束蒸发镀膜机

SHINCRON蒸发镀膜机请联系：张先生

热蒸发镀膜机 - 极高性价比！型号：EasyDEP产地：韩国原装进口 仪器特点：1/ 沉积材料：金属；2/ 膜厚均匀性：≤ ± 5 % (4英寸基底)；3/ 沉积方式：热蒸发舟；4/ 极限真空：5.0 x 10 -6 Torr； 技术规格：1/ 最大样品尺寸：6英寸；2/ 基底旋转：0~10rpm；3/ 不锈钢腔体，ID250 x H300 mm；4/ 真空泵：机械泵，150L/Min；扩散泵，215L/Sec；5/ 薄膜厚度监控：石英振荡传感器实时厚度控制；6/ 厚度精度：0.5%；7/ 热蒸发源：4英寸热蒸发舟，交流电源；

1. 产品概述电子束蒸发镀膜机E-Beam系统主要由蒸发室、主抽过渡管路、旋转基片架、光加热系统、电子枪及电源、石英晶体振荡膜厚监控仪、工作气路、抽气系统、控制系统、安装机台等部分组成。2. 设备用途本系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。3. 技术参数真空室尺寸：定制极限真空度：≤6.0E-5Pa 沉积源：6个40cc坩埚 温度：最高300℃电控描述：全自动工艺：片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数：样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架4. 企业简介深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司，由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

高真空电子束蒸发镀膜机是在高真空条件下，采用电子束轰击材料加热蒸发的方法，在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等；可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜；可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学，可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点，配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温，具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求，选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等，从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空：7×10-^5Pa～7×10^-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa恢复工作真空时间短，大气至7×10-4Pa≤30分钟；设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件（可选配）、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW～10kW 其它功率(可根据用户要求选配） 坩埚 1～8只 可根据用户要求选配 电阻热蒸发源组件 1～4套 （可根据用户要求配装）电阻热蒸发源种类-钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）-束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）操作方式手动、半自动

高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机）采用电阻热蒸发技术，它是在高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验，可根据用户要求专门订制；可用于材料的物理和化学研究；可用于制备金属导电电极；可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室＋进样室-单镀膜室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-单镀膜室＋进样室＋手套箱（可将镀膜室放在手套箱内）-多镀膜室＋样品传递室＋手套箱（组成团簇式结构，样品传递采用真空机械手）设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵（或冷泵）真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构，膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量，可根据用户需要进行配置。可选件：膜厚监控仪，恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件：数量：1～12套（可根据用户要求配装）；电阻热蒸发源种类：钽（钨或钼）金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件（配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚）、束源炉热蒸发组件（配石英坩埚或氮化硼坩埚）。高真空电阻热蒸发镀膜机（高真空镀膜机） 工作条件（实验室应具备的设备工作条件）供电：4kW，三相五线制～ AC 380V工作环境湿度：10℃～ 40℃工作环境温度：≤50%冷却循环水：0.2m3/h，水温18℃～ 25℃水压：0.15MPa ～ 0.25MPa真空性能极限真空：7×10-5Pa～7×10-6Pa设备总体漏放率：关机12小时，≤10Pa操作方式手动、半自动

1. 产品简介热蒸发镀膜机Thermal Evaporation热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜。蒸镀薄膜种类：Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等2. 设备组成有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统；真空测量系统；蒸发源；样品加热控温；电控系统；配气系统等部分组成3. 设备参数最大样品尺寸：8inch沉积源/真空度：根据用户定制 控制系统：手动、全自动 4. 企业简介 深圳市矢量科学仪器有限公司是集半导体仪器装备代理及技术服务的高新技术企业。致力于提供半导体制程工艺装备、后道封装装备、半导体分析测试设备、半导体光电测试仪表及相关仪器装备维护、保养、售后技术支持及实验室整体服务。公司已授实用新型权利 29 项，软件著作权 14 项，是创新型中小企业、科技型中小企业、规模以上工业企业。

瑞士Safematic CCU-010 LV_CT热蒸发镀碳镀膜机紧凑型、模块化和智能化CCU-010 LV_CT热蒸发镀碳镀膜机为一款结构紧凑、全自动型的热蒸发镀碳仪，使用非常简便。采用独特的插入式设计，可选通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免交叉污染。CCU-010系列镀膜仪标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能热蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品巧妙的真空设计CCU-010 LV_CT-010精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM/EDS等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统，可在一次真空下进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。除了易于使用外，自动供给系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄碳膜到在中厚碳膜层应用时的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的碳膜厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需“破”真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供了一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了CCU-010 LV热蒸发镀碳仪之外，还可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV系列镀膜仪均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，可防止系统被前级泵油污染。

英国Oxford Vacuum 电子束蒸发镀膜机Vapour Station 4微纳器件样品制备系统 产品简介该电子束蒸发镀膜仪是一款微纳器件样品制备系统，为有机无机多源有 气相分子沉积系统，高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各 种化合物、混合物单层或多层膜，具有高真空多源有机、金属电阻蒸发及手 套箱保护条件下器件后期制作，主要用于有机半导体材料的物理化学性能， 研究实验、有机半导体器件的原理研究实验也可用于普通金属电极蒸发镀膜研究； 真空室采用优质不锈钢，氩弧焊接、采用先进钝化处理工艺。基片台尺 寸：3 英寸，配备一套 TELEMARK 的单袋电子束靶枪一套；镀膜室用一台 高精度石英晶振膜厚监测仪进行薄膜厚度监测，配备有原装石英晶振探头； 镀膜生长室放置2个热阻蒸发舟，是一款真空高性价比的电子束蒸发镀膜机。 技术参数尺寸:495 mm (L) x 485 mm (W) x 500 mm (H) 真空腔体:真空腔体要求：最大样品尺寸为 3 英寸，样品台直径为 75mm； 薄膜均匀性≤±1%；极限压力：真空腔室薄膜最高真空度＜3×10-7 mbar；真空计：真空测量系统，宽范围的真空规，最高真空度小于 3×10-7mbar；样品夹：真空腔体里配有样品夹，能够固定住样品；挡板：真空腔体里配有沉积挡板，工作时能区分开不同样品；蒸发样品池：配置单袋容量 1.5cc 的电子束靶枪，电源功率为3KW ；蒸发舟：2个热蒸发钨舟，用于沉积一些热蒸发材料； 薄膜监测仪：.电脑控制的薄膜监测仪，能实时监测薄膜的厚度情况；.测量频率范围至少包含6.0 to 5.0 MHz这个范围；.频率分辨率应≤±0.03 Hz （at 6 MHz）； 测量间隔应≤0.10 s；厚度显示分辨率≤1 ?； 真空系统： .真空系统组成：应至少包含一台干式涡旋泵和一台涡轮分子 泵，美国安捷伦干式涡旋泵作为前级泵；.爱德华涡轮分子泵： -N2抽速：240 L/s； -极限真空（ISO）：6×10-8mbar； -强制空气冷却，35°C,环境温度：30sccm； -标称旋转速度：60000rpm； -待机旋转速度范围：33000-60000rpm； -可编程功率限制范围：50-200W -强制空气冷却的环境空气温度：5-35°C； -噪音级别：45dB(A)冷却方式包含有风冷和水冷两种方式可供提前选择；

英国Oxford Vacuum 电子束蒸发镀膜机Vapour Station 4微纳器件样品制备系统 产品简介该电子束蒸发镀膜仪是一款微纳器件样品制备系统，为有机无机多源有 气相分子沉积系统，高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各 种化合物、混合物单层或多层膜，具有高真空多源有机、金属电阻蒸发及手 套箱保护条件下器件后期制作，主要用于有机半导体材料的物理化学性能， 研究实验、有机半导体器件的原理研究实验也可用于普通金属电极蒸发镀膜研究； 真空室采用优质不锈钢，氩弧焊接、采用先进钝化处理工艺。基片台尺 寸：3 英寸，配备一套 TELEMARK 的单袋电子束靶枪一套；镀膜室用一台 高精度石英晶振膜厚监测仪进行薄膜厚度监测，配备有原装石英晶振探头； 镀膜生长室放置2个热阻蒸发舟，是一款真空高性价比的电子束蒸发镀膜机。 技术参数尺寸:495 mm (L) x 485 mm (W) x 500 mm (H) 真空腔体:真空腔体要求：最大样品尺寸为 3 英寸，样品台直径为 75mm； 薄膜均匀性≤±1%；极限压力：真空腔室薄膜最高真空度＜3×10-7 mbar；真空计：真空测量系统，宽范围的真空规，最高真空度小于 3×10-7mbar； 样品夹：真空腔体里配有样品夹，能够固定住样品；挡板：真空腔体里配有沉积挡板，工作时能区分开不同样品；蒸发样品池：配置单袋容量 1.5cc 的电子束靶枪，电源功率为3KW ；蒸发舟：2个热蒸发钨舟，用于沉积一些热蒸发材料； 薄膜监测仪：.电脑控制的薄膜监测仪，能实时监测薄膜的厚度情况；.测量频率范围至少包含6.0 to 5.0 MHz这个范围；.频率分辨率应≤±0.03 Hz （at 6 MHz）； 测量间隔应≤0.10 s；厚度显示分辨率≤1 ?； 真空系统： .真空系统组成：应至少包含一台干式涡旋泵和一台涡轮分子 泵，美国安捷伦干式涡旋泵作为前级泵；.爱德华涡轮分子泵： -N2抽速：240 L/s； -极限真空（ISO）：6×10-8mbar； -强制空气冷却，35°C,环境温度：30sccm； -标称旋转速度：60000rpm； -待机旋转速度范围：33000-60000rpm； -可编程功率限制范围：50-200W -强制空气冷却的环境空气温度：5-35°C； -噪音级别：45dB(A)冷却方式包含有风冷和水冷两种方式可供提前选择；

英国Oxford Vacuum 电子束蒸发镀膜机Vapour Station 4微纳器件样品制备系统 产品简介该电子束蒸发镀膜仪是一款微纳器件样品制备系统，为有机无机多源有 气相分子沉积系统，高真空条件下，通过加热材料的方法，在衬底上沉积各 种化合物、混合物单层或多层膜，具有高真空多源有机、金属电阻蒸发及手 套箱保护条件下器件后期制作，主要用于有机半导体材料的物理化学性能， 研究实验、有机半导体器件的原理研究实验也可用于普通金属电极蒸发镀膜研究； 真空室采用优质不锈钢，氩弧焊接、采用先进钝化处理工艺。基片台尺 寸：3 英寸，配备一套 TELEMARK 的单袋电子束靶枪一套；镀膜室用一台 高精度石英晶振膜厚监测仪进行薄膜厚度监测，配备有原装石英晶振探头； 镀膜生长室放置2个热阻蒸发舟，是一款真空高性价比的电子束蒸发镀膜机。 技术参数尺寸:495 mm (L) x 485 mm (W) x 500 mm (H) 真空腔体:真空腔体要求：最大样品尺寸为 3 英寸，样品台直径为 75mm； 薄膜均匀性≤±1%；极限压力：真空腔室薄膜最高真空度＜3×10-7 mbar；真空计：真空测量系统，宽范围的真空规，最高真空度小于 3×10-7mbar； 样品夹：真空腔体里配有样品夹，能够固定住样品；挡板：真空腔体里配有沉积挡板，工作时能区分开不同样品；蒸发样品池：配置单袋容量 1.5cc 的电子束靶枪，电源功率为3KW ；蒸发舟：2个热蒸发钨舟，用于沉积一些热蒸发材料； 薄膜监测仪：.电脑控制的薄膜监测仪，能实时监测薄膜的厚度情况；.测量频率范围至少包含6.0 to 5.0 MHz这个范围；.频率分辨率应≤±0.03 Hz （at 6 MHz）； 测量间隔应≤0.10 s；厚度显示分辨率≤1 ?； 真空系统： .真空系统组成：应至少包含一台干式涡旋泵和一台涡轮分子 泵，美国安捷伦干式涡旋泵作为前级泵；.爱德华涡轮分子泵： -N2抽速：240 L/s； -极限真空（ISO）：6×10-8mbar； -强制空气冷却，35°C,环境温度：30sccm； -标称旋转速度：60000rpm； -待机旋转速度范围：33000-60000rpm； -可编程功率限制范围：50-200W -强制空气冷却的环境空气温度：5-35°C； -噪音级别：45dB(A)冷却方式包含有风冷和水冷两种方式可供提前选择；

产地：美国；型号：CAPOS；通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为热蒸发镀膜，热蒸发镀膜技术是历史最悠久的PVD镀膜技术之一。热蒸发镀膜机一般主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。以下为蒸发镀膜设备的示意图。 技术规格特点：- 基底尺寸：4英寸，6英寸，8英寸；- 基底旋转：0~10rpm；- 热蒸发源：4英寸或6英寸热蒸发舟，交流电源；- 腔体：铝合金或不锈钢材料可供客户选择，不同尺寸的箱式腔室可选；- 泵：机械泵，扩散泵或者分子泵，供客户选择；- Load Lock样品传输腔室：手动或自动传输，高真空，支持多种样品衬底；- 工艺控制：PC/PLC机制的自动控制，使用GUI进行工艺控制、数据处理、远程支持；- 原位监控：石英晶振监测(QCM)，光学监测，残余气体分析，其他原位监测技术或控制；- 衬底固定：单衬底固定，多衬底固定，行星式衬底固定，客户化衬底固定方式；- 衬底夹具：加热，冷却，偏置，旋转等；

●“近距红外蒸发真空镀膜机”正式推向市场，探索薄膜太阳能电池，如CdTe、硫化物和钙钛矿结构太阳能电池的重要手段，也用于有机柔性薄膜制备，为公司专利产品“一种近距红外热蒸发真空镀膜机”，专利号：CN201920208976.6，接受桌面式和一体式定制。●真空腔体：根据客户需求定制。●真空漏率：1X10-6Pa.L/S；极限真空优于5X10-5Pa，标准配置分子泵系统。●加热功率：小于12KW。●温控仪表：配置触摸屏温控仪和专用温控仪表，自主编程的温控系统，配置功率控制器，带有方便的温度分配和功率分配接线端。●腔体：功能材料透明腔体，直径不低于240mm，耐高温不低于1000℃，短期工作可达到1200℃。●温度隔离罩：配置专用温度隔离罩，降低环境温度对系统的影响，同时具有安全隔离功能。●配置2套坩埚，并设有陶瓷封结的温度传感器，精度为：±1℃，过冲不超过2℃。●配置2套基片温度平衡系统，配置进口精密耐高温专用传感器，精度为：±1℃，响应速度极快，特别适合超精密温度控制。●配置能量反射屏一套，配置有专用沉积环境仓，沉积反应仓可扩展至水冷系统。●配置移动小车一套，并配置不锈钢安装板和推手，配置福马轮4套，可根据客户实际需求设计为一体机和桌面式。●配置有SUS304柔性真空管路和相关标准件。●配置三路复合真空计一套，带RS485控制端口，配置有不锈钢毛细管路泄压阀，可以沉积柔性薄膜材料。●可选配洁净无油高真空真空系统。

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品 - 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备 - 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 - 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中 - 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc - 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

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仪器简介：此系统可以配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研. 高真空条件沉积模式（使用机械泵+分子泵，或冷凝泵）。多种组合沉积模式，同一腔体实现多种功能沉积方式，沉积源模式有:磁控溅射源Sputter source电子束蒸发E-beam SourcesK-cell蒸发热蒸发Thermal sources氧化物源Oxide sources此系统高度灵活，软件操作方便，专业为研究机构沉积超纯度薄膜，真正的高真空沉积系统。The System is designed to be a highly flexible system for thin-film research in ultra pure conditions. The system can be configured to be true-UHV and allows for multiple deposition component options. 感谢中科院上海应用物理研究所上海光源同步实验部用此设备，为广大专业研究人员提供服务！！上海光源同步实验部配置的是磁控溅射（直流和射频均有）和电子束蒸发的组合功能，膜厚均匀性(镀膜500纳米左右厚度)均达到3%，这种组合系统极大地扩展了沉积功能，性能价格比超高，是研究人员的有力工具！！使用此系统的主要用户还有：中国计量院，吉林大学，中国科技大学，中北大学等技术参数：顶部法兰: 12”Radial ports：4 x NW100CF沉积接口: 5 x NW100CF, 4 x NW35CF分子泵: 300ls , 500 ls options样品操作: Quick-open top-lid.极限真空: 5x 10E-10 (24小时烘烤)机柜: Low footprint frame on transport casters样品台操控: Rotation, heating, bias样品操作: Load-Lock （可选）Sample size样品尺寸: 1”, 2”, 3”, 4” ，大到8”，12”等膜厚监控: QCM, Ellipsometry烘烤: Internal or jacket全自动软件操作，方便简单：Automation Touch screen pump down and process automation系统尺寸:Width: 1.5mHeight: 1.6mLength (standard): 1.3mLength: (with Loadlock): 2.0m主要特点：Top-loading chamber (500mm直径)超高真空匹配接口多种沉积源模式接口Analysis, load-lock and viewing ports多种样品夹具， 样品台可旋转，加热/冷却，DC/RF偏压 多种沉积源模式:包括 high-rate e-beam, low-rate (high accuracy) e-beam, DC and RF sputtering, thermal, K-cell,oxide sources.

电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…技术参数：1. 蒸发室尺寸：24"×24"×21"；2. 极限真空度：≤5×10-7托；3. 电子枪功率： 5-10千瓦可调；4. 蒸发速率：可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率；5. 可蒸发金属膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；6. 膜厚度误差 ≤±2%，膜厚均匀性误差 ≤±2% 。主要特点：1. 安全简易的软件操作系统，四个不同级别的用户权限（操作、工艺、工程师以及维修保养）较大限度的保证系统的安全。2. 双腔设计：蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中，使得源材料的更换和晶片的装载过程中最大限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具，可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。 参考用户： 深圳大学；兰州理工大学；广东工业大学；厦门大学；华中科技大学；重庆微纳研究院；江南大学；

电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…技术参数：1. 蒸发室尺寸：24"×24"×21"；2. 极限真空度：≤5×10-7托；3. 电子枪功率： 5-10千瓦可调；4. 蒸发速率：可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率；5. 可蒸发金属膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；6. 膜厚度误差 ≤±2%，膜厚均匀性误差 ≤±2% 。主要特点：1. 安全简易的软件操作系统，四个不同级别的用户权限（操作、工艺、工程师以及维修保养）较大限度的保证系统的安全。2. 双腔设计：蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中，使得源材料的更换和晶片的装载过程中最大限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具，可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。 参考用户： 深圳大学；兰州理工大学；广东工业大学；厦门大学；华中科技大学；重庆微纳研究院；江南大学；

ETD-100AF型高真空热蒸发镀膜仪采用电阻式蒸发原理，利用大电流加热钼舟或钨丝蓝或固定支架上的镀膜材料，使其在高真空下蒸发，沉积在被镀样品上以获得最佳镀膜效果。 适用范围： 电子显微镜样品制备和清洁光栏，以及科研、教学和企业中的实验活动、工艺试验。使用了大抽速、高压缩比、自然风冷却复合分子泵，确保喷镀时能够迅速抽掉蒸发源和样品放出的气体；正常情况下喷镀室内极少有油蒸气回流，非常清洁。 配有高位定性的飞跃真空泵，涡轮分子泵ETD-100AF is a high vacuum thermal evaporation type small film coating machine. By using the principle of resistance evaporation, the coating material on the molybdenum boat or tungsten blue or fixed bracket is heated by high current, so that it is evaporated under high vacuum and deposited on the plated sample to obtain the best coating effect.Scope of application:Sample preparation and cleaning of optical microscope, as well as scientific research, teaching and experimental activities and process tests in enterprises.A compound molecular pump with large pumping speed, high compression ratio and natural wind cooling is used to ensure that the evaporation source and the gas from the sample can be removed quickly when the spray plating is sprayed. 机械泵靶材蒸发电流加热功率样品仓尺寸工作真空极限真空前级为飞跃真空泵，后级为复合分子泵碳、金等最大电流100A,最大电压10V1000W直径230mm，高280mm2*10Pa2*10Pa 需要镀膜的样品 电子束敏感的样品非导电的样品新材料主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；由于样品不导电，其表面带有“电子陷阱”，这种表面上的电子积累被称为“充电”。为了消除荷电效应，可在样品表面镀一层金属导电层，镀层作为一个导电通道，将充电电子从材料表面转移走，消除荷电效应。在扫描电镜成像时，溅射材料增加信噪比，从而获得更好的成像质量。非导电材料实验电极制作观察导电特性

低真空镀膜机 喷金仪|喷碳仪|蒸镀仪 Leica EM ACE200为SEM和TEM分析生产同质和导电的金属或碳涂层，之前从未有过比与Leica EM ACE200涂层系统更方便的设备了。配置为溅射镀膜机或碳丝蒸发镀膜机后，可以在全自动化系统中获得可重复的结果，实现了一台EM ACE200具有喷金仪，喷碳仪，蒸镀仪三种功能。如果您的分析需要这两种方法，徕卡显微系统在一台仪器中提供可互换机头的组合仪表。各个选项，如石英晶体测量、行星旋转、辉光放电和可交换屏蔽共同构成这台低真空镀膜机。 特点理想重现的结果运行自动化的进程，并协助参数设置。小巧紧凑设计紧凑，占地面积小节省了实验室空间。容易清洗具备可拆卸门、卷帘、内部屏蔽、光源、载物台。操作简便直观的触摸屏和一键式操作。

SD-800C型热蒸发镀膜仪把待镀膜的基片或工件置于真空室内，通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积与基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为热蒸发镀膜，热蒸发镀膜技术是历史最悠久的镀膜技术之一。SD-800C型热蒸发镀膜机一般主要用于蒸发碳。使用超纯的碳纤维绳为严格的高分辨扫描电镜、透射电镜、EBSD及探针分析提供高质量的镀膜处理。因为碳原子能够直接沉积在样品表面而不发生横向移动，所以碳能够形成小于1nm的颗粒。参数： 仪器尺寸 ： 340mm×390mm×300mm（W×D×H） 真空样品室： 硼硅酸盐玻璃 170mm×130mm（D×H） 蒸发材料: 碳纤维双丝可A\B分别选择 操作真空： 4×10-2mbar 工作电压： 0-30V /AC 蒸碳电流： 0-100A 蒸碳时间： 0-1s 真空泵： 2升两级机械旋转泵(国产飞越VRD-8)特点：1、简单、经济、可靠、外观精美。2、真空保护可避免真空过低造成设备短路。3、碳纤维绳更加细腻均匀、快速，更有利于分析材料结构。

美国Denton金/碳镀膜机 丹顿真空公司位于美国费城，是世界著名真空镀膜设备制造商。从1964年成立至丹顿已为全球客户制造了数千台多种规格的蒸发设备、溅射和PECVD镀膜系统，用于大工业生产、科研开发和小规模制造。丹顿用于科研开发和小规模制造的中小型镀膜设备据美国市场占有率之首。Desk V HP 专用电子显微镜样品制备 – SEM TEM FE-SEM 金/碳镀膜机特点● 内置泵系统● 极短的沉积时间● 一致的沉积参数● 图形界面彩色触摸板● 薄膜厚度控制● 样品清洁的蚀刻模式● 多样靶材材料选择● 更多可选功能

电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…技术参数：1. 蒸发室尺寸：24"×24"×21"；2. 极限真空度：≤5×10-7托；3. 电子枪功率： 5-10千瓦可调；4. 蒸发速率：可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率；5. 可蒸发金属膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；6. 膜厚度误差 ≤±2%，膜厚均匀性误差 ≤±2% 。主要特点：1. 安全简易的软件操作系统，四个不同级别的用户权限（操作、工艺、工程师以及维修保养）较大限度的保证系统的安全。2. 双腔设计：蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中，使得源材料的更换和晶片的装载过程中最大限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具，可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。 参考用户： 深圳大学；兰州理工大学；广东工业大学；厦门大学；华中科技大学；重庆微纳研究院；江南大学；

电子束蒸发系统是化合物半导体器件制作中的一种重要工艺技术；它是在高真空状态下由电子束加热坩埚中的金属，使其熔融后蒸发到所需基片上形成金属膜。可蒸发很多难熔金属或者蒸汽压低的金属材料，包括Ta, W, Mo, Rh, C, B, Pt, Al2O3, ZnO, Pr2O3…技术参数：1. 蒸发室尺寸：24"×24"×21"；2. 极限真空度：≤5×10-7托；3. 电子枪功率： 5-10千瓦可调；4. 蒸发速率：可由晶体振荡器监控厚度和沉积速率；5. 可蒸发金属膜Al,Ti,Pt,Au,Ag,Cu,NiCr等；6. 膜厚度误差 ≤±2%，膜厚均匀性误差 ≤±2% 。主要特点：1. 安全简易的软件操作系统，四个不同级别的用户权限（操作、工艺、工程师以及维修保养）较大限度的保证系统的安全。2. 双腔设计：蒸发材料和晶片分别处于不同的腔体中，使得源材料的更换和晶片的装载过程中最大限度的保证腔体的洁净程度和缩短抽真空的时间。3. 较大的前腔门使得在维修和保养的过程中极为方便。4. 采用卫星旋转式晶片装载夹具，可以根据不同的产量的需要升级晶片直径或增加夹具的数量。卫星旋转式夹具保证了沉积薄膜的均匀性。 参考用户： 深圳大学；兰州理工大学；广东工业大学；厦门大学；华中科技大学；重庆微纳研究院；江南大学；

高真空镀膜机 Leica EM ACE600 您选择了用于TEM和FE-SEM分析的最高分辨率。Leica EM ACE600是完美的多用途高真空薄膜沉积系统，设计来根据您的FE-SEM和TEM应用的需要生产非常薄的，细粒度的和导电的金属和碳涂层，用于最高分辨率分析。这种高真空镀膜机可以通过以下方法进行配置:溅射、碳丝蒸发、碳棒蒸发、电子束蒸发和辉光放电。适用于Leica EM ACE600高真空镀膜机的Leica EM VCT真空冷冻传输系统，是无污染的低温扫描电镜样本制备的理想解决方案。高真空镀膜仪 – 配置您的镀膜体系 – 我们铸造您真正需要的镀膜仪Leica EM ACE600 可以配置如下镀膜方式: 金属溅射镀膜 碳丝蒸发镀膜 碳棒蒸发镀膜（带有热阻蒸发镀膜选配件） 电子束蒸发镀膜 辉光放电 连接VCT样品交换仓，与徕卡EM VCT配套实现冷冻镀膜，冷冻断裂，双复型，冷冻干燥和真空冷冻传输Leica EM ACE 镀膜仪 为您开启最优越的镀膜体验 全新一代ACE系列镀膜仪是徕卡与前沿科学家合作研发的结晶，它涵盖了您在样品制备过程中所需的所有镀膜需求，从常温镀膜到冷冻断裂/冷冻镀膜。让我们开启大门来体验全新镀膜设备的先进技术。我们的理念只有一个，即“力求简约，简便，快速并可靠地实现样品表面镀膜，使您的样品在EM中获得最好的图像”。

产品简介：钙钛矿镀膜机主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统、真空测量系统、蒸发源、样品加热控温、电控系统、配气系统等部分组成。适用于制备金属单质薄膜、半导体薄膜、氧化物薄膜、有机薄膜等，可用于科研单位进行新材料、新工艺薄膜研究工作，也可用于大批量生产前的试验工作，广泛应用于有机、无机、钙钛矿薄膜太阳能电池、OLED等研究领域。 产品型号钙钛矿镀膜机主要特点1、样品位于真空室上方，蒸发源位于真空室下方，向上蒸发镀膜，且蒸发源带有挡板装置。2、设有烘烤加热功能，可在镀膜过程中加热样品，最高烘烤加热温度为180℃。3、设有断水、断电连锁保护报警装置及防误操作保护报警装置。技术参数1、镀膜室：不锈钢材料，采用方形前后开门结构，内带有防污板，腔室尺寸约为600mm×450mm×450mm2、真空排气系统：采用分子泵+机械泵系统3、真空度：镀膜室极限真空≤6×10-4Pa4、系统漏率：≤1×10-7Pa5、蒸发源：安装在真空室的下底上；有机蒸发源4个、容积5ml，2台蒸发电源，可测温、控温，加热温度 400℃，功率0.5KW；无机蒸发源4套、容积5ml，2台蒸发电源，加热电流300A，功率3.2KW； 蒸发源挡板采用自动磁力控制方式控制其开启6、样品架：安装在真空室的上盖上，可放置?120mm的样品、载玻片，旋转速度0-30rpm7、加热温度：RT-180℃，测温、控温8、膜厚控制仪：石英晶振膜厚控制仪，膜厚测量范围0-999999?

1.由镀膜室、蒸发源、样品台、涡轮分子泵真空获得及测量系统、电源及控制系统和机架等组成2. 样品架自转，转速连续可调。镀膜均匀性良好，有加热功能3. 底部多组蒸发源，交替使用，上方有电动挡板，可通过手持控制盒进行蒸发镀膜操作，便于操作和观察