场效应管参数测试仪

BW-3022A晶体管直流参数测试系统一、产品基本信息（1）产品名称及用途产品名称：BWDT-3022A 晶体管直流参数测试仪产品用途：满足电子元器件静态直流参数测试需求（2）产品信息及规格环境产品信息产品型号：BWDT-3022A产品名称：晶体管直流参数测试仪；物理规格主机尺寸：深 305*宽 280*高 120(mm)主机重量：＜5Kg主机颜色：白色系电气环境 主机功耗：＜75W环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）相对湿度：≯85%； 大气压力：86Kpa～106Kpa防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz工作时间：连续；二、产品介绍 BWDT-3022A 型晶体管直流参数测试仪是专为测试电子元器件的直流参数而设计。 可测试三极管、MOS 场效应管、J 型场效应管、整流二极管、三端肖特基整流器、三端 电压稳压器和基准器 TL431，其良好的中文界面软件，简化了用户对 BWDT-3022A 的操 作和编程。测试条件和测试参数一次快捷设定，并存入 EEPROM 中。不需附加任何其它 软件，无需操作培训,就可操作该仪器. BWDT-3022A 为三极管、MOS 场效应管、J 型场效应管、二极管等提供了 15 种最主 要参数的测试，以及参数”合格/不合格”(OK/NO)测试，用户通过机器上的按键很容易的把 测试条件输入进去，并将参数存入 EEPROM 中，便于日后方便且快速的打开调用。三、产品特点※ 大屏幕液晶,中文操作界面,显示直观简洁,操作方面简单※ 大容量 EEPROM 存储器,储存量可多达 2000 种设置型号数.※ 全部可编程的 DUT 恒流源和电压源※ 内置继电器矩阵自动连接所需的测试电路,电压/电流源和测试回路※ 高压测试电流分辨率 1uA,测试电压可达 1500V※ 重复”回路”式测试解决了元件发热和间歇的问题※ 软件自校准功能※ 产品基于大规模微处理器,当用户选定了设置好的型号时,在手动测试时,按下测试 开关,使测试机开始执行功能检测,自动测试过程将在 BWDT-3022A 的测试座上检测 DUT 短路,开路或误接现象,如果发现,就立即停止测试。功能检测主要目的是保护被测器件DUT 不因型号选错而测坏※ DUT 的功能检测通过 LCD 显示出被测器件/DUT 的类型(三极管,MOS 场管等),引脚 排列(P_XXX)测试方式(手动/自动)并继续进行循环测试,显示测试结果是否合格,并有声光 提示※ 在测试整流二极管时,BWDT-3022A 能自动识别引脚功能,并自动转换矩阵开关进 行参数测试.测试后显示对应引脚功能号※ 两种工作模式1、自动模式：自动检测有无 DUT 放于测试座中,有则自动处于重复测试状态,无则处 于重复检测状态； 2、手动模式：（刚开始未测试时屏幕白屏属正常现象） 当测试开关按下后自动对测 试座中的 DUT 进行检测测试,长按开关不松开则处于重复测试状态,松开开关则自动停止测试四、测试种类及参数注释1、BJT/三极管(1)Vbe:Ib:表示测试三极管 VBE 压降时的输入电流.(2)Vce:Bv:表示测试三极管耐压 BVceo 时输入的测试电压.(3)Vce:Ir:表示测试三极管耐压 BVceo 时输入的测试电流.(4)HEF:Ic:表示测试三极管直流放大倍数的集电极电流.(5)HEF:Vce:表示测试三极管直流放大倍数的集电极电压(6)Vsat:Ib:表示测试三极管饱和导通压降时输入基极的电流.(7)Vsat:Ic:表示测试三极管饱和导通压降时输入集电极的电流.(8)Vb:表示三极管的输入压降 VBE.(9)VCEO:表示三极管的耐压(BVceo).(10)HEF:表示三极管的直流放大倍数(HEF).(11)Vsat:表示三极管的饱和导通压降(VCEsat).(12)TestModel:Auto :表示设置为自动识别测试.(13)TestModel:Manual :表示设置为手动测试.2、MOSFET/场效应管(1)Vth:ID:表示测试场效应管栅极启动电压(Vgs(th))的输入电流.(2)Vds:Bv:表示测试场效应管耐压(BVdss)时的测试电压.(3)Vds:Ir:表示测试场效应管耐压(BVdss)时的测试电流.(4)Rs:Vg:表示测试场效应管内阻(Rson)时加在栅极的电压.(5)Rs:ID:表示测试场效应管内阻(Rson)时的测试电流.(6)Vth:表示场效应管的启动电压(Vgs(th)).(7)Bvds:表示场效应管的耐压(BVdss).(8)Rs:表示场效应管的导通内阻(Rdson)(9)Igss:OG:表示测试场管输入端 G 极的电容漏电特性，该设置数据为延时时间数，利 用延时设定时间后 VGS 电压的保持量来测漏电特性。(10)Test:T:表示测试多少次后就停止测试。可设定到 9999 次。3、JFTE/结型场效应管(1)Ids:Vd 表示测试结型场效应管漏极饱和电流(Idss)加在 D 极和 S 极的电压(Vds)(2)Vds:Bv 表示测试结型场效应管耐压(BVdss)时的测试电压.(3)Vr:Ir 表示测试结型场效应管耐压(BVdss)时的测试电流.(4)Voff:Vd 表示测试结型场效应管阻断电压(Vgs(off))加在 D 极和 S 极的电压(Vds).(5)Voff:Id 表示测试结型场效应管阻断电压(Vgs(off))加在 D 和 S 的电流.(6)Is:表示结型场效应管的漏源饱和电流(Idss),在 GS=0V 的条件下测得.(7)Bvds:结型场效应管在关断时的击穿电压.(8)Vof:结型场效应管的阻断电压(VGS(off)).(9)gm:结型场效应管的跨导系数,即导通内阻的倒数.4、三端稳压 IC(1)Vo:Vi 表示测试三端稳压时的输入测试电压.(2)Vo:Vi 表示测试三端稳压时加在输出端的负载电流(3)Vo:表示三端稳压的输出电压数.5、基准 IC(1)Vz:Iz 表示测试基准 IC 时的输入测试电流.(2)Vz:表示基准 IC 的稳定电压数6、整流二极,三端肖特基整流器(1)VF:IF 表示测试三端肖特正向压降 VF 的测试电流.(2)Vr:Bv 表示测试三端肖特反向耐压(VRRM)的测试电压.(3)Ir:Fu 表示测试时反向漏电流参数是否要测，设大于 0 为开启该项参数。(4)Vr:Ir 表示测试三端肖特反向耐压(VRRM)的测试电流.(5)VF1:表示测试三端肖特正向压降 1. (5)VF2:表示测试三端肖特正向压降 BW-3022A测试技术指标：1、 整流二极管,三端肖特基:耐压(VRR)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-2%0-2.000mA导通正向压降(VF)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A2 、N型三极管输入正向压降(Vbe)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A耐压(Bvceo)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-5%0-2.000mA直流放大倍数(HEF)测试范围分辨率精度测试条件0-120001+/-2%0-2.000A(Ic) 0-20V(Vce)输出饱和导通压降(Vsat)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)3、P型三极管输入正向压降(Vbe)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A耐压(Bvceo)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-5%0-2mA直流放大倍数(HEF)测试范围分辨率精度测试条件0-30001+/-2%100uA(Ib) 5V(Vce)固定输出饱和导通压降(Vsat)测试范围分辨率精度测试条件0-2V2mV+/-2%0-2.000A(Ib) 0-2.000A(Ic)4、N,P型MOS场效应管输入启动电压(VGS(th))测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V20mV+/-2%0-2.000mA耐压(Bvds)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1500V2V+/-5%0-2mA导通内阻(Rson)测试范围分辨率精度测试条件0-9999MR0.1MR+/-5%0-20.00V(VGS)0-2.000A(ID)10R-100R0.1R+/-5%0-20.00V(VGS)0-2.000A(ID)5、三端稳压IC输出电压(Vo)测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V20mV+/-2%0-20.00V(VI)0-1.000A(IO)6、基准IC 431输出电压(Vo)测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V20mV+/-2%0-1A(Iz)7、结型场效应管漏极饱和电流(Idss)测试范围分辨率精度测试条件0-40mA40uA+/-2%0V(VGS)0-20V(VDS)40-400mA400uA+/-2%0V(VGS)0-20V(VDS)耐压(Bvds)测试指标测试范围分辨率精度测试条件0-1600V2V+/-5%0-2mA夹断电压(Vgs(off))测试范围分辨率精度测试条件0-20.00V0.2V+/-5%0-20V(VDS)0-2mA(ID)共源正向跨导(gm)测试范围分辨率精度测试条件0-99mMHO1mMHO+/-5%0V(VGS)0-20V(VDS)8、双向可控硅导通触发电流(IGT)测试范围分辨率精度测试条件0-40.00mA10uA+/-2%0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)导通触发电压(VGT)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mv+/-2%0-20.00V(VD) IT(0-2.000A)耐压(VDRM/VRRM)测试范围分辨率精度测试条件0-1500V2V+/-5%0-2.000mA通态压降(VTM)测试范围分辨率精度测试条件0-2.000V2mV+/-2%0-2.000A(IT)保持电流(IH)测试范围分辨率精度测试条件0-400mA0.2mA+/-5%0-400Ma(IT) 详见产品说明书。

分立器件测试仪主要技术参数分立器件测试仪系统主要技术参数列表如下： 主极电压 2000V(加选件可扩展至3300V)主极电流 50A(加选件可扩展到100A至2500A)控制极电压 20V(加选件可扩展到80V)控制极电流 10A(加选件可扩展到40A)电压分辨率 1mV电流分辨率 100pA(加选件可扩展到1pA)测试速度 5ms/参数3300V、2500A以上可订制可测试器件种类该系统是专为测试大功率半导体分立器件而设计。它具有十分丰富的编程软件和强大的测试能力，能够真实准确测试以下19个类型的半导体器件以及相关器件组成的组合器件、器件阵列：器件测试种类二极管DIODE稳压（齐纳）二极管ZENER晶体管TRANSISTOR(NPN/PNP)单向可控硅（普通晶闸管）SCR双向可控硅（双向晶闸管）TRIAC金属－氧化物－半导体场效应管MOSFET(N-CH/P-CH)结型场效应管JFET(N-CH/P-CH)三端稳压器REGULATOR(正电压／负电压，固定／可变）绝缘栅双极大功率晶体管IGBT(N-CH/P-CH)光电耦合器OPTO-COUPLER(NPN/PNP)达林顿阵列器件DARLINTON光电开关管OPTO-SWITCH继电器RELAY(A,B,C型）金属氧化物压变电阻MOV压变电阻VARISTOR智能功率模块IPM集成功率模块PIM

二极管反向恢复时间测试仪 一：主要特点A：测量多种二极管 B：二极管反向电流峰值≥100AC：二极管正向电流≥50AD：二极管反向电压分档设定Vr=0-100/0-400VE：二极管接反、短路开路保护F：示波器图形显示G：EMI/RFI屏蔽密封 H：同步触发输出端二：应用范围A：快恢复二极管 B：场效应管（Mosfet）内建二极管C：IGBT内建二极管 D：其他需要测量trr的二极管三：DI-50-400-III外观介绍 第三代产品，在第二代产品的基础上，增加了0~50V低压大功率二极管的兼容测量；二极管反向恢复时间测试仪面板介绍如图1所示，包括电源开关、电源指示灯、触发开关、触发指示灯、接反指示灯、正向电流调节、反向电压调节显示与档位选择、恢复电流斜率调节、示波器波形采集端、示波器同步信号输入端。四：DI-50-400测试仪参数类 型数 值单 位备 注反向恢复电流≥100AA峰值，取决于二极管反向电压0-100/0-400V分档正向电流≥50A峰值触发频率0.5Hz手动按下电源输入220VAC功耗小于30W

HUSTEC华科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT静态参数测试仪一：IGBT静态参数测试仪主要特点华科智源HUSTEC-1200A-MT电参数测试仪可用于多种封装形式的 IGBT测试，还可以测量大功率二极管 、IGBT模块，大功率 IGBT、大功率双极型晶体管，MOS管等器件的 V-I 特性测试，测试600A（可扩展至2000A），5000V以下的各种功率器件，广泛应用于轨道交通，电动汽车 ，风力发电，变频器，焊机行业的IGBT来料选型和失效分析，设备还可以用于变频器，风电，轨道交通，电焊机等行业的在线检修，无需从电路板上取下来进行单独测试，可实现在线IGBT检测，测试方便，测试过程简单，既可以在测试主机里设置参数直接测试，又可以通过软件控制主机编程后进行自动测试，通过电脑操作完成 IGBT 的静态参数测试；IGBT静态参数测试仪测试参数：ICES 集电极-发射极漏电流IGESF 正向栅极漏电流IGESR 反向栅极漏电流BVCES 集电极-发射极击穿电压VGETH 栅极-发射极阈值电压VCESAT 集电极-发射极饱和电压ICON 通态电极电流VGEON 通态栅极电压VF 二极管正向导通压降整个测试过程自动完成，电脑软件携带数据库管理查询功能，可生成测试曲线，方便操作使用。二：IGBT静态参数测试仪应用范围A：IGBT单管及模块，B：大功率场效应管（Mosfet）C：大功率二极管D：标准低阻值电阻E：轨道交通，风力发电，新能源汽车，变频器，焊机等行业筛选以及在线故障检测三、IGBT静态参数测试仪特征：A：测量多种IGBT、MOS管B：脉冲电流1200A，电压5KV，测试范围广；C：脉冲宽度 50uS~300uSD：Vce测量精度2mVE：Vce测量范围10V F：电脑图形显示界面G：智能保护被测量器件H：上位机携带数据库功能I：MOS IGBT内部二极管压降J : 一次测试IGBT全部静态参数K: 生成测试曲线（IV曲线直观看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）L:可以进行不同曲线的对比，观测同一批次产品的曲线状态，或者不同厂家同一规格参数的曲线对比；序号测试项目描述测量范围分辨率精度1VF二极管正向导通压降0~20V1mV±1%,±1mV2IF二极管正向导通电流0~1200A≤200A时,0.1A≤200A时,±1%±0.1A3＞200A时,1A＞200A时,±1%4Vces集电极-发射极电压0~5000V1V±1%,±1V5Ic通态集电极电流0~1200A≤200A时,0.1A≤200A时,±1%±0.1A6＞200A时,1A＞200A时,±1%7Ices集电极-发射极漏电流0~50mA1nA±1%,±10μA8Vgeth栅极-发射极阈值电压0~20V1mV±1%,±1mV9Vcesat集电极-发射极饱和电压0~20V1mV±1%,±1mV10Igesf正向栅极漏电流0~10uA1nA±2%,±1nA11Igesr反向栅极漏电流12Vges栅极发射极电压0~40V1mV±1%,±1mV华科智源静态参数测试系统针对 IGBT 的各种静态参数而研制的智能测试系统；自动化程度高（按照操作人员设定的程序自动工作），计算机可以记录测试结果，测试结果可转化为文本格式存储，测试方法灵活（可测试器件以及单个单元和多单元的模块测试），安全稳定（对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁），具有安全保护功能，测试速度方便快捷。

ST-SP 2002_5半导体管测试仪可测试 19大类27分类 大中小功率的 分立器件及模块的 静态直流参数（测试范围包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）主极输出 2000V / 50~1250A，分辨率高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能 ? 产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） ? 产品简述 产品扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。 设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。? 产品特点?测试范围广（19大类，27分类）?升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A?采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300us?被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏?真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导 ，其结果与器件实际值偏差很大）?系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排障?二极管极性自动判别功能，无需人工操作?IV 曲线显示 / 局部放大?程序保护电流/电压,以防损坏 ?品种繁多的曲线?可编程的数据点对应 ? 增加线性或对数?可编程延迟时间可减少器件发热 ?保存和重新导入入口程序?保存和导入之前捕获图象 ?曲线数据直接导入到 EXCEL?曲线程序和数据自动存入 EXCEL ? 测试能力序号测试器件测试参数01IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS02MOSFET / MOS场效应管 IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS03J-FET / J型场效应管IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04晶体管（NPN/PNP）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF05DIODE / 二极管IR；BVR ；VF06ZENER / 稳压、齐纳二极管IR；BVZ；VF；ZZ07DIAC / 双向触发二极管VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,08OPTO-COUPLER / 光电耦合ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)09RELAY / 继电器RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME10TRIAC / 双向可控硅VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-11SCR / 可控硅IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH12STS / 硅触发可控硅IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-13DARLINTON / 达林顿阵列ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON14REGULATOR / 三端稳压器Vout；Iin；15OPTO-SWITCH / 光电开关ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF16OPTO-LOGIC / 光电逻辑IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF17MOV / 金属氧化物压变电阻ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；18SSOVP / 固态过压保护器ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 19VARISTOR / 压变电阻ID+； ID-；VC+ ；VC-

雪崩能量测试仪参数雪崩能量测试仪参数 浪涌电流测试仪 IGBT测试仪 晶体管测试仪02-98-730-9001来电半导体分立器件作为在电力电子行业中应用*为广泛的基础元件，其性能表现对整个电子电路系统来讲十分重要。选择合适的分立器件就需要该器件能够承受电路中的电流，满足一定的雪崩耐量。 该测试系统主要用于 IGBT、FRD、MOS器件单脉冲及重复脉冲雪崩能量测试。测试电流 200A，电压 4500V，雪崩能量可达2000J。测试的电压和电流波形同时被采集到示波器，并由示波器与工控机直接通讯，将采集数据传输给计算机，计算机将测试数据以EXCEL表格形式显示并进行*终的编辑和打印。 ENX2020 雪崩耐量测试系统 功能指标： 配置 测试范围 测试参数 条件 范围 电压 1000V IGBTs 绝缘栅双极型晶体管 EAS/单脉冲雪崩能量 VCE 20V～4500V 20~100V±3%±1V 100~1000V±3%±5V 1000V~4500V±3%±10V 电流 200A MOSFETs MOS场效应管 EAR/重复脉冲雪崩能量 Ic 1mA～200A 1mA～100mA±3%±0.1mA 100mA～2A±3%±5mA 2A～200A±3%±50mA DIODEs 二极管 IAS/单脉冲雪崩电流 Ea 1J～2000J 1J～100J±3%±1J 100J～500J±3%±5J 500J～2000J±3%±10J PAS/单脉冲雪崩功率 IC检测 50mV/A（取决于传感器） 感性负载 10mH、20mH、40mH、80mH、160mH、 重复间隙时间 1~60s可调（步进1s） 重复次数：1~50次

高精度可控硅测试仪 ST-DC2000（250A）可测试 19大类27分类 大中小功率的 分立器件及模块的 静态直流参数（测试范围包括 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs/DIODEs/MOSFETs/BJTs/SCRs 等器件）主极输出 2000V / 50~1250A，分辨率*高至1mV / 10pA支持曲线扫描图示功能 ? 产品应用应用领域高精度可控硅测试仪适用于军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） ? 产品简述 高精度可控硅测试仪产品的扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。 设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。? 产品特点?高精度可控硅测试仪的测试范围广（19大类，27分类）?升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A?采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300us?被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏?真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导 ，其结果与器件实际值偏差很大）?系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排障?二极管极性自动判别功能，无需人工操作?IV 曲线显示 / 局部放大?程序保护*大电流/电压,以防损坏 ?品种繁多的曲线?可编程的数据点对应 ? 增加线性或对数?可编程延迟时间可减少器件发热 ?保存和重新导入入口程序?保存和导入之前捕获图象 ?曲线数据直接导入到 EXCEL?曲线程序和数据自动存入 EXCEL ? 测试能力序号测试器件测试参数01IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS02MOSFET / MOS场效应管 IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS03J-FET / J型场效应管IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04晶体管（NPN/PNP）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF05DIODE / 二极管IR；BVR ；VF06ZENER / 稳压、齐纳二极管IR；BVZ；VF；ZZ07DIAC / 双向触发二极管VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,08OPTO-COUPLER / 光电耦合ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)09RELAY / 继电器RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME10TRIAC / 双向可控硅VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-11SCR / 可控硅IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH12STS / 硅触发可控硅IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-13DARLINTON / 达林顿阵列ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON14REGULATOR / 三端稳压器Vout；Iin；15OPTO-SWITCH / 光电开关ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF16OPTO-LOGIC / 光电逻辑IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF17MOV / 金属氧化物压变电阻ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；18SSOVP / 固态过压保护器ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 19VARISTOR / 压变电阻ID+； ID-；VC+ ；VC-

西安厂商直供雪崩耐量测试仪ENX2020 雪崩耐量测试系统概述向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。西安易恩电气ENX2020 雪崩耐量测试系统，该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。规格/环境要求l 电压频率：50Hz±1Hzl 环境温度：15～40℃l 工作湿度：温度不高于+30℃时，相对湿度5%-80%。温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%，无冷凝。l 大气压力： 86Kpa～106Kpal 海拔高度：不超过3000米。l 尺 寸：800x800x1800mml 质 量：210KGl 工作电压：AC220V±10%无严重谐波l 系统功耗：320Wl 通信接口：USB RS232技术指标配置测试范围测试参数条件范围电压1000VIGBTs绝缘栅双极型晶体管EAS/单脉冲雪崩能量VCE20V-4500V20-100V±3%±1V100-1000V±3%±5V1000-4500V±3%±10V电流200AMOSFETsMOS场效应管EAR/重复脉冲雪崩能量Ic1mA-200A1mA-100mA±3%±0.1mA100mA-2A±3%±5mA2A-200A±3%±50mADIODEs二极管IAS/单脉冲雪崩电流Ea1J-2000J1J-100J±3%±1J100J-500J±3%±5J500J-2000J±3%±10JPAS/单脉冲雪崩功率IC检测50mV/A（取决于传感器）感性负载10mH、20mH、40mH、80mH、100mH重复间隙时间1-60s可调（步进1s）重复次数：1-50次

厂商直供高精度新型雪崩耐量测试仪ENX2020 雪崩耐量测试系统概述向半导体的接合部施加较大的反向衰减偏压时，电场衰减电流的流动会引起雪崩衰减，此时元件可吸收的能量称为雪崩耐量，表示施加电压时的抗击穿性。对于那些在元件两端产生较大尖峰电压的应用场合，就要考虑器件的雪崩能量，电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定，因此对于反激的应用场合，电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下，功率器件都会降额，从而留有足够的电压余量，但是一些电源在输出短路时，初级会产生较大的电流，加上初级电感，器件就会有雪崩损坏的可能，因此在这样的应用条件下，就要考虑器件的雪崩能量。另外，由于一些电机的负载是感性负载，而启动和堵转过程中会产生极高的冲击电流，因此也要考虑器件的雪崩能量。ENX2020雪崩耐量测试仪是本公司研发设计的测试IGBT、MOSFET、二极管雪崩耐量的专业测试设备，能够准确快速的测试出IGBT、MOSFET、、二极管的雪崩耐量。西安易恩电气ENX2020 雪崩耐量测试系统，该设备包括：可控直流电源、可选电感、电流传感器、电压传感器、雪崩保护电压、IGBT、MOSFET、二极管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二极管功率型器件保护电路、计算机控制系统、雪崩电压采集系统、雪崩电流采集系统、测试夹具、测试标准适配器、外接测试端口（根据客户需求）等多个部分。规格/环境要求电压频率：50Hz±1Hz环境温度：15～40℃工作湿度：温度不高于+30℃时，相对湿度5%-80%。温度+30℃到+50℃时相对湿度5%-45%，无冷凝。大气压力： 86Kpa～106Kpa海拔高度：不超过3000米。尺 寸：800x800x1800mm质 量：210KG工作电压：AC220V±10%无严重谐波系统功耗：320W通信接口：USB RS232技术指标配置测试范围测试参数条件范围电压1000VIGBTs绝缘栅双极型晶体管EAS/单脉冲雪崩能量VCE20V-4500V20-100V±3%±1V100-1000V±3%±5V1000-4500V±3%±10V电流200AMOSFETsMOS场效应管EAR/重复脉冲雪崩能量Ic1mA-200A1mA-100mA±3%±0.1mA100mA-2A±3%±5mA2A-200A±3%±50mADIODEs二极管IAS/单脉冲雪崩电流Ea1J-2000J1J-100J±3%±1J100J-500J±3%±5J500J-2000J±3%±10JPAS/单脉冲雪崩功率IC检测50mV/A（取决于传感器）感性负载10mH、20mH、40mH、80mH、100mH重复间隙时间1-60s可调（步进1s）重复次数：1-50次

ST-SP2000（1250A）轨道机车大功率IGBT器件静态参数测试仪轨道级大功率半导体模块 IGBTs / DIODEs / MOSFETs / BJTs / SCRs 静态参数测试仪主要用于轨道机车 变流器IGBT参数测试、筛选、配对主极输出 2000V / 1250A，分辨率*高至1mV / 10pA ? 产品应用应用领域军工院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车等所有的半导体器件应用产业链 ……主要用途? 测试分析（功率器件研发设计阶段的初始测试）? 失效分析（对失效器件进行测试，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案 ）? 选型配对（在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对）? 来料检验（研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率）? 产线自动化测试（可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） ? 产品简述 产品扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品种范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果,前面板的功能按键方便了系统操作。通过功能按键，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。 曲线追踪仪（晶体管图示仪）功能则是利用高速ATE测试步骤逐点生成曲线，可快速而准确地生成精确的数据点。数据增量是可编程的线性或对数，典型的每步测试时间为6到20ms。一个两百条数据点曲线通常只需几秒钟就能完成。使用该系列跟踪仪更容易获取诸如 Transistor hFE vs. IC, Transistor VCESAT vs. IB and MOSFETRDSvs. VGS 等曲线数据。此外， 针对多条曲线，设备可以根据每条曲线的数据运行并将所获数据自动发送到一个单独的 Excel 工作表。系统能够更快，更简洁的创建曲线（单击，双击，选择输入菜单，单击）。就是这么简单。 设备支持在单个 DUT 上运行高达 10 条不同曲线的能力，在运行过程中，每个图表都是可视的，每个数据集都被加载到一个被命名的 Excel 工作表中。系统运行速度快，可进行数据记录，提供更高级的数据工具箱，能够运行多条曲线并自动排序，自动将数据存入 Excel 表格，具有缩放功能，光标重新运行功能以及其他许多优点。 系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。? 产品特点?测试范围广（19大类，27分类）?升级扩展性强，通过选件可提高电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V,1250A?采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定的300us?被测器件引腿接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试, 保证被测器件不受损坏?真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导 ，其结果与器件实际值偏差很大）?系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排障?二极管极性自动判别功能，无需人工操作?IV 曲线显示 / 局部放大?程序保护*大电流/电压,以防损坏 ?品种繁多的曲线?可编程的数据点对应 ? 增加线性或对数?可编程延迟时间可减少器件发热 ?保存和重新导入入口程序?保存和导入之前捕获图象 ?曲线数据直接导入到 EXCEL?曲线程序和数据自动存入 EXCEL ? 测试能力序号测试器件测试参数01IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS02MOSFET / MOS场效应管 IDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS03J-FET / J型场效应管IGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04晶体管（NPN/PNP）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF05DIODE / 二极管IR；BVR ；VF06ZENER / 稳压、齐纳二极管IR；BVZ；VF；ZZ07DIAC / 双向触发二极管VF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,08OPTO-COUPLER / 光电耦合ICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)09RELAY / 继电器RCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME10TRIAC / 双向可控硅VD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-11SCR / 可控硅IDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH12STS / 硅触发可控硅IH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ；VPK-；VGSW+；VGSW-13DARLINTON / 达林顿阵列ICBO；ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES；BVCBO；BVEBO；hFE；VCESAT；VBESAT；VBEON14REGULATOR / 三端稳压器Vout；Iin；15OPTO-SWITCH / 光电开关ICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF16OPTO-LOGIC / 光电逻辑IR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF17MOV / 金属氧化物压变电阻ID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；18SSOVP / 固态过压保护器ID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 19VARISTOR / 压变电阻ID+； ID-；VC+ ；VC-

泰克Tektronix370A 晶体管测试仪TEK370A 泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪名称：泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪主要参数:半导体器件高精度测量-上限达2000V或电流到10A的源（370A/B）-上限到3000V（371A）-上限到220W（370A/B）-上限到400A（371A）-1nA的测量分辨率-上限到3000W（371A）-上限到2mV的测量分辨率（370A/B）-波形对比-包络显示-波形平均-点光标（370A）-Kelvin传感测量-全程控-MS-DOS兼容的软盘，方便设置参孝存储和调用交互式程-所有交互式程控测量是通过有鲜明特点的前面板或GPIB来完成的。使用几种存储方式，调整和存储操作参数，包括370A的非易失存储器、内置的MS-DOS兼容的软盘或到外部控制器。测试夹具-测试夹具是标准附件，它提供被测器件安全防护，以保护测量人员的安全。测试夹具适应标准的A1001，中间通过Kelvin传感的A1005适配器、无Kelvin传感的3芯适配器和A1023、A1024表面封装适配器。程控特性曲线图示仪高分辨率特性曲线图示仪，可应用到许多场合。370A能完成晶体管、闸流管、二极管、可控硅、场效应管、光电元件、太阳能电池、固态显示和其它半导体器件的直流参数特性的测试。-在研发实验室，用370A来完成新器件、SPIEC参数的提取、失败分析和产生数据报告这些具体的测试工作。应用-手动或自动进行半导体高分辨率DC参数测量-来料检查-生产测试-过程监视及质量控制-数据报告的生成-元件配对-失效分析-工程测试370A.jpg标签泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪，泰克Tektronix 370A 晶体管测试仪价格相关产品半导体测试仪半导体测试仪备注： 本公司十年专业销售、租赁、维修、回收二手仪器，公司货源广阔，绝大部分直接从国外引进，成色新，价格低，资金雄厚，库存充足，售前严格，售后快捷是我们的特点：致力于为客户提供更专业，方便，快捷的人性化服务是我们的宗旨；勇于创新，敢于探索是我们的优势；凡在我司购买的仪器免费送较准服务一年！-鹏庆电子

ACCULOGIC 飞针测试仪Acculogic先进的产品，FLS980系列飞针测试仪、ICT7000内部电路测试仪和ScanNavigator边界扫描测试套件，这些产品是先进的，可扩展的解决方案用来解决广泛的测试挑战。Acculogic系统可用来适应各种各样的应用和客户。我们高性能测试系统的核心是可以接受下一代测试的挑战。咨询请点击导航栏 联系方式，直接联系我们。右上角的 查看电话非我司电话，无法直接联系到我们。FLS980 Series III 产品特点全功能双边系统闭环AccuFastTM系统，最小1um的步进精度，正负10um定位重复性最高可配置22组闭环飞针可程序控制探针角度正负6度电测试能力强，包含模拟信号、数字信号、混合信号和边界扫描先进的激光、光学和热测量以及检视能力带电和功能测试（可至GHz频率范围）通过固定旋钉最高可至128个非复用测试通道潜伏开路探测逆向工程工具套件最大可支持32”x 38” (813 x 965 mm) 电路板测试入口不断缩小的部件尺寸和更密集的芯片级封装技术对测试工程师提出了新的挑战。传统上安装在pcb上的测试板正在从许多设计中消失，从而减少物理测试入口。. 为了迎接新的挑战，飞行探测器必须以良好的精度进行操作。FLS980采用高度可重复的闭环直线电机驱动器和类似于操纵杆的可变角度探头模块，实现了良好的物理探测，并保证了像01005s这样的小部件的可重复探测. FLS980在被测单元(UUT)的组件和焊点一侧提供双面探测和最多22个探头模块，以促进有效率的单次测试。精确高分辨率基准摄像机和激光考虑了翘曲因素，允许在X, Y和z平面的可测试板区域进行精确的板检测。精密闭环平面直线电机(shuttles)与AccuFastTM驱动系统(1微米最小步长，10微米定位重复性)独立移动探针模块和摄像机。探测模块利用等长度的同位探针接触UUT上的目标点。每个可变角度探测模块都可以从任意方向从0到6自动调整探测角度。结合独立的shuttle和探测模块(XYZ)运动，确保良好的测试点的可测性。现在，你可以依靠FLS980来测试板，即使它的布局、尺寸或技术，使传统的在线测试和其他飞针测试成为障碍。FLS980 系统架构确保重复性:Shuttles 和飞针模组由闭环控制，确保飞针位置的精度和重复性。 Shuttles留有20微米的气隙，在定子平面上无机械接触，无摩擦，无磨损运行。高分辨率的基准检测摄像机、精确的照明和先进的图像处理软件确保了基准标记的精确和高重复度的检测，以及对任何偏移量的正确补偿 。LaserScan 能测出板的翘曲。.电子测量系统依靠精密的电路和元件进行可靠、可重复的测量.IntegratorTM 系统 控制软件具有精密的运动控制和测量算法，确保稳定和可重复性操作探测角度印刷电路板的翘曲是SMT电路板装配、检验和测试过程中需要考虑的一个常见问题。在飞行探针测试中，板翘曲导致偏移而改变了目标点的物理位置。当探测角度为0度时，板曲不会造成探测误差，但随着探测角度的增大，探测误差也增大。使用15度探测角度在0.5毫米翘曲的板上不能可靠地探测到 0201器件的标准焊盘。将探测角度降低到3或4度可以减少与翘曲相关的不确定性，并得到可靠的探测。FLS980可变角度探测模块提供良好探测，任意方向从-6度倾斜至+6度，探针定向测试点，覆盖约60mm x 60mm的面积。随着探测角度的增加，探头滑移增加。探头滑移会损坏焊盘和过孔，并在板上留下不可接受的痕迹。探针模组类型:FLS980系统可以在顶部和底部配置最多22根飞针，以确保良好的测试覆盖率和较小测试时间。系统有三种类型的飞针模块可选：APM 800 先进型飞针模组，探测角度可编程。( 0 to +6°)BPM 700基本型飞针模组，探测角度固定 (+6°)VPM 600 (+0°) 垂直型飞针模组系统可配置多种可变角度和固定角度飞针模组.飞针驱动系统具有1微米最小步距、10微米定位重复性的定位分辨率，可在生产环境中可靠的探测100微米的目标尺寸。Acculogic公司将继续开发更高精度的飞针模组和识别系统，作为未来的升级.飞针模组规格:3D 可编程角度 : 0° to 6° (+6° 的固定角度的飞针)速度可编程飞针尖端半径: 50 μm – 500 μm尖端外形可选: 针状, 杯状, 圆顶型最大探测高度: 45mm最大元件高度: 85mm速度行探头的测试时间主要取决于测试步数和飞针运动的速度。短路测试消耗了很大部分测试时间。FLS980柔性测量系统提供了一系列的测试策略，包括边界扫描(JTAG)和NetScanTM，可以在不影响测试覆盖率和重复性的情况下显著减少测试时间。测量系统FLS980 s高速(高达1000测量/秒)模拟测量系统为所有22根飞针(顶部和底部)提供4线测量能力。所有飞针都可以作为分立和集成模拟数字器件中的驱动器、传感器或隔离和集成模拟/数字元件上的保护装置进行在线测试。模拟元件测试包括电阻、电容、电感、二极管、齐纳、晶体管、场效应管、晶闸管、光耦合器、开关、微调器、继电器、保险丝和连接器等。测试模式包括2线测试、4线测试(以及仅使用两个测试点的独特的准4线测试)。使用两组单独可用的刺激/测量资源进行开关测试。此外，可以使用电压测量模块对电压调节器和运算放大器进行通电测试。

Acculogic PCBA飞针测试仪Acculogic先进的产品，FLS980系列飞针测试机、ICT7000内部电路测试仪和ScanNavigator边界扫描测试套件，这些产品是先进的，可扩展的解决方案用来解决广泛的测试挑战。Acculogic系统飞针测试机可用来适应各种各样的应用和客户。我们高性能测试系统的核心是可以接受下一代测试的挑战。咨询请点击导航栏 联系方式，直接联系我们。FLS980 Series III 产品特点全功能双边系统闭环AccuFastTM系统，最小1um的步进精度，正负10um定位重复性最高可配置22组闭环飞针可程序控制探针角度正负6度电测试能力强，包含模拟信号、数字信号、混合信号和边界扫描先进的激光、光学和热测量以及检视能力带电和功能测试（可至GHz频率范围）通过固定旋钉最高可至128个非复用测试通道潜伏开路探测逆向工程工具套件最大可支持32”x 38” (813 x 965 mm) 电路板测试入口不断缩小的部件尺寸和更密集的芯片级封装技术对测试工程师提出了新的挑战。传统上安装在pcb上的测试板正在从许多设计中消失，从而减少物理测试入口。. 为了迎接新的挑战，飞行探测器必须以良好的精度进行操作。FLS980 飞针测试机采用高度可重复的闭环直线电机驱动器和类似于操纵杆的可变角度探头模块，实现了良好的物理探测，并保证了像01005s这样的小部件的可重复探测. FLS980在被测单元(UUT)的组件和焊点一侧提供双面探测和最多22个探头模块，以促进有效率的单次测试。精确高分辨率基准摄像机和激光考虑了翘曲因素，允许在X, Y和z平面的可测试板区域进行精确的板检测。精密闭环平面直线电机(shuttles)与AccuFastTM驱动系统(1微米最小步长，10微米定位重复性)独立移动探针模块和摄像机。探测模块利用等长度的同位探针接触UUT上的目标点。每个可变角度探测模块都可以从任意方向从0到6自动调整探测角度。结合独立的shuttle和探测模块(XYZ)运动，确保良好的测试点的可测性。现在，你可以依靠FLS980来测试板，即使它的布局、尺寸或技术，使传统的在线测试和其他飞针测试成为障碍。FLS980 系统架构确保重复性:Shuttles 和飞针模组由闭环控制，确保飞针位置的精度和重复性。 Shuttles留有20微米的气隙，在定子平面上无机械接触，无摩擦，无磨损运行。高分辨率的基准检测摄像机、精确的照明和先进的图像处理软件确保了基准标记的精确和高重复度的检测，以及对任何偏移量的正确补偿 。LaserScan 能测出板的翘曲。.电子测量系统依靠精密的电路和元件进行可靠、可重复的测量.IntegratorTM 系统 控制软件具有精密的运动控制和测量算法，确保稳定和可重复性操作探测角度印刷电路板的翘曲是SMT电路板装配、检验和测试过程中需要考虑的一个常见问题。在飞行探针测试中，板翘曲导致偏移而改变了目标点的物理位置。当探测角度为0度时，板曲不会造成探测误差，但随着探测角度的增大，探测误差也增大。使用15度探测角度在0.5毫米翘曲的板上不能可靠地探测到 0201器件的标准焊盘。将探测角度降低到3或4度可以减少与翘曲相关的不确定性，并得到可靠的探测。FLS980可变角度探测模块提供良好探测，任意方向从-6度倾斜至+6度，探针定向测试点，覆盖约60mm x 60mm的面积。随着探测角度的增加，探头滑移增加。探头滑移会损坏焊盘和过孔，并在板上留下不可接受的痕迹。探针模组类型:FLS980系统可以在顶部和底部配置最多22根飞针，以确保良好的测试覆盖率和较小测试时间。系统有三种类型的飞针模块可选：APM 800 先进型飞针模组，探测角度可编程。( 0 to +6°)BPM 700基本型飞针模组，探测角度固定 (+6°)VPM 600 (+0°) 垂直型飞针模组系统可配置多种可变角度和固定角度飞针模组.飞针驱动系统具有1微米最小步距、10微米定位重复性的定位分辨率，可在生产环境中可靠的探测100微米的目标尺寸。Acculogic公司将继续开发更高精度的飞针模组和识别系统，作为未来的升级.飞针模组规格:3D 可编程角度 : 0° to 6° (+6° 的固定角度的飞针)速度可编程飞针尖端半径: 50 μm – 500 μm尖端外形可选: 针状, 杯状, 圆顶型最大探测高度: 45mm最大元件高度: 85mm速度行探头的测试时间主要取决于测试步数和飞针运动的速度。短路测试消耗了很大部分测试时间。FLS980柔性测量系统提供了一系列的测试策略，包括边界扫描(JTAG)和NetScanTM，可以在不影响测试覆盖率和重复性的情况下显著减少测试时间。测量系统FLS980 s高速(高达1000测量/秒)模拟测量系统为所有22根飞针(顶部和底部)提供4线测量能力。所有飞针都可以作为分立和集成模拟数字器件中的驱动器、传感器或隔离和集成模拟/数字元件上的保护装置进行在线测试。模拟元件测试包括电阻、电容、电感、二极管、齐纳、晶体管、场效应管、晶闸管、光耦合器、开关、微调器、继电器、保险丝和连接器等。测试模式包括2线测试、4线测试(以及仅使用两个测试点的独特的准4线测试)。使用两组单独可用的刺激/测量资源进行开关测试。此外，可以使用电压测量模块对电压调节器和运算放大器进行通电测试。

Acculogic FLS980 飞针测试仪咨询请点击导航栏 联系方式，直接联系我们。Acculogic先进的产品，FLS980系列飞针测试仪、ICT7000内部电路测试仪和ScanNavigator边界扫描测试套件，这些产品是先进的，可扩展的解决方案用来解决广泛的测试挑战。Acculogic系统可用来适应各种各样的应用和客户。我们高性能测试系统的核心是可以接受下一代测试的挑战。FLS980 Series III 产品特点全功能双边系统闭环AccuFastTM系统，最小1um的步进精度，正负10um定位重复性最高可配置22组闭环飞针可程序控制探针角度正负6度电测试能力强，包含模拟信号、数字信号、混合信号和边界扫描先进的激光、光学和热测量以及检视能力带电和功能测试（可至GHz频率范围）通过固定旋钉最高可至128个非复用测试通道潜伏开路探测逆向工程工具套件最大可支持32”x 38” (813 x 965 mm) 电路板测试入口不断缩小的部件尺寸和更密集的芯片级封装技术对测试工程师提出了新的挑战。传统上安装在pcb上的测试板正在从许多设计中消失，从而减少物理测试入口。. 为了迎接新的挑战，飞行探测器必须以良好的精度进行操作。FLS980采用高度可重复的闭环直线电机驱动器和类似于操纵杆的可变角度探头模块，实现了良好的物理探测，并保证了像01005s这样的小部件的可重复探测. FLS980在被测单元(UUT)的组件和焊点一侧提供双面探测和最多22个探头模块，以促进有效率的单次测试。精确高分辨率基准摄像机和激光考虑了翘曲因素，允许在X, Y和z平面的可测试板区域进行精确的板检测。精密闭环平面直线电机(shuttles)与AccuFastTM驱动系统(1微米最小步长，10微米定位重复性)独立移动探针模块和摄像机。探测模块利用等长度的同位探针接触UUT上的目标点。每个可变角度探测模块都可以从任意方向从0到6自动调整探测角度。结合独立的shuttle和探测模块(XYZ)运动，确保良好的测试点的可测性。现在，你可以依靠FLS980来测试板，即使它的布局、尺寸或技术，使传统的在线测试和其他飞针测试成为障碍。FLS980 系统架构确保重复性:Shuttles 和飞针模组由闭环控制，确保飞针位置的精度和重复性。 Shuttles留有20微米的气隙，在定子平面上无机械接触，无摩擦，无磨损运行。高分辨率的基准检测摄像机、精确的照明和先进的图像处理软件确保了基准标记的精确和高重复度的检测，以及对任何偏移量的正确补偿 。LaserScan 能测出板的翘曲。.电子测量系统依靠精密的电路和元件进行可靠、可重复的测量.IntegratorTM 系统 控制软件具有精密的运动控制和测量算法，确保稳定和可重复性操作探测角度印刷电路板的翘曲是SMT电路板装配、检验和测试过程中需要考虑的一个常见问题。在飞行探针测试中，板翘曲导致偏移而改变了目标点的物理位置。当探测角度为0度时，板曲不会造成探测误差，但随着探测角度的增大，探测误差也增大。使用15度探测角度在0.5毫米翘曲的板上不能可靠地探测到 0201器件的标准焊盘。将探测角度降低到3或4度可以减少与翘曲相关的不确定性，并得到可靠的探测。FLS980可变角度探测模块提供良好探测，任意方向从-6度倾斜至+6度，探针定向测试点，覆盖约60mm x 60mm的面积。随着探测角度的增加，探头滑移增加。探头滑移会损坏焊盘和过孔，并在板上留下不可接受的痕迹。探针模组类型:FLS980系统可以在顶部和底部配置最多22根飞针，以确保良好的测试覆盖率和较小测试时间。系统有三种类型的飞针模块可选：APM 800 先进型飞针模组，探测角度可编程。( 0 to +6°)BPM 700基本型飞针模组，探测角度固定 (+6°)VPM 600 (+0°) 垂直型飞针模组系统可配置多种可变角度和固定角度飞针模组.飞针驱动系统具有1微米最小步距、10微米定位重复性的定位分辨率，可在生产环境中可靠的探测100微米的目标尺寸。Acculogic公司将继续开发更高精度的飞针模组和识别系统，作为未来的升级.飞针模组规格:3D 可编程角度 : 0° to 6° (+6° 的固定角度的飞针)速度可编程飞针尖端半径: 50 μm – 500 μm尖端外形可选: 针状, 杯状, 圆顶型最大探测高度: 45mm最大元件高度: 85mm速度行探头的测试时间主要取决于测试步数和飞针运动的速度。短路测试消耗了很大部分测试时间。FLS980柔性测量系统提供了一系列的测试策略，包括边界扫描(JTAG)和NetScanTM，可以在不影响测试覆盖率和重复性的情况下显著减少测试时间。测量系统FLS980 s高速(高达1000测量/秒)模拟测量系统为所有22根飞针(顶部和底部)提供4线测量能力。所有飞针都可以作为分立和集成模拟数字器件中的驱动器、传感器或隔离和集成模拟/数字元件上的保护装置进行在线测试。模拟元件测试包括电阻、电容、电感、二极管、齐纳、晶体管、场效应管、晶闸管、光耦合器、开关、微调器、继电器、保险丝和连接器等。测试模式包括2线测试、4线测试(以及仅使用两个测试点的独特的准4线测试)。使用两组单独可用的刺激/测量资源进行开关测试。此外，可以使用电压测量模块对电压调节器和运算放大器进行通电测试。

一、产品概述：霍尔效应测试仪是一种用于测量材料霍尔效应的仪器，主要用于评估半导体和导体的电学特性。该设备能够准确测量材料在外部磁场下的电导率、霍尔电压和载流子浓度等参数，广泛应用于材料科学和电子工程领域。二、设备用途/原理：设备用途霍尔效应测试仪主要用于半导体材料的研究与开发、电气元件的性能测试以及材料的电学特性评估。它帮助研究人员了解材料的载流子类型、浓度及迁移率，为新材料的设计和应用提供重要数据支持。工作原理霍尔效应测试仪的工作原理基于霍尔效应现象。当电流通过材料时，施加垂直于电流方向的磁场会在材料中产生霍尔电压。通过测量霍尔电压和已知的电流及磁场强度，仪器能够计算出材料的霍尔系数、载流子浓度和迁移率等电学参数。这一过程通常涉及精密的电流和磁场控制，以确保测量的准确性和重复性。三、主要技术指标：1. 系统功能：用于测量半导体材料的电阻率/电导率、流动性、散装/片状载体浓度、掺杂类型、霍尔系数、磁阻、垂直/水平阻力比的半导体高性能霍尔系统。模块化设计理念，允许轻松升，该系统适用于各种材料，包括硅和化合物半导体和金属氧化物膜等2. 该系统具有低电阻率和高电阻率测量功能，具有双重温度功能和一个可选的低温恒温器，可扩展该系统温度范围从90K到500K3. 方块电阻量程：10-4 Ω/sq ~ 106Ω/sq4. 载流子浓度量程：106 ~ 1021 cm-35. 载流子迁移率量程：1 ~ 107 cm6. 四个微调探针座，探针直接形成ohm接触，无需焊线或制作PCB板7. 大样品测量直径：25mm

西安厂家直供半导体分立器件测试系统EN-2005B功率器件综合测试系统系统特征测试范围广（19总大类，27分类）升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定300uS被测器件引脚接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试，确保被测器件不受损坏真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导，其结果与器件实际偏差很大）系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排除故障二极管极性自动判断功能，无需人工操作系统概述西安易恩电气 EN-2005B功率器件综合测试系统，设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果。前面板的小键盘方便了系统操作。通过小键盘，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。应用领域院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车检修等设备用途测试分析、器件选型 、筛选检验 、生产线自动批量测试等 技术指标主极电压: 10mV-2000V主极电流： 100nA-50A扩展电流： 100A、500A、1000A、1300A电压分辨率： 1mV电流分辨率： 1nA测试精度： 0.2%+2LSB测试速度： 0.5mS/参数系统功耗： 150w质 量： 35KG尺 寸： 450x570x280mm通信接口： RS232 USB工作温度： 25-40°C测试范围测试范围 / 测试参数序号测试器件测试参数01二极管DIODEIR；BVR ；VF02晶体管（NPN型/PNP型）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF03J型场效应管J-FETIGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04MOS场效应管 MOS-FETIDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS05双向可控硅TRIACVD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-06可控硅SCRIDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH07绝缘栅双极大功率晶体管IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS08硅触发可控硅STSIH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW-09达林顿阵列DARLINTONICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；VCESAT； VBESAT；VBEON10光电耦合OPTO-COUPLERICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)11继电器RELAYRCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME12稳压、齐纳二极管ZENERIR；BVZ；VF；ZZ13三端稳压器REGULATORVout；Iin；14光电开关OPTO-SWITCHICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF15光电逻辑OPTO-LOGICIR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF16金属氧化物压变电阻MOVID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；17固态过压保护器SSOVPID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 18压变电阻VARISTORID+； ID-；VC+ ；VC-19双向触发二极管DIACVF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

霍尔效应测试仪　　霍尔效应测试仪，是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。 Hall8800霍尔效应测试仪介绍　　该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。　　主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则　　仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。　　除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。　　Hall8800可说是一套功能强大、应用广泛的系统，再加上平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。　　目前广泛应有于半导体厂商。　　主要特点　　1、高精密度电流源　　输出电流之精确度可达2nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。　　2、高精密度电表　　使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。　　3、外型精简、操作简单　　外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。　　4、I-V曲线　　采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。　　5、单纯好用之操作画面　　使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。　　6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。　　技术参数　　磁场强度：0.65T/1T 　　常温和液氮温度(77K)下测量 　　输出电流：2nA-100mA 　　迁移率(cm2/Volt-sec):1-107　　阻抗:10-6 to 107　　载流子浓度(cm-3):107 - 1021　　样品夹具：　　Hall8800弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)；　　测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量)　　仪器尺寸(WxDxH)：260*220*180 mm　　仪器重量：6kg

芯朋微代理AP8022小功率开关电源芯片电源方案电源芯片AP8022内部集成有电流型PWM（脉冲宽度调制）控制器、固定频率为55KHz的振荡器和击穿电压为730V的高压功率场效应管。骊微电子代理的该电源芯片内部还集成有过热、过压、过流保护电路和用于电源启动的高压电流源。以AP8022为核心元件构成的开关电源具有输入电压适应范围宽（85-265V）、电源转换效率高、外围电路简捷、成本低廉等特点。AP8022引脚功能为：①、②脚内置场效应开关管源极，在电路板上接地端，③脚反馈输入端，④脚供电端，⑤-⑧脚接内部场效应开关管漏极。 AP8022小功率开关电源芯片工作原理 　　1.启动与振荡 　　开机后，220V交流市电经D1-D4桥式整流、C5、C2滤波，得到的约300V的直流电压，经过开关变压器TB1的初级①-②绕组直接送至IC1（AP8022）的⑤-⑧脚，IC1内部的启动电路、振荡电路得电后开始工作。振荡电路产生的振荡信号通过驱动电路使IC1内部场效应管进入开关状态，开关变压器TB1初级绕组①-②上产生感应电压，由于绕组间的电磁耦合，开关变压器TB1反馈绕组③-④产生的感应电压经D6整流、R10限流、C4滤波后得到的直流电压加到AP8022④脚，为AP8022内部电路提供正常工作所需的电压，维持开关电源的稳定工作。电源正常工作后，开关变压器次级各绕组产生高频脉冲电压分别经过整流、滤波后输出不同的电压，为主板各单元电路提供工作电源。 　　2.稳压控制 专用接收机开关电源稳压控制电路主要由光电耦合器UP1（817C）和可调三端稳压器IC2（TL431）等元件组成，稳压取样电压取自3.3V电源，经R5、R4分压加到TL431A控制端R。当因某种原因使开关电源次级输出电压升高时，TL431A的控制端R电压也随之升高，使TL431A的K端电压下降，光电耦合器UP1（817C）内的发光二极管发光增强，光敏三极管导通增强而内阻减小，AP8022③脚反馈端电压升高，该变化的电压值经AP8022内部电路处理后，控制内部振荡器输出的振荡脉冲宽度变窄，从而使内部场效应开关管的导通时间缩短，开关变压器次级输出电压随之下降，从而达到稳定输出电压的目的。当输出电压因某种原因降低时，稳压控制与上述过程相反。 　　3.保护电路 　　以电源管理芯片AP8022构成开关电源的过流保护、过压保护、过热保护均由AP8022内部电路完成。在AP8022外部的保护电路主要是由R1、C1、D5组成的消尖峰电路，在AP8022内部场效应开关管截止瞬间，吸收开关变压器TB1①-②绕组产生的尖峰脉冲电压，保护AP8022内部的场效应开关管不被过高的尖峰电压击穿。 　　4.输出电路 由AP8022构成开关电源的输出电路与其他类型开关电源没有太大的区别，输出电压组数取决于主板各单元电路对电源的需求，每一组电源输出电路都是由整流、滤波等基本元件构成。专用接收机开关电源输出排插标注输出电压为24V、5V、3.3V三组电源，但实际只输出24V、3.3V两组电源，原设计的电源电路部分元件省略。 骊微电子代理的AP8022小功率开关电源芯片被广泛用于：家电、电源、通讯、数码、玩具、灯饰、汽车电子、广播视听类等相关领域。

美国ST5300HX替代品易恩半导体分立器件测试系统如何EN-2005B功率器件综合测试系统系统特征测试范围广（19总大类，27分类）升级扩展性强，通过选件可提升电压电流，和增加测试品种范围。支持电压电流阶梯升级至2000V，1250A采用脉冲测试法，脉冲宽度为美军标规定300uS被测器件引脚接触自动判断功能，遇到器件接触不良时系统自动停止测试，确保被测器件不受损坏真正的动态跨导测试。（主流的直流方法测动态跨导，其结果与器件实际偏差很大）系统故障在线判断修复能力，便于应急处理排除故障二极管极性自动判断功能，无需人工操作系统概述西安易恩电气 EN-2005B功率器件综合测试系统，设备扩展性强，通过选件可以提高电压、电流和测试品质范围。在PC窗口提示下输入被测器件的测试条件点击即可完成测试任务。系统采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。面板显示装置可及时显示系统的各种工作状态和测试结果。前面板的小键盘方便了系统操作。通过小键盘，系统可以脱离主控计算机独立完成多种工作。系统提供与机械手、探针台、电脑的连接口，可以支持各种不同辅助设备的相互连接使用。应用领域院所、高校、半导体器件生产厂商、电源、变频器、逆变器、变流器、数控、电焊机、白色家电、新能源汽车、轨道机车检修等设备用途测试分析、器件选型 、筛选检验 、生产线自动批量测试等 技术指标主极电压: 10mV-2000V主极电流： 100nA-50A扩展电流： 100A、500A、1000A、1300A电压分辨率： 1mV电流分辨率： 1nA测试精度： 0.2%+2LSB测试速度： 0.5mS/参数系统功耗： 150w质 量： 35KG尺 寸： 450x570x280mm通信接口： RS232 USB工作温度： 25-40°C测试范围二极管DIODE，晶体管（NPN型/PNP型），J型场效应管J-FET，MOS场效应管 MOS-FET双向可控硅TRIAC，可控硅SCR，绝缘栅双极大功率晶体管IGBT，硅触发可控硅STS达林顿阵列DARLINTON，光电耦合OPTO-COUPLER，继电器RELAY，稳压、齐纳二极管ZENER三端稳压器REGULATOR，光电开关OPTO-SWITCH，光电逻辑OPTO-LOGIC，金属氧化物压变电阻MOV，固态过压保护器SSOVP，压变电阻VARISTOR，双向触发二极管DIAC

价格货期电议inTEST 热流仪搭配 Keysight 进行功率器件自动化高低温测试上海伯东美国 inTEST 热测产品搭配 Keysight 机台, 提供 IGBT, RF Device, MOSFET, Hi Power LED 等功率器件 -50℃ - 250℃ 自动化热测试解决方案. Keysight 机台完美兼容 inTEST 软件, 操作简单.功率器件高低温测试案例一:上海伯东美国 inTEST Thermal Plate HP289-PM 搭配 Keysight B1505A 或 B1506A, 完成室温至 250℃ 温度测试. 通用软件, 操作简单, 只需将待测器件放置在 Thermal Plate 上即可. 通过使用 inTEST 可能的减少长线缆导致的测试问题, 兼容接头将 Keysight 分析仪与 inTEST 热板连接在一起.上海伯东美国 inTEST HP289-PM 是一个温控平台, 可以与 Keysight B1505A 和 B1506A 功率器件分析仪联用. 该平台允许自动控制板温度, 从外壳环境温度到 250°C, 用于表征功率器件, 例如 IGBT 和 MOSFET.主要特点1. 自动温度循环2. 实时数据记录3. 动态 DUT 温度控制4. 本地和远程操作功率器件高低温测试案例二:inTEST ThermalStream 高低温冲击测试机搭配 B150XA 系统, 提供 -50℃~250℃ 的温度测试环境.测试时, 只需将待测功率器件放置在高低温测试机测试罩内即可. 如果未连接测试腔, 则测试器件可能会因热空气或冷凝水而损坏. 连接到测试设备和 Thermostream 的热防护罩解决了这个问题, 可进行准确. 可靠和可重复的温度特性测试.上海伯东美国 inTEST ThermalStream 热流仪搭配 Keysight B150XA 系统评估 -50°C 至+ 250°C 温度范围内的功率器件特性, 是半导体器件制造商中比较通用的测试手段, ThermoStream 具有快速的热循环和精确的温度控制,是高功率器件可靠性测试和表征的理想选择.主要特点1. 自动温度循环2. 实时数据记录3. 动态 (DUT) 温度控制4. 本地和远程操作5. 无霜测试环境6. 节能模式功率器件高低温测试案例三:某企业通过上海伯东推荐, 购入美国 ThermoStream ATS-710 高低温冲击测试机, 为 MOSFET \ MOS 管, 场效应管, TO 封装等器件提供 -50 至 +150 °C 快速的外部温度环境, 满足测试器件性能的要求.inTEST Thermal Plate 热台 (环境温度至 +250°C) 和 ThermoStream (-50 至 +250°C) 可满足高温和极低温测试的需求. 两种温度测试都具有温度自动循环, 数据记录和远程通信功能.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 请联络上海伯东叶女士,分机107现部分品牌诚招合作代理商, 有意向者欢迎联络上海伯东 叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

安捷伦B1505替代品易恩晶体管特性曲线图示仪如何EN-2005C 功率器件综合测试系统系统概述西安易恩电气 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。本系统使用方便，只需要通过USB或者RS232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。系统软件支持器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上USB接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成，具有全屏显示和增强型编辑帮助。一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下，输入所选器件系列名称和测试类型，并选择所需测试的参数，而不必具有专业计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间，非常快捷方便。概述EN-2005C测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制，达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下，这些源与条件负载按照条件准确的连接，其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。测试系统特点IV曲线显示/局部放大，程序保护电流/电压,以防损坏，品种繁多的曲线，可编程的数据点对应，增加线性或对数，可编程延迟时间可减少器件发热，保存和重新导入入口程序，保存和导入之前捕获图象，曲线数据直接导入到EXCEL，曲线程序和数据自动存入EXCEL，程序保护电流/电压,以防损坏，测试范围广（19总大类，27分类）系统规格及技术指标 主极电压： 1mV-2000V电压分辨率： 1mV主极电流： 0.1nA-50A扩展电流： 100A电流分辨率： 0.1nA测试精度： 0.2%+2LSB测试速度： 0.5mS/参数工作温度： 25℃--40℃工作湿度： 45%--80%贮存湿度： 10%--90%工作电压： 200v--240v电源频率： 47HZ--63HZ通信接口： RS232 USB系统功耗： 150w设备尺寸： 450mm×570mm×280mm质 量： 35KG测试范围二极管DIODE，晶体管（NPN型/PNP型），J型场效应管J-FET，MOS场效应管 MOS-FET双向可控硅TRIAC，可控硅SCR，绝缘栅双极大功率晶体管IGBT，硅触发可控硅STS达林顿阵列DARLINTON，光电耦合OPTO-COUPLER，继电器RELAY，稳压、齐纳二极管ZENER三端稳压器REGULATOR，光电开关OPTO-SWITCH，光电逻辑OPTO-LOGIC，金属氧化物压变电阻MOV，固态过压保护器SSOVP，压变电阻VARISTOR，双向触发二极管DIAC

HMS-7000 光电霍尔效应测试仪相比于传统的变温霍尔效应测试仪，变温光模霍尔效应测试仪可以通过改变照射在样品上的不同波长范围的光源（红、绿、蓝光源），得出载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数等半导体电学重要参数随光源强度变化的曲线。 光学模块 通过HMS-7000主机及霍尔效应测试仪软件控制光源及马达自动完成测试，并绘制出载流子浓度、迁移率、电阻率及霍尔系数随光源强度变化的曲线如下：

本仪器配合金硅面垒半导体探测器，在室温条件下可与有关插件配成α谱仪。它用N沟道场效应管作为输入管，提高系统的信噪比，减小信号经电缆传送时外界干扰的影响，它的输出信号幅度正比于输入电流对时间的积分，即输出的信号幅度和探测器输出的总电荷成正比。

主要应用：薄膜晶体管(TFT)器件,有机薄膜晶体管(OTFT)器件,氧化物TFT,FET...传输特性曲线输出特性曲线寿命评价和老化测试主要测试模式：单通道，多通道，标准模式，热应力模式，光应力模式 主要测试项目：场效应迁移率、饱和迁移率、开关比、阈值电压、子阈值摆动斜率...

EN-2005C 功率器件综合测试系统（大功率晶体管特性曲线图示仪）系统概述西安易恩电气 EN-2005C是一款很具有代表性的新型半导体晶体管图示系统，本系统可自动生成功率器件的I-V曲线，也可根据客户的实际需求设置功能测试，直接读取数显结果。系统在失效分析，IQC来料检验及高校实验室等部门有广泛的应用。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立，保证了数据的准确可靠。系统典型的测试时间是6 to 20ms,通常上百个数据点曲线只需要几秒钟时间便可以展现出来，数据捕获的曲线可导入EXCEL等格式进一步分析研究，是一款高效多功能的高端半导体测试设备。本系统使用方便，只需要通过USB或者RS232与电脑连接，通过电脑中友好的人机界面操作，即可完成测试。并可以实现测试数据以EXCEL和WORD的格式保存。系统提供过电保护功能，门极过电保护适配器提供了广泛的诊断测试。这些自我测试诊断被编成测试代码,以提供自我测试夹具,在任何时间都可以检测。对诊断设备状态和测试结果提供了可靠地保证。系统软件支持器件测试程序的生成是通过在一台运行系统为Windows或WindowsNT的PC机上USB接口程序实现的。该程序提供快速的器件测试程序生成，具有全屏显示和增强型编辑帮助。 一种填空式编程方法向用户提供简明、直观的使用环境。操作人员只需在提示下，输入所选器件系列名称和测试类型，并选择所需测试的参数，而不必具有专业计算机编程语言知识。完成一个器件的测试程序编制只需几分钟的时间，非常快捷方便。概述EN-2005C测试系统通过PC机对其内部功率源、测试施加条件、测试具体线路进行控制，达到对器件进行测试的目的。在一定的测试条件下，这些源与条件负载按照条件准确的连接，其中包含了大量的负载、转换功率源和所要求的外部测试线路。测试系统特点 IV曲线显示/局部放大 程序保护电流/电压,以防损坏 品种繁多的曲线 可编程的数据点对应 增加线性或对数 可编程延迟时间可减少器件发热 保存和重新导入入口程序 保存和导入之前捕获图象 曲线数据直接导入到EXCEL 曲线程序和数据自动存入EXCEL 程序保护电流/电压,以防损坏测试范围广（19总大类，27分类）系统规格及技术指标主极电压： 1mV-2000V电压分辨率： 1mV主极电流： 0.1nA-50A扩展电流： 100A电流分辨率： 0.1nA测试精度： 0.2%+2LSB测试速度： 0.5mS/参数工作温度：25℃--40℃ 工作湿度：45%--80% 贮存湿度：10%--90% 工作电压：200v--240v 电源频率：47HZ--63HZ 通信接口：RS232 USB 系统功耗：150w设备尺寸：450mm×570mm×280mm质 量： 35KG 测试范围测试范围 / 测试参数序号测试器件测试参数01二极管DIODEIR；BVR ；VF02晶体管（NPN型/PNP型）ICBO；ICEO；ICER； ICES； ICEV；IEBO；BVCEO ；BVCBO；BVEBO；HFE；VCESAT；VBESAT；VBE(VBEON)；RE；VF03J型场效应管J-FETIGSS；IDOFF；IDGO；BVDGO；BVGSS；VDSON，VGSON；IDSS；GFS；VGSOFF04MOS场效应管 MOS-FETIDSS；IDSV；IGSSF； IGSSR；VGSF；VGSR；BVDSS；VGSTH；VDSON、VF(VSD) IDON；VGSON；RDSON；GFS05双向可控硅TRIACVD+；VD-；VT+ ； VT-；IGT；VGT ；IL+；IL-；IH+；IH-06可控硅SCRIDRM；IRRM；IGKO；VDRM；VRRM；BVGKO；VTM；IGT；VGT；IL；IH07绝缘栅双极大功率晶体管IGBTICES；IGESF；IGESR；BVCES；VGETH；VCESAT；ICON；VGEON；VF；GFS08硅触发可控硅STSIH+； IH-；VSW+ ； VSW-；VPK+ ； VPK-；VGSW+；VGSW-09达林顿阵列DARLINTONICBO； ICEO；ICER；ICES；ICEX；IEBO；BVCEO；BVCER；BVCEE；BVCES ；BVCBO；BVEBO；hFE ；VCESAT； VBESAT；VBEON10光电耦合OPTO-COUPLERICOFF、ICBO；IR；BVCEO；BVECO；BVCBO；BVEBO；CTR；HFE；VCESAT； VSAT；VF(Opto-Diode)11继电器RELAYRCOIL；VOPER；VREL；RCONT；OPTIME； RELTIME12稳压、齐纳二极管ZENERIR；BVZ；VF；ZZ13三端稳压器REGULATORVout；Iin；14光电开关OPTO-SWITCHICOFF；VD；IGT；VON；ION ；IOFF15光电逻辑OPTO-LOGICIR；VF；VOH；VOL；IFON； IFOFF16金属氧化物压变电阻MOVID+ ID-；VN+； VN-；VC+ ；VCLMP-；VVLMP+ ；17固态过压保护器SSOVPID+ ID-；VCLAMP+, VCLAMP-；VT+、VT-；IH+、IH-；；IBO+ IBO-；VBO+ VBO-；VZ+ VZ- 18压变电阻VARISTORID+； ID-；VC+ ；VC-19双向触发二极管DIACVF+,VF-,VBO+,VBO-,IBO+,IBO-,IR+,IR-,

特点：用半导体金属氧化物场效应管代替电子管的固态射频发生器，是国内第一代ICP光谱仪的最新产品。体积小，重量轻（主机重：150kg），寿命长，噪声低，偶合效率高，功率输出稳定性0.1% ,大大提高分析精密度。高性能、高分辨、高灵敏度低噪声的充氩气分光器。 采用精密质量流量计，使载气流量得到精确控制，大大提高分析精密度置。仪器整体为紧凑型台式结构，造型新颖、操作方便。去掉仪器前面板的操作按钮，所有操作由计算机控制完成，并由CRT屏幕显示。仪器附有各种自动保护装置，比如：断水，断气，过流，过热，防止炬管烧熔等保护。技 术 参 数射频发生器(RF)：电路类型：他激式，由两支金属氧化物场效应管MOSFET管组成的推挽放大电路工作频率：27.12MHz±0.05%最大功率输出：1200W 点火功率: ≤700W 输出功率稳定性：≤0.1%电磁场泄漏强度：距机身750px处，电场强度E2V/m 进样装置：输出工作线圈：内径25mm、3匝炬管：三同心型石英炬管，外径20mm雾化器：同心型Meinhard式雾化器，外径6mm雾室：双筒型雾化室，外径34mm（5）氬气流量计与载气压力表规格等离子气流量计：100-1000L/h(1.6-16L/min)辅助气流量计： 10-100L/h (0.16-1.66L/min)载气流量计： 采用质量计并由计算机控制，(0-5L/min)分辨率0.02L/min载气稳压阀： 0-0.4MPa 分光器:光路：Czerny-Turner装置焦距：750mm光栅规格：离子刻蚀全息光栅，刻线面积：80×110mm 刻线数：3600线/mm(用户可选用刻线面积：80×110mm 刻线数为2400线/mm )分辨率：0.012nm波长测量范围： 光栅3600线/mm波长测量范围：180-500nm光栅2400线/mm波长测量范围：180-800nm步进电机驱动最小步距：0.0006nm出射、入射狭缝：20μm反射镜规格：(78×105×16)mm透镜Φ30mm、1:1成像分光器充氩气后，分析谱线可选用190nm谱线 测光装置：光电倍增管规格：R212UH或R928电倍增管负高压：200-1000V 稳定性0.05%光电倍增管电流测量范围：10-4-10-9A 信号采集方式：V/F转换 1mv对应100Hz 整机技术指标：测量波长范围：180-500nm分辨率：≤0.01nm 测量精度相对标准差RSD：≤1.5% 测量稳定性相对标准偏差RSD：≤2% 进样方式：蠕动泵进样。

ACCULOGIC 飞针测试机Acculogic先进的产品，FLS980系列飞针测试仪、ICT7000内部电路测试仪和ScanNavigator边界扫描测试套件，这些产品是先进的，可扩展的解决方案用来解决广泛的测试挑战。Acculogic系统可用来适应各种各样的应用和客户。我们高性能测试系统的核心是可以接受下一代测试的挑战。咨询请点击导航栏 联系方式，直接联系我们。FLS980 Series III 产品特点全功能双边系统闭环AccuFastTM系统，最小1um的步进精度，正负10um定位重复性最高可配置22组闭环飞针可程序控制探针角度正负6度电测试能力强，包含模拟信号、数字信号、混合信号和边界扫描先进的激光、光学和热测量以及检视能力带电和功能测试（可至GHz频率范围）通过固定旋钉最高可至128个非复用测试通道潜伏开路探测逆向工程工具套件最大可支持32”x 38” (813 x 965 mm) 电路板测试入口不断缩小的部件尺寸和更密集的芯片级封装技术对测试工程师提出了新的挑战。传统上安装在pcb上的测试板正在从许多设计中消失，从而减少物理测试入口。. 为了迎接新的挑战，飞行探测器必须以良好的精度进行操作。FLS980采用高度可重复的闭环直线电机驱动器和类似于操纵杆的可变角度探头模块，实现了良好的物理探测，并保证了像01005s这样的小部件的可重复探测. FLS980在被测单元(UUT)的组件和焊点一侧提供双面探测和最多22个探头模块，以促进有效率的单次测试。精确高分辨率基准摄像机和激光考虑了翘曲因素，允许在X, Y和z平面的可测试板区域进行精确的板检测。精密闭环平面直线电机(shuttles)与AccuFastTM驱动系统(1微米最小步长，10微米定位重复性)独立移动探针模块和摄像机。探测模块利用等长度的同位探针接触UUT上的目标点。每个可变角度探测模块都可以从任意方向从0到6自动调整探测角度。结合独立的shuttle和探测模块(XYZ)运动，确保良好的测试点的可测性。现在，你可以依靠FLS980来测试板，即使它的布局、尺寸或技术，使传统的在线测试和其他飞针测试成为障碍。FLS980 系统架构确保重复性:Shuttles 和飞针模组由闭环控制，确保飞针位置的精度和重复性。 Shuttles留有20微米的气隙，在定子平面上无机械接触，无摩擦，无磨损运行。高分辨率的基准检测摄像机、精确的照明和先进的图像处理软件确保了基准标记的精确和高重复度的检测，以及对任何偏移量的正确补偿 。LaserScan 能测出板的翘曲。.电子测量系统依靠精密的电路和元件进行可靠、可重复的测量.IntegratorTM 系统 控制软件具有精密的运动控制和测量算法，确保稳定和可重复性操作 探测角度印刷电路板的翘曲是SMT电路板装配、检验和测试过程中需要考虑的一个常见问题。在飞行探针测试中，板翘曲导致偏移而改变了目标点的物理位置。当探测角度为0度时，板曲不会造成探测误差，但随着探测角度的增大，探测误差也增大。使用15度探测角度在0.5毫米翘曲的板上不能可靠地探测到 0201器件的标准焊盘。将探测角度降低到3或4度可以减少与翘曲相关的不确定性，并得到可靠的探测。FLS980可变角度探测模块提供良好探测，任意方向从-6度倾斜至+6度，探针定向测试点，覆盖约60mm x 60mm的面积。随着探测角度的增加，探头滑移增加。探头滑移会损坏焊盘和过孔，并在板上留下不可接受的痕迹。探针模组类型:FLS980系统可以在顶部和底部配置最多22根飞针，以确保良好的测试覆盖率和较小测试时间。系统有三种类型的飞针模块可选：APM 800 先进型飞针模组，探测角度可编程。( 0 to +6°)BPM 700基本型飞针模组，探测角度固定 (+6°)VPM 600 (+0°) 垂直型飞针模组系统可配置多种可变角度和固定角度飞针模组.飞针驱动系统具有1微米最小步距、10微米定位重复性的定位分辨率，可在生产环境中可靠的探测100微米的目标尺寸。Acculogic公司将继续开发更高精度的飞针模组和识别系统，作为未来的升级.飞针模组规格:3D 可编程角度 : 0° to 6° (+6° 的固定角度的飞针)速度可编程飞针尖端半径: 50 μm – 500 μm尖端外形可选: 针状, 杯状, 圆顶型最大探测高度: 45mm最大元件高度: 85mm速度行探头的测试时间主要取决于测试步数和飞针运动的速度。短路测试消耗了很大部分测试时间。FLS980柔性测量系统提供了一系列的测试策略，包括边界扫描(JTAG)和NetScanTM，可以在不影响测试覆盖率和重复性的情况下显著减少测试时间。测量系统FLS980 s高速(高达1000测量/秒)模拟测量系统为所有22根飞针(顶部和底部)提供4线测量能力。所有飞针都可以作为分立和集成模拟数字器件中的驱动器、传感器或隔离和集成模拟/数字元件上的保护装置进行在线测试。模拟元件测试包括电阻、电容、电感、二极管、齐纳、晶体管、场效应管、晶闸管、光耦合器、开关、微调器、继电器、保险丝和连接器等。测试模式包括2线测试、4线测试(以及仅使用两个测试点的独特的准4线测试)。使用两组单独可用的刺激/测量资源进行开关测试。此外，可以使用电压测量模块对电压调节器和运算放大器进行通电测试。

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg

台湾SWIN公司生产的霍尔效应测试仪 (Hall Effect Measurement System)是性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪，在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知名度。本仪器轻巧方便，易于携带，主要用于量测电子材料之重要特性参数，如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等，薄膜或体材料均可，其原理主要依据范德堡法则。 除了用来判断半导体材料之型态(n或p)以外，它也可应用于LED磊晶层的质量判定，也可以用来判断在HEMT组件中二维电子气是否形成，此未还可以用于太阳能电池片的制程辅助。 Hall8686可说是一套功能强大、应用广泛的系统，Hall8686是在Hall8800的基础上增加了温度控制的功能，成为部分高端科研客户的理想选择。SWIN一直秉承平实的价格， 相信必能受到各界用户之肯定与爱用。目前广泛应有于台湾半导体厂商。主要特点1、高精密度电流源 输出电流之精确度可达1nA，如此微小之电流可用于半绝缘材料之量测，即高电阻值材料之量测。 2、高精密度电表 使用超高精度电表，电压量测能力可达nV等级，上限可达300V，极适合用于量测低电阻值材料。 3、外型精简、操作简单 外型轻巧、美观大方，磁铁组之极性更换也很灵活容易，独特之液氮容器设计，可确保低温量测之稳定性最佳。 4、I-V曲线 采用图表的方式，测量探针四点(A、B、C、D)间电流-电压曲线，藉此评判样品的欧姆接触好坏。 5、单纯好用之操作画面 使用者只需在同一张操作画面中，就可以完成所有的设定，实验结果由软件自动计算得到，并在同一张画面中显示出来，省却画面切换的麻烦，结果可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、等重要实验数据。 6、自行开发之弹簧样品夹具，特殊设计之弹簧探针，其强度加强可改善探针与接触点之电气接触，提高量测之可靠度。技术参数磁场强度：0.53T 温度测试范围：77K-423K，77K-623K可选， 温度准确度+/-0.5度；输出电流：1nA-100mA 迁移率(cm2/Volt-sec):1-107 阻抗(Ohms.cm):10-5 to 107 载流子浓度(cm-3):107 - 1021 样品尺寸：5-15mm，厚度1mm样品夹具：Hall8686弹簧样品夹具(免去制作霍尔样品的麻烦)； 测量材料：所有半导体材料包括Si,ZnO,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN(N型&P型均可测量) 仪器尺寸(WxDxH)：400*360*200 mm仪器重量：15kg