特色高性能电子光学系统二次电子分辨率: 顶位二次电子探测器(2.0 nm at 1kV)*高灵敏度: 高效PD-BSD, 超强的低加速电压性能,低至100 V成像大束流(200 nA): 便于高效微区分析 性能优异压力可变: 具有优异的低真空(10 -300 Pa)成像性能,配备高灵敏度低真空探测器(UVD)*开仓室快速简单换样(最大样品尺寸: Φ 200 mm x 80 mmH)微区分析: EDS, WDS, EBSD等等*:选配附件 规格项目内容分辨率1.2 nm @ 30 kV3.0 nm @ 1 kV2.0 nm @ 1 kV 减速模式*13.0 nm @ 15 kV 低真空模式*2放大倍率10 - 600,000× (底片倍率), 18 - 1,000,000× (800 × 600像素)30 - 1,500,000× (1,280 × 960 像素)电子光学系统电子枪ZrO /W 肖特基式电子枪加速电压0.5 - 30 kV (0.1 kV 步进)着陆电压减速模式: 0.1 - 2.0 kV *1最大束流 200 nA探测器低位二次电子探测器低真空模式*2真空范围: 10 - 300 Pa马达台马达台控制5 - 轴自动 (优中心)可动范围X:0~100mmY:0~50mmZ:3~65mmT:-20~90°R:360°最大样品尺寸最大直径: 200 mm最大高度: 80 mm选配探测器 高分辨率顶位二次电子探测器*1高灵敏度低真空探测器 (UVD)5分割半导体探测器 (PD-BSD)*3能谱仪 (EDS)波谱仪 (WDS)背散射电子衍射探测器 (EBSD) *1:减速功能(包含高分辨率顶位二次电子探测器)*2:低真空功能(包含5分割半导体探测器)*3:空压机(本地采购)应用案例样品: 氧化锌粉末着陆电压: 1 kV 倍率: 120,000x低电压下顶位二次电子探测器成像样品: PTFE加速电压: 3 kV 倍率: 13,000xUVD探测器可在低加速电压(3 kV)和低真空(40 Pa) 下获得高质量图像
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