GaSe 硒化镓 NIR-IR近红外非线性光学晶体
GaSe(硒化镓)晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域,至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体,拥有六边形结构的62m空间点群,300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高,非线性系数大(54pm/V),非常合适的透明范围,以及超低的吸收系数,这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源,GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取,我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注:GaSe晶体的解理面为(001),因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软,易碎。 技术参数主要特性复合物GaSe透光率, μm0.62 – 20非线性系数, pm/Vd22 = 54 @10.6 μm 对称度六方晶系, 6m2 point group晶胞参数, ?a=3.74, c=15.89典型反射系数 10.6 μm 5.3 μmno=2.6975, ne=2.3745 no=2.7233, ne=2.3966光学损伤阈值, MW/cm21064 nm (t=10 ns)30离散角, °5.3 μm4.1应用10.6 μm激光辐射二次谐波的产生中红外区域高达17μm的光学参量振荡器、光学参量放大器、DFG等 对于所有晶体,我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层,以及反射率曲线。