波导集成器

1.磁控管激励腔（2450MHz，915MHz）－BJ22波导激励腔，BJ26波导激励腔，BJ-9波导激励腔 CK619微波磁控管激励腔，CK611微波磁控管激励腔，3KW微波磁控管激励腔， 2.环行器（2450MHz，915MHz）－1～2KW（干式），5KW、10KW、20KW（水冷） 3.水负载（2450MHz，915MHz）－1～2KW,5KW,10KW,20KW 4.定向耦合器（2450MHz）－耦合度：50/55dB ，BJ-26波导，BJ-22波导 方向性：20dB以上，分双向耦合和单向耦合二种，双向耦合可分别接入射波和反射波， 耦合分支同轴负载内装。 主线为：波导 耦合线为：N型同轴线 5.调配器（2450MHz）－BJ-26波导，BJ-22波导，螺钉调配器；双T调配器 6.T形功率平分器－BJ-26波导，BJ-22波导 7.90° 弯波导－E面90° 弯波导，H面90° 弯波导 8.短路活塞－BJ-26波导，BJ-22波导 9.过渡波导－BJ-22～BJ-26波导,BJ-22～TE11园波导(ф122),BJ-26～TE11园波导(ф96.6) 10.大功率波导同轴转换- BJ-22 39/16同轴线；BJ-26 39/16同轴线；BJ-22 16/7同轴线；BJ-26 16/7同轴线 11.加热谐振腔应用器－矩形TE10n型，园柱形谐振腔应用器：TE11 n，TM010，TM01 n 12.角锥孔径天线－波导口辐器；扩展波导口辐器。

该波导盒配备MD系列、Solutions MD系列微波消解仪。该波导盒采用纯日本进口产品，分别有800W和1000W两种型号。

名称 BJ26微波环行器 用途 微波系统隔离保护 型号 HYC-26/HYC-26W 微波频率 2.45GHz 连接波导 BJ26 隔离度 &ge 20db 正向衰减 &le 0.3db VSWR 1.2 功率 1KW～5KW

名称 BJ22微波环行器 用途 微波系统隔离保护 型号 HYC-22/HYC-22W 微波频率 2.45GHz 连接波导 BJ22 隔离度 &ge 20db 正向衰减 &le 0.3db VSWR 1.2 功率 1KW～10KW

国标BJ26（EIA国际标准WR340) 标准波导材料：铝制表面处理：导电氧化选配：电器安装板，法兰类型可选 适合磁控管管脚孔中心为114mm*35mm的各类微波磁控管。例如松下2M210-M1、2M167B-M11/M15/M10等；三星OM75P31/S31等；威特2M219K/G、2M363K/G、2M369K/G、2M469K/G等；LG系列；东芝系列；日立系列……

波导规格：BJ-9微波频率：915MHz材料：铝制适用磁控管功率 5KW 20KW型号：CK611，CK147等

波导接口：BJ22FDP22标准法兰材料：铜制或铝制微波功率：1500W以下 适合磁控管管脚孔中心为114mm*35mm的各类微波磁控管。例如松下2M210-M1、2M167B-M11/M15/M10等；三星OM75P31/S31等；威特2M219K/G、2M363K/G、2M369K/G、2M469K/G等；LG系列；东芝系列；日立系列……

美国Solarlight PMA2113 UVA和液体光波导传感器适配器，技术细节，操作，规格，总代，说明书，销售热线：15300030867，张经理，欢迎您的来电咨询！光谱响应320 - 400 nm,如图1所示角响应5%角度 60°范围400(mw / cm2)或4000(W / m2) 显示分辨率0.001 W / cm2,0.01 mW / cm2 0.01 W / cm2,0.1 mW /平方厘米操作环境32到120°F(0到+ 50°C)没有降水温度系数 0.1% /°C电缆5英尺(1.5米)直径1.6英寸(40.6毫米)高度1.8英寸(45.8毫米)重量7.1盎司(200克)。光谱响应常见的UVA的来源低压开花的灯高压汞和金属卤化物灯高压氙气灯阳光

5倍频谐波生成器（Fifth Harmonic Generator）HG-Fifth5倍频谐波生成器(213 nm)可与LS-2136, LS-2137或客户其他的激光器一起配合使用。BBO晶体用来实现FF (1064 nm) + FH (266 nm) 或SH (532 nm) + TH (355 nm)的客户的选择。非线性晶体被密封在温度控制室里。原始分散谐波分离器（Original dispersive harmonic separator0可实现来自泵浦谐波辐射输出的全部分离。规格：LS-2136LS-2137能量, mJ213 nm525脉冲时间 (FWHM), ns1064 nm11-1312-14电源单相 220 ±20V, 50-60 Hz, 20 W脉冲重复率, Hz1-501-10光束直径, mm58尺寸长x宽x高, mm235x150x55

环形生成器： 环形生成器将激光束变换成环形或多个环形。（螺旋相板（Vortex）根据拓扑电荷将高斯单模TEM00激光器转换成非常小的环。衍射三角镜将任何输入光束转换成小或大的环，并将点光源沿着光轴成像成一行，并增加DOF（聚焦深度）。多圈DOE最近被证明是某些3D地图应用的最合适的光模式。

双通道脉冲生成器CPS4非常适合激光脉冲整形应用或激光脉冲削波。双通道脉冲生成器CPS4特点两个相等但相反的电 极3.5kV矩形脉冲。使用前面板脉冲形成电缆，脉 冲长度单独调整。单触发器输入同步输出110/240V 交流电 功率单晶体装置和一个3.5kv驱动器组对简单激光脉冲斩波单晶普克尔盒需要7kv方波脉冲斩1微米的激光束。采用两3.5kv 脉冲发生器驱动晶体的另一端消耗的能量是使用一个脉冲发生器时的一半。等于使用单个脉冲发生器驱动100欧姆电缆消耗的能量。双通道脉冲生成器规格产品概述输出 2输出连接器 N类型输出电压 大于等于3.2kv 50欧姆输出电极 通道1=正极， 通道2=负极脉冲形状 快速上升下落的矩形脉冲宽度 4nsFWHM 没有外部脉冲形成电缆。有电缆是是6.8和10ns上升时间 150ps下落时间 更快是300ps 或是脉冲宽度（80-25%）的10%触发器 ≥5V 50欧姆，5ns 上升振动 20ps RMS触发延迟 约23ns （从触发输入到输出）重复率 单击10HZ电源 100-240V AC 50-60 HZ 最大功率20W输出：脉冲输出 N 2个通道 3.2KV 50欧姆输入：触发输入 BNC ≥5V为50欧姆， 上升时间5ns功率： IEC 输入功率3.15A T 20mm熔断和转换， 在后面板上控制：脉冲宽度 SHV 专门插入脉冲形成电缆功率 IEC 转换脉冲发生器的AC功率LED指示灯：功率 指示采用的AC功率和切换的单元触发 触发单元时触发照明终结器- 监控单元输入电压 最高5kv/10ns/100Hz 方波脉冲输入 N类型 50欧监控器输出 100:1 衰减的输入电平输出 SMA 50欧尺寸大小：脉冲发生器 高=90mm， 宽=450mm，深=410mm （不包括手把，底座和架耳）使用环境：外界温度： 5-35°C湿度 95% 非凝结海拔 3000m

在845淋洗液合成器上进行pH调节的装置Equipment for pH Adjustment at the 845 Eluent Synthesizer订货号：6.5329.000淋洗液合成器的pH调节包括pH电极与其它附件

5倍频谐波生成器（Fifth Harmonic Generator）HG-Fifth5倍频谐波生成器(213 nm)可与LS-2136, LS-2137或客户其他的激光器一起配合使用。BBO晶体用来实现FF (1064 nm) + FH (266 nm) 或SH (532 nm) + TH (355 nm)的客户的选择。非线性晶体被密封在温度控制室里。原始分散谐波分离器（Original dispersive harmonic separator0可实现来自泵浦谐波辐射输出的全部分离。规格：LS-2136LS-2137能量, mJ213 nm525脉冲时间 (FWHM), ns1064 nm11-1312-14电源单相 220 ±20V, 50-60 Hz, 20 W脉冲重复率, Hz1-501-10光束直径, mm58尺寸长x宽x高, mm235x150x55

乳液生成器外形尺寸：11.5x11.5x12mm³ 一体成型管径低至0.1mm低荧光效应

单片微波集成电路放大器是中国制造的GaN MMIC放大器产品的翘楚，具有可与美国同类产品媲美的产品性能，却具有全球竞争力的GaN MMIC Amplifiers价格和单片微波集成电路放大器价格。 单片微波集成电路MMIC放大器广泛用于高功率微波放大器系统, 支持非常高的工作电压（比GaAs高三到五倍），并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。 这些特性对PA设计人员有重要意义，意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗,从而获得更大带宽。 单片微波集成电路MMIC放大器具有极高的可靠性，适用于高可靠性空间应用，结果表明单个器件的平均失效前时间(MTTF)超过一百万小时。 如此高的可靠性主要是因为GaN具有很高的带隙值（GaN为3.4，GaAs为1.4）， 这使得它特别适合高可靠性应用。GaN MMIC amplifiers made by China provide high performance with lower price on market, MMIC output power over the 0.03 to 4.0GHz band. This MMIC is matched to 50 Ohms at the input but un-matched at the output above 0.5GHz.

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产品概要：MPI为射频和毫米波测量应用提供了出色的软电缆和附件选择，可实现完整的射频探头系统集成。基本信息：测试电缆晶圆级测量系统中的RF电缆必须满足许多特殊要求：较佳的电缆长度，重量，大小和相位稳定性，温度范围和公连接器的设计，MPI可以提供两个系列的RF电缆-高端MMC和入门级MRC-涵盖从18 GHz开始的整个频率范围。电缆组件有两种标准长度，分别为120厘米和80厘米，以与探头系统的占地面积和VNA的位置相匹配。转接器提供高质量的RF和高端毫米波适配器，以应对常规系统重新配置以及与不同类型的测试仪器集成的挑战。波导管波导段用于将基于波导的RF探头与VNA毫米波头(转换器)的输出端口相连，该端口的使用频率从V波段(50 GHz)开始。由于采用统一的设计，MPI波导段可与任何类型的变频器和MPI探头系统兼容。同时，它们提供了很大限度的系统测量动态范围。标准产品涵盖了广泛的频率范围：从V波段(WR15，从50 GHz到75 GHz)到G波段(WR-5，从140 GHz到220 GHz)。对于220 GHz以上的测量，MPI工程师建议将RF探头直接安装到转换器的波导端口。技术优势：1、测试电缆稳定性较高2、高质量的RF和高端毫米波适配器3、MPI波导段具有良好的兼容性应用方向：主要用于射频和毫米波测量应用。

单片微波集成电路放大器是中国制造的GaN MMIC放大器产品的翘楚，具有可与美国同类产品媲美的产品性能，却具有全球竞争力的GaN MMIC Amplifiers价格和单片微波集成电路放大器价格。 单片微波集成电路MMIC放大器广泛用于高功率微波放大器系统, 支持非常高的工作电压（比GaAs高三到五倍），并且每单位FET栅极宽度容许的电流大致是GaAs器件的两倍。 这些特性对PA设计人员有重要意义，意味着在给定输出功率水平可以支持更高的负载阻抗,从而获得更大带宽。 单片微波集成电路MMIC放大器具有极高的可靠性，适用于高可靠性空间应用，结果表明单个器件的平均失效前时间(MTTF)超过一百万小时。 如此高的可靠性主要是因为GaN具有很高的带隙值（GaN为3.4，GaAs为1.4）， 这使得它特别适合高可靠性应用。单片微波集成电路MMIC放大器参数

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PPLN, PPLT waveguide chips provide conversion efficiency 2~3 orders of magnitudes higher than the conversion efficiency of the bulk chips by combing the advantage of high intensity from channel waveguide (WG) structure and phase-matching/spectrum engineering from Quasi-phase-matching (QPM). Due to the tightly confinement of the waveguide structure, PPXX (PPLN, PPLT) waveguide chip is particularly suitable for high conversion efficiency applications, but normally with applicable power under sub-Watt level. HCP can help you to design suitable QPM periods and QPM structures for selected RPE/Ridge materials to achieve desired phase-matching and spectrum at specified operation temperature with consideration of input & output power/energy as well as their spectrum/pulse properties.Ref-1: Materials and Application Wavelength Ref-2: Chip Structure Ref-4: Dimension and Surface Specification ?

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