压电晶体器件衬底超精密清洗的研究
实验一:清洗温度对晶片清洗后接触角的影响 实验步骤:晶片表面接触角大小是衡量晶片表面洁净程度的重要参考标准,晶片表面接触角小于10°时,则认为清洗合格。在晶片清洗的过程中,温度不仅直接影响油污和清洗剂性质,而且在超声清洗工艺中与空化强度有密切关系。因此,在清洗工艺中温度对晶片清洗效果有重要的影响。为了确定AFT101在AU清洗工艺中很好的清洗温度,降低能耗节约成本,本文针对AU工艺考查了AFT101不同温度参数对清洗后晶片平均表面接触角的影响。其中工艺温度分别为30°、40°、50°,60°和70°,时间为5min,浓度为5%,频率为40kHz,测试结果如图4.4所示。