气体注入系统

技术指标震动隔离：气垫隔离固有频率：（垂直/水平）1.5-2.0Hz衰减方式：孔式空气阻尼Roll-off Rate[10Hz]: -32~-35dB水平方式：由3个自动调平阀自动调平系统水平复位精度：± 0.05/± 0.1工作条件：4-6kg / 压缩空气或瓶装液氮 用途1.x-y 布置系统2.精密测量仪坐标测量仪半导体制造检测设备裂变产物探测装备检查设同位检测仪器精密检测设备 型号选择产品型号DVIM-T-500DVIM-T-1000DVIM-T-1500DVIM-T-2500DVIM-T-3500DVIM-T-4500DVIM-T-6000长，宽，高210× 210× 220260× 260× 220310× 310× 220340× 340× 220380× 380× 220430× 430× 220490× 490× 220固定孔距180230280280330380440直径￠12￠14￠14￠14￠14￠14￠14承重量(Kg)500100015002500350045006000自重(Kg)37427285100125180

主要功能及特点空气的污染物可分为污染气体和颗粒污染物（Particulate Matter，PM）。细小的颗粒污染物可渗入人体肺部并对人体健康造成严重损害。目前，PM对人体健康的威胁是一个全球关注的热点，但是还不清楚哪些成分会对人体健康造成损害。要搞清楚这个问题，需要大量特殊的、长期的监测数据。MARGA为大气研究提供了一种全新的、在线大气污染监测及研究手段。它采用独特的取样装置把颗粒污染物和酸性气体直接吸收到水相中，再使用离子色谱监测其成分，整个过程全自动进行。玛伽MARGA采集到的液化样品可与其他分析仪器直接联用，分析诸如重金属或者其他有机物污染物。MARGA可以同时采集和测定PM10和PM2.5的空气样品，过程完全自动，并可进行遥控数据的监控和采集。MARGA是由荷兰能源研究所（Energy research Centre of the Netherlands, ECN）与Metrohm及Applikon共同研制的，是世界唯一获得美国环保署（EPA）ETV认证的在线气体组分及气溶胶离子监测系统。目前，玛伽MARGA已经在美国、欧洲、亚洲的中国、韩国等多国安装并投入实地大气检测，获得大气环保专家的一致肯定。什么是MARGA？Marga是在线监测环境大气中气溶胶和气体中相关无机物浓度的仪器, 真空泵以1m3/h的速度将空气泵入取样箱。放置在进样口的旋风分离器(PM 10 or PM 2.5&mu m)用于对颗粒物(PM)的大小进行筛选。在取样箱中，可溶性气体被旋转式液体气蚀器（WRD）定量吸收。由于气溶胶和气体的扩散速度不同，气溶胶通过WRD并被与WRD连接的蒸汽喷射气溶胶收集器（SJAC）捕获。蒸汽喷射产生过饱和状态，导致水蒸汽凝聚过程的发生。经过凝聚的气溶胶在旋风分离器中与气流分离开。从WRD和SJAC出来的液流被分析箱中的25ml滴定管收集，除气并与内标混合后，被定量地注入阳离子色谱和阴离子色谱。使用浓缩柱可获得更低的检测限。系统以内标物校正，内标物通常为环境空气中不含有的阴阳标准溶液组成。MARGA在线气体组分及气溶胶监测系统▼ 可靠的取样定量装置、回收率高达99.7％▼ 测量精度高，分析周期短（一个小时）▼ 最长可独立运转一周，无需操作人员在场▼ 专业的操作软件，可设置不同的安全级别▼ 可实现远程数据传输和诊断、控制迄今为止，多套玛伽MARGA已经在中国国内多个地点安装并进入实地空气监测：安装在上海环保研究所和上海复旦大学的多套系统，为上海2010年世界博览会大海空气污染监控提供重要参数，并且继续在监控上海空气污染的项目中担任重要角色，特别是对上海阴霾天气研究提供重要和可靠数据。安装在广州和深圳的几套玛伽MARGA，用户为了中国气象局广州热带海洋研究所和深圳气象局，24小时连续监控广州和深圳，包括大亚湾的空气质量。安装在香港的玛伽MARGA，为香港政府环保署，先后在香港理工大学和香港科技大学进行联合空气监控。经实验证明，仪器性能稳定，数据可靠，有效数据超出用户要求，为香港和珠江三角洲空气污染研究和监控提供大量有力的科学依据，获得有关政府专家和环境学者的一致肯定。备注：此产品的价格区间是标准配置，具体产品配置清单和产品报价，烦请联系瑞士万通中国当地销售人员，谢谢。

新产品气体注入系统OmniGIS II，具有一套单端口、气体源注入系统(GIS)。该系统可以允许用户在SEM和FIB里构建纳米结构，以达到以前所未有的精度、速度和可用性。在扫描电镜或聚焦离子束样品室中，气体注入系统(GIS)直接在样品上引入了可控制的流动气体方案。气体与显微镜的电子束或离子束相互作用，可以在材料表面进行刻蚀或沉积。应用范围包括样品制备和纳米焊接，以及采用直写式光刻技术建立纳米结构，从而实现无掩模纳米图案。OmniGIS II，牛津仪器的第二代气体注入系统，具有独特的特性，相比同行业的同类产品，它能使控制水平和准确性达到前所未见的高度。通气口可以自动识别气体源并快速进行气体源更换，同时可以安装三种气体源和另外两种气体。设备采用“流通式”载体的方法能促进高效元素传送并快速处理，并且压力反馈控制会自动调整到大范围真空室压力，以实现高压力下的快速处理或低压力下的高分辨率纳米图案成形。

气体注入系统GIS是FIB-SEM的基本配置之一，它在FIB-SEM中起到两种非常重要的作用，一种是材料沉积功能，一种是辅助刻蚀功能。 Dalex-100气体注入系统提供了截面和TEM样品制备时用于沉积保护的Pt、W和C，用于电路修补的Pt、W和SiO2 ，以及用于提高Si切割速率的XeF2。此外，它可以提供其它特殊前驱气体，用于某些材料的铣削或气体干法蚀刻。

1. 产品概述离子注入机是高压小型加速器中的一种，应用数量最多。它是由离子源得到所需要的离子，经过加速得到几百千电子伏能量的离子束流，用做半导体材料、大规模集成电路和器件的离子注入，还用于金属材料表面改性和制膜等。2. 设备特点单价离子大加速能量≥200keV，并增加减速系统实现单价离子在5keV~200keV的能量范围可用于2、3、4、6、8英寸晶圆以及不规则碎片可注入B、P、As、Al、S、H、Mg、Si离子注入剂量精准度≤1.5%离子注入剂量范围：1×1011 at/cm2～1×1016 at/cm2离子源部分：离子源、离子源气体系统和离子源引出系统离子源系统搭载5套从固体蒸发源产生离子的Vaporizer，温度达700℃，实现固态源的离子注入离子注入倾斜角度在0°和7°室温台：0°和7°；高温台：0°束流调整系统主要包括：质量分析器、束流汇聚系统、加速系统、扫描系统、束流检测和高压绝缘变压器 真空系统主要包括：Ion Source真空系统、Beam Line真空系统、End Station真空系统、真空系统中的真空管件和阀门以及真空检测单元真空度：Ion Source真空度：≤7×10-4PaBeam Line真空度：≤7×10-5PaEnd Station真空度：≤7×10-5Pa

量子和纳米级材料工程的先进平台Q-One&trade 是最先进的聚焦离子束平台，用于先进的器件制造和纳米级材料工程。Q-One具有确定性单离子注入功能，是世界上第一台专门为满足量子研究的苛刻要求而设计的仪器。主要特点：高分辨率质量过滤聚焦离子束确定性单离子检测，检测效率高达98%可选择液态金属或等离子离子源一流的离子选择和广泛的植入物种类飞安级光束电流，可实现精确的单离子事件纳米级精密载物台，可处理高达 6 英寸的晶圆专有的注入和光刻软件确定性植入确定性单离子注入意味着以令人难以置信的精度将单个离子放入底物中，并知道已经发生了注入。Q-One使用超灵敏植入后检测系统技术来检测每次离子撞击时产生的信号。种类繁多Q-One提供广泛的植入元件。液态金属离子源（LMIS）技术在单个源中产生不同元素的多个离子，包括团簇和多电荷物种。有几种合金成分可供选择，包括硅、铒、钕、金和铋。利用我们多年的专业知识，我们确保每个源头都以最佳方式流动，以实现最大的稳定性。单独的等离子体离子源也可用于氢、氮、氧和其他气态元素。应用量子技术嵌入半导体矩阵中的单个杂质原子作为量子比特（量子比特）显示出巨大的前景。单离子注入能够产生大量相同的量子比特阵列，是可重复制造这些和其他量子器件的关键途径。然而，公差是极端的——每个原子必须非常精确地放置，有时距离其邻居只有20纳米。Q-One是唯一针对此应用而设计的工具，其规格针对这些极端要求。应用掺杂纳米材料Q-One不仅限于注入单个离子。将任何所需的离子剂量植入任何位置，甚至可以使用专有软件植入自定义区域或形状。掺杂纳米材料，如纳米线或具有不同元素的量子点，可以改变其性质。Q-One通过允许您靶向单个纳米材料并使用各种掺杂剂探索不同的行为，开辟了一个充满可能性的世界。应用离子光刻Q-One允许用户执行直接写入光刻，就像普通FIB一样，但种类范围更广，离子剂量控制更好。使用铋等重元素进行高效溅射，或使用氢等轻元素进行基于光刻胶的离子光刻，甚至包括单离子事件。如果没有检测每个注入事件的方法，就不可能精确地注入单个离子。系统提供速度和可扩展性，不需要复杂的预制。因此，您可以不受阻碍地选择植入物种类和目标材料。

三为科技致力于高压中压化学注入泵开发，为美国仪器公司提供高压化学注入泵OEM方案，是国内少数能生产高精度低脉冲耐腐蚀流体高压注入泵的高科技企业。产品广泛应用于化工、环境、质检、石化、生命科学、食品、制药、精细化工、能源工业、高分子、制造业、材料化学、蛋白组学、食品饮料、化妆品等领域。高压化学注入泵(50ml泵头30Mpa)产品特点：流量精度高 运用微处理器控制、双驱动的平行泵头设计，溶剂压缩补偿，多点流量曲线校正技术，实现从低流速到高流速的宽动态范围内的高精度流体输送；梯度设计 高压输液泵运用全新梯度设计，通过将等度、线性和阶梯梯度进行组合，衍生出无数具有不同形状的梯度曲线，极大增加您的分离条件；压力脉冲低 采用凸轮曲线补偿和流量脉冲电子抑制技术，有效控制流体压力脉冲；质量优异 浮动柱塞设计，减少高压密封圈的磨损，提高 密封圈的使用寿命，凸轮传动设计，瑞士原装进口单向阀，品质保证，故障率低；操作界面人性化 内置10个用户程序，可实现流量、梯度编程，人性化的人机界面；反控程序 泵的计算机反控通讯协议是开源的，你也可以使用其它常用的工作站控制泵的操作；高压化学注入泵(50ml泵头30Mpa)技术参数： 序号描述指标1输液方式双柱塞并联模式，浮动柱塞设计2流量范围0.01-50.00/min3增量0.01ml/min4流量准确度± 0.5%5流量重复性≤ 0.1%6压力范围≤ 30Mpa7压力脉动≤ 0.2Mpa8流路材料316L不锈钢、红宝石、PTFE、陶瓷9管路链接1/16"标准管路链接10显示参数256*64点液晶显示，自发光显示屏11控制方式手动面板控制或计算机反控12电源85 ～ 264VAC,50Hz13尺寸370×240×152 mm3 更多高压输液泵、色谱泵、中压平流泵、恒流泵、化学注入泵、注射泵近40个型号详见官网流量：10ml/min----10000ml/min 压力范围：2Mpa---42Mpa材料：不锈钢泵、钛泵、聚四氟泵（PTFE泵）、PCTFE泵、哈氏合金泵、peek泵输送方式：恒压输送液体 恒流输送液体

一、公司介绍法国IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务，并不断升级和提高在该领域的技术水平。创始人是来自法国军方的技术专家，在其带领下，整个技术团队对技术更新的热忱与努力，严谨低调的作风保证了设备的高质量和超强的稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。二、IMC 200离子注入机技术指标应用：主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。 注入晶圆尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不规则小片，最小可注入1cm2的样品。注入能量范围：20-200KeV 可升级到最小3KeV或二价/三价离子，注入能量400/600Kev 注入角度：0°、7°，可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°注入剂量范围：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2注入均匀性：片间1o1.0%(注入条件:1000A氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1xE14 at/cm2) 真空度：离子源:2xE-6mbar(2xE-4Pa) 束流管:7xE-7 mbar(7xE-5Pa) 靶室:7xE-7 mbar(7xE-5Pa):离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵 束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。 最大注入束流：11B单价离子:600μA 31P单价离子:1500μA 75As单价离子:1500μA。(注入条件:6英寸晶圆，注入能量120KeV-200KeV)。气路系统：含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。软件功能：包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。三、PULSION离子注入机技术指标 优势：3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制 可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低 独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理 能够以较小的占地面积处理大型部件 工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高 可按照用户要求定制 有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺 工艺可编辑，参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。原理：把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。应用：改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳 提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能 改变表面理化性能如表面能、粘附性等 提高生物相容性 逸出功工程 加氢，吸气 用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构加速电压：1 kV-10kV标准注入电流：5 mA-100 mA (N2)标准注入时间：30 min -3 h 可注入选项：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...注入部件尺寸：400 mmx400 mmx200 mm辐射：在任意外部屏蔽点10cm处，辐射值0.6μSv/h1注入剂量范围：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2腔室idle气压：5xE-6 mbar设备尺寸：1.6x2.15x2.3m(标准型) 2.15x2.15x2.3m(加大型)

一、公司介绍法国IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务，并不断升级和提高在该领域的技术水平。创始人是来自法国军方的技术专家，在其带领下，整个技术团队对技术更新的热忱与努力，严谨低调的作风保证了设备的高质量和超强的稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。二、IMC 200离子注入机技术指标应用：主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。 注入晶圆尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不规则小片，最小可注入1cm2的样品。注入能量范围：20-200KeV 可升级到最小3KeV或二价/三价离子，注入能量400/600Kev 注入角度：0°、7°，可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°注入剂量范围：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2注入均匀性：片间1o1.0%(注入条件:1000A氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1xE14 at/cm2) 真空度：离子源:2xE-6mbar(2xE-4Pa) 束流管:7xE-7 mbar(7xE-5Pa) 靶室:7xE-7 mbar(7xE-5Pa):离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵 束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。 最大注入束流：11B单价离子:600μA 31P单价离子:1500μA 75As单价离子:1500μA。(注入条件:6英寸晶圆，注入能量120KeV-200KeV)。气路系统：含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。软件功能：包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。三、PULSION离子注入机技术指标 优势：3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制 可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低 独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理 能够以较小的占地面积处理大型部件 工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高 可按照用户要求定制 有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺 工艺可编辑，参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。原理：把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。应用：改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳 提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能 改变表面理化性能如表面能、粘附性等 提高生物相容性 逸出功工程 加氢，吸气 用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构加速电压：1 kV-10kV标准注入电流：5 mA-100 mA (N2)标准注入时间：30 min -3 h 可注入选项：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...注入部件尺寸：400 mmx400 mmx200 mm辐射：在任意外部屏蔽点10cm处，辐射值0.6μSv/h1注入剂量范围：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2腔室idle气压：5xE-6 mbar设备尺寸：1.6x2.15x2.3m(标准型) 2.15x2.15x2.3m(加大型)

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点： 精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。 4 技术参数和特点： &bull 基板尺寸：Max200mm枚叶式可对应薄片Wafer&bull 非质量分离机的对比优点1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备2)相比过去约一半的低价3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点：精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。4 技术参数和特点：可适用于晶圆尺寸8inch等，搭载了可对应不定形基板的台板。离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。可大范围对应从试作到量产的各类需求。

1 产品概述: 离子注入设备，又称为离子注入机，是半导体制造中的关键设备之一。它通过将可控数量的离子（如硼、磷、砷等）加速并注入到半导体材料（如硅片）的特定区域，以改变其电学性能，实现掺杂的目的。离子注入技术具有精确控制掺杂深度、浓度和横向分布的能力，是现代集成电路制造中不可或缺的一环。离子注入设备主要由离子源、离子引出和质量分析器、加速管、扫描系统和工艺腔等部分组成。离子源负责产生所需的离子，经过质量分析器筛选后，由加速管加速至几百千电子伏特的能量，最后通过扫描系统均匀地注入到硅片表面。工艺腔则提供了一个真空环境，确保离子注入过程的顺利进行。2 设备用途：离子注入设备在半导体制造领域具有广泛的用途，主要包括以下几个方面：集成电路制造：在制造集成电路的过程中，离子注入技术用于形成晶体管的源极、漏极和沟道等关键区域，以及实现电路的隔离和互联。金属材料表面改性：通过离子注入技术，可以在金属材料表面形成一层具有特殊性能的改性层，如提高耐磨性、耐腐蚀性和硬度等。薄膜制备：离子注入技术还可以用于制备具有特定性能的薄膜材料，如超导薄膜、光学薄膜等。3 设备特点离子注入设备具有以下几个显著特点： 精确控制：离子注入技术可以精确控制掺杂离子的种类、数量、深度和横向分布，满足集成电路制造中对掺杂精度的极高要求。低温处理：与传统的热扩散工艺相比，离子注入技术可以在较低的温度下进行，避免了高温处理对半导体材料性能的影响。广泛应用：离子注入技术不仅应用于半导体制造领域，还扩展到金属材料表面改性、薄膜制备等多个领域。4 技术参数和特点：基板尺寸：Max200mm大能量：2400 keV枚叶式可对应薄片Wafer平行Beam

百及纳米ParcanNano 单离子注入系弘SII（纳米级定位单离子注入系统SII） 单离子注入系统（纳米级定位单离子注入系统SII）产品简介公司中德技术团队家研发了一款基于新型扫描探针精准定位的离子注入 系统，能有效控制注入半导体器件的杂质种类、数量和位置，实现多种离 子（如 H、N、O、Si、P、B、As、Te、Ar 等）的精准定位定量掺杂注入。该 系统可以满足量子比特阵列,金刚石中的氮空位中心（NV 色心）以及单原子 器件的工艺精度要求，研制的设备可用于探索纳米结构器件、量子比特系 统和量子信息处理器电路的开发。 公司的一项革 命性发明专利，解决了注入离子由于晶格散射带来的位置 不确定性问题，颠覆性地将注入离子在晶体中位置的误差缩减到 10nm 以 下，实现纳米级精确定位注入掺杂离子。技术特点：• 精准确定位定量离子注入• 针尖悬臂上的小孔小于50nm• 锥形电场稀释和准直离子束• 横向电场形成离子闸门应用领域：• 功能材料定位掺杂• 纳米尺度功能器件制备• 固态量子信息技术相关图片

法国IBS IMC210中束流离子注入机 离子注入机由离子源、质量分析器、加速器、四级透镜、扫描系统和靶室组成，可以根据实际需要省去次要部位。离子源是离子注入机的主要部位，作用是把需要注入的元素气态粒子电离成离子，决定要注入离子的种类和束流强度。离子源直流放电或高频放电产生的电子作为轰击粒子，当外来电子的能量高于原子的电离电位时，通过碰撞使元素发生电离。碰撞后除了原始电子外，还出现正电子和二次电子。正离子进入质量分析器选出需要的离子，再经过加速器获得较高能量，由四级透镜聚焦后进入靶室，进行离子注入。 离子注入机是集成电路制造前工序中的关键设备，离子注入是对半导体表面附近区域进行掺杂的技术，其目的是改变半导体的载流子浓度和导电类型。离子注入与常规热掺杂工艺相比可对注入剂量、注入角度、注入深度、横向扩散等方面进行精确的控制，克服了常规工艺的限制，提高了电路的集成度、开启速度、成品率和寿命，降低了成本和功耗。离子注入机广泛用于掺杂工艺，可以满足浅结、低温和精确控制等要求，已成为集成电路制造工艺中必不可少的关键装备。 特点：l精确控制离子束流l精确控制加速电压l占地小, 操作简单, 运行成本低l特别适合于研发应用l适用于4”~6”晶片，最小可用于1*1cm2样品（室温）l4”热注入模式，最高温度可达600度l2个带有蒸发器的Freeman离子源，可使温度达750度l1个Bernas离子源l非凡的铝注入能力l一个主气箱，配有4个活性气体管路；一个副气箱，配有4个中性气体管路l高价样品注入能力l注入角0~15度lIBS特有的矢量扫描系统l手动装载/卸载用于标准注入和热注入，自动25片cassette 装载用于标准腔室l远程操作控制接触屏（5米链接线缆）l辐射低于0.6usv/hour 工艺性能

一、公司介绍法国IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务，并不断升级和提高在该领域的技术水平。创始人是来自法国军方的技术专家，在其带领下，整个技术团队对技术更新的热忱与努力，严谨低调的作风保证了设备的高质量和超强的稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。二、IMC 200离子注入机技术指标应用：主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。 注入晶圆尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不规则小片，最小可注入1cm2的样品。注入能量范围：20-200KeV 可升级到最小3KeV或二价/三价离子，注入能量400/600Kev 注入角度：0°、7°，可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°注入剂量范围：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2注入均匀性：片间1o1.0%(注入条件:1000A氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1xE14 at/cm2) 真空度：离子源:2xE-6mbar(2xE-4Pa) 束流管:7xE-7 mbar(7xE-5Pa) 靶室:7xE-7 mbar(7xE-5Pa):离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵 束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。 最大注入束流：11B单价离子:600μA 31P单价离子:1500μA 75As单价离子:1500μA。(注入条件:6英寸晶圆，注入能量120KeV-200KeV)。气路系统：含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。软件功能：包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。三、PULSION离子注入机技术指标 优势：3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制 可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低 独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理 能够以较小的占地面积处理大型部件 工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高 可按照用户要求定制 有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺 工艺可编辑，参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。原理：把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。应用：改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳 提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能 改变表面理化性能如表面能、粘附性等 提高生物相容性 逸出功工程 加氢，吸气 用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构加速电压：1 kV-10kV标准注入电流：5 mA-100 mA (N2)标准注入时间：30 min -3 h 可注入选项：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...注入部件尺寸：400 mmx400 mmx200 mm辐射：在任意外部屏蔽点10cm处，辐射值0.6μSv/h1注入剂量范围：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2腔室idle气压：5xE-6 mbar设备尺寸：1.6x2.15x2.3m(标准型) 2.15x2.15x2.3m(加大型)

一、公司介绍法国IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务，并不断升级和提高在该领域的技术水平。创始人是来自法国军方的技术专家，在其带领下，整个技术团队对技术更新的热忱与努力，严谨低调的作风保证了设备的高质量和超强的稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。二、IMC 200离子注入机技术指标应用：主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。 注入晶圆尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不规则小片，最小可注入1cm2的样品。注入能量范围：20-200KeV 可升级到最小3KeV或二价/三价离子，注入能量400/600Kev 注入角度：0°、7°，可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°注入剂量范围：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2注入均匀性：片间1o1.0%(注入条件:1000A氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1xE14 at/cm2) 真空度：离子源:2xE-6mbar(2xE-4Pa) 束流管:7xE-7 mbar(7xE-5Pa) 靶室:7xE-7 mbar(7xE-5Pa):离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵 束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。 最大注入束流：11B单价离子:600μA 31P单价离子:1500μA 75As单价离子:1500μA。(注入条件:6英寸晶圆，注入能量120KeV-200KeV)。气路系统：含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。软件功能：包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。三、PULSION离子注入机技术指标 优势：3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制 可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低 独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理 能够以较小的占地面积处理大型部件 工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高 可按照用户要求定制 有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺 工艺可编辑，参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。原理：把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。应用：改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳 提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能 改变表面理化性能如表面能、粘附性等 提高生物相容性 逸出功工程 加氢，吸气 用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构加速电压：1 kV-10kV标准注入电流：5 mA-100 mA (N2)标准注入时间：30 min -3 h 可注入选项：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...注入部件尺寸：400 mmx400 mmx200 mm辐射：在任意外部屏蔽点10cm处，辐射值0.6μSv/h1注入剂量范围：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2腔室idle气压：5xE-6 mbar设备尺寸：1.6x2.15x2.3m(标准型) 2.15x2.15x2.3m(加大型)

1 产品概述: SiC用高温离子注入设备，如爱发科（Ulvac）公司推出的IH-860DSIC，是专为SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火技术难题设计的专用设备。该设备搭载了高温ESC（静电吸附卡盘），能够在高温环境下实现高能粒子的连续注入，有效解决了SiC晶圆在离子注入过程中易产生结晶缺陷的问题。2 设备用途： SiC用高温离子注入设备主要用于SiC功率器件（如SiC-SBD和SiC-MOSFET）的生产工艺中，特别是在离子注入和激活退火环节。通过该设备，可以实现高温下的高能离子注入，控制注入离子的浓度和深度，从而改善SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性。这对于提升SiC功率器件的性能和可靠性至关重要。3 设备特点 高温处理能力：设备能够在500℃的高温下进行离子注入，有效控制SiC晶圆在注入过程中产生的结晶缺陷。 高能粒子注入：支持高能量的离子注入，如1价离子可注入至350keV（Option: 430keV），2价离子可注入至700keV（Option: 860keV），满足SiC晶圆对注入能量的高要求。 高吞吐量：通过采用可调温的静电吸盘和双工位系统结构，实现了晶圆在真空腔内的连续更换和高温处理，将吞吐量提升至30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），满足量产需求。 自动化与智能化：设备具备自动连续高温处理注入的功能，减轻了操作员的负担，同时提高了生产效率和一致性。 4 技术参数和特点：&bull 可实现自动连续高温处理注入&bull 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV（Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）&bull 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能；（A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）&bull 可减轻操作员的负担，紧凑式设计&bull 可大范围对应从试作到量产的各类需求

车载电子BCI大电流注入测试系统BCI-4012产品简介BCI-4012大电流注入测试系统完全符合ISO11452-4标准，并且支持开环测试法与闭环测试法，100kHz的起始频率，足以满足全球车企的测试要求，内置3通道功率计，可利用定向耦合器实时监测正向及反向功率，中英文界面测试软件，设计上更符合中国人的操作习惯。 符合标准ISO11452-4 GB/T17619 GB/T33014.4 技术特点■ 上位机控制，标配中英文版专业测试软件，功能完整，可扩展性好；■ 功率计及电流注入和校准探头均为国际知名厂商配套产品，测试准确性有保证； ■ 全系统频率范围：100kHz～400MHz，可扩展到100kHz~1GHz； ■ 内置信号源频率范围：9kHz～3GHz；■ 内置功率放大器频率范围：100kHz～400MHz，125W可选，可扩展到100kHz~1GHz；■ 内置功率计：9kHz～3GHz；■ 全自动校准，全自动测试及测试过程中输出功率监测；■ 可外部扩展测试，支持开环注入法和闭环测试法。 技术参数规格型号BCI-4012测试电流开环法测试（替代法测试）≥300mA，闭环法测试≥200mA输出阻抗50Ω电压驻波比≤1.2信号源频率9kHz～3GHz输出电平-60～10dBm非调制信号连续波调制模式幅度调制: 调制频率：0.1Hz～500kHz 调制深度：0～100%脉冲调制: 调制频率：0.1Hz～20kHz 占空比： 1～100%功率放大器输出频率 100kHz～400MHz（可扩展至1GHz）最大输出功率125W（线性功率）谐波＜15dBc功率计输入频率9kHz～3GHz输入功率-40dBm～+30dBm系统整体配置软件支持Windows 系统控制接口USB输出接口N型接头尺寸19' ' /4U重量40kg

一、产品简介对于部分波段（主要是短波端），目前没有合适的TA芯片可供选择；可采用注入锁定放大器来实现较高功率输出。注入锁定激光器包括一个种子激光和一个腔式放大器，要求放大腔和种子腔相互锁定。MOGLabs ILA系列注入锁定放大器采用了自行开发的自动跟踪技术，避免了温度、准直或电流的微小变化导致的失锁。ILA为短波长原子冷却提供了紧凑、低成本的方案，替代造价高昂、体积巨大的二倍频固体激光器；同时，ILA输出光束质量优于TA放大器。二、特性和应用特性l波长范围：370 ~ 1080nml最高功率可达1W，取决于所需波长l高稳定性线切割挠性装载机构，简便优化调节l用户可更换放大芯片l像散矫正透镜选项l多级光隔离器l单模光纤耦合输出l双光束输出（自由光或光纤）l集成光束整形，降低椭圆度应用l激光冷却与陷俘l玻色-爱因斯坦凝聚l陷俘离子量子计算l量子光学：压缩光场l场致透明与满光速l时间频率基准l精密测量l精密激光光谱l物理教学研究如有其它需求，请联系我们。

产品信息受益于包括光收集或注入模式的多功能系统。揭示样品的前所未有的特征：成分、 结构或缺陷。充分利用具有大收集角度的优化系统。 激发样品以揭示光/热激发下的局部行为。产品优点如下：a、独立于样品架的镜子，可实现完美和优化的对准b、绝对编码系统，确保高对准精度和再现性（100nm精度）c、能够在自由空间或通过光纤注入/收集光产品还有如下特点：1、光收集模式：a、独特的抛物面收集镜，设计用于安装极靴间隙小至4.5mm；b、具有亚微米精度的定位系统，用于将镜子与样品完美对齐；c、 NA0.4的高曲率抛物面镜；d、工作距离减小到300µ m，以最大化光收集/注入效率；e、 专利不对称光纤，旨在保持亮度和光谱分辨率。f、 使用了一种非对称光纤，光纤束从圆形到平行于成 像光谱仪的入口狭缝重新排列。这使得即使当狭缝展开并 且光斑由于扫描而在狭缝的入口处移动时，也能够保持恒 定的光谱分辨率。2、光注入模式：a、对于样品的局部光或热激发，光束尺寸减小到几微米；b、能够同时进行注入和光收集测量。3、STEM兼容性: a、 和大部分的(S)TEM型号兼容 : JEOL, TFS/FEI, Hitachi, Nion VG… b、极靴距离 : 最小 4.5mm c、PPG平面中有一个可用端口产品参数 镜子1、专有抛物面反射镜 ；2、厚度：2.0 mm（根据要求提供其他厚度）；3、光收集和注入模式兼容 ；4、样品至镜面距离：300µ m ；5、镜子反射性能：从200nm到1.7µ m，高达90%。 微定位系统1、行程: 30mm (X), +/-1.5mm (Y), +/-1.5mm (Z) ；2、自动伸缩式镜子 ；3、精度为300nm的绝对编码器 ；4、样品台触碰报警，以避免损坏极靴或样品架；5、外形尺寸161mm x 210mm x 133 mm与Thorlabs笼式系统兼容。 光收集注入接头1、带适配插入槽的光纤 ；2、自由空间，以避免空间相干性损失和信号功率密度下降，在两种模式之间切换仅需要几秒钟。 系统控制1、外部扫描卡，4个输入（12位），用于附加单通道探测器 （PMT…）；2个输出，用于控制STEM扫描；1输出，用于光束阻断器。2、最快测量速度：900Hz（128x128图像用时18s） 软件1、臂/镜控制软件（Windows10或更高版本，64位）；2、Gatan Digital Micrograph的采集/可视化模块 ；3、可选项：Python API加密。 选配件 色散光谱仪：1、两个成像出口 (320 mm 焦距) 2、多种光栅转台 检测器1、高速紫外可见光CCD相机 (200 nm–1100 nm) ；2、InGaAs近红外相机(900 nm–1700 nm)；3、全色检测器 (PMT 200 nm–900 nm)。应用领域1、电子 & 光电子 (GaN, InP, SiC...) 2、光伏电池 (GaAs, CdTe, Perovskites…) 3、发光二极管 (LEDs) 4、2D材料(Graphene, BN, WS2, diamond…) 5、贵金属(plasmonic) 6、光子晶体7、量子阱 & 量子点8、矿物、玻璃、陶瓷和宝石9、无机涂层10、有机物, 聚合物样品

真空注入机 VEU简介真空注入机用于对多孔性及脆性岩样进行粘合剂的注入，以填充其孔隙，裂缝，并防止岩样的二次断裂。参数旋转圆盘直径： 200mm标准模具数量： 10重量： 20kg整体尺寸： 440x300x450mm腔室尺寸： 200φx150mm(Height)电源： 220V，50/60Hz

一、公司介绍法国IBS公司（IBS INFORMATION）成立于1987年，一直致力于离子注入领域的研发、设计制造与服务，并不断升级和提高在该领域的技术水平。创始人是来自法国军方的技术专家，在其带领下，整个技术团队对技术更新的热忱与努力，严谨低调的作风保证了设备的高质量和超强的稳定性。产品有多种型号包括低能注入、中束流注入和高能注入，IBS更具有按照客户要求设计定制的能力。二、IMC 200离子注入机技术指标应用：主要用于半导体微电子衬底材料掺杂，晶圆上注入B、P、As等元素，并且具备注入A1、H、N、He、Ar等其他元素功能。 注入晶圆尺寸：6英寸，兼容2-5英寸、不规则小片，最小可注入1cm2的样品。注入能量范围：20-200KeV 可升级到最小3KeV或二价/三价离子，注入能量400/600Kev 注入角度：0°、7°，可通过手动更换夹具的方式改变注入角度0°-45°注入剂量范围：1xE11 at/cm2至1xE18 at/cm2注入均匀性：片间1o1.0%(注入条件:1000A氧化层，11B，注入能量100KeV，注入剂量1xE14 at/cm2) 真空度：离子源:2xE-6mbar(2xE-4Pa) 束流管:7xE-7 mbar(7xE-5Pa) 靶室:7xE-7 mbar(7xE-5Pa):离子源真空系统初真空泵为化学干泵，高真空泵为涡轮分子泵 束流管及终端真空系统初真空泵为干泵，高真空泵为冷泵。 最大注入束流：11B单价离子:600μA 31P单价离子:1500μA 75As单价离子:1500μA。(注入条件:6英寸晶圆，注入能量120KeV-200KeV)。气路系统：含5路气体:BF3、PH3、AsH3、Ar及N2，所有气路系统都集成在机器里面能实时监控离子源气体消耗以及具备气瓶终点探测技术。软件功能：包括但不限于:权限管理、参数管理、手动控制、实时数据、数据记录、报警管理等。软件可根据需求免费更新升级。三、PULSION离子注入机技术指标 优势：3D浸没式全方位离子注入，不受形状、大小、表面状态限制 可靠性高，气体消耗量低，易于维护，成本低 独特的脉冲等离子体配置和偏振技术，所需能量低，电流输入输出能力高，工艺稳定性高，可以实现保形处理 能够以较小的占地面积处理大型部件 工艺时间短:工艺时间与待注入的机械部件的大小无关，即使要求的注入量非常高 可按照用户要求定制 有全自动、工程和手动模式，工程和手动模式下可人为控制单步骤工艺 工艺可编辑，参数可监测、控制和记录，可查看报警历史。原理：把要处理的部件放在真空室中的夹具上，并完全浸入待注入离子电离形成的高密度等离子体中。当夹具在脉冲电压模式下被偏置到负电压时，开始注入。应用：改善表面机械性能，减少磨损、摩擦力和金属疲劳 提高表面耐腐蚀、耐化学、耐高温性能 改变表面理化性能如表面能、粘附性等 提高生物相容性 逸出功工程 加氢，吸气 用于高级存储器和硅基光电学的纳米沉淀和纳米结构加速电压：1 kV-10kV标准注入电流：5 mA-100 mA (N2)标准注入时间：30 min -3 h 可注入选项：N，C,O, Ar, H, He, F, Ge, Si...注入部件尺寸：400 mmx400 mmx200 mm辐射：在任意外部屏蔽点10cm处，辐射值0.6μSv/h1注入剂量范围：1xE14 at/cm2至1xE18 at/cm2腔室idle气压：5xE-6 mbar设备尺寸：1.6x2.15x2.3m(标准型) 2.15x2.15x2.3m(加大型)

产品负责人：姓名：魏工(David)电话：（微信同号）邮箱：MOGLabs开发了一种用于法布里-珀罗(FP)激光二极管稳定注入锁定的新技术。注入锁定传统上一直受到对环境漂移极度敏感的困扰:温度、对准或电流的微小变化都可能导致从二极管漂移出锁。我们开发了一个自动跟踪系统，可以持续监控激光，并对从二极管电流进行微小调整，以保持锁定。与我们的稳定种子激光器相结合，ILA注入锁定放大系统可提供超过1W@461nm和400mW@399nm分别用于Sr冷却和Yb原子冷却。这些系统提供了一个紧凑和低成本昂贵SHG系统替代品，且光束质量优于TA系统。我们已经证明了的注入锁定系统: 370nm/100mW (Yb+)399nm/400mW (Yb)461nm/1000mW (Sr)496nm/200mW (Ba+)509nm/300mW (Cs Rydberg)689nm/100mW (Sr MOT)698nm/100mW (Sr clock)典型特征：波长范围：370-1080nm输出功率可达1W，取决于波长高稳定性线切割柔性对准与简单的优化程序用户可自行置换的奴隶二极管像散校正可选项：多级光学隔离单模输出光纤耦合双光束输出(自由空间或光纤耦合)集成光束整形，减少散光多功能平台提供多种配置 请与MOGLabs联系，以获得关于这种新的经济有效的替代方案的更多信息。

Ulvac公司现已投产的可用于SiC元件量产的离子注入设备 针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。 日本UlVAC爱发科，公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”。吞吐量为30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），“现已得到元件厂商的充分肯定，完全可用于量产”（Ulvac公司）。面向SiC元件量产的离子注入设备“为业界首例”（Ulvac公司），希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。 可在真空腔中连续更换晶圆 面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发，吞吐量较低，每天仅有几枚，不适合量产。吞吐量之所以较低，是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比，SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷，注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温，在控制结晶缺陷产生的同时，注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上，因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。 此次通过给设备配备可调温的静电吸盘（Electrostatic Chuck），解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力，将晶圆吸附到晶圆座上，能够在真空腔内连续更换晶圆。另外，通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构，能够一边向一个晶圆进行离子注入，一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此，将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。 实现了支持SiC的高注入能量 此次的设备除吞吐量之外，还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆，注入离子时在使晶圆保持高温的同时，还需要加大注入能量。其原因在于，在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散，因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了最大700keV，达到了量产所要求的水平。 离子注入设备SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC 搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 可实现自动连续高温处理注入• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV （Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）• 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能； （A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）• 可减轻操作员的负担• 紧凑式设计• 可大范围对应从试作到量产的各类需求产品应用 / Product application• 对应SiC的离子注入装置。

Ulvac公司现已投产的可用于SiC元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC” 针对SiC功率器件工艺制程中离子注入和激活退火的技术难题，利用爱发科公司自行设计并开发的高温离子注入设备（ULVAC，IH-860DSIC）、碳膜溅射设备（ULVAC，SME-200）和高温激活退火设备（ULVAC，PFS-6000-25）。通过计算模拟、AFM对比结果、Hall电阻测定和RHEED图像分析等表征手段，研究了高温高能多步注入、碳膜覆盖技术和退火温度分别对SiC器件的物理特性、表面特性及电学特性的影响。结果表明，采用500℃A1离子注入浓度为5×10^18cm^-3、20nm厚碳膜溅射技术和1700～2000℃激活退火技术，能够实现具有良好表面特性和电学特性的P型SiC掺杂工艺。设备的稳定性已在多条SiC生产线上用于制造SiC—SBD器件和SiC．MOSFET器件完成工艺验证。 日本UlVAC爱发科，公司现已推出可用于使用SiC晶圆的家电和汽车功率元件量产的离子注入设备“IH-860DSIC”。吞吐量为30枚/小时（支持直径为75mm-150mm的晶圆），“现已得到元件厂商的充分肯定，完全可用于量产”（Ulvac公司）。面向SiC元件量产的离子注入设备“为业界首例”（Ulvac公司），希望得到那些计划2006年以后开始SiC元件量产的功率元件厂商的采用。 可在真空腔中连续更换晶圆 面向SiC元件的离子注入设备过去一直在由各设备厂商进行开发，吞吐量较低，每天仅有几枚，不适合量产。吞吐量之所以较低，是因为无法在腔内连续更换晶圆。与硅晶圆相比，SiC晶圆容易因离子注入而产生结晶缺陷，注入离子时需要将晶圆温度维持在500℃的高温，在控制结晶缺陷产生的同时，注入离子。过去一直都是手工将晶圆固定在可调温的晶圆座上，因此更换晶圆时需要在腔内进行放气。 此次通过给设备配备可调温的静电吸盘（Electrostatic Chuck），解决了上述问题。静电吸盘就是利用静电作用力，将晶圆吸附到晶圆座上，能够在真空腔内连续更换晶圆。另外，通过采用可在2个晶圆座上配置SiC晶圆的系统结构，能够一边向一个晶圆进行离子注入，一边同时给另一个晶圆座进行升温作业。由此，将吞吐量提高到了30枚/小时这种适用于量产的水平。 实现了支持SiC的高注入能量 此次的设备除吞吐量之外，还克服了量产所需的另一个条件。作为SiC晶圆，注入离子时在使晶圆保持高温的同时，还需要加大注入能量。其原因在于，在离子注入完成后为消除结晶缺陷而进行退火处理时离子不易扩散，因此注入时需要给底板的表面至深处都注入离子。此次的设备将注入能量由过去的约400keV提高到了最大700keV，达到了量产所要求的水平。 离子注入设备SiC用高温离子注入设备 IH-860DSIC 搭载了高温ESC（静电吸附卡盘）的面向SiC量产用的高能粒子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 可实现自动连续高温处理注入• 1价离子可注入至350keV、2价离子可注入至700keV （Option：1价离子可注入至430keV、2价离子可注入至860keV）• 通过Dual-End-Station（双工位）实现高产能； （A系4"高温ESC/B系3"高温ESC、A系6"高温ESC/B系6"常温ESC等等，可配合客户的希望就行规格配置）• 可减轻操作员的负担• 紧凑式设计• 可大范围对应从试作到量产的各类需求 产品应用 / Product application• 对应SiC的离子注入装置。 研究开发用中电流离子注入设备IMX-3500中电流离子注入装置IMX-3500为最大能量200keV、对应最大晶圆尺寸8inch的离子注入装置，适用于大学等机构的研究开发。 产品特性 / Product characteristics• 最大晶圆尺寸8inch，搭载了可对应不定形基板的台板。• 离子源，除Gas source之外，另外可以使用安全方面更容易处理的B、P、As离子等固体蒸发源。• HV terminal的部分，与量产装置是同样的构成，可确保高信赖性。 产品应用 / Product application • 教育、研究开发等 高能对应离子注入设备SOPHI-400最大可对应至2400KeV的高能离子注入装置。 产品特性 / Product characteristics• 枚叶式• 可对应薄片Wafer• 平行Beam产品应用 / Product application • 功率器件相关薄片基板工艺、IGBT工艺可对应低速高浓度的离子注入设备SOPHI-30低加速、高浓度对应的离子注入设备。 产品特性 / Product characteristics• 枚叶式• 可对应薄片• 非质量分离机的对比优点 1)对应低加速.高浓度的好产能离子注入设备 2)相比过去约一半的低价 3)相比过往设备占用面积为1/3的紧凑型设计 产品应用 / Product application• Power Device等薄片基板工艺、IGBT工艺 产品参数 / Product parameters • 基板尺寸：Max200mm

Double Laser Microscope Station双束激光显微镜平台——for ic security evaluation - fault injection用于芯片安全评估 - 故障注入

三为科学锂电池电解液注入用高压计量泵、恒压高压柱塞泵，公司高压柱塞泵技术采用溶剂压缩补偿、浮动柱塞、多点流量曲线校正、凸轮曲线补偿和流量脉冲电子抑制技术，sanotac系列高压柱塞泵具有高精度、压力稳定、耐强酸强碱腐蚀等优点，产品线覆盖从实验室到工业级别含不锈钢泵、聚四氟泵、哈氏合金泵、纯钛泵、peek泵，三为科学产品广泛应用于化工、石化、生命科学、食品、制药、精细化工、能源工业、高分子、制造业、材料化学、等领域。三为科学可提供的泵种类 共计90个型号：SS316L高压柱塞泵(0.001-10000ml/min，0-42mpa，10种型号) PEEK高压柱塞泵(0.001-1000ml/min，0-30mpa，8种型号)纯钛高压柱塞泵（0.001-1000ml/min，0-42mpa，8种型号)哈氏合金高压柱塞泵（0.001-1000ml/min，0-30mpa，7种型号)氟树脂中压柱塞泵（0.001-100ml//min，0-2mpa，3种型号）恒压恒流双模输液泵（0.001-1000ml//min，0-42mpa，7种型号）防爆柱塞泵（0.001-100ml//min，0-42mpa，3种型号）微型高压柱塞泵（0.001-100ml//min，0-42mpa，3种型号）FLASH旋钮高压柱塞泵（0.01-200ml//min，0-30mpa，3种型号）MP系列中压柱塞泵（0.1-200ml//min，0-20mpa，12种型号）MPK系列中压柱塞泵（0.1-200ml//min，0-10mpa，10种型号）MPT系列中压柱塞泵（0.1-200ml//min，0-10mpa，12种型号）MPF系列中压柱塞泵（0.1-200ml//min，0-2mpa，4种型号） DJ1020高压柱塞泵(100ml泵头20Mpa)产品特点：流量精度高 运用微处理器控制、双驱动的平行泵头设计，溶剂压缩补偿，多点流量曲线校正技术，实现从低流速到高流速的宽动态范围内的高精度流体输送；梯度设计 高压输液泵运用全新梯度设计，通过将等度、线性和阶梯梯度进行组合，衍生出无数具有不同形状的梯度曲线，极大增加您的分离条件；压力脉冲低 采用凸轮曲线补偿和流量脉冲电子抑制技术，有效控制流体压力脉冲；质量优异 浮动柱塞设计，减少高压密封圈的磨损，提高 密封圈的使用寿命，凸轮传动设计，瑞士原装进口单向阀，品质保证，故障率低；操作界面人性化 内置10个用户程序，可实现流量、梯度编程，人性化的人机界面；反控程序 泵的计算机反控通讯协议是开源的，你也可以使用其它常用的工作站控制泵的操作； DJ1020高压高精度双柱塞输液泵(100ml泵头20Mpa)技术参数： 序号描述指标1输液方式双柱塞并联模式，浮动柱塞设计2流量范围0.01-100.00/min3增量0.01ml/min4流量准确度± 0.5%5流量重复性≤ 0.1%6压力范围≤ 20Mpa7压力脉动≤ 0.2Mpa8流路材料316L不锈钢、红宝石、PTFE、陶瓷9管路链接1/16"标准管路链接10显示参数256*64点液晶显示，自发光显示屏11控制方式手动面板控制或计算机反控12电源85 ～ 264VAC,50Hz13尺寸370×240×152 mm3

JL-A301 休止角（安息角）测试仪产品介绍JL-A301安息角/休止角测试仪 粉体物性测试仪器，采用注入限定底面法测定粉尘休止角，操作方便，经久耐用。满足国家标准GB/T 16913-2008/GB和GT /T 31057.3-2018。产品参数项目JL-A301参数符合标准GB/T 16913-2008GB/T 31057.3-2018漏斗锥度60°±0.5°60°±0.5°60°±0.5°漏斗出口直径5mm（可定制10mm）5mm10mm接粉盘直径80mm80mm80mm漏斗与粉盘高度80mm°±2mm80mm°±2mm80mm°±2mm量角器10cm7.5cm-10cm/塞棒不锈钢材质//测试原理将粉末颗粒材料从一定高度通过漏斗落在水平的金属板上，形成一个圆锥体，测量圆锥体的锥面和底面的夹角，可得出休止角。也可由所得到的圆锥体的直径和高度计算出休止角。休止角是表现粉体的动力特性的物理参数之一，是设计除尘设备和输料设备的重要依据，休止角的大小能反映粉体的流动性， 休止角越小，粉体的流动性越好。操作步骤1.将测定装置各部件组装于试验台上，使装置呈水平状态，拨动量角器使其处于垂直位置。2.将粉末装入100ml的盛样量杯，用塞棒塞住漏斗流出口，将量杯内的粉末全部缓慢倒入漏斗中。3.抽出塞棒，使粉末从漏斗孔流出；对于流动性不好的粉末，可以通过敲击漏斗或使用棒针搅动粉末，使粉末通过漏斗连续下落到水平接粉盘上形成锥体。4.待粉尘全部流出后，旋转量角器测量粉末锥体母线与水平面所成夹角并记录。连续测定3次，求出算术平均值作为测定结果。

顺序微流体注入应用包是法国Elveflow提供用于多种流体切换的系统，在控制流速下对12种或者更多液体或气体进行快速切换。可实现多种流体的注入，具有很高的稳定性和准确度，属于微流体工作流程的自动化，该系统通用性强，可使用多种类型流体。Elveflow的一体式流量控制系统，用于在维持流量的同时快速切换流体。一次可使用一个系统执行多个实验或检测，以实现多液体注入/测试的自动化并节省时间。Elveflow的顺序流体注入系统用于需要在多个流体之间快速交换，同时保持准确流速的系统。尤其适合复杂的有机化学反应、有机合成、生物传感器、生化传感器或电化学传感器、测试台、流动化学、Seq- Fish实验、分析化学装置、药物和毒性测试、微球合成、有机催化实验、以及用于抗生素耐药性测试的仪器等。该应用系统用于生物和化学实验，如液体的多次灌注开关和自动化顺序试剂注射，通过采用计算机控制的12/1 MUX分配双向阀、高精度OB1流量控制器和直观的ESI控制软件，以全自动方式顺序注入12种或更多溶液。该系统可提供大流量范围（从7 nL/min到30+mL/min）和容量（100μL到几升）。典型的顺序流体注射系统使用单个压力通道将多个溶液按顺序注入微流控系统。然后，MUX分配旋转阀作为选择器轻松进行流体更换，实现液体的快速切换和选择。OB1流量控制器与MFS或BFS流量传感器相结合，可实现非常稳定的液体注入（低至流速的0.006%）。这些操作都可以使用ESI软件界面执行。该软件允许您微调流量参数，并使用我们直观的调度程序自动化您的实验。顺序流体注入的应用系统具有以下优势：w 大量样本：可在系统中顺序注入多达12种或更多溶液w 稳定无脉冲流量：压力驱动流量控制器实现稳定的流体输送并获得最准确的结果w 高通用性：用于多种类型流体系统，如微流控芯片、传感器测试台、流动化学配置w 在流体介质之间执行快速切换：切换时间低于150毫秒w 适用于小体积和大体积的长期实验：液体从几微升到几升的容量w 同时控制压力和流量：为您的流体注入提供通用性w 流量范围广泛：从7nL/min到30+mL/min，准确度低至0.2%w 设计流动注射序列：创建复杂的模式并完全自动化您的系统，可在数小时或数天内测试任何工作条件w 高度并行化：使用一种设置测试多个设备w 软件开发工具包：使用C、LabView、Matlab和Python集成到您的平台中。我们的顺序流体注入系统可适用于更复杂的实验，如使用20种或更多的溶液、去除气泡、集成到更大的系统或同时测试多个芯片/设备等。顺序流体注入的应用系统包括：w 压力和流量控制器（OB1）w 旋转阀（MUX distributor）w 微流体流量传感器（MFS）或高精度BFS传感器w 储液管w 分压多岐管w 管线和连接器w 软件和SDK库（C++、Python、MATLAB、LabVIEW）可选项包括：w 额外的泵用通道w 额外的流量传感器w 微流控芯片w 计算机w 多岐管

该系统被设计用于干的气体，如H 2，O 2，CO 2或混合气体。它注入试验气体的渗透到气相色谱仪的柱，分离成各成分，并计算出各组分的气体渗透系数和传输速率。特点： ■ 符合标准ISO 15105-1 / JIS K7126 ■ 可同时测量单一气体或者混合气体的渗透系数■ 能够测试所有可以通过气相色谱测量的气体■ 高灵敏度■ 可以在低于室温下测量■ 可以选择高灵敏度测量H 2或O 2■ 可以选择高灵敏度测量O2■ 简单的手动操作■ 数据处理器下的自动操作