手动光刻机

1.基本概述MS6-CA手动光刻机，作为一种手动操作的光刻设备，通过手调旋钮来改变其X轴、Y轴和角度（如theta角）以完成对准。虽然其对准精度相对较低，但在某些特定的应用场景下，如小批量生产、研发实验或教学演示中，仍然具有一定的应用价值。2.主要特点手动操作：MS6-CA光刻机采用手动调节方式，用户可以通过旋钮直接控制设备的移动和定位，无需复杂的程序控制。灵活性高：由于采用手动操作，用户可以根据实际需要灵活调整对准精度和曝光参数，适用于多种不同的应用场景。成本较低：与全自动或半自动光刻机相比，MS6-CA手动光刻机的制造成本和维护成本相对较低，适合预算有限或需求量不大的用户。3.性能指标虽然具体的性能指标可能因产品型号和生产厂家而异，但一般来说，MS6-CA手动光刻机的性能指标可能包括以下几个方面：支持基片尺寸范围：根据设备设计，MS6-CA可能支持多种不同尺寸的基片。分辨率：光刻机的分辨率决定了其能够制造的电路图形的小尺寸。MS6-CA的分辨率可能受到其物镜设计和曝光方式等因素的限制。对准精度：由于MS6-CA是手动操作的光刻机，其对准精度可能相对较低，但仍能满足一定精度的加工需求。曝光方式：MS6-CA可能采用接触式、接近式或投影式等不同的曝光方式，具体取决于设备的设计和应用需求。4.应用场景MS6-CA手动光刻机主要适用于以下场景：小批量生产：在芯片制造、微电子器件生产等域，对于小批量或试制阶段的产品，MS6-CA手动光刻机可以提供灵活且成本较低的解决方案。研发实验：在科研机构或高校实验室中，MS6-CA手动光刻机可用于研发实验和教学演示，帮助学生和研究人员了解光刻工艺的基本原理和操作技巧。特殊应用：在某些特殊应用场景下，如需要处理非标准基片或进行特殊工艺的实验中，MS6-CA手动光刻机也可能发挥重要作用。

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 产地：韩国ECOPIA公司，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

硅科智能BMA系列半自动光刻机，是现阶段国内市面有上较高性价比的，一款先进的掩膜光刻系统；采用集成化设计,半自动控制,可靠性高,操作简便,不仅具有掩膜曝光系统灵活性,而且还具有高刻写效率,写场范围大,操作成本低,多种光学校准补偿等特点,从成本、性能上均可以取代传统微纳加工工艺中传统光刻机的功能。BMA光刻机简介：1、光刻机组成：高精度对准工作台、双目分离视场CCD显微显示系统、曝光头、气动系统、真空管路系统、直联式无油真空泵、防震工作台和附件箱等组成。2.半自动：指的是对准可以通过电动轴根据CCD的进行定位调谐3.半开放系统可配合用户进行定制需求设计开发4.支持2-6寸及碎片5.CCD及显微镜对准系统6.支持文件格式：PNG,GDSII等7.采用现代光刻工艺中应用最为广泛的接近式曝光（Proximity Printing）:掩膜板与光刻胶基底层保留一个微小的缝隙（Gap），Gap大约为0～200μm。可以有效避免与光刻胶直接接触而引起的掩膜板损伤，使掩膜和光刻胶基底能耐久使用；掩模寿命长（可提高10 倍以上），图形缺陷少。8.工件台为光刻机的一个关键，由掩模样片整体运动台（XY）、掩模样片相对运动台（XY）、转动台、样片调平机构、样片调焦机构、承片台、掩模夹、抽拉掩模台组成。9.应用领域：微电子,微光电,微流控,传感器,新材料,器件制备等。

VIL系列纳米图形系统（激光干涉光刻机）具有快速可重构光束传输、主动图形稳定和精确样品定位等强大功能。该系统可以通过使用标准2cm×2cm正方形或用户定义形状的图案场进行重复曝光，在8英寸大面积上产生各种纳米结构，例如1D光栅线和2D柱/孔图案，周期从240 nm到1500 nm。1、 可实现同一晶圆上不同纳米结构的分区光刻；2、 制作各种一维、二维纳米图案；3、 最小线宽低于50nm；4、 与其他同类设备的功能对比图如下： 电子束直写激光直写紫外光刻机激光干涉光刻机设备示例 代表厂商德国的Raith和Vistec, 日本的JEOL和Elionix海德堡和RaithEulithaInterLitho代表性产品型号RaithEBPG Plus海德堡DWL 66+EulithaPhableR 100VIL1000 主要用途高分辨率掩模版制造和纳米结构的制备对分辨率要求不高的掩模版制造和纳米结构制备分辨率适中的纳米结构制备大面积、低成本、高通量制备高分辨率周期性纳米结构，用于微纳光学、生物芯片等新兴应用 刻写的最小物理线宽10nm~300nm60nm40nm价格和维护成本高中中较低自动化程度全自动全自动部分手动全自动设备效率低低高高需要掩模否否是否特征尺寸调制难度难，样品需要重新刻写难，样品需要重新刻写难，需要重新刻写模板容易，几分钟可实现

详细咨询来电：双面光刻机+EVG610/620光刻机+接触式光刻对准EVG620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备，可以是半自动也可以配置为全自动形式。EVG620既可以用作双面光刻机也可以用作150mm硅片的精确对准设备；既可以用作研发设备，也可以用作量产设备。精密的契型补偿系统配以计算机控制的压力调整可以确保良率和掩膜板寿命的大幅提升，进而降低生产成本。EVG620先进的对准台设计在保证精确的对准精度和曝光效果的同时，大幅提高了产能。EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS、）硅片凸点、芯片级封装以及化合物半导体等，涵盖了微电子领域微米或亚微米级线条的芯片的光刻应用。1. 高分辨率的顶部和底部显微镜2. 双面光刻和键合对准工艺3. 自动的微米计控制曝光间距4. 自动契型补偿系统5. 优异的全局光强均匀度6. 快速更换不同规格尺寸的硅片7. 高度自动化系统8. Windows图形化用户界面9. 可选配Nanoalign技术包以达到更高的工艺能力10. 薄硅片或翘曲硅片处理系统可选11. 光刻工艺模拟软件可选12. 三花篮上料台，可选五花篮台

仪器简介： 光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 原产国: 韩国MIDAS公司 型号：MDA-400M, MDA-400LJ，MDA-600S 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！ 此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用Ushio紫外灯或者LED光源，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！ 技术参数：项目 技术规格 曝光系统光源功率 350W 紫外光源及电源品牌：Ushio，使用寿命保证1000小时 *也可以采用LED光源，使用寿命保证10000小时 *以上两种光源需选择一种分辨率 - 真空接触模式 : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- 硬接触模式 : 1um- 软接触模式 : 2um- 20um 渐进模式: 5um 最大光束尺寸*4.25×4.25 inch光束均匀性 *≤ 3% (4inch standard)光束强度 max 30mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统对准精度0.5um对准间隙手动调节光刻模式真空,硬接触，软接触，渐进模式卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation (专利技术)真空卡盘移动范围*X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围*10mm接近调整步幅 1um整体对准移动*气动式，前后纵向移动显微镜及显示器 显微镜及显示器 CCD and Monitor*双CCD显微镜，Dual CCD zoom microscope 17寸LCD显示器 ，放大倍数 : 80x ~ 480x 样品尺寸大小2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inch安装要求真空 Vacuum -200 mbar (*包含进口无油真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电力 Electricity220V, 15A, 1Phase 1）高分辨光刻，至1um水平；2）可使用各种掩模板，小尺寸~4英寸均可用；再大尺寸，可以定制化服务。3）特殊的基底卡盘可定做；4）高精度对准台及显微镜操纵器；5）用于不同紫外曝光的高强度光学装置；6）用于楔形补偿的空气方位系统；7）所有部件均可接触；8）符合人体工程学操作；9）低成本，高品质；10） *两年保修主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

1. 产品概述ACA无掩膜光刻机系列是科研版的无掩膜版紫外光刻机，其基于空间光调制技术，实现了数字掩膜光刻，灵活性使其成为科学研究。设备搭载长寿命、高功率的紫外光源，设备稳定，上手简单。其的原位光绘和交互式套刻指引功能，让光刻和套刻更加容易和精准。ACA系列设备为科研工作提供了强大的支持，助力科学研究域的发展和创新。2. 特色参数特征尺寸0.8μm6英寸光刻面积高精度步进光刻无掩膜光刻机3. 应用案例微流道芯片二维材料电光学掩膜版MEMS器件灰度光刻4. 公司简介：托托科技（苏州）有限公司是一家注于显微光学加工和显微光学检测域的公司，在基于数字微镜器件的无掩膜光刻技术域中进行了数年的深入研究和技术积累，其研制和生产的无掩膜紫外光刻机一经问世，就受到了诸多客户的青睐，在科研和工业域都有广泛的应用。例如，在微纳加工域，可以用于制作MEMS器件、微流控芯片、微型传感器等；在光电子域，可以用于制作光栅、衍射光学元件等。 托托科技致力于设备底层技术的研究和积累，不断寻求技术的突破，努力为客户带来更好的设备和更好的使用体验，帮助客户创造更高的价值。

美国OAI成立至今已有35年历史，在光源制造和测量方面一直处于世界领先领域。OAI光源以工作稳定，出光效率高，高均匀性和散射角小著称。且可提供20inch以上的大面积光源。 OAI光功率计在工业上有广泛应用，包括NIKON，CANON，ASM等知名光刻机制造商均使用OAI光功率计。OAI也生产光刻机，尤其是OAI MODEL 800系列双面曝光机，在世界范围内有着非常广泛的应用。OAI MODEL 800MBA双面对准曝光机曝光模式 接近、软/硬接触、真空接触掩膜尺寸最大9"x9"最大适合200mm晶圆曝光

DMD无掩膜光刻机产品负责人：姓名：郭工(Barry)电话：（微信同号）邮箱：DMD无掩膜光刻机SMART PRINT UV是一种基于DMD投影技术的无掩模光刻设备，可兼容多种电阻和基片。SMART PRINT UV可以生产任何微米分辨率的二维形状，而不需要硬掩模。基于改进后的标准投影技术，投影出具有微米分辨率的图像，无掩膜光刻机SmartPrint无需任何进一步步骤，就能直接从数字掩模光刻出您要的图。无掩膜光刻机SmartPrint主要应用是微流体，生物技术和微电子等领域光刻表面微纳图案。DMD无掩膜光刻机主要特性：兼容i、h、g线光刻胶SmartPrint-UV配备了385 nm LED源，以兼容标准i, h和g线光刻胶，如SU8或AZ1500系列适用于各种各样的基材我们的物镜范围经过精心选择，具有较长的工作距离(高达3厘米)，使SP-UV成为一种非接触式技术，因此兼容非标准基材(非平的，灵活的，厚的)。可调直写范围和分辨率——用户可获得四种不同的直写分辨率 直写分辨率1.5um 兼容任何尺寸的样品，最大5平方英寸 对齐方式直观——反馈相机与第二束590nm准直光源叠加使用DMD无掩膜光刻机体积小，性价比高DMD无掩膜光刻机应用领域：DMD无掩膜光刻机指标参数：

URE-2000系列紫外单面光刻机 .URE-2000/A8紫外光刻机 主要产品技术特征及指标： • 曝光面积：200mmx200mm • 分辨力：2um • 对准精度：2um • 掩模尺寸:5英寸、礫寸、9英寸 • 样片尺寸:碟寸、礫寸、8英寸 • wafer chuc棲面：防止光反射涂层 • 掩模样片整体运动范围:X : 10mm Y:10mm • 掩模相对于样片运动行程:X: 5mm Y: 5mm : 6。； • 汞灯功率：100QW （直流） • 曝光能最密度：2 15mW/cm2 • 光源能■控制:光源恒功率（每日测嵐光强，微调recipe（参考356nm波长）； • 曝光峰值波长365 nm • 曝光方式:定时（倒计时方式0.1s—9999.9s） • 光刻版夹具兼容性 • 具有盲曝粗对准功能.产品型号曝光面积光刻分辨力汞灯功率照明不均匀性URE-2000B lOOmmXIOOmm0.8 pm （胶厚2 pm的正胶）1000W13iE （德国欧司朗）刼础2.5%（＜D100mm 范围）URE-2000/35 lOOmmXIOOmm 翎力:1 pm （胶厚2 pm的正胶）350WM流 （徳国欧司朗）3%（饥00mm范围URE-2000/35A 150mmX150mm 1-1.2 pm （胶厚2卩m的正胶）350W进口颤 高陵国欧司朗）6%（0150mm 范围）URE-2000/30 lOOmmxlOOmm(磔寸）潮力:￡1 pm （瞄 1.5|jm 的 IEK）談麟电源 （35OW1：^CD 3%（＜P100mm 范围）URE-2000/25 lOOmmXIOOmm 彻力:1.2 pm （胶厚2 pm的正胶）赦嶙 电源350W 直流，进口3%（＜P100mm 范围）URE-2000/17（台式）lOOmmXIOOmm 彻力:1.5 pm （胶厚2呻的正胶）200瀕口颤（德国欧司朗）5%（0100mm 范围） URE?2000系列双面光刻机URE-2000S/A8型奴面光刻机 主要产品技术特征及指标: • 采用专利技术一积木错位蝇眼透镜消衍射技术和线条陡直增强技术，曝光图形质量好，光刻分辩力高. • 采用国内首创的CCD囲像底面对准，单曝光头正面曝光实现双面对准功能. • 采用新颖的高精度，多自由度掩模一样片精密对准工件台结梅掩模与样片对准过程直观，套刻对准速度快，精度高样片的采 用推拉茹准平板，真空吸附式,操作方便。 • 采用1000W长寿命型汞灯光源，曝光能量高，聚光角度小，光源稳定，持久。 • 支持真空接触曝光，硬接触曝光，压力接触曝光，接近式曝光四种曝光功能。 • 配备循环水冷却系统，照明面温度恒定。 • 具有纳米压印接口功能. • 曝光面积:8英寸；对准精度：M±2 nm （双面，片厚0.8mm） /0.8皿（单面）. • 掩模尺寸：礫寸、5英寸' 7英寸、9英寸. • 光刻分辨力:1pm. • 曝光方式:定时（倒计时方式0.1S-9999.9S任意设定）和定剂量. • 最大胶厚：500 pm （SU8胶,用户提供检测条件）? • 汞灯功率:1000W （直流，进口直流高压汞灯德国欧司朗）. • 照明不均匀性：5% （ 0200mm范围）. 产品型号曝光面积光刻分辨力汞灯功率照明不均匀性URE-2000S/A 6詞1pmlooovmnw^Hj^r （德国欧司朗）2% （OlOOmm 范围）3% （＜P150mm 范围URE-2000S/B篠寸1pmlooovmnMMj^r （德国欧司朗）2% （（plOOmm 范围）URE-2000S/25A l|jm 350W进口直流高压汞灯 （德国欧司朗） 3% （（PlOOmm 范围）5% （0150 mm范围）URE-2000S/25B 磔寸 1pm 350W进口直流高压汞灯 （德国欧司朗）3% （（PlOOmm 范围）URE-2000S/35L（A）6知 1pm 紫外LED进口灯源 1.5% （（PlOOmm 范围） 3%（0150 mm范围）URE-2000S/35L（B）僥寸1pm紫外LED进口灯源1.5% （0100mm 范围） URE-2000S/25S 4钢6知 1pm 350瀕口直流高压汞灯 （德国瞄朗）3% （0100mm 范围）5% （（P150 mm范围） 投影光刻机 .TYG-2000S系列投影光刻机 主要产品技术特粧及指标： • 软件界面友好、科学、直观.可对当前曝光区域，待曝光区域，曝光参数等信息提供实时的图形化• • 通过选 配背面对准模块,可实现双面对准曝光,将该机型升级为具有双面对准曝光功能步进投影光刻机。 • 配置焦面检 测自动控制系统,焦面位置设定后,曝光过程中自动实时完成焦面调整。 • 采用冷光膜与i线照明系统，曝光波长为365nm ,曝光面为冷光，曝光图形方、陡、直. • 支持真空接触曝光，硬接触曝光，压力接触曝光，接近式曝光四种曝光功能. • 采用夸利技术-积木错位蝇眼透镜实现高均匀照明不均匀优于2%。 • 采用先进的离轴对准系统，对准过程自动完成,对各种不同大小的基片， （含碎片）对准十分适用. • 对准精度：±0.5卩m. • 照明均匀性：2%。 • 曝光面积：3mmx3 mm ~ 50mmx50mm. • 调焦台运动灵敏度：1 jim. • 掩模尺寸：3英寸、4英寸、5英寸. • 调焦台运动行程：5mm. • 光刻分辨力：。.3卩m ~ 5 ym. • 检焦：CCD检测，检测精度0.5 pm. .光源：350施形汞灯， • 汞灯功率：1000W （直流，进口直流高圧汞灯德国欧司朗）. 产品型号曝光面积光刻分辨力汞灯功率照明不均匀性TYG-2000/A 0.8pm - 1pm350W2%TYG-2000/T1 0mm x 10mm1pm350W进口直流高压汞灯 (德国欧司郎)+2%TYG-2000/T2 20mmx20mm 2pm350W进口颤mMT （德国欧司朗）±2%TYG-2OOO/T3 50mm x 50mm5pm350味晰汞灯 （曝光谱线：i线）±2%DS-2000系列无掩模光刻机 产品型号技术特征技术参数DS-2000/14G 型采用DMD作为数字掩模，像素数1024x768或1920x1080或 25601600三种选配.采用缩小投影光刻物镜成像，分辨力 lum0采用专利技术一一积木错位蝇眼透镜实 现均明。采用进口精密光栅、进口电机、进口导 轨、进口丝杠实现精确工件定位和曝光 拼接，可适应lOOmmlOOmm基片。 采用CCD检焦系统实现整场调平、自动 逐场调焦或自动选场调焦曝光。具备对准功能。光源：350W球形汞灯（曝光谱线：i线）或紫 外LED 照明不均匀性：2% 物镜倍率： 7.6倍（或14倍与选择的DMD像素尺寸有 关）；曝光场面积：lmmx0.7mm （或 1.9mmxl.8mm ,或2.5mmxl.6mm ,与选 择的DMD像素数有关）；光刻分辨力： 1 p m 工件台运动范围： X :100mm、 Y : 100mm 工件台运动定位精度：0.5pm 调 焦台运动灵敏度：lpm 对准精度：2卩m 调 焦台运动行程：6mm 检焦：CCD检测，检 测精度2微米；转动台行程：±6。以上；直写速 度：40mm2/min 基片尺寸；外径: 1mm—100mm ,厚度：0.1mm--5mm。DS?2000/14K型采用DMD作为数字掩模，像素数1024x768.采用14倍缩小投影光刻物镜成像。 采用专利技术一一积木错位蝇眼透镜实 现均明。具备对准功能。采用进口精密光栅、进口电机、进口导 轨、进口丝杠实现精确工件定位和曝光 拼接，可适应lOOmmlOOmm基片。 采用CCD检焦系统实现整场调平、自动 逐场调焦或自动选场调焦曝光。光源：350W球形汞灯（曝光谱线：i线）或紫 外LED 照明不均匀性：2% 物镜倍率：14 倍；曝光场面积：lmmx0.75mm 光刻分辨 力：1 pm 工件台运动范围：X : 100mm、 Y :100mm 工件台运动定位精度：0.65卩 m 调焦台运动灵敏度：lum 对准精度：2pm 调焦台运动行程：6mm 检焦：CCD检测,检测精度2微米；转动台行 程：±6°以上；基片尺寸；外径： 1mm—100mm ,厚度：0.1mm--5mm。

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：德国；型号：MS-80技术规格：- 掩模尺寸：最大8英寸；- 样品尺寸：最大8英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"； - 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)； - 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式 - 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：德国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大4英寸；- 样品尺寸：最大4英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"； - 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)； - 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式 - 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

国产紫外单/双面光刻机URE-2000/A产品名称：URE-2000/A型紫外光刻机 技术特点： 该机采用i线紫外曝光光源，光学系统采用特殊的消衍射和线条陡直增强技术，采用积木错位蝇眼透镜实 现高均匀照明，并配备了双目双视显微镜和CCD图象对准系统（可同时使用），曝光能量高，聚光角度 小，突具厚胶曝光功能，曝光设定采用微机控制，菜单界面友好，操作简便。主要技术指标： 曝光面积：150mm×150mm 分辨力：0.8～1μm（胶厚1.5μm的正胶） 对准精度：±0.6μm 胶厚范围：~500μm（SU8胶） 掩模尺寸:3inch、4inch、5inch、7inch 样片尺寸：直径Ф15mm-Ф150mm、厚度0.1mm-6mm 照明均匀性：±3.5%Ф100mm)；±5.5%(Ф150mm) 汞灯功率：1000W（直流） 掩模相对于样片运动行程：X: ±5mm Y: ±5mm θ: ±6°

Nikon 步进光刻机及几种研发常用试验机型资料I线步进式光刻机 / I-line stepper型号：Nikon NSR-I12技术指标及功能广泛应用于生产线，是6英寸，8英寸等主力I线生产机台，适用于I线光刻胶的曝光，操作简单，曝光精度准，解析力最 高可达0.35UM （350NM）---------------------------------------------------------------------Nikon G-line步进光刻机规格型号：Nikon NSR-1755G7技术指标及功能适用于分辨率不低于0.65μm的大规模集成电路工艺器件量产的G-line步进式光刻机。------------------------------------------------------------------Nikon NSR 1755i7B 6英寸分步重复光刻机 技术指标及功能把掩膜版上的图形按照一定的比例缩小复制到涂布有光刻胶的晶圆上，分区域进行步进式曝光。本机台可用于125mm×125mm掩模和φ100mm及150mm的晶圆高精度投影曝光，曝光精度可达500nm。　　　基本指标1. RESOLUTION：0.5μm　　　 2. LENS DISTORTION：≤0.9μm　　　　　　　3. RETICLE ALIGNMENT ACCURACY：≤0.02μm　　　　　　　4. STEPPING ACCURACY：≤0.08μm　　　　　　　5. OVERLAY ACCURACY：≤0.15μm(X,Y)　　　　　　 6. OPEN FLAME(MAX. EXPOSURE AREA)：17.5×17.5mm---------------------------------------------------------------------步进式投影光刻机分辨率:0.35μm， 套刻精度: 75nm, 十字线对准:5:1 ， 150毫米* 150毫米Resolution：0.35μm, overlay accuracy：75nm Reticle：5:1 150mm*150mm

仪器简介：光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)原产国: 韩国，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：KCMA-100；又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用欧司朗紫外灯，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！目前，上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产，证明其品质达到LED产业标准要求！！而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻工艺设备.技术参数：- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；- 光束均匀性：±3%；- 曝光时间可调范围：0.1 to 999.9秒；- 对准精度：0.6-1微米- 分辨率：1微米；- 光束输出强度：15-25mW/cm2； 项目技术规格曝光系统(Exposure System)MDA-400M型光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- Hard Contact: 1um- Soft contact : 2um- 20um Proximity: 5um最大光束尺寸4.25×4.25 inch光束均匀性≤ ±3% (4inch standard)光束强度15~20mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统(Alignment System)对准精度1um对准间隙手动调节(数字显示)光刻模式真空, 硬接触, 软接触，渐进（Proximity）卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation真空卡盘移动X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围10mm接近调整步幅1um样品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inchUtilities真空 Vacuum -200 mbar (系统包含真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电源 Electricity220V, 15A, 1Phase显微镜及显示器CCD and MonitorDual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor Magnification : 80x ~ 1000x 主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"； - 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)； - 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式 - 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

ARMS SYSTEM无掩模光刻机/直写光刻机UTA-IA UTA系列是将DLP投影仪盒金相显微镜相结合的缩小投影型无掩模曝光系统，其价格低于传统系统（用于掩模光刻的图案投影曝光系统） 可以使用专门为此目的开发的软件来创建想要的图案。特点：显微镜LED曝光单元UTA系列是不需要掩模的用于光刻的图案投影曝光装置。使用金相显微镜盒LED光源DLP投影仪，将具有机微米分辨率的任意图案投影到涂有抗蚀剂的基板上进行曝光。图案可以在PC上自由创建。因为可以在普通的室内环境中在各种大小盒形状的单晶薄片上形成电极，所以它比电子束光刻便宜且简单，不需要制造昂贵的电极图案掩膜。应用：薄膜FET和霍尔效应测量样品的电极形成。从石墨烯/钼原石中剥离电极形成并评估其特性。研发应用的图案形成。技术参数：由于显微镜和DLP的结合，可以用很低的成本来构建系统易于使用的软件可以轻松的创建曝光图案通过物镜放大倍率图案，可以进行大范围的批量曝光 可以连接到您自己的显微镜上（可选）分辨率1um

电子束光刻机（多功能超高精度电子束光刻机P21）依托垄断性专利技术，百及纳米推出国际领先的超高精度大面积写场电子束光刻机 P21 系列。 百及纳米首次开发了新一代电子束光刻机的电子束闭环控制新原理。百及超高精度电子束光刻机 P21 是第一款新一代电子束光刻机的代表，在著名电子束光刻机制造商德国 Raith 公司的成熟机型上 升级而成。该系列主要包括 P21-2，P21-4 和 P21-6 三个型号，区别主要在于样品尺寸（2，4，6 英寸晶圆）及扩展使用功能。P21 不仅完整地保留了原电子束光刻机的整体功能，且集多项国际领先的关 键指标于一身，包括： &bull 国际上首次开发的新颖电子束闭环控制系统，能够实现电子束的原位检测与校正 &bull 国际领先的写场拼接精度≤2 nm &bull 电子束光刻的长期稳定性。精确校正电子束的空间漂移，将其位置稳定性提高到≤10 nm/h； 有利于通过提高电子束光刻时间实现大尺寸图形的曝光需求。 百及纳米的 P21 系列以常规电子束光刻机为载体，通过独家专利技术对其进行功能及性能指标的大幅提升。P21 光刻机组件均为德国原装制造，以高品质、高性能满足客户的科研高端需求，实现新 一代超高精度电子束光刻功能。

一、产品概述：Nikon EX14C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon EX14C非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon Nikon EX14C成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.25µ mN.A.0.6曝光光源248nm倍率5:1大曝光现场 22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm四、设备特点Nikon EX14C步进式光刻机光源波长248nm分辨率优于0.25µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon EX12B 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其卓越的成像质量和快速的曝光速度，Nikon EX12B 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i14E 成为现代半导体制造过程中不可或缺的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.3µ mN.A.0.55曝光光源248nm倍率5:1大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm四、设备特点Nikon EX12B步进式光刻机光源波长248nm分辨率优于0.3µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线

一、产品概述：Nikon NSR 2005i8A步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2005i8A非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2005i8A成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2005i8A能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.5µ mN.A.0.6曝光光源365nm倍率5:1 大曝光现场20mm*20mm对准精度LSA：120nmFIA：130nm四、设备特点 Nikon NSR 2005i8A步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.5µ m主要用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 1755/1505i7A/B步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 1755/1505i7A/B非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 1755/1505i7A/B成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 1755/1505i7A/B能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.6µ mN.A.0.6曝光光源365nm倍率5:1 大曝光现场15mm*15mm17.5mm*17.5mm对准精度140nm四、设备特点Nikon NSR 1755/1505i7A/B步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.6µ m主要用于2寸、4寸、6寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2005i9C非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2005i9C成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2005i9C能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.45µ mN.A.0.57曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场20mm*20mm对准精度LSA：120nmFIA：130nm四、设备特点Nikon NSR 2005i9C步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.45µ m用于2寸、4寸、6寸、8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon SF120/130 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其卓越的成像质量和快速的曝光速度，NSR 2205i14E 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i14E 成为现代半导体制造过程中不可或缺的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.28µ mN.A.0.62曝光光源365nm倍率4:1大曝光现场25mm*33mm对准精度LSA：40nmFIA：45nm四、设备特点Nikon SF120/130步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.28µ m主要用于6寸、8寸及12寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 2205i12D 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2205i12D 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i12D 成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2205i12D 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标： 曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场 分辨率0.4µ mN.A.0.63 22mm*22mm对准精度LSA：60nmFIA：70nm四、设备特点Nikon NSR 2205i12D步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.4µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 2205i11D步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2205i11D非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2205i11D成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2205i11D能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.4µ mN.A.0.63曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：75nmFIA：80nm四、设备特点Nikon NSR 2205i11D步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.4µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述： Nikon NSR 2005i10C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2005i10C非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2005i10C成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2005i10C能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.45µ mN.A.0.57曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场20mm*20mm对准精度LSA：100nmFIA：110nm四、设备特点Nikon NSR 2005i10C步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.45µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 2205i14E 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其卓越的成像质量和快速的曝光速度，NSR 2205i14E 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i14E 成为现代半导体制造过程中不可或缺的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2205i14E 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.35µ mN.A.0.63曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm四、设备特点Nikon NSR 2205i14E步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.35µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线，广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon S207D 扫描式光刻机是一款专为半导体制造设计的高性能设备，支持 200mm 晶圆的生产。该机型采用先进的扫描光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，适用于集成电路、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其快速的曝光速度和稳定的性能，S207D 非常适合大批量生产，同时用户友好的操作界面和自动化功能使得操作简单高效。这些特点使得 Nikon S207D 成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案投影到涂有光刻胶的晶圆表面。工作过程中，光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，精准地扫描掩模并将图案投影到晶圆上。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon S207D 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准需求。三、主要技术指标：分辨率0.11µ mN.A.0.82曝光光源248nm倍率4:1大曝光现场26mm*33mm对准精度20nm四、设备特点Nikon S207D扫描式光刻机光源波长248nm分辨率优于0.11µ m主要用于8寸及12寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等域