能量探测器

由美国LosAlamos国家实验室和San Jose大学等研发的能量范围从热中子到5 GeV的宽能中子探测器，符合H*(10) ICRP74，并在1996年获得了美国国家专利 (专利号5,578,830)。FHT 762是其最新的改进型，具有优良的能量响应和角度响应，而且极大地扩展了高能响应。使用了大体积He-3计数管，具有极高的灵敏度和很强的γ抑制能力，即使对于高达1 Sv/h水平的γ剂量率仍无需考虑串扰的影响。对于加速器的中子场有着更精确的等效剂量响应，对于环境水平的中子场具有实时测量能力。 FHT 762型宽能中子探测器l 能量范围：0.025eV-5 GeV，依照ICRP74 (1996)l 测量范围：1mSv/h-10 Sv/hl 灵敏度：0.84cps/(μSv/h)Cf-252l γ灵敏度：1-5μSv/h(Cs-137，100mSv/h )l 角度依赖性：所有方向±20%

瑞利光电优势供应STANDA激光能量探测器11QE25 产品型号：11QE25 产品介绍：11QE25 激光能量探测器可以测量高达 23 J（带衰减器）的能量，上限重复频率为6000 Hz。 低噪音水平 - 仅 10 µ J。 有效孔径 - 25 平方毫米。 这些探测器结构紧凑，使用方便。 它们适用于许多 OEM、制造和实验室应用。 性能特点：模块化概念使用 2 个不同的冷却模块提高探测器的功率能力低噪音水平2 µ J 用于 MT 涂层提供 QED 衰减器测量高达 5 倍的能量。 提供可选校准、532 和 1064 nm 之间的所有波长或单一波长可提供金属吸收器高重复率 (6000 Hz)包括测试目标使用 MB 型号智能界面包含所有校准数据天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

硅/硅微条探测器常用于带电粒子测量，当探测器在加有一定反向偏压并正常工作时，如果具有一定能量的带电粒子注入硅探测器，由于粒子对半导体材料的电离作用，会产生大量的电子空穴对。由于每产生一对电子空穴对需要的电离能是一定的（约为3 eV），因此产生的总的电子空穴对数目与粒子在探测器中损失的能量成正比。硅探测器对电离产生的电子空穴对进行收集，得到的电信号幅度就正比于粒子在探测器中的能量损失，可以准确的测量带电粒子能谱。同时，由于硅探测器对信号的时间响应较快，还可用于带电粒子的定时测量。硅微条探测器是在硅片表面通过蚀刻工艺，将硅片分割成多个独立的有效探测区域，通过不同的信号来源判断粒子位置和方向。硅/硅微条探测器广泛接受用户定制，根据用户需要提供合适的探测器。

EIGER2 R CdTe混合像素光子计数X射线探测器 1、产品特点： EIGER2 R CdTe 1M X 射线探测器将混合像素光子计数探测器的最新发展和碲化镉感光像素的高量子效率集合在一起。对于使用高能量 X 射线源或需要双阈值设置时， EIGER2 R CdTe 1M 是最优的选择。 DECTRIS 公司的专利即时触发技术使他们具有前所未有的高计数率能力，可以更精确地测量实验室X射线源 所能达到的最高强度。DECTRIS 公司的即时触发专利技术使 EIGER2 R CdTe 1M 探测器具有前所未有的高计 数率能力，可以更精确地测量实验室 X 射线光源所能达到的最高强度。EIGER2 R CdTe 1M 探测器具有两个能 量阈值，所以与上一代探测器相比，它在环境背景下拥有更低的暗电流和背景噪音。这大大提高了弱信号和长 时间曝光的信噪比，使得它在更短的测量时间下就能获得更好的数据质量。单光子计数与计数器连续读/写技术 相结合，克服了传统积分探测器容易饱和以及动态范围有限的问题。此外，感光像素直接将X射线转化为电信号 配合小到 75μm 的像素尺寸使得探测器具有更高的空间和角度分辨率。2、核心优势： – 最高的量子效率、更短的测试时间和更高质量的数据 – 即时触发技术使得计数率大幅度提高 – 双能阈值，可用于低背景和高背景的抑制 – 无读出噪音和暗电流，确保了最佳的信噪比 – 计数器具有同时读/写功能，确保了高动态范围和无饱和的图像3、应用领域： - 大分子晶体学（MX）； - 化学结晶学； - 小角X射线散射和广角X射线散射(SAXS/WAXS）； - μCT； - 其它； 4、技术参数：EIGER2 R CdTe500K1M4M探测器模块数量11 x 22 x 4有效面积：宽x高 [mm2]77.1 x 38.477.1 x 79.7155.1 X 162.2像素大小 [μm2]75 x 75点扩散函数1 pixel能量阈值2能量范围[KeV]8-24.2阈值范围[KeV]4-30最大计数率（cps/mm2）9.8×108计数器深度（bit/threshold）2×16采集模式同时读/写，死区时间为零图像位深度（bit）32可选真空兼容Yes冷却方式 水冷尺寸（WHD）[mm3]114 x 92 x 242114 x 133 x 242235 x 237 x 372重量 [kg]3.73.915

仪器简介：Si PIN探测器按封装形式分为XPIN-XT和XPIN-BT两个系列。XPIN-XT系列包括探测器和前置放大器，成本低廉，封装形式多样；XPIN-BT系列则集成了温度控制和供电部分，既可配合Moxtek的MXDPP-200数字脉冲处理器使用，也可与用户自己的DPP配套。技术参数：产品指标 XPIN-XT系列XPIN-BT系列Si PIN探测器面积 6 mm2 或 13 mm2 6 mm2 或 13 mm2硅片厚度 625&mu m625&mu m铍窗厚度8&mu m 或 25&mu m8&mu m 或 25&mu m准直器材料W/Co/Ti/AlW/Co/Ti/Al能量分辨率 6 mm2 170eV FWHM 13 mm2: 230eV FWHM6 mm2 170eV FWHM 13 mm2: 230eV FWHM峰背比6mm2: 3600/1 @ 1keV (typical) 13mm2: 3000/1 @1keV (typical)6mm2: 3600/1 @ 1keV (typical) 13mm2: 3000/1 @1keV (typical)主要特点：1.能量分辨率高2.Be窗厚度薄3.探测器硅片更厚，计数率高4.尺寸小，梯形外形设计，结构紧凑5.封装形式多样

仪器简介：软X射线探测器分为AXUV系列，SXUV系列 ，UVG系列 这三个系列，其中AXUV系列适用于真空紫外、极紫外和软X射线探测器。SXUV系列探测器是专门为高通量的光子探测设计的，如配合使用在第三和第四代同步加速器和准分子激光器。该系列二极管由超大规模集成电路制造而成。UVG系列PN结光电探测器可以实现100%的光生载流子收集效率，所以被使用在近紫外和真空紫外（600--160nm）。技术参数：AXUV系列 AXUV系列适用于真空紫外、极紫外和软X射线探测器，由于不同于常见的pn结二极管，这些二极管没有掺杂死区，加之零表面复合处理，可以在紫外/极紫外范围内，达到理想化的100%内部量子效率转化。 IRD还提供与Cr,W,Au,Fe,Al等滤光片耦合的探测器，可以达到探测指定波长的效果。 SXUV系列 由于在硅PN结光电二极管前耦合铂硅化物入射窗，使得探测器可以探测超紫外光子（能量范围4ev&mdash 12KeV）。这些探测器是专门为高通量的光子探测设计的，如配合使用在第三和第四代同步加速器和准分子激光器。该系列二极管由超大规模集成电路制造而成。 IRD还提供与Zr，Si3N4,Si,SiC,Mo,Al滤光片耦合的探测器，可以达到探测指定波长的效果。 当脉冲能量超过20mJ,IRD还开发了带衰减器的探测器，以减少UV/EUV脉冲射线对探测器的冲击。 UVG系列 UVG系列PN结光电探测器可以实现100%的光生载流子收集效率，所以被使用在近紫外和真空紫外（600--160nm）。与传统的二极管不同的是，这些二极管没有掺杂死区，加之零表面复合处理，可以在紫外/极紫外范围内，达到理想化的100%内部量子效率转化主要特点：1.软X射线可直接照射探测器，无需闪烁晶体做转换 2.按可检测X射线能量范围不同及应用的需要，分为AXUV,UVG和SXUV三大产品系列，最低可检测0.04nm的软X射线 3.快速响应的探测器，响应速度达到ps量级 4.多元阵列，积分放大电路，并可根据需要集成带通滤光片 5.四象限位置传感器（Quadrant PSD）

热声探测器 TAD-1 被专门设计用来测量微波频段的脉冲电磁波，可测量脉冲宽度1-500ns，响应的波谱范围为3-300GHz。当微波脉冲激发探测器内部层结构时，会产生声波信号。探测器TAD-1可以被用来测量以下微波辐射源：l 初级回旋谐振振荡管l 二次和三次回旋谐波的大尺寸回旋振动管l 毫米波段的表面波相对产生器l 脉冲式磁控管产生器l 相对返波管振荡器l 毫米波段的调速管l 其它光源此探测器能将大功率的射频电磁波脉冲精确地以相同的形状轮廓转换为声波信号。因此根据示波器的响应，可以计算出脉冲能量的时间依赖关系，并由此描绘出输入脉冲时间依赖的能量相对值形貌。技术参数

产品介绍：Golay cell太赫兹探测器 是一款高灵敏度、室温下应用，而且具有平稳的光学响应宽光谱探测器。每一台出厂前都经过独立标定，带上了聚乙烯窗口，另在前端可以选配厂家推荐的滤波片。 原理：Golay cell 太赫兹探测器 是一款独立使用的光能量探测器，其原理为光声变换，即太赫兹光照射到探头上的晶体，产生相应的声子振动，振动再产生热能，由热电转换器产生电信号。设备由探头[图黑色部分]和电源[图银色部分]组成。 功能及数据读出：通过探头接受太赫兹波段的激光，转换为热电信号，能够高灵敏、有效的探测出其脉冲能量大小，信号可由BNC接口输出到示波器上读出,或者采用数模转换卡,通过可选软件在计算机上显示 主要中文技术指标： 1 有效探测口径：5mm2 光谱范围：15-2000 um（0.02-20THz）3 可扩展光谱范围：1-8000 um4 最大探测功率：1× 10-5 W5 探测频率：20 ± 5 Hz6 响应速率：30ms7 探测灵敏度：7.0 × 109 cm× Hz1/2/W8 尺寸L× W× H：126× 45× 87 mm39 净量：0.8 kg

BOLOMETER探测器Bolometer是用于测量入射红外辐射的探测器。Bolometer探测器对热辐射非常敏感，主要用于10至5000μm（30THz至60GHz）的红外光谱。探测器核心是一个非常灵敏的热敏电阻，进行深度制冷以降低热背景。任何入射到探测器的热辐射都会引起温度变化，这将导致电阻变化并转化为电压差而被放大测量。因为Bolometer测量的是温度的变化，所以入射辐射必须经过调制，这允许Bolometer被能量激发和释放，从而进行与入射辐射的能量相对应的电阻变化的测量。Bolometer探测器对这种温度变化作出反应的速度取决于几个因素，如果需要，这些参数可以在系统订购时改变。所有复合硅Bolometer系统都安装在IRLabs的HDL-5型号液氦杜瓦瓶中，带有液氮冷却辐射屏蔽。4.2K系统的标准灌装间隔时间大于20小时，1.6K型号的标准灌装时间大于10小时。Bolometer探测器配有红外光收集锥组件、真空密封楔形窗、视场挡板和低噪声电子设备。并且，Bolometer系统可配红外截止滤光片或手动操作的2或3位置滤光片转轮。远红外长波通截止型滤波器，波长范围从10um到285μm。如果您的应用需要更长的保持时间、双探测器或更多的滤波器位置等，我们可以提供定制设计的系统，以满足您的个人需求。欢迎对定制设计提出特殊要求。应用领域：■ 傅里叶变换红外光谱 ■ 分子束光谱 ■ 强磁场研究 ■ 太赫兹探测关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

Moxtek公司生产的Si-PIN探测器基于公司超低噪声的JFET电路及优异的铍窗技术研制而成，主要应用于手持式或台式X射线荧光光谱仪中，作为能量分辨的探测器。 XPIN-XT探测器主要技术指标有效探测面积：6 mm2 、 13 mm2硅片厚度：450um、625um铍窗厚度：8um、25um准直器材料：W/Co/Ti/Al能量分辨率：6 mm2 170eV FWHM 13 mm2: 230eV FWHM峰背比：6mm2: 3600/1 @ 1keV (typical) 13mm2: 3000/1 @1keV (typical)型号的选择

Moxtek公司成立于1986年，分为X射线部门和光学器件部门，是全球知名的高科技企业，为客户提供创新的产品应用方案。Moxtek生产的Si-PIN探测器基于公司超低噪声的JFET电路及优异的铍窗技术研制而成，主要应用于手持式或台式X射线荧光光谱仪中，作为能量分辨的探测器。XPIN-BT探测器主要技术指标有效探测面积：6 mm2 、 13 mm2硅片厚度：450um、625um铍窗厚度：8um、25um准直器材料：W/Co/Ti/Al能量分辨率：6 mm2 170eV FWHM 13 mm2: 230eV FWHM峰背比：6mm2: 3600/1 @ 1keV (typical) 13mm2: 3000/1 @1keV (typical)型号的选择

光电探测器是光电系统的核心组成部分，其种类的选择和器件的性能特点直接影响着光电系统的性能。不同光电探测器敏感光波长的范围和程度是有差异的。所以在选择合适的探测器前必须清楚该探测器的光谱响应特性。探测器光谱响应检测设备主要由单色仪和标准探测器组成，通过替代法先测试标准探测器的光谱响应特性然后再换上被测探测器进行测试，通过对比标准探测器的值就可以得到被测探测器的光谱响应特性。OL750光谱响应测试系统主要由单色仪，标准探测器以及控制系统组成。单色仪主要负责把复合光分成单色光再通过探测器测出能量值，从而得到被测光源的光谱分布。所以单色仪作为一个分光系统，它的分光能力以及对杂散光的抑制就显得尤为重要，目前还是主要选用光栅作为分光元件，配合准直镜以及滤光片就可以得到较纯的单色光，另外为了提高整套系统的分光能力，通常会把两个单色仪连接起来形成双单色仪结构。这种二次分光设计不仅可以大大提高单色光的纯度而且可以有效地抑制杂散光，提高测试的精度。 图1-1 1、2、9、10 ----准直镜 6、7----光栅塔轮 3、11----反射镜 5、13、14----狭缝 4----斩波器 12---滤光片 光从单色仪的入口狭缝进入，入口狭缝出安装了一个光学斩波器，它可以直流信号变成交流信号方便后续信号的处理。然后后需通过准直镜把发散光准直成平行光束，因为只有当光线平行照射到光栅上才能得到最纯的单色光，而且也可以把杂散光减少到最低，准直镜可以通过控制器精确地调整位置，然后再经过光栅分光。如图1-1所示，光栅塔轮是一个三角形结构，有三个边，每边可以放置一片光栅所以总计可以放置三片，通过控制系统可以精确地控制塔轮旋转达到分光的效果。3片光栅的分光波段总和就是整套单色仪的分光范围，一般来说3片光栅已经足以覆盖很大的波长范围，但如果需要分光的波段超过了这个范围则需手动更换光栅。经一次光栅分光后还要再准直然后进行二次分光，提高单色光的纯度。当然这个时候的光并非是单色光，最后还要经过滤光片轮滤掉其它波段的杂散光。滤光片轮可以装11片二阶滤光片，通过控制器控制选择合适的滤光片。整套系统除了元器件的选择，对于它们的控制要求也十分高，两个光栅塔轮必须同时精确地旋转，斩波器、滤波轮以及准直镜都要精确地控制。这样就能得到高纯度的单色光提高结果的精确性。得到单色光之后用标准探测器把光信号转换成电信号，因为标准探测器都是经过标定的，它的光电转换效率是明确的，所以就可以依据收集到的电信号来计算出光信号的大小。从而确定光源经过分光系统后到达探测器时的能量值。对于探测器的选择，灵敏度和信噪比是较重要的指标，首先不同的材料对不同波段的光源响应是不一样的，所以一定要选用相对灵敏度较高的探测器。对于紫外和可见波段一般会选用硅探测器。 设备参数光栅光谱范围：200nm-30um 波长精度：±0.05% 波长重复性：±0.01% 线色散倒数：2nm/mm 带宽：0.25-10nm 杂散光：≤10-8 光栅尺寸：68mmX68mm 焦长：254 nm (f/4) 斩波器频率：可设置，10-500HZ 控制接口：RS-422 非线性误差：0.1% 硅探测器：（光谱范围：0.2μm-1.1μm，噪声不大于：2×10-14(Watts)）； 硫化铅探测器：（光谱范围：1.0μm ~3.2μm, 噪声不大于：1×10-12(Watts)）；

仪器简介： XR-100SDD 硅漂移探测器(SDD)是Amptek 公司X 光探测器系列的最新成员，是一代革命性的产品。它 性能高、尺寸小、低成本，使它成为OEM 制造商的理想选择，用于生产从手持式到台式分析仪器。硅漂 移探测器(SDD)实现了极高计数率下优异的能量分辨率。同其它Amptek 公司生产的探测器一样，它被封 装在TO-8 外壳内，所以它的波形因数可直接转换为现有系统所用，兼容Amptek 公司生产的所有配件。 规格： Detector Type Silicon Drift Detector (SDD) Detector Size 25 mm2 Silicon Thickness 500 µ m, See efficiency curves Collimator Multilayer, click here for more information Energy Resolution @ 5.9 keV (55Fe) 125 - 140 eV FWHM at 11.2 µ peaking time Peak to Background 8200:1 (ratio of counts from 5.9 keV to 2 keV) Background Counts 3 x 10-3/s, 2 keV to 150 keV Detector Be Window Thickness 0.5 mil (12.5 µ m), See transmission curves Collimator Internal MultiLayer Collimator (ML). Click here for more information. Charge Sensitive Preamplifier Amptek custom reset preamplifier. Gain Stability 20 ppm/° C (typical) XR100SDD Case Size 3.00 x 1.75 x 1.13 in (7.6 x 4.4 x 2.9 cm) Click here for mechanical dimensions XR100SDD Weight 4.4 ounces (125 g) Total Power 1 Watt Warranty Period 1 Year Typical Device Lifetime 5 to 10 years, depending on use Operation conditions 0° C to +50° C Storage and Shipping Long term storage: 10+ years in dry environment Typical Storage and Shipping: -20° C to +50° C, 10 to 90% humidity non condensing 主要特点： &bull 高计数率：500,000 CPS &bull 在 5.9 keV 峰处分辨率可达136 eV 半峰宽 (FWHM) &bull 高峰强:背噪 (P/B) 比:7000:1 &bull 7 mm2 × 450 &mu m &bull 无需液氮

探测器Thorlabs提供一系列光学探测器产品，能够探测整个紫外、可见、近红外、红外以及太赫兹光谱区域内的光源。根据所选择的传感器可以测量不同参数，如强度、功率、强度分布、波前形状、能量和波长。未安装的光电二极管 校准过的光电二极管 已安装的无偏压的光电二极管 带尾纤的光电二极管 偏压探测器 放大探测器 位置传感探测器 积分球 平衡放大探测器 单光子计数器 光电倍增管模块 多通道光电倍增管模块 雪崩探测器 光纤耦合PMT模块 太赫兹 CCD / CMOS Cameras 光电二极管放大器 激光观察卡 光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs提供一系列分立光电二极管和经过校准的光电二极管。其中包括铟镓砷（InGaAs）光电二极管，磷化镓 （GaP）光电二极管，硅（Si）光电二极管， 和锗（Ge）光电二极管。我们也提供一些专用的光电二极管。例如DSD2双波段光电二极管，它在一个包装内同时提供硅光电二极管和铟砷化镓光电二极管，两者结合起来可以达到400到1700纳米的波长范围。FGA20是一个具有高响应率的铟镓砷光电二极管，波长范围从1200到2600纳米，能够探测到的波长范围比典型的铟镓砷光电二极管的1800纳米要高。我们也提供FGAP71，它是一种磷化镓（GaP）光电二极管，它的波长范围是我们所提供的光电二极管中最短的，从150纳米到550纳米。已校准的光电二极管 Related Products 概述 Thorlabs公司提供5种NIST可追溯校准的光电二极管，有库存随时发货，包括一种铟镓砷（InGaAs）、两种硅（Si）和两种锗（Ge）光电二极管。校准特性：在光电二极管的整个光谱范围内，每隔10纳米测量响应度测量不确定度± 5%NIST可追溯每个光电二极管都附带响应度与波长的关系的数据表和图。不同批次的光电二极管之间的响应度不一样。因此，您收到的光电二极管的响应也许与下面描述的会有轻微的差异，但是仍将附带有校准数据。右图显示了不同FDS1010光电二极管之间的响应特性有多显著。这些数据是从104个光电二极管中采集的。在每个数据点都计算了最小、平均和最大响应度，并给出了曲线。 点击放大已封装的光电二极管 Related Products 概述 SM05PD和SM1PD系列光电二极管包含安装在方便的SM05（Ø 0.535英寸-40）和SM1（Ø 1.035英寸-40）外螺纹套管的铟镓砷、锗、硅或磷化镓光电二极管。光电二极管的电信号输出是通过一个能快速连接到测量电路上的标准SMA接头（SM05PD系列）或BNC接头（SM1PD系列）提供的。该光电二极管可分为A型（阴极接地）或B型（阳极接地）布置。所有的型号都是测量脉冲和CW光源的理想选择。主体上的绝缘外螺纹能使这些光电二极管与Thorlabs公司的所有SM05和SM1安装适配器兼容。 带尾纤光电二极管 Related Products 概述 特性适用于610-770纳米和780-970纳米的单模型号多模型号高速宽带特性低偏置电压增强型光纤典型应用光通信高速光度测定监测Thorlabs 的FDSP系列带尾纤光电二极管是高速带尾纤硅PIN光电二极管，设计用于可见到近红外范围的光探测。这些光电二极管具有在低偏置电压下的宽带特性，是光通信、高速光度测定和监测等应用的理想选择。FDSP系列的外壳为不锈钢套管，用来实现光纤到光电二极管的主动耦合。光纤用一个900微米的松套管外保护和橡胶护套进行强化，以便于减少光纤的弯曲应力。 提供两种型号的单模光纤和一种型号的多模光纤：FDSP780 Nufern的780-HP单模光纤，780-970纳米，芯径5微米，数值孔径0.13FDSP660 Nufern的630-HP，单模光纤，610-770纳米，芯径4微米，数值孔径0.13FDSP625 梯度折射率多模光纤，320-1000纳米，芯径62.5微米，数值孔径0.27单模光纤的型号设计用于低背反射，同时单模光纤也能抑制模式干扰（也称为MPI－多路径干扰），是基于光纤的干涉仪的信号探测中的基本组件。根据需要，可提供带工业标准光纤接头的连接。偏压探测器该页面是我们的各种偏压探测器。我们提供自由空间型和光纤耦合型两种类型。可通过转接件将光纤和自由空间探测器耦合起来。偏压探测器 光纤耦合探测器 放大探测器Thorlabs提供一系列自由空间型和光纤耦合型放大探测器。此外，光纤转接件可用于本公司的自由空间探测器，以获得更多的功能和灵活性。放大探测器 飞瓦光电探测器 TEC HgCdTe 探测器 光纤耦合探测器 Menlo Systems快速PIN光电探测器 雪崩探测器 位置传感器 Related Products 横向效应位置传感器概述 特性2D横向效应位置传感探测器对光斑形状和功率密度不敏感SM05镜筒兼容结构紧凑Item #PDP90AWavelength Range320 to 1100 nmResolution, @ 635 nm0.68 µ m @ 100 µ W,6.8 µ m @ 10 µ WNoise2.25 µ mpp, 340 nmrmsRecommended Spot SizeØ 0.2 &ndash 7 mm PDP90A位置传感器利用针垫横向传感器来精确测量入射光与校准中心之间的位移。这些器件适用于测量光线的移动，传播的距离或者作为对准系统的反馈。 大的探测表面允许光束直径9毫米，然而，我们推荐光束直径范围在0.2到7 毫米。与象限传感器需要所有象限均有覆盖不同，横向传感器可以提供在探测区域内任何点的位置信息，与光斑形状，尺寸和能量分布无关。PDP90A的噪声很小2毫伏峰峰值（300微伏有效电压），对应的探测误差为0.675微伏有效电压。分辨率与输入光功率直接相关，表示为以下方程，这里，&Delta R是分辨率，Lx是探测器长度，9毫米，en是输出噪声电压，300微伏有效电压，Vo是总输出电压水平，4伏特最大值因此，对于最高功率水平，分辨率将达到0.675微米。更多详细技术信息参见技术信息标签。每个PDP90A象限探测器与一个8-32到M4适配器一同包装，提供与英制或者公制安装接杆的兼容性。 下表中阴影区域显示最小和最大输入光强水平与波长的关系。确保输入光功率与最大水平接近来获得最佳的分辨率和噪声系数。超过最大水平传感器将饱和，结果将会有误差。 积分球Thorlabs提供已定标的（NIST标定）和未标定的积分球。已定标的积分球有一个接口，能连接自由空间光源或光纤光源。它能与本公司的所有C系列接头的功率计兼容。未定标的积分球有三到四个接口，这些接口可以连接多种探测器和输入转接件。多端口积分球 校准的积分球功率传感器 平衡探测器这里介绍了Thorlabs的平衡探测器。根据这个模型，硅或者InGaAs探测器可以用于320-1000纳米、800-1700纳米或者1270-1350纳米范围内。偏振非敏感平衡探测器 偏振相关平衡探测器 带高速输出监测的平衡放大光电探测器 平衡放大探测器 单光子计数器 Related Products 概述 Item #SPCM20ASPCM20A/MSPCM50ASPCM50A/MDetector TypeSi Avalanche PhotodetectorWavelength Range350 - 900 nmActive Detector Diameter20 µ m50 µ mTypical Max Responsivity35% @ 500 nmDark Count Rate Typical60 Hz Max (25 Hz Typical)200 Hz Max(150 Hz Typical)Max Count Rate *28 MHz22 MHz* 对于脉冲光特点低暗计数 SPCM20A(/M): 25赫兹 (常规值)SPCM50A(/M): 150赫兹(常规值l)两种探头面积 SPCM20A(/M): Ø 20微米 有效面积SPCM50A(/M): Ø 50微米 有效面积有源抑制温度稳定USB接口脉冲输出TTL 开启/触发 输入体积小: 68毫米x 85毫米x 25毫米应用单分子的光谱学研究光谱-光度计测量流式细胞计光子相关谱法激光雷达图 1: 光子探测几率作为其波长的函数如图显示。SPCM仅在白框区域内对光子有感应。Thorlabs的光子计数器模块使用雪崩硅光电二极管探测单光子。SPCM计数器对发出的光子在350至900纳米范围内敏感，最高灵敏度在500纳米（见图1）。其工作原理是用光电探头将接收的光子转换成一个TTL脉冲，然后由内部的31位计数器计数。另有一个额外的USB接头可直接输出脉冲信号，可以输出到示波器查看或连接到外部计数器模块。这个光子计数器的功能的详细信息，请参阅&ldquo 教程&rdquo 选项。用一个集成的Peltier元件来稳定二极管的温度，使之降低到环境温度以下，那么低暗计数率也就降低了。有两种型号供选择，SPCM20A 和 SPCM50A，其典型的低暗计数率分别为25赫兹和150赫兹，能够探测到的功率低至0.4飞瓦。SPCM中的二极管集成了有源抑制电路，从而能获得高计数率。它的高速性能让用户每35-45 ns计数一个光子，取决于不同的型号。 SPCM20A提供的有效探测面积为Ø 20微米，而SPCM50A为Ø 50微米。软件SPCM包括一个GUI 软件包来进行暗箱操作。以下操作模式可以通过软件设置：手动模式 用于手动操作自由运行时间计数器用于计数一定&ldquo 时间块长度&rdquo 内的入射光子数量外部触发时间计数器用于触发时间器开始计算一定周期内的入射光子数量外部触发计数器通过一个外部触发来开启或关闭计数器外部启动 用于外部激活计数器和 雪崩光电二极管如需获得更多关于软件和它的操作方法的信息，请见&ldquo 软件 &rdquo 选项光电倍增管模块 Related Products 概述 特性提供两种光谱范围：280&ndash 630纳米，或280&ndash 850纳米端窗型光电倍增管结构静电和磁屏蔽转换增益：阳极电流1伏/微安圆形打拿极链配置外壳有SM1螺纹外壳有4个螺纹孔，用于ER系列笼式支杆可以三种不同方式接杆安装附带120和230伏插接适配器的电源SMA输出无需高压电源需要可变（0-1.8伏直流）电源（不包括）Thorlabs提供两种光电倍增管模块，结合了一个端窗型光电倍增管（PMT），外壳，以及高增益、直流耦合的跨阻抗放大器：PMM01用于280 &ndash 630纳米光谱范围，PMM02用于280 &ndash 850纳米光谱范围。PMM01具有一个半透明的双碱光电阴极，与PMM02（点击规格标签了解详细信息）相比，它具有更高的增益，&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更低的暗电流，但是它适用的光谱范围较窄。由于灵敏度与最常用的闪烁体材料非常匹配，双碱光电阴极在闪烁光探测方面具有广泛应用。相比之下，PMM02具有半透明的多碱（S20型）光电阴极，具有&lambda 500纳米时更高的量子效率，和更宽的光谱范围。多碱光电阴极常用于宽带分光光度计和光子计数应用。Thorlabs的PMT模块具有内置高压电路，消除了PMT运行时通常对外部高压电源的需要。通过将高压电路加入PMT模块，Thorlabs的PMT降低了成本和设备的大小，以及触电的风险。此外，该PMT模块由± 12伏直流电源（包括120伏和230伏插接适配器）和0&ndash 1.8伏的可变直流电源（不包括在内）供电。两种模块都配备有3个8-32螺纹，可在不同方向接杆安装。附带1个公制兼容的AS4M8E（8-32至M4）适配器。此外，在该模块的正面有4个4-40螺纹孔，使其与我们的30毫米笼式共轴系统 （点击笼式兼容性标签了解更多信息）兼容。这些部件与PMT孔径上的保护盖一起发货。一旦去除保护盖，该模块带有的SM1兼容内孔，可与我们一系列的SM1透镜套管兼容。因此，成像光学元件和滤光片可便捷地安装并位于PMT光电阴极的中心。此外，使用透镜管可阻止杂散光和散射光到达探测器，这对探测弱光或噪声信号非常有利。光电倍增管模块 Related Products 概述 特性极其适合用于激光扫描显微应用兼容Thorlabs公司的激光扫描必备套件光电倍增管模块可以扩展到最多8个通道附带双通道模块 两个多碱光电倍增管可替换荧光滤光片立方SM1螺纹光电倍增管安装座用于安装滤光片模块我们还提供单体多碱光电倍增管宽带光谱响应：185 - 900纳米 点击了解详情 Thorlabs公司的光电倍增管（PMT）模块设计使成像系统，如我们的激光扫描必备套件，更容易集成PMT探测功能。PMTSS2双通道PMT模块包含两个多碱标准灵敏度的PMT、一个DFMT1滤光片立方插件、和一个底座。该模块中的两个多碱PMT能够进行高效探测，并具有185 -900纳米的宽带光谱响应范围。模块的底座装备有一个MDFB滤光片立方和一些插槽，这些插槽可以用来安装英制或公制光学平台、面包板的配件。其滤光片模块的输入端口带有SM1（1.035英寸-40）螺纹，可以直接兼容Thorlabs公司的各种SM1透镜套筒和光纤准直适配器。PMT已经经过准直，可以和附带的滤光片立方插件配合使用，该滤光片立方插件可以轻松替换进行分色镜/发射滤光套件。通过购买额外的单通道附加模块（PMTSS2-SCM），该双通道PMT模块可以最多被扩展为8个探测通道。这些PMT模块在我们的C共聚焦激光扫描显微系统中有专题介绍。对于只需要购买PMT的用户，我们提供不带滤光片模块和底座的PMTSS系列的多碱PMT探测器。该探测器带有C安装座内螺纹，可以直接兼容常用显微镜相机接口。这些PMT探测器附带一根电源线，用于连接用户自备的± 15伏电压和0.25 - 1伏的增益控制。探测器数据输出则由BNC接头输出。将一个PMTSS2双通道模块与额外的PMTSS2-SCM单通道模块相结合可以实现三通道探测。附带的滤光片模块可以实现荧光滤光片套件的简易插入和替换。雪崩探测器Thorlabs提供两种雪崩探测器。第一种是由Thorlabs的合作公司Menlo系统设计和制造的，该探测器能探测最高1GHz频率的信号。第二种是由本公司自己设计和制造的。两种探测器的探测波长范围从400纳米到1700纳米可选。Menlo Systems雪崩探测器 雪崩探测器 用于共聚焦荧光成像的光电倍增管 Related Products 概述 特性设计用于VCM-F共聚焦基础系统有单PMT和双PMT单元可供选择低噪声高灵敏度的镓砷磷PMT或标准灵敏度的多碱PMT选项光谱响应 300-720纳米，高灵敏度型号185-900纳米，标准灵敏度型号软件控制在附带的三种发射滤光片之间选择 带通：440 ± 40纳米带通：525 ± 50纳米长通：600纳米 Thorlabs提供两种不同的光电倍增管（PMT）单元，用于VCM-F共聚焦基础系统。PCU2A包含两个宽带，标准灵敏度的PMT模块。 PCUxB系列包含一个（PCU1B）或者两个（PCU2B）高灵敏度低噪声PMT模块（详细信息请看表格）。双PMT单元（PCU2A或者PCU2B）是使用基于VCM-F共聚焦基础系统进行多通道荧光成像的理想选择，因为它们可用ThorVCM软件完全控制。每个双PMT单元标配三种发射滤光片，能通过软件控制进行选择。用户可以在440/40带通滤光片和525/50带通滤光片之间，或者525/50带通滤光片和600纳米长通滤光片之间切换。需要其他发射滤光片，请联系我们的技术支持询问具体信息和价格。太赫兹该指南介绍了Thorlabs的太赫兹系列产品。我们目前提供的产品有THz天线/接收器安装座、THz天线和THz套件。太赫兹套装 太赫兹天线 太赫兹接收器安装座 CCD/CMOS相机Thorlabs提供一系列结构紧凑的CCD和CMOS面阵列相机，以及CCD线阵列相机。我们的CCD面阵列相机属于高端设备，提供外部触发输入。而对于不需要外部触发的应用，我们的CMOS相机是高性价比的替代方案。CCD和CMOS面阵列相机都有黑白或者彩色版本。这些相机与Thorlabs的MVL系列C接口相机镜头兼容。CCD线阵列相机提供外部触发输入，可用于自制光谱仪等应用中。CMOS相机，C形安装 CCD相机，C形安装 线性CCD相机 C形安装相机镜头 台式光电二极管放大器 Related Products 概述 特性阻抗光电流放大器整个动态范围内噪声极低分辨率高达10皮安的5位数字显示支持单点功率校准支持两种光电二极管极性（CG和AG）偏压可调输入放大器及光电二极管暗电流偏移补偿符合RoHS标准PDA200C型光电二极管放大器适用于很小光电二极管电流的超低噪声放大。可以提供从100纳安到10毫安满量程的六种电流范围，以及最10pA大的显示分辨率。该设备同时支持阴极接地（CG）以及阳极接地（AG）光电二极管。这种放大器可以在光伏或光导模式下工作。可调节的偏压提供更好的响应线性度和增强的频率响应。利用升级的PDA200C系列，我们的光电流放大器符合RoHS标准，此外，还改变了电流测量范围。其余的特性与以前的PDA200系列几乎相同。

武汉东隆科技为德国PicoQuant的中国区独家代理，欢迎您来电垂询！光电倍增管制冷型单光子PMT探测器PMA系列PMA是一种光电倍增管原理的单光子探测器，拥有快速响应和低噪音的特点。探测器由高压供电模块，带有热电制冷的前置放大器组成。可选配过载自动保护功能。特点：计时分辨率180 ps(FWHM)量子效率最高40%(根据阴极情况而定)探测波长范围230 nm到920 nm可选热电制冷应用：PMA 系列单光子探测器拥有较大的感光面积、高探测效率以及良好的时间分辨率，可被应用于众多场合，如：时间分辨荧光荧光寿命成像(FLIM)磷光寿命成像(PLIM)荧光共振能量转移(FRET)脉冲交错激发(PIE)荧光各向异性(偏振)时间分辨磷光(TRPL)TRPL成像镧化物上转换Bunch纯度测量激光测距扩散光学层析成像参数：PMA 175 PMA 192 波长范围 230 - 700 nm 230 - 920 nm 暗计数 (非制冷模块的典型值) 50 cps 10000 cps** 暗计数 (制冷后的典型值) 50 cps 3000 cps** 渡越时间宽度 (FWHM典型值) 180 ps 建议最大计数率 5 MHz 单电子响应时间 1.5 ns 输出信号上升/下降沿宽度 750 ps 输出信号 接口类型 SMA母头阻抗 50 Ohms 极性 负能耗 输入 12 V DC 最大电流 (非制冷) 200 mA 最大电流 (制冷) 450 mA 外形尺寸 OEM版本 134 × 84 × 34 mm (w × d × h) PMA (非制冷) 72 × 84 × 84 mm (w × d × h) PMA-C (制冷) 120 × 84 × 110 mm (w × d × h) 感应区域直径 8 mmPMA系列典型探测效率曲线图：

仪器简介：人眼的光谱响应随着光强的变化而改变。人眼有两种特殊的光谱响应，根据进入人眼的光亮度对其进行定义。第一种光谱响应发生在通常白天照明环境下（photopic），即光强高于0.1Lux。第二种光谱响应发生在低光条件下(scotopic)，即光强介于0.0001-0.001 Lux之间。光强小于0.0001 Lux 的光强很难被人眼发觉。人眼从明视响应到暗视响应的偏移叫做Purkinje Shift。对用于固化工业的闪光灯而言，该探测器是理想的测试工具。闪光灯的峰值强度远高于连续光源。PMA2135探测器捕获峰值强度并每五秒钟在PMA2100上显示。除了峰值强度，PMA2135积分并保存一个单脉冲剂量。辐射峰值强度以mW/cm2 或 W/cm2显示。全刻度由客户在订货时指定。剂量全刻度为mJ/cm2 或 J/cm2。光电探测器有0.474平方英寸的有效面积。聚四氟乙烯半球明视探测器具有极好的余弦响应，这就可以实现对点或长光源的精确测量。技术参数：光谱响应 遵循CIE 明视光谱发光效率曲线(400-700nm) Figure 1 （适光效率和探测器响应）角响应 5% for angles 范围 由用户指定 - W/cm2 or mW/cm2 J/cm2 or mJ/cm2显示分辨率 Range/104 mW/cm2 or W/cm2 Range/104 mJ/cm2 or J/cm2 操作环境 15 to 140 °F (-10 to +60 °C) no precipitation 电缆 3ft. 直径 1.6" (40.6 mm) 高度 1.8" (45.8 mm) 重量 10 oz. (284 grams)主要特点：捕获峰值辐照度以及有效能量 辐射单位显示卓越的长期稳定性 余弦修正 NIST 可溯源校准

PDR-202/M探测器内置大体积塑料闪烁体探测器；能量范围30KeV-3MeV，对X、γ射线拥有优异的测量能力；具有连续测量和曝光测量两种模式，应用范围更**；探测器前端匹配保护套，可有效保护探测器和提升探测性能； PDR-202/M探头参数高灵敏度的φ2"×"2闪烁体探测器光电倍增管直径2"全铝金属外壳测量范围：10nSv/h–1mSv/h能量范围：30keV–3MeV完全满足JJG 393的要求，可出检定证书响应时间＜1s曝光模式，可测量瞬时曝光

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪器第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

高纯锗γ伽马能谱仪第一部分：高纯锗探测器 高锗探测器由于其无与伦比的优异分辨率，是核测量最精密和最先进的工具，在核物理 研究与核测量中具有不可替代的地位。 完整的高纯锗探测器的制造过程包括晶体制备、探测器结构设计、高性能低噪声前置放大 器设计、超高真空封装与生产成型、指标测试和稳定性考核等。经国家权威计量部门检定， 其关键 性能指标优异、稳定性良好。 高纯锗探测器的工作机理：高纯锗晶体的杂质浓度低至 1010 原子/cm3 量级，是世界上最纯 净的物质。高纯锗探测器表面 分别有 N+、P+电极，在该两种电极上加反向偏压后，由于高 纯锗晶体极低的杂质浓度，其内部将工作在全耗尽状态，此时伽马射线在其内部沉积能量产生 的载流子在电场的作用下被收集，形成的电流信号通过前置放大器被转换为与沉积能量成正比 的电压信号。 高纯锗探测器所采用的晶体外形为一圆柱体，在 其外表面为 N+电极，在其内部电极孔内部为 P+电极， 两种电极分别使用成熟的锂扩散、硼离子注入技术制 造。威视系列高性能 P 型同轴高纯锗探测器的 N+电 极约为 0.5mm 厚，P+电极约为 0.5μm 厚。 探测器的前置放大器可根据用户需求选用阻容反馈或脉冲反馈前放，性能优异，长期稳 定性好，除适配威视系列数字谱仪外，还可兼容市场上主流的谱仪产品。 威视系列高性能 P 型优化高纯锗探测器配置垂直冷指，并可根据用户需要配置“L 形”、 “U 形”、水平冷指等定制化设计，同时为用户在探测器封装与冷指材料上提供超低本底选项。为保证制冷效率，探测器舱室应保持严密的真空条件。P 型探测器的总体特性：能量响应范围：30keV 至 10MeV；相对探测效率 10% 至 80%； 可满足绝大部分样品测量应用和大部分研究测量应用的要求； 全面保证相对效率、分辨率、峰康比和峰形指标； 可配置普通阻抗反馈前放或适于高计数率的脉冲光反馈前放。 TKGEP-S 系列探测器型号与性能指标：型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）直径厚度@59.5keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMTKGEP-S1250300.700.801.81.92.73212%TKGEP-S3070300.700.851.81.92.74530%TKGEP-S4070400.750.901.852.02.84840%TKGEP-S5085300.850.951.852.03.05350%TKGEP-S6090300.901.01.902.03.05860%TKGEP-S7085500.951.11.952.03.06270%第二部分：谱仪（多道分析仪） 配套高纯锗探测器的一款新型数字化谱仪。其设计功能完善，其稳定性业已经实际使用验证。针对高效率探测器或高 计数率条件下对信号处理的要求，结合软件，谱仪在数字化极零调 节、死时间校正和弹道亏损校正方面做了具有相当先进性和独到 性的设计。 谱仪整体功能与特性：全数字化控制，保证人机交互灵活探测器回温情况下高压自动切断功能（shutdown）多种滤波模式，可根据特定环境配置滤波参数，具备低频噪声抑制功能具备门控数字化基线恢复，自动极零，零死时间校正，弹道亏损校正等完 整先进功能最大数据通过率大于 100kcps，对高计数率样品能获得准确的测量结果支持 USB3.0 接口谱仪特征功能： 基础参数显示：系统的电源开启状态，高压开启状态，高压目标值，高压升降过程 动态显示。全数字化自动高压加载：用户根据探测器参数选定高压后，系统自动按指定的速率 和目标值进行高压加载，直到满足探测器要求。异常处理功能：当系统意外掉电，设备自动启动 UPS 功能，并按异常处理逻辑，进 行高压缓降，以保护探测器安全。抑制电荷收集时间效应功能：基于 FPGA 的硬件算法，利用快通道梯形脉宽来统计 电荷收集的方法简单实用高效。 具体参数指标： 系统非线性：积分非线性：≤ 0.01%；微分非线性：≤±0.28最大通过率：成形时间设置为上升时间 500ns，平顶时间 500ns时，系统等效的死时间约为 2.79μs，此时，最大脉冲通过率将达到 130Kcps。粗调增益：：由计算机选定为 1,2,4,8细调增益：由计算机设定为 0.45 至 1.00尺寸与重量：376D X 242W X 116 H mm, 2.2KG工作条件：0 C 到 50 C（包括 LCD 显示）。操作系统：Windows 7/ Windows10。显示/接口：320 240 像素(pixel) 有机发光半导体(OLCD)系统状态信息。220V市电接入端子，USB3.0接口。高压输出接口，探测器电源接口，探测器信号输入端子。第三部分：液氮回凝制冷器 采用低振动长寿命脉冲管制冷机，运行寿命长于 10 年； 25L 液氮容器，不断电条件下可连续工作两年以上； 对探测器分辨率无影响； 可匹配垂直、水平与弯头型冷指； 液晶显示屏实时显示液氮水平、制冷机运行状态等信息； 可选购基于无线技术的遥控器，远程控制制冷系统或显示运行状态； 配有自动式液氮填充接口，可自动加注液氮； 在制冷维系时长为 48 小时前发出提示与报警； 外形尺寸：64.5cm 高 x 45.6cm 直径（不含探测器）； 功耗：运行时小于 150W，启动时最大 250W； 工作环境：0 - 35℃，相对湿度 20%至 80%（无冷凝）； 噪声：1m 处小于 60 分贝。第四部分：伽马谱软件包 研制开发一套完整的实验室高纯锗伽马谱仪，除了高纯锗探测器这一核心部件之外，还需要在与其配套的制冷器、谱仪和分析软件上下足十分的功夫。 历经十年的反复磋磨与雕琢，目前这款即将商品化的TKGammaWiz软件包已具备完整而 强大的功能。 它是一个完整的软件包，只需一次安装，用户即可实现如下功能： 系统的参数设置与硬件控制，包括增益细调、启动数字化稳谱、调节高压、显示实 时间/活时间和脉冲宽度、 系统的能量与效率刻度。初始化安装时，软件会提示用户进行参数设置与能量/效 率刻度。 能谱获取与显示。具有多路谱图同步获取功能。 谱分析与活度计算。多种寻峰方法与峰面积计算方法、多种本底算法、完善的各种校正功能，以期得到最小的不确定度。 分析结果报告与质量保证。完整的数据报告会给出每一次测量的条件与结果，以保 证随时可以回溯。 它具有如下鲜明的个性化功用与特点： 设计有可切换的操作员（operator）与专家（expert）两种使用权限，以保证系统 与数据安全可靠。 独特的能谱采集回放功能。设计用于当数据超出设置的限值、或不确定度较高时， 从源头上予以确认或诊断。 对具备”批处理”条件的样品，可定制流程化的“一键分析”。 具体参数与特性： 刻度：支持能量、峰形、效率刻度，可人工刻度，也可载入存储的数据文件。效率曲线可 载入自主研发的无源效率刻度软件产生的效率刻度文件，并支持三种拟合方法：单一函数多 项式拟合、插值法、带“拐点”（Knee）的多项式拟合。 寻峰：支持 Mariscotti 法寻峰，可自动或手动完成寻峰。 本底确定方法：自动确定法、SNIP剥谱法、峰侵蚀法等。软件会自动选定最佳方法。 分析用核素库： 软件包含默认的 2000 个核素的衰变纲图与相应的伽马射线能量数据, 用 户可在此基础上进一步编辑并生成自己的自定义子库。软件核素库支持对核素名称、质量、 能量的查询，和对母子核的编辑。 核素识别的方法： 软件默认使用基于库寻峰的核素识别方法，具体执行程序如下： 使用广义二阶差分方法初步寻峰，根据寻峰结果对核素库进行筛选。用峰侵蚀方法分析全谱本底，扣除本底后，在库峰位所在能量点用最小二乘法进行峰拟合作为寻峰结果。 分析后的首选核素将会直接标注在谱上，方便查看。 谱分析中的校正：母子核衰变校正；样品集与谱获取期间的衰变校正。 MDA 计算：Currie 算法，后续可扩展 ORTEC MDA 等 18 种算法。分析结果报告：报告主要包括能谱信息、刻度、分析设置、分析峰、分析核素几个部分内容，支持 pdf、rpt、doc 三种格式。 界面：默认 office 风格，可自行切换。一图展示能谱、寻峰、核素识别结果等内容，并 可根据指定核素计算显示其余能量峰的高度。适应的操作系统：Windows7/810 32/64 位操作系统。第五部分：实验室无源效率刻度软件 蒙特卡罗程序包：基于 Geant4 软件程序包，能够准确模拟光子与物质相作用的整个过程。 探测器类型：支持同轴型、面型、井型三种类型探测器。 能量范围：10keV-7000keV； 刻度角度：支持任意角度刻度。探测效率：支持真实物理级别的级联符合校正，通过自研能量沉积算法获取探测效率。 常见容器库：内置 9 种常见的容器库，支持圆柱、圆盘、烧杯、马林杯、U 型杯、盒子、球 型、点源、横向圆柱等对称型样品模型。 材料库工具：内置 40 余种常见材料，允许用户自定义材料。 3D 视觉及几何校验：提供快速 3D 视觉及更精细的几何模型定义，提供完整的几何模型校验。 输入参数敏感性分析：提供输入参数敏感性分析工具，方便用户定位影响效率刻度的参数项。 自表征校正工具：允许用户自主完成探测器表征，无需返厂，确保刻度的准确性。 效率刻度拟合公式：允许用户通过拟合公式计算不同能量对应的探测效率。 刻度结果报表:支持完整刻度结果数据的报表预览及打印。 适应的操作系统：Windows7/8/10 64 位操作系统。第六部分：铅室1.标准铅室 TKLBS-G2 是一款顶开门压杆式低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环 境本底对探测过程的干扰，提高测量的准确性。具体参数： 外层材料：1cm 低碳钢；中层材料：10cm 低本底铅 4π 方向屏蔽；内层材料：3 mm 无氧铜；结构：压杆式顶部平移开门设计； 承重桌材料：低碳钢；占地面积：65cm x 65cm；内腔尺寸：Φ310mm x 409mm；重量：大于 1.1 吨； 铅室说明：分三个型号，TKLBS-G1，TKLBS-G2，和TKLBS-U，TKLBS为low background shelid低本底屏蔽的缩写，G1代表Grad1等级1，使用铅材料厚度为10cm，本底保 证＜3.0cps，常规值＜2.8cps；G2代表Grad1等级2，使用铅材料厚度为15cm，本 底保证＜2.0cps，常规值＜1.6cps；U代表Ultra超级，使用铅材料厚度为15cm， 同时使用液氮挥发气体赶走铅室内腔空气，使之降低空气中氡的影响，本底保证＜1.0cps。按照约定俗称，以上本底均针对40%效率高纯锗探测器。2.超低本底铅室 TKULBS-G 是一款顶开门压杆式超低本底铅室，用于高纯锗γ能谱仪系统，屏蔽环境本底 对探测过程的干扰，提高测量的准确性。本底指标：本底指标：在正常放射性环境下 50keV 至 3MeV 范围内保证值小于 1.2cps（40%效率）， 典型值约 1cps 左右。具体参数： 高度 682.1 mm (26.9 in.)； 直径 558.8 mm (22.0 in.)； 内腔: 直径 228.6 mm (9 in.)； 深度：355.6 mm (14 in.)；最外层：9.5 mm (3/8 in.) 厚的低碳钢； 屏蔽层: 152 mm (6 in.)厚的低本底铅； 内衬：1 mm 厚的锡与 1.5mm 厚的无氧铜 重量: 1625 Kg 喷漆: 浅灰色环氧漆 桌子高度：68.5-765 .5cm 高度可调可选超低本底内衬：2.5cm 厚的 25Bq/kg 的超低本底铅。

同类产品罗丹尼探测器优势核心器件光电倍增管光电二极管阵列体积小、能量密度高；探测能力强、寿命长、符合绝大数使用环境要求工作电压800V30V低压操作安全尺寸20*132MM20*80MM体积小、满足各类产品配套使用脉冲频率280-320KHZ360-410KHZ优于进口产品30%

产地：美国产品介绍: 设置与读数简单，易于操作。 所有机型均为出厂校准脉冲发生器，并能够在任何认证实验室校准到ANSI判据。抗饱和电路至少能够在最大量程100倍的环境中保持最大读数。不需要特制的探头。测量仪由1节9伏电池供电（需另购），随机配备一个具有填补功能的便携箱。 通用测量仪：配有无补偿卤素猝灭传感器，能够测量α射线、β射线、γ射线和x射线；选用带能量补偿的传感器，可以提高对γ射线和x射线的敏感度。 Radiography （放射线照相技术）08989-12机型：配有四种放大器(x1, x10, x100, and x1000)，量程宽。补偿传感器能够为能量水平较低的γ射线和x射线辐射提供较高的敏感度。选择背景能量水平在5每分种计数以下。 Large-Window（大窗口） 08989-20机型：特别配有一个大面积传感器(28.6毫米 直径, 无补偿)，以为低能量水平的α射线、β射线、γ射线辐射提供较高的敏感度。背景能量范围10至30每分种计数。产品参数:08989-00辐射探测器，能量补偿；0至50毫伦/小时，0至50,000每分种计数辐射源：炭14 (0.130毫居里)；铋210 (0.0255毫居里) 钴60敏感度：3900-21% 效率 2500-21% 效率 16每分种计数/毫伦/小时范围：0 至 50毫伦/小时 0 至 50,000每分种计数环境cpm：10至20探测器：配有云母包窗直径为9毫米的盖革—弥勒（GM）管1.5 至 2.0 毫克/平方厘米厚度云母窗准度：±10% (相对铯137)功能：发声/可视计数器电源：1节9伏电池规格：5-3/4宽 x 2-4/5英寸高 x 1-1/2厚08989-12放射线照相用辐射探测器，能量补偿；0至1000毫伦/小时，0至10毫希沃特/小时辐射源：铯137敏感度：415每分种计数/毫伦/小时范围：0至1000毫伦/小时，0至10毫希沃特/小时81910-10辐射探测器，大窗口；0至50,000每分种计数辐射源：炭14 (0.130毫居里)；铋210 (0.0255毫居里) 钴60敏感度：3900-21% 效率 2500-21% 效率 16每分种计数/毫伦/小时范围：0至50,000每分种计数建议购买81910-10机型，这款探测器采用独特的数字显示功能取代了模拟显示，读数更加方便。其他改进的优点还包括：测量范围更宽（从原来的0 至 50,000每分种计数扩展到0 至 300,000每分种计数）；并且能够以毫伦/小时和微希沃特/小时为单位显示数据；使用炭14辐射源，效率从0.7%上升至5.3%；同时特别配有可调节计数器和外部校准控制。08989-30辐射探测器，能量补偿；0至50毫伦/小时，0至500毫希沃特/小时辐射源：炭14 (0.130毫居里)；铋210 (0.0255毫居里) 钴60敏感度：3900-21% 效率 2500-21% 效率 16每分种计数/毫伦/小时范围：0至 50 毫伦/小时 0 至 500毫希沃特/小时

产品介绍：区域伽马探测器 LSPEC 110应用于对环境中瞬变辐射的探测，其固定安装的布局覆盖整个场所，能显示场所内伽马辐射分布态势，在伽马剂量率超标时，通过就地处理单元发出报警信号。该项目首次采用 TTC 技术，通过单根盖革计数管测量覆盖多个量级的剂量率范围。该探测器耐强辐射，能够在核事故后依然保证正常工作，提供事故信息。适用于辐射侦察车、机器人和无人机的抵近侦察，及反应堆、加速器设施、军事核设施、放射医疗等场所的辐射防护等。区域伽马探测器 LSPEC 110特点：采用 Time-to-Count 技术，无死时间测量精度高；GM 计数管间歇性工作，寿命长；量程宽，线性度高；稳定性高，误报率极低。区域伽马探测器 LSPEC 110参数：探测器 GM 计数管能量范围50keV~3MeV剂量率范围0.1uGy/h~100 Gy/h能量响应误差≤ ±30%响应时间不超过 5s抗电磁干扰，抗冲击、震动和跌落尺寸≤ 110mm×350mm重量≤ 3.5kg温度范围-40° C~50° C电源DC12V 供电防护等级IP65区域伽马探测器 LSPEC 110应用领域：可广泛应用于机器人、无人机及防护车平台；核电站；核动力设施；放射医疗。

1、产品特点： 在DECTRIS公司所有应用于实验室的探测器产品系列中，Eiger2R系列探测器结合了所有混合光子计数探测器的最先进技术。 它所具有的双能量识别有助于在微弱信号和长时间曝光的条件下进行背景抑制和提高信噪比。其优越的计数率性能可以准确地测量极高强度的X射线。利用该系列探测器的巨大动态范围，可以在零死时间同步读/写的状态下进行长时间曝光。由于具备可选择的真空兼容性，从而使空气和窗口所产生的吸收和散射最小化。小尺寸像素与X射线直接探测相结合，提高了空间分辨率和角度分辨率，可以进行精细地测量样品并具有宽泛的倒易空间。可以在三种不同的型号中进行选择以满足您的需求。2、核心优势： – 双能识别有助于抑制低能量和高能量的背景 – 由于零背景噪音和同时读写，所以具有很高的动态范围 – 小尺寸像素和优秀的点扩散函数有助于获得高的空间分辨率 – 可定制在真空环境下使用； – 免维护3、应用领域： - 小角X射线散射和广角X射线散射(SAXS/WAXS）； - 大分子晶体学（MX）； - 化学结晶学； - 单晶衍射（SCD）； - 粉末衍射（PD）； - X射线成像； - 表面衍射； - 漫散射。4、技术参数：EIGER2 R500K1M4M探测器模块数量11 x 22 x 4有效面积：宽x高 [mm2]77.2 x 38.677.2 x 79.9155.2 X 162.5像素大小 [μm2]75 x 75点扩散函数1 pixel能量阈值2阈值范围（KeV）4-113.5-30 3.5-30最大计数率（cps/mm2）3.6×108计数器深度（bit/threshold）2×16采集模式同时读/写，死区时间为零图像位深度（bit）32可选真空兼容Yes冷却方式 风冷水冷水冷尺寸（WHD）[mm3]100 x 140 x 93114 x 133 x 240235 x 235 x 372重量 [kg]1.83.915

1、产品特点： 在DECTRIS公司所有应用于实验室的探测器产品系列中，Eiger2R系列探测器结合了所有混合光子计数探测器的最先进技术。 它所具有的双能量识别有助于在微弱信号和长时间曝光的条件下进行背景抑制和提高信噪比。其优越的计数率性能可以准确地测量极高强度的X射线。利用该系列探测器的巨大动态范围，可以在零死时间同步读/写的状态下进行长时间曝光。由于具备可选择的真空兼容性，从而使空气和窗口所产生的吸收和散射最小化。小尺寸像素与X射线直接探测相结合，提高了空间分辨率和角度分辨率，可以进行精细地测量样品并具有宽泛的倒易空间。可以在三种不同的型号中进行选择以满足您的需求。2、核心优势： – 双能识别有助于抑制低能量和高能量的背景 – 由于零背景噪音和同时读写，所以具有很高的动态范围 – 小尺寸像素和优秀的点扩散函数有助于获得高的空间分辨率 – 可定制在真空环境下使用； – 免维护3、应用领域： - 小角X射线散射和广角X射线散射(SAXS/WAXS）； - 大分子晶体学（MX）； - 化学结晶学； - 单晶衍射（SCD）； - 粉末衍射（PD）； - X射线成像； - 表面衍射； - 漫散射。4、技术参数：EIGER2 R500K1M4M探测器模块数量11 x 22 x 4有效面积：宽x高 [mm2]77.2 x 38.677.2 x 79.9155.2 X 162.5像素大小 [μm2]75 x 75点扩散函数1 pixel能量阈值2阈值范围（KeV）4-113.5-30 3.5-30最大计数率（cps/mm2）3.6×108计数器深度（bit/threshold）2×16采集模式同时读/写，死区时间为零图像位深度（bit）32可选真空兼容Yes冷却方式 风冷水冷水冷尺寸（WHD）[mm3]100 x 140 x 93114 x 133 x 240235 x 235 x 372重量 [kg]1.83.915

太赫兹探测器/微波射频热声探测器(RF Thermoacoustic Microwave and Millimeter Detector)品牌： Tydex型号： TAD-ATydex的热声探测器 TAD-1 被专门设计用来测量微波频段的脉冲电磁波，可测量脉冲宽度1-500ns，响应的波谱范围为3-300GHz。当微波脉冲激发探测器内部层结构时，会产生声波信号。探测器TAD-1可以被用来测量以下微波辐射源： √ 初级回旋谐振振荡管 √ 二次和三次回旋谐波的大尺寸回旋振动管 √ 毫米波段的表面波相对产生器 √ 脉冲式磁控管产生器 √ 相对返波管振荡器 √ 毫米波段的调速管 √ 其它光源 此探测器能将大功率的射频电磁波脉冲精确地以相同的形状轮廓转换为声波信号。因此根据示波器的响应，可以计算出脉冲能量的时间依赖关系，并由此描绘出输入脉冲时间依赖的能量相对值形貌。性能参数：参数数值探测器窗口尺寸，mm20.0可测量的脉冲宽度范围，ns1-500可测量的频率范围，GHz3-300脉冲重复频率，kHz最高可测5Hz微波脉冲峰值输出，MW1-500推荐的微波功率通量密度，W/cm250—1×104操作温度，℃5—45存储温度，℃0—60空气湿度，%5—85整体尺寸（L×W×H），mm105.0×60.0×60.0重量，Kg0.35微波射频热声探测器?

RED-G探测器内置大体积塑料闪烁体探测器能量范围20KeV-7MeV，对X、γ射线拥有优异的测量能力具有连续测量和曝光测量两种模式，应用范围更**探测器前端匹配保护套，可有效保护探测器和提升探测性能 结构设计探头把手采用防滑设计，符合人体工程学设计设备配有肩带，使用时可选择手提式或肩挎式测量方式

采用DECTRIS混合像素技术的ELA® 探测器为电子能量损失谱（EELS）提供了前所未有的速度，灵敏度和动态范围，是用于EELS的理想电子计数探测器。它可以处理远远超过100pA的探针电流，同时记录高强度的零损峰和高损峰，并在全能量谱范围内进行单电子计数。其高帧频速率允许一次性快速获取元素面分布结果，特别适合电子束敏感材料的分析。得益于其无死区读出能力，您不仅不会在两帧图像之间丢失电子，确保能够收集样品所能提供的所有信息。与高分辨率光谱仪相结合，DECTRIS ELA 探测器将显著改进 EELS和4D-STEM 等应用发展，使您的实验在几分钟内完成，同时提高仪器的利用率，并大大减少操作时间。技术规格帧速率2,250 Hz at 16 bits4,500 Hz at 8 bits18,000 Hz with ROI mode计数能力 1 pA/pixel像素数1,024 x 512传感材料硅(Si)图像深度32 bits能量范围30-200 keV点扩散函数 1.3 pixel at 200 keV产品应用STO/BTO/LMSO多层膜的快速元素映射图像，采用零损失峰（ZLP），获取为32张单独的128 像素× 128像素图像，每张采集时间为8秒，对齐和求和(共4.3分钟)。从左到右:分为别Ti L2,3 edge，Ba M4,5 edge和La M4,5 edge的ZLP强度图像，类似于明场像，最后获得复合图像。(图片来源:NION Ltd.)六方氮化硼的EELS电子能量损失谱, E0 = 60 keV，电子束电流为105 pA，曝光时间100 s，能量色散设置为0.5 eV/channel，使用Nion UltraSTEM 200MC单球差扫描透射电子显微镜的Nion Iris EELS探测器获得。(图片来源:NION Ltd.)

DR是Digital Radiograph（便携式DR成像系统）的缩写。由平板探测器、X射线机、X射线机同步控制单元、控制模块、交流电缆线、数据线、接口盒、便携式电脑和软件等组成。平板探测器主要特点： 1、采用优质高效的HSG+闪烁体材料，闪烁体层厚度按照工业使用需求专门设计，使得探测器具有更好的光子捕获能力，获得更高的信噪比。2、优异的成像质量：选用成像质量稳定的DDA非晶硅成像板，采用140μm像素TFT工艺，使得空间分辨率和光子俘获效率均达到了最适合工业使用的均衡。3、成像板具有低散射及高灵敏度的特点，使成像系统具有高成像解析度及信噪比，16bit高动态范围图像灰度值范围大、厚度宽容度高、层次丰富、便于调节观看。4、超薄设计：特殊设计的超薄平板探测器厚度，可以插入排管缝隙、墙边管线等狭小空间，超窄边框成像盲区小于3mm，使管道弯头焊缝等位置也可以布置拍摄。5、远程操作：探测器内置无线模块的同时也配置有外部快装式高性能天线，无需外部放大模块就能满足大于100米的野外使用距离，现场使用更具便携性。6、在没有交流电源的野外，平板探测器可以采用内置电池供电，单电池工作时间持续6小时以上（标配两块电池）7、在固定场所作业时，可通过DC端口持续供电，免于频繁充电和更换电池。8、存储：探测器内部含有存储单元，可脱离工作站独立工作，可存储图像不少于200幅。9、校正：探测器内置校正文件，可便于现场校正使用。10、预览方式：无需专用软件即可通过手机、平板电脑的通用网络浏览器预览并共享图像。11、防护等级：可达IP67（提供第三方测试报告）12、图像软件可一键自动控制标配射线机与平板探测器的同步工作，可匹配主流品牌型号的脉冲射线机和高频恒压射线机，手动控制曝光。13、同时具备有线与无线通讯功能，成像板可由用户任意选择无线或有线连接电脑。14、具有多次曝光叠加降噪功能，叠加合成图片，消除随机噪声，提高图像信噪比 。15、具有能量融合、局部增强、腐蚀测量、多档灰度对比度预置一键调整图像等优化功能。16、软件支持用户二次开发不同应用。平板探测器技术参数：图片 型号PIXX3543N传感器非晶硅闪烁体硫氧化钆 GOS像素矩阵2560*3072像素区域350mm*427mm像素间距140μm能量范围40-300kvp动态范围16bit触发方式软件触发、AED自动触发、连续触发图像捕获时间3-5秒数据传输时间小于1秒尺寸420.5 x 461 x 15mm重量≤4.2kg外壳碳纤维/铝合金供电锂离子聚合物电池、DC直流防护等级IP67 rated无线标准Gigatit WIFI 802.11AC有线标准千兆以太网、RJ45端口便携移动双侧把手位应用：电力耐张线夹检测，电力GIS设备检测，无损检测，安检排爆，考古等领域。

性能指标上综合了传统GEM与GMX探测器的优势；能量下限降至3keV 分辨率优异 中低能段效率显著提升采用超薄可靠接触极；在常温下保存不会损害探测器性能严格保证效率、分辨率、峰形与峰康比等完整指标以晶体尺寸定义其型号，同一型号的探测器采用相同的晶体结构和尺寸，从而保证了相当一致的效率曲线 优化平面型： GEM-S 型号晶体尺寸(mm)能量分辨率-FWHM(≤keV)峰形(≤)峰康比（≥）效率（≥）端窗直径(mm)直径厚度@5.9keV@122keV@1.33MeVFW.1M/FWHMFW.02M/FWHMGEM-S502050200.350.651.81.92.628 10%70GEM-S582558250.400.681.81.92.73515%70GEM-S702570250.450.701.92.02.84020%83GEM-S703070300.500.721.92.02.84634%83GEM-S853085300.500.721.92.02.95550%95GEM-S903090300.500.752.12.03.06260%108GEM-S943094300.560.782.12.03.06565%108