晶体恒温炉

产品型号：SKJ-50产品简介：SKJ-50晶体生长炉 是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时，为了避免可变因数造成的影响，一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的，然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。KMT可提供性能稳定，价格适中的SKJ 50 单晶生长炉，可生长多种氧化物高熔点晶体，晶体尺寸达 2-3" 。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：中频感应电源：25KW,频率 0.2 - 20 KHz 提拉速度:0.1-10mm/h 旋转速度:0-40 RPM 最高熔炼温度 : 2100oC 电源要求: 三相, AC 380V, 100A , 25KW 真空腔尺寸 : 50 cm dia. X 70 cm ，机械泵真空度可达 10-3 torr ， 扩散泵真空度（选配）可达 10-6 torr 欧陆温控仪可获得温度精度 +/-0.2 oC 电子秤 ( 下称重)在生长过程中可自动控制晶体的直径 水冷要求 水压：0.13-0.18MPa 水流量:60 L/minute 炉子尺寸: 炉体:88L× 125W× 285H cm 控制单元:68L× 54W× 170H cm 中频感应电源:110L× 50W× 150H cm 相关配件：提拉机构是永磁直流电机驱动 带水冷和机械泵的真空腔体. 控制拉速、转速、温度和电子秤的控制柜. 风冷的中频感应电源. 带水冷的感应线圈（铜管）可选配件：铱坩埚,控制晶体直径的电子秤具体信息请点击查看：

激光晶体温控炉Temperature controller (TC-038D) & Oven 晶体需要控制其温度以保证位相匹配条件，我们开发研制了适用于超晶格样品的温控系统包括温控炉与控制器。炉体可放置晶体尺寸为(长宽高)50mm×10mm×2mm，温度调谐范围室温~200oC，温度调谐方便速度快。炉体设计为上开盖形式，方便实验中调节；温控炉与控制器为分体结构，更换灵活；底座采用铝合金材质可定制螺孔，方便与多维调节架的连接与装夹，牢固耐用。产品特色：PID控制自动调谐&可编程温度调谐范围：室温-200℃存储温度：-20℃-70℃最大功耗：24V/60W通讯接口：USBGUI程序尺寸：150（L）X 90（W）X 65（H）mm^3炉子选项：OV-30D（203g）,OV-50D (380g)TC-038D:约900gCE，RoHS/REACH认证PPLN chip holder 用来夹持非线性晶体尤其是PPLN/PPLT晶体的各种安装座，包括普通类型，飞秒类型。我们提供的OV-30D或者OV-50D安装座可以夹持1mm到40mm的普通类型晶体。飞秒类型PPLN晶体（极短的PPLN）将会安装在CD类型（约3g）huozhe fs 9605/9610/1410.

激光加热基座晶体生长炉 法国Cyberstar公司生产的激光加热基座晶体生长（Laser-heated pedestal growth, LHPG）是在提拉法晶体生长基础上发展起来的、一种以激光为热源的无坩埚单晶纤维生长工艺，因局部熔化特性，亦可称其为浮区熔化晶体生长。 激光加热基座晶体生长炉（LHPG）具有无坩埚、无污染、温度梯度大、生长速度快、适合生长高熔点的高质量晶体等特优势。产品特点： 系统具有多束激光，激光功率根据需要可调 温度可以达到2800℃以上 晶体提拉速度、旋转速度精密可调，提拉行程140mm 可通氩气、氧气等各种高纯气体气氛或者混合气体气氛 压力可以达到1.5Bar 真空度可以达到1X10-4mBar 全过程CCD相机实时观测，非接触红外高温计实时监测温度应用案例钛酸锶（SrTiO3，STO）是一种应用非常广泛的衬底材料，比如：多铁或压电等应变工程薄膜材料。化学计量的STO在可见光波段是透明的，尽管方法不同，但目前如果不借助晶体生长后的退火处理步骤，仍然还不可能生长完全无色的大块STO晶体。生长后的晶体颜色一般在橙黄色到蓝紫色之间，有时甚至是黑色，关于这些颜色的成因也尚存争议。Franz Kamutzki等人通过法国Cyberstar公司的LHPG（激光基座加热法单晶炉）设备系统研究了化学计量配比、Sr过量配比、不同气氛（Ar, N2, O2, H2等）等条件下的STO单晶纤维生长实验，相关实验为系统研究STO单晶生长工艺条件和晶体颜色之间的关系具有重要意义。以下为Franz Kamutzki等人在文章中列出的不同工艺条件下生长出的不同颜色的STO单晶。参考文献：The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666测试数据化学计量配比生长的STO单晶样品的吸收谱Sr过量配比生长的STO单晶样品的吸收谱参考文献The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666发表文章1. Up-conversion dynamics in GdAlO3:Er3+ single crystal fibre. Optical Materials，Volume 5, Issue 4, May 1996, Pages 233-238.2. The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666.用户单位山东大学

该产品可以实现LBO,BBO,KDP等非线性晶体的温度控制要求，晶体的尺寸从3~100mm各种口径的均可，可以接受定制

SKJ-M50-16金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备，可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下、在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性，本机可采用中频感应加热电源，以及石墨电阻加热两种加热方式；采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温，使结晶体按照一定的直径进行控制。 产品型号SKJ-M50-16金属晶体生长炉安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要特点属于小型晶体生长炉，适合于大专院校、研究所使用。技术参数1、电源：208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW2、炉体容积：约100L3、炉管：石英管或刚玉管4、坩埚：高纯石墨坩埚5、加热元件：1800级硅钼棒6、温控系统：50段控温程序7、控温精度：±1℃8、工作温度：连续工作1600℃，短时间工作1700℃9、控温方式：自动程序控温10、生长方法：区熔法（样品固定不动，炉体向上移动）11、移动速度：1mm/h-10mm/h可调12、快速移动：手动13、结晶转速：1rpm-50rpm14、真空系统：机械泵和扩散泵15、极限真空度：10-5torr标准配件1、电源控制系统一套2、机械控制系统一套可选配件Kathnal Super-1800级硅钼棒

SKJ-50晶体生长炉是用提拉法生长高质量氧化物单晶及金属单晶，如蓝宝石、GGG、YAG、SrLaAlO4、LaAlO3、Si、Ge等，最大可长出晶体尺寸达3" 。 产品型号SKJ-50晶体生长炉安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要特点1、与同类相比属于小型晶体生长炉，适合于大专院校、研究所使用。2、电子称在生长过程中可自动控制晶体的直径。技术参数1、电源：三相380V 25KW2、感应射频：功率25KW，射频0.2KHz-20KHz3、真空腔体：?500mm×700mm4、真空度：10-3torr（机械泵），10-5torr（扩散泵）5、最大提拉行程：500mm6、提拉速度：0.1mm/h-20mm/h7、籽晶杆旋转速度：0-40rpm8、最大可熔融温度：2100℃9、控温精度：±0.2℃10、冷却水：所需水压0.13MPa-0.18MPa，所需流量60L/min11、移动速度：1mm/h-10mm/h可调12、快速移动：手动13、结晶转速：1rpm-50rpm14、真空系统：机械泵和扩散泵15、极限真空度：10-5torr产品规格1、炉体：880mm×1250mm×2850mm2、控制柜：680mm×540mm×1700mm3、中频柜：1100mm×500mm×1500mm4、总重：1500kg

PTL-HT-B是一款小型的1100℃布里奇曼单晶生长炉，配有2英寸的石英管，精密提拉机。用于在气氛保护环境下或密封石英坩埚环境下生长小尺寸的晶体。 技术参数立式双温区管式炉 小型双温区立式管式炉工作电压：AC220V 单相最大功率: 1.5 KW两个加热区: 每个加热区长度100 mm ，总加热区长度200 mm L 最高工作温度: 1200°C连续工作温度: 1100°C两个温区都采用PID方式调节温度，可程序控温，分别由2个独立的温控系统控制最大温度梯度: 1oC/Cm用户需要探索所长晶体最合适的温度梯度调节两个加热区的温度，来形成不同的温度梯度调节炉体的开启大小，也可以改变温度梯度所配石英管尺寸 ：50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L悬挂丝配有3套Ni-SS悬挂丝，最高可承受温度800℃可选购能承受更高温度的悬挂丝Ni-Cr-Al 丝：最高可承受温度1100℃铂丝：最高可承受温度1600℃悬挂丝可穿过法兰，若炉管内保持正压，可在气氛保护环境下生长晶体对于氧敏感材料，样品可封装在小的石英管内 电机和控制采用6"L x 4"W的触摸屏来控制直流电机转动上升和下行速度可以设置3个程序速度范围: 1-500 um/sec （可调），精度：+/- 0.05% 可选购更精确的提拉机构，速度为：0.4mm/hr总移动行程: 450mm电机功率: 50W产品尺寸560mm(L) x 470mm(W) x 1235mm(H)质量认证CE认证质保一年质保期，终生维护（不包含石英，密封圈，加热元件和悬挂丝）净重105kg

适用范围： 电热鼓风干燥箱是由我公司技术小组多年研究。本设备适用于各种产品或材料及电气、仪器、仪表、元器件、电子、电工及汽车、航空、通讯、塑胶、机械、化工、食品、五金工具在恒温环境条件下作干燥和各种恒温适应性试验。 技术参数： 型号：DHG-9140A 产品类型：数显微电脑控制 电源电压：AC 220V±10%/50Hz±2% 控温范围：室温+10℃-250℃ 温度分辨率：0.1℃ 恒温波动度：≤±0.5℃ 温度均匀度：≤±2%℃ 输入功率：1500W 工作室尺寸(mm)：450（宽）*550（深）*550（高） 外形尺寸(mm)：590（宽）*730（深）*860（高） 载物托架：2块 定时范围：0-9999分钟 各系统配置及技术说明： 箱体结构： 1) 本由室体、加热系统、电气控制系统、送风系统、保护系统等组成。 2) 箱体采用设备制作、工艺制造流程、线条流畅，美观大方。 3) 工作室材质为不锈钢材质，外箱材质为冷轧钢板，产品外壳采用环保金属漆喷制，整体设计美观大方，适合高端实验室的颜色搭配。 4) 工作室内搁架可随用户的要求任意调节高度以及搁架的数量。 5) 工作室与外箱之间的保温材料为超细玻璃纤维保温棉，保温层厚度：＞70mm, 隔温效果，绝缘结构。从里到外有内腔、内壳、超细玻璃纤维、铝制反射铝箔片、空气夹层，内胆热量损失少。内胆外箱及门胆结构独特，减少了内腔热量的外传。 6) 门与门框之间采用密封材料及独特的橡胶密封结构，密封、耐高温、抗老化。 7) 箱内风道采用双循环系统，不锈钢多翼式离心风轮及循环风道组成，置于箱体背部的电加热器热量通过侧面风道向前排出，经过干燥物后再被背部的离心风轮吸入，形成合理的风道，能使热空气充分对流，使箱内温度达到均匀。提高了空气流量加热的能力，大幅改善了干燥箱的温度均匀性。 8) 加热器用不锈钢电加热管，升温快，寿命长。 温度测控系统： 采用韩国进口"HM"品牌数字显示温度控制器，产品采用综合的电磁兼容设计和人性化的菜单设计，使得设备操作完全傻瓜化，控温效果佳。双屏高亮度宽视窗数字显示，示值清晰、直观。微电脑智能控制，设定温度后，仪表自行控制加热功率，并显示加热状态，控温精确而稳定。超温报警并自动切断加热电源。有定时功能，定时时间长达9999分钟。 电器控制系统： 1) 电气控制元器件均采用品牌“正泰” 2) 电气线路设计新颖，合理布线，安全可靠 3) 箱体顶部为电气控制柜，方便于集中检查维修 安全保护系统： 1) 超温报警 2) 过电流保护3) 快速熔断器4) 接地保护 选配件（需另外收费，订购时请注意）： 1) 可编程液晶控制器，可实现升温速率可调和保温时间可调。 2) 独立限温控制器，可实现在主控制器失灵后设备升温过高的情况下立即切断加热。 3) 无纸记录仪，通过USB接口将其记录数据导入计算机进行分析，打印等，是有纸记录仪的更新换代产品，八通道温度记录。 4) 配RS-485接口，可连接计算机和记录仪，实现实时监控工作状态。 5) 温度测试孔，可实现不同测试线或仪器插入设备工作室内进行各种试验，测试孔孔径有￠25、￠50、￠80可选。 6) 载物托架，设备标准配置是2个载物托架，客户可以根据具体要求增配托架数量。

激光高压光学浮区炉激光加热基座晶体生长炉 法国Cyberstar公司生产的激光加热基座晶体生长（Laser-heated pedestal growth, LHPG）是在提拉法晶体生长基础上发展起来的、一种以激光为热源的无坩埚单晶纤维生长工艺，因局部熔化特性，亦可称其为浮区熔化晶体生长。 激光加热基座晶体生长炉（LHPG）具有无坩埚、无污染、温度梯度大、生长速度快、适合生长高熔点的高质量晶体等特优势。产品特点： 系统具有多束激光，激光功率根据需要可调 温度可以达到2800℃以上 晶体提拉速度、旋转速度精密可调，提拉行程140mm 可通氩气、氧气等各种高纯气体气氛或者混合气体气氛 压力可以达到1.5Bar 真空度可以达到1X10-4mBar 全过程CCD相机实时观测，非接触红外高温计实时监测温度应用案例钛酸锶（SrTiO3，STO）是一种应用非常广泛的衬底材料，比如：多铁或压电等应变工程薄膜材料。化学计量的STO在可见光波段是透明的，尽管方法不同，但目前如果不借助晶体生长后的退火处理步骤，仍然还不可能生长完全无色的大块STO晶体。生长后的晶体颜色一般在橙黄色到蓝紫色之间，有时甚至是黑色，关于这些颜色的成因也尚存争议。Franz Kamutzki等人通过法国Cyberstar公司的LHPG（激光基座加热法单晶炉）设备系统研究了化学计量配比、Sr过量配比、不同气氛（Ar, N2, O2, H2等）等条件下的STO单晶纤维生长实验，相关实验为系统研究STO单晶生长工艺条件和晶体颜色之间的关系具有重要意义。以下为Franz Kamutzki等人在文章中列出的不同工艺条件下生长出的不同颜色的STO单晶。参考文献 The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666发表文章1. Up-conversion dynamics in GdAlO3:Er3+ single crystal fibre. Optical Materials，Volume 5, Issue 4, May 1996, Pages 233-238.2. The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666.籽晶定位单元、中频加热单 元、热场结构、软件系统、光学观测系统、真空系统、 加热元件。根据实际需求，为达到实验的要求，对仪 器的主要技术指标有：1. 能够在 2200 °C 下生长直 径为 0.5-6 mm 的稀土晶体纤维；2. 籽晶定位单元： 通过手动千分尺调节 X-Y 和 Q-J 之间的运动， X=10 mm (±5 mm)、 Y=10 mm (±5 mm)、  =6°(±3°)、  = 6°(±3°)；3. 中频加热电源输出功率 0-20 kW、 频率 5-30 kHz；4. 软件系统实现生长全过程全自动控 制、记录移动速率和中频功率；5. 高真空度达 10-5 Bar。

单晶电弧，晶体生长炉高温熔炼和晶体生长电弧炉Cyberstar单晶电弧炉是ECM实验室解决方案的高温炉，可处理熔点高达3000°C的材料，而无需坩埚。它也被提议作为一种奇克拉尔斯基晶体生长溶液来生产具有很高熔点的稀有材料的单晶。熔体的加热是通过在被熔化的负载周围点燃一个电弧来完成的。拉拔机构配备了精确和稳定的Cyberstar拉拔头，其转化率为0.01至100毫米/小时，加上重量增长测量精度可达0.001克/小时。该炉的特殊设计使其成为实验室、大学和研发中心的理想选择。特性赛博星精确拉头平移速度从0.01毫米/小时到100毫米/小时，在快速模式下可达100毫米/分钟精密压力调节系统配备石英(或蓝宝石)窗口视图端口用于一次和二次真空的腔室能力水冷室和熔化台(反应器内工作温度可达3000℃)有效的维高达Ø 10毫米的晶体拉拔和Ø 40毫米的样品合成选项称重装置重量可达5公斤控制不同大气气体的质量流量精密压力调节系统集成灵活地包括监测和分析设备ar。

仪器简介：PPLN是一种高效的非线形晶体，获得最大的波长转换效率必须对温度进行控制，并且晶体内部均匀的温度分布也很重要。Covesion提供了一系列的温度控制夹具或温控炉，以及温度控制器，尽量提高波长转换性能。改变晶体问题，也用于OPO中窄范围的波长调谐或其他波长转换应用。PPLN扩展了现有的激光系统，光谱覆盖可见到中红外。正确的PPLN和泵浦激光组合，可获得波长450nm到5um范围的光。Covesion还专门加工更复杂的晶体结构，在一个光学芯片上集合多种功能。 PPLN所提供的实际有效的波长转化，使得它成为各行业应用的焦点，如显示器、航空、电信、环境检测等。PPLN能达到转换效率很大程度上取决于激光束的属性。例如，优化的短脉冲激光单次通过晶体可获得80%的转换效率，但使用连续激光器，转换效率就可能下降到只有几个百分点。 PPLN是将生产的铌酸锂原材料晶圆进行所谓的&ldquo 周期性极化&rdquo 获得。铌酸锂是铁电晶体，在每个晶胞单元，由于铌离子和锂离子的晶格位置略有偏移，便产生了一个小的电偶极矩。通过施加一个强的电场，可以逆转这种结构，重新分布晶体中的偶极矩。反转铌酸锂结构的电场约为22KV/mm，反转时间仅需几个毫秒，之后该反转结构将永久性保持。在PPLN中，我们按光栅结构每隔几微米进行周期性反转，以实现输入光和输出光的准相位匹配。 在单个PPLN晶体上，可以完成多个光栅周期结构的加工。对OPO和其他可调谐应用，利用多周期结构可从单一泵浦光得到宽波长范围的光。光聚焦到不同周期光栅可实现波长的粗调，晶体的温度变化则可实现精细调节。技术参数：part# pump (nm) ouput (nm) period (&mu m) temp range ° C length (mm) aperture (mm) SHG8-1 976 - 984 488 - 492 5.00, 5.04, 5.08 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG8-10 10 SHG3-1 1060 - 1068 530 - 534 6.50, 6.54, 6.58 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG3-10 10 SHG3-20 20 SHG4-1 1310 - 1322 655 - 661 12.10, 12.20, 12.30 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG4-10 10 SHG5-1 1540 - 1576 770 - 788 18.20, 18.40, 18.60, 18.80, 19.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG5-10 10 SHG6-1 1570 - 1652 785 - 826 19.00, 19.25, 19.50, 19.75, 20.00, 20.25, 20.50, 20.75, 21.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG6-10 10 SHG7-1 2024 - 2250 1012 - 1125 29.50, 30.00, 30.50, 31.00, 31.50, 32.00, 32.50 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG7-10 10主要特点：周期性极化铌酸锂（PPLN）提供了460nm-1500nm波长范围内的高效率波长转换。我们专业的极化工艺可制作4.5um到33um的极化周期，是批量制造的理想选择。下面列出了标准的产品系列，对目前最常用的非线形过程进行分类：倍频（SHG）， 和频（SFG），差频（DFG）和光学参量振荡/产生（OPO/OPG）。我们的PPLN晶体的标准范围与广泛使用的各种波长的激光相结合。每个晶体包含多周期光栅，灵活地实现温度及波长组合。我们的晶体镀增透膜，并抛光到：&lambda /4 平坦度，± 5min平行度，高于20-10光学表面质量。所有标准产品都经过严格的质量检验，提供带夹具的现货。

技术参数：波长调节范围420-2300 nm 总效率达35% 可使用LabView drivers与PC连接 可以遥控操作 及其紧凑的设计主要特点：PG121 典型PG121光学参量振荡器是可见光与红外光附近的固态连续可调光源，其特性是体积小并且采用密封腔设计。这一设备是对可靠性要求较高的 长期操作的科研与工业领域的有力工具。 基于1型BBO非线性晶体,PG121光学参量振荡器当使用三阶频Nd:YAG 激光器泵浦时，波长调节范围420-680与740-2300nm，转换效率达30%,振荡器由方形棱镜与三个可交换的反射镜组成。这一基于两次通过BBO晶体的光学设计在无需任何附加补偿器的情况下消除了输出光束损失。基于微处理器的控制系统真正实现了所有设备的全自动同步工作。PG121可使用遥控控制。波长的调节是通过非线性晶体的自动转动和步进电机控制的腔反射镜实现的。 经特殊工艺镀膜的腔反射镜可以分离信号光和闲置光。封装在晶体恒温炉中的BBO晶体,棱镜与分色镜都被封装起来以防尘。 PG122 典型PG122光学参量振荡器是可见光与红外光附近的固态连续可调光源，其特性是体积小并且采用密封腔设计。这一设备是对可靠性要求较高的 长期操作的科研与工业领域的有力工具。 基于21型BBO非线性晶体,PG122光学参量振荡器当使用三阶频Nd:YAG 激光器泵浦时，波长调节范围420~2300nm，转换效率达20%。这一基于两次通过BBO晶体的光学设计在无需任何附加补偿器的情况下消除了输出光束。其独特的光学设计使得其光谱带宽只有5cm-1. 基于微处理器的控制系统真正实现了所有设备的全自动同步工作。PG121可使用遥控控制。波长的调节是通过非线性晶体的自动转动和步进电机控制的腔反射镜实现的。Glan棱镜可分离信号光和闲置光，晶体恒温炉中的BBO晶体和其他光学腔元件都被密封以防尘。

STX-620型晶体定向切割一体机，主要用于材料分析样品的精密切割，本系统由金刚石线切割机和X射线定向仪组合而成，金刚石线切割机的Y轴可通过程序控制平行进入定向仪，并带有360度水平旋转的载样台，满足晶体在定向仪中的位置要求，晶体定向后，再利用连接的Y轴进入回切割设备中，避免了二次装夹带来的切割角度误差，从而实现快速定向并切割。适用于脆性、容易解离晶体的精密切割。采用X射线晶体定向仪和金刚石线切割机进行连接组合，精准测量，无缝衔接切割。整体采用铝型材结构，美观轻便。产品名称STX-620型晶体定向切割一体机产品型号STX-620主要参数金刚石线切割机部分1、供电接口：国标带保险三极插座 AC220 50Hz 10A2、总功率：350W3、主体构成：铝合金框架4、金刚石线长度 ：≤150m5、金刚石线直径 ：φ0.25-0.45mm6、金刚石线张紧方式 ：可调气动张紧7、张紧压力调节范围 ：0.1-0.4Mpa8、主轴切割旋转方式 ：往复式旋转9、主轴驱动电机 ：交流变频+减速机 AC220V 300W10、主轴转速 ：5m/s 可调11、Z轴工作台有效行程 ：≤160mm（选配机以实物为准）12、Y轴工作台有效行程 ：≤480mm13、Z、Y 轴进给精度 ：0.01mm14、样品台 ：电动三维转台，水平 0-360°15、角度台 ：电动：±15°16、Y轴、Z 轴、R 轴驱动电机 ：精密步进电机17、两导向轮内侧最大间距 ：≤180mm18、切割最大工件直径和长度 ：Φ150mmX150mm19、工作台中心承重 ：≤10Kg20、控制方式 ：PLC 编程器+4.3 寸触摸屏21、参数显示形式 ：数字22、安全控制装置 ：绕线筒超行程、 断线自停 急停开关23、产品规格：尺寸：640x700x1450mm重量：约170kgX射线晶体定向仪原子曲面分析系统V2.0一、功能概述：1. 此仪器一台多角度、多功能的晶体定向仪，用于：晶锭端面定向；2. 仪器支持多角度测量。3. 免校准、仪器手动上下被测材料。4. 仪器θ轴及2θ轴自动调节方式。5. X光焦点采取机械接触式顶针。6. HMI显示数据。7. 故障提示。二、被测晶体：序号项目内容（规格、参数）1材料单晶2形状晶棒3规格直径8英寸以下。4被测部位端面三、技术参数：序号项目内容（规格、参数）1工作台此仪器有一个工作位2测量方式手动上、下物料。3电源输入单相交流 220V，50Hz，电源电压波动不大于±10%。电源应备有单相三芯插座，接线应符合国家标准，即三芯左零、右火、上脚为地线。4X射线管铜靶，风扇冷却，阳极接地。5管 电 压最大管电压为 30KV、全压合闸。6管 电 流0-1mA、连续可调（超过1mA有可能损坏X光管）。7总耗电功率整机总耗电功率不大于1.2KW。8仪器精度±30”（以供方提供的石英标准片10ī1面测量）。9最小读数3”。10校 准免校准（断电后免校机）。11显示方式PLC 触摸屏操作及显示（度及度分秒两种）。12测量角度范围2θ角：0~+104°，θ角：0°~+52°。13保护Door interlock、EMO、高压连锁，温控保护。14测量空间φ300*300mm。15接收器接收器B。四、环境要求：序号项目内容（规格、参数）1电源单相交流 220V，50Hz，电源电压波动不大于±10%。2插座电源应备有单相三芯插座，接线应符合国家标准，即三芯左零、右火、上脚为地线。3环境温度环境温度+5~+35℃。建议恒温使用，最好安装在有空调的房间内使用（温度变化大，可能会影响测量精度）4环境湿度相对湿度不得大于 65%。5接地装置有良好的接地装置，接地电阻不应大于4Ω。6配水需求无7空气源需求无五、验收标准：序号项目内容（规格、参数）1精准检测以卖方提供的标准片石英片10ī1面测量以标准石英片 10ī1面对设备检测，仪器精度为±30"，微安表下降±2个小格，最小读数为1"。2重复精度测量重复精度，98%以上在精度范围内。

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染，同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。产品数据概览:材料：硅晶体晶体 1,100 mm晶体拉动长度： 长达100 mm (4″)晶体直径： 2.5 x 10-5 mbar极限真空度： 0.5 bar(g) 发电机 输出电压： 30 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 最高30 mm/min上部旋转： 最高35 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格 高度 6,280 mm宽度： 2,750 mm深度： 3,000 mm重量（总）： 约 4,900 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

NSK-T(II)型高频石英晶体微天平分析仪是本公司独自开发的多功能一体化QCM-D型质量传感检测仪器，工作频率可达200MHz，精确测量纳克级甚至皮克级物质质量的传感技术。仪器通过快速频谱扫描技术，获得压电石英体的谐振频率（F） 和耗散因子 D （定义为石英晶体品质因子 Q的倒数，通过半高峰宽近似求得）。仪器融合相关领域最新技术，仪器模块化结构、仪器价格优惠、使用简单、抗电磁干扰能力强、性能稳定、检测结果可靠。根据客户需要可定制高达32通道多阵列“一键式”检测系统。可实现现场传感表面微小质量变化，可广泛地应用于化学、材料、生物领域研究。仪器特点l 高频石英晶体微天平（QCM-D）能够测定谐振频率、振幅、相位等参数，可用于常见压电石英晶体，例如基频4,5,6,7,8,9,10,11,12MHz的石英晶体； 可进行奇数倍频测量，频率上限最高可达200MHz,优于目前常见QCM设备。可实现频率、相移、耗散因子等参数测量。根据需要预设参数、个性化定制.l 仪器模块化结构、数据显示储存一体、抗干扰能力强、U盘储存数据无需外配电脑。可配蓝牙传输、4G物联网传输。l 仪器智能化软件设计、操作简单、性能稳定、电脑串口通讯可实现8通道同时传递，方便后续数据处理。l 石英晶体基频自动测定。可3、5、7、9、11倍频激励，扫频范围200MHz以内。l 提供两套检测池、带有石英窗的检测池，便于观察晶体表面状况，可进行电化学、光电化学研究。技术参数l 本仪器使用商用镀金5MHz AT切石英晶体，稳定状态下液相中频率测定相邻数值波动可控制在0.05Hz以下。l 本仪器使用商用镀金10MHzAT切石英晶体，稳定状态下液相中频率测定相邻数值波动可控制在0.1Hz以下。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示。l 仪器可使用的石英晶片直径范围为：14 mm、8mm、3mm，晶片上测量池容积最小可达15 μL， 能够非常灵敏地检测非常薄的吸附层的质量、耗散、分子的结构（构象）变化。并可计算其他参数，如：厚度、粘度、弹性模量，同时可以进行分子间反应的动力学分析。l U盘储存数据，每隔2秒储存一组实验数据，无需配置电脑。l 可流动注射进样系统，检测池液体体积最小可达20微升。l 可提供QCM恒温检测池，温度控制范围25度到50度之间，PID 智能控温时时显示，温度波动在 + 0.05 度。l 仪器检测的耗散灵敏度可达10-7, 质量灵敏度最高可达0.4 x 10 -12 g Hz-1 mm-2(基频100MHz) 频率测定模式数据采集速度2个/s ；相移测定模式数据采集速度可达10微秒，可用于快速瞬态测定。

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡（SHG，SFG）光学参量振荡和光学参量放大（OPG，OPA）差频振荡（DFG）脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡（GaSe晶体）极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟，于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲，他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为：在一个脉冲宽度时间内（或所期望的脉冲宽度时间内），他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配，τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配，我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1，800nm的SHG效应， BBO，LBO，KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限，在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中，同时也列出了在室温（20°C）时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体，则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度（或期望脉冲宽度）群延迟色散（GDD）对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度，所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时，折射率随波长的增加而降低，这将导致高频分量产生更低群速度，于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象，晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲，脉冲初始宽度为 0，其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子

FZ-14M(G) 区熔晶体生长系统可在线圈下放置颗粒硅料，使用籽晶将熔融的颗粒硅拉出用于材料分析的小单晶棒， 在拉制过程中颗粒硅容器和籽晶旋转方向相反。此外，上主轴可以在X或Y方向移动。产品数据概览：材料：硅晶体晶体拉动长度 350 mm晶体直径： 最长可达 25 mm最后真空度： 2.5 x 10-5 mbar 最大过压： 2 bar(g)发电机输出电压： 15 kW频率： 2.4 MHz (FZ-14M)上轴进料速度： 最高 30 mm/min上部旋转： 最高 30 rpm下轴 拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 3,000 mm宽度： 1,020 mm深度 1,640 mm面积（总）: 1,800 mm x 4,000 mm重量（总）： 约2,500 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米（8英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。在FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统中，可以分别以高达3 bar和5 bar的超压产生氩气气体，用以培育大晶体。同时，上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中，上主轴可以在X或Y方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择，例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。产品数据概览:材料：硅晶体晶体拉动长度： 2,700 mm晶体直径： 长达 200 mm (8")极限真空度： 2.5 x 10-5 mbar最大过压： FZ-30: 3.0 bar(g)FZ-35: 5.0 bar(g)发电机输出电压： 120 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 高达 30 mm/min上部旋转： 高达 30 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 11,550 mm宽度： 3,800 mm深度： 4,050 mm面积（总计）: 5,000 x 6,000 mm重量（总计）： 约14,000 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

Ppxx散装芯片关键词：PPLN晶体,PPLT晶体,PPMGOLN,非线性晶体_PPLN晶体,非线性晶体 基于准相位匹配（QPM），使新的波生成和xx型谱是困难的或不可能的工程实现由传统的非线性材料。xx型芯片和全谱（LN、LT：氧化镁：镁和适当的非线性频率转换计划）（DFG SFG，倍频、OPO，收购，联合，一个CAN，等），实现期望的输出波长（紫外/可见到/从太赫兹光谱反演和特殊功能（），两个频谱转换。频谱工程等）有效。 HCP提供以下全光谱configurations xx型散装芯片来满足你的应用要求和规格。我们可以帮助你设计结构合适的外加电压和外加电压为选定的时间获得所需的材料/ PPLT极化相匹配指定的操作温度和光谱.思考与输入和输出功率/能量/脉冲以及它们的光谱特性。请为您的特殊要求，也具有挑战。Ref-1: Materials and Application Wavelength?Ref-2: Chip StructureRef-3: Conversion ConfigurationRef-4: Dimension and Surface Specification ???

CHI400C系列时间分辨电化学石英晶体微天平(EQCM)是CH Instruments与武汉大学合作的产品(武汉大学专利)。石英晶体微天平(QCM)可进行极灵敏的质量测量。在适当的条件下，石英晶体上沉积的质量变化和振动频率移动之间关系呈简单的线性关系(Sauerbrey公式)： Df = -2fo2 Dm / [A · sqrt(mr)] 式中是fo晶体的基本谐振频率，A是镀在晶体上金盘的面积，r是晶体的密度(=2.684g/cm3)，m是晶体切变系数(= 2.947´ 1011 g/cm· s2)。对于我们的晶体(fo = 7.995MHz, A = 0.196 cm2)，每赫兹的频率改变相当于1.34 ng。QCM和EQCM被广泛应用于金属沉积，高分子膜中离子传递，生物传感器，以及吸附解吸动力学的研究等等。 CHI400C系列电化学石英晶体微天平含石英晶体振荡器，频率计数器，快速数字信号发生器，高分辨高速数据采集系统，电位电流信号滤波器，信号增益，iR降补偿电路，以及恒电位仪／恒电流仪（440C）。电位范围为± 10V，电流范围为± 250mA。电流测量下限低于50pA。石英晶体微天平和恒电位仪/恒电流仪集成使得EQCM测量变得十分简单方便。CHI400C系列采用时间分辨的方式测量频率的改变。传统的方法是采用频率直接计数的方法，要得到1Hz的QCM分辨率，需要1秒的采样时间。要得到0.1Hz的QCM分辨率，需要10秒的采样时间。我们是将QCM的频率和一标准频率的差值作周期测量，从而大大缩短了采样时间，提高了时间分辨。我们可在毫秒级的时间里得到1Hz或0.1Hz或更好的频率分辨。当和循环伏安法结合时，可允许在0.5V/s的扫描速度下获得QCM的信号。这对需要较快速的测量(例如动力学测量)尤为重要。允许与QCM结合的电化学实验技术包括CV，LSV，CA，i-t，CP。 400C系列在测量QCM频率变化的同时，还能测量晶体谐振网络的电阻变化。 400C系列也是相当快速的仪器。信号发生器的更新速率为10MHz，数据采集速率为1MHz。循环伏安法的扫描速度为1000V/s时，电位增量仅0.1mV。又如交流伏安法的频率可达10KHz。仪器可工作于二，三，或四电极的方式。四电极对于大电流或低阻抗电解池（例如电池）十分重要，可消除由于电缆和接触电阻引起的测量误差。由于仪器集成了多种常用的电化学测量技术，使得仪器可用作通用电化学测量，也可单独用作石英晶体微天平的测量(不同时进行电化学测量)。 CHI400C系列EQCM还包括一个特殊设计的电解池，如图1(a)所示。电解池由三块圆形的聚四氟乙烯组成。直径为35mm，总高度为37mm。最上面的是盖子，用于安装参比电极和对极。中间的是用于放溶液的池体。石英晶体被固定于中间和底下的部件之间，通过橡胶圈密封，并用螺丝固定。石英晶体的直径为13.7mm，晶体两面的中间镀有5.1mm直径的金盘电极(其它电极材料需特殊定做)。新晶体的谐振频率是7.995 MHz。 硬件参数指标： 恒电位仪恒电流仪 (Model440C)电位范围: -10to10V电位上升时间: 2微秒槽压: ± 12V三电极或四电极设置电流范围: 250mA参比电极输入阻抗: 1´ 1012欧姆灵敏度: 1´ 10-12-0.1A/V共12档量程输入偏置电流: 50pA电流测量分辨率: 1pACV的最小电位增量: 0.1mV电位更新速率: 10MHz数据采集: 16位分辨@1MHz自动及手动iR降补偿 CV和LSV扫描速度: 0.000001-5000V/s电位扫描时电位增量: 0.1mV@1000V/sCA和CC脉冲宽度: 0.0001-1000secCA和CC阶跃次数: 320DPV和NPV脉冲宽度: 0.0001-10secSWV频率: 0.1-100kHzACV频率: 0.1-10kHzSHACV频率: 0.1-5kHz自动电位和电流零位调整电流测量低通滤波器,自动或手动设置，覆盖八个数量级的频率范围旋转电极控制输出: 0-10V(430C以上型号)电解池控制输出: 通氮，搅拌，敲击最大数据长度: 256K-1,384K点可选仪器尺寸: 37cm (宽) x 23cm (深) x 12cm (高)仪器重量: 3.3kg CHI400C系列仪器不同型号的比较： 功能400C410C420C430C440C循环伏安法（CV）lllll线性扫描伏安法（LSV）#lllll阶梯波伏安法（SCV）# llTafel图（TAFEL） ll计时电流法（CA）l lll计时电量法（CC）l lll差分脉冲伏安法（DPV）# llll常规脉冲伏安法（NPV）# llll差分常规脉冲伏安法（DNPV）# l方波伏安法（SWV）# lll交流（含相敏）伏安法（ACV）# ll二次谐波交流（相敏）伏安法（SHACV）# ll电流-时间曲线（i-t） ll差分脉冲电流检测（DPA） l双差分脉冲电流检测（DDPA） l三脉冲电流检测（TPA） l控制电位电解库仑法（BE）l lll流体力学调制伏安法（HMV） l扫描-阶跃混合方法（SSF） l多电位阶跃方法（STEP） l计时电位法（CP） l电流扫描计时电位法（CPCR） l多电流阶跃（ISTEP） l电位溶出分析（PSA） l开路电压-时间曲线（OCPT）lllll 恒电流仪 lRDE控制（0-10V输出） ll任意反应机理CV模拟器 ll预设反应机理CV模拟器lll 注： #：包括相应的极谱法和溶出伏安法．用于极谱法时需要特殊的静汞电极或敲击器． *：价格不包括计算机．仪器的保修期为一年．

光折变晶体 SBNSBN晶体，又名铌酸锶钡，是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体，用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术，具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数：可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域：1. 光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. 用于电光器件和声光器件；4. 用于Pyroelectrical 探测器；更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

技术参数：满足标准 1.GB/T10589-1989 低温试验箱技术条件； 2.GB/T11158-1989 高温试验箱技术条件； 3.GB/T10592-1989 高低温试验箱技术条件； 4.GB/T2423.1-2001 IEC60068-2-1 试验 A规程: 低温试验方法； 5.GB/T2423.2-1989 IEC60068-2-2 试验 B规程: 高温试验方法； 6.GB/T2423.22-1987试验Nb温度变化试验方法； 7.GJB150.3-1986高温试验； 8.GJB150.4-1986低温试验； 9.IEC68-2-14 试验N。 型号 WGD40 WGD70 08 12 22 40 80 08 12 22 40 80 ■ 性能 系统 平衡调温控制系统 (BTC) 循环方式 强制空气循环 温度范围 -40~100° C (150° C) -70~150° C 温度波动度 ± 0.5° C 温度均匀度 ± 1.5° C 升温时间 -40&rarr +100℃ -70&rarr +150℃ 约 55分钟 约 60分钟 降温时间 +20&rarr -40℃ +20&rarr -70℃ 约 60分钟 约 70分钟 ■ 构成 内箱材料 不锈钢 SUS 304 外壳材料 冷轧钢板表面环氧粉末静电喷涂( 或纹路处理不锈钢 SUS304) 隔热材料 高密度聚氨脂发泡 + 玻璃棉 观察窗 发热体内嵌式玻璃 电缆孔 内径 &Phi 50 加热器 镍铬合金电热丝式加热器 搅拌风机 多翼式离心风机 鼓风机类型 离心风机 马达 冷凝器型 温度传感器 铂电阻 PT100 &Omega 脚轮 可锁定的脚轮 ■ 控制器 温度控制器 按键式LED显示显示控制器 温度设定方式 按上下键设定数字 温度显示方式 LCD 数字显示 计时器 0～9999小时59分 操作功能 恒定温度操作，程序温度操作 程序 4组程序10段，全部循环9999次 ■ 冷冻系统 制冷方式 机械式单极压缩制冷方式 (气冷冷凝器) 机械式压缩二元复叠制冷方式 (气冷冷凝器) 制冷机 全密闭型旋转压缩机 制冷剂 环保冷媒 R507 环保冷媒 R404A+R23 冷凝器 翅片式换热器 蒸发器 翅片管蒸发器 安全对策 独立超温保护 ,过电流断路器， 压缩机超压、 过热 、过载保护 ■ 规格 内箱尺寸 (mm) D 400 400 600 800 800 400 400 600 800 800 W 400 500 500 600 100 400 500 500 600 1000 H 500 600 750 850 1000 500 600 750 850 1000 外箱尺寸 (mm) D 850 850 1050 1250 1250 850 850 1050 1250 1250 W 900 1000 1000 1100 1500 900 1000 1000 1100 1500 H 1330 1440 1590 1690 1840 1330 1400 1590 1690 1840 内容积 ( 升 ) 80 120 225 408 800 80 120 225 408 800 电源 3ф4w38 0V ± 10%， 50/60Hz ■ 附件 不锈钢搁板 2 套，说明书 1 套，电缆孔（&Phi 50 ）盖 1 个主要特点：WGD高低温（交变）试验箱 特点： 采用进口可编程温度器，无超调专家PID算法，温度控制稳定可靠，操作简单，程式编辑容易； 独特的进风循环系统，避免了气流在箱内流通死角，提高了产品均匀度； 全封闭进口压缩机+环保冷媒+机械式单级/复迭低温回路系统，制冷效果好，可靠性高； 完善的安全保护装置，确保产品的运行更加安全可靠； 多样的温度控制器可供用户选择； 用途 适用于电子电工产品、 仪器仪表、原材料、电子元件等高低温适应性试验、低温恒温及储存 特别适用于光纤、晶体、精密电感、PCB、LCD等产品的高低温适应性试验。

碘化铯闪烁晶体可分为Tl激活、Na激活和纯碘化铯三种，其化学式分别为CsI(Tl) 、CsI(Na)和CsI，它们均为无色透明的立方晶体。CsI(Tl)晶体的光输出可达NaI(Tl)晶体的85%，发光主峰位在550nm，能与硅光电二极管很好地匹配，从而使读出系统大为简化。它的衰减时间与入射粒子的电离本领有关，特别适宜于在强g本底下探测重带电粒子。碘化铯晶体没有解理面、较软且有一定的可塑性，所以晶体可以制成各种各样形状的探测器，同时能够承受猛烈的冲击、震动以及大的温度梯度不损坏。CsI(Na)的发光效率与NaI(Tl) 接近，发射光谱的主峰位在420nm，更容易与光电倍增管配合；温度效应好。特别适合于在高温环境和空间科学研究中使用。它的缺点是在低能(20keV)下发光效率很快下降，潮解作用比CsI(Tl)厉害。纯CsI晶体的潮解性比CsI(Tl)弱得多。其发射光谱中含有一个波长在305nm的快分量(10ns) 和波长在350-600nm附近的慢分量(100-4000ns) 。通过对慢分量的抑制，快/慢分量比可以达到4倍，总的光输出可达NaI:Tl 的4-5%。该晶体的应用有利于获得比较好的时间分辨率。

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数：晶体结构：立方：a = 5.6754 ?；生长方法：提拉法；密度：5.765 g/cm3 熔点：937.4 ℃热传导性：640掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺Ga类型：/；N；P；电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2； 产品规格：晶体方向: 111，100and110± 0.5o 标准尺寸:dia1"x 0.50 mm；dia2"x0.5mm；dia4"x0.5mm（110 Ra5A，不化抛）注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Er:YAG晶体 Er:YAG在600-800nm光谱范围均可被泵浦，广泛应用于医疗和牙科。Er:YAG优点：* 宽的泵浦带600-899nm；* 高的光学质量；* 可以输出长波，高的水吸收区；* 理想的硬组织切除工具 标准规格 材料参数基质Yttrium Aluminum Garnet(Y3Al5O12 )掺杂Erbium (Er -3)掺杂浓度50 Atomic % (~7x10 cm-3 )朝向[111] crystallographic directions(±5°)波前畸变1/2 wave per inch of length, as measured in a double pass interferometer operating @ 1micron尺寸/机械规格直径公差+.000”/-.002”长度公差+.040”/-.000”滚光55 ±5 micro-inch倒角0.005”±0.003”@ 45°±5° 端面标准规格面型Within λ/10 wave @ 633 nm wavelength平行度Within 30 seconds of arc垂直度Within 5 minutes of arc光洁度Scratch-dig 10-5 per MIL-O-13830A 端面减反膜规格反射率Less than 0.25% @ 2.94 microns附着力和耐用性Meets Mil-C-48497A standards脉冲损伤阈值Greater than 10 J/cm2Er:YAG特性激光能级4I11/2 -4 I13/2受激发射截面3×10-20cm2泵浦波长范围600-800nm

高纯锗晶体（12N,13N） 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 4、高纯度高纯锗HPGe晶体说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.99999%-99.99999999999%（7N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。交货期90天

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数：密度：5.765 g/cm3 ；熔点：937.4 ℃；热传导性：640；掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺In或Ga；类型：/；N；P； 电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2 4x103/cm2 4x103/cm2 常规尺寸：晶体方向: 111，100and110± 0.5° 或特殊的方向；标准抛光片尺寸:Ф1"x 0.3mm；Ф2"x0.5mm；（110 Ra5A，不化抛）注：也可根据客户需求提供特殊尺寸和方向的基片备注：1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

PPLN and MgO:PPLN容易结合到您光学装置中的全套PPLN系统氧化镁掺杂的周期极化铌酸锂（MgO:ppln）晶体产品负责人：姓名：许工(Gary)电话：（微信同号）邮箱：MgO:PPLN是用于460nm~5100nm范围的高效波长变换的非线性光学晶体，英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um极化周期，并且适用于大批量制造。在铌酸锂中添加5%的氧化镁可显著提高晶体的光学损伤和光折变阈值，同时又保留高的非线性系数。与类似的未掺杂的晶体相比，可实现可见光波段和较低温度下运行的更稳定的性能。MgO:PPLN晶体可在室温下运行，在某些情况下，不需要控制温度。从室温到200摄氏度，与未掺杂的PPLN晶体相比，MgO:PPLN晶体可提供明显更宽的波长适用范围。英国Covesion公司在PPLN晶体领域的专业加工，提供了高精度的4.5um至33um以上极化周期，尤其对红-绿-蓝光的产生和高功率中红外波段的应用，可为OEM量产提供优质原材料。我们的优势：1. 世界一流的PPLN技术2. 高品质1）10年以上的生产经历2）世界顶级镀膜公司合作伙伴3. 稳定可重复使用的性能均匀计划贯穿整个晶体厚度4. 完善的温度控制方案可实现无时间延迟的简单、大范围的温度调谐5. 丰富的库存和高效的服务1）1周内可以收到库存产品2）8周可以收到定制产品，半定制产品时间周期小于8周 以下是我们部分库存产品，有其他频率转换需求随时联系上海昊量光电！二次谐波（SHG）MgO:PPLN晶体型号： 光学参量振荡/产生（OPO/OPG）MgO:PPLN晶体型号：差频（DFG）MgO:PPLN晶体型号：和频（SFG）MgO:PPLN晶体型号： 我们为更特别的应用提供掩膜版：更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是国内知名光电产品专业代理商，代理品牌均处于相关领域的发展前沿； 产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、精密光学元件等，涉及应用领域涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防及更细分的前沿市场如量子光学、生物显微、物联传感、精密加工、先jjin激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等优质服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

产品概述：MWL120实时反射劳厄相机系统用来测定单晶的取向（反射和透射）、单晶的完整性、测量晶体的对称性、观察晶体的一般缺陷、拍摄板材棒材的结构相、精确测定点阵常数、测定残余应力等。 原理：由X射线管产生的X射线从相机的入射光阑射入，照射在被分析样品上，在满足布拉格公式：nλ=2dSinθ条件下，产生X射线衍射图像，这些图像记录在感光片上，然后对这些图像进行计算分析，可以了解物质内部结构。 本产品所具有的特点1 有效检测范围大：30cm×30cm2 灵敏度高：单光3 角灵敏度高：0.054 探测速度快：几秒钟即可根据角的偏差自动收集分析并在电脑上形成劳厄图像5 维护成本低：半年更换一次气体，一年更换一次冷却剂即可（价格较低廉）6 样品可旋转：探测器转过程中同时转动样品，可以得到对称性高的图像

NdYAG激光晶体品牌：eksmaopticsNd:YAG激光棒和各种倍频非线性晶体倍频晶体LBO晶体具有高损伤阈值，低光束偏移和优异的倍频效率。是高功率高重复频率Q-Switch和锁模激光器倍频的最佳选择KTP晶体具有超高效率特别适合地平均功率和连续激光应用。该晶体对温度变化不敏感并能工作在极其锋利聚焦或高发散角激光光束环境大孔径的DKDP晶体在高能量Q-Switch激光器中有广泛应用 Nd:YAG激光晶体（标准激光棒）提供各种标准尺寸的Nd:YAG激光棒，包括AR增透膜，适合高能量高功率的脉冲激光应用speciFicAtiONs OF stANDArD Nd:YAG LAser rODsNd Doping Level 0.8% or 1.1%Orientation 111 crystalline directionSurface Quality 10-5 scratch & dig (MiL-PRF-13830B)Surface Flatness λ/10 at 633 nmParallelism 10 arcsecPerpendicularity 5 arcmin for plano/plano endsDiameter Tolerance +0/-0.05 mmLength Tolerance +1/-0.5 mmClear Aperture 90 % of full apertureChamfers 0.1 mm at 45 degCoating Both sides coated AR @ 1064 nm, R 0.2%, AOi = 0 degBarrel Grooving All dia 6.35, 8, 10, 12 mm rods with barrel grooving