射频功率源

CESAR 射频发生器强大而多功能的 Cesar 平台可提供非常稳定的射频功率输送性能，以及一个多样化的模式选择，每种模式都具有一套独特的功能（2、4、13.56、27.12和40.68 MHz；0.3至5 kW；拥有多种用户界面和输入选择），从而使您能够选择一套特别适合您应用的组件——而无需定制发生器所需的漫长交付期。高质量的组件和较少的零件数量使可靠性和产品生命周期均实现优化，从而使您的投资和制程生产力得到较好的利用。一个全面而灵敏的操作菜单（可在该组件的多功能前面板上找到，并显示在一个大的液晶显示屏上）带来了很好的便利性——提高了操作人员的效率，并使培训成本最小化。优点功能更长的制程正常运行时间更高的操作简易性和灵活性无需定制组件提前期的定制化性能长期的使用简易性，节省成本优质的服务和支持 精簡的流线型设计标准的平台包装高效率——低发热量200和400 VAC 的输入选择两个模拟用户端口选择RS-232、以太网、和 Profibus 通讯多功能前面板便利、全面的操作菜单CEX（相位同步）操作模式遵循 SEMI™ （符合或超过标准）

安立MA24105A通过式峰值功率传感器能够在350 MHz 到 4 GHz的频率范围下提供准确的平均功率测量，其功率测量范围涵盖2mW至 150 W。该传感器在其采用"双通道"内部架构的二极管传感器前端配备一个独立的定向耦合器，能够在整个频率和动态范围内提供（类似于热敏传感器）真有效值测量，使得用户能够对 CW、多音信号以及数字调制信号（如 GSM/EDGE、CDMA/EV-DO、WCDMA/HSDPA、WiMAX 和 TD-SCDMA）执行高度准确的平均功率测量。传感器中的信号调节回路、ADC 、电源及微处理控制器共同构成一个功能全面的功率计。正向路径还包括一个4MHz带宽通道，峰值和比较器/集成电路，由此增加了测量功能，比如：PEP功率、波峰因子、CCDF测量功能和突发平均功率.另一反向检测电路增加了反向功率测量功能，包括反向功率、反向系数、回波损耗和SWR. 微控制器、信号调节电路ADC，以及传感器中的电源，使之成为一个完整的微型功率计。与个人电脑搭配操作可以通过USB接口与Microsoft Windows系统的个人电脑相连接使用。其带有PowerXpert™ 应用软件 (版本 2.1 或更高)，可用于数据显示、分析和功率传感器的控制。软件提供了一个前窗面板，使得PC界面如同传统的功率计。这款应用软件有极丰富的功能特点，比如数据记录、功率Vs时间，以及偏移表，实现快速精确的测量。频率范围350 MHz - 4 GHz动态范围2 mW to 150 W (+3 dBm to 51.76 dBm)输入回损29.5 dB, ≤ 3 GHz26.5 dB, ≤ 4 GHz测量不确定度 3.8%射频接头N (F)一批功率计，反射仪，激光器等最后清仓中序号名称型号数量描述厂家备注1安立射频功率计MA24105A1Inline Peak Power Sensor, 350 MHz to 4 GHz安立全新2安立光功率计5P100-FC1安立全新3光时域反射仪MU909815C11310，1550，1650波长，三波长，35dB安立全新4光时域反射仪MU909014A51650波长，单波长，30dB安立全新5MT9090模块MU909014A91650波长模块安立全新6泵浦激光器AF4B116AA75L34安立全新7泵浦激光器AF4B230CU550F1安立全新8校准套件3669B1V Connector Verification Kit安立全新9天馈线测试仪S251B1安立全新10天馈线测试仪S332D1安立样机11SDH样机MP1590B1安立样机12现场综测测试仪CMA30001安立全新13衰减器41KC-201Precision Fixed Attenuator, 20 dB, DC to 40 GHz, 50 Ohm, K(m) - K(f)安立全新14功率传感器MA2411B1安立全新15互调仪MW82119A1安立全新16偏置器5585-1141BIAS TEE，2-18HGz,100V,6A,SMA J-PPicosecond全新17偏置器5589-1141BIAS TEE，3-2.86HGz,100V,7A,SMA J-PPicosecond全新18衰减器89-30-121 avg 10W, 2.92mm(m-f)安捷伦全新19黄青蛙功率计0077-2-R5YellowFrog power meter 700 MHz to 2.7 GHz黄青蛙全新20鸟牌射频功率计5000-EX3Digital Power Meter鸟牌全新21鸟牌探头50124Wideband Power Sensor鸟牌全新22衰减器8490D-02012.4mm(m-f)，RF power avg 1W Coxial fixed attenuator,dc-50GHz with options 020Aeroflex全新23转接头506542.4(m)-3.5(m)Aeroflex全新24转接头506622.4(m)-3.5(f)Aeroflex全新25转接头506722.4(f)-3.5(m)Aeroflex全新26转接头506823.5(f)-2.4(f)Aeroflex全新27转接头508543.5(m)-3.5(m)Aeroflex全新28转接头51121N(m)-APC7Aeroflex全新29转接头514023.5(m)-APC7Aeroflex全新31转接头514423.5(m)-N(m)Aeroflex全新32转接头514513.5(f)-N(m)Aeroflex全新33转接头514623.5(m)-N(f)Aeroflex全新34转接头514842.4(f)- 2.4(f)Aeroflex全新35转接头514942.4(m)-2.4(m)Aeroflex全新36转接头515222.4(f)- 2.92(m)Aeroflex全新37转接头515322.4(m)- 2.92(f)Aeroflex全新38转接头515432.4(m)- 2.92(m)Aeroflex全新39转接头515722.4(m)-N(m)Aeroflex全新40转接头518222.4(f)-APC7Aeroflex全新41国产电缆4742国产转接头4943电源线16744国产校准件145国产电池146电源适配器5447偏置器248混频器149连接器750国产衰减器751延长线952定向天线453全向天线1154八木天线1055串行接口电缆256跳线557铝箱4758中号升降平台159大号升降平台160软包561以太网线262功分器363国产负载1764可调谐光源样机模块2

价格电议KRI 射频离子源 RFICP 系列 上海伯东美国 KRI 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的套装, 套装包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源是制造精密薄膜和表面的有效工具, 有效改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流100 mA350 mA600 mA800 mA1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000射频离子源 RFICP 系列应用:离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures)离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)上海伯东离子源典型应用: 射频离子源 RFICP 325 安装在 1650 mm 蒸镀机中, 实现离子辅助镀膜 IBAD 及预清洁 Pre-clean, 完成 LED-DBR 镀膜生产 右图: 在高倍显微镜下检视脱膜测试, 样品无崩边上海伯东离子源典型应用: 安装在离子蚀刻机中的 KRI 射频离子源, 对应用于半导体后端的6寸晶圆进行刻蚀. 右图: 射频离子源 RFICP 安装于腔内 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 欢迎联络上海伯东叶女士,分机109

高功率射频CO2激光器 功率“永不止息”系列：（350W - 850W）姓名：刘工(Pindy)电话：（微信同号）邮箱：高功率射频CO2激光器产品简介：意大利El.En公司（艾伦集团）自主研发设计生产的功率“永不止息”系列的高功率射频CO2激光器（Blade RF Self-Refilling系列）很特殊。这是一种高效的RF CO2射频激光源，EI.En.独有的射频自充技术可提供激光功率无与伦比的稳定性，使其在长期运营中也能保证工艺参数的绝对一致性，非常适合在塑料，木材，皮革和其他材料上应用。但是，与传统的射频激光源不同，Blade RF Self-Refilling系列几乎“不需要任何工厂维修”。这种不可思议的优势，得益于其手动大小的储气筒，您可以自行填充，每年两次，而且成本非常低。这还不是全部，这款出色的设备可为您节省资源：El.En.提供的Blade RF Self-Refilling系列射频CO2光源在电/光转换方面的效率比竞争对手高25％。Blade RF Self-Refilling系列的射频CO2激光器有多种功率配置，范围从350W到850W，所有配置都具有相同的尺寸，因此非常易于集成。高功率射频CO2激光器主要特性：- 内部储气筒- 半密封操作：无需返厂，自行填充- 高电/光转换效率- 运营成本低- 体积小，易于集成- 集成式安全百叶窗-远程诊断和控制的TCP/IP连接高功率射频CO2激光器的主要应用：- 高性能振镜扫描仪应用- 塑料，木材，皮革切割- 数字转换- 聚丙烯涂层和薄膜切割- 标签吻切高功率射频CO2激光器的主要型号：RF333(P)，RF555，RF777，RF888，RF899高功率射频CO2激光器技术规格：

1200W超高功率射频二氧化碳激光器姓名：田工(Tom)电话：（微信同号）邮箱：超高功率射频二氧化碳激光器产品简介：作为功率“永不止息”系列的CO2射频自充激光器（Blade RF Self-Refilling系列）的终款，BLADE RF1222射频二氧化碳激光器集齐两大优点于一身：超高峰值功率（射频激励技术，高频率调制，结构紧凑）与“免工厂维护”自行更换气体。RF 1222可提供高达2400W的超高峰值功率，可用作焊接的热源，当高功率激光束打到两个待加工部分的边缘时，会使材料熔化，导致两个部分在其毗邻处熔合，并且你还可以处理传统工艺无法处理的区域。该款高功率射频CO2射频激光器的光束质量、机械尺寸、功率范围和相关配件等参数都经过精心设计，让您在汽车和液晶显示器行业的金属和塑料材料上获得卓越的应用效果。超高功率射频二氧化碳激光器典型特征： -额定功率1200W，峰值功率可达2400W -低维护成本&易于集成 -功率稳定&高光束质量 -高电\光转换效率 -集成安全百叶窗 -用于远程诊断和控制的TCP/IP连接 -外置控制界面超高功率射频CO2激光器的主要应用： -高性能远程处理 -塑料、木材、皮革、纺织及钢材切割 -数字转换 -激光清洗 -激光除锈RF1222技术规格：

产品性能低频电源提供600W、1000W功率输出，频率范围350KHz-450KHz。机箱整体采用半机箱结构设计使其体积更小便于安装。设计采用固态设计使产品性价比更高、可靠性更强。应用对象 该电源作为射频驱动等离子体系统的电源，主要应用于半导体领域。应用对象包括：刻蚀、PECVD、PVD等系统

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRi 射频离子源 RFICP 220上海伯东代理美国原装进口 KRi 射频离子源 RFICP 220 高能量栅极离子源, 适用于离子溅镀, 离子沉积和离子蚀刻. 在离子束溅射工艺中, 射频离子源 RFICP 220 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 标准配置下射频离子源 RFICP 220 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 1000 mA.KRI 射频离子源 RFICP 220 技术参数: 阳极电感耦合等离子体2kW & 2 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 1000mA电压范围100-1200V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2, 其他流量5-50 sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准 OptiBeamTM离子束栅极22cm Φ栅极材质钼离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000, MHC 1000高度30 cm直径41 cm锁紧安装法兰10”CFKRI 射频离子源 RFICP 220 基本尺寸KRI 射频离子源 RFICP 220 应用领域：预清洗表面改性辅助镀膜 (光学镀膜) IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE射频离子源 RFICP 220 集成于半导体设备, 实现 8寸芯片蚀刻1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产宽束离子源, 根据设计原理分为考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. KRi 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 和离子束抛光工艺 IBF 等领域, 上海伯东是美国 KRi 考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 射频离子源 RFICP 140上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 140 是一款紧凑的有栅极离子源, 非常适用于离子束溅射沉积, 离子辅助沉积和离子束刻蚀. 在离子束溅射工艺中，射频离子源 RFICP 140 配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现更佳的薄膜特性. 同样的在离子束辅助沉积和离子束刻蚀工艺中, 离子光学元件能够完成发散和聚集离子束的任务. 就标准的型号而言, 可以在离子能量为 100~1200 eV 范围内获得很高的离子密度. 可以输出最大 600 mA 离子流.KRI 射频离子源 RFICP 140 技术参数:阳极电感耦合等离子体1kW & 1.8 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 500mA电压范围100-1200V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2,其他流量5-40sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准OptiBeamTM离子束栅极14cm Φ栅极材质钼, 石墨离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000高度25.1 cm直径24.6 cm锁紧安装法兰12”CFKRI 射频离子源 RFICP 140 应用领域：预清洗表面改性辅助镀膜(光学镀膜)IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

中高功率射频二氧化碳激光器（9.3um）姓名：田工(Tom)电话：（微信同号）邮箱：中高功率射频二氧化碳激光器（9.3um）产品简介： 对于中高功率应用端，El.En.公司的工程师研发了三款高效的射频CO2激光光源——BLADE RF177、177G和303。该系列二氧化碳激光器的功率输出范围为150W-300W，其中RF177G可提供9.3um的激光输出。如果在脉冲模式下工作，RF 303可以提供高达1100W的峰值功率输出!像每一台El.En.的激光器一样，该系列的三款激光器经过精心设计它们的密封技术可确保长时间的功率稳定性和优异的激光束参数，可以让你的设计团队以各种方式快速加工处理塑料、皮革、薄膜、LCD以及PCB等材料。如果你想得到整齐的切割，保持零件之间的均匀性以及轻松创造超乎想象的复杂结构，二氧化碳激光光源将是不错的选择。中高功率射频二氧化碳激光器（9.3um）产品特性：- 集成射频供电源- 高功率密封技术- 高电光转换效率- 结构紧凑&易于集成 - 特别款 RF 177G:150W @ 9.3um - 可提供无外壳版，优化自定义布局中高功率射频二氧化碳激光器（9.3um）主要应用： -个性化包装设计 -耗材切割 -木材雕刻 -大理石清洗，雕刻 -汽车零件钻孔，焊接中高功率射频二氧化碳激光器（9.3um）技术规格：

一、产品简介 激光与原子分子相互作用中，射频（微波）被广泛的使用于超精细能级激发、激光移频、激光锁定、AOM驱动等。这类实验除对微波位相噪声和振幅噪声有极高要求外，还要求微波有程控或触发控制通断、程控或外加信号控制调制以及PID反馈控制等功能。MOGLabs为科学家提供量身定做的敏捷型射频合成器ARF/XRF、四通道射频合成器QRF、AOM驱动器AAD，集成上述功能于一体，并集成功率输出可直接驱动AOM，满足多方面的射频源需求。二、型号参考型号ARF/XRFQRFAAD通道数目241（AADPCB）2（AAD420）最高输出功率+36dBm（421）+16dBm（021）+36dBm（241）+10dBm（041）+36dBm射频源DDS（AD9910）DDS（AD9959）内置可变振荡器或外置震荡源频率范围20 - 400MHz10 - 200MHz70 - 210MHz（内）70 - 350MHz（外）内置参考源20MHz TCXO25MHz TCXONo计算机可控制Ethernet，USBEthernet，USBNo频率控制32-bit（0.23Hz步距）32-bit（0.12Hz步距）10圈电位器振幅控制12-bit10-bit单圈电位器位相控制16-bit14-bit无TTL开关时间40ns40ns 主调制AM/FM/PM，10MHzAM/FM/PM，100kHzAM/FM，500kHz次调制AM/FM/PM，1MHzN/AAM/FM，500kHz内置PIDYesYesNo表格指令间距16ns（XRF）1μs（ARF）10μsN/A数字I/O16路高速I/O无无三、各型号特点及应用1、敏捷型射频合成器ARF/XRF特性l两路独立或同步输出l卓越的模拟调制（AM/FM/PM）带宽：10MHzl用于强度稳定或频率锁定的PID控制l高功率输出：2×4W/ 通道（421型）l宽频谱范围：20 ~ 400MHzl自动执行表格指令，用于复杂序列l16路独立数字信号输出，表格控制l射频输出功率监控及保护l可靠的开路/ 短路保护l数字信号输入控制快速（50ns）射频开/关，以及触发l极低位相噪声l外置时钟输入l三路模拟输出选件l16路数字输入输出（XSMA）l用于噪声抑制及锁频的信号调整（B3121）应用lAOM驱动l噪声抑制及激光频率锁定l金刚石NV量子操控l激光冷却，原子陷俘，光谱lBECl量子光学：压缩场l场致透明与慢光速l时频基准2、四通道射频合成器QRF特性l高功率：通过选件可达2W/ 通道l10 ~ 200MHz宽范围精密调节l每通道独立模拟调制（AM/FM/PM/PID）l表格指令运行模式：顺序产生复杂频率/功率/位相/波形lPID控制，用于强度稳定及漂移补偿l通过网口和USB的简便控制lTTL快速通断控制，40ns延时l牢靠的开路/短路保护应用lAOM驱动l噪声抑制及激光频率锁定l金刚石NV量子操控l激光冷却，原子陷俘，光谱lBECl量子光学：压缩场l场致透明与慢光速l时频基准3、AOM驱动器AAD特性l高功率：可达+36dBm / 通道l70 ~ 200MHz 频率范围l高调制带宽：500kHz（FM、AM）lRF功率输出及监控输出（-22 dBc）lTTL外触发快速通/断控制l十圈频率调节，单圈功率调节l低位相噪声高稳定性VCO如有其它需求，请联系我们。

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRi 射频离子源 RFICP 系列上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频源 RFICP 系列提供完整的系列, 包含离子源本体, 电子供应器, 中和器, 自动控制器等. 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等.射频离子源 RFICP 系列技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流100 mA350 mA600 mA800 mA1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000 射频离子源 RFICP 系列应用:离子辅助镀膜 IBAD ( Ion beam assisted deposition in thermal & e-beam evaporation )离子清洗 PC (In-situ preclean in sputtering & evaporation )表面改性, 激活 SM (Surface modification and activation )离子蚀刻 IBE (Ion beam etching of surface features in any material)离子溅镀 IBSD (Ion beam sputter deposition of single and multilayer structures) 上海伯东美国考夫曼 KRi 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸离子束刻蚀机, 作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请参考以下联络方式上海伯东: 罗女士

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准大口径射频离子源 RFICP 380 上海伯东美国 KRi 大口径射频离子源 RFICP 380, 3层栅极设计, 栅极口径 38cm, 提供离子动能 100-1200eV 宽束离子束, 最大离子束流 1000mA, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用. 广泛 应用于离子束刻蚀机.KRi 射频离子源 RFICP 380 特性1. 放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长. 2kW & 1.8 MHz, 射频自动匹配2. 离子源结构模块化设计3. 离子光学, 自对准技术, 准直光束设计, 自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行4. 全自动控制器5. 离子束动能 100-1200eV 6. 栅极口径 38cm, 满足 300 mm (12英寸)晶圆应用射频离子源 RFICP 380 技术规格:阳极电感耦合等离子体2kW & 1.8 MHz射频自动匹配最大阳极功率1kW最大离子束流 1000mA电压范围100-1500V离子束动能100-1200eV气体Ar, O2, N2,其他流量5-50sccm压力 0.5mTorr离子光学, 自对准OptiBeamTM离子束栅极38cm Φ栅极材质钼离子束流形状平行,聚焦,散射中和器LFN 2000高度38.1 cm直径58.2 cm锁紧安装法兰12”CF射频离子源 RFICP 380 基本尺寸: 上海伯东美国考夫曼 KRI 大口径射频离子源 RFICP 220, RFICP 380 成功应用于 12英寸和 8英寸磁存储器刻蚀机, 8英寸量产型金属刻蚀机中, 实现 8英寸 IC 制造中的 Al, W 刻蚀工艺, 适用于 IC, 微电子,光电子, MEMS 等领域.作为蚀刻机的核心部件, KRI 射频离子源提供大尺寸, 高能量, 低浓度的离子束, 接受客户定制, 单次工艺时间更长, 满足各种材料刻蚀需求!若您需要进一步的了解 KRi 射频离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 射频离子源 RFICP 40上海伯东代理美国原装进口 KRI 射频离子源 RFICP 40 : 目前 KRI 射频离子源 RFICP 系列尺寸最小, 低成本高效离子源. 适用于集成在小型的真空腔体内. 离子源 RFICP 40 设计采用创新的栅极技术用于研发和开发应用. 离子源 RFICP 40 无需电离灯丝设计, 适用于通气气体是活性气体时的工业应用. 标准配置下 RFICP 40 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 120 mA.射频离子源 RFICP 40 特性:1. 离子源放电腔 Discharge Chamber, 无需电离灯丝, 通过射频技术提供高密度离子, 工艺时间更长.2. 离子源结构模块化设计, 使用更简单 基座可调节, 有效优化蚀刻率和均匀性.3. 提供聚焦, 发散, 平行的离子束4. 离子源自动调节技术保障栅极的使用寿命和可重复的工艺运行5. 栅极材质钼和石墨,坚固耐用6. 离子源中和器 Neutralizer, 测量和控制电子发射,确保电荷中性KRI 射频离子源 RFICP 40 技术参数:型号RFICP 40Discharge 阳极RF 射频离子束流100 mA离子动能100-1200 V栅极直径4 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量3-10 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr长度12.7 cm直径13.5 cm中和器LFN 2000KRI 射频离子源 RFICP 40 应用领域： 预清洗 表面改性 辅助镀膜 (光学镀膜 ) IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE 1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请查看官网或咨询叶女士上海伯东版权所有, 翻拷必究！

奥远RFG射频模块1）产品简介：奥远RFG系列射频模块是奥远电源专为质谱仪设计生产的完全自主研发的高性能射频模块。RFG射频模块集合了奥远电源多年技术沉淀，依靠更高效的产品研发理念，模块实现了通过0-5V的可编程电源输入，输出相位为180°的交流信号，以及双AC电压Vpp0-1000V，偏执电压±400V的控制输出。此外，RFG模块还具备了全面的电弧及短路保护功能，极其适用于质谱仪等高端科研仪器。2）产品特性：• 高稳定性 / 低漂移 ；• 偏执电压可至±400V；• 双AC电压输出，Vpp 0-1000V，相位180°；• 具备全面的电弧及短路保护功能3）适用领域：质谱仪电压控制4）使用方式：使用前需预先准备24V电源以及0-5V可编程电源。，使用RFG模块时，将24V正链接PIN7&PIN9【CN1】,PIN4&PIN5&PIN8地，PIN6链接5V正极，PIN2接地 ，即可输出相位为180°的交流信号。————————————————————————————————————————————————————————————————————有关大连奥远电源及其更多产品的信息，请致电 / 进行咨询，或访问网站：大连奥远电源有限公司是大连奥远集团旗下的专门从事集高压电源行业研发、生产、销售于一体的高新技术企业。公司自主研发的高压脉冲电源、高压射频电源和高压直流电源，一直与大连化物所等多家科研机构及行业一流厂商进行业务合作，得到客户的一致好评。公司历时多年所研发出的高压直流电源也已获得质谱仪生产行业厂商的高度评价。大连奥远电源主推高压直流、高压脉冲、高压运算放大器、射频电源，以及相关的OEM定制，着力为客户解决根本问题。当前公司主要推广全系列的质谱仪器电源，以及相关解决方案，致力于以质谱仪电源为原点，慢慢向X光电源，高压运放芯片设计，FIB，EBM等领域进发。凭借多年的技术积累以及研发投入，奥远电源实现了在高压电源领域的突破，产品性能指标比肩行业顶尖厂商水平，并且在价格上极具竞争力，是OEM应用的理想选择。大连奥远电源有限公司地址：辽宁省大连市高新技术产业园区火炬路32号联系电话： / 联系人：谷经理

因产品配置不同, 价格货期需要电议, 图片仅供参考, 一切以实际成交合同为准KRI 射频离子源 RFICP 100上海伯东代理美国原装进口 KRI 考夫曼型离子源 RFICP 100 紧凑设计, 适用于离子溅镀和离子蚀刻. 小尺寸设计但是可以输出 400 mA 离子流. 考夫曼型离子源 RFICP 100 源直径19cm 安装在10”CF 法兰, 在离子溅镀时, 离子源配有离子光学元件, 可以很好的控制离子束去溅射靶材, 实现完美的薄膜特性. 在离子刻蚀工艺中, 离子源与离子光学配合, 蚀刻更均匀. 标准配置下 RFICP 100 离子能量范围 100 至 1200ev, 离子电流可以超过 400 mA.KRI 射频离子源 RFICP 100 技术参数型号RFICP 100Discharge 阳极RF 射频离子束流350 mA离子动能100-1200 V栅极直径10 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射流量5-30 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力 0.5m Torr长度23.5 cm直径19.1 cm中和器LFN 2000KRI 射频离子源 RFICP 100 应用领域 预清洗 表面改性 辅助镀膜(光学镀膜) IBAD,溅镀和蒸发镀膜 PC离子溅射沉积和多层结构 IBSD离子蚀刻 IBE客户案例: 超高真空离子刻蚀机 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系统配置如下美国 KRI 射频离子源 RFICP 100美国 HVA 真空闸阀德国 Pfeiffer 分子泵 HiPace 23001978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域, 上海伯东是美国考夫曼离子源中国总代理.若您需要进一步的了解 KRI 射频离子源, 请联络上海伯东。上海伯东版权所有, 翻拷必究！

奥远HRF系列射频直流电源1）产品简介：奥远电源出品的HRF系列射频直流电源是一款紧凑设计的、低成本的、专为驱动高压放大设计的高性能电源模块。HRF射频电源具有电压调节、电流限制、双路输出等技术特点，可提供最高250μA的负载电流，并配备了远程启动控制支持模块、集成了全面的电弧及短路条件保护功能。HRF射频电源也因其独到的技术设计，尤其适用于高压放大器、静电透镜、导向器以及偏执电源等设备。2）产品特性：—— 高压镜头供电支持—— 双重正、负输出—— 低成本，空气绝缘设计—— 远程启用控制提供—— 具备电弧及短路保护功能—— SMT设计-体积小，重量轻3）典型适用范围高压直流电源 / 高压放大器 / 静电电子透镜 ......4）产品参数• 输入电压： +24Vdc【±1.2Vdc】；• 输入电流： ≤1.2A 最大； • 输出电压： ——输出1（正极性）：+430V固定，准确度±7%；——输出2（负极性）：-430V固定，准确度±7%；（以上精确度指标是指在全温度范围、全输入电压范围和满负载范围内）；• 输出电流： ——输出1（正极性）：最高值为250μA；——输出2（负极性）：最高值为250μA；线性调整率（典型）：——正极性输出：±0.1%；——负极性输出：±1.0%负载调整率（典型）：——正极性输出：±0.1%；——负极性输出：±3.5%输出电流限制:——采用自动恢复短路折返限制。——具备全面的电弧保护，可在5秒内出现 10次电弧。纹波:≤0.1% p-p（全额定输出电压）稳定性:每小时≤0.25%，1小时预热后恒定运行条件。欠压关机:当检测到输入欠压时，电源将关闭。当输入电压恢复到11.8V以上时，激活针脚将重置欠压保护系统。温度系数:≤200ppm/℃环境:温度范围:工作:0˚C至50˚C储存:-35˚C至85˚C——————————————————————————————————————————————————————有关大连奥远电源及其更多产品的信息，请致电 / 进行咨询，或访问网站： 大连奥远电源有限公司是大连奥远集团旗下的专门从事集高压电源行业研发、生产、销售于一体的高新技术企业。公司自主研发的高压脉冲电源、高压射频电源和高压直流电源，一直与大连化物所等多家科研机构及行业一流厂商进行业务合作，得到客户的一致好评。公司历时多年所研发出的高压直流电源也已获得质谱仪生产行业厂商的高度评价。大连奥远电源主推高压直流、高压脉冲、高压运算放大器、射频电源，以及相关的OEM定制，着力为客户解决根本问题。当前公司主要推广全系列的质谱仪器电源，以及相关解决方案，致力于以质谱仪电源为原点，慢慢向X光电源，高压运放芯片设计，FIB，EBM等领域进发。凭借多年的技术积累以及研发投入，奥远电源实现了在高压电源领域的突破，产品性能指标比肩行业顶尖厂商水平，并且在价格上极具竞争力，是OEM应用的理想选择。 大连奥远电源有限公司地址：辽宁省大连市高新技术产业园区火炬路32号联系电话： / 联系人：谷经理

RF 3000射频(RF)发生器用于软组织的热凝固，其电极经美国FDA批准。发生器向电极输送高达200瓦的隔离射频输出。在恒定的RF电压下，在25ω至100ω的阻抗范围内可获得全功率；在此范围之外，可以使用更低的功率。功率可以手动调节；但是，负载阻抗的变化会改变实际输送的功率(这是一个安全特性，在“无源功率限制”中有更详细的描述)。打开电源时，会显示实际传输的射频功率和阻抗。操作和维修手册仅作为指导性指南。 LeVeen针电极系列预期用途/使用适应症LeVeen针电极系列旨在与RF 3000治疗仪配合使用，用于软组织热凝固坏死，包括部分或完全消融不可切除的肝脏病变。这些程序只能由熟悉相关设备和技术的医生和工作人员执行。Soloist单针电极预期用途/使用适应症Soloist单针电极旨在与RF 3000治疗仪配合使用，用于软组织的热凝固坏死，包括部分或完全消融不可切除的肝脏病变。

设备带以太网接口，可选以太网TS-TT7000在生产验证环境和其他自动化测试设置中非常有用，它为任何项目带来了巨大的价值。分数N合成信号产生范围为300MHz至9600MHz，相位噪声低，输出功率可调。射频功率计的功能范围为-45至+5 dBm，频率范围为100MHz至7GHz。TS-TT7000不仅由USB供电，并由标准SCPI命令控制，而且还提供独立的用户界面和显示器。TS-TT7000规格：功率计频率范围： 50MHz - 8GHz功率计典型动态范围：50dB （-45dBm 至 +5dBm）功率测量速度：25mS分钟（40Hz）功率计分辨率： 0.05dB功率计精度：±1.0dB典型频率计数器范围： 100MHz - 7GHz频率计数器灵敏度： -25dBm典型频率计数器分辨率： 1KHz频率计数器精度：±3KHz频率计数器速度： 0.1 - 1.0秒信号发生器范围： 300 - 9600MHz信号发生器频带：300-4800、4800-9600MHz带 1 功率级别： -0.25dB 步数中的 -15 到 +15dBm波段 2 功率级别： +12dBm典型信号发生器步数尺寸：10Hz内部参考稳定性：±280 PPBTS-TT7000功能：OLED 前显示屏前控制按钮 = 状态 LEDUSB 供电和虚拟 COM 端口 SCPI 控制全铝黑色紧凑型外壳内部精度参考频率使用内部射频频率计数器自动功率计校准可调功率输出（波段 14.8GHz）高级 18GHz 微波 SMA 千斤顶低信号发生器相噪USB 电压监视器更多型号可选：型号频率范围功率动态范围功率计精度频率计数器范围频率计数器精度信号发生器范围信号发生器功率范围USB控制TT700050MHz – 8GHz50dB （-45dBm至+ 5dBm）±1.0dB（典型值）100MHz – 7GHz±3KHz300 – 9600MHz-15至+ 15dBm（以0.25dB为步长）标配

过滤型射频电子水处理器工作原理 过滤型射频电子水处理器是为了解决电子式水处理器与自动排污过滤器功能上的局限性，将二者有机的结合在一起的水处理设备。主要由控制电路、不锈钢滤筒、水流导向阀、排污装置所构成。当水体吸收高频电磁能量后，在不改变原有化学成分的情况下，使腐蚀、结垢、菌藻滋生问题加以综合和分别解决。由于排污过滤器的功能又具备了一定精度的过滤作用，成为一种简便经济的物理法水处理设备。过滤型射频电子水处理器技术指标 1． 输入电源：220V50Hz2． 适应水质：总硬度≤700mg/L（以CaCO3计）水温：≤95℃公称压力：1.0MPa、1.6MPa流速：≤2.8m/s3．使用性能：阻垢率≥95% 杀菌率≥95% 灭藻率≥95%4．有效期：水经处理后保持的有效时间为2小时，半衰期为1小时5.过滤精度：1000-3000μm 过滤型射频电子水处理器产品特点1． 技术先进：共鸣场电子水处理技术即高频电磁场水处理技术，国内首创，代表电子水处理技术新潮流；2． 适应性强：能适应不同的水质，且适应水质的硬度可达700mg/L（以CaCO3计）；3． 机内采用屏蔽技术可提高工作效率30%以上；4． 采用高屏输出端直接插入电极内部，减少功率损耗并使维修更方便；5． 电极材料采用特殊合金材料，寿命长达20年；6． 变压器采用目前国际特制R型变压器,具有磁干扰小,空载电流极低,适应温度、湿度能力均大大优于普通变压器,关键元期间进口；7． 指示灯的设计根据电极释放能量是否充分达到设计标准衡量指示灯的亮与灭；8． 加装排污口，解决用户排污困难；过滤型射频电子水处理器产品适用范围●工业冷却循环水系统 ●空调系统●热交换系统、热采暖系统 ●生产和生活用水供应系统过滤型射频电子水处理器产品参数型号出入口径ABCDE重量功率流量排污口inchmmKgWT/HCLDC-3P38036039379017038048505025CLDC-4P410036039379017038058508040CLDC-5P5125360393950220470668012540CLDC-6P61503864581125270530828018050CLDC-8P8200415458123028058011510032050CLDC-10P10250438488134028064013817549050CLDC-12P12300463488160030080018422571065CLDC-14P14350489488173037088022225097065CLDC-16P164005155701890380980334350140065CLDC-18P1845051566321204001080387425159080 注：1、过滤型射频电子水处理器过滤精度为2mm，若客户有特殊精度，请在定货时特别说明，以便特殊定制。2、安装时水流方向应与设备方向标志一致，不可装反。在立管上安装时，水流应自上而下。3、过滤型射频电子水处理器设置有反冲控制阀，只需在排污口安装排污阀及排污管，无需再接旁通，可实现不停机反冲排污。。

德思特DS多功能RF仪器 射频发生器、功率计和计数器TS-PM9000宽频RMS射频功率计TS-PM9000L射频功率计为用户提供了一种简单而可靠的方法来测10MHz-9GHz宽频率范围内任何调制的信号功率。 动态范围随频率而变化，通常在 9GHz时35dB，2GHz时为60dB。 当频率校准有效时，精度通常为+/- 1.0dB，从0dB到-30dBm。频率校准可以通过前面板或控制软件轻松设置。特点：● 明亮的正面OLED显示屏● 不需要电脑主机● USB虚拟串行COM端口接口● 高分辨率专用ADC（16位）● 免费的Windows控制软件● 可选的以太网端口● 频率校准系数按钮● 紧凑的尺寸：2.75英寸×1.25英寸×2.15英寸（是否可以改成厘米）7.9*3.18*5.5cm● 由标准USB端口供电● 高级微波SMA射频输入插孔● 手动频率校准系数参数：● RMS表带宽：10 - 9000MHz● 功率输入范围：-55dBm至+5dBm● 射频表分辨率：0.01dB● 动态范围@1GHz：60dB● 动态范围@7GHz：40dB● 相对精度：±0.25dB 典型值● 绝对精度：±1.0dB（典型值● 读取更新速度：25mS (40Hz)● 输入阻抗：50欧姆● 射频端口回波损耗： 12dB● 工作温度：-30C至+60C

射频辐射抗扰度测试系统6000R：包含射频信号源3010/3030及其它品牌射频信号源、功率放大器5225/5228/5294/5295、功率计6630、发射天线STLP 9128ES/STLP 9149、自动化测试软件PIMS，可以实现3米距离的10V/m、20V/m、30V/m已调波的照射以及1米距离的200V/m照射。6000R采用了去中心化的分体式硬件架构设计理念，将测试系统的硬件优化配置与不断变化的测试需求相适应。整套系统根据试验限值的不同，能够兼容不同品牌的射频信号源与功率计。还可以根据试验信号的频率范围与调制方式，兼容多种品牌的射频信号源（例如德国R&S的SMB100、意大利PMM的3030）。由于6000R选择的硬件设备均为能独立工作能力的台式仪器或便携式设备，因此，该系统不仅拥有上述的系统兼容性能，而且硬件设备均单独工作或融合到其他系统中使用。6000R系统中的程控仪器（信号源、功率计）与测试软件均源于PMM，因此，测试软件的各个版本可以与同厂制造的仪器仪表保持高度的匹配性。6000R系统采用的测试软件依据EMC抗扰度试验原理而设计，允许使用人员灵活选择试验方式、试验频率范围及步进、施加频点驻留时间以及敏感频点时期的EUT行为监测记录。

射频穿刺针也叫射频套管针、射频热凝套管针、射频热凝电极套管针。 射频穿刺针是一次性无菌产品。 射频穿刺针与北琪射频热凝电极完美结合，实现温度的准确控制，锋利的针尖带给患者极小的穿刺痛感，射频热凝套管针裸露端与绝缘层之间零厚度过渡带给穿刺带来的润滑感和准确的手感，令穿刺更加快畅准确，减小病人的不适感，提高手术的准确性和安全性。众所周知，作用是对事物产生的影响、效果等，射频穿刺针作用为治疗效果，该技术对治疗起到了其他方面的影响，因此对于作用的了解，能为医疗机构选择设备减少阻力。射频穿刺针治疗中具有微创、损伤小等特点，治疗效果明显，安全，高温度能达到95℃，细针穿刺，风险更低。作用：可高选择的毁损痛觉神经传达通路，阻断神经神经信号向上位神经传导，快速抑制疼痛。为了能够减少病人治疗的痛苦，射频穿刺针在设计制作时在各部件做好了合理的设计，并有不同的作用，接下来就一起看看吧！1、人体工学设计 ——- 操作简洁；2、高灵敏温度测量 ——- 准确消融；3、套管有高绝缘、隔热层 --- 保护操作者；4、套管锋利 ——- 准确穿刺；5、电极是高强度形状记忆材料 --- 组织内电极形状固定；6、电极有纳米涂层 ——- 不粘连组织。

太赫兹探测器/微波射频热声探测器(RF Thermoacoustic Microwave and Millimeter Detector)品牌： Tydex型号： TAD-ATydex的热声探测器 TAD-1 被专门设计用来测量微波频段的脉冲电磁波，可测量脉冲宽度1-500ns，响应的波谱范围为3-300GHz。当微波脉冲激发探测器内部层结构时，会产生声波信号。探测器TAD-1可以被用来测量以下微波辐射源： √ 初级回旋谐振振荡管 √ 二次和三次回旋谐波的大尺寸回旋振动管 √ 毫米波段的表面波相对产生器 √ 脉冲式磁控管产生器 √ 相对返波管振荡器 √ 毫米波段的调速管 √ 其它光源 此探测器能将大功率的射频电磁波脉冲精确地以相同的形状轮廓转换为声波信号。因此根据示波器的响应，可以计算出脉冲能量的时间依赖关系，并由此描绘出输入脉冲时间依赖的能量相对值形貌。性能参数：参数数值探测器窗口尺寸，mm20.0可测量的脉冲宽度范围，ns1-500可测量的频率范围，GHz3-300脉冲重复频率，kHz最高可测5Hz微波脉冲峰值输出，MW1-500推荐的微波功率通量密度，W/cm250—1×104操作温度，℃5—45存储温度，℃0—60空气湿度，%5—85整体尺寸（L×W×H），mm105.0×60.0×60.0重量，Kg0.35微波射频热声探测器?

可调；电压输出时间：10s-可调：漏电流：1mA--‐10mA 可我公司射频电源系列中按照 GJB681A调。－2002 研制开发的射频电缆耐压测试仪， l参数设置。可通过触摸屏幕或外能够输出电压 1.5KV 、频率 5MHz －接鼠标直接完成各种参数的设7.5MHz 的射频高压信号，满足军品射频置：起始频率、终止频率、起始电缆高频信号下耐压试验。电压、漏电电流、阶段升压和计高频高压测试仪由前级信号源、功率 时等参数；放大器、以及显示部分、控制部分等组成，产品运用：仪器在 5MHz~7.5MHz 频段内输出近似电压正弦波电压有效值 1500Vuu射频连接器生产厂家uu第三方检测机构产品特点：uu军工整机生产厂家 序号项目指标单位备注电性能部分1输入电压AC220±10%V电性能部分1输出波形正弦波2输出电压1500V3频率范围5-7.5MHz4电压分辨率50V5电流分辨率1mA6≤5%@1000V-1500VV电压测量精度7≤10%@100-1000VV8频率调节分辨率≤100Hz10频率不稳定度≤0.05%Hz9漏电检测电流1-10mA11运 行 时 间5@额定容量min12噪 声≤50dB环境条件1工作温度-20～＋50°C2存储温度-40～＋85°C3工作相对湿度≤90%尺寸及重量1尺寸19”8U2重量≤10Kg

4大特点无创无痛、体感舒适治疗全程体感温热、舒适无创、无电刺激感、无禁欲期全盆底覆盖、整体康复多模块治疗模式，治疗范围更深、更广可实现从外阴、阴道壁、盆底肌肉、筋膜韧带到全盆腔的整体治疗单极射频、双极射频两种能量模式智能切换，触屏一体，操作简易事实监测治疗温度，智能调节输出功率，让治疗安全、高效AI温控、阻抗匹配单双联合、智能切换

WSPS-2450-6kW固态微波功率源是专业应用于ISM领域的固态微波能量设备，可提供高达6KW的连续波或脉冲功率。 输出功率50-6000W的调节输出相位0-360度的调节 脉冲模式下占空比可调节 PLL锁相技术，频率稳定度高 功率放大器内置环形器和负载，适应多种驻波比的负载 拥有完善的保护电路，保证功率源的可靠运行6Kw固态微波源详细参数请参见

高频 高电位电压测试仪 产品特点l适用于《GJB681A--‐2002 射频同轴连接器通用规范》测试要求； l大屏幕触摸液晶彩屏显示,操作简单、数据显示直观 l可同时显示测试电压、试验频率、漏电电流、测试时间，电压曲线等；l参数可调。频率：5MHz--‐7.5MHz产品简介：可调；电压输出时间：10s--‐5min高频高电位测试仪可调：漏电流：1mA--‐10mA 可是我公司射频电源系列中按照 GJB681A调。－2002 研制开发的射频电缆耐压测试仪， l参数设置。可通过触摸屏幕或外能够输出电压 1.5KV 、频率 5MHz －接鼠标直接完成各种参数的设7.5MHz 的射频高压信号，满足军品射频置：起始频率、终止频率、起始电缆高频信号下耐压试验。电压、漏电电流、阶段升压和计高频高压测试仪由前级信号源、功率 时等参数；电压正弦波电压有效值 1500Vuu射频连接器生产厂家uu第三方检测机构产品特点： uu 军工整机生产厂家放大器、以及显示部分、控制部分等组成，产品运用：仪器在 5MHz~7.5MHz 频段内输出近似YT--‐RF--‐057515PS Specification 序号项目指标单位备注输入部分1输入电压AC220±10%V电性能部分1输出波形正弦波2输出电压1500V3频率范围5-7.5MHz4电压分辨率50V5电流分辨率1mA6≤5%@1000V-1500VV电压测量精度7≤10%@100-1000VV8频率调节分辨率≤100Hz10频率不稳定度≤0.05%Hz9漏电检测电流1-10mA11运 行 时 间5@额定容量min12噪 声≤50dB环境条件1工作温度-20～＋50°C2存储温度-40～＋85°C3工作相对湿度≤90%尺寸及重量1尺寸19”8U2重量≤10Kg 西安思嘉电子科技有限公司地址:西安市高新区前进大厦7层电话：86-029-68859788 传真：86-029-88764149 E-mail:

DC-9GHz射频近场探头完美对接任何厂家的频谱仪和接收机测量EMF&RF的近场探头产品交付清单：l 50mm 磁场探头 1个l 25mm 磁场探头 1个l 12mm 磁场探头 1个l 6mm 磁场探头 1个l 电场探头 1个l 有源前置放大器 (only PBS2)l 1m SMB-to-SMA射频线缆l 枪式握把和三脚架l 带有填充物的包装箱l 详细的操作手册l 外部电源适配器和CD光盘l 可应用iPhone & iPad的电源适配器产品说明PBS1 & PBS2 探头l 频率范围：DC-9GHzl 前置放大器噪声(PBS2): 3.5dB typicall 前置放大器增益(PBS2): "linear" falloff. 1MHz: 40dB 3GHz: 37.5dB 6GHz: 35dBl 封装尺寸 (L/W/D): (300x190x70) mml PBS1 重量(case incl. probes): 1200grl PBS2重量 (case incl. probes and pre-amplifier): 1500grl 质保：2年电场探头的等向性l 传感器尺寸：3mml 最大谐振频率：9GHzl 连接阻抗：50 Ohms SMB socket (m)l 质保：2年50mm磁场探头l 传感器尺寸：50mml 最大谐振频率：700MHzl 连接阻抗：50 Ohms SMB socket (m)l 质保：2年25mm磁场探头l 传感器尺寸：25mml 最大谐振频率：500MHzl 连接阻抗：50 Ohms SMB socket (m)l 质保：2年12mm磁场探头l 传感器尺寸：12mml 最大谐振频率：2600MHzl 连接阻抗：50 Ohms SMB socket (m)l 质保：2年 6mm磁场探头l 传感器尺寸：6mml 最大谐振频率：＞6000MHzl 连接阻抗：50 Ohms SMB socket (m)l 质保：2年交付的产品包括5个探头，如果是PBS2还增加了一个前置放大器和电源适配器。 每一个产品都包含详尽的操作手册， 一条1米长的 SMB-to-SMA 射频线和一个枪式握把和微型三脚架。详细说明：EMC近场探头可以设置电子元器件组的干扰源的直接精确测量和误差测量，也可以执行和检测通用的EMC测量。我们的射频近场探头特别适合下列情况：l 干扰源的精确定位l 干扰源的场强值估计l 屏蔽和过滤的验证测量l 问题组件的识别l 对干扰过于敏感的电路检测这组探头共有5个： 4 磁场探头和一个电场探头。 所有的探头都包有绝缘层，所以可以安全的测量振荡电路和电源线路。l PBS2探头外加高性能的前置放大器，允许的测量明显较弱的干扰源，有助于仪器的灵敏度提高40 dB。l 所有探测器刻意被做成无源器件，让他们适合于设备的传输。因此，组件和电路对敏感干扰源很容易被查明。l 可以完美的发现干扰源，例如： EN55011, EN55022 or EN50371 (Class A or Class B)的查找。实施适当的电路的变化后,他们的效率就能轻松、可靠地得到证实。这样，昂贵和耗时的测量可以重新评估，在EMC实验室可以跳过。l 验证标准EMC 限值：例如：一个标准定义的EMC 限值10dB，我们的探头应用一定的方法可以很容易的验证如果电路的一致性。另一种情况是可以消除我们在实验室做EMC测量时所需的昂贵的设备和大量的时间。l 非常有用的集成(1/4”)三脚架连接器，每一个探头都可以连接在三脚架上。l 这组射频探头可以连接到任何频谱分析仪和示波器。我们提供SMA-to-N连接适配器(可选)。 每个探测提供了SMB快速连接可以快速连接转换电缆接头每个探头底部有三脚架连接孔，可以舒适的固定微型三脚架

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

射频感应耦合 等离子源 电离层环境模拟器| 介绍低温氩气源（LTA）是一种紧凑的一种等离子设备，设计用于在发射之前进行空间等离子体物理研究或对空间硬件进行测试。它可以人为地模拟较高的电离层条件，这意味着它可以以非常低的电子温度（0.5 eV），低离子能量（比等离子推进器低两个数量级）和相对较高的电子密度产生等离子流。 （?10 11 m -3）。该流的速度也与在轨道上遇到的离子流（?8 km / s）相似。| 应用电离层模拟研究ThrustMe的离子源和等离子体诊断工具可帮助研究人员在地面上进行电离层研究。LTA可以模拟类似于高层大气中的粒子环境，从而为研究人员提供了进行实验的机会，而这种实验对于使用ThrustMe的等离子体诊断技术发送到太空或校准自己的探头和传感器而言过于昂贵。测试您的太空硬件再现高空电离环境可以使卫星集成商和子系统制造商在发射前测试其太空硬件。在系统级别，ThrustMe的LTA可用于研究卫星的充电并预测飞行过程中可能出现的任何问题。在子系统级别，在地面上重现电离层可以为天线制造商提供机会来研究其天线在不同高度或不同太阳活动水平下的信号传播。太空环境测量ThrustMe的MD-1探针是前所未有的小.绝.对电子密度探针。它很小的3x50mm尺寸几乎可以安装在任何小型卫星上。将此探针用于高层大气和太空天气研究目的。