiC能够成为颠覆性的技术。但是，这样的看法这不是很全面。首先，以英飞凌为代表的硅基IGBT的技术也在进步，采用微沟槽技术的TRENCHSTOP™ 5，IGBT7是新的里程碑，伴随着封装技术的进步，IGBT器件的性能和功率密度越来越高。同时，针对不同的应用而开发的产品，可以做一些特别的优化处理，从而提高硅器件在系统中的表现，进而提高系统性能和性价比。因此，第三代半导体的发展进程，必然是与硅器件相伴而行，在技术发展的同时，还有针对不同应用的大规模商业化价值因素的考量，期望第三代器件很快在所有应用场景中替代硅器件是不现实的。产业化之路英飞凌1992年开始研发SiC功率器件，1998年建立2英寸的生产线，2001年推出第一个SiC产品，今年正好20周年。20年来碳化硅技术在进步，2006年发布采用MPS技术的二极管，解决耐冲击电流的痛点；2013年推出第五代薄晶圆技术二极管，2014年——2017年先后发布SiC JFET，第五代1200V二极管，6英寸技术和SiC沟槽栅MOSFET。从英飞凌SiC器件的发展史，可以看出SiC技术的发展历程和趋势。我们深知平面栅的可靠性问题，在沟槽栅没有开发完成之前，通过SiC JFET这一过渡产品，帮助客户快速进入SiC应用领域。从技术发展趋势来看，SiC MOSFET比IGBT更迫切地需要转向沟槽栅，除了功率密度方面的考量之外，更注重可靠性问题。在产业层面，当时间来到21世纪的第三个十年，整个第三代半导体产业格局相对于发展初期已经发生了巨大的变化。具体而言，碳化硅产业正在加速垂直整合，而氮化镓产业形成了IDM以及设计公司和晶圆代工厂合作并存的模式。这些都显示出，第三代半导体产业已经进入了大规模、高速发展的阶段。当然，与硅基器件行业相比，第三代半导体产业发展时间相对较短，在标准化、成熟度等方面还有很长的路要走，尤其是在品质与长期可靠性方面，还有大量的研究和验证工作要做。英飞凌在标准化、品质管理和可靠性方面拥有丰富的经验和公认的优势，在第三代器件发展之初就开始持续投入大量的资源，对此进行深入的分析、研究和优化，不断推动第三代半导体行业的稳健发展。为此，英飞凌发表了《碳化硅可靠性白皮书》，论述英飞凌如何控制和保证基于SiC的功率半导体器件的可靠性。成果和趋势当前，第三代半导体在技术层面值得关注的领域很多。例如碳化硅晶圆的冷切割技术，器件沟道结构优化，氮化镓门极结构优化，长期可靠性模型、成熟硅功率器件模块及封装技术的移植等等，都会对第三代半导体长期发展产生深远的影响。这几个领域也正是英飞凌第三代半导体产品开发过程中所专注和擅长的领域。具体而言，2018年英飞凌收购了位于德累斯顿的初创公司Siltectra。该公司的冷切割（Cold Split）创新技术可高效处理晶体材料，最大限度减少材料损耗。英飞凌利用这一冷切割技术切割碳化硅晶圆，可使单片晶圆产出的芯片数量翻倍，从而有效降低SiC成本。在中低功率SiC器件方面，去年英飞凌在1200V系列基础上，发布了TO-247封装的650V CoolSiC™ MOSFET，进一步完善了产品组合。目前贴片封装的650V产品系列正在开发当中。在氮化镓方面，今年五月我们推出了集成功率级产品CoolGaN™ IPS系列，成为旗下众多WBG功率元件组合的最新产品。IPS基本的产品组合包括半桥和单通道产品，目标市场为低功率至中功率的应用，例如充电器、适配器以及其他开关电源。代表产品600V CoolGaN™ 半桥式IPS IGI60F1414A1L，8x8 QFN-28封装，可为系统提供极高的功率密度。此产品包含两个140mΩ/600V增强型HEMT开关以及EiceDRIVER™ 系列中的氮化镓专用隔离高低侧驱动器。在高压方面，碳化硅产品会继续朝着发挥其主要特性的方向发展，耐压更高，2-3kV等级的产品会相继面世。同时，英飞凌会利用成熟的模块技术、低寄生电感、低热阻的封装技术等，针对不同的应用开发相应产品。比如，低寄生电感封装可以让SiC器件更好发挥高速性能，低热阻的封装技术虽然成本略高，但可以有效提高器件电流输出能力，从而实际上降低了单位功率密度的成本。

近日，第三代半导体概念股板块大涨，又为中国半导体行业的热潮中掀起新的高潮！今年5月刘鹤主持召开会议，讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。作为半导体领域的新秀，第三代半导体被寄予厚望，甚至被写入“十四五”规划中。在“十四五”规划中，特别提出碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体也就是行业人士关注的第三代半导体要取得发展。近日，业界热议，为实现中国半导体自立自强计划，国家将制定一系列相关金融和政策扶持措施，投入万亿美元的政府资金以支持一系列第三代芯片项目。国际上第三代半导体产业同样刚刚起步，我国在这一领域与国际先进水平差距较小。随着国家级别的政策和资金的海量支持，将避免重蹈第一代半导体的覆辙，有望奋起直追达到甚至超越国际先进水平。一石激起千层浪，第三代半导体究竟有何“魅力”竟如此受到关注，仪器设备行业又有哪些机会呢？第三代半导体材料引领的新赛道第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》中指出，2019年我国第三代半导体市场规模近百亿，在2019-2022年里将保持85%及以上平均增长速度，预计到2022年市场规模将超越623.42亿元。受益的产业链上下游作为“十四五”规划的重要组成部分，未来第三代半导体产业将获得巨大的资金投入，上下游产业链将持续受益。未来可能的支持手段包括直接的资金注入和相关的政策扶持，税收优惠政策等。此前国家已先后印发了《重点新材料首批次应用示范指导目录(2019版)》、《能源技术创新“十三五”规划》等政策，将SiC、GaN和AlN等第三代半导体材料纳入重点新材料目录，鼓励和支持SiC等第三代半导体材料相关的技术突破和制造。宽禁带半导体晶片和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，大致可分为以下几个阶段：晶体生长、晶片加工、器件制备（包括有源层制备、欧姆接触、钝化层沉积等工艺段）、器件封装等。近年来，国内相关产业链进展神速，英诺赛科苏州8英寸硅基GaN产线规模量产；山西烁科晶体有限公司已实现了5G芯片衬底材料碳化硅的国产自主供应。碳化硅产业链结构图随着相关产业链的不断建设和工艺技术的不断研发，仪器设备将持续受益。相关的仪器设备主要包括第三代半导体材料检测仪器、材料生长设备、制造工艺设备和封装测试设备。第三代半导体企业在行动目前国内第三代半导体材料产业从数量上来看已具备一定规模，初步形成了一个较为完整的产业链。而伴随着近年来的投资热潮，各地项目不断上马，众多企业布局第三代半导体。河源市东源县与华润水泥控股有限公司举行高纯石英和碳化硅单晶硅一体化硅产业项目签约仪式。该项目计划总投资180亿元人民币，预计建成达产年产值达200亿元。6月5日，英诺赛科(苏州)半导体举行“8英寸硅基氮化镓芯片生产线一期第一阶段产能扩展建设项目”签约仪式，宣布英诺赛科一期项目正式开启大规模量产。预计全面达产后，8英寸硅基氮化镓晶圆可实现年产能78万片，将成为世界级集设计、制造、封装测试等为一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。露笑科技在互动者平台透露在第三代半导体碳化硅的技术方面取得突破，目前设备进入安装调试阶段。该项目总投资100亿元，分三期进行。着力打造第三代功率半导体(碳化硅)的设备制造、长晶生产、衬底加工、外延制作等产业链的研发和生产基地。4月1日，赛微电子与青州市人民政府就在青州市建设6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目签署了《合作协议》。项目总投资10亿元，分两期进行。建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12,000片/月的生产能力，为全球GaN产品提供成熟的技术支持和产能保障。此前，华瑞微半导体IDM芯片项目于2020年10月开工奠基，今年3月，南谯区人民政府发布消息称，项目一期将于年底正式投产。据悉，该项目总投资30亿元，集研发、生产、销售功率半导体芯片为一体，建设SiC MOSFET生产线。项目建成后，预计实现年产1000片第三代化合物半导体器件的生产能力。国内市场空间广阔，企业布局奋起直追。相关数据显示，近几年国内布局第三代半导体产业的企业超过百家。自缺芯卡脖子困境后，我国已意识到构建半导体的自有产业链的必要性。从市场需求、国家政策来看，越来越多的厂商入局第三代半导体产业是大势所趋。随着国内第三代半导体产业的不断扩大，相关仪器设备采购也将迎来热潮。那些有望获益的仪器第三代半导体器件的生产离不开检测，以碳化硅功率器件的生产为例，只有通过对各个生产环节的检测才能不断提高良率和工艺水平。碳化硅的检测主要包括衬底检测、外延片检测、器件工艺、点穴参数、可靠性分析和失效分析。除了以上这些检测项目对应的仪器外，第三代半导体制造也离不开半导体设备，碳化硅产业链更是如此，其涉及的设备种类繁多。碳化硅的很多工艺段设备可以与硅基半导体工艺兼容，但由于宽禁带半导体材料熔点较高、硬度较大、热导率较高、键能较强的特殊性质，使得部分工艺段需要使用专用设备、部分需要在硅设备基础上加以改进。相关工艺及半导体制造设备如下，

近日，国务院发布了《推动大规模设备更新和消费品以旧换新行动方案》，在这一行动方案的指引下，我们积极采取行动，致力于推广使用天然制冷剂的的实验室温控设备，为打造绿色环保的社会贡献一份力量！在现代实验室中，普遍使用含有第三代制冷剂的加热制冷温控产品。第三代制冷剂通常指的是类氟制冷剂，其英文缩写包括：R134a、R410A、R404A、R407C、R507A。这些制冷剂具有良好的制冷效果和稳定性。但是第三代制冷剂的使用会加速臭氧层的破坏，导致温室效应加剧，对地球环境造成不可忽视的影响。因此，寻找一种环保、可持续的替代方案势在必行。欧盟的F-GAS法规已经明确规定 从 2025 年 1 月 1 日起，禁止使用任何有 GWP 为 150 或更高的含氟气体的固定式独立制冷设备。相信中国政府从环保及全球责任角度也会积极推进类似的制度。优莱博率先将使用类氟制冷剂的设备更新为天然制冷剂的加热制冷温控设备。这些产品采用天然制冷剂，不仅具有优异的制冷性能，而且对环境友好，不会对臭氧层造成破坏，减少温室气体排放，为地球环境保护贡献一份力量。选择优莱博，选择环保，让我们携手共建一个更加美好的未来！

p 近日，中晟光电设备（上海）股份有限公司完成新一轮股票定向发行，由上海浦东科创集团有限公司领投,总募集资金1.13亿元，募集资金用于研发生产第三代半导体分立器件高端装备。本次定向发行除领投方浦东科创集团之外，参与认购还有海通盛阳、张江科投、中科创星、同祺投资、重庆冠达，中晟光电董事长兼总经理CHEN AIHUA（陈爱华）、副总经理陈晓等。 /p p 中晟光电于2011年5月成立，位于浦东张江，为国内半导体产业链上游设备厂商，该公司研发生产的MOCVD（金属有机化学气相沉积）设备是第二、三代半导体分立器件生产的关键设备，具备自主知识产权，有望再次打破国外垄断，实现国产替代。中晟光电是国内为数不多具有自主核心技术的MOCVD制造企业，曾和中微一起，在LED照明领域打破了德国Aixtron（爱思强）和美国Veeco（维易科）对中国市场的长期垄断，迫使国外的设备从最初的300万美金/台左右，降低到100万美金/台附近，产生了一定的社会价值。2015年，公司在新三板挂牌。 /p p 本轮领投方浦东科创集团, 成立于1999年6月，是中国最早一批由地方政府出资设立的国有创业投资机构。公司定位为“创新资源的整合者、产业发展的塑造者”，现已发展成以创业投资为核心、拥有雄厚资本实力、卓越业内声望的一流投资集团。截至目前，已累计直接投资科技企业800多家（成功上市或并购退出150多家，科创板上市企业7家），投资创投基金50多支、所投基金总规模超过1000亿元（含国家中小企业发展基金350亿、上海市集成电路基金285亿元、上海市文化产业发展基金120亿元等），支持企业数百家，提供融资担保服务上千家次，融资额超过100亿元，孵化科技企业数百家，扶持了一大批浦东行业龙头和潜在独角兽企业发展，努力为推动浦东新区产业结构优化升级作出应有贡献。 /p p 中晟光电董事长兼总经理陈爱华博士认为，中国在第二代半导体细分领域中，设备、材料、EDA等完全受制于美国等国家，在即将到来的第三代半导体时代，如果不能抓住机遇，提前布局，仍将改变不了被“卡脖子”局面。近几年，中晟光电已逐渐退出LED领域，陈爱华博士决心带领员工二次创业，集中力量布局第三代半导体领域的MOCVD设备。但是，经过2年多的持续高研发投入，公司资金基本枯竭，核心员工开始离职，公司面临生存危机，亟需融资才能走出困境，此时，浦东科创集团挺身而出，雪中送炭，率先启动投资流程，起到了带头示范作用，引领各投资机构及时完成1.13亿元融资，体现了浦东科创集团作为地方国资的担当与责任。 /p p 目前，该公司发展良好，产品研发进展顺利，将来有望成为细分行业龙头。 /p

在5月28日举办的北京(国际)第三代半导体创新发展论坛上，顺义区面向全球推介第三代半导体产业发展蓝图，与全球创新创业者们共享新机遇、共谋新发展。《北京市“十四五”时期国际科技创新中心建设规划》中明确指出，顺义区要“推动第三代半导体产业集聚，建设工艺、封装和检测等共性技术平台，打造国际第三代半导体创新高地”。近年来，顺义区将第三代半导体作为三大主导产业之一，加快产业发展顶层设计，编制了《顺义区第三代半导体产业发展规划(2021-2035年)》，集聚了泰科天润、国联万众、瑞能半导体等产业链上下游企业20余家，引进了北京大学、清华大学、中科院物理所等优质项目，初步形成从装备到材料、芯片、模组、封装检测及下游应用的产业链布局，三代半产业集群效应初显。良好的产业生态和配套服务是企业能否留得住的关键。区内注册成立了第三代半导体产业技术创新战略联盟，成员单位达200余家；总面积7.1万平米的第三代半导体材料及应用联合创新基地投入使用，建成国家级第三代半导体联合创新孵化中心，协同创新不断加强，产业活力持续提升。为解决企业落地难、落地贵、落地慢问题，设立首期规模10亿元的第三代半导体产业专项基金，建设总面积约20万平米的第三代半导体产业标准化厂房，一期7.4万平米已投入使用。加快工业污水处理站分阶段按需扩容，启动建设110kVA变电站，高纯净再生水厂、大宗气站、危化品库、危废中转站计划于2024年底前完工。同时，统筹规划1万名产业人员的生活配套，形成完整的商业、医疗、娱乐等生活配套体系。三代半产业快速发展的背后离不开政策的引导和支持。围绕产业发展环境和关键节点，顺义区先后出台了一系列支持政策，实现了技术研发、成果转化、人才服务、产业发展全覆盖。2019年，联合中关村管委会共同印发了《关于促进中关村顺义园第三代半导体等前沿半导体产业创新发展的若干措施》。2023年初，发布了《顺义区进一步促进第三代等先进半导体产业发展的若干措施》，围绕企业关注的研发、流片、投资、厂房等特殊需求精准发力，做好全方位服务保障，进一步支持第三代等先进半导体产业高质量发展。

p style=" text-indent: 2em " 据权威消息人士透露，我国计划把大力支持发展第三代半导体产业，写入正在制定中的“十四五”规划，计划在2021-2025年期间，在教育、科研、开发、融资、应用等等各个方面，大力支持发展第三代半导体产业，以期实现产业独立自主。 /p p style=" text-indent: 2em " 当前，以碳化硅为代表的第三代半导体已逐渐受到国内外市场重视，不少半导体厂商已率先入局。不过，量产端面临多重挑战下，第三代半导体材料占比仍然较低。未来政策导入有望加速我国第三代半导体产业发展，以期进一步把握主动。 /p h3 style=" text-indent: 2em " 第三代半导体市场景气向上 /h3 p style=" text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 华创证券认为，随着物联网、大数据和人工智能驱动的新计算时代的发展，对半导体器件的需求日益增长，对器件可靠性与性能指标的要求也更加严苛。第三代半导体开始逐渐受到市场的重视，国际上已形成完整的覆盖材料、器件、模块和应用等环节的产业链。 /span /p p style=" text-indent: 2em " 与此同时，化合物半导体材料也有着战略意义。作为重要的上游材料，化合物半导体不仅应用于军用领域，还对大功率高速交通起着重要支撑作用，被各国视作战略物资。当前，美国、日本、欧盟都致力于在该领域建立技术优势。 /p p style=" text-indent: 2em " 受益于材料自身优势，以及5G和新能源汽车等应用拉动，市场预估第三代半导体材料在今年就会起量。中美贸易摩擦和疫情影响下，市场重估行情。 /p p style=" text-indent: 2em " TrendForce集邦咨询旗下拓墣产业研究院指出，氮化镓的射频器件受到不小震荡。氮化镓器件仍处于开发阶段，目前主要应用于基站射频技术，预计2020年营收则呈现小幅增长。 /p p style=" text-indent: 2em " 功率器件方面，虽然受大环境影响，但其已是化合物半导体的发展重点，成长动能依旧显著。碳化硅材料因衬底生产难度大，功率器件成长幅度受限，后续有待衬底技术持续精进；氮化镓功率器件技术发展则相对成熟，虽大环境不佳导致成长放缓，但向上幅度仍明显。 /p h3 style=" text-indent: 2em " 国内外厂商争取卡位时间 /h3 p style=" text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 全球范围内，半导体大厂纷纷布局，IDM厂商意法半导体购并NorstelAB以及法国Exagan、英飞凌收购Siltectra，以及日商ROHM收购SiCrystal等事件都颇受业界关注。 /span br/ /p p style=" text-indent: 2em " 国内方面，不少厂商围绕第三代半导体材料争取卡位时间。 /p p style=" text-indent: 2em " 海特高新子公司海威华芯建立了国内第一条6英寸砷化镓/氮化镓半导体晶圆生产线。据称，其技术指标达到国外同行业先进水平，部分产品已经实现量产。赛微电子涉及第三代半导体业务，主要包括GaN（氮化镓）材料的生长与器件的设计。 /p p style=" text-indent: 2em " 三安光电在长沙设立子公司湖南三安从事碳化硅等化合物第三代半导体的研发及产业化项目，目前项目正处于建设阶段。聚灿光电目前产品涉及氮化镓的研发和生产，外延片的技术就是研发氮化镓材料的生长技术，芯片的技术就是研发氮化镓芯片的制作技术。 /p p style=" text-indent: 2em " 今年8月，露笑科技投资100亿建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园。露笑科技与合肥市长丰县人民政府签署战略合作框架协议，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计100亿元。 /p h3 style=" text-indent: 2em " 量产仍是最大挑战 /h3 p style=" text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 目前，第三代半导体材料的比重仍然相当低。全球以硅为基础的半导体材料市场约4500亿美元，第三代半导体仅占10亿美元。 /span br/ /p p style=" text-indent: 2em " 业内人士指出，量产端的困难仍是业界的最大挑战。 /p p style=" text-indent: 2em " 目前，碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）较为成熟，并称为第三代半导体材料的双雄。氧化锌、金刚石、氮化铝等材料的研究则仍处于起步阶段。不过，即使是成熟度最高的碳化硅和氮化镓，也在量产环节面临诸多困难。 /p p style=" text-indent: 2em " 氮化镓的难度主要在于在晶格。当前，氮化镓发展瓶颈段仍在基板段，成本昂贵且供应量不足,主要是因为氮化镓长在硅上的晶格不匹配，困难度高。 /p p style=" text-indent: 2em " 对于碳化硅，长晶的源头晶种来源纯度要求高、取得困难，另外，长晶的时间相当长且长晶过程监测温度和制程的难度高。碳化硅长一根晶棒需时2周，成果可能仅3公分，也加大了量产的难度。 /p p style=" text-indent: 2em " 拓墣产业研究院认为，在化合物半导体领域，虽然中国厂商相比国际厂商仍有技术差距，但随着国家加大支持以及厂商的不断布局，技术差距将不断缩小。分析师强调，当前唯有真实掌握市场需求，厂商才有机会在竞争当中成长及获利。 /p

在研发生产取得突破后，第三代汽车钢的商用进程开始加快。3月14日，中国第一汽车集团公司技术中心和中国钢研科技集团公司钢铁研究总院在京举行了“先进汽车用钢联合实验室”揭牌仪式，表示共同推进第三代汽车钢应用与大规模商用。 　　根据双方协议，联合实验室将根据汽车用钢板和汽车用结构钢发展趋势，开展新产品研发，汽车用钢应用技术及相关应用工艺研究，开发或推荐适应新车型的汽车用钢，并进行前期应用试验。 　　一汽与中钢研建立联合实验室，是第三代汽车钢商用的重要步骤。根据中钢研计划，今年将与一汽等汽车厂商合作，希望明年可以试验装车，在2014年实现第三代汽车钢的商业性运用。 　　据中国一汽集团公司副总工程师兼技术中心主任李骏介绍，一汽每年将投入1000万资金用于研究和实验。“十二五”期间，第三代高机动战术军车、解放第七代商用车、新一代轻量化轿车、新能源汽车等产品将成为第三代汽车用钢的应用主体。 　　第三代汽车钢的应用将提高汽车安全性和节油水平。以一辆采用0.7毫米厚冷轧板为材料的汽车为例，如采用第三代汽车钢，钢板可以变薄到0.6毫米，制造成本上提高了2200元左右，但可以实现5%的节油。从安全性上来看，采用第三代汽车钢以后，车辆发生正常碰撞时几乎可以实现零死亡率。

据悉，深圳华因康基因科技有限公司内的研发人员最近十分忙碌，华因康的超高通量基因测序仪第三代机型年底将推出，他们正忙着测序仪的组装和调试。作为曾填补国内基因测序设备制造空白的华因康基因测序仪，第三代仪器将让国产基因测序仪再上一个新台阶。国家&ldquo 千人计划&rdquo 创业人才、华因康技术总裁盛司潼正是这台超高通量基因测序仪的研发领头人。 　　填补国内基因测序设备空白 　　1973年出生的盛司潼可谓少年英才，14岁便进入清华大学学习物理。在美国弗吉尼亚大学、约翰霍普金斯大学先后攻读物理、分子生理与生物物理等学科十余年后，2008年，盛司潼入选国家&ldquo 千人计划&rdquo 创业人才并创办华因康。盛司潼说，&ldquo 之所以选择回到国内，除了深感国内生物基因产业发展逐步成熟的环境因素外，另一个重要原因是，我在国外始终忘不了要回国开创一番事业，尤其是生物基因产业，中国需要自己的企业。&rdquo 　　基因测序设备制造，在2008年前的国内尚属空白。早在2003年，盛司潼就投身到基因测序设备的研发中，在高强度技术积累的基础上，盛司潼在创办华因康的同一年推出了第一代高通量基因测序仪，并在国内引起轰动。这也打破了国内医疗机构、科研机构只有国外仪器可供购买的垄断。 　　据了解，人类的基因99%是相同的，个体差异由剩下的1%决定，也正是这1%的差异，就可能让有的人一辈子健健康康，有的人却莫名其妙患上重病。盛司潼说，有些长期抽烟的人没有肺癌，但有些人一辈子从未抽烟却得了肺癌，生来所携带的致病基因是非常重要的原因。基因测序仪的应用功能之一，便是读取人们的基因信息，通过筛查人们的特定基因，确定是否存在致病可能。&ldquo 很多肿瘤疾病并非不能治好，如果通过基因测序技术发现得早，及时调理、治疗，完全有可能挽救生命。&rdquo 他说，治疗同一种疾病的众多品类的药物，并不一定适用于每一个人，由于个体的耐受性不一样，基因测序技术可以为病人找到适合他们的药物。 　　在华因康的测序中心，记者看到了正在组装调试的第三代机型。据了解，第三代华因康超高通量基因测序仪不仅将测序通量提升十余倍，其测序精确性也大大提升，国产基因测序设备的品质可谓再上了一个新台阶。 　　向单分子测序技术推进 　　盛司潼说，华因康基因测序仪的硬件都是外包生产，组装由华因康自己完成，&ldquo 深圳拥有强大的硬件制造环境，高科技企业不要依靠生产线的规模，而要依靠自己的核心技术实力。&rdquo 目前，华因康正将基因测序技术向单分子测序阶段推进，这种技术将不再需要放大基因进行酶切，&ldquo 样品送过来，直接就可以测序。&rdquo 这将大大提高基因测序的效率。 　　据了解，专门生产基因测序设备和生化试剂的企业目前在中国仅有华因康一家。经过四年的摸索和发展，盛司潼组建了一支由海外教授、博士后、博士等组成100多人研究团队，成为首批广东省创新科研团队。在盛司潼的带领下，华因康已申请80多项专利，其中90%以上为发明和实用新型专利，开发出高通量基因测序仪、乳浊液制备仪等设备类产品，短标签建库试剂盒、单分子扩增试剂盒等试剂类产品共100多项。

p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 近日，北京天科合达半导体股份有限公司（以下简称“天科合达”）第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目开工仪式举行。 /p p style=" text-align: center " img style=" max-width:100% max-height:100% " src=" https://img.dramx.com/website/dramx/20200819094128_2.png" / /p p style=" text-align: center " Source：天科合达 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 资料显示，第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目是天科合达自筹资金建设的用于碳化硅晶体衬底研发及生产的项目，总投资约9.5亿元人民币，总建筑面积5.5万平方米，新建一条400台/套碳化硅单晶生长炉及其配套切、磨、抛加工设备的碳化硅衬底生产线，项目计划于& nbsp 2022年年初完工投产，建成后可年产碳化硅衬底12万片。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 北京天科合达半导体股份有限公司总经理杨建表示，目前第三代半导体行业正处于蓬勃发展的阶段，近两年国家对第三代半导体产业高度重视，天科合达公司作为国内领先的碳化硅晶片生产企业和全球主要碳化硅晶片生产企业之一，该项目在大兴区黄村镇顺利开工建设，标志着北京市SiC衬底材料和器件的产业进程将进一步加速发展，对于促进我国碳化硅半导体产业延伸，引领第三代半导体产业发展具有重要的示范意义。 /p h4 科创板IPO申请已获上交所问询 /h4 p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 资料显示，天科合达于2006年9月由新疆天富集团、中国科学院物理研究所共同设立，目前注册资本为18384万元，是一家专业从事第三代半导体碳化硅（SiC）晶片研发、生产和销售的高新技术企业，是全球SiC晶片的主要生产商之一，拥有一个研发中心和一个集晶体生长-晶体加工-晶片加工-清洗检测的全套碳化硅晶片生产基地；全资子公司—新疆天科合达蓝光半导体有限公司位于新疆石河子市，主要进行碳化硅晶体生长。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 目前，天科合达正在闯关科创板，7月14日，上交所正式受理该公司的科创板申请，目前其审核状态为“已问询”。根据招股说明书（申报稿）显示，天科合达此次拟募集资金5亿元，拟用于第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 申报稿显示，天科合达第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目计划投资总额为9.6亿元，其中以募集资金投入金额为5亿元，将主要建设一个包括晶体生长、晶片加工和清洗检测等全生产环节的生产基地。项目投产后年产12万片6英寸碳化硅晶片，其中6英寸导电型碳化硅晶片约为8.2万片，6英寸半绝缘型碳化硅晶片约为3.8万片。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 根据国家发改委发布的《战略型新兴产业重点产品和服务指导目录（2016年版）》，碳化硅等电子功能材料列入战略型新兴产业重点产品目录。根据工信部、国家发改委、科技部与财政部联合发布的《新材料产业发展指南》，宽禁带半导体材料属于鼓励发展的“关键战略材料”，大尺寸碳化硅单晶属于“突破重点应用领域急需的新材料”。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 根据2017年科技部发布的《“十三五”先进制造技术领域科技创新专项规划》，针对碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等为代表的宽禁带半导体技术对关键制造装备的需求，开展大尺寸（6英寸）宽禁带半导体材料制备、器件制造、性能检测等关键装备与工艺研究已经列为我国“十三五”期间先进制造领域的重点任务。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 作为宽禁带半导体器件制造的关键原材料，碳化硅衬底材料制造的技术门槛较高，国内能够向企业用户稳定供应4英寸及6英寸碳化硅衬底的生产厂商相对有限。受中美贸易环境等经济局势影响，近年来我国碳化硅器件厂商的原材料供应受到较大程度的制约，下游市场出现了供不应求的局面。提高碳化硅衬底材料的国产化率、实现进口替代是我国宽禁带半导体行业亟需突破的产业瓶颈。 /p p & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 天科合达表示，公司拟投资建设的第三代半导体碳化硅衬底产业化基地建设项目在扩大现有产能的基础上，通过进一步优化工艺技术，能够实现对下游客户的稳定批量供应，缓解下游市场对碳化硅衬底材料的迫切需求。同时能够进一步提升核心产品的竞争力，提高公司在国内和国际的市场地位，增强在宽禁带半导体材料领域的影响力。 /p

周四A股市场上，科技股表现活跃，第三代半导体概念崛起，包括三安光电、云南锗业和露笑科技等在内的多只个股囊获涨停板，奥海科技、聚灿光电收获两连板。第三代半导体将保持高速增长第三代半导体包括氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石等。相较于第一代、第二代半导体，国内第三代半导体企业和国际巨头基本处于同一起跑线，芯片行业要实现国产化率提升，第三代半导体是很好的弯道超车机会。事实上，继“十二五”“十三五”后，碳化硅半导体再次被列入“十四五”规划中的重点支持领域。国家2030计划和“十四五”国家研发计划已明确第三代半导体是重要发展方向。国海证券表示，在美国持续升级对我国半导体产业技术封锁的大环境中，第三代半导体有望成为我国半导体产业突围先锋，相关产业链上下游企业将充分受益。近几年，我国在第三代半导体布局企业超百家，国内第三代半导体投资热情空前。未来几年内全球氮化镓和碳化硅器件市场将保持25%～40%的高增速。业内人士表示，第三代半导体正是材料环节的创新，被视作超越摩尔定律相关技术发展的重点之一，是芯片性能提升的基石。后摩尔时代看好第三代半导体，这一轮半导体高景气周期大概率将持续到2022年甚至到2023年。专业分析机构Omdia测算显示，全球氮化镓和碳化硅功率半导体销售收入预计将从2018年的5.71亿美元，或增至2029年底超50亿美元，未来十年将保持年均两位数增速。此外，目前半导体行业涨价预期再起，全球功率半导体龙头英飞凌正在酝酿新一轮产品涨价，MOSFET(金氧半场效晶体管)的涨幅将有12%，预计本月中旬执行。中国台湾地区的多个晶圆代工大厂也决定将在第三季度再度上调芯片代工价格，最高上调幅度达30%，远高于市场此前预期的15%。机构预测7只概念股今年业绩翻倍证券时报数据宝统计，第三代半导体板块有近40只个股，包括三安光电、露笑科技等。三安光电在长沙总投资160亿元建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地。露笑科技在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体(碳化硅)产业园。士兰微已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线。从行情表现来看，6月以来第三代半导体个股表现亮眼，概念股平均涨幅超16%，大幅跑赢同期大盘。聚灿光电和赛微电子6月累计上涨超40%，华润微、露笑科技和北方华创的股价自6月以来均涨超30%。截止目前，板块内兆驰股份和苏州固锝发布了中报预告。兆驰股份预测中报净利润约9.22亿元～12.3亿元，增长50%～100%，报告期内公司订单数量同比上升，公司还根据市场情况调整了部分产品价格。苏州固锝预告公司中报净利润约9311.2万元～1.21亿元，同比增长100%～160%。公司表示业绩增长主要是受益于功率半导体国产替代加速，公司产销两旺，产能利用率提升；公司在集成电路和PPAK封装、MEMS封测增长较快，销售额和销售量创新高。从机构预期来看，获得机构一致预测2021年和2022年净利润增长幅度均超过30%的有18家上市公司，其中士兰微、华灿光电、富满电子、安泰科技、楚江新材、新洁能和三安光电等7家公司今年净利润将翻倍增长。

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 详细信息 天长市市区第二水厂及配套设施建设项目监理招标公告信息 安徽省-滁州市-天长市 状态：公告 更新时间： 2024-03-01 招标文件: 附件1 天长市市区第二水厂及配套设施建设项目监理招标公告信息（电子招标投标） 招标条件 项目名称 天长市市区第二水厂及配套设施建设项目监理 项目审批、核准或备案机关名称 天长市发展和改革委员会 批文名称及编号关于天长市市区第二水厂及配套设施建设项目立项的批复 天发改审批﹝2022﹞267号 招标人 天长市住房和城乡建设局 项目业主 天长市住房和城乡建设局 资金来源 地方财政资金和专项债 项目出资比例 100% 招标方式 公开招标 评标办法 综合评估法 项目概况与招标范围 招标项目名称 天长市市区第二水厂及配套设施建设项目监理 招标项目编号 cztcgc202403-002 标段划分 一个标段 招标项目 标段编号 cztcgc202403-002-01 建设地点 位于天长市天扬路与规划天宁大道交叉口西南侧 建设规模 天长市市区第二水厂及配套设施建设项目包含取水头部及取水管、水源厂、原水输水管、第二水厂及清水输水管。 取水头部及取水管：新建2根DN1400取水管，配套喇叭口取水头部2套，单根取水管长度约1.7公里。 水源厂：新建取水泵房、应急加药间、新建附属建筑物（变电所、门卫）等。 原水输水管：新建2根DN1400原水管，单根长度约12.5公里，原水输水管线用于将取水泵站加压后的原水输送至第二水厂。 第二水厂：总设计规模为15万吨/日（近期10万吨/日+远期5万吨/日），内容包括预臭氧接触池、加矾间、沉淀池、砂滤池、提升泵房、臭氧发生器间、鼓风机房、配电间、综合楼等配套设施。 清水输水管：新建DN1200输水管约7.6公里，DN1000输水管约9.2公里；新建DN600配水管约2.5公里；新建DN500配水管约2.3公里。 工程投资估算约6.2亿元（一期工程约5.1亿元；二期工程约1.1亿元）。 监理费用约460万元。 合同估算价 监理费用约460万元 计划工期 （1）一期项目工期730日历天（同项目施工工期） （2）本项目分二期实施，二期具体实施时间根据招标人通知为准 招标范围 包括但不仅限于本工程施工图纸及工程量清单中的所有内容，还包括与本工程实施所涉及的供电工程、供水工程、配套设施工程等；参与本工程的施工准备阶段，协助招标人开展上述前期工作，接受招标人安排履行项目各项前期手续、施工阶段、竣工结算阶段、保修阶段（缺陷责任期）的监理服务以及国家法律法规规定的其他监理服务。 项目类别 监理 其他 无 投标人资格要求 投标人资质条件 投标人须具备建设行政主管部门颁发的工程监理综合资质或市政公用工程监理甲级资质。 项目经理资格要求 投标人拟委任项目经理须具备 持有本单位注册的市政公用工程监理工程师证书，且具有高级工程师职称证书。 本项目不接受投标截止时间前六个月内在滁州市区域内办理过项目经理（总监理工程师）变更备案手续的原项目经理（总监理工程师）作为拟任项目经理（总监理工程师）参加投标。 信誉要求 1、投标人存在以下情形之一的，不得被确定为中标人： ①投标人被人民法院列入失信被执行人的； ②投标人或其法定代表人或拟派项目经理（总监理工程师）前三年有行贿犯罪行为的； ③投标人被市场监督管理部门列入经营异常名录或者严重违法企业名单，且未被移除的； ④投标人被税务部门列入重大税收违法案件当事人的； ⑤在“信用中国”网站上披露仍在公示期的严重失信行为的； ⑥被滁州市县两级各行业主管部门及公管部门取消在一定期限内的投标资格且在取消期限内的； ⑦被滁州市县两级公管部门记入不良行为记录或者信用信息记录，且在披露期内的。 ⑧被人力资源社会保障主管部门列入拖欠农民工工资‘黑名单’或因拖欠农民工工资被县级及以上有关行政主管部门限制投标资格且在限制期限内的。 ⑨被列入省级、市级农民工工资支付异常名录的施工企业，限制其参加全市范围内房建和市政工程建设项目投标；列入县级异常名录的施工企业，限制其参加本行政区域内房建和市政建设项目投标。 2、投标人所属分公司、办事处等分支机构存在第1条信誉要求①-⑨项情形之一的，√接受□拒绝其被确定为中标人。 备注：第1、2条按照附件1“关于联合惩戒失信行为加强信用查询管理的通知”查询或承诺。 联合体投标 本次招标√不接受联合体投标。 本次招标□接受联合体投标，应满足下列要求： 1、联合体参加投标的，联合体（牵头方和成员方）总数不得超过 家。同一专业工程由一个单位承担的，按照承担单位资质确定资质等级；同一专业工程由两个单位共同承担的，按照资质等级较低的单位确定资质等级；不同专业工程由不同单位分别承担的，按照各单位的相应资质确定联合体的资质。联合体牵头人和联合体成员按专业分工确定的联合体资质须满足招标文件的要求。 2、联合体参加投标的，招标文件下载、投标保证金缴纳、投标文件编制、电子签章、网上递交标书、解密等工作均由其牵头人负责办理，其他联合体成员方按招标文件要求提供相关材料即可。 3、联合体参加投标的，一旦中标，联合体各方将向招标人承担连带责任，各方应服从招标人的管理。 4、若为联合体投标的，联合体投标牵头方必须在投标文件中填报派驻项目经理（建造师）A，联合体成员方可根据项目情况自行选择是否在投标文件中填报派驻项目经理（建造师）B岗，若派驻，AB岗须满足项目经理资格要求。如联合体成员方没有在投标文件中填报派驻项目经理（建造师） B岗的，视为放弃填报派驻项目经理（建造师） B岗的权利，中标后不予填报增派。 5、联合体牵头人及成员单位共同对所提交的投标文件及相关证书材料的真实合规性负责。如联合体任一方出现保证金不予退还的情形，联合体所缴纳的投标保证金均不予退还。 多标段投标 无 其他要求 无 招标文件的获取 获取时间 2024 年 3 月 1 日17时00分至2024年 3 月 21 日8时 00分 获取方式 （1）潜在投标人须登录滁州市公共资源交易中心网站（http://ggzy.chuzhou.gov.cn/）查阅并下载电子招标文件。 （2）招标文件获取过程中有任何疑问，请在工作时间（工作时间：工作日8:00-12:00,14:30-17:30）拨打0550-3801701。 招标公告 发布时间 2024年3月1日 投标文件递交的截止时间 2024年3月21日8时00分 投标文件递交的方式 投标人应在投标截止时间前通过滁州市公共资源交易中心交易系统递交电子投标文件。 开标时间 2024年3月21日8时00分 开标地点 天长市公共资源交易中心第一开标室(天长市南市区广场东路国土资源交易中心大楼一楼) 招标文件价格 0元 发布公告的媒介 本次招标公告同时在滁州市公共资源交易中心、安徽省公共资源交易监管网、安徽省招标投标信息网等网站发布。 投标人提出异议的截止时间及方式 如投标人对招标文件有异议，请于2024年3月11日17时（投标截止 10 日）前在滁州市公共资源交易中心网电子交易系统中在线进行异议，具体操作步骤和程序请参见服务指南交易须知在线异议、质疑和投诉操作手册。 受理异议的联系人及联系方式 联系人：董育祥、祝家强； 联系方式：0550-7312400、0550-7312444。 投标保证金收取 保证金收取 √要求投标人提交投标保证金，投标保证金的金额：9万元。 （√本项目对中小企业免收投标保证金。投标人为中小企业的须在投标文件中提交《中小企业声明函》。若为联合体投标的，联合体各方须均为中小企业。如评标委员会在评审过程中发现投标人声明与事实不符，视其投标保证金评审不通过，并报监管部门处理；如中标后发现投标人免缴投标保证金有弄虚作假情形，监管部门将从重从严处理。） □不要求投标人提交投标保证金。投标保证金的金额： 万元。 投标保证金形式 支持现金（银行转账、银行电汇）、银行保函、保证保险、担保机构担保。 接收投标保证金的账户信息 银行转账缴纳的投标保证金须投标截止时间前交纳完毕；投标保证金须从投标人基本账户转入交易中心下列账户之一，投标保证金付款人的账户名称必须与投标人名称一致，不接受汇票和结算卡汇入，以资金到账时间为确认保证金交纳完毕时间。 ①户名：天长市公共资源交易中心 开户行：中国银行股份有限公司天长支行 账 号：179773335839 ②户 名：天长市公共资源交易中心 开户行：徽商银行股份有限公司天长支行 账 号：223017630721000002002145 保证金到账截止时间同投标文件递交截止时间，交纳保证金时须在交易附言中注明：“天长市市区第二水厂及配套设施建设项目监理”项目投标保证金。 各投标人请严格按照招标公告和招标文件载明的银行、账户汇入投标保证金，否则在开标时无法查询保证金是否到账将导致评标委员会否决其投标。 投标保函要求 1、采用电子保函的，投标人可登录滁州市公共资源交易中心网站“滁州市公共资源交易中心网站金融服务平台”，在线办理电子保函。操作手册见“滁州市公共资源交易中心-金融服务平台-通知公告”。为减轻投标人负担，鼓励优先使用电子保函形式。 2、采用纸质银行保函的，应为投标人基本存款账户开户行出具的不可撤销、不可转让的见索即付独立保函；采用纸质担保机构担保的，应为经金融监督管理部门审查批准，依法取得融资担保业务经营许可证的融资担保机构出具的不可撤销、不可转让的见索即付独立保函；采用纸质保证保险的，应为保险公司出具的不可撤销、不可转让的见索即付保证保险。 3、采用纸质保函（银行保函、保证保险或担保机构担保）的，纸质保函原件扫描件须上传至投标文件资信证明文件中，否则视为未按规定提交投标保证金。 4、投标保函的保证期截止时间不得早于该项目投标有效期的截止时间，否则招标人予以拒收。 5、注意事项： （1）投标人采用纸质保函（银行保函、保证保险或担保机构担保）的，须提供明确有效的查询途径（网址链接及查询方式，即能够通过互联网且无需任何授权即可在相应金融机构的官方网站）验证真伪，否则视为未按规定提交投标保证金。 （2）评标委员会应对投标保证金缴纳材料进行核查。如提供银行保函或担保机构担保或保证保险形式的，应根据投标人提供的查询途径进行查询核实并将是否存在异常情形的核实情况在评标报告中予以记录。 （3）中标候选人须在中标结果公示发布前将其开具至本招标项目的银行保函、担保机构担保、保证保险原件提交招标人（或招标代理机构），且原件须与投标文件中提供的扫描件一致，如存在未按照规定提交或提交内容不一致，招标人有权取消其中标候选人资格；发现弄虚作假的，招标人应报公共资源交易监督管理部门依法处理。 备注 1、投标人为联合体投标的，保证金由牵头人基本账户转入交易中心账户或由牵头人办理投标担保。 2、本项目不缴纳投标保证金条款仅针对在投标过程中未违反本招标文件第二章“投标人须知”中第3.4.4项约定的投标人。如在投标过程中投标人存在本招标文件第二章“投标人须知”中第3.4.4项约定情形，则无条件按招标人要求的金额、时间、账号缴纳投标保证金。投标人采用银行保函、担保机构担保、保证保险方式提交投标保证金的，如出现本招标文件“投标人须知”第 3.4.4 项所列情形的，提供担保的银行、担保机构及保险机构将无条件向招标人支付保函所列的全部投标保证金金额，该支付行为视同投标保证金不予退还。 3、投标人采用虚假银行保函、担保机构担保、保证保险方式提交投标保证金的，应依法承担弄虚作假、骗取中标的法律责任。 4、中小型企业的企业划型标准按照《关于印发中小企业划型标准规定的通知》（工信部联企业〔2011〕300号）规定执行；上述企业由评标委员会依据投标人相关承诺、声明及提供的材料认定。中标单位为中小企业的，中标公示时同时公告其《中小企业声明函》。 其他说明 重要说明 1、本项目只接受在安徽省公共资源交易市场主体库（http://ggzy.ah.gov.cn/ahggfwpt-zhutiku/dengludenglu）登记并进行信息确认提交的投标人投标，未登记的投标人请及时办理CA数字证书并登录安徽省公共资源交易市场主体库进行信息填写及确认提交；已办理过CA数字证书视为已在省库登记，进行信息更新及确认提交即可。办理流程为登录滁州市公共资源交易中心网服务指南办事指南中的“CA数字证书和电子签章”及“市场主体登记”。相关服务电话：（1）安徽省公共资源交易市场主体库使用相关问题（系统登录、信息登记、录入及提交、数字证书关联等）：010-86483801转5-2 ；（2） CA数字证书有关问题：安徽CA客服400-880-4959、0550-3019013（工作日）,CFCA客服025-66085508 、0550-3801669（工作日）；（3）市场主体招标环节和投标环节系统使用问题：400-998-0000（8:00-21:00）、0550-3801701（工作日）。因未及时通过CA数字证书登录省主体库对相关信息进行补充完善并确认提交，导致无法投标的，责任自负。为保证系统使用过程中产生的问题能够及时得到解决，请各主体在工作时间进行主体信息登记、更新、投标文件制作等相关操作。 2、请投标人登录滁州市公共资源交易中心网站查看参加本项目的程序（具体操作步骤和程序请参见服务指南交易须知投标人填写投标信息、下载文件及网上提问操作手册）。 3、本项目采用不见面开标(远程解密)方式，开标时投标人无须至开标现场进行解密，开标采取远程解密方式解密投标文件，投标人远程解密方式：投标人在开标时间前使用CA数字证书登录滁州市“不见面开标系统”，网址为https://ggzy.chuzhou.gov.cn/BidOpening,等待开标并按系统提示进行相应的投标人解密等事项，无需到开标现场。采用本方式可以观看开标现场音视频直播并进行互动交流。具体操作方法见中心网站服务指南交易须知中的《滁州市不见面开标系统操作手册》。解密时间要求为：从本项目解密程序开始时计时，至完成投标文件解密时间，不得超过60分钟，否则投标文件将被拒绝。 4、投标文件格式、内容和制作要求以招标文件为准，投标文件制作工具中提供的相关格式及内容仅供参考，投标企业可根据招标文件要求自行调整。 特别提示 1.本项目投标保证金、履约保证金、工程质量保证金、农民工工资保证金均支持保函使用。以现金形式提交保证金的，应当同时退还保证金本金和银行同期存款利息。 2.投标人应填写投标信息并下载招标文件，否则无法上传投标文件。 注：投标人如为联合体的，牵头人必须完善投标人信息，并在上传投标文件环节添加联合体投标信息。 3.本项目采用电子招标投标，请投标人在滁州市公共资源交易中心网站服务指南软件下载栏目点击下载投标文件制作工具。投标人需采用最新版投标文件制作工具。软件运行需在国际互联网络通畅状态，投标人需注意更新，以免造成投标文件制作错误，如因此导致评标委员会否决其投标，责任自负。如有技术问题请联系0550-3801701，4009980000。 4.如果过程中出现招标文件更改，应以最后发布的招标答疑澄清文件中的模板制作本项目最新投标文件。 5.投标人应当用本单位CA数字证书制作投标文件，制作成功后进行投标文件上传。 6.投标人须用CA数字证书盖章和加密投标文件，建议使用主锁。（如未办理CA数字证书请及时办理，网上办理和窗口办理均可。查看办理所需资料请登录滁州市公共资源交易中心网站服务指南办事指南CA数字证书和电子签章。因未及时办理CA数字证书手续导致无法投标的，责任自负） 7.请投标人注意加密投标文件CA数字证书的有效期，不在有效期的CA数字证书无法解密投标文件。 8.投标人投标MAC地址一致或申请开具电子保函MAC地址一致的，由评标委员会否决其投标。 9.投标人投标文件中单方面出现其他投标人材料的（依法组成联合体投标的除外），由评标委员会否决其投标。 10.评标时查询投标文件制作机器码、文件创建标识码及造价软件加密锁号。若存在投标文件制作机器码或创建标识码或造价软件加密锁号信息与其他投标人雷同的，由评标委员会否决其投标，依法依规予以处理。 11.若存在不予退还投标人投标保证金的情形，银行转账的，由市公共资源交易中心代为收缴，递交保函的，由招标人予以追缴。 12.投标人以联合体名义投标的，其异议投诉应当由联合体全体成员共同提出。联合体成员单独进行异议投诉的，应当书面征得联合体其他成员同意，联合体成员之间投诉的除外。 13.投标人联系人或联系电话相同的，由评标委员会否决其投标，并报告监管部门作不良行为处理和进一步调查。 14.注册地在安徽省内且未在安徽省外开展业务、省外无违法违规行为的企业可通过安徽政务服务网开具由安徽省公共信用信息服务中心出具的《公共信用信息报告（无违法违规证明版或核查版）》代替《诚信投标承诺书》，信用报告出具有关问题可咨询滁州市信用办0550-3035032。 联系方式（受理异议的联系人及联系方式） 招标人名称 天长市住房和城乡建设局 招标人地址 天长市建设大厦三楼 招标人联系人 董育祥 招标人电话 0550-7312400 招标代理机构名称 天长市荣城工程造价事务所 招标代理机构地址 天长市建设大厦5楼518室 招标代理机构 联系人 祝家强 代理机构电话 0550-7312444 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：臭氧发生器 开标时间：2024-03-21 08:00 预算金额：460.00万元 采购单位：天长市住房和城乡建设局 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：天长市荣城工程造价事务所 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 天长市市区第二水厂及配套设施建设项目监理招标公告信息 安徽省-滁州市-天长市 状态：公告 更新时间： 2024-03-01 招标文件: 附件1 天长市市区第二水厂及配套设施建设项目监理招标公告信息（电子招标投标） 招标条件 项目名称 天长市市区第二水厂及配套设施建设项目监理 项目审批、核准或备案机关名称 天长市发展和改革委员会 批文名称及编号 关于天长市市区第二水厂及配套设施建设项目立项的批复 天发改审批﹝2022﹞267号 招标人 天长市住房和城乡建设局 项目业主 天长市住房和城乡建设局 资金来源 地方财政资金和专项债 项目出资比例 100% 招标方式 公开招标 评标办法 综合评估法 项目概况与招标范围' 招标代理机构名称 天长市荣城工程造价事务所 招标代理机构地址 天长市建设大厦5楼518室 招标代理机构 联系人 祝家强 代理机构电话 0550-7312444

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 详细信息 北京大学医学部游泳馆委托运营管理服务公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2023-01-19 北京大学医学部游泳馆委托运营管理服务公开招标公告 项目概况 北京大学医学部游泳馆委托运营管理服务 招标项目的潜在投标人应在中招联合招标采购平台（http://www.365trade.com.cn），详见特别告知获取招标文件，并于2023年02月10日 09点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：TC230E006 项目名称：北京大学医学部游泳馆委托运营管理服务 预算金额：130.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：130.0000000 万元（人民币） 采购需求： （1）游泳馆概况 1）水量：50 m×25 m×2 m=2500 m3；共8条泳道 2）现有设备情况：毛发过滤器、硅藻土过滤器、臭氧发生器、低盐耗次氯酸钠发生器、板式换热器、温控系统、循环水泵、水质检测仪投药计量泵。 3）游泳馆开放时间： 周二至周五：12：00—13:00 ，14：00—18:00，19:00-21:00 周六、日：14:00—18:00,19:00-21:00 （2）服务内容： 在服务期限内为游泳馆提供安全救生、泳池水系统设备运行、水质管理、场地保洁、卫生救护等服务。详见招标文件。 合同履行期限：自合同签订之日起一年 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：（1）在中华人民共和国境内注册，能够独立承担民事责任，有生产或供应能力的本国供应商。（2）按《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定：供应商参加政府采购活动应当具备下列条件：1）具有独立承担民事责任的能力；2）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度；3）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力；4）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录；5）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录；6）法律、行政法规规定的其他条件。（3）截至投标文件递交截止时间前，供应商不能是被列入“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、以及“中国政府采购网”网站（www.ccgp.gov.cn）政府采购严重违法失信行为记录名单中的供应商。（4）本次招标不接受联合体投标。（5）本项目不允许转包分包。（6）从中招国际招标有限公司正式获得了本项目的招标文件。 三、获取招标文件 时间：2023年01月19日 至 2023年01月31日，每天上午9:00至11:30，下午13:30至16:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：中招联合招标采购平台（http://www.365trade.com.cn），详见特别告知 方式：在线购买。纸质磋商文件请联系项目负责人获取。详见特别告知 售价：￥300.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2023年02月10日 09点30分（北京时间） 开标时间：2023年02月10日 09点30分（北京时间） 地点：中招国际招标有限公司6层第7会议室(北京市海淀区学院南路62号中关村资本大厦) 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 本项目落实的政府采购政策，政府采购促进中小企业发展政策、政府采购鼓励采购节能环保产品政策、政府采购支持监狱企业发展、促进残疾人就业政府采购政策、政府采购信用担保。 特 别 告 知 各潜在投标人： 本项目接受网上发售、下载电子版招标(采购)文件/资格审查文件（下简称“标书”），现将有关注意事项特别告知如下： （一）网上注册：凡有意在线获取电子版标书的潜在投标人，请务必在本项目电子版标书发售截止时间前，登录中招联合招标采购平台（http://www.365trade.com.cn；以下简称“交易平台”）进行免费注册。潜在投标人参与不同项目的经办人可注册多个不同账户。交易平台会对投标人注册信息与其提供证件信息进行一致性审核。 （二）标书下载：经办人凭注册时的用户名、密码验证身份登录、上传《招标（采购）公告》要求的报名资料（如有）、购买并下载电子标书。逾期将无法购买标书。 （三）电子版标书不缴纳其他的服务费用。 （四）潜在投标人成功下载电子版标书后，标书款发票、纸质标书可与中招国际招标有限公司本项目联系人确定领取方式。 （五）其它事项 如遇平台操作问题，可拨打交易平台统一服务热线：010-86397110，热线服务时间为工作日上午09:00-12:00下午13:00-17:30。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学医学部 地址：北京市海淀区学院路38号 联系方式：刘大川010-82802756 2.采购代理机构信息 名 称：中招国际招标有限公司 地 址：北京市海淀区学院南路62号中关村资本大厦 联系方式：靳艳刚、姚启洪010-62108013、62108088 3.项目联系方式 项目联系人：靳艳刚 电 话： 010-62108013 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：臭氧发生器,计量泵,水质分析仪 开标时间：2023-02-10 09:30 预算金额：130.00万元 采购单位：北京大学医学部 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：中招国际招标有限公司 代理联系人：点击查看代理联系方式：点击查看 详细信息 北京大学医学部游泳馆委托运营管理服务公开招标公告 北京市-海淀区 状态：公告 更新时间： 2023-01-19 北京大学医学部游泳馆委托运营管理服务公开招标公告 项目概况 北京大学医学部游泳馆委托运营管理服务 招标项目的潜在投标人应在中招联合招标采购平台（http://www.365trade.com.cn），详见特别告知获取招标文件，并于2023年02月10日 09点30分（北京时间）前递交投标文件。 一、项目基本情况 项目编号：TC230E006 项目名称：北京大学医学部游泳馆委托运营管理服务 预算金额：130.0000000 万元（人民币） 最高限价（如有）：130.0000000 万元（人民币） 采购需求： （1）游泳馆概况 1）水量：50 m×25 m×2 m=2500 m3；共8条泳道 2）现有设备情况：毛发过滤器、硅藻土过滤器、臭氧发生器、低盐耗次氯酸钠发生器、板式换热器、温控系统、循环水泵、水质检测仪投药计量泵。 3）游泳馆开放时间： 周二至周五：12：00—13:00 ，14：00—18:00，19:00-21:00 周六、日：14:00—18:00,19:00-21:00 （2）服务内容： 在服务期限内为游泳馆提供安全救生、泳池水系统设备运行、水质管理、场地保洁、卫生救护等服务。详见招标文件。 合同履行期限：自合同签订之日起一年 本项目( 不接受 )联合体投标。 二、申请人的资格要求： 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定； 2.落实政府采购政策需满足的资格要求： 无 3.本项目的特定资格要求：（1）在中华人民共和国境内注册，能够独立承担民事责任，有生产或供应能力的本国供应商。（2）按《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定：供应商参加政府采购活动应当具备下列条件：1）具有独立承担民事责任的能力；2）具有良好的商业信誉和健全的财务会计制度；3）具有履行合同所必需的设备和专业技术能力；4）有依法缴纳税收和社会保障资金的良好记录；5）参加政府采购活动前三年内，在经营活动中没有重大违法记录；6）法律、行政法规规定的其他条件。（3）截至投标文件递交截止时间前，供应商不能是被列入“信用中国”网站(www.creditchina.gov.cn)失信被执行人、重大税收违法案件当事人名单、以及“中国政府采购网”网站（www.ccgp.gov.cn）政府采购严重违法失信行为记录名单中的供应商。（4）本次招标不接受联合体投标。（5）本项目不允许转包分包。（6）从中招国际招标有限公司正式获得了本项目的招标文件。 三、获取招标文件 时间：2023年01月19日 至 2023年01月31日，每天上午9:00至11:30，下午13:30至16:30。（北京时间，法定节假日除外） 地点：中招联合招标采购平台（http://www.365trade.com.cn），详见特别告知 方式：在线购买。纸质磋商文件请联系项目负责人获取。详见特别告知 售价：￥300.0 元，本公告包含的招标文件售价总和 四、提交投标文件截止时间、开标时间和地点 提交投标文件截止时间：2023年02月10日 09点30分（北京时间） 开标时间：2023年02月10日 09点30分（北京时间） 地点：中招国际招标有限公司6层第7会议室(北京市海淀区学院南路62号中关村资本大厦) 五、公告期限 自本公告发布之日起5个工作日。 六、其他补充事宜 本项目落实的政府采购政策，政府采购促进中小企业发展政策、政府采购鼓励采购节能环保产品政策、政府采购支持监狱企业发展、促进残疾人就业政府采购政策、政府采购信用担保。 特 别 告 知 各潜在投标人： 本项目接受网上发售、下载电子版招标(采购)文件/资格审查文件（下简称“标书”），现将有关注意事项特别告知如下： （一）网上注册：凡有意在线获取电子版标书的潜在投标人，请务必在本项目电子版标书发售截止时间前，登录中招联合招标采购平台（http://www.365trade.com.cn；以下简称“交易平台”）进行免费注册。潜在投标人参与不同项目的经办人可注册多个不同账户。交易平台会对投标人注册信息与其提供证件信息进行一致性审核。 （二）标书下载：经办人凭注册时的用户名、密码验证身份登录、上传《招标（采购）公告》要求的报名资料（如有）、购买并下载电子标书。逾期将无法购买标书。 （三）电子版标书不缴纳其他的服务费用。 （四）潜在投标人成功下载电子版标书后，标书款发票、纸质标书可与中招国际招标有限公司本项目联系人确定领取方式。 （五）其它事项 如遇平台操作问题，可拨打交易平台统一服务热线：010-86397110，热线服务时间为工作日上午09:00-12:00下午13:00-17:30。 七、对本次招标提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名 称：北京大学医学部 地址：北京市海淀区学院路38号 联系方式：刘大川010-82802756 2.采购代理机构信息 名 称：中招国际招标有限公司 地 址：北京市海淀区学院南路62号中关村资本大厦 联系方式：靳艳刚、姚启洪010-62108013、62108088 3.项目联系方式 项目联系人：靳艳刚 电 话： 010-62108013

html, body { -webkit-user-select: text } * { padding: 0 margin: 0 } .web-box { width: 100% text-align: center } .wenshang { margin: 0 auto width: 80% text-align: center padding: 20px 10px 0 10px } .wenshang h2 { display: block color: #900 text-align: center padding-bottom: 10px border-bottom: 1px dashed #ccc font-size: 16px } .site a { text-decoration: none } .content-box { text-align: left margin: 0 auto width: 80% margin-top: 25px text-indent: 2em font-size: 14px line-height: 25px } .biaoge { margin: 0 auto /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 25px } .table_content { border-top: 1px solid #e0e0e0 border-left: 1px solid #e0e0e0 font-family: Arial /* width: 643px */ width: 100% margin-top: 10px margin-left: 15px } .table_content tr td { line-height: 29px } .table_content .bg { background-color: #f6f6f6 } .table_content tr td { border-right: 1px solid #e0e0e0 border-bottom: 1px solid #e0e0e0 } .table-left { text-align: left padding-left: 20px } 基本信息 关键内容： CO、CO2,氧分析仪,零气发生器,臭氧分析仪,氮氧化物分析,硫氮分析仪 开标时间： null 采购金额： 190.00万元 采购单位： 成都市青羊生态环境局 采购联系人： 田老师 采购联系方式： 立即查看 招标代理机构： 四川晟越容大招标代理有限公司 代理联系人： 严先生 代理联系方式： 立即查看 详细信息 成都市青羊生态环境局青羊区环境空气质量自动监测站采购项目竞争性磋商公告 四川省-成都市-青羊区 状态：公告 更新时间： 2022-02-25 招标文件: 附件1 成都市青羊生态环境局青羊区环境空气质量自动监测站采购项目竞争性磋商公告 系统发布时间：2022-02-25 16:11 项目概况 成都市青羊生态环境局青羊区环境空气质量自动监测站采购项目招标项目的潜在供应商应在政府采购云平台获取采购文件，并于2022年03月10日14点30分(北京时间)前提交响应文件。 一、项目基本情况 项目编号 510105202200012 项目名称 成都市青羊生态环境局青羊区环境空气质量自动监测站采购项目 采购方式 竞争性磋商 预算金额（元） 1900000 最高限价 1900000.0 采购需求 包1:序号 产品名称 数量 单位 1 二氧化硫分析仪 1 台 2 氮氧化物分析仪 1 台 3 一氧化碳分析仪 1 台 4 臭氧分析仪 1 台 5 PM10分析仪 1 套 6 PM2.5分析仪 1 套 7 动态校准仪 1 台 8 零气发生器 1 台 9 数据采集与传输 1 套 10 配套采样系统、机柜、稳压电源等辅助设施 1 套 11 气象五参数系统 1 台 12 监测站房 1 套 13 安防系统 1 套 合同履行期限 合同签订后20日内。 本项目是否接受联合体投标 否 二、申请人的资格要求 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求：无 三、获取采购文件 时间： 2022年02月25日到2022年03月04日,每天上午9:00至12:00,下午14:00至17:00(北京时间，法定节假日除外) 地点： 政府采购云平台 方式： 供应商登录政采云平台https://www.zcygov.cn/在线申请获取采购文件（进入“项目采购”应用，在获取采购文件菜单中选择项目，申请获取采购文件） 售价： 0 四、响应文件提交 截止时间： 2022年03月10日14点30分(北京时间) 地点： 响应文件递交截止时间前，供应商应将加密的响应文件递交至“政府采购云平台”对应项目 五、开启 时间： 2022年03月10日14点30分(北京时间) 地点： 政府采购云平台(https://www.zcygov.cn) 六、公告期限 自本公告发布之日起3个工作日 七、其它补充事宜 一、本项目情况： 1、计划号:51010522210200000483。 2、采购品目名称：A032401大气污染防治设备。 3、监督管理部门：青羊区财政局，联系电话：028-86699817。地址： 四川省成都市青羊区西华门街19号 。 二、供应商信用融资： 1、根据《四川省财政厅关于推进四川省政府采购供应商信用融资工作的通知》（川财采〔2018〕123号）文件要求，有融资需求的供应商可根据四川政府采购网公示的银行及其“政采贷”产品，自行选择符合自身情况的“政采贷”银行及其产品，凭中标（成交）通知书向银行提出贷款意向申请。 2、根据《成都市中小企业政府采购信用融资暂行办法》和《成都市级支持中小企业政府采购信用融资实施方案》，成都市范围内政府采购项目中标（成交）供应商为中小微企业的，可依据政府采购合同申请政府采购信用融资（具体内容详见招标文件附件“成财采〔2019〕17号”、“成财采发〔2020〕20号”）。本项目所属行业：工业。 八、凡对本次采购提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名称: 成都市青羊生态环境局 地址: 成都市青羊区石人南路38号 联系方式: 联系人：田老师 联系电话：028-87310686 2.采购代理机构信息 名称: 四川晟越容大招标代理有限公司 地址: 成都市高新区吉泰五路88号香年广场T2栋3408号 联系方式: 联系人：严先生 联系电话：18602867832 3.项目联系方式 项目联系人: 严先生 电话: 18602867832 × 扫码打开掌上仪信通App 查看联系方式 $('.clickModel').click(function () { $('.modelDiv').show() }) $('.closeModel').click(function () { $('.modelDiv').hide() }) 基本信息 关键内容：CO、CO2,氧分析仪,零气发生器,臭氧分析仪,氮氧化物分析,硫氮分析仪 开标时间：null 预算金额：190.00万元 采购单位：成都市青羊生态环境局 采购联系人：点击查看 采购联系方式：点击查看 招标代理机构：四川晟越容大招标代理有限公司 代理联系人：点击查看 代理联系方式：点击查看 详细信息 成都市青羊生态环境局青羊区环境空气质量自动监测站采购项目竞争性磋商公告 四川省-成都市-青羊区 状态：公告 更新时间： 2022-02-25 招标文件: 附件1 成都市青羊生态环境局青羊区环境空气质量自动监测站采购项目竞争性磋商公告 系统发布时间：2022-02-25 16:11 项目概况 成都市青羊生态环境局青羊区环境空气质量自动监测站采购项目招标项目的潜在供应商应在政府采购云平台获取采购文件，并于2022年03月10日14点30分(北京时间)前提交响应文件。 一、项目基本情况 项目编号 510105202200012 项目名称 成都市青羊生态环境局青羊区环境空气质量自动监测站采购项目 采购方式 竞争性磋商 预算金额（元） 1900000 最高限价 1900000.0 采购需求 包1:序号 产品名称 数量 单位 1 二氧化硫分析仪 1 台 2 氮氧化物分析仪 1 台 3 一氧化碳分析仪 1 台 4 臭氧分析仪 1 台 5 PM10分析仪 1 套 6 PM2.5分析仪 1 套 7 动态校准仪 1 台 8 零气发生器 1 台 9 数据采集与传输 1 套 10 配套采样系统、机柜、稳压电源等辅助设施 1 套 11 气象五参数系统 1 台 12 监测站房 1 套 13 安防系统 1 套 合同履行期限 合同签订后20日内。 本项目是否接受联合体投标 否 二、申请人的资格要求 1.满足《中华人民共和国政府采购法》第二十二条规定 2.落实政府采购政策需满足的资格要求：无 3.本项目的特定资格要求：无 三、获取采购文件 时间： 2022年02月25日到2022年03月04日,每天上午9:00至12:00,下午14:00至17:00(北京时间，法定节假日除外) 地点： 政府采购云平台 方式： 供应商登录政采云平台https://www.zcygov.cn/在线申请获取采购文件（进入“项目采购”应用，在获取采购文件菜单中选择项目，申请获取采购文件） 售价： 0 四、响应文件提交 截止时间： 2022年03月10日14点30分(北京时间) 地点： 响应文件递交截止时间前，供应商应将加密的响应文件递交至“政府采购云平台”对应项目 五、开启 时间： 2022年03月10日14点30分(北京时间) 地点： 政府采购云平台(https://www.zcygov.cn)六、公告期限 自本公告发布之日起3个工作日 七、其它补充事宜 一、本项目情况： 1、计划号:51010522210200000483。 2、采购品目名称：A032401大气污染防治设备。 3、监督管理部门：青羊区财政局，联系电话：028-86699817。地址： 四川省成都市青羊区西华门街19号 。 二、供应商信用融资： 1、根据《四川省财政厅关于推进四川省政府采购供应商信用融资工作的通知》（川财采〔2018〕123号）文件要求，有融资需求的供应商可根据四川政府采购网公示的银行及其“政采贷”产品，自行选择符合自身情况的“政采贷”银行及其产品，凭中标（成交）通知书向银行提出贷款意向申请。 2、根据《成都市中小企业政府采购信用融资暂行办法》和《成都市级支持中小企业政府采购信用融资实施方案》，成都市范围内政府采购项目中标（成交）供应商为中小微企业的，可依据政府采购合同申请政府采购信用融资（具体内容详见招标文件附件“成财采〔2019〕17号”、“成财采发〔2020〕20号”）。本项目所属行业：工业。 八、凡对本次采购提出询问，请按以下方式联系。 1.采购人信息 名称: 成都市青羊生态环境局 地址: 成都市青羊区石人南路38号 联系方式: 联系人：田老师 联系电话：028-87310686 2.采购代理机构信息 名称: 四川晟越容大招标代理有限公司 地址: 成都市高新区吉泰五路88号香年广场T2栋3408号 联系方式: 联系人：严先生 联系电话：18602867832 3.项目联系方式 项目联系人: 严先生 电话: 18602867832

p 　　近日，由南方科技大学、中国科学院北京基因组研究所、浙江大学医学院附属妇产科医院(以下简称“浙大妇产科医院”)等多家单位联合完成的“第三代单分子测序仪的无创产前检测研究”结果显示，使用我国完全自主研发的第三代单分子基因测序仪，可成功应用于无创产前检测(英文简称NIPT)，且检测结果100%准确。相关研究成果已发表在由非营利机构美国冷泉港实验室运营的BioRxiv网站上。 br/ /p p 　　“这是世界上首次利用单分子测序技术进行NIPT临床检测并获得成功的案例。”中国科学院北京基因组研究所研究员、项目测序技术负责人于军说，作为中国第三代基因测序技术研究在国际研究领域的一次引领性重大突破和原创成果，这项研究“将实质性地开启健康与医疗体系的个体化时代”。 /p p 　　目前，基于二代测序的NIPT还存在着一些不足，如检测胎儿18-三体综合征(爱德华氏综合征)及13-三体综合征(帕陶氏综合征)的假阳性率还明显高于21-三体综合征，胎儿性染色体异常以及微缺失、微重复检测的准确性有待提高等。 /p p 　　论文第一作者、项目临床负责人、浙大妇产科医院主任医师董旻岳表示，三代测序仪摒弃了二代测序的PCR扩增环节，不受GC偏好影响，在保证了21-三体的精确检测基础上，对18-、13-三体综合征的检出率更高，可有效降低假阳性率。此外，使用二代基因测序仪做NIPT，至少需要在孕12周后才能获得比较准确的检测结果 相比之下，三代基因测序仪灵敏度更高，可检测的cffDNA(母体血浆中存在胎儿游离DNA)浓度低至2%，使得NIPT的检测时间有可能被提前至孕8周。这无疑有利于及早发现、及早处置，将为临床诊治争取到更多宝贵的时间。 /p p 　　董旻岳同时表示，三代测序技术还有望提高胎儿性染色体异常、微缺失、微重复无创检测的灵敏度，拓宽NIPT检测的疾病谱。 /p p 　　在10月26日~29日于深圳举行的第12届基因组学国际会议上，美国梅奥医学中心教授David Smith在其报告中提出，美国Illumina公司基因测序仪全球垄断的现状会带来诸多问题，如科研及医疗机构缺乏选择、试剂成本居高不下等。对此，于军认为，本项研究的成功是基因测序领域的重大利好，意味着我国自主研发的第三代基因测序仪打破美国Illumina公司在NIPT领域一家独大局面的未来可期。 /p p 　　据介绍，该项目所使用的第三代基因测序平台是由深圳市瀚海基因生物科技有限公司(下简称“瀚海基因”)今年7月宣布研发成功并投入小批量样机生产、拥有完全自主知识产权的第三代单分子基因测序仪GenoCare。中国科学院院士陈润生评价说，基于GenoCare的NIPT研究获得成功，证明了无需扩增就可以实现NIPT，这是重大的技术创新，是中国基因测序技术研究领域一次真正意义上的弯道超车。 /p p 　　南方科技大学副教授、瀚海基因董事长贺建奎告诉《中国科学报》记者，第三代基因测序仪及试剂的完全国产化可使检测成本大幅下降并远低于二代测序仪，此外专门为临床进行的设计也使操作更为方便，这些优点都令三代测序仪便于大规模普及。未来，除了NIPT，第三代单分子基因检测技术还有望应用于单基因病、ctDNA肿瘤早筛、传染病检测、农业育种、法医鉴定等方面。 /p p br/ /p

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。专利一般是由政府机关或者代表若干国家的区域性组织根据申请而颁发的一种文件，这种文件记载了发明创造的内容，并且在一定时期内产生这样一种法律状态，即获得专利的发明创造在一般情况下他人只有经专利权人许可才能予以实施。在我国，专利分为发明、实用新型和外观设计三种类型。专利文献作为技术信息最有效的载体，囊括了全球90%以上的最新技术情报，相比一般技术刊物所提供的信息早5～6年，而且70%～80%发明创造只通过专利文献公开，并不见诸于其他科技文献，相对于其他文献形式，专利更具有新颖、实用的特征。可见，专利文献是世界上最大的技术信息源，另据实证统计分析，专利文献包含了世界科技技术信息的90%～95%。如此巨大的信息资源远未被人们充分地加以利用。事实上，对企业组织而言，专利是企业的竞争者之间惟一不得不向公众透露而在其他地方都不会透露的某些关键信息的地方。因此，通过对专利信息细致、严密、综合、相关的分析，可以从其中得到大量有用信息。基于此，仪器信息网特统计分析了第三代半导体中氮化镓的专利信息，以期为从业者提供参考。（本文搜集信息源自网络，不完全统计分析仅供读者参考，时间以专利申请日为准）专利申请趋势分析（1994-2020）申请人数量趋势分析（1994-2020）发明人数量趋势分析（1994-2020）本次统计，以“氮化镓”为关键词进行检索，共涉及专利总数量为9740条（含世界知识产权组织254条专利），其中发明专利8270条、实用新型专利1169条和外观专利47条。从统计结果可以看出可以看出，从1994年开始，氮化镓专利数量和专利申请人数量整体呈增长趋势，只在2012-2014年之间和2020年呈下降趋势。这表明氮化镓的研发投入不断增加，相关企业和科研院所数量也在不断增加。从专利发明人数量趋势可以看出，从事氮化镓相关研究的人数也在逐年增加，氮化镓已成为研究热点。申请人专利排行发明人专利量排行那么从事相关研发工作的主要有哪些单位呢？从申请人专利量排行可以看出，在专利申请人申请量排名中，中国科学院半导体研究所的表现最为突出共申请专利314件，三菱电机株式会社（排名第二）与电子科技大学（排名第三）也不甘示弱，分列第二与第三位。具体来看，半导体所的专利主要集中于材料生长、加工工艺等方面；三菱电机的专利主要集中于功率器件制造、半导体装置等方面。在发明人专利量排行中，李鹏的专利量最多，其次为胡加辉、李晋闽等人。李鹏发明的专利主要归华灿光电所属，专利集中于氮化镓发光二极管领域的研究。据了解，华灿光电成立于2005年的华灿光电股份有限公司，是我国领先的半导体技术型企业。目前有张家港、义乌、玉溪三大生产基地。历经十几年的发展，华灿光电已成为国内第二大LED芯片供应商，国内第一大显示屏用LED芯片供应商。2015年收购云南蓝晶，整合LED上游产业资源。专利申请区域统计通过对专利申请区域进行统计能够了解到目前专利技术的布局范围以及技术创新的活跃度，进而分析各区域的竞争激烈程度。从专利申请区域可以看出，氮化镓专利申请主要集中于广东省、江苏省等，这些地区都是半导体产业发达的地区，其在第三代半导体方面的布局也快人一步。值得注意的是，日本企业在国内也有很多专利布局。专利技术分类统计从专利技术分类来看，大部分氮化镓的专利都集中于电学领域。这主要是因为氮化镓是功率器件和射频器件的重要半导体材料，在电力电子、射频芯片等领域都要重要的应用。具体来看，相关研究主要集中于光发射的半导体器件、半导体装置或设备、半导体材料在基片上的沉积等方面。

为加速我国基因科学研究的进程，12月3日，中科院北京基因组所与浪潮成立“中科院北京基因组研究所—浪潮基因组科学联合实验室”仪式在京举行。该实验室将研发国产第三代基因测序仪，第一台样机预计2013年问世。这不仅将填补我国在基因测序基础装备领域的空白、提升装备自主化水平，同时也将使国内生命科学研究机构能获得低成本、高效率的测序工具，更有效地开发和利用我国丰富的基因资源，加速我国基因战略的发展。 　　科技部高新司副司长杨咸武指出，作为基因科学的基础性战略装备，具有国际先进水平的第三代基因测序仪的研制，将使我国在该领域建立先发优势，在未来的国际竞争中占据有利位置。 　　中科院生物科学与生物技术局局长张知彬表示，很支持研究所和企业合作，个性化医疗时代需要更便捷的基因测序仪。 　　当前，我国从事基因研究使用的第二代基因测序仪完全依靠进口。在经费受限的情况下，足够数量的基因测序设备难以获得，科研进度缓慢。更严重的是，由于基因资源具有唯一性，国外公司利用基因测序设备方面的先发优势，抢先申请基因专利，垄断未来全球的基因产业。 　　中科院北京基因组研究所副所长于军介绍，目标研发的第三代基因测序仪仅需几十分钟即可完成一个人的完整基因组测序，短于第二代产品1个月以上的测序周期。同时，测试成本也将下降到5000元左右，仅为当前的1%。 　　于军还指出，国产第三代基因测序仪在测序原理、测序读长以及测序成本等方面能达到国际先进水平，也将引发基因组科学应用领域的革命性改变，开启个体化医疗时代。 　　据悉，目前国际上对第三代基因测序仪的争夺十分激烈，美国宣称要在2012年推出成熟的第三代基因测序仪，日本和欧洲也有相关的研发计划。基因测序仪的研发是系统工程，涉及生物、半导体、计算机、化学、光学等多个领域，需要不同学科顶尖力量的合作。中科院北京基因组研究所是国内权威的基因组学研究机构，而浪潮集团则依托服务器存储国家重点实验室，是国内唯一具备半导体、集成电路和光电子仪器设计，以及服务器整机、存储和芯片研发能力等多领域技术的IT厂商。 　　除第三代基因测序仪的研制以外，中科院与浪潮还将联合开展生物信息算法在新技术架构下的应用开发，以及生物信息专用机的研制。浪潮集团高级副总裁王恩东表示，与中科院的合作，能够有效促进生命科学与IT技术的融合，推动生命科学和IT产业的互动式发展。

9月15日，“辅助生殖技术需求飙升”的话题登上微博热搜。据央视财经报道，在三胎开放政策的激励下，多家医院的辅助生殖科正迎来越来越多的咨询患者，部分三甲医院甚至“一号难求”。在辅助生殖的各种技术中，目前最主流的一种是“体外受精”方式，也就是大家常说的“试管婴儿”，我国每年约有30万名试管婴儿诞生。可以预见，在未来一段时期内，随着国内辅助生殖需求的增长，辅助生殖市场正迎来一轮史无前例的“世纪机遇”。不孕不育率增至18% 辅助生殖市场将扩容　　今年5月31日，我国人口政策迎来大调整，中央定调全面放开并鼓励生育三胎。在我国正式放开“三孩”生育政策后，人们最关注的两大焦点，一个是生育、养育成本，另一个是生育能力的问题。今年5月，《柳叶刀》在线发布的一份报告指出，1993年我国不孕不育率尚不足3%，2007年已增至12%，2010年达到15%，2020年又上升到18%左右，这意味着我国有近4800万对的不孕不育夫妇。　　如何让这部分有生育意愿，但却受到不孕不育困扰的家庭顺利孕育新生儿?临床上，通常采用辅助生殖技术(Assisted ReproductiveTechnology，ART)、药物治疗和手术治疗的方法。辅助生殖技术(ART)指运用医学技术和方法对配子(精子和卵子)、合子(受精卵)、胚胎进行人工操作，以达到受孕目的的技术。在辅助生殖权威期刊《ReproductiveBiology and Endocrinology》的统计中，公布了国内医生不孕不育治疗手段的选择比例，其中ART治疗占比高达52%，药物治疗和手术治疗分别为22%、9%，可见辅助生殖技术已成为治疗不孕不育症的主要选择。(图注：国内不孕不育治疗手段分布，图片源自蛋壳研究院)三代试管婴儿技术守住“优生优育”关口　　ART包括人工授精(AI)和体外受精-胚胎移植(IVF-ET)及其衍生技术两大类。IVF-ET也称作“试管婴儿”，是ART市场的主导力量，当前我国每年约有30万名新生儿是通过这一技术诞生。国内医生采用人工授精和试管婴儿的选择比例约为7:19，截止2020年年底，国内ART服务总周期数为130.3万例，其中试管婴儿周期数为95.2万例，人工授精周期数为35.1万例。　　随着技术的不断进步，“试管婴儿”已经历了第一代、第二代、第三代的迭代发展，解决的问题也由女性不孕、男性不育到优生优育的层面。其中，第三代试管婴儿技术，有望成为三胎政策利好下，辅助生殖领域最火热的赛道。　　第三代试管婴儿的技术(PGT)也称胚胎植入前遗传学检测技术 ，是指精子卵子在体外结合形成受精卵发育成胚胎后，在植入到母体子宫之前进行的基因检测和染色体数目及结构异常的检测。该方法可直接筛除淘汰有问题的胚胎，挑选遗传物质正常的胚胎植入子宫，从而提高妊娠率、降低流产率、防止单基因病和染色体异常患儿的出生。(图注：图片源自弗若斯特沙利文报告)　　目前我国出生缺陷发生率在5.6%左右，每年新增出生缺陷数约100万例，其中出生时临床明显可见的出生缺陷约有25万例。值得格外重视的是35岁以上的高龄孕妇，其所生孩子发生的出生缺陷率要比年轻孕妇高出10倍以上。以唐氏综合征为例，21岁女性生下“唐宝宝”的概率为1/1667，31岁孕妇的发生风险达到1/909，而41岁孕妇的发生风险猛增到1/81，49岁孕妇的发生风险更是高达1/11。　　针对出生缺陷问题，我国一直推行三级防预措施，分别在孕前(一级预防)、产前(二级预防)和新生儿期(三级预防)。“第三代试管婴儿技术”，是针对胚胎进行筛查和诊断的最重要的一级预防措施，能从生命源头切断缺陷基因的传播。随着我国居民婚育年龄后移、三胎政策实施，第三代试管婴儿技术将迎来更大的舞台，有助于解决出生缺陷问题，提高全民“优生优育”水平。3000亿市场空白国产辅助生殖医疗器械迎来爆发　　据弗若斯特沙利文数据，2018年中国辅助生殖渗透率仅为7.0%，远低于同期美国30.2%的渗透率。从细分领域来看，中国PGT的渗透率仍然较低，2015年仅为0.8%，2019年达到3.8%，而美国2018年的滲透率已突破35%。随着三孩政策和相关配套政策的陆续推出，中国辅助生育的渗透率也会不断提高，辅助生殖市场还将进一步扩大，具有巨大的发展空间和潜力，预计将有3000多亿元的市场空白，在这其中国产辅助生殖医疗器械市场将迎来爆发。　　试管婴儿服务主要包括刺激卵巢、取卵取精、卵子冷冻、体外受精、胚胎培养、胚胎筛选、胚胎冷冻以及胚胎植入，各项服务都离不开配套的医疗器械，如辅助生殖用液、检测试剂、固体耗材及仪器等。根据《医疗器械分类目录(2018 版)》相关规定，辅助生殖医疗器械主要分为 5 个类别：　　●辅助生殖导管：胚胎移植导管等 　　●辅助生殖穿刺取卵/取精针：剥卵针、取卵针、睾丸穿刺取精器、附睾穿刺针等 　　●辅助生殖微型工具：体外受精显微操作管、辅助生殖用培养器皿、冻存管等 　　●体外辅助生殖用液：卵子冲洗液、洗精液、精子梯度分离液、冷冻液、解冻液、受精液、单精注射液、卵裂胚培养液、囊胚培养液、配子缓冲液、培养用油、胚胎移植液等 　　●辅助生殖专用仪器：显微注射用显微镜、胚胎培养箱、测序仪等。　　医疗器械贯穿辅助生殖诊断治疗全流程，市场需求量巨大，国产辅助生殖医疗器械品牌正在努力走自主创新之路。据统计，2018年以来，我国共有60余项辅助生殖医疗器械产品获批，其中，本土企业研制的产品约40项左右，审批数量呈逐年增长的趋势。　　在企业创新的同时，国内一系列政策文件的颁布也为辅助生殖技术的新发展奠定了基础。今年7月，《中共中央、国务院关于优化生育政策促进人口长期均衡发展的决定》正式发布，其中第四章“提高优生优育服务水平”的第十二条提到要促进生殖健康服务融入妇女健康管理全过程，第十三条提到要加强产前筛查和诊断，扩大新生儿疾病筛查病种范围，促进早筛早诊早治。一系列政策利好，为资本和企业注入了一针强心剂。　　对标发达国家，我国辅助生殖市场增长潜力巨大，相信随着本土企业创新活力的涌现以及三胎政策下市场需求进一步释放，今后5-10年内我国辅助生殖领域将实现长足的进步，为人口优生优育提供强大的技术支撑。

在9月5日保定涞源召开的2021白石山第三代半导体峰会上，中国工程院院士、北京有色金属研究总院名誉院长、中国有色金属工业协会特邀副会长屠海令线上参加并致词，指出发展第三代半导体要做好顶层设计，研发和生产并重。他指出，半导体材料的研发与应用方兴未艾，正在掀起新一轮的热潮。近年来，SiC电力电子器件和GaN 射频器件显现出了良好的市场前景，发达国家纷纷将其列入国家战略，投入巨资支持。当前，中国发展宽禁带半导体具有良好的机遇和合适的环境。从消费类电子设备、新型半导体照明、新能源汽车、风力发电、航空发动机、新一代移动通信、智能电网、高速轨道交通、大数据中心，均对高性能SiC 和GaN 器件有着极大的期待和需求。因此宽禁带半导体材料的发展空间都很大，市场前景也很好。但发展宽禁带半导体材料需要关注以下几点。第一，宽禁带半导体材料及应用具有学科交叉性强、应用领域广、产业关联性大等特点，需要设计、工艺、材料、可靠性、成品率、性价比全面满足各类应用系统的要求；同时要注重设备仪器、检验标准、税收政策、金融环境等全产业链和产业环境的建设，强化多方配合与协同发展。因此做好顶层设计，进行统筹安排非常重要。第二，宽禁带半导体材料是机遇与挑战并存的领域。当前，国内SiC和GaN的研究与应用仍存在诸多问题，其产业化的难度比外界想象的还要大。从国际专利构架布局上看，宽禁带半导体已经进入市场竞争阶段，我们不能过多时间只停留在研发阶段，要研发和生产并重，加速第三代半导体进入市场的步伐。因此，在重视研发的基础上，也需要将市场化作为关注重点。第三，SiC、GaN材料适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，能有效提高系统的效率，对发展“大智物移云”具有重要作用。SiC和GaN 器件不会取代硅集成电路，但它能做硅半导体做不到的事情。未来，SiC、GaN 和硅将在不同的应用领域发挥各自的作用、占据各自的市场份额。即便是电力电子器件，宽禁带半导体材料也不可能完全替代硅，缘于应用和市场还会细分，同时也要权衡材料与器件的成本和性价比。第四，当前第三代半导体全国布局众多，参与的机构也很多，如果集中力量协同创新，有可能在相关领域获得比较优势进而占据领先地位。因此，要应避免热炒概念、盲目投资、低水平重复建设。在这一点上，希望联盟能发挥好作用与优势，做好协调与指导。展望未来，进一步加强宽禁带半导体研发与产业化，战略新兴产业发展将具有举足轻重的作用。相信我们有能力抢占宽禁带半导体材料及应用的战略制高点，为实现世界科技强国的宏伟目标奠定坚实的基础。2021白石山第三代半导体峰会由保定市人民政府和第三代半导体产业技术创新战略联盟共同主办，保定市科协、涞源县人民政府承办。本届主题为“新阶段芯机遇新动能”。近200位业界专家代表出席会议。

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准）碳化硅(SiC)碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下，标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石（Al2O3） 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体，主要应用于制作LED灯的关键材料，也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶，又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中，对此，我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是，CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy