硅片倒片机

仪器简介： Mactronix公司世界较大的wafer transfer(倒片机)生产产家, 他生产的倒片机,分选机广泛被大的半导体厂家所使用,特别是欧美地区的大FAB里处处都有,国内的FAB里从国外进来的生产线上也是有很多,用十几年以上非常普遍, 目前国内通过美国赛伦科技公司(北京上海都有办事处)全权负责销售与售后服务.如:台积电, 中芯, 康可电子等等FAB里都有购买. 具体资料请来电或邮件索取，或自行官网下载。主要特点： 各种不同的硅片倒片机设备有近百种之多，这里附上部分设备：

Okmetic 是最早将绝缘体上硅技术和 SOI 硅片引入 MEMS 行业的硅片供应商之一，目前公司已经量产 SOI 硅片超过20年。SOI 硅片是在绝缘氧化物上有一层薄硅膜的硅片，其生产需要非常高水准的专业技术。SOI 硅片有益于制造最先进的 MEMS、传感器、功率和射频设备。这些设备器件被用于汽车和医疗保健应用、智能腕带、智能手机和平板电脑等终端。同时，利用传感器提供的数据，器件也能够被用于物联网相关的应用设备，实现设备间的通信。 SOI 硅片有益于制造最先进的 MEMS、传感器、功率和射频设备。Okmetic 的 SOI 硅片是通过键合技术制造的——将两片硅片键合在一起并在其间留下绝缘氧化层。传感元件和 IC 器件通常构建在顶层器件层上。中间的埋氧层是极好的电绝缘层，也是有效的刻蚀停止层，同时也可以作为牺牲层。底层起支撑作用，但也可以用于密封结构或作为传感元件或设备的一部分。SOI 硅片全系列Okmetic 拥有 SOI 硅片制造的自主可控能力，将自主研发成果运用到企业生产中，有能力把控每个关键的硅片参数，确保 SOI 硅片的最高品质。我们拥有市场上最完整的硅片产品组合，支持客户的各种选择，譬如最佳的导电性和不同的晶体转向可以确保更好地利用硅的各向异性特性。我们的销售和技术支持很乐意帮助您找到适合您设备和工艺需求的完美硅基解决方案。Okmetic 的 SOI 硅片产线包含以下产品： BSOI 硅片：键合 SOI 硅片（包含不同的 BSOI 硅片类 别，譬如 0.3 SOI、DSOI、LSOI 和厚 SOI） C-SOI硅片：埋层腔体型 SOI 硅片（包含不同的 C-SOI硅片类别，譬如 EC-SOI、双层 C-SOI、带图案化器件层的 C-SOI、带多通孔的 C-SOI） E-SOI硅片：具有严格厚度均匀性的增强型 SOI 无台阶型 BSOI 和 E-SOI硅片 高阻 BSOI 硅片是我们 RFSi硅片系列的其中一种

1. 产品概述WS-PE100/150 倒片机，晶圆全自动取放，人工替代，良好控制颗。2. 设备用途/原理WS-PE100/150 倒片机，晶圆全自动取放，人工替代，良好控制颗粒，高精度、高柔性六轴机械手，更稳定、更可靠，半导体非接触式伯努利吸盘，吸附均匀，低破率、更安全，稼动率高，有效节约客户成本。3. 设备特点晶圆尺寸 4、6 英寸，划伤率 ≤0.03%，通讯响应时间 ＜0.5，适用域 化合物半导体。百科：&zwnj 倒片机在半导体生产中扮演着举足轻重的角色，它主要用于自动将硅片从载具中分离出来，并进行分类存放，确保生产线的高效运转。&zwnj 这种智能化的硅片分选技术已经在半导体行业中广泛应用，极大地提高了半导体芯片生产效率和质量。倒片机通过自动化的方式，不仅提高了生产效率，也大大降低了人工操作的误差率，成为半导体行业中不可或缺的一部分。

1. 产品概述WS-ALN100/150 倒片机，晶圆全自动取放，人工替代，良好控制颗粒。2. 设备用途/原理WS-ALN100/150 倒片机：晶圆全自动取放，人工替代，良好控制颗粒，高精度、高柔性六轴机械手，更稳定、更可靠，半导体非接触式伯努利吸盘，吸附均匀，低破率、更安全。稼动率高，有效节约客户成本。3. 设备特点百晶圆尺寸 4、6 英寸，划伤率 ≤0.03%，通讯响应时间 ＜0.5，适用域，化合物半导体。百科：&zwnj 倒片机在半导体生产中扮演着举足轻重的角色，它主要用于自动将硅片从载具中分离出来，并进行分类存放，确保生产线的高效运转。&zwnj 这种智能化的硅片分选技术已经在半导体行业中广泛应用，极大地提高了半导体芯片生产效率和质量。倒片机通过自动化的方式，不仅提高了生产效率，也大大降低了人工操作的误差率，成为半导体行业中不可或缺的一部分。

CHY-CA薄膜测厚仪采用机械接触式测量原理，严格按照标准方法进行测量，有效保证了测试的规范性和准确性。专业适用于量程范围内的塑料薄膜、薄片、隔膜、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度测量。产品特点◎ 微电脑控制系统，大液晶显示、PVC操作面板，方便用户进行试验操作和数据查看。◎ 严格按照标准设计的接触面积和测量压力，同时支持各种非标定制。◎ 测试过程中测量头自动升降，有效避免了人为因素造成的系统误差。◎ 支持自动和手动两种测量模式，方便用户自由选择。◎ 系统自动进样，进样步距、测量点数和进样速度等相关参数均可由用户自行设定。◎ 实时显示测量结果的Z大值、Z小值、平均值以及标准偏差等分析数据，方便用户进行判断。◎ 配置标准量块用于系统标定，保证测试的精度和数据一致性。◎ 系统支持数据实时显示、自动统计、打印等许多实用功能，方便快捷地获取测试结果。◎ 标准的USB接口，便于系统与电脑的外部连接和数据。 测试原理CHY-CA薄膜测厚仪采用机械接触式测量原理，截取一定尺寸的式样；通过控制面板按钮，调节测量头降落于式样之上；依靠两个接触面产生的压力和两接触面积通过传感器测得的数值测量材料的厚度。太阳能硅片厚度仪_薄片测厚仪应用领域薄膜、薄片、隔膜：适用于薄膜、薄片、隔膜的厚度测试纸张、纸板：适用于纸张、纸板的厚度测试箔片、硅片：适用于箔片、硅片的厚度测试金属片：适用于金属片的厚度测试纺织材料：适用于纺织材料的厚度测试固体电绝缘体：适用于固体电绝缘体的厚度测试无纺布材料：适用于无纺布材料的厚度测试，如尿不湿、卫生巾片材的厚度测试量程扩展至5mm， 10mm：适用于无纺布材料的厚度测试，如尿不湿、卫生巾片材的厚度测试曲面测量头：满足特殊要求的厚度测试测试标准该仪器符合多项国家和国标标准：ISO 4593、ISO 534、ISO 3034、GB/T 6672 、GB/T 451.3、 GB/T 6547、 ASTM D374、ASTM D1777TAPPI T411、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702、 BS 3983、BS 4817。 售后服务承诺三月内只换不修，一年质保，终身提供。快速处理，1小时内响应问题，1个工作日出解决方案。 体系荣誉资质ISO9001：2008质量体系认证、计量合格确认证书、CE认证、软件著作权、产品实用新型、外观设计。实力铸造品牌三大研发中心，两条独立生产线，一个综合体验式实验室。赛成自2007年创立至今，全球用户累计成交产品破万台，完善四大产品体系，50多种产品。

欧洲产高品质金刚刀手动划片机，适用于陶瓷、玻璃、半导体晶圆等多种材料。主要型号包括：精确手动晶圆划片机RV-129，低成本手动划片机RV-125, 126, 127等。 RV-129金刚石手动划片机的特点：可旋转、带真空吸附样品台，最大样品直径200mm；X-Y工作台上每间隔90度备有定位V字槽；通过线性轴承的测微螺杆，精确细调角度；最小分辨率：0.006度，范围：4度；划片宽度：240mm，划线长度：250mm，走片精度：0.01mm；样品厚度：=10mm；划片压力范围：5 ~ 581gr可调；进刀角度：可调节；单目十字准线显微镜；非常适合科研或小规模生产；

RSM-S40K光伏硅片烧结炉专用炉温测试仪专用于电池片烧结炉测温，是光伏电池片烧结炉烧结测温利器。

Mactronix公司世界较大的wafer transfer(倒片机)生产产家, 他生产的倒片机,分选机广泛被大的半导体厂家所使用,特别是欧美地区的大FAB里处处都有,国内的FAB里从国外进来的生产线上也是有很多,用十几年以上非常普遍。

1. 产品概述：主要适用于对 2 英寸至 8 英寸的硅片进行腐蚀清洗，以满足半导体制造等相关领域对硅片表面处理的严格要求 2. 设备应用：显影制程，蚀刻（微蚀刻）制程，去光阻清洗制程，去蜡（胶）清洗制程，精密清洗制程，光罩去光阻清洗制程3. 设备特点：适用对象：蓝宝石晶片、砷化镓晶片、碳化硅晶片、其它衬底基片 基本规格： 机台封面 聚丙烯磁白PP板材（厚度≧10mm）Or China SUS板材（厚度≧2mm）机台主机强度结构 整体骨架表面喷涂处理Or China SUS矩形材（厚度≧2mm）机台视窗透明、抗静电之聚氯乙烯PVC（厚度≧5mm） Or China 钢化玻璃（厚度≧5mm）选配模块： 1.腐蚀液恒温系统 2.腐蚀液循环过滤系统 3.超（兆）声系统 4.全自动供液系统 5.更全面的全自动烘干系统 6.消防系统 7.可结合客户端通讯协定资料储存、CIM系统、资料分析储存建立管理 机台特点： 1.蚀刻工艺自动补药液保证了工艺槽在运行过程中浓度的稳定性 2.QDR冲洗模块非常见排序式，可根据制程工艺设定 3.集成自动烘干系统 4.管路系统、电气控制系统、伺服电机及丝杠导轨等关键核心部件均采用进口标准产品，配置模组化，维护保修便利，非期货库存品工厂内均建立安全存量 5.全自动化控制，几何曲线加减速运动，冲击小，运动平稳，机械臂定位精度高 6.多级别用户工艺数据库，可供用户使用和存储 7.作业区内有害气体多种安全主动及被动保护相结合，保证操作人员作业环境及人声安全 8.客制化设计能力佳，高设计能力满足客户制程工艺需要 机械臂装置：Robo的工艺路径种N种（设备出厂前载入PLC内） 机械手传送定位精度≦ 0.3mm 机械臂走向前后位移一对一 转向、前后、左右、上下位移一对四 全程转向左右、前后、上下位移一对多槽等

电池硅片厚度仪 硅片厚度测定仪 硅片厚度检测仪C640是一款高精度、高重复性的机械接触式精密测厚仪，专业适用于量程范围内的薄膜、薄片、纸张、瓦楞纸板、纺织材料、非织造布、固体绝缘材料等各种材料的厚度精密测量。可选配自动进样机，更加准确、高效的进行连续多点测量。设备技术特征：1、专业——Labthink在不断的创新研发和技术积累中推陈出新，使用超高精度的位移传感器、科学的结构布局及专业的控制技术，实现先进的测试稳定性、重复性及精度。2、高效——采用高效率、自动化结构设计，有效简化人员参与过程；智能的控制及数据处理功能，为用户提供更便捷可靠的试验操作和结果处理。3、智能——搭载Labthink新一代版控制分析软件，具有友好的操作界面、智能的数据处理、严格的人员权限管理和安全的数据存储；支持Labthink特有的DataShieldTM数据盾系统（可选配置），为用户提供极为安全可靠的测试数据和测试报告管理功能。电池硅片厚度仪 硅片厚度测定仪 硅片厚度检测仪C640测试原理：将预先处理好的薄型试样的一面置于下测量面上，与下测量面平行且中心对齐的上测量面，以一定的压力，落到薄型试样的另一面上，同测量头一体的传感器自动检测出上下测量面之间的距离，即为薄型试样的厚度。执行标准：ISO 4593、ISO 534、ASTM D6988、ASTM F2251、GB/T 6672、GB/T 451.3、TAPPI T411、BS 2782-6、DIN 53370、ISO 3034、ISO 9073-2、ISO 12625-3、ISO 5084、ASTM D374、ASTM D1777、ASTM D3652、GB/T 6547、GB/T 24218.2、FEFCO No 3、EN 1942、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702中国《药品生产质量管理规范》（GMP）对软件的有关要求（可选配置）应用材料：基础应用：薄膜、薄片——各种塑料薄膜、薄片、隔膜等的厚度测定纸——各种纸张、纸板、复合纸板等的厚度测定扩展应用：金属片、硅片——硅片、箔片、各种金属片等的厚度测定瓦楞纸板——瓦楞纸板的厚度测定纺织材料——各类纺织材料如编织织物、针织物、涂层织物等的厚度测定非织造布——各类非织造布如尿不湿、卫生巾、医用口罩等的厚度测定其它材料——固体电绝缘材料、胶黏带、土工合成材料、橡胶等的厚度测定电池硅片厚度仪 硅片厚度测定仪 硅片厚度检测仪C640技术指标：① C640M型号参数：测试范围（标配）：0～2mm分辨率：0.1μm 重复性：0.8μm测量范围（选配）：0～6、0～12mm测量间距：0～1000mm（可设定）进样速度：1.5～80mm/s（可设定）附加功能：自动进样机：可选配置DataShieldTM数据盾：可选配置GMP计算机系统要求：可选配置测量方式：机械接触式测量压力及接触面积：薄膜：17.5±1 kPa、50 mm2纸张：100±1 kPa(标准配置) / 50±1 kPa（可选配置）、200 mm2电源：220-240VAC 50Hz/120VAC 60Hz外形尺寸：370mm（L）× 350mm（W）× 410mm（H）净重：26kg② C640H型号参数：测试范围（标配）：0～2mm分辨率：0.1μm 重复性：0.4μm测量范围（选配）：0～6、0～12mm测量间距：0～1000mm（可设定）进样速度：1.5～80mm/s（可设定）附加功能：自动进样机：可选配置DataShieldTM数据盾：可选配置GMP计算机系统要求：可选配置测量方式：机械接触式测量压力及接触面积：薄膜：17.5±1 kPa、50 mm2纸张：100±1 kPa(标准配置) / 50±1 kPa（可选配置）、200 mm2电源：220-240VAC 50Hz/120VAC 60Hz外形尺寸：370mm（L）× 350mm（W）× 410mm（H）净重：26kg

1.硅片简介：在微流控领域，硅片主要用于加工浇筑PDMS微流控芯片所用的模具。2.硅片参数：

MDPmap： 单晶和多晶硅片寿命测量设备用于复杂的材料研究和开发。 特点： ◇ 灵敏度：高的灵敏度，用于可视化迄今为止不可见的缺陷和调查外延层的情况 ◇ 测量速度：6英寸硅片5min，分辨率为1mm ◇ 寿命范围：20ns到几十ms ◇ 污染测定：源于坩埚和设备的金属（铁）污染 ◇ 测量能力：从切割好的硅片到完全加工的样品 ◇ 灵活性：固定的测量头可以与外部激光器连接并触发 ◇ 可靠性：模块化和紧凑型台式仪器，可靠性更高，正常运行时间99% ◇ 重复性： 99% ◇ 电阻率：电阻率测绘，无需频繁校准 技术规格: 样品尺寸 直径达300mm（标准台），直径达450mm（定制），*小为5 x 5mm 寿命测量范围 20ns至几十ms以上 电阻率 0.2 - 10³ Ωcm，p-型/n-型 样品材料 硅片、外延层、部分或完全加工的硅片、化合物半导体及更多材料 可测量的特性 寿命 - μ-PCD/MDP (QSS), 光导率 激发波长 选择从355nm到1480nm的*多四个不同波长。980nm(默认) 尺寸规格 体积：680 x 380 x 450毫米；重量：约65公斤 电源 100 - 250V, 50/60 Hz, 5 A 细节：◇ 用于研发或生产监控的灵活测绘工具 ◇ MDPmap被设计成一个紧凑的台式非接触电学表征工具，用于离线生产控制或研发，在稳态或短脉冲激励（μ-PCD）下，在一个宽的注入范围内测量参数，如载流子寿命、光导率、电阻率和缺陷信息。自动化的样品识别和参数设置允许轻松适应各种不同的样品，包括外延层和经过不同制备阶段的晶圆，从原生晶圆到高达95%的金属化晶圆。 ◇ MDPmap的主要优点是它的高度灵活性，例如，它允许集成多达四个激光器，用于测量从较低到高的注入水平的寿命，或通过使用不同的激光波长提取深度信息。包括偏置光设施，以及μ-PCD或稳态注入条件的选项。可以用不同的地图进行客户定义的计算，也可以输出主要数据进行进一步评估。对于标准的计量任务，预定义的标准只需按下一个按钮就能进行常规测量。 附加选项： ◇ 光斑大小的变化 ◇ 电阻率测量（晶圆） ◇ 方块电阻 ◇ 背景/偏光 ◇ 反射测量（MDP） ◇ 太阳能电池的LBIC（扩散长度测量） ◇ 偏压MDP ◇ 参考晶圆 ◇ 硅的内部/外部铁制图 ◇ 集成加热台 ◇ 灵活的激光器配置 MDPmap 测量案例： 钝化多晶硅的寿命图 多晶硅的铁污染图 单晶硅的硼氧图 单晶硅的缺陷密度图 碳化硅外延片（＞10μm）-少数载流子寿命mapping图（平均寿命τ=0.36μs） 高阻硅片（＞10000Ωcm）-少数载流子寿命mapping图 非钝化硅外延片（20μm）-少数载流子寿命mapping图 MDPmap 应用：铁浓度测定 铁的浓度的精确测定是非常重要的，因为铁是硅中丰富也是有害的缺陷之一。因此，有必要尽可能准确和快速地测量铁浓度，具有非常高的分辨率且**是在线的 更多...... 掺杂样品的光电导率测量 B和P的掺杂在微电子工业中有许多应用，但到目前为止，没有方法可以在不接触样品和由于必要的退火步骤而改变其性质的情况下检查这些掺杂的均匀性。迄今为止的困难…… 更多...... 陷阱浓度测定 陷阱中心是非常重要的，为了了解材料中载流子的行为，也可以对太阳能电池产生影响。因此，需要以高分辨率测量这些陷阱中心的陷阱密度和活化能。 更多...... 注入相关测量 少数载流子寿命强烈依赖于注入(过剩余载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出掺杂复合中心和俘获中心的信息。 更多......

KW-4B型匀胶机(自动型)产品特色 具有电机进胶保护功能； 数字按键，转速与时间设定方便、精确； 全机身采用镜面 304 不锈钢； 一键式操作，电机停止自动释片。1、调速范围和匀胶时间 Ⅰ档　调速范围：50-10000转／分　　 Ⅰ档　匀胶时间：0-999秒 Ⅱ档　调速范围：50-10000转／分　　Ⅱ档　匀胶时间：0-999秒 2、适用：Φ5-Φ120mm硅片及其它材料等匀胶。 3、双LED数字显示，带倒JI时显示功能，采用闭环调节方式，转速稳定度：±0.5％，胶的均匀性：±1％。 4、单按键控制电机启动，暂停，复位，单片机延时控制电磁阀启动与停止。 5、电机功率：40W，单相100-250V供电 6、真空泵抽气速率≥60升／分 7、全机身采用不锈钢材质，防酸，防碱，防盐雾 8、仪器尺寸：210×220×160mm

太阳能电池硅片测厚仪 硅片厚度测试仪 电池薄膜厚度仪采用机械接触式测量方式，严格符合标准要求，有效保证了测试的规范性和准确性。专业适用于量程范围内的塑料薄膜、薄片、隔膜、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度精确测量。Labthink兰光，致力于通过包装检测技术提升和检测仪器研发帮助客户应对包装难题，助力包装相关产业的品质安全。了解关于更多相关信息，您可以登陆济南兰光公司网站查看具体信息或致电咨询。Labthink兰光期待与行业中的企事业单位增进技术交流与合作。太阳能电池硅片测厚仪 硅片厚度测试仪 电池薄膜厚度仪技术特征：严格按照标准设计的接触面积和测量压力，同时支持各种非标定制测试过程中测量头自动升降，有效避免了人为因素造成的系统误差支持自动和手动两种测量模式，方便用户自由选择实时显示测量结果的最大值、最小值、平均值以及标准偏差等分析数据，方便用户进行判断配置标准量块用于系统标定，保证测试的精度和数据一致性系统支持数据实时显示、自动统计、打印等许多实用功能，方便快捷地获取测试结果系统由微电脑控制，搭配液晶显示器、菜单式界面和PVC操作面板，方便用户进行试验操作和数据查看标准的RS232接口，便于系统与电脑的外部连接和数据传输支持LystemTM实验室数据共享系统，统一管理试验结果和试验报告执行标准：ISO 4593、ISO 534、ISO 3034、GB/T 6672、GB/T 451.3、GB/T 6547、ASTM D374、ASTM D1777、TAPPI T411、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702、 BS 3983、BS 4817技术指标：负荷量程：0～2 mm（常规）　　　　　0～6 mm；12 mm （可选）分辨率：0.1 μm测量速度：10 次/min （可调）测量压力：17.5±1 KPa（薄膜）；50±1 KPa（纸张）接触面积：50 mm2（薄膜）；200 mm2（纸张）　　　　　注：薄膜、纸张任选一种；非标可定制电源：220VAC 50Hz / 120VAC 60Hz外形尺寸：461mm(L)×334mm(W)×357mm(H)净重：32kg仪器配置：标准配置：主机、标准量块一件选购件：专业软件、通信电缆、测量头、配重砝码、微型打印机

普创-硅片厚度测试仪-PTT-03A 普创-硅片厚度测试仪-PTT-03A 是一款高精度接触式薄膜、薄片厚度测量仪器；适用于金属片、塑料薄膜、薄片、纸张、 橡胶、电池隔膜、箔片、无纺布、土工布、硅片等各种材料的厚度精确测量。 技术参数：测量范围 0～2mm(标准)，0～6mm，0～12mm(可选) 分辨率 0.1μm （1μm可选） 测试速度 1～25次/min 测量头平行度 ±0.2μm（机械调整，量块校验） 精度 ±＜0.3μm 测量压力 17.5±1kPa(薄膜)；50±1kPa(纸张)；其它测试可定制 接触面积 球形接触 电源 AC220V50Hz/ AC120V60Hz 外形尺寸 300mm(L)×400mm(W)×435mm(H) 约净重 30Kg普创-塑料薄膜测厚仪-PTT-03A产品标准：GB/T 6672、GB/T 451.3、GB/T 6547、ASTM D645、ASTM D374、ASTM D1777、TAPPI T411、ISO 4593、ISO 534、ISO 3034、DIN 53105、 DIN 53353、JIS K6250、JIS K6328、JIS K6783、JIS Z1702、BS 3983、BS 4817 ISO 4593、ISO 534、ASTM D6988、ASTM F2251、GB/T 6672、GB/T 451.3、TAPPI T411、BS 2782-6、DIN 53370、ISO 3034、ISO 9073-2、ISO 12625-3、ISO 5084、ASTM D374、ASTM D1777、 ASTM D3652、GB/T 6547、GB/T 24218.2、FEFCO No 3、EN 1942、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702普创-塑料薄膜测厚仪-PTT-03A产品应用：测厚仪适用于金属片、塑料薄膜、薄片、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度精确测量。产品特征：测头采用标准M2.5螺纹连接方式，可连接各种形式百分表，千分表表头进行测量； 可拆卸螺纹连接配重块，可满足各种标准要求及非标压力定制； 嵌入式高速微电脑芯片控制，简洁高效的人机交互界面，为用户提供舒适流畅的操作体验 标准化，模块化，系列化的设计理念，可最大限度的满足用户的个性化需求触控屏操作界面 7寸高清彩色液晶屏，实时显示测试数据及曲线 进口高速高精度采样芯片，有效保证测试准确性与实时性 内置微型打印机，可实现实时历史数据打印功能 标准的RS232接口，便于系统与电脑的外部连接和数据传输 严格按照标准设计的接触面积和测量压力，同时支持各种非标定制高精度测厚传感器，精度高重现性好 可采用标准厚度计量工具标定、检验 多种测试量程可选实时显示测量结果的最大值、最小值、平均值以及标准偏差等分析数据，方便用户进行判断产品配置：标准配置：主机、微型打印机、标准量块一件 配种砝码、非标测量头、自动进样装置普创-硅片厚度测试仪-PTT-03A 普创-硅片厚度测试仪-PTT-03A

普创-塑料薄膜厚度测定仪-PTT-03A是一款高精度接触式薄膜、薄片厚度测量仪器；适用于金属片、塑料薄膜、薄片、纸张、 橡胶、电池隔膜、箔片、无纺布、土工布、硅片等各种材料的厚度精确测量。 技术参数：测量范围 0～2mm(标准)，0～6mm，0～12mm(可选) 分辨率 0.1μm （1μm可选） 测试速度 1～25次/min 测量头平行度 ±0.2μm（机械调整，量块校验） 精度 ±＜0.3μm 测量压力 17.5±1kPa(薄膜)；50±1kPa(纸张)；其它测试可定制 接触面积 球形接触 电源 AC220V50Hz/ AC120V60Hz 外形尺寸 300mm(L)×400mm(W)×435mm(H) 约净重 30Kg普创-塑料薄膜测厚仪-PTT-03A产品标准：GB/T 6672、GB/T 451.3、GB/T 6547、ASTM D645、ASTM D374、ASTM D1777、TAPPI T411、ISO 4593、ISO 534、ISO 3034、DIN 53105、 DIN 53353、JIS K6250、JIS K6328、JIS K6783、JIS Z1702、BS 3983、BS 4817 ISO 4593、ISO 534、ASTM D6988、ASTM F2251、GB/T 6672、GB/T 451.3、TAPPI T411、BS 2782-6、DIN 53370、ISO 3034、ISO 9073-2、ISO 12625-3、ISO 5084、ASTM D374、ASTM D1777、 ASTM D3652、GB/T 6547、GB/T 24218.2、FEFCO No 3、EN 1942、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702普创-塑料薄膜测厚仪-PTT-03A产品应用：测厚仪适用于金属片、塑料薄膜、薄片、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度精确测量。产品特征：测头采用标准M2.5螺纹连接方式，可连接各种形式百分表，千分表表头进行测量； 可拆卸螺纹连接配重块，可满足各种标准要求及非标压力定制； 嵌入式高速微电脑芯片控制，简洁高效的人机交互界面，为用户提供舒适流畅的操作体验 标准化，模块化，系列化的设计理念，可最大限度的满足用户的个性化需求触控屏操作界面 7寸高清彩色液晶屏，实时显示测试数据及曲线 进口高速高精度采样芯片，有效保证测试准确性与实时性 内置微型打印机，可实现实时历史数据打印功能 标准的RS232接口，便于系统与电脑的外部连接和数据传输 严格按照标准设计的接触面积和测量压力，同时支持各种非标定制高精度测厚传感器，精度高重现性好 可采用标准厚度计量工具标定、检验 多种测试量程可选实时显示测量结果的最大值、最小值、平均值以及标准偏差等分析数据，方便用户进行判断产品配置：标准配置：主机、微型打印机、标准量块一件 配种砝码、非标测量头、自动进样装置普创-硅片测厚仪-PTT-03A 普创-硅片测厚仪-PTT-03A

太阳能硅片分选仪是为硅片和电池片生产线提供全面质量认证、按需分选的在线、高速、全自动检测设备。超纳仪器的太阳能硅片分选仪具备的快速检测、自动分选能力为大规模太阳能硅片生产流水线所要求的精确、快速、可靠的质量控制提供了保障。 超纳仪器的硅片穿孔和崩边双面检测技术比现有的太阳能行业里解析度更高的光学检测能力。它的高解析度是在同等的在线检测产能下完成的，其隐裂检测采用高达五千万像素的红外透视检测技术来检测微小的缺陷。超纳仪器的系统软件灵活，能随时升级并提供完整的检测产品综合报告和极为有用的品质分析数据。可靠、直观的触摸式屏幕和简易明了的系统操作软件极大地简化了操作人员的培训。

PFA花篮花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。英特格6英寸晶圆盒晶圆运输盒（ entegris PFA carrier）6英寸PFA cassette 高帮进口PFA材质6英寸清洗花篮为最大晶圆片提供支撑和保护作用，A194-60MB 晶圆运输盒对晶圆加工中的常用化学品都是耐受的。包括酸（盐酸，硫酸，氢氟酸和硝酸），碱（氢氧化钠，氢氧化钾，氢氧化铵，过氧化氢），醇，酮，氯化溶剂和氟利昂。温度限制：高温晶圆高温硅片输入极限温度为290℃。连续使用极限温度120℃。晶圆容量：25片型号:A194-60MB

衍射实验中的一个关键参数是信噪比和相关可实现的分辨率。Suna硅片允许以最小的背景散射水平进行衍射实验。根据芯片的尺寸和几何形状，它们可以容纳200000个微晶进行连续晶体学实验。由于使用了单晶硅衬底，芯片本身除了分辨率低于3.2 &angst 的布拉格反射位置外，不会造成任何背景散射。孔隙结构还允许通过印迹高效去除多余的液体。因此，使用我们的芯片获得的衍射结果通常比传统环路安装获得的质量更高。&bull 膜面积：4个隔室，1.7 x 2.4mm2&bull 用于室内连续晶体学实验&bull 安装在标准磁性底座上

衍射实验中的一个关键参数是信噪比和相关可实现的分辨率。Suna硅片允许以最小的背景散射水平进行衍射实验。根据芯片的尺寸和几何形状，它们可以容纳200000个微晶进行连续晶体学实验。由于使用了单晶硅衬底，芯片本身除了分辨率低于3.2 &angst 的布拉格反射位置外，不会造成任何背景散射。孔隙结构还允许通过印迹高效去除多余的液体。因此，使用我们的芯片获得的衍射结果通常比传统环路安装获得的质量更高。&bull 膜面积： 1.5 x 2.5 mm2&bull 用于低温的连续晶体学应用&bull 安装在标准磁性底座上

普创-高精度硅片厚度检测仪-PTT-03A 普创-硅片厚度测试仪-PTT-03A 是一款高精度接触式薄膜、薄片厚度测量仪器；适用于金属片、塑料薄膜、薄片、纸张、 橡胶、电池隔膜、箔片、无纺布、土工布、硅片等各种材料的厚度精确测量。 技术参数：测量范围 0～2mm(标准)，0～6mm，0～12mm(可选) 分辨率 0.1μm （1μm可选） 测试速度 1～25次/min 测量头平行度 ±0.2μm（机械调整，量块校验） 精度 ±＜0.3μm 测量压力 17.5±1kPa(薄膜)；50±1kPa(纸张)；其它测试可定制 接触面积 球形接触 电源 AC220V50Hz/ AC120V60Hz 外形尺寸 300mm(L)×400mm(W)×435mm(H) 约净重 30Kg普创-塑料薄膜测厚仪-PTT-03A产品标准：GB/T 6672、GB/T 451.3、GB/T 6547、ASTM D645、ASTM D374、ASTM D1777、TAPPI T411、ISO 4593、ISO 534、ISO 3034、DIN 53105、 DIN 53353、JIS K6250、JIS K6328、JIS K6783、JIS Z1702、BS 3983、BS 4817 ISO 4593、ISO 534、ASTM D6988、ASTM F2251、GB/T 6672、GB/T 451.3、TAPPI T411、BS 2782-6、DIN 53370、ISO 3034、ISO 9073-2、ISO 12625-3、ISO 5084、ASTM D374、ASTM D1777、 ASTM D3652、GB/T 6547、GB/T 24218.2、FEFCO No 3、EN 1942、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702普创-塑料薄膜测厚仪-PTT-03A产品应用：测厚仪适用于金属片、塑料薄膜、薄片、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度精确测量。产品特征：测头采用标准M2.5螺纹连接方式，可连接各种形式百分表，千分表表头进行测量； 可拆卸螺纹连接配重块，可满足各种标准要求及非标压力定制； 嵌入式高速微电脑芯片控制，简洁高效的人机交互界面，为用户提供舒适流畅的操作体验 标准化，模块化，系列化的设计理念，可最大限度的满足用户的个性化需求触控屏操作界面 7寸高清彩色液晶屏，实时显示测试数据及曲线 进口高速高精度采样芯片，有效保证测试准确性与实时性 内置微型打印机，可实现实时历史数据打印功能 标准的RS232接口，便于系统与电脑的外部连接和数据传输 严格按照标准设计的接触面积和测量压力，同时支持各种非标定制高精度测厚传感器，精度高重现性好 可采用标准厚度计量工具标定、检验 多种测试量程可选实时显示测量结果的最大值、最小值、平均值以及标准偏差等分析数据，方便用户进行判断产品配置：标准配置：主机、微型打印机、标准量块一件 配种砝码、非标测量头、自动进样装置普创-高精度硅片厚度检测仪-PTT-03A 普创-高精度硅片厚度检测仪-PTT-03A

电池硅片测厚仪_薄膜测厚仪CHY-CA薄膜测厚仪采用机械接触式测量原理，严格按照标准方法进行测量，有效保证了测试的规范性和准确性。专业适用于量程范围内的塑料薄膜、薄片、隔膜、纸张、箔片、硅片等各种材料的厚度测量。产品特点◎ 微电脑控制系统，大液晶显示、PVC操作面板，方便用户进行试验操作和数据查看。◎ 严格按照标准设计的接触面积和测量压力，同时支持各种非标定制。◎ 测试过程中测量头自动升降，有效避免了人为因素造成的系统误差。◎ 支持自动和手动两种测量模式，方便用户自由选择。◎ 系统自动进样，进样步距、测量点数和进样速度等相关参数均可由用户自行设定。◎ 实时显示测量结果的Z大值、Z小值、平均值以及标准偏差等分析数据，方便用户进行判断。◎ 配置标准量块用于系统标定，保证测试的精度和数据一致性。◎ 系统支持数据实时显示、自动统计、打印等许多实用功能，方便快捷地获取测试结果。◎ 标准的USB接口，便于系统与电脑的外部连接和数据。电池硅片测厚仪_薄膜测厚仪测试原理CHY-CA薄膜测厚仪采用机械接触式测量原理，截取一定尺寸的式样；通过控制面板按钮，调节测量头降落于式样之上；依靠两个接触面产生的压力和两接触面积通过传感器测得的数值测量材料的厚度。测试标准该仪器符合多项国家和国标标准：ISO 4593、ISO 534、ISO 3034、GB/T 6672 、GB/T 451.3、 GB/T 6547、 ASTM D374、ASTM D1777TAPPI T411、JIS K6250、JIS K6783、JIS Z1702、 BS 3983、BS 4817。 售后服务承诺三月内只换不修，一年质保，终身提供。快速处理，1小时内响应问题，1个工作日出解决方案。 体系荣誉资质ISO9001：2008质量体系认证、计量合格确认证书、CE认证、软件著作权、产品实用新型、外观设计。实力铸造品牌三大研发中心，两条独立生产线，一个综合体验式实验室。赛成自2007年创立至今，全球用户累计成交产品破万台，完善四大产品体系，50多种产品。

大尺寸匀胶机，尺寸范围：500-500，厚度8mm匀胶机主轴速度：3500RPM500*500方片玻璃片匀胶机M+500C可增加功能有：自动供液系统 -自动排风系统-自动背洗功能。 在半导体领域，500*500方片玻璃片匀胶机M+500C同样具有重要的应用。在半导体制造和加工中发挥关键作用，主要涉及到半导体芯片的制备和封装过程。以下是半导体领域中方片玻璃匀胶机的一些关键方面：1.光刻工艺： 在半导体制造中，光刻工艺是一项关键步骤，用于将电路图案转移到硅片上。方片玻璃匀胶机在这一过程中用于涂布光刻胶，确保光刻胶在硅片表面均匀分布，以便进行后续的光刻曝光和刻蚀。2.封装工艺： 方片玻璃匀胶机还在半导体封装工艺中发挥作用。在芯片封装过程中，需要将芯片与封装材料粘合在一起，以提供保护和连接。匀胶机用于涂布胶水，确保封装材料与芯片之间形成均匀的胶层。3.胶水选型： 在半导体领域，胶水的选型尤为重要。这可能涉及到耐高温、低残留物、尺寸稳定性等特殊要求，以满足半导体制造的严格标准。4.精准度要求： 半导体制造对于芯片的精准度要求非常高，因此方片玻璃匀胶机在涂布胶水时需要具备高精度的控制系统，以确保胶层的均匀性和厚度一致。5.自动化和集成： 在半导体制造中，自动化和工艺集成是关键趋势。先进的方片玻璃匀胶机可能具有自动化调整和集成控制，以适应多样化的半导体制造需求。总体而言，半导体领域的方片玻璃匀胶机在制备芯片和封装过程中发挥着关键作用，对于确保制程的精准性和稳定性至关重要。

4英寸氮化镓厚膜晶片尺寸： φ100±0.1mm厚度： 4μm、20μm电阻率（300K）: N型（非掺杂）＜0.5Ωcm2英寸氮化镓厚膜晶片尺寸： φ50.8±0.1mm厚度： 4μm、20μm电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.5Ωcm2英寸氮化铝厚膜晶片尺寸： φ50.8±0.1mm厚度： 4±1.5μm导电类型：Semi-Insulating2英寸氮化镓自支撑晶片尺寸： φ50.8±1mm厚度： 350±25μm电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ωcm10×10.5mm2氮化镓自支撑晶片尺寸： 10.0×10.5mm2厚度： 350±25μm电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ωcm非极性/半极性氮化镓自支撑晶片尺寸： （5.0~10.0）×10.0/20.0mm2厚度： 350±25μm电阻率（300K）： N型（非掺杂）＜0.1Ωcm

产品性能:少子寿命测试仪性能参数： 测量原理： QSSPC（准稳态光电导）；少子寿命测量范围： 100 ns-10 ms；测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析；电阻率测量范围： 3–600 (undoped) Ohms/sq.；注入范围：1013-1016cm-3；感测器范围： 直径40-mm；测量样品规格 标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；硅片厚度范围： 10–2000 μm；外界环境温度： 20°C–25°C；功率要求： 测试仪: 40W， 电脑控制器：200W ，光源：60W；通用电源电压： 100–240 VAC 50/60 Hz；主要特点:　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm　　全自动操作及数据处理　　对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭　　可以选择测试样品上任意位置　　能提供专利的表面化学钝化处理方法　　对各道工序的样品均可进行质量监控：　　硅棒、切片的出厂、进厂检查　　扩散后的硅片　　表面镀膜后的硅片以及成品电池少子寿命测试仪技术参数：FAQ:用途、光伏,硅片检测包装、纸质包装售后服务:一年保修,终身维护 用途、光伏测试包装、纸质包装售后服务一年保修

产品性能:少子寿命测试仪性能参数： 测量原理： QSSPC（准稳态光电导）；少子寿命测量范围： 100 ns-10 ms；测试模式：QSSPC,瞬态，寿命归一化分析；电阻率测量范围： 3–600 (undoped) Ohms/sq.；注入范围：1013-1016cm-3；感测器范围： 直径40-mm；测量样品规格 标准直径: 40–210 mm （或更小尺寸）；硅片厚度范围： 10–2000 μm；外界环境温度： 20°C–25°C；功率要求： 测试仪: 40W， 电脑控制器：200W ，光源：60W；通用电源电压： 100–240 VAC 50/60 Hz；主要特点:　　适应低电阻率样片的测试需要，最小样品电阻率可达0.1ohmcm　　全自动操作及数据处理　　对太阳能级硅片，测试前一般不需钝化处理　　能够测试单晶或多晶硅棒、片或硅锭　　可以选择测试样品上任意位置　　能提供专利的表面化学钝化处理方法　　对各道工序的样品均可进行质量监控：　　硅棒、切片的出厂、进厂检查　　扩散后的硅片　　表面镀膜后的硅片以及成品电池少子寿命测试仪技术参数：FAQ:用途、光伏,硅片检测包装、纸质包装售后服务:一年保修,终身维护 用途、光伏测试包装、纸质包装售后服务一年保修

PTFE（四氟）花篮 一、产品介绍PTFE也称：四氟、聚四氟乙烯、特氟龙、F4、Teflon；我单位的四氟产品是采用高纯实验级的聚四氟乙烯加工而成。四氟花篮适用于半导体、多晶硅、新能源、新材料、太阳能等行业；一般用于太阳能硅片摆放，清洗，泡酸拿上来等。二、产品特性：1.外观纯白色。2.耐高低温性：可使用温度-200℃～＋250℃。3.耐腐蚀：耐强酸、强碱、王水和各种有机溶剂，且无溶出、吸附和析出现象。4.防污染：金属元素空缺值低。5.绝缘性：不受环境及频率的影响，介质损耗小，击穿电压高。6.耐大气老化，耐辐照和较低的渗透性。7.自润滑性：具有塑料中小的摩擦系数。8.表面不粘性：是一种表面能小的固体材料。9.机械性质较软，具有非常低的表面能。三、规格尺寸：材质：聚四氟乙烯；规格：46x46mm双排槽，把手长80mm，一次可以清洗十片4X20mm的样品，适合放在200ml以上容量的烧杯内使用。可以根据客户需要定做聚四氟乙烯仪器，设计合适的清洗架/花篮

工作原理：设备配备上下两个NIR探测器，通过获得探测器位置和硅片反射，得到TT厚度，再通过NIR穿透DC tape获得DC tape厚度T2，从而得到硅片厚度T1的数据。技术参数NIR 影像定位厚度量測模組 (Wavelegnth 840um )1. 最大量測 1,000 um2. 單層最小量測厚度: 10 um3. 單層量測解析度 0.35 um4. 顯示解析 0.01 um5. 單層量測重複精度a. (含厚度直線誤差的單點量點重覆精度)單層厚度 50 um : ± 0.01 x測量值單層厚度= 50 um : ± 0.5 umb. (不含厚度直線誤差的單點量點重覆精度) 20±1度C, 重覆精度 ± 0.5 um當環境溫度與振動更穩定, 量測樣品粗糙度達Rz0.1um下, 重覆精度可達± 0.1 um上層超薄膜量測模組1. 量測點大小: 40um2. 最大薄膜量測厚度 : 50um3. 最小薄膜量測厚度: 1um4. 顯示最小解析 : 0.01um5. 複測量精度 : +0.25um6. 高解析可見光譜儀设备可同时加装白光干涉镜头，实现3D扫描和量测

硅片表面形貌测量VIT系列NEW: Virtual Interface Technology for 3D-IC Metrology:-TSV profile (depth, & bottom CD, tilt, SWA)-Residue Detection-RST-Copper Nail Height-Bump Height and Cu pillar height-Edge trim profile3DIC TSV and BWS TTV硅片表面形貌测量Film Stress薄膜应力量测仪FEOL Electrical Characterization 电学特性Thin wafer metrology 晶圆测量学Film Adhesion漆膜附着力测试NEW: Virtual Interface Technology for 3D-IC Metrology:-TSV profile (depth, & bottom CD, tilt, SWA)-Residue Detection-RST-Copper Nail Height-Bump Height and Cu pillar height-Edge trim profile

仪器简介： 美国MTI公司为半导体行业硅片几何参数测量技术-电容探头领域的佼佼者，与昔日的ADE齐名：为世界半导体业硅片几何参数测量的标准测试设备；为纳斯达克上市企业。 主要参数： 1. Diameter: 150mm,200mm,300mm 2. Material: All semiconducting,and semi-insulating matrrials 3.Surfaces: As-Cut, Lapped, Etched,Polished,Patterned Bare wafer/Quartz Base,Tape 4.Thickness: (ASTM F533),Range-+/-500um Accracy-+/-0.25um Repeatability-0.050um 5.TTV: (ASTM F533) Range-+/-500um Accuracy-+/-0.050um Repeatablity-0.050um 6.Bow:(ASTM F1390) Range-+/-250um Accuracy-+/-2.0um Repeatabiligy-0.75um 7.Flatness(Global)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy-+/-0.05um Repeatbility-0.030um 8.Flatness(Site)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy: +/-0.05um Repeatbiligy:0.030um设备：Proforma 300SA：半自动大12寸晶圆几何参数测量仪；Proforma 200SA：半自动型大8寸晶圆几何参数测试仪； 测试数据/结果例子：23-Sep-2013 Wafer Summary Report Page:1.00 Operator: Administrator Lot Number:DK Wafer 200mm Passed:4 Measurement Date:09/23/2013 Recipe: 200mm,33,m,1notch,1-29-13 1 run Failed:0 Measurement Time:17:51:58 Yield:100.0% WaferWafer CenterAvgMinMax 3PTLSQ3PTLSQ MaxMaxMaxMaxMaxMaxMaxMax% SitesNumberIDThicknessThicknessThicknessThicknessTTVBowBowWarpWarpSoriGBIRGF3RGFLRGBIDGF3DGFLDSBIRSF3RSFLRSFQRSBIDSF3DSFLDSFQDPassed (uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM)(uM) Low Limit High Limit 1.00shiny side729.56729.15728.83729.650.82-0.20-2.2118.3217.7417.720.820.760.750.820.630.480.290.300.300.130.210.200.200.07100.002.00dull side729.60729.14728.77729.730.963.855.5917.3417.3217.560.960.770.770.960.640.540.320.340.340.190.260.250.250.13100.003.00shiny side729.52729.10728.77729.610.840.33-1.5516.7517.3017.270.840.750.740.840.610.480.340.330.330.130.190.190.190.09100.004.00dull side729.54729.10728.76729.680.923.295.3417.2117.2917.530.920.790.760.920.610.530.290.270.280.180.270.260.260.10100.00 Minimum729.52729.10728.76729.610.82-0.20-2.2116.7517.2917.270.820.750.740.820.610.480.290.270.280.130.190.190.190.07100.00 Maximum729.60729.15728.83729.730.963.855.5918.3217.7417.720.960.790.770.960.640.540.340.340.340.190.270.260.260.13100.00 Average729.56729.12728.78729.670.891.821.7917.4117.4117.520.890.770.760.890.620.510.310.310.310.160.230.230.230.10100.00 Std Dev0.0300.0220.0280.0440.0561.7723.6810.5730.1900.1620.0560.0150.0120.0560.0140.0250.0220.0290.0250.0250.0320.0290.0300.0210.000 200SA/300SA操作界面，3D图形貌显示技术参数： 1. Diameter: 150mm,200mm,300mm 2. Material: All semiconducting,and semi-insulating matrrials 3.Surfaces: As-Cut, Lapped, Etched,Polished,Patterned Bare wafer/Quartz Base,Tape 4.Thickness: (ASTM F533),Range-+/-500um Accracy-+/-0.25um Repeatability-0.050um 5.TTV: (ASTM F533) Range-+/-500um Accuracy-+/-0.050um Repeatablity-0.050um 6.Bow:(ASTM F1390) Range-+/-250um Accuracy-+/-2.0um Repeatabiligy-0.75um 7.Flatness(Global)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy-+/-0.05um Repeatbility-0.030um 8.Flatness(Site)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy: +/-0.05um Repeatbiligy:0.030um主要特点： 1. Diameter: 150mm,200mm,300mm 2. Material: All semiconducting,and semi-insulating matrrials 3.Surfaces: As-Cut, Lapped, Etched,Polished,Patterned Bare wafer/Quartz Base,Tape 4.Thickness: (ASTM F533),Range-+/-500um Accracy-+/-0.25um Repeatability-0.050um 5.TTV: (ASTM F533) Range-+/-500um Accuracy-+/-0.050um Repeatablity-0.050um 6.Bow:(ASTM F1390) Range-+/-250um Accuracy-+/-2.0um Repeatabiligy-0.75um 7.Flatness(Global)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy-+/-0.05um Repeatbility-0.030um 8.Flatness(Site)(ASTM F1530) Rang:8mm Accuracy: +/-0.05um Repeatbiligy:0.030um