等离子射频磁控仪

VTC-5RF是一款5靶头的等离子射频磁控溅射仪，针对于高通量MGI（材料基因组计划）薄膜的研究。特别适合用于探索固态电解质材料，通过5种元素，按16种不同配比组合。 技术参数概念5个溅射头安装5种不同材料通过不同的溅射时间，5种材料可以溅射出不同组分的产物，选择5个等离子射频电源，可在同一时间溅射5种材料真空腔体中安装有旋转样品台，可以制作16个样品电源单相220 VAC, 50 / 60 Hz射频电源一个13.5MHz,300W自动匹配的射频电源安装在仪器上，并与靶头相连接一个旋转开关可一次激活一个溅射头。溅射头可以在真空或等离子体环境中自动切换可选购多个射频电源，同一时间溅射多个靶材。所有的溅射参数，都可由电脑设置直流电源（可选）可选购直流电源，来溅射金属靶材可配置5个直流或射频电源，来同时溅射5中靶材磁控溅射头 5个1英寸的磁控溅射头，带有水冷夹层可在本公司额外购买射频线电动挡板安装在溅射腔体内设备中配有一循环水冷机，水流量为10L/min (1) (2) (3) (4)溅射靶材所要求靶材尺寸：直径为25.4mm,最大厚度3mm溅射距离: 50 – 80 mm（可调）溅射角度: 0 – 25°（可调）配有铜靶和 Al2O3 靶，用于样品测试用可在本公司购买各种靶材实验时，需要将靶材和铜片粘合，可通过导电银浆粘合（可在本公司购买导电银浆）真空腔体 真空腔体采用304不锈钢制作腔体内部尺寸: 470mm L×445mm D×522mm H (~ 105 L)铰链式腔门，直径为Φ380mm,上面安装有Φ150mm的玻璃窗口真空度: 4E-5 torr （采用分子泵）样品台直径为150mm的样品台，上面覆盖一旋转台，带有10mm的孔洞，每次露出一个样品接收溅射成膜。样品台尺寸：Φ150mm,可通过程序控制来旋转，可制作16种不同组分的薄膜样品台可以加热，最高温度可达600℃真空泵设备中配有一小型涡旋分子泵真空泵接口为KF40石英振荡测厚仪（可选）可选购精密石英振荡测厚仪，安装在真空腔体内，实时测量薄膜的厚度，精确度为0.1 ?（需水冷）净重60kg质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护应用注意事项此款设备设置主要是在单晶基片上制作氧化物薄膜，所以不需要高真空的环境所用气瓶上必须安装减压阀（可在本公司购买），所用Ar气纯度为5N为了得到较好质量的薄膜，可以对基片进行清洗用超声波清洗机，用丙酮或乙醇作为清洗介质，清除基片表面的油脂，然后在N2气或真空环境下对基片干燥等离子清洗机，可使基片表面粗糙化，改变基片表面化学活性，清除表面污染物可在基片表面镀上缓冲层，如Cr, Ti, Mo, Ta,，可改善金属或合金膜的粘附性溅射一些非导电靶材，其靶材背后必须附上铜垫片本公司实验室成功地在Al2O3基片上成功生长出ZnO外延膜因为溅射头连接着高电压，所以用户在放入样品或更换靶材时，必须切断电源不可用自来水作为冷却水，以防水垢堵塞水管。应该用等离子水，或专用冷却介质

VTC-2RF是一款小型的射频（RF）等离子体磁控溅射镀膜仪系统，系统中包含了所有所需的配件，如300W（13.5MHz）的RF电源、2"的磁控溅射头、石英真空腔体、真空泵和温度控制器等。对于制作一些金属薄膜及非金属薄膜，它是一款物美价廉的实验帮手。我们用此设备得到择优取向的ZnO薄膜 技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源一个300W，13.5MHz的射频电源安装在移动柜内(点击图片查看详细资料）磁控溅射头一个 2英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为50mm,最大厚度6.35mm一个快速挡板安装在法兰上（手动操作，见图左3）溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机）同时可选配1英寸溅射头真空腔体真空腔体：160 mm OD x 150 mm ID x 250mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为165 mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体真空度：10-3 Torr （采用双极旋片真空泵） 10-5 torr （采涡旋分子泵）载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：1 - 20 rpm样品的最高加热温度为700℃，(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监控薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据外形尺寸 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证使用注意事项这款2英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

PVA TePla 射频等离子体去胶机——PVA TePla 跨国型企业，50年等离子体设备经验PVA-TePla 射频等离子体去胶机（整机进口），性能稳定，均匀性好。PVA TePla 公司的IoN 40 等离子体设备是为实验室和生产领域设计的全功能的等离子体处理设备。IoN 40等离子体设备是PVA TePla公司推出的具有高性价比的真空等离子体设备。该设备外观简洁，系统高度集成化。其先进的性能提供了出色的工业控制、失效报警系统和数据采集软件。可满足科研、生产等领域严格的控制要求。PVA TePla公司的高品质、高性价比、操作简单的等离子体设备为各种不同应用领域提供了先进的创新解决方案，得到用户的广泛信赖。型号：IoN 40 ( M4L 升级版 )典型应用：光刻胶灰化去除残胶打底膜表面精密清洁去除氧化层去除氮化层表面活化提高表面粘合性改变表面亲水性/疏水性分子接枝涂层规格参数：阳极表面处理铝制腔体，水平抽卸极板/垂直极板/侧壁极板/水冷极板13.56MHz 风冷微波电源（0～600w可调,可选配0～300W，0～1000W），高灵敏快速自动匹配水平抽卸极板/水冷极板/垂直极板/料盒极板不锈钢防腐蚀MFC，多至6路工艺气体，两路辅助气路：回填保护气体，驱动气路兼容8/12英寸及以下晶圆模块化设计，维护保养简单PC工控机控制，运行数据自动存储，工艺数据严格监控，可自定义工艺警报范围分级密码权限管理图形化可视控制界面外形尺寸：775×723×781 mm重量：157KG可选配置：石英腔体液态单体操作装置可选配温控板可选配法拉第桶可选配压力控制系统认证：CE 认证EN 61010EN 61326Semi E95ISO 9001CISPR 55011NFPA79NFPA70

一、设备简介NE-PE60F是一款大型工业用真空等离子处理系统，设备配备大功率、大腔体、密度大、高稳定性，适用于大规模连续生产。设备采用进口品牌高性能真空泵快速产生超低的真空压强。同时根据客户工艺要求，对真空反应腔室内通入不同的混合工艺气体，采用进口高品质等离子发生器，使得通入的工艺气体产生等离子体，并确保稳定产生高密度，高能量的离子。等离子体与材料发生复杂的物理，化学反应，可以实现不同的工艺功能，比如清洗，活化，刻蚀与涂敷等。等离子态显著的特点是高均匀性辉光放电，根据不同气体发出从蓝色到深紫色的色彩可见光。 NE-PE60F 系统功能特点： &bull 耐用的高品质不锈钢结构和固定装置&bull 不锈钢托盘设计，可调节托盘间距&bull 8K镜面不锈钢腔体，卓越密封性&bull 13.56射频等离子发生器，产生高密度等高子体，确保出众的清洗效果；&bull 直观的触摸屏，过程参数实时监控。&bull 方便的定期校准设备连接验证过程中使用的要求&bull 支持各种工艺气体，包括氩气，氧，氢，氦和氟化气体&bull 通过联锁门或可移动的板&bull 高精度气体流量监测系统，两路工艺气体配置(氩气、氧气），双路气流控制，比例 可调，采用高精度电子质量流量计(MFC)、针阀、美国世维洛克气体管路设备参数序号项目型号规格参数1等离子体发生器功率0-500W可调抗辐射干扰高频匹配器自动阻抗匹配频率13.56 MHz2真空反应腔室腔体材质进口 316 镜面不锈钢，军工级密封腔体容积370(W)*450(D)*400(H)mm 60L单层有效处理面积W370mm x D370mm 电极板数量6层（可定制）真空测定系统（睿宝电阻真空硅管）皮拉尼高精密电阻式真空计绝缘陶瓷进口高频陶瓷3放电电极电极高导电铝合金专用电极电极间距可调整电极之间的距离，调整等离子体强度和密度，极大提升处理能力和效率4气路控制气体流量控制器MFC 气体质量流量计精确控制流量0-500ml/min气路设计腔体均匀进气气路设计，保证清洗均匀性气路数量配置2路工艺气路，可支持氧气，氩气，氮气，氢气，四氟化碳等5真空测量真空测定系统皮拉尼真空硅管 测量范围：1.0×10 5 ～1×10 -1 Pa6抽气系统真空泵油泵/无油干泵（选配）工作真空度30PA以内抽真空时间60s以内破真空时间≤15s真空管路不锈钢管路+气动阀门7控制系统PLC三菱PLC模块触摸屏7寸软件程序自主专利设计等离子控制系统8场务条件电源供应AC380V,50/60Hz，三相五线100A 气管接口直径8mm气体纯度99.99%压缩空气要求0.6~0.8MPa输入气压检测系统2路自动报警气压表排气口KF259整机参数整机功率4.5KW外形尺寸900mm(L)×960mm(W) ×1750 mm(H)重量400kg

射频感应耦合 等离子源 电离层环境模拟器| 介绍低温氩气源（LTA）是一种紧凑的一种等离子设备，设计用于在发射之前进行空间等离子体物理研究或对空间硬件进行测试。它可以人为地模拟较高的电离层条件，这意味着它可以以非常低的电子温度（0.5 eV），低离子能量（比等离子推进器低两个数量级）和相对较高的电子密度产生等离子流。 （?10 11 m -3）。该流的速度也与在轨道上遇到的离子流（?8 km / s）相似。| 应用电离层模拟研究ThrustMe的离子源和等离子体诊断工具可帮助研究人员在地面上进行电离层研究。LTA可以模拟类似于高层大气中的粒子环境，从而为研究人员提供了进行实验的机会，而这种实验对于使用ThrustMe的等离子体诊断技术发送到太空或校准自己的探头和传感器而言过于昂贵。测试您的太空硬件再现高空电离环境可以使卫星集成商和子系统制造商在发射前测试其太空硬件。在系统级别，ThrustMe的LTA可用于研究卫星的充电并预测飞行过程中可能出现的任何问题。在子系统级别，在地面上重现电离层可以为天线制造商提供机会来研究其天线在不同高度或不同太阳活动水平下的信号传播。太空环境测量ThrustMe的MD-1探针是前所未有的小.绝.对电子密度探针。它很小的3x50mm尺寸几乎可以安装在任何小型卫星上。将此探针用于高层大气和太空天气研究目的。

产品说明本产品是本公司全新自主研发的桌面式射频等离子清洗机. 全系列射频工作频率13.56MHz、27.12MHz、40.68MHz，功率等级从100W-300W；并且相配套的匹配器也采用全自动匹配器算法，大大简化人工调谐的复杂度；它可以成为您在科研、小批量试产中进行材料表面处理、更高效清洁的好帮手。 它采用304不锈钢腔体，容量高达5.3L；拥有直径100mm大尺寸可视窗口，让您对每一个工艺瞬间都能直观的了解；工作频率为27.12MHz（每秒振荡次数高达2700万次），这是保证真空高效清洗的前提，通过试验发现清洗效果远远优于直流、中频等常规清洗机；它广泛应用于手机屏幕、仪表光学镜片等精密部件的高效清洗，也可用于材料表面的亲水性处理；总之，相信在您的研究下，这款产品定能为您的每一个新的工艺和配方展现它完美的表现，期待您的使用。产品特点1) 本产品在集成化和小型化方面具体很强的优势，相对于同等频率、功率、容量等条件下；2) 采用7寸大尺寸触摸屏控制，轻松实现人机交互，减少复杂的机械按键和旋钮操作；3) 面板仅保留一个电源开关，其他的控制全部交给触摸屏实现，简单易学、直观明了；4)两路浮子流量计保证工艺气体要求的多样性；5) 集成触摸屏控制真空泵、气路、破真空的开启和关闭；6) 通过触摸屏可以任意设置射频功率、工艺时间、工作真空度，并具有设定参数记忆功能，避免重复性工作；7) 内部集成自动匹配器，简化不同工艺条件下繁琐的匹配手动调节；8) 内部集成数显真空计、功率计和定时器，实时监控真空度、功率值和工艺时间，让您对所有的工艺参数了如指掌；9) 日期和24小时制时钟显示，提醒勤奋的您也要记得小憩片时；10) 工艺处理完成后自动安全关闭所有部件并伴有声音报警，提醒您是时候开舱检验您的工艺效果了；技术参数产品型号 (RPC-1305\2705\4005)主要部件部件名称参数指标控制系统集成触摸屏7寸电阻触摸屏等离子激发电容耦合式（CCP）工作时间0-9999s（任意设定）真空腔体腔体容量5.3L腔体尺寸内径：150mm 长度：300mm腔体材质304不锈钢舱门铝合金舱门（配不锈钢铰链）样品支架铝合金筛板，厚度：3mm射频源信号频率13.56MHz、27.12MHz 、40.68MHz±0.005%功率范围0-100W任意设定（功率等级200W/300W可选）功率稳定度±0.1%匹配器匹配类型全自动匹配匹配时间≤3s气路气体测量浮子流量计气体通道2通道气体1量程10～100ml气体2量程10～100ml气路接头外径：6mm气管真空真空测量集成数显真空计真空泵类型双极旋片泵式抽气速率2L/s（4L/s可选）极限真空度0.067Pa抽气接口KF16-不锈钢波纹管整机整机功率1kW整机总尺寸580(L) *715(D)* 240(H)mm；（其中舱门+拉手+接头：195mm； 防滑底座：10mm）整机重量24kg（不含真空泵及配件）工作电压220Vac 50/60Hz工作环境-10℃ -- 40℃冷却方式强制风冷

耳鼻喉刀头 扁桃体、腺样体等离子刀头型 号： VAM-X-3040340 品牌:深圳唯奥耳鼻喉等离子刀头在手术过程中有止血消融的作用。刀头可连接进口国产两种设备，不同设备配置不同连接头，做椎间孔镜，提高了手术的安全性、精确性、控制性和广泛性。 耳鼻喉等离子刀头有更佳的工作频率 ，采用较高的工作频率（1.5M-4.5MHz），高频稳定输出，实现最小的组织损伤和细胞改变，组织热损伤深度仅为普通传统电刀的几十分之一，是迄今为止创伤最小的手术设备。 高频低温，无炭化切凝 ，发射电极低温切割，切割速度快、止血效果好；切口精细，热损伤小于15微米，真正微创；无炭化，无烟雾，双极电凝不粘连血管和组织；术后无水肿，愈合速度快且疤痕小；可在精细部位开展手术，可以做组织活检。 用途广泛，性能优异，切割、切割/凝血、凝血、消融和双极五种工作模式；多种形状专用电极，满足各种手术的需要。 出色的安全保护 ，中性电极板，避免皮肤被灼伤；多重安全报警设计的安全自检测系统，提供高度安全保证。 耳鼻喉等离子刀头特点： 1.更佳的工作频率，创伤最小的手术设备 2.多种形状专用电极，满足各种手术的需要 3.发射极不发热，真正的低温切割 4.对组织无挤压，实现最小的组织损伤和细胞改变 5.可在体腔和管腔内开展微创手术，可做组织活检 6.双极电凝不粘连血管和组织 7.操作简便、功能完善，多重安全报警设计，高度安全 耳鼻喉等离子刀头工作频率 ：1）单极工作模式：4.00MHz±0.400MHz 2）双极工作模式：1.71MHz±0.250MHz 2、输出功率：0～100,步距为1 3、额定输入功率：350VA 4、熔断器规格：F3AL250V，Φ5mm×20mm 5、安全分类：Ⅰ类、BF型 6、脚踏开关启动力：10N～50N 7、双极电镊捏合力≤4N

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRi 射频离子源 RFICP 220上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数: 阳极电感耦合等离子体2kW & 2 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 1000mA电压范围100-1200V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2, 其他流量5-50 sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准 OptiBeamTM离子束栅极22cm Φ栅极材质钼离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000, MHC 1000高度30 cm直径41 cm锁紧安装法兰10”CFKRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：预清洗表面改性辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

价格电议KRI 射频离子源 RFICP 系列 上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流100 mA350 mA600 mA800 mA1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000射频离子源 RFICP 系列应用:离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)上海伯东离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产 右图: 在高倍显微镜下检视脱膜测试, 样品无崩边上海伯东离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源, 对应用于半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀. 右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 欢迎联络上海伯东叶女士,分机109

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 射频离子源 RFICP 140上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流.KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:阳极电感耦合等离子体1kW & 1.8 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 500mA电压范围100-1200V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2,其他流量5-40sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准OptiBeamTM离子束栅极14cm Φ栅极材质钼, 石墨离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000高度25.1 cm直径24.6 cm锁紧安装法兰12”CFKRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域：预清洗表面改性辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

美国SVT公司的RF等离子源适用于多个公司多种型号。 法兰接口包括： 2.75' ' 、4.5' ' 、6' ' 。 等离子源用于离解双原子氮、氧和氢。离解过程中不会产生高能离子。 产生的束流含有零离子，有助于生长高质量的薄膜，也可以在不损伤衬底表面的情况下清洗衬底。 高生长率等离子体源能够在生长速率大于4μm/hr的情况下生长高质量的薄膜。 光阑和等离子腔形状可以顾客定制，以满足客户对不同流量的需求。 软件作为可选项，能够实现自动操作，允许用户保存数据，编写工艺程序。特点可提供N2、O2、H2等离子源生长速率大于4μm/hr源设计有等离子体观察窗口光阑和等离子腔形状可以客户定制RF自动调节可选RF 功率200-600W气体流量0.1-10SCCM法兰4.50’’ CF 源直径2.35’’水冷却0.17GPM 流量(0.227m3/hr)RF匹配网络手动调节(自动调节可选)等离子腔PBN，氧化铝，石英

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准大口径射频离子源 RFICP 380 上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 最大离子束流 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用. 广泛 应用于离子束刻蚀机.KRi 射频离子源 RFICP 380 特性1. 放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配2. 离子源结构模块化设计3. 离子光学, 自对准技术, 准直光束设计, 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行4. 全自动控制器5. 离子束动能 100-1200eV 6. 栅极口径 38cm, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用射频离子源 RFICP 380 技术规格:阳极电感耦合等离子体2kW & 1.8 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 1000mA电压范围100-1500V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2,其他流量5-50sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准OptiBeamTM离子束栅极38cm Φ栅极材质钼离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000高度38.1 cm直径58.2 cm锁紧安装法兰12”CF射频离子源 RFICP 380 基本尺寸: 上海伯东美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

应用于等离子体真空系统，具有高可靠性的电源产品性能该射频电源输出功率可达2500W到5000W ，频率13.56MHz，标准正弦波。该系列电源具有功率输出精度高、稳定、可重复等优点。其固态设计使得该产品价格低、可靠性高。电源采用大屏幕液晶显示：设定功率、入射功率、反射功率、状态等参数，同时还可以显示匹配器的运行参数并且通过电源面板可操作射频匹配器。应用对象该电源可以作为射频驱动等离子体系统的电源，该系统可应用于半导体工业。应用对象包括：刻蚀、RIE、平行板、ICP、磁控溅射、CVD、PVD、等离子清洗和PECVD等系统。

应用于等离子体真空系统，具有高可靠性的电源产品性能该射频电源输出功率可达500W到1250W，频率13.56MHz，标准正弦波。该系列电源具有功率输出精度高、稳定、可重复等优点。电源采用大屏幕液晶显示：设定功率、入射功率、反射功率、状态等参数，同时还可以显示匹配器的运行参数并且通过电源面板可操作射频匹配器。应用对象该电源可以作为射频驱动等离子体系统的电源，该系统可应用于半导体工业。应用对象包括：刻蚀、RIE、平行板、ICP、磁控溅射、CVD、PVD、等离子清洗和PECVD等系统。

沃特塞恩13.56-500W自匹配系列射频电源将射频电源+自动匹配器整合于同一装置内，为客户节约了安装空间，增加更广的适配应用范围。内置的高速自动匹配器可以实现快速自动匹配，具有高工作稳定性，高精度功率调节及快速匹配负载等功能，可为用户减少设备研制周期。专业应用于半导体、光伏、封装、等离子体清洗、科研等领域。产品特点 全数字化控制（内置高速数字控制模块） 快速自动匹配（Auto match） 高精度、稳定功率输出 快速输出功率响应应用范围PECVD薄膜沉积ICP/CCP干法刻蚀等离子清洗材料改性

CIF 推出的专为处理粉体如粉末、颗粒状材料样品而设计的粉体专 用等离子清洗机，可以高效率地处理微细的甚至分子级别的超细粉体材 料，改变传统真空等离子清洗机无法处理粉体样品的问题。同时可实现 常规等离子清洗。粉体等离子清洗机原理：粉体等离子清洗机就是在常规等离子清洗机真空腔内，放置可旋转并带搅 拌的样品瓶，通过射频电源在一定的压力情况下起辉产生高能量的无序的等离 子体，作用在样品瓶内粉体样品上，通过等离子体轰击被清洗粉体材料表面， 改变材料表面性质，优化材料表面性能。等离子体作用在粉体上，可以有目的地改变粉体的物理、化学性质，在保持粉体材料原有性能的前提下，赋予其表面 新的性能，使其表面性质由疏水性变为亲水性或由亲水性变为疏水性，从而改善粉体粒子表面的浸润性，增强粉体粒子在 介质中的界面相容性，使粒子容易分散在水中或有机化合物中。技术参数：型号CPCP3CPCP3plus舱体尺寸D200XΦ155mmD200XΦ155mm舱体容积3.8L3.8L舱体材质不锈钢或石英玻璃可选不锈钢或石英玻璃可选石英转瓶尺寸Φ75xH120mmΦ75xH120mm转瓶转速0-100rpm 可调0-100rpm 可调射频电源40KHz13.56MHz射频功率0-600W 可调0-150W 可调匹配器自动匹配自动匹配激发方式电容式或电感式电容式或电感式气体控制双浮子流量计时间设定9999 秒真空泵抽速 4m³ /h气体稳定时间1 分钟真空度100pa 以内电源AC220V 50/60Hz 666/316W产品尺寸L425xW420xH465mm包装尺寸L560xW545xH730mm整机重量32kg

CIF粉体等离子清洗机CIF专为处理粉体如粉状、颗粒状材料样品而设计的粉体专用等离子清洗机，可以高效率地处理微细的甚至分子级别的超细粉体材料，改变传统真空等离子清洗机无法处理粉体样品的问题。详细信息CIF专为处理粉体如粉状、颗粒状材料样品而设计的粉体专用等离子清洗机，可以高效率地处理微细的甚至分子级别的超细粉体材料，改变传统真空等离子清洗机无法处理粉体样品的问题。等离子体作用在粉体上，可以有目的地改变粉体的物理化学性质，在保持粉体原有性能的前提下，赋予其表面新的性能，使其表面性质由疏水性变为亲水性或由亲水性变为疏水性，从而改善粉体粒子表面的浸润性，增强粉体粒子在介质中的界面相容性，使粒子容易分散在水中或有机化合物中。粉体材料表面改性是材料制备，新材料、新工艺和新产品开发的重要方法，提高了粉体材料的附加价值，扩大了粉体材料的应用领域。CIF推出CPCP-G系列新一代带搅拌功能的专为处理粉体样品的等离子清洗机，采用质量流量计（MFC）气体输送控制。主要特点是专业、处理样品量大、快速高效、动态清洗，处理均匀、无死角、无污染、气体输入准确。 技术参数型号CPCP-GCPCP- Gplus舱体尺寸H120XΦ370mm H120XΦ370mm舱体容积12.8L12.8L石英转瓶尺寸Φ286xH88mmΦ286xH88mm转瓶转速1-15rpm/秒可调1-15rpm/秒可调射频电源40KHz13.56MHz匹配器自动匹配自动匹配射频功率10-300W可调10-300W可调气体控制质量流量计（MFC）（标配单路，可选双路）产品尺寸L618xW520xH665mm

品牌：PIE型号：Tergeo EMTergeo EM型SEM及TEM样品/样品杆清洁专用等离子清洁仪美国PIE Scientific专注研发先进的实验室用等离子仪器，用于SEM/TEM样品清洁、光刻胶蚀刻、等离子体增强沉积、表面处理与活化。我们的宗旨是：将半导体和核工程研究中开发的等离子技术集成到经济实用的实验室用等离子仪器。专为去除SEM & TEM样品的碳氢污染而设计。特有的双清洗模式（immersion和downstream）能够处理各种不同的样品，从严重污染的电子光学孔径光阑到各种脆弱易损样品，如石墨烯、碳纳米管、类金刚石碳膜以及多孔碳支持膜铜网上的TEM样品。石英样品托板上的孔洞可以安装标准SEM样品托。特别设计的适配器可以清洁不同厂家的TEM样品杆。特点：1. 系统具有双等离子源。浸入式等离子源用于主动表面处理、光刻胶蚀刻。远程式等离子源用于温和的污染清除以及脆弱易损样品的表面活化2. 13.56MHz高频射频发生器3. 7英寸触摸屏控制界面，全自动操作4. 标配75W版本，可选150W版本5. 标配2路气体输入，可选第三路气体输入6. 可选与FEI、JEOL、HITACHI等TEM样品杆配套的专用适配器7. AC输入：通用(110~230V, 50/60Hz)除了Tergeo EM型SEM & TEM样品清洁专用等离子清洁仪，另有Tergeo Basic基本型等离子清洁仪和Tergeo Plus型大腔室等离子清洁仪三、技术参数1、控制系统1）操作界面：7英寸电阻触摸屏操作界面，支持多种工作方式。 2）程序控制：可编程，总共有20个程序，每个程序有3个清洁步骤2、反应腔体1）腔体材质：圆柱形石英玻璃舱。2）腔体尺寸：内径110毫米，外径120毫米，深度280毫米，壁厚：5毫米。 3）前观测窗：前方开口，5毫米厚石英玻璃可视窗口，可观测内腔等离子状态，并带有防真空泄漏和避免高压的联锁装置，有效保护操作的安全性；3、射频电源 1）射频频率：13.56MHz 2）射频功率：标配0~75W；可选配0~150W。从0瓦到150瓦之间以1瓦间距连续可调，自动阻抗匹配。3）射频输出可以工作在脉冲方式，脉冲比可以从1/255调到255/255（连续输出）。 4、等离子源1）等离子强度探测器实时测量等离子源强度。2）电阻耦合电离方式。 3）外置电极设计，高压电极不合等离子接触以避免金属溅射造成的样品污染。5、气体控制 1）气路控制：标配一路MFC；可选配三路MFC； 2）质量流量计可以在0~100sccm之间控制气体流量； 3）一路(Venting and purging)气体入口用来快速给样品室放气和冲走残余处理气体。 4）自动放气流程控制可以保护真空泵不受影响。 5）高性能气压计可以测量1e-4 Torr到大气压之间的气压。 6）6mm气体接口。6、真空系统1）KF25法兰接口用来连接真空泵。 2）真空要求：抽速：1.7m3/h；3）最低气压：=200mTorr.

DISCOVERY 635/785 多耙直流/射频磁控溅射台 丹顿真空的Discovery系列在世界许多著名的研究机构得到广泛的应用，是业内公认的灵活、可靠的磁控溅射系统。从15年前开发以来，该系统已经销售超过100台，在国内销售12台。Discovery系列适合于研发及小批量生产。系统采用独特的共焦溅射结构，能够使用较小的磁控溅射靶枪在较大的面积的工件上得到较好的均匀性（例如：采用传统的垂直溅射方式，为了在6英寸工件上得到±5%的均匀性，需要使用8英寸直径靶枪，而采用共焦溅射方式，则可以采用3英寸磁控溅射靶枪，即可达到同样的均匀性指标）。因此在同样的要求下，采用的靶枪及电源相对较小，所以能够降低设备成本及运行成本，同时，丹顿真空也提供传统的垂直溅射方式系统。Discovery 系列都可以安装多个磁控溅射靶枪，可以实现多种溅射模式，包括直流/射频/脉冲溅射，共溅射，射频偏压溅射；可以实现三级加热，最高加热温度可以达到900 °C；可以配置进样室（单片或多片），最大可以处理的工件直径可以达到 250mm ；系统真空室规格从18英寸（457mm）到 35英寸（890mm）可选；高真空采用分子泵或低温泵获得；可以采用PLC触摸屏控制系统或计算机控制系统。 系统主要配置：※ 多耙直流/射频磁控溅射※ 旋转工作台（可以升级为射频偏压工件台）※ 上溅射或下溅射可选※ 不锈钢真空室，带观察窗

产品简介：VTC-16-D小型直流磁控等离子溅射仪靶头尺寸为2英寸，且样品台的高度可以调节。此款镀膜仪设计主要是制作一些金属薄膜，最大制膜面积为4英寸。 产品型号VTC-16-D小型直流磁控等离子溅射仪 主要特点1、特别为SEM样品镀导电性薄膜设计。2、体积小巧，操作简单，容易上手。3、拥有小型磁控靶头，可以镀金银铂等金属。 技术参数1、输入电源：220V AC 50/60Hz2、功率：200W3、输出电压：500 VDC4、溅射电流：0-50 mA可调5、溅射时间：0-120S可调6、溅射腔体1）采用石英腔体，尺寸：166 mm OD x 150 mm ID x 150 mm H2）密封：采用不锈钢平法兰的O形密封圈7、溅射头&样品台l）溅射头可安装靶材直径为2英寸，厚度0.1 - 2.5mm 2）溅射时间1-120S可调3）仪器中安装有直径为50mm的不锈钢样品台，其与溅射头之间距离30-80mm可调。 4）可选购加热型样品台，其最高加热温度为500℃ 5）安装有一可手动操作的溅射挡板，可进行预溅射6）最大可制膜的直径为:4英寸（仅供参考，详情请点击） 8、真空系统l）安装有KF25真空接口2）数字真空压力表（Pa）3）此系统可通入气体运行4） 1.0E-2 Torr （采用机械泵）5） 1.0E-5 Torr（采用涡旋分子泵）9、进气l）设备上配1/4英寸进气口，方便连接气瓶 2）设备前面板上装有一气流调节旋钮，方便调节气流10、靶材 l）靶材尺寸要求：Φ50mm×(0.1 - 2.5) mm(厚度) 2）设备标配为铜靶11、产品外型尺寸L460 mm × W 330 mm × H 540 mm 净重：20 kg（不包括泵） 可选1、可在本公司选购各种靶材对于溅射各种金属靶材，需要摸索最理想的溅射参数，下表是本公司实验所设置的参数，欢迎您带料来科晶实验室摸索工艺（仅供参考）靶材种类真空度（Pa）溅射电流（mA） 时间 （s）溅射次数Au31-3328-301001Ag31281001 2、可在本公司选购各种真空泵 3、可在本公司选购薄膜测厚仪安装在溅射仪上 质量认证CE认证 质保期 一年保修，终身技术支持。特别提示：1.耗材部分如加热元件，石英管，样品坩埚等不包含在内。 2.因使用腐蚀性气体和酸性气体造成的损害不在保修范围内。 使用提示 l、有时为了达到理想的薄膜厚度，可能需要多次溅射镀膜2、在溅射镀膜前，确保溅射头、靶材、基片和样品台的洁净3、要达到薄膜与基底良好结合，请在溅射前清洁基材表面4、超声波清洗（详细参数点击下面图片）：（1）丙酮超声，（2）异丙醇超声-去除油脂，（3）吹氮气干燥，（4）真空烘箱除去水分。5、等离子清洗（详细参数点击下面图片）：可表面粗糙化，可激活表面化学键，可祛除额外的污染物。6、制造一个薄的缓冲层（5纳米左右）：如Gr，Ti，Mo，Ta，可以应用于改善金属和合金的附着力。7、请使用5N纯度氩气等离子体溅射8、溅射镀膜机可以放入Ar或N2气体手套箱中溅射9、由于能量低，该模型不适用于涂层的轻金属材料如Al，Mg，Zn，Ni。请考虑我们的磁控溅射镀膜机或热蒸发镀膜机。 超声波清洗机等离子清洗机大功率磁控溅射仪 蒸发镀膜仪 警告 注意：产品内部安装有高压元件，禁止私自拆装，带电移动机体。气瓶上应安装减压阀（不包括），保证气体的输出压力限制在0.02兆帕以下，以安全使用。溅射头连接到高电压。为了安全，操作者必须在关闭设备前装样和更换靶头。

CIF扫描电镜等离子清洗机CIF 扫描电镜（SEM）等离子清洗机采用远程、原位双等离子清洗源设计，并可自动切换清洗源，一机多用。远程等离子体清洗快速高效低轰击损伤，同时可实现常规等离子清洗功能。主要用于SEM或FIB等电镜腔体内碳氢化合物的清洗。产品特点u 双等离子清洗源u 一机多用u 高效低损伤技术参数产品型号CIF-SEM法兰接口KF40（CF40)工作气压0.3-3Pa等离子电源13.56MHz射频电源，射频功率5-150W可调，远程等离子源，自动匹配器气体控制标配单路质量流量计（MFC)可选双路。50毫分/分，自动控制气体流量，不会受环境温度和压力变化影响气源选择根据需求氧气、氩气、氮气、氢气等多种清洗气源选择真空控制皮拉尼真空计，测量范围1E-5Torr真空保证真空计和电磁阀安全互锁操控方式7寸全彩触摸屏控制，中英文互动操作界面电源/功率220V，50/60Hz，300W可选配件可选氧气、氮气、氢气发生器， 氢气纯度﹥99.999％，输出流量0-300ml/min 质量保证二年质保，终身维护

产品性能该射频电源采用E类放大器，实现效率高、高可靠性。大的冗余设计，使其具有长期满功率输出能力。特殊的滤波网络，实现波形的纯净。谐波性能优越，可承受开路、短路等极端冲击。大屏幕液晶显示：设定功率、入射功率、反射功率、状态等参数产品性能该电源可以作为射频驱动等离子体系统的电源。应用对象包括：刻蚀、PECVD、磁控溅射、ICP等 。控制方式该电源控制方式多样：RS232、RS485、DeviceNet和模拟口等方式。

CIF扫描电镜等离子清洗机CIF 扫描电镜（SEM）等离子清洗机采用远程、原位双等离子清洗源设计，并可自动切换，一机多用。远程等离子体清洗快速高效低轰击损伤，同时可实现常规等离子清洗。主要用于SEM或FIB等电镜腔体内碳氢化合物的清洗。产品特点u 双等离子清洗源u 一机多用u 高效低损伤技术参数产品型号CIF-SEM法兰接口KF40工作气压0.3-3Pa等离子电源13.56MHz射频电源，射频功率5-100W可调，自动匹配器气体控制标配双路50毫升/分气体质量流量控制器（MFC），精确测量自动控制气体流量，不会受环境温度和压力变化影响气源选择根据需求氧气、氩气、氮气、氢气等多种清洗气源选择真空控制美国MKS公司925-12010皮拉尼真空计， 测量范围1E-5Torr真空保证真空计和电磁阀安全互锁操控方式7寸全彩触摸屏控制，中英文互动操作界面电源/功率220V，50/60Hz，300W可选配件可选氧气、氮气、氢气发生器， 氢气纯度﹥99.999％，输出流量0-300ml/min 质量保证二年质保，终身维护

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CIF扫描电镜等离子清洗机CIF 扫描电镜（SEM）等离子清洗机采用远程、原位双等离子清洗源设计，并可自动切换，一机多用。远程等离子体清洗快速高效低轰击损伤，同时可实现常规等离子清洗。主要用于SEM或FIB等电镜腔体内碳氢化合物的清洗。产品特点u 双等离子清洗源u 一机多用u 高效低损伤技术参数产品型号CIF-SEM法兰接口KF40工作气压0.3-3Pa等离子电源13.56MHz射频电源，射频功率5-100W可调，自动匹配器气体控制标配双路50毫升/分气体质量流量控制器（MFC），精确测量自动控制气体流量，不会受环境温度和压力变化影响气源选择根据需求氧气、氩气、氮气、氢气等多种清洗气源选择真空控制美国MKS公司925-12010皮拉尼真空计， 测量范围1E-5Torr真空保证真空计和电磁阀安全互锁操控方式7寸全彩触摸屏控制，中英文互动操作界面电源/功率220V，50/60Hz，300W可选配件可选氧气、氮气、氢气发生器， 氢气纯度﹥99.999％，输出流量0-300ml/min 质量保证二年质保，终身维护

CIF扫描电镜等离子清洗机CIF 扫描电镜（SEM）等离子清洗机采用远程、原位双等离子清洗源设计，并可自动切换，一机多用。远程等离子体清洗快速高效低轰击损伤，同时可实现常规等离子清洗。主要用于SEM或FIB等电镜腔体内碳氢化合物的清洗。产品特点u 双等离子清洗源u 一机多用u 高效低损伤技术参数产品型号CIF-SEM法兰接口KF40工作气压0.3-3Pa等离子电源13.56MHz射频电源，射频功率5-100W可调，自动匹配器气体控制标配双路50毫升/分气体质量流量控制器（MFC），精确测量自动控制气体流量，不会受环境温度和压力变化影响气源选择根据需求氧气、氩气、氮气、氢气等多种清洗气源选择真空控制美国MKS公司925-12010皮拉尼真空计， 测量范围1E-5Torr真空保证真空计和电磁阀安全互锁操控方式7寸全彩触摸屏控制，中英文互动操作界面电源/功率220V，50/60Hz，300W可选配件可选氧气、氮气、氢气发生器， 氢气纯度﹥99.999％，输出流量0-300ml/min 质量保证二年质保，终身维护

电镜腔等离子清洁仪（远程等离子清洁仪）美国PIE出品的EM-KLEEN型远程等离子清洁仪，广泛用于SEM扫描电镜,FIB聚焦离子束双束电镜,TEM透射电镜,XPS_X射线光电子能谱分析仪,ALD原子层沉积系统,CD-SEM, EBR, EBI, EUVL和其它高真空系统，可同时清洁真空腔室和样品！污染物对电子显微镜SEM/TEM和其它高真空系统产生的影响润滑剂、真空脂、泵油样品中的高分子聚合物，或未经处理的空气都会把碳氢污染物引到真空系统中。低蒸汽压下高分子重污染物会凝聚在样品表面和腔室壁上，而使用普通气体吹扫方法很难把碳氢污染物清除。电子和高能光子(EUV, X-ray)能够分解存在于真空系统中或样品上的碳氢污染物。碳氢化合物的分解产物沉积在被观测的样品表面或电子光学部件上。这种碳氢污染沉积会降低EUV的镜面反射率，降低SEM图像对比度和分辨率，造成错误的表面分析结果，沉积在光阑或其它电子组件的不导电碳氢污染物甚至会造成电子束位置或聚焦缓慢漂移。在ALD系统中，样品表面的碳氢污染物还会降低薄膜的界面匹配质量。远程等离子清洁的原理远程等离子源需安装在要被清洁的真空腔室上，控制器向远程离子源提供射频能量。射频电磁场能激发等离子体，分解输入气体而产生氧或氢的活性基，活性基会扩散到下游的真空腔室，并与其中的污染物发生化学反应，反应产物能轻易地被抽走。远程等离子清洗机可同时清洁真空系统和样品。技术特点：快速清洁被污染的SEM样品。2-60秒氢等离子体清洁ALD样品。不需减速或关闭涡轮分子泵低等离子偏压设计减少离子溅射和颗粒生成。结合自有专利多级气体过滤技术，SEMI-KLEEN能够满足用户最苛刻的颗粒污染清除要求可选蓝宝石管腔体和耐腐蚀性气体的流量控制器，以便支持CF4, NF3, NH3, HF, H2S等应用特有的等离子强度传感器可实时监测等离子状态，用户对等离子状态一目了然基于压力传感回馈控制的自动电子流量控制器，无需手动调节针阀直观的触摸屏操作，可定义60条清洗程序方案拥有智能安全操作模式和专家控制模式；SmartScheduleTM定时装置，通过检测样品装载次数或时间间隔来定时清洁系统低电磁干扰设计，安静的待机模式一. 特有功能1. 优越的等离子技术，可以在小于0.1毫托的气压下点火并且保持稳定的等离子体。最低工作气压比其他同类产品低10到100倍。低气压清洗速度更快，更均匀，对电子枪和分子泵更安全；2. 即时等离子起辉技术。不用像在其他同类产品上那样担心等离子是不是成功起辉；3. 带气压计的自动气体流量控制；4. 实时测量等离子强度，用户可以根据这个实时反馈来优化清洗配方；5. 自动射频匹配实时保证最优化射频耦合，即使用户调节清洗配方；6. 专利保护的双层颗粒过滤器设计保证我们的产品满足Intel，台积电，三星等半导体用户的严格颗粒污染要求；7. 带LCD触摸屏的直观操作界面；8. 微电脑控制器带可修改的智能清洗计划，设好就自动清洗您的系统；9. 支持清洗配方，一键开始，自动射频匹配，自动控制气体流量；10. 微电脑控制器可记录所有信息状态，便于系统维护。二. 技术指标1. 等离子源真空接口：NW/KF40 法兰 提供转接法兰；2. 标配等离子强度传感器；3. 等离子源最低点火起辉气压：0.1毫托；4. 等离子源最高工作气压：1.0 托；5. 漏气率：0.005sccm；6. 射频输出：0~100瓦，连续可调节；7. 具有射频自动匹配功能8. 电源和功率：220V, 50Hz,

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRi 射频离子源 RFICP 系列上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流100 mA350 mA600 mA800 mA1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000 射频离子源 RFICP 系列应用:离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures) 上海伯东美国考夫曼 KRi 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸离子束刻蚀机, 作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

美国PIE Scientific LLC公司出品的SEMI-KLEEN 等离子清洗仪, 采用低压清洗技术，可清洗各种类型电子或者离子显微镜，深紫外光刻机，电子光刻系统等真空仪器。本仪器由一个LCD触摸屏控制器和一个远程射频（RF）等离子源组成，远程等离子源通过一个KF40真空法兰连接到待清洗真空室，有转接法兰提供。主要用于清洗各种扫描电镜(SEM)，透射电镜(TEM)，聚焦离子系统(FIB)，离子显微镜(HIM)等真空系统中碳氢及其他污染。同时清洗真空腔体和样品。(详情请咨询PIE中国代理南京覃思科技有限公司) 一. 特有功能1. 优越的等离子技术，可以在小于0.1毫托的气压下点火并且保持稳定的等离子体。非常低工作气压比其他同类产品低10到100倍。低气压清洗速度非常快，非常均匀，对电子枪和分子泵非常安全；2. 即时等离子起辉技术。不用像在其他同类产品上那样担心等离子是不是成功起辉；3. 带气压计的自动气体流量控制；4. 实时测量等离子强度，用户可以根据这个实时反馈来优化清洗配方；5. 自动射频匹配实时保证非常优化射频耦合，即使用户调节清洗配方；6. 专有保护的双层颗粒过滤器设计保证我们的产品满足Intel，台积电，三星等半导体用户的严格颗粒污染要求；7. 带LCD触摸屏的直观操作界面；8. 微电脑控制器带可修改的智能清洗计划，设好就自动清洗您的系统；9. 支持清洗配方，一键开始，自动射频匹配，自动控制气体流量；10. 微电脑控制器可记录所有信息状态，便于系统维护。 二. 技术指标1. 等离子源真空接口：NW/KF40 法兰 提供转接法兰；2. 标配等离子强度传感器；3. 等离子源非常低点火起辉气压：0.1毫托；4. 等离子源非常高工作气压：1.0 托；5. 漏气率：0.005sccm；6. 射频输出：0~100瓦，连续可调节；7. 具有射频自动匹配功能8. 电源和功率：110V/220V, 50/60 Hz, 200 瓦