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激光刻蚀机
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激光刻蚀机相关的方案
QCM-D研究光刻蚀分解
光响应高分子(光刻胶)材料被广泛的应用于工业处理,如电子器件和刻蚀。他们对光敏感,并且大量使用在表面上。本文主要采用QCM-D技术对光响应高分子的性能进行了研究。
上海伯东 IBE离子束刻蚀(离子铣)基本原理与应用介绍
在半导体制程工艺中,刻蚀(Etch)是指将晶圆上没有被光刻胶覆盖或保护的部分,以化学反应或物理作用的形式加以去除,完成将图形转移到晶圆片表面上的工艺过程。刻蚀分为湿刻蚀(Wet Etching)和干刻蚀(Dry Etching)。干刻蚀则泛指采用气体进行刻蚀的所有工艺,即在晶圆上叠加光刻胶或金属掩模后,将其裸露于刻蚀气体中的工艺。干法刻蚀分为三种:PE等离子体刻蚀、IBE离子束刻蚀和RIE反应离子体刻蚀。
氦质谱检漏仪光刻机检漏
上海伯东客户日本某生产半导体用光刻机公司, 光刻机真空度需要达到 1x10-11 pa 的超高真空, 因为设备整体较大, 需要对构成光刻机的真空相关部件进行检漏且要求清洁无油, 满足无尘室使用要求, 为了方便进行快速检漏, 采购伯东 Pfeiffer 便携式氦质谱检漏仪 ASM 310.
氦质谱检漏仪电子束光刻机检漏
上海伯东客户某光刻机生产商, 生产的电子束光刻机 Electron Beam Lithography System 最大能容纳 300mmφ 的晶圆片和 6英寸的掩模版, 适合纳米压印, 光子器件, 通信设备等多个领域的研发及生产. 经过伯东推荐采购氦质谱检漏仪 ASM 310 用于电子束光刻机腔体检漏.
Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 用于氮化硅刻蚀工艺研究
重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE.针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀损失的问题, 为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比, 采用 CF4, CH3F和O2这3种混合气体刻蚀氮化硅, 通过调整气体流量比, 腔内压强及功率, 研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的影响.
应用MALDI-8030检测光刻胶中酚醛树脂的分子量
本文应用基质辅助激光解吸电离飞行时间质谱仪(MALDI-TOF)对光刻胶样品进行分析,采用反-2-[3-(4-叔丁基苯基)-2-甲基-2-亚丙烯基]丙二腈(DCTB)基质,在正离子模式下进行数据采集,结果显示,在m/z 1-3600范围内,检测到一系列不同聚合度的质谱峰,相邻质谱峰平均相差约120 Da,与酚醛树脂单体-(C8H8O)n-分子量相符,聚合物质谱分布模式与酚醛树脂理论结构式相符。结果表明MALDI-TOF适用于光刻胶中酚醛树脂的分子量表征和合成情况确认,分析过程具有无需复杂前处理、分析速度快、分析成本低的特点。
上海伯东IBE离子束刻蚀用于铌酸锂LiNbO3薄膜刻蚀
随着基于铌酸锂LN的光源、光调制、光探测等重要器件的实现,铌酸锂LN光子集成芯片有望像硅基集成电路一样,成为高速率、高容量、低能耗光学信息处理的重要平台,在光量子计算、大数据中心、人工智能及光传感激光雷达等领域彰显其应用价值。由于铌酸锂LN的特殊化学性能,IBE离子束刻蚀+EBL电子束曝光是最优的解决方案。
纳米粒子光刻需要高度有序的粒子沉积
考虑使用纳米微球光刻技术的人都会很快注意到制备胶体掩膜的一些问题。乍一看,似乎在固体基底上获得纳米颗粒只是将固体浸入到纳米粒子溶液中。对于某些应用来说,这种做法可能是正确的,但对于纳米微球的光刻技术来说,这几乎是不可能成功的。如果要想形成均匀的单层纳米颗粒,则需要一个可控性更好的制备技术。LB膜沉积技术则是首选的方法。
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀衍射光学元件提高均匀度
衍射光学元件因其独特的光学性能在多个高技术领域中得到广泛应用。随着技术的发展,对衍射光学元件的制造工艺提出了更高的要求。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机的应用,为实现高精度和高均匀性的光学元件制造提供了新的解决方案。
红外光谱法分析光刻胶的主成分
光刻胶是微电子制造的核心材料之一,具有极高的技术壁垒,其成分配方工艺对光刻产品的性能具有重大影响。本文探索建立红外光谱定性分析光刻胶主要成分的方法,通过测试烘干光刻胶溶剂前后的红外光谱图,结合标准谱库和官能团分析等手段,可获得光刻胶中主要成分信息。该法具有分析速度快、操作简单、成本低和结果可靠等优势,可作为分析光刻胶成分的手段之一。
使用 Agilent 7500cs ICP-MS 直接分析光刻胶及相关溶剂
本文介绍了一种使用反应池电感耦合等离子体质谱分析光刻胶的简单方法。利用配备高灵敏度八极杆反应池系统 (ORS) 的 Agilent 7500cs ICP-MS 分析光刻胶中的所有元素。ORS 消除了 B、Mg、Al、K、Ca、Ti、Cr、Fe 和 Zn 等元素测量时的所有等离子体和基质多原子离子干扰,否则这些干扰物质将限制标准四极杆ICP-MS 在本应用中的操作。在样品前处理过程中,只需用合适的溶剂将光刻胶样品(30% 树脂)稀释10 倍,然后即可利用 7500cs 直接进行分析
伯东NS 10 IBE离子束刻蚀机用于物理量传感器(MEMS)加工
上海伯东某科研客户的研究方向是物理量传感器,用于监测土壤的力学结构变化,一般用于山体、岩石和冻土等环境研究。这种传感器通过镀膜、沉积、刻蚀等工艺多次循环来加工,Au 和 Pt 是传感器加工中常用的涂层,在完成镀膜(溅镀 Sputter 或者电子束蒸镀 E-beam)用传统的湿法刻蚀、ICP 刻蚀和 RIE 刻蚀等工艺无法有效的刻蚀出所需的图形。离子束刻蚀 IBE 作为最有效的刻蚀方案可以解决这个问题,刻蚀那些很难刻蚀的硬质或惰性材料。
液体颗粒计数器在光刻胶颗粒管控中的应用
为了减少光刻胶中的颗粒数量,我们可以采取以下措施:1. 选择质量优良的光刻胶,并在使用前进行严格的的质量检测,确保光刻胶的颗粒数量在允许范围内。2. 确保操作环境清洁,定期进行环境清洁和检测,使用无尘手套等工具,减少环境中的颗粒对光刻胶的污染。3. 采取正确的操作流程,如使用前对光刻胶进行充分搅拌、储存和运输,确保光刻胶的质量稳定。4. 使用滤网、滤芯等过滤设备,对光刻胶进行过滤,进一步减少光刻胶中的颗粒数量。光刻胶中的液体颗粒管控方案,对于提高芯片的质量和性能有着重要的作用。通过选择优质的光刻胶、保持操作环境的清洁、采取正确的操作流程,以及使用过滤设备等措施,可以有效减少光刻胶中的颗粒数量,提高产品的质量和性能。希望这个短视频能帮助大家更好地了解光刻胶中的液体颗粒管控方案。
液体颗粒计数器在光刻胶检测中的应用
检测仪器:电子级光刻胶的级别判定有线宽、金属杂质、颗粒数和大小,4个指标。其中颗粒检测用的是液体颗粒计数器。采用光散射法的原理来对光刻胶里的粒子大小和多少进行检测。通常会检测0.1um、0.2um、0.3um、0.5um这4个粒径值。普洛帝测控PMT-2 光刻胶液体颗粒计数器,可以测高粘度和低粘度的光刻胶。在光刻胶行业里有一定的应用。
利用MProbe Vis系统进行光刻胶厚度测量
使用MProbe-Vis系统可以轻松测量光刻胶厚度。实际上,任何光刻胶都可以快速可靠地测量:烧结或部分烧结,薄的或厚的。尽管如此,第一次测量可能会令人困惑——光致抗蚀剂的类型和处理条件多种多样。本应用说明试图通过烧结和两个部分烧结的光致抗蚀剂样品来阐明测量过程。使用500nm-1000nm波长范围进行光致抗蚀剂测量,以最小化吸收的影响。
MicroWriter ML3无掩膜激光直写光刻机制备分子微纳机电芯片,助力新冠病毒快速检测
由于许多疾病相关生物标志物的浓度超低,所产生的信号往往会被其他高浓度分子所产生的信号所干扰,因此从生物流体中进行超低浓度样品(每100 μ L中有1到10份)的检测一直是医学/生物分析领域的一个难题。近日,复旦大学魏大程教授课题组使用小型台式无掩膜光刻机- MicroWriter ML3制备了基于石墨烯场效应管的分子微纳机电芯片解决了这一难题。所制备的芯片实现了对低浓度离子,生物分子和新冠病毒(每100 μ L中有1到2份)的快速检测。使用该芯片对新冠病毒进行检测时,仅需鼻咽样本即可,无需RNA提取和核酸扩增,四分钟内就可得到检测结果。相关研究论文已在国际知名期刊《Nature Biomedical Engineering》(IF=25.7)上发表。
通过激光直写技术制造光子设备:SEM如何作出贡献
光子设备被广泛应用于自然科学中,用于制造,操作和探测光。在未来,制造先进的光子设备将是一种挑战,并需要灵活性和可调谐性。因为它们需要先进的三维光刻技术, 制造这些设备并非易事。激光直写技术(DLW)是一种有趣的方式,它的目标是运用液态晶体光刻胶作为感光材料。
Hakuto IBE离子刻蚀机运用于 PDMS 软刻蚀用母模板研究
随着微纳制造技术的发展,软刻蚀技术因其在微流体、组织工程和生物医学等领域的广泛应用而受到重视。PDMS(聚二甲基硅氧烷)作为一种常用的软刻蚀材料,其母模板的制备质量直接影响到最终产品的性能。Hakuto 7.5IBE 离子刻蚀机以其高效、简便的操作特点,为软刻蚀母模板的制备提供了新的选择。西南某高校在 PDMS 软刻蚀用母模板研究中有采用到伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE .
Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 制作DNA芯片模板
本报告详细介绍了 Hakuto 10IBE 离子刻蚀机在制作面阵石英 DNA 芯片模板中的应用。该设备配备 KRI 考夫曼公司的 KDC 160 离子源和 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700,确保了高真空度和刻蚀过程的高均匀性。Hakuto 10IBE 离子刻蚀机制作的芯片模板表面微结构形貌有利于 DNA 序列样本与芯片模板的吸附耦合,提高了实验效率和准确性。
MC方案:实时监控由于环境光暴露引起的光刻胶膜的光谱灵敏度
通常,普通光刻胶的光谱灵敏度范围从DUV到光谱的短波VIS部分。 如果没有合适的黄色/橙色滤光片,人造光和日光都会在几秒钟内使涂有光刻胶层的基材曝光,从而使可重复的光刻工艺变得不可能。 在我们的研究中,研究了在显微镜玻璃上涂覆的?3μ m厚的AZ5214光致抗蚀剂上的标准室内曝光量。
上海伯东 Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 用于陶瓷板 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀
深圳某电子公司采用Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 对陶瓷板的 Pt、Au、Cr 薄膜刻蚀, 高端印制电路板生产为主
MC方案:光刻胶溶解的实时监测
为了优化半导体和光子器件的图形制作工艺,对光刻胶溶解过程的表征进行了不断的研究。溶出度的实时监测可为此类表征提供必要的信息。在本应用中,通过使用FR-Pro VIS/NIR和FR液体附件,对标准显影剂(AZ726MIF)中的抗蚀剂(AR-N7520.18)薄膜的溶解过程进行实时监控。
LCMS-QTOF用于光刻胶中感光树脂轮廓分析
树脂是光刻胶的主要成分之一,本文采用岛津高效液相色谱—四极杆飞行时间质谱联用系统,建立了光刻胶中酚醛树脂的轮廓分析方法。光刻胶原液经四氢呋喃稀释,C18色谱柱分离,LCMS-QTOF正负离子模式同时采集,LabSolutions Insight Explore软件解析。结果显示,该树脂正离子模式以[M+NH4]+、[M+Na]+为主,负离子为[M-H]-峰,是一种以甲酚或二甲酚为起始,二甲酚或三甲酚为延长单元的聚合物,端聚合度(DP)2-10。该方法灵敏度高,分离度好,适用于光刻胶树脂成分分析。
液体颗粒计数器在光刻胶纯度判定中的应用
在半导体制造这一科技前沿领域,光刻胶作为连接设计与制造的桥梁,其纯度的微小波动都可能对最终芯片的性能产生深远影响。因此,采用先进的液体颗粒计数器进行检测,成为了确保光刻胶质量不可或缺的一环。
共聚焦显微镜+光刻胶+形状
共聚焦显微镜和干涉仪是常用的表面形状测量仪器,具有无损,高精度等特点。然而对于基板上的透明薄膜的凹凸形状,对于较薄的膜(1um上下),测量是受到基板反射光的影响,会导致测量失败。如,在测量Si晶圆上的光刻胶的形状时。为解决上述问题,我们推荐反射分光法,测量光刻胶的膜厚,从而得到表面形状信息。
等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀
提供等离子体原子层刻蚀实现无损伤刻蚀。原子层蚀刻(ALE)是一种技术允许每次精确除去一个原子层,是使用常规刻蚀无法达到的控制水平。 牛津仪器的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。它具有足够的灵活性,可用于研究和开发,通过打造质量满足生产需求。
小型台式无掩膜光刻机助力开发新型晶体管实现新冠肺炎快速筛选
在新冠疫情大流行的背景下,从大量人群中快速筛查出受感染个体对于流行病学研究有着十分重要的意义。目前,新冠病毒诊断方法包括血清学和病毒核酸测试,主要是以分析逆转录聚合酶链反应作为金标准,此方法在检测中核酸提取和扩增程序耗时较长,很难满足对广泛人群进行筛查的要求,因此,亟需发展一种快速的监测方法应对新冠疫情。近期,复旦大学魏大程教授课题组利用MicroWriter ML3小型台式无掩膜光刻机制备出基于石墨烯场效应晶体管(g-FET)的生物传感器。该传感器上拥有Y形DNA双探针(Y-双探针),可灵敏且快速的实现新冠病毒的核酸检测分析。该传感器中的双探针设计,可以同时靶向新冠病毒核酸的两个目标基因区域:ORF1ab和N基因,从而实现更高的识别率和更低的检出限(0.03份μ L− 1)。这一检出限比现有的核酸分析低1-2个数量,可避免混检过程中样本病毒载量较低而产生漏网之鱼,实现的混合测试。该传感器也具有快的检测速度,快的核酸检测速度约为1分钟。由于快速、超灵敏、易于操作等特点以及混合检测的能力,这一传感器在大规模范围内筛查新冠病毒和其他流行病感染者方面具有巨大的应用前景。
液体颗粒计数器解决高粘度光刻胶检测方案深度剖析
在微纳米制造领域,高粘度光刻胶作为精密图形的关键转移媒介,其纯净度直接关系到最终产品的性能与良率。针对这一挑战,我们精心设计了基于先进液体颗粒计数器的检测方案,旨在精准捕捉并量化光刻胶中的微小颗粒,确保生产过程的无瑕衔接。
研究论文集(理论篇)--论文七:论现代激光粒度仪采用全米氏(Mie)理论的必要性
激光粒度仪已经在世界范围内成为最流行的粒度测量仪器。米氏(Mie)理论是描述光的散射现象的严格理论,是激光粒度仪的理论基础。在一定的条件下,散射现象也可以用相对较简单的夫琅和费衍射理论近似描述。早期的激光粒度仪基本上都用衍射理论。随着科学技术的发展,仪器制造商先是在亚微米范围内采用米氏理论,后又在全范围内采用米氏理论,即不论颗粒大小,全部都用米氏理论,称为“全米氏理论”。许多激光粒度仪的制造商,尤其是国外制造商,都把“采用全米氏(Mie)理论”作为其产品的重要优点之一。可是有的国内制造商还不知道“米氏理论”为何物,有的国外厂商虽然在宣传时声称用“全米氏(Mie)理论”,可是交付到中国用户手中的仪器还是用夫琅和费理论。本文首先介绍什么是米氏(Mie)理论,在什么条件下可以作衍射近似,然后分亚微米颗粒和大颗粒两种情况比较了两种理论的差别,指出了衍射理论的误差以及该误差可以忽略的条件。
如何在光刻胶产线用液体颗粒计数器检测固态粒子粒径方案
摘要:在光刻胶产线中,液体颗粒计数器的应用对于监控和控制固态粒子的粒径至关重要。以下是使用液体颗粒计数器检测固态粒子粒径的详细步骤。光刻胶检测一般采用实验室离线监测的方式。
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