高真空系统

简介 PECVD工艺中由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应；借助射频等使含有薄膜组成原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜；具有基本温度低、沉积速率快、成膜质量好、针孔较少、不易龟裂等优点；1200℃高真空PECVD系统通过滑动炉体来实现快速的升降温，配置不同的真空系统来达到理想的真空度；同时通过多路高精度质量流量计控制不同气体。 主要应用于高校、科研院所用于真空镀膜、纳米薄膜材料制备，生长薄膜石墨烯，金属薄膜，陶瓷薄膜，复合薄膜等，也可作为扩展等离子清洗刻蚀使用。同时上海煜志良好的售后服务体系，使得该产品的整体评价远超同行业标准。主要技术参数炉体结构整机采用SUS304不锈钢材质，流线型外观，断热式结构；日本技术真空吸附成型的优质高纯氧化铝多晶纤维固化炉膛，保温性能好；炉子底部装有一对滑轨，移动平稳；炉子可以手动从一端滑向另一端，实现快速的加热和冷却；炉盖可开启，可以实时观察加热的物料尺寸重量1730*660*1130mm；净重：210kg电源电压：AC220V 50/60Hz；功率：4KW炉管高纯石英管，高温下化学稳定性强，耐腐蚀，热膨胀系数极小； 尺寸：Φ60*1300mm法兰及支撑SUS304不锈钢快速法兰，通过用高温“O”型圈紧密密封可获得高真空；一个卡箍就能完成法兰的连接，放、取物料方便快捷；可调节的法兰支撑，平衡炉管的受力支撑；包含进气、出气、真空抽口针阀，KF密封圈及卡箍组合加热系统加热元件采用康泰尔发热丝，表面负荷高、经久耐用；加热区长度：300mm恒温区长度：150mm； 工作温度：≤1150℃； 最高温度：1200℃；升温速率：10℃/min温控系统日本富士温控仪表，64段控温程序，可分步、分段混气系统三路质量流量计：数字显示、气体流量自动控制；内置不锈钢混气箱，每路气体管路均配有逆止阀；管路采用不锈钢管，接口为Φ6卡套；每路气体进气管路配有不锈钢针阀；通过控制面板上的旋钮来调节气体流量流量规格：0~1000sccm（可选）； 流量精度：±1.5%高真空系统采用双级旋片真空泵+分子泵，极限真空可达4.0*10^-4Pa； 复合真空计，配置电阻规+电离规抽速：110L/S； 冷却：风冷； 电源:AC220V 50/60Hz射频电源系统输出功率:0-300W；功率稳定度：±0.1%；射频电源频率:13.56MHz 稳定性±0.005%；最大反向功率:120W；射频电源电子输出端口:UHF； 冷却:风冷； 电源:AC187-253V 50/60Hz可选配件各种刚玉、石英坩埚，石英管，计算机控制软件保修卡整机一年保修（相关耗材除外）可根据客户要求定制！

一、操作便捷性：抽气口及气路连接口采用KF式快速连接结构。简化安装过程，只需用卡箍便可完成连接，方便操作 二、控制智能化1、采用数显真空计，配合热电偶规管采集数据。测量精度高、稳定性好、抗干扰能力强、真空度显示采用科学计数法，数字显示，使用方便直观。2、该系统采用分子泵系高压强耐冲击，与专用的控制电源配套使用，提高了使用的可靠性，尤其当炉管密封系统与在使用过程中的大气相通，导致系统会自动停止工作，待炉管密封系统恢复正常仍可使用。 三、结构实用性：1、内置双级旋片式机械真空泵，有效地提高了抽气效率。2、本身作为真空控制系统的同时，也可作为活动平台使用，方便放置电炉及其它设备。 四、周边扩展性：1、该真空控制系统可与公司生产的真空/气氛管式电炉及真空/气氛箱式电炉。2、该真空控制系统可与公司生产的气体流量控制系统组合使用。3、该系统可作为真空获得设备独立使用。产品用途：该系列产品应用在我公司生产的真空/气氛管式电炉及真空/气氛箱式电炉等设备上。是对炉管及箱体抽取真空、真空测量与自动控制为一体的真空控制系统总成。设备为用户提供了具有真空度可控的实验环境。

——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品的质量；我公司采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。为了生产出最匹配客户需求的产品，需要告知我公司以下几个问题点：1、产品在使用过程中是否有温度产生，高温和低温分别是多少摄氏度，是否需要通水或液氮冷却等内外在因素。2、对产品材质是否有特殊要求，真空领域腔体常用材质为：碳钢、铝、304不锈钢、316不锈钢等3、产品的链接方式，抽真空的方式，抽真空所用的真空泵等4、腔体真空度的要求，腔体抽完真空以后是否需要冲入保护气体或其他气体。通常常见真空腔体技术性能：材质：304不锈钢或客户指定材质。腔体适用温度范围：-190℃~+1200℃密封方式：氟胶“O”型圈或金属无氧铜密封圈出厂检测事项：1、真空漏率检测：标准检测漏率：1.3*10-8PaL/S 2、水冷水压检测：标准检测压力：8公斤24小时无泄漏检测。内外表面处理：拉丝抛光处理、喷砂电解处理、酸洗处理、电解抛光处理和镜面抛光处理等。实验室真空系统,真空腔体,真空探针台

长期供应 真空炉腔体系统 非标定制高真空腔体——按照客户要求，加工订制；——一对一专业出图设计；——可配套指定真空机组系统；——耐高温、耐腐蚀；——高质量、高精度；加工工艺，采用真空焊接技术拼装焊接；先进的真空捡漏设备，更加保证产品的质量；我公司采用三维建模软件，按照实际比例建立三维模型，根据客户文字、语言草图等需求描述，专业设计出适合客户所需产品方案（在方案定稿之前所有设计不收取任何费用）。为了生产出最匹配客户需求的产品，需要告知我公司以下几个问题点：1、产品在使用过程中是否有温度产生，高温和低温分别是多少摄氏度，是否需要通水或液氮冷却等内外在因素。2、对产品材质是否有特殊要求，真空领域腔体常用材质为：碳钢、铝、304不锈钢、316不锈钢等3、产品的链接方式，抽真空的方式，抽真空所用的真空泵等4、腔体真空度的要求，腔体抽完真空以后是否需要冲入保护气体或其他气体。通常常见真空腔体技术性能：材质：304不锈钢或客户指定材质。腔体适用温度范围：-190℃~+1200℃密封方式：氟胶“O”型圈或金属无氧铜密封圈

1. 产品概述：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统是一种先进的物理气相沉积（PVD）技术设备，主要用于在超高真空环境下，通过电子束加热蒸发源材料，使其蒸发并在基片表面沉积形成薄膜。该系统广泛应用于物理学、材料科学、动力与电气工程等域，特别适用于纳米材料、太阳能光伏电池、半导体器件等高精度薄膜的制备。2 设备用途/原理：1. 薄膜制备：该系统能够制备各种金属、半导体、氧化物等材料的薄膜，满足不同材料和器件的制备需求。2. 科学研究：在材料科学研究中，用于探索新材料、新结构的物理和化学性质。3. 工业生产：在半导体、光电子、太阳能电池等行业中，用于大规模生产高精度、高质量的薄膜产品。3 设备特点CMP抛光机具有以下几个显著特点：1 高真空度：系统能够达到高的真空度（≤6.0E-5Pa），有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰，提高薄膜质量。2 电子束加热：采用电子束加热技术，具有热效率高、束流密度大、蒸发速度快等优点，能够蒸发高熔点材料，制备高纯薄膜。3 多源蒸发：系统配备多个蒸发源（如6个40cc坩埚），可同时或分别蒸发多种不同材料，实现多层膜的均匀沉积。4 精确控制：配备高精度的膜厚监控仪和控制系统，能够实现对薄膜厚度、成分和结构的精确控制，确保薄膜的均匀性和一致性。5 灵活定制：样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架等多种选择，可根据用户基片尺寸设计工件架。6 稳定可靠：系统整体设计合理，结构紧凑，具有良好的设备稳定性和可靠性，以及完善的售后及质保服务。综上所述，高真空电子束蒸发薄膜沉积系统以其高真空度、高精度、多源蒸发和灵活定制等特点，在薄膜制备域具有广泛的应用景和重要的科学价值。4 特色参数：本系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。真空室结构:U形开门真空室尺寸:700x700x900mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.2米x3.9米x2.1米电控描述:全自动控制系统：通过工控机和 PLC 实现对整个系统的控制，具有自动和手动控制两种功能，操作过程可在触摸屏上进行，提供配方设置、真空系统、电子枪系统、工艺系统、充气系统、冷却系统等人机操作界面；在工控机上可通过配方式参数设置方式实现对程序工艺过程和设备参数的设置。工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成。该系统可与手套箱对接。2.设备用途：热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等域。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等。3.真空室：真空室结构:方形开门真空室尺寸:400×400×450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:3个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:4寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

1.产品概述：该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成。2.产品应用：在实际应用中，这种系统常用于半导体、光电子、有机电子等域，用于制备各种有机薄膜、金属薄膜或复合薄膜，以满足不同器件和材料的研究与开发需求。3.真空室:沈阳科学仪器的高真空有机及热阻蒸发薄膜沉积系统 DZ350的详细介绍可能因具体型号和配置而有所不同真空室结构:U形开门真空室尺寸:φ350×400mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:2个钨舟、2个有机源样品尺寸，温度:50mmx50mm，1片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:采用先进的控制系统，方便用户设置和调整工艺参数，如蒸发温度、沉积时间等。手动：样品台：拥有可旋转或可移动的样品台，以便均匀沉积薄膜。工艺:不含工艺

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.用户评价：TRP-450高真空镀膜机其设备质量过关，功能齐全，性能稳定，自动化程度高，抽气速平稳，电源稳定可靠，气路流畅密闭，镀膜质量平整光滑，均匀致密，结合力强，且系统操控智能，便捷，可满足科研实验与生产制造的需求，是一款优秀的磁控溅射镀膜系统。——北京石墨烯技术研究院有限公司 李老师4.真空室：真空室结构:圆筒形开门 真空室尺寸:φ450x400mm 限真空度:≤6.6E-6Pa沉积源:永磁靶3套，φ2英寸，可以向上溅射或向下溅射。 样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1米×1.8米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

优势特点1）样品处理开始后样品池中真空度可达到10-3 Pa；2）样品测量过程中各样品可同时或分别进行预处理、吸附、脱附探针分子；3）测量所需探针分子为酸性或碱性分子，高硼硅玻璃材质避免了各类气体的相互污染；4）真空处理系统由机械泵与玻璃四级扩散泵串联组成，可满足样品测试所需的高真空度的要求，具有抽速快、体积小、噪音低、操作简单、使用方便等特点；5）低真空部分主要是抽除系统中的高浓度气体或吸附的残余气体；6）各部分节门选用高硼硅玻璃节门，满足系统高真空的要求，透明性操作，便于调试；7）真空测量仪使用数显高精密真空计；8）本系统所配透过式石英红外吸收池，可对样品进行陪烧、流动氧化还原、抽空脱气、吸附反应等处理过程，可随时移入或移出到红外光谱仪的光路中进行实验，对样品的加热温度可达450度；9）波纹管更换方便。10）高真空系统和原位红外吸收池可按客户要求进行更改和定制。产品应用1 吸附态研究和催化剂红外光谱表征红外光谱已经广泛应用于催化剂表面性质的研究，其中有效和广泛应用的是研究吸附在催化剂表面的所谓“探针分子”的红外光谱，如：NO、CO、CO2、NH3、C3H5N等，红外光谱表征可以提供催化剂表面尤其是原位反应条件下催化剂表面存在的“活性中心”和表面吸附物种的信息，因此对于揭示催化反应机理十分重要。1.1 CO吸附态研究CO具有很高的红外消光系数，其未充满的空轨道很容易同过渡金属相互作用，同时许多重要的催化反应如羰基合成、水煤气合成、费托合成等均与CO密切相关，因此，研究CO在过渡金属表面的吸附态是一项十分广泛的研究课题。1.2催化剂表面组成测定合金催化剂表面组成与体相组成的差异会导致催化剂的性能显著不同，因此，测定催化剂的表面组成对理解反应的活性位相当重要。利用两种气体混合物在双组份过渡金属催化剂表面上的竞争吸附，并通过红外光谱测定其强度，可以方便地测定双金属负载催化剂的表面组成。典型的例子是CO和NO在Pt-Ru双金属催化剂上共吸附的红外光谱。1.3几何效应和电子效应研究在高分散金属催化剂中引入第二金属组元，由于金属间的几何效应和电子效应可显著改变催化剂的吸附性能从而改变催化活性。如在Pd-Ag/SiO2催化剂体系中，Ag对Pd起稀释作用，当Ag含量增加，成双存在的Pd浓度减少，因而桥式CO减少，线式CO增加，说明几何效应改变了CO在Pd-Ag/SiO2体系中的吸附性能，同时，随Ag含量的增加，CO吸附谱带红移加大，说明Pd-Ag之间存在电子效应。1.4吸附分子相互作用研究CO吸附在过渡金属表面时存在d-π反馈，nco同d-π反馈程度有有关，而d-π反馈程度与金属本身的d轨道情况有关，因此，通过CO吸附态的红外吸收光谱的化学位移，可以考察其它分子与CO共同吸附时导致的分子与金属组元之间的电子转移过程。如：当能够给出电子的Lewis碱与CO共吸附在Pt上时，根据d-π反馈原理，吸附在Pt上的CO伸缩振动向低波数位移，而当能够接受电子的受体与CO共吸附在Pt上时，根据d-π反馈原理，吸附在Pt上的CO伸缩振动向高波数位移。2 氧化物、分子筛催化剂的红外光谱表征2.1 固体表面酸性测定固体表面酸性位一般可看作是氧化物催化剂表面的活性位。在众多催化反应如催化裂化、异构化、聚合等反应中烃类分子与表面酸性位相互作用形成正碳离子，该正碳离子是反应的中间物种。正碳离子理论可以成功解释烃类在酸性表面上的反应，也对酸性位的存在提供了有力证明。为了表征固体酸催化剂的性质，需要测定表面酸性位的类型(Lewis酸，Bronsted酸)、强度和酸量。测定表面酸性的方法很多，如碱滴定法、碱性气体吸附法、热差法等，但这些方法都不能区分L酸和B酸部位。红外光谱法则广泛用来研究固体催化剂表面酸性，它可以有效区分L酸和B酸，在该方法中，常用碱性吸附质如氨、吡啶、三甲基胺、正丁胺等来表征酸性位，其中应用比较广泛的是吡啶和氨。2.2 氧化物表面羟基的研究氧化物尤其是大比表面的氧化物的表面结构羟基同许多催化反应如脱水反应、甲酸分解反应等有关，而表面结构羟基的性质又同表面酸性有密切的关系，多年来，人们对氧化物表面羟基进行了大量的研究，其中大部分研究着眼于氧化物表面羟基的结构、性质以及同酸性中心的关系，进而同催化剂的反应性能相关联。研究催化剂表面结构羟基的方法很多，但卓有成效的是红外光谱法。2.3 氧化物表面氧物种研究甲烷是烃类分子中结构简单、对称、化学惰性的分子，从基础研究角度认识以甲烷为代表的低碳烃类活化机理具有极大的学术意义。但是，甲烷分子很难吸附在催化剂表面上，因此很难直接观察到它在氧化物表面的活化过程。而氧化物表面（尤其碱性氧化物表面）的氧物种研究由于表面存在一层稳定的碳酸盐使得对其研究十分困难。鉴于上述原因，氧化物表面氧物种的研究一直没有取得重大进展。近年来采用了“化学捕集”技术、同位素交换技术和低温原位红外光谱方法相结合应用于上述研究取得了一些关于表面氧物种和甲烷活化的重要信息。3 原位红外光谱应用于反应机理研究长期以来人们研究了各种分子在催化剂表面的吸附态并获得了许多重要的信息，但是这些信息都是在反应没有发生时测得的。而反应条件下的吸附物种的类型、结构、性能与吸附条件下的吸附物种的类型、结构、性能有很大差别，因此，仅利用吸附条件下分别测得的吸附物种信息无法准确阐明反应机理，为此，进行反应条件下吸附物种的研究十分必要。而在反应条件下催化剂表面吸附的物种并未都参与反应，因此如何在多种吸附物种中识别出参与反应的“中间物种”是非常重要的课题。原位红外光谱可以测量催化剂在反应状态下吸附物种的动态行为，因此可以获得催化剂表面物种的动态信息，并可据此推断反应机理。详细介绍原位红外光谱表征高真空系统是用于测定催化剂表面组成、吸附、酸性、物种、表面羟基及反应机理的专用设备，包括高真空系统和原位红外吸收池两部分，可以配合Bruker布鲁克等主要红外光谱仪进行氨、吡啶、一氧化碳、一氧化氮、甲醇、乙醇等化合物的化学吸附测定及反应机理研究。催化剂表征对于了解催化剂结构和组成在预处理、诱导期和反应条件下以及再生过程中所发生的变化是至关重要的。催化反应机理的知识、特别是结构、动态学和沿催化反应途径中生成的反应中间物的能量学可为开发新催化剂和改良现有催化剂提供更深刻的认识。原位谱学观察又是阐明反应机理、分子与催化剂相互作用的动态学和中间物结构的有效技术。这些研究还可以提供有关催化剂和底物相互作用及有关活化势垒的热力学方面信息。反应机理和动力学的研究，特别是对催化反应中间物的原位观察，对发展催化科学是非常必要的。因为这样的研究结果提供了催化作用的全面知识，并有助于阐明催化剂结构和功能的关系。高真空系统由玻璃四级扩散泵、真空泵、精密真空表、电离规、集气瓶、球形安瓶、制备瓶、可伐、真空活塞等组成。该系统的高真空是通过一台优质低噪声的机械泵和一台玻璃四级扩散泵组成的机组而获得。原位红外吸收池由石英制成，分样品台和真空密封窗口两部分。样品台带有加热组件、热电偶、冷却系统和气体引入系统；真空密封窗口由冷却系统和CaF2窗片组成。该吸收池采用透射模式进行红外光谱表征，可对样品进行焙烧、流动氧化还原、抽空脱气、吸附反应等处理过程，可随时移入或移出到红外光谱仪的光路中，也可利用配备的延长管路进行原位表征实验。样品的加热采用程序升温方法控制温度，温度可达450℃。标准配置的吸收池窗口材料为CaF2，工作区间为4000—1000cm-1，也可按用户需要配置其他窗口材料。表1 红外窗口材料的性质材料使用范围cm-1反射损失*(1000cm-1)溶解度 g/100ml@20oC相对价格物理性质NaCl5000至6257.5%401.0溶于水,硬但易抛光和切割,潮解慢KBr5000至4008.5%701.2溶于水,较软但易抛光和切割,潮解慢,价格高,范围宽CsI5000至18011.5%807.8溶于水,软且易划伤,不能切割,潮解慢CaF25000至10005.5%难溶3.5难溶于水,耐酸碱,不潮解,忌用于铵盐溶液BaF25000至7507.5%不溶6.2类似于CaF2,对热和机械振动敏感SrF25000至8506%不溶5.1类似于CaF2,对热和机械振动敏感AgCl5000至45019.5%不溶6.6不溶于水但溶于酸和NH4Cl溶液,可延展,长期暴露于紫外光变暗,腐蚀金属及合金AgBr5000至28025%难溶难溶于水,软且易划伤,冷变形长期暴露于紫外光变暗KRS-55000至25028%0.19.1微溶水,溶于碱但不溶于酸, 软且易划伤,冷变形,剧毒Infrasil(SiO2)5000至2850NA不溶不溶于水,溶于HF溶液,微溶于碱难切割Poly-ethylene625至10NA不溶1.6不溶于水,耐溶剂,软易溶胀,难清洗,可压片*两个面上的反射损失, NA 不透明. 玻璃高真空系统部分组成及说明请参阅图1所示，本玻璃高真空实验测试系统，主要应用红外光谱催化剂原位表征、催化剂表面吸附物种和催化剂表征方面（探针分子的红外光谱）以及反应动态学方面的研究。该系统包括由机械真空泵A，真空波纹管B，可伐KF接头C，缓冲球D，组成一级真空泵，用于抽取低真空段，该部分真空可以抽取到1.0Pa；玻璃扩散泵E，用于提升真空度，提升真空度到10-2-10-3Pa，此为二级真空泵，液氮冷阱F，用于冷却系统中杂质气体，也有利于帮助提高真空度；真空规管G和精密真空表J，分别用于测量系统的高真空度及低真空度；玻璃球瓶H、I为储气瓶，用于储存备用纯化好的气体；玻璃管P为高真空部，为工作玻璃管，为该系统的核心部分；玻璃管Q为低真空部，用于连接测试样品池M，进气接口Ｌ，为工作管Ｐ服务，并实现高低真空的转换；玻璃制备瓶K，用于气体的纯化与制备；制备安瓶N，用于液体的纯化与制备；该系统全部采用玻璃真空阀门，更好的保证了气密性，02,03为三通玻璃真空阀门（详图2），01、04、05、06、07、08、09、10、11为二通玻璃真空阀门（详图3）。本实用新型中所采用的管路均为玻璃管路，所采用的阀门均为玻璃高真空阀门，真空阀门可以保证系统使用过程中不会产生漏气或缓慢渗漏的情形。图1-C中不锈钢管与玻璃管路采用可伐（Kovar）连接。

高真空系统GZK-103GS是一款高度自动化的国产分子泵真空系统，通过触摸屏显示真空度及各项工作状态，一键式操作，方便快捷。它主要由真空室，阀门及真空连接管道，F-100/110分子泵，机械泵，真空测量系统，电器控制系统构成。通过标准配件连接,全部采用不锈钢材料。 产品型号高真空系统GZK-103GS技术参数1、 环境温度5~32℃ 2、空气相对湿度≤80% 3、工作电电压：220V±10% 50~60HZ 4、功率：1KW5、系统极限真空度：1.0X10-4Pa6、外形尺寸：600 X600 X 750mm标准配件1机械泵抽气速率：4L/S电机功率：400W极限压强6X10-2Pa2F-100/110分子泵抽气速率：100L/S极限压强：6X10-6Pa启动时间：＜2min额定转速：4300转/分冷却方式:：风冷/水冷3分子泵控制电源 电压：200~240V； 输出功率：250W 加速时间：3分钟输出频率：高速704Hz±10%，低速430 Hz±10%4ZDF-Ⅲ复合真空计工作电电压：220V 50~60HZ 电阻规阻值：约85 欧 自动保护（电离）10Pa电离规管测量范围：100~10-5Pa电阻规管测量范围：105 ～10-1 pa5高真空手动隔断阀采用氟胶圈密封，快卸法兰接口漏率达5X10-9 Pam3/s6连接管路采用全不锈钢，电抛光制作，零件焊接漏率优于 1×10-9Pa.m3/s

1.产品概述：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统主要由蒸发室、主抽过渡管路、旋转基片架、光加热系统、电子枪及电源、石英晶体振荡膜厚监控仪、工作气路、抽气系统、控制系统、安装机台等部分组成，体现立方整体外观，适用于超净间间壁隔离安装，操作面板一端处在相对要求较高超净环境，其余部分（含低温泵抽系统）处在相对要求较低超净环境。2.设备用途：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。该系统的主要功能是利用电子束蒸发技术在基片上沉积各种薄膜材料。3.产品优势：限真空度高：能够达到≤6.×10^-5 Pa，这有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰，提高薄膜质量。电子枪功率可调范围大：电子枪功率 0—10kW 可调，可以满足不同材料蒸发和薄膜沉积的需求，适应多种工艺条件。配备水冷式坩埚：4 穴坩埚，每个容量不少于一定数值（具体容量可能因型号而有所不同），可容纳多种材料同时蒸发。样品台性能优良：可容纳较大尺寸的样品，并且能够加热至较高温度（具体温度可能因型号而有所不同），转速可在一定范围内调节，满足不同实验需求。具备精确的膜厚监测仪：彩色 LCD 显示屏，提供英文或中文版本，设有“quick setup”（快速设定）菜单、多个区分上下文按钮以及简便的参数设定旋钮，易于设定和操作，且测量速率和分辨率较高，存储容量大，能够使用单传感器或多传感器监控源材料，提供精确的源分布监控，有利于实现对薄膜沉积过程的精确控制和质量监测。包含金属蒸发源组件：可提供多套蒸发电源，大输出功率满足一定要求（如 1.8kW，电压 6V，电流×A），有助于提高薄膜沉积的效率和稳定性。拥有较高的分子泵抽速：≥×l/s，能够快速有效地抽取真空室内的气体，维持高真空环境。其他方面：可能还具有良好的设备稳定性、可靠性，以及完善的售后及质保服务等。4.产品参数：真空室结构:U形开门真空室尺寸:900×900×1100mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.5米x3.9米x2.1米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架

一、操作便捷性：抽气口及气路连接口采用KF式快速连接结构。简化安装过程，只需用卡箍便可完成连接，方便操作 二、控制智能化1、采用数显真空计，配合热电偶规管采集数据。测量精度高、稳定性好、抗干扰能力强、真空度显示采用科学计数法，数字显示，使用方便直观。2、该系统采用扩散泵系高压强耐冲击，与专用的控制电源配套使用，提高了使用的可靠性，尤其当炉管密封系统与在使用过程中的大气相通，导致系统会自动停止工作，待炉管密封系统恢复正常仍可使用。 三、结构实用性：1、内置双极旋片式机械真空泵，有效地提高了抽气效率。2、本身作为真空控制系统的同时，也可作为活动平台使用，方便放置电炉及其它设备。 四、周边扩展性：1、该真空控制系统可与公司生产的真空/气氛管式电炉及真空/气氛箱式电炉。2、该真空控制系统可与公司生产的气体流量控制系统组合使用。3、该系统可作为真空获得设备独立使用。产品用途：该系列产品应用在我公司生产的真空/气氛管式电炉及真空/气氛箱式电炉等设备上。是对炉管及箱体抽取真空、真空测量与自动控制为一体的真空控制系统总成。设备为用户提供了具有真空度可控的实验环境。

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备特点：本设备是一个镀膜平台，可把磁控靶拆下换电子枪成为电子束镀膜系统、或换蒸发源作为热蒸发系统、或换上离子枪作为离子束镀膜系统等。设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.真空室：真空室结构:方形开门真空室尺寸:φ500x500x500mm限真空度:≤3.0E-5Pa沉积源:永磁靶4套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约2米×1.7米×2米电控描述:全自动工艺:具备计算机化的工艺自动化功能。片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.真空室：真空室结构:方形开门真空室尺寸:φ400x400x400mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:永磁靶3套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高800℃样品台：拥有可旋转或者可移动的样品台，以便均匀的沉积薄膜。占地面积（长x宽x高）:约1.8米×1.7米×2米电控描述:全自动采用先进的控制系统，方便用户设置和调整工艺参数，如蒸发温度、沉积时间等。工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。3.真空室结构:圆筒形上升盖尺寸例如φ450×350mm，采用不锈钢材料制造，可进行内烘烤，接口处采用金属垫圈或氟橡胶圈密封。真空室尺寸:φ450×350mm限真空度:≤6.0E-5Pa包括分子泵和机械泵，通过超高真空闸板阀主抽，并设有旁路抽气 沉积源:永磁靶3套，φ2英寸样品尺寸，温度:φ2英寸,6片 φ4英寸,1片 高800℃占地面积（长x宽x高）:约2米×1.5米×2米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

产品简介：英国著名的Edward vacuum pump（由隔膜泵和斡旋分子泵组成），被安装在一移动壳体中（壳体上可以放高温炉）。系统包括了1200mm的KF40波纹管，LCD显示屏。仪器不必另行安装，可直接开箱使用，真空范围为1E-3 到1E-7 mbar 。600mm x 600m的移动壳体顶部可以承受600 Lbs，专门设计针对于本公司的管式炉.产品名称高真空系统GZK-103D产品型号GZK-103D注意事项1、使用前请仔细阅读说明书，防止操作不当将导致仪器损坏。2、真空泵不可以抽腐蚀性或爆炸性气体。3、真空泵不可以抽冷凝蒸气。4、真空泵不可以抽液体。5、真空泵不可以抽粉尘。6、真空泵不可以抽高温气体。7、请不要在潜在的爆炸区域进行操作。8、为了保护环境和人体健康，请使用尾气过滤器，以尽量减少排放污染物。9、为保护真空泵免受冷凝蒸气或小颗粒的损坏，请将冷阱或微粒捕集器连接到泵的前级管上技术参数1、启动时间：2 Min.2、输入电压：185-265V3、持续/最大功率：100/110 W4、工作范围：1000 mbar 到1E-7 mbar5、抽气速率N2 42L/sHe 49L/s H2 45L/s6、极限压力：1E-7 mbar (配和本公司管式炉使用可达到1E-5mbar )7、移动架壳体：移动壳体尺寸: 600 (L) x 600 (W) x 700(H), mm 最大承重量: 150kg 分子泵控制面板: LCD 数字显示 内部含有英国制造的 Edward vacuum pump8、控制面板：一键操作：按下"start" 键后，隔膜泵和涡轮分子泵将会启动（隔膜泵先启动等真空度达到10-2mbar后，分子泵自动启动）9、系统控制旋转速率：根据腔体内的真空度，系统自动控制泵旋片的旋转速率标准配件1KF40高真空法兰1个2KF40挡板阀1个3法兰支架1个4KF40卡箍1个

1.产品概述：本沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业的软件控制系统。2.产品优势：用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。该系统可用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料科研工作。3.产品工艺：真空室结构:梨形上升盖真空室尺寸:φ550×350mm限真空度:≤6.6E-6Pa（经烘烤除气后）沉积源:永磁靶5套，φ2英寸配有多个靶位，例如 5 个 2 英寸磁控溅射靶接样品尺寸，温度:φ2英寸,6片 φ4英寸,1片 高800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动 工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%

产品简介：该设备为小型三靶磁控溅射镀膜设备，通过模块式化设计后，系统安装方便灵活易于维护，适合科研与教学实验使用。产品型号三靶高真空磁控镀膜溅射系统主要特点1、组成由单室超高真空双靶磁控溅射室，由溅射真空室与管路组成。2、配有旁抽系统，启动快不停机即可更换样品，重复性好。3、用于镀制各种单层膜、多层膜系，可实现单靶独立、双靶轮流、双靶共溅射等溅射模式。4、同时可以实现反应磁控溅射，制备氮化物，氧化物等，可镀金属及导磁金属、合金、化合物、半导体、介质复合膜和其它化学反应膜。5、作为试验设备来说达到了最佳的性能价格比。技术参数系统由真空腔室、旋转样品架、磁控溅射靶、铠装加热器、抽气系统、真空测量、工作气路、电控系统等各部分组成。极限真空优于：5.0x10-5Pa（经烘烤除气后）真空漏率小于2.0x10-8Pa.l/S系统短时间暴露大气并充干燥氮气后，再开始抽气，40分钟可达到6.0x10-4Pa；停泵关机12小时后真空度：≤5 Pa1、 真空室腔体尺寸Ф300x350mm，手动上开盖辅助液压结构，前有一个观察窗，样品台可旋转内部连接铠装加热器、真空规、放气阀等各种规格的法兰接口，选用优质不锈钢材料制造，氩弧焊接，表面采用电解抛光处理。采用金属或氟橡胶圈密封。配备一体机柜标准电箱。2、磁控溅射靶靶材尺寸：Φ50mm（其中一个可以溅射磁性材料）；永磁靶一支、强磁靶一支：射频溅射与直流溅射兼容，靶内有水冷；配手动挡板。2个靶可共同向下面的样品中心溅射，靶与样品距离90～110mm可调。3、铠装加热样品:加热区域为Φ100mmX100mm(H),基片加热最高温度 室温-600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制。配有磁力转轴，电机驱动每分钟低于30转。标准配件1、真空部件进气角阀：2套；RF100观察窗：1套；观察窗法兰：RF100 2个；电阻规： KF16 1个；电极引线： CF25 1个；2、工作真空获得及测量：直联6L/s机械泵： 1台；F600分子泵：1台；电磁KF20阀：1台；5227真空计：1台角阀RF16、管路、接头、充气阀D6等： 1路；KF25电磁压差阀： 1台；CF100闸板阀：1台；3、相关规格的金属密封铜圈，氟橡胶密封圈4、不锈钢紧固螺栓、螺母、垫片等5、安装机台架组件:安装台架：整个设备安放在一个用承载式标准电箱上，箱体均进行喷塑处理。拆卸方便占地小780mmX580mmx1100mm。6、电源控制系统电源布置在标准电箱上，安装于系统机架上。7、自制电源控制电源：1台（为机械泵、电磁阀等提供电源及过程控制带逻辑监测）； 样品加热电源：1台（日本产控温表可实现程序控温）室温-600°C±1°C，由热电偶闭环反馈控制。8、配套电源真空计电源：1套直流DC500W电源：2套流量显示、流量控制器：1套9、备品备件：1套

QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统产品详情：上下双腔,集表面处理与蒸发镀膜为一体,高效可靠的Indium蒸镀助手。技术参数QBT-I 技术参数 Technical Specifications (Indium Bump等制备)高真空腔体 HV Chamber2个HV腔室，Loadlock离子束刻蚀及蒸镀，极限真空Ultimate Pressure3E-8Torr排气速率Pumping Spead从ATM到8E-7Torr15min (loadlock)极限蒸发速率 High Depostion Rate5-12nm/s (Indium), Ф100基板镀膜均一性3%, 大容量坩埚精准的样品冷却控制 Wafer Cooling-10-40℃ (精度±0.1）离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ф100基板刻蚀均一性3%人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO测试结果

双腔体等离子体原子层沉积系统 QBT-T 原子层沉积（Atomic layer deposition)是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应腔体内并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种技术，具有自限性和自饱和。原子层沉积技术主要应用是在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。 等离子体增强原子层沉积 (PlasmaEnhancedAtomicLayerDeposition，PEALD)是对ALD技术的扩展，通过等离子体的引入，产生大量活性自由基，增强了前驱体物质的反应活性，从而拓展了ALD对前驱源的选择范围和应用要求，缩短了反应周期的时间，同时也降低了对样品沉积温度的要求，可以实现低温甚至常温沉积，特别适合于对温度敏感材料和柔性材料上的薄膜沉积。主要技术参数QBT-A 技术参数 Technical Specifications （超导NbN, TiN以及 Al2O3, SiO2等制备)高真空HV腔体2个腔室，包括进样室和ALD，LoadLock极限真空 Ultimate Pressure9E-6Torr工艺腔极限真空 Ultimate Pressure5E-7Torr等离子体 Plasma最大600W RF自匹配电源最大基板尺寸Max Wafer SizeФ200mm，氧化铝均匀性1%高精准样品加热控制 Wafer HeatingRT-500±1oC前驱体 Max Precursor最大可包括3组等离子体反应气体 4组液态或固态反应前驱体臭氧发生器Ozone Generator可选配，生产效率15g/h传输高真空自动化传输人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock，报警Alarm，EMO测试结果展示

一、高真空互联物理气相薄膜沉积系统概述：沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业最好的软件控制系统；4英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±2.5%，8英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±3.5%，测定标准以Ti靶材，溅射200——500nm厚薄膜，边缘去5mm，随机5点取样测定为准。样品托面中心到地面的高度约1360mm；镀膜材料适用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化铝，氧化钛，氧化锆，ITO，AZO，氮化钽，氮化钛等；二、PVD平台概述：既专注单一功能、又可通过拓展实现多平台联动：1、 关键部件接口都为标准接口，可以通过更换功能单元实现电子束、电阻蒸发、有机蒸发、多靶或单靶磁控溅射、离子束、多弧、样品离子清洗等功能；2、 系统平台为准无油系统，提供更优质的超洁净实验环境，保障实验结果的可靠性和重复性；3、 系统可以选择单靶单样品、多靶单样品等多层沉积方式；4、 靶基距具有腔外手动调节功能；5、 系统设置一键式操作，可以实现自动手动切换、远程控制、远程协助等功能；6、 控制软件分级权限管理，采用配方式自动工艺流程，提供开放式工艺编辑、存储与调取执行、历史数据分析等功能，可以不断更新和升级；7、 可以提供网络和手机端查询控制功能（现场要具备局域网络），实现随时查询数据记录、分析统计等功能；8、 节能环保，设备能耗优化后运行功率相比之前节能10%；；9、 可用于标准镀膜产品小批量生产。 三、互联系统技术描述 真空互联系统由物理气相沉积磁控溅射系统A、物理气相沉积磁控溅射系统B、物理气相沉积、电子束及热阻蒸发镀膜系统A、物理气相沉积电子束及热阻蒸发镀膜系统B、进样室、出样室、传输管、机械手等组成，可以实现样品在真空环境下不同工艺方法的样品薄膜制备和传递。

1.产品概述：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统主要由溅射真空室、旋转靶台、抗氧化基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。2.设备用途：高真空脉冲激光溅射薄膜沉积系统用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大院校、科研院所进行薄膜材料的科研。3.产品优点：可对化学成分复杂的复合物材料进行全等同镀膜，易于保证镀膜后化学计量比的稳定。反应迅速，生长快，通常一小时可获得一定厚度的薄膜。定向性强、薄膜分辨率高，能实现微区沉积。生长过程中可原位引入多种气体，对提高薄膜质量有重要意义。容易制备多层膜和异质膜，通过简单的换靶即可实现4.真空室结构:球形结构真空室尺寸:Ф300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:Φ30mm,每次可装4块靶材，可实现公转换靶位；每块靶材可自转，转速5～60转/分；样品尺寸，温度:1英寸，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1.8米x0.97米x1.9米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

ComBondAutomated High-Vacuum Wafer Bonding SystemComBond自动化的高真空晶圆键合系统 高真空晶圆键合平台促进“任何物上的任何东西”的共价键 EVG ComBond高真空晶圆键合平台标志着EVG独特的晶圆键合设备和技术产品组合中的一个新里程碑，可满足市场对更复杂的集成工艺的需求。 EVG ComBond支持的应用领域包括先进的工程衬底，堆叠的太阳能电池和功率器件到高端MEMS封装，高性能逻辑和“超越CMOS”器件。 EVG ComBond系统的模块化集群设计提供了高度灵活的平台，可以针对研发和高通量，大批量制造环境中的各种苛刻的客户需求量身定制。 EVG ComBond促进了具有不同晶格常数和热膨胀系数（CTE）的异质材料的粘合，并通过其独特的氧化物去除工艺促进了导电键界面的形成。 EVG ComBond高真空技术还可以实现铝等金属的低温粘合，这种金属可以在周围环境中快速重新氧化。对于所有材料组合，都可以实现无空隙和无颗粒的粘结界面以及出色的粘结强度。特征高真空，对齐，共价键合在高真空环境（510-8 mbar）中进行处理原位亚微米面对面对准精度高真空MEMS和光学器件封装原位表面和原生氧化物去除优异的表面性能导电结合室温过程多种材料组合，包括金属（铝）无应力粘结界面高粘结强度用于HVM和R＆D的模块化系统多达六个模块的灵活配置基板尺寸最大为200毫米完全自动化 技术数据真空度：处理：7E-8 mbar；处理：5E-8毫巴集群配置处理模块：最小 3，最大 6加载：手动，卡带，EFEM可选的过程模块：键合模块ComBond激活模块（CAM）烘烤模块真空对准模块（VAM）晶圆直径：高达200毫米；

1. 产品概述：主要由蒸发真空室、e 型电子枪、热阻蒸发组件、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、安装机台及电控系统等部分组成，具备自动控制软件系统。2. 设备用途/原理：沈阳科仪 DZS500 系统用途广泛。电子束蒸发可以蒸发高熔点材料，比一般电阻加热蒸发热效率高、束流密度大、蒸发速度快，制成的薄膜纯度高、质量好，厚度可以较准确地控制，可以广泛应用于制备高纯薄膜和导电玻璃等各种光学材料薄膜。在科研领域，它常用于材料研究和新型器件的开发；在工业生产中，可用于大规模制造高质量的薄膜产品。例如，在制造液晶显示器的导电薄膜时，能够保证薄膜的导电性和均匀性，提高产品的性能和质量。3. 特色参数：o 真空室结构：采用 U 形前开门。o 真空室尺寸：500x500x600mm。o 极限真空度：≤6.67e-5Pa。o 沉积源：4 个 11cc 坩埚。o 样品尺寸与温度：可放置 φ4 英寸的 1 片样品，最高温度可达 800℃。o 占地面积：约 2.7 米 x1.7 米 x2.1 米。o 电控描述：全自动。o 工艺：片内膜厚均匀性≤±3%。 o 特色参数：样品可自转，转速可调。4. 设备特点沈阳科仪 DZS500 系统的真空室具有一些显著特点。其极限真空度表现出色，通常能够达到≤6.67×10⁻ ⁵ Pa（经烘烤除气后）。停泵关机 12 小时后，蒸发室真空度≤5Pa，这表明其真空保持能力较强。真空室的结构通常为 U 形前开门，尺寸一般为 500×500×600mm。这种设计不仅方便操作，还有利于维持真空环境的稳定性。在实际应用中，良好的真空室特点能够为薄膜沉积提供高质量的真空条件，减少杂质和气体对薄膜质量的影响。比如在制备高精度光学薄膜时，稳定的真空环境能够确保薄膜的均匀性和纯度。

1.产品概述：系统主要由真空室、旋转靶台、基片加热台、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。2.设备用途：脉冲激光沉积(Pulsed Laser DeposiTION，简称PLD)是新近发展起来的一项技术，继20世纪80年代末成功地制备出高临界温度的超导薄膜之后，它独特的优点和潜力逐渐被人们认识和重视。该项技术在生成复杂的化合物薄膜方面得到了非常好的结果。与常规的沉积技术相比，脉冲激光沉积的过程被认为是“化学计量”的过程，因为它是将靶的成分转换成沉积薄膜，非常适合于沉积氧化物之类的复杂结构材料。当脉冲激光制备技术在难熔材料及多组分材料(如化合物半导体、电子陶瓷、超导材料)的精密薄膜，显示出了诱人的应用景。3.真空室结构:球形开门真空室尺寸:φ450mm限真空度:≤6.67E-6Pa沉积源:φ2英寸靶材，4个样品尺寸，温度:φ2英寸，1片，高800℃占地面积（长x宽x高）:约1.8米x0.97米x1.9米电控描述:全自动

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点 1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。4 设备参数真空室结构:方形侧开门真空室尺寸:设计待定限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:设计待定 样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约6米×3米x2米（设计待定）电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体

1.产品概述：高真空磁控溅射与离子束复合薄膜沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业先的软件控制系统，用于纳米单层及多层功能膜、硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大院校、科研院所的薄膜材料的科研项目。2.产品工艺：真空室结构:圆筒形上升盖真空室尺寸:φ550x450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:磁控靶3套，φ2英寸； 四工位转靶1套；样品尺寸，温度:φ2英寸，6片。高可以到达800℃占地面积（长x宽x高）:约3米×1.1米×2米电控描述:全自动控制工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%溅射源：考夫曼离子源 Kaufman 2套，φ2英寸

1.产品概述：高真空磁控溅射粉末颗粒表面薄膜沉积系统可以在粉末颗粒状样品表面镀制金属膜、磁性膜、绝缘膜等，采用行业的软件控制系统。2.设备用途：可广泛应用于大院校、科研院所的粉末样品表面镀制薄膜材料的科研项目。3.真空室结构:圆筒形侧开门，通常采用不锈钢材质制造，具备良好的密封性能真空室尺寸:Ф450x550mm限真空度:≤8.0E-5Pa沉积源:永磁靶2套，φ3英寸样品尺寸，温度:小型粉末颗粒状样品占地面积（长x宽x高）:约1米x1.8米x2米电控描述:全自动设备电控系统和控制系统：采用计算机控制，具有液晶显示屏、鼠标键盘操作界面，支持自动控制和手动控制两种方式，操作简便，并可实现真空系统及工艺过程的全自动化操作。

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的薄膜制备设备，它结合了化学气相沉积（CVD）与等离子体技术的优势。该系统在高真空环境下，通过射频、微波等手段激发气体形成等离子体，使气体分子高度活化并促进其在衬底表面发生化学反应，从而沉积出高质量的薄膜。PECVD系统广泛应用于半导体、光伏、平板显示、储能材料等领域，用于制备多种功能薄膜。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层、栅极绝缘层等，提高器件性能。光伏产业：制备太阳能电池板中的透明导电膜（TCO）、减反射膜等，提升光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）显示屏中制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等。储能材料：制备锂离子电池、超级电容器等储能器件中的电极材料，提高能量密度和循环稳定性。3. 设备特点1 高真空环境：确保沉积过程的纯净度和薄膜质量，减少杂质污染。2 等离子体增强：提高气体分子的活化能，降低反应温度，促进化学反应速率，有利于制备高质量薄膜。3 薄膜均匀性：通过优化气体流动和等离子体分布，实现薄膜厚度的均匀控制。4 灵活性高：可根据需要调整沉积参数（如气体种类、流量、压力、温度等），制备不同成分和结构的薄膜。5 自动化程度高：集成先进的控制系统和监测设备，实现自动化操作和实时监控，提高生产效率和产品质量。4 设备参数真空室尺寸:φ400x300mm限真空度:≤6.67E-5Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:φ4英寸，1片，高600℃占地面积（长x宽x高）:约2.6米x1.6米x1.8米电控描述:全自动工艺:设计待定特色参数:设计待定