硅片倒片机

我想问问，xrd的问题，我公司新购的国产xrd，用了几个月，就出现问题，拿硅片校正，发现偏了几度，然后就校正好，过几天又不正常，扫硅片发现又偏了，这样什么原因的啊

光伏产业（太阳能发电产业）在太阳能电池发展了50年后，终于在2004年跨越了历史的分水岭，正式进入了起飞阶段。随着德国政府在2004 年1 月1 日公布再生能源法，将太阳能选为主要的替代能源，以实际措施普及太阳能发电（政府不但补助民间装设太阳能模块，更保证以一定费率购回电力），太阳能电池产业正式进入了需求的迅猛增长期。随着多晶硅,硅片,大阳能电池板工艺的不断发展与提高，光伏产业对硅片质量的检测要求也越来越高。由于国外的光学检测太贵,对非原材料生产厂家是一笔很大的支出,而又需要对进的硅片进行检测，针对这种情况，上海长方光学仪器厂开发了针硅片检测的系统。该系统可以对太阳能电池硅片的”金字塔” 的微观形貌分布情况,及硅片的缺陷分析. (例如:上海长方生产的硅片检测显微镜:CGM-600E) 例如: 硅片检测显微镜可以观察到肉眼难观测的位错、划痕、崩边等 还可以对硅片的杂质、残留物成分分析.杂质包括: 颗粒、有机杂质、无机杂质、金属离子、硅粉粉尘等，造成磨片后的硅片易发生变花、发蓝、发黑等现象，使磨片不合格. 是太阳能电池硅片生产过程中必不可少的检测仪器之一。CGM-600E大平台明暗场硅片检测显微镜是适用于对太阳能电池硅片的显微观察。本仪器配有大移动范围的载物台、落射照明器、长工作距离的平场消色差物镜、大视野目镜，图像清晰、衬度好，同时配有偏光装置，及其高像素的数码摄像头. 本仪器配有暗场物镜,使观察硅片时图像更加清晰,是检测太阳能电池硅片的”金字塔” 的微观形貌分布情况,及硅片的缺陷分析的理想仪器.上海长方光学仪器厂 欢迎致电：021- 68610299

再次苦求以下硅的测量方法，拜托了！多谢！！！　　GB/T 1557-1989　硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法　　GB/T 1558-1997　硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法　　GB/T 4058-1995　硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法　　GB/T 4059-1983　硅多晶气氛区熔磷检验方法　　GB/T 4060-1983　硅多晶真空区熔基硼检验方法　　GB/T 4061-1983　硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法　　GB/T 4298-1984　半导体硅材料中杂质元素的活化分析方法　　GB/T 4326-1984 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法　　GB/T 6616-1995　半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测定非接触涡流法　　GB/T 6617-1995　硅片电阻率测定扩展电阻探针法　　GB/T 6618-1995　硅片厚度和总厚度变化测试方法　　GB/T 6619-1995　硅片弯曲度测试方法　　GB/T 6620-1995　硅片翘曲度非接触式测试方法　　GB/T 6621-1995　硅抛光片表面平整度测试方法　　GB/T 6624-1995　硅抛光片表面质量目测检验方法　　GB/T 11073-1989　硅片径向电阻率变化的测量方法　　GB/T 13388-1992　硅片参考面结晶学取向x射线测量方法　　GB/T 14140.1-1993　硅片直径测量方法 光学投影法　　GB/T 14140.2-1993　硅片直径测量方法 千分尺法　　GB/T 1414l-1993　硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法　　GB/T 14142-1993　硅外延层晶体完整性检验方法腐蚀法　　GB/T 14143-1993　300～900μm硅片间隙氧含量红外吸收测量方法　　GB/T 14144-1993　硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法　　GB/T 14145-1993　硅外延层堆垛层错密度测定干涉相衬显微镜法　　GB/T 14146-1993　硅外延层载流子浓度测定汞探针电容一电压法　　GB/T 14847-1993 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法　　GB/T 14849.1-1993 工业硅化学分析方法　1,10-二氮杂菲分光光度法测定铁量　　GB/T 14849.2-1993　工业硅化学分析方法　铬天青-S分光光度法测定铝量　　GB/T 14849.3-1993　工业硅化学分析方法　钙量的测定　　GB/T 15615-1995　硅片抗弯强度测试方法

1、硅片清洗剂概述 硅片清洗剂广泛应用于光伏，电子等行业硅片清洗；由于硅片在运输过程中会有所污染，表面洁净度不是很高，对即将进行的腐蚀与刻蚀产生很大的影响，所以首先要对硅片表面进行一系列的清洗操作。清洗的一般思路首先是去除表面的有机沾污，然后溶解氧化膜，因为氧化层是“沾污陷进”，会引起外延缺陷；再去除颗粒、金属等，同时使硅片的表面钝化。 目前多采用传统的RCA清洗方法，不仅可以去除硅片表面的金属、有机物等，还可以去除小颗粒等污染物。2、清洗工艺2.1RCA清洗法 RCA清洗法又称工业标准湿法清洗工艺，是由美国无线电公司(RCA)的Kem和Puotinen等人于20世纪60年代提出后，由此得名。RCA湿法清洗由两种不同的化学溶液组成，主要洗液成分见表2.1，表2.2，表2.3。 SPM具有很高的金属氧化能力，可将金属氧化后溶于清洗液中，并能将有机物氧化生成二氧化碳和水。用SPM清洗硅片可以去除表面的种有机沾污和部分金属，当沾污特别严重时，难以去除干净。DHF（HF），可以去除硅片表面的自然氧化膜，同时抑制氧化膜的形成。易去除硅表面的Al、Fe、Zn、Ni等金属，也可以去除自然氧化膜上的氢氧化物。在自然那氧化膜被腐蚀掉时，硅片几乎不被腐蚀。　　表2.1 基础的RCA清洗剂配方 SC-1清洗液是能去除颗粒和有机物质的碱性溶液。由于过氧化氢为强氧化剂，能氧化硅片表面和颗粒。颗粒上的氧化层能提供消散机制，分裂并溶解颗粒，破坏颗粒和硅片表面之间的附着力，而脱离硅表面。过氧化氢的氧化效应也在硅片表面形成一个保护层，阻止颗粒重新粘附在硅片表面。随后将硅片放入到10%的HF溶液中浸泡2分钟，可以将硅片表面自然生成的氧化膜去除并抑制氧化膜再次形成，同时HF酸还可以将附着在氧化膜上的金属污染物溶解掉。 SC-2湿法清洗工艺用于去除硅片表面的金属。用高氧化能力和低PH值的溶液，才能去除表面的金属粘污。此时，金属被氧化成为离子并溶于酸液中，金属和有机物粘污中的电子被清洗液俘获并氧化。因此电离的金属溶于溶液中，而有机杂质被分解。这就是RCA清洗方法的机理。继续用HF在室温下清洗硅片2分钟，最后用去离子水超声清洗数次去除残留的洗液。　　表2.2 RCA清洗剂配方 改进的RCA清洗工艺溶液配比见表2.3。 RCA-1（H2O/NH4OH/H2O2）型洗液：硅片表面的自然氧化层（SiO2）和Si被NH4OH腐蚀，因此附着在硅片表面的颗粒便分散于清洗液中，从而去除表面的颗粒。在NH4OH腐蚀硅表面的同时，H2O2又在氧化硅表面形成新的氧化膜。 RCA-2（H2O/HCl/H2O2）：用于除去硅片表面的Na、Fe、Mg等金属沾污，在室温下就能除去Fe和Zn。　　表2.3 改进的RCA清洗剂配方2.2HF/O3清洗法2.2.1 HF/O3槽式清洗法 因为臭氧的还原电势比硫酸、盐酸、双氧水都高，因此用臭氧超净水去除有机物及金属的方法，效率比用传统的SC、SPM、RCA等高。此外，该方法在室温下清洗，不用进行废液处理，因此比传统方法占有绝大优势。 德国ASTEC公司设计了一套基于HF/O3清洗的工艺，称为ACD。该法由清洗和干燥两部分组成，广泛用于Φ300mm硅片的清洗。清洗步骤：清洗—纯水冲洗—干燥，可同时加入纯水、HF、O3、表面活性剂，超声波清洗。2.2.2 HF/O3单片清洗法 日本索尼公司研制的HF/O3单片旋转式清洗法，可以有效去除硅表面的有机沾污、无机沾污、金属沾污等。此设备上有三路供液系统，可同时将HF酸、溶解油臭氧的超纯水、超纯水供应到硅片中心。在此过程中，首先将HF酸、溶解油臭氧的超纯水交替供应到硅片中心，每种试剂供应约10s交替一次，接着供应纯水进行冲洗。最后用旋转干燥法对硅片进行干燥，为避免旋转干燥法给硅片表面带来水迹，可以改用氮气吹。2.3热态洗硅成膜剂 热态洗硅成膜剂，包括A剂和B剂，A剂包含强碱性催化剂5%~35%、无机溶剂65%~95%，显色剂微量，原料总和为100%；B剂包含分析纯磷酸三钠03%~3%、分析纯联氨0.05%~2%，与两种无机溶剂，其原料总和为100%；使用时由A剂和B剂按照体积比1:10的比例混合使用，混合后溶液比重为1.008g/ml~1.031g/ml。

哪位大侠有用于检测用的硅片抛光机资料？急盼！

用于制造电池片的硅片的制绒的槽液中有NaOH、Na2SiO3和异丙醇,请问如何准确分析NaOH和Na2SiO3的准确含量，谢谢大家帮忙。

[em0808][em0812]同样的硅片,处理后测试结果会相差几十ppb,折算后大概相差4个ppm,同样SIMS测试结果就很稳定?请问各位这是什么原因呢?还有想问下各位,要求得到硅片整体纯度,哪种处理方法更好一些?

在硅片上沉积了膜，膜无法取下，现需要测试膜的吸收，考虑到膜有反射，希望测试透过率光谱及反射率光谱来得到膜的吸收。现在试了几种方法：1、用傅立叶变换红外光谱测试。透过率用空白双面抛光硅片做背景，测试透过率；以金镜为背景用镀金的积分球附件测试反射率。结果有些出现反射率?透过率大于100%。2、用显微红外光谱仪测试。以空气为背景，测试硅片透过率T1，假设硅片对红外光不吸收，其反射率R1=1-T1；以硅片做背景，测试硅片上镀膜反射率R2，样品实际反射率R＝R1*R2；以硅片做背景测试样品透过率T。样品吸收=1-T-R=1-T-(1-T1)*R2。结果也会出现反射?投射大于100%。若用显微红外测试以金镜做背景也会出现这种情况。各位老师帮我分析一下原因吧，还有测试基底上的膜中红外的吸收应该用什么仪器，用什么测试方法。谢谢谢谢

本人想用硅片涂膜测试红外，想知道有没有专门的红外用硅片，透过光频率与普通的溴化钾400-4000一样的？还想咨询哪里有卖这种硅片的？

大神们好~我是一名刚刚接触紫外的研究生。我需要测量110晶向硅片的吸收系数，因为周围没有人做这方面的实验，我也不是很清楚。最近的想法是把硅片磨薄了，用积分球测透射，进而求出吸收系数。不知道这个方法可不可行。或者大神可以给我点意见么?跪谢！

[em17] [em17] [em17] 本人欲制备一些SEM样品,需要把样品滴在硅片上,可是我没有硅片啊,大家知道在哪里能买到吗,最好要小包装的,我就几十个样品,谢谢大家了!

用途：广泛用于IC生产及半导体元器件生产中晶片的湿法化学工艺； 效用：本设备可有效去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的污染物，且不破坏晶片表面特性；  功能槽包括：加热酸缸、HF腐蚀、BHF（HF恒温缓冲腐蚀）、超声清洗槽、恒温水浴、QDR（快排冲水）、电炉等。  全自动硅片清洗设备特点： 进口伺服驱动机构及机械手臂，清洗过程中无需人工操作。 通过PLC实现控制，全部操作通过触摸屏界面一次完成。 可预先设制多条清洗工艺，可同时运行多条工艺。 自动化程度高，适用于批量生产，确保清洗质量的一致性。 自动氮气鼓泡装置可有效提高产品质量，缩短清洗时间。 可选装层流净化系统及自动配酸装置。

请问大家测XRD时用的硅片是哪一种的，在哪里能买到呢？我是做纳米材料的，样品很少，需要滴在硅片上测试，但是无衍射峰的硅片太贵，所以想问下大家都用的什么硅片。

请问哪有购买硅片的？而且购买的大小是多少？我想做STM观测的衬底，上面形成有机膜，不知是否可以？请指教昨天我问了阿法埃沙公司，他们的硅片是25*25mm的，要七百多元的，我不知是否是这个价格？

现在我们需要做红外测试用的硅片，用硅片使被测有机物成膜，请问我应该选择什么样的硅片，应该到什么地方去买？

请教各位专家，有没有专门的红外用硅片，其透过光的波长范围在多大？哪里有卖这种硅片？

请教有没有用红外测试硅片的碳氧值，在修正硅片的碳氧值时，有两句英文，“enter the lower limit of the analysis range for the oxygen”和，“enter the lower limit of the target range for the oxygen”分别指的是什么范围。

在用硅片来做基地的时候，我们可以选择P型或N型，我想详细的咨询一下在什么样的情况下来选择硅片种类的类型。

[color=#444444]请教各位大神，ATR附件测试单晶硅片上氮化硅薄膜的红外光谱，测出的红外光谱需要用空白硅片的光谱做前值来做差谱吗？[/color]

最近用XRD测量高分子膜,利用硅片作为支撑衬底,发现测量的信号应该都是硅片的信号.记得以前曾经用过一种硅片测量少量粉末样品时没有硅片的信号的.请问如何选取合适的硅片作为衬底?

本人刚开始做拉曼光谱，有老师建议让我制样时把样品滴在硅片上再送去检测。所以我现在在购买硅片，但是网上的硅片种类太多了，不知道是怎样的硅片才可以用作拉曼检测？求助求助啊。不知大家用过得硅片都是什么样的？有没有什么特殊要求？上次打电话问一个卖硅片的人，他问我需要什么厚度、粗糙度、电阻率、晶向等等。我都不知道啊。所以在这里请问一下大家~~谢谢。如果有买过的人，最好给我一个链接。谢谢啦

我想了解一些，关于硅片中碳氧含量测试的问题。希望做过相关工作的大侠们指点指点！！问题例如自己做的碳氧含量有多少？硅片做什么用等等！！期待大家的回答啊！！http://simg.instrument.com.cn/bbs/images/brow/em09505.gif

请问硅片的容样标准，包括表面的容样和整个样品的溶样。谢谢！

问题描述：硅片需要进行哪些分析？解答：[font=宋体][color=black]控制硅基半导体器件中的杂质含量是至关重要的，因为即使是超痕量的杂质（包括碱和碱土元素、过渡金属）都可能会导致器件发生缺陷，如击穿电压或高暗电流。常规分析的硅主要有两种类型：硅片表面和体硅。硅片表面的分析最常用的方法是化学[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Mp][color=#3333ff]气相[/color][/url]分解（[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]VPD[/color][/font][font=宋体][color=black]），包括使用极少量的酸（通常是[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]HF[/color][/font][font=宋体][color=black]）滴一滴在表面收集晶圆表面上的杂质。这样得到的样品体积通常约为[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]200[/color][/font][font=宋体][color=black]μ[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]L[/color][/font][font=宋体][color=black]。对于体硅的分析，一般使用非常强的氢氟酸（[/color][/font][font='Times New Roman','serif'][color=black]HF[/color][/font][font=宋体][color=black]）将硅完全消解。[/color][/font]以上内容来自仪器信息网《[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/yp][color=#3333ff]ICP-MS[/color][/url]实战宝典》

请问各位大侠，看硅片表面离子分布应该用什么分析手段啊？

请问有人用325nm的拉曼测过硅片没有。我测得时候全是噪音，500附近啥都没有，怎么对焦都不行，请问测过的人又没有什么技巧可以分享一下，怎么测硅信号。我主要是想知道表面信息，所以采用325nm。我的样品是多层膜，Si/Al2O3/Si/Al2O3...，每层只有几个纳米。大虾/大牛啥的，帮帮忙哈。非常感激~~~~~！！！！！！！！！！！！！

国内哪家可以测试硅片表面的金属含量啊，知道的筒子告诉我一下，谢谢了。