硅片倒片机

硅晶圆片随着半导体、微电子行业的发展，硅片的用途越来越广泛。比如半导体芯片领域、X射线晶体分析、磁控溅射样品生长、原子力、红外光谱测试分析、PVD/CVD镀膜衬底等。我们提供各种不同直径、厚度、电阻、级别和应用场景的硅片，请将您的参数要求发给我们，如有疑难，也请联系我们。哪里可以快速买到硅片作为基片，当然是这里！我们主要为国内的科研院所、高校提供高品质的硅片衬底，高纯抛光的硅基底也能够提供。选型指导：特性产品描述常规硅片直径1"、2"、3"、4"、5"、6"、8"、10"、12"厚度50um至10000um超薄硅片直径5mm、10mm、25mm、50mm、75mm、100mm超薄硅片厚度2um至50um，公差±0.5μm、±1.0μm、±1.5μm表面粗糙度Prime Grade wafer Ra5? .掺杂类型P型、N型、无掺杂晶向〈100〉± 0.5° 〈110〉±0.5° 〈111〉± 0.5°，〈100〉± 1°，〈110〉±1°表面处理抛光、刻蚀、ASCUT；单面/双面处理电阻率0~至 20000 (Ωcm)级别Mechanical Grade、Test Grade、Prime Grade、SEMI Prime Grade 产品举例：产品描述尺寸举例规格多孔硅晶圆，Porous silicon wafer76.2mm10片无掺杂硅晶圆，undoped silicon wafer100mm10片氮化硅膜硅晶圆，Silicon Nitride Wafer LPCVD PECVD100mm10片FZ区硅晶圆片，Float Zone Silicon Wafer25.4mm10片热氧化处理硅晶圆片Thermal Oxide Wafer76.2mm25片超平硅片Ultra-Flat or MEMS wafers6″5片太阳能硅晶片，Solar Silicon Cells6″，5″25片外延硅片，Epitaxial Silicon Wafer100mm10片N型硅晶圆片，N-Type Silicon Substrates100mm100片各种硅晶片 我们致力于为客户提供全面的硅片（Silicon Wafer）解决方案，从测试级硅片（Test Wafer）到产品级硅片（Prime Wafer），以及特殊硅片氧化硅片（Oxide）、氮化硅片(Si3N4)、镀铝硅片、镀铜硅片、SOI Wafer、MEMS Glass、定制超厚、超平硅片等，尺寸覆盖50mm-300mm。对于2D材料的研究，软光刻硅片，直接放射性核电实验，等离子体刻蚀硅片，以及微流控芯片平台的建立，我们均有成功的经验。 小常识：将某一特定晶向的硅种子(种子,通常为一小的晶棒)棒插入熔融液态硅,并慢慢向上拉起晶棒,一根和种子相同晶向的晶柱就被生产出来。将晶柱切割成多个一定厚度的圆片片,通常称呼的wafer就被制造出来了。初步切割出来的wafer表面，通常比较粗糙,无法用作晶圆生产，因而通常都在后续工艺中进行抛光，抛光片的名词就由此而来。针对不同晶圆制造要求，通常需要向粗制晶圆内掺杂一些杂质，如P、B等，以改变其电阻值,因而就有了低阻、高阻、重掺等名词。镀膜片可以理解为外延片Epi，是针对特定要求的半导体装置而制定的wafer,通常是在高端IC和特殊IC上使用，如绝缘体上Si(SOI)等。用Czochralski(CZ)晶体生长法或浮区（floatzone）（FZ）生长法生成单晶硅。超大规模集成电路应用更多采用Czochmlski硅，因为它比FZ材料有更多的耐热应力能力，而且它能提供一种内部吸杂的机械装置，该装置能从硅片表面上的器件结构中去除不需要的杂质。因为是在不与任何容器或坩埚接触的情况下制成，所以FZ硅比CZ硅有更高的纯度（从而有更高的电阻率）。器件和电路所需的高纯起始材料（如高压，高功率器件）一般都用FZ硅。我们的低应力PECVD氮化是一个单面膜，已优化为晶圆需要最小的热处理。因为低应力PECVD氮化物是在低温下沉积的，它提供了更大的灵活性，可以沉积在任何其他薄膜上。我们提供独立式超薄超平硅片，厚度从5μm到100μm不等，直径从5毫米到6英寸。薄硅片是真正的镜面光洁度DSP，良好的表面平整度，无雾，无空洞，表面RMS低(典型1-2 nm)，超低值TTV通常小于+/-1μm。我们的单晶太阳能硅片的效率高达19.5%。什么是太阳能效率，阳光光子击中太阳能晶片在一个特定的空间的百分比。更高的效率意味着发电所需的比表面积更小。因此，小型屋顶将希望使用更高的效率面板，以弥补较小的表面积。

PTFE（四氟）花篮 一、产品介绍PTFE也称：四氟、聚四氟乙烯、特氟龙、F4、Teflon；我单位的四氟产品是采用高纯实验级的聚四氟乙烯加工而成。四氟花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。材质：聚四氟乙烯；规格：46x46mm双排槽，把手长80mm，一次可以清洗十片4X20mm的样品，适合放在200ml以上容量的烧杯内使用。可以根据客户需要定做聚四氟乙烯仪器，设计合适的清洗架/花篮

1、不锈钢基片 原子力显微镜AFM基片用于原子力显微镜承载样本之用，边缘光滑，表面平整，不锈钢材料，适合各种品牌的原子力显微镜。 货号产品名称规格75010-1212 mm Specimen Metal Discs for AFM50/pk75010-1515 mm Specimen Metal Discs for AFM50/pk2、镀金硅片可用作纳米领域的基片、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）及其它扫描探针显微镜的测距，以及细胞培养，蛋白质DNA 微阵列和反射计等方面。尽管很多实验室拥有镀金能力，但由于很多用户共同使用的原因，设备难免受到不同程度的污染。有资料表明即使轻微污染，也会对细胞成长表层特性造成影响。货号产品名称规格71892-10镀金硅片，直径100mm，厚度0.525mm个71892-15镀金硅片，直径50mm，厚度0.279mm个其它基片简介： 镀金云母片，通过将金蒸镀到刚剥离的云母基片制成。建议使用前先进行退火处理。基片的原子表层一经生产便会有玷污发生，退火的金基片也不例外。建议在收到产品后立即使用，可能基片还未被玷污，处于待用状态。但在到货三至四个月后，基片会发生玷污，即使我们将其封装在一个惰性无尘的环境中。通常原子能平台约为300nm宽。经氢焰退火后，尺寸略有增大。原材料为厚度100μm至150μm的云母条。它接下来会被剥离成两片，形成两片厚度大约在50μm至75μm的薄条。

晶圆盒 硅片盒 防静电海绵 塑料晶圆硅片盒由上海书培实验设备有限公司生产提供，产品规格齐全，量多从优，欢迎客户来电咨询选购晶圆盒 硅片盒 塑料晶圆硅片盒 防静电海绵产品介绍：晶圆盒是半导体硅片包装解决方案，可满足光学材料、半导体元件、光电器件、医疗器械等一系列高科技领域的产品特殊存放及其运输要求，可保证高效安全的实现此类产品的物流程序.适用于各类样品展示、携带、存放、运输等.晶圆盒 硅片盒 塑料晶圆硅片盒 防静电海绵产品相关表格：产品名称产品尺寸包装规格产品单价品牌晶圆盒4英寸个 45元上海书培晶圆盒6英寸个50元上海书培晶圆盒8英寸个80元上海书培防静电海绵6英寸片5元上海书培防静电海绵8英寸片8元 晶圆盒 硅片盒 塑料晶圆硅片盒 防静电海绵产品参数介绍：产品材质： PP注塑 无异味 无残胶 （不耐腐蚀、酸碱） 海绵为防静电材质开关方式：卡扣

单抛硅片（AFM、SEM电镜用硅片）常作为AFM和SEM基片，用在科学研究中，单抛硅片需要自己切割后作片基使用。也提供预切单抛硅片，详情电询。单抛硅片预切单抛硅片1"2"3"4"6"直径25 mm50 mm76 mm100 mm150 mm向性100100111100100TYPE PBoron - 1 primary flatBoron - 1 primary flatBoron - 1 primary flatBoron - 1 primary flatBoron - 1 primary flat电阻率1-30 Ohms1-30 Ohms1-30 Ohms1-30 Ohms1-30 Ohms厚度10-12 mill (254-304μm)9-13 mill (230-330μm)13.6-18.5 mill (345-470μm)18.7-22.6 mill (475-575μm)23.6-25.2 mill (600-690μm)TTV:20μm粗糙2nm2nm2nm2nm2nm产品选购：货号产品名称包装71893-04Silicon Wafer Type P, 1"1片71893-05Silicon Wafer Type P, 2"1片71893-06Silicon Wafer Type P, 3"1片71893-07Silicon Wafer Type P, 4"1片71893-08Silicon Wafer Type P, 6"1片

太阳能电池硅片清洗花篮PFA四氟清洗花篮 ITO、FTO导电玻璃、硅片PFA清洗架、F4硅片花篮 品牌：瑞尼克型号：RNKHL加工定制：是 用途：清洗 别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PFA，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片.目前的尺寸有，6寸25片、4寸25片，2寸25片的清洗花篮，单梁双梁提手，目前花篮形式有很多种，我公司也是可以定制方形，圆形晶片清洗花篮。

太阳能电池硅片清洗花篮 品牌：瑞尼克型号：RNKHL加工定制：是用途：清洗别名：花篮、承载篮用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PTFE，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片.特点：1.外观纯白色。2.耐高低温：可使用温度-200℃～＋250℃。3.耐腐蚀：耐强酸、强碱、王水和有机溶剂，且无溶出、吸附和析出现象。 4.防污染：金属元素空白值低。5.绝缘性：不受环境及频率的影响，介质损耗小，击穿电压高。6.耐大气老化，耐辐照和较低的渗透性。7.自润滑性：具有塑料中小的摩擦系数。8.表面不粘性：是一种表面能小的固体材料。9.机械性质较软，具有非常低的表面能。聚四氟乙烯（PTFE）系列产品：培养皿、坩埚、试剂瓶、试管、镊子、药匙、烧瓶、烧杯、漏斗、容量瓶、蒸发皿、表面皿、阀门、接头、离心管等。

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生长方法：直拉CZ 型号/掺杂剂： P型/硼 N型/磷、砷、锑 晶向： 100 / 111 电阻率 (ΩNaN)： 0.001-50 径向电阻率变化： (%) P 6 N型 25 氧含量与公差： 5.0-7.8 × ± 0.5 径向氧含量变化 (%) ： 5 碳含量 (at )： ≤ 2.0× 金属铁含量 (at ) ：≤ 1.0× 表面金属 (at)：铜 / 铬 / 铁 / 镍 ≤ 5.0× 铝 / 锌 / 钾 / 钠 / 钙 ≤ 2.0× 厚度 (微米)：按SEMI标准或用户要求 厚度公差 (微米) ：±15或用户要求 总厚度变化 TTV (微米)： 2.5 平整度 TIR (微米)： 1.2 局部平整度： STIRmax (微米) 0.3 翘曲度 (微米)： 30 颗粒 (# per wafer)： 30 (for size 0.2 微米) N、P型硅片1英寸 100、111晶向25片/盒N、P型硅片2英寸 100、111晶向25片/盒N、P型硅片3英寸 100、111晶向25片/盒N、P型硅片4英寸 100、111晶向25片/盒

超平硅片（AFM、SEM用硅片）常作为AFM基底片用在科学研究中，超平硅片的一些参数如下：4"6"8"直径100 mm150 mm200 mm向性100100100级别P/BoronP/BoronP/BoronGrowth Method:CZCZCZ电阻率10-20 Ohm-cm10-20 Ohm-cm10-20 Ohm-cm厚度525μm ±20μm675μm ±20μm725μm ±20μmTTV:4.00μm4.00μm4.00μmSFPD:2.0μm2.0μm2.0μmWarp:≤30μm≤30μm≤30μmBow:≤30μm≤30μm≤30μm微粒数≤20@≥0.3μm≤20@≥0.3μm≤20@≥0.3μm正面Front SurfacePolishedPolishedPolished背面Back SurfaceEtchedEtchedEtched平整度Flat:2 per SEMI Standard1 per SEMI Standard2 per SEMI StandardSite Flatness:2.0μm2.0μm2.0μm粗糙RoughnessTypically 2-3?Typically 2-3?Typically 2-3?产品选购：货号产品名称规格71893-01Ultra-Flat Silicon Wafer, 4"超平硅片1片71893-02Ultra-Flat Silicon Wafer, 6"超平硅片1片71893-03Ultra-Flat Silicon Wafer, 8"超平硅片1片

PFA花篮花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。英特格6英寸晶圆盒晶圆运输盒（ entegris PFA carrier）6英寸PFA cassette 高帮进口PFA材质6英寸清洗花篮为最大晶圆片提供支撑和保护作用，A194-60MB 晶圆运输盒对晶圆加工中的常用化学品都是耐受的。包括酸（盐酸，硫酸，氢氟酸和硝酸），碱（氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化铵，过氧化氢），醇，酮，氯化溶剂和氟利昂。温度限制：高温晶圆高温硅片输入极限温度为290℃。连续使用极限温度120℃。晶圆容量：25片型号:A194-60MB

预切单抛硅片常用于SEM和SPM中，硅片的一些参数如下，大硅片直径100mm，基片厚度525un：l Orientation: 100 l Resistance: 1-30 Ohmsl Type: P (Boron)l Wafer thickness: 18-21 mil (460-530μm)l Roughness: 2nm, polished on one side材料科学方面：当用FESEM研究纳米离子时，硅片具有玻璃盖玻片一样的光滑性能，而且具有高分辨率测试所需要的导电性。因为硅衬底有点导电，人们可以减少对金属涂层的需要（涂层有可能掩饰材料样本的特点）。生物学方面：非常理想的衬底来生长细胞，表面光滑，完全等同玻璃盖玻片。由于是硅材料，人们不用担心样本受到玻璃的腐蚀，还有硅的惰性，完全可以高压灭菌。产品选购：货号产品名称规格4136SC-ABSilicon Chip Substrates 5x5 mm x 525 um Thick269 Chips4137SC-ABSilicon Chip Substrates 5x7 mm x 525 um Thick186 Chips

硅片TTV厚度测试仪配件是采用红外干涉技术的测量仪，能够精确给出衬底厚度和厚度变化 （TTV)，也能实时给出超薄晶圆的厚度（掩膜过程中的晶圆），非常适合晶圆的研磨、蚀刻、沉淀等应用。 硅片厚度测量仪配件采用的这种红外干涉技术具有独特优势，诸 多材料例如，Si, GaAs, InP, SiC, 玻璃，石英以及其他聚合物在红外光束下都是透明的，非常容易测量，标准的测量空间分辨率可达50微米，更小的测量点也可以做到。硅片厚度测量仪配件采用非接触式测量方法，对晶圆的厚度和表面形貌进行测量，可广泛用于：MEMS， 晶圆，电子器件，膜厚，激光打标雕刻等工序或器件的测量，专业为掩膜，划线的晶圆，粘到蓝宝石或玻璃衬底上的晶圆等各种晶圆的厚度测量而设计，同时，硅片厚度测试仪还适合50-300mm 直径的晶圆的表面形貌测量。硅片厚度测试仪配件具有探针系统配件，使用该探针系统后，硅片TTV厚度测试仪可以高精度地测量图案化晶圆,带保护膜的晶圆, 键合晶圆和带凸点晶圆（植球晶圆），wafers with patterns, wafer tapes,wafer bump or bonded wafers 。 硅片TTV厚度测试仪配件直接而精确地测量晶圆衬底厚度和厚度变化TTV，同时该硅片厚度测量仪能够测量晶圆薄膜厚度，硅膜厚度（membrane thickness) 和凸点厚度（wafer pump height).，沟槽深度 （trench depth)。

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产品名称：花篮，PFA花篮，硅片清洗篮，太阳能硅片清洗架材料：PFA或四氟品牌：南京滨正红型号：NJ-ZH尺寸：2、3、4、5、6寸等6英寸PFA cassette 高帮进口PFA材质6英寸清洗花篮为最大晶圆片提供支撑和保护作用，A194-60MB 晶圆运输盒对晶圆加工中的常用化学品都是耐受的。包括酸（盐酸，硫酸，氢氟酸和硝酸），碱（氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化铵，过氧化氢），醇，酮，氯化溶剂和氟利昂。 温度限制：高温晶圆高温硅片输入极限温度为290℃。连续使用极限温度120℃。 晶圆容量：25片 型号:A194-60MB 晶圆直径(mm):150mm (6英寸） 尺寸(mm): 143.38mm x 177.8mm x 171.45mm 材料:天然PFA(氟树脂)

PFA镊子尖头多个规格可选择100mm 120mm 150mm 180mm多用于硅片，晶圆片等微小拨片的夹取，防静电，耐酸碱

材料：PFA或四氟品牌：南京滨正红型号：NJ-ZH尺寸：2、3、4、5、6寸等用途：清洗 别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花篮、太阳能硅片花篮_太阳能硅片承载器、光伏电池片花篮、光伏硅片花篮，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PFA，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片. 目前的尺寸有，6寸25片、4寸25片，2寸25片的清洗花篮，单梁双梁提手，目前花篮形式有很多种，我公司也是可以定制方形，圆形晶片清洗花篮聚四氟花篮

单晶硅片主要用于制作半导体元件。 　　用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等

镀金硅片镀金硅片可用在纳米领域的基片、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）及其它扫描探针显微镜的测距，以及细胞培养，蛋白质DNA 微阵列和反射计等方面。尽管很多实验室拥有镀金能力，但由于很多用户共同使用的原因，设备难免受到不同程度的污染。有资料表明即使轻微污染，也会对细胞成长表层特性造成影响。硅片为P型100，先镀一层厚度为2-7nm的铬，接着镀50nm厚的金膜。销售信息：货号产品名称规格71892-10镀金硅片，直径100mm，厚度0.525mm个71892-15镀金硅片，直径50mm，厚度0.279mm个

太阳能电池硅片清洗花篮品牌：瑞尼克型号：RNKHL加工定制：是用途：清洗别名：花篮、承载篮 用于半导体硅片,晶片,玻璃,液晶屏等清洗、腐蚀设备的承载花篮，太阳能电池片花蓝、太阳能硅片花蓝_太阳能硅片承载器、光伏电池片花蓝、光伏硅片花蓝，用于太阳能电池硅片清洗设备中,用于承载方形太阳能电池硅片，材质为PTFE，本产品即在100℃以下的NaOH溶液、HCl溶液、HF等溶液中对硅片进行清洗、转换，且长期使用不变形、不污染硅片.

PFA镊子尖头多个规格可选择100mm 120mm 150mm 180mm多用于硅片，晶圆片等微小拨片的夹取，防静电，耐酸碱

激光晶圆划片机配件是专业为太阳能电池激光加工开发的小型太阳能电池激光划片机和晶圆切割机，它具有较小的尺寸，安装操作非常简单，比较适合小型的太阳能光伏产业用户和科研用户实验室使用。激光晶圆划片机配件使用了高精度的扫描振镜，可以加工5' ' 和6' ' 的晶圆硅片，太阳能电池激光划片机机配备的软件能够精确探测晶圆边缘,控制XYZ三维的光束定位，并监控激光功率等参数，为大学或科研院所提供了一种多功能,高精度的太阳能电池晶圆的加工设备,可以广泛用于晶圆激光打标,晶圆边缘隔离，晶圆背向接触烧结（Back contact laser fireing,BCLC)已经晶圆切割。激光晶圆划片机配件原理在制造晶体硅太阳能电池过程中通常使用p型晶圆，通过磷扩散形成n型层。这种n型层形成于太阳能电池表面，被称作发射极，当然此时也形成了p-n结。在对边缘未隔离之前，边缘电流会减少太阳能电池的效率。 现在通常使用激光晶圆划片机超快激光进行边缘隔离, 使用激光对距离上表面150-300微米的区域进行激光切割。太阳能电池激光划片机,这种切割深度不得小于发射极的深度(2-10微米）。我们在这套激光晶圆划片机配件中使用高精度的扫描振镜控制激光光束进行切割，并配备了一流的机械视图功能，可以实时探测到晶圆位置以及边缘隔离的精度, 配备的软件可以让用户在“科学研究“和”工业应用“两种模式下选择使用。

硅片划线器珀金埃尔默的陶瓷硅片划线器价格不贵并且特别适合切割聚酰亚胺熔融硅胶毛细管柱和保护柱。该划线器容易固定并且简单易用。它的全部4个侧面均能用作一种切割工具。硅片划线器订货信息：产品描述部件编号硅片划线器（10件装）N9301376

镀银硅片真空电子束蒸发镀膜法制造，在硅片上先镀一层2-7nm厚的铬，接着镀一层50nm厚的银膜。整个镀银硅片经过等离子清洗后包装。应用领域：l Opticsl Nanotechnologyl Reflectometryl AFM applications 货号产品名称规格71892-35镀银硅片，直径100mm，厚度0.525mm个71892-40镀银硅片，直径50mm，厚度0.279mm个

8英寸晶圆隔纸 晶圆硅片测试片隔纸 硅片隔离纸由上海书培实验设备有限公司生产提供，产品规格齐全，量多从优，欢迎客户来电咨询选购。8英寸晶圆隔纸 硅片隔离纸 晶圆硅片测试片隔纸产品介绍：IC纸,,表面电阻在107-109次方，电子产品隔离纸,无尘级别：100级， 8英寸晶圆隔纸 硅片隔离纸 晶圆硅片测试片隔纸规格表格：产品名称产品尺寸包装规格产品单价品牌晶圆隔纸4英寸100张/包80元上海书培晶圆隔纸6英寸100张/包110元上海书培晶圆隔纸8英寸100张/包150元

单晶硅片主要用于制作半导体元件。 　　用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等