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光电发射仪

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光电发射仪相关的论坛

  • 亿光发射管简介

    亿光发射管也可以称作亿光红外发射管或亿光红外线发射二极管,属于二极管类。它是可以将电能直接转换成近红外光(不可见光)并能辐射出去的发光器件,主要应用于各种光电开关及遥控发射电路中。亿光发射管的结构、原理与普通发光二极管相近,只是使用的半导体材料不同。亿光红外发光二极管通常使用砷化镓(GaAs)、砷铝化镓(GaAlAs)等材料,采用全透明或浅蓝色、黑色的树脂封装  亿光发射管参数介绍  发射距离、发射角度(15度、30度、45度、60度、90度、120度、180度)、发射的光强度、波长。是亿光发射管的物理参数,需了解其电性能参数:市场上常用的直径3mm,5mm为小功率亿光发射管,8mm,10mm 为中功率及大功率发射管。小功率发射管正向电压:1.1-1.5V,电流20ma,中功率为正向电压:1.4-1.65V 50-100ma,大功率发射管为正向电压:1.5-1.9V200-350ma。1-10W的大功率亿光发射管可应用于红外监控照明。http://www.dzsc.com/data/uploadfile/20121018152042817.jpg  亿光发射管应用范围  亿光发射管的应用范围主要有以下几点:  1、适用于各类光电检测器的信号光源。  2、适用于各类光电转换的自动控制仪器,传感器等。  3、根据驱动方式,可获得稳定光、脉冲光、缓变光,常用于遥控、警报、无线通信等方面。  使用注意事项  亿光发射管应保持清洁、完好状态,尤其是其前端的球面形发射部分既不能存在脏垢之类的污染物,更不能受到摩擦损伤,否则,从管芯发出的红外光将产生反射及散射现象,直接影响到红外光的传播。  由于红外波长的范围相当宽,因此亿光发射管必须与LED接收管配对使用,否则将影响遥控的灵敏度,甚至造成失控。因此在代换选型时,要务必关注其所辐射红外光信号的波长参数。  亿光发射管的发光功率与光敏器件的灵敏度因封装而有角分布使用时注意安装指向调整,更换时亦应做相应调整,注意管子的极性,管子不要与电路中的发烧元器件靠近。  亿光发射管在工作过程中其各项参数均不得超过极限值,因此在代换选型时应当注意原装管子的型号和参数,不可随意更换。另外,也不可任意变更亿光发射管的限流电阻。

  • 原子发射光谱仪的构成

    [url=http://www.huaketiancheng.com/][b]原子发射光谱仪[/b][/url]是测定每种化学元素的气态原子或离子受激后所发射的特征光谱的波长及强度来确定物质中元素组成和含量。  原子发射光谱仪是根据试样中被测元素的原子或离子,在光源中被激发而产生特征辐射,通过判断这种特征辐射波长及其强度的大小,对各元素进行定性分析和定量分析的仪器。  原子发射光谱仪,是将成分复杂的光分解为光谱线的科学仪器。它密封在一个温度稳定的恒温机箱里,设计小巧,操作简易,设备的搬运和操作只要一个人就能完成。这一类仪器一般包括:光源、单色器、检测器和独处器件。原子发射光谱仪装备了超高灵敏度的光电倍增管,在全量程范围内使检测器的动态范围能鉴别出成分的最微小的差别。原子发射光谱仪有火花原子发射光谱仪,光电原子发射光谱仪,手持式光谱仪,便携式光谱仪,能量色散光谱仪,真空原子发射光谱仪等多种品种。原子发射光谱仪广泛应用于铸造、钢铁、金属回收和冶炼以及军工、航天航空、电力、化工、高等院校和商检、质检等部门。

  • 【求购】射频辉光发电发射光谱仪

    各位: 想大概了解一下射频辉光放电发射光谱仪,价格在什么范围内? 只需知道大概的价格范围,这样也好跟头儿提议是否需要购买的事情。请知情的朋友帮助一下,十分感激。

  • 【原创】原子发射光谱仪的优点和缺点

    [font=宋体]ICP[/font][font=宋体]光谱法是上世纪60年代提出、70年代迅速发展起来的一种分析方法,它的迅速发展和广泛应用是与其克服了经典光源和原子化器的局限性分不开的,与经典光谱法相比它具有如下优点:[/font][font=宋体] 1. 因为ICP光源具有良好的原子化、激发和电离能力,所以它具有很好的检出限。对于多数元素,其检出限一般为0.1~100ng/ml。[/font][font=宋体] 2. 因为ICP光源具有良好的稳定性,所以它具有很好的精密度,当分析物含量不是很低即明显高于检出限时,其RSD一般可在1%以下,好时可在0.5%以下。[/font][font=宋体] 3. 因为ICP发射光谱法受样品基体的影响很小,所以参比样品无须进行严格的基体匹配,同时在一般情况下亦可不用内标,也不必采用添加剂,因此它具有良好的准确度。这是ICP光谱法最主要的优点之一。[/font][font=宋体] 4. ICP发射光谱法的分析校正曲线具有很宽的线性范围,在一般场合为5个数量级,好时可达6个数量级。[/font][font=宋体] 5. ICP发射光谱法具有同时或顺序多元素测定能力,特别是固体成像检测器的开发和使用及全谱直读光谱仪的商品化更增强了它的多元素同时分析的能力。[/font][font=宋体] 6. 由于ICP发射光谱法在一般情况下无须进行基体匹配且分析校正曲线具有很宽的线性范围,所以它操作简便易于掌握,特别是对于液体样品的分析。[/font][font=宋体]ICP[/font][font=宋体]发射光谱法除具有上述主要优点外目前尚有一些局限性,主要体现在以下几个方面:[/font][font=宋体] 1. 对于固体样品一般需预先转化为溶液,而这一过程往往使检出限变坏。[/font][font=宋体] 2. 因为工作时需要消耗大量Ar气,所以运转费用高。[/font][font=宋体] 3. 因目前的仪器价格尚比较高,所以前期投入比较大。[/font][font=宋体] 4. ICP 发射光谱法如果不与其他技术联用,它测出的只是样品中元素的总量,不能进行价态分析。[/font][font=宋体]ICP[/font][font=宋体]发射光谱法测定的是样品中的多种元素,它可以进行定性分析、半定量分析和定量分析,它的定性分析通常准确可靠,而且在原子光谱法中它是唯一一种可以进行定性分析的方法。[/font][font=宋体]  ICP发射光谱法的应用领域广泛,现在已普遍用于水质、环境、冶金、地质、化学制剂、石油化工、食品以及实验室服务等的样品分析中。截止到上世纪80 年代初,用ICP发射光谱法就已测定过多达78种元素,目前除惰性气体不能进行检测和元素周期表的右上方的那些难激发的非金属元素如C、N、O、F、Cl 及元素周期表中碱金属族的H、Rb、Cs的测定结果不好外,它可以分析元素周期表中的绝大多数元素。[/font][font=宋体]ICP[/font][font=宋体]发射光谱法是根据处于激发态的待测元素原子回到基态时发射的特征谱线对待测元素进行分析的方法。[/font][font=宋体]  ICP发射光谱法包括了三个主要的过程,即:[/font][font=宋体]  由plasma提供能量使样品溶液蒸发、形成气态原子、并进一步使气态原子激发而产生光辐射;[/font][font=宋体]  将光源发出的复合光经单色器分解成按波长顺序排列的谱线,形成光谱;[/font][font=宋体]  用检测器检测光谱中谱线的波长和强度。[/font][font=宋体]  由于待测元素原子的能级结构不同,因此发射谱线的特征不同,据此可对样品进行定性分析;而根据待测元素原子的浓度不同,因此发射强度不同,可实现元素的定量测定。[/font][font=宋体]优点:[/font][font=宋体]1. [/font][font=宋体]多元素同时检出能力。[/font][font=宋体]可同时检测一个样品中的多种元素。一个样品一经激发,样品中各元素都各自发射出其特征谱线,可以进行分别检测而同时测定多种元素。[/font][font=宋体]2. [/font][font=宋体]分析速度快。[/font][font=宋体]试样多数不需经过化学处理就可分析,且固体、液体试样均可直接分析,同时还可多元素同时测定,若用光电直读光谱仪,则可在几分钟内同时作几十个元素的定量测定。[/font][font=宋体]3. [/font][font=宋体]选择性好。[/font][font=宋体]由于光谱的特征性强,所以对于一些化学性质极相似的元素的分析具有特别重要的意义。如铌和钽、铣和铪、十几种稀土元素的分析用其他方法都很困难,而对AES来说是毫无困难之举。[/font][font=宋体]4. [/font][font=宋体]检出限低。[/font][font=宋体]一般可达0.1~1ugg-1,绝对值可达10-8~10-9g。用电感耦合等离子体(ICP)新光源,检出限可低至 数量级。[/font][font=宋体]5. [/font][font=宋体]用ICP光源时,准确度高,标准曲线的线性范围宽,可达4~6个数量级。可同时测定高、中、低含量的不同元素。因此ICP-AES已广泛应用于各个领域之中。[/font][font=宋体]6. [/font][font=宋体]样品消耗少,适于整批样品的多组分测定,尤其是定性分析更显示出独特的优势。[/font][font=宋体]缺点:[/font][font=宋体]1. [/font][font=宋体]在经典分析中,影响谱线强度的因素较多,尤其是试样组分的影响较为显著,所以对标准参比的组分要求较高。[/font][font=宋体]2. [/font][font=宋体]含量(浓度)较大时,准确度较差。[/font][font=宋体]3. [/font][font=宋体]只能用于元素分析,不能进行结构、形态的测定。[/font][font=宋体]4. [/font][font=宋体]大多数非金属元素难以得到灵敏的光谱线。[/font][font=宋体]1 [/font][font=宋体]因为工作时需要消耗大量Ar气,所以运转费用高。[/font][font=宋体]2 [/font][font=宋体]因目前的仪器价格尚比较高,所以前期投入比较大。[/font][font=宋体]3 ICP [/font][font=宋体]发射光谱法如果不与其他技术联用,它测出的只是样品中元素的总量,不能进行价态分析。[/font][font=宋体]原子发射光谱法主要是通过热激发来获得特征辐射的,因为分析物原子可以被激发至各个激发态能级,所以在原子光谱中发射光谱的谱线最为复杂,光谱干扰非常严重。ICP发射光谱法与采用经典光源的发射光谱法相比,因为只改变了激发光源,提高的只是光源的分析性能,所以光谱干扰的问题依然存在,并且没有得到任何改善。因此在进行定量分析时往往必须考虑光谱干扰的问题,需要选择适当的校正方法。[/font][font=宋体]  发射光谱谱线多是形成光谱干扰的主要原因,但同时它也为我们提供了丰富的信息,让我们有了更多的选择余地,这也是其定性分析之所以准确可靠的原因所在。当我们进行定量分析时,如果我们选用的分析灵敏线被与其他谱线发生了重叠干扰,这时我们就可以重新选择没有被干扰的谱线。特别值得一提的是现在很 多的商品仪器已经采用了中阶梯光栅的二维色散方式,使光的色散率和谱线的分辨率得到了明显的提高,这无疑又为我们选择分析线创造了更好的条件。[/font][size=3][font=Times New Roman] [/font][/size]

  • 电感耦合等离子体发射光谱仪的检测器——光电转换器件

    [url=http://www.huaketiancheng.com/][b][font=宋体]ICP光谱仪[/font][/b][/url][font=宋体]的光电转换器件是光电光谱仪接收系统的核心部分,也是[b]光谱仪检测分析[/b]的准要部件。主要是利用光电效应将不同波长的辐射能转化成光电流的信号。光电转换器件主要有两大类:一类是光电发射器件,例如光电管与光电倍增管,当辐射作用于器件中的光敏材料上,使发射的电子进入真空或气体中,并产生电流,这种效应称光电效应;另一类是半导体光电器件,包括固体成像器件,当辐射能作用于器件中光敏材料时,所产生的电子通常不脱离光敏材料,而是依靠吸收光子后所产生的电子[/font][font=&]-[/font][font=宋体]空穴对在半导体材料中自由运动的光电导(即吸收光子后半导体的电阻减小,而电导增加)产生电流的,这种效应称内光电效应。[/font][font=宋体]光电转换元件种类很多,但在光电光谱仪中的光电转换元件要求在紫外至可见光谱区域([/font][font=&]160-800nm[/font][font=宋体])很宽的波长范围内有很高的灵敏度和信噪比,很宽的线性响应范围,以及快的响应时间。[/font][font=宋体]目前可应用于光电光谱仪的光电转换元件有以下两类:即光电倍增管及固体成像器件。[b][font=宋体] 光电倍增管[/font][/b][font=&] [/font][font=宋体]外光电效应所释放的电子打在物体上能释放出更多的电子的现象称为二次电子倍增。光电倍增管就是根据二次电子倍增现象制造的。它由一个光阴极、多个打拿极和一个阳极所组成,见图,每一个电极保持比前一个电极高得多的电压(如[/font][font=&]100V[/font][font=宋体])。当入射光照射到光阴极而释放出电子时,电子在高真空中被电场加速,打到第一打拿极上。一个入射电子的能量给予打拿极中的多个电子,从而每一个入射电子平均使打拿极表面发射几个电子。二次发射的电子又被加速打到第二打拿极上,电子数目再度被二次发射过程倍增,如此逐级进一步倍增,直到电子聚集到管子阳极为止。通常光电倍增管约有十二个打拿极,电子放大系数(或称增益)可达[/font][font=&]10[sup]8[/sup][/font][font=宋体],特别适合于对微弱光强的测量,普遍为光电直读光谱仪所采用。[/font][font=&][size=14px] [/size][/font][font=宋体][size=14px]光电倍增管的窗口可分为侧窗式和端窗式两种[/size][/font][b][font=宋体] [/font][/b][font=宋体] 光电倍增管的基本特性[/font][font=&]1)[size=9px] [/size][/font][font=宋体]灵敏度和工作光谱区[/font][font=&] [/font][font=宋体]光电倍增管的灵敏度和工作光谱区主要取决于光电倍增管阴极和打拿极的光电发射材料。当入射到阴极表面的光子能量足以使电子脱离该表面时才发生电子的光电发射,即[/font][font=&]1/2mv[sup]2[/sup]=h[/font][font=Symbol]n[/font][font=&]-[/font][font=宋体]ф,([/font][font=&] h[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体]为光子能量,ф为电子的表面功函数,[/font][font=&]1/2mv[sup]2[/sup][/font][font=宋体]为电子动能[/font][font=&])[/font][font=宋体]。当[/font][font=&]h[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体][/font][font=宋体]ф时,不会有[/font][font=宋体]表面光电发射,而当[/font][font=&]h[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体]=[/font][font=宋体]ф时,才有可能发生光电发射,这时所对应的光的波长λ=C/[/font][font=Symbol]n[/font][font=宋体]称为这种材料表面的阈波长。随着入射光子波长的减小,产生光电子发射的效率将增大,但光电倍增管窗材料对光的吸收也随之增大。显然,光电倍增管的短波响应的极限主要取决于窗材料,而长波响应的极限主要取决于阴极和打拿极材料的性能。一般用于可见-红外光谱区的光电倍增管用玻璃窗,而用于紫外光谱区的用石英窗。光阴极一般选用表面功函数低的碱金属材料,如红外谱区选用银-氧-铯阴极,可见光谱区用锑-铯阴极或铋-银-氧-铯阴极,而紫外谱区则采用多碱光电阴极或梯-碲阴极。[/font][font=宋体]光电倍增管的灵敏度S是指在1lm的光通量照射下所输出的光电流强度,即S=i/F,单位为[/font][font=宋体]μ[/font][font=宋体]A/lm[/font][font=宋体]。显然,灵敏度随入射光的波长而变化,这种灵敏度称为光谱灵敏度,而描述光谱灵敏度随波长而变化的曲线称为光谱响应曲线(见[/font][font=宋体]右[/font][font=宋体]图),由此可确定光电倍增管的工作光谱区和最灵敏波长。例如我们常用的R427光电倍增管,其曲线偏码为250S,光谱响应范围为160-320nm,峰值波长200nm,光阴极材料Cs-Te,窗口材料为熔炼石英,典型电流放大率3.3×10[sup]6[/sup]。[/font][font=宋体]2)[font=&] [/font][/font][font=宋体]暗电流与线性响应范围[/font][size=14px][font=宋体]光电倍增管在全暗条件下工作时,阳极所收集到的电流称为暗电流。对某种波长的入射光,光电倍增管输出的光电流为: i= KI[sub]i[/sub]+i[sub]0 [/sub],式中,I[sub]i[/sub]对应于产生光电流i的入射光强度,k为比例系数,i[sub]0[/sub]为暗电流。由此可见,在一定的范围内,光电流与入射光强度呈线性关系,即为光电倍增管的线性响应范围。当入射光强度过大时,输出的光电流随光强的增大而趋向于饱和(见右图)。线性响应范围的大小与光阴极的材料有关。[/font][/size][font=宋体]暗电流的来源主要是由于极间的欧姆漏阻、阴极或其他部件的热电子发射以及残余气体的离子发射、场致发射和玻璃闪烁等引起。[/font][font=宋体]当光电倍增管在很低电压下工作时,玻璃芯柱和管座绝缘不良引起的欧姆漏阻是暗电流的主要成分,暗电流随工作电压的升高成正比增加;当工作电压较高时,暗电流主要来源于热电子发射,由于光电阴极和倍增极材料的电子溢出功很低,甚至在室温也可能有热电子发射,这种热电子发射随电压升高暗电流成指数倍增;当工作电压较高时,光电倍增管内的残余气体可被光电离,产生带正电荷的分子离子,当与阴极或[/font][font=宋体]打拿极碰撞时可产生二次电子,引起很大的输出噪声脉冲,[/font][font=宋体]另外高压时在强电场作用下也可产生场致发射电子引起[/font][font=宋体]噪声,[/font][font=宋体]另外当电子偏离正常轨迹打到玻壳上会出现闪烁现象引起暗电流脉冲,这一些暗电流均随工作电压升高而急剧增加,使光电倍增管工作不稳定,因此为了减少暗电流,对光电倍增管的最高工作电压均加以限制。[/font][font=宋体]3)[font=&] [/font][/font][font=宋体]噪声和信噪比[/font][size=14px][font=宋体]在入射光强度不变的情况下,暗电流和信号电流两者的统计起伏叫做噪声。这是由光子和电子的量子性质而带来的统计起伏以及负载电阻在光电流经过时其电子的热骚动引起的。输出光电流强度与噪声电流强度之比值,称为信噪比。显然,降低噪声,提高信噪比,将能检测到更微弱的入射光强度,从而大大有利于降低相应元素的检出限。[/font][/size][font=宋体]4)[font=&] [/font][/font][font=宋体]工作电压和工作温度[/font][font=宋体]光电倍增管的工作电压对光电流的强度有很大的影响,尤其是光阴极与第一打拿极间的电压差对增益(放大倍数)、噪声的影响更大。因此,要求电压的波动不得超过0.05%,应采用高性能的稳压电源供电,但工作电压不许超过最大值(一般为-900v-1000v),否则会引起自发放电而损坏管子,工作环境要求恒温和低温,以减小噪声。[/font][font=宋体]5)[font=&] [/font][/font][font=宋体]疲劳和老化[/font][font=宋体]在入射光强度过大或照射时间过长时,光电倍增管会出现光电流衰减、灵敏度骤降的疲劳现象,这是由于过大的光电流使电极升温而使光电发射材料蒸发过多所引起。在停歇一段时间后还可全部或部分得到恢复。光电倍增管由于疲劳效应而灵敏度逐步下降,称为老化,最后不能工作而损坏。过强的入射光会加速光电倍增管的老化损坏,因此,不能在工作状态下(光电倍增管加上高压时)打开光电直读光谱仪的外罩,在日光照射下,光电倍增管很快便损坏。[/font][font=宋体] 光电测量原理[/font][font=宋体]光电检测的原理一般是通过光电接受元件将待测谱线的光强转换为光电流,而光电流由积分电容累积,其电压与入射光的光强成正比,测量积分电容器上的电压,便获得相应的谱线强度的信息。不同的仪器其检测装置具有不同的类型,但其测量原理是一样的。其光电检测系统主要有以下四个部分组成:[/font][font=&]1.[/font][font=宋体]光电转换装置,[/font][font=&]2.[/font][font=宋体]积分放大电路及其开关逻辑检测,[/font][font=&]3.A/D[/font][font=宋体]转换电路,[/font][font=&]4.[/font][font=宋体]计算机系统。[/font][/font]

  • 发射光谱仪FLASH示意图 请点光源

    为了让大家能形象的了解AES的内部情况,特把不同AES的几个FLASH奉上,需要下载的朋友到资料中心去下载PerkinElmer全谱直读等离子体发射光谱仪示意图:请点光源[flash]http://ng1.17img.cn/bbsfiles/images/2017/10/200524204648_01_0_3.swf[/flash]

  • 【转帖】专家解答,急!!发射光谱仪能否装 漏电保保装置

    本人实验室有一台发射光谱仪,额定电流20A输出功率约4500W,以前在用时没额加漏电保护装置。现学生实验用到该仪器,故需漏电保护装置,但加上以后,一激发就跳闸,漏电保护起作用。该仪器有二根电极,激发时两电极会发光,电弧发光。空开功率问题已可排除,请内行的人帮忙解答一下。谢谢。

  • 等离子体发射光谱仪分类与“全谱直读”一词

    等离子体发射光谱仪分类与“全谱直读”一词陆文伟上海交通大学分析测试中心, 上海 200030摘 要 本文从仪器结构原理上讨论了当前国内在新型等离子体发射光谱仪分类命名上的问题。指出“全谱直读”一词用于仪器分类的不严谨性。提仪使用固态检测器等离子体发射光谱仪作为分类词。主题词 等离子体发射光谱仪 中阶梯光栅 固态检测器 全谱直读中图分类号:O657131   文献标识码:B   文章编号:100020593 (2002) 0220348202 收稿日期:2000208205 ,修订日期:2000212212 作者简介:陆文伟,1951 年生,上海交通大学分析测试中心高级工程师  早期国外把等离子体发射光谱仪( ICP2OES) 仪器分成同时型(Simultanous) 和顺序型(Sequential) 二类。国内把色散系统区分为多色器(Polychromator) 、单色器(Monochromator) ,仪器则从检测器来区分,命名为多通道型(多道) ,顺序型(单道扫描) 仪器[ 1 ,2 ] 。其仪器的分类命名与仪器功能,仪器结构基本一致,与国外的仪器分类也一致。ICP2OES 仪器在其发展期间,又有N + 1 的单道与多道结合型仪器出现,以及有入射狭逢能沿罗兰圈光学平面移动,完成1~2 nm 内扫描,能获得谱图的多道仪器出现,但总体上仍没动摇仪器的原始分类。1991 年新的中阶梯光栅固态检测器ICP2OES 仪器问世,新的仪器把中阶梯光栅等光学元件形成的二维谱图投影到平面固态检测器的感光点上,使仪器同时具有同时型和顺序型仪器的功能,这样形成了新一类的仪器。从它的信号检出来看,它与同时型仪器很接近,故有的国外文献仍把它简单归为同时型(Simultaneous) 仪器。但更多的是从仪器的硬件结构上出发,采用中阶梯光栅固态检测器等离子体发射光谱仪“Echelle grating solid state detector ICP2OES”的命名。1993 年该类仪器进入中国市场,国内仪器广告上出现“全谱直读”一新名词。随着该类仪器的推广使用,该名词逐渐渗入期刊杂志,教科书,学术界,甚至作为仪器分类词出现在《现代分析仪器分析方法通则及计量检定规程》[ 3 ]中。纵观国外涉及到中阶梯光栅固态检测器等离子体发射光谱仪的期刊杂志,书籍和文献均未使用到该词或与之意思相近的词。甚至各仪器厂家的英文样本中也无该词出现。实际上“全谱直读”是中文广告词,它不严谨,并含糊地影射二方面意思:11 光谱谱线的全部覆盖性和全部可利用性 21 全部谱线的总体信号同时采集读出。从中阶梯光栅固态检测器等离子体发射光谱仪的光谱范围(英文常采用Wavelength coverage range) 来看,一般仪器都在160~800 nm 左右。如有的仪器在167~782 nm ,有的在165~800 nm ,有的在175~900 nm ,有的在165~1 000 nm ,有的是在122~466 nm 基础上另加590 ,670 ,766 nm 的额外单个检测器。有的在超纯Ar 装置下短波段区扩展至134nm ,其长波段区能扩展至1 050 nm。很明显所有此类仪器的光谱范围目前离“全谱”还是有距离的,而且仪器厂家还在扩大其光谱范围。再说此类仪器的“光谱范围”,实际上更确切的意思是指可利用的分析谱线波长跨度范围!实际上中阶梯光栅和棱镜所形成的二维光谱图在目前固态检测器芯片匹配过程中,高级次光谱区可以说是波长连续的,不同级次的光谱波长区甚至重迭。而低级次光谱区级次与级次之间的波长区并不衔接,最大可以有20 nm 以上的间隙,其间隙随着级数增大而变小,严格地说也就是仪器的光谱不连续性存在,尽管对有用谱线影响并不太大。另外中阶梯光栅多色器系统产生的二维谱图闪烁区与检测器芯片匹配的边缘效应,固态检测器的分段或分个处理,都会造成使用全部谱线的困难,甚至发生有用谱线的丢失。大面积的固态检测器芯片可望用于光谱仪,光谱级次间波长区的连续性会进一步改善,其波长区复盖也会增大。但仪器制造成本及芯片因光谱级次间波长过多重叠显得利用效率不高,都会形成其发展的阻力。从仪器可利用谱线上看,目前中阶梯光栅固态检测器等离子体发射光谱仪还只能是多谱线同时分析仪器。当然它可利用的谱线要比以前多道发射光谱仪器的谱线(最多六十多条) 多得多。如目前仪器有6 000 多条的,有2 万7 千条的,有在2 万4 千条的基础上再可由使用者在仪器波长区任意定址添加的等等。但这与“全谱”给人的含糊概念,与数十万以上的全部谱线概念相差甚远。就是从全部可利用谱线讲,该类仪器在定量分析时也不等于纪录全部谱线。有的仪器是在定性分析时能纪录所有覆盖谱线。“全谱直读”一词还常常被沿伸到一次曝光像摄谱仪一样工作。直读一词(Direct reading) 出现在摄谱仪之后、光电倍© 1995-2005 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All rights reserved.增管用于发射光谱仪之时。是相对摄片2读片过程变成一步而言。多道发射光谱仪采用该词较多。目前中阶梯光栅固态检测器等离子体发射光谱仪还没有完全达到全部谱线的总体信号同时采集读出的水平。有的仪器分检测器读出,有的仪器分波长区读出,有的仪器分波长区检测器再加几个单个波长检测器读出。固态检测器的曝光与摄片又不同,固态检测器比照相底片更灵活,为了适应样品分析元素高低浓度大小信号的要求,固态检测器灵活处理,有的分区曝光,有的分级扫描曝光,有的级中分二段控制曝光,有的检测器分子阵列(Subarray) 控制曝光,有的从其检测器机理出发分每个感光点(Pixel) 控制曝光。“全谱直读”给人是含糊的印象,不能正确反映仪器的特点。当前新的仪器还在不断涌现,有分级扫描式中阶梯光栅固态检测器等离子体发射光谱仪,有新的多个固态检测器在罗兰圈排列使用的仪器,从检测器硬件结构分类,它们都能方便地归入中阶梯光栅固态检测器等离子体发射光谱仪,或固态检测器等离子体发射光谱仪类别里。而“全谱直读”则明显不能适应。新名词会受到实践和事实的考验。国外文献中名词也有变化的,如电感耦合等离子体原子发射光谱仪的ICP2AES 英文缩写名词,因AES 含义面广,易与俄歇电子光谱[ 4 ]混淆,现在逐渐被ICP2OES 取代。切入实际的名词才会在发展中生存。参考文献 [ 1 ]  化学试剂电感耦合等离子体原子发射光谱方法通则,中华人民共和国国家标准GB10725289. [ 2 ]  发射光谱仪检定规程,中华人民共和国国家计量检定规程J TG768294. [ 3 ]  感耦等离子体原子发射光谱方法通则 感耦等离子体原子发射光谱仪检定规程,1997. (第一版) 科学技术文献出版社,现代分析仪器分析方法通则及计量检定规程. [ 4 ]  英汉仪器仪表词汇,科学出版社,1987 (第一版) .

  • 原子吸收光谱仪的发射功能使用中的问题

    本人在用[url=https://insevent.instrument.com.cn/t/Wp][color=#3333ff]原子吸收光谱仪[/color][/url]的发射法测钾时,出现了一些问题:找出分析线后,插入浓度最高的溶液调节负高压,调好后,不论插入何种溶液,其发射强度没变化,这是什么原因?请各位高手帮忙,谢谢!另外还有一点疑问,发射强度应控制在什么范围,画出的曲线成直线?

  • 求助,激发光谱与发射光谱!

    各位老师,由荧光的激发光谱可以看出在某个激发波长下,物质的荧光强度最大。物质的发射光谱表示在固定激发波长下,物质发射的荧光强度与波长的关系。问题是,如果我要测试一个物质是否有荧光,我到底该选用哪一种谱,是激发光谱还是发射光谱?这两个谱到底是为了说明什么?

  • 【求助】发射出形成光谱

    光谱分析基础请问: 在原子发射光谱中: 原子中某一外层电子由基态激发到高能态,然后又由高能态向基态跃迁,并发射出形成光谱, 那么,光源发射的光谱中有一部分被吸收,然后这一部分又重新被释放,那岂不是光谱自始至终都不变,检测器怎么能检测的到信号的变化呢? O(∩_∩)O谢谢

  • 【求助】问一个发射光谱的问题

    用荧光法固定激发波长,测物质的发射光谱时,在激发波长处出峰是正常的吗,是锐利光吗?如果是正常的,它比物质的发射谱最高的峰还高,这正常吗?什么原因可能导致出现激发波长处峰增高的现象? 还有,在比激发波长大,但是比物质的荧光强度最大处发射波长小的位置有一小峰,空白容积的谱中也有这个峰,这是拉曼光吗?它和最大的发射峰有部分的重叠,这个峰对激发波长的选择有影响吗? 还有,发射谱图中峰边缘呈锯齿状,是不是和狭缝宽度有关?还是和别的有关?有解决的办法吗?

  • 直读光谱仪之原子发射光谱仪的由来

    直读光谱仪 的原名叫原子发射光谱仪,叫直读的原因是相对于摄谱仪和早期的发射光谱仪而言,由于在70年代以前还无电脑采用,所有的光电转换出来的电流信号都用数码管读数,然后在对数转换纸上绘出曲线并求出含量值,电脑技术在光谱仪应用后,所有的数据处理全部由电脑完成,可直接换算出含量,所以比较形象的管它叫直接可读出结果,简称就叫直读了,在国外是没有这个概念的。直读光谱仪 和 ICP 都属于发射光谱分析仪器,区别在于激发方式不同,ICP中文名字是 电感耦合等离子体 ,是通过线圈磁场达到高温使样本的状态呈等离子态然后进行测量的,而普通的直读光谱仪一般采用电火花,电弧或者辉光放电的方式把样本打成蒸汽进行激发的,在效果上ICP要比普通直读光谱仪器的检出限小,精度高,但是在进样系统上要求非常严格,无好的进样系统就只能做溶液样本.国外先进ICP可做固体样本。直读光谱仪在什么情况下必须做标准化?直读光谱仪做标准化其实也要是看用的什么品牌的机器,仪器正常使用的情况下,需要定期(一般为一周)做标准化。若测试数据精确稳定,可适当延长标准化周期。但有如下情况之一,仪器必须做标准化,否则可能会影响测试精密度。(如果是用的美国热电的ARL3460或者ARL4460,标准化时间可以适当放长,像在上海宝钢,一般是一个月标准化一次),在以下几项变动后,建议都要做一下标准化。(1)仪器移动后。因实验室或厂址更改,可能需要对直读光谱仪进行转移,为保证测试的精密度,转移后需要重新进行标准化操作。(2)清洗透镜后。长时间使用会导致透镜变脏,在清洗透镜后需要对仪器重新做标准化。(3)清理激发台或更换电极后,建议客户重新做标准化。(4)光谱校正后。

  • 【求助】请问北京地区哪家单位有辉光发射光谱仪??

    想对材料的镀层进行逐层分析,想用辉光发射光谱仪,我在网上查了很久,发现重庆工学院有,可是离我太远了啊,北京地区哪家单位还有这个设备啊??望知道的xdjm告诉一声,小弟不胜感谢!!!(钢研院有一台辉光发射质谱仪,我打电话问过了,可是现在操作设备的老师不在,做不了实验555)

  • 【分享】等离子发射光谱仪招标文件(例子)

    能满足三个以上进口品牌参与投标的电感耦合等离子发射光谱仪预算70~80万(含各种外设)。[img]http://www.instrument.com.cn/bbs/images/affix.gif[/img][url=http://www.instrument.com.cn/bbs/download.asp?ID=159499]电感耦合等离子发射光谱仪招标文件[/url]

  • 怎样做发射光谱?求助

    [em06] 不同激发波长对发射光谱最大强度波长位置有影响吗?为什么我作出的发射谱的位置随激发波长的改变而改变?发射波长和激发波长的大体有怎样的对应关系?我做出结果都是λEm=2λEx,这结果是不是有问题,一般情况下是不是λEm应该位于λEx+20至2λE-20nm之间?谢谢!

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