大功率晶体管测试仪

中国科技网讯 据物理学家组织网5月9日（北京时间）报道，美国加州大学河滨分校伯恩斯工程学院的研究人员开发出一种新技术，可借助石墨烯实现大功率半导体设备的大幅降温，解决在交通信号灯和电动汽车中使用的半导体材料散热问题。相关研究报告5月8日发表在《自然·通讯》杂志上。 自上世纪90年代以来，半导体材料氮化镓（GaN）就被用于强光的制造，并因为高效和可耐高电压工作而被用于无线设备中。然而就像所有大功率操作设备一样，氮化镓晶体管会散发出相当多的热量，需要对其快速而有效的移除。科学家已尝试过倒焊芯片和复合基底等多种热量管理途径，但效果都不理想。如何为这些设备降温仍困扰着学界，氮化镓电子工业的市场份额和应用范围也因为难以散热而受到限制。 基于纳米设备实验室开发的新技术，将使这一情况得到改善。研究小组由电子工程学教授亚历山大·巴兰金领导，他们在进行微拉曼光谱温度测量时发现，通过引入由多层石墨烯制成的交替散热通道，能使在高功率运转情况下的氮化镓晶体管中的热点降低20℃，并将相关设备的寿命延长10倍。 巴兰金表示，这代表了热量管理领域的变革性进展。与金属或半导体薄膜不同，多层石墨烯即使在自身厚度仅为数纳米时，也能保持良好的热力性质，这使它们成为了制造侧面导热片和连接线的极佳备选。研究人员在氮化镓晶体管上设计并构建了石墨烯“被子”，使其能从热点处移除和传导热量。计算机模拟则显示，采用热阻更强的基底能使石墨烯“被子”更好地在氮化镓设备上发挥作用。（记者 张巍巍） 总编辑圈点 大功率LED光源寿命是高压钠灯的4倍以上，耗电仅为白炽灯的十分之一，因此正越来越多地用在景观照明、交通信号灯等领域，但是散热问题一直阻碍着它的迅速普及。一般情况下，LED光源工作时所产生的热量占其消耗总功率的70%左右，热量若无法导出，将会影响产品生命周期、发光效率。热点降低20℃，寿命延长10倍。文中提到的降温新方法着实振奋人心，可以想见，一旦技术成熟并投入使用，城市的夜晚将更加绚烂夺目。 《科技日报》（2012-05-10 一版）

CGH40045FE射频功率晶体管是[url=https://www.leadwaytk.com/brand/35.html]CREE[/url]公司提供的一款性能优越的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。它操作在28伏的电压轨道上，为各种射频和微波应用提供通用宽带解决方案。该晶体管具有高效率、高增益和宽带性能，适用于线性和压缩放大器电路。[align=center][img=CGH40045FE射频功率晶体管CREE]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252054353284.png[/img][/align][b]　　以下是CGH40045FE射频功率晶体管的一些特征：[/b]　　1.工作频率高达4 GHz　　2.在2.0 GHz时具有16 dB的小信号增益，在4.0 GHz时为12 dB　　3.PSAT(饱和输出功率)为55 W　　4.工作电压28 V[b]　　应用：[/b]　　2路私人无线电：适用于私人通信设备中的发射和接收模块。　　宽带放大器：用于需要高频宽带放大器的应用，如电信基础设施等。　　蜂窝基础设施：可用于蜂窝网络基站和设备的射频传输模块。　　测试仪器：适用于各种测试仪器的射频信号放大模块。　　A类，AB类，线性放大器：适用于各种调制方式(如OFDM, W-CDMA, EDGE, CDMA)下的线性和压缩放大器设计。[b]产品选型：[/b][table=90%][tr][td=1,1,75][b]Order Number[/b][/td][td=1,1,171][b]Description[/b][/td][td=1,1,92][b]Init of Measure[/b][/td][td=1,1,152][b]Image[/b][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045F[/td][td=1,1,171]GaN HEMT[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152][img=image.png]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252188858765.png[/img][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045P[/td][td=1,1,171]GaN HEMT[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152][img=image.png]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252198984376.png[/img][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045F-AMP[/td][td=1,1,171]Test board with GaN HEMT installed[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152][img=image.png]https://www.leadwaytk.com/public/ueditor/upload/image/20240521/1716252207570347.png[/img][/td][/tr][tr][td=1,1,75]CGH40045P-AMP[/td][td=1,1,171]Test board with GaN HEMT installed[/td][td=1,1,92]Each[/td][td=1,1,152] [/td][/tr][/table][font=微软雅黑][/font][url=https://www.leadwaytk.com/]深圳市立维创展科技[/url][font=宋体][size=14px]是[/size][/font][font=Calibri][size=14px][url=https://www.leadwaytk.com/brand/35.html]CREE[/url][/size][/font][font=宋体][size=14px]的经销商，拥有[/size][/font][font=Calibri][size=14px]CREE[/size][/font][font=宋体][size=14px]微波器件优势供货渠道，并长期库存现货，以备中国市场需求。[/size][/font]

[align=center][img=BLP05H6700XR功率晶体管Ampleon,199,170]https://www.ldteq.com/public/ueditor/upload/image/20240603/1717380641473459.png[/img][/align]　　BLP05H6700XR功率LDMOS 晶体管是由 [url=https://www.ldteq.com/brand/97.html]Ampleon[/url] 公司生产的一款高性能产品，主要针对 HF 至 600 MHz 频段的广播、工业、航空航天和国防应用进行优化。该晶体管具有 700 W 的额定功率，并具备以下特点和优势：　　- 易于控制功率输出　　- 集成双面 ESD 保护，支持 C 类操作和完全关断　　- 卓越的耐用性，VSWR 高达 65 : 1　　- 高效率的功率传输　　- 优良的热稳定性　　- 专为宽带工作设计，覆盖 HF 至 600 MHz　　- 50 V 工作电压，便于宽带匹配　　- 提供直引线和鸥翼式引线两种封装形式　　- 符合 RoHS 标准[b]　　应用信息[/b]　　在脉冲 RF 信号条件下，晶体管的主要参数如下：　　频率 (f): 108 MHz　　漏源电压 (Vds): 50 V　　功率输出 (PL): 700 W　　功率增益 (Gp): 26 dB　　效率 (ηD): 75%　　应用领域包括工业、科学和医疗应用，广播发射机应用，以及航空航天和国防应用。该晶体管以其优异的性能和坚固的设计，确保在苛刻环境下的可靠性和效率。[b]相关推荐：[/b][url=https://www.ldteq.com/article/3471.html]0.4-1.0GHz UHF功率晶体管Ampleon[/url][color=#0070c0] [/color][url=https://www.ldteq.com/article/3474.html]1.4-2.2GHz L/S波段射频功率晶体管Ampleon[/url][url=https://www.ldteq.com/article/3478.html]2.3-2.7GHz S波段射频功率晶体管Ampleon[/url][url=https://www.ldteq.com/article/3483.html]3.3-5.0GHz S/C波段射频功率晶体管Ampleon[/url][url=https://www.ldteq.com/]立维创展[/url][size=14px][size=15px][color=#0070c0][/color][/size][size=15px][color=#333333]专业代理[url=https://www.ldteq.com/brand/97.html]Ampleon[/url]产品，拥有价格优势，欢迎咨询。[/color][/size][/size]