原子层沉积在微电子方面的应用
自摩尔定律问世以来,微电子器件的特征尺寸一直在不断缩小,以提高集成电路的集成度和性能。由于短沟道效应的限制,鳍式场效应晶体管和环栅场效应晶体管等非平面型器件已逐渐被半导体行业所采用。为了满足制造具有这些复杂结构的芯片的要求,ALD因其可以在三维结构上生长高度均匀的保形薄膜的特点,已被广泛用于集成电路先进制程中的关键步骤。ALD技术在很大程度上依赖于所涉及的表面化学,它可以显著影响沉积膜的特性,如膜厚、形貌、组分和保形性。此外,ALD前驱体对薄膜沉积也起着至关重要的作用。ALD前驱体通常为金属有机化合物,前驱体的挥发性、热稳定性和自限制反应性会显著影响薄膜的ALD生长行为。因此,全面了解ALD的表面化学机制和前驱体化学结构设计是进一步开发和利用ALD技术的关键。在本文中,作者等人对原子层沉积的最新进展进行了详细介绍。