散热功率简易检测仪

为了解决散热问题，封装厂商在探索各种方法一些过热的晶体管可能不会对可靠性产生很大影响，但数十亿个晶体管产生的热量会影响可靠性。对于 AI/ML/DL 设计尤其如此，高利用率会增加散热，但热密度会影响每个先进的节点芯片和封装，这些芯片和封装用于智能手机、服务器芯片、AR/VR 和许多其他高性能设备。对于所有这些，DRAM布局和性能现在是首要的设计考虑因素。无论架构多么新颖，大多数基于 DRAM 的内存仍面临因过热而导致性能下降的风险。易失性内存的刷新要求（作为标准指标，大约每 64 毫秒一次）加剧了风险。“当温度提高到 85°C 以上时，就需要更频繁地刷新电容器上的电荷，设备就将转向更频繁的刷新周期，这就是为什么当设备变得越来越热，电荷从这些电容器中泄漏得更快的原因。不幸的是，刷新该电荷的操作也是电流密集型操作，它会在 DRAM 内部产生热量。天气越热，你就越需要更新它，但你会继续让它变得更热，整个事情就会分崩离析。”除了DRAM，热量管理对于越来越多的芯片变得至关重要，它是越来越多的相互关联的因素之一，必须在整个开发流程中加以考虑，封装行业也在寻找方法解决散热问题。选择最佳封装并在其中集成芯片对性能至关重要。组件、硅、TSV、铜柱等都具有不同的热膨胀系数 (TCE)，这会影响组装良率和长期可靠性。带有 CPU 和 HBM 的流行倒装芯片 BGA 封装目前约为 2500 mm2。一个大芯片可能变成四五个小芯片，总的来说，这一趋势会持续发展下去，因为必须拥有所有 I/O，这样这些芯片才能相互通信。所以可以分散热量。对于应用程序，这可能会对您有所一些帮助。但其中一些补偿是因为你现在有 I/O 在芯片之间驱动，而过去你在硅片中需要一个内部总线来进行通信。最终，这变成了一个系统挑战，一系列复杂的权衡只能在系统级别处理。可以通过先进的封装实现很多新事物，但现在设计要复杂得多，当一切都如此紧密地结合在一起时，交互会变多。必须检查流量。必须检查配电。这使得设计这样的系统变得非常困难。事实上，有些设备非常复杂，很难轻易更换组件以便为特定领域的应用程序定制这些设备。这就是为什么许多高级封装产品适用于大批量或价格弹性的组件，例如服务器芯片。对具有增强散热性能的制造工艺的材料需求一直在强劲增长。Chiplet模块仿真与测试进展工程师们正在寻找新的方法来在封装模块构建之前对封装可靠性进行热分析。例如，西门子提供了一个基于双 ASIC 的模块的示例，该模块包含一个扇出再分布层 (RDL)，该扇出再分配层 (RDL) 安装在 BGA 封装中的多层有机基板顶部。它使用了两种模型，一种用于基于 RDL 的 WLP，另一种用于多层有机基板 BGA。这些封装模型是参数化的，包括在引入 EDA 信息之前的衬底层堆叠和 BGA，并支持早期材料评估和芯片放置选择。接下来，导入 EDA 数据，对于每个模型，材料图可以对所有层中的铜分布进行详细的热描述。量化热阻如何通过硅芯片、电路板、胶水、TIM 或封装盖传递是众所周知的。存在标准方法来跟踪每个界面处的温度和电阻值，它们是温差和功率的函数。“热路径由三个关键值来量化——从器件结到环境的热阻、从结到外壳（封装顶部）的热阻以及从结到电路板的热阻，”详细的热模拟是探索材料和配置选项的最便宜的方法。“运行芯片的模拟通常会识别一个或多个热点，因此我们可以在热点下方的基板中添加铜以帮助散热或更换盖子材料并添加散热器等。对于多个芯片封装，我们可以更改配置或考虑采用新方法来防止热串扰。有几种方法可以优化高可靠性和热性能，”在模拟之后，包装公司执行实验设计 (DOE) 以达到最终的包装配置。但由于使用专门设计的测试车辆的 DOE 步骤耗时且成本更高，因此首先利用仿真。选择 TIM在封装中，超过 90% 的热量通过封装从芯片顶部散发到散热器，通常是带有垂直鳍片的阳极氧化铝基。具有高导热性的热界面材料 (TIM) 放置在芯片和封装之间，以帮助传递热量。用于 CPU 的下一代 TIM 包括金属薄板合金（如铟和锡）和银烧结锡，其传导功率分别为 60 W/mK 和 50 W/mK。随着公司从大型 SoC 过渡到小芯片模块，需要更多种类的具有不同特性和厚度的 TIM。Amkor 研发高级总监 YoungDo Kweon 在最近的一次演讲中表示，对于高密度系统，芯片和封装之间的 TIM 的热阻对封装模块的整体热阻具有更大的影响。“功率趋势正在急剧增加，尤其是在逻辑方面，因此我们关心保持低结温以确保可靠的半导体运行，”Kweon 说。他补充说，虽然 TIM 供应商为其材料提供热阻值，但从芯片到封装的热阻，在实践中，受组装过程本身的影响，包括芯片和 TIM 之间的键合质量以及接触区域。他指出，在受控环境中使用实际装配工具和粘合材料进行测试对于了解实际热性能和为客户资格选择最佳 TIM 至关重要。孔洞是一个特殊的问题。“材料在封装中的表现方式是一个相当大的挑战。你已经掌握了粘合剂或胶水的材料特性，材料实际润湿表面的方式会影响材料呈现的整体热阻，即接触电阻，”西门子的 Parry 说。“而且这在很大程度上取决于材料如何流入表面上非常小的缺陷。如果缺陷没有被胶水填充，它代表了对热流的额外阻力。”以不同的方式处理热量芯片制造商正在扩大解决热量限制的范围。“如果你减小芯片的尺寸，它可能是四分之一的面积，但封装可能是一样的。是德科技内存解决方案项目经理 Randy White 表示，由于外部封装的键合线进入芯片，因此可能存在一些信号完整性差异。“电线更长，电感更大，所以有电气部分。如果将芯片的面积减半，它会更快。如何在足够小的空间内消散这么多的能量？这是另一个必须研究的关键参数。”这导致了对前沿键合研究的大量投资，至少目前，重点似乎是混合键合。“如果我有这两个芯片，并且它们之间几乎没有凸起，那么这些芯片之间就会有气隙，”Rambus 的 Woo 说。“这不是将热量上下移动的最佳导热方式。可能会用一些东西来填充气隙，但即便如此，它还是不如直接硅接触好。因此，混合直接键合是人们正在做的一件事。”但混合键合成本高昂，并且可能仍仅限于高性能处理器类型的应用，台积电是目前仅有的提供该技术的公司之一。尽管如此，将光子学结合到 CMOS 芯片或硅上 GaN 的前景仍然巨大。结论先进封装背后的最初想法是它可以像乐高积木一样工作——在不同工艺节点开发的小芯片可以组装在一起，并且可以减少热问题。但也有取舍。从性能和功率的角度来看，信号需要传输的距离很重要，而始终开启或需要保持部分关断的电路会影响热性能。仅仅为了提高产量和灵活性而将模具分成多个部分并不像看起来那么简单。封装中的每个互连都必须进行优化，热点不再局限于单个芯片。可用于排除或排除小芯片不同组合的早期建模工具为复杂模块的设计人员提供了巨大的推动力。在这个功率密度不断提高的时代，热仿真和引入新的 TIM 仍然必不可少。

6月16日上午，散热与封装技术研讨会暨苏州纳米所散热与封装技术研发中心成立仪式在中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所召开。此次活动以&ldquo 散热与封装技术&rdquo 为主题，探讨了当前高功率、高度集成化电子器件快速发展背景下，如何解决电子工业界的散热与封装技术等关键共性问题。 　　活动由苏州纳米所技术转移中心与先进材料部联合主办，苏州纳米所副所长李清文主持。美国工程院院士、乔治亚理工学院教授汪正平，国防科技大学教授常胜利和张学骜、深圳先进技术研究院研究员孙蓉等出席了此次活动。 　　会前，李清文致欢迎词，并代表苏州纳米所向汪正平颁发了客座研究员聘书，苏州纳米所加工平台主任张宝顺与汪正平共同为散热与封装技术研发中心揭牌。 　　会上，被誉为&ldquo 现代半导体封装之父&rdquo 的汪正平介绍了自己40多年来在电子封装材料研发与应用方面的成果，特别是近年来在碳纳米管可控制备、石墨烯制备与应用、电子封装散热等方面的研究进展，最后他还与大家分享了在学术研究方面的经验。 　　随后，张宝顺、孙蓉等分别以&ldquo 散热与封装技术&rdquo 、&ldquo 聚合物基高密度电子封装材料的制备与应用研究&rdquo 为主题作了精彩的报告。 　　当天下午，与会代表参观了苏州纳米所加工平台和先进材料部。 会议现场

新京报讯 炎热的夏天，最舒服的事情，莫过于躲在家中，开启空调纳凉。然而，有多少人在享受空调时，想到要定期对它进行清洗消毒?否则，空调将吹出看不见的细菌、真菌，甚至可以在72小时内，吹霉一碗白米饭。 　　日前，中国疾控中心、上海市疾控中心、复旦大学公共卫生学院等机构对上海、北京、深圳进行实地家用空调入户调研发现：88%的空调散热片细菌总数超标，84%的空调散热片霉菌总数超标 空调散热片中检出细菌超标最高可达1000倍以上。 　　中华预防医学会消毒分会主任委员张流波介绍，空调除了吸附大量的灰尘外，还有螨虫、细菌、真菌等致病菌。运转时，空调内部，特别是散热片的细菌、真菌随出风口喷出，随呼吸道进入人体，容易导致人体出现头晕乏力，甚至患上感冒、鼻炎、哮喘等呼吸道疾病。因此，很多空调病不只是冷热交替造成的，空调里的污染也是祸源。 　　家用空调里究竟暗藏多少污染源?日前，记者随中华预防医学会消毒分会专家和家安实验室工作人员，一起走进普通住户家，现场观测、取样，并送入实验室培养，实验结果令人瞠目。 　　【实验1】 　　空调72小时吹霉一碗米饭 　　实验目的：测试空调是否会产生污染。 　　实验过程：取两碗等量的白米饭，置于壁挂式空调下的桌子上，其中一碗盖好。关闭门窗，打开空调。72小时后，盖好的米饭只是略有变色，但敞露于空调下的那碗米饭，已经长毛，出现大片霉斑。 　　市民疑问：6月份开空调前，刚把过滤网用洗洁精和水刷干净了，为什么还会这样? 　　专家释疑：中华预防医学会消毒分会主任委员张流波介绍，空调使用一段时间后，外罩、过滤网表面就有沉积的灰尘和污垢，很容易清洗。但空调细菌最多聚集的部位——散热片却常常被忽视。 　　作为空调冷热交换的核心部件，散热片除积聚污垢灰尘外，还会在冷凝水作用下滋生大量病菌。加上开空调时，通常会紧闭门窗，空气不流通，特别是夏天闷热潮湿，病菌更易滋生。 　　【实验2】 　　空调散热片藏匿大量细菌 　　实验目的：通过肉眼，观察空调散热片上藏着多少污垢。 　　实验过程：选一台使用了3年多，今年尚未清洗过的家用壁挂式空调。打开空调盖，露出的过滤网上，可看到一层厚厚的灰尘，用棉签和纸巾取样。卸下过滤网，可看到青黑色的空调散热片，乍看起来灰尘不多，但用棉签在散热片上清刮，可刮出黑灰色的絮泥状物。用白色纸巾取样，可看到散热片上附着大量污垢。 　　市民疑问：黑色絮泥状的污垢有没有致病菌? 　　专家释疑：张流波介绍，专业卫生机构检测发现，家用空调散热片上藏匿着大量细菌和真菌，平均的菌落总数每平方厘米高达4765个。其中致病菌主要包括霉菌、军团菌、金黄色葡萄球菌等大量病菌。空调运转时，散热片上的致病菌随出风口喷出，进入人体，易致头晕乏力，甚至患上感冒、肺炎等呼吸道疾病。 　　【实验3】 　　散热片污染远高于过滤网 　　实验目的：比较空调散热片和过滤网的污染程度。 　　实验过程：将实验2中收集好的样本放入培养皿，带入实验室，对样本进行细菌培养并计数。72小时后，实验结果出来了。空调过滤网上的霉菌总数为每平方厘米650个，细菌总数为每平方厘米270个 散热片上的霉菌总数每平方厘米为1110个，细菌总数为3100个。 　　市民疑问：清洗空调，不能只洗过滤网吗? 　　专家释疑：家安家居环境研究中心高级工程师张世新介绍，空调污染尤其是空调散热片污染——作为夏季室内最重要的污染源的认知仍存在很大的缺口，正成为影响家人健康的隐形杀手。调查显示，绝大多数人误以为只要把空调的过滤网罩清洗一下，就算空调清洁了。实际上，空调散热片上藏匿的污染远高于过滤网。 　　【实验4】 　　清洗剂喷洒可有效杀菌 　　实验目的：对比空调清洗前后的污染程度。 　　实验过程：关闭电源，卸下过滤网，用清水洗净 对散热片表面污垢取样。从超市购买专用的空调清洗剂，均匀喷洒在散热片上。静置10至15分钟，安装好空调，打开电源。此时，可以看到排污管排出黑色污水。40分钟后，关闭空调，重新对散热片取样。 　　72小时后，可看到散热片清洗前的样本，霉菌培养皿中已经长出大片霉斑，霉菌含量每平方厘米2163.04个 细菌培养皿中，可看到底部呈浆糊状，其中布满淡黄色细小颗粒，细菌含量每平方厘米2599个。清洗后的霉菌和细菌培养皿基本是透明的，霉菌含量每平方厘米为9个，细菌含量每平方厘米40个。 　　专家释疑：张流波介绍，因为散热片无法拆下来清洗，而且由于散热片结构的特殊性，简单擦拭也无法真正清洁。建议使用空调消毒清洗剂进行清洁消毒。 　　■ 建议 　　夏季空调应一月一清洗 　　张流波表示，在关闭电源、通风的环境下，对准散热片均匀喷洒，就可以解决散热片污染问题。清洗后需要静置一段时间，是为了让消毒剂充分发挥作用。 　　为确保消毒产品的安全性和有效性，建议空调清洗消毒剂使用具备卫生许可批件的“卫消字×××××号”产品。清洗剂的味道经过通风，很快可以散去，正规消毒产品的味道对人体无害。 　　至于空调散热片清洗的频度，张流波说，春夏换季时，需要开启空调前，应该彻底清洗消毒一次 夏季，空调使用频繁，建议有条件的家庭，每月清洗一次空调，可避免空调污染。 　　此外，张流波介绍，室外有的污染都会进入室内。家中尘埃，散热片上面都会有污染物，一般的空调不会去除PM2.5，除了定期清洁空调，关键还要靠居室良好的通风。

【研究背景】热界面材料（TIMs）是现代电子设备中不可或缺的组成部分，因其在散热管理中发挥着关键作用，成为了研究热点。然而，传统TIMs通常面临热导率低、接触热阻高等挑战，限制了其在高性能电子设备中的应用。随着电子器件向更高功率密度的发展，对TIMs的性能提出了更高的要求，迫切需要新材料以提升散热效率。有鉴于此，四川大学高分子科学与工程学院傅强教授/吴凯副研究员、德克萨斯大学奥斯汀分校余桂华教授团队合作通过将不同粒径的氮化铝（AlN）颗粒与液态金属结合，制备出胶态液态金属复合材料。这些材料不仅提升了界面热传导性能，还有效降低了界面热阻。实验结果表明，胶态液态金属在不同厚度下展现出优越的热导率和低接触热阻，显著缩小了现有TIMs与理论预测之间的差距。此外，流变学分析揭示了这些复合材料在高温条件下的流动性，使其适合于高热流密度应用。整体来看，胶态液态金属的引入为TIMs的研究提供了新的方向，有望在高性能电子产品、数据中心和航空航天等领域实现广泛应用。因此，针对热界面材料的创新研究具有重要的科学价值和应用潜力。【表征解读】本文通过高分辨率透射电子显微镜（HRTEM）和扫描电子显微镜（SEM）等表征手段，揭示了胶态液态金属（LM）与氮化铝（AlN）颗粒之间的界面相互作用。通过对LM/AlN复合材料的微观结构分析，发现AlN颗粒均匀分散于液态金属中，形成了有效的热传导路径，这一发现表明胶态液态金属在提高热界面材料（TIMs）性能方面具有显著优势。针对胶态液态金属在高温条件下的流动行为，通过流变学分析，深入探讨了其屈服应力和储存模量的变化。结果显示，随着AlN颗粒浓度的增加，材料的储存模量和屈服应力显著增强，表明该材料在高温下仍保持良好的流动性和热传导性能。这一微观机理的表征为理解胶态液态金属的流动特性提供了重要依据，有助于优化其在高热流密度应用中的表现。在此基础上，通过对不同厚度的样品进行稳态热流法和瞬态热传递法（TDTR）的结合测量，得到了胶态液态金属在不同压力下的界面热阻（Reff）和热导率（k）。结果显示，这种新型材料的热导率远超传统TIMs，同时Reff保持在低水平，表明其在实际应用中的优越性能。研究重点在于揭示材料设计理论与实际性能之间的关系，为进一步的应用提供了可靠的数据支持。【图文解读】图1：胶体LMs的概念和合成。图2：AlN-LM异质界面的调制。图3：界面触变性和热传输。图4: 用设备中的高通量散热。【结论展望】本文揭示了胶态液态金属在热界面材料中的潜力，特别是通过引入AlN颗粒来提升热导率与界面热阻的优化。科学研究表明，传统热界面材料往往面临着热导率不足与界面热阻过高的问题，而胶态液态金属的设计理念则为解决这一难题提供了新思路。通过机械化学合成与直接搅拌的方法，研究成功制备了具有良好流动性和优异热传导性能的胶态液态金属。这一创新材料不仅在不同厚度下表现出低的界面热阻，还展示了其在高性能电子产品和其他能源密集型领域的广泛应用潜力。这一研究的成功不仅为热界面材料的开发提供了重要的理论基础，也为未来新型功能材料的设计与应用指明了方向，激发了材料科学与工程领域的进一步探索。通过不断优化材料成分与结构，未来可以期待胶态液态金属在更多高科技领域的突破性应用，推动相关技术的进步和发展。文献信息：Wu, K., Dou, Z., Deng, S. et al. Mechanochemistry-mediated colloidal liquid metals for electronic device cooling at kilowatt levels. Nat. Nanotechnol. (2024). https://doi.org/10.1038/s41565-024-01793-0

【研究背景】微型电子设备由于其高度集成化，具备了小型化和高性能的优势，但同时也面临着显著的挑战。随着电子元件的堆叠，设备的功率密度大幅提高，导致热量积累和电磁干扰（EMI）问题愈发严重。传统的电磁干扰屏蔽材料通常具有较好的电磁屏蔽性能，但往往伴随着较差的热导性，而具有优良热导性的材料却在屏蔽效果上有所妥协。此外，导电薄膜和聚合物基导电粘合剂在应对不规则形状的电子元件和缝隙填充方面也存在局限，难以兼顾屏蔽、绝缘和散热性能。为了解决这些问题，北京化工大学的张好斌教授团队提出了一种创新的微电容器结构模型。这一模型利用导电填料作为极板，聚合物作为介电层，开发出了一种新型的绝缘电磁干扰屏蔽聚合物复合材料。该材料通过微电容器结构实现了高效的电磁波反射和吸收，同时具备了良好的电阻率和导热性。研究表明，这种复合材料能够直接灌封于电子元件之间的缝隙中，有效解决了电磁兼容性和热量积累的问题。这一成果在《Science》上发表，为电子设备的小型化和性能提升提供了新的技术路径。【表征亮点】（1）实验首次提出了一种微电容器结构模型，该模型通过使用导电填料作为极板，聚合物作为介电层来开发绝缘的电磁干扰（EMI）屏蔽聚合物复合材料。这一创新结构不仅解决了传统导电屏蔽材料在高度集成电子设备中带来的短路风险，还有效结合了电阻率、屏蔽性能和导热性，使复合材料具备更全面的性能。（2）实验通过嵌入液态金属颗粒于硅聚合物基质中，实现了协同的非渗透致密化和介电增强。这种设计避免了形成渗透网络，同时利用极板中的电子振荡和介电层中的偶极子极化，促进了电磁波的反射与吸收。（3）此外，该复合材料的绝缘特性允许其直接灌封在电子元件之间的缝隙中，解决了电子设备中的电磁兼容性和热量积累问题。这一研究成果为微型电子设备的散热和EMI屏蔽提供了新的技术路径，推动了电子设备的小型化与高效能发展。【图文解读】图1：集成绝缘性、EMI 屏蔽和热导的微电容器模型设计。图2. 用于优化 EMI SE 和热导率的非渗透致密化。图3. 用于提高 EMI SE 和热导的介电层介电性能优化。图4: 使用 LMPFill 直接灌封电子器件，以解决 EMC 和积热问题。【科学启迪】本文通过创新的复合材料设计，解决了微型电子设备中热量积累和电磁干扰屏蔽的矛盾。传统材料在电磁屏蔽和热导性能之间存在权衡，而周新峰等人的研究提出了一种基于微电容器结构模型的复合材料，通过将液态金属颗粒嵌入硅聚合物基质中，有效地克服了这一难题。这种复合材料利用导电填料作为极板，并通过聚合物介电层实现电磁波的反射和吸收，从而达到高电阻率、优良的屏蔽性能和较好的导热性。这一研究不仅提供了新的思路来改进电磁干扰屏蔽材料的性能，还展示了如何在保证绝缘的同时实现优良的屏蔽效果。通过在电子设备的缝隙中直接灌封这一复合材料，能够有效应对电子设备的电磁兼容性问题和热量积累问题，从而提升设备的整体性能和可靠性。这一方法的成功应用，为未来微型电子设备材料的研发提供了宝贵的经验和方向。原文详情：Xinfeng Zhou et al. ,Insulating electromagnetic-shielding silicone compound enables direct potting electronics.Science385,1205-1210(2024).DOI:10.1126/science.adp6581

荣炭科技股份有限公司 是一家专业研发与生产锂电池负极材料与人造石墨散热片(石墨纸,Graphite sheet)之制造厂商。公司营运总部及研发中心设立在台湾新北市汐止区亚东科学园区，负极材料生产工厂及品检中心设立于中国广东省江门市崖门镇登高石工业区，占地12,000平方余米，并于2011年2月通过ISO9001-2008认证。人造石墨散热片、石墨散热片、石墨纸生产工厂设立于台湾宜兰龙德工业区。本公司拥有10余位的博、硕士研发、生产人才，同时也与国立台湾大学化学工程研究所与中山科学研究院等单位建立紧密的合作平台；更引以为傲的是，本公司由中、美、日、台引进新型先进的生产制造设备及检测仪器，其中包含两台深圳冠亚快速水分测定仪。严格控管产品质量，所有出厂之产品都遵循IEC与ISO产品安全认证。除此之外，更不断改进制程与应用新的生产技术与质量管制，并持续的研发新产品和新技术，为客户提供优良且质量稳定的锂电池负极材料与人造石墨散热片。　　『荣炭科技股份有限公司』专注于锂电池负极材料与人造石墨散热片(石墨纸,Graphite sheet)研发与制造，并且以服务客户为原则，尽力满足客户的需求，与客户间共同得到利益并共同成长，是公司一直坚持服务的信念，除了提供各种可行方案以满足客户们的需求，并且相信秉持永续经营的理念与不断提升生产技术和服务精神，必能帮助客户们赢得市场竞争，获得终的成功！下面为荣炭公司部分产品和技术指标 因为石墨的吸附特性，建议置放于干燥且通风之环境，避免潮湿环境及水气吸附。拆封后未使用完之石墨粉宜尽速使用，避免材料因保存不当，产生结块及影响后续制程技术。未使用完之石墨粉尽可能存放于干燥之环境，远离水气的吸附。如果需要持续使用请用冠亚快速水分检测仪检测石墨粉的水分含量。快速水分仪采用**标准方法，沿用烘箱测试方法。具有温度设定、微调温度补偿及自动控制等功能，采用目前国际通用的热解原理研制而成的新一代卤素快速水分测定仪器。引进进口自动称重显示系统，人性化系统操作，无需特珠培训，自动校准功能、自动测试模式，取样、干燥、测定一机化操作。应变式混合气体加热器，短时间内达到加热功率，在高温下样品快速被干燥，测定精度高、时间短、无耗材、操作简便，不受环境、时漂、温漂因素影响，无需辅助设备等优点。下图为冠亚快速水分测定仪简单操作步骤：

记者27日从中国科学院高能物理研究所(中科院高能所)获悉，由该所济南研究部(济南中科核技术研究院)自主研发、可为功率半导体做“CT”(计算机断层扫描)的功率半导体封测新添“利器”——“全自动绝缘栅双极晶体管(IGBT)缺陷X射线三维检测设备”，近日在湖南株洲举行的功率半导体行业联盟第八届国际学术论坛上亮相推出，备受业界关注。中科院高能所副研究员、锐影检测科技(济南)有限公司(锐影检测)总经理刘宝东博士接受媒体采访介绍说，IGBT是一种功率半导体器件，被誉为电力电子装置的“心脏”，在高铁、新能源汽车、轨道交通、智能电网、航空航天等领域应用广泛。IGBT模块在运行过程中会产生大量的热，需要及时散掉，它通常存在两个焊料层，焊料层气孔会严重影响散热效率，可能导致重大安全事故，因此需要对气孔率严格控制。目前，常用的检测手段是超声检测，但非常容易受散热柱的干扰，导致检测偏差。同时，超声检测要将模块浸入到水中，需要隔离水的工装，还需要人工操作，检测过程复杂，难以实现在线检测，效率较低。此外，普通的二维X光成像会将IGBT模块两个焊料层混在一起，无法区分，并且有些大功率模块带有散热柱，会严重影响气孔检测的准确率。针对这些问题，中科院高能所研发团队基于10余年在大尺寸板状物三维层析成像领域的技术积累，在成功研发专用于板状古生物化石的X射线三维层析成像仪器(1.0版)基础上，面向国家重大需求的工业CT，针对集成电路先进封装的检测需求，突破一系列关键技术，研发出分辨率更高、更成熟的2.0版“全自动IGBT缺陷X射线三维检测设备”。刘宝东称，该2.0版设备依托X射线计算机层析成像技术和先进的缺陷智能检测软件算法，并将人工智能算法引入检测系统，可对不合格产品进行自动识别及分拣，为IGBT模块封测提供全自动在线无损检测解决方案，从而大大提高检测效率，保障IGBT模块的产品品质。他表示，在功率半导体封测设备研发过程中，研发团队也积累了丰富的工程化经验。而作为中科院高能所与地方合作孵化的科技成果转化企业，锐影检测为团队经验技术转化为成熟产品提供了良好平台，从而打通从技术研发到产品应用的“最后一公里”。(完)

电子产品在长时间使用后会出现过热或被烧坏的现象，研究人员最新研制出一种能够让电子产品快速散热的新材料。 　　据当地媒体7日报道，德国弗劳恩霍夫制造工程和应用材料研究所、德国西门子和奥地利攀时集团共同研发了一种新材料，这种材料是在铜中加入掺兑金属铬的钻石粉末，其导热能力是纯铜的1.5倍。 　　研究人员介绍说，通常情况下钻石和铜是不容易混合到一起的，而在钻石粉末中添加金属铬就能使钻石粉末表面产生一层碳化物膜，这种膜能有效地将二者混合起来。新材料满足了小型多功能电子产品快速散热的需要。

省科技厅：广东省十四届人大一次会议期间，蔡依军代表提出了关于加快推动检验检测仪器及试剂耗材国产化促进我省检验检测行业发展的建议，经研究，现提出协办意见如下：我局赞同蔡依军代表提出的关于加快推动检验检测仪器及试剂耗材国产化促进我省检验检测行业发展的建议。近年来，我局认真落实省委、省政府工作部署，按照市场监管总局工作要求，充分发挥职能作用，积极推动检验检测仪器国产化，促进我省检验检测行业健康发展。一、开展的主要工作（一）推动检测仪器和试剂耗材自主研发。推动我省计量技术机构等加强检测技术研究和检测仪器研制，特别是计量标准器具和标准物质研制，提升计量基标准国产化水平。近年来，广东省计量科学研究院自主研制（毫瓦级）标准超声功率源、UT-2A型超声探伤仪检定装置、固态电压标准、换热翅片开窗角度智能测量系统等多项计量标准器具（或检测装置），自主研制标准物质达176个。（二）推动检验检测机构采购国产设备。认真落实财政部等关于政府采购国产设备政策要求，对有能力自主研发并达到实际应用的检验检测机构在分类监管予以正面认可，引导和支持检验检测机构，特别是市场监管系统技术机构采购国产检测仪器，为国产检测仪器提供更好的应用空间。（三）大力推动培育精密仪器设备战略性新兴产业集群。按照我省培育精密仪器设备战略性新兴产业集群的有关部署，发挥标准、知识产权等作用，助推产业高质量发展。在精密仪器设备战略性产业集群重点细分领域，推动广东企业加强先导性标准孵化，加快基础性、通用性和关键技术标准布局，发布并推广实施高端新型电子信息、高端装备制造等标准体系规划与路线图。支持广州特种承压设备检测研究院、广州禾信仪器股份有限公司等创新主体，与省内知识产权专业服务机构合作，在精密仪器设备产业集群领域，共建高价值专利培育布局中心，推动产业技术高价值发明专利产出。2022年1—12月，广东省精密仪器设备产业发明专利有效量31302件，占全省发明专利有效量的5.80%，占全国该产业总量的12.20%。大力加强产品质量检测公共技术服务平台建设，建立国家智能电网输配电设备质量监督检验中心（广东）、国家加油机质量监督检验中心、国家智能控制系统制造产业计量测试中心等多个国家级公共技术服务平台，为产业发展提供技术支撑。二、下一步工作计划我局将继续按照国家和我省关于仪器仪表国产替代有关部署，发挥职能作用，结合我省培育精密仪器设备战略性新兴产业集群工作，大力推动技术机构加强检测设备和试剂耗材自主研发，引导和支持各类检测机构采购和使用国产设备，进一步推动检验检测仪器以及试剂耗材国产化，促进我省检验检测行业健康发展。专此函达。广东省市场监督管理局2023年4月26日

该产品广泛应用于工业、市政、环监、教学、医院、钢铁、河流等领域的实验室水质分析；例如各地的高校及科研院所，污水处理厂，第三方检测公司，污水治理工程公司；尤其在生物制药、冶金锻造、造纸印染、石油化工、皮革电镀、食品乳业等领域广泛应用。 SH-3900A型（V10）多参数水质分析仪◆显示界面：8寸彩色触屏液晶显示，中文菜单人机交互，数据直读；◇仪器光源：进口光源，稳定可靠，自动开启与关闭，延长使用寿命；◆测试方式：支持比色管360°旋转比色及4联池比色皿自动比色两种测定方式；◇项目参数：支持所有水质常规项目及可定制化扩展项目；◆曲线调用：分类别标准曲线，简单直观，支持客户自定义及编辑曲线；◇曲线校准：具有标样一键校准功能；◆数据编辑：可对测量数据实时编辑及保存，方便客户整理检测结果；◇仪器校准：开机自动校准及预热；◆数据平台：支持物联网功能，数据实时上传至盛奥华云数据服务中心，方便客户日常管理及分析，为污水处理的平稳运行提供数据支持；◇光学结构：采用凹面闪耀全息光栅，性能卓越，3秒内切换至任意波长；◆领域扩展：支持光度计功能，可实现光度测量及全波长扫描功能；◇软件升级：可实现软件版本远程升级；◆散热方式：优化结构，配以大风量静音风扇高效降温，延长仪器使用寿命；◇流程优化：配套专用检测试剂及配件，减少客户操作步骤，简便安全；性能参数物理参数波长范围190-1100nm屏幕参数8寸高清触摸彩屏光路稳定性≤±0.002Abs/h比色方式皿比色，管比色光度重复性0.2%T用户曲线＞240条杂散光≤0.005%T数据传输远程物联网光谱带宽2nm打印方式内置热敏型光度准确性±0.5%T操作界面中文AOS操作波长分辨率1nm仪器电源AC（220±10%）50Hz波长准确度±1nm使用环境温度0-50℃湿度10-90%波长重现性0.2nm仪器尺寸（460x320x350）mm吸光度重现性±0.003Abs仪器重量约20kg吸光度准确性230-900nm±0.005abs额定功率60W仪器检测指标（示值误差≤±5%）序号测定项目测量范围序号测定项目测量范围1COD5-1000mg/L19总氯0.01-10mg/L2氨氮0.05-50mg/L20甲醛0.02-5mg/L3总磷0.02-16mg/L21氰化物0.01-0.5mg/L4总氮0.05-100mg/L22磷酸盐0.005-2mg/L5色度0.01-400度23铜0.02-2.5mg/L6浊度0.01-200NTU24铁0.02-5mg/L7悬浮物2-200mg/L25锌0.02-1mg/L8硫化物0.01-1mg/L26镍0.02-5mg/L9总油0.05-16mg/L27银0.02-1mg/L10余氯0.01-10mg/L28锰0.02-5mg/L11苯胺0.01-2mg/L29总铬0.005-2mg/L12挥发酚0.02-2.5mg/L30六价铬0.005-2mg/L13高锰酸盐指数0.2-20mg/L31氨氮（水杨酸）0.01-1mg/L14硝酸盐氮（紫外）0.05-5mg/L31硝酸盐氮（可见光）0.2-10mg/L15亚硝酸盐0.005-0.2mg/L33总氮（可见光）0.2-10mg/L16硫酸盐1-150mg/L34总硬度10-600mg/L17氟化物0.02-2mg/L35二氧化氯0.01-5mg/L18臭氧0.01-1mg/L.........预制试剂、专用反应管等凡是我方提供的仪器，运输、包装等费用均由我方承担；一年之内免费保修，一年后进行有偿服务。凡是我方提供的仪器一年以后均按照供货范围表的报价进行有偿服务。 创新点：仪器采用进口光学器件及先进光路结构设计；利用360° 旋转与4联池自动往返两种比色方式，有效增强数据稳定性及准确性，极大的提高了水样的检测效率；该产品应用物联网功能，可接入盛奥华云数据服务中心，实现了检测数据远程实时查看、编辑、管理、综合分析和共享；配备8寸IPS高清触摸彩屏及菜单式界面设计；应用AOS操作系统，体现功能强大的人机交互界面； 盛奥华SH-3900A型多参数水质检测仪

记者27日从中国科学院高能物理研究所(中科院高能所)获悉，由该所济南研究部(济南中科核技术研究院)自主研发、可为功率半导体做“CT”(计算机断层扫描)的功率半导体封测新添“利器”——“全自动绝缘栅双极晶体管(IGBT)缺陷X射线三维检测设备”，近日在湖南株洲举行的功率半导体行业联盟第八届国际学术论坛上亮相推出，备受业界关注。中科院高能所副研究员、锐影检测科技(济南)有限公司(锐影检测)总经理刘宝东博士接受媒体采访介绍说，IGBT是一种功率半导体器件，被誉为电力电子装置的“心脏”，在高铁、新能源汽车、轨道交通、智能电网、航空航天等领域应用广泛。IGBT模块在运行过程中会产生大量的热，需要及时散掉，它通常存在两个焊料层，焊料层气孔会严重影响散热效率，可能导致重大安全事故，因此需要对气孔率严格控制。目前，常用的检测手段是超声检测，但非常容易受散热柱的干扰，导致检测偏差。同时，超声检测要将模块浸入到水中，需要隔离水的工装，还需要人工操作，检测过程复杂，难以实现在线检测，效率较低。此外，普通的二维X光成像会将IGBT模块两个焊料层混在一起，无法区分，并且有些大功率模块带有散热柱，会严重影响气孔检测的准确率。针对这些问题，中科院高能所研发团队基于10余年在大尺寸板状物三维层析成像领域的技术积累，在成功研发专用于板状古生物化石的X射线三维层析成像仪器(1.0版)基础上，面向国家重大需求的工业CT，针对集成电路先进封装的检测需求，突破一系列关键技术，研发出分辨率更高、更成熟的2.0版“全自动IGBT缺陷X射线三维检测设备”。刘宝东称，该2.0版设备依托X射线计算机层析成像技术和先进的缺陷智能检测软件算法，并将人工智能算法引入检测系统，可对不合格产品进行自动识别及分拣，为IGBT模块封测提供全自动在线无损检测解决方案，从而大大提高检测效率，保障IGBT模块的产品品质。他表示，在功率半导体封测设备研发过程中，研发团队也积累了丰富的工程化经验。而作为中科院高能所与地方合作孵化的科技成果转化企业，锐影检测为团队经验技术转化为成熟产品提供了良好平台，从而打通从技术研发到产品应用的“最后一公里”。

12月9日，“首都科技条件平台国产检测仪器设备验证评价研究与应用”课题启动会在京召开，来自北京市科委、北京检验检疫局以及国产检测仪器设备行业和检测机构的70余位专家和代表，就检测仪器何日实现“进口替代”展开热议。　　长期以来，进口仪器一直占据我国主要市场，分布在国家级、省级、地市级实验室，以及高校和相关企业中。在检测仪器领域，岛津、安捷伦等外资企业长期占领我国市场。功能、参数几乎相同的实验室检测仪器，尽管进口仪器的价格一直高出国产，但仍成为客户首选。　　“首都科技条件平台国产检测仪器验证评价研究与应用”是2015年首都科技条件平台科学仪器开发培育项目，由北京检验检疫局下属单位北京中认检测技术有限公司承担、北京市科委下属单位北京科学仪器装备协作服务中心参与研究。“该项目依托首都科技条件平台，致力于打破进口仪器垄断地位和助力国家科学仪器创新发展，以早日实现检测仪器的‘进口替代’，为落实国家‘十二五’对大力发展仪器设备国产化的指导方针尽一份心，为助推分析仪器行业的《中国制造2025》愿景目标的实现出一份力。”北京局副局长宋悦谦说。　　今年5月18日，国务院正式发布《中国制造2025》。这是中国版“工业4.0计划”，也是我国实施制造强国战略第一个十年行动纲领。　　“通过这一课题研究，要打造一种通过应用方的试用提高国产检测设备检测水平和用户体验的模式和机制，搭建一个检测仪器实现进口替代的推广平台。”北京市科委副主任郑焕敏表示。　　该项目组于2013年开始承担北京市科委试点项目“国产检测仪器设备验证与综合评价”课题研究。目前，已初步形成了“政府投入、企业资助、平台成员积极参与”的氛围。“在启动仪式上，我们可喜地看到一些展出的国产设备，无论是从外形工艺上还是从功能设计上都有显著提高，有些设备已可与国外同类产品一比高下。这让我们感到十分振奋和鼓舞，同时也进一步说明了我们当前开展工作的重要性和必要性。”项目组组长张锡全说。　　按照项目组安排，作为检测仪器设备采购使用单位的代表，北京局实验室将充分利用现有的国外先进仪器设备，对课题组提供的色谱仪、质谱仪等国产仪器的检测结果进行比对、验证和评价。　　该平台一方面通过对比国产仪器和国外相同类型先进仪器，为国产仪器提供改进设计方案 另一方面，从检测实际出发，帮助国产仪器建立检测方法和标准，出具验证报告等。评价指标不仅仅针对检测结果，也针对人机界面、检测速度等过程性指标 验证指标不仅仅是基础性指标，也涵盖了特殊指标。与以往课题不同的是，今年的课题将验证与评价设备种类由单一的检测类延伸扩展到前处理类和检测类设备，丰富了国产仪器验证评价种类，同时也将验证与评价工作向京外企业推广。值得一提的是，今年的课题充分关注小微企业发展，为小微企业提供验证机会，提升小微企业的发展潜力。　　多位受访的业内人士告诉记者，目前，低档同质化竞争、招投标“遭排挤”、国外隐性技术壁垒制约等因素造成当前国产检测仪器处境尴尬。　　与会专家指出，很多国产仪器其实早就可以达到进口仪器的同样性能，很多仪器甚至已被国内科研机构普遍使用。也有专家进一步指出：花钱是买实用，而不是买性能指标。目前，在中档检测仪器上，国产设备和进口设备几乎没有区别，完全可以满足使用。但一些单位用公款采购，不惜成本，甚至以拥有进口仪器为荣。　　与面临国外设备的激烈竞争相比，国产仪器内部处于低档同质化竞争状态也是一个不争的事实。据了解，目前大多数国产仪器企业在走“低价格市场竞争”路线，对产品成本投入不够，工艺水平较差。企业为了争夺市场，降低采购零部件成本，加之我国精密加工和元器件产品基础薄弱，直接影响仪器的检测能力，反映在仪器稳定性不高等方面。　　国家统计局数据显示，2014年，我国仪器仪表全行业共有规模以上企业4116家，近1100家主要企业是仪器仪表协会会员单位。行业规模小，专业分散，有95%的企业年经营收入在亿元以下，没有过10亿元的企业。绝大部分企业的产品集中在低端，还处于“满足于自己过小日子”的阶段。　　有专家表示，未来几年间，我国检测机构(实验室)、工业项目、重大科技专项(集成电路)、新药研制还将采购大量进口仪器。如果这些检测数据、工艺参数等信息均被国外大量掌握，对我国的信息安全不利。　　因此，与会专家建议，提高行业整体竞争力，继续缩短我国仪器技术与国外先进技术水平的差距，争取早日实现“进口替代”。

YH-MIP-0103型显微镜不溶性微粒检测仪检测介绍药典规定：按照中国药典0903章节的要求，不溶性微粒的检测有两个方法，光阻法不溶性微粒检查和显微镜不溶性微粒检查。随着光阻法收录入药典作为不溶性微粒检查的一个方法以来，由于其操作简单，检测速度快，无需制样等优点深受广大用户的喜爱，也便成了用户偏爱和较高一种的检查方法。而显微镜法不溶性微粒慢慢淡出人们视野。随着药学的发展，尤其是制剂学的飞速进步，各式新的剂型进入临床，如注射用乳剂，常见的有丙泊酚、中长链脂肪乳、三腔袋脂肪乳等，脂质体，混悬剂，滴眼剂，混悬剂，易产生气泡剂型等。此种注射剂剂型的特殊性，无法利用常用的光阻法检测不溶性微粒，因为其样品本身的不透明性、高粘度等原因，使得采用光阻法检测会产生假性结果，因为光阻法会将样品本身和气泡也作为颗粒计入。中国药典CP中规定所有的注射剂都要做不溶性微粒项目检查，故而显微镜法不溶性微粒检查设备是非常重要的选择。常规显微镜不溶性检查的缺陷常规显微镜不溶性微粒检查大家会采用一台简单显微镜，人工进行计数。此种操作的难点是：无法避免人为的原因导致计数的偏差，主观性太强；最重要的是人为计数对实验员眼睛的要求较高，用眼过度会造成视力过早下降，引起一些不必要的眼疾；操作不规范性，测试结果重复性差YH-MIP-0103系列显微镜不溶性微粒检测仪上海胤煌科技有限公司自主研发生产的全自动显微镜不溶性微粒检测仪YH-MIP-0103系列，从样品制备到测试完成有一套完整的方案。1）直接按照药典要求出具报告；2）全自动进行滤膜全扫描，并进行颗粒图片分析；3）可以区分颗粒性质，鉴别不溶性微粒的来源，是金属还是纤维；4）按照颗粒性质进行归类分析统计；5）光阻法检测不通过时，作为光阻法不溶性微粒的一个验证；显微镜不溶性微粒检测仪设备构成样品过滤装置，烘干装置，检测分析系统，电脑等。检测分析系统可以根据用户要求配置奥林巴斯体式显微镜、奥利巴斯金相显微镜、徕卡金相显微镜、尼康金相显微镜等。显微镜不溶性微粒检测仪应用领域应用范围：乳剂、脂质体、滴眼剂、混悬剂、易产生气泡剂型、粘度大制剂等执行标准：中国药典CP，美国药典USP 788、USP 789，欧洲药典 EP，英国药典 BP2013，日本药典JP等YH-MIP-0103系统介绍：组成：显微镜颗粒分析系统既可以观察颗粒形貌，还可以得到粒度分布、数量、大小、平均长径比以及长径比分布等，为科研、生产领域增添了一种新的粒度测试手段；该系统包括光学显微镜、数字CCD 摄像头、图像处理与分析软件、电脑、打印机等部分组成；是传统显微测量方法与现代图像处理技术结合的产品；软件：测试软件具有操作员管理系统、测试标准、零件测试模板、图像存储、颗粒追踪、报告输出、清洁度分析等功能；全面自动标准选择、颗粒尺寸设定、颗粒计数，或按用户设定范围计数，自动显示分析结果，并按照相关标准确定产品等级；专业软件控制分析过程，手动对焦，手动光强，自动扫描，自动摄入，自动分析；专用数字摄像机将显微镜的图像拍摄及扫描；全自动膜片扫描系统，无缝拼接， 数字化显微镜分析系统；数据传输：R232 接口数据传输方式将颗粒图像传输到分析系统； 颗粒图像分析软件及平台对图像进行处理与分析；显示器及打印机输出分析结果；特点：直观、形象、准确、测试范围宽以及自动识别、自动统计、自动标定等特点； 避免激光法的产品缺陷，扩展检测范围；YH-MIP-0103系统介绍：胤煌科技为您奉献的专门高性价比实验室显微镜。可以轻松地根据需要进行明场、暗场、相衬、荧光、偏光等多种观察；还可以连接照相机、数码摄像头，与电脑联机工作。1）物镜:独立校正光学系统，物镜拥有更高的数值孔径，成像更加平坦，清晰范围可达视场边缘。5X、10X、20X、30X、40X、50X、80X、100X 等可根据要求选配、经过防霉处理；2）目镜:高眼点，屈光度可调。10X 目镜视场范围有 20mm 和 22mm 两种配置。经过防霉处理；3）阿贝聚光镜:数值孔径 NA1.25，中心可调，带相衬板插孔，配孔径光阑调节装置，聚光镜孔径光阑采用与物镜色圈相同颜色的标记，方便您的使用；4）暗场聚光镜：专门用于暗场观察，安装方便；5）偏光装置：加配起偏器和验片器，您便可以轻松进行简易偏光观察；6）多功能转盘式相衬聚光镜:数值孔径 NA1.25，配置多功能相衬聚光镜，您可以配合 10X-100X 相衬物镜进行相衬观察，配合 10X-40X 物镜进行暗场观察，也可以明场观察；7）内倾式转换器：方便您放置切片，变换物镜进行观察；8）机械载物台:平台尺寸大于 100*100mm，可容纳 2*50mm 快切片，配切片定位夹；X/Y 方向移动范围大于 50*50mm。低位同轴移动手轮；9）无导轨机械载物台:平台尺寸大于 100*100mm，可容纳 2*50mm 快切片，配切片定位夹；X/Y 方向移动范围大于 50*50mm，低位同轴移动手轮，调节手轮可以根据您的用手习惯任意安装在载物台的左手或右手一侧；10）电动载物台:平台行程：大于 80*70mm；行程：2000μm；定位精度：≤±5μm；典型分辨率： 单步 0.625μm；11）观察筒:双目或三目铰链式观察筒；三目分光比 20/80，可以轻松与数码摄像头或照相机连接工作；视场较高可配置到 22mm；有 48-75mm和 52-75mm 两种不同的双目瞳孔,调节距分别适用于亚洲和欧美人士使用，您可以根据自己双目距离作出灵活的选择；12）粗微动手轮高度可调:根据您手形的大小，粗微动手轮高度可调，为您的手臂带来轻松和舒适；13）照明系统:6V/20W、6V/30W 卤素灯或者 LED 多种光源可供选择。抽屉式的灯座设计让您只需简单地拔出、插入便可方便地更换灯泡；14）高效率的独立散热系统:即使在 6V/30W 卤素灯 48 小时不间断照明的环境下，机身也不会烫手，完全解决了长期困扰研究人员的机身发烫问题；15）增高器：果您体型高大，可选配增高器，保证您观察时的坐姿更加舒适；16）搬运把手：保证您移动显微镜时轻松安全；YH-MINP-0103产品配置 显微镜不溶性微粒检测仪技术参数测试范围: 1 μm - 500 μm放大倍数：40X-l000X 倍比较大分辨：0.1 μm显微镜误差：0.02（不包含样品制备因素造成的误差）重复性误差： 93%软件运行环境：Windows 2000、Windows XP接口方式：RS232 或 USB 方式供货期：30 个工作日精 确 度：95%（按中国药典 2010 版校准）YH-MIP-0103分析过程： YH-MIP-0103系统介绍：美国药典 USP 788、USP 789、USP35-NF30、USP32-NF27；欧洲药典 EP6.0、EP7.0、EP7.8、EP8.0；英国药典 BP2013、BP2012、2010、2009；日本药典 JP16、JP15、JP14；印度药典 IP2010 版；WHO 国际药典 IntPh 第四版；中国药典 2010 年、2015 年；GB8368 输液器具；ISO21510；ISO11171 等。GB/T 11446.9-2013 电子级水中微粒的仪器测试方法。可根据客户要求，植入相应“光阻法颗粒度”测试和评判标准。 创新点：显微镜不溶性微粒检测仪 全自动进行滤膜全扫描，并进行颗粒图片分析，可以区分颗粒性质，鉴别不溶性微粒的来源，是金属还是纤维按照颗粒性质进行归类分析统计，检测分析系统可按客户要求配置奥林巴斯体式显微镜、奥林巴斯金相显微镜等 显微镜不溶性微粒检测仪

table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" tbody tr td width=" 89" p style=" line-height: 1.75em " 成果名称 /p /td td width=" 532" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" text-align: center line-height: 1.75em " strong 微纳级半导体光/电特性三维检测仪 /strong /p /td /tr tr td width=" 97" p style=" line-height: 1.75em " 单位名称 /p /td td width=" 532" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 高动态导航技术北京市重点实验室 /p /td /tr tr td width=" 97" p style=" line-height: 1.75em " 联系人 /p /td td width=" 164" p style=" line-height: 1.75em " 付国栋 /p /td td width=" 161" p style=" line-height: 1.75em " 联系邮箱 /p /td td width=" 187" p style=" line-height: 1.75em " fuguodd@163.com /p /td /tr tr td width=" 97" p style=" line-height: 1.75em " 成果成熟度 /p /td td width=" 529" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " □正在研发 & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp □已有样机& nbsp & nbsp □通过小试& nbsp & nbsp □通过中试& nbsp & nbsp √可以量产 /p /td /tr tr td width=" 97" p style=" line-height: 1.75em " 合作方式 /p /td td width=" 529" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " √技术转让& nbsp & nbsp & nbsp √技术入股 & nbsp & nbsp & nbsp √合作开发& nbsp & nbsp □其他 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 成果简介：& nbsp /strong /p p style=" text-align:center" span style=" line-height: 1.75em " & nbsp /span strong img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/14804d5d-d9d4-4206-bde5-fb75196465c9.jpg" title=" 1.jpg" / /strong /p p style=" line-height: 1.75em " & nbsp & nbsp 半导体光电探测器晶圆向大直径、高密度发展，检测要求呈多样化趋势，迫切需求大行程（≥300mm）、高定位精度（0.5μm）、能够提供高/低温、光/暗等环境的光/电特性检测仪器。针对上述需求，突破高精度直驱控制、微弱信号提取及处理、低温无霜测试控制、单光子信号源等关键技术，形成大行程、高精度半导体光/电特性检测仪及三维平台精准定位技术，在大面阵、高精度定位，长时高可靠控制，微纳级信号检测与处理，高精度低温无霜测试等方面达到国际先进水平。主要性能指标：（1）轴系：XYZR四轴（2）行程：300mm；（3）位移精度：1μm（4）温度范围：-60℃～200℃。成果已在核高基项目中获得应用。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 应用前景： /strong br/ & nbsp & nbsp 成果主要用于半导体晶圆设计和生产过程中的IV/CV/脉冲、暗电流、暗计数、单光子探测效率、温度特性、噪声等效功率测试及数据采集、分析。 br/ & nbsp & nbsp 成果适用于开展半导体晶圆及芯片设计、生产的高校、科研院所及企业。 br/ & nbsp & nbsp 预计国内市场年需求量在1800～2000台，市场规模约30亿元。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 知识产权及项目获奖情况： /strong br/ & nbsp & nbsp 具有核心技术，受理发明专利2项： br/ & nbsp & nbsp （1）专利名称：一种三维多曲面融合敏感结构微纳振幅电容检测系统（申请号：CN201410512345.5）； br/ & nbsp & nbsp （2）专利名称：一种基于模糊控制的小型数字舵机系统（申请号：CN201410233762.6）。 /p /td /tr /tbody /table p br/ /p

村田制作所日前研制出了基于其独有技术&ldquo 金属网元件&rdquo 的小型简易PM2.5(颗粒物)检测仪器，村田制作所称，该仪器为世界首个可实现简易颗粒物检测的设备。该仪器在9月4日-9月6日召开的分析仪器展会&ldquo JASIS 2013&rdquo 上首次展出。 金属网元件及放大后的结构 金属网元件工作原理 　　新型仪器基于村田制作所的&ldquo 金属网元件&rdquo (金属メッシュデバイス)技术，该技术于2011年公布，已在血液检测、DNA检测等领域使用。 该元件采用了薄膜的微观结构和微米级的加工技术，中间部分为兼具微细构造和机械强度的网状结构，因此得名。利用金属网元件的网状结构，可实现按照物质尺寸划分物质的筛选功能。这种网状结构能够加工成&mu m级微细构造，可以用来捕集粒径在2.5&mu m以下的PM2.5颗粒。 当金属网元件上有物质附着时，元件表面的电磁波共振形态会受到影响，电磁波响应也随之发生变化。通过专用检测仪器测量这种电磁波响应，就能够检测出物质。而电磁波响应的变化量跟该元件上附着的物质的质量有关，事先确定标准曲线(Standard curve)的话，还能进行相对定量检测。 　　这一检测系统能够在很短的时间内进行一个简单迅速的测量，测量系统也能够被小型化和阵列化。 村田制作所PM2.5采集及检测系统 　　村田制作所于JASIS 2013展出的PM2.5检测系统使用了该公司开发的微型风扇进行吸气，进而在金属网元件上捕集PM2.5，然后通过用专用检测仪器测量吸气后的金属网元件，就可以检出元件上的PM2.5的数量。 　　村田制作所为确认此次PM2.5检测系统的准确度，于2013年4月6～20日在日本福冈市内进行了实验。实验结果表明，该系统的PM2.5检测结果和福冈市利用大型检测仪器检测的数据相关系数达到了0.92。 村田制作所还考虑将此次展示的PM2.5检测系统和专用检测仪器合为一体投放。

1. 研究背景及意义碳化硅(SiC)是一种宽带隙(WBG)的半导体材料，目前已经显示出有能力满足前述领域中不断发展的电力电子的更高性能要求。在过去，硅(Si)一直是最广泛使用的功率开关器件的半导体材料。然而，随着硅基功率器件已经接近其物理极限，进一步提高其性能正成为一个巨大的挑战。我们很难将它的阻断电压和工作温度分别限制在6.5kV和175℃，而且相对于碳化硅器件它的开关速度相对较慢。另一方面，由SiC制成的器件在过去几十年中已经从不成熟的实验室原型发展成为可行的商业产品，并且由于其高击穿电压、高工作电场、高工作温度、高开关频率和低损耗等优势被认为是Si基功率器件的替代品。除了这些性能上的改进，基于SiC器件的电力电子器件有望通过最大限度地减少冷却要求和无源元件要求来实现系统的体积缩小，有助于降低整个系统成本。SiC的这些优点与未来能源转换应用中的电力电子器件的要求和方向非常一致。尽管与硅基器件相比SiC器件的成本较高，但SiC器件能够带来的潜在系统优势足以抵消增加的器件成本。目前SiC器件和模块制造商的市场调查显示SiC器件的优势在最近的商业产品中很明显，例如SiC MOSFETs的导通电阻比Si IGBT的导通电阻小四倍，并且在每三年内呈现出-30%的下降趋势。与硅同类产品相比，SiC器件的开关能量小10-20倍，最大开关频率估计高20倍。由于这些优点，预计到2022年，SiC功率器件的总市场将增长到10亿美元，复合年增长率(CAGR)为28%，预计最大的创收应用是在混合动力和电动汽车、光伏逆变器和工业电机驱动中。然而，从器件的角度来看，挑战和问题仍然存在。随着SiC芯片有效面积的减少，短路耐久时间也趋于减少。这表明在稳定性、可靠性和芯片尺寸之间存在着冲突。而且SiC器件的现场可靠性并没有在各种应用领域得到证明，这些问题直接导致SiC器件在电力电子市场中的应用大打折扣。另一方面，生产高质量、低缺陷和较大的SiC晶圆是SiC器件制造的技术障碍。这种制造上的困难使得SiC MOSFET的每年平均销售价格比Si同类产品高4-5倍。尽管SiC材料的缺陷已经在很大程度上被克服，但制造工艺还需要改进，以使SiC器件的成本更加合理。最近几年大多数SiC器件制造大厂已经开始使用6英寸晶圆进行生产。硅代工公司X-fab已经升级了其制造资源去适应6英寸SiC晶圆，从而为诸如Monolith这类无晶圆厂的公司提供服务。这些积极的操作将导致SiC器件的整体成本降低。图1.1 SiC器件及其封装的发展图1.1展示了SiC功率器件及其封装的发展里程碑。第一个推向市场的SiC器件是英飞凌公司在2001年生产的肖特基二极管。此后，其他公司如Cree和Rohm继续发布各种额定值的SiC二极管。2008年，SemiSouth公司生产了第一个SiC结点栅场效应晶体管（JFET），在那个时间段左右，各公司开始将SiC肖特基二极管裸模集成到基于Si IGBT的功率模块中，生产混合SiC功率模块。从2010年到2011年，Rohm和Cree推出了第一个具有1200V额定值的分立封装的SiC MOSFET。随着SiC功率晶体管的商业化，Vincotech和Microsemi等公司在2011年开始使用SiC JFET和SiC二极管生产全SiC模块。2013年，Cree推出了使用SiC MOSFET和SiC二极管的全SiC模块。此后，其他器件供应商，包括三菱、赛米控、富士和英飞凌，自己也发布了全SiC模块。在大多数情况下，SiC器件最初是作为分立元件推出的，而将这些器件实现为模块封装是在最初发布的几年后开发的。这是因为到目前为止分立封装的制造过程比功率模块封装要简单得多。另一个原因也有可能是因为发布的模块已经通过了广泛的标准JEDEC可靠性测试资格认证，这代表器件可以通过2000万次循环而不发生故障，因此具有严格的功率循环功能。而且分离元件在设计系统时具有灵活性，成本较低，而模块的优势在于性能较高，一旦有了产品就容易集成。虽然SiC半导体技术一直在快速向前发展，但功率模块的封装技术似乎是在依赖过去的惯例，这是一个成熟的标准。然而，它并没有达到充分挖掘新器件的潜力的速度。SiC器件的封装大多是基于陶瓷基底上的线接合方法，这是形成多芯片模块（MCM）互连的标准方法，因为它易于使用且成本相对较低。然而，这种标准的封装方法由于其封装本身的局限性，已经被指出是向更高性能系统发展的技术障碍。首先，封装的电寄生效应太高，以至于在SiC器件的快速开关过程中会产生不必要的损失和噪音。第二，封装的热阻太高，而热容量太低，这限制了封装在稳态和瞬态的散热性能。第三，构成封装的材料和元件通常与高温操作（200℃）不兼容，在升高的操作温度下，热机械可靠性恶化。最后，对于即将到来的高压SiC器件，承受高电场的能力是不够的。这些挑战的细节将在第二节进一步阐述。总之，不是器件本身，而是功率模块的封装是主要的限制因素之一，它阻碍了封装充分发挥SiC元件的优势。因此，应尽最大努力了解未来SiC封装所需的特征，并相应地开发新型封装技术去解决其局限性。随着社会的发展，环保问题与能源问题愈发严重，为了提高电能的转化效率，人们对于用于电力变换和电力控制的功率器件需求强烈[1, 2]。碳化硅（SiC）材料作为第三代半导体材料，具有禁带宽度大，击穿场强高、电子饱和速度大、热导率高等优点[3]。与传统的Si器件相比，SiC器件的开关能耗要低十多倍[4]，开关频率最高提高20倍[5, 6]。SiC功率器件可以有效实现电力电子系统的高效率、小型化和轻量化。但是由于SiC器件工作频率高，而且结电容较小，栅极电荷低，这就导致器件开关时，电压和电流变化很大，寄生电感就极易产生电压过冲和振荡现象，造成器件电压应力、损耗的增加和电磁干扰问题[7, 8]。还要考虑极端条件下的可靠性问题。为了解决这些问题，除了器件本身加以改进，在封装工艺上也需要满足不同工况的特性要求。起先，电力电子中的SiC器件是作为分立器件生产的，这意味着封装也是分立的。然而SiC器件中电压或电流的限制，通常工作在低功耗水平。当需求功率达到100 kW或更高时，设备往往无法满足功率容量要求[9]。因此，需要在设备中连接和封装多个SiC芯片以解决这些问题，并称为功率模块封装[10, 11]。到目前为止，功率半导体的封装工艺中，铝（Al）引线键合封装方案一直是最优的封装结构[12]。传统封装方案的功率模块采用陶瓷覆铜板，陶瓷覆铜板（Direct Bonding Copper，DBC）是一种具有两层铜的陶瓷基板，其中一层图案化以形成电路[13]。功率半导体器件底部一般直接使用焊料连接到DBC上，顶部则使用铝引线键合。底板（Baseplate）的主要功能是为DBC提供支撑以及提供传导散热的功能，并与外部散热器连接。传统封装提供电气互连（通过Al引线与DBC上部的Cu电路键合）、电绝缘（使用DBC陶瓷基板）、器件保护（通过封装材料）和热管理（通过底部）。这种典型的封装结构用于目前制造的绝大多数电源模块[14]。传统的封装方法已经通过了严格的功率循环测试（2000万次无故障循环），并通过了JEDEC标准认证[15]。传统的封装工艺可以使用现有的设备进行，不需要额外开发投资设备。传统的功率模块封装由七个基本元素组成，即功率半导体芯片、绝缘基板、底板、粘合材料、功率互连、封装剂和塑料外壳，如图1.2所示。模块中的这些元素由不同的材料组成，从绝缘体、导体、半导体到有机物和无机物。由于这些不同的材料牢固地结合在一起，为每个元素选择适当的材料以形成一个坚固的封装是至关重要的。在本节中，将讨论七个基本元素中每个元素的作用和流行的选择以及它们的组装过程。图1.2标准功率模块结构的横截面功率半导体是功率模块中的重要元素，通过执行电气开/关开关将功率从源头转换到负载。标准功率模块中最常用的器件类型是MOSFETs、IGBTs、二极管和晶闸管。绝缘衬底在半导体元件和终端之间提供电气传导，与其他金属部件（如底板和散热器）进行电气隔离，并对元件产生的热量进行散热。直接键合铜（DBC）基材在传统的电源模块中被用作绝缘基材，因为它们具有优良的性能，不仅能满足电气和热的要求，而且还具有机械可靠性。在各种候选材料中，夹在两层铜之间的陶瓷层的流行材料是Al2O3，AlN，Si2N4和BeO。接合材料的主要功能是通过连接每个部件，在半导体、导体导线、端子、基材和电源模块的底板之间提供机械、热和电的联系。由于其与电子组装环境的兼容性，SnPb和SnAgCu作为焊料合金是最常用的芯片和基片连接材料。在选择用于功率模块的焊料合金时，需要注意的重要特征是：与使用温度有关的熔化温度，与功率芯片的金属化、绝缘衬底和底板的兼容性，高机械强度，低弹性模量，高抗蠕变性和高抗疲劳性，高导热性，匹配的热膨胀系数（CTE），成本和环境影响。底板的主要作用是为绝缘基板提供机械支持。它还从绝缘基板上吸收热量并将其传递给冷却系统。高导热性和低CTE（与绝缘基板相匹配）是对底板的重要特性要求。广泛使用的底板材料是Cu，AlSiC，CuMoCu和CuW。导线键合的主要作用是在模块的功率半导体、导体线路和输入/输出终端之间进行电气连接。器件的顶面连接最常用的材料是铝线。对于额定功率较高的功率模块，重铝线键合或带状键合用于连接功率器件的顶面和陶瓷基板的金属化，这样可以降低电阻和增强热能力。封装剂的主要目的是保护半导体设备和电线组装的组件免受恶劣环境条件的影响，如潮湿、化学品和气体。此外，封装剂不仅在电线和元件之间提供电绝缘，以抵御电压水平的提高，而且还可以作为一种热传播媒介。在电源模块中作为封装剂使用的材料有硅凝胶、硅胶、聚腊烯、丙烯酸、聚氨酯和环氧树脂。塑料外壳（包括盖子）可以保护模块免受机械冲击和环境影响。因为即使电源芯片和电线被嵌入到封装材料中，它们仍然可能因处理不当而被打破或损坏。同时外壳还能机械地支撑端子，并在端子之间提供隔离距离。热固性烯烃（DAP）、热固性环氧树脂和含有玻璃填料的热塑性聚酯（PBT）是塑料外壳的最佳选择。传统电源模块的制造过程开始于使用回流炉在准备好的DBC基片上焊接电源芯片。然后，许多这些附有模具的DBC基板也使用回流焊工艺焊接到一个底板上。在同一块底板上，用胶水或螺丝钉把装有端子的塑料外壳连接起来。然后，正如前面所讨论的那样，通过使用铝线进行电线连接，实现电源芯片的顶部、DBC的金属化和端子之间的连接。最后，用分配器将封装材料沉积在元件的顶部，并在高温下固化。前面所描述的结构、材料和一系列工艺被认为是功率模块封装技术的标准，在目前的实践中仍被广泛使用。尽管对新型封装方法的需求一直在持续，但技术变革或采用是渐进的。这种对新技术的缓慢接受可以用以下原因来解释。首先，人们对与新技术的制造有关的可靠性和可重复性与新制造工艺的结合表示担忧，这需要时间来解决。因此，考虑到及时的市场供应，模块制造商选择继续使用成熟的、广为人知的传统功率模块封装技术。第二个原因是传统电源模块的成本效益。由于传统电源模块的制造基础设施与其他电子器件封装环境兼容，因此不需要与开发新材料和设备有关的额外成本，这就大大降低了工艺成本。尽管有这些理由坚持使用标准的封装方法，但随着半导体趋势从硅基器件向碳化硅基器件的转变，它正显示出局限性并面临着根本性的挑战。使用SiC器件的最重要的优势之一是能够在高开关频率下工作。在功率转换器中推动更高的频率背后的主要机制是最大限度地减少整个系统的尺寸，并通过更高的开关频率带来的显著的无源尺寸减少来提高功率密度。然而，由于与高开关频率相关的损耗，大功率电子设备中基于硅的器件的开关频率通常被限制在几千赫兹。图1.3中给出的一个例子显示，随着频率的增加，使用Si-IGBT的功率转换器的效率下降，在20kHz时已经下降到73%。另一方面，在相同的频率下，SiC MOSFET的效率保持高达92%。从这个例子中可以看出，硅基器件在高频运行中显示出局限性，而SiC元件能够在更高频率下运行时处理高能量水平。尽管SiC器件在开关性能上优于Si器件对应产品，但如果要充分利用其快速开关的优势，还需要考虑到一些特殊的因素。快速开关的瞬态效应会导致器件和封装内部的电磁寄生效应，这正成为SiC功率模块作为高性能开关应用的最大障碍。图1.3 Si和SiC转换器在全额定功率和不同开关频率下的效率图1.4给出了一个半桥功率模块的电路原理图，该模块由高低两侧的开关和二极管对组成，如图1.4所示，其中有一组最关键的寄生电感，即主开关回路杂散电感(Lswitch)、栅极回路电感(Lgate)和公共源电感(Lsource)。主开关回路杂散电感同时存在于外部电源电路和内部封装互连中，而外部杂散电感对开关性能的影响可以通过去耦电容来消除。主开关回路杂散电感(Lswitch)是由直流+总线、续流二极管、MOSFET(或IGBT)和直流总线终端之间的等效串联电感构成的。它负责电压过冲，在关断期间由于电流下降而对器件造成严重的压力，负反馈干扰充电和向栅极源放电的电流而造成较慢的di/dt的开关损失，杂散电感和半导体器件的输出电容的共振而造成开关波形的振荡增加，从而导致EMI发射增加。栅极环路电感(Lgate)由栅极电流路径形成，即从驱动板到器件的栅极接触垫，以及器件的源极到驱动板的连接。它通过造成栅极-源极电压积累的延迟而降低了可实现的最大开关频率。它还与器件的栅极-源极电容发生共振，导致栅极信号的震荡。结果就是当我们并联多个功率芯片模块时，如果每个栅极环路的寄生电感不相同或者对称，那么在开关瞬间将产生电流失衡。共源电感(Lsource)来自主开关回路和栅极回路电感之间的耦合。当打开和关闭功率器件时，di/dt和这个电感上的电压在栅极电路中作为额外的（通常是相反的）电压源，导致di/dt的斜率下降，扭曲了栅极信号，并限制了开关速度。此外，共源电感可能会导致错误的触发事件，这可能会通过在错误的时间打开器件而损坏器件。这些寄生电感的影响在快速开关SiC器件中变得更加严重。在SiC器件的开关瞬态过程中会产生非常高的漏极电流斜率di/dt，而前面讨论的寄生电感的电压尖峰和下降也明显大于Si器件的。寄生电感的这些不良影响导致了开关能量损失的增加和可达到的最大开关频率的降低。开关瞬态的问题不仅来自于电流斜率di/dt，也来自于电压斜率dv/dt。这个dv/dt导致位移电流通过封装的寄生电容，也就是芯片和冷却系统之间的电容。图1.5显示了半桥模块和散热器之间存在的寄生电容的简化图。这种不需要的电流会导致对变频器供电的电机的可靠性产生不利影响。例如，汽车应用中由放电加工(EDM)引起的电机轴承缺陷会产生很大的噪声电流。在传统的硅基器件中，由于dv/dt较低，约为3 kV/µs，因此流经寄生电容的电流通常忽略不记。然而，SiC器件的dv/dt比Si器件的dv/dt高一个数量级，最高可达50 kV/µs，使通过封装电容的电流不再可以忽略。对Si和SiC器件产生的电磁干扰(EMI)的比较研究表明，由于SiC器件的快速开关速度，传导和辐射的EMI随着SiC器件的使用而增加。除了通过封装进入冷却系统的电流外，电容寄也会减缓电压瞬变，在开关期间产生过电流尖峰，并通过与寄生电感形成谐振电路而增加EMI发射，这是我们不希望看到的。未来的功率模块封装应考虑到SiC封装中的寄生和高频瞬变所带来的所有复杂问题和挑战。解决这些问题的主要封装级需要做到以下几点。第一，主开关回路的电感需要通过新的互连技术来最小化，以取代冗长的线束，并通过优化布局设计，使功率器件接近。第二，由于制造上的不兼容性和安全问题，栅极驱动电路通常被组装在与功率模块分开的基板上。应通过将栅极驱动电路与功率模块尽可能地接近使栅极环路电感最小化。另外，在平行芯片的情况下，布局应该是对称的，以避免电流不平衡。第三，需要通过将栅极环路电流与主开关环路电流分开来避免共源电感带来的问题。这可以通过提供一个额外的引脚来实现，例如开尔文源连接。第四，应通过减少输出端和接地散热器的电容耦合来减轻寄生电容中流动的电流，比如避免交流电位的金属痕迹的几何重叠。图1.4半桥模块的电路原理图。三个主要的寄生电感表示为Lswitch、Lgate和Lsource。图1.5半桥模块的电路原理图。封装和散热器之间有寄生电容。尽管目前的功率器件具有优良的功率转换效率，但在运行的功率模块中，这些器件产生的热量是不可避免的。功率器件的开关和传导损失在器件周围以及从芯片到冷却剂的整个热路径上产生高度集中的热通量密度。这种热通量导致功率器件的性能下降，以及器件和封装的热诱导可靠性问题。在这个从Si基器件向SiC基器件过渡的时期，功率模块封装面临着前所未有的散热挑战。图1.6根据额定电压和热阻计算出所需的总芯片面积在相同的电压和电流等级下，SiC器件的尺寸可以比Si器件小得多，这为更紧凑的功率模块设计提供了机会。根据芯片的热阻表达式，芯片尺寸的缩小，例如芯片边缘的长度，会导致热阻的二次方增加。这意味着SiC功率器件的模块化封装需要特别注意散热和冷却。图1.6展示了计算出所需的总芯片面积减少，这与芯片到冷却剂的热阻减少有关。换句话说，随着芯片面积的减少，SiC器件所需的热阻需要提高。然而，即使结合最先进的冷却策略，如直接冷却的冷板与针状翅片结构，假设应用一个70kVA的逆变器，基于DBC和线束的标准功率模块封装的单位面积热阻值通常在0.3至0.4 Kcm2/W之间。为了满足研究中预测的未来功率模块的性能和成本目标，该值需要低于0.2 Kcm2/W，这只能通过创新方法实现，比如双面冷却法。同时，小的芯片面积也使其难以放置足够数量的线束，这不仅限制了电流处理能力，也限制了热电容。以前对标准功率模块封装的热改进大多集中在稳态热阻上，这可能不能很好地代表开关功率模块的瞬态热行为。由于预计SiC器件具有快速功率脉冲的极其集中的热通量密度，因此不仅需要降低热阻，还需要改善热容量，以尽量减少这些快速脉冲导致的峰值温度上升。在未来的功率模块封装中，应解决因采用SiC器件而产生的热挑战。以下是未来SiC封装在散热方面应考虑的一些要求。第一，为了降低热阻，需要减少或消除热路中的一些封装层；第二，散热也需要从芯片的顶部完成以使模块的热阻达到极低水平，这可能需要改变互连方法，比如采用更大面积的接头；第三，封装层接口处的先进材料将有助于降低封装的热阻。例如，用于芯片连接和热扩散器的材料可以分别用更高的导热性接头和碳基复合材料代替。第四，喷射撞击、喷雾和微通道等先进的冷却方法可以用来提高散热能力。SiC器件有可能被用于预期温度范围极广的航空航天应用中。例如用于月球或火星任务的电子器件需要分别在-180℃至125℃和-120℃至85℃的广泛环境温度循环中生存。由于这些空间探索中的大多数电子器件都是基于类似地球的环境进行封装的，因此它们被保存在暖箱中，以保持它们在极低温度下的运行。由于SiC器件正在评估这些条件，因此需要开发与这些恶劣环境兼容的封装技术，而无需使用暖箱。与低温有关的最大挑战之一是热循环引起的大的CTE失配对芯片连接界面造成的巨大压力。另外，在室温下具有柔性和顺应性的材料，如硅凝胶，在-180℃时可能变得僵硬，在封装内产生巨大的应力水平。因此，SiC封装在航空应用中的未来方向首先是开发和评估与芯片的CTE密切匹配的基材，以尽量减少应力。其次，另一个方向应该是开发在极低温度下保持可塑性的芯片连接材料。在最近的研究活动中，在-180℃-125℃的极端温度范围内，对分别作为基材和芯片附件的SiN和Indium焊料的性能进行了评估和表征。为进一步推动我国能源战略的实施，提高我国在新能源领域技术、装备的国际竞争力，实现高可靠性碳化硅 MOSFET 器件中试生产技术研究，研制出满足移动储能变流器应用的多芯片并联大功率MOSFET 器件。本研究将通过寄生参数提取、建模、仿真及测试方式研究 DBC 布局、多栅极电阻等方式对芯片寄生电感与均流特性的影响，进一步提高我国碳化硅器件封装及测试能力。2. SiC MOSFET功率模块设计技术2.1 模块设计技术介绍在MOSFET模块设计中引入软件仿真环节，利用三维电磁仿真软件、三维温度场仿真软件、三维应力场仿真软件、寄生参数提取软件和变流系统仿真软件，对MOSFET模块设计中关注的电磁场分布、热分布、应力分布、均流特性、开关特性、引线寄生参数对模块电特性影响等问题进行仿真，减小研发周期、降低设计研发成本，保证设计的产品具备优良性能。在仿真基础上，结合项目团队多年从事电力电子器件设计所积累的经验，解决高压大功率MOSFET模块设计中存在的多片MOSFET芯片和FRD芯片的匹配与均流、DBC版图的设计与芯片排布设计、电极结构设计、MOSFET模块结构设计等一系列难题，最终完成模块产品的设计。高压大功率MOSFET模块设计流程如下：图2.1高压大功率MOSFET模块设计流程在MOSFET模块设计中，需要综合考虑很多问题，例如：散热问题、均流问题、场耦合问题、MOSFET模块结构优化设计问题等等。MOSFET芯片体积小，热流密度可以达到100W/cm2~250W/cm2。同时，基于硅基的MOSFET芯片最高工作温度为175℃左右。据统计，由于高温导致的失效占电力电子芯片所有失效类型的50%以上。随电力电子器件设备集成度和环境集成度的逐渐增加，MOSFET模块的最高温升限值急剧下降。因此，MOSFET模块的三维温度场仿真技术是高效率高功率密度MOSFET模块设计开发的首要问题。模块散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。另外，芯片的排布对热分布影响也很大。下图4.2是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果：图2.2 MOSFET模块散热分布分析在完成结构设计和材料选取后，采用ANSYS软件的热分析模块ICEPAK，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布，根据温度场分布再对MOSFET内部结构和材料进行调整，直至达到设计要求范围内的最优。2.2 材料数据库对一个完整的焊接式MOSFET模块而言，从上往下为一个 8层结构：绝缘盖板、密封胶、键合、半导体芯片层、焊接层 1、DBC、焊接层 2、金属底板。MOSFET模块所涉及的主要材料可分为以下几种类型：导体、绝缘体、半导体、有机物和无机物。MOSFET模块的电、热、机械等性能与材料本身的电导率、热导率、热膨胀系数、介电常数、机械强度等密切相关。材料的选型非常重要，为此有必要建立起常用的材料库。2.3 芯片的仿真模型库所涉及的MOSFET芯片有多种规格，包括：1700V 75A/100A/125A；2500V/50A；3300V/50A/62.5A；600V/100A；1200V/100A；4500V/42A；6500V/32A。为便于合理地进行芯片选型（确定芯片规格及其数量），精确分析多芯片并联时的均流性能，首先为上述芯片建立等效电路模型。在此基础上，针对实际电力电子系统中的滤波器、电缆和电机负载模型，搭建一个系统及的仿真平台，从而对整个系统的电气性能进行分析预估。2.4 MOSFET模块的热管理MOSFET模块是一个含不同材料的密集封装的多层结构，其热流密度达到100W/cm2--250W/cm2，模块能长期安全可靠运行的首要因素是良好的散热能力。散热能力与众多因素有关：MOSFET模块所用材料的物理和化学性质、MOSFET芯片的布局、贴片的质量、焊接的工艺水平等。如果贴片质量差，有效散热面积小，芯片与DBC之间的热阻大，在模块运行时易造成模块局部过热而损坏。芯片可靠散热的另一重要因素是键合的长度和位置。假设散热底板的温度分布均匀，而每个MOSFET芯片对底板的热阻有差异，导致在相同工况时，每个MOSFET芯片的结温不同。下图是采用有限元软件对模块内部的温度场进行分析的结果。图2.3MOSFET模块热分布在模块完成封装后，采用FLOTHERM软件的热分析模块，建立包括铜基板、DBC、MOSFET芯片、二极管芯片以及包括铝质键合引线在内的相对完整的数值模拟模型。模拟实际工作条件，施加相应的载荷，得到MOSFET的温度场分布的数值解，为MOSFET温度场分布的测试提供一定的依据。2.5. 芯片布局与杂散参数提取根据MOSFET模块不同的电压和电流等级，MOSFET模块所使用芯片的规格不同，芯片之间的连接方式也不同。因此，详细的布局设计放在项目实施阶段去完成。对中低压MOSFET模块和高压MOSFET模块，布局阶段考虑的因素会有所不同，具体体现在DBC与散热底板之间的绝缘、DBC上铜线迹之间的绝缘以及键合之间的绝缘等。2.6 芯片互联的杂散参数提取MOSFET芯片并联应用时的电流分配不均衡主要有两种：静态电流不均衡和动态电流不均衡。静态电流不均衡主要由器件的饱和压降VCE（sat）不一致所引起；而动态电流不均衡则是由于器件的开关时间不同步引起的。此外，栅极驱动、电路的布局以及并联模块的温度等因素也会影响开关时刻的动态均流。回路寄生电感特别是射极引线电感的不同将会使器件开关时刻不同步；驱动电路输出阻抗的不一致将引起充放电时间不同；驱动电路的回路引线电感可能引起寄生振荡；以及温度不平衡会影响到并联器件动态均流。2.7 模块设计专家知识库通过不同规格MOSFET模块的设计－生产－测试－改进设计等一系列过程，可以获得丰富的设计经验，并对其进行归纳总结，提出任意一种电压电流等级的MOSFET模块的设计思路，形成具有自主知识产权的高压大功率MOSFET模块的系统化设计知识库。3. SiCMOSFET封装工艺3.1 封装常见工艺MOSFET模块封装工艺主要包括焊接工艺、键合工艺、外壳安装工艺、灌封工艺及测试等。3.1.1 焊接工艺焊接工艺在特定的环境下，使用焊料，通过加热和加压，使芯片与DBC基板、DBC基板与底板、DBC基板与电极达到结合的方法。目前国际上采用的是真空焊接技术，保证了芯片焊接的低空洞率。焊接要求焊接面沾润好，空洞率小，焊层均匀，焊接牢固。通常情况下．影响焊接质量的最主要因素是焊接“空洞”，产生焊接空洞的原因，一是焊接过程中，铅锡焊膏中助焊剂因升温蒸发或铅锡焊片熔化过程中包裹的气泡所造成的焊接空洞，真空环境可使空洞内部和焊接面外部形成高压差，压差能够克服焊料粘度，释放空洞。二是焊接面的不良加湿所造成的焊接空洞，一般情况下是由于被焊接面有轻微的氧化造成的，这包括了由于材料保管的不当造成的部件氧化和焊接过程中高温造成的氧化，即使真空技术也不能完全消除其影响。在焊接过程中适量的加人氨气或富含氢气的助焊气体可有效地去除氧化层，使被焊接面有良好的浸润性．加湿良好。“真空+气体保护”焊接工艺就是基于上述原理研究出来的，经过多年的研究改进，已成为高功率，大电流，多芯片的功率模块封装的最佳焊接工艺。虽然干式焊接工艺的焊接质量较高，但其对工艺条件的要求也较高，例如工艺设备条件，工艺环境的洁净程度，工艺气体的纯度．芯片，DBC基片等焊接表面的应无沾污和氧化情况．焊接过程中的压力大小及均匀性等。要根据实际需要和现场条件来选择合适的焊接工艺。3.1.2 键合工艺引线键合是当前最重要的微电子封装技术之一，目前90％以上的芯片均采用这种技术进行封装。超声键合原理是在超声能控制下，将芯片金属镀层和焊线表面的原子激活，同时产生塑性变形，芯片的金属镀层与焊线表面达到原子间的引力范围而形成焊接点，使得焊线与芯片金属镀层表面紧密接触。按照原理的不同，引线键合可以分为热压键合、超声键合和热压超声键合3种方式。根据键合点形状，又可分为球形键合和楔形键合。在功率器件及模块中，最常见的功率互连方法是引线键合法，大功率MOSFET模块采用了超声引线键合法对MOSFET芯片及FRD芯片进行互连。由于需要承载大电流，故采用楔形劈刀将粗铝线键合到芯片表面或DBC铜层表面，这种方法也称超声楔键合。外壳安装工艺：功率模块的封装外壳是根据其所用的不同材料和品种结构形式来研发的，常用散热性好的金属封装外壳、塑料封装外壳，按最终产品的电性能、热性能、应用场合、成本，设计选定其总体布局、封装形式、结构尺寸、材料及生产工艺。功率模块内部结构设计、布局与布线、热设计、分布电感量的控制、装配模具、可靠性试验工程、质量保证体系等的彼此和谐发展，促进封装技术更好地满足功率半导体器件的模块化和系统集成化的需求。外壳安装是通过特定的工艺过程完成外壳、顶盖与底板结构的固定连接，形成密闭空间。作用是提供模块机械支撑，保护模块内部组件，防止灌封材料外溢，保证绝缘能力。外壳、顶盖要求机械强度和绝缘强度高，耐高温，不易变形，防潮湿、防腐蚀等。3.1.3 灌封工艺灌封工艺用特定的灌封材料填充模块，将模块内组件与外部环境进行隔离保护。其作用是避免模块内部组件直接暴露于环境中，提高组件间的绝缘，提升抗冲击、振动能力。灌封材料要求化学特性稳定，无腐蚀，具有绝缘和散热能力，膨胀系数和收缩率小，粘度低，流动性好，灌封时容易达到模块内的各个缝隙，可将模块内部元件严密地封装起来，固化后能吸收震动和抗冲击。3.1.4 模块测试MOSFET模块测试包括过程测试及产品测试。其中过程测试通过平面度测试仪、推拉力测试仪、硬度测试仪、X射线测试仪、超声波扫描测试仪等，对产品的入厂和过程质量进行控制。产品测试通过平面度测试仪、动静态测试仪、绝缘/局部放电测试仪、高温阻断试验、栅极偏置试验、高低温循环试验、湿热试验，栅极电荷试验等进行例行和型式试验，确保模块的高可靠性。3.2 封装要求本项目的SiC MOSFET功率模块封装材料要求如下：（1）焊料选用需要可靠性要求和热阻要求。（2）外壳采用PBT材料，端子裸露部分表面镀镍或镀金。（3）内引线采用超声压接或铝丝键合（具体视装配图设计而定），功率芯片采用铝线键合。（4）灌封料满足可靠性要求，Tg150℃，能满足高低温存贮和温度循环等试验要求。（5）底板采用铜材料。（6）陶瓷覆铜板采用Si3N4材质。（7）镀层要求：需保证温度循环、盐雾、高压蒸煮等试验后满足外观要求。3.3 封装流程本模块采用既有模块进行封装，不对DBC结构进行调整。模块封装工艺流程如下图3.1所示。图3.1模块封装工艺流程（1）芯片CP测试：对芯片进行ICES、BVCES、IGES、VGETH等静态参数进行测试，将失效的芯片筛选出来，避免因芯片原因造成的封装浪费。（2）划片&划片清洗：将整片晶圆按芯片大小分割成单一的芯片，划片后可从晶圆上将芯片取下进行封装；划片后对金属颗粒进行清洗，保证芯片表面无污染，便于后续工艺操作。（3）丝网印刷：将焊接用的焊锡膏按照设计的图形涂敷在DBC基板上，使用丝网印刷机完成，通过工装钢网控制锡膏涂敷的图形。锡膏图形设计要充分考虑焊层厚度、焊接面积、焊接效果，经过验证后最终确定合适的图形。（4）芯片焊接：该步骤主要是完成芯片与 DBC 基板的焊接，采用相应的焊接工装，实现芯片、焊料和 DBC 基板的装配。使用真空焊接炉，采用真空焊接工艺，严格控制焊接炉的炉温、焊接气体环境、焊接时间、升降温速度等工艺技术参数，专用焊接工装完成焊接工艺，实现芯片、DBC 基板的无空洞焊接，要求芯片的焊接空洞率和焊接倾角在工艺标准内，芯片周围无焊球或堆焊，焊接质量稳定，一致性好。（5）助焊剂清洗：通过超声波清洗去除掉助焊剂。焊锡膏中一般加入助焊剂成分，在焊接过程中挥发并残留在焊层周围，因助焊剂表现为酸性，长期使用对焊层具有腐蚀性，影响焊接可靠性，因此需要将其清洗干净，保证产品焊接汉城自动气相清洗机采用全自动浸入式喷淋和汽相清洗相结合的方式进行子单元键合前清洗，去除芯片、DBC 表面的尘埃粒子、金属粒子、油渍、氧化物等有害杂质和污染物，保证子单元表面清洁。（6） X-RAY检测：芯片的焊接质量作为产品工艺控制的主要环节，直接影响着芯片的散热能力、功率损耗的大小以及键合的合格率。因此，使用 X-RAY 检测机对芯片焊接质量进行检查，通过调整产生 X 射线的电压值和电流值，对不同的焊接产品进行检查。要求 X 光检查后的芯片焊接空洞率工艺要求范围内。（7）芯片键合：通过键合铝线工艺，完成 DBC 和芯片的电气连接。使用铝线键合机完成芯片与 DBC 基板对应敷铜层之间的连接，从而实现芯片之间的并联和反并联。要求该工序结合芯片的厚度参数和表面金属层参数，通过调整键合压力，键合功率，键合时间等参数，并根据产品的绝缘要求和通流大小，设置合适的键合线弧高和间距，打线数量满足通流要求，保证子单元的键合质量。要求键合工艺参数设定合理、铝线键合质量牢固，键合弧度满足绝缘要求、键合点无脱落，满足键合铝线推拉力测试标准。（8）模块焊接：该工序实现子单元与电极、底板的二次焊接。首先进行子单元与电极、底板的焊接装配，使用真空焊接炉实现焊接，焊接过程中要求要求精确控制焊接设备的温度、真空度、气体浓度。焊接完成后要求子单元 DBC 基板和芯片无损伤、无焊料堆焊、电极焊脚之间无连焊虚焊、键合线无脱落或断裂等现象。（9）超声波检测：该工序通过超声波设备对模块 DBC 基板与底板之间的焊接质量进行检查，模块扫描后要求芯片、DBC 无损伤，焊接空洞率低于 5%。（10）外壳安装：使用涂胶设备进行模块外壳的涂胶，保证模块安装后的密封性，完成模块外壳的安装和紧固。安装后要求外壳安装方向正确，外壳与底板粘连处在灌封时不会出现硅凝胶渗漏现象。（11）端子键合&端子超声焊接：该工序通过键合铝线工艺，实现子单元与电极端子的电气连接，形成模块整体的电气拓扑结构；可以通过超声波焊接实现子单元与电极端子的连接，超声波焊接是利用高频振动波传递到两个需焊接的物体表面，在加压的情况下，使两个物体表面相互摩擦而形成分子层之间的熔合。超声波焊接具有高机械强度，较低的热应力、焊接质量高等优点，使得焊接具有更好的可靠性，在功率模块产品中应用越来越广泛。（12）硅凝胶灌封&固化：使用自动注胶机进行硅凝胶的灌封，实现模块的绝缘耐压能力。胶体填充到指定位置，完成硅凝胶的固化。要求胶体固化充分，胶体配比准确，胶体内不含气泡、无分层或断裂纹。4. 极端条件下的可靠性测试4.1 单脉冲雪崩能量试验目的：考察的是器件在使用过程中被关断时承受负载电感能量的能力。试验原理：器件在使用时经常连接的负载是感性的，或者电路中不可避免的也会存在寄生电感。当器件关断时，电路中电流会突然下降，变化的电流会在感性负载上产生一个应变电压，这部分电压会叠加电源电压一起加载在器件上，使器件在瞬间承受一个陡增的电压，这个过程伴随着电流的下降。图4.1 a）的雪崩能量测试电路就是测试这种工况的，被测器件上的电流电压变化情况如图4.1 b）。图4.1 a)雪崩能量测试电路图；b)雪崩能量被测器件的电流电压特性示意图这个过程中，电感上储存的能量瞬时全部转移到器件上，可知电流刚开始下降时，电感储存的能量为1/2*ID2*L，所以器件承受的雪崩能量也就是电感包含的所有能量，为1/2*ID2*L。试验目标：在正向电流ID = 20A下，器件单脉冲雪崩能量EAS1J试验步骤：将器件放入测试台，给器件施加导通电流为20A。设置测试台电感参数使其不断增加，直至器件的单脉冲雪崩能量超过1J。通过/失效标准：可靠性试验完成后，按照下表所列的顺序测试（有些测试会对后续测试有影响），符合下表要求的可认为通过。测试项目通过条件IGSS USLIDSS or IDSX USLVGS(off) or VGS(th)LSL USLVDS(on) USLrDS(on) USL (仅针对MOSFET)USL: upper specification limit, 最高上限值LSL: lower specification limit, 最低下限值4.2 抗短路能力试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，突然使器件通过大电流，观测元器件在大电流大电压下于给定时间长度内承受大电流的能力。试验原理：当器件工作于实际高压电路中时，电路会出现误导通现象，导致在短时间内有高于额定电流数倍的电流通过器件，器件承受这种大电流的能力称为器件的抗短路能力。为了保护整个系统不受误导通情况的损坏，系统中会设置保护电路，在出现短路情况时迅速切断电路。但是保护电路的反应需要一定的时长，需要器件能够在该段时间内不发生损坏，因此器件的抗短路能力对整个系统的可靠性尤为重要。器件的抗短路能力测试有三种方式，分别对应的是器件在不同的初始条件下因为电路突发短路（比如负载失效）而接受大电流大电压时的反应。抗短路测试方式一，也称为“硬短路”，是指IGBT从关断状态（栅压为负）直接开启进入到抗短路测试中；抗短路测试方式二，是指器件在已经导通有正常电流通过的状态下（此时栅压为正，漏源电压为正但较低），进入到抗短路测试中；抗短路测试方式三是指器件处于栅电压已经开启但漏源电压为负（与器件反并联的二极管处于续流状态，所以此时器件的漏源电压由于续流二极管的钳位在-0.7eV左右，，栅压为正），进入到抗短路测试中。可知，器件的抗短路测试都是对应于器件因为电路的突发短路而要承受电路中的大电流和大电压，只是因为器件的初始状态不同而会有不同的反应。抗短路测试方法一电路如图4.2，将器件直接加载在电源两端，器件初始状态为关断，此时器件承受耐压。当给器件栅电极施加一个脉冲，器件开启，从耐压状态直接开始承受一个大电流及大电压，考量器件的“硬”耐短路能力。图4.2 抗短路测试方法一的测试电路图抗短路测试方法二及三的测试电路图如图4.2，图中L_load为实际电路中的负载电感，L_par为电路寄生电感，L_sc为开关S1配套的寄生电感。当进行第二种抗短路方法测试时，将L_load下端连接到上母线（Vdc正极），这样就使L_sc支路与L_load支路并联。初态时，S1断开，DUT开通，电流从L_load和DUT器件上通过，开始测试时，S1闭合，L_load瞬时被短路，电流沿着L_sc和DUT路线中流动，此时电流通路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，因此会有大电流会通过DUT，考察DUT在导通状态时承受大电流的能力。当进行第三种抗短路方法测试时，维持图4.2结构不变，先开通IGBT2并保持DUT关断，此时电流从Vdc+沿着IGBT2、L_load、Vdc-回路流通，接着关断IGBT2，那么D1会自动给L_load续流，在此状态下开启DUT栅压，DUT器件处于栅压开启，但漏源电压被截止状态，然后再闭合S1，大电流会通过L_sc支路涌向DUT。在此电路中IGBT2支路的存在主要是给D1提供续流的电流。图4.3 抗短路测试方法二和方法三的测试电路图1） 抗短路测试方法一：图4.2中Vdc及C1大电容提供持续稳定的大电压，给测试器件DUT栅极施加一定时间长度的脉冲，在被试器件被开启的时间内，器件开通期间处于短路状态，且承受了较高的耐压。器件在不损坏的情况下能够承受的最长开启时间定义为器件的短路时长（Tsc），Tsc越大，抗短路能力越强。在整个短路时长器件，器件所承受的能量，为器件的短路能量（Esc）。器件的抗短路测试考察了器件瞬时同时承受高压、高电流的能力，也是一种器件的复合应力测试方式。图4.2测试电路中的Vdc=600V，C1、C2、C3根据器件的抗短路性能能力决定，C1的要求是维持Vdc的稳定，C1的要求是测试过程中释放给被测器件的电能不能使C1两端的电压下降过大（5%之内可接受）。C2，C3主要用于给器件提供高频、中频电流，不要求储存能量过大。对C2、C3的要求是能够降低被测器件开通关断时造成的漏源电压振幅即可。图4.4 抗短路能力测试方法一的测试结果波形图4.4给出了某款SiC平面MOSFET在290K下，逐渐增大栅极脉冲宽度（PW）的抗短路能力测试结果。首先需要注意的是在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。从图中可以看出，Id峰值出现在1 μs和2 μs之间，随着开通时间的增加，Id呈现出先增加后减小的时间变化趋势。Id的上升阶段，是因为器件开启时有大电流经过器件，在高压的共同作用下，器件温度迅速上升，因为此时MOSFET的沟道电阻是一个负温度系数，所以MOSFET沟道电阻减小，Id则上升，在该过程中电流上升的速度由漏极电压、寄生电感以及栅漏电容的充电速度所决定；随着大电流的持续作用，器件整体温度进一步上升，器件此时的导通电阻变成正温度系数，器件的整体电阻将随温度增加逐渐增大，这时器件Id将逐渐减小。所以，整个抗短路能力测试期间，Id先增加后下降。此外，测试发现，当脉冲宽度增加到一定程度，Id在关断下降沿出现拖尾，即器件关断后漏极电流仍需要一定的时间才能恢复到0A。在研究中发现当Id拖尾到达约12A左右之后，进一步增大脉冲宽度，器件将损坏，并伴随器件封装爆裂。所以针对这款器件的抗短路测试，定义Tsc为器件关断时漏极电流下降沿拖尾到达10A时的脉冲时间长度。Tsc越长，代表器件的抗短路能力越强。测试发现，低温有助于器件抗短路能力的提升，原因是因为，低的初始温度意味着需要更多的时间才能使器件达到Id峰值。仿真发现，器件抗短路测试失效模式主要有两种：1、器件承受高压大电流的过程中，局部高温引起漏电流增加，触发了器件内部寄生BJT闩锁效应，栅极失去对沟道电流的控制能力，器件内部电流局部集中发生热失效，此时的表现主要是器件的Id电流突然上升，器件失效；2、器件温度缓慢上升时，导致器件内部材料性能恶化，比如栅极电极或者SiO2/Si界面处性能失效，主要表现为器件测试过程中Vgs陡降，此时，器件的Vds若未发生进一步损坏仍能承受耐压，只是器件Vgs耐压能力丧失。上述两种失效模式都是由于温度上升引起，所以要提升器件的抗短路能力就是要控制器件内部温度上升。仿真发现导通时最高温区域主要集中于高电流密度区域（沟道部分）及高电场区域（栅氧底部漂移区）。因此，要提升器件的抗短路能力，要着重从器件的沟道及栅氧下方漂移区的优化入手，降低电场峰值及电流密度，此外改善栅氧的质量将起到决定性的作用。2） 抗短路测试方法二：图4.5 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.5，抗短路测试方法二的测试过程中DUT器件会经历三个阶段：（1）漏源电压Vds低，Id电流上升：当负载被短路时，大电流涌向DUT器件，此时电路中仅包含L_sc和L_par杂散电感，DUT漏源电压较低，Vdc电压主要分布在杂散电感上，所以Id电流以di/dt=Vdc/（L_sc+L_par）的斜率开始上升。随着Id增加，因为DUT器件的漏源之间的寄生电容Cgd，会带动栅压上升，此时更加促进Id电流的增加，形成一个正循环，Id急剧上升。（2）Id上升变缓然后开始降低，漏源电压Vds上升：Id上升过程中，Vds漏源电压开始增加，导致Vdc分压到杂散电感上的电压降低，导致电流上升率di/dt减小，Id上升变缓，当越过Id峰值后，Id开始下降，-di/dt使杂散电感产生一个感应电压叠加在Vds上导致Vds出现一个峰值。Vds峰值在Id峰值之后。（3）Id、Vds下降并恢复：Id，Vds均下降恢复到抗短路测试一的高压高电流应力状态。综上所述，抗短路测试方法一的条件比方法一的更为严厉和苛刻。3） 抗短路测试方法三：图4.6 抗短路能力测试方法二的测试结果波形如图4.6，抗短路测试方法三的波形与方法二的波形几乎一致，仅仅是在Vds电压上升初期有一个小的电压峰（如图4.6中红圈），这是与器件发生抗短路时的初始状态相关的。因为方法三中器件初始状态出于栅压开启，Vds为反偏的状态，所以器件内部载流子是耗尽的。此时若器件Vds转为正向开通则必然发生一个载流子充入的过程，引发一个小小的电压峰，这个电压峰值是远小于后面的短路电压峰值的。除此以外，器件的后续状态与抗短路测试方法二的一致。一般来说，在电机驱动应用中，开关管的占空比一般比续流二极管高，所以是二极管续流结束后才会开启开关管的栅压，这种情况下，只需要考虑仅开关管开通时的抗短路模式，则第二种抗短路模式的可能性更大。然而，当一辆机车从山上开车下来，电动机被用作发电机，能量从车送到电网。续流二极管的占空比比开关管会更高一点，这种操作模式下，如果负载在二极管续流且开关管栅压开启时发生短路，则会进行抗短路测试模式三的情况。改进抗短路失效模式二及三的方法，是通过给开关器件增加一个栅极前钳位电路，在Id上升通过Cgd带动栅极电位上升时，钳位电路钳住栅极电压，就不会使器件的Id上升陷入正反馈而避免电流的进一步上升。试验目标：常温下，令Vdc=600V，通过控制Vgs控制SiC MOSFET的开通时间，从2μs开通时间开始以1μs为间隔不断增加器件的开通时间，直至器件损坏，测试过程中保留测试曲线。需要注意的是，在测试过程中，每测量一个脉冲宽度的短路波形，需要间隔足够长的时间，以消除前一次短路测试带来的器件温度上升对后一次测试的器件初始温度的影响，保证每次测试初始温度的准确。试验步骤：搭建抗短路能力测试电路。将器件安装与测试电路中，保持栅压为0。通过驱动电路设置器件的开通时间，给器件一个t0=2μs时间的栅源脉冲电压，使器件开通t0时间，观察器件上的电流电压曲线，判断器件是否能够承受2μs的短路开通并不损坏；如未损坏，等待足够长时间以确保器件降温至常温状态，设置驱动电路使器件栅源电压单脉冲时间增加1us，再次开通，观察器件是否能够承受3μs的短路开通并不损坏。循环反复直至器件发生损坏。试验标准：器件被打坏前最后一次脉冲时间长度即为器件的短路时长Tsc。整个短路时长期间，器件所承受的能量为器件的短路能量Esc。4.3 浪涌试验目的：把样品暴露在空气干燥的恒温环境中，对器件施加半正弦正向高电流脉冲，使器件在瞬间发生损坏，观测元器件在高电流密度下的耐受能力。试验原理：下面以SiC二极管为例，给出了器件承受浪涌电流测试时的器件内部机理。器件在浪涌应力下的瞬态功率由流过器件的电流和器件两端的电压降的乘积所决定，电流和压降越高，器件功率耗散就越高。已知浪涌应力对器件施加的电流信号是固定的，因此导通压降越小的器件瞬态功率越低，器件承受浪涌的能力越强。当器件处于浪涌电流应力下，电压降主要由器件内部寄生的串联电阻承担，因此我们可以通过降低器件在施加浪涌电流瞬间的导通电阻，减小器件功率、提升抗浪涌能力。a）给出了4H-SiC二极管实际浪涌电流测试的曲线，图4.7 a）曲线中显示器件的导通电压随着浪涌电流的上升和下降呈现出“回滞”的现象。图4.7 a）二极管浪涌电流的实测曲线； b）浪涌时温度仿真曲线浪涌过程中，器件的瞬态 I-V 曲线在回扫过程中出现了电压回滞，且浪涌电流越高，器件在电流下降和上升过程中的压降差越大，该电压回滞越明显。当浪涌电流增加到某一临界值时，I-V 曲线在最高压降处出现了一个尖峰，曲线斜率突变，器件发生了失效和损坏。器件失效后，瞬态 I-V 曲线在最高电流处出现突然增加的毛刺现象，电压回滞也减小。引起SiC JBS二极管瞬态 I-V 曲线回滞的原因是，在施加浪涌电流的过程中，SiC JBS 二极管的瞬态功率增加，但散热能力有限，所以浪涌过程中器件结温增加，SiC JBS 二极管压降也发生了变化，产生了回滞现象。在每次对器件施加浪涌电流过程中，随着电流的增加，器件的肖特基界面的结温会增加，当电流降低接近于0时结温才逐渐回落。在浪涌电流导通的过程中，结温是在积累的。由于电流上升和下降过程中的结温的差异，导致了器件在电流下降过程的导通电阻高于电流在上升过程中导通电阻。这使得电流下降过程 I-V 曲线压降更大，从而产生了在瞬态 I-V 特性曲线电压回滞现象。浪涌电流越高，器件的肖特基界面处的结温越高，因此导通电阻就越大，而回滞现象也就越明显。为了分析器件在 40 A 以上浪涌电流下的瞬态 I-V 特性变化剧烈的原因，使用仿真软件模拟了肖特基界面处温度随电流大小的变化曲线，如图4.7 b)所示，在 40 A 以上浪涌电流下，结温随浪涌电流变化非常剧烈。器件在 40 A 浪涌电流下，最高结温只有 358 K。但是当浪涌电流增加到60 A 时，最高结温已达1119 K，这个温度足以对器件破坏表面的肖特基金属，引起器件失效。图4.7 b)中还可以得出，浪涌电流越高，结温升高的变化程度就越大，56 A 和 60 A 浪涌电流仅相差 4 A，最高结温就相差 543 K，最高结温的升高速度远比浪涌电流的增加速度快。结温的快速升高导致了器件的导通电阻迅速增大，正向压降快速增加。因此，电流上升和下降过程中，器件的导通压降会更快速地升高和下降，使曲线斜率发生了突变。器件结温随着浪涌电流的增大而急剧增大，是因为它们之间围绕着器件导通电阻形成了正反馈。在浪涌过程中，随着浪涌电流的升高，二极管的功率增加，产生的焦耳热增加，导致了结温上升；另一方面，结温上升，导致器件的导通电阻增大，压降进一步升高。导通电压升高，导致功率进一步增加，使得结温进一步升高。因此器件的结温和电压形成了正反馈，致使结温和压降的增加速度远比浪涌电流的增加速度快。当浪涌电流增加到某一临界值时，触发这个正反馈，器件就会发生失效和损坏。长时间的重复浪涌电流会在外延层中引起堆垛层错生长，浪涌电流导致的自热效应会引起顶层金属熔融，使得电极和芯片之间短路，还会导致导通压降退化和峰值电流退化，并破坏器件的反向阻断能力。金属Al失效是大多数情况下浪涌失效的主要原因，应该使用鲁棒性更高的材料替代金属Al，以改善SiC器件的高温特性。目前MOS器件中，都没有给出浪涌电流的指标。而二极管、晶闸管器件中有这项指标。如果需要了解本项目研发的MOSFET器件的浪涌能力，也可以搭建电路实现。但是存在的问题是，MOS器件的导通压降跟它被施加的栅压是相关的，栅压越大，导通电阻越低，耐浪涌能力越强。如何确定浪涌测试时应该给MOSFET施加的栅压，是一个需要仔细探讨的问题。试验目标：我们已知浪涌耐受能力与器件的导通压降有关，但目前无法得到明确的定量关系。考虑到目标器件也没有这类指标的参考，建议测试时，在给定栅压下（必须确保器件能导通），对器件从低到高依次施加脉冲宽度为10ms或8.3ms半正弦电流波，直到器件发生损坏。试验步骤：器件安装在测试台上后，器件栅极在给定栅压下保持开启状态。通过测试台将导通电流设置成10ms或8.3ms半正弦电流波，施加在器件漏源极间。逐次增加正弦波的上限值，直至器件被打坏。试验标准：器件被打坏前的最后一次通过的浪涌值即为本器件在特定栅压下的浪涌指标值。以上内容给出了本项目研发器件在复合应力及极端条件下的可靠性测试方法，通过这些方法都是来自于以往国际工程经验和鉴定意见，可以对被测器件的可靠性有一个恰当的评估。但是，上述方法都是对测试条件和测试原理的阐述，如何通过测试结果来评估器件的使用寿命，并搭建可靠性测试条件与可靠性寿命之间的桥梁，就得通过可靠性寿命评估模型来实现。

功率器件可靠性研究和失效分析的基本介绍邓二平（合肥工业大学 电气与自动化工程学院 230009）摘要：功率器件可靠性是器件厂商和应用方除性能参数外最为关注的，也是特性参数测试无法评估的，失效分析则是分析器件封装缺陷、提升器件封装水平和应用可靠性的基础。可靠性测试项目的规范性、严谨性和可追溯性，对于功率器件可靠性评估和失效分析至关重要，也是保障分析结果全面性、准确性和有效性的基础。本文结合团队多年的可靠性和失效分析研究的相关经验，对研究步骤等进行了基本介绍，旨在为行业的发展提供可能的参考。1、引言功率器件近年来在国内得到了大力发展，尤其是第三代半导体器件SiC MOSFET与新能源汽车应用的结合，迎来了功率器件国产化的重大发展机遇，包括芯片、封装、测试和设备等。而可靠性研究和失效分析则是器件封装后评估器件长期稳定运行的基础，对器件封装改进、可靠性评估等具有重要意义。本文结合团队多年的可靠性研究经验，主要介绍了进行功率器件可靠性研究和失效分析的一些基本步骤、原理和需要注意的事项等，具体测试电路请参考相应的测试标准（如IEC、MIL、JESD和AGQ等测试标准）。功率器件主要包括：Si IGBT/diode, Si MOSFET/diode, SiC MOSFET/diode, GaN器件，目前市场上比较成熟的产品还是以硅基为代表的IGBT器件，电压等级最高可到6500V，电流目前最大到3600A。随着使用开关频率的提升、能耗要求和基础材料的发展，SiC基的功率器件己逐渐成熟，典型的代表是SiC MOSFET，新能源汽车的800V平台正大量使用1200V的SiC MOSFET。进一步地，GaN工艺的不断成熟以及在射频领域的发展经验，目前600V左右的高频开关领域GaN器件非常有优势，尤其是车载充电机(OBC)。不同类型的功率器件具有不同的特性，因此在测试方法和细节上要有所区分，如SiC器件由于栅极的不稳定性以及GaN动态的快速性需要重点关注。2、测试项目分类功率器件的测试一般分为基本特性测试来表征器件性能优良、极限能力测试来评估器件的鲁棒性、可靠性测试来评估器件长期运行稳定性以及失效分析助力器件改进和优化升级，具体如下。2.1 基本特性测试主要包括：静态特性测试（以IGBT为例一般指饱和压降Vces，阈值电压Vgeth，集-射极漏电流Ices，栅-射极漏电流Iges，稳态热阻Rth等静态参数）和动态特性测试（一般指双脉冲测试，包括开通延时时间td(on)，下降时间tf等动态参数），其中动态特性测试还可包括安全工作区SOA的测试，有RBSOA和SCSOA。静态特性主要表征模块的一些基本性能参数，是表征模块优良的重要指标，如饱和压降Vces表征器件的导通能力，Vces越小，模块工作过程中的导通损耗越小，相同条件下温升越小。器件加速老化可靠性实验前必须进行模块的基本特性测试，尤其是静态特性测试，一方面确保被测器件功能的完整性，另一方面可用于老化后的对比分析，助力器件失效模式的分析。但一般在可靠性老化测试中不进行器件的动态特性测试，即使是进行栅极老化的高温栅偏实验，一方面是动态特性测试时间很短，封装的老化并不会影响器件的动态特性，另一方面器件的部分动态特性可通过Iges和Vgeth表征，甚至可进行栅极电容的测试来表征。2.2极限能力测试主要包括：短路能力测试、浪涌能力测试和极限关断能力测试，考核的是器件在极端工况下的能力，尤其是关断能力。如短路能力测试主要考核器件在短路(一般有3类短路情况)条件下器件的极限关断能力，一般为10µs能关断电流的数值，主要考核芯片的能力。浪涌能力则是考核反并联二极管抗浪涌能力，一般是10ms正弦半波的冲击，尤其是SiC MOSFET的体二极管非常重要，可能还会影响栅极的可靠性，由于时间较长，主要考核封装的水平。极限关断能力则是考核器件饱和状态下在毫秒级的关断能力，如电网用的直流断路器需要在3ms关断6倍的额定电流。从物理和传热学理论来看，短路测试虽然会有大量的能量产生，最终也是由于能量超过芯片极限而损坏，但由于测试时间非常短，反复的短路测试不会引起封装的老化，而浪涌能力和极限能力测试则将进一步影响封装的老化，是加速老化测试未来应该重点关注的测试。进一步地，极限能力是特种电源等极端应用时需要重要关注的测试。2.3可靠性测试主要包括：功率循环、温度循环、温度冲击、机械冲击、机械振动、高温栅偏、高温反偏、高温高湿反偏和高低温存储等，额外的还包括盐雾等测试。按照应力的来源区分其实可分为电应力加速老化和环境应力加速老化，从器件研发到量产以及应用过程中，需要经过大于10项可靠性测试，机械冲击、机械振动、温度存储等主要考核的是器件在运输或者存储过程中的可靠性，而最重要的测试主要有高温栅偏、高温反偏、高温高湿反偏、温度循环和功率循环。这些实验也是工业界和学术界研究最多，最复杂的测试，尤其是功率循环测试。通过上述加速老化实验，提前暴露器件在芯片设计、封装工艺、样品制备、运输存储、实际应用过程中可能存在的问题，一方面可为器件厂商提供改进建议，优化器件的性能并提高器件可靠性，另一方面可为器件的应用方提供技术指导以及实际产品设计和可靠性验证提供数据支撑。2.4失效分析主要包括：SAM超声波扫描分析、X-ray材料损伤检测分析、SEM电子显微镜分析、光学显微镜分析和有限元仿真分析。SAM超声波扫描分析主要是通过超声波对器件内部各层材料进行探伤，尤其是材料的界面处，当存在一个空洞时，返回的超声波能量和相序发生了变化，即可进行定位。X-ray则更多是用于材料本体探伤研究，多用于材料级的失效分析，SEM电子显微镜和光学显微镜也是一样，但光学显微镜需要打开模块才能对相应的位置进行深入探究。有限元仿真分析是一个除实验外最好的检测、分析和研究手段，通过实验测量数据的对比和修正，完全重现实验过程中器件内部的细节和薄弱点，也是失效分析最难和最为重要的环节。3、可靠性研究步骤可靠性研究的基本步骤如下图1所示，一般需要在可靠性测试前进行一些基本特性测试确保器件的性能以及方便与老化后的进行对比分析，然后进行加速老化等可靠性测试，再进行基本特性测试和失效分析，探究器件的失效模式和失效机理。为了进一步深入探究器件内部各层材料在可靠性测试过程中的应力分布情况，可采用SAM超声波扫描以及有限元分析方法配合进行相应的失效分析。上述可靠性测试中高温栅偏100%与芯片有关、高温反偏约80%情况与芯片有关，也有因为封装老化导致的退化、高温高湿反偏测试也是类似的情况，其他所有可靠性测试均与封装有关，尤其是热特性和机械特性有关。图1所示的基本步骤也只是通用的研究过程，对于具体的问题还需要进行特定的对待和分析。比如大部分情况在可靠性研究中是不会进行极限能力测试的，但如果要研究器件老化对极限能力的影响，则需要进一步考虑，包括多应力的耦合测试。图1 功率器件可靠性测试基本流程这里以Si基IGBT器件的功率循环为例简单介绍一下可靠性加速老化的基本流程和各项参数测试的必要性，如下图2所示。以Infineon公司1200V, 25A Easypack封装的IGBT器件为例进行功率循环的老化测试、寿命评估和失效机理研究等。第I步：确定研究对象，也就是FS25R12W1T4，此封装内有6个开关组成的三相全桥，如下图3所示。上桥臂的IGBT开关共用一个上铜层，下桥臂的IGBT开关均是独立的，这里以U相的下桥臂开关S2为例，减小热耦合影响。S2的上铜层面积与芯片面积相当，热扩散角小，导致散热条件相对较弱，热量会更集中于芯片焊料层。第II步：器件基本特性测试，包括常温下饱和压降Vces (@VGE=15V，Ic=25A，Tvj=25ºC)，阈值电压Vgeth (@VGE= VCE，Ic=0.8mA，Tvj=25ºC)，集-射极漏电流 Ices (@ VGE=0V，VCE=1200V， Tvj=25ºC)，栅-射极漏电流 Iges (@VCE=0V，VGE=20V，Tvj=25ºC)，具体条件来源于器件的数据表datasheet。需要说明的是，这里只测试了器件常温下的基本特性，一方面是用于判断器件的性能与好坏，另一方面用于老化后进行对比，常温下的数据即可满足要求。若测试过程中发现某个器件的某个参数超过datasheet里的规定值，则说明此器件是不良品，需要更换新的器件进行测试。进一步地，还可通过此数据来评估各器件间的一致性。第III步：SAM超声波扫描，通过专有设备如SAM301进行器件封装内部各层材料连接状态的检测和参照，将模块倒置于装有去离子水的设备中，超声波从器件的基板开始向下探测，可得到器件各层材料的二维平面图，如下图4所示。此模块没有系统焊接层，因此只展示了器件最薄弱的，也是可靠性测试最为关注和重要的芯片焊料层和芯片表面键合线连接状态，对于新器件而言，各层的连接状态良好。做完SAM后还有一个非常重要的一步，尤其是对于硅胶封装的模块，将模块拿出后必须倒置放置24小时以上，以充分晾干模块内的水分 。进一步地，还需要通过加热板或者恒温箱将器件放置在85ºC环境中至少半小时以上，更加充分的挥发模块内的残余水分以不影响模块的性能。对于TO封装的器件来说，尤其有环氧树脂的充分保护以及环氧树脂吸水性差等特点，加上放置时间很短以及没有高温作用等，可不进行此步骤，但做电学特性实验前必须保证器件表面己无明显水分。在进行热阻等测试前，还需要进行连线，最好通过焊锡连接，以确保连接的可靠性。图2 Si基IGBT器件功率循环测试基本流程 (a) 内部结构 (b) 等效电路图3 FS25R12W1T4模块的内部结构(a) 芯片焊料层 (b) 芯片表面键合线图4 FS25R12W1T4模块SAM超声波扫描结果第IV步：温度关系校准，对于功率器件而言，器件的结温是评估模块电学特性和热学特性最重要的参数，结温不仅可反映模块的散热能力，还可影响器件的电学特性，甚至是可靠性。现在方法中，只有电学参数法测量结温适用并广泛应用于器件可靠性测试中，如热阻测试、功率循环、高温反偏等测试。一般来说，对于低压器件，测量电流选择合适的话，温度校准曲线将呈现完美的线性关系，如下图5所示。可以看到4个器件的曲线均呈现很好地线性关系，虽然在截距上存在一定的差异，但斜率几乎一样，说明芯片的一致性好，此微小差异一般来源于热电源的位置或者加热源的差异，但这种小差异可忽略。图5 FS25R12W1T4的温度校准曲线@IM=100mA第V步：瞬态热阻抗Zth测试，在进行功率循环测试之前，一般为了获得模块内部芯片PN结到散热器甚至环境的热路径情况，以及用于与老化后的状态进行对比，以定位模块失效位置，需要进行瞬态热阻抗Zth测试。通过两次不同散热条件下Zth的测试，也称为瞬态双界面法，可直接获得模块结到壳的热阻值Rthjc，以评估模块的整体性能。将被测器件按功率循环测试的要求安装到测试设备的水冷散热器上，放置好热电偶以以测量相应位置的温度，如壳表面，散热器或环境温度。瞬态热阻抗测试其实相当于一次功率循环，通过给被测器件通过相应的测试电流以加热器件至热平衡状态，降温过程测量器件的结温变化。这里需要注意的是，测试电流越大，测量电路的信噪比越大，测试结果越好，但要保证器件的最大结温不能超过器件允许的最大结温。此器件测量得到的Zthjs如下图6所示，测试条件为升温时间ton=5s, 降温/测量时间toff=40s, 测试电流IL=25A, 水冷温度Tinlet=58ºC, 测量延时tMD=200µs。图6 FS25R12W1T4的瞬态热阻抗曲线，#40器件在功率循环前的结果第VI步：功率循环加速老化测试，做完Zth测试和所有准备工作后，即可进行功率循环的测试，本实验室的测试设备有3条测试支路，每条支路可串联4个器件，共计12个通道，实验过程可以用2条支路或者3条支路。本次测试的器件为4个，每条支路串联2个被测器件，先通过调节测试电流，使得所有器件的结温差在目标温度范围左右，然后再通过控制各个器件的栅极电压来达到精细化和逐点调节。进一步地，通过控制外部水冷的入口温度调整所有器件的最大结温在目标温度范围左右，然后再通过安装条件的修正来达到各个器件的精细化和逐点调节。最终得到的测试条件为升温时间ton=2s, 降温时间toff=2s, 测试电流IL=29.7A, 水冷温度Tinlet=58ºC, 最大结温Tjmax≈150ºC，结温差ΔTj≈90K，测量延时tMD=200µs。功率循环条件设置完成后，只需要在程序中设定相应的保护即可实现完全无人值守运行，保护变量一般应该包括电压Vce保护，电流IL保护，热阻Rth保护，结温Tj保护，水温Tc保护，电源输出保护等。设置完成后的程序运行界面如下图7所示，可看到4个器件的测试条件相应比较接近。值得注意的是，上述测试过程中设置了测量延时，这是由于在半导体器件电流关断时，载流子复合需要时间，尤其是双极性器件。在这个延时时间里，芯片的结温其实是持续下降的，这就导致我们在延时时间tMD后测量的结温并不是器件真正的最大结温，而存在一定的误差，需要通过一些方法进行修正，如根号t方法，具体这方面的内容需要参考相关论文。而此结温的误差将会导致器件的寿命数据存在一定的差异，需要通过现有的模型进行相应的修正。进一步地，我们也看到不可能使得所有器件的数据完全一致，达到我们的想要的测试条件，最终在进行寿命对比时，需将所有器件的条件均归一到同样的条件以保对比的公平性和数据的正确性，如下图8所示。图7 功率循环运行界面示意图图8 功率循环寿命数据第VII步：瞬态热阻抗Zth测试，当模块老化到一定程度或者达到失效判定条件后，需要停止功率循环测试，对其进行瞬态热阻抗测试，进一步准确定位老化位置。测试条件与功率循环前一致，下图8列举了#40器件在不同功率循环次数条件下的测试结果，可以看到，随着老化程度的增加，器件的热阻增加。进一步地，可以看到在模块功率循环前没有经过老化(No.68)时，整个曲线均较小，当老化到一定程度后(No.76888)，热阻增加不是非常明显，可以理解为裂纹的形成过程。当功率循环加速老化持续进行(No.91522)，这个过程为焊料裂纹生长过程，热阻增加非常明显。图9 #40器件功率循环前后Zthjs结果对比第VIII步：SAM超声波扫描，将功率循环测试后的器件，利用原有的参数设置进行SAM超声波扫描，通过对比可得到器件芯片焊料层和键合线的老化状态，利于器件的失效模式和失效机理研究。下图10展示的是#40功率循环老化后IGBT芯片焊料层和芯片表面键合线的连接状态，可以看到芯片焊料层出现了白点，有严重老化的迹象，这也与图9的结果相吻合。而键合线的状态由于焊料的老化，改变了超声波的路径，使得键合线的状态很难识别，从实验结果来看并没有发生严重的老化。(a) 芯片焊料层 (b) 芯片表面键合线图10 #40器件功率循环老化后的SAM结果值得说明的是，图中的S3和S6也出现了老化是因为之前做过不同ton的实验，但也可以看到S2和S6的老化程度和现象比较一致，更集中于中心区域，而S3则比较均匀，这是由于S3具有更大的散热面积，使得S3焊料的温度分布更均匀。这里想给大家展示的是如何通过SAM图来获得相应的老化信息，要有全局观念，要知道整个实验的计划、过程、细节和数据等，才能给出更为准确的结论。第IX步：器件特性参数测试，完成器件的SAM测试后，仍然要将器件放置干燥处理后才能进行相应的电气特性测试，采用相同的实验条件对上述参数进行测量。一般情况下，上述参数在功率循环老化后不会发生变化，SiC MOSFET由于栅极可靠性问题可能会存在一定程度的阈值电压偏移。同时，Si IGBT一般也会存在轻微的阈值电压偏移，而且是负偏移，但一般在5%以内，这也侧面说明利用阈值电压作为温敏参数可能存在的误差。一般器件的温敏关系约为-2mV/ºC，假定器件的初始阈值电压为5V，则电压偏移25mV，最终导致约12 ºC的误差。第X步：有限元仿真分析，没有仿真解释和验证的实验数据是不可信的，因为实验数据很大程度依据于测试人员、经验、测试方法、测试条件等各方面因素；而没有实验验证的仿真分析也是不可信的，能否解释实际现象很关键。因此，有限元仿真分析其实与实验是相辅相成的，仿真的第一步必然是建立仿真模型，并修正和验证仿真模型的有效性。对于功率循环来说，考核的主要是器件封装在往复周期性温度变化过程中的热应力，因此，模块的热流路径至关重要，可通过瞬态热阻抗来修正模型。下图11为仿真和实验获得的模块S2瞬态热阻抗曲线，仿真与实验结果有非常高的吻合度，最后的些许差异来源于不同的安装条件，从两个实验结果也可看到。图11 S2的瞬态热阻抗曲线对比实验验证后的有限元仿真模型就具备与真实器件相同的热流路径了，可以用来进行功率循环仿真分析。这里值得一提的是，对于功率循环的功率循环仿真分析，必须使用电-热耦合仿真，一方面是纯热仿真没有芯片的电热耦合作用，另一方面是纯热仿真没有键合线的自发热现象，这会导致仿真结果的偏差。这里以S2和S3的有限元仿真来进行说明，下图12为功率循环仿真的结温变化曲线，芯片的结温提取的是芯片表面平均温度，这是与VCE(T)方法获得的值最接近的表征。仿真所用的条件均来源于实验测量结果，仿真过程与实验测试过程一样，通过调整芯片的电导率来获得不同的功率最终达到相同的结温差，调整环境温度来达到相应最大结温。(a) S2在不同ton条件下仿真的结温曲线 (b) S3在不同Tjmax条件下仿真的结温曲线图12 仿真得到的结温曲线获得与实验相同的结温后就可以进行器件内部更为细致和全面的分析，下图13为S2和S3在相同的功率循环条件下芯片表面的温度分布，由于铜散热面积的差异，导致温度分布有所差异，最终导致失效位置发生了变化，如图10所示。因此，通过电气参数的测试可以知道器件的整体变化情况，但无法定位到具体位置，而通过SAM超声波扫描则可获得基本位置信息，但无法准确分析其原因以及产生的机理。最终通过有限元仿真可以得到器件内部更为细节的信息，实现对器件的失效机理研究和封装结构优化。但最为根本的是要把握器件的所有信息，结果能进行相互验证，缺一不可。(a) S2, ton=2s, ΔTj=89.5K和Tjmax=147.7˚C (b) S3, ton=2s, ΔTj=90.9K和Tjmax=152.1˚C图13 芯片表面温度分布4、总结上述以功率循环为例详细描述了需要进行的哪些实验、步骤和原理，严格按照上上述实验步骤再加上一些经验基本上就具备了全面分析功率器件老化失效的能力。但要达到更高水平，尤其是能在做实验过程中主动解决所有遇到的问题，还需要更为细致和深入的学习，其中最最最为核心的就是要把握每个测试的基本原理。只有把握了这些参数、测试的基本测试原理，逻辑思路和功率器件的基本物理过程，才能更深刻的理解一些问题，并解决实际中遇到的问题。主要参考文献[1] MIL-STD-883G, United State420_20220614.jpg" style="margin: 0px padding: 0px border: 0px max-width: 100% color: rgb(51, 51, 51) font-family: " hiragino="" sans="" microsoft="" helvetica="" text-align:="" text-indent:="" white-space:="" background-color:="" max-height:=""/

p 　　“作为检测人，我们始终有一个梦想，就是可以用自己的仪器、用自己的标准、守自己的国门。”北京检验检疫局副局长冷艳梅在2017年国产检测仪器验证与综合评价(以下简称“验评”)服务媒体推介会上表示。 /p p 　　秉承振兴民族制造业的情怀，2013年北京局提出了开展“国产检测仪器设备验评”设想，并得到了北京市科委等相关部门的大力支持。从2013年至2017年，北京局先后申请市科委课题4项，其中已经完成2项，目前在研2项。 /p p 　　中国仪器仪表行业协会致谢北京局：“不忘自己的社会责任，利用自己的专业人才优势，帮助提高国产检测仪器的质量和市场竞争力，解决了我协会多年来想做但无法实施的事情。” /p p strong 　　验评项目循次而进 /strong /p p 　　对国产检测仪器设备进行验评是一项填补仪器权威验评领域空白的重要工作，有助于打破国产仪器研制与应用不匹配的尴尬现状。5年来，北京局从“试点项目”到“培育项目”，从“研究与实践”到“市场化推广研究”逐步推进，已先后对来自北京、上海和大连的18家企业的24台国产检检测仪器开展了验评工作。此外，还建立了相关规范化技术文件14项。 /p p 　　北京局在实践中不断完善国产检测仪器验评平台：下沉企业一线调研，从企业性质、企业规模等角度制定针对不同类型企业的详实计划。打造高水准验评团队，组建了包含18家验评实验室和35位验评专家在内的专业验评团队。制定严谨验评方案，建立国产检测仪器验评服务方案，首次制定认证认可行业标准《分析化学仪器验证与综合评价指南》。 /p p 　　“第三项课题年底就可以完成，第四项明年6月就可以完成，目前我们正计划着第五项，设备也已经从前处理设备逐步转向常规、大型设备。”北京局科技处处长刘来福说。下一步，北京局将继续立足国产仪器质量提升，扩大验评的覆盖范围，研究建立国产仪器验评服务品牌。 /p p 　　 strong 检测标准日臻完善 /strong /p p 　　因缺乏相应标准，一批具有自主知识产权的国产仪器长期无法“正名”，以致造成国产仪器“质量不佳”“仿制”的刻板印象，极大限制了国产仪器市场占有率。刘来福说：“像中国独创的液相-原子荧光联用仪，如果没有相应标准，很难得到市场认可。”因此，在国产仪器验评项目实施过程中，北京局在国家认监委支持下，开展了为国产检测仪器建立标准工作。 /p p 　　截至目前，北京局已制定并发布《分析化学仪器设备验证与综合评价指南》认证认可行业标准1项，《出口瓶装水中氟的检测 流动注射 离子选择电极法》等检验检疫行业标准3项 另有《水中六价铬的检测 便携分光光度法》等便携式快速检测SN标准13项获得立项。 /p p 　　快检仪器是国产仪器发展的重要方向，目前验评的前处理设备中许多仪器都是快检仪器。“不同于进口仪器的气相色谱法，便携式采用的多是分光光度法，所以我们为国产创新仪器建立了便携式快速检测的标准。”北京局科技处副处长赵靖敏说，“有了这些快速检测标准，国产便携式快检仪器的发展与应用便不会受限了。” /p p 　 strong 　国产仪器渐入佳境 /strong /p p 　　“验评项目在仪器验证方面做了很好探索和实践，经验评的产品和企业都会收获详细建议和意见，市场影响力得到切实的提升。”仪器信息网《国产分析仪器验评效果调研情况汇报》中指出。 /p p 　　企业销量和销售额增长是验评项目最直接的影响。据悉，北京吉天仪器有限公司的流动注射分析仪2014年验评后的销售额是前几年的总和。海光仪器有限公司的液相色谱-原子荧光联用仪验评后的销售业绩年均增长率约700%，上海屹尧、北京普析通用等公司验评后的销售额都出现约50%的增长。 /p p 　　此外，节约检验检疫成本是验评项目的另一个重要意义。“我们已经装备了全自动流动注射分析仪等7台国产设备。我们发现，只要国产仪器出现在招标会上，国外同类产品报价就会立刻降低。”刘来福说，“下一步，将继续推进国产检测仪器验评的标准化工作，建立健全验评实验室评价标准，编写《国产仪器设备验证与综合评价》系列丛书，规范国产检测仪器验评工作流程。” /p p 　　北京局局长刘德平对国产仪器验证与评价项目高度关注。他表示，国家将检验检测服务业定位为生产性服务业、高技术服务业、科技服务业，国产仪器验评项目更深远的意义在于，不仅为企业走向市场打开一扇大门，而且也将促进检验检疫服务行业发展，最终服务于“中国制造2025”。(丁晓利 常柳青) /p p /p

现代农业技术的不断发展，土壤养分管理成为了提高作物产量和品质的关键环节。土壤检测仪作为现代农业科技的重要产物，以其高效、精准的特点受到了广泛关注。 土壤检测仪器产品详细参数介绍→https://www.instrument.com.cn/show/C456787.html　　一、土壤检测仪的技术特点：　　新型土壤养分检测仪采用了先进的传感技术和数据处理方法，能够快速、准确地检测土壤中的多种养分成分。其技术特点包括高精度测量、快速响应、操作简便等。这些特点使得新型土壤养分检测仪成为现代农业管理中不可或缺的工具。　　二、土壤检测仪器的耐用性分析:　　优质材料制造：新型土壤养分检测仪采用高品质的材料制造，具有良好的耐用性和稳定性。其外壳采用防水、防尘、抗摔设计，能够在恶劣的农田环境中长期稳定运行。　　先进结构设计：仪器内部结构设计合理，关键部件经过特殊处理，能够有效抵抗腐蚀和磨损。这使得新型土壤养分检测仪在长期使用过程中，仍能保持良好的性能。　　智能化维护提示：部分新型土壤养分检测仪还具备智能化维护提示功能，能够根据使用情况和检测结果，提醒用户进行必要的维护和保养。这一功能大大延长了仪器的使用寿命。　　三、土壤养分检测仪器的长期效益:　　提高土壤管理效率：通过定期使用新型土壤养分检测仪，农民可以及时了解土壤养分的变化情况，从而制定合理的施肥计划，提高土壤管理效率。　　促进作物健康生长：根据新型土壤养分检测仪提供的数据，农民可以精准施肥，满足作物生长所需的各种养分，促进作物健康生长，提高产量和品质。　　减少环境污染：合理施肥可以有效减少化肥的过量使用，降低农业面源污染，保护生态环境。新型土壤养分检测仪的精准施肥建议有助于实现这一目标。　　四、土壤养分检测仪器指标:　　1. 电源：交流220±22V直流12V+5V（仪器内置4800mAH大容量锂电池）　　2.功率：≤5W　　3.量程及分辨率：0.001-9999　　4.重复性误差：≤0.03%（0.0003，重铬酸钾溶液）　　5.土壤检测仪器稳定性：仪器无需开机预热，一个小时内漂移小于0.3%（0.003，透光度测量）。仪器开机一个小时内显示数字无漂移（透光度测量） ,两个小时内数字漂移不超过0.3%（透光度测量）、0.001（吸光度测量）；　　6.线性误差：≤0.1%（0.001，硫酸铜检测）　　7.灵敏度：红光≥4.5 ×10-5 蓝光≥3.17×10-3 绿光≥2.35×10-3 橙光≥2.13×10-3　　8.红光：680±2nm 蓝光：420±2nm 绿光：510±2nm；橙光：590±4nm　　9.显示屏幕分辨率：1024*600　　10.仪器抗震等级：IP65　　11.PH值（酸碱度）： (1)测试范围：1——14 （2）精度：0.01 (3)误差：±0.1　　12.含盐量（电导）：(1)测试范围：0--9999（ppm） (2)误差：±2%　　13.土壤水分技术参数水分单位：﹪（g／100g）；含水率测试范围：0-100﹪；误差小于0.5%　　14.土壤氮磷钾误差≤1%，有机质误差≤2%，微量元素误差≤5%　　土壤检测仪以其卓越的耐用性和长期效益，为现代农业发展提供了有力支持。随着技术的不断进步和产品的持续升级，相信未来土壤检测仪器将在农业生产中发挥更加重要的作用，为实现农业可持续发展做出更大贡献。

以北京检验检疫局牵头组建的国家大型检测仪器设备创新技术联盟2013年工作会议确定了下一阶段工作目标：通过分析国检执法把关中的重大技术创新需求，以&ldquo 充分挖掘大型检测仪器设备技术潜力，开发检测新方法&rdquo 和&ldquo 充分发挥质检系统技术资源优势，助力国产检测仪器设备发展&rdquo 。 　　国家大型检测仪器设备创新技术联盟是由国家质检总局批复，由北京、天津、河北、山东、湖北、湖南检验检疫局以及中国仪器仪表行业协会和中国出入境检验检疫协会联合发起的，主要任务是按照联合、互补、共享、创新的要求，探索建立大型检测仪器设备技术创新和协作共享的工作机制和模式，形成整体的技术实力，参与社会研发与服务，促进国产检测仪器设备产业化，不断提升国检实验室&ldquo 履职把关、服务社会&rdquo 的水平。 　　定位准确，目标清晰后，各单位一致认为，在未来一段时间，国家大型检测仪器设备创新技术联盟将做好以下工作：做好国产检测仪器设备技术验证工作，充分挖掘高分辨率质谱仪的技术潜力，建立交流和工作机制，大力加强联盟宣传工作。 　　国家大型检测仪器设备创新技术联盟近期还亮相2013国际检验检测技术与装备博览会，展示了其成立背景、组织架构、组建原则、发展目标、工作任务以及近期组织的活动成果，并展览了北京检验检疫局为北京吉天仪器有限公司原子荧光分析仪验证的技术成果。联盟组织召开检博会活动之一&ldquo 高分辨率质谱技术在食品安全检测上的技术交流会&rdquo ，联盟成员单位技术人员、相关设备供应商企业技术人员等30余人参会。

非洲猪瘟检测仪——一款多用途的实时荧光定量PCR仪#2023已更新【TH-Q160】与传统的非洲猪瘟检测仪想比较该款设款在可以用于非洲猪瘟监测的同时还可以与水产疾病做出一定的检测，特别是针对于 水产鱼虾病毒疾病的检测。 荧光定量PCR仪是实时检测反应的仪器，主要由基因扩增热循环组件、微量荧光检测光学系统、微电路控制系统、计算机及应用软件组成。 可快速定量畜牧类疾病诊断如虾白斑、黄头病毒、血细胞虹彩病毒、传染性皮下及造血组织坏死症、罗湖病毒、锦鲤疱疹病毒等疾病，广泛应用于水产养殖场、水产科研单位、水产疫病诊所、农业农村部、畜牧局、检验检疫单位使用。产品特点：1.体积小，重量轻整机外尺寸：宽*深*高：235×385×175mm，总重量仅5.6kg2.升降温速率采用Marlow公司PCR专用大功率半导体制冷片，在保证100000次循环的寿命条件下，为模块提供更高的升降温速率3.控温精度采用全新的控温算法为模块控温提供更高的控制精度和准确度4.温度均匀性全新设计的加热体，模拟加热体结构热量分布，为模块提供更好的温度均匀性5.高激发效率采用CREE公司的高亮度长寿命LED作为激发光源，以低损耗玻璃光纤作为传导介质，为试剂提供更高的激发光能量6.高灵敏度采用欧司朗高灵敏度，高信噪比光电二极管对微弱辐射荧光信号进行采集，为荧光检测提供更高的灵敏度7.激发采集波段灵活可变标配四色荧光，荧光波段可根据客户需求进行选择，光谱波段更灵活，更好地匹配各厂家的荧光染料与探针技术指标：机 型 Q160外形尺寸 23.5cm x 38.5cm x 17.5cm净 重 5.6 kg电气参数 适配器:110-240V-, 50/60Hz 255W MAX数据接口 USB 2.0x2(前置)环境参数 运行条件 温度: 10~30℃ (50~86℉), 湿度 : 20%~80%运输及贮存条件 温度: -25~55℃ (-4~131℉), 湿度 : 20%~80%海拔高度 4~100°C最大升温速率 6°C/s平均升温速率 4°C/s最大降温速率 5°C/s平均降温速率 3.5°C/s控温精度 ±0.1℃控温准确度 ±0.1℃温度均匀性 ±0.2℃光学特性 通道数 4通道发光器件 4色高亮LED采光器件 高灵敏度,高信噪比光电二极管 适配探针或染料 1: FAM, SYBRGreea Fluo-4, FITC, LC Green, Alexa Fluor 488, Oregon Green 488, NBD, EGFP 2: HEX, JOE, VIC, Alexa Fluor 532 3: ROX, Cy3.5, Texas Red, Alexa Fluor 594 4: Cy5, Atto633, Alexa Fluor 633, LC Red 640检测分析 检测灵敏度 单拷贝线性范围 1~1010拷贝线性相关系数 0.999通道串扰 无串扰检测重复性 ^ 1.0%

2月21日，北京检验检疫局的“首都科技条件平台国产检测仪器设备验证评价研究与应用”课题顺利通过北京市科委组织的专家验收。　　该课题依托北京市科委的首都科技条件平台和北京局技术中心的检测资源优势，开展了包括建立规范化验评体系、具体仪器验证评价、建立专家数据库和建立验评实验室等工作，获得了丰富的研究成果。课题建立和完善了科学的国产仪器验证与综合评价体系，完善了3项验证与综合评价管理规范和7项验证与综合评价技术规范，制订了认证认可行业标准1项，检验检疫行业标准3项，2017年又申请了7项便携式仪器的检验检疫行业标准，发表研究论文4篇。　　国产检测仪器设备验证评价工作扭转了用户对国产科学仪器的偏见，解决了国产科学仪器“选购难”的问题，促进了国产仪器企业与用户的深入交流，同时帮助企业寻找了薄弱环节和解决了关键难题，有效提升了国产仪器的市场占有率，从而取得良好的社会和经济效益。　　验收专家表示，该局借助检测资源优势，开展了国产检测仪器设备验证评价这项独特而又极其必要的工作，对国产仪器设备的质量提升和推广应用及相关政府部门了解国产仪器现状大有裨益，具有良好的社会效益。

p 　　在制药领域，常采取“熏硫法”进行中药养护。恰当的使用硫磺熏制，可以防止粉性足的药物和花类药物遭受虫害和霉变 对于动物类药材，还可以防止蛋白质发生变质，药效降低。但是，如果不当使用，会造成SO2残留量超标，不仅影响药效，也会对人体健康造成巨大危害。因此，《中国药典》对二氧化硫的残留量有着明确的要求。 /p p br/ /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 360px height: 255px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/b147cc6d-3b38-4ae8-875f-c9e4b1b49c0f.jpg" title=" 化学方程式.png" alt=" 化学方程式.png" width=" 360" vspace=" 0" height=" 255" border=" 0" / /p p style=" text-align: justify " 　　 span style=" font-size: 14px " strong span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai color: rgb(49, 133, 155) " 图中的化学反应方程表示了“熏硫法”对人体造成危害的过程以及二氧化硫检测仪的检测原理。 /span /strong /span /p p style=" text-align: justify " span style=" font-size: 14px " strong span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai color: rgb(49, 133, 155) " & nbsp /span /strong span style=" color: rgb(49, 133, 155) font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " (1)硫磺S在O sub 2 /sub 中燃烧生成二氧化硫SO sub 2 /sub 。(2)而药材和二氧化硫接触时，其中的水分H sub 2 /sub O和它生成亚硫酸 strong H sub 2 /sub SO sub 3 /sub /strong 。亚硫酸会刺激咽喉和肠胃，还会有一种酸苦的味道。(3) /span /span span style=" color: rgb(79, 97, 40) " strong span style=" font-size: 14px text-decoration: none " i span style=" font-size: 14px text-decoration: none font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " 仪器检测时 /span /i /span /strong /span span style=" font-size: 14px color: rgb(49, 133, 155) " span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai " ，加入的盐酸HCl是强电解质，其中的氢离子H sup + /sup 可以与亚硫酸根离子SO sub 3 /sub sup 2- /sup 结合制出二氧化硫SO sub 2 /sub 。(4)SO sub 2 /sub 随后被 strong N sub 2 /sub 氮气 /strong 流吹入装有双氧水H sub 2 /sub O sub 2 /sub 的锥形瓶中，S硫元素被氧化成相对稳定的+6价的硫酸根离子SO sub 4 /sub sup 2- /sup 。(5)当生成的硫酸电离出H sup + /sup 被消耗尽时，甲基红指示剂就会提示滴定终点，利用消耗的OH sup - /sup (NaOH)可以计算出二氧化硫的残留量 /span 。 /span /p p span style=" color: rgb(127, 127, 127) " br/ /span /p p 　　硫磺熏制方法在1995版药典中有收载，其中有标准的中药材及其饮片包括山药、牛膝、白芷、附子、金银花以及葛根等6种。在2005版药典中，已没有相应的标准。在2010版药典中增加了“酸蒸馏碘滴定法”用于测定二氧化硫残留，但是没有规定残留量限度标准。2015版药典四部通则“ strong 2331 二氧化硫残留量测定法 /strong ”中不仅给出了三种检测方法，还规定了党参、牛膝等10个品种不超过400 mg/kg，其余品种不超过150 mg/kg。不过，目前对含中药原粉制剂的相关标准还没有建立。 /p p 　　二氧化硫检测仪是根据药典给出的装置(如下图，来自药典)进行的改进。2015版《中国药典》规定了二氧化硫的三种检测方法：酸碱滴定、气相色谱法和离子色谱法。气相色谱和离子色谱灵敏度高、专属性强，但仪器设备昂贵，不利于基层药检系统的推广使用。滴定法装置简单、成本低。但是药典只描述了方法的玻璃仪器装置。除了玻璃装置，还需配备磁力搅拌、电热套、滴定平台、具备流速表的氮气装置等，并需要组装。使用过程中，氮气流速可能不稳定，电热套加热可能不均匀，仪器装置易漏气、液体易暴沸、易受冷却水影响等问题。由此会带来平行性差、回收率低的数据直接影响试验结果的准确度。 /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 216px height: 226px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/25217969-f1b1-4460-aa88-90424658cef9.jpg" title=" 药典图片.png" alt=" 药典图片.png" width=" 216" vspace=" 0" height=" 226" border=" 0" / /p p 　　因此，生产企业设计出了一些符合药典标准测定SO sub 2 /sub 残留的仪器。这类仪器融合了所有检测必备的功能，并结构上做了集约化、小型化的处理。二氧化硫检测仪的使用减小了系统误差，便于商业化应用。 /p p 　　仪器信息网编辑为大家整理了一些优质品牌的仪器，供广大中药检验检测、研发生产企业以及中医药院校等需要检测中药材和中药饮片二氧化硫残留量的用户及广大药学工作者参考。(排名不分先后) /p p br/ /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 1. 济南盛泰电子—— a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C392453.htm" target=" _self" strong ST107N1 /strong 全自动二氧化硫检测仪 /a /span /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 304px height: 256px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/57e542ee-14c7-4bc1-9998-a7e26b461d51.jpg" title=" 1. 济南盛泰电子——ST107N1全自动二氧化硫检测仪.png" alt=" 1. 济南盛泰电子——ST107N1全自动二氧化硫检测仪.png" width=" 304" vspace=" 0" height=" 256" border=" 0" / /p p 　　盛泰ST107N1全自动二氧化硫测定仪可用于《中国药典》规定方法中中药材及饮片二氧化硫残留量的检测。仪器采用一体化设计，通过液晶屏密闭自动加酸、自动定时蒸馏 内置压缩机冷却循环系统，节约水资源；氮吹控制内置四路转子流量计，流量控制范围：60-600 mL/min 远红外陶瓷加热，功率均为可单孔单调 磁力搅拌、自动滴定、结果自动核算等多功能集成。可以同时检测样品数量为1-4个。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 2. 海能—— a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C250567.htm" target=" _self" strong SOA100 /strong 二氧化硫残留量测定仪 /a /span /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 360px height: 360px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/eb912aaa-eed8-458d-ad3a-3de8b87473af.jpg" title=" 2. 海能——SOA100二氧化硫残留量测定仪.png" alt=" 2. 海能——SOA100二氧化硫残留量测定仪.png" width=" 360" vspace=" 0" height=" 360" border=" 0" / /p p span style=" color: rgb(255, 0, 0) " /span br/ /p p 　　海能SOA100 二氧化硫残留量测定仪是一款能够自动完成试剂添加、蒸馏、淋洗、氮吹、搅拌等功能的全方位自动化检测仪，完全替代传统玻璃装置。内置校准功能：可随时对稀释水、接收液、盐酸溶液、淋洗水进行校准。高精度加液泵：自动完成接收液、蒸馏水、盐酸溶液的自动加注，避免人工加注引起的危险和误差。高效加热管加热：有效避免爆沸现象和潜在风险。自动淋洗：消除管路挂壁残留，结果可靠。实时监测故障：冷凝水、安全门、消化管出现隐患时自动停止工作并提示报警。可以全过程无人值守。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 3. 沛欧—— a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C272665.htm" target=" _self" strong SKD-380 /strong 二氧化硫检测仪 /a /span /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 350px height: 350px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/8144b385-6c17-4f90-8a6f-cb90ecdb1421.jpg" title=" 3. 沛欧——SKD-380二氧化硫检测仪.jpg" alt=" 3. 沛欧——SKD-380二氧化硫检测仪.jpg" width=" 350" vspace=" 0" height=" 350" border=" 0" / /p p 　　沛欧SKD-380二氧化硫检测仪使用650 mL配套高效冷凝管，有自动加酸、自动加吸收液、自动补水、自动蒸馏系统。蒸馏时间及添加试剂量可调，蒸馏结束自动提示。清洗控制系统实现智能蒸馏器清洗，使蒸馏彻底，精度提高。安全防护系统拥有专利技术，可实现对蒸馏器及管路的缺水防干烧自动保护。蒸馏功率可调范围750-1500W。测量范围是0-50 mg，SO2回收率优于99.5%，重复精度RSD为0.5%。蒸馏速度较快，3-8 min/样品。可编程、存储100种加酸、加吸收液和蒸馏时间方式。可调节操作模式，自动/手动双模式。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 4. 中世沃克—— a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C274844.htm" target=" _self" strong ZSO2-4000A /strong 四联二氧化硫检测仪 /a /span /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 350px height: 303px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/f52a343f-ce34-4ee0-885c-fa43873f96e7.jpg" title=" 4. 中世沃克——ZSO2-4000A四联二氧化硫检测仪.png" alt=" 4. 中世沃克——ZSO2-4000A四联二氧化硫检测仪.png" width=" 350" vspace=" 0" height=" 303" border=" 0" / /p p 　　中世沃克ZSO2-4000A四联二氧化硫残留量测定仪可同时提供3-5个样品(空白样，平行样)的处理。整合加热、蒸馏、水循环及氮吹等功能为一体，精度准效率高。红外陶瓷加热套：密封、集热性好，可防止液体洒漏引起的设备损坏问题 加热装置：独立控温，加热功率可调 蒸馏模块：高硼硅材料，耐热、坚固 加热倒计时：自动停止加热 冷却循环水系统内置，提高了冷凝效率，节约能源。一键关停，一键补水。配置独立精密氮气流量控制系统。并可配备氮气发生器或接氮气瓶。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 5.格哈特Gerhardt—— a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C314070.htm" target=" _self" strong VAP200/300 /strong 二氧化硫测定仪 /a /span /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 350px height: 350px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/f78d3a42-aecd-42d1-8240-120e5f379d19.jpg" title=" 5.格哈特Gerhardt——VAP200-300二氧化硫测定仪.jpg" alt=" 5.格哈特Gerhardt——VAP200-300二氧化硫测定仪.jpg" width=" 350" vspace=" 0" height=" 350" border=" 0" / /p p 　　德国Gerhardt VAP200/300二氧化硫测定仪配备的玻璃蒸馏头完全符合国标要求。采用的配套试管有400 mL，800 mL和1200 mL可以选择。蒸汽功率在10-100%范围内调节 蒸馏时间及加试剂量也可调，蒸馏结束时有自动提示。清洗控制系统智能化蒸馏器清洗 内置完美的安全防护系统，试管、防护门均可报警。吸收液、酸液、冷凝水有液位检测，当缺液后，仪器报警。计算机会把当前的检测状态记录，等待试剂或冷凝水的正常后，仪器能恢复当时的状态继续检测，确保被测样品数据的准确。可设置不同用户使用级别。数据可导出LIMS，可选ISO doc-CREATOR软件生成符合ISO 17025要求文件。 /p p 　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 　6. VELP—— a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C302838.htm" target=" _self" strong UDK139 /strong 二氧化硫测定仪 /a /span /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 312px height: 312px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/46c54bbc-c722-4329-b45d-649088461dc6.jpg" title=" 6. VELP——UDK139二氧化硫测定仪.jpg" alt=" 6. VELP——UDK139二氧化硫测定仪.jpg" width=" 312" vspace=" 0" height=" 312" border=" 0" / /p p 　　意大利VELP UDK139二氧化硫测定仪是基于一款半自动装置设计而成。可以自动添加NaOH和水。蒸汽量可控制，最低可调至10%，更低的发生量可以保证更充分的二氧化硫的冷凝接收。可调节蒸馏时间，最后蒸馏残留物可自动排出。耐碱高科技聚合材料制成外壳，防腐蚀、高化学性能。试剂液位报警。3.5英寸彩色触摸屏，两个USB接口，可存储10个自定义程序。中英文操作语言可选，安全门把手和防护门传感器保护实验人员安全。可以用于杏干中的硫成分测定的应用指南已出版。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 7. 德合创睿—— a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C328933.htm" target=" _self" strong DH4000 /strong 中药二氧化硫测定仪 /a /span /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 156px height: 156px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/e18f89bb-15a1-4815-92c1-d82742b8a801.jpg" title=" 7. 德合创睿——DH4000中药二氧化硫测定仪.jpg" alt=" 7. 德合创睿——DH4000中药二氧化硫测定仪.jpg" width=" 156" vspace=" 0" height=" 156" border=" 0" / /p p 　　德合创睿DH4000测定仪可以用于各级中药检验检测机构、中药研发生产企业、中医药大学等需要检测中药材以及中药饮片二氧化硫残留量项目的单位。仪器具备可完成加热、蒸馏回流、冷却、氮吹控制、磁力搅拌以及接收气体等工作。外置大功率冷水机制冷 远红外陶瓷加热装置更节能，防水效果好且耐酸碱腐蚀。氮气吹入流量可单孔独立调节(50-500 mL/min)。配备《中国药典》规定的标准冷凝管。接收瓶底部内置磁力搅拌器，搅拌速度可单组单调。 /p p 　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 　8. 纤检—— a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C283632.htm" target=" _self" strong SO2-F2 /strong 二氧化硫测定仪 /a /span /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 320px height: 320px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/668010d9-bc0e-4217-9744-e04ce0ff9546.jpg" title=" 8. 纤检——SO2-F2二氧化硫测定仪.jpg" alt=" 8. 纤检——SO2-F2二氧化硫测定仪.jpg" width=" 320" vspace=" 0" height=" 320" border=" 0" / /p p 　　二氧化硫测定仪蒸馏装置，以经典的蒸馏法为工作原理，可用于食品中二氧化硫的残留量检测。本仪器可自动完成试剂添加、蒸馏、淋洗等功能，全过程无人值守，安全、快速、准确、低耗、人性化。为食品安全保驾护航。手/自一体，可随时任意切换模式。自动模式下，加水、加盐酸、加乙酸铅、蒸馏、一键完成(不含滴定)。手动模式下，每个步骤单独操控。盐酸、乙酸铅接收液自动定量加注，蒸馏结束自动停止并报警。紧急停止功能，以防突发情况：断电后可继续检测，不影响当前样品的测试效果 避免突发事件导致样品报废。防溅管材料：采用高性能耐强酸碱塑料模具一次成型，密封性能好，使用寿命长。接收瓶自动下落并冲洗接收管，更符合国标操作要求，确保测试结果准确无误。蒸馏量及蒸馏时间控制可根据样品需要，最多编辑30个蒸馏程序，内含自我保护程序。体积紧凑更节省化验台空间。ABS外壳，美观防腐耐用。 /p p 　　 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " 9. 深芬仪器—— a href=" https://www.instrument.com.cn/netshow/C288013.htm" target=" _self" strong CSY-10EYHL /strong 二氧化硫快速检测仪 /a /span /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 256px height: 256px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/318272f4-592d-4b47-a1eb-57e3f2ebf960.jpg" title=" 9. 深芬仪器——CSY-10EYHL 二氧化硫快速检测仪.jpg" alt=" 9. 深芬仪器——CSY-10EYHL 二氧化硫快速检测仪.jpg" width=" 256" vspace=" 0" height=" 256" border=" 0" / /p p 　　深芬CSY-10EYHL二氧化硫检测仪能够快速检测样品中二氧化硫含量。体积小，便于携带，无机械移动部件，抗干扰和振动。仪器由LED光源、比色池、高灵敏度集成光电池、微处理器、液晶屏、微型热敏打印机、无线传输模块等部分组成。自动化程度高，可校准 仪器可以存储8,000条实验测量数据。比色通道数为5-30，也可根据需要定制。测试结束后可直接在屏上读出被测样品中SO2含量，并打印出分析结果，还可以将数据传输到“食品安全信息系统”终端数据库进行分析。该方法单次检测成本较低、操作简便快速，方便执法人员或生产质控人员现场使用和车载使用。 /p p br/ /p p 　　 span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 欲了解更多产品信息，点击进入 /strong /span a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/1765.html" target=" _blank" style=" color: rgb(0, 112, 192) text-decoration: underline " span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 二氧化硫检测仪 /strong /span /a span style=" color: rgb(0, 112, 192) " strong 专场。 /strong /span /p p ----------------------------------------------- /p p span style=" font-size: 20px color: rgb(255, 0, 0) " strong 药典必备 /strong /span 仪器系列（点击链接进入文章）： /p p span style=" font-size: 20px " 【 span style=" font-size: 20px font-family: 黑体, SimHei " 第一弹 /span 】 /span a href=" https://www.instrument.com.cn/news/20200413/535932.shtml" target=" _blank" textvalue=" 溶出度仪" style=" text-decoration: underline font-size: 20px color: rgb(0, 112, 192) " strong span style=" font-size: 20px color: rgb(0, 112, 192) " 溶出度仪 /span /strong /a /p p span style=" font-size: 20px " 【 span style=" font-size: 20px font-family: 黑体, SimHei " 第二弹 /span 】 /span a href=" https://www.instrument.com.cn/news/20200420/536433.shtml" target=" _blank" textvalue=" 崩解仪与融变时限仪" style=" text-decoration: underline font-size: 20px color: rgb(0, 112, 192) " strong span style=" font-size: 20px color: rgb(0, 112, 192) " 崩解仪与融变时限仪 /span /strong /a /p p ----------------------------------------------- br/ /p p style=" text-align: center " span style=" font-family: 楷体, 楷体_GB2312, SimKai font-size: 24px color: rgb(79, 97, 40) " strong 欢迎报名“药典与药品质量控制”专题网络研讨会 /strong /span /p p 　　安全有效、质量可控是合格药品关键特点。药典作为国家药品的基本标准，指导地方标准和企业内部标准的建立，是新药审批生产的重要依据。2020版《中国药典》发布在即，对药品质量控制也提出新的要求。 /p p 　　为促进行业内药物质量检测技术交流，提升药品质量控制水平，仪器信息网将于 span style=" color: rgb(255, 0, 0) " strong 2020年4月30日 /strong /span 举办“药典和药品质量控制”专题网络研讨会，我们将邀请药品质控领域专家就最新药品质量分析技术、新版药典变化、药品标准修订等话题进行交流。 /p p style=" text-align: center" img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 560px height: 284px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202004/uepic/f3fe685a-4aa2-4387-a8c2-f3ba90a6fcd4.jpg" title=" 19.药典会议宣传.jpg" alt=" 19.药典会议宣传.jpg" width=" 560" vspace=" 0" height=" 284" border=" 0" / /p p span style=" font-size: 18px " 报名链接： /span a href=" https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/ypzlkz/" target=" _blank" style=" text-decoration: underline color: rgb(255, 0, 0) font-size: 18px " span style=" color: rgb(255, 0, 0) font-size: 18px " https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/ypzlkz/ /span /a /p

2017年11月28日，国产检测仪器设备质量提升与应用推广暨实验室检测仪器设备分会年会在北京亚奥国际大酒店举行。会议主旨是为促进国产检测仪器创新应用，提升检验检测技术服务能力，推动国产检测仪器验评成果转化及应用推广。此次会议由北京检验检疫年会及北京出入境检验检疫局联合主办，北京出入境检验检疫局检验检疫技术中心、国家大型检测仪器设备创新技术联盟协办。北京东西分析仪器有限公司作为第三期国产检测仪器验评企业之一携验评仪器AA-7050型原子吸收分光光度计参加了此次会议。会议现场会上，北京出入境检验检疫局检验检疫技术中心刘萤博士就东西分析AA-7050型原子吸收分光光度计验评工作做了大会报告。东西分析生产的AA-7050型原子吸收分光光度计是11月23日刚刚结题的第三期验评仪器，经过近半年的实验，就AA-7050型原子吸收分光光度计的稳定性、检出限、重复性、线性误差、背景校正能力、仪器最小分辨率等基本性能指标和检出限、期间重复性和长期稳定性、准确度等应用性能指标等进行考察，最后得出结论：“东西分析AA-7050型原子吸收分光光度计的仪器性能能够满足且优于“原子吸收分光光度计验证规范”标准。适用于食品、环境、农业等多个行业的应用”。北京出入境检验检疫局检验检疫技术中心刘萤博士报告与会领导莅临东西分析展台东西分析AA-7050型原子吸收分光光度计会议上还进行了检测仪器与新技术应用优秀论文颁奖活动及实验室检测仪器设备分会工作总结等内容，会议于29日圆满结束。

【碳酸饮料必备】ATAGO(爱拓）全自动二氧化碳糖度检测仪——CooRe 酷尔瑞【产品介绍】ATAGO（爱拓）全新力作——全自动二氧化碳糖度检测仪CooRe 酷尔瑞，专为碳酸饮料而设计，同时检测碳酸饮料的二氧化碳(CO2)和糖度，与传统“手摇法”不同，CooRe 酷尔瑞实现穿刺与检测与一体设计，直接对瓶（罐）穿刺，把样品吸入样品腔，内置样品搅拌器，无需人为对样品摇晃，保证摇晃力度均匀，一机同时测量多种数据（CO2浓度，压力，白利度（Brix）、温度），通过建立标准曲线，根据转换系数，把测量压力值自动转换成CO2浓度值并显示出来，免去查表手续，更可同时测量样品的白利度（Brix），非常适合碳酸饮料（汽水），尤其适合研发部门、质检部门使用，便携式设计，既可用于实验室，也可以现场测量。 碳酸饮料二氧化碳糖度检测仪——“CooRe”（酷尔瑞） 是ATAGO（爱拓）公司的最新力作，可同时测量碳酸饮料或者啤酒中的二氧化碳含量、可溶性固形物（Brix）含量、压力和温度，具有精度准确、测试稳定性好的特点，是一款值得信赖的二氧化碳糖度检测仪。【产品型号】CooRe 酷尔瑞 【货号】9332 【测量项目】二氧化碳浓度CO2 （自动温度补偿） 白利度 Brix （自动温度补偿） 压力 温度【测量范围】白利度Brix : 0.00 ～ 20.00 ％ 二氧化碳浓度CO2 ： 　 0.000 ～ 12.000 vol. 　 0.000 ～ 24.000 ×10-6 kg/cm3 　 0.000 ～ 24.000 g/L 压力： 　 0.00 ～ 10.00 bar 　 10 ～ 10000 mbar 　 0.000 ～ 145.000 psi 　 0.000 ～ 1.000 MPa 　 0 ～ 1000 kPa 温度： 　 0.0 ～ 30.0 ℃ 　 32.0 ～ 86.0 ℉ 　 273 ～ 303 K 【分辨率】白利度Brix：0.01% 二氧化碳浓度CO2 ： 　0.001 vol. 　0.001 ×10-6 kg/ cm3 　0.001 g/L 压力 　0.01 bar 　10 mbar 　0.001 psi 　0.001 MPa 　1 kPa 温度 　 0.1 ℃ 　 0.1 ℉ 1 K【测量精度】Brix: ±0.05％压力: ±1.0％（20℃）温度: ±1℃【重复性】Brix: ±0.02％ 压力: ±0.3％（at F.S. 20℃） 【温度补偿范围】Brix 白利糖度: 5.0 to 30.0℃ CO2 二氧化碳浓度: 0 to 25℃ 【样品温度】0 to 30℃（保证精度允许范围: 5.0 to 25.0 ℃）【压力传感器】隔膜泵，压力表【折光仪光源】LED （近似D线）【搅拌法】磁力搅拌器【温度传感器】铂薄膜温度传感器（折射仪/压力传感器各一个）【样品体积】100ML （压力腔容积：20ML）【测量时间】大约60秒【电源】AC 100至240V【功率】50VA【国际防护等级】IP 65 *仅适用于USB终端和电源端盖开启时（或连接交流源时）【尺寸和重量】40.5*21*45cm 13kg（含电源）【数据输出】 USB存储器【环境温度/湿度】 温度0.0 ～ 40.0 ℃湿度30～80%【选配件】RE-74840 锂电池 RE-79424 过滤装置RE-79425 滤芯 RE-99440 干燥剂（100g）RE-99441 后盖固定螺丝RE-78068 延长排水管 *尼龙管（ф4，长度1m）和连接套件RE-99442 CooRe穿刺装置压杆专用润滑油 【测量步骤】1.设置样品。2.压下手柄，穿刺装置刺穿容器。3.点击“START”，开始测量。创新点：一机同时测量碳酸饮料的二氧化碳含量和白利度（糖度），自带样品搅拌器，无需使用传统的”手摇法”，有效消除人为摇晃力度误差，更能确保测量结果的准确性。 ATAGO（爱拓）二氧化碳糖度检测仪CooRe酷尔瑞

(一)多功能土壤肥料检测仪测定项目土壤：铵态氮、有效磷、速效钾、有机质、碱解氮、硝态氮、全氮、全磷、全钾、有效钙、有效镁、有效硫、有效铁、有效锰、有效硼、有效锌、有效铜、有效氯、有效硅、pH、含盐量、水分；肥料：单质肥、复合肥中的氮、磷、钾等。有机肥、叶面肥(喷施肥)中各形态氮、磷、钾、腐植酸以及pH值、有机质，钙、镁、硫、硅、铁、锰、硼、锌、铜、氯等。植株:氮、磷、钾、钙、镁、硫、硅、铁、锰、硼、锌、铜、氯等。（二）多功能土壤肥料检测仪功能介绍1.操作系统：Android操作系统，主控须采用多核处理器，CPU主频≥1.8Ghz，大容量内存，运转速度快、稳定性强，无卡顿卡机现象。配带 USB 双接口，快速导出上传数据，快速导出上传数据。2.仪器采用7.0寸大屏幕，支持中英文一键切换，可存储打印检测结果,具备历史数据查询打印功能。3.内置中英文双语显示，一键切换，满足出口需求。4.自主研发科研级高精度检测模块，软件著作权证书号：软著登字第7934007号。5.仪器具有自身保护功能，可设置用户名及密码；配有指纹锁用于指纹登录，防止非工作人员操作查看实验数据。6.支持Wifi传输，数据可局域网和互联网数据上传，检测结果可直接传至云平台。7.内置作物图谱：根据各农作物营养缺失的图片，进行叶面对比，丰缺诊断。8.数据打印：内置热敏打印机，可打印出检测项目、检测单位、检测人员、检测时间、通道号、吸光度、含量（mg/kg）、二维码等信息。9.每台仪器配备专属的云平台账户密码，可通过电脑网页及手机微信查看。10.仪器内置样品前处理步骤以及上机检测步骤操作视频，点击仪器主界面即可观看，一对一指导教学，上手更快速简单！11.内置先进的定位器，实现每个通道定位精准；12.仪器配置四种（红、蓝、绿、橙）波长光源，光源波长稳定，寿命长达10万小时级别，重现性好，准确度高。13.仪器带有电压显示灯，实时显示当前电压值，保证操作过程的稳压状态，并带有断电保护功能，在突然断电时，可以对数据进行自动储存，以防数据丢失。14.内置测土配方施肥系统，直接输入养分检测结果，即可计算出一次性施肥量；可对百余种全国农业经济作物的目标产量计算推荐施肥量，配方施肥科学指导农业生产；测土配方施肥结果可打印，打印内容包含作物种类、肥料种类、目标产量、需求总量、建议施肥方案。15.土壤中速效N、P、K等多种养分一次性同时浸提测定。16.检测速度：在正常熟练程度下，测土壤铵态氮、磷、钾三项要20分钟(含土样前处理及药剂准备)，测肥料氮、磷、钾三项需50分钟左右，微量元素单项检测需20分钟左右。(三)多功能土壤肥料检测仪技术指标1.电源：交流220±22V直流12V+5V（仪器内置大容量锂电池）2.功率：≤5W3.量程及分辨率：0.001-99994.重复性误差：≤0.04%（0.0004，重铬酸钾溶液）5.仪器稳定性：一个小时内漂移小于0.3%（0.003，透光度测量）。仪器开机预热5分钟后，三十分钟内显示数字无漂移（透光度测量）；一个小时内数字漂移不超过0.3%（透光度测量）、0.001（吸光度测量）；两个小时内数字漂移不超过0.5%（0.005，透光度测量）。6.线性误差：≤0.2%（0.002，硫酸铜检测）

北京市环保局首次公布京城辐射环境信息引起市民对于生活环境中辐射指数的关注，部分市民还自购仪器自行测量电磁辐射。23日记者调查发现，目前市场上的测试仪器技术标价不一且规格混乱，还有人借“核辐射好帮手”推销。相关专业人士表示，市民自测辐射行为并不可取。 　　检测仪称能测“核辐射” 　　热销辐射测试仪、钻石信誉电磁辐射检测笔、台湾原产电磁辐射测试仪……在淘宝网输入“辐射”二字，各种广告语扑面而来。日本地震后，平日无人问津的辐射检测仪搭上了“核辐射”的顺风车，销路大开。仅以电磁辐射测试仪为例，这种仪器价格从八九元到上百元、上万元不等，一款声称从德国进口的标价36000元。而一款198元的家用测试仪一个月内竟卖出182件，还有一款来自香港的电磁辐射检测仪称是“核辐射好帮手”。而据专家介绍，电磁辐射是由空间共同移送的电能量和磁能量所组成，与核辐射无关。 　　再仔细观察发现，这些产品的各种技术指标也不尽相同。有的仪器测量频宽是50赫兹到3000兆赫兹，也有仪器的频宽为50赫兹到5000兆赫兹，有些厂家自行规定了低频和高频，低频为5赫兹到40万赫兹，高频则为30兆赫兹到2000兆赫兹。不仅如此，仪器误差也不同，有的是3%，有的是5%。 　　而专业人士指出，应该根据辐射源的频率来选择测试仪的频宽。而对于低频和高频的区分，厂家的划分也不科学。一般来说，超低频有不同限值，用的较多的是50赫兹或者100赫兹。高频则是10万赫兹到30兆赫兹，30兆到300兆为超高频，300兆到30万兆属于微波频率。 　　专业机构1500元起测 　　目前，北京市环保局并无附属的对外测试电磁辐射的单位，市场上活跃的一般是第三方检测机构。 　　“主要是测‘房’测‘站’。”一家检测机构工作人员告诉记者，他们测的数据大多是用来打官司用的，有测小区附近的高压线电磁场的，有测机房和设备的，还有居住在变电站或者手机基站附近的居民也要求测试辐射环境。他们一般会根据客户所处的地段和要求，测量出电场或者磁场强度、功率密度，并出具一份报告。 　　这名工作人员也告诉记者，因为个人测试的数据并未经过CMA国家计量认证，不具有法律效力，居民打官司时还得请专业公司来测。 　　由于是专业测试，这些机构的开价也不低。北京室内环境污染检测技术中心工作人员透露，他们测试一般3个点起测，一个点500元，一次至少1500元。另一家检测机构谱天测试中心同样是3个点1500元起测。工作人员还“关照”记者：“如果个人测，我们能优惠点。如果是开发商或者物业委托，就走对公价格，自然要贵点。”据了解，该机构给小区做一个环境评价，平均价格是3万元到4万元。 　　电磁辐射环境有国标 　　对于自测电磁辐射行为，专业人士指出这种做法并不可取。 　　北京室内环境污染检测技术中心的一位金姓工程师告诉记者，检测设备购买后得先拿到中国计量科学研究院做检定，之后才会使用，使用过程中也会按固定周期拿去检定，以保证仪器的灵敏度。市民个人购买仪器检测，在准度上就无法保证。 　　那么，什么样的辐射环境才算正常?环保部颁布的《电磁辐射防护规定》指出，在30兆赫兹到3000兆赫兹这一公众最敏感范围内，电磁场功率密度的标准限值为0.4瓦每平方米，低于这一数值才比较安全。关于超高压选变电设置的工频电场、磁场强度限值，我国推荐0.1毫特斯拉作为磁感应强度的评价标准。 　　金工程师还建议，市面上的各种电磁辐射测试仪器良莠不齐，不同厂家生产的设备，性能差别很大。且电磁辐射受环境影响因素很大，即使误差较大也难以识别，测出来的数据并没有说服力。如果真有这方面需要，建议市民邀请具有资质的专业机构去测试。 　　相关链接： 　　受日本核危机影响 核辐射检测仪器需求大增 　　韩国没有可批量检测商品的大型核辐射检测设备 　　日本强震 韩国“哄抢”核辐射测量仪

2017年2月16日，中国出入境检验检疫协会和中国国际旅行卫生 保健协会第四届会员代表大会第三次会议在北京召开，来自国家 质检总局各司局、国家认监委、国家标准委和全国检验检疫部门 有关负责人、各地检验检疫协会负责人、进出口会员企业代表、 各地旅行卫生保健中心等400余人出席了此次会议。普析公司作为协会会员单位出席本次大会。 　　　此次会议，成立了中国出入境检验检疫协会实验室检测仪器设备 分会，有近七十位代表出席会议。北京普析通用仪器有限责任公司 成为第一届理事会副会长单位，田禾总经理担任分会名誉会长，王 峰副总经理担任分会第一届副会长。 　　检验检疫实验室是质量基础设施的重要组织成部分，检验检测技 术和仪器设备是实验室的技术支撑和保障。为落实国家质量监督检 验检疫十三五事业发展规划的有关要求，推进我国出入境检验检疫 实验室能力建设，规范实验室检测仪器设备生产经营行业秩序，更 好的为我国对外经济贸易和检验检疫事业发展服务，在落实十三五 规划关键时期，成立实验室检测仪器设备分会是必要的。本会将发 挥社会组织的桥梁纽带作用，协调政府部门与会员关系，履行行业 自律和监督职能，提升检验检疫实验室能力建设，规范实验室仪器 设备生产经营秩序，推进国产实验室仪器设备广泛应用，促进我国 检验检疫实验室和实验室仪器设备生产经营单位国际化、品牌化发 展。　　　　　　　　　　　　　　撰稿：综管部 宣

目前，长电科技在上海临港加速建设公司首座大规模生产车规级芯片成品的先进封装基地，以服务国内外汽车电子领域客户和行业合作伙伴。该项目作为专业的汽车芯片封测工厂，将配备高度自动化的汽车芯片专用生产线，并建立完善的车规级业务流程。其目标是全面打造车规级芯片智能制造和精益制造的灯塔工厂，并以零缺陷为目标，为客户提供稳健的生产过程控制和完备的质量检验流程，以满足车规芯片制造的严苛要求。与此同时，长电科技在江阴搭建车规级封装中试线，强化与客户的合作，帮助客户提前锁定未来临港汽车芯片先进封装基地的产能。中试线于2023年底设备陆续进场，2024年第一季度成功通线，并率先推出两款碳化硅（SiC）塑封模块样品，主要以单面散热外形封装为主，满足客户双芯片和多芯片并联方案。其中一款单面散热模块采用双面银烧结与铜线键合工艺，实现多颗SiC芯片并联，持续工作结温达175℃，在800V电池系统中输出电流有效值高达700Arms。另一款小型化封装模块，在原有压力银烧结工艺的基础上，探索新型创新烧结工艺，不仅解决了外溢和裂纹风险，而且使生产效率得到显著提升。以上两款SiC封装器件是应对新能源汽车主牵引驱动器的高功率密度、高可靠性等需求研发的重要产品，涵盖750V/1200V耐压等级，可应对纯电及混动应用场景下的不同需求挑战。作为封测行业的领军企业，长电科技以创新研发为动力，以应用为驱动，以可靠性为核心，与国内外重要客户形成联合开发模式，在模块设计、模块制造和单管封装等方面形成核心能力。公司从封装协同设计、仿真、封装可靠性验证、材料及高压、高频、高功率测试方面给予客户高效技术支持服务，并且持续与相关产品头部企业合作开发新的解决方案并实现量产落地。未来，长电科技将持续为客户提供高品质、高效率、低成本的解决方案，助力客户在新能源汽车领域取得更大的成功。

p style=" TEXT-ALIGN: left LINE-HEIGHT: 1.75em" & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp 据报道，由英国伦敦大学学院学生组成的团队，在网上集资平台推出了一部简易DNA检测仪Bento Lab。这装置大小就如一部笔记本计算机，配套装备则分为纯为玩玩而设的入门级和可以认真地使用的实验室两个版本。　& nbsp /p p style=" TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em" img style=" TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em" title=" 1.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/77242c24-7eeb-44e7-ae78-9dafbe23b6e0.jpg" / span style=" LINE-HEIGHT: 1.75em" 　　 /span /p p style=" TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em" img style=" TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em" title=" 2.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/b7f36de7-5b6d-4696-915a-0a2cc3831f56.jpg" / /p p style=" LINE-HEIGHT: 1.75em" 　　实验室版本除了Bento Lab本体连电源电缆，也包括全套凝胶电泳装置以及蓝光透照器和一本实验手册，具备进行完整DNA提取及检测工作的能力。 /p p style=" TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em" img title=" 3.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/aa43731b-23c0-4d78-9a66-ca2b7284492d.jpg" / /p p style=" LINE-HEIGHT: 1.75em" 　　用户可用该仪器测试食物是否有混入不当物质，如了解汉堡牛排中是否有马肉DNA，青豆粟米有否含有动物基因，亦可以了解自己的基因结构。至于农民、酿酒商和分子料理厨师，也可以利用这器材协助他们生产质量更佳的产品。 /p p style=" TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em" img title=" 4.jpg" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/af946b64-0ddb-4e47-a248-f4f397e006b0.jpg" / /p p style=" TEXT-ALIGN: center LINE-HEIGHT: 1.75em" img style=" WIDTH: 550px HEIGHT: 325px" title=" 5.jpg" border=" 0" hspace=" 0" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/c8a8c755-95b9-4c40-9237-337f7a11ffd3.jpg" width=" 550" height=" 325" / /p p style=" LINE-HEIGHT: 1.75em" & nbsp & nbsp 报道称，如果一切顺利，预计首批Bento Lab可以在今年11月发货。 /p p br/ /p