激光刻蚀机

上海屹持光电技术有限公司专业提供各种微纳结构加工服务典型案例： FIB加工微纳结构 紫外光刻微纳结构 单晶硅反应离子刻蚀图片 ICP 刻蚀微纳结构 纳米压印点线图微流控细胞打印 EBL 刻写微纳阵列 FIB 用于器件电极沉积 激光直写图案激光直写器件微纳结构加工主要设备 1，电子束曝光系统；2，聚焦离子束/ 扫描电子显微镜双束系统；3，双面对准接触式紫外光刻机；4， 单面对准紫外光刻机；5，金属高密度等离子体刻蚀机；6，硅刻蚀高密度等离子体刻蚀机； 7，反应等离子体刻蚀机；8，纳米压印机。

上海屹持光电技术有限公司专业提供各种微纳结构加工服务典型案例： FIB加工微纳结构 紫外光刻微纳结构单晶硅反应离子刻蚀图片 ICP 刻蚀微纳结构 纳米压印点线图微流控细胞打印 EBL 刻写微纳阵列 FIB 用于器件电极沉积 激光直写图案激光直写器件微纳结构加工主要设备1，电子束曝光系统；2，聚焦离子束/ 扫描电子显微镜双束系统；3，双面对准接触式紫外光刻机；4， 单面对准紫外光刻机；5，金属高密度等离子体刻蚀机；6，硅刻蚀高密度等离子体刻蚀机；7，反应等离子体刻蚀机；8，纳米压印机。

光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。广泛应用于集成电路(IC)，封装(Packaging)，微机电系统(MEMS)，光电子器件光子器件(Optoelectronics/Photonics)，平板显示器(LED,LCD,OLED)，太阳能光伏(Solar PV)等领域。 德国ALLRESIST公司是从事光刻用电子化学品研发、生产和销售的专业公司，有丰富的经验和悠久的传统。可以为您提供各种标准工艺所用的紫外光刻胶，电子束光刻胶（抗蚀剂）以及相关工艺中所需要的配套试剂。 北京汇德信科技有限公司作为德国ALLRESIST的国内独家代理经销商，为国内用户提供高品质的光刻胶以及配套服务。 产品类型： 1.紫外光刻胶（Photoresist） 各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。 各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。 各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist） 电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。 电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。 3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample） 电子束曝光导电胶，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。 4. 配套试剂（Process chemicals） 显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等）2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。3. 交货时间短。我们每个月20号左右都会向德国厂商下订单，产品将于第二个月中旬到货，您可以根据实际情况，合理安排采购时间。具体的订购情况，请联系我们的销售人员。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力5. 储存条件：密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

超快非晶硅激光刻膜机配件是特别为太阳能产业光伏工业而设计的整套晶圆激光加工系统。可用于光伏电池激光加工,去除氮化硅膜氮化硅膜蚀刻,晶圆边缘隔离，有可以当作激光刻膜机,激光划片机使用。 提供如下四合一服务：SiNx/SiO2去除,去除二氧化硅,去除氮化硅 边缘隔离晶圆 背接触激光烧结和激光刻槽 激光打标 其中紫外飞秒激光用于SiNx/SiO2的选择性烧蚀或切除(氮化硅膜蚀刻),配备的紫外飞秒激光可以非常精密地剥蚀SiNx(去除氮化硅膜),同时在Si层的直接或热效应降低到最低，从而增加载流子寿命（少子寿命）,避免微裂纹。而配备的1064nm的纳秒激光工作非常稳定而快速，将用于晶片的快速激光边缘隔离，激光打标和激光烧结。 非晶硅激光刻膜机配备自动处理和扫描系统，支持5’’和6’’直径的硅晶片加工。同时配备机械视觉系统以随时调节激光束扫描,保持高度重复性和可靠性。配1级激光安装防护装置和灰尘消除系统，营造无尘加工环境，以保证飞秒激光的精密烧蚀和热效应影响的最小化。 非晶硅激光刻膜机配件特色 配备的激光器处理能力高达800个晶片/小时或350000px/s 加工量为425个晶片/小时,优化后可用于2.5MW/a产品的生产线 适用5' ’和6' ' 硅晶片 紫外飞秒激光和红外纳秒激光光源 机械视图系统可调节激光扫描场 精密激光光束定位 激光划线激光剥蚀激光熔化 为用户提供了无银敷金属技术生产太阳能电池 成功地装配到生产能力高达2.5MWp/a的生产线上。 使用飞秒激光对晶圆wafer的发射端进行介电层（SiNx)的选择性移除。SiNx厚度为50-90nm,覆盖发射端，必须精确移除而不伤害发射层。一种应用是消蚀SiNx层的同时，也产生bus bars和fingers开口，下一步,这些开口将被镍覆盖，这样就形成了高质量的前接触。它使用振镜扫描器控制激光束切割发射端，独具的机械视图功能能够探测晶圆位置。

秒激光直写光刻系统配件是专业为微纳结构的激光蚀刻而设计的激光直写光刻机，基于多光子聚合技术，适合市场上的各种光刻胶，能够以纳米精度和分辨率微纳加工各种三维结构。秒激光直写光刻系统配件特点激光光刻机3D模型制备直写光刻机直接激光刻划 激光光刻机整套系统到货即可使用激光光刻机提供100nm-10um的分辨率直写光刻机超小尺寸 激光光刻机3D模型的制备 这套三维光刻机由激光微加工系统软件控制，简单的3D模型通过这种软件即可生成，对于比较复杂的3D模型，用户可以通过Autodesk, AutoCAD等软件制作，然后导入到三维光刻机的软件中，这个软件支持.stl, dxf等格式的文件用于3D结构的制造。 激光光刻机激光直接读写 这套激光光刻机由飞秒激光光源，精密的3轴定位台和扫描镜组成。首先，待刻录的图形通过激光光刻机精密的激光聚焦系统直接从CAD设计中导入到光刻胶上。聚合物的双光子或多光子吸收用于形成高质量表面的3D结构。100nm的尺寸可自形成结构，200nm-10um尺寸的结构可以控制并重复，这套激光蚀刻机提供纳米尺度分辨率和对聚合物的广泛选择，从而可以适合微纳光学,微流体,MEMS,功能表面制作等各种应用. 与CAD设计等同的3D结构形成后，未固化的光刻胶剩余物由有机溶剂洗掉,这样只留下蚀刻的微纳结构呈现在基板上。 激光光刻机后续工序： 在所需的微纳结构形成后，它被浸入到几种不同的溶剂中，以除去蚀刻过程中留下的液态聚合物。激光光刻机全部过程都是自动化的，重要参数可以根据要求而设定：浸入时间,温度等.对于特殊的样品或加工对象，可以使用紫外光或干燥机处理。秒激光直写光刻系统配件应用 ?激光光刻机用于纳米光子器件（三维光子晶体） ? 三维光刻机用于微流控芯片 ? 三维光刻机用于微光学（光学端面微结构制作） ? 激光光刻机制作机微机械 ?激光蚀刻机制作微型光机电系统 ? 激光光刻机,三维光刻机用于生物医学

微流控芯片光刻机系统配件专业为微流控芯片制作而设计，用于刻画制作微结构表面。微流控芯片光刻机采用多功能一体化设计理念，一台光刻机具有六个传统单一的表面刻划机器的功能，而且不需要无尘环境，用户安装使用不再需要单独建设超净间，从而大大提高用户的使用经济性和方便性。 微流控芯片光刻机全自动化和可编程操作，适合几乎所有常用材料，可以根据用户的芯片衬底基片尺寸，形状和厚度进行调节。微流控芯片光刻机是一种无掩模光刻系统，具有两个易操作的软件，用户可以创建个人微结构图案，从单个微通道到复杂的微观结构都可以创建。微流控芯片光刻机具有技术突破性设计和灵活性优势，非常适合加工微纳结构用于MEMS，BioMEMS，微流控系统，传感器，光学元件，MicroPatterning微图案化，实验室单芯片，CMOS传感器和所有其他需要微结构的应用。这款无掩模光刻系统可以快速而轻松地做出许多种微图案结构，从最简单到非常复杂的都可以。它的写入磁头装备有一个激光二极管（波长405纳米- 50毫瓦），光学扫描器和F-θ透镜（405纳米）。激光束根据设定微结构图案而运动。为了方便使用，较好的再现性和较高的质量，焦距是可以根据基片厚度进行调节的。图像采集期间可以使用控制面板调节焦距。几个基片厚度都可以使用。编程参数被保存以供以后使用，修改或其他用户使用。 编号 名称 MSUP 基于无掩模光刻系统和湿法刻蚀技术的微结构化表面的单位生产。

无掩模光刻机配件具有无掩模技术的便利，大大提高影印和新产品研发的效率，节省时间，是全球领先的无掩模光刻系统。无掩模光刻机配件特色尺寸：925x925x1600mm直接用375nm或405nm紫外激光把图形写到光胶衬底上内置计算机控制接口激光光源：375nm或405nm视频辅助定位系统自动聚焦设置无掩模光刻机配件参数线性写取速度：500mm/s重复精度： 100nm晶圆写取面积：1—6英寸衬底厚度：250微米-10毫米激光点大小：1-100微米准直精度：500nm

特点：• 用于掩膜板制作、精细结构加工、激光干涉曝光等• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm)、g-line(436nm)• 可得到非常薄且均匀的膜• 高灵敏度、高分辨率• 良好的粘附能力，可用于耐干法和湿法刻蚀工艺 旋涂曲线：应用实例： 欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于增强光刻胶和衬底的黏附性• 用于紫外光刻胶、电子束光刻胶、特殊功能用光刻胶等• 采用旋涂的方式进行涂覆，操作简单• 涂覆厚度：15nm@ 4000rpm• 和传统的HMDS相比，毒性更小，使用更安全，更经济实惠• new版本与旧版AR 300-80相比,烘烤温度降低 （60℃ 热板 2min）

HSQ (Hydrogen Silsesquioxane Polymers) 是⼀ 种半导体级纯度的氢倍半硅氧烷聚合物。作为半导体⾏ 业的⼀ 种重要材料应⽤ 于超⾼ 分辨EUV光刻、电⼦ 束光刻，以及作为旋涂玻璃层（SOG）应⽤ 于半导体⾏ 芯⽚ 表⾯ 平坦化层和介电层以及中间层等。为了满⾜ 各位⽼ 师对⾼ 品质电⼦ 束光刻胶的需求，汇德信与加拿⼤ AQ Materials建⽴ 深度合作关系，旨在为各位⽼ 师提供灵活且易于存储的H-SiOx（HSQ）超⾼ 分辨率电⼦ 束负胶产品。AQM开发了⼀ 种⽅ 便且通⽤ 的⽅ 法来合成电⼦ 级倍半硅氧烷基（由硅和氧核，H-SiOx组成）树脂。这类聚合物/树脂是⼀ 款超⾼ 分辨率的电⼦ 束负胶⽤ 于纳⽶ 电⼦ 器件制造过程。我们的H-SiOx聚合物具有最佳的分⼦ 量，可以在普通有机溶剂（例如甲苯和甲基异丁基酮）中制成均匀的溶液，获得⾼ 质量薄膜。可以获得具有⼩ 于10 nm半周期（视光刻胶厚度）的密集图案。 图1 H-SiOx粉末，便于存储产品特点： 图2 H-SiOx制成的菲涅⽿ 波带⽚ ①成膜性好高分辨率（10 nm特征尺寸）优异的线条边缘粗糙度良好的耐干蚀刻性能粉末形式可灵活配制不同厚度在20°C下具有非常长的保存周期（粉末形式）H-SiOx具有与经典HSQ相同的超⾼ 分辨率和优异的耐⼲ 法刻蚀能⼒ 。但相⽐ 于经典HSQ产品以粉末形式存储，保质期更⻓ ，可根据应⽤ 灵活配置浓度获得不同胶厚的薄膜。可使⽤ 通⽤ TMAH显影液或者盐显影液进⾏ 显影⼯ 艺，分别可获得⾼ 灵敏度（对⽐ 度约为4.8）或低灵敏度⾼ 对⽐ 度（约为8.7）的结果②，可满⾜ 不同应⽤ 场景的需求。为了更好的服务⼴ ⼤ 客户，我们针对H-SiOx产品采取粉末形式交货，延⻓ 产品的使⽤ 寿命，客户可根据⾃ ⼰ 的实际膜厚需求配置，为⽅ 便⼤ 家使⽤ ，我们免费赠送MOS级MIBK溶剂，以及过滤器，⽅ 便客户使⽤ ！ 关于H-SiOx超⾼ 分辨率电⼦ 束负胶产品，如果您有任何问题或者需要产品资料，请随时联系我们！参考文献：① Application of HSQ electron beam resist for silicon photonic applications, courtesy of Applied Nanotools Inc.② https://doi.org/10.1116/1.5079657

特点：• 耐高温紫外正胶• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm)、g-line(436nm)• 具有非常好的耐刻蚀稳定性，热稳定性高达300℃• 应用于高温双层剥离结构以及等离子体刻蚀和离子注入应用 • 溶剂为PGMEA旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于耐刻蚀工艺、电镀、LIGA、MEMS等• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm) g-line(436nm)、 e-beam、X-ray、synchrotron• 涂胶厚度从几微米到上百微米不等• 覆盖能力强，分辨率高，图形边缘结构陡直• 化学放大胶，具有非常高的灵敏度• 可得到undercut结构，用于lift-off工艺• 可替代SU8胶 旋涂曲线： 应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

Made in UK, 英国EM Resist Ltd出品的光刻胶（1%-17% PMMA、SML系列电子束曝光阻剂），PMMA是常用的普通正阻剂；SML系列阻剂是高分辨率高深宽比的正阻剂。高档的SML正阻剂特点：无需邻近效应校正，低加速电压下也能使用，可提高EBL设备能力并制作出传统PMMA做不出来的新颖微纳器件，特别适合科研应用；有SML50、SML100、SML300、SML600、SML1000、SML2000等系列型号（数字表示光刻胶涂布厚度）。[资料]PMMA (Polymethyl – Methacrylate；聚甲基丙烯酸甲酯；positive tone, polymer chain scission type for Electron beam, DUV, x-ray and multi-level lithography) is a widely used, versatile resist that is used for many imaging (and non-imaging) micro-electronic applications as well as a protective coating for wafer thinning, a bonding adhesive and as a sacrificial layer, but is commonly used as a high resolution positive resist for direct write with e-beam. EM Resist Ltd specialises in electron beam lithography resists and applications. We develop and manufacture electron beam resists in a purpose built clean-room facility to ensure maximum quality and performance.Our products and expertise are the result of many years research by experienced physicists and material scientists in both academia and industry. EM Resist products are provided in a clean room compatible box, if you need Material Safety Data Sheets, Process Information, Example design files and other useful information, please contact with our Chinese Distributor(www.tansi.com.cn).PMMA Product Options. First,select which solvent(Anisole or Chlorobenzene) best suits your application. Second,select which solid percentage(1%-17%, 20nm-3500nm) of thickness required.Third,choose a volume to suit your usage needs.

特点：• 用于亚微米精细结构加工、掩膜板制作、激光干涉曝光等• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm)、g-line(436nm)• 高分辨率、高对比度、优异的结构稳定性，可用于亚微米精 细结构的加工旋涂曲线： 应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于高灵敏度电子束曝光、混合曝光等• 感光波段：e-beam、deep UV(248 nm)• 紫外曝光波段： 负胶：248nm~265nm & 290nm~330nm • 化学放大胶，高灵敏度• 良好的耐干法刻蚀能力旋涂曲线：应用实例： 欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于高分辨电子束曝光、混合曝光等• 感光波段：e-beam、deep UV(248 nm)、i-line(365 nm)• 紫外曝光波段： 负胶：248nm~365nm• 高分辨率(30nm)，高对比度 • 良好的耐干法刻蚀能力旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于集成电路加工、lift-off工艺、激光干涉曝光等• 感光波段：i-line(365nm)、g-line(436nm)• 化学放大胶，具有非常高的灵敏度• 高分辨率、高对比度• 可得到undercut结构，用于lift-off工艺 旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

特点：• 用于高分辨率电子束曝光等• 感光波段：e-beam• 高分辨率( 10 nm)， 高对比度(14)• 高深宽比，高工艺稳定性 • 优异的耐干法刻蚀能力• 采用不同的显影液(AR 600-546/ 548/ 549)，可实现 不同程度的灵敏度• 可实现Lift-off工艺，操作简单• 溶剂为苯甲醚(安全溶剂) 旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

Negative PhotoresistsPositive PhotoresistsResist RemoversResist DevelopersEdge Bead RemoversPlanarizing, Protective and Adhesive CoatingsSpin-On Glass CoatingsSpin-On Dopants曝光应用特性对生产量的影响i线曝光用粘度增强负胶系列在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮（Polyioprene-Bisazide）的负胶。在湿刻和电镀应用时超强的粘附力；很容易用去胶液去除。 单次旋涂厚度范围如下：﹤0.1～200 μm可在i、g以及h-line波长曝光避免了基于有机溶剂的显影和冲洗过优于传统正胶的优势：控制表面形貌的优异线宽 任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁单次旋涂即可获得200 μm胶厚厚胶同样可得到优越的分辨率150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间优异的感光度进而增加曝光通量更快的显影，100 μm的光刻胶显影仅需6 ～ 8分钟光刻胶曝光时不会出现气泡可将一种显影液同时应用于负胶和正胶不必使用增粘剂如HMDSg和h线曝光用粘度增强负胶系列

特点：• 用于耐刻蚀工艺、电镀、LIGA、MEMS等• 感光波段：Broadband UV、i-line(365nm)、g-line(436nm)• 涂胶厚度从几微米到上百微米，覆盖能力好，图形边缘陡直• 3220透明度高，100μm胶厚(多层涂胶工艺)也可正常曝光 • 具有良好的耐干法和湿法刻蚀能力 旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

容量瓶，PFA，A级，带PFA螺纹盖高度透明。环形刻度，单独“In”量入校准。满足DIN EN ISO1042 A级误差范围。PFA螺盖防止污染。强力的抗化学腐蚀，可以被用于强氧化物质，高浓缩酸碱，烃类和酮类。具有激光刻蚀的批号和批次认证。可耐高温121 ℃（灭菌），并不永久性的造成误差超出允许范围。为保护环形刻度，清洗温度不要超过60 ℃。可选购DAkkS校准或者独立的校准（须额外收费）。PFA的优势:• 保障PFA容器内低浓度标准物质的长期稳定性• 无残留效应• 由于其极高的疏水性，抗黏附和光滑的表面，没有携带效应与交叉污染• 高度热稳定性，从-200 ℃到+260 ℃• 对几乎所有的化学试剂都具有惰性• 良好的透明性和尺寸稳定性，适合做体积测量仪器• 容易清洗• 使用高纯度原材料货号体积ml误差± ml螺纹GL个/PK107097100.04181107197250.04181107297500.061811073971000.101811074972500.152511075975000.25251* 高度不含螺旋盖

微图案化Micropatterning光刻是我们专业为科研客户加工制作微结构和微流控芯片而提供的一种订制化加工服务。 我们根据微图案微结构使用相应的加工技术，如无掩模光刻（几个不同的光刻胶上的结构），在玻璃基板蚀刻并金属涂层沉积（铬蚀刻），湿法刻蚀等。 无掩模光刻 基板表面准备之后，旋涂光致抗蚀剂，得到一层均匀厚度。镀膜光致抗蚀剂晶片，然后进行“预烘烤”（软烘焙）除去过量的溶剂，准备将光致抗蚀剂暴露于激光束。光致抗蚀剂暴露于激光束下得到图案轨迹（无掩模光刻系统）。 最后一步是暴露的光致抗蚀剂的开发。第二加热步骤（硬烘焙）是为了将图案稳定在基板表面。 例子：微接触打印PDMS模具。 请联系我们告知您的图案尺寸（光阻层高度和通道宽度）。 玻璃湿法刻蚀 以下的光刻工艺，液体（“湿”）化学剂可用于去除不受光致抗蚀剂保护区域的玻璃基板上的最上层：这是在湿蚀刻工艺。 例子：微流控芯片的微通道制造 请联系我们告知您的结构大小（微通道的宽度和深度）。 金属层湿法刻蚀 铬层（举例）可使用气相沉积技术来沉积。微观结构可以通过在金属层湿蚀刻产生。支持深化学腐蚀。 例子：光模式和目标的生产。 请联系我们告知金属类型，沉积层厚度和微通道的宽度。 编号 名称 LC-22x22 玻璃基板光刻.定制微型图案 WEC-22x22 玻璃湿法蚀刻。根据您的图样定制微观结构 CEC-22x22 铬蚀刻。玻璃基板。微观结构是根据您的图样

特点：• 用于三维电子束曝光、混合曝光等• 感光波段：e-beam、deep UV(248 nm)• 紫外曝光波段： 负胶：248nm~265nm & 290nm~330nm • 化学放大胶，高灵敏度，低对比度( 1)• 良好的耐干法刻蚀能力旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

产品特点采用数字微镜 (DMD) 的无掩模扫描式光刻机，365nm波长直接从数字图形生成光刻图案，免去制作掩模板的中间过程，支持直接读取GDSII和BMP文件全自动化的对焦和套刻，易于使用晶圆连续运动配合DMD动态曝光，无拼接问题。全幅面绝对定位精度0.1um 套刻精度： 0.2um500 nm / 1 um分辨率，100mm x 100mm最大幅面（4~6寸晶圆），满幅面曝光时间5~30分钟500um最小线宽可灰度曝光（128阶）尺寸小巧，可配合专用循环装置产生内部洁净空间 通用参数应用 微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等试制加工带有2.5D图案的微光学元件，衍射光器件制作 教学、科研 参数MCML-110AMCML-120AWavelength 波长365nm365nmMax. frame 最大帧100mm x 100mm 100mm x 100mmResolution 分辨率1.0um500nmGrayscale lithography灰度光刻64 levels128 levels Max exposure最大曝光量500mJ/cm22000mJ/cm2Alignment accuracy对准精度200nm100nmfield curvature场曲率 1 um 1 umSpeed速度5mm2 /sec2.5mm2 /secInput file输入文件BMP, GDSIIBMP, GDSIIZ level accuracyZ级精度1 um1 umEnvironment环境20~25℃20~25℃ 样品

红外激光显示卡,紫外激光显示卡,Laser Beam Visualizer由中国领先而专业的进口激光器件和仪器旗舰型服务商-孚光精仪进口销售！精通光学，服务科学，以超低的价格专卖进口紫外激光显示卡,欢迎垂询。红外激光显示卡和紫外激光显示卡简称激光显示卡,是把红外激光和紫外激光转为可见的绿激光的红外激光探测卡,红外激光感光卡,这种技术来源于激光辐射的双光子吸收。红外激光显示卡标准产品：（可按要求提供其他规格的产品） 大小：75mm x 75mm 工作面积：直径50mmIR-SREEN-ND型：用于对1064nm红外激光转换，该红外激光显示卡,非常适用于连续高功率Nd：YAG激光谐振腔的准直，探测极限：0.5W/cm2.IR-SPEEN-ER型：用于视场中激光的可视化转化，该红外激光显示卡非常适用于Er：Glass激光谐振腔的准直（1.53μm). 探测极限：0.1J/cm2我们可提供的4种激光显示卡,分别是1) UVIRV 型:可视化近红外IR和紫外UV的相干光或非相干光，包括激光和其他光源，该红外激光显示卡,紫外激光显示卡不需要电源，使用人体安全的陶瓷片由稀土元素制作而成。 属于红外激光显示卡和紫外激光显示卡；2) IRV 型：把近红外IR的脉冲激光或连续激光转换成可见的绿光，所用材料是特殊的陶瓷材料带有反斯托克斯发光物质。属于红外激光显示卡.3) UVIRV-IRV Twin 型：把UVIRV型和IRV型集成于一体，一侧对UV-IRV可视化，发红光，另一次对IRV可视化，发绿光。属于红外激光显示卡和紫外激光显示卡4) IRV card型，具有IRV型的一切功能，但是不具有安装架或手柄。属于红外激光显示卡。

深紫外调Q激光器IMPRESS 213应用布拉格光纤光栅的制作波长敏感的过程立体光刻显示器维修微加工半导体检验双倍氩离子激光器的频率更换光荧光测量 特性非常短的紫外波长激光二极管泵浦槽安装的激光二极管优良的光束轮廓高功率脉冲超低维护成本“绿色光子学”24 / 7连续的工业应用模型IMPRESS 213波长213 nm平均功率150 mW脉冲持续时间 7 ns单位脉冲能量 15 μJ重复率0.1-30 kHzM2 1.6 IMPRESS 224应用布拉格光纤光栅的制作氩离子激光器的频率更换微材料加工＜1μm拉曼光谱光荧光波长敏感的过程特征非常短的紫外波长激光二极管泵浦密封外壳机动5HG位移槽的激光二极管模块优良的光束轮廓RS-232接口超低维护成本24 / 7连续的工业应用模型IMPRESS 224波长224 nm平均功率300 mW脉冲持续时间 9 ns单位脉冲能量 30 μJ重复率0.1-30 kHzM2 1.6

激光清洗机配件是欧洲原装进口的多功能的激光清洗系统，可广泛用于文物激光清洗和模具的清洗，是理想的文物和模具清洗机。激光清洗机配件特点采用紧凑设计，体积小，方便移动,坚固耐用，即使狭窄空间工作也可使用。可用于多种材料的清洗，包括：大理石，砂岩，石灰石，石膏，兵马俑，象牙，木材和青铜。激光清洗机配件参数激光类型：Q开关激光器激光脉宽：10ns平均功率：5W脉冲能量: 250mJ脉冲重复频率：１－３０Ｈｚ重量30kg体积：31x54x42cm激光清洗机配件应用脱漆，去除涂层：用于脱漆或涂层清除，方便快捷高效。表面预先清洗处理：在粘贴，焊接或上漆前，使用该仪器对材料表面清洗处理。模具清洗：对各种轮胎模具和铸造模具进行清洗。修复：对各种建筑物，大理石，砂岩，陶瓷等表面的泥土清洗，而不损伤表面。

特点：• 耐酸碱保护胶• 不含光敏物质，无需黄光室• 在40% KOH或50% HF酸中可长时间稳定• 通过双层工艺可实现正性(AR-P 3250) 或负性(AR-N 4400-05/10)光刻工艺 旋涂曲线：应用实例：欢迎致电咨询（电话：010-82867920/21/22），更多光刻胶信息请查看官网：http://www.germantech.com.cn/new/cplook.asp?id=514

这些盖玻片都由纯白玻璃制造，表面刻蚀了永久栅格。它有2种型式可选：l 方形刻蚀坐标盖玻片2号厚度的盖玻片有520个带标记的方格，每个方格的大小是600 x 600μm方便细胞或染色体的展开 l 圆形刻蚀坐标盖玻片25mm直径。厚度2号的盖玻片有1-200个方格，每个方格500um宽可以放入六孔板适合活细胞的生长观察 订购信息：货号产品名称规格72264-18刻蚀坐标盖玻片18 x 18 mm 25/盒 72264-23 刻蚀坐标盖玻片23 x 23 mm 25/盒72265-12刻蚀坐标盖玻片12 mm Diameter25/盒72265-25刻蚀坐标盖玻片25mm Diameter25/盒72265-50刻蚀坐标盖玻片25mm Photo-Etched German Glass 25/盒

这些盖玻片都由纯白玻璃制造，表面刻蚀了永久栅格。它有2种型式可选：l 方形刻蚀坐标盖玻片2号厚度的盖玻片有520个带标记的方格，每个方格的大小是600 x 600μm方便细胞或染色体的展开 l 圆形刻蚀坐标盖玻片25mm直径。厚度2号的盖玻片有1-200个方格，每个方格500um宽可以放入六孔板适合活细胞的生长观察 订购信息：货号产品名称规格72264-18刻蚀坐标盖玻片18 x 18 mm 25/盒 72264-23 刻蚀坐标盖玻片23 x 23 mm 25/盒72265-12刻蚀坐标盖玻片12 mm Diameter25/盒72265-25刻蚀坐标盖玻片25mm Diameter25/盒72265-50刻蚀坐标盖玻片25mm Photo-Etched German Glass 25/盒