光子晶体泵

近年来，钙钛矿型闪烁体及钙钛矿型 X 射线直接探测器被广泛研究及报道。在发光闪烁体层面，钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得，成本极低，且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面，铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点，在 X 射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。卓立汉光能够提供基于 X 射线的稳态发光光谱，荧光寿命，瞬态光谱以及 X 射线探测成像的相关测量方案。能够提供全套涵盖 X 射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量（CMOS 成像，单像素成像，TFT 面阵成像）、辐射剂量表、辐射安全防护等，辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》（GBZ115-2023）。如下陈述我们几种测量方案及相关配置明细( 一 ) 稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒 X 射线和 TCSPC 测量原理的方法纳秒脉冲 X 射线 稳态和寿命测量数据( 二 ) X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲 X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵 X 射线成像 成像测量结果( 三 ) 技术参数稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法包含：皮秒脉冲激光器、光激发X 射线管、TCSPC 或条纹相机。 由皮秒脉冲激光器激发“光激发X 射线管”发射出X-ray 作用于样品上，样品发射荧光，经光谱仪分光之后，由探测器探测光信号，数据采集器读取数据。皮秒X 射线测量荧光寿命原理图纳秒脉冲X 射线150KV 纳秒脉冲X 射线* 安全距离要求：a：3 米，b：6 米，c：30 米稳态和寿命测量数据NaI 样品在管电压50KeV，不同管电流激发下的辐射发光光谱 纳秒X 射线激发的荧光衰减曲线X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵X 射线成像TFT 传感芯片规格TFT 读取系统规格成像测量结果 CMOS 成像实物图分辨率指标：TYP39 分辨率卡的X 射线图像。测试1mm 厚的YAG(Ce) 时，分辨率可以优于20lp/mm 手机充电头成像测试密码狗成像测试技术参数稳态X 射线激发发光测量光源 能量：4-50KV，功率：0-50W 连续可调，靶材：钨靶，铍窗厚度 200μm样品位置辐射剂量：0-25Sv/h光路透射和反射双光路，可切换 光谱范围200-900nm（可扩展近红外）监视器内置监视器方便观察样品发光，可拍照快门可控屏蔽快门，辐射光源最大功率下，关闭快门，样品位置辐射剂量小于10uSv/h辐射防护满足国标《X 射线衍射仪和荧光分析仪卫视防护标准》（GBZ115-2023）样品支架配备粉末、液体、薄膜样品架成像测量模块成像面积：直径20mm（可定制更大面积：120mm×80mm）成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白，分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V)，像元尺寸：2.4μm×2.4μm，量子效率：84%@495nm，暗电流：0.001e-/pixel/s，制冷温度：-15℃，成像分辨率：优于20lp/mm瞬态X 射线激发发光测量光源皮秒脉冲X 射线源纳秒脉冲X 射线源*405nm ps 激光二极管：波长：100Hz-100MHz 可调，峰值功率：400mW@ 典型值，脉冲宽度：100ps光激发X 射线光管：辐射灵敏度：QE10%（@400nm），靶材：钨，操作电压：40KV，操作电流：10μA@ 平均值，50μA@ 最大值 电压：150KV脉冲宽度：50ns重复频率：10Hz平均输出剂量率：2.4mR/pulse数据采集器TCSPC 计数器条纹相机（同时获得光谱和寿命）示波器瞬时饱和计数率：100Mcps 时间分辨率(ps)：16/32/64/128/256/512/1024/…/33554432通道数：65535死时间：＜ 10ns支持稳态光谱采集数据接口：USB3.0最大量程：1.08μs @16ps，67.1μs@1024ps， 2.19s@33554432ps 光谱测量范围：200-900nm时间分辨率：=5ps,( 最小档位时间范围+ 光谱仪光路系统)探测器：同步扫描型通用条纹相机ST10测量时间窗口范围：500ps-100us( 十档可选)工作模式：静态模式，高频同步模式以及 低频触发模式；系统光谱分辨率：0.2nm@1200g/mm单次成谱范围：=100nm@150g/mm静态（稳态）光谱采集，瞬态条纹光谱成像及荧光寿命曲线采集模拟带宽：500 MHz通道数：4+ EXT实时采样率：5GSa/s( 交织模式），2.5GSa/s( 非交织模式)存储深度：250Mpts/ch( 交织模式)，125 Mpts/ch( 非交织模式) 寿命尺度500ps-10μs100ps-100μs 100ns-50msX 射线探测成像 方式CMOS 成像单像素探测器TFT 集成的面阵探测器配置成像耦合光路附件，样品测试夹具相机参数：颜色：黑白分辨率：20MP, 5472 (H) x 3648 (V) 像元尺寸：2.4μm×2.4μm量子效率：84%@495nm暗电流：0.001e-/pixel/s制冷温度：-15℃XY 二维电动位移台：XY5050：行程：X 轴50mm，Y 轴50mm，重复定位精度1.5μm，水平负载4Kg；XY120120：行程：X 轴120mm，Y 轴120mm，重复定位精度3μm，水平负载20KgTFT 阵列传感芯片（可提供直接型和间接型芯片）：背板尺寸（H×V×T）：44.64×46.64×0.5 mm，有源区尺寸（H×V）：32×32mm，分辨率（H×V）：64×64， 像素大小：500×500μmTFT 读出系统：成像规格：解析度：64 行×64 列，数据灰阶：支持256 灰阶显示，数据通信方式：WIFI 无线通讯，数据显示载体：手机/ 平板（Android 9.0以上操作系统、6GB 以上运行内存）辐射剂量测定辐射计量表探测器：塑料闪烁体, Ø 30x15 mm连续长期辐射：50 nSv/h ... 10 Sv/h连续短期辐射：5 μSv/h ... 10 Sv/h环境剂量当量测量范围：10 nSv ... 10 Sv连续的短时辐射响应时间：0.03 s相对固有误差：连续和短期辐射：±15% 最大137 Cs 灵敏度：70 cps/(μSvh-1 )剂量率变化0.1 to 1 μSv/h 的反应时间 ( 精度误差 ≤ ±10%) 2 s全光产额测量方案 闪烁晶体的光产额（也称为光输出或光子产额）是指晶体在受到电离辐射（如γ 射线、X 射线或粒子）激发后，发射光子（通常是可见光）的数量。光产额通常以每单位能量沉积产生的光子数来表示，单位可以是光子/MeV。光产额是衡量闪烁晶体性能的重要参数之一，它是衡量闪烁体材料性能的重要指标之一，也直接关系到该材料在实际应用中的灵敏度和效率。常见的闪烁晶体包括碘化钠（NaI），碘化铯（CsI），和氧化镧掺铈（LaBr3）等。不同的晶体材料会有不同的光产额，这取决于其发光机制、能带结构、以及材料的纯度和缺陷等因素。研究闪烁体材料的光产额对于提高其性能、拓展其应用具有重要的意义。一些常见闪烁晶体的光产额值如下：碘化钠（NaI(Tl)）：约38,000 photons/MeV氯化铯（CsI(Tl)）：约54,000 photons/MeV氧化铈掺杂的氧化镧（LaBr3）：约63,000 photons/MeV钇铝石榴石掺杂铈离子（YAG:Ce）：约14,000 photons/MeV 光产额越高，意味着该晶体能够在相同的能量沉积条件下产生更多的光子，从而在探测器中生成更强的信号，通常也会导致更好的能量分辨率。卓立汉光提供一整套包含同位素源、屏蔽铅箱（被测器件及光路）、光电倍增管、高压电源、闪烁体前置放大器、谱放大器、多道分析仪及测试软件，实现闪烁体的光产额测量。同位素源Na-22（或 Cs-137 可选），屏蔽铅箱（被测器件及光路），充分保证测试人员安全 光电倍增管 光谱范围：160-650nm，有效面积：46mm 直径，上升时间：≤ 0.8ns 高压稳压电源 提供：0-3000V 闪烁体前置放大器 :上升时间＜ 60ns积分非线性≤ ±0.02%计数率：250 mV 参考脉冲的增益偏移 0.25%，同时应用 65,000/ 秒的 200 mV 随机脉冲的额外计 数速率，前置放大器下降时间：信号源阻抗为 1 MΩ，则下降时间常数为 50 μs 谱放大器高性能能谱，适合所有类型的辐射探测器（Ge、Si、闪烁体等） 积分非线性（单极输出）: 从 0 到 +10V0.025%噪声：增益 100 时，等效输入噪声 5.0uV rms；手动模式下，增益＞ 1000 时，等效输入噪声 4.5uV rms；或者自动模式下，增益 100 时，等效输入噪声 6.0uV rms温度系数（0 到 50° C）单极输出：增益为 +0.005%/'C，双极输出：增益为 +0.07%/'C，直流电 平为 +30μV/° C误差：双极零交叉误差在 50:1 动态范围内 ±3 ns增益范围：2.5-1500 连接可调，增益是 COARSE（粗调）和 FINE GAIN（微调增益）的乘积。单极脉冲形状：可用开关为 UNIPOLAR（单极）输出端选择近似三角形脉冲形状或近似高斯脉冲形状。配置专用 3kv 高压电源 2K 通道多道分析仪ADC: 包括滑动标度线性化和小于 2us 的死区时间，包括存储器传输 积分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内≤士 0.025%。 差分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内小于士 1%。 增益不稳定性 : 士 50 ppm/° C死区时间校正 : 根据 Gedcke-Hale 方法进行的延长的实时校正。 USB 接口 :USB 2.0 到 PC 的数据传输速度最高可达 480Mbps操作电脑/ 光学平台 尺寸：1500*1200*800mm台面 430 材质，厚度 200mm，带脚轮。固有频率：7-18Hz，整体焊接式支架

NKT Photonics公司于2009年由世界大型的商业化微结构特种光纤供应商Crystal Fibre公司和业界前沿的窄线宽光纤激光器和连续谱白光光源制造商Koheras公司合并成立，隶属于丹麦有名的工业集团NKT Holding。近几年市场地位不断加强，收购Onefive，加快了NKT在快激光器领域的步伐。NKT 快激光器系列可提供从飞秒到皮秒的大范围脉冲长度，输出功率高达100W，提供固定或可调重复频率。NKT Photonics致力于研发、制造商用和工业级特种微结构光纤（光子晶体光纤）、高功率光纤放大器、连续谱白光激光器和窄线宽DFB光纤激光器。这些产品均已在众多领域得以应用，如：生物光子学、计量、光纤传感、相干通信、测试测量、高精度光谱学以及激光雷达等。利用光子晶体光纤技术制做的双包层光纤称为空气包层光纤，特点： 大模场面积单模光纤；可承受很高的峰值功率；高脉冲能量（单模时）；高泵浦数值孔径（0.6~0.7）；高的泵浦吸收效率（达30dB/m）；全硅结构（无聚合物，保证了良好的功率处理能力）；良好的温度特性；高可靠性。应用：高脉冲能量光纤放大器；光纤激光器；大模场面积，可以支持高功率水平；具有大数值孔径多模波导，可以有效收集反向散射光或者荧光。产品型号、参数：型号 纤芯直径[μm]内包层直径[μm]外包层直径[μm]涂覆层直径[μm]MFD[μm]纤芯NA@1μm泵浦吸收@976nm[dB/m]泵浦吸收@915nm[dB/m]泵NA@ 950nmDC-135-15-PM-Yb15 ± 1135 ± 5280±10345±2016 ± 10.055± 0.012.8~80.6 ± 0.05DC-200-40-PZ-Yb40 ± 2200 ± 5450±20540±3030 ± 2~0.03~10~30.55± 0.05DC-200-40-PZ-Si40 ± 2200 ± 5450±20540±3030 ± 2~0.03--0.55± 0.05aeroGAIN-ROD-PM55-Power55200 ± 101000±100NA45 ± 5-155 ± 0.5≥0.5aeroGAIN-ROD-PM85-Power85260± 101000±100NA65 ± 5-155 ± 0.5≥0.5

光子晶体波片1/2(1/4)光子晶体波片光子晶体波片简介： 日本 Photonic-lattice 公司成立于 1996 年，以日本东北大学的光子晶体的研究技术为核心，成立的合资公司，尤其是其光子晶体制造技术领先世界，并由此开发出的测量仪器。 类型工作波长有效区域尺寸波片1/2波片355nm12x12mm1/4波片偏振片1/2波片266nm1/4波片我们可以提供波长在240-1500nm范围内任何波长的光子晶体偏振片，目前266,355nm偏振片/波片是标准产品.

紫外空心光子晶体光纤 —— 可传输266-355nm紫外皮秒激光脉冲上海昊量光电设备有限公司推出一系列Kagome型中空光子晶体光纤，Kagome光纤是一种不依赖带隙导光的新型空心微结构光纤。UV波段空心光子晶体光纤（无暗化）结构设计灵活、损伤阈值高、损耗低（高透区损耗可低至~40dB/km）、支持宽带传输（100-500nm）。UV波段空心光子晶体光纤（无暗化）可通过改变纤芯所充气体及调节气压实现对光纤色散、非线性效应的有效调制，在强场物理、超强激光技术等领域研究中优势突出。我们的中空光子晶体光纤工作波段包含266nm-3μm范围内的大部分常见波长，主要包括266-355nm、405-450nm、515-532nm、780-800nm、1030-1064 nm、1550nm、2μm波段，具有近单模传输、低色散低损耗、承受功率高（可承受50W或者500μJ&百fs激光脉冲），宽波段传输等特点。主要应用包括激光微加工、激光脉宽压缩、激光频率转换等应用。关键词：紫外光子晶体光纤,UV 光子晶体光纤,Kagome 光子晶体光纤,Kagome光子晶体光纤,Kagome,反谐振,空心光子晶体光纤,空心光纤除了裸纤维，同时我们提供针对该系列空心光子晶体光纤的充气阀门，简化了相关用户的实验方案，如下图所示：下表为传输损耗和光纤色散优化在266nm-355nm波段的空心光子晶体光纤参数，如您需要其他波段，请联系上海昊量光电！PMC-C-UV Hollow-core Fiber optimized for 266-405nm rangePhysical PropertiesCore ContourHypocycloidInner core diameter25μm±1 or 40μm±1Output fiber diameter200μm or 230μm±1%Fiber coating diameter400μm ±30μmOptical Propertiescenter wavelength355nmAttenuation @355nm150dB/kmAttenuation @343nm150dB/kmDISPersion @343nm-355nm-5 5ps/nm.km 关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。

PHOTONIC CRYSTAL FIBER INTERFACING光子晶体光纤(PCF)连接头ALPhANOV是一个光学和激光技术中心，拥有光纤激光设计和熔接光纤组件的丰富经验。ALPhANOV与NKT Photonics合作，提供光子晶体光纤(PCF)的最终处理解决方案。例如光纤的准备，包括PCF接头、密封和PCF切割、端帽PCF 和 带模式适配器的PCF。ALPhANOV可以处理NKT Photonics的整个PCF产品线，范围从双覆层大模式面积光纤(例如DC-200/40-PZ-Yb和棒式光纤“rod-type fibers”)到被动PCF(例如空芯光纤和非线性光纤)。ALPhANOV公司的一个使命是帮助用户开发基于光学和激光的创新的产品。PCF的引入，经常会在性能、紧密度和可靠性方面有一些实质性的优势。通过与NKT Photonics的合作，ALPhANOV可以分享其与PCF使用者的经验，并帮助他们更快的得到创新的和高效的解决方案。 Photonics Crystal Fibers光子晶体光纤(PCF)HOLLOW-CORE FIBERS 空心光纤光子带隙(空芯)光纤在被微结构包围的空隙中传导光。光子晶体光纤(PCF)就是在石英中周期性排布空气孔形成的。光子带隙引导机制跟传统的全部内部反射引导原理是完全不同的。此新技术为无非线性影响和材料损伤的高功率传输提供了基础。 例如: HC-440 HC-532 HC-580 HC-800 HC-1060 HC-1550 HC-19-1550 HC-2000LARGE MODE AREA FIBERS大模式面积光纤大模式面积晶体光纤，涵盖了覆盖了用于衍射极限高功率传输的光纤，可以在一个大的波长范围内用于单模式操作——不停止的单模式操作。大模式面积使高功率能够在光纤中传输，而不会有材料损伤，或由光纤的非线性特性会导致的有害效应。例如: LMA-5 LMA-10 LMA-10-UV LMA-15 LMA-25 LMA-PM-5 LMA-PM-10 LMA-PM-15YTTERBIUM DOPED DOUBLE CLAD FIBERS掺镱双包层光纤 掺镱双包层光纤拥有最大的单模纤芯，可以放大到更大的功率水平，通知保证很好的模式质量和稳定性。例如: DC-135-14-PM-Yb DC-200/40-PZ-YbNONLINEAR FIBER非线性光纤优化用于超连续光谱产生和非线性波长转换，非线性光子晶体光纤可实现一种独特的定制色散图形和非常高的非线性系数的组合。例如: NL-PM-750 SC-5.0-1040 (PM)End-capping端帽SMALL END-CAPS小端帽用于所有的PCF光纤纯硅可选不同的直径和长度可选不同抛光角度小的端帽不仅可以保护光纤的微结构避免沾污和湿气，还可以在不改变N.A.的情况下降低输入和输出端的光束影响。S-end-cap S号端帽§ 端帽直径：125 μm§ 端帽长度：≤100 μm§ 抛光角度：0°§ 材料： 纯硅M-end-cap M号端帽§ 端帽直径：从125 μm 到 400 μm§ 端帽长度：≤400 μm§ 抛光角度：0°§ 材料： 纯硅L-end-cap L号端帽§ 端帽直径：从400 μm 到 1.5 mm§ 端帽长度： ≤1.5 mm§ 抛光角度：0°§ 材料： 纯硅端帽选配项目§ 抛光角度 (最大 12°) § 长度§ AR涂层* 特殊的端帽开发可与我们咨询5×5 MM END-CAPS 5×5 mm端帽用于高能量激光束用于LMA 或 DC 光纤锥形几何形状纯硅0°或 5°抛光角度，AR涂层这些端帽用于高能量系统。独特的几何形状可以可以实现光纤的紧密结合，从而提供了把他们容易的固定到支架上的可能性。规格§ 端帽直径: 5 mm§ 端帽长度: 5 mm§ 抛光角度: 5°或0°，AR@800-1300 nm§ 材料: 纯硅(其他AR涂层可与我们咨询)尺寸锥形端帽抛光0°，AR 涂层为800 nm - 1300 nm 锥形端帽抛光5° PCF connectors PCF接头FFC/PC connectorsFC/APC connectorsSMA connectorsSpecifications规格Standard end-cap diameterFiber clad diameterFiber clad diameter Fiber clad diameterStandard end-cap length100 μm100 μm100 μmPower limitations500 mW injection loss500 mW injection loss500 mW injection lossFerrule typeCeramicCeramicMetallicFerrule diameter2.5 mm2.5 mm3.2 mmPolished angle0°8°0-12°Options选配项On-demand end-cap lengthFrom 20 μm - 400 μmFrom 20 μm - 400 μmFrom 20 μm - 400 μmOn-demand end-cap diameterFrom fiber size to 400 μmFrom fiber size to 400 μmFrom fiber size to 400 μmPM alignmentFast or slow axisFast or slow axisFast or slow axisDimensions尺寸 SMA-1 connectorsSMA-2 connectorsSMA-6 connectorsSMA-AF connectorsSpecificationsStandard end-cap diameterFiber clad diameterFiber clad diameterFiber clad diameterFiber clad diameterStandard end-cap length100 μm100 μm100 μm100 μmPower limitations1 W injection loss2 W injection loss6 W injection loss200 W injection lossFerrule typeMetallicMetallicMetallicMetallicFerrule diameter3.2 mm3.2 mm3.2 mm3.2 mmPolished angle0-12° ±10-12° ±10-12° ±10-12° ±1OptionsOn-demand end-cap lengthFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmFrom 20 μm - 1.5 mmOn-demand end-cap diameterFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmFrom fiber size to 1.5 mmPM alignmentFast or slow axis

一,光子晶体光纤/高非线性微结构光纤/多孔光纤一,光子晶体光纤/高非线性微结构光纤/多孔光纤通过先进的光纤制备技术我们可以制备超非线性光子晶体光纤。基于高占空比结构设计，光纤具有超高的非线性，并且能自由定制其波导色散曲线。这种光纤是超连续谱产生和光频梳产生的理想选择。光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 光子晶体光纤/高非线性微结构光纤/多孔光纤,光子晶体光纤/高非线性微结构光纤/多孔光纤产品特点● 耐高温● 耐久性、高抗弯曲强度和密封性● 实现了嵌入光纤、光纤束及尾纤进入高真空环境焊接的可能性产品应用● 高温环境● 苛刻的化学环境● 核辐射环境● 高功率激光传输● 医疗应用● 光纤束焊接技术参数光学性能参数属性光纤材料高纯石英零色散点790 nm色散 @1550 nm 130 ps nm-1 km-1模场直径@1550 nm 1.7 ± 0.3 μm 纤芯直径2.1± 0.3 μm数值孔径NA@ 1550 nm 0.48 ± 0.05非线性系数20 ± 3 km-1 W-1 包层不圆度≤0.5 几何参数交货长度1 - 50 m包层直径150 ± 3µ m涂敷层直径250 ± 5 µ m（聚丙烯酸树脂）芯包层同心度≤5µ m包层不圆度≤0.5筛选强度100 kpsi涂层材料聚酰亚胺或聚丙烯酸树脂长期使用温度聚酰亚胺 -55 - 300 ℃聚丙烯酸树脂 0 - 90 ℃短期耐受温度聚酰亚胺 400 ℃聚丙烯酸树脂 120℃产品结构制作平台二,大宽带中红外 (1.5～10μm) 光子晶体光纤二,大宽带中红外 (1.5～10μm) 光子晶体光纤Microphotons推出一系列适用于中红外波段（1.5~10μm）的光子晶体光纤（PCF），包括单模、高非线性PCF等等，同时我们可以提供定制其他例如多模光子晶体光纤、保偏光子晶体光纤等（在其中，芯径、数值孔径将被改变）。可以加FC/PC连接头,3mm铠甲套管。除以下列出的不同种类光子晶体光纤之外， 我们还可为客户定制不同材料基质不同结构设计的PCF（硫化物、碲化物、硒化物等），例如保偏光子晶体光纤、锥形光子晶体光纤等等。光纤类根据数量价格,合同金额原则上不低于3500元 大宽带中红外 (1.5～10μm) 光子晶体光纤,大宽带中红外 (1.5～10μm) 光子晶体光纤产品特点● 工作波段1.5~10μm● 低传输损耗● 急好的空间光束质量产品应用● 中红外光束传输(QCL, OPO)● 非线性应用：超连续谱技术参数型号AsSe SM1AsSe SM2玻璃材料As32Se68Refractive Index@1.55μm2.81Nonlinear Refractive Index n21.1×10-17(m2/W) (500×n2 silica)工作波段范围(μm)3-91.5-8典型衰减值(dB/m)2.5@1.55μmα1@5-9μm2.5@1.55μmα1@3.2-8μm纤芯直径(μm)13包层直径(μm)125典型数值孔径@5μm0.4零色散波长点(μm)5各个波长处衰减度：

据准相位匹配 (QPM : Quasi Phase Matching）理论，可以通过对晶体的非线性极化率的周期性调制来补偿非线性频率变换过程中因色散引起的基波和谐波之间的波矢失配，从而获得非线性光学效应的有效增强。以色列Raicol公司拥有**的周期极化 KTP(PPKTP)制造技术，相比传统切割工艺制造下的KTP晶体，拥有以下突出的优点：1. 更高的非线性转换效率，适合于产生高亮度量子纠缠光子对2. 更大的器件接收角，可接驳半导体激光泵浦源3. 几乎消除了去离角效应。由于以上的优点，周期极化 KTP(PPKTP)特别适合于产生高亮度纠缠光子对，用于光量子信息科学研究，比如：玻色子采样和量子干涉： -775nm-1550nm, 推荐采用2型PPKTP获得高配对速率量子密钥分发： 405nm-810nm。推荐选择0型PPKTP提供更高的配对速率和频谱带宽，而选择II型易于使用。挤压光： 研究人员应首先决定挤压是在单程还是空腔中产生。对于前者，标准晶体就足够了，而对于*佳参数振荡器，*选单片或半单片选项。选择0型PPKTP量子叠加态识别成像：推荐0型ppKTP，周期专为非简并设计。PPKTP晶体0型与II型PPKTP谱线形貌比较PPKTP晶体用于量子密钥分发PPKTP晶体用于压缩光Raicol公司PPKTP晶体可用于SHG倍频，DFG差频，SFG合频，OPO光学参量震荡。Raicol公司另外还生产PPMGLN晶体，详情见链接：PPSLT Products | RaicolRaicol公司另外还生产PPSLT晶体，详情见链接：PPSLT Products | Raicol

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------超薄型晶体在飞秒光学中有多种不同应用谐波振荡（SHG，SFG）光学参量振荡和光学参量放大（OPG，OPA）差频振荡（DFG）脉宽测量——自相关仪或互相关仪太赫兹振荡（GaSe晶体）极化纠缠态光子对超短光脉冲在晶体中传播中会因群速失配(GVM)产生延迟，于是脉冲将会因群延迟色散(GDD)和频率啁啾而展宽。这种效应就迫使频率产生方案中必须限制非线性晶体的厚度。对两个具有不同群速的共线传播的脉冲，他们的准静态相互作用长度(Lqs)定义为：在一个脉冲宽度时间内（或所期望的脉冲宽度时间内），他们所分开的路径长度Lqs = τ/GVM 这里GVM为群速度失配，τ为脉冲宽度。对最常用几类晶体在Type1相位匹配，我们把GVM的计算结果列在表格一。而针对Type1，800nm的SHG效应， BBO，LBO，KDP和LiIO3等常用晶体因GVM所限，在各种不同基频光脉冲宽度下的厚度极限则列在表格二中，同时也列出了在室温（20°C）时的相位匹配角和转化效率因子。这时如果采用更长的晶体，则二次谐波的脉冲将会展宽至大于基频光脉冲宽度（或期望脉冲宽度）群延迟色散（GDD）对脉冲的传播有非常重要的影响。因为脉冲总是会有一定的光谱宽度，所以色散会导致其各频率分量以不同的速度进行传播。当晶体处于正常色散时，折射率随波长的增加而降低，这将导致高频分量产生更低群速度，于是引起正啁啾.群速度的频率相关特性也会对脉冲宽度产生影响。如果脉冲最初没有啁啾现象，晶体中色散将会不断增加脉冲宽度。这种现象被称作脉冲色散展宽。对非啁啾高斯脉冲，脉冲初始宽度为 0，其脉宽会按以下公式增加:L – 晶体厚度 mmD- 二阶群时延色散或色散参数表格三给出了各种晶体800nm二倍频的Type1相位匹配下的D因子

周期性极化KTP (PPKTP） 周期性极化磷酸氧钛钾晶体(PPKTP)是一种高效率的非线性材料。 PPKTP可以根据不同的非线性应用定制。相比在传统的KTP应用，PPKTP没有相位匹配的局限性。PPKTP的非线性系数大约是传统KTP的三倍。PPKTP也是产生纠缠光子源的一种理想材料。 我们可以针对生产企业提供大量的PPKTP晶体，也可以提供少量晶体满足工程和科研客户的需求。 晶体参数 通光孔径[mmXmm] 1x2 长度 [mm] up to 30 光谱范围 [nm] 400-4000 垂直度 [arc min] 15 平面度 &lambda /10 平行度 [arc sec] 30 划痕/Dig 10/5 镀膜 AR/HR/PR *晶体可以接受定制，具体参数请与我们沟通。 OPO Yuchen offers the following types of crystals for OPO applications: - KTP - RTP - LBO - BBO - PPKTP - PPSLT - PPMgLN Part Numbering System for bulk OPO crystals C - &theta - &phi - S - D - L - T - P C - Crystal Type: K (KTP),HGTR KTP (H), R(RTP), L(LBO), B (BBO) &theta &ndash Orientation in Z-X direction [degrees] &phi - Orientation in X-Y direction [degrees] S - OPO type: R (regular), M (monolithic), D-(double pass), N (uncoated) D - Cross Section [mm] L - Crystal Length [mm] T &ndash Transmission of signal wavelength on output face [%] P &ndash Pump Wavelength [nm] Examples: KTP OPO, Cross-section 5x5mm, Length 30mm, Regular, &theta =90O,&phi = 0O, Transmission of signal wavelength on output T99.5%, Pump 1064 nm. K-90-0-R-5-30-99.5-1064 KTP ,Monolithic, &theta =90O, &phi = 0O, Cross-section 7.5 x 7.5mm, length 30mm, Transmission of signal wavelength on output T=50%, Pump -1064 nm, K-90-0-M-7.5-30-50-1064 KTP, Uncoated, &theta =90O,&phi = 0O, Cross-section 3x3 mm, Length 10mm, Pump 1064 nm, K-90-0-N-3-10-T-1064

河北华凯光子科技有限公司 河北华凯光子科技有限公司于2017年6月由北京市海淀区迁至河北省保定市，公司主要经营溴化镧闪烁晶体与探测器的研发、生产和销售，我公司为国内首个成功研制并稳定量产大尺寸溴化镧闪烁晶体的公司，也因此打破了美国独家垄断地位，使我国成为世界上除美国外，第二个能工业化生产溴化镧晶体的国家。 目前公司是国家认定的科技型中小企业、河北省认定的科技型中小企业、河北省军民融合型企业、研发生产基地被评选为“保定市溴化镧闪烁晶体与探头工程技术研究中心”， 溴化镧闪烁晶体与探头研发及产业化”项目获批河北省发改委战略性新兴产业发展项目，并在第七届中国双创大赛中荣获20强，是河北省新材料领域唯一进入国家优秀企业的项目。2018年2月我公司已完成环保验收，目前正在积极申请国家高新技术企业。 公司拥有中国发明专利《溴化镧铈闪烁晶体》，及其它38项相关专利。 通过不断的自主研发创新，目前我们拥有溴化镧晶体生长、加工和封装的非专利技术、自主研发的晶体生长设备、以及集长晶、切割、研磨、抛光、封装为一体的完整的溴化镧探测器生产线。目前公司拥有55台长晶炉，2019年计划年产500件溴化镧探测器。 溴化镧闪烁晶体具有光产额高、能量分辨率好、衰减时间短、非线性响应小等优点，目前我公司能生产各种规格的晶体以及探测器，主要有1英寸、1.5英寸、2英寸、3英寸及不规则形定制产品。 溴化镧探测器被称为“高能射线的眼睛”， 是射线探测仪器的关键组成部分，主要进行材料元素种类与含量的分析。我们的产品也可以说是一件有关国计民生的产品，现已被应用于军工、安全检查、环境监测、核医学、工业计量、石油测井等国民经济的各个领域。目前比较成熟的客户重庆建安仪器有限公司（国营759厂）也在批量采购我公司探测器，另外在边境探测无人机上也应用过溴化镧探测器。 公司产品供不应求，目前我们也在积极进行二期生产基地建设的相关工作，新基地计划年产3000件探测器与核仪器仪表设备，总用地40000平方米，预计总投资为2-2.5亿元。同时也在进行例如溴化铈、溴化镧锂铯等更高性能晶体的研发。目前产品销售主要集中在国内市场，计划于2021年全面进入国际市场。未来将打造中国核探测新技术研发基地、中国核探测技术人才培训基地、中国新型核探测器制造基地，建立国际型的企业及研发基地。

天津瑞利光电优势供应EKSMA晶体LBO-302立陶宛EKSMA Optics是高功率激光应用，激光介质和非线性频率转换晶体，光机械，带驱动器的电光普克尔盒和超快脉冲拾取系统的制造商和供应商，它们用于激光器和其他应用光学仪器。EKSMA于1983年在激光领域开始其业务，它建立在激光和光学领域的长期专业知识之上。EKSMA的激光组件工作在从UV（193 nm）到VIS到IR（20μm）的波长范围内，并在太赫兹（1-5 THz）范围内工作，并在科学，工业，医学和美学，航空航天领域的不同激光和光子应用中使用。立陶宛EKSMA光学抛光设备专门从事由BK7，UVFS，Infrasil，Suprasil，CaF2以及DKDP，KDP，LBO，BBO，ZnGeP2晶体制成的平面光学器件的加工和最终抛光，而大功率激光应用需要高质量的精密抛光面。该公司还拥有先进的IBS涂层设备，球面，轴锥和非球面镜片CNC制造设备，BBO，DKDP和KTP Pockels电池装配的洁净室设备，超快电光脉冲拾取系统制造技术部门和质量控制设备。EKSMA主要产品：光学元件涂层、介电镜、金属镜、激光视窗、镜头、光学滤镜、光学棱镜、偏光、紫外线和红外光学、配件类非线性和激光晶体：非线性晶体、激光晶体电气光电Femtoline元件光学系统Nd：YAG激光线组件光电机械组件激光电子学天津瑞利光电科技有限公司于2016年成立，坐落于渤海之滨天津，地理位置得天独厚，交通运输便利，进出口贸易发达。凭借着欧洲的采购中心，我们始终为客户提供欧美工业技术、高新科技等发达国的光电设备、光学仪器、机电设备及配件、电气成套设备、工业自动化控制设备产品，同时拥有多个品牌的授权经销和代理权。

总览ASCUT UG & Co KG NIR-IR近红外非线性光学晶体包含 LISe 硒铟锂(LilnSe2),LIS硫铟锂(LilnS2),LGSe硒镓锂(LiGaSe2),LGS硫镓锂(LiGaS2),GASE硒化镓,AGSe硒镓银(AgGaSe2),AGS硫镓银(AgGaS2)等.我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。名称型号货号 描述 价格 LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体 LiGaS2A80160204透光率, 0.33 – 11.6µ m,带隙,4.15 eV,定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiGaSe2A80160203透光率, 0.37 – 13.2µ m,带隙, 3.57eV (300K)定位精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体 LiInS2A80160202透光率,0.35– 13.2 µ m, 非线性系数, pm/V d31=7.25, d24=5.66 @2.3 ,对称度 斜方晶系, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816 ,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 平面度 546 nm λ/6 表面质量, scratch/dig 30/20 LISe 硒铟锂 (LilnSe2) NIR-IR近红外非线性晶体 LilnSe2A80160201透光率, 0.43– 13.2 µ m,非线性系数, pm/V:d31=11.78, d24=8.17 @2.3 µ m ,对称度:斜方（晶系）, mm2 point group ,晶胞参数, &angst a=7.192, b=8.412, c=6.793 ,带隙, eV:2.86,定向精度, arc min 30 平行度, arc sec 30 546 nm λ/4 表面质量, scratch/dig 30/20 AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体 AgGaSe2A80160206透光率,0.76 – 18 µ m,单轴负晶 no ne (at λ 0.804 μm ne no),非线性系数, pm/V d36 = 39.5 @10,6 µ m ,对称度 四方晶系, -42m point group GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体 GaSeG80010032透光率0.62 – 20µ m,非线性系数, pm/V : d22 = 54 @10.6 µ m,对称度:六方晶系, 6m2 point group,晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89,离散角, ° 5.3 µ m AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2 AgGaS2A80160205透光率: µ m 0.47 – 13 非线性系数: pm/V d36 = 12.6 @ 10.6 µ m , 对称度:四方晶系, -42m point group 晶胞参数:a=5.757, c=10.311总览LGS 是一种最近提出的 IR 新型非线性材料，具有纤锌矿型结构，UV 透射率低至 0.32。OPO、OPA、DFG 获得 mid-IR。LiBC 2族晶体具有一组重要的物理参数，如带隙大、二光子吸收低、透光范围宽，包括太赫兹窗口、低群速度失配、高导热率、低热膨胀系数各向异性、等，这导致在宽光谱范围内的可调谐激光系统中有效使用。LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体,LGS 硫镓锂 (LiGaS2) NIR-IR非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaS2透光率, µ m0.33 – 11.6对称度mm2带隙, eV4.15非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=5.8 d24=5.1 d33= -10.70.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m92THz3.25光学损坏阈值, MW/cm21064 nm (t=14 ns)240热导系数 k, WM/M°C6-8 calc.光学倍频截止1.47 - 7.53光学元件参数复合物LiGaS2定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20总览LGSe是一种新型非线性红外材料，具有纤锌矿型结构，紫外透射率可降至0.38。LiBC2基团中红外晶体的OPO、OPA、DFG具有一组重要的物理参数，如带隙大、双光子吸收低、透明范围宽(包括THz窗镜)、群速度失配低、导热系数高、热膨胀系数各向异性低等，从而可以有效应用于宽光谱范围的可调谐激光系统。LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LGSe硒镓锂(LiGaSe2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiGaSe2透光率, µ m0.37 – 13.2对称度mm2带隙, eV (300K)3.57非线性极化率, pm/V (at 2.3 µ m)d31=9.9 d24=7.7 @2,3 µ m0.2透明度级别的远红外吸收边缘µ m218THz1.37热导率k, WM/M°C4.8-5.8 calc.光学倍频截止1.57 - 11.72光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 总览硫铟锂（LiInS2或LIS）晶体的非线性特性与AgGaS2和AgGaS2相近，但其晶体结构不同。LiInS2是一种热释电材料，其电光参数是将其用作有效电光材料的基础。LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体,LIS 硫铟锂 (LiInS2) NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物LiInS2透光率, µ m0.35– 13.2非线性系数, pm/Vd31=7.25, d24=5.66 @2.3 对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, &angst a=6.893, b=8.0578, c=6.4816典型反射系数1064 nm532 nmnx=2.1305, ny=2.1668, nz=2.1745nx=2.2353, ny=2.2841, nz=2.2919用于SHG的基频 x-y, Type II, eoe2.35–6.11x-z, Type I, ooe1.78–8.22y-z, Type II, oeo2.35–2.67y-z Type II, oeo5.59–6.11总间隔时间1.617–8.71光学损坏阈值, GW/cm21064 nm (t=14 ns)40 热导率k, WM/M°Ckx=6.1 ± 0.3 ky=5.9 ± 0.3 kz=7.4 ± 0.30.2透明度级别的远红外吸收边缘2.58 THz at 118 µ m 光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig30/20 应用Ti: Sappire 激光泵浦的光学参量振荡器（范围 1 – 12 µ m）用于使用OPO的可调谐固态激光器，由Nd:YAG和其他1.2-10µ m范围内的激光器泵浦中红外(2-12µ m)的差频产生 ,将CO2激光辐射图像上转换为近红外或可见光区域&bull 中红外范围（2-12µ m）的不同频率发生器1-12μm泵浦Al2O3:Ti的光学参量振荡器席中红外区频率混频对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AgGaSe2晶体,中文名硒镓银晶体,简称AGSe晶体。中红外激光倍频有效的晶体材料，对中红外激光的倍频效率高,是有效的非线性激光晶体之一.还同时具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。 'AGSe晶体透光范围为0.73-18μm,AgGaSe2晶体可用波段位于0.9-16μm。采用目前成熟的激光泵浦，AGSe晶体的OPO呈现宽阔的红外可调谐性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶体获得2.5-12μmOPO调谐光源 用1.4-1.55um调谐光源泵浦的非临界相位匹配OPO输出1.9-5.5um调谐光源 早在1982年,就已经实现了脉冲CO2激光的有效倍频 上述系统的输出波段还可以用和频或差频混频的方法(SF/DFM)予以扩充。AGSe晶体可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体,AGSe 硒镓银（AgGaSe2）NIR-IR近红外非线性晶体技术参数主要特性复合物AgGaSe2透光率, µ m0.76 – 18单轴负晶no ne (at λ 0.804 μm ne no)非线性系数, pm/Vd36 = 39.5 @10,6 µ m 对称度四方晶系, -42m point group典型反射系数10.6 µ m5.3 µ mno=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811光学损坏阈值, MW/cm22000 nm (t=30 ns)13离散角, °5.3 µ m0.68热导系数 k, WM/M°C1.1频带隙能量, eV1.8光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性点, μmn0= ne, λ = 0.804 光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 40平面度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20应用有效中红外辐射二次谐波的产生 中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器等各向同性点附近区域的光学窄带滤波器(300 K时为0.804 µ m) 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体,GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体技术参数主要特性复合物GaSe透光率, µ m0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 µ m对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, &angst a=3.74, c=15.89典型反射系数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 µ m4.1应用10.6 µ m激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17µ m的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。 总览AGS 硫镓银晶体(silver thiogallate硫没食子酸银)是一种优质的红外非线性晶体材料，具有三波非线性作用(OPO)的优良性能。透光范围为0.53-13um, AgGaS2晶体在550um处具有高透光性，具有广泛的应用，可以用于Nd:YAG激光泵浦的OPO，半导体激光，钛宝石激光，Nd：YAG和IR染料激光的各种差频, 覆盖3-12um波段，此外,还实用于定向红外对抗系统(DIRCMS）和各种波长CO2激光倍频。AGS 硫镓银对中红外激光的倍频效率高,可用于光学参量放大和光学参量振荡以及差频产生，应用波长可达到中红外的17 µ m。AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2,AGS 硫镓银 非线性光学晶体 AgGaS2技术参数应用中红外辐射的高效倍频光学参量振荡和放大，不同频率产生到高达12µ m的中红外区域各向同性点附近区域的光学窄带滤波器 (0.4974 µ m at 300 K)主要参数复合物AgGaS2透明度, µ m0.47 – 13非线性参数, pm/Vd36 = 12.6 @ 10.6 µ m 负单轴晶体no ne (at λ 0.497 μm ne no)对称性四方晶系, -42m point group晶胞参数, &angst a=5.757, c=10.311典型反射指数10.6 µ m 5.3 µ mno=2.3475, ne=2.2918 no=2.3945, ne=2.3406光学损伤阈值, MW/cm2 1064 nm (t=10 ns)350离散角, °5.3 µ m0.76热导系数 k, WM/M°C1.5室温带隙, eVEg = 2.73在各向同性点的光活性 ρ = 522deg/mmn0= ne, λ = 0.4974 μm0.2透明度级别的远红外吸收边缘0.86 THz 346 µ m光学元件参数定位精度, arc min 30平行度, arc sec 30平整度546 nmλ/4表面质量, scratch/dig30/20 可提供大/长光学元件，请发送您的要求。我们能够根据客户的规格提供合适的减反射/保护等涂层，可根据要求应用反射率曲线。

光折变晶体 SBNSBN晶体，又名铌酸锶钡，是一种非常优异的光折变晶体材料。 纯SBN晶体和掺杂 Ce, Cr, Co, Fe 的铌酸锶钡 (SBN:60, SBN:61, SBN:75)是优良的光折变晶体，用于电光，声光和光折变等非线性光学研究。我司提供的进口SBN晶体采用优良的晶体生长技术，具有出色的光学质量。晶体内部无生长条纹，包裹体和其他不均匀性现象。SBN晶体指标参数：可根据客户需求提供极化处理等。SBN晶体应用领域：1. 光学信息记录，动态全息干涉，光学全息放大等；2. 高效相位共轭，自泵浦相位共轭镜，双相位共轭镜：3. 用于电光器件和声光器件；4. 用于Pyroelectrical 探测器；更多详情请联系昊量光电/欢迎直接联系昊量光电关于昊量光电：上海昊量光电设备有限公司是光电产品专业代理商，产品包括各类激光器、光电调制器、光学测量设备、光学元件等，涉及应用涵盖了材料加工、光通讯、生物医疗、科学研究、国防、量子光学、生物显微、物联传感、激光制造等；可为客户提供完整的设备安装，培训，硬件开发，软件开发，系统集成等服务。您可以通过我们昊量光电的官方网站了解更多的产品信息，或直接来电咨询。

非对称晶体的二阶非线性成像（SONICC）一方面利用二次谐波 （SHG）技术来发现手性对称晶格的晶体。另一方面用紫外双光子 激发荧光（UV-TPEF）技术来分辨蛋白晶体和盐晶。主要优势 快速通过全局浏览快速查找到晶体揭示揭示结晶线索，进而深度优化发现 发现隐藏在沉淀中的微晶体分辨 明确分辨蛋白晶体和蛋白沉淀灵活 SONICC 可以作为与RI1000集成的子系统，或者是单独的桌面系统多种选择用户可以选择台式机型，一次成像一个微孔板。或者选择与RI1000集成的机型。RI1000集成的SONICC可以培养1000个微孔板。可见光成像和 与SONICC成像并行完成。一天内RI1000-SONICC系统能够完成40个96 孔板SONICC成像，并完成200个96孔板的可见光成像。参数运行环境环境温度: 4° C - 30° C， 温控极限低于环境温度5度，高于环境温度7度之内 湿度: 0 to 80% 相对湿度

产品型号：SKJ-50产品简介：SKJ-50晶体生长炉 是用提拉法生长高质量氧化物单晶材料YAG,LSAT,SrLaAlO4,LaAlO3等）的设备。每位材料研究者都知道可靠的数据来源于完整性好的单晶。 在新材料研究时，为了避免可变因数造成的影响，一台性能稳定的单晶生长设备时非常必要的，然而很多晶体生长设备时非常昂贵的。KMT可提供性能稳定，价格适中的SKJ 50 单晶生长炉，可生长多种氧化物高熔点晶体，晶体尺寸达 2-3" 。 我公司供应的产品符合国家有关环保法律法规的规定（含采购商ISO14000环境体系要求），不会造成环境污染； 该产品符合采购商OHSMS18000职业安全健康管理体系标准的要求，不会对接触产品的人员健康造成损害！主要特点：中频感应电源：25KW,频率 0.2 - 20 KHz 提拉速度:0.1-10mm/h 旋转速度:0-40 RPM 最高熔炼温度 : 2100oC 电源要求: 三相, AC 380V, 100A , 25KW 真空腔尺寸 : 50 cm dia. X 70 cm ，机械泵真空度可达 10-3 torr ， 扩散泵真空度（选配）可达 10-6 torr 欧陆温控仪可获得温度精度 +/-0.2 oC 电子秤 ( 下称重)在生长过程中可自动控制晶体的直径 水冷要求 水压：0.13-0.18MPa 水流量:60 L/minute 炉子尺寸: 炉体:88L× 125W× 285H cm 控制单元:68L× 54W× 170H cm 中频感应电源:110L× 50W× 150H cm 相关配件：提拉机构是永磁直流电机驱动 带水冷和机械泵的真空腔体. 控制拉速、转速、温度和电子秤的控制柜. 风冷的中频感应电源. 带水冷的感应线圈（铜管）可选配件：铱坩埚,控制晶体直径的电子秤具体信息请点击查看：

仪器简介：PPLN是一种高效的非线形晶体，获得最大的波长转换效率必须对温度进行控制，并且晶体内部均匀的温度分布也很重要。Covesion提供了一系列的温度控制夹具或温控炉，以及温度控制器，尽量提高波长转换性能。改变晶体问题，也用于OPO中窄范围的波长调谐或其他波长转换应用。PPLN扩展了现有的激光系统，光谱覆盖可见到中红外。正确的PPLN和泵浦激光组合，可获得波长450nm到5um范围的光。Covesion还专门加工更复杂的晶体结构，在一个光学芯片上集合多种功能。 PPLN所提供的实际有效的波长转化，使得它成为各行业应用的焦点，如显示器、航空、电信、环境检测等。PPLN能达到转换效率很大程度上取决于激光束的属性。例如，优化的短脉冲激光单次通过晶体可获得80%的转换效率，但使用连续激光器，转换效率就可能下降到只有几个百分点。 PPLN是将生产的铌酸锂原材料晶圆进行所谓的&ldquo 周期性极化&rdquo 获得。铌酸锂是铁电晶体，在每个晶胞单元，由于铌离子和锂离子的晶格位置略有偏移，便产生了一个小的电偶极矩。通过施加一个强的电场，可以逆转这种结构，重新分布晶体中的偶极矩。反转铌酸锂结构的电场约为22KV/mm，反转时间仅需几个毫秒，之后该反转结构将永久性保持。在PPLN中，我们按光栅结构每隔几微米进行周期性反转，以实现输入光和输出光的准相位匹配。 在单个PPLN晶体上，可以完成多个光栅周期结构的加工。对OPO和其他可调谐应用，利用多周期结构可从单一泵浦光得到宽波长范围的光。光聚焦到不同周期光栅可实现波长的粗调，晶体的温度变化则可实现精细调节。技术参数：part# pump (nm) ouput (nm) period (&mu m) temp range ° C length (mm) aperture (mm) SHG8-1 976 - 984 488 - 492 5.00, 5.04, 5.08 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG8-10 10 SHG3-1 1060 - 1068 530 - 534 6.50, 6.54, 6.58 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG3-10 10 SHG3-20 20 SHG4-1 1310 - 1322 655 - 661 12.10, 12.20, 12.30 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG4-10 10 SHG5-1 1540 - 1576 770 - 788 18.20, 18.40, 18.60, 18.80, 19.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG5-10 10 SHG6-1 1570 - 1652 785 - 826 19.00, 19.25, 19.50, 19.75, 20.00, 20.25, 20.50, 20.75, 21.00 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG6-10 10 SHG7-1 2024 - 2250 1012 - 1125 29.50, 30.00, 30.50, 31.00, 31.50, 32.00, 32.50 160 - 200 1 0.5 x 0.5 SHG7-10 10主要特点：周期性极化铌酸锂（PPLN）提供了460nm-1500nm波长范围内的高效率波长转换。我们专业的极化工艺可制作4.5um到33um的极化周期，是批量制造的理想选择。下面列出了标准的产品系列，对目前最常用的非线形过程进行分类：倍频（SHG）， 和频（SFG），差频（DFG）和光学参量振荡/产生（OPO/OPG）。我们的PPLN晶体的标准范围与广泛使用的各种波长的激光相结合。每个晶体包含多周期光栅，灵活地实现温度及波长组合。我们的晶体镀增透膜，并抛光到：&lambda /4 平坦度，± 5min平行度，高于20-10光学表面质量。所有标准产品都经过严格的质量检验，提供带夹具的现货。

QCM-D石英晶体微天平 对AT切型剪切振动石英晶振进行快速阻抗频谱测量，频谱测量可获得诸多信息，可在响应幅值最大处获得谐振频率，峰高、半峰宽也可作为特征参数用来表征压电石英体表面粗糙度、膜粘弹性变化情况。本仪器通过快速频谱扫描技术，获得压电石英体的谐振频率（F） 和耗散因子 D （定义为石英晶体品质因子 Q的倒数，通过半高峰宽近似求得）。 JSK-T(I)型石英晶体微天平是本公司独自开发的多功能一体化QCM-D型质量传感检测仪器，工作频率可达200MHz，精确测量纳克级物质质量的传感技术。QCM仪器价格便宜，操作简单，可实现电化学、光化学、光电化学的现场联用动态监测分析。可广泛用于电活性聚合物表征、电池储能材料如Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、光电材料、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、细胞黏附行为、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。仪器特点 QCM-D石英晶体微天平基于快速阻抗频率谱测定技术，能够测定谐振频率、振幅、相位等参数，可用于常见压电石英晶体，例如基频5MHz、6MHz、8MHz、10MHz的石英晶体； 可进行奇数倍频测量，频率上限最高可达200MHz,优于目前常见QCM设备。可实现频率、相移、耗散因子等参数测量。根据需要预设参数、个性化定制。仪器模块化结构、数据显示储存一体、无需外接电脑、抗干扰能力强。l 石英晶体基频 5MHz,6MHz，8MHz，10MHz，33MHz，100MHz可任选。可3、5、7、9、11倍频激励，扫频范围200MHz以内。l 提供两套检测池、满足不同实验需求。可配置注射泵或蠕动泵、PID自动控制温度。技术参数l 本仪器使用商用镀金8MHzAT切石英晶体，稳定状态下液相中频率测定相邻数值波动可控制在±0.1Hz。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示，U盘储存数据，无需外接电脑。l 仪器常规石英晶片直径14 mm，能够非常灵敏地检测非常薄的吸附层的质量、耗散、分子的结构（构象）变化。并可计算其他参数，如：厚度、粘度、弹性模量，同时可以进行分子间反应的动力学分析。l 仪器检测的耗散灵敏度可达10-7, 质量灵敏度为4ng Hz-1 cm-2(基频10MHz) 0.4 pg Hz-1 mm-2(基频100MHz) 频率测定模式数据采集0.2s一组数据 ；（可定制相移角测定模式，数据采集速度可达10微秒，可用于快速瞬态测定）。

EKSMA OPTICS提供各种高质量的非线性晶体，如LBO，beta BBO，KTP，KDP，DKDP，LiIO3，各种红外非线性晶体，AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2等，我们提供标准尺寸和定向的晶体，并支持快速库存发货。同时，我们亦针对客户的特定需求提供各种定制化产品。非线性晶体具有极其广泛的应用，如激光谐波振荡，频率反转（SFG，DFG），光学参量振荡和放大（OPG，OPA），电光调制Q-switching等。-----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------红外非线性晶体AgGaS2, AgGaSe2, GaSe, ZnGeP2 由于极其独特的材料特性，红外光学非线性晶体ZnGeP2, AgGaSe2, AgGaS2, GaSe在中红外和远红外的应用方面赢得了人们极大的兴趣。这些红外非线性晶体拥有非常大的有效光学非线性，接收光谱和接收角度宽，透光范围广，对温度稳定性和振动控制没有苛刻要求，非常易于机械加工(GaSe除外)。 红外晶体ZnGeP2(ZGP)透光范围从074um至12um，其中有用的透过范围为1.9um至8.6um，以及9.6um到10.2um。ZGP晶体拥有最大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值。ZGP晶体目前已经成功的应用于各种领域： 通过谐波与混频效应实现CO2和CO激光辐射到近红外的上转换脉冲式CO，CO2，DF化学激光器的高效倍频通过OPO实现钬，铥，铒激光波长像中红外的下转换 EKSMA光学提供抗高损伤BBAR镀膜，并且具备超低的吸收损耗，2.05-2.1um泵浦波长下，吸收系数为α 0.05 cm-1；2.5-8.2um范围吸收系数为：α0.03 cm-1红外晶体AgGaSe透光波段在0.73um到18um之间。而具有高应用价值的透过范围为0.9-16um，这个范围具有非常宽的相位匹配能力，对当前大多数可用的激光泵浦光源均可提供潜在的OPO应用。2.05um的Ho:YLF激光泵浦已获得2.5-12um的可调谐输出。而通过1.4-1.55um的泵浦，也获得了非关键相位匹配下的1.9-5.5um输出。AgGaSe2(AgGaSe)也同时早已被证明为脉冲式CO2激光的高效倍频晶体。 红外晶体AgGaS2(AGS)透光波段为0.53-12um。虽然其非线性光学系数在上述提到的红外晶体中最小，但其透明波长短波边缘至550nm，因此可作为Nd:YAG激光器泵浦的OPO应用；同时也被大量应用于利用二极管，钛宝石，Nd:YAG，以及3-12um红外染料激光器进行的差频混频实验；还可以直接应用于红外对抗系统，以及CO2激光器的二倍频。而AgGaS（AGS）薄片晶体通过近红外波段脉冲差频效应在产生中红外超短脉冲方面也应用的非常普遍。 红外晶体 GaSe透光波长在0.65-18um。GaS3晶体已经成功的用于CO2激光的高效倍频；脉冲式CO、CO2和DF激光（λ = 2.36 μm）的二倍频；CO和CO2激光到可见光的上转换；Nd激光与燃料激光器或（F-）-central激光脉冲差频、混频产生红外脉冲；3.5-18um范围内的OPG。同时GaSe晶体薄片还广泛用于飞秒-太赫兹振荡。当然，由于材料结构（沿(001)平面解理）的特殊性，无法获得特定的相位匹配角度，也限制了其应用的领域

THz有机晶体 太赫兹有机晶体THz Organic CrystalTHz Generator & Detector光整流THz发生器非线性光学差频THz发生器THz探测器1200-1600nm优化泵浦光源，700-800nm可备选THz Frequency Ranges for Generator MaterialsSpectal Bandwidth measured by Rainbow Photonics instrumentsTHz Frequency Range for Different Pump Pulsewidth 相关商品 ZnTe碲化锌晶体 1-20THz太赫兹源 太赫兹探测器 太赫兹光谱仪

产品信息⽯ 英晶体微天平通过石英晶体谐振器的频率变化来测量其单位⾯ 积的质量变化。基于压电效应，经由分⼦ 吸附和分⼦ 相互作用而引起的表面质量变化和能量耗散，石英晶体微天平可以对水性样品中的⽬ 标物进行实时、灵敏以及无标记检测。与表⾯ 等离⼦ 共振（SPR）和荧光检测仪相似，石英晶体微天平可以作为科学研究和产品研发的传感分析检测平台。MIPS公司的便携式⽯ 英晶体微天平拥有⾼ 灵敏度和良好的抗干扰能力， 更集微型泵、多合⼀ 分析室和应用软件于⼀ 身，方便用户使用。 石晶体微天平的应⽤ 范围覆盖化学、生物、医药、环境、农业和材料分析等多个领域。技术指标主要包含了⼀ 个电⼦ 系统、⼀ 个或多个可配镀⾦ ⽯ 英芯⽚ 的微流量模组，集成测试室，以及⼀ 个或多个微型泵。 可以根据要求提供单通道、双通道和多通道石英晶体微天平。应用领域

太赫兹有机晶体DSTMS，DAST，OH1EKSMA Optics提供适用于各种飞秒泵浦源的太赫兹振荡和探测的有机晶体DSTMS，DAST，OH1THZ有机晶体：太赫兹晶体DSTMS：高效率太赫兹振荡与探测, 0.3-15THz范围太赫兹晶体DAST：高效率太赫兹振荡与探测, 0.1-17THz范围太赫兹晶体OH1：高效率太赫兹振荡与探测, 0.1-3THz范围 有机太赫兹晶体DSTMS，DAST，OH1应用高效率太赫兹振荡与探测高速电光调制（200GHz）光学参量振荡高效率1.55微米倍频

SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Er:YAG晶体 Er:YAG在600-800nm光谱范围均可被泵浦，广泛应用于医疗和牙科。Er:YAG优点：* 宽的泵浦带600-899nm；* 高的光学质量；* 可以输出长波，高的水吸收区；* 理想的硬组织切除工具 标准规格 材料参数基质Yttrium Aluminum Garnet(Y3Al5O12 )掺杂Erbium (Er -3)掺杂浓度50 Atomic % (~7x10 cm-3 )朝向[111] crystallographic directions(±5°)波前畸变1/2 wave per inch of length, as measured in a double pass interferometer operating @ 1micron尺寸/机械规格直径公差+.000”/-.002”长度公差+.040”/-.000”滚光55 ±5 micro-inch倒角0.005”±0.003”@ 45°±5° 端面标准规格面型Within λ/10 wave @ 633 nm wavelength平行度Within 30 seconds of arc垂直度Within 5 minutes of arc光洁度Scratch-dig 10-5 per MIL-O-13830A 端面减反膜规格反射率Less than 0.25% @ 2.94 microns附着力和耐用性Meets Mil-C-48497A standards脉冲损伤阈值Greater than 10 J/cm2Er:YAG特性激光能级4I11/2 -4 I13/2受激发射截面3×10-20cm2泵浦波长范围600-800nm

FZ-14 区熔晶体生长系统是专为工业生产直径达100毫米（4英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度达1. 1米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液体区的高度可以通过摄像系统来监测。并且该系统的上部主轴和线圈都是自动定位的。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染，同时还能将氮气以受控的方式引入工艺炉体。产品数据概览:材料：硅晶体晶体 1,100 mm晶体拉动长度： 长达100 mm (4″)晶体直径： 2.5 x 10-5 mbar极限真空度： 0.5 bar(g) 发电机 输出电压： 30 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 最高30 mm/min上部旋转： 最高35 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格 高度 6,280 mm宽度： 2,750 mm深度： 3,000 mm重量（总）： 约 4,900 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统专为工业生产直径达200毫米（8英寸）的单晶硅晶体而设计。根据源棒的尺寸，可以拉出长度为2000毫米的晶体。在这个过程中，晶体的直径和液态区的高度可以用摄像系统来监测。该系统采用无接触熔化工艺，通过使用涡轮分子泵和超纯氩气作为工艺气体，产生高极限真空环境，有效地防止了工艺过程中的污染。在FZ-30和FZ-35区熔晶体生长系统中，可以分别以高达3 bar和5 bar的超压产生氩气气体，用以培育大晶体。同时，上主轴和线圈都可实现自动定位。在FZ-30中，上主轴可以在X或Y方向上移动。两种系统类型都能够以受控方式将氮气引入工艺炉体。PVA TePla为您提供更多个性化选择，例如用于掺杂晶体的气体掺杂系统、封闭式去离子冷却水系统、源棒的修整器和调整籽晶方向的系统。产品数据概览:材料：硅晶体晶体拉动长度： 2,700 mm晶体直径： 长达 200 mm (8")极限真空度： 2.5 x 10-5 mbar最大过压： FZ-30: 3.0 bar(g)FZ-35: 5.0 bar(g)发电机输出电压： 120 kW频率： 2.4 MHz上轴进料速度： 高达 30 mm/min上部旋转： 高达 30 rpm下轴拉动速度： 最高 30 mm/min下部旋转： 最高 30 rpm尺寸规格高度： 11,550 mm宽度： 3,800 mm深度： 4,050 mm面积（总计）: 5,000 x 6,000 mm重量（总计）： 约14,000 kg区熔（FZ）技术作为提纯方法为生产高电阻率的超纯硅单晶提供了技术可行性，该技术可应用于高性能电子和半导体技术领域。其另一优点是可以从气相中连续掺入，这使得在整个晶体的电阻率沿长度方向保持一致。因此，几乎可以在整个晶体上均匀地实现所需的电性能。由于电荷载流子的高寿命和极低的氧含量（无坩埚工艺），FZ晶体同样也适用于光伏行业。区熔（FZ）技术作为提纯方法与CZ直拉工艺等竞争方法相比，FZ工艺的优势在于只有紧邻感应线圈的一小部分晶体需要被熔化，无需使用石英坩埚（每炉次耗用一个），可实现高拉速，因此降低了耗材成本的同时也降低了能源成本。此外，无论是从硅还是其他合适的材料中提取的晶体，可以通过多次处理，显著地提高纯度。

1550nm纠缠光子源电信波长的高亮度独立量子纠缠光子对源，高性能、紧凑且易于使用的独立双光子源。仅用5mW 的泵浦功率，它的光谱亮度就超过 250000 光子/秒/秒。且在室温下工作的独立量子光子源，在C波段产生正交偏振的频率纠缠光子。在周期性极化铌酸锂ppln波导(准相位匹配-QPM)中，通过自发参量下转换(SPDC)产生光子对。是量子信息技术的理想选择。该纠缠源基于台式设计，将温度可调的PPLN波导晶体与波长稳定的激光源结合在一起。通过USB接口和专有软件接口控制激光泵浦功率和晶体内部温度，以高精度调整相位匹配。 可实现大于250000 pair photons/s的光谱亮度。精心的设计使得该纠缠源使用方便，它提供两种控制模式，一是前面板控制，二是电脑图形界面软件控制。我们同时还提供DLL文件以方便您使用LabVIEW, C++, and Visual basic等语言进行控制或二次开发。 photon pair generation - type Il中心波长1550 nm +/- 10 nm双光子带宽2 nm有效成对率250 000 pairs/sHeralded efficiencyz35%g(0) factor0.01Coincidence to Accidental ratio10 000双光子干涉可见度 :- Frequency- Polarization 99% 99%波长稳定性20 pm中心波长可调性+/- 2 nm输入/输出 - 设备- 环境1550 nm OutFC/APC for PM 1550 fiberOptical Pump OutFC/APC for PM HI780 fiberOptical Pump InFC/APC for PM HI780 fiber功耗40W尺寸 (LxWxH)250 x 280x 70 mm3重量4.5 kg工作温度0°C to 30°C纠缠光子是展示量子物理原理和新量子信息应用的一种有前途的方式。例如，纠缠光子允许在几百公里内开发量子密钥分发协议。在生物成像应用中，纠缠光子光源可以产生原始的无色散测量因此，对这种光子源的非经典性质的操纵对于开发非常新的量子应用具有巨大的前景。该近红外纠缠源的设计精良，结构紧凑，软件调教舒适，是您进行蕞苛刻的学术和工业量子研究的必备分析工具！

SKJ-50晶体生长炉是用提拉法生长高质量氧化物单晶及金属单晶，如蓝宝石、GGG、YAG、SrLaAlO4、LaAlO3、Si、Ge等，最大可长出晶体尺寸达3" 。 产品型号SKJ-50晶体生长炉安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要特点1、与同类相比属于小型晶体生长炉，适合于大专院校、研究所使用。2、电子称在生长过程中可自动控制晶体的直径。技术参数1、电源：三相380V 25KW2、感应射频：功率25KW，射频0.2KHz-20KHz3、真空腔体：?500mm×700mm4、真空度：10-3torr（机械泵），10-5torr（扩散泵）5、最大提拉行程：500mm6、提拉速度：0.1mm/h-20mm/h7、籽晶杆旋转速度：0-40rpm8、最大可熔融温度：2100℃9、控温精度：±0.2℃10、冷却水：所需水压0.13MPa-0.18MPa，所需流量60L/min11、移动速度：1mm/h-10mm/h可调12、快速移动：手动13、结晶转速：1rpm-50rpm14、真空系统：机械泵和扩散泵15、极限真空度：10-5torr产品规格1、炉体：880mm×1250mm×2850mm2、控制柜：680mm×540mm×1700mm3、中频柜：1100mm×500mm×1500mm4、总重：1500kg

SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Cr, Tm, Ho:YAG 激光晶体CTH:YAG是一种新的能用来产生2080nm的晶体，可以应用在医疗、军事和气象领域。该晶体的能量转换过程主要产生于Cr, Tm, Ho三种掺杂离子之间的能量转换。Cr3+的作用是用来吸收闪光灯的能量，随后传递能量给Tm3+,转换效率90%。Tm3+:Tm3+之间交叉弛豫，转换能量给Ho离子，量子效率接近2。Cr, Tm, Ho:YAG优点* 高效率2 μm激光源* 可室温下运转* 闪光灯或者二极管均可泵浦* 在780nm处有一个Tm3+的强吸收线，可以被激光二极管吸收* 吸收线宽4nm，是Nd:YAG二极管泵浦线宽的4倍* 对人眼安全* 可应用于医疗，军事和科研Cr, Tm, Ho:YAG激光特性激光跃迁能级5I7-5I8激光波长2080nm荧光寿命8.5ms受激发射截面7×1021cm2 光谱特性折射率1.8（@2080nm）二极管泵浦波长781nm吸收线宽 4nm主要的泵浦波长400-800nm 材料参数基质Yttrium Aluminum Garnet (Y3Al5O12 )标准质量掺杂Chromium (Cr 3+) 0.85@ %Thulium (Tm3+ ) 5.90@ %Holmium (Ho3+ ) 0.36@ %朝向 [111] crystallographic directions ± 5°波前畸变Less than 1/2 wave per inch of length @ 1064 nm 尺寸公差直径公差+.000”/-.002”长度公差+0.010”/-0.010”滚光55±5 μinch (RMS)倒角0.005” ± 0.003”@45°±5° 端面面型Within λ/10 wave @ 633 nm wavelength平行度Within 30 seconds of arc垂直度Less than 5 minutes of arc表面光洁度Scratch-dig 10-5 per MIL-O-13830A端面减反膜反射率Less than 0.25% @ 2080 nm附着力和耐用性Meets MIL-C-48497A standards脉冲损伤阈值Greater than 10 J/cm2主要泵浦带400-800nm

SKJ-M50-16金属晶体生长炉是用坩埚下降法生长金属晶体的设备，可在真空、大气、惰性气体或其他保护气氛下、在可控的局部压力状态下运行。根据金属的属性，本机可采用中频感应加热电源，以及石墨电阻加热两种加热方式；采用欧陆微处理器与热电偶闭环控制炉温，使结晶体按照一定的直径进行控制。 产品型号SKJ-M50-16金属晶体生长炉安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：设备配有自循环冷却水机（加注纯净水或者去离子水）2、电：AC380V 50Hz（63A空气开关），必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（自带?6mm双卡套接头）4、工作台：尺寸1500mm×600mm×700mm，承重200kg以上5、通风装置：需要主要特点属于小型晶体生长炉，适合于大专院校、研究所使用。技术参数1、电源：208V-240V AC三相 50Hz/60Hz 15KW2、炉体容积：约100L3、炉管：石英管或刚玉管4、坩埚：高纯石墨坩埚5、加热元件：1800级硅钼棒6、温控系统：50段控温程序7、控温精度：±1℃8、工作温度：连续工作1600℃，短时间工作1700℃9、控温方式：自动程序控温10、生长方法：区熔法（样品固定不动，炉体向上移动）11、移动速度：1mm/h-10mm/h可调12、快速移动：手动13、结晶转速：1rpm-50rpm14、真空系统：机械泵和扩散泵15、极限真空度：10-5torr标准配件1、电源控制系统一套2、机械控制系统一套可选配件Kathnal Super-1800级硅钼棒

SYNOPTICS公司可以完全自主实现集晶体生长、加工、镀膜、检测、包装于一体的一站式服务。作为ISO 9001:2008证书获得企业，SYNOPTICS着重于该公司在晶体生长、制造和检测方面的支持，以确保达到超高的质量标准。 主要特点：* 波长覆盖广： 500nm-3000nm * 晶体尺寸大 * 镀膜阈值高* 均匀性好 应用领域：* 医疗* 工业* 军事* 科研激光市场Ruby 红宝石激光晶体1960年，梅曼采用红宝石晶体实现了人类首台激光器。红宝石晶体利用两个吸收带可以很方便被闪光灯泵浦，输出波长为694.3nm。红宝石是超可靠的晶体之一，耐冲击性是Nd:YAG的三倍。输出波长适用于医疗应用，例如脱毛和祛除纹身。结构和热效应特性基质Yttrium Aluminum Garnet(Y3Al5O12 )掺杂Erbium (Er -3)掺杂浓度50 Atomic % (~7x10 cm-3 )朝向[111] crystallographic directions(±5°)波前畸变1/2 wave per inch of length, as measured in a double pass interferometer operating @ 1micron标准规格直径公差+.000”/-.002”倒角0.005”±0.003”@ 45°滚光30±5 μinches垂直度Within 5 minutes of arc平行度30 arc-seconds or less端面面型Within λ/10 Wave at 632 nm wavelength表面光洁度10-5 scratch-dig per MIL-O-13830A波前误差Less than 1/2 wave per inch of length (meausred @ 1micron)标准镀膜Anti-reflection where R0.25% @ 694 nm激光棒朝向60±5°from the c-axis光学特性 端面减反膜规格反射率Less than 0.25% @ 2.94 microns附着力和耐用性Meets Mil-C-48497A standards脉冲损伤阈值Greater than 10 J/cm2Er:YAG特性激光能级4I11/2 -4 I13/2受激发射截面3×10-20cm2泵浦波长范围600-800nm

3T简介：德国3T analytik公司，位于德国图特林根市。3T公司拥有在物理、化学、生物等领域高度专业的产品开发团队，常年致力于为监测表面相关现象、基因毒性检测、微细加工以及实验自动化等方面提供理想的技术解决方案。3T产品包括：耗散石英晶体微天平、全自动高通量DNA损伤检测仪、微流体片ZentriForm系列和高精度温控PelTherm系列等。3T团队以高度创新的理念和精益求精的匠人精神，不断地为我们开发和生产具有高质量、高可靠性、高灵敏度的创新性产品。3T公司主打产品之一耗散型石英晶体微天平QCM-D，采用实时表面传感技术，通过分析芯片表面频率与耗散双重参数变化，可获得吸附层相应的质量、吸附层厚度、粘弹性等多样信息。3T耗散型石英晶体微天平，是世界上少数掌握石英晶体实时能量耗散追踪技术的产品。拥有精确的温控系统和*的自控泵，可以满足一些苛刻的实验要求；*（US8230724B2）设计的石英晶体芯片使实验操作简易，同时保证了设备的高灵敏度和数据的高可靠性；配套的软件管理系统qGraph可控制实验和收集数据，用户可以无标记、实时监控整个实验过程。一、产品介绍：qCell属于入门级QCM-D传感器平台。与qCell T系列相比，qCell没有控制温度的Peltier系统，没有自动蠕动泵（可选配）。qGraph软件管理芯片数据的收集和处理。通过空白对照组的比对，获得高精度的有关吸附、薄层厚度和样品粘弹性的变化信息。二、产品详情单通道测量槽，双通道、4通道可选耗散/阻尼和频率同时监测智能系统可选全自动蠕动泵友好软件界面三、应用领域分子相互作用细胞吸附，迁移与变化药物作用于药物筛选生物材料相容性研究聚电解质膜的层层组装血凝检测分析酶降解研究水处理及环境污染物消除纳米颗粒分散性流体粘弹性细菌生物膜研究