对于三斜硼酸镁,如果只观测到了(210)的晶格纹,则可以判定晶体平行(210)生长。能否判定其沿[001]生长?如果需要判定其沿[001]生长,还需要什么条件?能否通过电子衍射的衍射斑以及它与相应TEM照片的几何关系,直接判断晶体生长方向?
请问哪位大虾知道晶体生长方向和晶带轴方向有何不同,如何通过衍射图和HRTEM进行分析?跪谢!
刚刚接触电子衍射,想问个问题,希望各位前辈指点。在论坛看到关于晶体生长方向的帖子说:晶体的生长方向就是和电子衍射同方向上最低晶面指数的一个面。哪位能举个具体的例子说明一下,我实在太笨了先谢谢了!
这是Fe2B晶体的TEM照片,请问各位高手,这是晶体生长的痕迹,还是离子减薄留下的痕迹?[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/12/200612150939_35430_1612461_3.jpg[/img]
aipanhong板油在搞晶体生长相关的文章不知道对他有没有帮助?我相信这些文献可能其他板油也能用的着
电子衍射谱标定后所确定的晶带轴方向是不是就使电子入射方向,但如何通过这个确定晶体生长方向呢?谢谢,刚开始学习,还是超级菜鸟,希望多多帮助。
高分子物理Flash: 晶体生长 时温等效 橡胶弹性[flash]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/10/20061215115944_01_0_3.swf[/flash]
各位大侠: 刚接触电镜不久,遇到晶体方面的分析困难,不懂晶体生长方向,请求帮助.不胜感谢![img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/11/200611081812_31768_1631235_3.jpg[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/11/200611081812_31767_1631235_3.jpg[/img]
请各位老师帮忙分析一下我的晶体生长方向对吗?是不是沿着(110)的法线方向生长?根据SAED分析晶带轴是【010】对吗?谢谢各位老师。
8.0%),其(111)衍射峰的强度又逐步降低,表明少量氧的加入不但没有改变TiN涂层的晶体结构,而且还可以促进涂层晶体生长完整性的提高。” 我不太明天最后一句话,晶体生长完整性如何从XRD图谱中看出?看作者的意思 似乎是从衍射峰的强度判断的。。能推出这样的结论吗?
好消息!2010年8月,国际晶体生长大会在中国举办。先在大连进行一周的晶体生长夏季讲习班(ISSCG-14),然后辗转到北京进行国际晶体生长大会(ICCG-16)。具体信息请访问大会网址:http://iccg16.tipc.cn/注意摘要提交截至日期是2010年3月31日。有兴趣的同志报名参加吧,希望能和您在大连或北京相见。[em09505][em09505]
请问谁有凝聚态物理丛书中的 晶体生长科学与技术-上册 吗?下册我有,急缺上册。。。我也找了好几个月了,可惜没找到,身边图书馆又实在没有条件看这本书。超星上不知何故看不到这本书了,但我相信这本书的电子版肯定存在。我真的非常渴望看看这本书,所以尽管这本书可能有难度,还是试求一下。[em0813][em0813]
[color=#990000]摘要:本文针对目前PVT法SiC单晶生长过程中真空压力控制存在的问题,进行了详细的技术分析,提出了相应的解放方案。解决方案的核心方法是采用上游和下游同时控制方式来大幅提高全压力范围内的控制精度和稳定性,关键装置是低漏率和高响应速度的电动针阀、电动球阀和超高精度的工业用PID控制器。通过此解决方案可实现对相应进口产品的替代。[/color][align=center]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/align] [size=18px]一、问题的提出[/size]碳化硅单晶材料,作为宽带隙半导体材料,具有优异的物理特性和电学性能,特别适合于制造高温、高频、大功率、抗辐射、短波长发光及光电集成器件,因此被广泛应用于航空、航天、雷达、通讯等领域。目前,碳化硅单晶的生长一般采用PVT法工艺。由于碳化硅单晶生长的最终目的是为了获取大尺寸、低缺陷的碳化硅单晶,随着碳化硅单晶的尺寸增大,对单晶炉内的真空压力控制要求极高,工艺气体的压力变化对SiC晶体的生长速度和晶体质量产生极大影响。图1所示为一典型SiC单晶生长工艺中压力、温度和工艺气体随时间的变化曲线。[align=center][color=#990000][img=01.碳化硅生长中随时间的压力、温度和气体变化过程,690,242]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/09/202209161032399187_2475_3221506_3.png!w690x242.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图1 PVT法碳化硅单晶生长过程中压力、温度和气体的随时间变化过程[/color][/align]从图1所示的工艺曲线可以看出,晶体生长炉内的压力控制是一个全真空度范围的精密变化过程,整个真空度变化范围横跨低真空和高真空(10-4Pa~105Pa),特别是在10-1Pa~105Pa的低真空范围内需要精密控制。目前在利用PVT法制备SiC单晶时,普遍还存在以下几方面问题。(1)普遍采用下游模式(调节出气速率)控制全过程的真空度变化,在0.1~1000Pa的较高真空区间控制精度极差,晶体生长容器内的压力波动大(约±10%)。(2)真空控制装置所采用的调节阀和PID控制器基本都采用MKS、VAT和CKD等公司的上游流量控制阀(Upstream Flow Control Valves)、下游排气节流阀(Downstream Exhaust Throttle Valves)及其配套的PID阀门控制器(PID Valve Controllers)。尽管为了降低成本目前已有多种集成了PID控制器的一体式结构的下游排气节流阀,但整体造价还是较高。(3)真空压力国产化替代产品也在逐步兴起,但普遍还存在阀门漏率大、阀门调节响应时间长和不同量程真空计无法自动切换等问题,致使无法同时采用上游和下游控制模式实现全量程范围内的真空压力高精度控制。本文将针对上述PVT法SiC单晶生长过程真空压力控制存在的问题,进行详细的技术分析,并提出相应的解放方案。解决方案的核心是采用上游和下游同时控制方式来大幅度提高全压力范围内的控制精度和稳定性,并介绍相应的低漏率和高响应速度的真空用电动针阀、电动球阀和超高精度的工业用PID控制器,由此实现对相应进口产品的替代。[size=18px][color=#990000]二、碳化硅晶体生长的压力变成过程分析[/color][/size]图1所示为目前PVT法第三代碳化硅单晶生长过程中的压力、温度和气体流量变化曲线,其中红线表示了非常典型的真空压力变化过程。通过对真空压力各个阶段的变化过程进行分析,以期深入理解PVT法SiC单晶生长过程中对真空压力变化的要求。如图1所示,SiC单晶生长过程中真空压力的变化分为以下几个阶段:(1)高真空阶段:在高真空阶段,需要通过机械泵和分子泵在晶体生长容器内形成高真空(1×10-3Pa~1×10-5Pa),以清除容器和物料内的空气和水分。此高真空阶段要求气压需要以较慢的恒定速率进行降压,由此来避免碳化硅粉料形成扬尘。(2)预生长阶段:同理,在预生长阶段,随着工艺气体的充入和温度的逐渐升高,也要求容器内的气压按照恒定速率逐渐升至常压或微正压,此烘烤和气体置换进一步清除空气和水分。(3)生长阶段:在晶体生长阶段要求容器气压按照恒定速度逐渐降低到某一设定值(生长压力),并保持长时间恒定。不同的生长设备和工艺一般会采用不同的生长压力,专利“一种碳化硅晶体的破碎晶粒用于再生长碳化硅单晶的方法”CN114182357A中,生长压力为200~ 2000Pa;专利CN114214723A“一种准本征半绝缘碳化硅单晶的制备方法”中,生长压力为10000~80000Pa;专利CN215404653U“碳化硅单晶生长控制装置”中,生长压力控制在0.2~0.7Pa范围内;专利CN217231024U“一种碳化硅晶体生长炉的压力串级控制系统”中,生长压力范围为100~500Pa。由此可见,所涉及的生长压力是一个从0.2Pa至80kPa的宽泛区间。(4)冷却阶段:在冷却阶段,随着温度的逐渐降低,要求容器内的气压按照恒定速率逐渐升至常压或微正压。从上述单晶生长过程中气压变化的几个阶段可以看出,真空压力控制装置要达到以下主要技术指标,而这些也基本都是进口产品已经达到的技术指标。(1)漏率:小于1×10-7Pa.m3/s(2)控制精度和长期稳定性:在任意真空压力下,控制精度优于1%(甚至0.5%),长期稳定性优于1%(甚至0.1%)。(3)响应速度:小于1s。响应速度往往也决定了控制精度和长期稳定性,特别是在温度和流量的共同影响下,真空压力会产生快速波动,较快的响应速度是保证精密控制的关键。(4)连接不同量程真空计:可连接2只不同量程电容真空计以覆盖整个真空压力测量控制范围,并可根据相应真空度进行传感器的自动切换和控制。(5)可编程控制:可编程进行任意压力控制曲线的设置,并可存储多条控制曲线以便不同工艺控制的调用。(6)PID参数:可自整定,并可存储和调用多组PID参数。(7)上位机通讯:与上位机(如PLC和计算机)进行通讯,并具有标准通讯协议。[size=18px][color=#990000]三、高精度真空压力控制解决方案[/color][/size]从上述分析可以得知,不同的碳化硅晶体生长工艺所需的压力是一个从0.2Pa至80kPa的宽泛区间,目前国内外在晶体生长工艺压力过程中普遍都采用下游控制模式,即在真空泵和生长容器之间安装节流阀,通过恒定上游进气流量,通过节流阀调节下游排气流量来实现真空压力控制。对于大于1kPa的高气压区间,这种下游控制模式十分有效可实现压力精密控制,但对于低压区间(0.1Pa~1kPa),下游模式的控制效果极差,必须要采用调节进气流量和恒定下游抽气流量的上游控制模式。上游模式控制方法在碳化硅单晶生长工艺中应用的一个典型案例是专利 CN217231024U“一种碳化硅晶体生长炉的压力串级控制系统”,其中生长阶段的压力范围为100~500Pa,可将压力稳定控制在±0.3Pa。另外,上游控制模式已经广泛应用在真空控制领域,我们在以往的实际应用和验证试验中也都证实过上游模式可实现1kPa以下低气压的精确控制。综上所述,要实现0.2Pa至80kPa全范围内的真空压力精密控制,需要分别采用上游和下游模式。由此,我们提出了可同时实施上游和下游模式的真空压力高精度控制解决方案,这种上下游同时进行控制的真空压力控制系统结构如图2所示。[align=center][color=#990000][img=02.上下游双向真空压力控制系统结构示意图,550,375]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/09/202209161032552585_1956_3221506_3.png!w690x471.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图2 上下游双向真空压力控制系统结构示意图[/color][/align]在图2所示的解决方案中,采用了两只电容真空计来覆盖0.2Pa至80kPa的全真空量程,真空计的测量信号传送给PID控制器,由PID控制器分别驱动上游的电动针阀和下游的电动球阀,由此闭环控制回路实现全量程范围内的真空压力精密控制。真空压力的具体控制过程是:(1)当压力控制设定值位于大于1kPa的高气压范围时,PID控制器处于下游控制模式,PID控制器调节上游的电控针阀为恒定开度,并对下游的电控球阀进行PID自动调节,通过快速调整电控球阀的开度变化使生长容器内的压力测量值快速等于设定值。(2)当压力控制设定值位于小于1kPa的低气压范围时,PID控制器处于上游控制模式,PID控制器调节下游的电控球阀为恒定开度,并对上游的电控针阀进行PID自动调节,通过快速调整电控针阀的开度变化使生长容器内的压力测量值快速等于设定值。[size=18px][color=#990000]四、配套装置的国产化替代[/color][/size]本文提出的解决方案,在真空计、电控阀门和PID控制器满足技术指标要求的前提下,可实现高精度的真空压力控制,通过实际应用和考核试验都验证了控制精度可以达到真空计的最高精度,稳定性可以轻松达到设定值的±0.5%,甚至在大部分真空压力量程内稳定性可以达到设定值的±0.1%。在进行0.1Pa~100kPa范围内的真空度控制过程中,目前真空技术应用领域普遍采用是国外产品,比较典型的有INFICON、MKS、VAT和CKD等公司的薄膜电容真空计、上游流量控制阀、下游排气节流阀及其配套的PID阀门控制器。随着国产化技术的发展,除了薄膜电容真空计和高速低漏率电动蝶阀之外,其他真空压力控制系统的主要配套装置已经完全实现了国产化,低漏率和快速响应等关键技术的突破,使整体技术指标与国外产品近似,PID控制器与国外产品相比具有更高的测控精度,并且还具有国外产品暂时无法实现的双向模式控制功能,真空压力控制比国外产品具有更高的控制精度和稳定性。国产化替代的关键配套装置包括高速低漏率真空用电控针阀和电控球阀,以及多功能超高精度通用型PID控制器,如图3所示。[align=center][color=#990000][img=03.真空控制系统国产化替代装置,690,354]https://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2022/09/202209161033165839_1676_3221506_3.png!w690x354.jpg[/img][/color][/align][align=center][color=#990000]图3 国产化的电动针阀、电动球阀和高精度PID控制器[/color][/align]图3所示的国产化配套装置都达到了第2节中的技术指标要求,特别是高精度的工业用PID控制器更是具有优异性能,其中的24位模数转换、16位数模转换和双精度浮点运算的0.01%最小输出百分比是目前国内外工业用PID控制器的顶级指标,可实现压力、温度和流量等工艺参数的超高精度控制。[size=18px][color=#990000]五、总结[/color][/size]针对PVT法单晶生长工艺,本文提出的上下游双向控制解决方案可实现全量程范围内真空压力的快速和高精度控制,此解决方案已在众多真空技术领域内得到了应用,相应配套的电动针型阀和电动球形阀具有国外产品近似的技术指标,工业用超高精度PID控制器更是具有优异的性能。这些配套装置结合各种真空压力传感器和双向控制方法可实现真空压力的高精度控制。[align=center]~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~~[/align]
对于一个面心立方的晶体,它的优先生长面是(111)面,文献上说它的密堆积方向是【110】? 但是怎么理解呢?请各位朋友帮忙解答一下。
近期开始做一些晶体方向的研究,本人之前很少接触这一领域,现在有些问题想请教一下各位高手呀。我们现在想通过高倍透镜来确定一下晶体的生长方向,首先我们对样品进行了高倍透镜测试,根据所得图片量出了晶格条纹的间距,进而确定了所属晶面,现在就是不清楚如何根据晶面确定晶体的生长方向,想问一下,是不是和这个晶面垂直的方向就是晶体的生长方向呀,如果不是的话,应该如何确定呢?另外,我们觉得在晶体组装的过程中,由于各晶面能量的不同,小的晶体组装组装成较大晶体的过程中,有少数能量较高的晶面可能会消失(小的晶体可能通过这些高能量晶面发生连接组装,这一过程中该晶面消失),那么如何确定消失的是哪些晶面呢?在线等,还请高手伸出援手
晶体生长科学与技术是一门多学科交叉领域,涉及到物理、化学、电子电气工程、流体力学与计算科学等多方面知识的综合运用。对晶体生长科学与技术的详细讲解是非常困难的,在这里我给大家就我所知道的部分做一个提纲挈领式的导读。我希望本讲座无论对于没有相关基础知识的朋友,还是对于那些对本领域有一定理解的人都或多或少有些帮助。总的课程拟分成基本原理和思想、基本技术与仪器设备、典型材料及应用等几个部分。本讲主要介绍晶体生长技术和仪器中可能涉及到的问题相关的基本原理和思想,关键点有形核(nucleation)、生长界面(crystal-liquid interface)、输运现象(transport phenomena)、形貌(morphology)以及数值模拟基本知识。晶体生长最初起源于形核过程,Gibbs在19世纪末就提出形核过程的本质是过冷度(supercooling)作为驱动力与表面能(surface energy)作为阻力之间的竞争。如图1所示,随着晶体中分子数目的增多,驱动力作为线性降低,而表面能是2/3方关系增加。这一方面说明过冷度在晶核中的粒子数足够多的情况下将占绝对优势,而另一方面,在某个粒子数目以下,晶粒的增长需要额外的能量,比如温度的涨落帮助其克服因表面能带来的能垒。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/08/201008311841_240125_1611921_3.jpg图1 形核过程基本热力学现已被广泛接受的研究表明,晶体的稳定成核之前需要经过两个阶段,一是从液体中生成团簇(dense liquid),二是团簇之中发生无序-有序转变并最终转化成晶核(real nuclear)。两步成核理论之所以更成功,是因为它可以用来解释经典一步成核理论与某些晶体成核率实验之间高达10个数量级的巨大差异,因为2步成核涉及到多一级能垒,于是相对晶体成核理论可以得到更低更合理的成核率。当然,对于少量晶体,如果第二步能垒为负,如图2所示,即第二步是自发的,两步成核理论将退化成经典成核理论。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/08/201008311842_240126_1611921_3.jpg图2 两步形核机理成核过程中,需要注意到,成核速率因为受到过冷度和晶粒尺寸两个方面的制约,而导致其在某个过冷度点上达到最大值。温度高于该值成核率显然因为驱动力不够而较低,而低于该值时晶粒在热力学上只在极小或很大尺寸时才能稳定,即所谓的调幅分离,这里把较大尺寸晶粒和较小尺寸晶粒分别作为单独相(PNAS2000, 97, 6277)。大尺寸晶体形成非常困难,以至于不能对成核率带来贡献;而较小尺寸晶体在分子数目等于1时也就与液体差不多,也就是趋于形成玻璃态(不能称之为晶粒),这同样不对成核率带来贡献。所以,不难想象,最高成核温度还随液相浓度变化而变化,如图3所示。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/08/201008311843_240127_1611921_3.jpg图3 形核动力学图示前面讨论的情形是均匀母相液体中自发成核(spontaneous nucleation),而在实际应用中,更有现实意义的结晶方式并非自发成核,而是引入一定的同质或异质的固体,比如薄膜生长,提拉法(Czochralski method)、泡生法(Kyropoulos method)和顶部籽晶法(top-seeded solution growth, TSSG)等等。在这种非自发成核情形下,籽晶或基体充当模板(substrate or seed as templates),在一定的时候甚至可以选择性的形成所需要的结构。在微观上,如图4所示,籽晶或基体的作用一方面在较宽的温度范围内控制成核率;另一方面,对于前面提到的成核第二步,当团簇变成有序晶体存在多种可能性的情况下,籽晶或基体上将选择性的沉积和其结构相近的晶型结构,因为这时系统能量较低。http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2010/08/
请教研究陶瓷的老师,陶瓷观察陶瓷晶体(SiC)结构,高温烧结得到的SiC晶体没有明显取向,而化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp]气相[/url]沉积得到的同一结构的SiC晶体呈明显的针状或棒状,从机理上怎么理解类似现象?谢谢指教
TEM 测试中我们同时得到选区电子衍射图像和明场图像,信息如附图所示。由于我们的样品是取向调控的,具有周期性沟槽结构。样品为聚己内酯(PCL)薄膜。如图片所示,200晶面(图片分析时需逆时针旋转22度)与沟槽的取向接近垂直。我们想知道晶体的生长主轴,沟槽的取向与200晶面或其垂直面间的关系。望高手指点!
我的高分辨图像中大面积的非晶,不过里面有一些纳米颗粒,我如何根据这张图像及选区的FFT变换来确定纳米颗粒的晶体取向,我已经知道它是什么颗粒。
我现在有单晶硫化银纳米线的一个选区衍射,一个高分辨图(第二个图放大能看到晶格条纹)。都是照片洗出来的图片,没有对应的dm3格式。问题是:1,能判断晶型吗。2.能判断生长方向吗[img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/09/200609211221_27451_1620403_3.jpg[/img][img]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2006/09/200609211222_27452_1620403_3.jpg[/img]
我做了单质铜的xrd,结果表明(111)面与(200)面的强度之比为3,远高于pdf卡片的值2.04,我是否可以根据这一结果认为产物中{111}面的比例很高?如何据此来判断晶体生长的取向呢?因为我得到的产物是尺寸较大(约有800-1000nm粗)的一维结构,做电子衍射打不透,无法通过电子衍射花样来判断取向,所以只好寄希望于xrd了。我是新手,刚刚接触材料这一行,可能这个问题很菜,还请大家不要见笑,谢谢!
这篇文章的2.2晶体生长形态中怎么直接就看出晶面来了呢? 各位高人,指点一下迷津吧![img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=144143]形成机理[/url]
催化活性是目前商业铂纳米催化剂的4倍科技日报2007年5月10日讯:厦门大学化学化工学院孙世刚和美国佐治亚理工学院王中林等科学家采用新的电化学方法,首次制备出具有高表面能的二十四面体铂纳米晶粒催化剂,显著提高了铂纳米催化剂的活性和稳定性,在能源、催化、材料、化工等领域具有重大意义和应用价值。5月4日出版的美国《科学》杂志以长篇报道刊登了这项最新成果。 二十四面体是一种十分罕见的晶体形状,在自然界中,仅金刚石、萤石和铜矿等极少数矿物能以不完美的二十四面体形式存在。 上述研究发展了一种新的电化学方法,能够控制纳米晶体的表面结构和生长,合成具有高表面能的金属纳米晶体。 中美团队的电催化研究证实,所制备的二十四面体铂纳米晶体对甲酸、乙醇等有机小分子燃料电氧化的催化活性是目前商业铂纳米催化剂的2到4倍,在燃料电池、电催化等领域中具有重大应用价值。 孙世刚和王中林认为该研究的重大意义在于:所发展的表面结构控制生长的电化学方法可以拓展到其他铂族金属,如钯、铑等,也可以运用到制备其他高指数晶面组成的不同形状的金属纳米晶体。这将丰富纳米晶体表面结构控制生长的内涵,深化对金属晶体生长规律的认识,不仅开辟了一条通过控制纳米粒子表面原子排列结构提高催化剂性能的崭新途径,也将模型电催化剂的基础研究推进到实际催化剂设计和研制过程中的一个重大进展。 《科学》杂志的3位评审人认为,这一科研成果不仅指明了一种控制纳米粒子生长使高指数晶面暴露在外的新思路和新方法,而且将导致异相催化中的新发现。
想开展一个研究蛋白晶体生长的课题。以前没有接触过。不知道配个什么显微镜比较好。在这里请教一下各位前辈。1、体视+偏光是不是一个比较好的选择?体视的总放大倍率需要多大?2、需不需要配波晶片?配什么波晶片(1/4 or 1/2)?3、需不需要配滤光片?多少nm的?这种配置的显微镜什么牌子的比较好?想配一个zeiss的,可蔡司中国的那群糊涂蛋怎么也说不清楚,说没听说过这种配置。汗。。。[img]http://hamptonresearch.com/img/gallery/400/00000269-400.gif[/img]
假设晶体如果在(002)晶面有择优取向生长,那么是否沿(004)晶面也有择优取向生长?换句话说也就所有(00n)面都择优生长?另外如何判断一个晶体会有择优取向呢?谢谢
最近看了一篇文献,作者在XRD图中说(100)面比标准卡片的峰强,从而晶体沿着此面取向生长;然后,作者又提供了样品局部的SAED和HRTEM,通过分析,作者说晶体(纳米棒)沿着【010】生长。 我想请教的是:二维HRTEM(纳米棒局部)很明显可以断定晶体生长方向,并且和SAED相互印证,是不是XRD就不需要了?并且作者说的取向生长方向不一样,怎么解释????? 谢谢
可能更需要我们纪念2012年11月11日的, 不是光棍节, 而是Bragg公式发现第100周年. 在人类历史中100年实在太短, 读完下面这篇回顾可能只需要10分钟. 但在这100年中, 晶体学发生了翻天覆地的变化. 希望这篇随笔能够带领版友沿着大师们的脚步, 探寻晶体学发展的历史, 激励我们研究的道路. 向Bragg父子和所有晶体学研究者们致敬!一、文艺复兴时期的晶体学代表早期的晶体学研究使用的方法主要是光学显微,角度测量,以及晶体生长. 在文艺复兴时期人们便开始讨论晶体到底是从惰性物质中生长的还是被外力雕刻而成的. 那时候人们只能从晶体形状与解理开始, 通过观察晶体的外形来解释晶体本质.http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212061531_410012_1986542_3.bmp Christiaan Huygens (1629-1695)http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212061534_410016_1986542_3.bmpChristiaan Huygens (1690) Tractatus de Lumine 的著作中将晶体想象成基本单位的堆叠来解释其中光路.http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212061535_410018_1986542_3.bmp Sténon于17世纪通过对石英形状的观察得出结论晶体是生长而成.二、十八世纪的晶体学家在18世纪虽然还不能观察到晶体内部信息,但科学家们通过对晶体外形的观察想象晶体内部的结构. Haüy通过对碳酸钙晶体断面的观察, 建立了一个由无数微小”不可再分分子”堆叠而成的晶体模型.http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212061537_410020_1986542_3.bmpRené Just Haüy (1743-1822)http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212061557_410036_1986542_3.bmp (这张图片广泛出现于各种"固态物理"的教材中...)René Just Haüy Traite de cristallographie (1822) “不可分割的分子被认为是矿物中的最小结构”—René Just Haüyhttp://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2012/12/201212061600_410038_1986542_3.bmpRomé de l’Isle (1736-1790)Romé de l’Isle发现同种晶体某些表面的夹角是恒定的. 这个证据表明晶体很可能是由微小的基本立方体堆叠而成. Romé de l’Isle, Haüy和Sténon的工作被认为是晶体学的开始.三、十九世纪的晶体学家周期性与原子有序排列在19世纪得以建立. 德国和法国科学家使用数学理论公式和对称轴,对称中心,对称面,晶格系统作为晶体的分类标准. Weiss否定了Haüy的”最小分子”理论,对称理论得以普遍推广. Hessel, Frankenheim和Bravais分别证明了所有晶体只会有14种晶格系统和32种晶体对称. Delafosse 认为Haüy的最小分子实际上是晶胞[s
谁能教教我怎么分析一维晶体的生长方向我知道是通过透射电镜来判断的,可是怎么作呢??是不是通过选取衍射(SAED)的斑点来判断呢?那么具体又是怎么分析呢?写论文急需这方面的知识,大家帮帮我吧
我国晶体缺陷研究的先驱者之一——冯端 物理学家1923年6月11日生于江苏苏州,原籍浙江绍兴。1946年中央大学物理系毕业后留校任物理系助教。1949年起历任南京大学物理系助教、讲师、副教授,1978年任教授。1984-1988年任南京大学研究生院院长,1986-1995年任固体微结构物理国家重点实验室主任,兼学术委员会主任迄今。1991-1995年任中国物理学会理事长,1992-1996年任国家科委攀登计划项目“纳米材料科学”首席科学家,1980年当选为中国科学院院士(学部委员)1993年当选为第三世界科学院院士。冯端在凝聚态物理领域特别是晶体缺陷研究方面做了大量开拓性的工作,澄清了金属和氧化物晶体中缺陷的组态和起源,开辟了非线性光学晶体微结构化新领域,首次观测到铁电相变中的微畴结构和铌酸锂晶体非公度相变中公席错的结构及其演变。他为推动中国凝聚态物理 的研究和发展起到了重要作用。冯端为国家培养了一批德才兼备的当术带头人,在创建并领导南京大不固体微结构物理国家 重点实验室方面取得了令人称道的成绩。冯端60年代初即选择体心立方结构的难熔金属为突破口,采用浮区区熔法显示位错的技术,澄清了体心立方金属中位错的类型及其组态等问题。1978年后,又以在激光技术中获得重要应用的复杂氧化物单晶体为对象,采用多种实验手段,如浸蚀法、应力双折射貌相术、X射线貌相术、电子显微镜衍衬像及高分辨率像等观测技术,对这些晶体中的位错、畴界、生长条纹、生长区界面、包裹体等缺陷的类型、分布进行研究,并追溯其生长和相变中的起源和 探索其可能的物理效应。基于对铌酸锂等晶体铁电畴深入研究,掌握了制备具有周期性畴结构的晶体生长技术,于1980年与合作才一起制备了周期为微米量级的聚片多畴铌酸锂晶体,在实验上首次全面验证了诺贝尔奖得主布鲁姆伯根(N.Bloembergen)关于非线性光学的准位相匹配理论,实现了铌酸锂晶体的倍频增强效应,从而在国际上领先开拓了非线性光学晶体微结构化这一新领域。随后,又在不能位相匹配的钽酸锂晶体中实现了准位相匹配,并研究了周期畴结构的形成机制。1996年4月中美“用于非线性光学及相关领域的微结构晶体”学术会议在南京召开,表明国际上已承认他的领先工作。冯端还研究了晶体缺陷在结构相变中的作用,首次观测到铁电相变中的微畴结构和铌酸锂晶体非公度相变中公度错的结构及其演变;并用X射线貌相术及同步辐射貌相术阐明畴界的成像规律及追踪其在铁电和铁弹相变中的行为。他倡导了金属超晶格的研究,特别是在周期金属超格中取得了具有独创性的成果。近年来,他领导了有关纳米材料科学的研究工作,在金 属的磁性和半导体的光学性质方面,取得不少具有独创性的成果。这些科研成果使冯端获得多次国家奖励,其中包括1982年国家自然科学奖二等奖(排名第一),1995年国家自然科学奖三等奖(排名第五)及1996年何梁何利科技进步奖(物理)。
学半导体微电子的,可能经常会在国外的文章中看到一种生长晶体的方法叫Czochralski 法,谁能详细说明一下这种方法的过程,特点?以及Czochralski Si(CZ-Si)是指的是什么??