导体材料电阻率测试仪

石化产业是国民经济重要的支柱产业，产品覆盖面广，资金技术密集，产业关联度高，对稳定经济增长、改善人民生活、保障国防安全具有重要作用。但仍存在产能结构性过剩、自主创新能力不强、产业布局不合理、安全环保压力加大等问题。石油化工产业作为高污染性产业，面临结构性改革的矛盾，国家政策引导对于促进石化产业持续健康发展具有重要意义。得利特顺应发展研发生产了系列石油产品分析仪器。最近技术人员仍然继续着研发工作并且将原来的产品做了部分升级改造。A1150液体介质体积电阻率测定仪符合DL/T421标准，适用于测定绝缘油和抗燃油体积电阻率，可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。仪器特点采用双CPU微型计算机控制。控温、检测、打印、冷却等自动进行。采用**转换器，实现体积电阻率的高精度测量。具有制冷和加热功能。整机结构合理，安全方便。技术参数测量范围：0.5×108～1×1014Ωcm分辨率：0.001×107Ωcm重复性： ≤15% 再现性： ≤25%控温范围：0～100℃ 控温精度：±0.5℃电极杯参数：极杯类型：Y－18　　　　　　极杯材料：不锈钢显示方式：液晶显示打印机：热敏型、36个字符、汉字输出环境温度：5℃～40℃ 环境湿度：≤85%工作电源：AC220V±10% ，50Hz功 率：500W外形尺寸：500mm×280mm×330mm重　　量：17.5kgA1151油体积电阻率测定仪按DL421.91《绝缘油体积电阻率测定法》的电力行业标准为依据，根据有源电桥的原理研制成功的一种新型电阻率测定专用仪器。具有结构简单、线性度好、灵敏度高、测试结果稳定、操作安全等优点，其性能远高于通常的电压电流法。仪器由参数测量系统、油杯加热控温系统两部分组成，具有自动计时、液晶显示功能。可测量绝缘油体积电阻率。 技术参数测试电压：500VDC测试范围： 10 7～10 13Ωcm重复性： ＞10 12Ωcm ≯25% ，＜10 12Ωcm ≯15% 加热功率： 100W 控温范围： 10℃～100℃ 控温精度： ±0.5℃ 测量误差： ≤±10%测试电极杯： 3个环境温度：0～40℃相对湿度：≤85% 工作电源： AC220V±10%，50Hz

成果名称 材料变温电阻特性测试仪(EL RT-800) 单位名称 北京科大分析检验中心有限公司 联系人 王立锦 联系邮箱 13260325821@163.com 成果成熟度 □研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产 合作方式 □技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他 成果简介： 本仪器专门为材料电阻特性变温测试而设计，采用专用高精度电阻和温度测量仪以及四端测量法减小接触电阻对测量的影响从而提高测量精度，样品采用氮气保护可连续测量-100℃~500 ℃条件下样品电阻随温度的变化。采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连，数据采集迅速准确；用户界面直观友好，能极大方便用户的使用。 主要技术参数: 一、信号源模式：大电流模式；小电流模式；脉冲电流模式。 二、电阻测量范围: 1&mu &Omega ~3M&Omega 。 三、电阻测量精度: ± 0.1％FS。 四、变温范围：液氮温度~900 ℃。 五、温度测量精度：热电阻0.1%± 0.1℃；热电偶0.5%± 0.5℃。 六、供电电源：220 VAC。 七、额定功率：500W。 八、数据采集软件在Windows XP、Windows 7操作系统均兼容。 应用前景： 本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。 知识产权及项目获奖情况： 本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术，曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。

石油产品质量分析在其生产、储运和市场流通环节起着重要作用，石油产品分析仪器现已广泛应用于油田、炼油厂、陆海空交通运输、海关及油品质量监督部门。作为中国仪器仪表行业重要组成部分的油品分析仪器，在疫情席卷全球的情况下，仍然在各大行业中起到必不可少的作用。随着各项技术工艺的发展，仪器仪表产品也在不断的更新换代。各大分析仪器品牌如雨后春笋，在市场中同台竞技，用户可选择的产品也更多了。企业不断推出自己的品牌产品。在刚刚过去的半年里，又有不少企业研发出多项仪器仪表新品。 得利特为了跟上油品分析仪器发展大潮，不断积累经验，创新技术，研发升级自产油品分析仪，近日，又有一款升级产品投入市场，它就是油体积电阻率测定仪。下面得利特为大家讲一下它的升级点在哪里？A1151油体积电阻率测定仪按DL421.91《绝缘油体积电阻率测定法》的电力行业标准为依据，根据有源电桥的原理研制成功的一种新型电阻率测定专用仪器。技术参数测试电压：500VDC测试范围： 10 7～10 13Ωcm重 复 性：＞10 12Ωcm ≯25% ，＜10 12Ωcm ≯15% 加热功率： 100W 控温范围： 10℃～100℃ 控温精度： ±0.5℃ 测量误差： ≤±10%测试电极杯： 3个环境温度：0～40℃相对湿度：≤85% 工作电源： AC220V±10%，50Hz 升级点：1.采用双CPU微型计算机控制。2.控温、检测、打印、冷却等自动进行。3.采用**转换器，实现体积电阻率的高精度测量。4.具有制冷和加热功能。5.整机结构合理，安全方便。

油介损及体积电阻率测定仪油杯清洗方法、常见故障A1170技术指导产品介绍产品名称：油介损及体积电阻率测定仪产品型号：A1170概 述：油介损及体积电阻率测定仪用于测定在试验温度下呈液态的绝缘材料的介质损耗因数及体积电阻率，包括变压器、电缆及其它电气设备内的绝缘液体。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。适应标准：GB/T5654油杯三种清洗方法测量前，应对油杯进行清洗，这一步骤非常重要。因为绝缘油对极微小的污染都有极为敏感的反应。因此必须严格按照下述方法要点进行。方法一：⑴ 完全拆卸油杯电极；⑵ 用中性擦皂或洗涤剂清洗。磨料颗粒和磨擦动作不应损伤电极表面；⑶ 用清水将电极清洗几次；⑷ 用无水酒精浸泡各零件；⑸ 电极清洗后，要用丝绸类织物将电极各部件的表面擦拭干净，并注意将零件放置在清洁的容器内，不要使其表面受灰尘及潮气的污染；⑹ 将各零部件放入100℃左右的烘箱内，将其烘干。有时由于油样很多，所以在测试中往往会一个接一个油样进行测试。此时电极的清洗可简化。具体做法如下：⑴将仪器关闭，将整个油杯都从加热器中拿出，同时将内电极从油杯中取出；⑵ 将油杯中的油倒入废油容器内，用新油样冲洗油杯几次；⑶ 装入新油样；⑷ 用新油样冲洗油杯内电极几次，然后将内电极装入油杯。这种以油洗油的方式可大大提高了测量速度，但如遇到特别脏的油样或长时间不用时，应使用方法一。方法二：⑴ 将电极杯拆开（参见油杯示意图）。⑵ 用化学纯的石油醚和苯彻底清洗油杯的所有部件。⑶ 用丙酮再次清洗油杯，然后用中性洗涤剂漂洗干净。⑷ 用5%的磷酸钠蒸馏水溶液煮沸5分钟，然后，用蒸馏水洗几次。⑸ 用蒸馏水将所有部件清洗几次。⑹ 将部件在温度为105～110℃的烘箱中，烘干60～90分钟。⑺ 各部件洗净后，待温度降至常温时将其组装好。方法三：超声波清洗方法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件。⑶ 在超声波清洗器中用肥皂水将所有部件振荡20分钟；取出部件，有自来水及蒸馏水清洗；在用蒸馏水振荡20分钟。方法四：溶剂清洗法⑴ 拆开油杯。⑵ 用溶剂冲洗所有部件，更换二次溶剂。⑶ 先用丙酮，再用自来水洗涤所有部件。接着用蒸馏水清洗。⑷ 将部件在温度为105～110℃的烘箱中，烘干60～90分钟。 当试验一组同类没有使用过的液体样品时，只要上次试验过的样品的性能优于待测油的规定值，可使用同一个电极杯而无需中间清洗。如果试验过的前一样品的性能值劣于待测油的规定值，则在做下一个试验之前必须清洗电极杯。常见故障1、屏幕显示“电极杯短路”答：首先查看内电极与外电极的定位槽是否对准，再检查“内电极”安装是否有松动。2、屏幕显示“请进行【空杯校准】”答：空杯电容值不在60±5pF的范围内的时候，需要空杯校准；①油杯的内外电极未放好或内电极未组装好，有放电现象；②油杯不干净，在内外电极之间有杂质需要进行清洗 。3、蜂鸣器响5声后仪器返回到开机界面。答：①检查空杯电容值是否在60±5pF范围之内，②检查油杯是否放 好，有无放电现象。4、在做直流电阻率时，电化60秒时间不变化。答：检查仪器的时钟是否在运转，调整时钟。5、被设电压参数个位显示不为零时，怎么办？答：用【减小】键使被设电压值变为最小，再用【增加】键调整即可。

新品推荐——液体介质体积电阻率测定仪01产品介绍产品名称：液体介质体积电阻率测定仪型号：A1153执行标准：DL/T 421-2009《电力用油体积电阻率测定法》A1153液体介质体积电阻率测定仪适用于测定绝缘油和抗燃油体积电阻率。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。02仪器特点1采用双CPU微型计算机控制。反应速度快，抗干扰强。2进样，控温、检测、打印、冷却，清洗自动进行，操作简便。3采用三电极双控温结构，控温精度高，温度波动≤0.5℃，避免因温度波动影响结果。4电极采用特殊工艺加工，表面光滑度Ra≤0.012μm，确保电极间隙2mm，从而使结果更准确。5电极杯绝缘材料选用PTFE高分子材料，受热不变型，且不吸水，既能保证空杯电容又有利于清洗油杯。6同时具有制冷和加热功能，既可以做绝缘油也可做抗燃油。一机两用经济实惠。7具有开盖防触电保护功能，开盖自动切断高压。03技术参数•测量范围：0.5×106～1×1015Ωｍ •分 辨 率：0.001×107Ωｍ•重 复 性：＞1010 Ωｍ，≯２５％ ＜1010 Ωｍ，≯１５％ •再 现 性：≤25%•控温范围：10～100℃ •控温精度：±0.5℃•空杯电容：30pF±1pF •实验电压：DC 500V•显示方式：液晶显示•打 印 机：热敏型、36个字符、汉字输出 •工作电源：AC220V±10%，50Hz•功 率：500W•外形尺寸：500mm×380mm×350mm•重 量：17.5kgEND

绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前都要注意什么？绝缘电阻仪器体积电阻表面电阻测试仪使用前请仔细阅读以下内容，否则将造成仪器损坏或电击情况。1. ◇检查仪器后面板电压量程是否置于10V档，电流电阻量程是否置于104档。2. ◇接通电源调零，（注意此时主机不得与屏蔽箱线路连接）在“Rx”两端开路的情况下，调零使电流表的显示为0000。然后关机。3. ◇应在“Rx”两端开路时调零，一般一次调零后在测试过程中不需再调零。 4. ◇测体积电阻时测试按钮拨到Rv边，测表面电阻时测试按钮拨到Rs边，5. ◇将待测试样平铺在不保护电极正中央，然后用保护电极压住样品，再插入被保护电极（不保护电极、保护电极、被保护电极应同轴且确认电极之间无短路）。6. ◇电流电阻量程按钮从低档位逐渐拨，每拨一次停留1-2秒观察显示数字，当被测电阻大于仪器测量量程时，电阻表显示“1”，此时应继续将仪器拨到量程更高的位置。测量仪器有显示值时应停下，在1min的电化时间后测量电阻，当前的数字乘以档次即是被测电阻。7. ◇测试完毕先将量程拨至（104）档，然后将测量电压拨至10V档， 后将测试按钮拨到中央位置后关闭电源。然后进行下一次测试。8. ◇接好测试线，将测试线将主机与屏蔽箱连接好。量程置于104档，打开主机后面板电源开关按钮。从仪器后面板调电压按钮到所要求的测量电压。(比如：GBT 1692-2008 硫化橡胶 绝缘电阻率的测定 标准中注明要求在500V电压进行测定，那么电压就要升到500V)9. ◇禁止将“RX”两端短路，以免微电流放大器受大电流冲击。10. ◇不得在测试过程中不要随意改动测量电压。11. ◇测量时从低次档逐渐拨往高次档。12. ◇接通电源后，手指不能触及高压线的金属部分。13. ◇严禁在试测过程随意改变电压量程及在通电过程中打开主机。14. ◇在测量高阻时，应采用屏蔽盒将被测物体屏蔽。15. ◇不得测试过程中不能触摸微电流测试端。16. ◇严禁电流电阻量程未在104档及电压在10V档，更换试样。技术指标1、电阻测量范围 0.01×104Ω～1×1018Ω2、电流测量范围为 2×10-4A～1×10-16A3、仪器尺寸 285ｍｍ× 245ｍｍ× 120 mm4、内置测试电压 100V、250V、500V、1000V5、基本准确度 1% (*注)6、内置测试电压 100V、250、500、1000V7、质量 约2.5KG8、供电形式 AC 220V，50HZ，功耗约5W9、双表头显示 3.1/2位LED显示安全注意事项1. 使用前务必详阅此说明书，并遵照指示步骤，依次操作。2. 请勿使用非原厂提供之附件，以免发生危险。3. 进行测试时，本仪器测量端高压输出端上有直流高压输出，严禁人体接触 ，以免触电。4. 为避免测试棒本身绝缘泄漏造成误差，接仪器测量端输入的测试棒应尽可 能悬空，不与外界物体相碰。5. 当被测物绝缘电阻值高，且测量出现指针不稳现象时，可将仪器测量线屏 蔽端夹子接 上。 例如： 对电 缆测缆 芯与 缆壳的 绝缘 时，除 将被 测物两 端分 别接于 输入 端与高压 端， 再将电 缆壳 ，芯之 间的 内层绝 缘物 接仪器 “G”，以消 除因 表面漏 电而 引起的测 量误 差。也 可用 加屏蔽 盒的 方法， 即将 被测物 置于 金属屏 蔽盒 内，接 上测 量线。

如今市场需求总体继续扩大，但增速下降。一方面，随着城镇化和基础设施建设的不断深入，基本原材料的需求还将保持一定增速，但增速会有所降低，人们日常生活用品也不会有太大的提高；另一方面，人们的消费升级以及生活方式和消费模式的改变，将提高或改变市场需求，促进与经济发展相配套的石化化工产品升级换代。因此，预计“十四五”期间，传统石化化工产品，如成品油、大宗化工产品等，在很长的一段时间内消费保持低速增长态势，甚至有些个别产品还会有略微下降；而在与智能制造、电子通信、中高生活消费品和医药保健等有关的化工产品，主要是电子化学品、纺织化学品、化妆品原材料、快餐用品、快递服务用品、个人防护和具备特殊功能的化工新材料等，都将会有很大增幅。同时安全生产、绿色发展的要求日益提高。石化化工生产“易燃、易爆、有毒、有害”特点突出，尤其是近几年，化工行业事故频发，特大恶性事故连续不断，给人们生命财产造成重大损失，在社会各界造成极其恶劣的影响。随着我国城镇化的快速推进，原来远离城市的石化化工企业已逐渐被新崛起的城镇包围，带来了许多隐患。“十四五”期间，社会各界将更加紧盯各地石化化工企业，石化化工企业进入化工园区，远离城镇布局将成为必然要求，安全生产也将是企业必须加强的一门必修课。绿色发展已经在社会上形成共识，坚持绿色发展是行业必须要强化的理念，一方面要补足以往的环保欠账；另一方面还要针对不断提高环保标准买单，这对行业来说，是一个巨大的挑战。A1170自动油介损及体积电阻率测定仪符合GB/T5654标准，用于测定在试验温度下呈液态的绝缘材料的介质损耗因数及体积电阻率，包括诸如变压器、电缆及其它电气设备内的绝缘液体。可广泛应用于电力、石油、化工、商检及科研等部门。仪器特点1、采用中频感应加热，室温加热至控温（90℃）并恒温自动测量仅需 15分钟。2、同时测量油介损及体积电阻率或任选一项。3、采用大屏幕液晶显示器，只需按照中文菜单提示，输入指令，仪器即可自动工作。4、具有通讯功能，可配置电脑进行实时监测，动态观察油介损值随油温变化并描绘成图。5、自动显示测量结果，并进行数据打印保存。6、具有过压、过流、短路保护，并具有高压指示，还具有报警提示功能。技术参数体积电阻率测量电压：DC500V±10%体积电阻率范围：2.5×106～2×1013Ω.m精度: 高于±10%电阻测量范围:2M～2TΩ介损测量范围：0.00001～1介损值分辨率：0.00001电容测量范围：10.0pF～200.0pF电容值分辨率：0.01pF空杯电容：60±5pF 介损值测量精度：±（1%读值+0.02%）电容值测量精度：±（1%读值+1pF）工作电源：AC220V±10%，50Hz测控温范围：室温～119.9℃测控温稳定度:±0.5 相对湿度：≤85%介损测量电压：1.5kV、2.0kV、2.5kV（常规使用2.0kV）(正接法) 环境温度：-5℃～50℃外形尺寸：480mm×400mm×420mm重　　量：25.7kg

成果名称 磁电阻特性测试仪(EL MR系列) 单位名称 北京科大分析检验中心有限公司 联系人 王立锦 联系邮箱 13260325821@163.com 成果成熟度 □研发阶段 □原理样机 □通过小试 &radic 通过中试 &radic 可以量产 合作方式 □技术转让 &radic 技术入股 &radic 合作开发 □其他 成果简介： 本仪器专门为材料磁电阻特性测试而设计的，采用流行的USB接口将高精度的数据采集器与计算机相连，数据采集迅速准确；用户界面直观友好，极大地方便了用户的使用。 MR-150型采用电磁铁产生强磁场，高精度名牌仪表采集数据，精度高稳定性好适合科研中各类样品的磁电阻特性测试。 MR-4型采用亥姆霍兹线圈产生磁场，无剩磁。采用高精度名牌仪表采集数据，精度高稳定性好适合科研中AMR、GMR、TMR各类样品的磁电阻特性测试。 MR-2型采用集成化主机和多通道USB接口数据采集卡采集数据，稳定性好适合科研教学中性能较好的磁电阻样品测试。 MR-1型采用手动调节磁场和人工读数，适合与大中专院校本科生研究生的专业实验中使用。 主要技术参数: 一、系统控制主机：内含可1路可调恒流源（0.3mA~50mA）、2路4 1/2数字电压表和1块USB接口24bit数据采集卡；功耗50W。 二、自动扫描电源：0~± 5A，扫描周期8~80s。 三、亥姆霍兹线圈：0~± 160Gs。 四、测量专用检波与放大电路技术参数：输入信号动态范围为± 30 dB；输出电平灵敏度为30mV / dB；,输出电流为8mA；转换速率为25 V /&mu s；相位测量范围为0~180° ；相位输出时转换速率为30MHz；响应时间为40 ns～500 ns；测量夹头间隔10mm。 五、计算机为PC兼容机，Windows XP或Windows 7操作系统。 六、数据采集软件在Windows XP和Windows 7操作系统均兼容。 应用前景： 本仪器可用于金属、合金及半导体材料的电阻变温测量。适合于高校科研院所科研测试及开设专业实验。目前该仪器已经应用在北京科技大学材料学院及哈尔滨工业大学深圳研究生院的研究生实验教学及课题组科研测量中，取得良好的成效。 知识产权及项目获奖情况： 本仪器拥有完全自主知识产权和核心技术，曾在全国高校自制实验仪器设备评选活动中获得优秀奖。

硅材料是半导体行业应用最广泛的半导体材料，是集成电路晶圆制造的主要原料。集成电路材料产业技术创新联盟联合分析检测与技术合作服务平台是材料联盟牵头，由多家半导体领域高校、企业及实验室等共建单位积极参与建设的专业化服务平台，目前共发布320多台仪器，涉及硅材料、光刻材料、电子气体、工艺化学品、封装材料、抛光材料、溅射靶材等多个不同领域。仪器信息网特将其中硅材料测试仪器进行整理，看知名半导体企业及实验室都购置了哪些硅材料测试仪器。（所统计仪器，部分仪器可能存在并列或包含关系，未进行区分）硅材料测试用仪器共55台（套），其中电子天平、电感耦合等离子质谱仪数量最多。硅材料测试用仪器数量统计仪器台（套）数量电子天平4电感耦合等离子体质谱仪4微控数显电加热板2数字式硅晶体少子寿命测试仪2磷检区熔炉2激光粒子计数器2等离子聚焦离子束2紫外/可见分光光度计1原子力显微镜1研磨机1硝酸提纯仪1显微红外分析仪1微机控制万能（拉力）试验机1微波消解仪1透视式电子显微镜1透射电子显微镜1少子寿命分析仪1扫描电镜系统1三维光学轮廓仪1能量色散型X射线荧光分析仪1纳米粒度仪1两探针电阻率测试仪1离子色谱仪1离子色谱1扩展电阻测试仪1聚焦离子束1精密研磨机1精密切割机1金相显微镜1激光散射粒径分布分析仪1傅立叶变换红外光谱仪1非金属膜厚仪1飞行时间二次离子质谱仪1多功能颗粒计数仪1电感耦合等离子体发射光谱仪1电感耦合等离子发射光谱仪1低温傅立叶变换红外光谱仪1低温傅里叶变换红外光谱仪1导电型号测试仪1超纯水系统1半导体参数测试仪1α-粒子计数器1CNC视像测量系统(三次元)13D立体显微镜1仪器所属单位中，55台（套）仪器分别来自于9家半导体企业及实验室。仪器所属企业统计单位名称台（套）数量江苏鑫华半导体材料科技有限公司23工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）16上海新安纳电子科技有限公司5南京国盛电子有限公司3洛阳中硅高科技有限公司3无锡华润上华科技有限公司2沁阳国顺硅源光电气体有限公司1纳瑞科技（北京）有限公司1江阴江化微电子材料股份有限公司1以下为硅材料测试用仪器的具体信息：硅材料测试仪器及型号仪器型号所属单位飞行时间二次离子质谱仪TOF.SIMS 5工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）非金属膜厚仪3100江阴江化微电子材料股份有限公司金相显微镜DM8000、DM3 XL等工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）透视式电子显微镜Tecnai F20无锡华润上华科技有限公司透射电子显微镜FEI Tecnai G 2 F20、OXFORD 能谱工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）超纯水系统Milli-Q Advantage A10江苏鑫华半导体材料科技有限公司能量色散型X射线荧光分析仪EDX-720工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）聚焦离子束FEI DB835无锡华润上华科技有限公司纳米粒度仪NiComp 380 ZLS上海新安纳电子科技有限公司紫外/可见分光光度计UV-MINI 1240工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）精密研磨机UNIPOL-802江苏鑫华半导体材料科技有限公司精密切割机SYJ-150江苏鑫华半导体材料科技有限公司等离子聚焦离子束FEI-235/FEI-835/FEI-200/FEI-800纳瑞科技（北京）有限公司等离子聚焦离子束双束FIB Helios G4 CX工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）离子色谱仪ICS-900上海新安纳电子科技有限公司离子色谱882 Compact IC plus江苏鑫华半导体材料科技有限公司磷检区熔炉WJ-FZ30A江苏鑫华半导体材料科技有限公司磷检区熔炉FZ350/20江苏鑫华半导体材料科技有限公司硝酸提纯仪DST-4000江苏鑫华半导体材料科技有限公司研磨机metaserv250江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子发射光谱仪VARIAN 710-ES上海新安纳电子科技有限公司电感耦合等离子体质谱仪iCAP RQ沁阳国顺硅源光电气体有限公司电感耦合等离子体质谱仪7700S南京国盛电子有限公司电感耦合等离子体质谱仪8900江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子体质谱仪7700S江苏鑫华半导体材料科技有限公司电感耦合等离子体发射光谱仪5100工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）电子天平XPE504江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平XPE105江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平ME-204E江苏鑫华半导体材料科技有限公司电子天平JE1002江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光粒子计数器KC-24江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光粒子计数器HHPC-6+江苏鑫华半导体材料科技有限公司激光散射粒径分布分析仪LA-960上海新安纳电子科技有限公司显微红外分析仪NicoletIS50+Continuum工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）数字式硅晶体少子寿命测试仪LT-100C洛阳中硅高科技有限公司数字式硅晶体少子寿命测试仪LT-100C江苏鑫华半导体材料科技有限公司扫描电镜系统冷场发射扫描电子显微镜 Regulus8230 热场发射扫描电子显微镜 MIRA3 XMH 离子溅射镀膜仪 Q150TS 能谱仪 Octane Elect Plus 电子背散射衍射仪相机 Hikari Plus X射线能谱仪 Octane Elect Su工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）扩展电阻测试仪SSM2000南京国盛电子有限公司微波消解仪MARS6江苏鑫华半导体材料科技有限公司微机控制万能（拉力）试验机CMT5105、6502工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）微控数显电加热板HP51江苏鑫华半导体材料科技有限公司微控数显电加热板EG20B江苏鑫华半导体材料科技有限公司少子寿命分析仪FAaST210南京国盛电子有限公司导电型号测试仪STY-3江苏鑫华半导体材料科技有限公司多功能颗粒计数仪AccuSizer 780 APS上海新安纳电子科技有限公司原子力显微镜Dimension® Icon™ 工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）半导体参数测试仪B1500/B1500A/B15005A工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）傅立叶变换红外光谱仪Nicolet iS50洛阳中硅高科技有限公司低温傅里叶变换红外光谱仪CryoSAS江苏鑫华半导体材料科技有限公司低温傅立叶变换红外光谱仪CryoSAS洛阳中硅高科技有限公司两探针电阻率测试仪KDY-20江苏鑫华半导体材料科技有限公司三维光学轮廓仪VK-X250K工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）α-粒子计数器UltraLo-1800工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）CNC视像测量系统(三次元)O-INSPECT543工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）3D立体显微镜VHX-6000工业和信息化部电子第五研究所（中国赛宝实验室）推荐阅读：半导体行业湿电子化学品常用检测仪器及技术盘点

绝缘电阻测试仪测量常见的有哪些问题?1 为什么在测量同一物体时用不同的电阻量程有不同的读数？ 这是因为测量电阻时为防止过电压损坏仪器，如果出现过量程时仪器内保护电路开始工作，将测试电压降下来以保护机内放大器。在不同的电压下测量同一物体会有不同的结果。而且当测量电阻时若读数小于199，既只为三位数且di一位数为1 时，其准确度要下降。所以在测量电阻时当di一次读数从1 变为某一读数时，不应再往更高的量程扭开关以防对仪器造成过大的电流冲击。在实际使用时，即读数位数多的比读数位数少的准确度高。2为什么测量完毕时一定要将量程开关再拨到104档后才能关电源？ 这是因为在测量时被测物体及仪器输入端都有一定的电容，这个电容在测量时已被充电到测量电时的电压值，如果仪器不拨到104挡后关电源这个充电后的电容器会对仪器内的放大器放电而造成仪器损坏。当被测量物体电容越大，测试电压越高时，电容器所储藏的电能越大，更容易损坏仪器，特别是在电阻的高量程或电流的低量程时因仪器非常灵敏，仪器过载而损坏的可能性更大。所以一定要将量程开关再拨到104挡后才能关电源。3为什么测量时仪器的读数总是不稳？ 一般的材料其导电性不是严格像标准电阻样在一定的电压下有很稳定的电流，有很多材料特别是防静电材料其导电性不符合欧姆定律，所以在测量时其读数不稳。 这不是仪器的问题，而是被测量物体的性能决定的。有的标准规定以测量1分钟时间的读数为准。通常在测量高电阻或微电流时测量准确度因重复性不好，对测量读数只要求2位或3位。另外在测量大电阻时如果屏蔽不好也会因外界的电磁信号对仪器测量结果造成读数不稳。4为什么测量一些物体的电流时用不同的量程也会出现测出结果相差较大？ 这是因为一般物体输出的电流不是恒定流，而仪器有一定内阻，若在仪器上所选量程的内阻过大以至于在仪器上的电压降影响被测物体的输出电流时会造成测量误差。一般电流越小的量程内阻越高，所以在测量电流时应选用电流大的量程。在实际使用时即只要电流表有读数时，读数位数少的小的比读数位数多的准确度高。 5 为什么测量完毕要将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源？ 这是因为机内的电容器充有很高的电压（zui高电压达1200V以上），这些电容器的所带的电能保持较长的时间，如果将电压量程开关再拨到10V档后关闭电源，则会将机内的高压电容器很快放电，不会在测量的高压端留有很危险的电压造成电击。如果仅拨电源线而不是将电压调至10V档，虽然断了电源，但机内高压电容器还有会因长时间保持很高的电压，将会对人员或其它物体造成电击或损坏。在仪器有问题时也不要随便打开机箱因机内高压造成电击，要将仪器找专业技术人员或寄回厂家修理。6为什么在测量电阻过程中不要改变对被测物的测试电压？ 在测量电阻过程中如果改变对被测物的测试电压，无论电压变高或变低时都将会产生大脉冲电流，这个大的电流很有可能使仪器过量程甚至更损坏仪器。另一方面如果电压突然变化也会通过被测量物体的（分布）电容放电或反向放电对测量仪器造成冲击而损坏仪器。有的物体的耐压较低，当您改变测量电压时有右能击穿而产生大电流损坏仪器。如果要改变测量电压，在确保被测量物体不会因电压过高击穿时，要先将量程开关拨到104档后关闭电源，再从仪器后面板调整到所要求的电压。有的材料是非线性的，即电压与电流是不符合欧姆定律，有改变电压时由于电流不是线性变化，所以测量的电阻也会变化。

FT-3110系列全自动四探针测试仪一.功能描述：四点探针法，全自动化运行测量系统，PC软件采集和数据处理；参照A.S.T.M 标准方法测试半导体材料电阻率和方块电阻；可设定探针压力值、测试点数、多种测量模式选择；真空环境，可显示：方阻、电阻率、显示2D,3D扫描/数值图、温湿度值、提供标准校准电阻件. 报表输出数据统计分析.FT-3110系列全自动四探针测试仪二.适用范围晶圆、非晶硅/微晶硅和导电膜电阻率测量；选择性发射极扩散片；表面钝化片；交叉指样PN结扩散片；新型电极设计，如电镀铜电阻测量等；半导体材料分析，铁电材料，纳米材料，太阳能电池，LCD，OLED，触摸屏等. FT-3110系列全自动四探针测试仪三.技术参数： 规格型号FT-3110AFT-3110B1.电阻10^-5～2×10^5Ω10^-6～2×10^5Ω2.方块电阻 10^-5～2×10^5Ω/□10^-6～2×10^5Ω/□3.电阻率 10^-6～2×10^6Ω-cm10-7～2×106Ω-cm4.测试电流 0.1μA.μA.0μA，100μA，1mA， 10mA，100mA1A、100mA、10mA、1mA、100uA、10uA、1uA、0.1uA5.电流精度 ±0.1% 6.电阻精度 ≤0.3%7.PC软件操作PC软件界面：电阻、电阻率、电导率、方阻、温度、单位换算、电流、电压、探针形状、探针间距、厚度 、2D、3D图谱、压力、报表生成等8.压力范围：探针压力可调范围：软件控制,100-500g可调9.探针针间绝缘电阻：≥1000MΩ；机械游移率：≤0.3%圆头铜镀金材质，探针间距1mm；2mm；3mm选配，其他规格可定制10.可测晶片尺寸选购 晶圆尺寸：2-12寸（6寸150mm，12寸300mm）；方形片：大至156mm X 156mm 或125mm X 125mm11.分析模式单点、五点、九点、多点、直径扫描、面扫描等模式的自动测试12.加压方式测量重复性：重复性≤3% 13.安全防护具有限位量程和压力保护 误操作和急停防护 异常警报14.测试环境真空15.电源输入: AC220V±10%.50Hz 功 耗：瑞柯全自动四探针测试仪

p style=" line-height: 1.75em " 　 半导体材料是微电子器件和光伏器件的基础材料，其杂质和缺陷特性严重影响器件性能。随着微电子器件集成度和光伏器件转换效率的提高，对半导体原材料的要求越来越高。为了满足工业化生产的需求，相应地要求材料检测方法具有更高的灵敏度和更快的测量速度，同时避免对材料产生损伤。载流子是半导体材料的功能载体，其输运特性决定了各种光电器件的性能，包括载流子寿命、扩散系数和表面复合速率等。光载流子辐射技术是实现对载流子输运参数进行同时测量的一种全光无损检测方法，但该方法在载流子输运参数的测量表征中仍然存在一些局限，如理论模型的适用性、参数的测量精度和测量速度等。 /p p style=" line-height: 1.75em " 　　在国家自然科学基金项目支持下，中国科学院光电技术研究所针对上述问题，以传统半导体硅材料为研究对象，建立非线性光载流子辐射模型，并在此基础上分别提出了多光斑光载流子辐射技术和稳态光载流子辐射成像技术，通过仿真计算和实验测量证实了上述技术的有效性。多光斑光载流子辐射技术可以完全消除测量系统仪器频率响应对测量结果的影响，提高载流子输运参数的测量精度，以电阻率为0.1-0.2Ω?cm的P型单晶硅为例，提出的多光斑光载流子辐射技术将载流子寿命、扩散系数和表面复合速率的测量不确定度从传统的± 15.9%、± 29.1%和& gt ± 50%降低到± 10.7%, ± 8.6%和± 35.4%。另外，稳态光载流子辐射成像技术由于简化了理论模型和测量装置，测量速率大大提高，具有较大的工业化应用潜力。 /p p style=" line-height: 1.75em text-align: center " img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/5c7ed4bf-665b-4d58-a7c4-268d1148946a.jpg" title=" W020160405584462855531.png" / /p p style=" line-height: 1.75em text-align: center " 实验测量结果比较 /p p br/ /p

第三代半导体材料主要是以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)等为代表的宽禁带半导体材料。与第一、二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料(禁带宽度大于2.3eV)，亦被称为高温半导体材料。从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是碳化硅和氮化镓，而氧化锌、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)，被行业称为第三代半导体材料的双雄。基于第三代半导体的优良特性，其在通信、汽车、高铁、卫星通信、航空航天等应用场景中颇具优势。其中，碳化硅、氮化镓的研究和发展较为成熟。以SiC为核心的功率半导体，是新能源汽车充电桩、轨道交通系统等公共交通领域的基础性控件；射频半导体以GaN为原材料，是支撑5G基站建设的核心；第三代半导体在消费电子、工业新能源以及人工智能为代表的未来新领域，发挥着重要的基础作用。近年来，随着新能源汽车的兴起，碳化硅IGBT器件逐渐被应用于超级快充，展现出了强大的市场潜力，第三代半导体发展进入快车道。随着第三代半导体，特别是氮化镓和碳化硅的市场爆发，相关标准也逐渐出台。无规矩不成方圆，只有有了规矩，有了标准，这个世界才变得稳定有序！标准是科学、技术和实践经验的总结。为在一定的范围内获得最佳秩序，对实际的或潜在的问题制定共同的和重复使用的规则的活动，即制定、发布及实施标准的过程，称为标准化。为规范第三代半导体材料的发展，相关组织和机构也出台了一系列的标准。（以下第三代半导体标准只统计其作为宽禁带半导体材料的现行相关标准）碳化硅(SiC)碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要应用场景。特斯拉作为技术先驱，已率先在Model 3中集成全碳化硅模块，其他一线车企亦皆计划扩大碳化硅的应用。随着碳化硅器件制造成本的日渐降低、工艺技术的逐步成熟，碳化硅功率器件行业未来可期。相关标准如下，标准号标准名称CASA 001-2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范CASA 003-2018p-IGBT器件用4H-SiC外延晶片CASA 004.1-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 术语CASA 004.2-20184H-SiC衬底及外延层缺陷 图谱CASA 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范CASA 007-2020电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范CASA 009-2019半绝缘SiC材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法-共焦点微分干涉光学法T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法-非接触涡流法T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法T/IAWBS 007-20184H碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法T/IAWBS 006-2018碳化硅混合模块测试方法T/IAWBS 005-20186英寸碳化硅单晶抛光片T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定汞探针电容-电压法T/IAWBS 002-2017碳化硅外延片表面缺陷测试方法T/IAWBS 001-2017碳化硅单晶DB13/T 5118-2019 4H碳化硅N型同质外 延片通用技术要求DB61/T 1250-2019 SiC（碳化硅）材料半导体分立器件通用规范GB/T 32278-2015 碳化硅单晶片平整度测试方法GB/T 30867-2014 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法GB/T 30868-2014 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法SJ/T 11501-2015 碳化硅单晶晶型的测试方法SJ/T 11503-2015 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法SJ/T 11504-2015 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法SJ/T 11502-2015 碳化硅单晶抛光片规范SJ/T11499-2015 碳化硅单晶电学性能的测试方法SJ/T 11500-2015碳化硅单晶晶向的测试方法GB/T 31351-2014碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法GB/T 30656-2014碳化硅单晶抛光片GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法氮化镓(SiC)氮化镓，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器的条件下，产生紫光（405nm）激光。GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。标准号标准名称CASA 010-2019GaN材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法T/GDC 69—2020氮化镓充电器GB/T 39144-2020 氮化镓材料中镁含量的测定 二次离子质谱法GB/T 37466-2019氮化镓激光剥离设备GB/T 37053-2018 氮化镓外延片及衬底片通用规范GB/T 36705-2018 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法GB/T 32282-2015 氮化镓单晶位错密度的测量 阴极荧光显微镜法GB/T 32189-2015 氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法GB/T 32188-2015 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法GB/T 30854-2014 LED发光用氮化镓基外延片蓝宝石（Al2O3） 蓝宝石晶体属于人造宝石晶体，主要应用于制作LED灯的关键材料，也是应用于红外军事装置、卫星空间技术、高强度激光的重要窗口材料。蓝宝石晶体是一种氧化铝的单晶，又称为刚玉。蓝宝石已成为一种重要的半导体衬底材料。标准号标准名称SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 35316-2017 蓝宝石晶体缺陷图谱GB/T 34612-2017 蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法GB/T 34504-2017 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法GB/T 34213-2017 蓝宝石衬底用高纯氧化铝GB/T 34210-2017 蓝宝石单晶晶向测定方法GB/T 33763-2017 蓝宝石单晶位错密度测量方法SJ/T 11505-2015 蓝宝石单晶抛光片规范GB/T 31353-2014 蓝宝石衬底片弯曲度测试方法GB/T 31352-2014 蓝宝石衬底片翘曲度测试方法GB/T 31093-2014 蓝宝石晶锭应力测试方法GB/T 31092-2014 蓝宝石单晶晶锭GB/T 30858-2014 蓝宝石单晶衬底抛光片GB/T 30857-2014 蓝宝石衬底片厚度及厚度变化测试方法DB44/T 1328-2014 蓝宝石图形化衬底片测试技术规范GB/T 14015-1992 硅-蓝宝石外延片其他标准第三代半导体被广泛的应用于IGBT功率器件中和发光材料中，对此，我们盘点了宽禁带半导体、功率器件和光电子器件标准。标准号标准名称CASA 002-2021宽禁带半导体术语T/IAWBS 004-2017电动汽车用功率半导体模块可靠性试验通用要求及试验方法T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验GB/T 29332-2012半导体器件　分立器件　第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)GB/T 36360-2018 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范GB/T 36358-2018 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范GB/T 36357-2018 中功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36356-2018 功率半导体发光二极管芯片技术规范GB/T 36359-2018 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范SJ/T 11398-2009 功率半导体发光二极管芯片技术规范SJ/T 11400-2009 半导体光电子器件 小功率半导体发光二极管空白详细规范SJ/T 11393-2009 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范现行SJ/T 1826-2016 半导体分立器件 3DK100型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1834-2016 半导体分立器件 3DK104型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1839-2016 半导体分立器件 3DK108型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1833-2016 半导体分立器件 3DK103型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1831-2016 半导体分立器件 3DK28型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范现行SJ/T 1830-2016 半导体分立器件 3DK101型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1838-2016 半导体分立器件 3DK29型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范SJ/T 1832-2016 半导体分立器件 3DK102型ＮＰＮ硅小功率开关晶体管详细规范IEC 60747半导体器件QC/T 1136-2020 电动汽车用绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块环境试验要求及试验方法JB/T 8951.1-1999 绝缘栅双极型晶体管JB/T 8951.2-1999 绝缘栅双极型晶体管模块 臂和臂对需要注意的是，CASA和IAWBS属于团体标准、GB属于国家标准、DB是地方标准。仪器信息网为了更好地服务半导体行业用户，特邀请您参与问卷调研，麻烦大家动动小手完成问卷，参与即得10元话费！活动结束还将择优选择10名认真填写用户送出50元话费！！！http://a72wfu5hktu19jtx.mikecrm.com/zuXBhOy

前道量检测根据测试目的可以细分为量测和检测。量测主要是对芯片的薄膜厚度、关键尺寸、套准精度等制成尺寸和膜应力、掺杂浓度等材料性质进行测量，以确保其符合参数设计要求；而检测主要用于识别并定位产品表面存在的杂质颗粒沾污、机械划伤、晶圆图案缺陷等问题。广义上的半导体检测设备，分为前道量测（又称半导体量测设备）和后道测试（又称半导体测试设备）。前道量检测主要用于晶圆加工环节，目的是检查每一步制造工艺后晶圆产品的加工参数是否达到设计的要求或者存在影响良率的缺陷，属于物理性的检测。仪器信息网近期特对一年内半导体前道检测用光学显微镜、聚焦离子束、电子显微镜、四探针和椭偏仪的中标讯息整理分析，供广大仪器用户参考。（注：本文搜集信息全部来源于网络公开招投标平台，不完全统计分析仅供读者参考。）各月中标量占比2019年10月至2020年9月，根据统计数据，检测设备的总中标数量为142台。2019年10月至2020年1月，平均中标量约15台每月。2020年2月，由于疫情影响，半导体量测仪器市场低迷。从2020年3月起，随着国内疫情稳定以及企业复产复工和高校复学的逐步推进，光刻设备市场逐渐回暖，其中9月产品中标量高达21台。招标单位地区分布本次盘点，招标单位地区分布共涉及25个省份、自治区及直辖市。其中，广东省采购量最多，达33台，远超其他地区。在广东省的采购中，以光学显微镜和四探针设备为主，采购单位多数为高校。采购单位性质分布从光刻设备的招标采购单位来看，高校是采购的主力军，采购量占比高达63%，企业和科研院所的采购量分别占比17%和20%。值得注意的是，企业和科研院所采购检测设备的平均价格较高。这表明，前道检测设备主要用户集中于研发领域。各类检测设备占比从各类前道检测设备占比来看，根据搜集到的中标数据可知，四探针、椭偏仪、电子显微镜和光学显微镜占比分别为32%、25%、22%和18%。这里的光学显微镜包含了金相显微镜和体视显微镜。值得注意的是，企业采购以电子显微镜为主，而高校采购则以四探针为主，科研院所各类设备采购数量差距不大。本次设备中标盘点，涉及椭偏仪品牌有颐光科技、SEMILAB、J.A.Woollam、海瑞克、HORIBA等；四探针品牌有广州四探针、瑞柯、苏州晶格、海瑞克、品鸿科技、海尔帕、普西工业、Napson Corporation、三菱等。其中，各品牌比较受欢迎的产品型号有：HORIBA UVISEL 研究 级经典型椭偏仪 这款仪器是HORIBA公司20多年技术积累和发展的结晶，是一款高准确性、高灵敏度、高稳定性的经典椭偏机型。即使在透明的基底上也能对超薄膜进行精确的测量。采用PEM相位调制技术，与机械旋转部件技术相比，能提供更好的稳定性和信噪比。同时，这款仪器提供多种光谱范围选择，还针对紫外、可见和近红外提供优化的PMT和IGA探测器。 FT-330 系列四 探针测试 仪 FT-330系列普通四探针方阻电阻率测试仪是按照硅片电阻率测量的国际标准（ASTM F84）及国家标准设计制造该仪器设计符合GB/T 1551-2009 《硅单晶电阻率测定方法》、GB/T 1551-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流两探针法》、GB/T 1552-1995《硅、锗单晶电阻率测定直流四探针法》并参考美国 A.S.T.M 标准设计。本机配置232电脑接口及USB两种接口，采用范德堡测量原理能改善样品因几何尺寸、边界效应、探针不等距和机械游移等外部因素对测量结果的影响及误差，比市场上其他普通的四探针测试方法更加完善和进步,特别是方块电阻值较小的产品测量，更加准确。FT-341 双电测 电四探针 方阻电阻率测试仪 这款仪器采用四探针双电测量方法，适用于生产企业、高等院校、科研部门，是检验和分析导体材料和半导体材料质量的一种重要的工具。同时，仪器配置各类测量装置可以测试不同材料。双电测数字式四探针测试仪是运用直线或方形四探针双位测量。该仪器设计符合单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准。利用电流探针、电压探针的变换，进行两次电测量，对数据进行双电测分析，自动消除样品几何尺寸、边界效应以及探针不等距和机械游移等因素对测量结果的影响，它与单电测直线或方形四探针相比，大大提高精确度，特别是适用于斜置式四探针对于微区的测试。点击此处进入【电子显微镜】【聚焦离子束】【四探针测试仪】和【椭偏仪】等专场，获取更多产品信息。更多资讯请扫描下方二维码，关注【材料说】

自中美贸易战以来，国家对于半导体行业的重视日渐提升。为避免关键技术被“卡脖子”，国家大力推动半导体行业的发展，先后发布了《国务院关于印发新时期促进集成电路产业和软件产业高质量发展若干政策的通知》、《关于促进集成电路产业和软件产业高质量发展企业所得税政策的公告》等政策，从财税政策、投融资政策、研究开发政策、进出口政策、人才政策、知识产权政策、市场应用政策、国际合作政策等多个层面支持国内半导体行业的自主创新。半导体材料主要包括第一代半导体材料（Si等）、第二代半导体材料（砷化镓GaAs、锑化铟InSb等）、第三代半导体材料（碳化硅SiC、氮化镓GaN、氧化锌ZnO、金刚石、氮化铝等），以及在半导体工艺环节必须用到的特种气体、靶材、光刻胶、显影液、抛光液和抛光垫、键合胶、电镀液、清洗液、刻蚀液、研磨材料、掩模版、光阻材料等。其中，大部分半导体材料依赖于对外进口，目前主要进口自美国、日本、韩国等。表1 热门半导体材料主要进口国家及地区主要半导体材料主要进口国家及地区硅片等日本、德国、韩国、美国、中国台湾砷化镓GaAs等日本碳化硅SiC等美国、欧洲特种气体美国、德国、法国、日本靶材美国、日本光刻胶中国台湾、日本、美国抛光液和抛光垫美国、日本、韩国研磨材料美国掩模版日本湿电子化学品德国、美国、日本、韩国、中国台湾光阻材料日本封装材料中国台湾半导体材料的晶体结构和缺陷杂质都将对半导体器件的性能产生较大的影响，因此半导体材料的检测对于成品质量具有至关重要的意义，以下整理了半导体检测中用到的主要科学仪器及其在半导体领域的应用。表 半导体检测仪器和用途半导体检测仪器与技术（点击下方仪器进入专场）在半导体领域的应用光学测量仪器外延层厚度测量、测定元素含量、用于高纯气体分析等电学测量仪器（四探针、三探针、扩展电阻、C-V法、霍尔测量）测量电阻率、载流子浓度、导电类型、迁移率、寿命及载流子浓度分布等X射线衍射仪缺陷及形貌观察（无损检测），检测二次缺陷的形成和消除等金相显微镜观察晶体缺陷等俄歇电子能谱表面层原子成分、含量、化学键合状态分析等二次离子质谱杂质检测等扫描电镜微区形貌观察，成分、结构分析，失效分析，缺陷检测等透射电镜半导体晶体缺陷分析等原子吸收分光光度痕量杂质检测等气相色谱气体分析高频电感耦合等离子体发射光谱微量成分分析等离子束用于分析离子注入层和外延层损伤、定位等离子探针用于薄层分析、微区分析、测量浓度分布，分析痕量杂质等电子探针成分分析等以上列举了半导体行业用到的热门半导体材料和检测仪器，日后仪器信息网也将对半导体检测解决方案进行盘点敬请期待。

我们很高兴在此隆重宣布：恒奇公司所代理的梅特勒-托利多全新便携式双通道多参数测试仪系列产品于2009年3月正式上市。 　　全新便携式双通道多参数测试仪系列产品包含三款仪表，可用于测量pH、电导率、溶解氧 　　和离子浓度。 　　全新的便携式双通道多参数测试仪系列产品可广泛应用于制药、生物技术、食品饮料、化 　　妆品、环境、教育、化工、石化、电力等各行各业，其全新的设计概念和更便捷的操作将 　　大大增加梅特勒-托利多pH产品在便携式仪表市场的竞争力。 　　我们坚信，全新便携式双通道多参数测试仪系列产品的上市必将为我们赢得更多的用户! 　　让我们共同努力开创崭新的局面! 　　仪器说明： 　　SevenGo Duo (SG23) 　　• 单通道或双通道快速、简单的测量 　　• 可同时测量和显示pH/mV和电导率/TDS/电阻率/盐度 　　• 坚固耐用的IP67防尘防水仪表，适合苛刻环境中使用 　　• 高分辨率的显示和超大字体，保证操作无比轻松 　　• 自动、手动终点模式，确保测量的重复性 　　• 99组数据存储 　　• ISM® 智能电极管理，保证使用最新的校准数据 　　• 丰富的附件，包括双电极夹、橡胶护套、户外便携箱SevenGo Duo pro(SG78/SG68) 　　• 可同时测量和显示pH/mV/离子和电导率/TDS/电阻率/盐度或pH/mV/离子和溶解氧 　　• 直观友好的操作界面，包括中文在内的10种菜单语言 　　• 背光功能，可在光线不足的环境下使用 　　• 现代化的仪器安全性保证，包括普通与专家模式、校准提醒、密码保护、限值监测 　　• 支持GLP格式，可存储500组数据 　　• 红外线无线通讯，连接电脑或打印机 　　• 自动、手动、定时3种终点模式，适合不同样品测量，确保测量的重复性 　　• 更丰富的ISM® 智能电极管理，可直接读取电极的序列号、ID、最近5次校准数据

热电材料能够实现热电转换，具有安全、节能、环保等优点，近年来备受关注，许多学者也围绕其开展了大量的研究工作。在本文，仪器信息网为大家盘点了热电材料研究实验室常用的制备与表征仪器清单。国内研究热电材料的课题组众多，在小编的雷达范围内，整理归纳了其中四个课题组的仪器展示表格：1.中国科学院上海硅酸盐研究所热电转换材料与器件研究课题组；2.中国科学院金属研究所热电材料与器件课题组；3.同济大学材料科学与工程学院热电课题组；4.哈尔滨工业大学（深圳）材料科学与工程学院热电材料课题组。一、中国科学院上海硅酸盐研究所热电转换材料与器件研究课题组（课题组长：史迅研究员；副组长：柏胜强高级工程师；科研队伍：陈立东研究员、姚琴副研究员、瞿三寅副研究员、仇鹏飞副研究员等）该课题组主要从事高性能热电材料的设计、制备与性能优化以及高性能热电器件的设计、制造与集成方面的研究，主要内容包括：1.声子液体电子晶体材料 (类液态材料)；2.类金刚石结构；3.笼状化合物；4.有机热电材料和有机/无机复合热电材料；5.热电薄膜与微型热电薄膜器件；6.高性能热电器件设计与制造技术；7.热电空调/发电系统设计与集成技术；8.热电材料与器件测量技术。课题组仪器设备展示Seebeck系数和电阻测试系统（ZEM-3）布劳恩手套箱RS50/500型管式炉纳博热（ Nabertherm）LH15/13型箱式炉 放电等离子体快速烧结设备激光导热仪 霍尔系数测试设备电导率及塞贝克系数测试设备 X射线广角/小角衍射设备MSP（Modified Small Punch）试验装置二、中国科学院金属研究所热电材料与器件课题组（课题组长：邰凯平研究员；小组成员：康斯清工程师）该课题组长期从事功能材料设计、制备和性能表征方面的研究工作，以界面性质对材料物理、化学性能调控作用的共性基础科学问题为研究主线，主要研究内容包括：低维热电材料；多物理外场耦合仿真环境原位透射电镜表征；纳米结构抗辐照损伤材料。在原位透射电镜技术领域的成果被Science（350，9886，2015）、Chem Rev（116，11061，2016）、Adv Mater（02519，2016）等期刊评述为近十年来纳米材料原位电镜表征技术领域的关键研究成果，并被编入电子显微学教科书“Transmission Electron Microscopy”（Page 48，Springer，Heidelberg，2016）。课题组仪器设备展示多靶磁控溅射沉积系统-1多靶磁控溅射沉积系统-2热电性能测试设备ALD原子层沉积系统等离子体处理/原位TEM样品杆预抽系统Hall测试系统AFM红外成像显微镜微束/飞秒激光微纳加工系统紫外光刻机电子束/热蒸发镀膜系统3Omega频域法热导率测试系统稳态法热导率测试系统球型焊线机高温管式炉红外快速退火炉自主研制的各种类型原位仿真环境（JEOL/FEI）TEM样品杆三、同济大学材料科学与工程学院热电课题组（课题组长：裴艳中教授；小组成员：李文副教授）该研究小组主要针对当前热电材料转换效率较低这一技术瓶颈，从热电材料所涉及的基本物理及化学问题出发，设计和开发出高转换效率热电材料和器件。立足于前期工作的基础之上，今后具体的研究对象主要集中在半导体材料，研究内容主要包括：1.先进的材料制备方法；2.电、热、光、磁及微观结构的表征方法；3.能源材料性能所隐含的基本物理及化学问题；4.理论指导下的新型能源材料设计和开发；5.其它应用背景的半导体新材料的研究与开发。课题组仪器设备展示自主研制设备霍尔系数/塞贝克系数/电阻率同步测试 2个样品同时测试，300~900K，磁场1.5T塞贝克系数/电阻率同步测试系统 2个样品同时测试，300~1100K室温塞贝克系数测试系统Oxford低温（1.5~400K）与强磁场（12T）综合物理性能（Nernst，Seebeck，Hall系数与电/热导率）测试系统电弧熔炼系统电弧熔炼系统高温热压系统（升温速率＞1000C/min）封装系统材料生长炉商业设备台式扫描电镜&能谱XRDFTIR红外光谱仪声速测定仪激光导热仪惰性气氛手套箱高温熔融炉四、哈尔滨工业大学（深圳）材料科学与工程学院热电材料课题组（课题组长张倩教授，学术顾问刘兴军教授）该课题组正式成立于2016年秋。主要研究方向为：热电半导体能源材料的电声输运调控、热电器件的设计与效率提升，柔性可穿戴发电与制冷器件。采用与相图工程和机器学习相结合的手段，优化传统热电材料，开发新型热电材料，促进热电发电与制冷的大规模商业应用进程。课题组仪器设备展示材料制备系统电弧熔炼炉高频悬浮熔炼炉立式真空管式炉微型金属熔炼炉双工位真空手套箱真空封管系统热压烧结系统放电等离子烧结SPS3D打印机多靶磁控溅射镀膜仪电子束蒸发镀膜仪高温箱式炉高能球磨机井式炉金相研磨抛光机金刚石线切割机性能测试系统激光导热仪-LFA 457差示扫描量热仪-DSC 404同步热分析仪-STA 2500热机械分析仪-TMA 457电阻率/温差电动势测试仪-CTAUV-vis-NIR变温霍尔测试系统变温红外光谱仪发电效率特性测定装置接触电阻测试平台焊接平台需要说明的是，以上仪器设备展示仅根据各课题组网站信息整理，并非各课题组实验室仪器的全部配置。因此，小编特整理了热电材料研究实验室常用的制备与表征仪器清单，供君参考。热电材料研究实验室仪器配置清单热电材料制备常用仪器电子天平马弗炉/电阻炉/管式炉/实验炉鼓风/真空干燥箱材料生长炉磁力搅拌器球磨机超声波清洗机放电等离子烧结SPS离心机悬浮熔炼炉/电弧熔炼炉石墨磨具原子层沉积系统真空/惰性气氛手套箱电子束/热蒸发镀膜设备恒温油浴/水浴锅退火炉游标卡尺3D打印机切割机研磨抛光机热电材料表征常用仪器X射线衍射仪赛贝克系数/电阻率测试系统X射线光电子能谱仪霍尔系数测试设备热重分析仪介电性能测试系统扫描电子显微镜热电转换效率测量系统透射电子显微镜电/热导率测试系统电子探针分析仪声速测定仪热膨胀仪红外光谱仪显微硬度仪热机械分析仪激光热导仪焊接平台差热扫描热量仪综合物理性能测试系统【近期网络会议推荐】3月23日“热电材料表征与检测技术”主题网络研讨会免费报名听会链接：https://www.instrument.com.cn/webinar/meetings/2021RD/

p style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 半导体器件生产中，从半导体单晶片到制成最终成品，须经历数十甚至上百道工序。为了确保产品性能合格、稳定可靠，并有高的成品率，根据各种产品的生产情况,对所有工艺步骤都要有严格的具体要求。因而,在生产过程中必须建立相应的系统和精确的监控措施，首先要从半导体工艺检测着手。 /span /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 半导体工艺检测的项目繁多，内容广泛，方法多种多样，可粗分为两类。第一类是半导体晶片在经历每步工艺加工前后或加工过程中进行的检测，也就是半导体器件和集成电路的半成品或成品的检测。第二类是对半导体单晶片以外的原材料、辅助材料、生产环境、工艺设备、工具、掩模版和其他工艺条件所进行的检测。第一类工艺检测主要是对工艺过程中半导体体内、表面和附加其上的介质膜、金属膜、多晶硅等结构的特性进行物理、化学和电学等性质的测定。其中许多检测方法是半导体工艺所特有的。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 工艺检测的目的不只是搜集数据，更重要的是要把不断产生的大量检测数据及时整理分析，不断揭示生产过程中存在的问题，向工艺控制反馈，使之不致偏离正常的控制条件。因而对大量检测数据的科学管理，保证其能够得到准确和及时的处理，是半导体工艺检测中的一项重要关键。同时半导体检测也涉及大量的科学仪器，针对于此，对一些半导体检测的仪器进行介绍。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/537.html" target=" _self" 椭偏仪 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 椭偏仪是一种用于探测薄膜厚度、光学常数以及材料微结构的光学测量仪器。由于测量精度高，适用于超薄膜，与样品非接触，对样品没有破坏且不需要真空，使得椭偏仪成为一种极具吸引力的测量仪器。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 目前，椭偏仪是测量透明、半透明薄膜厚度的主流方法，它采用偏振光源发射激光，当光在样本中发生反射时，会产生椭圆的偏振。椭偏仪通过测量反射得到的椭圆偏振，并结合已知的输入值精确计算出薄膜的厚度，是一种非破坏性、非接触的光学薄膜厚度测试技术。在晶圆加工中的注入、刻蚀和平坦化等一些需要实时测试的加工步骤内，椭偏仪可以直接被集成到工艺设备上，以此确定工艺中膜厚的加工终点。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/1677.html" target=" _self" span style=" text-indent: 2em " 四探针测试仪 /span /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 四探针测试仪是用来测量半导体材料（主要是硅单晶、锗单晶、硅片）电阻率，以及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶方块电阻等的测量仪器。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 测量半导体电阻率方法的测量方法主要根据掺杂水平的高低，半导体材料的电阻率可能很高。有多种因素会使测量这些材料的电阻率的任务复杂化，包括与材料实现良好接触的问题。特殊的探头设计用于测量半导体晶片和半导体棒的电阻率。这些探头通常由诸如钨的硬质金属制成，并接地到探头。在这种情况下，接触电阻很高，必须使用四点共线探针或四线绝缘探针。两个探针提供恒定电流，另外两个探针测量整个样品一部分的电压降。通过使用所测电阻的几何尺寸来计算电阻率。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 薄膜应力测试仪 /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 薄膜应力作为半导体制程、MEMS微纳加工、光电薄膜镀膜过程中性能测试的必检项，其测试的精度、重复性、效率等因素为业界所重点关注。对应产品目前业界有两种主流技术流派：1）以美国FSM、KLA、TOHO为代表的双激光波长扫描技术（线扫模式），尽管是上世纪90年代技术，但由于其简单高效，适合常规Fab制程中进行快速QC，至今仍广泛应用于相关工厂。2）以美国kSA为代表的MOS激光点阵技术，抗环境振动干扰，精于局部区域内应力测量，这在研究局部薄膜应力均匀分布具有特定意义。线扫模式主要测量晶圆薄膜整体平均应力，监控工序工艺的重复性有意义。但在监控或精细分析局部薄膜应力，激光点阵技术具有特殊优势，比如在MEMS压电薄膜的应力和缺陷监控。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 热波系统 /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 热播系统主要用来测量掺杂浓度。热波系统通过测量聚焦在硅片上同一点的两束激光在硅片表面反射率的变化量来计算杂质粒子的注入浓度。在该系统内，一束激光通过氩气激光器产生加热的波使硅片表面温度升高，热硅片会导致另一束氦氖激光的反射系数发生变化，这一变化量正比于硅片中由杂质粒子注入而产生的晶体缺陷点的数目。由此，测量杂质粒子浓度的热波信号探测器可以将晶格缺陷的数目与掺杂浓度等注入条件联系起来，描述离子注入工艺后薄膜内杂质的浓度数值。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " ECV设备 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " ECV又名扩散浓度测试仪，结深测试仪等，即电化学CV法测扩散后的载流子浓度分布。电化学ECV可以用于太阳能电池、LED等产业，是化合物半导体材料研究或开发的主要工具之一。电化学ECV主要用于半导体材料的研究及开发，其原理是使用电化学电容-电压法来测量半导体材料的掺杂浓度分布。电化学ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或发展半导体光-电化学湿法蚀刻(PEC Etching)很好的选择。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 少子寿命测试仪 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 载流子寿命就是指非平衡载流子的寿命。而非平衡载流子一般也就是非平衡少数载流子（因为只有少数载流子才能注入到半导体内部、并积累起来，多数载流子即使注入进去后也就通过库仑作用而很快地消失了），所以非平衡载流子寿命也就是指非平衡少数载流子寿命，即少数载流子寿命。例如，对n型半导体，非平衡载流子寿命也就是指的是非平衡空穴的寿命。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 少子寿命是半导体材料和器件的重要参数。它直接反映了材料的质量和器件特性。能够准确的得到这个参数，对于半导体器件制造具有重要意义。少子寿命测试仪可以直接获得长硅的质量参数。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/34.html" target=" _self" 拉曼光谱 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 拉曼光谱是一种散射光谱。拉曼光谱分析法是基于印度科学家C.V.Raman在1928年所发现的拉曼散射效应，对与入射光频率不同的散射光谱进行分析以得到分子振动、转动方面信息并应用于分子结构研究的一种分析方法。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 拉曼光谱在材料科学中是物质结构研究的有力工具，在相组成界面、晶界等课题中可以做很多工作。半导体材料研究中，拉曼光谱可测出经离子注入后的半导体损伤分布，可测出半磁半导体的组分，外延层的质量，外延层混品的组分载流子浓度。 span style=" text-indent: 2em " & nbsp /span /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/31.html" target=" _self" 红外光谱仪 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 红外光谱仪是利用物质对不同波长的红外辐射的吸收特性，进行分子结构和化学组成分析的仪器。红外光谱仪通常由光源，单色器，探测器和计算机处理信息系统组成。根据分光装置的不同，分为色散型和干涉型。对色散型双光路光学零位平衡红外分光光度计而言，当样品吸收了一定频率的红外辐射后，分子的振动能级发生跃迁，透过的光束中相应频率的光被减弱，造成参比光路与样品光路相应辐射的强度差，从而得到所测样品的红外光谱。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 红外光谱法操作简单，不破坏样品，使其在半导体分析的应用日趋广泛。半导体材料的红外光谱揭示了晶格吸收、杂质吸收和自由载流子吸收的情况，直接反映了半导体的许多性质，如确定红外透过率和结晶缺陷，监控外延工艺气体组分分布，测载流子浓度，测半导体薄层厚度和衬底表面质量。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " 二次粒子质谱 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 二次粒子质谱是借助入射粒子的轰击功能，将样品表面原子溅出，由质谱仪测定二次粒子质量，根据质谱峰位的质量数，可以确定二次离子所属的元素和化合物，从而可精确测定表面元素的组成。这是一种常用的表面分析技术。其特点是高灵敏度和高分辨率。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 利用二次离子质谱对掺杂元素的极高灵敏度的特点，对样品的注入条件进行分析，在生产中可以进行离子注入机台的校验，并确定新机台的可以投入生产。同时，二次离子质谱对于CVD沉积工艺的质量监控尤其是硼磷元素的分布和生长比率等方面有不可替代的作用。通过二次离子质谱结果的分析帮助CVD工程师进行生长条件的调节，确定最佳沉积工艺条件。对于杂质污染的分析,可以对样品表面结构和杂质掺杂情况进行详细了解，保证芯片的有源区的洁净生长，对器件的电性质量及可靠性起到至关重要的作用。对掺杂元素退火后的形貌分析研究发现通过改变掺杂元素的深度分布，来保证器件的电学性能达到设计要求。可以帮助LTD进行新工艺的研究对于90nm/65nm/45nm新产品开发起到很大作用。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " X射线光电子能谱仪 /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " X射线光电子能谱仪以X射线为激发源。辐射固体表面或气体分子，将原子内壳层电子激发电离成光电子，通过分析样品发射出来的具有特征能量的光电子，进而分析样品的表面元素种类、化学状态和电荷分布等信息，是一种无损表面分析技术。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 这种技术分析范围较宽，原则上可以分析除氢以外的所有元素，但分析深度较浅，大约在25~100 Å 范围，不过其绝对灵敏度高，测量精度可达10 nm左右，主要用于分析表面元素组成和化学状态，原子周围的电子密度，特别是原子价态及表面原子电子云和能级结构。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " X射线衍射 /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 当一束单色X射线入射到晶体时，由于晶体是由原子规则排列成的晶胞组成，这些规则排列的原子间距离与入射X射线波长有X射线衍射分析相同数量级，故由不同原子散射的X射线相互干涉，在某些特殊方向上产生强X射线衍射，衍射线在空间分布的方位和强度，与晶体结构密切相关，每种晶体所产生的衍射花样都反映出该晶体内部的原子分配规律。这就是X射线衍射的基本原理。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 半导体制造中的大部分材料是多晶材料，比如互连线和接触孔。XRD能够将多晶材料的一系列特性量化。这其中最重要的特性包括多晶相(镍单硅化物，镍二硅化物)，平均晶粒大小，晶体织构，残余应力。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " 阴极荧光光谱 /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 阴极荧光谱是利用电子束激发半导体样品，将价带电子激发到导带，之后由于导带能量高不稳定，被激发电子又重新跳回价带，并释放出能量E≤Eg（能隙）的特征荧光谱。CL谱是一种无损的分析方法，结合扫描电镜可提供与形貌相关的高空间分辨率光谱结果，是纳米结构和体材料的独特分析工具。利用阴极荧光谱，可以在进行表面形貌分析的同时，研究半导体材料的发光特性，尤其适合于各种半导体量子肼、量子线、量子点等纳米结构的发光性能的研究。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 例如，对于氮化镓单晶，由于阴极萤光显微镜具有高的空间分辨率并且具有无损检测的优点，因此将其应用于位错密度的检测已经是行业内广泛采用的方法。目前也制定了相应的标准。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " a href=" https://www.instrument.com.cn/zc/1016.html" target=" _self" 轮廓仪 /a /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 轮廓仪是一种两坐标测量仪器，仪器传感器相对被测工件表而作匀速滑行，传感器的触针感受到被测表而的几何变化，在X和Z方向分别采样，并转换成电信号，该电信号经放大和处理，再转换成数字信号储存在计算机系统的存储器中，计算机对原始表而轮廓进行数字滤波，分离掉表而粗糙度成分后再进行计算，测量结果为计算出的符介某种曲线的实际值及其离基准点的坐标，或放大的实际轮廓曲线，测量结果通过显示器输出，也可由打印机输出。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 而利用先进的3D轮廓仪可以实现对硅晶圆的粗糙度检测、晶圆IC的轮廓检测、晶圆IC减薄后的粗糙度检测。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em font-size: 16px " AOI （自动光学检测） /span br/ /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " AOI的中文全称是自动光学检测，是基于光学原理来对焊接生产中遇到的常见缺陷进行检测的设备。AOI是新兴起的一种新型测试技术，但发展迅速，很多厂家都推出了AOI测试设备。当自动检测时，机器通过摄像头自动扫描PCB，采集图像，测试的焊点与数据库中的合格的参数进行比较，经过图像处理，检查出PCB上缺陷，并通过显示器或自动标志把缺陷显示/标示出来，供维修人员修整。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 运用高速高精度视觉处理技术自动检测PCB板上各种不同贴装错误及焊接缺陷。PCB板的范围可从细间距高密度板到低密度大尺寸板，并可提供在线检测方案，以提高生产效率，及焊接质量。通过使用AOI作为减少缺陷的工具，在装配工艺过程的早期查找和消除错误，以实现良好的过程控制。早期发现缺陷将避免将坏板送到随后的装配阶段，AOI将减少修理成本将避免报废不可修理的电路板。 /p h3 style=" text-align: justify text-indent: 2em " span style=" text-indent: 2em " ATE测试机 /span /h3 p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 广义上的IC测试设备我们都称为ATE（AutomaticTest Equipment），一般由大量的测试机能集合在一起，由电脑控制来测试半导体芯片的功能性，这里面包含了软件和硬件的结合。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 在元器件的工艺流程中，根据工艺的需要，存在着各种需要测试的环节。目的是为了筛选残次品，防止进入下一道的工序，减少下一道工序中的冗余的制造费用。这些环节需要通过各种物理参数来把握，这些参数可以是现实物理世界中的光，电，波，力学等各种参量，但是，目前大多数常见的是电子信号的居多。ATE设计工程师们要考虑的最多的，还是电子部分的参数比如，时间，相位，电压电流，等等基本的物理参数。就是电子学所说的，信号处理。 /p p style=" text-align: justify text-indent: 2em " 此外，原子力显微镜、俄歇电子能谱、电感耦合等离子体质谱仪、X光荧光分析、气相色谱等都可以用于半导体检测。而随着半导体制程工艺的进步，工艺过程中微小的沾污、晶格缺陷等都可能导致电路的失效等，半导体的工艺检测也凸显的越来越重要。 /p

日前，安徽承禹半导体材料科技有限公司（简称“承禹新材”）获得中国科学院半导体研究所关于第三代前沿半导体材料碲锌镉单晶棒及晶片的检测检验报告。其结论和数据显示，承禹新材制造的碲锌镉单晶棒及晶片，在红外透过率等综合参数性能、产品良率、晶棒及晶片尺寸规格、尤其是3英寸的全单晶圆片等几项关键指标方面，均处于国内同行业中遥遥领先、名列前茅的位阶，部分指标追平甚至领先国际技术水平。中国科学院半导体研究所是中国国务院直属事业单位，是集半导体物理、材料、器件及其应用于一体的半导体科学技术的综合性研究机构，在国内具有很高的权威性，被称为“引领我国半导体科学技术发展的火车头”。“承禹新材此次顺利获得中科院半导体所的产品检测报告，既彰显出该公司在碲锌镉半导体材料制备技术方面具有雄厚的实力，也可以看出该公司未来巨大的发展潜力。”一位资深业内人士表示。碲锌镉，英文名称cadmium zinc telluride，简写为CZT。自然界中并不现存有该物质，它是人工用碲、锌及镉三种单质（包含其它微量添加物质）化合生长而成单晶体，是属于第三代前沿战略性的半导体材料，是当前国际国内制造室温中红外探测、X射线探测、γ射线探测、核辐射及高能射线等探测器最为先进、优异的材料。据悉，碲锌镉半导体材料在军事用途上，主要是大幅提升武备的红外探测性能及其成像清晰度，而当前国际上武备九成以上均是以红外探测方式搜寻和发现目标的。在民用领域，未来主要应用于核医疗、放射源检测、无破损检测、核辐射探测、探温探源检测及夜视等领域、行业的设备、仪器的制造。其核心作用与意义在于更新迭代前述行业的设备、仪器的工艺、功能及性能，提升产业结构，助力国内这些行业同代等差参与国际竞争。更主要的是，碲锌镉半导体材料及器件可以提高核医疗、核辐射剂量、安检等设备仪器（如CT机、X光机、安检仪器等）功能与性能，降低放射源剂量，广泛惠及民众的医疗水平及健康。正因该材料在军事及民用领域具有诸多革新、颠覆性的功能与性能，国际上少数几个能生产制造的先进国家都将其列为战略性、管制性的产品，对我国进行技术与产品的双封锁。“而位于安徽省蚌埠市的承禹新材生产的综合质量参数优良、高良率、大尺寸的碲锌镉单晶棒及其晶片（包括全单晶圆片，这是属于首创性的高难度技术工艺，必将改变未来相关产业工艺），必将有力打破这种掣肘，实现国内供给，助推国内诸多相关行业设备、产品的更新升级，其意义重大、前景广阔，是国人创新与研发能力的一个有力例证。”半导体领域一权威人士说道。业内人士表示，碲锌镉单晶材料及晶片是制造室温X射线、γ射线、核辐射等探测器优异、先进的半导体材料，具有噪声低、暗电流低、热稳定性好、电阻率高、探测射线能量分辨率较高、带隙宽且可调、灵敏度高、计数率高、能量响应率高等诸多突出优点。其中，民用领域主要应用于核医疗、放射性安检、夜视、红外探测、核辐射探测、灾难搜救、探温探源、空间天文研究等设备、仪器上，军用领域可应用于导弹、卫星、战机、雷达、舰船、坦克、步兵战车、单兵作战等各类武器装备红外探测器及成像的材料。比如，在目前使用的CT机、X光机等医学检查中，以闪烁体探测器为核心部件的传统医疗成像设备，相比碲锌镉单晶材料做衬底的核医疗设备，在成像清晰度、扫描层隔精度、放射元素辐射量、成像时间等性能指标上差距甚大。而在应用碲锌镉单晶材料制造的X光机、CT机等各类核医疗探测、成像设备的核心部件中，不仅可实现从间接成像转向直接成像，而且扫描层隔更精微，成像更清晰，放射性元素剂量可以降低到原来闪烁体探测器剂量的三分之一，检测时间可以缩短为原来四、五分之一左右，同时还可以延展医疗检测的群体和适应症范围。据了解，2021年，蚌埠市水利局领导及蚌埠水利建设投资有限公司高层在对该项目经过多轮科学、严谨的求证、考察之后，果断决策、高效执行，最终力促碲锌镉单晶半导体材料项目花落珠城蚌埠。2021年8月，蚌埠水利建设投资有限公司与合肥达识新材料技术开发有限公司共同合作投资成立安徽承禹半导体新材料科技有限公司。该公司现已成为国内首批进行纯企业化、大规模化量产碲锌镉半导体材料的领跑者。“蚌埠水利建设投资有限公司是国有政策性投资公司，具有政策及资金方面的资源优势。合肥达识则拥有国内领先的技术工艺以及先进的经营管理水平和优秀的市场运营能力。双方真诚携手，相得益彰，优势互补，前景可期。”蚌埠水利建设投资有限公司冉凡荣董事长如是说。合肥达识新材料技术开发有限公司目前已拥有以碲锌镉单晶为代表的多项先进、成熟的第二代、第三代半导体和其它化合材料及芯片的生产制造技术与工艺。公司研发的化合材料包括碲锌镉、碳化硅、透明高阻薄膜、锑化镓、氮化镓、氟化钡、氟化钙、砷化镓、宝石级金刚石等。公司掌握的碳化硅和透明高阻薄膜技术工艺等则属于升级类别，不仅在产品性能质量、参数指标等方面显著领先，而且生产成本也成倍降低。

table border=" 1" cellspacing=" 0" cellpadding=" 0" tbody tr td width=" 83" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " 成果名称 /p /td td width=" 538" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" text-align: center line-height: 1.75em " strong TTE /strong strong 系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪 /strong /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 单位名称 /p /td td width=" 538" colspan=" 3" p style=" line-height: 1.75em " 北京工业大学新型半导体器件可靠性物理实验室 /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 联系人 /p /td td width=" 167" p style=" line-height: 1.75em " 冯士维 /p /td td width=" 161" p style=" line-height: 1.75em " 联系邮箱 /p /td td width=" 187" p style=" line-height: 1.75em " shwfeng@bjut.edu.cn /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 成果成熟度 /p /td td width=" 535" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " □正在研发& nbsp & nbsp □已有样机& nbsp & nbsp □通过小试& nbsp & nbsp □通过中试& nbsp √可以量产 /p /td /tr tr td width=" 91" p style=" line-height: 1.75em " 合作方式 /p /td td width=" 535" colspan=" 3" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " □技术转让 & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp & nbsp √技术入股 & nbsp & nbsp & nbsp √合作开发& nbsp & nbsp √其他 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " align=" center" valign=" top" p style=" line-height: 1.75em " strong 成果简介：& nbsp /strong /p p style=" text-align:center" strong img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/017b0e04-691a-4c5a-826e-5879aa1d7a7a.jpg" title=" 1.jpg.png" / /strong /p p style=" line-height: 1.75em " TTE-400 LED灯具模组热阻测试仪 & nbsp br/ /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201607/insimg/1a6e4129-15a9-479d-84c9-cb11df28231c.jpg" title=" 54c453eb-3470-4a19-9f93-e8a1b5170517.jpg" width=" 400" height=" 203" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 203px " / /p p & nbsp TTE-500 多通道瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/06a37914-c0ba-48cf-9bb6-d25fdea82661.jpg" title=" 3.png" width=" 400" height=" 146" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 146px " / /p p & nbsp & nbsp TTE-LD100 激光器用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/887237ea-942e-46c5-8591-1dea99e6c712.jpg" title=" 4.png" width=" 400" height=" 143" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 143px " / /p p TTE-M100 功率器件用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/aded4b1e-7f39-41c2-9e79-8177484f76d7.jpg" title=" 5.png" width=" 400" height=" 185" border=" 0" hspace=" 0" vspace=" 0" style=" width: 400px height: 185px " / /p p & nbsp TTE-H100 HEMT用瞬态热阻分析仪 /p p style=" text-align:center" img src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201604/insimg/d45a2e5c-776e-4e71-9412-67d87c17f875.jpg" title=" 6.png" / /p p TTE-S200 LED热特性快速筛选仪 /p p style=" line-height: 1.75em text-indent: 0em " & nbsp & nbsp TTE系列半导体器件瞬态温升热阻测试仪是用于半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热器、热管等）的先进热特性分析仪，依据国际JEDEC51的瞬态热测试方法，能够实时采集器件瞬态温度响应曲线（包括升温曲线与降温曲线），采样间隔高达1微秒，结温分辨率高达0.01℃。利用结构函数算法能方便快捷地测得器件热传导路径上每层结构的热学性能，构建等效热学模型，是器件封装工艺、可靠性研究和测试的强大支持工具，具有精确、无损伤、测试便捷、测试成本低等优点。该成果已在公司和科研院所等20多家单位应用，并可定制化生产。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 应用前景： /strong br/ & nbsp & nbsp & nbsp 本产品已投入市场应用五年时间，产品型号在不断丰富以适应庞大的市场需求，技术指标国内领先地位，可替代国外同类产品，拥有独立的自主知识产权。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 应用范围：功率半导体器件（LED、MOSFET、HEMT、IC、激光器、散热系统、热管等）结温热阻无损测量和流水线快速筛选。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 应用情况：国内已有20多家客户的生产线或实验室使用本产品，包括军工单位、芯片厂商、封装厂商、高等院校、高科技制造企业。成果适用于开展半导体晶圆及芯片设计、生产的高校、科研院所及企业。 br/ & nbsp & nbsp & nbsp 预计国内市场年需求量在500台，市场规模约5亿元。 /p /td /tr tr td width=" 648" colspan=" 4" style=" word-break: break-all " p style=" line-height: 1.75em " strong 知识产权及项目获奖情况： /strong br/ & nbsp & nbsp 拥有核心技术，国家发明专利24项，获中国发明博览会金奖1项。 br/ & nbsp & nbsp （1）专利名称：一种快速测量半导体器件电学参数温度变化系数的方法和装置（申请号：201410266126.3）； br/ & nbsp & nbsp （2）专利名称：一种LED灯具热阻构成测试装置和方法（申请号：201310000861.5）； br/ & nbsp & nbsp （3）专利名称：功率半导体LED热阻快速批量筛选装置（申请号：201120249012.X）。 /p /td /tr /tbody /table p br/ /p

R&S LCX系列的LCR表能够用于传统的阻抗测量以及针对特定元件类型的专门测量，并提供研发所需的高精度以及生产测试和质量保证所需的高速度。用于高精度阻抗测量的R&S LCX LCR测量仪。 　　罗德与施瓦茨推出的新款高性能通用阻抗测试仪系列能够覆盖广泛的应用领域。R&S LCX支持的频率范围为4Hz至10 MHz，不仅适用于大多数传统家用电源的50或60 Hz频率以及飞机电源的400 Hz频率，还适用于从低频震动传感器到工作在几兆赫的高功率通信电路的所有设备。 　　对于选择合适的电容、电感、电阻和模拟滤波器来匹配设备应用的工程师来说，R&S LCX提供了市场领先的高精度阻抗测量。与此同时，LCX还支持以生产使用精度进行更高速度的质量控制和监控测量。测试方案包含生产环境所需的所有基本软件和硬件，包括远程控制和结果记录，仪器的机架安装，以及用于全系列测试的夹具。 　　R&S LCX使用的自动平衡电桥技术通过测量被测设备的交流电压和电流(包括相移)来支持传统的阻抗测量。然后用该数据来计算任何给定工作点的复阻抗。作为一种通用LCR测量仪，R&S LCX涵盖了许多应用，如测量电解电容和直流连接电容的等效串联电阻(ESR)和等效串联电感(ESL)。 　　此外，除了全方位的阻抗测量之外，用户还可以测试变压器及测量直流电阻。为了研究元件的阻抗值在不同频率和电平下的变化，选配装置R&S LCX-K106能支持以频率、电压或电流作为扫描参数，进行动态阻抗测量。 　　R&S LCX系列推出两个型号：R&S LCX100的频率范围为4 Hz至300 kHz，R&S LCX200的基本配置频率范围为4 Hz至500 kHz，可选配覆盖高达 10 MHz 所有频率的选件。两种型号均配备出色的测量速度、精度和多种测量功能。包括：配备大型电容式触摸屏和虚拟键盘，支持所有主要测量工作的点击测试操作。 　　用户也可以使用旋钮设置电压、电流和频率值。不常用的功能则可以使用菜单操作。设置、结果和统计数据可以显示在屏幕上，还能导出以便进行自动后处理。用户最多可选择四个测量值并绘制成时间曲线，将最大值和最小值显示在屏幕上，一目了然地进行通过/失败分析。 　　罗德与施瓦茨的子公司Zurich Instruments AG生产的MFIA阻抗分析仪作为R&S LCX的完美补充，能够支持更多材料的阻抗研究。通过MFIA，研究人员可以表征半导体或进行材料研究，范围包括绝缘体、压电材料、陶瓷和复合材料，组织阻抗分析、细胞生长、食品研究、微流体和可穿戴传感器。

经过严格的评选流程，山纺仪器A102点对点测试仪以其市场占有率高、用户好评多、外观精美、质量可靠被评为&ldquo 山纺精品仪器&rdquo 。再次感谢广大用户对该仪器的厚爱，期待更多的厂家在选用本公司的A102点对点测试仪及其使用过程中，能够不断给我们提出宝贵意见，您的每一个不满意，都是我们前进的动力和方向。 一、主要用途 用于检测防静电服点对点电阻率。 二、试验方法 本原理是对试样加入测试电压100  V 共15  s，流经试样的微弱电流用标准电阻取样放大后，从高阻计上读出。数字直接显示出电阻值,精度高、显示迅速、稳定性好、读数方便。 三、主要技术参数 1、量程范围： 105    &Omega ～1015  &Omega ； 2、高阻计示值误差：± 1％， 3、输出电压：100V DC 四、适用标准 国家标准GB12014- 2009《防静电服》

当前， 我国在半导体领域面临着被“卡脖子”的问题。为了尽快发展国内半导体产业，鼓励自主创新，及早摆脱对进口的依赖，国家陆续出台免税、补贴多项政策大力支持国内半导体产业发展。中国的半导体产业近年来保持着20%以上的高速增长率，据估计2021年国内市场将达到677亿美元。科学仪器在半导体研发中起到关键作用，半导体的纯度、杂质、性能检测都离不开科学仪器，因此越来越多的科学仪器厂商对于半导体领域愈发重视。伴随着政策的支持、资本的注入，国内半导体市场必将成为最具发展潜力的产业之一；随着半导体研发项目的增加及产量的提升，对于科学仪器的需求必将增大，这将直接拉动科学仪器企业半导体领域的仪器销量和业绩，成为备受瞩目的盈利增长点。仪器信息网综合科学仪器在硅材料、光掩模、光刻材料、电子气体、工艺化学品、抛光材料、靶材、封装材料等领域的应用整理了一份仪器清单，近200类仪器或将在伴随着未来半导体行业发展的“黄金十年”而大展拳脚。（以下仪器可能存在并列或包含关系，未进行区分）序号仪器1高频红外碳硫分析仪2高阻仪3高速老化试验箱4高温试验箱5高效液相色谱6高压离子色谱系统7高低温湿热交变试验箱8高低温冲击试验箱9高低温交变湿热试验箱10飞行时间二次离子质谱仪11颗粒仪12频谱分析仪13顶空-气相色谱-质谱联用仪14顶空-气相色谱15非金属膜厚仪16阿贝闪点仪17阳离子色谱仪18针/锥入度仪19金相显微镜20金属膜厚仪21酸开封机22透射电子显微镜23透光率/雾度测定仪24辉光放电质谱仪25超高温差热分析仪26超纯水机27超景深显微系统28超声扫描显微镜29表面缺陷检测系统30表面张力仪31色谱仪32自动研磨机33自动电位滴定仪34自动滴定仪35能量色散型X射线荧光分析仪36聚焦离子束扫描电子显微镜37聚焦离子束场发射扫描电子显微镜38聚焦离子束39耐压测试仪40网络分析仪41维氏硬度计42纳米粒度仪43红外光谱仪44紫外老化箱45紫外/可见分光光度计46精密研磨机47精密切割机48粘着力测试仪49粘度计50等离子聚焦离子束51空气粒子计数器52离子色谱仪53离子研磨仪54磷检区熔炉55磨损测试系统56硝酸提纯仪57研磨机58矢量网络分析仪59矢量信号发生器60直读光谱仪61盐雾试验箱62界面材料热阻及热传导系数测量系统63电热鼓风干燥箱64电感耦合等离子质谱仪65电感耦合等离子发射光谱仪66电感耦合等离子光谱仪67电导率仪68电子天平69电子分析天平70电化学工作站71电位滴定仪72热风回流焊73热重分析仪74热机械分析仪75热常数分析仪76热导气相色谱77热导检测器气相色谱仪78热导分析仪79激光粒度仪80激光粒子计数器81激光散射粒径分布分析仪82激光开封机83激光导热仪84漏电起痕测试仪85温度循环试验箱86混合气体试验箱87液相色谱质谱联用仪88液相色谱仪89液体颗粒计数仪90液体颗粒仪91液体粒子传感器92流变仪93水氧分析仪94水分析仪95水分仪96氧氮氢分析仪97氧弹燃烧离子色谱仪98氧化物膜厚仪99氧分仪100氦离子化气相色谱仪101氦气氟油加压检漏装置102氦检漏仪103氢火焰离子化气相色谱仪104氙灯老化机105气相色谱仪106气相色谱-质谱联用仪107气相色用仪108气体分析仪109显微红外分析仪110数字式硅晶体少子寿命测试仪111放电氦离子化气相色谱仪112摆锤冲击试验机113接触角测量仪114拉力剪切仪115扫描电镜-电子背散射衍射116扫描电镜117扩展电阻测试仪118手动磨抛机119感应偶合等离子质谱仪120恒温恒湿箱121总有机碳检测仪122快速高低温湿热交变试验箱123微量水分仪124微量氧分析仪125微波消解仪126微机控制万能（拉力）试验机127微控数显电加热板128微探针台129影像仪130库伦法卡尔费休水分仪131库仑法卡氏水分测定仪132库仑水分滴定仪133差示扫描量热仪134少子寿命分析仪135导电型号测试仪136密度仪137多参数测量仪138多功能颗粒计数仪139塑料摆锤冲击试验机140场发射扫描电镜141四探针阻抗仪142台阶仪143台式BSE扫描电子显微镜144可编程晶体管曲线图示仪145可焊性测试仪146原子力显微镜147单面抛光机148半导体参数测试仪149动态热机械分析仪150凝胶渗透色谱151冷热冲击试验箱152冷场扫描电镜153关键尺寸扫描电子显微镜154全自动色度测试仪155光学金相显微镜156光学膜厚仪157傅立叶变换近红外光谱仪158傅立叶变换红外光谱仪159低温试验箱160低温傅立叶变换红外光谱仪161二维X射线检测仪162两探针电阻率测试仪163三重四极杆ICPMS164三维立体成像X射线显微镜165三维光学轮廓仪166三坐标测量机167万能试验机168万能推拉力试验机169α-粒子计数器170X射线检测仪171X光电子能谱仪172TOC仪173纳米粒度仪174PH计175EMI扫描台176单面抛光机177CNC视像测量系统(三次元)1788寸化学机械研磨机台1793D立体显微镜18012寸晶圆缺陷检测机18112寸化学机械研磨机台182三参数测定仪可预见的是，以上仪器必将在未来的半导体领域大有可为，同时仪器厂商对于半导体板块的竞争和细分市场争夺也必将更加激烈。

薄膜方块电阻和厚度测量 —KLA45年电阻测量技术创新的桌面型解决方案 在半导体芯片等器件工艺中，后道制程中的金属连接是经过金属薄膜沉积，图形化和蚀刻工艺，最后在器件元件之间得到导电连接。对于半导体、PCB、平板显示器、太阳能应用和研发等不同行业，对各种金属层（包括导电薄膜、粘附层和其他导电层）都有各种各样的电阻和厚度的量测需求，KLA Instruments&trade Filmetrics® 事业部能够提供先进的薄膜电阻测量解决方案。金属薄膜的电阻测量主要包括两种技术：四探针法和涡流法。两种测量技术各有其优势，适用于不同的应用场景。我们先来了解一下这两种技术的测量原理。问什么是四探针测量技术？ 四探针测量技术已经存在了 100 多年，由于其操作简单以及固有的准确性，一直备受青睐。如下图所示，四探针与导电表面接触，电流在两个引脚之间流过，同时测量另外两个引脚之间的电压。标准的（左）和备用的（右）四探针测量原理图。R50具有双配置测量方法，通常用于薄膜边缘出现电流集聚或引脚间距变化需要校正的情况。引脚的排列方式通常是线性排列或方形排列，此处主要讨论 R50 探针使用的线性排列。对于大多数应用而言，使用的是标准测量配置 （上图左）。而备用测量配置（上图右）可作为 R50 双配置测量方法的一部分，用于薄膜边缘电流集聚或需要校正引脚间距变化的情况。此处展示的测量结果仅使用了标准测量配置。问什么是涡流测量技术？ 涡流 (EC) 技术是指线圈中的交变电流会在导电层中产生交变涡流。这些交变涡流反过来会产生一个磁场，从而改变驱动线圈的阻抗，这与该层的方块电阻成正比。涡流技术通过施加交变磁场，测量导电层中感应的涡流。线圈中的交变驱动电流会在线圈周围产生交变初级磁场。当探测线圈接近导电表面时，导电材料中会感应出交变电流 （涡流）。这些涡流会产生自己的交变次级磁场并和线圈耦合， 从而产生与样品的方块电阻成正比的信号变化。导电层越导电，涡流的感应越强，驱动线圈的阻抗变化就越大。 自1975年KLA的第一台电阻测试仪问世以来，我们的电阻测试产品已经革 命性地改变了导电薄膜电阻和厚度的测量方式。而R50方块电阻测试仪则是KLA超过45年电阻测量技术发展的创新之作。R50提供了10个数量级电阻跨度范围使用的4PP四探针测试技术，以及高分辨率和高灵敏度的EC涡流技术，续写了KLA在产品创新能力和行业先锋地位的历史。 R50 方块电阻测量数据分析和可视化 无论是四探针法还是涡流法，方块电阻 (Rs) 测量完成后， 用户根据自己需求，可以直接导出方块电阻值，也可以使用 RsMapper 软件中的转换功能，将数据直接转换为薄膜厚度：Rs = ρ/t其中 ρ 是电阻率，t 是薄膜厚度。上图显示了 2μm 标准厚度铝膜的方块电阻分布图和薄膜厚度分布图。根据方块电阻数据（左），利用标准电阻率（中），将数据转换为薄膜厚度分布图（右）。在某些应用中，将数据显示为薄膜厚度分布图可能更有助于观测样品的均匀性。RsMapper 软件还提供差异分布图，即利用两个特定晶圆的测绘数据绘制成单张分布图来显示两者之间的差异。此功能可以用来评估蚀刻或抛光工艺前后的方块电阻变化。问如何选择适当的测量技术？R50 分成2个型号：R50-4PP 是接触式四探针测量系统 ；R50-EC是非接触式涡流测量系统。R50-4PP能测量的最大方块电阻为 200MΩ/sq.，因而非常适合比较薄的金属薄膜。对于非常厚的金属薄膜，电压差值变得非常小，这会限制四探针技术的测量。它只能测量厚度小于几个微米的金属膜，具体还要取决于金属的电阻率。由于非常薄的金属薄膜产生的涡流很小，加上R50-EC 的探头尺寸非常小，所以使用涡流方法测量方块电阻时，金属厚度最薄的极限大约在 100 nm （或约10 Ω/sq.，与金属材料性质有关）。对于非常厚的金属薄膜，涡流信号会增加，因此对可测量的金属薄膜的最大厚度实际上没有限制。在四探针和涡流技术都可使用的情况下，一个决定因素就是避免因引脚接触样品而造成损伤或污染。对于这类样品，建议使用涡流技术。对于可能会产生额外涡流信号的衬底样品，并且在底部有绝缘层的情况下，则建议使用四探针技术。简而言之，Filmetrics R50 系列可以测量大量金属层。对于较薄的薄膜，它们的电阻较大而四探针的测量范围较大，因而推荐使用 R50-4PP（四探针）。对于非常厚的薄膜，或者需要非接触式测量的柔软或易损伤薄膜，推荐使用 R50-EC（涡流技术）。

塑料包装水蒸气透过率测试仪 C360H水蒸气透过率测试系统——本产品基于重量法水蒸气透过的测试原理，参照ASTME96，GB 1037标准设计制造，为低、中、高水蒸气阻隔性材料提供宽范围、高效率的水蒸气透过率检测试验。适用于食品、药品、医疗器械、日用化学等领域的薄膜、片材、纸张、织物、无纺布及相关材料的水蒸气透过性能测试。塑料包装水蒸气透过率测试仪产品优势：只为精准——先进流体力学和热力学设计的专利测试舱和透湿杯；立体空间恒温技术；精密科学的测试条件调节计算；高效合规——12个测试工位；支持增重法和减重法测试模式；节省人力——风速自动调节；湿度自动调节；无需更换内芯的气体干燥装置和高效水蒸气发生装置；简便易用——搭载Windows10系统的12寸触控平板操作；快速自动测试；自动数据管理的DataShieldTM数据盾系统；产品特点：1、新一代先进测试舱与透湿杯——先进流体力学和热力学结构分析设计的专利测试舱和透湿杯，温度和湿度更加均匀稳定，测试周期更短，结果更精准。2、出色的高低阻隔性材料的测试能力——实时测量测试环境条件进行精密调节计算，使高阻隔材料的测试更精准，低阻隔材料测试重复性更优。3、温度、湿度、风速自动精密控制——舱体空间立体恒温；风速实时测定和自动调节；配备高效率无水雾湿度自动调节装置，满足长时间连续测试需要；气体干燥装置无需更换内芯，连续工作寿命可达两万小时。4、易用高效的系统功能——搭载高性能处理器和Windows10操作系统，通用各种软件和设备；自动测试模式，不需人工调整快速获得精确结果；专业测试模式，提供了灵活丰富的仪器控制功能，满足个性化科研需要；独有DataShieldTM数据盾系统，对接用户数据集中管理要求，支持多种数据格式导出；采用可靠安全算法，防止数据泄露；支持通用有线和无线局域网，选配专用无线网，支持接入第三方软件。5、先进的用户服务意识——坚持以用户为中心的服务理念使Labthink造就了成熟的产品定制系统流程，可以提供灵活周到的个性化定制服务。塑料包装水蒸气透过率测试仪测试原理：在预先处理好的测试杯中放置水或者干燥剂，然后将预先处理好的试样夹紧在测试杯上，测试杯放置于测试舱当中。测试舱根据指定测试条件生成稳定的温度、湿度和气流吹扫环境。水蒸气通过试样进入干燥一侧，通过测定测试杯整体重量随时间的变化量，计算试样水蒸气透过量等结果。参照标准：ASTM E96、GB 1037、GB/T 16928、ASTM D1653、ISO 2528、TAPPIT464、DIN 53122-1、YBB00092003-2015塑料包装水蒸气透过率测试仪技术参数：最大量程：减重法：10000/n(1-12件）g/(m2day)；645/n(1-12件）g/(100in2day)增重法：每件1200 g/(m2day)；每件77g/(100in2day)测试工位：12个测试温度：20℃～55℃±0.2测试湿度：10%RH～90%RH±1%扩展功能：DataShieldTM数据盾：可选GMP计算机系统要求：可选CFR21 Part11：可选技术规格：样品尺寸：Φ74mm样品厚度：≤3mm测试方法：增重法，减重法标准测试面积：33cm2载气规格：压缩空气载气干燥：长寿命干燥装置，不需要更换内芯载气加湿：内置高效无水雾加湿气源压力：≥0.6MPa接口尺寸：Φ6mm聚氨酯管创新点：1、新一代先进测试舱与透湿杯——先进流体力学和热力学结构分析设计的专利测试舱和透湿杯，温度和湿度更加均匀稳定，测试周期更短，结果更精准。 2、出色的高低阻隔性材料的测试能力——实时测量测试环境条件进行精密调节计算，使高阻隔材料的测试更精准，低阻隔材料测试重复性更优。 3、温度、湿度、风速自动精密控制——舱体空间立体恒温；风速实时测定和自动调节；配备高效率无水雾湿度自动调节装置，满足长时间连续测试需要；气体干燥装置无需更换内芯，连续工作寿命可达两万小时。 塑料包材水蒸气透过率测试仪

浙江某单位新建材料实验室，需采购12类仪器设备。所需仪器清单如下：1. 万能试验机——用于测试弹性模量，三点弯曲强度，断裂韧性2. 密度计、维氏硬度计、表面粗糙度测量仪、翘曲度仪——用于测试密度、表面粗糙度、维氏硬度3. 热膨胀仪、比热计——用于测试热膨胀系数、热传导率、比热4. 介电常数测试仪、电压击穿试验仪、体积电阻率测试仪 TDR阻抗仪——用于测试击穿强度、体积电阻率、介电常数、介电损耗因数5. 粒径分析仪——用于测试材料粒径及原材料纯度具体要求：1. 进口、国产不限，需要多家对比；2. 供应商请先报名，由仪器信息网旗下仪采通工作人员收集好供应商名录后交与采购方，采购方统一联系对接。请能提供以上任何仪器的厂商，于2022年3月11日前报名。请联系仪采通工作人员进行报名：添加仪采通工作人员微信，便于传递资料。

国立暨南国际大学（National Chi Nan University）简称暨大，是一座位于中国台湾省南投县埔里镇的“国立”大学，是台湾省内非常重要的大学之一。1990年代，为平衡台湾各地区高等教育发展，而使“国立暨南大学”在台复校，目前学校设有人文、管理、科技、教育四大学院。该校是台湾教育部门25所“大学繁星计划”之一，在台地位举足轻重，学校教学严谨，学术氛围浓厚，拥有国际一流的教学与教师资源，教育面向国际化，是台湾地区的高等学府之一。近日，嘉仪通科技与台湾省国立暨南国际大学签订采购协议，其应用材料与光电工程系将正式购买嘉仪通科技的常温版“薄膜热电参数测试系统MRS-3RT(Thin-Film Thermoelectric Parameter Test System)”。采购文件部分内容作为台湾地区的高等学府之一，国立暨南国际大学一直在大力发展前沿新材料尤其是薄膜材料。该校应用材料与光电工程系相关老师在调研和对比分析了国内外多家薄膜热电仪器厂商后，不到一周时间就立即决定购买嘉仪通科技的薄膜热电参数测试系统（MRS-3RT），显示了其对嘉仪通科技在热学分析仪器，尤其是热电材料物性分析仪器的高度认可。常温版薄膜热电参数测试系统（MRS-3RT）嘉仪通科技一直致力于在全球范围内，为从事新材料尤其是薄膜材料物理性能研究的客户提供热学和电学分析测试整体解决方案。此外，嘉仪通将在北美、英国、新加坡、印度、巴基斯坦等地办事处和联合实验室共享中心的基础上，进一步开展全球品牌推广，争取早日全面建成嘉仪通全球营销体系及客户服务网络，为全球客户提供最合适的产品与最好的服务。【薄膜热电参数测试系统】嘉仪通科技的薄膜热电参数测试系统MRS-3 / 3RT是目前国内热电材料科研领域保有量最高的产品。其专门针对薄膜材料的Seebeck系数和电阻率测量，采用动态法测量Seebeck系数,避免了静态测量在温差测量上的系统误差,采用四线法测量电阻率，测量更准确便捷。

水蒸气透过率测试仪，作为一种精密的实验设备，在包装材料的评估与质量控制中发挥着不可或缺的作用。其应用范围广泛，涵盖了从食品包装到医药包装，再到日用品包装等多个领域。本文将深入探讨水蒸气透过率测试仪在这些方面的具体应用及其重要性。一、食品包装在食品包装领域，水蒸气透过率测试仪的应用尤为关键。食品在储存和运输过程中，若包装材料的水蒸气透过率过高，则容易导致食品受潮、发霉甚至变质，严重影响食品的安全性和保质期。因此，准确测量包装材料的水蒸气透过率，对于确保食品品质至关重要。通过水蒸气透过率测试仪，我们可以对各类食品包装材料（如塑料膜、纸袋、铝箔等）进行精确测量，评估其防潮性能。这有助于生产厂家选择适合的包装材料，确保食品在储存和运输过程中保持干燥，延长保质期。同时，对于已经上市的食品包装，定期进行水蒸气透过率测试，也有助于及时发现潜在问题，保障消费者的权益。二、医药包装在医药包装领域，水蒸气透过率测试仪同样具有重要应用价值。药品作为一种特殊商品，对包装材料的防潮性能要求极高。若药品包装材料的水蒸气透过率过高，容易导致药品受潮、变质，从而影响药效和安全性。因此，对医药包装材料进行水蒸气透过率测试，是确保药品品质的必要手段。通过水蒸气透过率测试仪，我们可以对各类医药包装材料（如玻璃瓶、塑料瓶、铝箔袋等）进行精确测量，评估其防潮性能。这有助于药品生产厂家选择符合要求的包装材料，确保药品在储存和运输过程中保持干燥、稳定。同时，对于已经上市的药品包装，定期进行水蒸气透过率测试，也有助于及时发现潜在问题，保障患者的用药安全。三、日用品包装除了食品和医药领域外，水蒸气透过率测试仪在日用品包装领域也有广泛应用。日用品如化妆品、洗涤剂、清洁用品等，在储存和使用过程中同样需要良好的防潮性能。若包装材料的水蒸气透过率过高，容易导致产品变质、失效，从而影响使用效果。因此，对日用品包装材料进行水蒸气透过率测试，也是确保产品品质的重要手段。通过水蒸气透过率测试仪，我们可以对各类日用品包装材料（如塑料瓶、玻璃瓶、软管等）进行精确测量，评估其防潮性能。这有助于生产厂家选择适合的包装材料，确保产品在储存和使用过程中保持干燥、稳定。同时，对于已经上市的日用品包装，定期进行水蒸气透过率测试，也有助于及时发现潜在问题，提升产品质量和消费者满意度。四、结论综上所述，水蒸气透过率测试仪在包装材料的评估与质量控制中发挥着重要作用。无论是食品包装、医药包装还是日用品包装领域，都需要对包装材料的水蒸气透过率进行精确测量和评估。通过水蒸气透过率测试仪的应用，我们可以选择适合的包装材料、确保产品品质、延长保质期并保障消费者权益。因此，在未来的发展中，水蒸气透过率测试仪将继续发挥重要作用，为包装行业的发展提供有力支持。

作者：Coventor（泛林集团旗下公司）半导体工艺与整合团队成员Yu De Chen 介绍 由后段制程(BEOL)金属线寄生电阻电容(RC)造成的延迟已成为限制先进节点芯片性能的主要因素[1]。减小金属线间距需要更窄的线关键尺寸(CD)和线间隔，这会导致更高的金属线电阻和线间电容。图1对此进行了示意，模拟了不同后段制程金属的线电阻和线关键尺寸之间的关系。即使没有线边缘粗糙度(LER)，该图也显示电阻会随着线宽缩小呈指数级增长[2]。为缓解此问题，需要在更小的节点上对金属线关键尺寸进行优化并选择合适的金属材料。 除此之外，线边缘粗糙度也是影响电子表面散射和金属线电阻率的重要因素。图1(b)是典逻辑5nm后段制程M2线的扫描电镜照片，可以看到明显的边缘粗糙度。最近，我们使用虚拟工艺建模，通过改变粗糙度振幅(RMS)、相关长度、所用材料和金属线关键尺寸，研究了线边缘粗糙度对线电阻的影响。 图1：(a) 线电阻与线关键尺寸的关系；(b) 5nm M2的扫描电镜俯视图（图片来源：TechInsights） 实验设计与执行 在晶圆厂里，通过改变线关键尺寸和金属来进行线边缘粗糙度变化实验很困难，也需要花费很多时间和金钱。由于光刻和刻蚀工艺的变化和限制，在硅晶圆上控制线边缘粗糙度也很困难。因此，虚拟制造也许是一个更直接和有效的方法，因为它可以“虚拟地”生成具有特定线边缘粗糙度的金属线结构，进而计算出相应显粗糙度条件下金属的电阻率。图2(a)显示了使用虚拟半导体建模平台 (SEMulator3D®) 模拟金属线边缘粗糙度的版图设计。图2(b)和2(c)显示了最终的虚拟制造结构及其模拟线边缘粗糙度的俯视图和横截面图。通过设置具体的粗糙度振幅(RMS)和相关长度（噪声频率）值，可以在虚拟制造的光刻步骤中直接修改线边缘粗糙度。图2(d)显示了不同线边缘粗糙度条件的简单实验。图中不同RMS振幅和相关长度设置条件下，金属的线边缘展示出了不同的粗糙度。这些数据由SEMulator3D的虚拟实验仿真生成。为了系统地研究不同的关键尺寸和材料及线边缘粗糙度对金属线电阻的影响，使用了表1所示的实验条件进行结构建模，然后从相应结构中提取相应条件下的金属线电阻。需要说明的是，为了使实验更为简单，模拟这些结构时没有将内衬材料纳入考虑。图2：(a) 版图设计；(b) 生成的典型金属线俯视图；(c) 金属线的横截面图；(d) 不同RMS和相关长度下的线边缘粗糙度状态 表1: 实验设计分割条件 实验设计结果与分析 为了探究线边缘粗糙度对金属线电阻的影响，用表1所示条件完成了约1000次虚拟实验设计。从这些实验中，我们了解到： 1. 当相关长度较小且存在高频噪声时，电阻受到线边缘粗糙度的影响较大。2. 线关键尺寸较小时，电阻受线边缘粗糙度RMS振幅和相关长度的影响。3. 在所有线关键尺寸和线边缘粗糙度条件下，应选择特定的金属来获得最低的绝对电阻值。结论由于线边缘粗糙度对较小金属线关键尺寸下的电阻有较大影响，线边缘粗糙度控制在先进节点将变得越来越重要。在工艺建模分割实验中，我们通过改变金属线关键尺寸和金属线材料研究了线边缘粗糙度对金属线电阻的影响。在EUV（极紫外）光刻中，由于大多数EUV设备测试成本高且能量密度低，关键尺寸均匀性和线边缘粗糙度可能会比较麻烦。在这种情况下，可能需要对光刻显影进行改进，以尽量降低线边缘粗糙度。这些修改可以进行虚拟测试，以降低显影成本。新的EUV光刻胶方法（例如泛林集团的干膜光刻胶技术）也可能有助于在较低的EUV曝光量下降低线边缘粗糙度。在先进节点上，需要合适的金属线材料选择、关键尺寸优化和光刻胶显影改进来减小线边缘粗糙度，进而减少由于电子表面散射引起的线电阻升高。未来的节点上可能还需要额外的线边缘粗糙度改进工艺（光刻后）来减少线边缘粗糙度引起的电阻。

根据最近的一项估计，目前数据中心的耗能已高达全球电力的2％，这一数字在10年内有望攀升到8％。为逆转这种趋势，科学家们正考虑以全新的方式简化数据中心的微处理器。日本研究人员将这一想法发挥到了极致，创建了一种电阻为零的超导微处理器。基于AQFP的MANA微处理器。图片来源：IEEE频谱网站《IEEE固态电路》杂志报道，这种超导微处理器可为更高能效的计算能力提供潜在的解决方案，但新设计目前需要低于10开尔文（或—263℃）的超冷温度。研究人员创建的这种绝热超导微处理器，从原理上讲，在计算过程中不会从系统中获得或损失能量。这个新的微处理器原型称为MANA（单绝热集成体系结构），是世界上第一个绝热超导体微处理器。它由超导铌组成，并依赖于称为绝热量子通量参量电子（AQFP）的硬件组件。每个AQFP由几个快速作用的约瑟夫森结开关组成，这些结开关只需很少的能量即可支持超导体电子设备。MANA微处理器总共由2万多个约瑟夫森结（或1万多个AQFP）组成。研究人员解释说，用于构建微处理器的AQFP已经过优化，可以绝热运行，从而可在相对低的时钟频率（高达10GHz左右）下恢复从电源中汲取的能量。与传统超导电子产品数百吉赫兹的运行频率相比，这个数字要低得多。但这并不意味着MANA达到了10GHz的速度。实验显示，MANA的数据处理部分可在高达2.5GHz的时钟频率下运行，这使其与当今的计算技术相当。这种铌基微处理器的入门价格取决于低温和将系统冷却至超导温度的能源成本。不过，即使将冷却成本计算在内，与最先进的半导体电子设备（如7纳米鳍式场效应晶体管）相比，AQFP的能源效率仍然高出约80倍。由于MANA微处理器需要液氦水平的低温，因此它更适合于使用低温冷却系统的大规模计算基础架构，例如数据中心和超级计算机。