等离子体仪

Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束专为自动化冷冻电子断层扫描成像样品的制备而设计。用户可以稳定地在原位制备厚度约为 200nm 或更薄的冷冻薄片，同时避免产生镓 (Ga) 离子注入效应。与目前市场上的其他 cryo-FIB-SEM 系统相比，Arctis Cryo-PFIB 可显著提高样品制备通量。与冷冻透射电镜和断层成像工作流程直接相连通过自动上样系统，Thermo Scientific&trade Arctis&trade Cryo-PFIB 可自动上样、自动处理样品并且可存储多达 12 个冷冻样品。与任何配备自动上样器的冷冻透射电镜（如 Thermo Scientific Krios&trade 或 Glacios&trade ）直接联用，省去了在 FIB-SEM 和透射电镜之间的手动操作载网和转移的步骤。为了满足冷冻聚焦离子束电镜与透射电镜应用的低污染要求，Arctis Cryo-PFIB 还采用了全新的高真空样品仓和经过改进的冷却/保护功能。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束电镜的主要特点与光学显微镜术关联以及在透射电镜中重新定位"机载"集成宽场荧光显微镜 (iFLM) 支持使用光束、离子束或电子束对同一样品区域进行观察。 特别设计的 TomoGrids 确保从最初的铣削到高分辨率透射电镜成像过程中，冷冻薄片能与断层扫描倾斜轴始终正确对齐。iFLM 关联系统能够在电子束和离子束的汇聚点处进行荧光成像。无需移动载物台即可在 iFLM 靶向和离子铣削之间进行切换。CompuStage的180° 的倾转功能使得可以对样品的顶部和底部表面进行成像，有利于观察较厚的样品。TomoGrids 是针对冷冻断层扫描工作流程而特别设计的，其上下2面均是平面。这2个面可防止载样到冷冻透射电镜时出现对齐错误，并始终确保薄片轴相对于透射电镜倾斜轴的正确朝向。 利用 TomoGrids，整个可用薄片区域都可用于数据采集。厚度一致的高质量薄片Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜可在多日内保持超洁净的工作环境，确保制备一致的高质量薄片。等离子体离子束源可在氙离子、氧离子和氩离子间进行切换，有利于制备表面质量出色的极薄薄片。等离子体聚焦离子束技术适用于液态金属离子源 (LMIS) 聚焦离子束系统尚未涉及的应用。例如，可利用三种离子束的不同铣削特性制备高质量样品，同时避免镓注入效应。系统外壳的设计考虑到了生物安全，生物安全等级较高的实验室（如生物安全三级实验室）可选用高温消毒解决方案。Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜的紧凑型样品室专为冷冻操作而设计。由于缩小了样品室体积，操作环境异常干净，最大限度减少水凝结的发生。通过编织套管冷却样品及专用冻存盒屏蔽样品，进一步提升了设计带来的清洁度，确保了可以进行多日批量样品制备的工作环境。 自动化高通量样品制备和冷冻断层扫描连接性自动上样器可实现多达 12 个网格（TomoGrids 或 AutoGrids）的自动上下样，方便转移到冷冻透射电镜，同时最大限度降低样品损坏和污染风险。通过新的基于网络的用户界面加载的载网将首先被成像和观察。 随后，选择薄片位置并定义铣削参数。铣削工作将自动运行。根据样品情况，等离子体源可实现高铣削速率，以实现对大体积材料的快速去除。自动上样系统为易损的冷冻薄片样品提供了受保护的环境。在很大程度上避免了可能会损坏或污染样品的危险手动操作样品步骤。 自动上样器卡槽被载入到与自动上样器对接的胶囊中，可在 Arctis 冷冻等离子体聚焦离子束扫描电镜和 Krios 或 Glacios 冷冻透射电镜之间互换。

珀金埃尔默全新Avio 500 ICP-OES：专为高通量检测实验室打造的多元素无机分析设备，完美应对复杂的环境、化学和工业样品 作为原子光谱领域的领导者和创新者，珀金埃尔默公司于2017年7月6日发布全新Avio 500电感耦合等离子体发射光谱仪（ICP-OES）。这款ICP-OES是专为高通量检测实验室打造的多元素无机分析设备，可以应对各个领域的多种类型样品。 作为一款真正的同步检测ICP-OES，Avio 500具备同步背景校正功能，可提供更高的样品通量和数据可靠性；超群的基体耐受性；以及业内最低的氩气消耗量。无论待测元素的种类和浓度范围再宽，Avio 500都可以有效应对，使用户的检测工作符合行业规范。Avio 500的可兼容多个应用领域，包括环境、石化（尤其是润滑油服役情况分析）、地矿、食品、制药、制造业（包括电池制造）等。 以下关键功能使得Avio 500具备卓越的性能：为提升样品通量而设计的同步数据采集功能、为节约使用成本设计的业内最低的氩气消耗量、为缩短样品前处理流程设计的超宽线性范围。无论样品多么复杂，这些功能都可确保检测数据的准确性。 带有快速拆装炬管座的垂直炬焰设计：带来强悍基体耐受性，有效缩短样品预处理时间；平板等离子体™ 技术：仅消耗同类产品一半的氩气就可以生成稳定的等离子体炬，无论样品基体多么复杂；双向观测技术：可同时对等离子体进行全波长轴向和径向观测，高低含量元素一次进样同时分析；全谱全读技术：对全波长进行同步数据采集，无需重复进样就可以获得全部光谱数据；空气刀（PlasmaShear™ ）技术：无需氩气，即可消除等离子体冷尾焰产生的基体干扰，而且完全无需维护；全彩等离子体观测（PlasmaCam™ ）技术：提供全彩色的等离子体实时影像，简化方法开发工作，并使远程诊断成为可能。 此外，Avio 500配备跨平台的Syngistix™ 操作软件，AA、ICP、ICP-MS操作无缝对接。更多有关Avio 500的信息请请访问PerkinElmer官方网站。

Avio™ 200 系统能处理难度最高的、未经稀释的高基体样品，为ICP 带来全新的性能及灵活性。而且，前所未有的性能还带来了无可比拟的易用性。独特的硬件特性与业界最直观易用的软件相结合，使多元素测量变得与单元素分析一样简单。作为市场上最小巧的 ICP，Avio 200 可通过以下性能，提供最高效的操作、最可靠的数据和最低的拥有成本：所有 ICP 中最低的氩气消耗最快的 ICP 启动（从关机状态启动，光谱仪在短短几分钟内即可准备就绪）对所有适用的元素都具有出色的灵敏度与分辨率具有双向观测技术的最宽线性范围性能可靠、功能强大、经济实惠、Avio 200 具备您所寻求的 ICP所具有的一切。既然可以成为开拓者，谁还愿意当操作者？Avio 200 ICP 专为满足最具挑战性的客户需求并超越此类需求而设计，凭借一系列专有独特的功能，可帮助您运行多个样品，所取得的成本效益远超以往任何时候。最低的运行成本借助获得专利的 Flat Plate™ (平板) 等离子体技术，Avio 仅需消耗其他系统一半的氩气量，即可生成强健、耐基体的等离子体，同时赋予您：所有 ICP 中最低的操作成本无需再进行与传统螺旋负载线圈有关的冷却和维护，提供出色的运行时间和生产力另外，为了提高效率，珀金埃尔默仪器具有获得专利的动态波长，稳定功能。可令您从关机状态启动，在短短几分钟内即可进行分析，因而您大可在仪器不使用时随意关掉。强大的双向观测功能与提供轴向和径向观测而牺牲性能的同步垂直双向观测 ICP 系统不同，Avio 200 系统获得专利的双向观测功能，可测量所有波长，不会造成光或灵敏度的损失。即使是波长大于 500 纳米或低于 200 纳米的元素也完全可以测量，即便是在 ppb 的含量水平。该 Avio 系统独特的双向观测设计也提供了可扩展的线性动态范围，确保实现：样品制备和稀释最小化高、低浓度可以在同一运行中进行测量更好的质量控制和更准确的结果减少重复运行集成等离子体观测相机可简化您的开发方法，同时借助 Avio 200 系统的 PlasmaCam™ 技术，尽享远程监控等离子体的便利。作为行业首创，彩色相机可帮助您：实时观测等离子体执行远程诊断查看进样部件革新性 PlasmaShear 系统，可实现无氩干扰消除为了消除轴向观测的干扰，需要消除等离子体的冷尾焰。没有其他同类仪器能比 Avio 200 更有效、更可靠或更经济。其他 ICP 消除尾焰需要消耗高达 4 升/分钟的氩气流量，Avio系统独特的 PlasmaShear™ 技术只需空气即可。无需高维护、高提取系统或锥体。就是一个完全集成的、完全自动化的、能提供无故障轴向分析的干扰消除系统。CCD 检测器，可实现无与伦比的准确度和精密度借助全波长功能，Avio 200 系统的强大电荷耦合器件（CCD）检测器能不断提供正确的答案。Avio 系统的 CCD 检测器可同时测量所选谱线及其谱线附近波长范围，实时扣背景，实现出色的检测精密度。在分析过程中，它还可以同时执行背景校正测量，进一步提高准确度和灵敏度。带有快速转换炬管底座的垂直等离子体，可实现无与伦比的基体灵活性即使 ICP 正在运行，Avio 200 系统的垂直炬管无需工具也能进行简便快捷的调节，可提供更大的样品灵活性并简化维护。炬管底座的设计与众不同，具有以下特点：一个可拆卸的、独立于炬管的中心管，旨在减少维护和破损的可能性自动自对准，即使在拆卸后也能提供一致的深度设置兼容各种雾化器和雾室，可提高灵活性友情提示：根据型号及配置不同，仪器价格会有不同，欲了解详情请与我司联系。

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

产品应用等离子体火炬（亦称等离子体发生器或等离子体加热系统）就是依据这一原理研制的专门设备。等离子体火炬通过电弧来产生高温气体，可在氧化、还原或惰性环境下工作，可以为气化、裂解、反应、熔融和冶炼等各种功能的工业炉提供热源。微波等离子体炬就是以微波为激发能量的开放式等离子体技术。产品特点1、微波激发开放式等离子体火炬产品平台，用于等离子状态下，气固液态材料的反应2、支持多种气氛条件的等离子体，3、支持混气和送样4、支持等离子体强度调节5、智能化控制系统，工艺可控技术参数（一）、微波系统1.微波功率：额定功率1000W / 2450MHz，无级非脉冲式连续微波功率输出2.微波等离子体激发腔设计：①中央聚焦强电磁场密度微波腔②内置微波调配系统（二）、功能系统1.等离子体系统：①开放式石英管等离子体反应系统②等离子体强度和主焰高度可调2.温度控制：①温度范围：1000℃，；②采用红外测温方式（700～1700℃），支持选配光学测温系统；3.气氛控制：①支持多种气氛条件的等离子体，②支持混气和流量控制，支持流动送样③支持选配尾气收集系统（三）、控制系统①采用PLC自动化控制：功率、强度、流量、时间可控②支持选配内腔视频系统，进行动态观察（四）、安全系统1.腔体多重联锁结构，开门断电，保护操作人员2.开口采用λ/4高阻抗微波抗流抑制结构，保证操作人员的健康安全，微波泄漏量：5mW/cm2 （优于国标）（五）、整机说明1.设备供电：220Vac / 50Hz，整机能耗：1500W2.设备供水：水冷系统3.外观尺寸：主体约：1400×1600×700mm（宽×高×深）4.设备重量：80kg5.公司产品通过ISO9001质量认证体系　整机质保一年

等离子体监控系统PlasCalc 等离子体监测控制仪，实现200nm-1100nm波段内的等离子体测量，通过高级过程控制系统及精密数据存取算法，只需3ms就可以获得测量结果。特点 1、光学分辨率1.0nm(FWHM)2、光谱范围 200-1100nm3、快速的建模及存储实验方法Recipe编辑器Recipe编辑器有助于简单快捷的配置、构建及存储实验方法。对一些困难的等离子体工序诸如膜沉积测量、等离子体蚀刻监测、表面洁度监测、等离子体室控制及异常污染、排放监测等，能够快速简单的构建模块过程控制。多种工具用于等离子体诊断随PlasCalc配置的操作软件，集成的程式编辑器能够容易实现多种数学算法功能。可选的波长发生器（可以单独购买）用于类型确认，而波长编辑器可以用于优化信噪比。双窗口界面用于显示实际光谱及所有过程控制信息。PlasCalc 配置说明光谱范围:200-1100 nm光学分辨率:1.0 nm (FWHM)D/A 转换:14 bit数字I/O:8 x TTL模拟输出:4 x [0-10V]接口:USB 1.1功耗:12 VDC @ 1.25 A

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iP多功能负载锁设备概要RIE-230iP是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的负载锁定型ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，可对硅及各种金属薄膜和化合物半导体进行高精度的各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。主要特点和优点龙卷风线圈电极　它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺　通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制　电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料、电极材料等难蚀材料的加工。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-230iPC量产设备概要RIE-230iPC是以电感耦合等离子体为放电方式，高速进行各种材料的超精细加工的盒式ICP蚀刻系统。该系统通过采用独特的龙卷风式线圈电极，高效地产生稳定的高密度等离子体，实现了对硅、各种金属薄膜和化合物半导体的高精度各向异性蚀刻。此外，ø 230mm的托盘可同时处理多种化合物半导体。主要特点和优点龙卷风线圈电极　它能有效地产生稳定的高密度等离子体，使蚀刻具有高选择性、高精度和良好的均匀性。低损伤工艺　通过ICP产生高密度的等离子体，实现了低偏置、低损伤的工艺。温度控制　电调和He冷却的平台和反应室内侧壁的温度控制使蚀刻在稳定的条件下进行应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。铁电材料和电极材料的加工。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iPCExcellent process repeatability and stability概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-800iP卓越的重复性和稳定性概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一套完整的生产系统，具有优良的工艺重复性和稳定性。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"。　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。下电极升降机构　晶片和等离子体之间的距离经过优化，以确保良好的平面内均匀性。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)集成在设备中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工。SiC、SiO₂ 的高速加工。蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料。複合式半導體晶片的等離子切割和薄型化。

日本Advance Riko 公司致力于电弧等离子体沉积系统（APD）利用脉冲电弧放电将电导材料离子化，产生高能离子并沉积在基底上，制备纳米级薄膜镀层或纳米颗粒。电弧等离子体沉积系统利用通过控制脉冲能量，可以在1.5nm到6nm范围内精确控制纳米颗粒直径，活性好，产量高。多种靶材同时制备可生成新化合物。金属/半导体制备同时控制腔体气氛，可以产生氧化物和氮化物薄膜。高能量等离子体可以沉积碳和相关单质体如非晶碳，纳米钻石，碳纳米管 形成新的纳米颗粒催化剂。 主要应用领域： 1、制备新金属化合物，或制备氧化物和氮化物薄膜（氧气和氮气氛围）；2、制备非晶碳，纳米钻石以及碳纳米管的纳米颗粒；3、形成新的纳米颗粒催化剂（废气催化剂，挥发性有机化合物分解催化剂，光催化剂，燃料电池电极催化剂，制氢催化剂）；4、用热电材料靶材制备热电效应薄膜。 技术原理：1、在触发电极上加载高电压后，电容中的电荷充到阴极（靶材）上；2、真空中的阳极和阴极（靶材）间，电子形成了蠕缓放电，并产生放电回路，靶材被加热并形成等离子体；3、通过磁场控制等离子体照射到基底上，形成薄膜或纳米颗粒。 材料适用性：APD适用于元素周期表中大部分高导电性金属，合金以及半导体。所用原料为直径10mmX17mm长圆柱体或管状体，且电阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表显示了可制备的材料，绿色代表完全适用，黄色代表在一定条件下适用。 设备特点： 1. 系统可以通过调节放电电容选择纳米颗粒直径在1.5nm到6nm范围内。2. 只要靶材是导电材料，系统就可以将其等离子体化。（电阻率小于0.01ohm.cm）。3. 改变系统的气氛氛围，可以制备氧化物或氮化物。石墨在氢气中放电能产生超纳米微晶钻石。4. 用该系统制备的活性催化剂效果优于湿法制备。5. Model APD-P支持将纳米颗粒做成粉末。Model APD-S适合在2英寸基片上制备均匀薄膜。 APD制备的Fe-Co纳米颗粒的SEM和EDS图谱 系统参数： 1. 真空腔尺寸：400X400X300长宽高2. 抽空系统：分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个，最多3个4. 沉积气压：真空或者低气压气体（N2， H2，O2，Ar）5. 靶材：导电材料，外径10mm，长17mm6. 靶材电阻率：小于0.01欧姆厘米7. 电容：360uF X5 （可选）8. 脉冲速度：1,2,3,4,5 Pulse/s9. 操作界面：触摸屏10. 放电电压：70V-400V （1800uF下最大150V） APD-P 粉末容器：直径95mm 高30mm形成粉末的速度：13-20cc （随颗粒尺寸和密度变化）旋转速度：1-50rpm

一、产品简介：常压室温等离子体(ARTP)同传统的低压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪(ARTP　Mutagenesis Breeding Machine)。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。二、应用领域原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等）及植物细胞。 截止到2022年10月21日，中文文献411篇，英文文献169篇，专利269篇，学位论文176篇，共计1025篇。三、产品参数分类技术参数整机功率300W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm样品处理系统单样品处理冷却系统外接制冷系统等离子体射流温度≤37℃四、应用案例案例一：放线菌抗生素产量显著提高突变率、正突变率分别为30%、21%，获得一株阿维菌素B1a产量提高23%。（常压室温等离子体对微生物的作用机理及其应用基础研究[D].王立言.清华大学 2009）等离子体诱变前后阿维链霉菌的形态变化（注：W为野生菌株；G1-8为典型突变菌株）案例二：藻类正突变率高、突变库表型丰富总突变率和正突变率在特异增长率上分别达到45%和25%，并且突变库中表型丰富。（PLOS ONE，2013,8（10）：1-12）案例三：应用ARTP诱变大肠杆菌，提高苏氨酸产量获得一株苏氨酸高产菌株，摇瓶产酸达到50.6 g/L，与出发菌相比，提高了99.6%，经50次传代，遗传性稳定。（现代食品科技，2013，29(8)：1888-1892） a1 a2出发菌株与1905#突变菌的菌体形态

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPfor III-V semiconductors (GaN, GaAs, InP)概要RIE-400iP是用于ø 4 "晶圆的负载锁定型蚀刻系统，可对各种半导体和绝缘膜进行高精度、高均匀性加工。采用独特的龙卷风线圈的电感耦合等离子体(Inductively Coupled Plasma)作为放电形式，可产生均匀、高密度的等离子体。另外，可以根据加工材料和加工内容选择合适的等离子体源。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度蚀刻。生产半导体激光器和光子晶体。选项干涉式端点监测器 可进行高精度的端点检测，并可将蚀刻深度控制在所需深度。

北京中海时代科技公司提供等离子plasma表面处理设备，致力于压电低温等离子体表面清洗处理、表面活化改性领域多年，等离子表面处理技术已被广泛应用到工业、医疗、科研等行业。我们为您提供可靠的等离子表面处理解决方案。性能特点 手持操作 专为敏感基材设计 等离子功率密度高 高效激发冷等离子体 产生温度 50 °C冷等离子体

等离子体热处理炉为德国生产，具有等离子清洗、表面处理、材料表面修饰、材料热处理的功能。 仪器特点及基本参数：具有等离子体清洗、表面修饰、表面处理、表面活化的功能；具有真空能力(10-5mbar)；芯片倒装凸点(Bump)；凸点焊接；键合；功率器件焊接；样品尺寸：170X200mm，或300x300mm；温度：650摄氏度；24支红外灯加热；2路MFC气路；

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-400iPC节省空间的生产设备概要高密度等离子体蚀刻系统采用电感耦合等离子体作为放电形式。该系统配备了真空盒室，是一个具有优良工艺重复性和稳定性的全规模生产系统。该系统是直径4英寸等小直径晶圆的专用系统，可以在最小的洁净室空间内安装。主要特点和优点新的ICP源 "HSTC&trade : Hyper Symmetrical Tornado Coil"　可高效稳定地应用高射频功率（2千瓦以上），并实现良好的均匀性。大流量排气系统　排气系统直接连接到反应室，可以实现从小流量和低压范围到大流量和高压范围的广泛工艺窗口。端点监测　干涉法和发射光谱终点监测仪可用于目标薄膜厚度的终点检测。易于维护的设计　TMP(涡轮分子泵)已集成在一个单元中，便于更换。应用GaN、GaAs、InP等化合物半导体的高精度加工SiC、SiO₂ 的高速加工蚀刻铁电材料（PZT、BST、SBT、SBT）、电极材料（Pt、Au、Ru、Al）和其他难以蚀刻的材料

常压室温等离子体（ARTP）同传统的低气压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪（ARTP Mutagenesis Breeding Machine）。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。非转基因手段，保证生物的安全性使用范围广，突变性能高专有氦气等离子体诱变技术，能量高，基因损伤强度大操作简便安全，易维护、运行费用低 截止到2022年08月29日，中文文献404篇，英文文献167篇，专利230篇，学位论文165篇，共计966篇。分类技术参数整机功率1000W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm操作室环境洁净室（百级洁净无菌风）样品处理系统7个样品连续处理和自动收集冷却系统内置制冷系统等离子体射流温度≤37℃工作环境要求温度15~25℃，湿度≤60%应用范围原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等)应用案例案例一：应用ARTP筛选耐高盐环境突变菌株经等离子体处理后，阴沟肠杆菌在含有7.5% NaCl的培养基中培养时出现耐盐突变株，对TPH的降解百分数比出发菌株高2.5倍，而且将突变株培养于LB + 9.0% NaCl条件下时，可快速地将K+积聚于细胞内、将EPS积聚于细胞外。（耐盐阴沟肠杆菌的选育及其在油盐污染土壤修复中的应用[D].花秀夫.清华大学 2009）案例二：细菌领域成果多、效果显著筛选到高产L-亮氨酸的突变株，产量达到18.55 mg/g，比出发菌株提高2.91倍。（Nature Communications，9（2018））案例三：霉菌产色素能力大幅度提升突变菌株产橙、黄色素能力比出发菌株分别提高136%、43%。（核农学报，2016,30（4）：654-661）

常压室温等离子体(ARTP)同传统的低压气体放电等离子体源相比，具有等离子体射流温度低、放电均匀、化学活性粒子浓度高等特点，基于ARTP技术，我公司联合清华大学相关团队共同开发了世界上首台利用等离子体的手段对微生物进行诱变育种的专用仪器—ARTP诱变育种仪(ARTP　Mutagenesis Breeding Machine)。该仪器突变率高，并且结构紧凑、操作简便、安全性高、诱变速度快，一次诱变操作（数分钟以内）即可获得大容量突变库，极大地提高了菌种突变的强度和突变库容量；ARTP技术结合高通量筛选技术，可实现对生物快速高效的进化育种。 非转基因手段，保证生物的安全性 使用范围广，突变性能高 专有氦气等离子体诱变技术，能量高，基因损伤强度大 操作简便安全，易维护、运行费用低应用领域：原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等）及植物细胞。 截止到2022年10月21日，中文文献411篇，英文文献169篇，专利269篇，学位论文176篇，共计1025篇。技术参数：分类技术参数整机功率500W（MAX）放电技术大气压均匀辉光放电，等离子体射流均匀、稳定工作气体99.999%及以上高纯氦气气量控制范围0~15SLM（标准升/分钟）气量控制精度±1.0% F.S.（满量程）有效处理间距2 mm样品处理系统6个样品连续处理和自动收集等离子体射流温度≤37℃应用范围原核生物（如细菌、放线菌等）、真核生物（如霉菌、酵母、藻类、高等真菌等）应用案例：案例一：应用ARTP诱变扭脱甲基杆菌AM1高产吡咯喹啉醌采用常压室温等离子体 (ARTP) 进行诱变，结合高通量快速筛选方法，得到以PQQ产量为指标的正向突变株。ARTP 诱变的菌株正突变率为31.6%，筛选得到的较优正突变株M. extorquens AM1(E-F3)，PQQ 产量达到54.0 mg/L，是出发菌株的近3 倍。（生物工程学报，2016,32(8)：1145-1149）案例二：应用ARTP茂源链轮丝菌，提高所产谷氨酰胺酶的酶活采用ARTP技术对链霉菌孢子进行诱变，突变率42.8%，正突变率20.6%，高产突变株G2-1酶活达到2.73U/mL，比出发菌株提高了82%。（微生物学通报，2010，37(11)：1642-1649）

北京中海时代科技公司提供等离子plasma表面处理设备，致力于压电低温等离子体表面清洗处理、表面活化改性领域多年，等离子表面处理技术已被广泛应用到工业、医疗、科研等行业。我们为您提供可靠的等离子表面处理解决方案。 德国瑞龙进口手持常压等离子体表面处理仪活化清洗处理机优势 无需化学处理或机械处理 高效脉冲大气等离子体手持装置对大型部件灵活操作和完善品质 优化地易于使用和为操作者的安全 手推车设计方便工业环境的各处使用 完全自动的空气压缩机供应集成在设备内部 双手操作和信号灯先进保护和提醒操作者和第三方 特征 独立的单位 单人易搬运 无需配备PLC只需要电源插座 强大和易于使用 没有压缩空气或质量流量控制要求 不同工艺/基板/几何图形皆可表面处理可实行的应用 活化表面能 杀菌和消毒 涂层和喷涂 超精细清洗 去除氧化物 粘接预处理 应用以下工序预处理 胶粘 印刷 印染 铸造 层压 发泡 涂层 清洗 键合 密封

ICP-RIE等离子体蚀刻设备 RIE-350iPC最大ø 350毫米的托架概要RIE-350iPC是一种盒式装载电感耦合等离子体(ICP)蚀刻设备，可处理多达ø 350毫米的载盘，用于多晶圆批量处理。该系统为各种蚀刻应用提供了坚固可靠的硬件和卓越的工艺控制，具有较高的生产率，如功率器件、微型LED、VCSEL、LD、电容器和射频滤波器。主要特点和优点最大加工范围：ø 350 mm (ø 3" x 12, ø 4" x 8, ø 12" x 1)先进的ICP源HSTC&trade （Hyper Symmetrical Tornado Coil）能有效地提供均匀的高密度等离子体，并在大面积上具有优异的蚀刻均匀性。对称的疏散设计与TMP相结合，形成了高效的流动。优化的气体歧管，提供工艺气体的均匀性。可选的光学/干涉式端点检测系统可实现对多个工艺运行的精确蚀刻深度控制。应用GaN、GaAs、InP和SiC的高精度蚀刻SiN和SiO2的蚀刻电介质和金属的蚀刻用于HBLED的PSS（图案化蓝宝石衬底）加工

激光诱导击穿光谱技术(LIBS)，利用脉冲激光产生的等离子体烧蚀并激发样品（通常为固体）中的物质，并通过光谱仪获取被等离子体激发的原子所发射的光谱，以此来识别样品中的元素组成成分，进而可以进行元素鉴定、材料的识别、分类、定性以及定量分析。 CNI生产的激光诱导等离子体光谱仪中，激光器稳定可靠，光谱仪分辨率高，软件分析快速准确，是实验室、工业现场的实用分析仪器。■ 基本组成 脉冲激光器、光纤光谱仪、聚焦透镜、样品、转台、耦合透镜、光纤座、光纤。■ 激光器的选择固态物质LIBS检测金属样品(金属、合金、钢、矿石等组分检测)高能脉冲激光器E:100μJ~10mJ样品导热性好，激光器能量足够高即可非金属多组分样品(土壤中重金属、氮磷钾肥检测、煤质分析等)低频高能脉冲激光器E:10mJ~100mJ样品导热性，高温易化学反应或燃烧液态物质LIBS检测液体样品(海水、工业污水检测等)高能脉冲激光器E:100mJ~500mJ由于等离子体冲击波作用，液面波动影响探测稳定性气态物质LIBS检测气体或气溶胶(空气成分、大气污染物、汽车尾气、工业废气检测等)低频高能脉冲激光器E:100mJ~1000mJ气体击穿阈值大，需要高能激光作为激发光源

1、 设备组成：高压电源、气体控制系统、紫外诱变消毒系统、等离子体发生系统、交互式触摸LCD、自动控制系统、环境参数监控系统、照明系统。2、 设备使用器皿：专用的加样器、标准的90mm的玻璃培养皿3、 控制系统：工作温湿度监测显示、气体流量监测显示、参数设置、模式设置、启动/停止、软件版本升级、设备自检、环境消毒、照明控制。4、 等离子体观察窗尺寸：220mm x 150mm5、 安全防护等级：IP536、 诱变时间设定范围：0 – 3600s7、 报警：工作异常、设备部件异常会报警8、 提醒：正常启动、消毒结束、诱变结束会铃声提醒9、 自动控制诱变距离：0 – 25mm10、 气体流量自动控制范围：10 – 16 slpm11、 设备尺寸：465mm(H) x 420mm(W) x 465mm(D)12、 工作气体：99.999%高纯氮气13、 整机功率：300W（MAX）14、 电源：220VAC±10% 50Hz15、 等离子体最大功率：10W16、 氮气接口：6mm双卡套快速接口17、 工作温度：-10℃ - 40℃18、 工作湿度：≤ 70%

主要特点：特点：表面等离子体共振仪已成为分子结合相互作用研究最受欢迎的工具，包括 DNA,蛋白质和药物研究,尤其适合于亲和力测量及定量浓度分析。此仪器有两个通道，用于提高通量或建立参比。如果需要更高灵敏度，参比通道是一种有效的方法,因为它可降低由于热量，机械及电子所带来的噪音。CP-SPR仪使用了一种创新式的光学技术，可提供小于0.1mDeg（rms）的低噪音基线及可达1ms/point的接受速度以用于研究快速结合相互作用。CP-SPR使用复杂的隔离技术以提高稳定性且可以进行大小多种尺寸分子分析。CP-SPR具备可开口光学传感区的独特设计,可提供无可比拟的灵活性并可促进创造性的研究。CP-SPR结构紧凑，占用操作台空间小。易用软件可提供精准的实时控制和基于windowsXP/VISTA的强大数据分析功能。CP- SPR通过USB连接到电脑上(电脑不包括在本机内)。使用内置的安装和培训DVD教你如何使用仪器。DVD中包含了仪器使用方法的每一个步骤：启动，样品准备，数据采集，数据分析，清洗，维护。它将让这款仪器成为您快速获得所需数据的可靠工具。备注：本仪器需同74900-55注射泵配套使用。 注射泵必须具备，但不包括在本产品内，需要单独订购。主机配置包括：5个Au膜传感器，一个250微升进样注射器，2个10毫升样品注射器，2个废液瓶，高级控制及数据分析软件包，安装培训DVD。订购指南 型号 描述 电源 CP-SPR 200 表面等离子体共振仪 240伏交流 50赫兹7490055 纳升级双通道注射泵其他备件及配件请联系北京中科科尔仪器有限公司

等离子体清洗好处,对PTFE进行等离子活化处理,蚀刻工艺,为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺,并得到了应用,等离子体清洗与其它清洗方式对比表.等离子体清洗好处：　１、其除去了有机层（含碳污染物），其会受到例如， 氧气 和空气的化 腐蚀，通过超压吹扫，将其从表面去除。　　　通过等离子体中的高能量粒子，脏污会转化为 稳定的小型分子 ，并借此将其移除，处理过程中脏污的厚度只允许达到 几百纳米 ，因为等离子的清除速度仅能够达到每次几 nm。　　　脂肪含有诸如锂化合物之类的成分。仅能够除去其 有机成分 。这一点同样适用于指纹。故此，建议戴手套。　２、还原氧化物　　　金属氧化物会和工艺气体发生化学反应。作为工艺气体，使用了氢气和氩气或氮气的混合物。等离子体射流的热效应可能会导致进一步的氧化。故此建议在惰性气体环境下进行处理。常压等离子激活处理主要用于哪些方面？　　这种技术非常适用于以下工艺过程：　１、在粘合之前对塑料进行局部的等离子活化处理　２、在粘合、植绒、印刷（例如，汽车行业中的橡胶型材）之前，对弹性体进行等离子活化处理　３、在粘合或者粘接之前，对金属和陶瓷表面进行局部的等离子活化处理　４、极为适合在直接于移印机中移印之前，对塑料零部件进行处理。用常压等离子体进行活化处理能够为我们带来哪些主要优势？　技术适用于在线工艺，例如，在对连续型橡胶型材、软管进行印刷、胶粘，植绒或者涂层之前进行等离子活化。　等离子体清洗与其它清洗方式对比表：应用用途和特性低压等离子体的优点低压等离子体的缺点常压等离子体的优点常压等离子体的缺点普通的等离子体生成在等离子腔体室中均匀分布等离子体，腔室体积可变复杂的真空技术，在线等离子处理应用受到一定的限制可以直接在输送带上进行等离子处理，适用于在线处理，无需任何真空技术由于等离子体激发原理的原因，等离子处理痕迹有限，处理较大的对象的时候，必须使用多个喷嘴对金属进行处理可对易氧化的对象进行等离子清洗进行微波激发的时候，对象上可能会相应产生能量，这会造成对象过热对铝进行等离子处理的时候，可以生成很薄的氧化层对易氧化的对象进行等离子清洗，受到一定的限制对聚合物弹性体进行处理无法对PTFE进行等离子活化处理，蚀刻工艺，为弹性密封件和PTFE密封件研发了很好的等离子工艺，并得到了应用某些材料需要用到较大型的泵，以便达到必须的工艺压力无法对连续型对象进行预处理，工艺时间很短等离子射流的温度为约 200 - 300 °C。必须对表面的工艺温度进行很好的调节，以防止着火（很薄的材料）3D对象对等离子体腔室中的所有对象进行均匀处理。即使是中空腔室也可以从内部进行处理（例如，点火线圈、水箱等）未知可进行局部表面处理（例如，粘结槽口）需要使用复杂的多关节型机器人技术。常压等离子体的间隙渗透性受到一定的限制散装部件通过转鼓法可以对散装部件进行均匀的等离子处理。零部件的件数和体积可以有所不同其仅能够使用转鼓的 1/3 体积（建议）可以直接在输送带上处理对象对象必须极为精确的定位在输送带上电子，半导体技术借助低压等离子体对电子元件、电路板和半导体部件进行等离子处理是先进的技术。未知金属或者 ITO 触点可在粘接处理之前进行等离子预处理（例如，LCD、TFT 和芯片的生产）涂层工艺生成均匀的涂层。研发了很多 PECVD 和 PVD 工艺，并得到了应用可能会造成等离子体腔室的污染具有很多的工业用途尚不具有任何的工业用途

CIF等离子体汽化接枝仪（CPV-G）为等离子体表面处理仪的配套设备，主要用于将液态原料汽化并以一定的流量输入等离子体表面处理仪的反应腔内，以进行材料表面的接枝和沉积，适用于各种等离子处理设备。产品特点v 可拆卸的样品加热腔、气体混合腔，便于清洗和更换不同的液体样品。 v 气体混合腔采用聚四氟PTFE材质，惰性好，耐酸碱，保温性能好。v 管路保温加热系统可保证汽化后的气体不会冷凝，保持通气顺畅。v 样品加热腔及管路清洗方便，可自动清洗管道中各种样品残留。v 三路气体设计，更加符合工艺要求。一路气体进入加热腔，一路气体进入气体混合腔，一路接枝气体。v 双流量计设计，控制准确。 技术参数v 样品罐尺寸：Φ95×105mmv 样品罐容积：250mlv PTFE气体混合腔容积：30mlv 温控范围：RT-150°Cv 流量控制：双流量阀控制，0-10L/minv 管路系统：2路进气，1路出气v 电源：220V/50/60Hz/200Wv 整机尺寸：30cm(W)×20cm(D)×24cm(H)。

北京中海时代科技公司提供等离子plasma表面处理设备，致力于压电低温等离子体表面清洗处理、表面活化改性领域多年，等离子表面处理技术已被广泛应用到工业、医疗、科研等行业。我们为您提供可靠的等离子表面处理解决方案。 德国瑞龙进口等离子发生器电源表面活化清洗处理机优势 操作简单直观确保清洁的环境通常的工作环境下等离子高效处理可选完全独立的空气供应和19英寸机架 可选过滤器清洗排气，不需外部抽吸装置该系统经测试并完全安装，简单即插即用可选软件和触摸屏，显示和存储所有的工作序列和参数根据应用程序，可以选项配件，所有选项都很容易升级 强大的笛卡尔轴系统和可靠的等离子体发生器的多功能性尽善尽美可实行的应用 活化表面能 杀菌和消毒 涂层和喷涂 超精细清洗 去除氧化物 粘接预处理 应用以下工序预处理 胶粘 印刷 印染 铸造 层压 发泡 涂层 清洗 键合 密封

PE-75等离子体清洗机作用于材料表面，使表面分子的化学键发生重组，形成新的表面特性，对某些有特殊用途的材料，在超清洗过程中等离子体表面处理仪的辉光放电不但加强了这些材料的粘附性、相容性和浸润性，并可消毒和杀菌。广泛应用于光学、光电子学、电子学、材料科学、生命科学、高分子科学、生物医学、微观流体学等领域。* 清洗晶体、天然晶体和宝石；* 清洗半导体元件、印刷线路板；* 清洗生物芯片、微流控芯片；* 清洗沉积凝胶的基片；* 高分子材料表面修饰；* 牙科材料、人造移植物、医疗器械的消毒和杀菌；* 改善粘接光学元件、光纤、生物医学材料、宇航材料等所用胶水的粘和力。 等离子体表面处理仪技术参数：设备型号：PE-75腔体尺寸：圆柱形腔体，内径10.75英寸（273mm）x深度10英寸（254mm）；腔体材质：T-6铝合金一体成型；腔体容积：13.8升；射频电源：13.56MHz；0~150W自动调节；工作压力范围：1-2000 mT；气体流量控制：0-25cc/min带精密针阀；皮拉尼真空计： 0-1Torr；选配：1、400W，50KHz；2、100W,13.56 MHz；（自动匹配网络） 3、300W,13.56 MHz；（自动匹配网络） 4、Venus PC控制功能，可以通过MFC控制气体；

电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）应用领域各级疾控中心理化所/科,职业卫生技术服务机构理化分析；职业病监测理化分析；职业病诊断-职业医学检验疾控中心理化分析。电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）◇ 高效进样系统：分体式炬管，自准直装配，直观简单。◇ 稳定的ICP离子源：自激式全固态射频电源，采用频率匹配调谐，调谐速率高，可直接分析有机样品，无运动部件，稳定可靠；平衡驱动，无需屏蔽炬即可获得离子动能平衡。◇ 可靠的双锥接口设计：高效率传输待分析离子，保持分析物组份的代表性，专门离子接口设计大幅度提升灵敏度；提手是换锥接口，稳固可靠，操作便利。◇ 复合离子传输系统：前后两次离轴，良好消除中性粒子干扰；采用复合电场多极杆导引技术、复合透镜偏轴离子传输技术，在消除光子和中性粒子干扰之外大幅度的提升离子传输效率。◇ 高速动态碰撞反应池：分布式碰撞/反应气扩散方式，大大提高碰撞效率，提升灵敏度；采用离子动能歧视技术，结合喷碰撞和动态反应两种模式的优点；高效碰撞模式，可直接稀释到测试血液样品。◇ 四极杆质量分析器：纯钼四极杆，超高稳定性；抗温湿度变化的RF电源，确保在普通实验室条件下也有良好的稳定性。◇ 高灵敏电子倍增器：专有的数字/模拟双模式检测器，具有9~10个数量级的动态范围。电感耦合等离子体质谱仪（ICP-MS）◇ 自主研发的国产ICP-MS替代进口产品，完全满足疾控客户水、食品、土壤、环境等检测需求，成为各级疾控中心理化采购热点；◇ 满足ICP-OES替代方法，检出限可到ppq，四级杆质量分析器，全数字频率调谐射频发生器。

北京中海时代科技公司提供等离子plasma表面处理设备，致力于压电低温等离子体表面清洗处理、表面活化改性领域多年，应用领域 接合技术 小批量生产加工 医疗和牙科技术 实验室的研发设备 原型和样品模型制造 生产流程的开发和优化 微生物、微流体以及食品生产 优势 可替换模块功率密度非常高 压电直接放电控制 小体积紧凑型便捷 气体分子的激发是高效而安全的 注重产品的可用性以及界面友好性 潜在用途精细清洁 杀菌消毒和祛除异味提高材料表面润湿性各种基础材料表面的活化加工处理 优化黏合、喷漆、印刷以及涂层处理工艺 塑料、玻璃、陶瓷、金属、半导体、天然纤维以及复合材料的表面加工处理技术参数供电电源：110-240伏 / 50-60 赫兹交流电功耗：18 瓦重量：110 克产品组成：手持式设备带电源线，集成风扇音量：45 分贝等离子体温度：不超过 50 摄氏度加工处理速度：5 平方厘米/秒加工处理距离：2 – 10 毫米加工处理宽度：5 – 29 毫米过程控制：秒表、定时器、节拍器

ICP-6800SD型电感耦合等离子体发射光谱仪产品介绍： ICP-6800SD型电感耦合等离子体发射光谱仪是公司经多年技术积累而开发的电感耦合等离子体发射光谱仪，用于测定各种物质（可溶解于盐酸、硝酸、氢氟酸等）中的微量、痕量金属元素或非金属元素的含量，自动化程度高、操作简便、稳定可靠。 ICP-6800SD型电感耦合等离子体发射光谱仪广泛应用于稀土、地质、冶金、化工、环保、临床医药、石油制品、半导体、食品、生物样品、刑事科学、农业研究等各个领域。工作环境：内容 适应范围贮存运输温度 15℃-25℃贮存运输相对湿度 ≤70％大气压 86-106 kPa电源适应能力 220±10v 50-60MHz工作湿度 ≤70％工作温度 15℃-30℃ 技术指标：固态电源技术指标电路类型：电感反馈式自激振荡电路，同轴电缆输出，匹配调谐，功率反馈闭环自动控制工作频率：27.12MHz±0.05%频率稳定性：＜0.1%输出功率：800W—1200W输出功率稳定性：＜0.3%电磁场泄漏辐射强度：距机箱30cm处电场强度E：＜2V/m 进样系统技术指标输出工作线圈内径25mm矩管，三同心型，外径20mm的石英矩管同轴型喷雾器外径6mm双筒形雾室外径34mm 氩气流量计规格和载气压力表规格1.等离子气流量计（100-1000）L/h (1.6-16L/min)2.辅助气流量计（10-100）L/h (0.16-1.66L/min)3.载气流量计（10-100）L/h (0.16-1.66L/min)4.载气稳压阀（0-0.4MPa）5.冷却循环水：水温20-25℃ 流量5L/min 水压0.1MPa 单色器技术指标光路：Czerny-Turner焦距：1000mm光栅规格：离子刻蚀全息光栅，刻线密度3600线/mm(可选用刻线密度2400线/mm)线色散率倒数：0.26nm/mm分辨率：≤0.007nm(3600刻线）. ≤0.015nm(2400刻线）扫描波长范围：3600线/mm扫描波长范围：190—500nm 2400线/mm扫描波长范围：190—800nm步进电机驱动最小步距:0.0006 nm出射狭缝：12μm入射狭缝：10μm 光电转换器技术指标光电倍增管规格：R293或R298光电倍增管负高压：0-1000V稳定性＜0.05% 整机技术指标：扫描波长范围：195nm～500nm（3600L/mm光栅）195nm～800nm（2400L/mm 光栅）重复性：（即短期稳定度）相对标准偏差RSD≤1.5％稳定性：相对标准偏差RSD≤2％