热真空系统

热真空系统NDT-4000热真空系统概述：NDT-4000是NANO-MASTER器件测试系统，用于极真空及可控均匀的加热和冷却循环套件下测试器件或样品。该系统具有计算机控制、安全连锁，以及多级密码授权访问保护的功能。它可以用于超过24小时的圈子全自动热、冷循环情况下测试器件/样品，温度条件通过程序定义。该系统最通常的应用之一是太空模拟。系统腔体的大致尺寸为：直径24"，长度43"。带有一个16"x32"的滑动加热平，可以冷却到零下100摄氏度。热真空平台也可以加热到150摄氏度，具有高度的均匀度。在去边75px后整个平台的温度均匀度可达+/-1摄氏度。加热平台安装在滚轴上，可以方便拉出最大到75%的长度，腔体提供20个RF连接头，尺寸为2.92mm，可以支持高达40GHz的频率。腔体的两侧分别有一个50针的引线。真空系统包含HiPace1200（1000 L/s抽速）涡轮分子泵以及一个ISP500干泵，系统的极限真空可达7x10-8Torr，20分钟内可达到10-6Torr级别。另外，我们可以根据客户需要提供定制的引线、额外的仪器法兰以及真空泵升级等。 NDT-4000热真空系统应用：Device Testing in Temperatures -100 0C to 150 0C in Extreme Vacuum for Space Simulation用于模拟太空环境极真空下温度从-100 0C 到 150 0C情况下的器件测试 NDT-4000热真空系统产品特点： Controllable uniform heat and cold cycle conditions 可控的均匀加热行业冷却循环条件 Computer controlled 计算机控制 Safety interlocks 完整的安全联锁 Multiple levels of access with password restrictions 4级密码访问保护 Chamber size is 43” in length and 24” in diameter 腔体尺寸43”长，24”直径 Sliding thermal platform of 16” x 32” cooled to -1000C 滑动式加热平台的面积为16”x32”，可冷却到-1000C Thermal platform can also be heated to 1500C with 3 cm exclusion zone around the edges achieving the uniformity of ±10C throughout the platform 热平台可加热到1500C，去边75px后平台的热均匀度可达±10C Thermal platform is mounted on rolls so that it can be pulled out to 75% of its length for loading devices/samples 热平台安装在滚动轴上，可以拉出总长度的75%，便于器件/样片放置取出 Chamber has a provision of 20 RF connectors 2.92mm size which can hold up to 40 GHz of frequency 腔体提供20个RF连接器，尺寸为2.92mm，可以支持到40GHz的频率 Two 50 pin DC feedthroughs are also provided on either sides of the chamber 提供2个50 pin的DC直流引线，分别位于腔体的两端 Vacuum system consists of turbo molecular pump and dry scroll pump 真空系统包含涡轮分子泵和干泵 Base pressure 7 x 10-8 Torr, 10-6 Torr range in less than 20 minutes 极限真空7x10-8Torr，20分钟以内可以达到10-6Torr级别 Custom feedthroughs 可根据客户需要提供引线定制方案 Additional instrumentation flanges and pump upgrades can be done upon request 可根据用户需要提供额外的仪器法兰及真空泵升级 NDT-4000热真空系统软件： 实时温度曲线 程序开发 全自动抽真空及卸压 全自动温度控制 实时涡轮速度、系统真空和温度监控 两个Excel表的数据记录用于评估 NDT-4000热真空系统厂务要求： 主腔体尺寸为：50"Hx50"Wx26"D 制冷单元尺寸为：67"Hx36"Wx26"D 制冷单元变压器：27"Hx23"Wx15"D 电源要求：380V，3相交流电，35A/相 主系统冷却水：20-30PSI，1.5gpm流速 冷却单元冷却水：20-30PSI，5gpm流速 N2：80PSI

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成。该系统可与手套箱对接。2.设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等域。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等。3.真空室：真空室结构:方形开门真空室尺寸:400×400×450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:3个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:4寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成。2.产品应用：在实际应用中，这种系统常用于半导体、光电子、有机电子等域，用于制备各种有机薄膜、金属薄膜或复合薄膜，以满足不同器件和材料的研究与开发需求。3.真空室:沈阳科学仪器的高真空有机及热阻蒸发薄膜沉积系统 DZ350的详细介绍可能因具体型号和配置而有所不同真空室结构:U形开门真空室尺寸:φ350×400mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:2个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:50mmx50mm，1片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:采用先进的控制系统，方便用户设置和调整工艺参数，如蒸发温度、沉积时间等。手动：样品台：拥有可旋转或可移动的样品台，以便均匀沉积薄膜。工艺:不含工艺

美Nano-master 热真空太空模拟系统 NDT-4000NDT-4000是一款器件测试系统，俗称“热真空系统”,可以用于极真空和可控的均匀加热以及冷却循环条件下的器件或样片测试。系统配置计算机控制，安全联锁和多级密码授权访问限制。该系统可以用于带自动加热和冷却循环下的器件/样片测试，循环周期的时间可以超过36个小时，并通过工艺菜单定义温度的变化状况。 该系统最常见的应用是太空仿真。腔体尺寸大约为43”长24”直径。16”x32”滑动式热平台可以在整个表面积上实现±1°C的控制，而温度范围可从-100°C到150°C。该平台安装在滚轴上可以拉出75%的长度用于放/取器件或样片。 腔体提供4个8”的CF法兰，可以用来装配客户定义的密封件，用于安装数字或模拟通讯，温度测量，功率，RF，以及其它仪器的需要。 标准的真空系统包含1个1200L/Sec的涡轮分子泵和一个680L/min的干式前级泵。系统的极限真空可达到7x10-8 Torr，并且在20分钟以内达到10-6Torr量级。特点：** 24"x43" 水平圆柱形腔体** 快速加热和冷却** 16"x32"加热平台** 温度在-100°C到150°C范围的控制精度在±1°C以内** 密封制冷系统消除了大部分其它系统所使用的液氮消耗成本** 1200L/Sec的涡轮分子泵，串接680L/min干泵** 极限真空7x10-8 Torr，20分钟内达到10-6Torr量级** 自动腔体真空调节** 基于计算机的全自动工艺控制，菜单驱动** 腔体预留4个8”CF法兰共扩展** 支持客户定义的扩展支持** 安全联锁选配：** 更大腔体支持更大尺寸的器件或样片** 不同的泵组配置** 客户定制的扩展，如温度，功率，RF等的探测应用：** 纳米卫星或微型卫星** 模拟太空环境器件测试(温度从-100 °C to 150 °C的极真空)

1. 产品概述：主要由蒸发真空室、e 型电子枪、热阻蒸发组件、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、安装机台及电控系统等部分组成，具备自动控制软件系统。2. 设备用途/原理：沈阳科仪 DZS500 系统用途广泛。电子束蒸发可以蒸发高熔点材料，比一般电阻加热蒸发热效率高、束流密度大、蒸发速度快，制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可以较准确地控制，可以广泛应用于制备高纯薄膜和导电玻璃等各种光学材料薄膜。在科研领域，它常用于材料研究和新型器件的开发；在工业生产中，可用于大规模制造高质量的薄膜产品。例如，在制造液晶显示器的导电薄膜时，能够保证薄膜的导电性和均匀性，提高产品的性能和质量。3. 特色参数：o 真空室结构：采用 U 形前开门。o 真空室尺寸：500x500x600mm。o 极限真空度：≤6.67e-5Pa。o 沉积源：4 个 11cc 坩埚。o 样品尺寸与温度：可放置 φ4 英寸的 1 片样品，最高温度可达 800℃。o 占地面积：约 2.7 米 x1.7 米 x2.1 米。o 电控描述：全自动。o 工艺：片内膜厚均匀性≤±3%。 o 特色参数：样品可自转，转速可调。4. 设备特点沈阳科仪 DZS500 系统的真空室具有一些显著特点。其极限真空度表现出色，通常能够达到≤6.67×10⁻ ⁵ Pa（经烘烤除气后）。停泵关机 12 小时后，蒸发室真空度≤5Pa，这表明其真空保持能力较强。真空室的结构通常为 U 形前开门，尺寸一般为 500×500×600mm。这种设计不仅方便操作，还有利于维持真空环境的稳定性。在实际应用中，良好的真空室特点能够为薄膜沉积提供高质量的真空条件，减少杂质和气体对薄膜质量的影响。比如在制备高精度光学薄膜时，稳定的真空环境能够确保薄膜的均匀性和纯度。

加拿大Resonance有限公司的传输和反射评估系统设计是将真空紫外线(VUV)或者紫外线(UV)辐射到目标样品，测量目标的反射、传输。 该系统包括了一个从115纳米到400纳米的氘灯，一个200毫米的焦距的真空单色仪，带有PC控制的马达驱动器，一个可以从115到320纳米的光管(PMT)，LabviewTM软件和控制器。系统组成氢光源该系统有一个resonance公司提供.，D2ArCM L氢光源，提供的辐射范围从115纳米到400纳米，光子流量大约为2 x 10E15个光子/秒/str。这盏灯是用一个SMA螺纹适配器安装的，它位于单色仪的入口狭缝处。 单色仪Resonance VM200 扫描单色仪 VM200单色仪(真空单色仪有200毫米焦距)包含一个凹的全息光栅，它有一个vuv/uv增强的氟化镁涂层，这个光栅有以下规格:No. of lines/mm: 1200 l/mmSize: 40 x 45 mmF #: 4.2Input focal distance: 200 mm Output focal distance: 187.9 mm Deviation angle: 64 degreesCoating: Al/MgF2 optimized for 100 to 300 nmSpectral range of best operation: 115 – 300Total spectral Range: 25 to 1000 (gold coating recommended below 100 nm) 光栅是用一个绝对编码的等级驱动器(AEGD)旋转的。它安装在一个桶里(光栅是用户可互换的)，并且光谱仪有两个长臂，在末端安装了入口和出口长度可调节的缝。 PMT台

产品名称:热真空试验箱产品编号:GZKD2012-11-26 13:26:39设备特点:热真空试验舱由真空容器、热沉、真空泵组、冷却系统、加热系统、控制及数据采集系统及其他特殊需求的机构组成。设备采用模块化设计，可以根据不同的试验需求所组合为最适用于用户的个性化试验装置。独特的程序化控制单元设计，具有灵活的控制功能，对于典型的试验完全实现了真正意义的自动化控制。 *设备特点真空泵组所用的真空泵和各种配件均采用国际知名品牌设备，确保设备在整个工作使用范围内均能高效、稳定地运行；高强度、高可靠性的结构设计和热沉设计- 确保了设备的高可靠性；专门定制的高强度 氟橡胶 密封条 – 确保了设备大门的高密封性；多种可选功能（测试电缆接口、记录仪等）保证了用户多种功能和测试的需要；环保型制冷剂 –确保设备更加符合您的环境保护要求； *可根据用户要求定制尺寸/定制使用指标/定制各种选配功能 *温度控制可实现温度定值控制和程序控制；全程数据记录仪（可选功能）可以实现试验过程的全程记录和追溯；每台真空泵和压缩机均配置过流（过热）保护/加热器设置短路保护，确保了设备运行期间的高可靠性；USB接口、以太网通讯功能，使得设备的通讯和软件扩展功能满足客户的多种需要；真空泵、制冷及电控关键配件均采用国际知名品牌产品，使设备的整体质量得到了提升和保证；

德国韦氏纳米系统专门为大学，研究机构提供了一系列高真空/超高真空桌面型热蒸发镀膜工艺平台。特征：All in One 桌面型紧凑设计模块化易于操作灵活性高满足不同的要求的薄膜工艺VapourStation 高真空型-高真空 可切换换源夹紧系统NanoSphere扩展型--超高真空PicoSphere加强型-近超高真空 我公司专业销售高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品，并提供产品的售前售后服务，如您对高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品感兴趣，欢迎前来咨询！

热真空试验舱主要用于航空、航天、信息、电子等领域，确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备在低气压、高温、低温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验，并或同时对试件通电进行电气性能参数的测量，采用整体式组合结构形式，试验箱由位于前部的保温箱体（承压结构）、位于后部的制冷、真空机组和位于试验箱大门上的电器控制器（系统）组成。型号 HS系列品名热真空试验舱尺寸根据要求定做测试范围－70℃～150℃。【可根据要求定做】真空范围A、1×10-3Pa B、1×10-5Pa C、1×10-7Pa 升降温速率≥1℃/min仪表解析精度温度：0.1℃ 真空度：0.1Pa仪表控制精度温度：±0.5℃ 波动度≤±0.5℃温度均匀度±5.0温度偏差≤±2℃漏气率漏气率：≤1.3*10-10Pa.m3/秒。（工作室在0.7个大气压的情况下保压一个小时，工作室内压力上升、下降不超过0.04个大气压。）真空抽气时间常压至工作压力≤60min（注 1×10-3Pa 空载）热沉表面温度≤200K

热真空试验舱主要用于航空、航天、信息、电子等领域，确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备在低气压、高温、低温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验，并或同时对试件通电进行电气性能参数的测量，采用整体式组合结构形式，试验箱由位于前部的保温箱体（承压结构）、位于后部的制冷、真空机组和位于试验箱大门上的电器控制器（系统）组成。型号 HS系列品名热真空试验舱尺寸根据要求定做测试范围－70℃～150℃。【可根据要求定做】真空范围A、1×10-3Pa B、1×10-5Pa C、1×10-7Pa 升降温速率≥1℃/min仪表解析精度温度：0.1℃ 真空度：0.1Pa仪表控制精度温度：±0.5℃ 波动度≤±0.5℃温度均匀度±5.0温度偏差≤±2℃漏气率漏气率：≤1.3*10-10Pa.m3/秒。（工作室在0.7个大气压的情况下保压一个小时，工作室内压力上升、下降不超过0.04个大气压。）真空抽气时间常压至工作压力≤60min（注 1×10-3Pa 空载）热沉表面温度≤200K

热真空试验舱主要用于航空、航天、信息、电子等领域，确定仪器仪表、电工产品、材料、零部件、设备在低气压、高温、低温单项或同时作用下的环境适应性与可靠性试验，并或同时对试件通电进行电气性能参数的测量，采用整体式组合结构形式，试验箱由位于前部的保温箱体（承压结构）、位于后部的制冷、真空机组和位于试验箱大门上的电器控制器（系统）组成。型号 HS系列品名热真空试验舱尺寸根据要求定做测试范围－70℃～150℃。【可根据要求定做】真空范围A、1×10-3Pa B、1×10-5Pa C、1×10-7Pa 升降温速率≥1℃/min仪表解析精度温度：0.1℃ 真空度：0.1Pa仪表控制精度温度：±0.5℃ 波动度≤±0.5℃温度均匀度±5.0温度偏差≤±2℃漏气率漏气率：≤1.3*10-10Pa.m3/秒。（工作室在0.7个大气压的情况下保压一个小时，工作室内压力上升、下降不超过0.04个大气压。）真空抽气时间常压至工作压力≤60min（注 1×10-3Pa 空载）热沉表面温度≤200K

高真空热蒸发镀碳仪全自主支持产权，效率更高、颗粒更细，膜厚更均匀。适用于EDS样品制备；EBSD样品制备；MLA系统样品制备；其它需要制备碳膜的领域。全自主支持产权效率更高、颗粒更细，膜厚更均匀应用领域：1、EDS样品制备2、EBSD样品制备3、MLA系统样品制备4、其它需要制备碳膜的领域技术参数：人机界面7英寸TFT彩色液晶触摸屏蒸发源高纯碳纤维（选配碳棒）蒸发源数量1-4根（更多请咨询厂家）工作模式连续、脉冲操作方式全自动一键操作真空系统涡轮分子泵+旋片泵极限真空≤5E-3Pa工作真空＜0.1Pa抽气节拍＜3分钟真空室~φ170×130mm其它样品台旋转、样品温度检测、蒸发除气等

Telstar集团于1963年成立于西班牙的特拉萨巴塞罗那，在真空和热控制相关领域已经有超过50年的经验，从卫星整机到卫星上小的电子组件，Telstar的热真空箱都可以满足客户对温度范围、加热/制冷速率等的苛刻要求，并同时根据客户的要求作出灵活的特定设计。应用：Telstar的热真空测试系统的设计和制造满足洁净室的要求。可对应用于太空中的各种硬件类型进行测试：&bull 组件和子组件&bull 电子设备和其子系统&bull 太阳能电池板&bull 天线&bull 光学系统&bull 整颗卫星真空系统真空泵组根据腔体的尺寸、抽真空速度和极限真空要求进行设计，对于大多数应用操作压力10-6mbar都是足够的。初真空系统由旋片泵配罗茨风机 (可选干泵)、高真空系统由分子泵或低温泵组成，冷板为选件。真空的测量由紧凑型电容压力传感器、皮拉尼和离子规实现。热控制组件基于客户对样品支撑台及热沉的要求，Telstar 提供各种不同设计的热控制系统：&bull 经济型运行成本方案：提供基于硅油控温的热控制组件 (机械制冷或者液氮制冷)，温度范围-90Cº 到+150Cº &bull 如果要求更广的温度控制范围：可提供基于循环液氮 (单向流) 的经济型设备成本方案&bull 如果要求设备外观设计更加集成紧凑：压缩气氮循环方案是最好的选择&bull 开环液氮系统：通过控制加入的液氮的量来达到降温的效果，通过电加热或灯加热来达到升温的效果&bull 压缩气氮系统：通过控制整个循环内气氮的密度，使得稳态及升降温状态下都获得很好的温度均匀性热沉为了适应腔体不同的几何形状和尺寸，Telstar 提供几种不同的热沉设计以确保高的吸热率及光学特性。热沉内部喷涂黑色涂层，对太阳光的吸收系数为0.9。热沉外部镜面抛光，反射率为0.1。Telstar 可以提供挤压铝合金带通气孔热沉或者双压花不锈钢热沉。控制系统Telstar 热真空控制系统采用最先进的PLC控制系统，符合最高质量标准的要求。PLC可以采用自动操作方式，包含视觉和听觉双重标志、报警、紧急停机按钮和自动数据存储。同时还可以允许手动操作, 可以通过触摸屏对配方及参数进行修改。可选配SCADA操作系统，通过计算机远程监视并存储各种参数，以及在操作过程中发生的事件。目前已在欧洲、美国、印度、俄罗斯、新加坡等多个国家的航天部门交付多台设备，高低温环境试验箱在中国航天领域也已有多个定制设备案例。部分客户：&bull ISISPACE 荷兰&bull APOGEOSPACE 意大利&bull LUNAR SPACE 卢森堡&bull NANOAVIONICS 立陶宛&bull AXIOM SPACE 美国公理航天公司&bull DHV Technology&bull Arquimea 美国&bull UAE University – NSSTC National Space Science and Technology Center 阿联酋&bull NSPO National Space Organization 中国台湾太空中心&bull 中国电子科技集团&bull 南洋理工大学&bull 中国空间电子信息技术研究所&bull OSTEC ENTERPRISE LTD. MNIIRS&bull ST ELECTRONICS 新加坡&bull OSTEC ENTERPRISE LTD. RADIS 俄罗斯&bull ISRO COMNAVAC印度国家空间研究组织 &bull LORAL 空间系统项目 美国&bull INTA – LINES -MADRID 西班牙&bull THALES Alenia Space 泰雷兹拉空间&bull NATIONAL INSTITUTE FOR AEROSPACE TECHNOLOGY - (INTA) 国家航空航天研究所&bull ISISPACE技术参数：&bull 外形：水平设计、垂直设计等&bull 腔体尺寸：从0.9米直径到 7.5米以上直径，根据用户要求定制&bull 真空度： 1x10-5 mbar&bull 温度范围： –180℃ 到 +180℃ 多种温度范围&bull 热系统：液氮系统、气氮系统、硅油系统等多种&bull 热控制单元：单个、2个、6个、8个以上热控制单元，每个热控制单元可单独控温&bull 导热层加热冷却速率： 1℃/min&bull 导热层温度均匀性：2℃&bull 特殊设计： - 工作台面：光学桌子 - 透波腔体等

VS-1 真空吹氮热封仪的特点：VS-1 真空吹氮热封仪是专为医疗设备行业开发的热封试验仪。这个仪器的特点是可以提供氮气吹扫，同时可对医疗设备包装袋内袋进行抽真空处理。 产品特点：VS-1型真空吹氮热封仪具有一个独立的控制塔连接到控制屏进行显示和控制。操作者可在控制屏上设置参数，并操作氮气冲洗、抽真空和热封操作。控制屏可显示并控制所有的参数包括：温度、热封条的压力,保压时间,真空冲洗周期,抽真空周期,循环周期和密封袋数量；同时可设定温度和压力的限位报警。仪器下部装有可以移进移出的托盘机械装置可以方便地装样品袋。机器可设定无限次的测试循环，以保证测试的一致性和可靠性。VS-1 真空吹氮热封仪的参数：样品袋尺寸最小125mm x 200mm ，最大300mm x 350mm。样品袋材料透气性材料或薄片热封间隙样品袋开口处至少25mm温度控制PID自动调节控制温度范围上部热封条温度：室温到300℃，精准度±2℃；底部热封条温度：室温到100℃，精准度±5℃。热封条上部热封条采用铝制聚四氟乙烯涂层，400mm x 10mm；底部热封条采用邵氏硬度60硅橡胶，400mm x 20mm。压力控制通过电压调压器压力范围需提供洁净且干燥的压缩空气90-115psi；夹具压力0-120psi，精准度±2psi。保压时间范围:0到30秒；分辨率±0.1秒气体冲洗氮气或二氧化碳最大30 psi；电子传感器检测气体的存在；周期可以选为1 到3个周期开或关。真空系统气体流量阀控制真空抽出气体；可以设置包含或排除循环；可设置定时；同时在操作进行时进行局部抽真空；抽真空的效率可达压缩空气供给的90%。夹具氮气冲洗夹具宽度小于样品，在氮气冲洗的过程中用于固定样品不被吹走；抽真空循环中夹具宽度大于样品用于密封外界空气。托盘用于托住样品同时抑制样品袋的膨胀；可调式样品夹条可保证样品对齐。报警温度报警：低/高0-20oC；压力报警：低和高可选；冲洗气体最小压力报警。安全保护后面,前面,托盘盖子都装有微动开关。循环控制两个按钮同时按下才能开始。密码保护密码保护设置、校准。规格尺寸热封单元450 mm x 600 mm x 450 mm；控制塔400 mm x 400 mm x 500 mm；总重量65公斤。电源240V,50 Hz，1200VA(110V可选)环境要求环境温度5-50℃,环境相对湿度小于RH75%（不结露）

热真空释气筛选仪是用于确定新材料的出气特性(ASTM E595或ASTM E1559)。Pre-Tester有一个简单的设计，允许您快速确定该材料的适用性，以进行进一步的分析。直径为1″英寸的不锈钢板或玻璃板(25℃水冷)用作挥发物收集器。样品加热(125℃或高温150℃、200℃等)采用筒式电加热。容积为1L的真空室，压力达到为10-5Pa。这个快速出气特性筛选分析的时间不超过一个小时。

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的薄膜制备设备，它结合了化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下，通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体，使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域，用于制备多种功能薄膜。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等，提高器件性能。光伏产业：制备太阳能电池板中的透明导电膜（TCO）、减反射膜等，提升光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏中制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等。储能材料：制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料，提高能量密度和循环稳定性。3. 设备特点1 高真空环境：确保沉积过程的纯净度和薄膜质量，减少杂质污染。2 等离子体增强：提高气体分子的活化能，降低反应温度，促进化学反应速率，有利于制备高质量薄膜。3 薄膜均匀性：通过优化气体流动和等离子体分布，实现薄膜厚度的均匀控制。4 灵活性高：可根据需要调整沉积参数（如气体种类、流量、压力、温度等），制备不同成分和结构的薄膜。5 自动化程度高：集成先进的控制系统和监测设备，实现自动化操作和实时监控，提高生产效率和产品质量。4 设备参数真空室尺寸:φ400x300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高600℃占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定特色参数:设计待定

简介1200℃低真空CVD系统是由滑动式管式实验电炉，混气系统，真空及压力系统等组成。此系统烧结温度可达1200℃，通过滑动炉体来实现快速的升降温；配置不同的真空系统来达到理想的真空度；同时通过三路高精度质量流量计控制不同气体。是为石墨烯生长、研发的专用炉，也同样适用于要求升降温速度比较快的CVD实验。主要技术参数炉体结构整机采用SUS304不锈钢材质，流线型外观，断热式结构；日本技术真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，保温性能好；炉子底部装有一对滑轨，移动平稳；炉子可以手动从一端滑向另一端，实现快速的加热和冷却；支撑两端安装油压缓冲器；炉盖可开启，可以实时观察加热的物料尺寸重量1240*600*1340mm；170kg电源电压：AC220V 50/60Hz；功率：4KW炉管高纯石英管，高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小；尺寸：Φ60/80/100*1200mm法兰及支撑SUS304不锈钢快速法兰，通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空；一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷；可调节的法兰支撑，平衡炉管的受力支撑；包含进气、出气、真空抽口针阀，KF密封圈及卡箍组合。 加热系统加热元件采用优质合金丝，表面负荷高、经久耐用； 加热区长度：300mm；恒温区长度：150mm； 工作温度：≤1150℃； 最高温度：1200℃； 升温速率：推荐≤10℃/min，最快升温速度30℃/min温控系统日本富士仪表，64段控温程序，可分步、分段； 测温元件：N型热电偶； 控温精度：±1℃混气系统三路质量流量计：数字显示、气体流量自动控制内置不锈钢混气箱，每路气体管路均配有逆止阀管路采用不锈钢管，接口为Φ6卡套每路气体进气管路配有不锈钢针阀通过控制面板上的旋钮来调节气体流量流量规格：0~1SLM 流量精度：±1.5%真空系统采用双极旋片真空泵，真空度可达10Pa 可选配件高真空系统，各种刚玉、石英坩埚，石英管，计算机控制软件保修期整机一年保修（相关耗材除外）可根据客户要求定制！特色与优势1.滑动式炉体结构实现快速升降温；2.开启式炉盖设置，降低沉积温度、加快沉积速度；3.日本富士温控仪表，64段控温程序，可分布，分段，三路质量流量计，数字显示精确控制气体流量；4.双极旋片真空泵+分子泵，实现对真空度的不同要求，极限真空可达4.0*10-4Pa。

德国KNF远程无线控实验室真空系统的参数抽速 （l/min）：50极限真空度（mbar abs.）: 2连接管路接口（mm）：ID 10连接冷凝瓶接口（mm）：ID 8泵头材料：PPS膜片材料：PTFE-coated阀片材料：FFPM 德国KNF实验室真空系统的应用：可用于实验室旋转蒸发，减压蒸馏等。 产品特性：智能无线远程遥控，可在20米内通过手持遥控器对真空系统进行控制。四种模式可供选择：工作负荷模式，设定压力模式，自动溶剂沸点感应模式及自定义压力曲线模式。直流无刷电机，真空极其稳定。可通过电脑进行控制。实验进程数据可自动记录，导入电脑。紧凑的设计，携带方便，不占用空间；可24小时连续工作，无油，100%免维护；安静，微振动。带有热开关和电源保险，操作简单。德国制造，实验室*隔膜真空泵。

简介 PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜；具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点；1200℃高真空PECVD系统通过滑动炉体来实现快速的升降温，配置不同的真空系统来达到理想的真空度；同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。 主要应用于高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。同时上海煜志良好的售后服务体系，使得该产品的整体评价远超同行业标准。主要技术参数炉体结构整机采用SUS304不锈钢材质，流线型外观，断热式结构；日本技术真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，保温性能好；炉子底部装有一对滑轨，移动平稳；炉子可以手动从一端滑向另一端，实现快速的加热和冷却；炉盖可开启，可以实时观察加热的物料尺寸重量1730*660*1130mm；净重：210kg电源电压：AC220V 50/60Hz；功率：4KW炉管高纯石英管，高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小； 尺寸：Φ60*1300mm法兰及支撑SUS304不锈钢快速法兰，通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空；一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷；可调节的法兰支撑，平衡炉管的受力支撑；包含进气、出气、真空抽口针阀，KF密封圈及卡箍组合加热系统加热元件采用康泰尔发热丝，表面负荷高、经久耐用；加热区长度：300mm恒温区长度：150mm； 工作温度：≤1150℃； 最高温度：1200℃；升温速率：10℃/min温控系统日本富士温控仪表，64段控温程序，可分步、分段混气系统三路质量流量计：数字显示、气体流量自动控制；内置不锈钢混气箱，每路气体管路均配有逆止阀；管路采用不锈钢管，接口为Φ6卡套；每路气体进气管路配有不锈钢针阀；通过控制面板上的旋钮来调节气体流量流量规格：0~1000sccm（可选）； 流量精度：±1.5%高真空系统采用双级旋片真空泵+分子泵，极限真空可达4.0*10^-4Pa； 复合真空计，配置电阻规+电离规抽速：110L/S； 冷却：风冷； 电源:AC220V 50/60Hz射频电源系统输出功率:0-300W；功率稳定度：±0.1%；射频电源频率:13.56MHz 稳定性±0.005%；最大反向功率:120W；射频电源电子输出端口:UHF； 冷却:风冷； 电源:AC187-253V 50/60Hz可选配件各种刚玉、石英坩埚，石英管，计算机控制软件保修卡整机一年保修（相关耗材除外）可根据客户要求定制！

仪器简介：Rubotherm TG高真空 高压热重分析仪可极其精确的测量可控条件（压力，温度，极端环境等）下作用于样品的力和质量变化。这类测量使我们可能迅速、精确地确定传送量和状态量（吸附、散射、表面张力、密度），以研究化学反应（腐蚀，降解，高温分解等）、调查生产技术（聚合，涂布，干燥等）。Rubotherm DynTHERM系列TGA分析仪可以完成其他仪器无法做到的事情：在高压下测量有腐蚀性或有毒性气体或蒸气。除此之外，磁悬浮天平可以在长时期的测量中进行零点校正和天平校正，因此，我们的仪器可以得到独一无二的长时间精确度和稳定性。DynTHERM系列仪器分为低压和高压型号。此外，模块化的设计使得仪器很容易升级或重组装为其他用途的分析仪。DynTHERM分析仪可以很理想的应用于下列研究或材料： 煤和生物质的气化 CO2和H2捕获材料 高温分解过程 催化材料（TPx，硫化，炼焦） CVD涂覆工艺 除基础研究和材料测试之外，此类测量也用于设计和优化多种工业操作。例如： 吸附测定： - 废气净化 - 土壤解毒 - 食物生产 - 天然气和氢的存储和/或净化 - 超临界液体萃取 热解重量分析仪 - 煤炭气化 - 垃圾焚化 - 材料合成 密度测定： - PVT-行为测量 使用我们的磁悬浮天平，几乎可以在任何测量条件下进行无接触的样品重量分析。待测量样品不是直接悬于天平（常规的重量分析仪器），而是连接在一个&rdquo 悬浮磁体&rdquo 上。一个附在天平底板的测量环上的电磁石通过一个电子控制单元维持悬浮磁体的自由悬浮状态。利用这个磁悬浮耦合，测量力无接触的从测量室传递到位于测量室外部的微量天平。因此，这种装置几乎消除了常规的重量分析仪器不可避免的所有的限制，这种极其精确、直接测量的方法在各种科学研究开发领域中的广泛应用变得可能和明显。技术参数：Rubotherm TG 高真空高压热重分析仪技术参数： 压力范围： - UHV（超高真空）至500bar（可订制到200 bar） - 真空至1.3 bar 温度范围： - 50 bar 1100℃ ， 40 bar 1200℃ - 常压到1800℃ - 样品最高加热速率 7000K/分，满足对生物质材料/煤的快速焦化研究分辨率： - 0.01mg至1&mu g 重复性（标准偏差）： - ± 0.02mg至± 2&mu g 相对误差： - &le 测量值的0.002% 最大可称量： - 80g或10gDynTHERM LP参数指标： 型号 天平读出限 压力范围 最大样品区温度 LT 1ug 或 10ug 真空到1bar 900℃ ST 1ug 或 10ug 真空到1bar 1100℃ HT 1ug 或 10ug 真空到1bar 1550℃ DynTHERM HP参数指标： 型号 天平读出限 压力范围 最大样品区温度 LT 1ug 或 10ug 真空到100bar 900℃ ST 1ug 或 10ug 真空到 50bar 1100℃ HT 1ug 或 10ug 真空到 40bar 1200℃主要特点：Rubotherm TG 高压高真空热重分析仪的精确度高于常规天平人工测量所能达到的精确度。这一结果来自对自由悬浮状态的最佳控制、悬浮耦合进样的精巧耦合及解耦，以及天平的零点调节和校准，后者可产生小数点后两位重复的测量精确性，这一结果世界领先，尤其进行长期测量的时候。可耐任何腐蚀性气体以及蒸汽的使用。

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

REK Innovation 开发和生产用于电子制造的设备在真空回流焊领域，我们研发创造了一款全新高效的设备REK SC系列，它可以很容易地进行编程，执行工艺程序，系统配置甲酸模块与优选的真空泵相结合，保证了良好的回流焊效果。产品特点 ：高效、工艺周期短、甲酸系统、红外辐射加热、占地空间小、＜5E-2mbar真空度、极限真空可达5E-6mbar、温度最高可支持到1000℃、升温速率270K/min、降温速率150K/min、温度均匀性1%SC-350系列真空回流焊炉,用于工艺研发、中批量生产. 新颖的可扩展概念.德国制造应用领域： 功率半导体封装 DBC和AMB基板的大面积焊接雷达TR模块真空封装 (MEMS, 传感器)激光二级管/大功率LED 封装焊膏工艺 圆片级封装的凸点回流包括特点：接触和非接触加热直观的工艺程序编辑远程控制（物联网）红外辐射加热最高加热温度1000℃（可选） 可选项RGA高真空氧气监测条形码识别集成的冷却器助焊剂管理氢气/混合气定制工装夹具真空降温顶盖阵列加热

Instec来自液晶先驱院校美国科罗拉多大学的精密温控装置与液晶检测设备" _ue_custom_node_="true" 功能特点 可编程精密控温。可独立控制，也可从上位机软件控制帕尔贴原理温控，使用时无需耗材支持透射光观察与反射光观察以载玻片作为样品，可提前制备样品以节省时间台体内置干燥气体管道，用于负温时对视窗的除霜视窗可拆卸与更换，可用不同材质窗片实现不同波段光观察内盖，提升样品温度均匀度支持垂直和水平姿态的固定安装软件可拓展性强，可提供LabView等语言的SDK#选择项# 气密腔/真空腔，用保护气体/真空来保护实验样品#选择项# 样品XY移动型号，内置XY微分移动尺#可选项# 2条导线拖至腔内接线柱，用于加电检测可做改动或定制，详询上海恒商 应用领域 常规应用X射线衍射液晶和高分子冷冻干燥生物学/低温生物学食品科学光谱学材料科学 " _ue_custom_node_="true" 技术参数 温控性能温度范围-40℃ ～ 120℃温度分辨率0.001℃温度稳定性±0.05℃(at 37℃) 可提升稳定性加热速度+80℃/分钟(at 37℃)制冷速度-35℃/分钟(at 37℃)控温速度±0.1℃/小时温度传感器100Ω铂质RTD温控方式直流式PID (变直流形式(LVDC)输出)结构尺寸物镜工作距离5.1 mm聚光镜工作距离17.5 mm样品腔面积25 mm x 75 mm样品腔高度3.5 mm样品观察范围（透光）2mm 可选5,8 mm样品观察范围（反光）26.5mm (TS102G)；38.5mm(TS102V)X-Y移动尺（XY型号）10μm分辨率真空接口（TS102V）KF16 " _ue_custom_node_="true" 配置列表 标准TS102G 气密冷热台 不含XY微分移动尺选1TS102V 真空冷热台 不含XY微分移动尺TS102GXY 气密冷热台 含专用XY微分移动尺TS102VXY 真空冷热台 含专用XY微分移动尺mK2000温度控制器 软件免费，控制线有多种接口供选√线性可变直流电源(LVDC) 装在温控器里，抑制电噪音√外壳水冷配件 用常温水或冰水循环防止外壳过热√选配件可对样品加电的电极与导线 2组冷热台支架 把冷热台固定在显微镜等仪器上，防止滑动长工作距离聚光镜 更好的聚光，防止视场变暗温控联动显微镜相机 温度-图像联动工作，附软件真空系统 真空泵、真空计、真空管路 *注：产品有多种配置变化，详询上海恒商 " _ue_custom_node_="true" 帕尔贴温控原理 冷热台的帕尔贴温控片由许多PN结蛇形串联而成，通过电流方向和大小来控制载流子的宏观运动，从而实现温控片上下两端之间的热量搬运，实现样品端的温控。冷热台使用时需要循环水来带走温控片下端的废热。帕尔贴原理冷热台的特点：①在样品区不大时具有明显的低成本优势；②制冷时不需要耗材，使用方便；③温控，使用方便直接由温控片流经的电流决定，温控更加准。 欲咨询产品请访问本公司官网联系我们

Instec来自液晶先驱院校美国科罗拉多大学的精密温控装置与液晶检测设备" _ue_custom_node_="true" 功能特点 可编程精密控温。可独立控制，也可从上位机软件控制帕尔贴原理温控，使用时无需耗材支持反射光观察台体内置干燥气体管道，用于负温时对视窗的除霜视窗可拆卸与更换，可用不同材质窗片实现不同波段光观察内盖，提升样品温度均匀度支持垂直和水平姿态的固定安装软件可拓展性强，可提供LabView等语言的SDK#选择项# 气密腔室 or 真空腔室气密腔室：2个通向腔内的快速自锁接头，可充入保护气体真空腔室：台体上有2根通向腔内的真空管，KF16真空接口#可选项# 2条导线拖至腔内接线柱，用于样品加电检测可做改动或定制，详询上海恒商 " _ue_custom_node_="true" 技术参数 温控性能温度范围-40℃ ～ 90℃温度分辨率0.001℃温度稳定性±0.05℃(at 100℃) 可提升稳定性加热速度+50℃/分钟(at 37℃)制冷速度-50℃/分钟(at 37℃)控温速度±0.1℃/小时温度传感器100Ω铂质RTD温控方式直流式PID (变直流形式(LVDC)输出)结构尺寸物镜工作距离4.9 mm样品腔面积25.4 mm x 25.4 mm(使用内盖1)25.4 mm x 25.4 mm(使用内盖2)33 mm x 91 mm(卸载内盖)样品腔高度0.76 mm(使用内盖)样品观察范围26.6 mm 反光孔径10.0 mm 反光孔径(使用内盖)腔室接口快速接头 (气密型号)KF16 (真空型号) " _ue_custom_node_="true" 配置列表 标准TP102G冷热平板 气密腔室选1TP102V冷热平板 真空腔室mK2000温度控制器 软件免费，控制线有多种接口供选√线性可变直流电源(LVDC) 装在温控器里，抑制电噪音√外壳水冷配件 用常温水或冰水循环防止外壳过热√选配件用于对样品加电的腔内接线柱 2个安装支架 把台体固定在使用平台上，防止滑动长工作距离聚光镜 更好的聚光，防止视场变暗温控联动显微镜相机 温度-图像联动工作，附软件 真空系统(真空腔型号适用) 真空泵、真空计、真空管路 *注：产品有多种配置变化，详询上海恒商 " _ue_custom_node_="true" 帕尔贴温控原理 冷热台的帕尔贴温控片由许多PN结蛇形串联而成，通过电流方向和大小来控制载流子的宏观运动，从而实现温控片上下两端之间的热量搬运，实现样品端的温控。冷热台使用时需要循环水来带走温控片下端的废热。帕尔贴原理冷热台的特点：①在样品区不大时具有明显的低成本优势；②制冷时不需要耗材，使用方便；③温控，使用方便直接由温控片流经的电流决定，温控更加准。 欲咨询产品请访问本公司官网联系我们

SCI-1700型高温真空接触角测量系统，主要由主体机柜、专用LED光源、300mm远焦镜头、工业成像彩色CCD、高温高真空炉体、水循环冷却系统、可移动真空机组（真空分子泵和机械泵）、专用接触角拍摄和分析软件组成。高温真空接触角测量系统它能在高真空或惰性气体保护环境下测量熔融金属的润湿行为，可分区段控制程序升温，温度可达1600度，真空度可达1×10-5Pa。仪器广泛应用于陶瓷材料研究、金属材料研究、钎焊研究、航空航天材料研究、钢铁冶炼研究、复合材料研究等。主要用于在高温真空条件下，通过视频光学原理，测试各种材料的润湿铺展性能。可以测量液体在固体表面的润湿角及表面张力，可以在真空或保护气氛中测量，可以实现对润湿角的动态测量，测量液体表面张力。具有操作简便、加热温度高、抽真空稳定、分析准确、算法丰富的特点。型号SCI-1700高温炉膛加热温度范围室温～1700℃炉膛升温范围室温～1600℃热电偶B型控温方式数显智能40段可编程序温度控制仪/SCR智能模块/PID方式；温度测量均为铂铑热电偶。升温速度3～10℃/min控温精度±1℃温度分辨率：大于1000度，为±1℃；小于1000度，为±0.1℃保护系统仪器设有过温保护（温度过高）和过流保护气氛与真空可通惰性气体、可抽真空真空泵结合精密分子泵配套机械泵真空极限可达：5×10-5pa ，电极转速：24000rpm,启动时间：＜4.5min冷却方式水冷装置。采用PID智能控温整定功能，制冷量：1200W，控温精确：温度范围：5～35℃，循环流量：10～20L/min，循环压力1.0～1.3bar功率6KW隔热可视窗口φ40mm炉膛尺寸φ40×300mm控制柜定制专业电气化控制柜，实现一体式操作系统。成像系统镜头控制三维平台控制镜头工业连续放大镜头 0.7-4.5X光学放大,工作距离300mm相机系统工业级超低照度彩色CCD系统软件系统接触角计算方法：量高法、量角法、自动圆拟合法、自动椭圆拟合法、自动曲线拟合法拍摄图像方法：单张拍摄或连续拍摄温度触发拍摄功能：可根据设定的间隔温度自动拍摄图像时间触发拍摄功能：可根据设定的间隔时间自动拍摄图像（间隔小0.1秒）左右接触角值分别计算与比较功能，软件自动求取平均接触角数据库管理功能：数据与图像一一对应，可将测值存储并导出EXCEL表格 整体指标接触角测试范围0°～180°读值分辨率0.01°电源AC 220V/50Hz说明在保护气氛下加热工作温度可达1600℃，在真空环境下加热工作温度不宜超过800℃

Instec来自液晶先驱院校美国科罗拉多大学的精密温控装置与液晶检测设备" _ue_custom_node_="true" 功能特点 专为Instec真空热台的应用设计可用于先真空再充气氛的实验应用整体式真空阀门箱，精简真空管道的布置真空度可达 10^(-3) mBar （0.1 Pa）附赠一个指针式真空计，便于阀门操作时了解真空度 " _ue_custom_node_="true" 产品参数 真空度10^(-3) mBar （0.1 Pa）真空接口宝塔接口 x5KF16接口 x1 （连真空计）应用1. 热台腔体抽真空2. 热台腔体先抽真空再充气氛附赠指针式真空计 " _ue_custom_node_="true"典型应用操作 使用真空阀门箱进行“先抽真空再充气氛”的应用。Step1. 为热台抽真空。保持阀门V1、V2的关闭，打开阀门V3，开始对热台抽真空；Step2. 为热台通气氛。关闭阀门V3，而后打开阀门V2，开始为热台通入气氛；Step3. 排出废气。关闭阀门V2，而后打开阀门V1，为热台排出废气。 欲咨询产品请访问本公司官网联系我们

??VS-1真空吹氮热封仪VS-1 真空吹氮热封仪是专为医疗设备行业开发的热封试验仪。这个仪器的特点是可以提供氮气吹扫，同时可对医疗设备包装袋内袋进行抽真空处理。产品特点：VS-1型真空吹氮热封仪具有一个独立的控制塔连接到控制屏进行显示和控制。操作者可在控制屏上设置参数，并操作氮气冲洗、抽真空和热封操作。控制屏可显示并控制所有的参数包括：温度、热封条的压力,保压时间,真空冲洗周期,抽真空周期,循环周期和密封袋数量；同时可设定温度和压力的限位报警。仪器下部装有可以移进移出的托盘机械装置可以方便地装样品袋。机器可设定无限次的测试循环，以保证测试的一致性和可靠性。

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机） 工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动

双腔室超高真空双倾角蒸镀系统 QBT-E技术参数QBT-E 技术参数 Technical Specifications (Ebeam SiO2/Si等制备)UHV超高真空腔体2腔室，Loadlock和蒸发，Loadlock极限真空 Ultimate Pressure1E-8Torr，可加热RT-900oC蒸发腔极限真空 Ultimate Pressure3E-9Torr高分辨率镀膜速率显示及控制 Depostion Rate±0.015?，Ф100mm 镀膜均一性3%基板操控能力 Wafer Tilt and Rotation可实现180度倾斜及360度旋转，0.1度的精准控制，加热RT-600oC传输全自动样品传输人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO测试结果展示

仪器简介：KNF真空系统SC 920 G是一款设计紧凑的便携式真空系统，由抗化学腐蚀隔膜真空泵、分离瓶、冷凝器和真空控制器组成。非常适合旋转蒸发仪和其他对真空度控制要求高的应用。 技术详情：抽速 (最大)21 l/min极限真空 (最大)2 mbar (abs.)工作压力 (最大)0.5 bar (rel.)重量15 kg 技术特点：n 具有4种操作模式的可编程的真空控制n 精确的压力检测系统可防止数据受影响，确保结果一致n 入口分离瓶和出口冷凝器，能达到极佳的溶剂回收率n 耐腐蚀n 清洁，100%无油运行 应用：n 旋转蒸发n 蒸馏n 多用户真空系统 其他相关型号: N 920 G