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离子蚀刻机
仪器信息网离子蚀刻机专题为您提供2024年最新离子蚀刻机价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括离子蚀刻机参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的离子蚀刻机您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合离子蚀刻机相关的耗材配件、试剂标物,还有离子蚀刻机相关的最新资讯、资料,以及离子蚀刻机相关的解决方案。
离子蚀刻机相关的方案
可睦电子(KEM):全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量
全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量使用日本京都电子公司(KEM)-自动电位滴定仪(AT-510),测定蚀刻剂中铜离子含量的应用资料。
等离子技术在蚀刻领域的应用
等离子技术蚀刻的应用范围-任何需要进行精确且高效修改的材料表面。 -用于蚀刻塑料、 半导体、玻璃
全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量
全自动滴定仪测定蚀刻剂中的铜离子含量使用日本京都电子公司(KEM)-自动电位滴定仪(AT-510),测定蚀刻剂中铜离子含量的应用资料。
Hakuto 离子蚀刻机20IBE-J 用于陶瓷基片银薄膜减薄
某陶瓷基片制造商采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 应用于 5G 陶瓷基片银薄膜减薄, 通过蚀刻工艺把基片涂层银薄膜刻蚀减薄, 并降低工差, 提高薄膜均匀性.
上海伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷板 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀
深圳某电子公司采用Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 对陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀, 高端印制电路板生产为主
蚀刻剂中氯化亚铁含量的测定 应用资料
蚀刻剂中氯化亚铁含量的测定 应用资料(英文版)当蚀刻剂样品不含氯离子时,向样品中加入硫酸后,通过用0.01mol/L高锰酸钾溶液滴定来测量氯化亚铁浓度。在本应用中,由于样品含有氯离子,在滴定前加入硫酸锰以避免干扰反应。如果样品含有过多的氯离子,通过真空蒸发浓缩除去大部分氯化氢。
Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于制作闪耀罗兰光栅
长春某研究所在制作闪耀罗兰光栅的研究中采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE,制造出的闪耀罗兰光栅比其他工艺制造的光栅产品整体衍射效率高25%, 实现高衍射效率闪耀罗兰光栅制作, 且工艺可控、稳定, 所制作的闪耀罗兰光栅衍射效率高于市场同类产品.
解决方案|离子色谱法测定蚀刻液中的氯离子、硝酸根离子和硫酸根离子
目前,测定溶液中的离子常用的方法为离子色谱法,本文作者根据以往经验通过对样品前处理及实验条件的摸索,建立了离子色谱法测定蚀刻液中氯离子、硝酸根离子和硫酸根离子方法,供相关人员参考。
蚀刻剂中三氯化铁含量的测定 应用资料
蚀刻剂中三氯化铁含量的测定 应用资料测量蚀刻剂中三氯化铁浓度的方法如下所示。作为预处理,在锥形烧瓶中向精确称重的样品中加入盐酸、纯水和碘化钾,并用塞子密封。将烧瓶置于冷暗室中5分钟以上后,用0.1mol/L硫代硫酸钠滴定游离碘(I2),以测定三氯化铁浓度。
蚀刻剂中盐酸含量的测定 应用资料
蚀刻剂中盐酸含量的测定 应用资料稀释后的样品用1mol/L氢氧化钠进行滴定。终点是滴定曲线上的最大拐点。盐酸浓度由氢氧化钠溶液的滴定体积计算得出。
铝蚀刻液成分分析—磷酸、硝酸、醋酸有多少?
蚀刻是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。最早可用来制造铜版、锌版等印刷凹凸版,也广泛地被使用于仪器镶板,铭牌等的加工;经过不断改良和工艺设备发展,亦可以用于航空、机械、化学工业中电子薄片零件精密蚀刻产品的加工,特别在半导体制程上,蚀刻更是不可或缺的技术。
利用扫描电镜观察氢氧化钾蚀刻制备的硅微观结构
氢氧化钾蚀刻 (KOH)是制造微型器件的一个重要工艺,用于从硅片上去除材料。选择性地蚀刻硅片的某些部分,用一层二氧化硅或掩膜来保护剩下的部分。然而,残留物的存在成为这种技术的一个缺点,因为它会对器件的制造过程产生负面影响。在这篇博客中,我们提出了一种利用蚀刻残留物的方法,将其作为后续蚀刻的掩膜,以制造两层微结构。我们还提供了如何有效地利用扫描电镜SEM对这些微结构进行成像的例子。
铝蚀刻液混酸(硝酸、磷酸、醋酸)的测定 应用资料
铝蚀刻液混酸(硝酸、磷酸、醋酸)的测定 应用资料在半导体制程上,铝蚀刻液主要成分是硝酸、磷酸、醋酸和水,其中硝酸、磷酸、醋酸和水的组成比例会影响到蚀刻的速率,故需要对这种混酸溶液的成分进行分析。在本应用说明中,描述了通过中和滴定法测定非水溶剂中的硝酸、磷酸和醋酸的浓度。每种酸在水中的强度不能单独检测,但是在有机溶液中,它可以单独检测到。采用该滴定法,同时检测到三个终点。
蚀刻液中乙酸(冰醋酸)含量的测定 应用资料
蚀刻液中乙酸(冰醋酸)含量的测定 应用资料样品加入纯水后,用0.5mol/L氢氧化钠滴定溶液测定蚀刻剂中的乙酸(冰醋酸)含量。滴定上升到终点,即滴定曲线上的最大拐点。乙酸(冰醋酸)浓度由氢氧化钠的滴定体积计算。
MT-V6电位滴定仪测定蚀刻液混酸(盐酸/硫酸/氢氟酸/氟硅酸)浓度
本方案主要适用于蚀刻液混酸中各组分的测试,特别是四种混酸(盐酸/硫酸/氢氟酸/氟硅酸)的蚀刻液体系。本次实验通过MT-V6自动电位滴定分析仪来测定蚀刻液混酸各组分浓度,如有工业在线分析以及智能化工厂需求则可以通过ALT工业在线分析设备来实现本方案需求。
Hakuto IBE离子刻蚀机运用于 PDMS 软刻蚀用母模板研究
随着微纳制造技术的发展,软刻蚀技术因其在微流体、组织工程和生物医学等领域的广泛应用而受到重视。PDMS(聚二甲基硅氧烷)作为一种常用的软刻蚀材料,其母模板的制备质量直接影响到最终产品的性能。Hakuto 7.5IBE 离子刻蚀机以其高效、简便的操作特点,为软刻蚀母模板的制备提供了新的选择。西南某高校在 PDMS 软刻蚀用母模板研究中有采用到伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE .
等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀
提供等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀。原子层蚀刻(ALE)是一种技术允许每次精确除去一个原子层,是使用常规刻蚀无法达到的控制水平。 牛津仪器的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性,可用于研究和开发,通过打造质量满足生产需求。
Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于氮化硅刻蚀工艺研究
重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE.针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损失的问题, 为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比, 采用 CF4, CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅, 通过调整气体流量比, 腔内压强及功率, 研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响.
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀衍射光学元件提高均匀度
衍射光学元件因其独特的光学性能在多个高技术领域中得到广泛应用。随着技术的发展,对衍射光学元件的制造工艺提出了更高的要求。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机的应用,为实现高精度和高均匀性的光学元件制造提供了新的解决方案。
离子色谱法测定食物添加剂磷酸二氢钙中的阴离子
目的建立一种同时测定磷酸二氢钙中的F- 、Cl- 、SO42- 、NO3- 四种阴离子的分析方法。方法以碳酸钠和氢氧化钠溶液为淋洗液,通过对淋洗液等色谱说明前提的优化,选择离子色谱法测定食物添加剂CaH2 PO4中的阴离子,以尺度物质保存时刻定性,以外标法定量。功效在优化的色谱前提下,4 种离子的疏散度好,检测迅速度高 被测离子的浓度在必然范畴内与色谱峰面积呈精采的线性相关,相相关数r > 0. 999。4 种离子测定功效相对尺度毛病均< 3% ( n = 9) ,均匀加标接纳率为80% ~ 105% 。结论离子色谱法轻盈、迅速、快速,可以或许满意同时测定CaH2 PO4中4 种阴离子含量的要求。
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 制作DNA芯片模板
本报告详细介绍了 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机在制作面阵石英 DNA 芯片模板中的应用。该设备配备 KRI 考夫曼公司的 KDC 160 离子源和 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700,确保了高真空度和刻蚀过程的高均匀性。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机制作的芯片模板表面微结构形貌有利于 DNA 序列样本与芯片模板的吸附耦合,提高了实验效率和准确性。
青岛盛瀚:离子色谱法测定食物添加剂磷酸二氢钙中的阴离子
目的建立一种同时测定磷酸二氢钙中的F- 、Cl- 、SO42- 、NO3- 四种阴离子的分析方法。方法以碳酸钠和氢氧化钠溶液为淋洗液,通过对淋洗液等色谱说明前提的优化,选择离子色谱法测定食物添加剂CaH2 PO4中的阴离子,以尺度物质保存时刻定性,以外标法定量。功效在优化的色谱前提下,4 种离子的疏散度好,检测迅速度高 被测离子的浓度在必然范畴内与色谱峰面积呈精采的线性相关,相相关数r > 0. 999。4 种离子测定功效相对尺度毛病均< 3% ( n = 9) ,均匀加标接纳率为80% ~ 105% 。结论离子色谱法轻盈、迅速、快速,可以或许满意同时测定CaH2 PO4中4 种阴离子含量的要求。
伯东NS 10 IBE离子束刻蚀机用于物理量传感器(MEMS)加工
上海伯东某科研客户的研究方向是物理量传感器,用于监测土壤的力学结构变化,一般用于山体、岩石和冻土等环境研究。这种传感器通过镀膜、沉积、刻蚀等工艺多次循环来加工,Au 和 Pt 是传感器加工中常用的涂层,在完成镀膜(溅镀 Sputter 或者电子束蒸镀 E-beam)用传统的湿法刻蚀、ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀等工艺无法有效的刻蚀出所需的图形。离子束刻蚀 IBE 作为最有效的刻蚀方案可以解决这个问题,刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料。
等离子技术在材料表面的应用
等离子可以应用于材料接合或精确改变材料表面属性。 通过这项前瞻性技术可以改变几乎所有的材料表面。 这 项技术可以应用于多种领域, 例如: · 精密清洗小部件及微小部件 · 表面激活人造材料(先于粘接、 涂装工艺等〉 · 蚀刻及部分去除不同材料的表面 如: PTFE 、 光刻胶、 硅等 · 表面涂层如: 类 PTFE 涂层、 阻隔层、 亲水及疏水涂层、 减阻涂层等
液体颗粒计数器对电子级硫酸颗粒管控的应用方案
电子级硫酸广泛应用于半导体、超大规模集成电路的装配和加工过程,主要用于硅晶片的清洗和蚀刻,可有效除去晶片上的杂质颗粒,无机残留物和碳沉积物。
北京英格海德:高级朗缪尔探针(Langmuir Probe)在等离子体诊断中的应用
ESPion高级Langmuir探针(Advanced Langmuir Probes for Electrical Plasma Characterisation)可快速、可靠、精确地进行等离子体诊断,是最先进可靠的 Langmuir 探针。 应用: 蚀刻/沉积/ 清洁等离子体 脉冲等离子体操作 离子密度 (Ni & Gi) 电子温度(Te & EEDF) 电子密度(Ne) 等离子体电位 Debye 长度,悬浮电位
上海伯东 IBE离子束刻蚀(离子铣)基本原理与应用介绍
在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。
电位滴定法测定氟离子含量
氟及氟化物作为重要的化学物质在各个行业有着广泛的应用。如,电子半导体行业应用氢氟酸进行蚀刻工艺,化肥、农药、化工、石化行业等在生产中使用含氟化学品或生产含氟化工产品,产生了相应的含氟废水,这些废水都是需要经过处理达标后才能排放的。如果高浓度含氟工业废水直接排放,将会严重污染环境,更对人们身体健康造成很大威胁,所以必须对含氟工业废水加以处理和监测。该方案是利用T960全自动电位滴定仪,通过加入过量的钙离子络合工业废水中的氟离子,再用EDTA去滴定剩余的钙离子,该方法的优点是简
卡尔费休水分测定仪进样测定全氟聚醚基础油中的水分
全氟聚醚油(PFPE)是一种常温下为液体的合成聚合物。具有高的热稳定性、氧化稳定性、良好的化学惰性和绝缘性。分子量较大的全氟聚醚还具有低挥发性、较宽的温度使用范围及优异的粘温特性。全氟聚醚油化学上极其安定,惰性、无毒,粘度高,即使低温下也有优良的润滑性,能长时间保持转动部件旋转,能耐受酸、碱、氧化剂等强腐蚀性化学药品,可防止因蚀刻材料而引起油分解或劣化。可用于气体等离子蚀刻装置、反应性离子蚀刻装置使用的真空泵油,六氟化铀浓缩用扩散泵油,氧气压缩机、泵、阀用的润滑油;差压测量仪的差压传递液、密封液等方面。本试验采用AKF-BT2020C卡氏加热进样测定全氟聚醚基础油中的水分含量。
上海伯东IBE离子束刻蚀用于铌酸锂LiNbO3薄膜刻蚀
随着基于铌酸锂LN的光源、光调制、光探测等重要器件的实现,铌酸锂LN光子集成芯片有望像硅基集成电路一样,成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台,在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。由于铌酸锂LN的特殊化学性能,IBE离子束刻蚀+EBL电子束曝光是最优的解决方案。
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