红外退火炉

红外退火炉采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，极大程度上改善了电阻式加热的弊病，同时可实现样品快速升温和退火。可广泛应用于强诱导体薄膜的结晶化退火、注入离子后的扩散退火、半导体材料的烧成与退火条件研究、快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)、电极合金化、碳纳米管等外延生长、单晶基板热处理等功能中，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。型号红外退火炉IRLA-1200快速退火炉LRTP-1200石墨烯退火炉GRTP-1200产品图片 温度范围RT-1150℃RT-1200℃控温精度±0.1℃≤0.1℃±0.1℃最大升温速率45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)100℃/s（真空，惰性气体）45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)，降到室温20min左右腔体冷却水冷方式、独立冷却源寸底冷却自然冷却氮气吹扫自然冷却测试气氛真空及氩气、氮气等惰性气体样品大小20 x 20 x 2，单位mm（最大）4英寸30 x 30x 4,单位mm处理材料类型薄膜、粉体、块体、液体温度传感器石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶额定功率4x(1KW-110V/根）18x(1KW-110V/根）4x(1KW-110V/根）温度程序模式温度-时间设置，最高256步，32个程序，循环、保温等功能模糊PID逻辑控温，手动/自动开始，USB485连接工艺气路MFC控制，1路(惰性气体)MFC控制，最多4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气)4路(可选氮气、氩气等)外观尺寸420X320X220，单位mm450×625×535，单位mm420X220X320,单位mm质量20.5kg--20.5kg 应用案例：●快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化 ●强诱导体薄膜的结晶化退火 ●注入离子后的扩散退火 ● SiAu, SiAl, SiMo合金化 ●太阳能电池片键合 ●半导体材料的烧成与退火条件研究 ●低介电材料热处 ●晶体化，致密化 ●电极合金化 ●晶向化和坚化 ●石墨烯等气相沉积 ●碳纳米管等外延生长 ●单晶基板热处理 ●去除有机残留和光刻胶残留，降低残余应力 ●电阻烧结

高真空退火炉 产品介绍 目前高温退火炉加热大都为管式炉或马弗炉，原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温速度慢，效率低下，也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热高速冷却时，具有良好的温度分布。可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却，用石英管保护加热式样，无气氛污染。可在高真空，高出纯度气体中加热。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力.同电阻炉和其他炉相比，红外线反射退火炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现温度控制操作！ 设备优势 高速加热与冷却方式 高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 温度高精度控制 过红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以控制样品的温度。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。 不同环境下的加热与冷却 加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 反射炉温度控制装置 高速升温时，配套的快速反应的高真空退火炉控制装置，本控制装置采用可编程温度控制器。高性能设计，响应速度快。 可选配 进口干泵：抽速≥120L/min，极限真空度≤4pa，噪音小于52db； 进口全量程真空规：刀口法兰接口，真空测量范围5X10-7Pa到1atm 为了高速加热、设备采用PID温度控制，同时采用移相触发技术保证试验温度。 根据设备上的温度控制器输入参数，您也可以简单输入温度程序设定和外部信号。另外还可以在电脑上显示热中的温度数据。 自适应热电偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型 可设定32个程序、256个步骤的程序。 30A、60A、120A内置了SCR电路，所以范围很广。 设备配置 序号 项目 数量 品牌 备注 1 炉体 1 华测 温度至1200℃ 2 加热源 1 GE 3 温度控制器 1 华测 4 电热偶 1 omega 5 温控表 1 欧姆龙 6 稳压电源 1 华测 可定制 7 制冷水机 1 同飞 制冷功率 8 分子泵 1 莱宝 CF法兰，抽速≥40L/s，极限真空度优于-0.8Mpa； 更多应用 1.电子材料 半导体用硅化合化的PRA（加热后急速冷却） 热源薄膜形成激活离子注入后硅化物的形成 2.陶瓷与无机材料 陶瓷基板退火炉 玻璃基板退火炉。 陶瓷张力、挠曲试验退火炉。 3.钢铁和金属材料 薄钢板加热过程的数值模拟。 炉焊接模拟 高真空热处理（1000℃以下） 大气气体熔化过程 压力下耐火钢和合金的热循环试验炉 4.复合材料 耐热性评价炉 无机复合材料热循环试验炉 5.其它 高温拉伸压缩试验炉。 分段分区控制炉 温度梯度炉 炉气分析 超导陶瓷退火炉

V型热释光远红外*密退火炉产品特征:高性能、高精度、高可靠、智能化具有四位超大高亮的字符显示专 业PID算法升温带有手动、自动切换具有冷 却窗口可直接对退火后的探测器进行冷 却技术参数:温度范围：0～400℃连续可设加热器件：远红外加热管升温时间：室温至设定值约1小时TLD冷 却：风冷和铜质散热板主要重量：约15kg

退火炉产品概述 414退火炉可在校准过程中对铂电阻温度计进行加热、退火和冷却。其*高温度达到1000℃，可适用于所有类型的铂电阻温度计。在炉体内部配有程序控制器，工作过程中可以达到任意指定的温度范围内。退火炉产品参数

RTP快速退火炉是一种先进的半导体材料处理设备，其核心功能是通过快速加热和冷却的方式对材料进行高温处理。以下是关于RTP快速退火炉的详细产品介绍： 工作原理RTP快速退火炉的工作原理基于高温加热和快速冷却的过程。首先，将待处理的材料放置在炉腔中，并通过加热元件（如电阻丝、电热棒等）迅速将材料加热至设定的温度范围，通常为400~1300℃。在加热过程中，炉腔内的温度会被精确控制在恒定的数值范围内，以确保材料能够达到所需的退火温度。随后，通过冷却介质（如氮气、水等）将炉腔内的温度迅速降低至室温，从而避免材料再次发生晶粒长大和相变。 主要特点1. **快速加热和冷却**：RTP快速退火炉能够在极短的时间内完成加热和冷却过程，显著提高生产效率。2. **高温精度**：该设备具有高精度的温度控制系统，能够精确控制样品的温度，实现高质量的热处理。3. **均匀加热**：RTP快速退火炉采用先进的加热技术，确保样品在炉腔内均匀受热，避免温度不均匀导致的材料性能不一致。4. **多功能性**：该设备适用于各种材料的处理，包括硅、氮化物、氧化物等，满足不同工艺需求。5. **节能环保**：RTP快速退火炉通常采用节能设计，具有较低的能耗和环保性能。 应用领域RTP快速退火炉广泛应用于半导体制造、电子、光电、材料科学等领域。具体应用场景包括：* MOS器件的源、漏、栅接触改性* 电阻器、电容器的结构、电性能改良* 掺杂、扩散等工艺步骤的快速实现* 低介电常数介质材料的退火等 选择建议在选择RTP快速退火炉时，需要考虑以下因素：1. **温度范围和控制精度**：根据工艺需求确定所需的最高温度和温度控制精度。2. **加热速率和冷却速率**：考虑加热和冷却速率是否满足工艺要求，以确保快速热处理的实现。3. **样品尺寸和数量**：根据样品尺寸和数量选择适合的炉腔尺寸和容量。4. **控制系统和软件**：选择具有稳定可靠的温度控制系统和易于操作的软件界面的设备。5. **能源消耗和环保要求**：考虑设备的能耗情况和环保性能，选择节能环保的设备。6. **品牌和服务**：选择知名度高、信誉良好的厂家和品牌，确保产品质量和售后服务的可靠性。 结论RTP快速退火炉作为半导体制造过程中不可或缺的设备，其高效、节能和环保的特点使得它在现代半导体工业中得到了广泛应用。随着技术的不断发展，RTP快速退火炉的性能也将不断优化，为半导体产业的进步提供有力支持。

? 产品简介： REAL RTP200型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP200型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：8英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-150℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：1300mm*820mm*1300mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

RTP-100/150快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。

超高温高速退火炉 ——在10s 内将15mm×15mm 的试样加热到1800℃ 型号：HT-RTA59HD 产品介绍： 这款桌面式超高温高速退火炉以大功率点聚焦加热以及超高反射效率可以在10s内将15mm×15mm的试样加热到1800℃，对SiC以及其它高熔点材料进行退火处理。 应用： ● SiC氧化膜的生成和激活；● 半导体开发与研究；● 玻璃基板、陶瓷、复合材料等的热处理；● 作为热处理炉对高熔点材料进行热处理；● 陶瓷材料的热冲击测试。 特点：可以在10s内加热到超高温1800℃；可以加热后直接水淬；红外线灯加热提供清洁加热减少灰尘和气体的生成；紧凑的桌面型设计；通过USB与电脑连接，输入温度参数；在加热过程中，在电脑屏幕显示温度。带水淬的型号：CAS-59AQ设备参数： 温度范围室温-1800℃样品尺寸W15mm×L15mm×T1mm样品支架氧化铝或者高纯碳加热氛围多种热电偶JIS B φ0.3 （W-Re可选） 设备结构以及样品支架：

产地：法国AnnealSys；型号：AS-One100/AS-One150 AS-ONE立式快速退火炉为法国AS公司生产，分为AS-ONE 100, 150, 200三个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸的真空快速退火炉产品。 应用： - 快速热退火 RTA； - 快速热氧化 RTO； - 扩散，接触退火； - 化合物半导体退火； - 氮化，硅化； - 硒化，硫化； - 石墨烯沉积，碳纳米管生长； - 晶体化，致密化； 技术规格：规格AS-ONE 100AS-ONE 150最大样品基底直径100mm (4英寸)150mm (6英寸)腔体尺寸130mm直径 x 25mm200mm直径 x 25mm红外灯数量/最大功率12支 / 30KW18支 / 34KW红外灯冷却方式风扇风扇标准温度范围室温 ~ 1250°C室温 ~ 1200°C选配高温版本范围室温 ~ 1500°C室温 ~ 1300°C升温速度0.1°C ~ 200°C/s0.1°C ~ 150°C/s温度控制快速数字PID控制器快速数字PID控制器热电偶K型K型高温计150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C气体注入石英视窗以下石英视窗以下清洗气路标准配置标准配置工艺气路方式/数量MFC / 5路MFC / 5路真空获得系统干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)尺寸/重量510mm x 1425mm x 800mm / 194Kg510mm x 1425mm x 800mm / 240Kg参考客户：清华大学、北京大学、复旦大学、华南理工大学、天津中电十八所、南京中电五十五所、GE上海研发中心、南方科大、深圳大学等。大尺寸样品快速退火炉 快速退火炉(RTP/RTA)是半导体材料和器件常用的一款工艺设备。快速退火炉可以在真空、惰性气氛、不同的工艺气体环境下使用。 仪器特点： - 快速热处理、快速热退火 RTP / RTA； - 可在真空、甚至于高真空环境使用； - 广泛用于太阳能电池片快速退火工艺，如156mm X 156mm电池片，300mm X 300mm电池片等；

全自动双腔快速退火炉RTP-DTS-8，晶圆快速退火炉产品特点：兼容6-8英寸WAFER；全自动双腔设计，产能提升； 最高温度可达1250℃；超高温场均匀性； 稳定的温度重现性；满足SIC量产化制程需求。行业应用：其他快速热处理工艺；砷化镓工艺；氧化物、氮化物生长；欧姆接触快速合金；硅化物合金退火；氧化回流技术参数最大产品尺寸6-8寸Cassette or smlf2个温度范围室温~1250℃最高升温速度≤30℃/s（载盘）温度均匀度±3℃≤600℃ ±0.5%＞600℃温度控制重复性±1℃腔体数量双腔

退火炉简介：TNHL-01-800型退火炉适合小批量生产或试验需求的热处理炉。设备具备一定自动化水平，具有保温良好、控温精确、性价比高等特点。用户可根据热处理的工艺要求最多设置5条升温曲线，每条升温曲线又可设置10个升温段，使操作灵活简单。可控硅移相触发电路使加热系统升温平稳、输出稳定，并且提高了设备的可靠性。 主要技术参数：额定温度：800℃升温速度：平均5℃/min炉膛尺寸：300mm×500mm×300mm外形尺寸：690mm×1010mm×1560mm额定功率：12Kw额定电压：220V额定电流：55A 额定频率：50Hz 额定平率：50Hz 本产品是根据用户需求精心研制的，适合小批量生产或试验需求的热处理炉。设备具备一定自动化水平，具有保温良好、控温精确、性价比高等特点。用户可根据热处理的工艺要求最多设置5条升温曲线，每条升温曲线又可设置10个升温段，使操作灵活简单。可控硅移相触发电路使加热系统升温平稳、输出稳定，并且提高了设备的可靠性

1. 产品概述THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统。2. 设备用途/原理THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统，高精度温度场控制技术，先进的颗粒控制技术，可靠的氢气工艺能力技术，高产能。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料硅。适用工艺 低压合金、金属 / 非金属退火、薄片退火。适用域 新兴应用、集成电路、先进封装。退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

快速退火炉RTP-3-04系列采用红外辐射加热技术，可实现大尺寸样品（4英寸样品）快速升温和降温，同时搭配超高精度温度控制系统，可达到**的温场均匀性，对材料的快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。产品特点可测大尺寸样品：可测单晶片样品的尺寸为4英寸。可远程操作：提供远程监控模块。压力控制系统创新设计：高精度控制压力，以满足不同的工艺要求。存储热处理工艺：方便工艺参数调取，提高实验效率，数据可查询。快速控温与高真空：升温速率可达150℃/s，真空度可达到10-3Pa。程序设定与气路扩展：可实现不同温度段的精确控制，进行降温段的自动转接，并能够对工艺菜单进行保存，方便调用。采用MFC精确控制气体流量，实现不同气氛环境（真空、氮气等）下的热处理。独特的腔体空间设计：保证大尺寸样品的温场均匀性 ≤1.5%。全自动智能控制：采用全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空、冷却水等均可实现自动控制。超高安全系数：采用炉门安全温度开启保护、温控器开启权限保护以及设备急停安全保护三重安全措施，全方位保障设备使用安全。产品应用金属电极合金化硬质合金薄膜去应力退火石墨烯生长器件退火材料再结晶、晶化热氧化、热氮化ITO膜致密化薄膜CVD生长搭载电学测试模块变温电阻测量等离子注入/接触退火太阳能电池片键合低介电材料热处理芯片晶圆热处理键合炉其他热工艺需求

快速退火炉(RTP,Rapid ThermalProcessing)系列产品,采用红外辐射加热及冷壁技术，可实现对实验材料的快速升温和降温，同时搭配超高精度的温度控制系统，可达到极佳的温场均匀性，对材料的快速热处理、快速退火、快速热氧化、快速热氮化及金属合金化等研究和生产工作起到重要作用。快速退火炉系列产品主要分为RTP-3-01、RTP-3-04、RTP-3-06、RTP-3-08、RTP-3-12等,分别能处理 1-12 吋样本。应用功能快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)-离子注入/接触退火-SiAu、SiAl、SiMo合金化-太阳能电池片键合-电阻烧结-低介电材料热处理-晶体化、致密化-材料制备提供可控压力环境并实现以上应用提供Vac、lG、02、Gas mixture等气氛环境

退火炉用于大规模集成电路、分立器件、电力电子、光电器件、光导纤维等行业中进行扩散、氧化、退火、合金及烧结等工艺，其关键部件全部采用进口部件，仿国外热处理制造技术，已经被中科院、国内各大院校、国内多家厂家选为长期供货商，可根据客户不同需求定制，厂家直接供货。 主要技术参数 ◆工艺管数量：可根据客户需求制作为1-4管◆工艺管口径：Φ90-360mm（3～12英寸）◆结构型式：卧式热壁型或立式◆工作温度范围：400～1280℃◆气体流量设定精度:±1％F.S◆气路系统气密性： 1×10-7pa.m3/s◆恒温区长度及精度±0.5℃/1080mm◆工艺均匀性:≤±5％（30~60欧姆）◆超净工作台：净化等级：100级（万级厂房） 噪音：≤62dB（A） 震动：≤3μm◆控制方式： 工业微机控制◆记录工艺曲线数量及工艺步数不受限制 我公司可根据客户需求个性化定制实验室科研退火炉、管式退火炉，管式真空退火炉、管式扩散炉、管式烧结炉、管式合金炉等高温电炉，厂家直接供货，欢迎广大用户来电咨询。

红外金面反射炉应用于科研和生产当中，RHL-P系列红外金面反射炉具备加热速度快，温度范围宽等特点。 应用：硅、半导体复合材料的快速退火；可用作玻璃和陶瓷材料的退火炉；可用作金属退火炉；复合材料的耐热性评价炉；高温膨胀/收缩测试炉； 特点：抛物型反射面可以使平行的红外灯管提供一个更均匀的加热区域； 仪器参数：型号RHL-P410CRHL-P65CRHL-P68CRHL-P610CRHL-P616CRHL-P810C温度范围RT to 1350 °CRT to 1200 °CRT to 1200 °CRT to 1200 °CRT to 1200 °CRT to 1100 °C加热腔尺寸φ 20 mm x80 mmφ 40 mm x40 mmφ 40 mm x60 mmΦ40 mm x80 mmΦ40 mm x130 mmΦ50 mm x80 mm应用该反射炉需配备水冷系统；温度变化会根据样品材料和加热腔的大小不同；加热区域是一个参考值；

井式真空光亮退火炉主要用于各种机械零件的真空退火，应力消除被广泛应用于各种金属，合金，水晶材质，光亮退火，真空脱气等等。不同的配置，可通入保护气氛进行氮化，渗碳热处理。 　　城池井式真空退火炉使用预抽真空气氛保护工件产品，操作者首先炉抽空到一定程度的真空炉中充满高纯度的氮气或氨分解保护加热，气氛，从而达到少无氧化加热，亮脱碳的目的。由于使用的搅拌风扇，炉具有高的温度均匀性。长期使用的机械部件，硅，铜，铜线等材质均可达到非氧化光亮退火效果。　　井式真空退火炉外壳为井式炉体结构，真空罐体采用进口高品质不锈钢制造，X光探伤绝无漏气。井式真空退火全部自动控制均有安全保护设计，当炉盖开启时自动切断控制电源，炉盖紧闭时才能开始加热，确保操作人员安全。

? 产品简介： REAL RTP150型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款6寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP150型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：6英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-150℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：870mm*650mm*620mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

? 产品简介： REAL RTP100型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款4寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP100型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，热电偶测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：4英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-200℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：870mm*650mm*620mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

RTP-1250小型真空快速退火炉(RTP/RTA)为韩国进口的快速退火炉。该仪器：尺寸小巧，使用风冷、无须水冷，电流要求不高(3安培)，性价比高，使用方便，非常适合科研院所的科研使用。 技术规格： - 加热方式：红外卤素钨灯，600W； - 卤素红外灯数量：4支； - 最快升温速率：100℃/秒； - 最快降温速率：50秒(1000℃ → 400℃)； - 最高温度：1200℃； - 温度精度：+/-0.3℃ - 最大样品尺寸：50 x 50mm，3寸； - 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)； - 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)； - 电压：220 V，单相； - 仪器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)； - 质量：净重30Kg；仪器特点： - 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理； - 温控精度高； - 适合高校或研究所科研使用； - 无须额外的冷却系统； - 紧凑的台式设计； - 仪器操作方便，样片装取容易； - 价格合理，高性价比；应用领域： - 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析； - 薄膜沉积； 等等…

RTP-1200小型真空快速退火炉(RTP/RTA)为韩国进口的快速退火炉。该仪器：尺寸小巧，使用风冷、无须水冷，电流要求不高(3安培)，性价比高，使用方便，非常适合科研院所的科研使用。 技术规格： - 加热方式：红外卤素钨灯，600W； - 卤素红外灯数量：4支； - 最快升温速率：100℃/秒； - 最快降温速率：50秒(1000℃ → 400℃)； - 最高温度：1200℃； - 温度精度：+/-0.3℃ - 最大样品尺寸：20 x 20mm； - 退火环境：真空、惰性气体、空气、其他工艺气氛(如氧气、氢气等)； - 真空泵及极限压力：机械泵，10-3Torr水平(选配)； - 电压：220 V，单相； - 仪器尺寸：400*300*450mm (W*D*H)； - 质量：净重30Kg；仪器特点： - 可在真空/不同气氛/空气不同环境下，对样品进行快速热处理； - 温控精度高； - 适合高校或研究所科研使用； - 无须额外的冷却系统； - 紧凑的台式设计； - 仪器操作方便，样片装取容易； - 价格合理，高性价比；应用领域： - 快速热退火 (Rapid Thermal Annealing,RTA) - 快速热氧化 (Rapid Thermal Oxidation,RTO) - 快速热氮化 (Rapid Thermal Nitridation,RTN) - 硅化 (Silicidation) - 扩散 (Diffusion) - 化合物半导体退火 (Compound Semiconductor Annealing) - 离子注入后退火 (Implant Annealing) - 电极合金化 (Contact Alloying) - 晶化和致密化 (Crystallization and Densification) - 合金熔点分析； - 薄膜沉积； 等等…

制冷配件有氧退火炉　　制冷配件有氧退火炉是专门针对制冷配件行业的铜管、铜阀件如：三通，四通，二通，截止阀，方体阀，球阀，单向阀，接管螺母，阀杆，铜管件等产品生产特点研发的专用炉型。　　对于制冷配件行业企业选炉型为有氧箱式退火炉，此炉型优点加热速度快，温度均匀，日产量大，操作简单方便，工人一教就会，技术难度低。深受广大用户，特别是制冷配件行业的好评。　　城池有氧退火炉结构主要由炉体、炉衬、炉底板、加热元件、热风循环系统、炉门、控制系统等部分组成。 炉体框架采用槽钢和角钢焊接制作，整体强度好，不易变形。炉衬为复式结构，气密性较好，具有牢固可靠、维修方便、使用寿命长、节能效果好、炉体外壳温升小等优点。耐热钢炉底板供搁置工件之用减少高温下变形和开裂。 加热元件根据炉温的均匀性合理分布功率，加热元件分别布置在左右侧墙及炉底上；加热元件采用合金电阻带绕制成波纹型。炉底上的加热元件平铺在耐火砖砌筑的条槽中，用定型固定，其表面负荷要比其他部位的加热元件要小，更换和维修都比较方便。　　有氧退火炉温度范围广、设备成本低、工艺种类多，可用于铜管、铜阀件的淬火、回火、退火、固溶、时效、去应力等热处理工艺。工艺简单，加热速度快，温度均匀，日产量大，操作简单方便，工人一教就会，技术难度低。因制冷配件后续工序有抛光清洗等工序，正好弥补了铜管件氧化发黑的问题，特别适用于制冷配件行业铜管、铜阀的热处理。

产品应用：该电炉采用红外灯管加热，通过滑动炉体实现快速降温。应用于半导体或太阳能电池基片退火。也可用于快速热退火、快速热氧化、快速热氮化、硅化物合金退火、电极合金化、氧化物生长、离子注入后退火、薄膜沉积等工艺试验 产品特点：可在真空/气氛/空气等不同环境下通过快速移动炉体，加之强风冷设计，可对样品进行快速升降温处理；管内测温设计，温控精度高,*大升温速率50℃/s 紧凑的台式设计，快速连接法兰，减少了炉管因安装造成损坏的可能，方便操作。产品名称RTP-小型快速退火炉产品型号RTP-G11103-K额定功率9KW额定电压220AC 50/60Hz*高温度1000°C 连续工作950°C(1 小时)加热区长度300mm恒温区长度100mm加热元件红外灯管温度控制国产程序控温系统可编程50段程序控温；控制精度±1℃石英管尺寸Φ110*380MM炉管材质石英管滑动距离355mm滑动方式手动滑动建议升温速度室温900℃：30℃/sec900℃~1000℃： 10℃/sec外形尺寸950 X 350 X 530 mm 重量45Kg标准配置气路总成一套（含真空压力表）石英管一支、高温手套一副。76MM的样品石英架一个。

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域不可或缺的重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：4 技术规格&bull 适用于直径达 200 毫米（8 英寸）的单个晶圆 &bull 集成气体入口和出口 &bull 高温度：1000 °C &bull 升温速率：高达 50 K/（可选：100 K/） &bull 通过热电偶控制温度，无石英室、铝室（可选配石英室） &bull 尺寸：约 578 mm x 496 mm x 570 mm（宽 x 深 x 高） &bull 重量： 约 70 公斤 部件支架&bull 石英托盘，固定集成在门中 &bull 用于直径为 200 mm 的单晶圆和石墨基座的石英支架加热&bull 由 2 x 12 个红外灯加热（红外加热器的标称电压/功率：230 V/2 kW） &bull 顶部和底部加热（可选） 真空&bull 压力刻度 10exp-3 hPa 或 RTP-200-HV 10exp-6 hPa过程控制 &bull SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC &bull 触摸面板上可存储 50 个程序，每个程序多 50 个步骤 &bull USB 2.0 接口，用于存储过程数据（CSV 文件格式） &bull 包括 7 英寸触摸屏，操作直观舒适

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 100 mm （4“） 或 100 mm x 100 mm 基板尺寸的单晶圆由石英玻璃制成的工艺室带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）由 18 个红外灯 （20 kW） 加热顶部和底部加热（可选）外部泵系统具有真空功能（高 10E-3 hPa，高 10E-6 hPa：参见 RTP-100-HV）SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1200 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：32 A CEE 插头（3x 230 V，3 相，N，PE，20 kW）烤箱尺寸：504 x 504 （700） x 570 毫米（宽 x 深 x 高）重量： 55 kg

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 100 毫米（4 英寸）的单晶圆由石英玻璃制成的工艺室带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）h由 18 个红外灯 （20 kW） 提供顶部和底部加热外部泵系统的真空度（高 10E-6 hPa，高 10E-3 hPa：参见 RTP-100）， 包括涡轮分子泵、真空测量、闸阀和压力表 不包括粗泵SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1200 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：32 A CEE 插头（3x 230 V，3 相，N，PE，18 kW）烤箱尺寸：504 x 521 x 576 毫米（宽 x 深 x 高）重量： 68 kg

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 100 毫米（4 英寸）的单晶圆由石英玻璃制成的工艺室带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）h由顶部和底部红外加热，每个加热带 9 个灯和 14 kW顶部和底部加热外部泵系统的真空度高达 10E-3 hPaSPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1200 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：2 x 32 A CEE 插头（3x 230 V，3 相，N，PE，18 kW）烤箱尺寸：504 x 521 x 576 毫米（宽 x 深 x 高）重量： 60 kg

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 150 mm （6“） 或 156 mm x 156 mm 基板尺寸的单晶圆（可选：100 mm 适配器）由石英玻璃制成的工艺室（室高度：40 mm）带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）由 24 个红外灯 （21 kW） 加热 顶部和底部加热斜坡下降速率：T=1000 °C˃ 400 °C 200 K/min。 斜坡下降速率：T= 400 °C˃ 100 °C 30 K/min。外部泵系统具有真空功能（高 10E-3 hPa，高 10E-6 hPa：参见 RTP-150-HV）SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1000 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：32 A CEE 插头（3 x 230 V，3 相，N，PE，21 kW）烤箱尺寸：504 mm x 504 mm （700） x 570 mm（宽 x 深 x 高）重量： 55 kg

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域不可或缺的重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点 1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：适用于大 150 mm （6“） 或 156 mm x 156 mm 基板尺寸的单晶圆（可选：100 mm 适配器）由石英玻璃制成的工艺室（室高度：40 mm）带集成气体入口和出口包括一条带氮气质量流量控制器的过程气体管路（5 nlm = 标准升/分钟）由 24 个红外灯 （21 kW） 加热顶部和底部加热斜坡下降速率：T=1000 °C˃ 400 °C 200 K/min。斜坡下降速率：T= 400 °C˃ 100 °C 30 K/min。真空度可用于外部泵系统（高 10E-6 hPa，高 10E-3 hPa：参见 RTP-150）， 包括涡轮分子泵、真空测量、闸阀和压力表 不包括粗泵SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC7 英寸触摸屏，便于编程和过程控制高气温 1000 °C通过热电偶进行温度控制需要水冷电气连接类型：32 A CEE 插头（3 x 230 V，3 相，N，PE，21 kW）烤箱尺寸：504 mm x 504 mm （700） x 690 mm（宽 x 深 x 高）重量： 78 kg

RTP-200快速退火炉为德国优尼坦公司生产，分为RTP-100, RTP-150, RSO-200,VPO-300共四个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸、12英寸的真空快速退火炉产品。点击查阅详细信息技术规格：- 最高温度：1200摄氏度；- 升温速率：150摄氏度/秒；- 降温速度：200摄氏度/分钟 (1000摄氏度--400摄氏度)；- 温控均匀性：≤ 1.5%设定温度；- 加热方式：红外卤素灯，顶部及底部加热；- 灯管数量及功率：18支/20千瓦(RTP-100)，24支/21千瓦(RTP-150)；- 腔体冷却：水冷方式；- 衬底冷却：氮气吹扫；- 工艺气路：MFC控制，最多4路 (氮气、氩气、氧气、氢氮混合气等)；- 主机尺寸及重量：505mm x 504mm x 420mm (W x D x H)，约55Kg； 仪器特点：- 真空快速退火炉，有低真空型号(10-3 hPa)、高真空型号(10-6 hPa)；- 可在不同气氛环境下使用，如惰性气体、氧气、氢氮混合气等；- 控制方式：SIMATIC, SPS人机界面控制，7英寸触摸屏；- 可存储50个程序，每个程序最多分为50段控制；- 全自动智能控制，包括温度、时间、气体流量、真空度、循环水均可自动设置；- 优异的温控均匀性，极佳的工艺重现性；- 小尺寸台式设计； 应用领域：- 离子注入/接触退火；- 快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)；- 可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用；- SiAu, SiAl, SiMo合金化；- 低介电材料；- 晶体化，致密化；- 太阳能电池片键合；等等...参考客户：西安交通大学、西安电子科技大学、中国科技大学、江汉大学、中科院上海技术物理所、中科院苏州纳米所、北京航天仪器研究所、京东方、武汉光迅、能华微电子等。