气相沉积炉

简介 本设备主要用于碳素制品的化学气相沉积增密处理，或以碳氢气体为碳源的材料表面或基体等温CVD/CVI处理及碳毡制品真空碳化其热处理。质量优越，性能稳定，价格远远低于进口同类产品。同时上海煜志良好的售后服务体系，使得该产品的整体评价远超同行业标准。主要技术参数 型号工作区尺寸D×Hmm最高温度℃温度均匀性℃冷态极限真空度Pa压升率Pa/h加热功率kWYVCVD-2030GΦ200×3001500±550325YVCVD-2540GΦ250×4001500±550340YVCVD-3050GΦ300×5001500±550355注：以上技术参数可根据工艺进行调整，不作为验收依据，具体以技术方案和协议为准。 可根据客户要求定制！ 特色与优势 1、质量优越，双层SUS304炉体结构，中间通以冷却水，有效降低炉体表面温度，减少高温伤害，降低对环境的影响；2、采用先进的保温材料及隔热结构，导热系数低，保温效果好，即使在很高的温度下也能有效隔绝热量，节约能耗；3、能够准确控制气体流量和压力，通过特殊的导气结构和装置，大大提高产品的合格率，降低沉积时间；4、通过特殊的过滤装置，使其热解过程的碳粉几乎完全过滤，不进入真空机组，大大延长了真空机组的使用寿命；5、人性化配置，既可以手动操作，也可以实现一键智能操作；6、型式多样化，立式上开门、立式底升式、卧式侧开门，任意选择；

微波等离子化学气相沉积系统-MPCVD微波等离子化学气相沉积技术（MPCVD）, 通过等离子增加前驱体的反应速率，降低反应温度。适合制备面积大、均匀性好、纯度高、结晶形态好的高质量硬质薄膜和晶体。 MPCVD是制备大尺寸单晶金刚石有效手段之一。德国iplas公司的 CYRANNUS 等离子技术解决了传统等离子技术的局限，可以在10mbar到室压范围内激发高稳定度的等离子团，减少了因气流、气压、气体成分、电压等因素波动引起的等离子体状态的变化，从而确保单晶生长的持续性，为合成大尺寸单晶金刚石提供有力保证。应用领域● 大尺寸宝石单晶钻石● 高取向度金刚石晶体● 纳米结晶金刚石● 碳纳米管/类金刚石碳（DLC）● MPCVD同样适用于其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。MPCVD等离子化学气相沉积设备特点 1.CYRANNUS技术无需在样品腔内安装内部电，在沉积腔内，没有工作气体以外的任何物质，洁净，无污染源。等离子发生器可以保持长寿命，并可以确保腔内的等离子体的均匀分布，进一步生成晶体的纯净度和生长周期。2.CYRANNUS技术的腔外多电设置，确保等离子团稳定生成于腔内中心位置，对腔壁、窗口等无侵蚀作用，减少杂质来源，提高晶体纯度。由CYRANNUS系统合成的金刚石，纯度均在VVS别以上。3.电子温度和离子温度对中性气体温度之比非常高，运载气体保持合适的温度，因此可使基底的温度不会过高。4.微波发生器稳定易控，能在从10 mbar到室压的高压强环境下维持等离子体，在气流、气压、气体成分、电压出现波动时，确保等离子体状态的稳定，保证单晶生长的过程不被上述干扰而中断，有利于获得大尺寸单晶金刚石。5.可以采用磁约束的方法，约束在等离子团在约定的空间内，微波结和磁路可以兼容。6.安全因素高。高压源和等离子体发生器互相隔离，微波泄漏小，容易达到辐射安全标准。7.可搭配多种功率微波源和不同尺寸腔体，满足从实验室小型设备到工业大型装置的不同需要。可以对直径达到300mm的衬底沉积金刚石薄膜。化学机理概要碳氢化合物：提供沉积材料氢气：生成sp3键氧：对石墨相/sp2键侵蚀惰性气体：缓冲气体，或生成纳米晶体。适用合成材料：大尺寸宝石单晶钻石高取向度金刚石晶体纳米结晶金刚石碳纳米管/类金刚石碳（DLC）金刚石薄膜宝石钻石vvs1,~1 carrat, E grade设备选件多种等离子发生器选择： 频率：2.45 GHz, 915 MHz 功率：1-2 kW, 1-3 kW, 3-6 kW,1-6 kW，5-30 kW 等离子团直径：70 mm, 145 mm, 250 mm, 400 mm 工作其他范围：0-1000 mBar 其他应用：MPCVD同样适用于平面基体，或曲面颗粒的其它硬质材料如Al2O3，c-BN的薄膜沉积和晶体合成。德国iplas公司凭借几十年在等离子技术领域的积累，可以为用户提供高度定制的设备，满足用户不同的应用需要。发表文章1. Use of optical spectroscopy methods to determine the solubility limit for nitrogen in diamond single crystals synthesized by chemical vapor deposition, Journal of Applied Spectroscopy, Vol. 82, No. 2, May, 2015 (Russian Original Vol. 82, No. 2, March–April, 2015).2. Large Area Deposition of Polycrystalline Diamond Coatings by Microwave Plasma CVD. Trans. Ind. Ceram. Soc., vol. 72, no. 4, pp. 225-232 (2013).用户单位中科院沈阳金属所吉林大学

1.产品概述：Lumina® 系统基于 Veeco 业界的金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) TurboDisc® 技术，在长时间的生产过程中，其具有均匀性和低缺陷率，带来出色的产量和灵活性。此外，Veeco 的有技术也提供均匀的热控制，可实现的厚度和组合均匀性。该系统提供无缝晶片尺寸过渡，能够在直径达 8 英寸的晶片上沉积高质量 As/P 外延层。Lumina 系统允许用户自定义系统以实现大价值。2.产品应用：VCSEL3D 传感LiDAR高速数据通信边缘发射激光器先进的光学通信硅光电迷你和微型 LED4K 和 8K 电视显示屏智能手机可穿戴设备AR/VR（增强现实/虚拟现实）

PECVD沉积技术NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（M） PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：独立型立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

1 产品概述: 低压化学气相沉积系统（LPCVD）是一种在低压条件下，通过加热使气态化合物在基片表面反应并沉积形成稳定固体薄膜的技术。该系统在半导体制造、电力电子、光电子及MEMS等领域具有广泛应用。LPCVD系统通过精确控制温度、压力及气体流量等参数，能够在基片表面形成均匀性良好的薄膜，满足各种工艺需求。2 设备用途：LPCVD系统的主要用途包括：薄膜沉积：用于淀积多种薄膜材料，如Poly-Si（多晶硅）、Si3N4（氮化硅）、SiO2（二氧化硅）、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅及难熔金属硅化物等。这些薄膜在半导体器件、电力电子器件、光电子器件及MEMS结构中起着关键作用。半导体制造：在半导体集成电路制造过程中，LPCVD系统用于形成栅极氧化物、表面钝化层、氮化物应力缓冲层、牺牲氧化物层及阻挡氧化物层等关键结构。光电子应用：在光电子领域，LPCVD系统用于制备光波导、可变折射率层、抗反射层等光学薄膜，提升器件性能。3 设备特点LPCVD系统具有以下特点：低压环境：在低压条件下进行沉积，有助于减少气体分子的碰撞和散射，提高薄膜的均匀性和质量。高精度控制：系统采用先进的温度、压力及气体流量控制技术，能够精确控制沉积过程中的各项参数，确保薄膜的精确性和一致性。多用途性：能够沉积多种薄膜材料，满足不同工艺需求，具有广泛的适用性。高效性：由于工作压力低，气体分子的平均自由程和扩散系数大，可采用密集装片方式提高生产率。 4 技术参数和特点：1. 满足石墨烯和碳纳米管研究的高温和快速冷却要求2. 直径200毫米的石英室3. 内部石英管的设计便于拆卸和清洗4. 基片尺寸可达直径150毫米 5. 三区电阻炉，150毫米的均匀温度区6. 温度高可达1000°C7. 使用节流型VAT蝶形阀下游压力控制在50 mTorr到500 mTorr之间 8. 8立方英尺/分的Ebara ESA25-D干式真空泵 - 两干式真空

1. 产品概述EPEE系列 等离子化学气相沉积系统，单片和多片式架构。2. 设备用途/原理EPEE系列 等离子化学气相沉积系统。先进的单片和多片式架构，满足量产和研发客户需求。高效传输系统，智能软件调度算法。高效远程等离子体清洗系统，优异的颗粒控制。支持气态硅烷、液态 TEOS 和碳膜等工艺。支持在线膜厚和清洗终点实时监测。3. 设备特点晶圆尺寸 4/6/8 英寸兼容，适用材料 氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、磷硅玻璃、硼磷硅玻璃、非晶硅、非晶碳。适用工艺 氧化硅图形化衬底层、钝化层、绝缘层、掩膜层。适用域 科研、化合物半导体、新兴应用、集成电路。

一、化学气相沉积MOCVD 产品介绍：1.应用方向：Ga2O3,GaN, InP, GaAs, InSb, GaInNAs, II-VI等等2. 从研发到大规模生产3. 衬底尺寸：3x2 inch、1x4 inch、1x3 inch、1x2 inch4. 通过载波交换实现：6 x 2 inch、3 x 3 inch、1 x 6 inch5. Ga2O3薄膜生长速率：3um/h6. Ga2O3薄膜表面粗糙度：5umx5um范围由AFM在Ga2O3衬底上测量 ≤1.0 nm二 、化学气相沉积MOCVD产品原理及性能：1.MOCVD设备是通过将反应物质以有机金属化合物气体分子的形式，经载带气体送到反应室，进行热分解反应而生长出薄膜材料2. 加热系统：采用钨丝加热，三温区控制，最高温度至1400℃3. 反应腔室内托盘与喷淋头间距可调（范围覆盖5 mm至25 mm）4. 工艺过程中，具有实时晶圆表面温度和晶圆翘曲度监测功能5.搭载温度监测系统，可实时扫描晶圆温度mapping图三、企业简介：深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。 致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

NANO-MASTER的等离子增强化学气相沉积系统PECVD系统:NPE-4000 计算机控制的独立式PECVD系统NRP-4000 计算机控制的独立式RIE/PECVD双系统NSP-4000 计算机控制的独立式 Sputter/PECVD双系统NPE-3500 计算制控制的紧凑型独立式PECVD系统NPE-3000 计算机控制的台式PECVD系统NPE-1000 简化型台式PECVD系统NANO-MASTER的NPE-4000 PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以制造高质量的氧化硅、氮化硅、碳纳米管、金刚石和碳化硅等薄膜。根据不同的应用，可以使用射频淋浴头、中空阴极、ICP或微波等离子源进行沉积镀膜。分别通过增加ICP电感耦合等离子源升级为ICPECVD电感耦合等离子增强化学气相沉积系统，增加远程微波源升级为MPECVD微波等离子增强化学气相沉积系统。基板可以容纳8英寸晶圆，可通过射频、脉冲直流或者直流电源提供偏压，可通过热电阻或者红外灯加热到800°C。使用260l/s涡轮泵和5cfm机械前级泵可使腔体真空达到5×10-7Torr（该系列PECVD等离子增强化学气相沉积系统也可以升级分子泵和机械泵达到更高的真空能力）。通过不同的样品台偏压，样品台温度和等离子源的组合，NANO-MASTER那诺-马斯特的PECVD等离子增强化学气相沉积系统可以满足用户非常广泛的需求应用。同时我们可以支持用户大尺寸基片的PECVD沉积或者批处理沉积的量产应用。 系统使用LabView可视化用户界面，触摸屏监控屏幕的计算机控制，可实现全自动化操作。特点：** 13"铝腔或14"不锈钢立方腔体** 可支持大基片或批处理应用(腔体和离子源等均需要升级)** 涡轮分子泵组可达到5×10Torr极限真空** 独家直连设计，提供最佳真空传导率，8小时达到极限真空** 等离子源：根据应用可选射频淋浴头/ICP/中空阴极/微波** 配套气体环用于前驱体和气体** 样品台：200-950°C温度旋转RF/低频RF/DC/Pulse DC偏压** MFC配套电抛光气体管道和气动截止阀** 基于PC的全自动控制，菜单驱动** Labview可视化用户交互界面** EMO保护和安全联锁选配：** ICP源用于高密度等离子，升级为ICPECVD** 远程微波等离子源，升级为MPECVD** 基片脉冲直流偏压** 低频偏压用于薄膜应力控制** 旋转样品台用于涂覆3D元件** 单片自动上下片，或Cassette-to-Cassette自动上下片** 大尺寸基片镀膜或批处理能力** 样片手动或自动翻转，用于双面镀膜** 前级泵升级为干泵** 带加热管路的鼓泡器用于有机金属化合物** 带毒气监控气体柜用于有毒气体** 终点监测** 各种掺杂物(磷化氢、乙硼烷)应用支持应用：** 封装，绝缘** 硅的化合物** 光子结构** DLC类金刚石薄膜** CNT碳纳米管—储存器件** SiC薄膜** 表面钝化层—太阳能电池** 石墨烯—纳米级电子元件** 其它类型薄膜

快速热化学气相沉积系统 (RTCVD)生产商：韩国Ecopia RTCVD快速热化学气相沉积设备广泛用于多晶硅、氧化硅、氮化硅等常见半导体薄膜的沉积和制备。 性能和特点：- 温度范围：室温 ~ 1500°C - 升温速度：200°C/s - 气体混合能力(带有质量流量计) - 真空度：~10-6Torr

1. 产品概述Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统。2. 设备用途/原理Orion Proxima 高密度等离子体化学气相沉积系统，填孔能力以及高沉积速率，温度场和 ICP 电磁场设计保证了低温高致密的膜质表现，优化机台结构，缩小占地面积，友好的人机交互和安全性设计保障系统稳定、安全、高效。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料氧化硅。适用工艺浅沟槽隔离、金属间介质层、钝化层。适用域 新兴应用、集成电路。等离子体化学气相沉积(plasmachemical vapor deposition)是指用等离子体激活反应气体，促进在基体表面或近表面空间进行化学反应，生成固态膜的技术。按产生等离子体的方法，分为射频等离子体、直流等离子体和微波等离子体CVD等。

请联系：张先生等离子体增强化学气相沉积(PECVD)是通过将活性气体变成等离子体状态，在目标基材上产生活性自由基和离子，使目标基材发生化学反应而形成薄膜的技术。在化合物半导体和硅半导体的制造过程中，用于沉积作为钝化膜的氮化硅薄膜（SiN）和作为层间绝缘膜的氧化硅薄膜（SiO₂ ）。PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。主要特点和优点最大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)优异的均匀性和应力控制卓越的工艺稳定性和可重复性坚固的系统，低的运行/维护成本用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-220NL设计时尚、紧凑，只需很小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。应用SiH4-SiNxSiH4-SiO2液体前驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2

1. 产品概述PlasmaPro 800是一款先进的等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备，专为大批量晶圆和300mm晶圆的生产需求而设计，提供了灵活且高效的处理解决方案。它引入了紧凑的开放式装载系统，使得操作更加便捷，同时提升了生产效率，适应各种制造环境。该设备配备了460mm直径的工作台，具备处理整片300mm晶圆的能力，同时能够高效处理大批量的43 x 50mm（2”）小晶圆，通过这一设计，PlasmaPro 800能够满足不同尺寸晶圆的生产需求，为用户提供全面的量产解决方案。这种高适应性的特点让用户能够灵活应对不断变化的市场需求，特别是在大规模生产环境中表现尤为突出。此外，PlasmaPro 800以其出色的性能和可靠性赢得了市场的广泛认可，成为同类设备中的佼佼者。它支持多种材料的沉积工艺，能够应用于诸如光电设备、微电子器件、MEMS等多个领域，为客户的创新研发和产品制造提供强大动力。综合来看，PlasmaPro 800不仅在技术上实现了突破，还通过其灵活的配置和高效的操作方式，将大批量晶圆的生产推向新的高度，为半导体产业的可持续发展提供了坚实的基础。2. 特色参数高性能工艺准确的衬底温度控制准确的工艺控制成熟的300mm单晶圆失效分析工艺3. 为化合物半导体、光电子和光子学应用提供了更为灵活的工艺，PlasmaPro 800 可提供：大型电 - 低成本刻蚀终点监测 - 可靠性和可维护性俱佳通过激光干涉仪与/或发射光谱进行终点监测 - 增强刻蚀控制可选择带有4-、8-或12-条气路的气柜 - 可提供灵活的工艺和工艺气体，可以与主机分离，放置在远端服务区近距离耦合涡轮泵 - 提供优秀的泵送速度加快气体的流动速度数据记录 - 追溯腔室的历史状态以及工艺条件液体冷却和/或电加热电 - 出色的电温度控制和稳定性

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体

1.产品概述：Veeco 提供了一系列行业领先的 GaN 和 As/P 金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 系统，旨在最大程度地提高吞吐量，同时降低包括显示器、3D 传感、LiDAR、微型 LED 显示器和光学数据通信在内的各种应用的拥有成本。2.产品优势：最大的资本效率和占地面积节省，提供领先的性能出色的均匀性与低缺陷率紧凑型集群架构高吞吐量体系结构，实现最大生产3.产品工艺：Veeco 的 EPIK® 868 是 LED 业界最高性能的金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 系统，可实现出色的均匀性和可重复性，以及低缺陷率。EPIK 868 拥有四反应腔配置并采用突破性技术，包括专有的 IsoFlange&trade 和 TruHeat&trade 技术，其可在整个晶片载体上提供层流和均匀的温度曲线。这些技术创新推动了迷你和微型 LED 所需的更高产量。EPIK 固有的 868 TurboDisc® 技术可实现最高的系统可用性和正常运行时间。EPIK 868 高容量承载盘专为大批量生产设计，可以最低的拥有成本容纳多个 4”或 6” 晶片尺寸。客户可以很轻松地从现有的 TurboDisc 系统切换到新的 EPIK 868 金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 平台，从而快速启动高品质迷你和微型 LED 的生产。

1. 产品概述：金属有机源气相沉积系统（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition, MOCVD）是一种先进的薄膜材料制备技术，通过金属有机前体和反应气体在基底表面上的热解和反应，形成所需的薄膜材料。该系统主要由真空室反应系统、气体（载气与气相有机源）输运控制系统、有机源蒸发输运控制系统、电源控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成。MOCVD系统具有高质量、稳定性、重复性及多功能性等优点，是当今世界上生产半导体光电器件和微波器件材料的主要手段。它广泛应用于半导体、光电子、光伏和显示等领域，用于制备各种功能性薄膜材料，如氮化物、磷化物和氧化物等。2 设备用途/原理：半导体材料制备：MOCVD系统可用于制备三五族或二六族化合物半导体薄膜，如砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、氮化镓（GaN）等，这些材料广泛应用于集成电路、光电器件和微电子元件中。光电器件生产：利用MOCVD技术可以生产发光二极管（LED）、激光二极管（LD）、太阳能电池等光电器件。特别是蓝光和白光LED的核心结构，如GaN和InGaN薄层序列，就是通过MOCVD工艺实现的。微电子元件制造：MOCVD技术还可用于制造异质结双极性晶体管（HBT）、假晶式高电子迁移率晶体管（PHEMT）等微电子元件。研究与开发：研究机构和大学也使用MOCVD设备进行科学研究和开发新的薄膜材料，以推动相关领域的技术进步。3. 设备特点1 高精度控制：MOCVD系统具有高度的自动化和精确的控制能力，可以精确控制反应条件（如温度、压力和气体流量），以优化薄膜的成分、结构和性质。 2 高效生产：该系统能够实现大规模、高效率的薄膜材料生产，满足工业化生产的需求。 3 多功能性：MOCVD技术不仅限于制备单一类型的薄膜材料，还可以实现多种材料的交替生长，为制备复杂结构的器件提供了可能。 4 安全保护：系统配备有尾气处理及安全保护报警系统，确保在有毒气体环境下操作的安全性。4 设备参数真空室结构:卧室真空室尺寸:Ф400mm×300mm（L）限真空度:10 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约4.5米x3.5米x3米（设计待定）电控描述:屏幕操作

1. 产品概述PD-220NL 是一种负载锁定等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 系统，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统以非常紧凑的占地面积提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是研发用薄膜沉积以及试生产的理想选择。2. 设备用途/原理SiH4-SiNx。SiH4-SiO2。液体驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2。3. 设备特点 大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)。优异的均匀性和应力控制。卓越的工艺稳定性和可重复性。坚固的系统，低的运行/维护成本。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-220NL设计时尚、紧凑，只需小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。

1. 产品概述PD-2201LC 是一种盒式装载等离子体增强化学气相沉积 (PECVD) 设备，能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）。该系统在节省空间的提下提供了PECVD的所有标准功能。可在直径220毫米的区域内沉积具有优异厚度均匀性和应力控制的薄膜，并具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。2. 设备用途/原理SiH4-SiNx、SiH4-SiO2、液体驱体(SN-2)SiNx、TEOS-SiO2。3. 设备特点大加工范围：ø 220 mm (ø 3" x 5, ø 4" x 3, ø 8" x 1)。优异的均匀性和应力控制。卓越的工艺稳定性和可重复性。坚固的系统，低的运行/维护成本。用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。PD-2201LC设计时尚、节省空间，只需小的洁净室空间。双频(13.56 MHz + 400 kHz)PECVD，用于卓越的过程控制。

1. 产品概述PD-3800L是一种能够沉积硅基薄膜（氧化硅、氮化硅、氧氮化硅和非晶硅）的锁载等离子体增强化学气相沉积（PECVD）系统。该系统由于采用了大型反应室，并通过载盘装载多片晶圆进行批量处理，因此产量较高。在直径360mm的区域内可以沉积出具有优异的厚度均匀性和应力控制的薄膜，具有优异的稳定性和可重复性。用户友好的触摸屏界面用于参数控制和配方存储。该系统是大规模生产用薄膜沉积的理想选择，具有优异的重复性。2. 设备用途/原理SiH4-SiNx。SiH4-SiO2。液体驱体(SN-2)SiNx。TEOS-SiO2。3. 设备特点 大加工范围：ø 360 mm (ø 3" x 9, ø 4" x 6, ø 6" x 3)，优异的均匀性和应力控制，卓越的工艺稳定性和可重复性，坚固的系统，低的运行/维护成本，用户友好的触摸屏界面，用于参数控制和配方存储。

PECVD沉积技术NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：台式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

PECVD沉积技术NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：紧凑型独立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

1. 产品概述等离子增强化学气相沉积PECVD2. 应用方向高质量PECVD沉积氮化硅和二氧化硅，用于光子学、电介质层、钝化以及诸多其它用途；用于高亮度LED生产的硬掩模沉积和刻蚀3. 技术参数(1) 电阻丝加热电极，最高温度可达400°C或1200°C(2) 实时监测清洗工艺， 并且可自动停止工艺(3) 晶圆最大可达200mm，可快速更换硬件以适用于不同尺寸的晶圆(4) 高导通的径向（轴对称）抽气结构：确保提升了工艺均匀性和速率(5) 增加了500毫秒的数据记录功能：可追溯腔室和工艺条件的历史记录(6) 通过前端软件进行设备故障诊断，故障诊断速度快(7) 用干涉法进行激光终点监测：在透明材料的反射面上测量刻蚀深度 (例如硅上的氧化物)，或者用反射法来确定非透明材料 (如金属) 的边界(8) 用发射光谱（OES）实现较大样品或批量工艺的终点监测：监测刻蚀副产物或反应气体的消耗量的变化，以及用于腔室清洗的终点监测4. 企业简介深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

化学气相沉积 LPCVD设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。LPCVD设备结构及特点：1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。2、设备为水平管卧式结构由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。LPCVD设备主要技术指标 类型参数 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 标准基片:1～3片 不规则尺寸散片:若干 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 手动进出样品生产型LPCVD设备设备功能该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可提供相关镀膜工艺。设备结构及特点设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。设备主要技术指标 类型参数 成膜类型Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 100片 设备总功率 16kW 冷却水用量 2m3/h 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 悬臂舟自动送样软件控制界面 关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达12” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：紧凑型独立式系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体，带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护

ICPECVD沉积技术NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER ICPECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（ICPM）ICPECVD等离子体化学气相沉积系统特点：立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrICP离子源高达12”(300mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组最大可支持到8MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

PECVD沉积技术NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER PECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（A）全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统特点：立式系统自动上下载片，带预真空锁不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrRF淋浴头，HCD或微波等离子源高达6”(150mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组最大可支持到8MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

ICPECVD沉积技术NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统概述：NANO-MASTER ICPECVD系统能够沉积高质量的SiO2, Si3N4, 或DLC薄膜到最大可达6” 直径的基片上.该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子，具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压。并可以支持加热和循环冷却水的冷却.使用250l/sec涡轮分子泵及3.5 cfm的机械泵，腔体可以达到低至10-7 torr的真空。标准配置包含1路惰性气体、3路活性气体管路和4个MFC.带有独一无二气体分布系统的平面中空阴极等离子源使得系统可以满足广大范围的要求，无论是等离子强度、均匀度，还是要分别激活某些活性组份，这样系统可以覆盖最广的可能性来获得各种沉积参数。NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统应用：等离子诱导表面改性：就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗：去除有机污染物等离子聚合：对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石)，以及其它薄膜CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长：在需要的位置生长CNT或石墨烯。NPE-4000（ICPA）全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统特点：立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7Torr全自动上下载片，带预真空锁ICP离子源高达6”(150mm)直径的样品台RF射频偏压样品台水冷样品台可加热到的800 °C样品台加热的气体管路加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组最大可支持到8MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动，4级密码访问保护完整的安全联锁

8英寸等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备1. 产品概述Shale® A系列等离子体增强化学气相沉积设备（PECVD）是一款先进的薄膜沉积设备，旨在满足半导体制造和相关领域对于高质量薄膜沉积的需求。该设备采用了平行电容板电场放电技术，有效地产生等离子体，这种等离子体环境使得各种薄膜材料的沉积过程更加高效和精准。在操作温度方面，Shale® A系列设备能够在400°C及以下的条件下，实现较为致密且均匀性极佳的薄膜沉积。这一特性使其成为沉积多种材料的理想选择，包括氧化硅、TEOS（四乙氧基硅烷）、BPSG（掺铝的硅玻璃），以及氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、非晶碳和非晶碳化硅等多种高性能薄膜材料。此外，Shale® A系列设备在设计和制造过程中，充分考虑了国际市场的标准，采用了符合SEMI（美国半导体设备与材料国际协会）标准的通用零部件，确保设备在全球范围内的兼容性和可用性。同时，该设备经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试，验证其能够在实际生产中保持优异的性能表现，从而为用户提供了一个可信赖的沉积解决方案。这使得Shale® A系列PECVD设备不仅适用于高技术要求的半导体行业，还能够确保在各种应用场景中的稳定运行。2. 系统特性可提供基于硅烷（SiH4）体系的薄膜沉积方案，还可选正硅酸乙酯（TEOS）体系的沉积方案可提供双频设备，使氮化硅（SiNx）的应力可调，范围从压应力-1.6GPa到张应力+0.7GPa可提供n/p型掺杂，满足磷硅玻璃（PSG）和硼磷硅玻璃（BPSG）等掺杂氧化硅工艺的需求8/6英寸兼容

1. 灵活的沉积平台服务于广泛的应用Veeco 的单靶点 NEXUS PVDi 物理气相沉积（PVD）系统，为各类薄膜沉积应用提供了极大的灵活性和多功能性，使其在当今快速发展的技术环境中脱颖而出。无论是在半导体、光电子材料、显示技术还是其他高科技领域，NEXUS PVD 都能够满足客户的多样化需求。该系统的加工精度高达 200 毫米，不仅保证了沉积过程的精确控制，还使得它能够支持多种不同的工艺需求。NEXUS PVD 的先进工艺能力，结合无与伦比的均匀性，确保了每一层沉积膜的质量和性能都达到行业领先水平。这种优质的性能在提高整体工艺产量方面发挥了关键作用，用户能够以更高的良率实现高效生产。此外，NEXUS PVD 平台彰显了出色的吞吐量和正常运行时间，显著降低了设备的拥有成本。这意味着客户可以在保持高产量的同时，减少维护和运营成本，进一步提升投资回报率。2. NEXUS 平台还集成了 Veeco 多项技术包括离子束沉积、离子束蚀刻和原子层沉积（ALD），使得该系统具备处理多种沉积需求的能力。离子束沉积能够实现高质量薄膜的沉积，适合于对膜厚均匀性和膜缺陷有严格要求的应用；而离子束蚀刻技术则用于精细图案的刻制，更好地满足高精度集成电路制造的需要。原子层沉积技术则在沉积极薄膜方面表现卓越，适用于高技术含量的光电材料、传感器及其他前沿科技领域。Veeco 的 NEXUS PVDi 系统通过其顶尖的灵活性、可靠性和高效性，为广泛的薄膜沉积应用提供了卓越的解决方案，帮助客户在竞争激烈的市场中保持领先地位。无论是从技术创新还是经济效益来看，NEXUS PVDi 系统都为用户创造了巨大的增值潜力。

Orion HDCVD 高密度气相化学沉积系统采用高密度的化学气相沉积技术，在惰性气体进入口安装感应线圈，周围布置陶瓷管。射频创建等离子体,通过气体环在衬底表面附近引入挥发性气体。当惰性气体与挥发性物质结合时，会发生化学反应，然后在衬底表面沉积一层薄膜.该技术不需要将衬底加热到典型的PECVD温度，并且该方法非常适合沉积在有机物、柔性衬底和其它具有温度限制的表面上。 射频可通过Chuck改变薄膜性能。 该系统可以升级传送Loadlock，或添加到集群平台Cluster。

1. 产品概述Shale® C系列电感耦合等离子体化学气相沉积设备（ICP-CVD）是一款先进的薄膜沉积设备，它结合了电感耦合（ICP）和电容耦合（CCP）技术，为用户提供了一种高效、可靠的薄膜沉积解决方案。该设备通过高密度等离子体的产生，实现了极低的沉积温度，这不仅能够保护基材，减少热损伤，还能确保薄膜的高致密性与优异的填充能力。该工艺适用于多种材料的沉积，尤其是在对薄膜质量有高要求的应用中表现优越。此外，Shale® C系列设备采用了符合国际标准的零部件，这些组件是8英寸产线设备中的常用标准部件，确保了设备的兼容性与可维护性。设备的设计遵循SEMI的严格标准，确保其在半导体行业中的稳定运行及高度可靠。在产品性能方面，Shale® C系列经过了一系列严格的稳定性和可靠性测试，验证了其在长时间连续运行下的表现。这使得该设备成为高端制造过程中的理想选择，适合用于大规模生产和研发实验。2. 系统特性可在低温（120°C）下沉积高致密薄膜，其致密性不亚于LPCVD在750°C生长的薄膜可有效降低等离子体损伤，从而降低漏电，漏电流密度与原子层沉积（ALD）制备的薄膜相当可提供高深宽比薄膜填充工艺可选8/6英寸电，适用于不同尺寸的晶圆