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各位大侠帮忙解答:1. 我看文献上有的说xrd掠入射看薄膜物象鉴定,常规的θ/2θ扫瞄看薄膜的择优取向。薄膜xrd掠入射能看薄膜的择优取向吗?2. 我做常规的θ/2θ扫瞄时只有衬底峰没有薄膜信息,所以只能做掠入射,我是在单晶SiC片子上磁控溅射AlN薄膜(约500nm厚),但是我要对比不同参数下薄膜的择优取向,我该怎么测呢?3. 我用的设备是日本理学D/MAX 2500PC X射线粉末衍射仪,做掠入射时加了薄膜附件,采用2θ扫瞄模式,θ角固定(2.5、3、5、8、15、30度),不管θ角多大都没出现衬底峰只有薄膜峰,但是随着θ角的增大,AlN (0002)峰强也增大,而.(10-13)峰强则减小直到消失,这是为什么?另外,掠入射时θ角越小x线在薄膜中的光程应该越大,反应的薄膜信息应该越丰富对吗?为什么我做θ角0.5度和1度时什么峰都没有呢?
[color=red]石英衬底上的ZnO薄膜,择优取向很明显,只有002一个峰,但和pdf卡片比起来向小角偏移了0.6度,听老师说是取向的原因,但自己没搞明白,仪器只收集和样品表面平行的晶面衍射啊,和取向有什么关系呢,请大仙赐教。[/color]
刚开始做薄膜,关于XRD有几个疑问,请各位高手指点。第一:想去除仪器宽化,用多晶硅标定仪器发现,从28-87度之间半峰宽分别为,0.05,0.06,0.1224,0.08,0.08,0.08.请问高手,怎么取仪器宽化?0.1224附近怎么取?第二:做实验的老实说,打印的报告半峰宽和d值都是近似,不准,没有去除Kr2,那我用JADE软件去除后峰位和半峰宽自己怎么确定。尤其是半峰宽怎么取?做实验的老师说,放大了打印后用尺子量,我觉得很难这么处理吧?请高手解答