石墨烯退火炉

红外退火炉采用红外辐射加热技术同时搭配高精度温度控制系统，极大程度上改善了电阻式加热的弊病，同时可实现样品快速升温和退火。可广泛应用于强诱导体薄膜的结晶化退火、注入离子后的扩散退火、半导体材料的烧成与退火条件研究、快速热处理(RTP)、快速退火(RTA)、快速热氧化(RTO)、快速热氮化(RTN)、电极合金化、碳纳米管等外延生长、单晶基板热处理等功能中，对新材料相关的RTP研究工作起到重要作用。型号红外退火炉IRLA-1200快速退火炉LRTP-1200石墨烯退火炉GRTP-1200产品图片 温度范围RT-1150℃RT-1200℃控温精度±0.1℃≤0.1℃±0.1℃最大升温速率45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)100℃/s（真空，惰性气体）45℃/s (真空) 40℃/s (氮气)最快降温速度200℃/min(1000℃--400℃)，降到室温20min左右腔体冷却水冷方式、独立冷却源寸底冷却自然冷却氮气吹扫自然冷却测试气氛真空及氩气、氮气等惰性气体样品大小20 x 20 x 2，单位mm（最大）4英寸30 x 30x 4,单位mm处理材料类型薄膜、粉体、块体、液体温度传感器石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶石墨烯定制版热电偶额定功率4x(1KW-110V/根）18x(1KW-110V/根）4x(1KW-110V/根）温度程序模式温度-时间设置，最高256步，32个程序，循环、保温等功能模糊PID逻辑控温，手动/自动开始，USB485连接工艺气路MFC控制，1路(惰性气体)MFC控制，最多4路(可选氮气、氩气、氧气、氢氮混合气)4路(可选氮气、氩气等)外观尺寸420X320X220，单位mm450×625×535，单位mm420X220X320,单位mm质量20.5kg--20.5kg 应用案例：●快速热处理，快速退火，快速热氧化，快速热氮化 ●强诱导体薄膜的结晶化退火 ●注入离子后的扩散退火 ● SiAu, SiAl, SiMo合金化 ●太阳能电池片键合 ●半导体材料的烧成与退火条件研究 ●低介电材料热处 ●晶体化，致密化 ●电极合金化 ●晶向化和坚化 ●石墨烯等气相沉积 ●碳纳米管等外延生长 ●单晶基板热处理 ●去除有机残留和光刻胶残留，降低残余应力 ●电阻烧结

? 产品简介： REAL RTP200型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP200型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：8英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-150℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：1300mm*820mm*1300mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

1. 产品概述VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉,适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备。2. 设备用途/原理VERIC A6151A 碳化硅高温退火炉，适用于碳化硅高温激活 & 退火的设备，高温度 2000℃，升温速率可达 100℃/min。石墨电阻加热，工艺腔室洁净。自动装片，Cassette toCassette。SEMI S2/S6 认证。3. 设备特点晶圆尺寸 4/6 英寸兼容，适用材料 碳化硅、氮化铝，适用工艺 注入后激活、Ar 退火、Ar/H2 退火、沟槽平滑，适用域 科研、化合物半导体。

产地：法国AnnealSys；型号：AS-One100/AS-One150 AS-ONE立式快速退火炉为法国AS公司生产，分为AS-ONE 100, 150, 200三个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸的真空快速退火炉产品。 应用： - 快速热退火 RTA； - 快速热氧化 RTO； - 扩散，接触退火； - 化合物半导体退火； - 氮化，硅化； - 硒化，硫化； - 石墨烯沉积，碳纳米管生长； - 晶体化，致密化； 技术规格：规格AS-ONE 100AS-ONE 150最大样品基底直径100mm (4英寸)150mm (6英寸)腔体尺寸130mm直径 x 25mm200mm直径 x 25mm红外灯数量/最大功率12支 / 30KW18支 / 34KW红外灯冷却方式风扇风扇标准温度范围室温 ~ 1250°C室温 ~ 1200°C选配高温版本范围室温 ~ 1500°C 室温 ~ 1300°C升温速度0.1°C ~ 200°C/s0.1°C ~ 150°C/s温度控制快速数字PID控制器 快速数字PID控制器热电偶K型K型高温计150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C气体注入石英视窗以下石英视窗以下清洗气路标准配置标准配置工艺气路方式/数量MFC / 5路MFC / 5路真空获得系统干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)尺寸/重量510mm x 1425mm x 800mm / 194Kg510mm x 1425mm x 800mm / 240Kg 参考客户：清华大学、北京大学、复旦大学、华南理工大学、天津中电十八所、南京中电五十五所、GE上海研发中心、南方科大、深圳大学等。大尺寸样品快速退火炉 快速退火炉(RTP/RTA)是半导体材料和器件常用的一款工艺设备。快速退火炉可以在真空、惰性气氛、不同的工艺气体环境下使用。 仪器特点： - 快速热处理、快速热退火 RTP / RTA； - 可在真空、甚至于高真空环境使用； - 广泛用于太阳能电池片快速退火工艺，如156mm X 156mm电池片，300mm X 300mm电池片等；

产地：法国AnnealSys；型号：AS-One100/AS-One150 AS-ONE立式快速退火炉为法国AS公司生产，分为AS-ONE 100, 150, 200三个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸的真空快速退火炉产品。 应用： - 快速热退火 RTA； - 快速热氧化 RTO； - 扩散，接触退火； - 化合物半导体退火； - 氮化，硅化； - 硒化，硫化； - 石墨烯沉积，碳纳米管生长； - 晶体化，致密化； 技术规格：规格AS-ONE 100AS-ONE 150最大样品基底直径100mm (4英寸)150mm (6英寸)腔体尺寸130mm直径 x 25mm200mm直径 x 25mm红外灯数量/最大功率12支 / 30KW18支 / 34KW红外灯冷却方式风扇风扇标准温度范围室温 ~ 1250°C室温 ~ 1200°C选配高温版本范围室温 ~ 1500°C 室温 ~ 1300°C升温速度0.1°C ~ 200°C/s0.1°C ~ 150°C/s温度控制快速数字PID控制器 快速数字PID控制器热电偶K型K型高温计150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C气体注入石英视窗以下石英视窗以下清洗气路标准配置标准配置工艺气路方式/数量MFC / 5路MFC / 5路真空获得系统干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)尺寸/重量510mm x 1425mm x 800mm / 194Kg510mm x 1425mm x 800mm / 240Kg 参考客户：清华大学、北京大学、复旦大学、华南理工大学、天津中电十八所、南京中电五十五所、GE上海研发中心、南方科大、深圳大学等。大尺寸样品快速退火炉 快速退火炉(RTP/RTA)是半导体材料和器件常用的一款工艺设备。快速退火炉可以在真空、惰性气氛、不同的工艺气体环境下使用。 仪器特点： - 快速热处理、快速热退火 RTP / RTA； - 可在真空、甚至于高真空环境使用； - 广泛用于太阳能电池片快速退火工艺，如156mm X 156mm电池片，300mm X 300mm电池片等；

? 产品简介： REAL RTP150型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款6寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP150型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：6英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-150℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：870mm*650mm*620mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

? 产品简介： REAL RTP100型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款4寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。? 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染? 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP100型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，热电偶测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。? 主要技术参数：&bull 基片尺寸：4英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-200℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：870mm*650mm*620mm? 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座? 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

产品简介： REAL RTP100型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款4寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP100型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，热电偶测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。 主要技术参数：&bull 基片尺寸：4英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-200℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：870mm*650mm*620mm 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

产品简介： REAL RTP200型快速退火炉是韩国ULTECH公司的一款8寸片快速退火炉，采用革新的加热技术，可实现真正的基底温度测量，不需要采用传统快速退火炉的温度补偿，温度控制精确，温度重复性高，客户包括国际上许多半导体公司及知名科研团队，是半导体制程退火工艺的理想选择。 技术特色：&bull 真正的基片温度测量，无需传统的温度补偿&bull 红外卤素管灯加热&bull 极其优异的加热温度精确性与均匀性&bull 快速数字PID温度控制&bull 不锈钢冷壁真空腔室&bull 系统稳定性好&bull 结构紧凑，小型桌面系统&bull 带触摸屏的PC控制&bull 兼容常压和真空环境，真空度标准值为5×10-3Torr，采用二级分子泵真空度低至5×10-6Torr&bull 最高3路气体（MFC控制）&bull 没有交叉污染，没有金属污染 真实基底温度测量技术介绍： 如上图，由阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，传统的快速退火炉采用热电偶进行测量基片温度，由于热电偶与基片有一定距离，测量的不是基片真实的温度，必须进行温度补偿。 REAL RTP200型快速退火炉采用专用的一根片状的Real T/C KIT进行测温，如上图，接触测温仪与片状Real T/C KIT相连，工作时片状Real T/C KIT位于样品上方很近的位置，阵列式卤素灯辐射出热量经过石英窗口到达样品表面，样品被加热，片状Real T/C KIT同时被加热，由于基片与Real T/C KIT很近，它们之间也会进行热量传递，并很快达到热平衡，所以片状Real T/C KIT测量的温度就无限接近基片真实的温度，从而实现基片温度的真实测量。 主要技术参数：&bull 基片尺寸：8英寸&bull 基片基座：石英针（可选配SiC涂层石墨基座）&bull 温度范围：150-1250℃&bull 加热速率：10-150℃/S&bull 温度均匀性：≤±1.5% (@800℃, Silicon wafer) ≤±1.0% (@800℃, Substrate on SiC coated graphite susceptor)&bull 温度控制精度：≤ ±3℃&bull 温度重复性：≤ ±3℃&bull 真空度：5.0E-3 Torr / 5.0E-6 Torr&bull 气路供应：标准1路N2吹扫及冷却气路，由MFC控制（最多可选3路）&bull 退火持续时间：≥35min@1250℃&bull 温度控制：快速数字PID控制&bull 尺寸：1300mm*820mm*1300mm 基片类型：&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基座 应用领域： 离子注入/接触退火，快速热处理(RTP)，快速退火(RTA)，快速热氧化(RTO)，快速热氮化(RTN)，可在真空、惰性气氛、氧气、氢气、混合气等不同环境下使用，SiAu, SiAl, SiMo合金化，低介电材料，晶体化，致密化，太阳能电池片键合等。

RTP快速退火炉是一种先进的半导体材料处理设备，其核心功能是通过快速加热和冷却的方式对材料进行高温处理。以下是关于RTP快速退火炉的详细产品介绍： 工作原理RTP快速退火炉的工作原理基于高温加热和快速冷却的过程。首先，将待处理的材料放置在炉腔中，并通过加热元件（如电阻丝、电热棒等）迅速将材料加热至设定的温度范围，通常为400~1300℃。在加热过程中，炉腔内的温度会被精确控制在恒定的数值范围内，以确保材料能够达到所需的退火温度。随后，通过冷却介质（如氮气、水等）将炉腔内的温度迅速降低至室温，从而避免材料再次发生晶粒长大和相变。 主要特点1. **快速加热和冷却**：RTP快速退火炉能够在极短的时间内完成加热和冷却过程，显著提高生产效率。2. **高温精度**：该设备具有高精度的温度控制系统，能够精确控制样品的温度，实现高质量的热处理。3. **均匀加热**：RTP快速退火炉采用先进的加热技术，确保样品在炉腔内均匀受热，避免温度不均匀导致的材料性能不一致。4. **多功能性**：该设备适用于各种材料的处理，包括硅、氮化物、氧化物等，满足不同工艺需求。5. **节能环保**：RTP快速退火炉通常采用节能设计，具有较低的能耗和环保性能。 应用领域RTP快速退火炉广泛应用于半导体制造、电子、光电、材料科学等领域。具体应用场景包括：* MOS器件的源、漏、栅接触改性* 电阻器、电容器的结构、电性能改良* 掺杂、扩散等工艺步骤的快速实现* 低介电常数介质材料的退火等 选择建议在选择RTP快速退火炉时，需要考虑以下因素：1. **温度范围和控制精度**：根据工艺需求确定所需的最高温度和温度控制精度。2. **加热速率和冷却速率**：考虑加热和冷却速率是否满足工艺要求，以确保快速热处理的实现。3. **样品尺寸和数量**：根据样品尺寸和数量选择适合的炉腔尺寸和容量。4. **控制系统和软件**：选择具有稳定可靠的温度控制系统和易于操作的软件界面的设备。5. **能源消耗和环保要求**：考虑设备的能耗情况和环保性能，选择节能环保的设备。6. **品牌和服务**：选择知名度高、信誉良好的厂家和品牌，确保产品质量和售后服务的可靠性。 结论RTP快速退火炉作为半导体制造过程中不可或缺的设备，其高效、节能和环保的特点使得它在现代半导体工业中得到了广泛应用。随着技术的不断发展，RTP快速退火炉的性能也将不断优化，为半导体产业的进步提供有力支持。

退火炉产品概述 414退火炉可在校准过程中对铂电阻温度计进行加热、退火和冷却。其*高温度达到1000℃，可适用于所有类型的铂电阻温度计。在炉体内部配有程序控制器，工作过程中可以达到任意指定的温度范围内。退火炉产品参数

AS-One系统有两种型号： AS-One 100 系统或AS-One 150 系统该快速退火炉是专门为满足大学、研究实验室和小规模生产的需求而研制的，高可靠且性价比高。该工艺室采用贝壳式设计，可完全进入底板，方便装载和卸载基板，并允许实际清洁腔体快速数字PID温度控制器在整个温度范围内提供精确和可重复的热控制。特征：基本尺寸：Up to 直径100 mm (4-inch) for AS-One 100 Up to 直径150 mm (6-inch) for AS-One 150 Small substrates using susceptors工艺腔体运用不锈钢冷腔室壁技术温度范围标准配置：最高达到1250°C高温配置：最高达到1450°C温度控制标准配置：热电偶和高温计用来测量温度快速数字PID温度控制器在可获得精确的和可重复的热控制真空和气体最多可达5路带MFC的工艺气体，一路清洁气体电脑控制全PC电脑控制，每个配方最多100步骤全数据记录与处理历史的人机界面设计选项：石墨托盘/碳化硅涂层托盘/粗真空泵和涡轮泵/快速冷却系统/其他套件应用： ● 快速热退火 ● 快速热氧化 ● 扩散/接触时退火 ● 化合物退火 ● 结晶或致密化我公司专业销售Annealsys产品，并提供Annealsys产品的售前售后服务，如您对Annealsys产品感兴趣，欢迎前来咨询！

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：• 快速热退火• 植入退火• 欧姆接触退火• 快速热氧化（RTO）• 快速热氮化（RTN）• 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点： 1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：3-inch；2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

真空快速退火炉AS-OneAS-One是一种通用的RTP系统，可用于开发快速热退火和快速热CVD工艺。可以搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1500 ℃，最快升温速率200℃/Second。全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。 应用：• RTA（快速热退火）• RTO（快速热氧化）• 欧姆接触退火• 植入退火• 石墨烯和hBN的快速热化学气相沉积RTCVD• 硒化，硫化• 结晶和致密化 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶配合高温计控温，测试样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多5路工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试； 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：AS-One100：4-inch；AS-One150 ：6-inch；2、温度范围：AS-One100室温~1250 ℃；（室温~1500 ℃可选） AS-One150室温~1200 ℃；（室温~1300 ℃可选）3、升温速率：AS-One100 ：0.1 ℃~250 ℃/s ； AS-One150 ：0.1 ℃~200 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制； 5、热电偶：2个K型热电偶；6、低温高温计温度范围：150℃~1100 ℃；7、高温高温计温度范围：400℃~1500 ℃；8、工艺气体气路配质量流量计；9、配置真空泵及真空规；

高真空退火炉 产品介绍 目前高温退火炉加热大都为管式炉或马弗炉，原理为加热丝或硅碳棒对炉体加热，加热与降温速度慢，效率低下，也无法实现温度的高精度测量，加热区域也存在不均匀的现象，华测仪器通过多年研究开发了一种可实现高精度，高反射率的抛物面与高质量的加热源相配置，在高速加热高速冷却时，具有良好的温度分布。可实现宽域均热区，高速加热、高速冷却，用石英管保护加热式样，无气氛污染。可在高真空，高出纯度气体中加热。设备可组成均热高速加热炉，温度斜率炉，阶段加热炉。 它提高了加热试验能力.同电阻炉和其他炉相比，红外线反射退火炉节省了升温时间和保持时间及自然冷却到室温所需时间，再试验中也可改写设定温度值。从各方面讲，都节省时间并提高实验速度。 同高频炉相比，不需特殊的安装条件及对加热试样的要求。同电阻炉一样安装简单，有冷却系统安全可靠。以提高试验人员的工作效率，实现温度控制操作！ 设备优势 高速加热与冷却方式 高能量的红外灯和镀金反射方式允许高速加热到高温。同时炉体可配置水冷系统，增设气体冷却装置，可实现快速冷却。 温度高精度控制 过红外镀金聚焦炉和温度控制器的组合使用，可以控制样品的温度。此外，冷却速度和保持在任何温度下可提供高精度。 不同环境下的加热与冷却 加热/冷却可用真空、气氛环境、低温（高纯度惰性气体静态或流动），操作简单，使用石英玻璃制成。红外线可传送到加热/冷却室。 反射炉温度控制装置 高速升温时，配套的快速反应的高真空退火炉控制装置，本控制装置采用可编程温度控制器。高性能设计，响应速度快。 可选配 进口干泵：抽速≥120L/min，极限真空度≤4pa，噪音小于52db； 进口全量程真空规：刀口法兰接口，真空测量范围5X10-7Pa到1atm 为了高速加热、设备采用PID温度控制，同时采用移相触发技术保证试验温度。 根据设备上的温度控制器输入参数，您也可以简单输入温度程序设定和外部信号。另外还可以在电脑上显示热中的温度数据。 自适应热电偶包括JIS、K、J、T、E、N、R、S、B、以及L、U、W型 可设定32个程序、256个步骤的程序。 30A、60A、120A内置了SCR电路，所以范围很广。 设备配置 序号 项目 数量 品牌 备注 1 炉体 1 华测 温度至1200℃ 2 加热源 1 GE 3 温度控制器 1 华测 4 电热偶 1 omega 5 温控表 1 欧姆龙 6 稳压电源 1 华测 可定制 7 制冷水机 1 同飞 制冷功率 8 分子泵 1 莱宝 CF法兰，抽速≥40L/s，极限真空度优于-0.8Mpa； 更多应用 1.电子材料 半导体用硅化合化的PRA（加热后急速冷却） 热源薄膜形成激活离子注入后硅化物的形成 2.陶瓷与无机材料 陶瓷基板退火炉 玻璃基板退火炉。 陶瓷张力、挠曲试验退火炉。 3.钢铁和金属材料 薄钢板加热过程的数值模拟。 炉焊接模拟 高真空热处理（1000℃以下） 大气气体熔化过程 压力下耐火钢和合金的热循环试验炉 4.复合材料 耐热性评价炉 无机复合材料热循环试验炉 5.其它 高温拉伸压缩试验炉。 分段分区控制炉 温度梯度炉 炉气分析 超导陶瓷退火炉

产地：法国AnnealSys；型号：AS-One100/AS-One150 AS-ONE立式快速退火炉为法国AS公司生产，分为AS-ONE 100, 150, 200三个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸的真空快速退火炉产品。 应用： - 快速热退火 RTA； - 快速热氧化 RTO； - 扩散，接触退火； - 化合物半导体退火； - 氮化，硅化； - 硒化，硫化； - 石墨烯沉积，碳纳米管生长； - 晶体化，致密化； 技术规格：规格AS-ONE 100AS-ONE 150最大样品基底直径100mm (4英寸)150mm (6英寸)腔体尺寸130mm直径 x 25mm200mm直径 x 25mm红外灯数量/最大功率12支 / 30KW18支 / 34KW红外灯冷却方式风扇风扇标准温度范围室温 ~ 1250°C室温 ~ 1200°C选配高温版本范围室温 ~ 1500°C 室温 ~ 1300°C升温速度0.1°C ~ 200°C/s0.1°C ~ 150°C/s温度控制快速数字PID控制器 快速数字PID控制器热电偶K型K型高温计150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C气体注入石英视窗以下石英视窗以下清洗气路标准配置标准配置工艺气路方式/数量MFC / 5路MFC / 5路真空获得系统干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)尺寸/重量510mm x 1425mm x 800mm / 194Kg510mm x 1425mm x 800mm / 240Kg 参考客户：清华大学、北京大学、复旦大学、华南理工大学、天津中电十八所、南京中电五十五所、GE上海研发中心、南方科大、深圳大学等。大尺寸样品快速退火炉 快速退火炉(RTP/RTA)是半导体材料和器件常用的一款工艺设备。快速退火炉可以在真空、惰性气氛、不同的工艺气体环境下使用。 仪器特点： - 快速热处理、快速热退火 RTP / RTA； - 可在真空、甚至于高真空环境使用； - 广泛用于太阳能电池片快速退火工艺，如156mm X 156mm电池片，300mm X 300mm电池片等；

产地：法国AnnealSys；型号：AS-One100/AS-One150 AS-ONE立式快速退火炉为法国AS公司生产，分为AS-ONE 100, 150, 200三个型号，分别对应4英寸、6英寸、8英寸的真空快速退火炉产品。 应用： - 快速热退火 RTA； - 快速热氧化 RTO； - 扩散，接触退火； - 化合物半导体退火； - 氮化，硅化； - 硒化，硫化； - 石墨烯沉积，碳纳米管生长； - 晶体化，致密化； 技术规格：规格AS-ONE 100AS-ONE 150最大样品基底直径100mm (4英寸)150mm (6英寸)腔体尺寸130mm直径 x 25mm200mm直径 x 25mm红外灯数量/最大功率12支 / 30KW18支 / 34KW红外灯冷却方式风扇风扇标准温度范围室温 ~ 1250°C室温 ~ 1200°C选配高温版本范围室温 ~ 1500°C 室温 ~ 1300°C升温速度0.1°C ~ 200°C/s0.1°C ~ 150°C/s温度控制快速数字PID控制器 快速数字PID控制器热电偶K型K型高温计150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C150°C ~ 1100°C400°C ~ 1500°C气体注入石英视窗以下石英视窗以下清洗气路标准配置标准配置工艺气路方式/数量MFC / 5路MFC / 5路真空获得系统干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)干泵(10-2Torr)分子泵(10-6Torr)尺寸/重量510mm x 1425mm x 800mm / 194Kg510mm x 1425mm x 800mm / 240Kg 参考客户：清华大学、北京大学、复旦大学、华南理工大学、天津中电十八所、南京中电五十五所、GE上海研发中心、南方科大、深圳大学等。大尺寸样品快速退火炉 快速退火炉(RTP/RTA)是半导体材料和器件常用的一款工艺设备。快速退火炉可以在真空、惰性气氛、不同的工艺气体环境下使用。 仪器特点： - 快速热处理、快速热退火 RTP / RTA； - 可在真空、甚至于高真空环境使用； - 广泛用于太阳能电池片快速退火工艺，如156mm X 156mm电池片，300mm X 300mm电池片等；

产品介绍YRTP快速退火炉是一款多功能的真空气氛烧结炉，既可以用于材料的快速升降温退火，也可用于化学气相沉积（CVD）法，在镍或铜箔上制备石墨烯的制备，稍加调整，一机多用，被广泛的应用各研究院所。加热系统采用环形红外短波加热器，最快升温速率可达300℃/S，测温采用精准的S型贵金属热电偶直接测量式样表面，使加热工件（式样)的温区更加均匀准确，控制界面采用大尺寸触摸屏，傻瓜智能式操作，可预设置十条温度曲线。控制数学模型采用先进的PID自学习模糊双闭环控制模式，使控温精度在快速升温的恒温状态仍能保持在±3℃，经过长期多次的各种试样试验验证，已被应用于半导体器件研发及生产等领域，广泛满足离子注入后的快速退火，欧姆接触快速合金，硅化物合金退火，氧化物生长，铜铟镓硒光伏应用中的硒沉积及其它快速热处理工艺的要求。技术参数产品型号YRTP-1100炉体结构双层壳体结构，高精度移动平台额定温度（℃）1100使用温度（℃）≤1000温场均匀性（℃）±3℃温度状态工艺时间（S)2~100（100~1000℃）最快升温速（℃/S）200降温速率（℃/S）1~200（通氮气，速率更快）温度控制模式智能模糊全闭环PID控制操作方式触摸屏控制超高温状态检测软件检测出温度信息出现高温异常时，切断主回路触摸屏尺寸7"LED最大功率（kW）15额定电压AC380~400V，50HZ（60Hz定制）传感器类型S型单铂铑反应腔室内径尺寸Φ100X200式样有效空间4"真空系统选配预留真空抽口KF16进出气接口Φ6卡套尺寸重量长1000×深600×高600mm；净重：约50kg可根据客户要求定制！

1 产品概述： 快速退火炉，又称RTP（Rapid Thermal Processing）快速热处理炉，是一种用于快速热处理、热氧化处理、高温退火等工艺的设备。它利用卤素红外灯等高效热源，通过极快的升温速率（可达150摄氏度/秒）和精确的温控系统，将晶圆或材料快速加热到所需温度（最高可达1200摄氏度），并在短时间内完成退火过程，从而消除材料内部缺陷，改善产品性能。快速退火炉广泛应用于半导体、LED、MEMS、化合物半导体和功率器件等多种芯片产品的生产中，是现代微电子制造领域不可或缺的重要设备。2 设备用途：1、快速热处理（RTP）：用于对晶圆或材料进行快速加热和冷却处理，以改善晶体结构和光电性能。 2、快速退火（RTA）：通过快速升温和降温过程，消除材料内部的应力、缺陷和杂质，提高材料的性能。 3 、热氧化处理（RTO）：在特定气氛下对材料进行加热处理，形成所需的氧化物层。 4、离子注入/接触退火：在离子注入后对材料进行退火处理，以激活注入的离子并改善材料的电学性能。 5、 金属合金化：如SiAu、SiAl、SiMo等合金的制备过程中，通过快速退火促进合金化反应。 6、 化合物合金制备：如砷化镓、氮化物等化合物的合金制备过程中，快速退火炉也发挥着重要作用生。同时，加热还可以促进化学反应的进行，提高处理效果。3. 设备特点1 高效加热与快速升降温：采用卤素红外灯等高效热源，升温速率快，最高可达150摄氏度/秒；降温速率也快，如从1000摄氏度降到300摄氏度仅需几分钟。 2 高精度温控系统：采用先进的微电脑控制系统和PID闭环控制温度，控温精度可达±0.5摄氏度，温控均匀性≤0.5%设定温度。 3 多功能性与灵活性：可根据用户工艺需求配置真空腔体、多路气体等，满足不同工艺条件的需求。 4 低污染与环保：试样反应区处在一个密闭的石英腔体内，大大降低了间接污染试样的可能性；同时，设备在设计和制造过程中注重环保理念，减少了对环境的污染。 5 操作简便与自动化：配备可视化触摸屏和智能控制系统，设定数据和操作都是图文界面，操作方便；同时，可实现单台或多台电炉的远程控制、实时追踪、历史记录、输出报表等功能。4 设备参数：4 技术规格&bull 适用于直径达 200 毫米（8 英寸）的单个晶圆 &bull 集成气体入口和出口 &bull 高温度：1000 °C &bull 升温速率：高达 50 K/（可选：100 K/） &bull 通过热电偶控制温度，无石英室、铝室（可选配石英室） &bull 尺寸：约 578 mm x 496 mm x 570 mm（宽 x 深 x 高） &bull 重量： 约 70 公斤 部件支架&bull 石英托盘，固定集成在门中 &bull 用于直径为 200 mm 的单晶圆和石墨基座的石英支架加热&bull 由 2 x 12 个红外灯加热（红外加热器的标称电压/功率：230 V/2 kW） &bull 顶部和底部加热（可选） 真空&bull 压力刻度 10exp-3 hPa 或 RTP-200-HV 10exp-6 hPa过程控制 &bull SPS 过程控制器，带 50 个程序，每个程序多 50 个步骤（以太网接口），SIMATIC &bull 触摸面板上可存储 50 个程序，每个程序多 50 个步骤 &bull USB 2.0 接口，用于存储过程数据（CSV 文件格式） &bull 包括 7 英寸触摸屏，操作直观舒适

1. 产品概述THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统。2. 设备用途/原理THEORIS A302L 12英寸立式低温退火炉，先进的压力控制系统，高精度温度场控制技术，先进的颗粒控制技术，可靠的氢气工艺能力技术，高产能。3. 设备特点晶圆尺寸 12 英寸，适用材料硅。适用工艺 低压合金、金属 / 非金属退火、薄片退火。适用域 新兴应用、集成电路、先进封装。退火炉是在半导体器件制造中使用的一种工艺，其包括加热多个半导体晶片以影响其电性能。热处理是针对不同的效果而设计的。可以加热晶片以激活掺杂剂，将薄膜转换成薄膜或将薄膜转换成晶片衬底界面，使致密沉积的薄膜，改变生长的薄膜的状态，修复注入的损伤，移动掺杂剂或将掺杂剂从一个薄膜转移到另一个薄膜或从薄膜进入晶圆衬底。退火炉可以集成到其他炉子处理步骤中，例如氧化，或者可以自己处理。退火炉是由专门为加热半导体晶片而设计的设备完成的。退火炉是节能型周期式作业炉，超节能结构，采用纤维结构，节电60%。

法国Annealsys 高温退火炉AS-ONEVersatile Rapid Thermal Processing system for silicon, compound semiconductors, solar cells & MEMS 多用途快速热处理设备，适用于硅，化合物半导体，太阳能电池& MEMSUp to 1450°C (100HT version), up to 200°C/s, high vacuum capability, fast cooling option 最高温度到1450℃（100HT版本）, 升温速率最大200℃/s, 高真空性能，快速冷却选项Applications 应用. Implant annealing 注入退火. Ohmic contact annealing (III-V and SiC) 欧姆接触退火(III-V 和SiC）. Rapid Thermal Oxidation (RTO) 快速热氧化(RTO). Rapid Thermal Nitridation (RTN) 快速热氮化 (RTN). Selenization (CIGS solar cells) 硒化（CIGS太阳能电池） . CVD of graphene 石墨烯CVD. Silicon carbonization 碳化硅. Sol-gel densification and crystallization 溶胶凝胶致密性和结晶化. Diffusion from spin-on dopants 从旋涂掺杂物扩散 .Etc. 等等Substrate types 基片类型&bull Silicon wafers硅片&bull Compound semiconductor wafers化合物半导体基片&bull GaN/Sapphire wafers for LEDs 用于LED的GaN/蓝宝石基片&bull Silicon carbide wafers碳化硅基片&bull Poly silicon wafers for solar cells用于太阳能电池的多晶硅基片&bull Glass substrates玻璃基片&bull Metals金属&bull Polymers聚合物&bull Graphite and silicon carbide susceptors石墨和镀碳化硅的石墨基片托&bull Etc等等Key Features 主要特性&bull Infrared halogen tubular lamp furnace with silent fan cooling &bull 配有无声风扇冷却的红外卤素管灯退火炉&bull Stainless steel cold wall chamber technology &bull 不锈钢冷壁腔室技术&bull Fast digital PID temperature controller &bull 快速数字PID温度控制器&bull Thermocouple and pyrometer control &bull 热电偶和高温计控制&bull Atmospheric and vacuum process capability &bull 常压和真空下工艺性能&bull Purge gas line with needle valve &bull 配有针阀的吹扫气路&bull Up to 5 process gas lines with digital MFC &bull 最多5路工艺气路配有数字MFC控制器&bull PC control with Ethernet communication for fast data logging &bull 配有以太网通讯的PC控制，用于快速数据记录&bull Optional turbo pump and pressure control &bull 可选分子泵和压力控制Floor standing system for reduced footprint 减少占地空间的立式设备

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。 拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：&bull 快速热退火&bull 植入退火&bull 欧姆接触退火&bull 快速热氧化（RTO）&bull 快速热氮化（RTN）&bull 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数：1、样品最大尺寸：3-inch； 2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制；5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

真空快速退火炉AS-MicroAS-Micro是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。 拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：&bull 快速热退火&bull 植入退火&bull 欧姆接触退火&bull 快速热氧化（RTO）&bull 快速热氮化（RTN）&bull 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数：1、样品最大尺寸：3-inch； 2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制；5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

真空快速退火炉 JetLight JetLight是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：&bull 快速热退火&bull 植入退火&bull 欧姆接触退火&bull 快速热氧化（RTO）&bull 快速热氮化（RTN）&bull 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：3-inch；2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制；5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

真空快速退火炉 JetLight JetLight是一款适用于实验室研究的真空快速退火炉，性能卓越。可处理从几平方毫米到3英寸直径或正方形的基板。可搭配分子泵实现高真空下热处理工艺。最高温度1250 ℃，最快升温速率250℃/Second。 全程PC软件控制升温程序，保证温度不过冲，控温精度准确。拥有双腔室，避免交叉污染。 应用：&bull 快速热退火&bull 植入退火&bull 欧姆接触退火&bull 快速热氧化（RTO）&bull 快速热氮化（RTN）&bull 石墨烯快速热化学气相沉积 产品特点：1、 红外卤素灯管加热，冷却采用风冷（低噪音水平，无需压缩空气）；2、加热由功率控制而非电压控制，避免了由于灯丝老化电阻改变导致的后续使用中加热不均的问题，保证了良好的重现性及均温性，即使在后续使用过程中更换了部分新的灯管也可以达到最初的热处理效果；3、石英腔体，腔体冷却采用水冷，冷壁设计，双层不锈钢；冷壁水冷技术优点在于：1、无记忆，2、工艺重复性高，3、冷却速度快；4、反应腔室的设计，气体的进入口设计在wafer的表面，避免在退火过程中冷点的产生。很好的保证了样品在加热过程中的均温性；5、快速数字PID控温；6、热电偶设计上采用中间和边缘安装模式，测试的样品的温度，控温精准；7、大气和真空工艺均适合，净化气体配针阀；8、最多3工艺气体，配数字质量流量控制器；9、电脑通过以太网连接更快的数据传输速度；10、可选配石墨托盘表面涂SiC薄膜设计，用于小样品测试；11、可选配分子泵，用于高真空测试；12、可选配双腔体设计, 达到高洁净工艺，避免交叉污染。 产品标准配置及规格参数： 1、样品最大尺寸：3-inch；2、温度范围：室温~1250 ℃；3、升温速率：0.1 ℃~250 ℃/s ；4、温度控制：快速数字PID控制；5、热电偶：2N型热电偶；6、工艺气体气路配质量流量计；7、配置真空泵及真空规：8、样品腔室尺寸（单室）：700*700*700mm (W*D*H)；净重82Kg；样品腔室尺寸（双室）：700*700*1825mm (W*D*H；净重142Kg；

Centrotherm 快速退火炉/快速热工艺设备-c.RAPID 150/RTP 150 Centrotherm 快速退火炉-c.RAPID 150一、产品简介德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商，尤其在高温设备领域。Centrotherm c.RAPID 150是一款高性能、多用途的快速退火设备，主要用于满足研发和小规模量产所需的多种工艺要求。 Centrotherm测温系统适用于从室温至高温的广泛区间。Centrotherm优化的多区温控系统结合可以独立控制的加热灯，提供了出色的控温精度和控温重复性。此款设备配置手动装载系统，适用于研发以及小型的量产。成熟的真空操作和气体管理系统为多种应用提供了可控的气体环境。出色的性能和高度的灵活性，结合小的占地面积，低的客户拥有成本，使c.RAPID 150成为一款最佳的手动RTP设备。 二、典型应用退火：一般退火、接触层（Contact）退火、源/漏退火、势垒金属退火硅化氧化掺杂活化三、产品特性可在常压或者真空（控压）下工作高度灵活性：适用于最大6寸的硅片或者可放置基片的6寸托盘升温速率约150 K/s出色的温度均匀性精确的环境控制高的设备可靠性可以并排安装 Centrotherm 快速热工艺设备-RTP 150一、产品简介德国Centrotherm公司是国际主流的半导体设备供应商，尤其在高温设备领域。Centrotherm RTP 150是一款高性能快速热工艺设备，主要用于满足研发和小规模量产所需的多种工艺要求。 RTP 150型快速热反应设备，采用紧凑型的真空腔室设计满足多种工艺需要，是一款可用于生产和研发用的单晶圆工艺设备。RTP 150型设备包括一个带集成压力学习控制压力范围在1mbar至50mbar的真空腔室。采用灯管加热系统提供了可调节的加热均匀性控制，采用了CENTROTHERM公司专利技术的温度控制系统。RTP系统可用于6寸晶圆和5寸石墨基板的加热。可在15分钟内更换基板的尺寸和类型。设备用于高性能、小占地面积、低成本高工艺灵活性的工艺场合。 设备特点：压力可控的真空或大气环境下工作高灵活性：最大6寸硅片或其他材料温度范围：20℃~1150℃不限时加热的工艺温度可达 750℃升温速率可达150k/s（即150℃/秒）每个加热灯管独立控制，极高的温度均匀性±0.5℃温度一致性长寿命加热灯管，低维护成本 典型应用：金属接触退火掺杂物活化源极/漏极退火干氧化薄晶圆退火 设备参数：应用： 生产或研发基板材料： 硅片、GaAs、石墨、碳化硅、氮化镓、蓝宝石晶圆尺寸： 最大6寸加热系统： 24组加热灯，PWM控制冷却水： 20 L/分钟排 风： 250 m3/小时 可选件：用于温度曲线调整的温度测量系统用于全自动操作的双机械手臂

全自动双腔快速退火炉RTP-DTS-8，晶圆快速退火炉产品特点：兼容6-8英寸WAFER；全自动双腔设计，产能提升； 最高温度可达1250℃；超高温场均匀性； 稳定的温度重现性；满足SIC量产化制程需求。行业应用：其他快速热处理工艺；砷化镓工艺；氧化物、氮化物生长；欧姆接触快速合金；硅化物合金退火；氧化回流技术参数最大产品尺寸6-8寸Cassette or smlf2个温度范围室温~1250℃最高升温速度≤30℃/s（载盘）温度均匀度±3℃≤600℃ ±0.5%＞600℃温度控制重复性±1℃腔体数量双腔

退火炉简介：TNHL-01-800型退火炉适合小批量生产或试验需求的热处理炉。设备具备一定自动化水平，具有保温良好、控温精确、性价比高等特点。用户可根据热处理的工艺要求最多设置5条升温曲线，每条升温曲线又可设置10个升温段，使操作灵活简单。可控硅移相触发电路使加热系统升温平稳、输出稳定，并且提高了设备的可靠性。 主要技术参数：额定温度：800℃升温速度：平均5℃/min炉膛尺寸：300mm×500mm×300mm外形尺寸：690mm×1010mm×1560mm额定功率：12Kw额定电压：220V额定电流：55A 额定频率：50Hz 额定平率：50Hz 本产品是根据用户需求精心研制的，适合小批量生产或试验需求的热处理炉。设备具备一定自动化水平，具有保温良好、控温精确、性价比高等特点。用户可根据热处理的工艺要求最多设置5条升温曲线，每条升温曲线又可设置10个升温段，使操作灵活简单。可控硅移相触发电路使加热系统升温平稳、输出稳定，并且提高了设备的可靠性

Centrotherm 高温退火炉系统-Activator 150一、产品简介Centrotherm Activator 150 高温炉设计用于SiC或GaN器件注入后退火。Centrotherm独特工艺炉管和加热系统设，允许工艺温度达到 1850 ℃。此外，Activator 150 系列的产品可以实现生长石墨烯生长。通过碳化硅升华生长石墨层可以获得高性能器件。Centrotherm 新一代SiC工艺炉管的研发用以满足新兴的150 毫米 SiC工艺。Centrotherm Activator 150-5 是为研发工作而特制的，而Centrotherm Activator 150-50专为大批量生产设计。广泛的工艺范围实现了对自定义化程序的优化, 例如温度, 气路系统和压力。 二、典型应用SiC器件高温退火 （注入后）GaN器件退火大面积石墨烯生长SiC表面制备 三、产品特性性能和优势高活化效率 最小表面粗糙度 最大温度可达 1850 ℃ 占地面积小 [1.8m2] 升温速率可达 100 K/min 批处理晶片尺寸包括 2″、3″、4″、6″ 批处理数量达到 40片2″/或3″硅片, 50片4″/或6″硅片真空度小于10-3 mbar （可选）可并排安装 选项上下料腔室微环境控制

制冷配件有氧退火炉　　制冷配件有氧退火炉是专门针对制冷配件行业的铜管、铜阀件如：三通，四通，二通，截止阀，方体阀，球阀，单向阀，接管螺母，阀杆，铜管件等产品生产特点研发的专用炉型。　　对于制冷配件行业企业选炉型为有氧箱式退火炉，此炉型优点加热速度快，温度均匀，日产量大，操作简单方便，工人一教就会，技术难度低。深受广大用户，特别是制冷配件行业的好评。　　城池有氧退火炉结构主要由炉体、炉衬、炉底板、加热元件、热风循环系统、炉门、控制系统等部分组成。 炉体框架采用槽钢和角钢焊接制作，整体强度好，不易变形。炉衬为复式结构，气密性较好，具有牢固可靠、维修方便、使用寿命长、节能效果好、炉体外壳温升小等优点。耐热钢炉底板供搁置工件之用减少高温下变形和开裂。 加热元件根据炉温的均匀性合理分布功率，加热元件分别布置在左右侧墙及炉底上；加热元件采用合金电阻带绕制成波纹型。炉底上的加热元件平铺在耐火砖砌筑的条槽中，用定型固定，其表面负荷要比其他部位的加热元件要小，更换和维修都比较方便。　　有氧退火炉温度范围广、设备成本低、工艺种类多，可用于铜管、铜阀件的淬火、回火、退火、固溶、时效、去应力等热处理工艺。工艺简单，加热速度快，温度均匀，日产量大，操作简单方便，工人一教就会，技术难度低。因制冷配件后续工序有抛光清洗等工序，正好弥补了铜管件氧化发黑的问题，特别适用于制冷配件行业铜管、铜阀的热处理。