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单晶硅差压变送器

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单晶硅差压变送器相关的耗材

  • 单晶硅标样 615-B 单晶硅标样,含样品座B
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为3%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-F 单晶硅标样,含样品座F
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为7%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-D 单晶硅标样,含样品座D
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为5%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-K 单晶硅标样,含样品座K
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为9%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-G 单晶硅标样,含样品座G
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为8%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-C 单晶硅标样,含样品座C
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为4%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-D 单晶硅标样,含样品座D
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为5%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-K 单晶硅标样,含样品座K
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为9%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-E 单晶硅标样,含样品座E
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为6%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-B 单晶硅标样,含样品座B
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为3%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-A 单晶硅标样,含样品座A
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为2%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-F 单晶硅标样,含样品座F
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为7%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-E 单晶硅标样,含样品座E
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为6%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-G 单晶硅标样,含样品座G
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为8%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-C 单晶硅标样,含样品座C
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为4%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-A 单晶硅标样,含样品座A
    单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为2%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为1%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。单晶硅标样, 随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为1%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-F 单晶硅标样,已认证,含样品座F
    认证的单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。认证的单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为20%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 认证的单晶硅标样 660-615-F 单晶硅标样,已认证,含样品座F
    认证的单晶硅标样,用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。认证的单晶硅标样,随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为20%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-P 单晶硅标样,含样品座P
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为13%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-M 单晶硅标样,含样品座M
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为11%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-L 单晶硅标样,含样品座L
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为10%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-M 单晶硅标样,含样品座M
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为11%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-L 单晶硅标样,含样品座L
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为10%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-O 单晶硅标样,含样品座O
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为12%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-O 单晶硅标样,含样品座O
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为12%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 单晶硅标样 615-P 单晶硅标样,含样品座P
    单晶硅标样, 用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为13%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
  • 纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH
    纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH屹持光电提供各种纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒,为工业和科研提供低成本的纳米光子学研究。基板可用于光学、生物学、化学、物理学(例如中子散射)、聚合物研究、纳米压印、微流体等各种应用。如果需要,可以用金属或介电涂层涂覆基底。大多数表面特征具有略微梯形的横截面轮廓,具有直平行台面和沟槽。也可以使用格状结构。提供多种特征尺寸和沟槽深度。可以在发货之前拍摄基板的SEM图像以验证确切的轮廓。表中显示的尺寸代表目标值。周期的精度优于0.5%,而沟槽深度和线和空间的宽度可能与目标值相差15%。SEM用于说明目的。可定制更精确尺寸信息。 纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH规格描述值 基材宽度和高度公差标准公差±0.2 mm通光孔径(CA)距基板边缘0.5 mm(图案可延伸至基板边缘)基材厚度0.675±0.050mmCA表面质量P / N “-P”:60/40,最高20/10CA表面质量P / N “-S” :80/100CA外表面质量无要求材料单晶硅,反应离子蚀刻 1、线性纳米棒(线+间隔)P/N周期(nm)凹槽深度(nm)工作周期1线宽度2(nm尺寸3(mm)SNS-C72-1212-50-P1395050%69.512.5×12.5×0.7SNS-C72-2525-50-P13950 50%69.525×25×0.7 5SNS-C36-1212-110-P27811050%13912.5×12.5×0.7SNS-C24-1212-110-P416.611050%20812.5×12.5×0.7SNS-C20-0808-150-D45-P50015044%2208×8.3×0.7SNS-C20-0808-350-D45-P50035044%2208×8.3×0.7SNS-C20-0808-150-D60-P50015060%3008×8.3×0.7 SNS-C20-0808-350-D60-P50035060%3008×8.3×0.7SNS-C18-2009-110-D50-P555.511050%27820×9×0.7SNS-C18-2009-140-D50-P555.514050%27820×9×0.7SNS-C18-2009-110-D29-P555.511029%15820×9×0.7SNS-C18-2009-140-D29-P555.514029%15820×9×0.7SNS-C16.7-0808-150-D45-P60015043%2608×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-350-D45-P60035043%2608×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-150-D55-P60015055%3308×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-350-D55-P60035055%3308×8.3×0.7SNS-C16.5-2912-190-P60619050%30329×12×0.7SNS-C16.5-2912-190-S 460619050%30329×12×0.7SNS-C16.5-2924-190-P60619050%30329×24.2×0.7 5SNS-C14.8-2410-170-P67517032%21824×10×0.7SNS-C14.8-2430-170-P67517032%21824×30.4×0.7 5SNS-C14.3-0808-150-D45-P70015047%3308×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-350-D45-P70035047%3308×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-150-D55-P70015055%3758×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-150-D55-P70015055%3758×8.3×0.7SNS-C12-1212-200-P833.320050%41612.5×12.5×0.7SNS-C12-2525-200-P833.320050%41625×25×0.7 5SNS-C11.7-1212-200-P85520050%42812.5×12.5×0.7SNS-C11.7-2525-200-P85520050%42825×25×0.7 5纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH1 占空比表示线(台面)宽度与周期的比率。2 表示台面的宽度值。3 第二维对应于凹槽长度。4 以“-S”结尾的是“科研”等级。它至少有80%的可用面积。可能存在高达80/100表面质量值。5 可提供更大的自定义尺寸 2、2D纳米图案(矩形和六边形网格)P/N周期(nm)格子类型凹槽深度特征宽度(nm)尺寸(mm)S2D-24B3-0808-150-P700矩形1502608×8.3×0.7S2D-24B3-0808-350-P700矩形3502608×8.3×0.7S2D-18B3-0808-150-P700矩形1503508×8.3×0.7S2D-18B3-0808-350-P700矩形3503508×8.3×0.7S2D-24C2-0808-150-P600六角1501658×8.3×0.7S2D-24C2-0808-350-P600六角3501658×8.3×0.7S2D-18C2-0808-150-P600六角1502408×8.3×0.7S2D-18C2-0808-350-P600六角3502408×8.3×0.7S2D-24C3-0808-150-P700六角1502208×8.3×0.7S2D-24C3-0808-350-P700 六角3502208×8.3×0.7S2D-18C3-0808-150-P700 六角1502908×8.3×0.7S2D-18C3-0808-350-P700六角3502908×8.3×0.7S2D-24D2-0808-150-P600六角孔1501808×8.3×0.7S2D-24D2-0808-350-P600六角孔3501808×8.3×0.7S2D-18D3-0808-150-P700六角孔1502008×8.3×0.7S2D-18D3-0808-350-P700六角孔3502008×8.3×0.7S2D-24D3-0808-150-P700六角孔1502908×8.3×0.7S2D-24D3-0808-350-P700六角孔3502908×8.3×0.7 rect post hex post hex hole 相关产品: 脉冲压缩透射光栅高功率光束组合光谱衍射光栅 光通信透射衍射光栅 纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒
  • 认证的单晶硅标样 660-615-O 单晶硅标样,已认证,含样品座O
    用于扫描电镜与光镜放大倍数和图像变形检查。5mm x 5mm,方格间距10μm,线宽1.9μm,通过电子束印刷技术形成。每隔500μm有一稍宽的标记线,用于光学显微镜检测。方格由蚀刻形成,深200nm。可根据扫描电镜型号选择不同样品座。随标样提供校准证书,但需支付额外费用。保证的准确度为25%。标样由英国NPL实验室(National Physical Laboratory)用激光干涉测量法测定。
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