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场效应管参数测试仪

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场效应管参数测试仪相关的资讯

  • 新型有机场效应管研究:PFN+Br-中间层的引入极大提高C60单晶场效应管的性能
    有机场效应晶体管(organic field—effecttransistors)作为新一代电子元器件,自1986年问世以来,引起了学术界和工业界的广泛关注。与传统的无机半导体材料相比,有机半导体具有材料来源广,制备工艺简单,可与柔性衬底兼容等优点,在众多领域具有广泛的应用。有机场效应管性能的调解可以采用两种不同的手段:一、通过化学修饰来调解分子聚集态结构与界面电荷陷阱;二、提高载流子注入电的效率,通常方法为采用钙、镁等低功函数材料或采用复合电,减小接触电阻。Science China Chemistry近发表的一篇文章,报道了一种基于C60单晶的新型有机场效应管。通过PFN+Br-中间层的引入,大大地减小了电与半导体层的接触电阻,提高了载流子注入电的效率。其电子迁移率高达5.60cm2V-S-,阈值电压能够低至4.90V,性能远远高于没有PFN+Br-中间层的器件。 图1. C60带状晶体的形貌与晶体结构图:(a)C60晶体光学成像图;(b)C60晶体的AFM形貌图;(c)C60晶体的TEM成像图;(d)C60晶体的SAED图本研究采用美国Delong公司生产的超小型低电压透射电镜—LVEM5来表征C60的单晶带结构(如图1c所示),其主机采用Schottky场发射电子枪,能够提供高亮度高相干的电子束,并可直接放置于实验室的桌面上。在输出曲线中可以看出,IDS与VDS具有良好线性,表现出良好饱和特性。(如图2所示)。图2. 场效应管的性能表征:C60单晶不涂覆(a-c)/涂覆(d-f)共轭聚电;(a,d)转移曲线图;(b,e)45个器件电荷迁移率柱状图;(c,f)输出曲线图LVEM5加速电压只有5KV,但可以实现1.5 nm的分辨率,纳米结构可以获得高质量的电镜照片,且直接保存Tiff格式,无需转码。无需液氮,无需专人操作管理,操作维护简单快捷,是实验室的理想选择。* 展会快讯:Quantum Design中国子公司参加了 10月17-22日 在 成都 举办的“2017年电镜年会”,欢迎各位感兴趣的老师、同学亲临展台,参观指导,我们随时期待与您相会! * 参考文献:Enhanced performance of field-effect transistors based on C60 single crystals with conjugated polyelectrolyte. Sci China Chem. April (2017) Vol.60 No.4.相关产品及链接:LVEM5 超小型透射电子显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C157727.htmRHK 扫描探针显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C44442.htm电导率-塞贝克系数扫描探针显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C71734.htm美国RHK无液氦低温STM/qPlusAFM系统 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C205015.htm超高分辨散射式近场光学显微镜 http://www.instrument.com.cn/netshow/SH100980/C170040.htm
  • 《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》标准草案(线上)讨论会顺利召开
    2021年5月26日下午,联盟团体标准T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》标准草案线上讨论会顺利召开。本次会议共计15位专家代表参与标准研讨。会议由联盟标委会高伟博士主持,联盟秘书长于坤山提到团体标准作为国行标的补充,具有十分重要的意义,目前第三代半导体特别是碳化硅相关的应用发展迅速,国内外都非常的关注,但是缺乏相关的标准,该项标准的制定有助于促进相关平台的建设,推动企业研发工作的同时促进上下游之间的交流。本次会议主要针对T/CASA 016-20XX《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)热阻电学法测试方法》标准草案的范围、术语与定义、试验方法等内容进行充分讨论,并提出了诸多修改意见。SiC MOSFET的热阻在热管理设计中具有重要作用,热阻能够为器件运行时的结温评估与结构评价提供信息,为器件设计与优化改进提供参考,衡量器件散热性能的关键指标之一。准确的热阻测试对于SiC MOSFET的鉴定、评价具有重要意义。
  • 微电子所在二硫化钼负电容场效应晶体管上取得进展
    近日,2020国际电子器件大会(IEDM)以视频会议的形式召开。会上,微电子所刘明院士科研团队展示了二硫化钼负电容场效应晶体管的最新研究成果。 功耗是制约未来集成电路发展的瓶颈问题。在栅极中引入铁电新材料的“负电容晶体管”(NCFET)可突破传统场效应晶体管的亚阈值摆幅开关极限,有望在极低电源电压下工作,从而降低功耗并保持高性能。同时,原子层厚度的二硫化钼(MoS2)免疫于短沟道效应,具有较高的迁移率、极低的关态电流和CMOS兼容的制造工艺等优势,是面向先进晶体管的可选沟道材料之一。近期的一些实验显示,MoS2 NCFET能实现低于60mV/dec的亚阈值摆幅。但这些研究仅实现了较长沟道(500 纳米)的器件,没有完全发掘和利用负电容效应在短沟道晶体管中的优势。 针对该问题,刘明院士团队通过对器件参数以及制造工艺的设计与优化,首次把MoS2 NCFET的沟道长度微缩至83 纳米,并实现了超低的亚阈值摆幅(SSmin=17.23 mV/dec 和 SSave=39 mV/dec)、较低回滞和较高的开态电流密度。相比基准器件,平均亚阈值摆幅从220 mV/dec提高至39 mV/dec,沟道电流在VGS=0 V和1.5 V下分别提高了346倍和26倍。这项工作推动了MoS2 NCFET尺寸持续微缩,对此类器件面向低功耗应用有一定意义。 基于上述研究成果的论文“Scaling MoS2 NCFET to 83 nm with Record-low Ratio of SSave/SSRef.=0.177 and Minimum 20 mV Hysteresis”入选2020 IEDM。微电子所杨冠华博士为第一作者。图(a) MoS2 NCFET转移曲线。(b)亚阈值摆幅~沟道电流关系。MoS2 NCFET与MoS2 FET对比数据:(c)转移曲线和(d)输出曲线
  • 我司在上海某高校成功安装基于Janis 探针台和Keithley 4200半导体特性仪的测试系统。
    我司于2017年1月在上海某高校成功安装基于Janis 探针台和Keithley 4200半导体特性仪的测试系统。该探针台配置四个三同轴探针臂和两个光纤探针臂,漏电流优于50fA。该探针台变温范围大(8K-675K)。我司提供Keithley 4200半导体特性仪,并提供集成变温IV、CV和输运和转移特性等测试软件 变温测量IV和VI曲线 变温场效应管(横坐标Vgs,纵坐标Ids, 不同曲线代表不同的Vds和温度) 变温场效应管(横坐标Vds,纵坐标Ids, 变温CV测试(横坐标偏压,纵坐 不同曲线代表不同的Vgs和温度) 标电容,不同曲线代表不同温度)
  • 四分钟内得结果!复旦大学魏大程课题组利用无掩膜光刻机开发出新型快速超灵敏新冠病毒检测设备
    【期刊】Nature Biomedical Engineering IF=25.7DOI:https://doi.org/10.1038/s41551-021-00833-7 【成果简介】 由于许多疾病相关生物标志物的浓度超低,所产生的信号往往会被其他高浓度分子所产生的信号所干扰,因此从生物流体中进行超低浓度样品(每100 μL中有1到10份)的检测一直是医学/生物分析领域的一个难题。近日,复旦大学魏大程教授课题组使用小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3制备了基于石墨烯场效应管的分子微纳机电芯片解决了这一难题。所制备的芯片实现了对低浓度离子,生物分子和新冠病毒(每100 μL中有1到2份)的快速检测。使用该芯片对新冠病毒进行检测时,仅需鼻咽样本即可,无需RNA提取和核酸扩增,四分钟内就可得到检测结果。相关研究论文已在国际知名期刊《Nature Biomedical Engineering》(IF=25.7)上发表。 【图文导读】图(1) 分子微纳机电和基于石墨烯场效应管的微纳机电芯片示意图。A)分子微纳机电芯片示意图。B) 分子微纳机电探针在不同静电场中工作原理示意图。探针与作为悬臂梁的单链DNA相连,然后被一个由双链DNA所组成的四面体结构固定在石墨烯表面。E为外加电场方向。C)基于液态门石墨烯场效应管的微纳机电芯片示意图。D)使用小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3制备器件的数码照片。E) 小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3制备电的光学显微照片。F)制备后的石墨烯表面的AFM表面成像结果。G)-I)不同外加电场条件下,单链DNA的荧光表征结果。图(2)超灵敏生物探测系统和芯片稳定性结果。A) Vlg为-0.5V条件下和B) Vlg为0V条件下实时ΔIds的变化曲线。C)不同Vlg下,ΔIds随着凝血酶浓度的变化。D)分子微纳机电部分探测原理。由于探针较高的表面覆盖率,通过探针对特定目标进行特定吸附,避免了非特定吸附,然后再转换为不同电信号。E)制备芯片的ΔIds/ΔIds0随着时间的变化。 图(3)芯片的通用性,特性和结构设计。A) ∣ΔIds/ΔIds0∣曲线随着不同检测样品浓度的变化。B) ΔIds/ΔIds0随着ATP浓度的变化。C)制备芯片对选定样品和非选定样品不同的∣ΔIds/ΔIds0∣结果。D)DNA四面体示意图。E)不同的DNA结构对狄拉克点位移的影响。 图(4)新冠病毒的核酸检测。A)使用制备芯片和传统PCR法进行核酸检测的工作流程。B)用于探测和样品选定的基因序列图。C)∣ΔIds/ΔIds0∣曲线随着不同检测样品浓度的变化。插图中展示了检测的灵敏度。D) ∣ΔIds/ΔIds0∣随着不同样本的改变。F1为PCR检测为阴性的1号样本。P1为PCR检测为阳性的1号样本。插图中展示了芯片对25个阳性样本的平均反应时间。E) 芯片对新冠感染者,普通发烧和流感患者以及健康人群的检测结果。F) ΔIds/ΔIds0对不同浓度样品的反应时间。插图为在样品采集后0-21天时间内的表征结果。G)制备的芯片和传统PCR法对样品检测灵敏度的比较。H) 通过和其他测试新冠病毒方法的比较,说明制备的芯片检测新冠病毒更快更灵敏。 【结论】 魏大程教授课题组使用小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3制备基于石墨烯场效应管的分子微纳机电芯片在检测离子,生物分子和新冠病毒等方面具有快速超高灵敏度等特点。该工作为医学/生物快速诊断领域的研究打下了坚实的基础。同时,从文中也可以看到随着医学/生物检测领域的需求逐渐增多,如何快速开发出符合需求的生物芯片显得十分重要性。由于实验过程中需要及时修改相应的参数,得到优化的实验结果,十分依赖灵活多变的光刻手段。小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3可以任意调整光刻图形,帮助用户快速实现原型芯片的开发,助力医学/生物检测领域的研究。
  • CASA发布《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》团队标准【附标准全文】
    碳化硅(SiC)具有宽禁带、耐击穿的特点,其禁带宽度是Si的3倍,击穿电场为Si的10倍;且其耐腐蚀性极强,在常温下可以免疫目前已知的所有腐蚀剂。而金属氧化物半导体场效晶体管(简称:金氧半场效晶体管;英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,缩写:MOSFET),是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。2020年12月28日,北京第三代半导体产业技术创新战略联盟发布一项联盟标准T/CASA 006-2020《碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范》。该项标准由中国科学院微电子研究所牵头起草,按照CASAS标准制定程序(立项、征求意见稿、委员会草案、发布稿),反复斟酌、修改、编制而成。标准的制定得到了很多CASA标准化委员会正式成员的支持。标准于2021年1月1日施行。附件下载https://www.instrument.com.cn/download/shtml/976637.shtml【相关阅读】企业成半导体刻蚀设备采购主力——半导体仪器设备中标市场盘点系列之刻蚀设备篇超亿采购中磁控溅射占主流——半导体仪器设备中标市场盘点系列之PVD篇上海市采购量独占鳌头——半导体仪器设备中标市场盘点系列之CVD篇第27批国家企业技术中心名单出炉,涉及这些仪器厂商探寻微弱电流的律动:超高精度皮安计模块亮相三家半导体设备商上榜“中国上市企业市值500强”862项标准获批,涉及半导体、化工检测和检测仪器等领域盘点各地十四五规划建议”芯“政策湖北省集成电路CMP用抛光垫三期项目拟购置43台仪器设备
  • 复旦大学包文中课题组又发一篇Nature子刊,小型台式无掩膜光刻机助力晶圆级二维半导体的集成电路工艺
    期刊:Nature communication IF 14.92文章DOI:https://doi.org/10.1038/s41467-021-26230-x 【引言】石墨烯的发现为人类打开了二维材料的大门,经历十多年的研究,二维材料表现出的各种优良性能越来越吸引科研学者。然而,在工业上大规模应用二维材料仍然存在着很多问题,所制成的器件不能符合工业标准。 【成果简介】近日,复旦大学包文中教授课题组利用机器学习 (ML) 算法优化了二维半导体(MoS2)栅场效应晶体管 (FET)的制备工艺,并采用工业标准设计流程和工艺进行了晶圆器件与电路的制造和测试。文章以《Wafer-scale functional circuits based on two dimensional semiconductors with fabrication optimized by machine learning》为题发表于Nature Communications。本文中,晶圆尺寸器件制备的优化是先利用机器学习指导制造过程,随后使用小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3进行制备,优化了迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等性能。 【图文导读】图1. 制备MoS2 FETs的总流程图。(a)CVD法制备晶圆尺寸的MoS2。(b)MoS2场效应管的各种截面图。(c)晶体管的表现和各类参数的关系。(d)从材料制备到芯片制备和测试的优化反馈循环。图2. MoS2 FETs的逻辑电路图。(a),(b),(c)和(d)各类电压对器件的影响。(e)使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的正反器和(f)相应实验结果(g)使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的加法器和(h)相应的实验结果。图3. 利用MoS2 FETs制备的模拟,储存器和光电电路。(a)使用无掩膜光刻机制备的环形振荡器和(b)相应的实验结果。(c)基于MoS2 FETs制备的存储阵列和(d-f)相应的实验结果。(g)利用MicroWriter ML3制备的光电电路和(h-i)相应的表现结果。图4. 使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机在晶圆上制备MoS2场效应管。(a)在两寸晶圆上制备的基于MoS2场效应管的加法器。(b),(c)和(d)在晶圆上制备加法器的运算结果。 【结论】随着二维材料的应用和人工智能在各领域的迅速发展,如何快速开发出符合实验设计的原型芯片结构变得十分重要。由于实验过程中需要及时修改相应的参数,得到优化的实验结果,所以十分依赖灵活多变的光刻手段。从上文中可以看出,小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3可以帮助用户快速实现各类逻辑结构的开发,助力微电子相关领域的研究。鉴于1套小型台式无掩膜光刻机ML3系统的优良性能和高成果产出,课题组相关研究团队继续紧追热点,把握时机再添置一套英国DMO公司新款小型台式无掩膜光刻机-ML3 Pro+0.4 μm专业版系统,力争更优的器件性能,图中所示是目前已交付正常使用的全新版系统。希望能够助力研究团队取得重要进展!
  • 复旦大学包文中课题组又发一篇Nature子刊,小型台式无掩膜光刻机助力晶圆级二维半导体的集成电路工艺
    期刊:Nature communication IF 14.92文章DOI:https://doi.org/10.1038/s41467-021-26230-x 【引言】 石墨烯的发现为人类打开了二维材料的大门,经历十多年的研究,二维材料表现出的各种优良性能越来越吸引科研学者。然而,在工业上大规模应用二维材料仍然存在着很多问题,所制成的器件不能符合工业标准。 【成果简介】 近日,复旦大学包文中教授课题组利用机器学习 (ML) 算法优化了二维半导体(MoS2)栅场效应晶体管 (FET)的制备工艺,并采用工业标准设计流程和工艺进行了晶圆器件与电路的制造和测试。文章以《Wafer-scale functional circuits based on two dimensional semiconductors with fabrication optimized by machine learning》为题发表于Nature Communications。本文中,晶圆尺寸器件制备的优化是先利用机器学习指导制造过程,随后使用小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3进行制备,优化了迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等性能。 【图文导读】图1. 制备MoS2 FETs的总流程图。(a)CVD法制备晶圆尺寸的MoS2。(b)MoS2场效应管的各种截面图。(c)晶体管的表现和各类参数的关系。(d)从材料制备到芯片制备和测试的优化反馈循环。图2. MoS2 FETs的逻辑电路图。(a),(b),(c)和(d)各类电压对器件的影响。(e)使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的正反器和(f)相应实验结果(g)使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机制备的加法器和(h)相应的实验结果。图3. 利用MoS2 FETs制备的模拟,储存器和光电电路。(a)使用无掩膜光刻机制备的环形振荡器和(b)相应的实验结果。(c)基于MoS2 FETs制备的存储阵列和(d-f)相应的实验结果。(g)利用MicroWriter ML3制备的光电电路和(h-i)相应的表现结果。图4. 使用MicroWriter ML3无掩膜激光直写机在晶圆上制备MoS2场效应管。(a)在两寸晶圆上制备的基于MoS2场效应管的加法器。(b),(c)和(d)在晶圆上制备加法器的运算结果。 【结论】 随着二维材料的应用和人工智能在各领域的迅速发展,如何快速开发出符合实验设计的原型芯片结构变得十分重要。由于实验过程中需要及时修改相应的参数,得到优化的实验结果,所以十分依赖灵活多变的光刻手段。从上文中可以看出,小型台式无掩膜光刻机MicroWriter ML3可以帮助用户快速实现各类逻辑结构的开发,助力微电子相关领域的研究。 鉴于1套小型台式无掩膜光刻机ML3系统的优良性能和高成果产出,课题组相关研究团队继续紧追热点,把握时机再添置一套英国DMO公司新款小型台式无掩膜光刻机-ML3 Pro+0.4 μm专业版系统,力争更优的器件性能,图中所示是目前已交付正常使用的全新版系统。希望能够助力研究团队取得重要进展!
  • 无掩膜直写光刻系统助力二维材料异质结构电输运性能研究,意大利科学家揭秘其机理!
    期刊:ACS NanoIF:18.027文章链接: https://doi.org/10.1021/acsnano.1c09131 【引言】MoS2是一种典型的二维材料,也是电子器件的重要组成部分。研究者发现,当MoS2与石墨烯接触会产生van der Waals作用,使之具有良好的电学特性,可广泛应用于各类柔性电子器件、光电器件、传感器件的研究。然而,MoS2-石墨烯异质结构背后的电输运机理尚不明确。这主要是因为传统器件只有两个接触点,不能将MoS2-石墨烯异质结构产生的电学输运特性与二维材料自身的电学特性所区分。此外,电荷转移、应变、电荷在缺陷处被俘获等因素也会对器件的电输运性能产生影响,进一步提高了相关研究的难度。尽管已有很多文献报道MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能,但这些研究主要基于理论计算,缺乏对MoS2-石墨烯异质结构的电输运性能在场效应器件中的实验研究。 【成果简介】2021年,意大利比萨大学Ciampalini教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3 制备出基于MoS2-石墨烯异质结构的多场效应管器件,在场效应管器件中直接测量了MoS2-石墨烯异质结构的电输运特性。通过比较MoS2的跨导曲线和石墨烯的电流电压特性,发现在n通道的跨导输运被抑制,这一现象明显不同于传统对场效应的认知。借助第一性原理计算发现这一独特的输运抑制现象与硫空位相关。本文中所使用的小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3无需掩膜版,可在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案。设备采用集成化设计,全自动控制,可靠性高,操作简便,同时其还具备结构紧凑(70cm X 70cm X 70cm)、高直写速度,高分辨率(XY:图4. MoS2的输运特性。(a)室温条件下,MoS2在0-80V的VG范围内的I-V特性曲线。(b)转移特性显示出强烈的迟滞。红色箭头表面扫频方向,红色虚线为场效应移动的预计值。其中插图为测量器件的光学照片,电极用黑色圆点表示。图5. MoS2覆盖层对石墨烯的电子输运的影响。(a,b)石墨烯上不同MoS2覆盖面积的器件光学照片。(c-g)石墨烯上不同MoS2覆盖面积的转移特性,黑色覆盖率0%,橘色48%,蓝色 55%,黄色69%,紫色79%。图6. 硫空位对场效应的影响。(a)MoS2-石墨烯界面的能带结构和态密度。(b)不同门电压条件下,场效应所导致的电子和空位的分布。蓝色表示电子,红色表示空位。(c,d)在不同门电压条件下,MoS2-石墨烯界面的侧视图以及硫空位(绿色)的位置。图7. 不同硫空位密度条件下,石墨烯导电性能计算值。 【结论】Ciampalini教授课题组首先制备了MoS2-石墨烯二维材料的异质结构,在此基础上使用小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3制备了多场效应管器件。通过对多场效应管器件的直接测量,发现了MoS2覆盖层对石墨烯电输运性能的独特抑制作用。为了更好地理解这一独特电输运现象,采用第一性原理的方法,计算了硫空位对石墨烯导电性能的影响。该工作为后续的石墨烯场效应电学及光电器件的研究和应用打下良好的基础。同时,从文中也可以看出,课题组最主要的优势是能够制备出基于MoS2-石墨烯异质结构的多场效应管器件。在制备该器件过程中,需要及时修改相应的参数,得到优化的实验结果,十分依赖灵活多变的光刻手段,小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3可以任意调整光刻图形,对二维材料进行精准套刻,帮助用户快速实现器件制备,助力电输运研究。小型台式无掩膜直写光刻系统- MicroWriter ML3
  • Spectroquant便携式五参数测试仪
    Spectroquant® 便携式余氯、总氯、臭氧、二氧化氯、PH五参数测试仪 产品性能和特点 仪器坚固耐用,防水防尘 轻便易携带,适合现场和实验室分析 预置标准曲线,操作简便 一机多用,可同时测量多个参数 经济实用,无忧服务 技术参数检测波长:528 nm 检测时间:3 - 4 秒自动关机:8分钟不触碰键盘 机器外壳:ABS 便携箱尺寸:270 x 225 x 80 mm (长x 宽x 高) 仪器尺寸:190 x 110 x 55 mm (长x 宽x 高, 不含比色管适配器) 仪器重量:0.4 kg 环境温度: 0° C -40° C 湿度要求: 30 - 90 %, 无冷凝 CE-认证: DIN EN 50 081-1, VDE 0839 part 81-1 1993-03 DIN EN 50 082-2, VDE 0839 part 82-2 1996-02 订货指南: 主机订货号: 1.73607.0001 标准配置仪器主机及便携箱,9伏电池,16mm比色管适配器,适配器遮光盖,3根24mm比色管,操作说明书。 仪器为预制标准曲线型光度计,和Spectroquant® 试剂系统一起使用 测试参数 测试范围mg/l 测试次数 比色管规格 仪器内置方法号 货号 余氯 0.02 &ndash 5.00 200 24mm U.1 1.00598.0002 余氯 0.02 &ndash 5.00 1200 24mm U.1 1.00598.0001 总氯 0.02 &ndash 5.00 200 24mm U.1 1.00602.0001 总氯 0.02 &ndash 5.00 1200 24mm U.1 1.00602.0002 余氯、总氯 0.02 &ndash 5.00 200(各100) 24mm U.1 1.00599.0001 *氯试剂1 (液体) 0.02 &ndash 5.00 200 24mm U.2 1.00086.0001 *氯试剂2(液体) 0.02 &ndash 5.00 400 24mm U.2 1.00087.0001 *氯试剂3(液体) 0.02 &ndash 5.00 600 24mm U.2 1.00088.0001 臭氧 0.02 &ndash 3.40200 24mm U.3 1.00607.0001 臭氧 0.02 &ndash 3.40 1200 24mm U.3 1.00607.0002 二氧化氯 0.05 &ndash 9.50 200 24mm U.4 1.00608.0001 氰尿酸 2 &ndash 160 100 24mm U.5 1.19250.0002 pH pH 6.4 &ndash 8.8 280 16mm U.6 1.01744.0001 吸光度 - 100 &ndash 2500mA 16/24mm Abs *注: 余氯测试= 氯试剂1+氯试剂2 总氯测试= 氯试剂1+氯试剂2+氯试剂3 应用场合 氯是自来水行业常用的消毒剂,但是杀菌消毒之后,水中必然会有部分残余氯。过多的余氯含量不仅污染环境,同时会增加水的腐蚀性,对人体也会造成伤害。因此该指标一直是自来水厂、瓶装水生产线、游泳池等关键性运行指标。针对广大的用户群,默克公司推出了经济型Picco便携式余氯、总氯、臭氧、二氧化氯、PH测试仪,完全符合相关行业标准的要求。 GB 5749&mdash 2006饮用水中消毒剂常规指标及要求 消毒剂名称 与水接触时间 出厂水中限值 出厂水中余量 管网末梢水中余量 Merck测量范围 氯气及游离氯制剂(游离氯,mg/L) 至少30min 4 &ge 0.3 &ge 0.05 0.02 &ndash 5.00 mg/L 一氯胺(总氯,mg/L) 至少120min 3 &ge 0.5 &ge 0.050.02 &ndash 5.00 mg/L 臭氧(O3,mg/L) 至少12min 0.3 0.02如加氯,总氯&ge 0.05 0.02 &ndash 3.40 mg/L 二氧化氯(ClO2,mg/L) 至少30min 0.8 &ge 0.1 &ge 0.02 0.05 &ndash 9.50 mg/L 同时,默克公司根据这些行业的应用特点,推出符合ENISO7027标准和USEPA标准的Turbiquant® 1100、1500系列浊度仪,以及Pharo300紫外可见分光光度计和Pharo100可见分光光度计进行常规毒理性指标和一般化学指标的检测。Merckoquant® 定性、半定量分析试纸条和Aquamerck® 通用型测试盒等产品,也能满足您现场应急检测的需求。 GB 5749&mdash 2006水质常规指标及限值 指 标 限 值 Merck测量范围 毒理指标 砷(mg/L) 0.01 0.001-0.1 mg/L 镉(mg/L) 0.005 0.002-0.5 mg/L 铬(六价,mg/L) 0.05 0.01-0.22 mg/L 铅(mg/L) 0.01 0.01-5 mg/L 氰化物(mg/L) 0.05 0.03-0.7 mg/L 硝酸盐(以N计,mg/L) 10,地下水源限制时为20 0.1-25 mg/L 甲醛(使用臭氧时,mg/L) 0.9 0.1-1.5 mg/L 3、感官性状和一般化学指标 色度(铂钴色度单位) 15 0-1000浑浊度(NTU-散射浊度单位) 1,水源与净水技术条件限制时为3 0.01-1000NTU 铝(mg/L) 0.2 0.02-0.5 mg/L 铁(mg/L) 0.3 0.05-1 mg/L 锰(mg/L) 0.1 0.03-0.5 mg/L 铜(mg/L) 1.0 0.15-1.6 mg/L 锌(mg/L) 1.0 0.025 mg/L 硫酸盐(mg/L) 250 50-500 mg/L 总硬度(以CaCO3计,mg/L) 450 12-537 mg/L 使用简介 默克公司全线产品涵盖实验室定性、半定量分析试纸条,半定量快速测试盒、PH试纸、试纸条、反射仪系统、比色计和分光光度计、浊度仪等,如您对其他应用和产品感兴趣,请您与我们联系。联系电话:021-51693889 1.检测样品的pH值需要保持在4-8之间,否则可以适用氢氧化钠或碳酸溶液进行调节。 2.往24mm的比色管中加入10ml的水样。 3.加入一药勺的试剂Cl2-1。 4.震荡比色管直到固体物质溶解。 5.反应1分钟。 6.将比色管盖子盖好,并确认套好塑胶环,将比色管插入闭塞槽进行测试。 其它相关产品: 大龙实验室产品惊喜大促销-参数-报价-价格-恒奇仪器 德国VITLAB优质容量瓶特价促销-参数-报价-价格-恒奇仪器 美国Branson(必能信)珠宝及光学器件清洗器-B200-参数-报价-价格-恒奇仪器 美国AIRMETRICS便携式PM2.5/PM10/TSP空气采样器-参数-报价-价格-恒奇仪器 连续式数字滴定器-参数-报价-价格-恒奇仪器 马来西亚TOP GLOVES普通无粉乳胶手套-参数-报价-价格-恒奇仪器 马来西亚TOP GLOVES丁腈检验手套-参数-报价-价格-恒奇仪器 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便携式光度计/COD测定仪-参数-报价-价格-恒奇仪器 WTW 便携式浊度测试仪-参数-报价-价格-恒奇仪器 WTW 便携式多参数测试仪Multi 340i-参数-报价-价格-恒奇仪器 WTW 便携式电导率仪-参数-报价-价格-恒奇仪器 WTW 便携式离子浓度计 pH ION 340i-参数-报价-价格-恒奇仪器 笔式电导率/TDS/盐分计-参数-报价-价格-恒奇仪器 9P多参数水质分析仪-参数-报价-价格-恒奇仪器 4P,6P便携式PH/电导率仪-参数-报价-价格-恒奇仪器 美国麦隆指针式 电导/TDS/pH表-参数-报价-价格-恒奇仪器 美国麦隆Ultrameter Ⅱ多参数电导/pH表-参数-报价-价格-恒奇仪器 意大利kartell样品瓶-参数-报价-价格-恒奇仪器 意大利kartell灰色小口瓶-参数-报价-价格-恒奇仪器 意大利kartell广口瓶-参数-报价-价格-恒奇仪器 意大利kartell刻度广口瓶-参数-报价-价格-恒奇仪器 意大利kartell刻度广口瓶-参数-报价-价格-恒奇仪器 意大利KARTELL移液管架-参数-报价-价格-恒奇仪器 移液管、滴定管自动冲洗装置-参数-报价-价格-恒奇仪器 连续移液器及吸头-参数-报价-价格-恒奇仪器 外置活塞移液器-参数-报价-价格-恒奇仪器 Transferette electronic电动移液枪-参数-报价-价格-恒奇仪器 Transferpette8道12道移液器-参数-报价-价格-恒奇仪器 Transferpette S8道/12道移液器-参数-报价-价格-恒奇仪器 Transferpette单道移液枪-参数-报价-价格-恒奇仪器 TransferpetteS单道整支灭菌移液枪-参数-报价-价格-恒奇仪器 seripettor简易瓶口分配器-参数-报价-价格-恒奇仪器 Dispensette 瓶口分配器-参数-报价-价格-恒奇仪器 数字显示滴定器-参数-报价-价格-恒奇仪器 大龙高速微量离心机-参数-报价-价格-恒奇仪器 大龙高速个人离心机-参数-报价-价格-恒奇仪器 大龙高速微量冷冻离心机-参数-报价-价格-恒奇仪器 瓶口分配器-参数-报价-价格-恒奇仪器 StepMate连续分配器-参数-报价-价格-恒奇仪器 MicroPette 手动(可调式&固定式)移液器-参数-报价-价格-恒奇仪器 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  • 全新SevenGo Duo系列便携式多参数测试仪上市
    新一代梅特勒托利多电化学测量仪表SevenGo Duo系列便携式多参数测试仪于2009年3月上市。   便携式多参数测试仪系列产品包含三款仪表,可用于测量pH、温度、电导率、溶解氧和离子浓度。   SevenGo DuoTM pH/电导率快巧型测试仪(SG23)   中文版SevenGo Duo proTM pH/离子浓度/电导率专业型测试仪(SG78)   中文版SevenGo Duo proTM pH/离子浓度/溶解氧专业型测试仪(SG68)   三款坚固耐用的便携式仪表,满足IP67的防尘防水要求,仪表适用于多灰,潮湿的环境中使用。专业级SG78和 SG68通过中文语句菜单轻松操作。   * 快巧型SG23双通道pH/ 电导率仪表。操作无比简单,各种测量模式快速切换。 ISM? 智能电极管理使SG23成为安全可靠的&ldquo 即插即用&rdquo 式仪表。   * 专业型SG78 pH/ 离子/ 电导率仪表结合了pH/电导率的所有功能和更为全面的离子测量。直观的中文菜单和安全的ISM? 智能电极管理使仪表成为更可靠的测量工具,成为多参数仪表的新标准。   * 专业型SG68 涵盖了pH/ 离子/ 溶解氧测量。大气压自动补偿、离子测量、无线红外传输等功能,节省了时间也确保结果的准确性。   全新的SevenGo Duo系列便携式多参数测试仪秉承梅特勒托利多品牌仪表优雅的外观和便捷的操作设计,不仅扩展了梅特勒托利多SevenGoTM便携式仪表产品系列,而且引入了创新的智能电极管理(ISM?)技术,使测量更安全高效,可广泛应用于制药、生物技术、食品饮料、化妆品、环境、教育、化工、石化、电力等各行各业。   我们相信,全新的SevenGo DuoTM和SevenGo Duo proTM便携式多参数测试仪系列产品必将为您带来全新的测量感受!   可通过 www.MoreAbout7.com 3D模拟器体验SevenGo Duo的专业操作。
  • 全新便携式双通道多参数测试仪上市
    我们很高兴在此隆重宣布:恒奇公司所代理的梅特勒-托利多全新便携式双通道多参数测试仪系列产品于2009年3月正式上市。   全新便携式双通道多参数测试仪系列产品包含三款仪表,可用于测量pH、电导率、溶解氧   和离子浓度。   全新的便携式双通道多参数测试仪系列产品可广泛应用于制药、生物技术、食品饮料、化   妆品、环境、教育、化工、石化、电力等各行各业,其全新的设计概念和更便捷的操作将   大大增加梅特勒-托利多pH产品在便携式仪表市场的竞争力。   我们坚信,全新便携式双通道多参数测试仪系列产品的上市必将为我们赢得更多的用户!   让我们共同努力开创崭新的局面!   仪器说明:   SevenGo Duo (SG23)   • 单通道或双通道快速、简单的测量   • 可同时测量和显示pH/mV和电导率/TDS/电阻率/盐度   • 坚固耐用的IP67防尘防水仪表,适合苛刻环境中使用   • 高分辨率的显示和超大字体,保证操作无比轻松   • 自动、手动终点模式,确保测量的重复性   • 99组数据存储   • ISM® 智能电极管理,保证使用最新的校准数据   • 丰富的附件,包括双电极夹、橡胶护套、户外便携箱SevenGo Duo pro(SG78/SG68)   • 可同时测量和显示pH/mV/离子和电导率/TDS/电阻率/盐度或pH/mV/离子和溶解氧   • 直观友好的操作界面,包括中文在内的10种菜单语言   • 背光功能,可在光线不足的环境下使用   • 现代化的仪器安全性保证,包括普通与专家模式、校准提醒、密码保护、限值监测   • 支持GLP格式,可存储500组数据   • 红外线无线通讯,连接电脑或打印机   • 自动、手动、定时3种终点模式,适合不同样品测量,确保测量的重复性   • 更丰富的ISM® 智能电极管理,可直接读取电极的序列号、ID、最近5次校准数据
  • 传感与精密测试领域迎新进展:科学家提出三维垂直堆叠结构,解决有机电化学晶体管性能及稳定性瓶颈难题
    长期以来,大规模可靠制备高性能有机电化学晶体管(organic electrochemical transistor,OECT)是领域内的瓶颈问题。相对于普通的薄膜晶体管,要实现高性能的 OECT,需要对器件进行严格封装和图案化,以尽量避免电解质和源漏电极的直接接触产生寄生电容,这直接导致了冗长的制备流程、高昂的制备成本等系列问题。另外,OECT 在稳定性和 N 型性能上亟需大幅提升,以契合产业化需求。近期,电子科技大学(以下简称“电子科大”)和美国西北大学等团队合作,设计了一种兼容低成本制备流程的新型垂直结构,实现了具有更小体积、更高跨导、更优循环特性的 OECT。具体来说,相对于传统平面结构,在相同面积下,实现了 N 型器件跨导 1000 余倍的提升(即实现相同跨导,器件面积可缩小 1000 余倍);在低于 0.7V 的驱动电压下,实现了 5 万次以上的稳定循环。该研究解决了 OECT 在性能、集成度及稳定性方面的系列问题,为 OECT 的大规模可靠制备及应用拓展奠定了坚实的基础。审稿人对该论文评价道:“本文展示了基于 P 型和 N 型 OECT 垂直架构的有趣示例。结果是原始的、新颖的,同时 N 型和 P 型特性非常平衡且特别稳定。”图丨相关论文(来源:Nature)近日,相关论文以《用于互补电路的垂直有机电化学晶体管》(Vertical organic electrochemical transistors for complementary circuits)为题发表在 Nature 上[1]。电子科技大学自动化工程学院黄伟教授为该论文的共同一作兼通讯作者,程玉华教授、美国西北大学安东尼奥法切蒂(Antonio Facchetti)教授、托宾・J・马克斯(Tobin J. Marks)教授及郑丁研究助理教授为论文共同通讯作者。N 型 OECT 循环 5 万次仍无明显衰退此前,基于 N 型的 OECT 的循环稳定一般不会超过千次。该研究解决最重要的难题在于其性能异常稳定,特别是对于 N 型的 OECT,在低于 0.7V 的驱动电压条件下,垂直型 OECT 在循环 5 万次条件下仍无明显衰退。黄伟表示:“器件性能的数量级提升,对未来技术的产业转化奠定了良好的基础。”由于制备高性能的 OECT 程序比较繁复、制备时间长、制备成本也高,因此对相关设备的资金投入也会比较高。该工艺兼容了低成本溶液制备流程,不需要比较复杂的光刻工艺(包括干法和湿法刻蚀工艺),采用直接光照交联以及简单的金属掩模板蒸镀电极的方式,就可以实现比以前性能更优异的晶体管性能。特别是在单位面积的性能上,由于垂直堆叠结构的独特性,在占用同样面积的情况下,垂直结构的跨导对于 P 型 OECT 来说,比平面结构增加了十几倍;对于 N 型 OECT 来说,则有上千倍的增加。黄伟指出,量级的增加意味着如果想实现之前的 OECT 的性能,在体积上可以做得更小。因此,对于制备轻便且高度集成的传感器非常有优势。图丨新型垂直器件结构表征及其性能(来源:Nature)该研究源于黄伟在做有机电化学晶体管相关研究时,偶然发现的“反常现象”。有意思的是,当时该团队并不认为该种垂直堆叠结构的器件会工作,因此相关测试是作为原始参照组来进行的。一方面,对于有机电化学晶体管来说,需要离子完全渗入到半导体中,而垂直堆叠的结构中由于沟道完全被上电极覆盖,离子只能从边缘注入,这会导致离子传输路径受限,直观上掺杂难度极大。黄伟指出,一般来说,若电极直接设计在 OECT 的半导体上,其被离子掺杂后会导致明显的微观结构变化,因此必然对电极的接触造成损伤。前人做出的垂直结构在损失部分有效沟道的前提下,采用较为复杂的光刻手段将上电极固定。图丨新型垂直结构构建的垂直电路及其输出特性(来源:Nature)该研究由电子科大、美国西北大学、云南大学、浙江大学等多个团队共同完成,其中美国西北大学研究的重点方向是化学和材料,电子科大团队则偏重器件和测试方面。黄伟表示,器件结构设计得益于新材料的合成,其特点在于它能够同时导电子(空穴)及离子,也就是说,它的工作原理类似神经突触,电学信号转化为化学信号,然后再转为电学信号的器件。在课题组成员研究初期“不相信”的问题上,审稿人也提出了同样的疑问:这样的结构得到这么好的性能,真的是因为离子完全注入了沟道吗?为了回答离子注入的问题,该团队花了很多精力不断地设计对比实验,用新材料、新结构最终证明了该现象的正确性及普适性。有望应用于柔性电子、仿生传感、脑机接口等领域由于 OECT 具备良好的生物兼容性,因此有望应用于柔性电子、仿生传感、生物化学及电信号(包括脑机接口等)方向。一方面,它的工作原理类似神经突触,能模拟神经突触的传感功能,例如像人类皮肤那样能感受到温度、压力、湿度,以及探测到心电、脑电等人体信号等。该器件由于集成度高,相对于原来的平面结构,可在达到同样的性能的前提下缩小千倍,有利于在探测高精度的脑部活动或神经活动时避免/减小对组织的损伤。另一方面,由于它可以做得轻便、柔软,还可以拓展到仿生机器人对外界环境的传感,以及对生命健康的探测。黄伟认为,该技术可能最先应用在柔性仿生传感领域。此外,由于该器件和神经突触类似,其也有望应用于人工智能硬件。“它可以通过器件与器件之间相连,形成神经网络。这里的神经网络是基于模拟生物或生物的神经网络形成的网络硬件。”黄伟说道。下一步,该团队计划将器件的性能、稳定性进一步提升。目前阶段,课题组成员还没有系统地探讨它的柔性及可拉伸特性,他们希望未来能尽量往皮肤或器官上贴合。此外,他们将会把该新型器件与后端系统进行集成,形成小型、快速、准确的传感特色,进而实现低功耗柔性可拉伸的便携传感系统。从光学工程到自动化工程,致力于将研究成果进一步集成黄伟从南开大学物理学院本科毕业后,在电子科大光电科学与工程学院完成了博士阶段的学习(师从于军胜教授),期间前往美国西北大学联培,研究方向偏材料及器件。随后,黄伟在西北大学材料科学与工程中心进行了博后训练,并担任研究助理教授。随着研究的深入,他希望能够将研究成果进一步推广应用,形成传感设备、测试系统,以期实现研究成果的落地。因此,在西北大学进行博后研究和担任研究助理教授后,2021 年,他选择回到母校电子科大任教,加入自动化工程学院测试技术与仪器研究所。此前,黄伟与团队解决了柔性可拉伸性与传感信号输出稳定性同步提升的难题[2,3]。他们通过将先进柔性可拉伸场效应管制备技术与原位“传感与放大一体化”集成方法的融合,进一步结合复合互补电路与应力释放制备工艺,实现了在复杂应力条件下,针对关键生理参数的稳定传感信号输出。该课题组的主要研究方向集中在柔性仿生传感技术、有机电化学晶体管以及柔性可拉伸电子器件。一方面,在基础的元器件开发上,他们期望通过引入更多性能好的传感元器件,推进功耗、灵敏度方面的进展。另一方面,基于现有的元器件进一步地集成和驱动,朝着疾病诊断、健康管理等应用方向发展。在黄伟看来,做科研的关键品质之一是长期保持好奇心。因此,即便实验失败了,也好奇失败的具体原因。“科研工作者追求的并不是表面的结果,而是从现象背后的原理到应用都高保真的全过程。对科学问题的探索,我们要像挖金矿那样直到‘挖不动’为止。”他说。面对研究中失败的结果,黄伟也有一套自己的科学价值观。他表示,爱迪生在发明电灯泡时用了六千多种材料,尝试了七千多次才获得最后的成功。因此,即便有 1% 的希望,也要坚持和勇于尝试。此外,他还指出,由于个人的思想和经验非常局限,因此通过学科交叉定期地进行“头脑风暴”,可以从不同的视角提出新的创意,这也是目前工科发展的一大特色。参考资料:1.Huang, W., Chen, J., Yao, Y. et al. Vertical organic electrochemical transistors for complementary circuits. Nature 613, 496–502 (2023). 2.Chen, J., Huang, W., Zheng, D. et al. Highly stretchable organic electrochemical transistors with strain-resistant performance.Nature Materials 21, 564–571 (2022). 3.Yao,Y.,Huang,W.et,al.PNAS,118,44,e2111790118(2021).
  • 德国默克推出全新Picco COD单参数测试仪
    德国默克公司于2009年7月正式发布全新COD单参数测试仪,该单参数测试仪在原有COD单参数测试仪的基础上,扩展了测试量程,将原有的测试量程扩展至低到10-150mg/l的测试量程,可以使用默克大包装经济型COD测试试剂,更方便用户对于水质COD的全量程监控,是一台理想的单参数COD测试仪器。   详情请咨询:默克化工技术(上海)有限公司,水质分析产品线
  • 正投影机光色参数快速测试仪用于大屏幕投影机光色参数的快速测量仪器
    正投影机光色参数快速测试仪 投影机光色参数检测仪 型号:HAD-XYI-XI正投影机光色参数快速测试仪用于大屏幕投影机光色参数的快速测量仪器,特别适用于投影机生产线上的自动调校。其测量对象包括屏幕光通量、屏幕的光通量不均匀性、对比度、色品坐标和色温。 仪器预设标准A光源及D65光源文件,并可根据用户需求,由用户意设定存储标准光源。仪器可根据不同参考光源自动修正探测器的光谱参数误差,达到屏幕的总光通量、屏幕的光通量不均匀性、色品坐标和色温的密测量。其测量度达到际水平。 仪器软件运行于Windows98/NT环境,具有友好的图形界面、能强大。采用图形化实体数据显示,可以行柱形图和亮度图切换及数据打印输出。仪器同时具有实时通讯能,适用于屏幕参数的在线测量及控制。正投影机光色参数测量,9点照度测量,颜色参数测量术标: 光通量测量范围:0-8000lm(按4m2计算) 仪器度:优于±4% 分辨率:0.05%(满量程) 线性:±1% 作温度:0-50℃ 投影屏幕测试探测器:1-9探测器为照度探测器,5、10、11探测器为色度探测器(根据用户要求仪器也可附带15个探测器) 探测器V(λ)匹配达家照度计标准 具有色温修正软件, 可确测量不同色温的光通量及色品坐标 总光通量自动计算和屏幕光通量不均匀性计算及其相关软件 微机控制及上位机通讯。 刷新频率:3次/s 供电电源:220V交流电 保修期:1年 随机附件:相关软件和说明书
  • 质检总局公布第二批部门计量检定规程清理结果
    2013年2月27日,质检总局公布第二批部门计量检定规程清理结果,本次清理范围涉及轻工、电子、化工、建材、民航等领域,涉及的仪器包括实验室、表面粗糙度仪等大量仪器。详情如下: 国家质量监督检验检疫总局《关于公布第二批部门计量检定规程清理结果的公告》(2013年第32号) 2013年第32号 质检总局关于公布第二批部门计量检定规程清理结果的公告   根据《中华人民共和国计量法》的规定,为进一步做好部门计量检定规程备案工作,质检总局组织有关单位对已备案的部门计量检定规程进行了集中清理,现将清理后的第二批现行有效的部门计量检定规程公布如下(见附件)。   附件:现行有效的部门计量检定规程(第二批) 现行有效的部门计量检定规程(第二批) 序号 规程编号 规程名称 主管部门 1 JJG(轻工) 2-89 自行车滑行道检定规程 工业和信息化部 2 JJG(轻工) 4-89 自行车车架精度检具检定规程 工业和信息化部 3 JJG(轻工) 5-89 自行车前后叉中心测量轴检定规程 工业和信息化部 4 JJG(轻工) 6-89 自行车车架中接头垂直度检具检定规程 工业和信息化部 5 JJG(轻工) 7-89 自行车前叉精度检具检定规程 工业和信息化部 6JJG(轻工) 8-89 自行车车把精度检具检定规程 工业和信息化部 7 JJG(轻工) 9-89 自行车车圈接口凹陷量检具检定规程 工业和信息化部 8 JJG(轻工)10-89 自行车窜动量调整架检定规程 工业和信息化部 9 JJG(轻工)11-89 自行车车轮静负荷能力试验台检定规程 工业和信息化部 10 JJG(轻工)12-89 自行车后轴身螺纹圆跳动量检具检定规程 工业和信息化部 11 JJG(轻工)13-89 自行车曲柄心轴检定规程 工业和信息化部 12 JJG(轻工)14-89 自行车飞轮心轴检定规程 工业和信息化部 13 JJG(轻工)15-89 自行车脚蹬轴冲击试验台检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 14 JJG(轻工)16-89自行车链条灵活性测量板检定规程 工业和信息化部 15 JJG(轻工)17-89 自行车轴挡碗耐磨试验机检定规程 工业和信息化部 16 JJG(轻工)18-89 自行车漆膜冲击器检定规程 工业和信息化部 17 JJG(轻工)20-89 自行车负荷试验砝码检定规程 工业和信息化部 18 JJG(轻工)21-89 自行车盐雾试验箱检定规程 工业和信息化部 19 JJG(轻工)22-89 自行车鞍座疲劳试验机检定规程 工业和信息化部 20 JJG(轻工)23-89 自行车车把鞍座夹紧力矩试验台检定规程 工业和信息化部 21 JJG(轻工)24-89 自行车车架前叉组合件落重试验机检定规程 工业和信息化部 22 JJG(轻工)25-89 自行车车架前叉组合件冲击试验机检定规程 工业和信息化部 23 JJG(轻工)26-89 自行车前后轴灵敏度光电计数器检定规程 工业和信息化部 24 JJG(轻工)28-89 自行车飞轮圆跳动量测试仪检定规程 工业和信息化部 25 JJG(轻工)29-89 自行车前后轴灵敏度试验检具检定规程 工业和信息化部 26 JJG(轻工)32-89 自行车轴脚蹬耐磨试验机检定规程 工业和信息化部 27 JJG(轻工)35-89 自行车外露突出物测试圆柱棒检定规程 工业和信息化部 28 JJG(轻工)36-89 自行车检测专用角度块检定规程 工业和信息化部 29 JJG(轻工)40-89 自行车道路试验障碍器检定规程 工业和信息化部 30 JJG(轻工)41-89 自行车车铃寿命试验机检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 31 JJG(轻工)45-89 自行车链条耐磨试验机检定规程 工业和信息化部 32 JJG(轻工)46-89 自行车脚蹬静态试验机检定规程 工业和信息化部 33 JJG(轻工)47-89 自行车脚蹬动态试验机检定规程 工业和信息化部 34 JJG(轻工)48-2000 反射光度计 工业和信息化部 35 JJG(轻工)49-2000 纸板压缩强度试验仪 工业和信息化部 36 JJG(轻工)50.1-2000 纸与纸板厚度测定仪 工业和信息化部 37 JJG(轻工)50.2-2000 瓦楞纸板厚度仪 工业和信息化部 38 JJG(轻工)50.3-2000 可变压力厚度仪 工业和信息化部 39 JJG(轻工)51-2000 纸与纸板透气度仪 工业和信息化部 40 JJG(轻工)52-2000 纸与纸板粗糙度测定仪 工业和信息化部 41 JJG(轻工)53-2000 纸浆打浆度测定仪 工业和信息化部 42 JJG(轻工)54.2-2000 纸与纸板定量测定仪 工业和信息化部 43 JJG(轻工)55-2000 纸与纸板吸收性测定仪 工业和信息化部 44 JJG(轻工)56-2000 纸板戳穿强度测定仪 工业和信息化部 45 JJG(轻工)57-2000 纸板挺度测定仪 工业和信息化部 46 JJG(轻工)58.1-2000 摆锤式纸张抗张力试验机 工业和信息化部 47 JJG(轻工)58.2-2000 卧式纸张抗张试验机 工业和信息化部 48 JJG(轻工)59-2000 MIT式耐折度仪检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 49 JJG(轻工)60-2000 肖伯尔式耐折度仪 工业和信息化部 50 JJG(轻工)61-2000 纸与纸板耐破度仪 工业和信息化部 51 JJG(轻工)62-2000 纸和纸板平滑度仪 工业和信息化部 52 JJG(轻工)63-2000 纸与纸板撕裂度仪 工业和信息化部 53 JJG(轻工)64-2000 柔软度仪 工业和信息化部 54 JJG(轻工)65-2000 纸张透油度测定仪 工业和信息化部 55 JJG(轻工)66-2000 纸张光泽度计 工业和信息化部 56 JJG(轻工)67-2000 IGT印刷适应性测定仪 工业和信息化部 57 JJG(轻工)68-2000 纸与纸板油墨吸收性试验仪 工业和信息化部 58 JJG(轻工)69-2000 纸与纸板葛尔莱式透气度仪 工业和信息化部 59 JJG(轻工)70-2000 佛格式纸与板耐磨试验仪 工业和信息化部 60 JJG(轻工)72-2000 实验室PFI磨浆机 工业和信息化部 61 JJG(轻工)73-2000 纸浆用毛细管粘度计 工业和信息化部 62 JJG(轻工)74-2000 实验室VALLEY打浆机 工业和信息化部 63 JJG(轻工)76-91 SCI.327石英晶体阻抗计SPM.327 PPM计数器检定规程 工业和信息化部 64 JJG(轻工)77-91 盐雾试验箱检定规程 工业和信息化部 65 JJG(轻工)78-91 Ω打印计时仪检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 66 JJG(轻工)79-91 钟表仪器校验仪检定规程 工业和信息化部 67 JJG(轻工)80-91 钟表用齿轮、宝石元件投影样板检定规程 工业和信息化部 68 JJG(轻工)81-91 机械钟表校验仪检定规程 工业和信息化部 69 JJG(轻工)82-91 石英钟表校验仪检定规程 工业和信息化部 70 JJG(轻工)83-91 石英钟表仪器精度校验仪检定规程 工业和信息化部 71 JJG(轻工)84-91 手表防水测试仪检定规程 工业和信息化部 72 JJG(轻工)85-91 手表防震试验仪检定规程 工业和信息化部 73 JJG(轻工)86-91 手表综合测试仪检定规程 工业和信息化部 74 JJG(轻工)87-92 便携式地毯测厚仪 工业和信息化部 75 JJG(轻工)88-92 数显式地毯测厚仪 工业和信息化部 76 JJG(轻工)89-92 地毯绒簇拔出力测试仪 工业和信息化部 77 JJG(轻工)90-92 地毯四足踩踏试验仪 工业和信息化部 78 JJG(轻工)91-92 地毯动态负载仪 工业和信息化部 79 JJG(轻工)92-92 地毯静态负载试验仪 工业和信息化部 80 JJG(轻工)93-92 YGW-872型地毯染色牢度摩擦仪 工业和信息化部 81 JJG(轻工)94-92 水平法地毯燃烧试验装置 工业和信息化部 82 JJG(轻工)95-92 FL-45°型燃烧仪 工业和信息化部 83 JJG(轻工)98-93 家用制冷器具检测装置Ⅱ检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 84 JJG(轻工)100-1993 单盘闪光音准仪检定规程 工业和信息化部 85 JJG(轻工)101-1993 十二盘闪光音准仪检定规程 工业和信息化部 86 JJG(轻工)102-1994 便携式数字显示音准仪检定规程 工业和信息化部 87 JJG(轻工)103-1995 便携式指针显示音准仪检定规程 工业和信息化部 88 JJG(轻工)105-94 制冷压缩机量热计(第二制冷剂量热器法)检定规程 工业和信息化部 89 JJG(轻工)106-94 卤素检漏仪检定规程 工业和信息化部 90 JJG(轻工)107-94 洗净率检测装置检定规程 工业和信息化部 91 JJG(轻工)108-96 翘曲度指示器检定规程 工业和信息化部 92 JJG(轻工)109-96 150mm平整度指示器检定规程 工业和信息化部 93 JJG(电子)01001-87 SCP-2型时畴测频器试行检定规程 工业和信息化部 94 JJG(电子)03001-87 521A型PAL矢量示波器试行检定规程 工业和信息化部 95 JJG(电子)04001-87 JS-2C型晶体管反向截止电流测试仪试行检定规程 工业和信息化部 96 JJG(电子)04002-87 BJ3030型高频小功率晶体管CCrbb,乘积测试仪试行检定规程 工业和信息化部 97 JJG(电子)04003-87 BJ2952A(JS-3A)型晶体管反向击穿电压测试仪试行检定规程 工业和信息化部 98 JJG(电子)04004-87 BJ2911(HQ-1B)型晶体管综合参数测试仪试行检定规程 工业和信息化部 99 JJG(电子)04006-87 BJ2913型场效应管参数测试仪试行检定规程 工业和信息化部 100 JJG(电子)04008-87 QE1A型双基极半导体管测试仪试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 101 JJG(电子)04009-87 BJ2983型晶体三级管正偏二次击穿测试仪试行检定规程 工业和信息化部 102 JJG(电子)04010-87 BJ2961型晶体管集成电路动态参数测试仪试行检定规程 工业和信息化部 103 JJG(电子)04011-87 QG21~QG25型高频小功率晶体管Ft测试仪试行检定规程 工业和信息化部 104 JJG(电子)04012-87 BJ3022(QJ30)型低频大功率晶体管Ft测试仪试行检定规程 工业和信息化部 105 JJG(电子)05006-87 1620型电容测量装置试行检定规程 工业和信息化部 106 JJG(电子)05007-87 HP4192A型低频阻抗分析仪试行检定规程 工业和信息化部 107 JJG(电子)09002-87 WILTRON6409射频分析仪试行检定规程 工业和信息化部 108 JJG(电子)12004-87 363型电视频道信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 109 JJG(电子)12005-874001A型音频扫频信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 110 JJG(电子)12009-87 MSG-2161型调频立体声/调频-调幅信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 111 JJG(电子)12011-87 XT24型立体声信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 112 JJG(电子)12012-87 SBUF型电视测试发射机试行检定规程 工业和信息化部 113 JJG(电子)12014-87 MDA-456型立体声解调器试行检定规程 工业和信息化部 114 JJG(电子)12015-87 811B型电视机测量滤波器试行检定规程 工业和信息化部 115 JJG(电子)12016-87 843型收音机录音机测量滤波器试行检定规程 工业和信息化部 116 JJG(电子)14002-87 HL-12A型雷达综合测试仪试行检定规程 工业和信息化部 117 JJG(电子)15001-87 HP8970A型噪声系数仪试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 118 JJG(电子)18002-87 2307型电平记录仪试行检定规程 工业和信息化部 119 JJG(电子)02001-88 2610型测量放大器试行检定规程 工业和信息化部 120 JJG(电子)02003-88 DO30-C型数字式三用表校验仪 工业和信息化部 121 JJG(电子)04013-88 BJ2912(QE7)型稳压二极管测试仪检定规程 工业和信息化部 122 JJG(电子)04014-88 晶体管特性图示仪试行检定规程 工业和信息化部 123 JJG(电子)04015-88 QZ3.QZ4型高频小功率晶体管NF测试仪检定规程 工业和信息化部 124 JJG(电子)04016-88 BJ2984(QR-3)型晶体三极管瞬态热阻测试仪试行检定规程 工业和信息化部 125 JJG(电子)04017-88 BJ2900型双极型晶体管反向截止电流计量标准仪器试行检定规程 工业和信息化部 126 JJG(电子)04018-88 BJ2901型双极型晶体管反向击穿电压计量标准仪器试行检定规程 工业和信息化部 127 JJG(电子)04019-88 BJ2920型双极型晶体管h21E、VBE(sat)、VCE(sat)计量标准仪试行检定规程 工业和信息化部 128 JJG(电子)05009-88 TS-109型电解电容器半自动分选仪试行检定规程 工业和信息化部 129 JJG(电子)05010-88 RT150/RT160型继电器测试仪器试行检定规程 工业和信息化部 130 JJG(电子)05011-88 WZC-1A型电位器综合测试仪试行检定规程 工业和信息化部 131 JJG(电子)05013-88 AV2551型电位器动态接触电阻变化测量仪试行检定规程 工业和信息化部 132 JJG(电子)05014-88 HP4274A.HP4275A型多频LCR表试行检定规程 工业和信息化部 133 JJG(电子)05015-88 HP4342A型Q表试行检定规程 工业和信息化部 134 JJG(电子)05016-88 HL2801型数字式自动Q表试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 135 JJG(电子)05017-88 HP4276A.HP4277A型LCZ表试行检定规程 工业和信息化部 136 JJG(电子)05020-88 GR1658型RLC数字电桥试行检定规程 工业和信息化部 137 JJG(电子)07001-88 HP8901A型调制度分析仪试行检定规程 工业和信息化部 138 JJG(电子)07002-88 MSW-721E型中频扫频仪试行检定规程 工业和信息化部 139 JJG(电子)07003-88 MSW-7124型调频调幅扫频仪试行检定规程 工业和信息化部 140 JJG(电子)09004-88 AV3611型自动标量网络分析仪试行检定规程 工业和信息化部 141 JJG(电子)11001-88 杂音仪试行检定规程 工业和信息化部 142JJG(电子)12018-88 ZN3991型双通道分离度计试行检定规程 工业和信息化部 143 JJG(电子)15003-88 3280型射频晶体标志信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 144 JJG(电子)18003-88 261型微微安电流源试行检定规程 工业和信息化部 145 JJG(电子)01003-89 AD5121型数字群时延测量仪试行检定规程 工业和信息化部 146 JJG(电子)01004-89 AD5122型微波群时延测量仪试行检定规程 工业和信息化部 147 JJG(电子)02007-89 2627型前置放大器试行检定规程 工业和信息化部 148 JJG(电子)04021-89 BJ3110型MOS集成电路测试仪试行检定规程 工业和信息化部 149 JJG(电子)04022-89 QO1型高频小功率晶体三极管fT计量标准装置试行检定规程 工业和信息化部 150 JJG(电子)04023-89 BJ2970型大功率半导体三极管tf测试仪试行检定规程 工业和信息化部 151 JJG(电子)04026-89 BJ2985型晶体三极管维持电压测试仪试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 152 JJG(电子)04028-89 BJ3190型集成运算放大器测试仪试行检定规程 工业和信息化部 153 JJG(电子)08001-89 DB-1型电场标准装置试行检定规程 工业和信息化部 154 JJG(电子)11008-89 3764A型数字传输分析仪试行检定规程 工业和信息化部 155 JJG(电子)12019-89 ZW3765A型调频广播接收机和录音机测量滤波器试行检定规程 工业和信息化部 156 JJG(电子)12020-89 电视视频电平表试行检定规程 工业和信息化部 157 JJG(电子)12023-89 MDA-453型调频线性解调器试行检定规程 工业和信息化部 158 JJG(电子)12025-89 TA03BD型电视多伴音信号发生器试行检定规程工业和信息化部 159 JJG(电子)12028-89 4143型互易校准仪试行检定规程 工业和信息化部 160 JJG(电子)12033-89 电视视频电平标准装置试行检定规程 工业和信息化部 161 JJG(电子)03009-91 SQ-20型取样示波器试行检定规程 工业和信息化部 162 JJG(电子)04041-91 BJ-3192型集成运算放大器自动测试仪试行检定规程 工业和信息化部 163 JJG(电子)04043-91 CTG-1型高频C-V特性测试仪试行检定规程 工业和信息化部 164 JJG(电子)04044-91 YWS-2980A型整流二极管IFSM和I2t测试仪试行检定规程 工业和信息化部 165 JJG(电子)05038-91 715型电位器线性示波器试行检定规程 工业和信息化部 166 JJG(电子)05039-91 YY-2781型RLC三用表试行检定规程 工业和信息化部 167 JJG(电子)05041-91 CJ-2780型三用误差分选仪试行检定规程 工业和信息化部 168 JJG(电子)05044-91 HP-4272A型预置容量表试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 169 JJG(电子)05045-91 HP-4273A型预置容量表试行检定规程 工业和信息化部 170 JJG(电子)05046-91 GR-1687型LCR数字桥试行检定规程 工业和信息化部 171 JJG(电子)05048-91 DA-1型电气安全参数测试仪试行检定规程 工业和信息化部 172 JJG(电子)07008-91 SWOF型视频扫频频谱分析仪试行检定规程 工业和信息化部 173 JJG(电子)07009-91 HP-3577A型网络分析仪试行检定规程 工业和信息化部 174 JJG(电子)10002-91 射频通过式中功率计试行检定规程 工业和信息化部 175 JJG(电子)10003-91 射频终端式中功率计试行检定规程 工业和信息化部 176 JJG(电子)12034-91 1617型带通滤波器试行检定规程 工业和信息化部 177 JJG(电子)12035-91 2010型外差式分析仪试行检定规程 工业和信息化部 178 JJG(电子)12036-91 HY-6060型驻极体传声器测试仪试行检定规程 工业和信息化部 179 JJG(电子)12037-91 DF-5990A型扬声器谐振频率测量仪试行检定规程 工业和信息化部 180 JJG(电子)12038-91 MWS-672型抖晃校准仪试行检定规程 工业和信息化部 181 JJG(电子)15019-91 XT-22型梳状频率发生器试行检定规程 工业和信息化部 182 JJG(电子)18005-91 工作用热偶真空计试行检定规程 工业和信息化部 183 JJG(电子)18006-91 电阻真空计试行检定规程 工业和信息化部 184 JJG(电子)18007-91 QF-11601型低通滤波器试行检定规程 工业和信息化部 185 JJG(电子)12026-89 MR-611A VTR抖动测量仪试行检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 186 JJG(电子)12032-89 148型电视插入测试信号发生器试行检定规程 工业和信息化部 187 JJG(电子)18004-89 HP4140B型微微安电流表/直流电压源试行检定规程 工业和信息化部 188 JJG(电子)01007-95 AD5120A型射频群时延标准检定规程 工业和信息化部 189 JJG(电子)01008-95 AD5120B型视频群时延标准检定规程 工业和信息化部 190 JJG(电子)01009-95 AD5120C型低频群时延标准检定规程 工业和信息化部 191 JJG(电子)02008-95 DA24型有效值电压表检定规程 工业和信息化部192 JJG(电子)02009-95 模拟电子电压表检定规程 工业和信息化部 193 JJG(电子)02010-95 QF2280A型超高频数字毫伏表检定规程 工业和信息化部 194 JJG(电子)02011-95 HP8405型矢量电压表检定规程 工业和信息化部 195 JJG(电子)04045-95 JS-7B型晶体管测试仪检定规程 工业和信息化部 196 JJG(电子)04046-95 QC-13型场效应管跨导参数测试仪检定规程 工业和信息化部 197 JJG(电子)04047-95 QG-6、QG-16型高频小功率晶体管fT参数测试仪检定规程 工业和信息化部 198 JJG(电子)04048-95 QG-29型高频晶体管GP(KP)、F(NF)、AGC特性测试仪检定规程 工业和信息化部 199 JJG(电子)04052-95 PTQ-2型晶体管快速筛选仪检定规程 工业和信息化部 200 JJG(电子)04055-95 安全栅检定规程 工业和信息化部 269 JJG(化工)9-89 指示计检定规程 工业和信息化部 270 JJG(化工)10-89 Q型操作器检定规程 工业和信息化部 序号 规程编号 规程名称 主管部门 271 JJG(化工)11-89 气电转换器检定规程 工业和信息化部 272 JJG(化工)12-89 电气转换器检定规程 工业和信息化部 273 JJG(化工)13-89 信号转换器检定规程 工业和信息化部 274 JJG(化工)14-89 隔离器、反向器、升压器检定规程 工业和信息化部 275 JJG(化工)101-91 橡胶圆盘摆动硫化仪检定规程 工业和信息化部 276 JJG(化工)102-91 橡胶门尼粘度计检定规程
  • 微观组合测试仪MCT3 | 焊接的机械性能表征
    焊接也被称作熔接,通常是一种以加热、高温或者高压的方式接合金属或其他热塑性材料如塑料的制造工艺及技术。焊接工艺多用于制造业,主要用途就是把小的金属材料连接成大的(按图纸或需要的尺寸),或通过连接(焊接)做出所需要的几何体。诸如造船厂、飞机制造业、汽车制造、桥梁等都离不开焊接。热源能量的分布即热量的传播和分布很大程度上与这些参数相关,然而由于热量的分布是呈现梯度的,从而造成焊缝周围的材料会受到影响,即所谓的“热影响区”(HAZ)。热影响区的形成原理非常简单,在焊缝周围的材料受到了热源的影响,而温度低于材料的熔点,但其温度足以让周围材料的显微组织发生变化。显微组织的变化可导致机械性能的变化,如可能会出现硬度增加和屈服强度降低。同时由于显微组织的发生变化,热影响区更容易出现开裂和腐蚀情况,所以热影响区通常是构件最薄弱的结构点。因此,了解热影响区和减少焊接所产生的不良热效应是至关重要。焊缝和热影响区的典型尺寸通常为数百微米至几毫米。为了研究由于焊接过程引起的局部材料变化,仪器化压痕测试方法是首选,因为它们提供了合适的位移分辨率。例如,安东帕微观组合测试仪(MCT3)可以获取焊缝或热影响区等等不同区域的硬度、弹性模量等力学性能。磨损量和摩擦性能可以很容易地通过摩擦磨损分析仪来测量,该分析仪测量摩擦系数并可用于估计磨损率。微观组合测试仪MCT3本文将展示焊缝及其邻近局部区域的机械性能的表征手段的实际例子,同时也将总结所用表征手段对于焊接工艺好坏的评定和意义。焊缝横截面的硬度分布情况图1: 焊缝及其热影响区的横截面的视图和相对应位置上的硬度变化情况如图1所示,使用Anton-Paar微观组合测试仪MCT3对采用弧焊工艺对球墨铸铁进行焊接后所产生的热影响区进行表征。简单来说,就是在焊缝截面上沿着从母材到焊缝的方向采用MCT3对材料进行压痕测试。压痕试验主要在两个位置上进行:焊缝区域横截面和焊缝顶面。使用的最大载荷为5 N,加载和卸载速率选择为30 N/min,在最大载荷下保载1 sec。具体是沿着从未受影响的母材穿过HAZ到焊芯进行压痕测试,单个压痕的间距为0.25 mm。压痕测试的大致位置和相应硬度分布如图1所示,结果清楚地表明了焊缝附近硬度的变化情况。靠近焊缝–在HAZ中–硬度在过渡区降低之前显著增加,在远离焊缝的未受影响母材中稳定在~3 GPa。在焊缝的上表面上发现了类似的结果(过渡区和热影响区的硬度增加),这证实了在横截面上获得的结果。该应用案例展示的是仪器化压痕测试方法对于测量焊接工艺产生的热影响区HAZ的材料性能变化的意义所在,用图1中所示的方法可以直观的获取相应位置的力学性能变化情况。从而,有助于科研人员及焊接工作者去估算HAZ的区域尺寸以及所检测出的焊缝及其周围局部区域的力学性能是否达标,更为如何优化焊接工艺参数提供一份助力。堆焊工艺下焊缝的摩擦学性能研究堆焊是将硬质金属焊接在母材上的一种工艺,旨在提高母材的耐磨性,是一个很广泛的焊接应用。它用于磨机锤、挤压螺钉、高性能轴承和土方设备。它也可用于压水反应堆的阀座和泵。与其他部件摩擦接触的此类堆焊焊缝的磨损和摩擦学性能对于实际应用至关重要。以下示例显示了对球墨铸铁进行的摩擦学试验,其中铸铁的堆焊层采用等离子转移电弧工艺焊接。图2: 热影响区和母材的摩擦系数变化情况由于焊接工艺也属于快速凝固的一种冷却方式,从而得到了3mm厚度的热影响区且发现该HAZ的微观结构中存在渗碳体结构,而且硬度明显高于铸铁。总共进行了两次摩擦试验:一次在母材上,另一次在焊接材料的热影响区内。在线性往复模式下均进行共5000次循环的摩擦学表征试验,而且在最大固定载荷为1 N情况下的最大线速度为1.6 cm/s,选取的摩擦副为直径为6 mm的100Cr6钢球。摩擦试验结果如图2所示:焊接层的热影响区(HAZ)的摩擦系数(~0.8)高于母材(~0.5)。图3: 采用表面轮廓仪测量并记录母材和热影响区的磨损轨迹轮廓图3展示的是运用表面轮廓仪采集并记录母材和热影响区在摩擦学试验后磨损轨迹的轮廓。通过比较图3的结果表明,热影响区的磨损远高于母材;母材的耐磨性高于热硬化区的耐磨性。图2和图3的表明,焊接工艺对焊接层热硬化区的摩擦系数和耐磨性产生了负面影响,尽管同一层的硬度有所增加。该问题的解决方案可以是改变焊接参数以提高热硬化区的耐磨性,或者减小其尺寸以最小化其对零件耐磨性的负面影响。总的来说,Anton-Paar自研自产的压痕仪和摩擦学表征仪器均能为焊接工艺的研究和生产提供非常大的助力,其新一代检测手段的开发对于焊接行业是非常有意义的。安东帕中国总部销售热线:+86 4008202259售后热线:+86 4008203230官网:www.anton-paar.cn在线商城:shop.anton-paar.cn
  • 微纳光刻好助手!小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3
    随着国内各学科的发展和产业的升级,相关的科研院所和企事业单位对各种微纳器件光刻加工的需求日益增多。然而,这些微纳器件光刻需求很难被传统的掩模光刻设备所满足,主要是因为拥有这类的光刻需求的用户不仅需要制备出当前的样品,还需要对光刻结构进行够迅速迭代和优化。为了满足微纳器件对光刻的需求,Quantum Design中国推出了小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3作为微纳器件光刻的解决方案。与传统的掩模光刻相比,MicroWriter ML3根据用户计算机中设计的图形在光刻胶上制备出相应的结构,节省了制备光刻板所需要的时间和经费,可以实现用户对光刻结构快速迭代的需求。此外,MicroWriter ML3 可用于各类正性和负性光刻胶的曝光,最高光刻精度可达0.4 μm,套刻精度±0.5 μm,最高曝光速度可达180mm2/min。目前,MicroWriter ML3在国内的拥有量超过150台,被用于各类微纳器件的光刻加工。 人工智能领域器件制备人工智能相关的运算通常需要进行大量的连续矩阵计算。从芯片的角度来说,连续矩阵运算主要需求芯片具有良好的乘积累加运算(MAC)的能力。可以说,MAC运算能力决定了芯片在AI运算时的表现。高效MAC运算可以由内存内运算技术直接实现。然而,基于的冯诺依曼计算架构的芯片在内存和逻辑运算之间存在着瓶颈,限制了内存内的高速MAC运算。理想的AI芯片构架不仅要有高效的内存内运算能力,还需要具有非易失性,多比特存储,可反复擦写和易于读写等特点。复旦大学包文中教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备出基于单层MoS2晶体管的两晶体管一电容(2T-1C)单元构架[1]。经过实验证明,该构架十分适用于AI计算。在该构架中,存储单元是一个类似1T-1C的动态随机存储器(DRAM),其继承了DRAM读写速度快和耐反复擦写的优点。此外,MoS2晶体管极低的漏电流使得多层级电压在电容中有更长的存留时间。单个MoS2的电学特性还允许利用电容中的电压对漏电压进行倍增,然后进行模拟计算。乘积累加结果可以通过汇合多个2T-1C单元的电流实现。实验结果证明,基于此构架的芯片所训练的神经网络识别手写数字可达到90.3%。展示出2T-1C单元构架在未来AI计算领域的潜力。相关工作发表在《Nature Communication》(IF=17.694)。 图1. 两晶体管一电容(2T-1C)单元构架和使用晶圆尺寸的MoS2所制备的集成电路。(a)使用化学气相沉积法(CVD)批量制备的晶圆尺寸的MoS2。(b)CVD合成的MoS2在不同位置的Raman光谱。(c)在2英寸晶圆上使用MicroWriter ML3制备的24个MoS2晶体管的传输特性。(d)MicroWriter ML3制备的2T-1C单元显微照片。图中比例尺为100 μm。(e)2T-1C单元电路示意图,包括储存和计算模块。(f)2T-1C单元的三维示意图,其中包括两个MoS2晶体管和一个电容组件。(g)2T-1C单元阵列的电路图。(h)典型卷积运算矩阵。 生物微流控领域器件制备酿酒酵母菌是一种具有高工业附加值的菌种,其在真核和人类细胞研究等领域也有着非常重要的作用。酿酒酵母菌由于自身所在的细胞周期不同,遗传特性不同或是所处的环境不同可展现出球形单体,有芽双体或形成团簇等多种形貌。因此获得具有高纯度单一形貌的酿酒酵母菌无论是对生物学基础性研究还是对应用领域均有着非常重要的意义。澳大利亚麦考瑞大学Ming Li课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备了一系列矩形微流控通道[2]。在制备的微流控通道中,通过粘弹性流体和牛顿流体的共同作用对不同形貌的酿酒酵母菌进行了有效的分类和收集。借助MicroWirter ML3中所采用的无掩模技术,课题组可以轻易实现对微流控传输通道长度的调节,优化出对不同形貌酵母菌进行分类的最佳参数。相关工作结果在SCI期刊《Analytical Chemistry》(IF=8.08)上发表。图2.在MicroWriter ML3制备的微流控通道中利用粘弹性流体对不同形貌的酿酒酵母菌进行微流控连续筛选。图3.在MicroWriter ML3制备的微流控流道中对不同形貌的酿酒酵母菌的分类和收集效果。(a)为收集不同形貌酿酒酵母菌所设计的七个出口。(b)不同形貌酵母菌在通过MicroWriter ML3制备的流道后与入口处的对比。(c)MicroWriter ML3制备的微流控连续筛选器件对不同形貌的酵母菌的筛选效果。从不同出口处的收集结果可以看出,单体主要在O1出口,形成团簇的菌主要O4出口。(d)MicroWriter ML3制备的微流控器件对不同形貌的酿酒酵母菌的分类结果,单体(蓝色),有芽双体(黄色)和形成团簇(紫色)。(e)和(f)不同出口对不同形貌的酿酒酵母菌的分离和收集结果的柱状图。误差棒代表着三次实验的误差结果。 医学检测领域器件制备在新冠疫情大流行的背景下,从大量人群中快速筛查出受感染个体对于流行病学研究有着十分重要的意义。目前,新冠病毒诊断采用的普遍标准主要是基于分析逆转录聚合酶链反应,可是在检测中核酸提取和扩增程序耗时较长,很难满足对广泛人群进行筛查的要求。复旦大学魏大程教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备出基于石墨烯场效应晶体管(g-FET)的生物传感器[3]。该传感器上拥有Y形DNA双探针(Y-双探针),可用于新冠病毒的核酸检测分析。该传感器中的双探针设计,可以同时靶向SARS-CoV-2核酸的ORF1ab和N基因,从而实现更高的识别率和更低的检出极限(0.03份μL&minus 1)。这一检出极限比现有的核酸分析低1-2个数量级。该传感器最快的核酸检测速度约为1分钟,并实现了直接的五合一混合测试。由于快速、超灵敏、易于操作的特点以及混合检测的能力,这一传感器在大规模范围内筛查新冠病毒和其他流行病感染者方面具有巨大的前景。该工作发表在《Journal of the American Chemical Society》(IF=16.383)。 图4. 利用MicroWriter ML3制备基于g-FET的Y形双探针生物传感器。(a)Y形双探针生物传感器进行SARS-CoV-2核酸检测的流程图。(b)选定的病毒序列和探针在检测SARS-CoV-2时所靶向的核酸。ORF1ab: 非结构多蛋白基因 S: 棘突糖蛋白基因 E: 包膜蛋白基因 M: 膜蛋白基因 N: 核衣壳蛋白基因。图中数字表示SARS-CoV-2 NC_045512在GenBank中基因组的位置。(c)经过MicroWriter ML3光刻制备的生物传感器的封装结果。图中的比例尺为1 cm。(d)通过MicroWriter ML3制备的石墨烯通道的光学照片。(e)在石墨烯上的Cy3共轭Y型双探针。图中的比例尺为250 μm。 二维材料场效应管器件制备石墨烯的发现为人类打开了二维材料的大门,经历十多年的研究,二维材料表现出的各种优良性能依然吸引着人们。然而,在工业上大规模应用二维材料仍然存在着很多问题,所制成的器件不能符合工业标准。近日,复旦大学包文中教授课题组通过利用机器学习 (ML) 算法来评估影响工艺的关键工艺参数MoS2顶栅场效应晶体管 (FET) 的电气特性[4]。晶圆尺寸的器件制备的优化是利用先利用机器学习指导制造过程,然后使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3进行制备,最终优化了迁移率、阈值电压和亚阈值摆幅等性能。相关工作结果发表在《Nature Communication》(IF=17.694)。图5. MoS2 FETs的逻辑电路图。(a),(b),(c)和(d)各类电压对器件的影响。(e)使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备的正反器和(f)相应实验结果(g)使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备的加法器和(h)相应的实验结果。图6. 利用MoS2 FETs制备的模拟,储存器和光电电路。(a)使用MicroWriter ML3无掩膜光刻机制备的环形振荡器和(b)相应的实验结果。(c)通过MicroWriter ML3制备的基于MoS2 FETs制备的存储阵列和(d-f)相应的实验结果。(g)利用MicroWriter ML3制备的光电电路和(h-i)相应的表现结果。图7. 使用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3在晶圆上制备MoS2场效应管。(a)MicroWriter ML3在两寸晶圆上制备的基于MoS2场效应管的加法器。(b),(c)和(d)在晶圆上制备加法器的运算结果。 钙钛矿材料柔性器件制备质子束流的探测在光学基础物理实验和用于癌症治疗的强子疗法等领域是十分重要的一项技术。传统硅材料制备的场效应管装置由于价格昂贵很难被大规模用于质子束流的探测。塑料闪烁体和闪烁纤维也可以被用于质子束流的探测。可是基于上述材料的设备需要复杂的同步和校正过程,因此也很难被大规模推广应用。在最近十年间科学家把目光投向了新材料,为了找出一种同时具有出色的力学性能和造价低廉的材料,用以大规模制质子束流探测设备。钙钛矿材料近来被认为是制备质子束流探测器的理想材料。首先,钙钛矿材料可以通过低温沉积的方法制备到柔性基底上。第二,该材料的制造成本相对较低。钙钛矿材料已被用于探测高能光子,阿尔法粒子,快中子和热中子等领域。对于利用钙钛矿材料制备的探测器探测质子束的领域尚属空白。近日,意大利博洛尼亚大学Ilaria Fratelli教授课题组利用小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3制备出用于质子束探测的3D-2D混合钙钛矿柔性薄膜检测器[5]。在5MeV质子的条件下,探测器的探测束流范围为从4.5 × 105 到 1.4 × 109 H+ cm&minus 2 s&minus 1,可连续检测的辐射最高敏感度为290nCGy&minus 1mm&minus 3,检测下限为72 μGy s&minus 1。该工作结果发表在学术期刊《Advanced Science》(IF=17.521)。图8. MicroWriter ML3在PET柔性基板上制备的3D-2D钙钛矿薄膜器件。(A)MAPbBr3 (3D) 和(PEA)2PbBr4 (2D)钙钛矿材料的结构示意图。(B)通过MicroWriter ML3无掩模激光直写机制备出的检测器,图中标尺长度为500 μm。(c)3D-2D混合钙钛矿材料的低掠射角XRD结果。(d)3D-2D混合钙钛矿材料的AFM表面形貌图。图9. 3D-2D钙钛矿材料的电学和光电学方面的性能。(A)由MicroWriter ML3无掩模光刻机制备柔性器件。(B)通过MicroWriter ML3制备的柔性器件在不同弯曲程度条件下的电流-电压曲线图。(C)3D-2D钙钛矿材料柔性器件的PL光谱结果。(D)3D-2D钙钛矿材料柔性器件的紫外-可见光光谱。参考文献[1] Y. Wang, et al. An in-memory computing architecture based on two-dimensional semiconductors for multiply-accumulate operations. Nature Communications, 12, 3347 (2021).[2] P. Liu, et al. Separation and Enrichment of Yeast Saccharomyces cerevisiae by Shape Using Viscoelastic Microfluidics. Analytical Chemistry, 2021, 93, 3, 1586–1595.[3] D. Kong, et al. Direct SARS-CoV-2 Nucleic Acid Detection by Y-Shaped DNA Dual-Probe Transistor Assay. Journal of the American Chemical Society, 2021, 143, 41, 17004.[4] X. Chen, et al. Wafer-scale functional circuits based on two dimensional semiconductors with fabrication optimized by machine learning. Nature Communications, 12, 5953 (2021).[5] L. Basirico, et al. Mixed 3D–2D Perovskite Flexible Films for the Direct Detection of 5 MeV Protons. Advanced Science, 2023,10, 2204815. 小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3简介小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3由英国剑桥大学卡文迪许实验室主任/英国皇家科学院院士Cowburn教授根据其研究工作的需要而专门设计开发的科研及研发生产光刻利器。 图10. a)小型台式无掩膜直写光刻系统MicroWriter ML3。MicroWriter ML3 b)在正胶上制备线宽为400 nm的结构,c)正胶上制备的电极结构,d)在SU8负胶上制备的高深宽比结构和e)灰度微结构。 MicroWriter ML3的优势:☛ 实验成本低:相比于传统光刻机,该光刻系统无需掩膜板,同时它也可以用来加工掩膜板,年均可节省成本数万元;☛ 实验效率高:通过在计算机上设计图案就可轻松实现不同的微纳结构或器件的加工,同时具有多基片自动顺序加工功能;☛ 光刻精度高:系统具有多组不同分辨率的激光加工模块(0.4 μm,0.6 μm, 1 μm,2 μm, 5 μm),且均可通过软件自由切换;☛ 加工速度快:最高可实现180 mm2/min的快速加工;☛ 具有3D加工能力:256级灰度,可实现Z方向的不同深浅的加工;☛ 适用范围广:可根据光刻需求的不同,配备365 nm,385 nm和405 nm波长光源或安装不同波长双光源;☛ 使用成本低:设备的采购,使用和维护成本低于常规的光刻系统。
  • 国产高端测试仪器市场困局何解?产学研模式新探索
    当今时代,科技迅猛发展、芯片量呈几何倍数增长,芯片已经进入融合的时代。从无人驾驶到虚拟现实、从人工智能到云计算、从5G到物联网,一颗芯片上承载的功能越来越多,芯片工艺越来越复杂,新器件类型层出不穷,众多驱动因素的推动对半导体测试技术不断提出新的要求。行业需要更加面向未来需求的测试系统和方案,来打破传统仪器固有的不足和局限。以半导体器件测试来看,在先进器件研究过程中,新材料、新结构与新工艺的应用都可能带来未知的变化。研究者不但要关注精确的静态电流电压特性,更希望观察到细微快速的动态行为。同时随着半导体尺寸不断减小,一些现象需要在极短的时间内才能观察到,例如MOS器件的BTI效应,因此,对包括短脉冲测试(PIV)在内的新技术提出了要求。前不久,概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK正式发布,填补了其半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试的空缺,同时也填补了国内短脉冲测试技术的空缺。高端测试仪器FS-Pro“如虎添翼”据了解,此次发布的最新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK由黄如院士在北京大学和上海交通大学的团队与概伦电子联合研发。作为短脉冲测试技术的先行者,黄如院士团队经过了十余年的努力,在实践过程中掌握了一整套短脉冲产生、测量以及分析技术。概伦电子基于其提供的包括测试方法、电路原型、方案框架、版图设计及PIV应用在内的指导意见继续精细开发,满足高增益与高带宽的同时,有效抑制放大电路的非线性失真,最终实现了最小脉宽130ns的高精度测量。概伦电子FS-Pro半导体参数测试系统(图源:概伦电子)概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备,在一个系统中实现了电流电压(IV)测试、电容电压(CV)测试、脉冲式IV测试、任意线性波形发生与测量、高速时域信号釆集以及低频噪声测试能力。此次增加短脉冲IV(PIV)技术后,FS-Pro更是如虎添翼,几乎所有半导体器件的低频特性表征都可以在FS-Pro测试系统中完成,可广泛应用于各种半导体器件、LED材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。其全面而强大的参数测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发和评估进程,并可无缝的与概伦电子低频噪声测试系统9812系列集成。据了解,概伦电子噪声测试系统9812系列是全球半导体行业业内低频噪声测试的“ 黄金标准”,为半导体行业先进工艺研发、器件建模和高端电路设计提供了更加完整而又高效的低频噪声测试及分析解决方案,可以满足各种不同工艺平台下半导体器件和集成电路低频噪声测试的需求。FS-Pro快速的DC测试能力进一步提升了9812系列产品的噪声测试效率和吞吐量,性能相较同类型产品获得大幅度提升,并将在噪声测试的业内领先技术扩展到通用半导体参数测试。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现,FS-Pro全面的测试能力在科研学术界受到了广泛关注和认可,已被数十所国内外高校及科研机构所选用,同时也被众多芯片设计公司、代工厂和IDM公司所釆用。国产高端测试仪器新突破纵观行业现状,测试测量仪器属于高端科研仪器设备,需要长时间积累,特别考验一个国家基础技术的厚度。由于国内本土测量仪器行业起步较晚,主营电子测试测量仪器的企业数量少,发展情况也不尽相同,目前我国的产品结构主要集中在中低端,大部分企业仍处于仿制研发的阶段,仅有小部分企业走向应用研发的转型之路。根据数据显示,中国电子测量仪器的市场规模由2016年的28.72亿美元增至2021年的50.39亿美元,预计2022年将进一步达到53.14亿美元。面对国内如此巨大的市场需求,以及受国外隐形技术壁垒等因素制约,国内市场仍被掌握在国外仪器仪表厂商手中,高端产品依赖进口,行业类第一梯队公司主要为是德科技(Keysight)、泰克(Tektronix)、罗德与施瓦茨(R&S)等欧美企业。国内测量仪器与国际水平相比,在产品结构、高端产品的技术水平、市场占有率等方面存在较大差距,亟待国内本土企业填补高端仪器的技术和市场空白。在这种情况下,提高企业的研发力度成为了电子测量仪器行业发展的关键点之一。同时伴随着强烈的自主可控需求,国产高端测试测量仪器市场在近几年迎来高速增长。概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro作为高端测试仪器的代表之一,在先进器件和材料等领域的测试表现非常出色,集 IV、CV、1/f noise及PIV测试等于一体,高精度、低成本、综合的半导体器件表征分析能力灵活满足各种用户的不同测试需求,大大节省了测试设备采购开支。同时,工业标准的PXI模块化硬件结构,通用的软件平台,内置测量软件提供数百个预定义的测试模板和功能,实现即插即用体验,使FS-Pro成为了半导体器件与先进材料研究方面的得力助手,产品性能直接对标是德科技等行业巨头的高端测试仪器。近年来,随着半导体行业的快速发展,对测试测量仪器的需求在逐渐扩大。当前中国的半导体测试测量行业在飞速发展中,可以预见的是,复杂的国际关系背景和市场需求的双重驱动下,关键领域的国产化成为竞争焦点,自上而下的产业政策和企业突围将加速自主可控产业链的成长,国产半导体测量仪器迎风口。随着概伦电子在中高端产品领域取得突破,将会使其成为国内该行业的领头羊,有望引领该领域的国产化替代浪潮。概伦电子产品布局日臻完善半导体器件特性测试是对集成电路器件在不同工作状态和工作环境下的电流、电压、电容、电阻、低频噪声、可靠性等特性进行测量、数据采集和分析,以评估其是否达到设计指标。概伦电子半导体参数测试系统FS-Pro能够支持多种类型的半导体器件,具备精度高、测量速度快和可多任务并行处理等特点,能够满足晶圆厂和集成电路设计企业对测试数据多维度和高精度的要求。半导体器件特性测试仪器采集的数据是器件建模及验证EDA工具所需的数据来源,两者具有较强的协同效应。随着下游晶圆厂客户产能扩张,相关测试需求或将进一步释放。在制造类EDA工具方面,概伦电子的器件建模及验证EDA工具已经取得较高市场地位,被全球大部分领先的晶圆厂所采用和验证,主要客户包括台积电、三星电子、联电、格芯、中芯国际等,在其相关标准制造流程中占据重要地位。使用该EDA工具生成的器件模型通过国际领先的晶圆厂提供给其全球范围内的集成电路设计方客户使用,其全面性、精度和质量已得到业界的长期验证和广泛认可。在此基础上,通过半导体器件特性测试仪器与EDA工具的联动,能够打造以数据为驱动的EDA解决方案,紧密结合并形成业务链条,帮助晶圆厂客户有针对性的优化工艺平台的器件设计和制造工艺,不断拓展产品的覆盖面,进一步为概伦电子打造完整的制造EDA流程丰富了现有技术及解决方案。目前概伦电子主要产品及服务包括制造类EDA工具、设计类EDA工具、半导体器件特性测试仪器和半导体工程服务等。从其产品布局和发展历程来看,概伦电子在具备高价值的落地场景和应用需求的前提下,用相对较短的时间、较小的人员规模和投入,打造了全新的设计方法学和流程,逐渐形成了具有技术竞争力的EDA工具、测试产品和工程服务,并在国际主流市场获得产品验证机会,在多环节和维度上实现了对国际EDA巨头全流程垄断的突破。产学研模式新探索上文提到,此次FS-Pro HP-FWGMK套件的发布是概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的产物,在填补了半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试空缺的同时,也代表了国内产学研深度合作的典范。当前,在国产EDA的发展过程中,人才是关键,创新求变正在重塑新的核心竞争力。EDA核心技术的突破没有捷径可走,需要持续吸引各种人才、加强产学研合作和保持高研发投入,长期坚持技术沉淀,通过客户需求引导,才有可能形成新的突破。在当前行业背景和发展现状下,概伦电子正在探索以产教融合方式来培养项目和推动EDA技术和人才发展的新模式,携手各界通力合作,共同应对后摩尔时代技术与市场的双重挑战,构建中国EDA产业命运共同体,致力于突破困局并最终实现超越。
  • 国产高端测试仪器市场困局何解
    当今时代,科技迅猛发展、芯片量呈几何倍数增长,芯片已经进入融合的时代。从无人驾驶到虚拟现实、从人工智能到云计算、从5G到物联网,一颗芯片上承载的功能越来越多,芯片工艺越来越复杂,新器件类型层出不穷,众多驱动因素的推动对半导体测试技术不断提出新的要求。行业需要更加面向未来需求的测试系统和方案,来打破传统仪器固有的不足和局限。以半导体器件测试来看,在先进器件研究过程中,新材料、新结构与新工艺的应用都可能带来未知的变化。研究者不但要关注精确的静态电流电压特性,更希望观察到细微快速的动态行为。同时随着半导体尺寸不断减小,一些现象需要在极短的时间内才能观察到,例如MOS器件的BTI效应,因此,对包括短脉冲测试(PIV)在内的新技术提出了要求。前不久,概伦电子与北京大学集成电路学院及上海交通大学电子信息与电气工程学院联合研发的新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK正式发布,填补了其半导体参数测试系统FS-Pro在短脉冲测试的空缺,同时也填补了国内短脉冲测试技术的空缺。高端测试仪器FS-Pro“如虎添翼”据了解,此次发布的最新一代高精度快速波形发生与测量套件FS-Pro HP-FWGMK由黄如院士在北京大学和上海交通大学的团队与概伦电子联合研发。作为短脉冲测试技术的先行者,黄如院士团队经过了十余年的努力,在实践过程中掌握了一整套短脉冲产生、测量以及分析技术。概伦电子基于其提供的包括测试方法、电路原型、方案框架、版图设计及PIV应用在内的指导意见继续精细开发,满足高增益与高带宽的同时,有效抑制放大电路的非线性失真,最终实现了最小脉宽130ns的高精度测量。概伦电子FS-Pro半导体参数测试系统(图源:概伦电子)概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro是一款功能全面、配置灵活的半导体器件电学特性分析设备,在一个系统中实现了电流电压(IV)测试、电容电压(CV)测试、脉冲式IV测试、任意线性波形发生与测量、高速时域信号釆集以及低频噪声测试能力。此次增加短脉冲IV(PIV)技术后,FS-Pro更是如虎添翼,几乎所有半导体器件的低频特性表征都可以在FS-Pro测试系统中完成,可广泛应用于各种半导体器件、LED材料、二维材料器件、金属材料、新型先进材料与器件测试等。其全面而强大的参数测试分析能力极大地加速了半导体器件与工艺的研发和评估进程,并可无缝的与概伦电子低频噪声测试系统9812系列集成。据了解,概伦电子噪声测试系统9812系列是全球半导体行业业内低频噪声测试的“ 黄金标准”,为半导体行业先进工艺研发、器件建模和高端电路设计提供了更加完整而又高效的低频噪声测试及分析解决方案,可以满足各种不同工艺平台下半导体器件和集成电路低频噪声测试的需求。FS-Pro快速的DC测试能力进一步提升了9812系列产品的噪声测试效率和吞吐量,性能相较同类型产品获得大幅度提升,并将在噪声测试的业内领先技术扩展到通用半导体参数测试。基于在产线测试与科研应用方面的优异表现,FS-Pro全面的测试能力在科研学术界受到了广泛关注和认可,已被数十所国内外高校及科研机构所选用,同时也被众多芯片设计公司、代工厂和IDM公司所釆用。国产高端测试仪器新突破纵观行业现状,测试测量仪器属于高端科研仪器设备,需要长时间积累,特别考验一个国家基础技术的厚度。由于国内本土测量仪器行业起步较晚,主营电子测试测量仪器的企业数量少,发展情况也不尽相同,目前我国的产品结构主要集中在中低端,大部分企业仍处于仿制研发的阶段,仅有小部分企业走向应用研发的转型之路。根据数据显示,中国电子测量仪器的市场规模由2016年的28.72亿美元增至2021年的50.39亿美元,预计2022年将进一步达到53.14亿美元。面对国内如此巨大的市场需求,以及受国外隐形技术壁垒等因素制约,国内市场仍被掌握在国外仪器仪表厂商手中,高端产品依赖进口,行业类第一梯队公司主要为是德科技((Keysight)、泰克(Tektronix)、罗德与施瓦茨(R&S)等欧美企业。国内测量仪器与国际水平相比,在产品结构、高端产品的技术水平、市场占有率等方面存在较大差距,亟待国内本土企业填补高端仪器的技术和市场空白。在这种情况下,提高企业的研发力度成为了电子测量仪器行业发展的关键点之一。同时伴随着强烈的自主可控需求,国产高端测试测量仪器市场在近几年迎来高速增长。概伦电子的半导体参数测试系统FS-Pro作为高端测试仪器的代表之一,在先进器件和材料等领域的测试表现非常出色,集 IV、CV、1/f noise及PIV测试等于一体,高精度、低成本、综合的半导体器件表征分析能力灵活满足各种用户的不同测试需求,大大节省了测试设备采购开支。
  • 212万!广东工业大学手套箱与电流电压测试仪等设备采购项目
    项目编号:M4400000707015234001项目名称:手套箱与电流电压测试仪等设备采购(四次)采购方式:公开招标预算金额:2,128,500.00元采购需求:合同包1(金相显微镜探针台等设备采购):合同包预算金额:2,128,500.00元品目号品目名称采购标的数量(单位)技术规格、参数及要求品目预算(元)最高限价(元)1-1其他专用仪器仪表金相显微镜探针台1(套)详见采购文件199,000.00-1-2其他专用仪器仪表高温分析探针台1(套)详见采购文件158,000.00-1-3其他专用仪器仪表探针台5(套)详见采购文件245,000.00-1-4其他专用仪器仪表电容电压特性测试仪5(套)详见采购文件180,000.00-1-5其他专用仪器仪表电流电压测试仪10(套)详见采购文件500,000.00-1-6其他专用仪器仪表少子寿命测试仪5(套)详见采购文件150,000.00-1-7其他专用仪器仪表霍尔效应测试仪5(套)详见采购文件27,500.00-1-8其他专用仪器仪表四探针测试仪5(套)详见采购文件115,000.00-1-9其他专用仪器仪表晶体管图示仪5(套)详见采购文件45,000.00-1-10其他专用仪器仪表数字荧光示波器16(套)详见采购文件496,000.00-1-11其他专用仪器仪表万用表10(套)详见采购文件13,000.00-本合同包不接受联合体投标合同履行期限:自合同签订之日起至质保期满之日
  • 复旦大学微电子学院朱颢研究团队实现低功耗负量子电容场效应晶体管器件
    当前MOSFET器件的持续微缩所带来的功耗问题已经成为制约集成电路发展的主要瓶颈。研发新原理器件以突破MOSFET亚阈值摆幅(SS)为60mV/dec的室温极限,是实现高速度、低功耗CMOS技术和集成电路的重要途径。近年来,包括隧穿晶体管(TFET)、负电容晶体管(NCFET)、冷源晶体管(CSFET)等在内的多种器件技术为实现陡峭亚阈值摆幅和低功耗器件性能提供了思路。复旦大学微电子学院朱颢研究团队针对上述晶体管器件技术的关键需求,与美国国家标准与技术研究院(NIST)及美国乔治梅森大学合作,提出了一种具有陡峭亚阈值摆幅的负量子电容晶体管器件。研究成果以《Steep-Slope Negative Quantum Capacitance Field-Effect Transistor》为题在近日召开的第68届国际电子器件大会(IEDM,International Electron Devices Meeting)上发表,微电子学院朱颢以及美国NIST的Qiliang Li为通讯作者,课题组杨雅芬博士为第一作者,复旦大学微电子学院为第一单位。该工作将单层石墨烯二维金属系统集成于MoS2晶体管的栅极结构中,构建负量子电容晶体管(NQCFET)器件,利用单层石墨烯在低态密度条件下产生的负电子压缩效应,通过栅极电压调控形成负量子电容。类似于传统基于铁电材料的负电容器件,NQCFET器件中利用石墨烯提供的负量子电容贡献,实现内部栅压放大和小于60mV/dec亚阈值摆幅的特性。该工作中,通过对器件栅极叠层结构以及制备工艺的优化,实现了最小31mV/dec的亚阈值摆幅和可忽略的滞回特性,以及超过106的开关比,有效降低器件静态与动态功耗。同时结合理论仿真揭示了器件陡峭亚阈值摆幅的形成机理,为未来高速低功耗晶体管器件技术的发展提供了新的路径。该项研究工作得到了国家自然科学基金等项目的资助。负量子电容晶体管器件结构与器件性能图
  • 全新V2.0亚洲版SevenMulti双通道多参数测量仪表隆重上市
    梅特勒-托利多SevenMulti多参数测量仪表以其开创性的模块组合设计理念为实验室pH、电导率、离子浓度、ISFET(离子场效应)测量带来了全新的解决方案;其双通道仪表与四种测量模块可按需进行灵活组合,可为制药、日化、生物、化工、食品、环境、检验机构、教科研等各行各业的用户提供更加专业的测量方案。 全新V2.0亚洲版SevenMulti双通道多参数测量仪表具有了以下特点: • 独一无二的模块组合设计,一表多用,测量功能随时拓展; • 新增中文菜单,界面更友好; • 数字字母键盘,操作更简便; • 完全符合USP/EP超纯水测量标准; • 引入全新测量稳定性概念,更多终点方式可选,令测量更灵活; • 全新校准概念、更多标准液组可供选择,满足各种校准需求; • 新增电极验证测试功能; • 全新ID输入概念,多达12位可输入字符,灵活输入样品、电极、用户ID; • 多达1000组测量数据储存; • 配合全新LabX direct pH软件可以Excel、Access等多种格式进行数据传输; 梅特勒托利多始终致力于技术的不断革新并为客户提供完美解决方案,全新V2.0版SevenMulti多功能专业仪表秉承梅特勒托利多一贯的精湛工艺,融入了梅特勒托利多品牌仪表优雅的外观和便捷的操作设计,结合品质优异的电极,我们相信全新V2.0版SevenMulti多功能专业仪表必将给您的日常电化学测量带来更多方便!
  • 盘点2020年央企科技创新成果中的分析测试仪器
    5月30日,国务院国资委确定并发布了《中央企业科技创新成果推荐目录(2020年版)》(以下简称《目录》)。本次《目录》发布的成果涉及22项核心电子元器件、14项关键零部件、8项分析测试仪器 、10项基础软件、41项关键材料、12项先进工艺、53项高端装备和18项其他类型成果,共计178项成果,相关成果主要来自54家央企。《目录》中涉及的8项分析测试仪器成果如下,37分布式光纤传感系统航天科技分析测试仪器38全视角高精度三维测量仪航空工业集团分析测试仪器39色度亮度计兵器工业集团分析测试仪器40短波长X射线衍射仪兵器装备集团分析测试仪器414051系列信号/频谱分析仪中国电科分析测试仪器42汽车变速器齿轮试验测试装备机械总院集团分析测试仪器43电感耦合等离子体质谱仪中国钢研分析测试仪器44分布式高精度应变、温度、振动光纤传感测试仪中国信科分析测试仪器据了解,航天科技的分布式光纤传感系统是一种集光、机、电、算于一体的高性能新型传感系统,可以实现对探测目标的连续不间断测量,并形成全面的、精细的、准确的数字化描述。分布式光纤传感系统利用光纤后向散射效应与光时域反射技术,实现对应变/温度场的连续测量与定位 传感光纤既是传感介质也是传输媒介,是一宗集待测物理量感知和信号传输于一体的传感手段。传感光纤本身无源、抗干扰、耐腐蚀,是一种本征安全的材料,并且在性能指标和产品功能上均优于传统的电学传感技术。分布式光纤传感系统特别适用于易燃易爆场合;典型的应用领域包括长输油气管线的安安防监测、基础设施的结构健康监测、火灾预警、电缆效率分析、地热开采分析等。井下温度分布测量应用场景(图源 国资委)航空工业集团的这款全视角高精度三维测量仪,针对大部件变形和大空间内运动体参数实时监控的迫切需求,突破大视场、超清晰、高精度光学测量关键技术,解决测量距离大、精度要求高、测量环境复杂等技术难点,研制全视角高精度三维测量仪,填补国内空白,并在航空、航天等领域进行了应用验证。全视角高精度三维测量仪(图源 国资委)亮度色度计采用三色值过滤的测定方法,可测定亮度、色度、色温cielab、cieluv、色差等,4个量测角度可以切换。可适用于需要小范围量度角度(0.1°/0.2°)的低亮度领域的测定场合,若作远距离量测可选用延长线将主机与感应器分开进行测量。仪器附加键盘(选配)可作多种功能使用,包括输入颜色系数和亮度偏差。另外,也可在计算机中的进行数据的存储、分析、打印,在照明工程、电影和电视、建筑等领域中有较为广泛的应用。而兵器工业集团的色度亮度计可测量亮度范围为(1~3000)cd/m2,亮度测量精度为±4%,色度测量精度为(x,y)≤±0.004(10cd/m2以上,标准A光源。色度亮度计(图源 国资委)短波长X射线衍射仪是拥有自主知识产权的短波长特征X射线衍射技术产品,首先解决了我国无损测定厘米级厚度工件内部(残余)应力、织构、物相、晶界缺陷及其分布的难题,填补了国内外无损检测分析内部衍射信息的小型化仪器设备空白。该仪器利用重金属靶X射线管作为辐射源,采用光量子能量分析的无强度衰减单色化、精密测量分析等技术,最大可测厚度达40mm铝当量,晶面间距测试误差小于±0.00006nm,内部(残余)应力测试误差小于±25MPa。可应用于先进材料、先进制造和基础研究领域,如预拉伸铝板、涡轮叶片、装配件、焊接件、热处理件等控形控性的加工工艺优化和制造,以及材料/工件内部应力及其分布等的演变规律研究。短波长X射线衍射仪(图源 国资委)4051系列信号/频谱分析仪重点突破了110GHz超宽频带、大带宽、高灵敏度接收技术以及宽带信号高速处理技术,实现了最高同轴测试频率110GHz、最大分析带宽550MHz、显示平均噪声电平≤-135dBm/Hz@110GHz等核心指标,且具有全频段信号预选能力,打破了国外技术封锁,总体性能达到国际先进水平,在高精尖测量仪器方面实现了自主可控和自主保障,在航空航天、通信、雷达、频谱监测等军民领域得到广泛应用,为我国“载人航天”、“探月工程”、“北斗导航”等国家重大工程做出了重要贡献,解决了宽带卫星通信系统功放模块数字预失真测试、新型预警和跟踪雷达脉冲信号测试、超宽频带频谱测量等测试难题。4051系列信号/频谱分析仪(图源 国资委)汽车变速器齿轮试验测试装备是国家重点支持的发展专项;测试技术含量和技术水平高,创新性强,属国内首创;突破了汽车变速器传递误差测试方面的技术壁垒,解决了汽车变速器急需解决的啸叫难题;扭转了汽车变速器测试台架主要依赖进口的局面。试验台既可实现单对齿轮又可以实现变速器总成传递误差的测量,可以模拟齿轮啮合错位量工况,使得传递误差测量结果更具实际意义,可以更有效指导齿轮修形设计,达到减振降噪目的。试验台角度测量精度1ʺ,加载扭矩最大20000Nm。汽车变速器齿轮试验测试装备(图源 国资委)ICP-MS技术是将ICP的高温电离特性与四极杆质谱计的灵敏快速扫描的优点相结合而形成一种新型的最强有力的元素分析、同位素分析和形态分析技术。该技术具有检出限低、动态线性范围宽、干扰少、分析精度高、速度快、可进行多元素同时测定等优异的分析性能,已从最初在地质科学研究的应用迅速发展到环境保护、半导体、生物、医学、冶金、石油、核材料分析等领域。电感耦合等离子体质谱仪(图源 国资委)分布式高精度应变、温度、振动光纤传感测试仪主要用途是为石油天然气管线、高速铁路、高速公路、电力输送线路等大型基础设施的状态监测与安全管理提供完整先进的分布式高精度应变、温度、振动光纤传感测试仪,显著提升相关大型基础设施的运营能力、安全管理水平与应急管理能力。其基于光栅阵列的新一代光纤传感技术具有网络容量大、探测精度高、传感距离长、响应速度快、可靠性好等方面的突出优点,可实现超大容量、超长距离、超高精度的应变、温度、振动传感监测。光纤分布式温度探测器(图源 国资委)附件:中央企业科技创新成果推荐目录(2020年版).doc
  • “死心眼”的技术“大拿”
    很多人说刘志军&ldquo 死心眼&rdquo 。美国、德国以及国内多家知名高端仪器制造企业先后多次向他许以高薪和优厚的条件让他&ldquo 跳槽&rdquo ,但他不为所动,仍坚定地选择留在马钢。每听到这些话,47岁的马钢技术中心检验技术研究所副所长、维修高级工程师刘志军总是一笑了之。   &ldquo 每个人都会对人生做出自己的选择。人的成长需要自身的努力,但如果没有老师、同事们的帮助,没有马钢的培养,就没有我今天小小的成就。我觉得,人不能只看个人利益,人要始终心存感激。而且,只要热爱,只要努力,平凡的岗位也能散热发光,也能找寻到体现价值的快乐。&rdquo 言为心声。如此看来,刘志军的&ldquo 傻&rdquo ,是源于感激和良心,是因为热爱和责任。时光就如流水,黑发已染秋霜。1991年,安徽宿州小伙刘志军怀揣着东北大学自动化系毕业证书走进了马钢。算一算,已经在马钢工作了整整25年。25年,他从一个初出茅庐的大学生成长为同事敬佩、业内折服的大型仪器维修&ldquo 大师级&rdquo 人才。   转变态度成为技术&ldquo 大拿&rdquo   刚到马钢时,组织分配刘志军做仪器维修工作。大学生当上了修理工,这让踌躇满志想要在科研天地里大展手脚的他有点失落。&ldquo 有一件事和一句话对我的人生态度产生了巨大影响,&rdquo 刘志军说。一次单位派他和主持仪器维修工作的一位老师到四川成都出差。走在大街上,这位老师突然兴奋地手舞足蹈,嘴里还不停地说:&ldquo 我知道了,我终于知道了。&rdquo 原来这位老师兴奋的原因是突然想到了一台仪器故障难题的破解方法。刘志军被老一辈工程技术人员这种忘我工作的精神深深地打动和感染。而另一位老师傅和他谈心时说的一句话成为他一生的座右铭:做人要知足,做事、学习要知不足。于是,他不再彷徨,立志要在仪器维修岗位上成就一番事业。   说起来容易,做起来很难。进口大型仪器技术含量高,工作原理复杂深奥。一台仪器就像一个&ldquo 黑匣子&rdquo ,破解其中的秘密非一日之功。对此,刘志军坚持向书本、操作人员、同行师傅学习,同时采取&ldquo 笨方法&rdquo 画出每个仪器元件、单元的实际连接图。遇到故障时,按图索骥。&ldquo 黑匣子&rdquo 逐渐变得&ldquo 透明&rdquo ,刘志军也逐渐成了技术&ldquo 大拿&rdquo 。   从&ldquo 大拿&rdquo 到&ldquo 大师&rdquo   从&ldquo 大拿&rdquo 到&ldquo 大师&rdquo ,不能仅靠按图索骥,还要主动担当、勇于创新,去为企业解难题、破&ldquo 瓶颈&rdquo 。在很多人看来,仪器维修过程枯燥乏味。但刘志军认为,只要热爱,其中也会有无穷的乐趣。2003年,技术中心从荷兰引进的XL-30扫描电镜放大器主板出了故障,急需维修。更换主板需要8万元,而且备用板要一个月后才能到货。对此,刘志军决定自主修复。但这个7层集成电路板上面有许多MOS芯片,动用烙铁很可能损坏芯片。他经过反复测量、模拟实验、仔细分析,最终查出故障是一个场效应管击穿引起的。最终,只更换了这个价值2元钱的场效应管后,仪器就恢复了正常。   2014年初,用于低温钢筋性能检测的zwick拉力试验机,夹持力达不到60吨的设定值。德国厂家多次派人前来维修,始终未能彻底修复。刘志军带领仪器维修组成员,下定决心要依靠自己的力量排除&ldquo 顽疾&rdquo 。他们挨个检查所有电子器件,测量电流、电压、检查液压系统、油路系统,进行了数百次的确认排查,终于诊断出故障是由液压油路系统导致。经过一系列处理,夹持力很快达到了设定值,&ldquo 老大难&rdquo 问题被他们解决了!   多年来,刘志军承担约44台价值不菲的进口大型仪器的维修工作,排除故障约300台次,修复集成电路板15块,修复油扩散泵和高压发生器等辅助设备5次,为公司节约维修费及备品备件费约300万元,而且为公司科研及生产检验的顺利开展提供了有力支撑。   目前,业内进口仪器厂家维修收费很高,一天最高收费1万元人民币,还不包括备件费用、来往路费及住宿费等。为此,刘志军在管理上推出了加强仪器巡检、点检与维护的制度,强调大型仪器&ldquo 操检合一&rdquo ;同时,大力开展传、帮、带,把自己的经验和技术与大家分享。在他的带领下,维修组的同志们整体技术水平提高得很快,几年来,大型仪器维修组每年排除仪器故障达400多台次,修复率达到99%,基本无外委维修。   25年来,刘志军心无旁鹜、任劳任怨,坚定地守望在高精密大型仪器的维修岗位上,实现了自己的诺言,成就了一番事业,赢得了广泛尊重。他两次被马钢公司党委授予优秀共产党员光荣称号,多次被马钢和中心评为优秀技术人员,并享受了马钢专家津贴。   &ldquo 马钢为我搭建了舞台,让我能体现价值、感受尊重,我有责任竭尽全力回馈马钢,为马钢创造更大的价值。&rdquo 刘志军简洁地阐述了他对今后大型仪器维修工作的思考。
  • 致力于半导体技术赋能生物医疗产业,直指三代DNA合成技术
    DNA合成领域的新兴企业「芯宿科技」宣布完成数千万元天使轮融资,本轮融资由峰瑞资本领投,嘉程资本跟投。“合成生物学”被认为即将推动“第三次生物科技革命”,是下一个千亿美元产业的孵化地。这个前沿学科自21世纪初兴起,在系统生物学基础上,结合了工程学思想与基因组测序、计算机模拟、化学合成技术等新技术,最终形成以重组或从重新合成新的、具有特定功能的人造生命为目标的,推动了生命科学由解读生命到编写生命的跨越。在国内,有能力涉足DNA合成行业的初创公司实属凤毛麟角;在全球,二代及三代DNA合成技术主要被TWIST等海外公司掌握。芯宿科技成立于2021年,将半导体技术应用于合成生物学,目标直指三代DNA合成技术。芯宿科技CEO赵昕博士表示:“DNA合成技术处于生物产业最上游,未来应用场景极为广泛,可应用于合成生物学、DNA存储、抗体药物筛选等诸多领域,DNA合成辐射超千亿美元市场。另一方面,免疫检测火热发展,临床诊断和科学研究,对免疫检测的灵敏度提出了更高的要求,比如ELISA再调高1000倍。可见,不论是DNA合成市场,还是免疫检测市场,都拥有巨大拓展潜力。但现有的DNA合成技术远远无法满足低成本、高通量和高准确度的要求。”国际上共同面临的挑战,是要把长链DNA合成成本降低下来。面对这个难题,芯宿科技的解决方案是利用硅芯片与微流控开发新一代DNA合成技术,硅芯片与微流控技术内在的小型化与高集成特性可提供超高通量与超高灵敏度,这将极大地降低长链DNA合成的成本,以满足合成生物学与DNA存储快速发展的需求。同时,利用同一技术平台,芯宿科技也在开发比传统检测方式灵敏度高2至3个数量级的数字免疫检测系统,以满足临床和生命科学研究中对低丰度蛋白质标志物的检测的要求。“当前企业处于研发阶段,将与科研院所及企业建立合作。有两种合作模式:针对大体量客户采用CRO模式,针对小体量客户则是销售打印机。”赵昕博士表示:“打印机设备是提高销售量最快的模式,很多二代DNA合成技术是做不了打印机的,芯宿科技能够跨越这个门槛,这也是我们的重要优势。”峰瑞资本创始合伙人李丰表示:“芯片和医疗是现在最热的两个领域,也是创新集中喷发的两个领域。在这两个领域的交叉节点,由MIT的年轻科学家来探索合成生物学和单分子检测的应用,我们非常看好。”芯宿科技的创始团队成员均为MIT博士,在半导体、微流控和生物科技等方面有十余年研究和开发的积累。联合创始人赵昕本科以第一名成绩毕业于北京大学物理学院,其后在MIT攻读博士,从事半导体工艺与器件研究,并入选国家级人才计划。赵昕在国际上首次设计并制备了世界上尺寸最小、跨导最高的垂直结构场效应管(MOSFET),被2017年国际元件与系统蓝图选为产业界未来二十年内最理想的场效应管,是下一代集成电路元器件最有力的竞争者之一。该器件技术发表40余篇论文(GoogleScholar引用700余次),工作受到世界多个顶尖科研小组的跟进(美国四院院士EliYablonovitch等)与高度评价(中国科学院黄如院士与郝跃院士等),其半导体器件研究成果被包括台积电、IBM、IMEC、Sematech、Lam Research与Oxford Instruments等在内的国际领先半导体公司采用,验证了创新技术转化为产品并且在产业上逐步落地的全过程。联合创始人吴丹毕业于MIT机械系,在超声影像、生化、细胞操控与微流控技术方面有超过10年的科研与产业经验,独立研发了用于检测脓毒症高通量,高灵敏度的POC免疫检测平台,该平台被诺华生物医学研究中心应用于监测CAR-TTherapy病人的细胞因子释放综合征。2021年,赵昕与吴丹从美国回到中国,联合创立芯宿科技。嘉程资本创始合伙人李黎表示:“合成DNA是合成生物学的基础,基于芯片的高通量合成难度很大,团队需要很强的交叉学科背景。”据了解,芯宿科技即将开展新一轮融资,目标融资额为5000-6000万元,倾向专注医疗或深科技的投资机构。2016年-2019年全球合成生物学领域投资情况,图源:Synbiobeta近年来,全球资本市场逐渐表现出对合成生物学产业的青睐。据Synbiobeta统计,2019年上半年全球65家合成生物学相关公司筹集资金达19亿美元的资金,行业发展十分迅猛。赛道上,国内先锐企业还有迪赢生物、蓝晶微生物等。峰瑞资本执行董事马睿表示:“作为新的智能基础设施,芯片+微流控往往能够为生物场景提供真正的高通量、超高灵敏的检测能力和高度集成的轻便硬件。芯宿科技创始团队均为MIT博士,在生物芯片、传感器、微流控系统、MEMS等的设计和制造领域有着多年工业经验和深厚的技术积累。非常看好公司利用新的生物芯片和半导体技术在合成生物学领域探索DNA高通量合成,以及在数字免疫领域推行蛋白质的单分子检测等应用的落地。”
  • 贝士德粉体测试仪器以专业先拔头筹
    粉体测试是粉体应用前必经的过程。随着粉体粒径的减小,其特性不仅取决于固体本身,而且还与表面原子状态有关,称其为表面效应 此外,当粉体的尺寸与光波波长、电子波长等特征物理尺度想当或更小时,周期性的边界条件将被破坏,声、光、电、磁、热力学等特征将会呈现出新的小尺寸效应。因此,粉体颗粒的尺寸对粉体的物理化学特性有重大的影响,从而决定着粉体在生产、生活应用中的好坏。随着纳米级别的粉体出现,以及纳米粉体在未来发展中的需求不断增加,也大大促进了粉体测试设备的改进与创新。   我国的粉体测试技术也随着需求的提高而快速发展。国产粉体测试仪器已经占领了国内市场的大部份份额。从市场占有率来看,我国的粉体设备从无到有发展到今天已经得到了长足的发展。   技术与设备的完美结合,才会创造出非凡的品牌。贝士德就是依靠着技术研发和创新,走出了一条辉煌之路。今天,贝士德的品牌已经享誉国内粉体行业。   ◆技术成就设备   2010年,国家知识产权局授权柳剑锋研发成果‘比表面仪U型样品管’、‘氮气浓度检测器’、‘具有原位吹扫功能的比表面仪’、‘气体恒温装置及比表面仪’、‘气体净化冷阱及比表面仪’等六项国家专利。   专利的诞生解决了粉体测试仪器在测量中的重大突破。例如‘比表面仪U型样品管’的诞生,方便的了使用中装填样品及使用后清洗,也有利于减小“紊流”效应,可以很好的提高测试精度 ‘氮气浓度检测器’专利的诞生使氮气分压检测精度提高数十倍,并且解决了流量法浓度监测器难以校准的问题,具有检测精度高、校准方便的特点 ‘具有原位吹扫功能的比表面仪’专利,通过原位吹扫装置,实现不用将样品管移出比表面仪的仪器主机,即可进行原位吹扫,操作更简洁 ‘气体恒温装置及比表面仪’专利,该气体恒温装置用在比表面仪中时,串联设置在该比表面仪样品管与检测器之间的气路中,提高了检测器检测的准确度 ‘气体净化冷阱及比表面仪’专利,该气体净化冷阱用在比表面仪中时,串联设置在比表面仪中气体进入样品管的气路中,使通过该冷凝管的气体中的杂质冷凝,从而最大限度的净化进入样品管被测试的气体。   专利的诞生离不开技术创新,贝士德公司的科研人员在经过了大量研究分析之后,成功获得六项国家专利。   ◆设备创造品牌   品牌的形成才能说明一个企业真正走上了发展壮大的道路。品牌是一个企业通过自身努力而得到的最好回报,品牌的力量是无穷的,价值也是无限量的。贝士德成功打造出贝士德品牌的产品,在用户当中口碑极佳。贝士德公司的3H-2000系列比表面及孔径分析仪分为动态和静态两大类,被广泛用于石墨、电池、稀土、陶瓷、氧化铝、化工等行业及高校粉体材料的研发、生产、分析、监测环节。   全自动智能运行的动态法3H-2000A/BET-A型系列仪器在2010年8月19日通过国家计量院的计量检测,证书编号为:HXwh2010-3491。   测试范围:测试范围广,可测定比表面积在0.01m2/g以上的范围内的物质,满足所有粉体物质及多孔物质比表面积的测试 样品类型:粉末,颗粒,纤维及片状材料等。测试精度: 测试精度高、重现性好。BET多点法、BET单点法、Langmuir多点法、测试相对误差小于±2% 固体标样参比法测试相对误差小于±1.5%。   全自动智能运行的静态法3H-2000PS系列仪器在2010年8月19日通过国家计量院的计量检测,证书编号为:HXwh2010-3538。   测试范围:比表面0.01m2/g以上,孔径0.35-500nm 样品类型:粉末,颗粒,纤维及片状材料等可装入样品管的材料。测试气体种类:N2,及其它吸附气体CO2,Ar,Kr,He等 测试精度:测试精度高、重现性好。重复性误差小于±2%。   ◆品牌铸就辉煌   经过多年的潜心研究与发展,贝士德公司在国内取得6项比表面积测试仪相关专利 以多项专利技术取得2009年新标准的北京科技园区高新技术企业资质 为通过ISO9001国际质量体系认证的生产性企业。   贝士德公司为动态色谱法比表面仪最高精度的创造者与保持者,同时也是是静态容量法吸附仪先进性和智能化的代表。作为国内知名品牌,3H-2000系列产品2000年进入市场,经过多年的不断研发创新,性能达到国内领先,国际先进水平,其中多项性能指标超越进口仪器,是国内高精度比表面仪的典范。   相信品牌的力量,相信贝士德。
  • 最新综述:热反射表征技术在宽禁带半导体领域应用进展
    近日,武汉大学工业科学研究院袁超课题组在国际权威期刊《Journal of Applied Physics》上,以“A review of thermoreflectance techniques for characterizing wide bandgap semiconductors‘ thermal properties and devices’ temperatures”为题总结讨论了热反射表征技术(Thermoreflectance techniques)在宽禁带半导体材料和器件领域的应用进展。随着宽禁带和超宽禁带半导体器件的功率日益增大,器件散热问题逐渐成为工业界的巨大挑战。半导体材料热物性是反映器件散热能力最直接的参数,而器件结温是评估热可靠性和寿命的关键参数,因此,热物性和结温检测成为宽禁带半导体器件研发和生产中不可缺少的环节。宽禁带半导体器件普遍由薄膜异质结构组成,薄膜尺寸几十纳米到几微米 ( 如图1),因此,要求热物性检测技术具有纳微米级分辨率。传统的检测方法如稳态热板法、瞬态热线法、激光闪射法等,都不能满足分辨率的要求。3-omega方法虽然达到了分辨率的要求,但是需要在材料表面进行复杂的微加工,使得测试流程复杂且对材料表面质量要求过高。另一方面,宽禁带半导体器件沟道尺寸小(亚微米级)且常常在高频工况下(GHz级)运行,要求结温测试方法需满足高空间分辨率和高时间分辨率。图1:几种典型的宽禁带器件结构:(a) 氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT) (b) 氧化镓场效应管(β-Ga2O3 FET) 以上典型结构说明器件内存在大量微纳结构和异质界面近几十年,以热反射(Thermoreflectance)为测试原理,国际上开发并发展了多种泵浦-探测热反射技术(Pump-probe thermorefletance), 实现了纳微米级分辨率测试能力,广泛应用于宽禁带半导体材料的热物性检测。基于相同原理,国际上同期开发了一种热反射成像技术(Transient thermoreflectance imaging),实现了纳秒级时间分辨率和纳米级空间分辨率的测温能力,同样广泛应用于宽禁带半导体器件的稳态和瞬态结温检测。本文重点介绍了热反射现象和原理,在此基础之上,总结和讨论了多种泵浦-探测热反射技术,包括时域热反射法(Time-domain thermoreflectance), 频域热反射法(Frequency-domain thermoreflectance), 瞬态热反射法(Transient thermoreflectance)和稳态热反射法(Steady-state thermoreflectance)。总结了这些方法针对常见宽禁带半导体材料的检测应用,包括氮化镓薄膜异质结构(GaN-based structure)、氧化镓薄膜异质结构(β-Ga2O3-based structure)、金刚石薄膜、合金材料(如钪掺氮化铝ScAlN, 铝掺氮化镓AlGaN)以及宽禁带二维材料(如六方氮化硼h-BN)等,并全面总结了所有材料的热物性报道值(部分结果见本报道图2,详细结果见全文)。本文还重点比较了不同泵浦-探测热反射技术的特点。在所有方法中,时域热反射法发展最早且较为成熟,当前应用较为广泛;而频域热反射法和瞬态热反射法因具有和时域热反射法相似的分辨率和测试精度,也逐渐被认可,且已实现了广泛应用。值得注意的是,瞬态热反射法(如图3),相比时域热反射法,搭建成本大幅度减低,测试分析速度更快,操作更为简便,因而具有在半导体产线上的应用潜力。另外,本文也总结讨论了热反射成像技术以及它在宽禁带器件测温方面的应用。图2:氮化镓薄膜的热导率报道值;全文中还详细总结了氮化镓异质结构、氧化镓异质结构、金刚石薄膜和宽禁带合金材料的热物性报道值(热导率、界面热阻)图3:传统的瞬态热反射法(TTR)系统示意图常规的泵浦-探测热反射技术和热反射成像技术需要借助金属薄膜进行测试。对于泵浦-探测热反射技术,在检测之前需在材料表面镀一层薄膜金属(如金、铝),使得材料破坏,属于破坏性检测;对于热反射成像技术,温度检测区域集中在器件金属电极,而不是器件沟道处,导致温度测试结果往往低估真实器件结温。本文介绍了近几年一些学者(包括袁超研究员)对传统泵浦-探测热反射技术的改进,发展了免金属镀膜的泵浦-探测热反射技术(Transducer-less thermoreflectance),以实现在氮化镓外延、硅等材料的无损测试,为材料研发提供快速反馈,提升研发和生产效率、降低成本,并有望为半导体产线提供实时监测,使“边生长,边观测,边调控”成为可能。此外,介绍了热反射沟道结温直接测试技术以及它在氮化镓HEMTs器件上的应用。图4:免金属镀膜的瞬态热反射法(TTR)系统示意图论文详情:Chao Yuan*, Riley Hanus, Samuel Graham, A review of thermoreflectance techniques for characterizing wide bandgap semiconductors thermal properties and devices temperatures, Journal of Applied Physics, 132(22):220701, 2022. 论文第一作者和通讯作者为袁超研究员,合作作者来自美国佐治亚理工学院的Riley Hanus博士和 美国马里兰大学的Samuel Graham教授。通讯作者简介袁超研究员长期从事宽禁带半导体热表征和热管理研究工作。曾先后加入英、美知名大学宽禁带研究团队从事科学研究。在薄膜尺度热反射表征方法、声子热输运理论、以及(超)宽禁带半导体器件设计等领域具有一定的技术优势和科研特色,并致力于开发半导体无损热检测装备。现承担多个国家/省部/国际合作级重大战略需求的纵向科研项目,在高影响力期刊上(包含 Materials Today Physics, Communications Physics,Appl. Phys. Lett.等)发表多篇论文。此外,长期和国内外知名半导体集成电路企业和机构合作。课题组主页:http://jszy.whu.edu.cn/yuanchao
  • 默克COD 测试仪套餐特价推出
    默克COD 测试仪套餐特价推出 为答谢新老用户对默克COD 测试方法以及相关仪器的厚爱和支持,值此国庆60 周年之际,默克特对以下水质分析产品进行特价大促销,勿失良机,欢迎来电来函咨询或订购: 可选配置一: Picco COD 单参数测试仪 全新的Picco COD 单参数测试仪为低价高性能的便携式水质分析仪,其可以对实验室或现场水样进行10-150,25-1500,500-10000mg/l 全量程COD 分析测试 TR320 消解器 基本型加热消解器,可同时消解12个样品,温度精度为1℃,可以对COD,总磷、总氮、总铬等总金属样品进行消解。 成套价格(元):1****.00 可选配置二: NOVA60A 多参数测试仪 功能强大的多参数水质分析系统,内置预制超过170条标准曲线,可对水中超过50 多个指标进行分析,包括常测的关键参数:COD,氨氮、硝氮、总氮、磷酸盐、总磷、铜、铁、硬度等 TR320 消解器 基本型加热消解器,可同时消解12 个样品,温度精度为1℃,可以对COD,总磷、总氮、总铬等总金属样品进行消解。 成套价格(元):3****.00 产品图片     可选试剂    预装管试剂            大包装试剂           特价(元) 量程一:10 - 150 mg/l  1.14540.0001   25 1.14538.0065 + 1.14682.0495 210 + 170   1450.00 量程二:25 - 1500mg/l  1.14541.0001   25 1.14538.0065 + 1.14539.0495 210 + 210   1350.00 量程三:0.50-10.00g/l   1.14555.0001   25 1.14679.0495 + 1.14680.0495 225 + 275    1850.00 上海恒奇仪器仪表有限公司 电话:021-51693889 传真:021-61304216
  • 国瑞力恒发布自动烟尘/气测试仪新品
    GR-3100型自动烟尘/气测试仪产品简介 GR3100型自动烟尘/气测试仪是依据国家检定规程JJG680-2007《烟尘采样器检定规程》JJG968-2002《烟气分析仪检定规程》,吸取国内外同类仪器之优点,由我公司研发人员精心研制的新一代智能型烟尘烟气测试仪,该机技术性能指标符合国家环保局颁布的烟尘烟气采样仪的有关规定,实现烟尘、烟气同机采样及检测,大大缩短现场工作时间。适用于各种锅炉、工业炉窑的烟尘排放浓度、折算浓度和排放总量的测定和各种锅炉、工业炉窑的SO2、NO、NO2、CO、CO2、H2S等有害气体的排放浓度、折算浓度和排放总量的测定及各类脱硫设备效率的测定主要特点l 主机内集成差压、微压传感器、微处理器、直流旋片泵,基于皮托管平行法等速采样原理,自动测量跟踪烟气流速等速采集烟尘。l 主机内集成温度传感器、压力传感器。能测量计算包括动压、静压、全压、烟气流速、干、湿球温度、含湿量、烟气排放量等在内的所有参数。l 选用进口贴片器件,可靠性高,故障率极低,仪器体积大大减小,携带方便。l 电化学传感器随同线路板一起设计,用户升级、更换简捷方便。l 自动选择存储监测数据,供查询、打印,信息量大。l 自动记忆上次输入的监测目标工况参数,下次开机自动采用。l 320×240点阵STN型液晶显示,自动背光照明。中文菜单显示人机对话方式,图文并茂,简单明了。用户可以凭借仪器丰富的在线操作提示,直接操作。液晶屏幕可前后0~180度自由旋转。l 通过键盘即可对仪器测量的各项参数进行标定。l 烟尘采样过程中,如果烟道负压较大,或取样孔开孔位置在水平烟道顶部时采样结束后滤筒中采集的烟尘易被倒吸出来,造成数据严重偏差。该仪器有特殊的功能来防止倒吸发生。l 烟尘烟气监测数据繁多,不同顾客不同测试目的对数据要求各异,该机具备选择打印项功能,顾客可以根据需求来选择要打印的数据。l 进行参数校正时您必须输入密码,以保证仪器内存数据安全。l 选配油烟取样管后,可满足GB18483-2001《饮食业油烟排放标准》中对油烟进行采样的要求。技术指标 参数范围分辨率误差采样流量5~ 80 L/min0.1 L/min≤±5%流量控制稳定性-30.00 ~+30.00 kPa0.01 kPa≤±4 %流量计前压力-40.00 ~0 .00kPa0.01 kPa≤±2.5 %流量计前温度-30.0 ~ 150.0℃0.1℃≤±2℃烟气温度0 ~ 500℃1℃≤±3℃大气压(60~130)kPa0.1 kPa≤±2.5 %含湿量(0~60)%0.1%≤±1.5%O2 (可选)(0 ~ 30)%0.1%示值误差:≤±5 %;重复性: ≤2 %;响应时间:≤60s; 传感器寿命:除CO2外空气中2年 SO2 (可选)(0~5700 )mg/m31 mg/m3 NO(可选)(0~1340) mg/m31 mg/m3NO2 (可选) (0~200 )mg/m3CO (可选)(0~5000)mg/m3H2S (可选)(0~300)mg/mCO2 (可选)(0~20)%采样泵负载能力≥30 L/min (阻力为-20kPa时)最da采样体积999999 .9 L0.1 L≤±5%外型尺寸310×170×310 mm仪器噪声功 耗100 W 创新点:GR3100型自动烟尘/气测试仪,实现烟尘、烟气同机采样及检测,大大缩短现场工作时间;选用进口贴片器件,可靠性高,故障率极低,仪器体积大大减小,携带方便;自动选择存储监测数据,供查询、打印,信息量大 烟尘采样过程中,如果烟道负压较大,或取样孔开孔位置在水平烟道顶部时采样结束后滤筒中采集的烟尘易被倒吸出来,造成数据严重偏差。该仪器有特殊的功能来防止倒吸发生. 自动烟尘/气测试仪
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