皮秒半导体激光器

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皮秒半导体激光器相关的厂商

  • 华日激光坚持以市场需求引领新产品的研发,为客户提供纳秒、皮秒、飞秒等多种脉冲宽度,红外、绿光、紫外、深紫外等多种波长的激光器产品,所有产品均具备自主产权,同时产品通过欧盟CE质量安全认证,完全满足严苛条件下的工业加工要求,是超精细加工领域的理想光源。同时通过与全球高端激光设备制造商在电子电路、硬脆材料、半导体、新能源、生命科学等领域开展紧密合作,为用户提供全面的激光技术解决方案。
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  • 本公司是一家专业从事激光产品研发的高科技公司,拥有雄厚的技术设计和生产能力,终身致力于为国内外客户提供品质优良、性能出众、价格有竞争力之产品。目前已开发出多种半导体激光产品,其中激光标线器是一种方便实用的标线工具。可广泛用于作服装钉钮点光源定位、裁布机裁布辅助标线、缝纫机/裁剪机/钉钮机/自动手动断布机辅助标线定位、裁床裁剪对格与对条、电脑开袋机标线等等。方便快捷、直观实用。。  产品主要包括:半导体激光器、激光准直光源、激光平行光管、激光标线仪、光学透镜、实验室教学光源、激光功率计等。  半导体激光器主要包括绿光(532nm)系列激光器、红光(635nm、650nm、780nm)系列激光器和红外(808nm、850nm、980nm)系列激光器。  激光准直光源主要包括:D-系列(点状光斑)激光器、L-系列(一字线)激光器、S-系列(十字线)激光器、T1-系列(功率可调)激光器、T2-系列(频率调制)激光器,P-系列(平行光管)激光器,B-系列激光标线仪。其中D-系列激光器光束发散度可达0.1mrad;L-系列激光器线宽最小可达0.3mm;调制(T2)激光器调制范围0-10KHz。P-系列激光平行光管口径可达40mm,光束发散度可达0.02mrad。  激光功率计可标定532nm、635nm、650nm、780nm、808nm、850nm、980nm、1100nm各波段,工作同时可监测电流。  我公司激光产品及光学产品可广泛应用于科研、工业、勘探、测量及医疗等领域。可以根据用户的特殊要求设计加工专用激光器及光学系统,也可以提供激光系统应用和特殊用途的批量供应。“团结、自信、坚韧、进取”是我们的企业宗旨,我们将一如既往地为用户提供高品质的产品。
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  • 苏州英谷激光有限公司坐落于苏州工业园区,公司引进美国先进的激光技术和德国严格的制造工艺,研发、制造出高品质和高稳定性的固体激光器。 公司成立于2013年,总部位于美丽的苏州工业园区,并在全国各地设有办事处,是一家集研发、生产、销售于一体的国家高新技术企业。公司现已拥有20多项发明专利,荣获 “国家高新技术企业”、“江苏省科技型中小企业”、“江苏省民营科技企业”、“苏州工业园区科技领军人才”等荣誉称号。在全体员工的不懈努力之下,英谷激光目前已颇具规模,拥有国际一流的技术研发中心,建有百级超净实验室和生产车间。公司注重技术的改进和创新,人才的引进和培养,专注自主研发,精心打造了一支由光学、电子、软件、机械等博士、硕士专业人才组成的高级研发团队,其中,研发工程师占比30%以上。公司所生产的皮秒、纳秒固体激光器,主要用于各类高端工业激光设备,尤其是基于纳秒高功率紫外和超快皮秒的激光加工设备,适用范围广阔,包括激光3D打印、PCB精密切割、手机制造、半导体、玻璃切割、太阳能电池等行业,并获得了业内和广大客户的一致好评。
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皮秒半导体激光器相关的仪器

  • 我们为您提供日本Kimmon公司和德国KLASTECH公司的全固态激光器和半导体激光器,波长涵盖:266nm,375nm,408nm,442nm,445nm,532nm,1064nm等波长可选,使用寿命甚至超过10,000小时。产品选型表:型号波长(nm)功率(mW)模态(TEM)光束直径(mm)发散角(mrad)功率稳定度(4小时)激光头尺寸(mm)DENICAFC-266-100266100001-± 2%216x80 x66KAL-15375± 515001.5× 3.51.2± 2%52× 131× 46KBL-25408± 725001.5× 3.51.2± 2%52× 131× 46KBL-50408± 750001.5× 3.51.2± 2%52× 131× 46DENICAFC-442-084428001-± 2%123× 64× 58DENICAFC-442-2044220001-± 2%123× 64× 58KCL-40445± 540001.5× 3.51.2± 2%52× 131× 46DENICAFC-488-2048820001-± 2%123× 64× 58DENICAFC-532-3053230001.5-± 2%136× 69× 64DENICAFC-532-150532150001.5-± 2%136× 69× 64DENICAFC-532-300532300001.5-± 2%136× 69× 64KDPL-Y1211064120001.27± 2%52× 171× 46KDPL-Y121L106480001.27± 2%52× 171× 46KDPL-Y2011064200001.27± 2%52× 171× 46KDPL-Y201L1064160001.27± 2%52× 171× 46SFIR-1064-5001064500001-± 2%136× 69× 66SFIR-1064-50010641000001-± 2%136× 69× 66
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  • 皮秒半导体激光器新势力光电供应皮秒半导体激光器,激光波长:375-2000nm,脉宽:25ps-1ns,峰值功率:20-1000mW。该系列皮秒半导体激光器由激光头、控制器、光学元件、温度控制器构成,光学元件包括准直模块、聚焦模块、单模光纤、多模光纤。针对特殊应用,可按需求进行定制。(皮秒固体激光器,仪器专场:)PiLasWavelength375-2000nm (options on request)Pulse Width20ps-1ns variablePulse Peak Power20-1000mWPulse Rep. RateSingle shot-120MHzOutputFree space or Fiber outputPolarization Extinction Ratio23dBTiming Jitter3ps rmsWarm-up Time5 minutesSize Laser Head95×31×147mm3Size Control Unit235×88×326mm3OptionsSingle mode or Multi mode fiber outputFiber collimator with or w/o microfoucsThermal wavelength tuningConverter TTL to NIM level for trigger-outNarrow spectral line width DFB-LaserSingle box OEM packagePiL---xWavelengthToleranceSpec. widthPulse widthPeak powerAvg power(nm)(nm)(nm)(ps)(mW)(mW)PiL037x375±105453002PiL040x405±155453002PiL044x440±205601501.5PiL047x470±105601501.5PiL048x480±105601001PiL051x510±2010801001PiL063x635±157452001.5PiL067x665±157452001.5PiL069x690±157502001.5PiL077x770±207501001PiL083x830±1510451001PiL085x850±1510501001PiL090x905±1510501001PiL106x1060±2015601001PiL131x1310±2015351000.5PiL155x 1550±201535500.5PiL199x 1990±5020200501PiL085DFBx 852±20.5901000.5PiL106DFBx 1064±20.5601000.5PiL131DFBx 1310±200.530500.5PiL155DFBx 1550±200.530500.5NotesTypical Average power for collimated beam at 100MHz. Average power depends on Rep. Rate相关商品 半导体激光二极管 皮秒激光器 半导体激光器 单纵模激光器/单频激光器
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  • ALS皮秒半导体激光器 400-860-5168转3512
    ALS皮秒半导体激光器(Picosecond gain switched laser diode module)产品简介:皮秒半导体激光器,激光波长:375-2000nm,脉宽:25ps-1ns,峰值功率:20-1000mW。该系列皮秒半导体激光器由激光头、控制器、光学元件、温度控制器构成,光学元件包括准直模块、聚焦模块、单模光纤、多模光纤。针对特殊应用,可按需求进行定制。 产品特性:l 波长范围:375nm -2uml 脉冲时间:20ps-5nsl 脉冲需求可达120 MHzl 外部激光触发l 持续可调重复频率l 低抖动l 紧凑轻巧密封OEM包装l 免维护-不需校准l 可远程控制l 高重复性,24/7工作典型参数:PiLas波长 375-2000nm脉宽 20ps-1ns 可变脉冲峰值功率 20-1000mW脉冲重复频率 单个-120MHz输出 空间光或者光纤耦合输出偏振消光比 23dB抖动 3ps rms预热时间 5 minutes激光头尺寸 95×31×147mm3控制器尺寸 235×88×326mm3可选项 单模或多模光纤输出 带或者不带聚焦的光纤准直器 热波长调节 触发的TTL和NIM转换器 窄线宽DFB及罡气 单箱 OEM 封装型号列表PiL---x 波长 公差 谱宽 脉宽 峰值功率 平均功率 (nm) (nm) (nm) (ps) (mW) (mW)PiL037x 375 ±10 5 45 300 2PiL040x 405 ±15 5 45 300 2PiL044x 440 ±20 5 60 150 1.5PiL047x 470 ±10 5 60 150 1.5PiL048x 480 ±10 5 60 100 1PiL051x 510 ±20 10 80 100 1PiL063x 635 ±15 7 45 200 1.5PiL067x 665 ±15 7 45 200 1.5PiL069x 690 ±15 7 50 200 1.5PiL077x 770 ±20 7 50 100 1PiL083x 830 ±15 10 45 100 1PiL085x 850 ±15 10 50 100 1PiL090x 905 ±15 10 50 100 1PiL106x 1060 ±20 15 60 100 1PiL131x 1310 ±20 15 35 100 0.5PiL155x 1550 ±20 15 35 50 0.5PiL199x 1990 ±50 20 200 50 1PiL085DFBx 852 ±2 0.5 90 100 0.5PiL106DFBx 1064 ±2 0.5 60 100 0.5PiL131DFBx 1310 ±20 0.5 30 50 0.5PiL155DFBx 1550 ±20 0.5 30 50 0.5Notes Typical average power for collimated beam at 100MHz. Average power depends on Rep. Rate
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皮秒半导体激光器相关的资讯

  • 我国成功研发出民用半导体激光器件
    “民用半导体激光器件我们已摆脱长期依赖进口的局面。现在,我们已经发明成功,工艺性能稳定,产品投入规模生产阶段。”1月10日,记者在山东浪潮华光公司采访,听着技术专家高兴地介绍着,看到那长长的流水线正“收获成熟的芯片”。如今,我们的企业真正拥有了世界顶尖的核心技术,产品价格大幅度下降,让“等面值人民币”买到“等面值美元”的产品不再是梦想。   民用激光显示技术能够完美地再现自然色彩,是继黑白显示、彩色显示、数字显示之后的第四代显示技术。目前,国际上激光显示技术已发展到产业化前期阶段,未来3至5年,将是全球激光显示技术产业化发展的关键时期。为加快推进光电技术研究,打破关键技术的“封锁”,我国把“新一代激光显示技术工程化开发”列为863计划重点项目,其中的“高可靠性、低成本半导体激光器材料与器件工程化开发”课题让山东浪潮华光光电子有限公司所承担。   浪潮华光是国内唯一一家拥有从激光器材料生长到器件制作的完整生产线的高新技术企业,自1999年建厂以来,其半导体激光二极管及大功率激光器的产销量持续稳居国内第一。为推进课题进展,浪潮华光组建精英团队,加速科研攻关。公司成立了由总经理、国务院特殊津贴专家郑铁民研究员担任组长的项目小组,调动公司所有资源,完善了科研团队建设,从半导体激光器的材料生长、管芯工艺制作、器件封装等整个制造工艺链均配备了专业人才。组建了以长江学者徐现刚教授为学术带头人的研发团队,有研究员、高级工程师和博士、硕士等80余人。强大的科研团队借助公司已有的省级半导体激光器技术实验室、山东省半导体发光材料与器件工程实验室等科研平台,开展了技术攻关。   期间,在徐现刚教授的引领下,技术总监夏伟博士组织浪潮华光的精英团队成员,集思广益,刻苦钻研,成功实现了三大关键技术突破:一是TM偏振808nm半导体激光器外延材料与芯片研制。围绕实现项目要求的特定偏振激光输出,项目组从理论设计激光器的材料结构开始,进行了系统的研究,有效采用了MOCVD技术制备这种特殊材料,加快了科研步伐。目前,该技术世界上只有为数不多的几个大公司掌握。通过5个月的努力,浪潮华光成功掌握了自主生长技术,满足了项目需求。二是635nm激光器外延材料与芯片研制。为了增加红光分量的亮度,激光显示项目在红光波段选择了波长最短的635nm半导体激光器。浪潮华光在650nm半导体激光器方面积累了丰富经验,形成了稳定的650nm半导体激光器产品,占据市场70%的份额。虽然635nm激光器相比650nm红光激光器只有十五纳米的波长差异,但是其带来的技术难题却成几何级数增长。目前,只有日本的几家公司掌握了635nm激光器的制作技术。浪潮华光研发团队经过上千次的试验,最终突破了635nm红光激光器材料的生长技术难点,实现了红光激光器的大功率输出和长期可靠工作。三是模组封装及集成技术。浪潮华光的封装技术人员克服时间紧任务重的困难,与863项目的用户积极配合,实现了高精度多管芯封装技术、新型热沉制作技术、微透镜整形技术等多项自主创新技术,完成了项目要求的模组封装和整形。   目前,针对所承担的“863”项目,浪潮华光已成功研制出满足激光显示工程化要求的808nm、635nm高可靠性、低成本半导体激光器件,并已经初步实现了规模化的生产。从目前的科研和生产进度上看,浪潮华光有望提前全面完成项目预定任务,并能实现批量提供民用激光显示用激光光源的目标,将会大大降低激光器的价格,并带动国内激光器应用市场的发展和更加广泛的应用,实现了“替代进口产品、提高我国半导体激光器的地位、实现激光器显示用核心元器件国产化”的梦想,让该公司产品在国际激光显示产业中独占鳌头。
  • 聚焦半导体激光器,华光光电获兴证资本投资
    9月29日,兴证创新资本发布消息称,兴证资本旗下基金近日完成了对山东华光光电子股份有限公司(以下简称“华光光电”)的投资,投资细节未披露。华光光电成立于1999年,是国内规模较大的半导体激光外延材料生长、芯片制备及器件封装为核心产品的高新技术企业。作为国内较早引进生产型MOCVD设备进行半导体激光器研发和生产的高新技术企业,华光光电拥有国内规模较大的激光外延片、芯片、器件、模组及应用产品一条龙生产线,产品从毫瓦级到千瓦级,波长覆盖紫光波段到近红外波段,多项成果达到世界领先水平,是国际上极少数具有研发实力、并能量产高功率半导体激光器芯片及器件的公司之一。随着研发实力的不断提升,华光光电自2008年以来,先后获批山东省重点实验室、山东省工程实验室、山东省工程技术中心、山东省企业技术中心、山东省协同创新中心等一系列省级研发创新平台、国家级企业技术中心,并在今年8月份凭借在半导体激光器领域的领先技术、行业专业定位及发展潜力等优势,获批2022年度国家级专精特新“小巨人”企业。
  • 新型半导体激光器成功解决激光成像“光斑”问题
    美国耶鲁大学的科学家开发出一种新的半导体激光器,成功解决了长期困扰激光成像技术的&ldquo 光斑&rdquo 问题,有望显著提高下一代显微镜、激光投影仪、光刻录、全息摄影以及生物医学成像设备的成像质量。相关论文发表在1月19日出版的美国《国家科学院学报》上。   物理学家组织网1月20日报道称,全视场成像应用近几年来已经成为众多研究所关注的焦点,但光源问题却一直未能得到解决。这项由耶鲁大学多个实验室合作完成的项目成功破解了这一难题,为激光成像技术大范围的应用铺平了道路。   耶鲁大学物理学教授道格拉斯· 斯通说,这种混沌腔激光器是基础研究最终解决实际应用问题的一个典型范例。所有的基础性工作,都是由一个问题驱使的&mdash &mdash 如何让激光成像技术更好地在现实中获得应用。最终,在来自应用物理、电子学、生物医学工程以及放射诊断等多个学科的科学家努力下,这一问题得到了解决。   此前,科学家们发现激光在成像领域极具潜力。但&ldquo 光斑&rdquo 问题却一直困扰着人们:当传统激光器被用于成像时,由于高空间相干性,会产生大量随机的斑点或颗粒状的图案,严重影响成像效果。一种能够避免这种失真的方法是使用LED光源。但问题是,对高速成像而言,LED光源的亮度并不够。新开发出的电泵浦半导体激光器提供了一种不同的解决方案。它能发出十分强烈的光,但空间相干性却非常低。   论文作者、耶鲁大学应用物理学教授曹辉(音译)说,对于全视场成像,散斑对比度只有低于4%时才能达到可视要求。通过实验他们发现,普通激光器的散斑对比度高达50%,而新型激光器则只有3%。所以,新技术完全解决了全视场成像所面临的障碍。   论文合著者、放射诊断和生物医学助理教授迈克尔· 乔马说:&ldquo 激光斑点是目前将激光技术用于临床诊断最主要的障碍。开发这种无斑点激光器是一项极其有意义的工作,借助这一技术,未来我们将能开发出多种新的影像诊断方法。&rdquo

皮秒半导体激光器相关的方案

皮秒半导体激光器相关的资料

皮秒半导体激光器相关的论坛

  • 氦氖激光器与半导体激光器的性能有何差异?

    [font=宋体]同样作为激光器,氦氖激光器稳定性比普通半导体激光器的稳定性更高,主要原因在于激光器受温度影响,激光波长会发生偏移,氦氖激光器的温度稳定度相比半导体激光器更稳定,受环境影响更小。[/font]

  • 【转帖】He-Ne激光器与半导体激光器

    半导体激光器又称激光二极管(LD),是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性高、使用寿命长、功耗低,此外半导体激光器是采用低电压恒流供电方式,电源故障率低、使用安全,维修成本低等。因此应用领域日益扩大。目前,半导体激光器的使用数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域过去常用的其他激光器,已逐渐为半导体激光器所取代。它的应用领域包括光存储、激光打印、激光照排、激光测距、条码扫描、工业探测、测试测量仪器、激光显示、医疗仪器、军事、安防、野外探测、建筑类扫平及标线类仪器、激光水平尺及各种标线定位等。以前半导体激光器的缺点是激光性能受温度影响大,光束的发散角较大(一般在几度到20度之间),所以在方向性、单色性和相干性等方面较差.但随着科学技术的迅速发展,目前半导体激光器的的性能已经达到很高的水平,而且光束质量也有了很大的提高.以半导体激光器为核心的半导体光电子技术在21 世纪的信息社会中将取得更大的进展,发挥更大的作用。 在气体激光器中,最常见的是氦氖激光器。1960年在美国贝尔实验室里由伊朗物理学家贾万制成的。由于氦氖激光器发出的光束方向性和单色性好,光束发散角小,可以连续工作,所以这种激光器的应用领域也很广泛,是应用领域最多的激光器之一,主要用在全息照相的精密测量、准直定位上。He-Ne激光器的缺点是体积大,启动和运行电压高,电源复杂,维修成本高。

  • 半导体激光器的优点和缺点

    半导体激光器又称激光二极管(LaserDiode,LD),是二十世纪八十年代半导体物理发展的最新成果之一。半导体激光器的优点是体积小、重量轻、可靠性好、使用寿命长、功耗低。此外,半导体激光器采用低电压恒流供电方式,电源故障率低、使用安全,维修成本低。目前,半导体激光器的使用数量居所有激光器之首,某些重要的应用领域,过去常用的其他激光器,已逐渐被半导体激光器所取代。此外,半导体激光器品种繁多,既有波长较长的红外、红光,也有波长较短的绿光、蓝光,可以利用这些优势拓展激光粒度仪的测量范围, 提高测量精度。早期的半导体激光器激光性能受温度影响大,光束的发散角也大( 一般在几度到 20 度之间 ),所以在方向性、单色性和相干性等方面的性能并不理想。但随着科学技术的迅速发展,目前半导体激光器的的性能已经达到很高水平,光束质量也有了很大提高,因此世界上大多数品牌的激光粒度仪都使用半导体激光器做为光源,半导体激光器用作激光粒度仪的光源时,在控制电路上须采取恒流和恒温措施,以保证输出功率的稳定。

皮秒半导体激光器相关的耗材

  • 半导体激光器电源
    ?这款高功率半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源是专业为高功率激光二极管或DPSSL而设计的激光二极管电源。半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源,激光二极管电源可提供高达10A的电流,并具有Peltier半导体制冷的控制功能,紧凑设计,具有广阔的通用性。半导体激光器电源并提供LD保护功能,使得电流缓慢上升 (软启动功能),具有限制电流,限制温度以及过热保护的功能。领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪!半导体激光器电源,半导体激光器驱动电源,激光二极管电源电源参数Laser diode current source current range0.4 to 10 ALaser diode current increment/decrement step0.004 ALaser diode voltage limit range1.5 to 3 VLaser diode voltage limit increment/decrement step0.001 VNTC (termoresistor) value @25degC10 kOhmTEC driver current (each channel)up to 4 AExternal power supply voltage100-240 V AC to +5 V DCInternal pulse generator frequencies (effective only on ALTx10A-2TEC-LCD-Modulation (OEM version))single shot - 1kHz - 2kHz - 5kHz - 10kHz, other upon requestDimensions126.7mm x 51mm x 18.5mm*******************************************************************LD current modulationAs optional accessoryModulation frequencyfrom Single Shot to 500kHzCurrent Rise/Fall time1usExternal TTL trigger signal0-5 V
  • 可调谐半导体激光器
    TEC-500/TEC-520可调谐半导体激光器TEC-500/TEC-520外腔半导体激光器的外腔结构为Littman/Metcalf,输出功率可达100mW以上,窄线宽,无模跳调节范围大。完整的系统易于用户使用和掌握。波长范围:635nm-1690nm光学功率高:输出功率可达150mW优秀的量子效率光纤耦合效率高 良好的调谐特性:使用内部增透涂层激光二极管通过分辨率高于1MHz的压电致动器微调在780nm或830nm处,手工粗调可达30nm无模跳调谐范围大,可达100GHz以上窄线宽:线宽300kHz优秀的边模抑制50dB优秀的频率锁定功能:高共振自由压电调节电流调制高频激光优秀的温度稳定性低噪声敏感性良好的长期锁定稳定性高灵活性:自由选择光束与光纤耦合方式通过远程软件控制自动波长扫描恒电流和恒功率运行模式(可选)优良的激光性能和频率稳定性即插即用配置:模块化激光系统设计自动压电调谐通过GPIB,RS232和USB远程控制应用:光谱和光学过程控制太赫兹种子激光发生器光学冷却和捕捉,BEC绝对距离干涉激光和OPO种子光非线性光学工艺光纤系统表征规格:
  • 375nm紫外半导体激光器
    所属类别: ? 激光器 ? 半导体激光器/固体激光器(CW)所属品牌:法国Oxxius公司法国Oxxius专业提供LaserBoxx系列高性能高稳定型连续输出375nm激光器,功率稳定性± 0.5%,光学噪声 0.5%,光束质量小于1.35,调制频率可达20MHz。是荧光激发、光致发光、全息存储、生物检测、共聚焦显微、材料分析等领域性价比极高的产品!
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