混合实验仪

还在为样品前处理花费大量时间吗？在制药、材料科学、食品检测等化学研究领域都需要大量的样品前处理过程，非常耗时但却对实验结果起到至关重要的作用。前处理的问题会影响到后续的一系列实验结果。传统的混合器往往只能处理一个试管样品，处理多个时需要轮流接替，并且还需要手扶，操作不便并且效率不高，大大影响实验进度。今天，为了解决前处理这块难题，我们为大家带来一款前处理小能手——多管漩涡混合仪。规格参数可选配试管架规格多管漩涡混合仪一次最多能混合处理50个样品，规格模块更换十分方便，只需替换当中的试管架，另外我们的试管架种类很多，能适应实验过程中大部分的试管规格。多管漩涡混合仪在操作上十分便捷，将样品瓶放入试管架内放平，下压上方压板，即可开始运行。LED屏显示调节转速以及运行时间，操作面板简洁，再说下操作按钮：点动混匀键按住，仪器会按最高转速运行，松开仪器则停止运行；运行/停止键通过短按进行开关程序；两侧的上下键则是对转速以及运行时间进行相应调解。另外建议将仪器放在较为平整的台面操作，通过仪器底部吸盘对桌面的吸取，起到仪器的固定作用。同时仪器的保护工作也是十分重要的，提高使用寿命，也是降低仪器成本的方式。仪器在使用前，建议先将调速按钮调制最低，再打开电源开关，减小对仪器的损耗。为了保护仪器的安全，在不使用的时候，最好放在干燥、通风、无腐蚀气体的位置。特别要注意的是使用过程中一定要防止试剂液流入机芯，避免破坏内部器件。多管漩涡混合仪能将效率大大提高，增加生产数量，当样品越多，越能体现这款仪器的高效性。大家是否有使用其他前处理仪器呢，如果您对自己现阶段的前处理仪器不太满意，可以了解我们这款B100250多管漩涡混合仪，相信会给您的实验带来意想不到的收获！

SK 海力士突破 HBM 堆叠层数限制，MR-MUF 和混合键合封装两手抓。近日，SK 海力士封装研发副社长李康旭（Kangwook Lee）于 9 月 3 日出席“2024 年异构集成全球峰会”，发表了名为“面向人工智能时代的 HBM 和先进封装技术”的演讲。HBM 是克服 “存储墙”（Memory Walls）的优化解决方案，通过 I/O 并行化能力，使 HBM 成为人工智能系统中用于训练和推断的最高规格动态随机存取存储器（DRAM）。根据应用产品不同，使用的 HBM 数量也不同。随着 HBM 世代发展，在训练和推理人工智能服务器中搭载 HBM 的平均数量也会增加，如近期训练服务器需要 8 个 HBM3E、推理需要 4 - 5 个，长远估算可能分别需要 12 个和 8 个 HBM4/HBM4E 存储器。李康旭表示，SK 海力士计划 2025 年推出 12 层 HBM4 产品，通过自家研发的封装技术，在 HBM 产品的能效和散热性能方面具有优秀的产品竞争力。有趣的是，SK 海力士到 HBM3E 仍是以动态随机存取存储器基础裸片（Base Die），采用 2.5D 系统级封装，到 HBM4 考虑将动态随机存取存储器基础裸片改成逻辑基础裸片（Logic Base Die），使性能和能效获得提升。此外，到了 HBM5 架构可能出现改变，SK 海力士目前正在评估包括 2.5D 和 3D 系统级封装（SiP）在内的各种方案。 SK海力士技术朝两个方向进行：封装MR-MUF和混合键合（Hybrid Bonding）MR-MUF技术由SK海力士多个团队共同开发，该技术能够同时对HBM产品中所有的垂直堆叠芯片进行加热和互联，比堆叠芯片后填充薄膜材料的TC-NCF技术更高效。此外，与TC-NCF技术相比，MR-MUF技术可将有效散热的热虚设凸块数量增加四倍。MR-MUF技术另一个重要特性是采用了一种名为环氧树脂模塑料（EMC, Epoxy Molding Compound）的保护材料，用于填充芯片间的空隙。EMC是一种热固性聚合物，具有卓越的机械性、电气绝缘性及耐热性，能够满足对高环境可靠性和芯片翘曲控制的需求。由于应用了MR-MUF技术，HBM2E的散热性能比上一代HBM2提高了36%。从开发HBM2E开始，MR-MUF技术及随后推出的先进MR-MUF技术的应用，使SK海力士能够生产出业界最高标准的HBM产品。时至2024年，SK海力士已成为首家量产HBM3E的公司，这是最新一代、拥有全球最高标准性能的HBM产品。在应用先进的MR-MUF技术后，与上一代8层HBM3相比，HBM3E在散热性能方面提高了10%，成为人工智能时代炙手可热的存储器产品。SK 海力士的高带宽存储器（HBM）产品采用 MR-MUF 封装技术，具有低压、低温键合和批量热处理的优势，在生产效率和可靠性方面优于热压膜非导电胶（TC-NCF）制程。此外，具有高热导特性的填充空隙材料（Gap-Fill 材料）和高密度金属凸块（在垂直堆叠 HBM 动态随机存取存储器时起连接电路作用的微小鼓包型材料）的形成，在散热方面比 TC-NCF 制程有 36% 的性能优势。 由于堆叠将面临高度限制，目前 SK 海力士不断寻找新方法，在有限高度下装入更多堆叠层数。李康旭指出，公司 8 层 HBM3/HBM3E 使用 MR-MUF 技术；12 层 HBM3/HBM3E 采用先进 MR-MUF 技术；明年下半年准备出货的 12 层 HBM4 同样采用先进 MR-MUF 技术；至于 16 层 HBM4/HBM4E 将同步采用先进 MR-MUF 和混合键合（Hybrid Bonding）两种技术，未来堆叠 20 层以上产品（如 HBM5）则将转向混合键合技术发展。混合键合是一种先进的集成电路封装技术，主要用于实现不同芯片之间的高密度、高性能互联。这种技术的关键特征是通过直接铜对铜的连接方式取代传统的凸点或焊球（bump）互连，从而能够在极小的空间内实现超精细间距的堆叠和封装，达到三维集成的目的。在混合键合工艺中，两个或多个芯片的金属层（通常是铜层）被精密对准并直接压合在一起，形成直接电学接触。为了保证良好的连接效果，需要在芯片表面进行特殊的处理，例如沉积一层薄且均匀的介电材料（如SiO2或SiCN），并在其上制备出微米甚至纳米级别的铜垫和通孔（TSV）。这些铜垫和通孔将芯片内部的电路与外部相连，使得数据传输速度更快、功耗更低，同时极大地提升了芯片的集成度。李康旭指出，SK 海力士正在研发 16 层产品的相关技术，最近确认对 16 层产品可应用先进 MR-MUF 技术的可能性。此外，该公司也强调，从 HBM4E 开始会更强调 “定制化 HBM”，以满足各种客户需求，如提升芯片效率。

4月29日下午，同济大学和上海城建(集团)公司共建的&ldquo 国家大学生校外实践教育基地&rdquo 和&ldquo 国家级工程实践教育中心&rdquo 在同济大学召开2014年度教育指导委员会会议。教育指导委员会主任、校党委副书记方守恩，上海城建集团副总工程师叶国强等专家委员，同济大学教务处、交通运输工程学院、土木工程学院、机械与能源工程学院及上海城建集团组织人事部相关负责人等出席了会议。　　　　会上，实践教育中心负责人系统介绍了工程实践教育中心各项建设内容的进展、成果和近期安排。与会专家围绕联合课程建设、多元专业实习、联合毕业设计、联合实验室、创新能力训练工场、队伍建设等方面进行了详细讨论，充分肯定了中心自建设以来取得的成效，并对中心的下一步工作提出了宝贵的指导意见。叶国强认为中心可在现有成果的基础上，加强对同济大学和全国其他高校相关专业的辐射。方守恩在总结中强调，强化中心在联合培养人才方面的作用，深化创新训练与企业生产的结合，通过中心建设形成稳定的卓越人才联合培养机制，是中心建设的一贯目标与重点。　　随后，&ldquo 同济大学-上海城建(集团)公司沥青混合料联合实验室&rdquo 揭牌成立，为后续进一步加强本科生实验和实践训练，提供了有力条件。