微电极抛光仪

金相抛光布是金相实验室常用好耗材之一，金相工程师都特别熟悉，尼龙的、无纺布的，真丝的，羊毛的......等各种材质；表面看有无绒的，短绒的，长绒的，带孔的等等。金相抛光布之所以有这么多种类，是与其不同的应用相对应的。分辨一款金相抛光布的质量优劣，除了用眼看，用手摸，还可以通过实验来验证。可脉检测的金相抛光布，种类全、型号多，为了给那些还没有使用过的用户展示QMAXIS金相抛光布的真实清晰的细节，每一款都用显微镜拍下来，一起看一下有多清晰！QMAXIS的金相抛光布共分三大类，分别为粗抛光、中等抛光和精细抛光。我们逐一看看到底有多清晰！ 粗抛光金相抛光布共三种材质，分别如下：►PlanCloth 金相抛光布，尼龙无纺布，无绒►PerfoCloth 金相抛光布，硬的合成化纤无纺布，带孔►NylonCloth 金相抛光布，尼龙织物，无绒PlanCloth 金相抛光布显微镜下看PlanCloth 金相抛光布，这种尼龙无纺布材质的抛光布经纬线编织细密、均匀，没有瑕疵，无绒，质地清晰可见。它是用于铁基、热喷涂涂层和硬的材料的粗抛光，配合15µm-3µm的金刚石抛光液使用。PerfoCloth 金相抛光布显微镜下看PerfoCloth金相抛光布，这种硬的合成化纤无纺布材质均匀、致密，布满排列整齐的小孔，质地清晰可见。它是用于陶瓷、碳化物、岩相、硬质合金、玻璃和金属等材料的粗抛光的，配合9µm及以下的金刚石抛光液使用。NylonCloth 金相抛光布显微镜下看NylonCloth 金相抛光布，这种斜纹编织的尼龙织物细密、均匀，找不到任何瑕疵，无绒，质地清晰可见。它是用于铁基、烧结碳化物和铸铁等材料的粗抛光，配合15µm-3µm的金刚石抛光液使用。中等抛光金相抛光布共三种材质，分别如下：►DuraCloth 金相抛光布，硬的合成压缩无纺布，无绒►SatinCloth 金相抛光布，人工合成丝和天然丝，无绒►SilkCloth 金相抛光布，纯丝，无绒DuraCloth 金相抛光布显微镜下看DuraCloth 金相抛光布，这种硬的合成压缩无纺布表面非常平整，不规则纹理但很均匀，无绒，质地清晰可见。它是用于黑色金属、有色金属、电子封装、印刷电路板、热喷涂涂层、铸铁、陶瓷、矿物、复合材料和塑料等材料的中等抛光，配合9µm及以下的金刚石抛光液使用。SatinCloth 金相抛光布显微镜下看SatinCloth 金相抛光布，这种由人工合成丝和真丝编织的材质，纹理细密，均匀，无绒，质地清晰可见。它是用于金属、岩相、陶瓷和涂层等材料的中等抛光，配合3µm及以下的金刚石抛光液使用。SilkCloth 金相抛光布显微镜下看SilkCloth 金相抛光布，这种由纯丝紧密编织的材质，有重磅真丝的质感，无绒，质地清晰可见。它是用于金属、微电子、涂层和岩相等材料的中等抛光，配合9µm-3µm金刚石抛光液和氧化铝抛光液使用。当然，这款抛光布非常适合配合抛光膏及液体抛光蜡使用，效果更好。 精细抛光金相抛光布共四种材质，分别如下：►MicroMet 金相抛光布，人造纤维与棉背衬编织，短绒►VelCloth 金相抛光布，软的人造天鹅绒，短绒►FlocCloth 金相抛光布，软的织物，长绒►ChemoCloth 金相抛光布，耐化学腐蚀合成织物，无绒MicroMet 金相抛光布显微镜下看MicroMet 金相抛光布，这种由人造纤维与棉背衬编织的合成织物，基底有一定的硬度，表面柔软细密，短绒，质地清晰可见。它是可以用于所有材料的精细抛光的，配合1µm及以下的金刚石抛光液和氧化铝抛光液使用。VelCloth 金相抛光布显微镜下看VelCloth 金相抛光布，这种由软的人造天鹅绒材料制成，绵软细密，短绒，质地清晰可见。它是用于软的金属和电子封装等材料的精细抛光，配合1µm及以下的金刚石抛光液、氧化铝抛光液和氧化硅抛光液使用。FlocCloth 金相抛光布显微镜下看FlocCloth 金相抛光布，这种由软的长绒织物制成，非常细、软，质地清晰可见。它是用于金属和烧结碳化物等材料的精细抛光的，配合3µm及以下的金刚石抛光液和氧化铝抛光液使用。如果配合氧化铝抛光粉使用，则可用于所有材料的精细抛光。此外，这款抛光布很适合手动抛光和未镶嵌试样的精细抛光。ChemoCloth 金相抛光布显微镜下看ChemoCloth 金相抛光布，这种由耐化学腐蚀合成织物制成的抛光布，表面非常细密，看似绒毛的纹理，实际上是织物表面密布的微小凸起，实际是无绒的，质地清晰可见。它是用于钛合金、不锈钢、铅/锡焊料、电子封装、软的有色金属和塑料等材料的精细抛光，配合1µm及以下的金刚石抛光液、氧化铝抛光液和氧化硅抛光液使用。以上就是QMAXIS金相抛光布在显微镜下的形貌，显微镜下看金相抛光布，就是这么清晰！能由里至外感受到产品的良好质量。无论您所制备的试样是什么材质，也无论哪一个抛光工序，总有可以满足技术需要的一款可选。手动、自动抛光都能用，不挑机器、不挑人，联系可脉检测工程师帮您选型，并为您提供快捷制样解决方案，赶紧联系吧。

在材料科学领域，无论教学、科研还是质量控制，金相分析是比较普遍的检测手段之一。随着现代科技的发展，对材料的需求种类越来越丰富，标准越来越高，相应的出现了一些难于制备的材料。这些材料在样品制备过程中，会出现如划痕多、塑变、浮凸、彗星拖尾、倒圆和嵌入等缺陷。这些问题，有些是可以通过合理选配金相抛光布，来解决的。可脉小编将工作中总结的一些经验分享给大家。通常情况下，在粗抛光和中等抛光过程中问题不大，基本上可以将切割产生的变形层，研磨产生的较大划痕去掉，重点是精抛阶段，如果抛光剂和抛光布不匹配，不仅影响抛光剂的性能发挥，可能还会造成抛光剂的浪费。无论从技术和经济效益上都不理想。如何选择精细抛光的金相抛光布呢？请大家看下面的表格，看懂了它，金相样品精细抛光，金相抛光布选配便触手可及！表格所列的这些金相抛光布，均来自美国QMAXIS品牌，应用于精细抛光。由人造纤维编织布、无纺布、植绒布、耐化学腐蚀合成材料等高品质的抛光织物制成，长绒、短绒、无绒等不同编织属性，配合金刚石、氧化铝、氧化硅等3μm及以下的精细抛光液使用。我们一起来看表格，从左至右：首列：应用工艺——精抛，指的就是精细抛光工艺阶段。第2列：产品描述，这一栏，每一种抛光布的材质，编织工艺，能配合的抛光剂种类和粒度，以及适合抛光的材料都做了简明扼要的说明。根据这一栏的说明，就可以给所制备的样品选配恰当的金相抛光布种类了。第3列：背衬，分为带背胶和磁性背衬两种，带背胶的是不干胶，可将塑料膜揭去后，背胶的一面直接贴敷在铁盘上进行应用，磁背衬不同于背胶的特点是粘贴和揭去更方便，更容易更换和清理铁盘表面。这一项可依据个人的习惯来选择。第4列：包装规格，有10片/包、5片/包，依据用量确定购买数量。第5-7列：5列是直径8in（203mm）的抛光布型号，6列是直径10in（254mm）的抛光布型号，7列是直径12in（305mm）的抛光布型号，可依据所使用的金相抛光机的磨盘直径选配合适的型号。美国QMAXIS金相抛光布，用于精细抛光的共有四种材质，按照表格从上到下顺序，依次为人造纤维长绒的，天鹅绒短绒的，软的带长绒的，耐化学腐蚀合成织物的。这些抛光布的特点是质地柔软，不卷边、不掉毛、不染色。根据不同材料、抛光剂种类来合理匹配，就可以分发挥抛光剂的磨削性能，从而获得理想的抛光效果。看懂了表格，明白了这些方法，金相样品精细抛光，金相抛光布选配便触手可及！你学会了吗？如有疑问，欢迎联系可脉检测工程师，获得更详细的解决方案。

近年来随着5G通讯技术以及新能源汽车行业已成为当前投资热点，而5G基站和电动汽车都使用了功率半导体器件，开发出符合市场要求的功率半导体器件成了半导体行业的又一重要方向。以硅作为衬底的传统的半导体芯片因为材料本身的局限性已难满足要求，以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带第三代半导体材料具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等优势，因此采用第三代半导体材料制备的半导体器件不仅能在更高的温度下稳定运行，适用于高电压、高频率场景，还能以较少的电能消耗，获得更高的运行能力。第三代半导体材料虽然具有很多优点，但是其加工难度也是极大的。以碳化硅为例，其硬度世界排名第三，莫氏硬度为13，仅次于钻石(15)和碳化硼(14)；而且其化学稳定性高，几乎不与任何强酸或强碱发生反应。晶体碳化硅还需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺，才能成为器件制造前的衬底材料。化学机械抛光（CMP）化学机械抛光（或化学机械平坦化）通常是使用专用抛光机在晶圆表面用抛光垫不断地旋转抛光并在过程中添加抛光液磨料以获得平坦光滑的衬底表面的工艺。为了获得均匀平坦的晶圆衬底，厚度监测作为常用的评价手段之一。但是第三代半导体材料由于硬度高，化学机械抛光的效率比较低，部分材料抛光过程的厚度变化甚至低于数十纳米常规的位移计等监测手段已经无法达到要求，而因为材料的特殊性一般也不会使用接触式或者破坏式的测量手段。大塚电子的SF-3系列膜厚计通过光干涉法原理，对晶圆界面之间干涉光信号进行计算从而获得晶圆的厚度信息。SF-3膜厚计 光干涉法由于采用了光学测量原理，SF-3系列膜厚计具有极高的频率5KHZ，因而可以对晶圆厚度进行在线实时监控；同时具有高精度以及可以有效避免晶圆翘曲对结果的影响。晶圆厚度实测CMP抛光液CMP抛光液作为化学机械抛光的辅助耗材，起到研磨腐蚀等作用，近年来CMP抛光液的国产化程度正在逐步提高。CMP抛光液的主要成分包括水、研磨颗粒（二氧化硅、金刚石、氧化铈、氧化锆）、氧化剂、分散剂等。不同的工艺步骤和不同的产品对CMP抛光液产品有不同的要求，通过对CMP抛光液的粒径监测、zeta电位监测可以评价CMP抛光液是否符合工艺要求以及在存储运输过程当中的稳定性。大塚电子ELSZ-neo系列纳米粒度zeta电位仪对抛光液的粒径和zeta电位检测均有大量应用。 ELSZ-neo以下考察了CMP抛光液在不同PH值的zeta电位，并记录了不同磨料的等电点（zeta电位为零），根据抛光液的粒径和zeta电位可以选择最优的PH值从而获得稳定的产品。晶圆清洗在晶圆的研磨和化学机械抛光处理以后，需要对晶圆进行清洗以避免污染物的附着。一些晶圆的颗粒污染物数量要求少于10个，然而由于静电作用力，颗粒污染物与晶圆在特定的PH值环境下容易吸附，颗粒污染物通常来源于抛光液当中研磨颗粒的残留。因此，评价晶圆表面和颗粒污染物的电性对于清洗工艺有重要作用。Zeta电位（Zeta potential）作为衡量固体电性或液体的稳定性的主要指标，通常使用电泳光散射法进行测量，然而在测量固体表面zeta电位时必须要充分考虑电渗作用的影响。（１）样品池内的粒子的电泳以负电荷的粒子为例，理想状态下粒子无论在cell 的什么位置，都以相同的速度向正电极侧电气泳动。（２）样品池内的电渗流通常cell（材质：石英）带有负电荷。所以，正电荷的离子、离子聚集在cell壁面附近，施加电场的话，壁面附近 正离子会往负极方向移动。Cell中心部为了补偿这个流动，产生相反方向的对流，这种现象叫做电渗流。（３）样品池内可观测粒子的电泳粒子分散在溶媒中，cell内粒子电气泳动的外观是算上这个电渗的抛物线状的流动。为此、cell内电气浸透流的速度为零的位置，即在静止面进行测定可以得出真正粒子的电泳速度，从而得出真实的泽塔电位值。大塚电子的ELSZ系列纳米粒度zeta电位仪使用了森岡本电渗校正专利，充分考虑了材料的电渗对电泳速度的影响。另外专用的平板样品池可选用电荷为0的涂层，并且使用中性的观测粒子，在不同PH值下测量不必考虑观测粒子电性带来的影响。大尺寸的平板样品池，可适用不同规格的晶圆测量实测应用时，通常会对晶圆表面和CMP抛光液的zeta电位同时进行测量。以下图为例，分别测量了硅晶圆（蓝色）和污染物粒子（红色）的zeta电位，在PH=4~8.5之间，晶圆表面与污染粒子的电性相反，因而污染粒子会依附在晶圆表面难以去除。总结大塚电子自1970年以来一直专业研究光学检测技术，秉承「多様性」「独創性」「世界化」的理念，大塚的光散射以及光干涉制品一直在包括FPD行业、半导体行业、新材料行业等专业领域占据领先地位。凭借对光学技术的深耕，大塚将继续为过国内客户提供专业的设备以及服务。

成果名称 大脑多巴胺在体（in vivo）记录用电化学微电极研制 单位名称 北京大学 联系人 马靖 联系邮箱 mj@labpku.com 成果成熟度 □研发阶段 &radic 原理样机 □通过小试 □通过中试 □可以量产 成果简介： 多巴胺是中枢神经系统中一种重要的神经递质，其胞体主要分布在中脑黑质致密部和腹侧背盖区，轴突末梢主要分布在纹状体、伏隔核、海马等区域。多巴胺在调节运动、情绪、奖赏等生理功能中发挥着重要作用，其分泌异常是多种神经精神类疾病发生、发展的病因之一。因此，监测脑内多巴胺分泌水平具有十分重要的意义。目前，国内外研究人员主要采用Microdialysis法检测脑内多巴胺的平均水平，但这种方法的局限是无法实时地进行检测。 北京大学分子医学研究所周专课题组研发的在体碳纤微电极电化学监测技术可以灵敏、实时探测脑内多巴胺的分泌，这种方法需要研制在体检测多巴胺分泌的电化学微电极，并采用不同的动作电位编码进行电刺激，以研究在黑质-纹状体通路中刺激模式对分泌的调控作用。 2009年，周专教授申请的&ldquo 大脑多巴胺在体（in vivo）记录用电化学微电极研制&rdquo 项目得到了第一期&ldquo 仪器创制与关键技术研发&rdquo 基金的支持。在基金的资助下，通过实验仪器与研制材料的购置，周专课题组开展了富有成效的工作，包括：（1）改进实验室原有的在体电极系统；（2）将该系统应用到具体的大脑多巴胺分泌检测中；（3）优化电极的制作，为更大规模的生产奠定基础。目前，该项目已经顺利结题，其研制的碳纤维电极直径仅7um，制作方便，对脑组织损伤较轻，并已经能够在动物实验中稳定检测多巴胺的异常分泌活动。 应用前景： 多巴胺在调节运动、情绪、奖赏等生理功能中发挥着重要作用，其分泌异常是多种神经精神类疾病发生、发展的病因之一。因此，实时监测脑内多巴胺分泌水平具有十分重要的意义。由于目前临床上没有较好的检测神经性精神疾病患者多巴胺分泌水平的方法，该技术进一步完善后，将在未来应用到临床辅助多巴胺检测和神经外科手术治疗中。

离子研磨抛光仪是一台高质量的 sem 样品制备台式精密仪器，满足几乎所有应用材料的制备。离子研磨抛光仪是通过物理科学技术来加强样品表面特性。使用的是惰性气体中具有代表性的氩气，通过加速电压使其电离并撞击样品表面。在控制的范围内，通过这种动量转换的方式，氩离子去撞击样品表面从而达到无应力损伤的 sem 观察样品。1060 ion milling 台式离子研磨抛光仪先进的样品制备技术如今 sem 在快速研究和分析高端材料结构和性能方面被认为是一种非常理想的手段方式，fischione 1060 是一个优秀的样品制备工具，是一台具有目前最先进技术的离子研磨抛光系统，设计精巧，操作方便，性能稳定。1060 离子研磨抛光仪为 sem 呈现样品表面结构和分析样品特性提供了便利，是 sem 样品制备完美的工具，正不断用于制备高质量的 sem 样品，满足苛刻的成像及分析要求。专利的双离子束源fischione 1060 两束专利电磁聚焦离子束源可直接控制作用在样品表面的离子束斑点直径，操作者可以根据需求自己调节。两束离子束可以同时聚焦在样品表面，这样可以大大提高研磨抛光速度。1060 离子束源采用独特的专利电磁聚焦设计，这样的设计可以让离子束斑点直径可调，从而离子撞击的时候是直接撞击样品，且只可以撞击样品，同时样品溅出的材料不会沉积在样品夹具、样品仓或者样品表面上。离子研磨抛光仪有哪些应用sem 样品制备时常常需要研磨抛光。制样时即使再留意，常常一些不理想的形貌也会出现。随着 sem 技术的快速发展，即使一个微不足道的损伤也会限制样品表面的彻底观察分析。通过惰性气体离子研磨抛光解决样品表面之前的损伤是一个非常理想的方法。这是离子研磨的基本功能。块状样品事实上一些无机样品也受益于离子研磨抛光技术。当离子束低入射角度直接作用在样品上时，样品表面剩余的机械应力损伤，氧化层及残留物层均会被溅出，最终显现原始的形貌供 sem 观察和分析。ebsdebsd 是一项非常有用的技术，可以让 sem 获取更多晶体信息，因为通过 sem 获得的背散射电子信息能很好的反应材料晶体结构、晶向和晶体纹理。ebsd 对表面信息非常敏感，任何轻微的表面缺陷均能通过 ebsd 获得比较好的图案信息。因此通过离子研磨抛光来增强表面信息是非常有利的。为了让 ebsd 提高到更好的检测水平，离子研磨抛光能被用来去除精细样品材料的表面材料。使用二维的方法无法得到这一系列的技术产量切片技术。半导体截面观察在半导体行业的很多案例中，离子研磨抛光可以让失效分析快速的得到有用的信息。通常切割或者机械研磨样品会产生样品表面损伤，这些问题可以通过离子研磨抛光来解决，这也得力于多样化的样品夹具来优化了这些操作过程。使用飞纳台式电镜观察 1060 离子研磨抛光仪制样效果1060 离子研磨抛光仪标准版和专业版1060 离子研磨抛光仪技术参数离子束源两束电磁聚焦离子源加速电压范围： 100 ev - 6.0 kev，连续可调离子束流密度高达 10 ma/cm2可选择单束或者双束离子源工作独立控制两束离子束源加速电压 （仅专业版）样品台离子束入射角 0? 到 +10?最大样品尺寸：直径 25mm，高度 15mm样品高度自动感应360? 样品旋转样品往复摇摆，从 ±40? 到 ±60?真空系统两级真空系统：无油干泵和涡轮分子泵皮拉尼型真空计感应控制真空工作气体99.999% 纯度的氩气每离子束流速约 0.2 sccm，名义上所需压力为 15psi 采用自动气体流量控制技术，实现离子源气流的精密流量控制，含两个流量计气压源气动阀驱动氩气,液氮,或者干燥空气；所需压力要求名义上 60 psi样品照明用户可选的反射照明自动终止计时器设定自动加工终止用户界面标准版内置触摸屏，包含基本设备功能模块专业版?内置触摸屏，包含基本设备功能模块?基于电脑，加工流程可通过参数编程并实时显示操作状态?操作灯光指示器（选配）辅助光学显微镜可选配一个 7-45 倍的体视显微放在与真空系统内用于直接观察样品；或者选配一个具有 2,000 倍的显微成像系统，用于定点成像并显示在电脑显示屏上尺寸标准版69cm*38cm*74cm*51cm （宽*底端到设备外壳高*底端到显微镜高*深）专业版107cm*38cm*74cm*51cm （宽-含电脑显示器*底端到设备外壳高*底端到显微镜高*深）重量73 kg电源100/120/220/240 vac，50/60 hz，720 w

招标平台信息显示，6月17日，上海新昇半导体科技有限公司最终抛光机采购项目评标结果公示。该项目为上海新昇采购1台最终抛光机，中标候选人为华海清科股份有限公司（以下简称：华海清科）。据悉，华海清科是一家拥有核心自主知识产权的高端半导体设备制造商，主要从事半导体专用设备的研发、生产、销售及技术服务，主要产品为化学机械抛光（CMP）设备。6月8日，华海清科在上海证券交易所科创板上市。统计数据显示，上周，华海清科中标华东光电集成器件研究所化学机械抛光系统招标项目2台CMP。

设备型号：MECATECH 250 SPI设备名称：自动研磨抛光机 设备简介： 自动研磨抛光机,适用于包括大面积和高硬度材料等各类样品的自动化研磨抛光。内置制备方法数据库，可保存多达100种不同材料制备方法。满足对制样结果一致性和可重现性的要求。 技术参数： 1）底盘： 电机功率：750 瓦。 底盘转速：20-700 转/分钟。 底盘转向：顺时针或逆时针。 扭矩补尝：变频电机自动补偿。 工作盘尺寸：200-250 毫米。 工作模式：研发模式(R&D) – 所有参数可调； 程序模式(Program) – 只允许按预定参数工作。 2）自动工作头： 结构：齿轮箱传动。 电机功率：180 瓦。 工作头转速：20-150 转/分钟。 工作头转向：顺时针或逆时针。 压力模式：单点力。 样品数量：单点力时1-4个。 样品压力：1-200牛，设备启停时自动减小。 自动给液：200毫升蠕动泵滴液器2只，流量流速可控。 功能特点：1.电机变频器，充分保证转速/扭矩恒定，满足对大尺寸/高硬度样品的制备。2.7英寸宽大液晶LCD触摸屏装置于设备前端。方便设置转速/转向/水阀开关/工作时间等所有参数。3.分级管理软件功能，通过密码保护使实验室主管对制样工艺参数实现统一管理，以保证各类材料制备结果的一致性和重现性。研发模式与程序模式可供选择：A. 研发模式 — 可对所有制备参数调整及设定。适用于教育、研发等具有材料多样性的使用环境。B. 程序模式 — 按照数据库预先存储的参数进行制备。适用于生产、质量控制等固定材料使用环境。4.自带蠕动泵驱动200 毫升滴液器，可程控抛光液/润滑液自动喷洒数量和频率；另可模块化联接DISTRITECH 5.1自动分液系统，以全面排除人为因素干扰，提高制备结果的一致性和可重现性，并降低样品制备成本。5.底盘结构：带倾斜角度底盘，方便液体流出；抬高主轴轴承位置，防止液体流入；附带防溅环；结构简单，方便维修。6.可移除式高分子材料承托碗，防污防锈，易于清洗，并方便维修/保养。7.可通过内置网络模块或USB接口导入/导出制备方法。8.磨盘甩干功能，步骤结束后甩干砂纸/磨盘/抛光布，方便储存。9.自动工作头180度旋转，方便内侧样品装夹。10.安全装置：一侧紧急停车按钮；工作状态时，工作头自动位置锁定；全面符合安全标准。创新点：全新设计外观，运行时更加稳定。大功率变频马达给工作头和工作盘充足动力 PRESI普锐斯-自动研磨抛光机-MECATECH 250 SPI

铝合金、镁合金、硬钢、软钢、陶瓷涂层，印刷线路板？这么多种类材料的金相样品制备，精细磨抛如何用氧化铝抛光液抛光？只知道一般情况，末道工序要使用0.05μm的氧化铝抛光液。但是需要抛光多长时间呢？加载力是多少N呢？是否需要加水？......。对于刚入行的金相小白，对如何使用氧化铝抛光液抛光还真是一头雾水，有点懵圈......，只有恰当使用氧化铝抛光液抛，才能快速抛光出理想表面！可脉检测小编让您一文看懂，不同材料如何使用氧化铝抛光液抛出理想表面，希望能帮到你。在氧化铝抛光液的家族中，粒度径有0.05μm、0.3μm和1μm等多个粒度径型号，其中0.05μm的使用较多，主要用于金相样品的末尾一道抛光工序，可有效去除微小划痕，理想再现材料的微观组织形貌。依据各种类材料的性质不同，氧化铝抛光液在使用方法上略有差别。小编依据日常实验经验，整理出常见材料制备时的具体使用方法，列表如下：以上是0.05μm氧化铝抛光液，在对不同材料样品抛光时的使用方法，供大家参考。温馨提示：1、抛光过程中，当磨盘相对转数500转以上快速抛光时，则需要添加抛光冷却润滑液或者 水。 添加时，注意流速要慢些再慢些，以确保氧化铝磨料颗粒不被水流冲离抛光布而造成浪费。2、对于易氧化的材料，千万不可加水，换成酒精作为冷却润滑剂是不错的方法。介绍这么多对氧化铝抛光液的使用方法，你看懂了吗？如有疑问可随时联系可脉检测的应用工程师咨询。

CMP 技术是目前国际公认唯一可以提供全局平坦化的技术，它是半导体技术中的重要应用突破，而CMP抛光垫（Chemical Mechanical Polishing Pad，CMP Pad）正是这一工艺中的重要耗材。1、CMP抛光垫的作用CMP技术是使被抛光材料在化学和机械的共同作用下，材料表面达到所要求的平整度的一个工艺过程。抛光液中的化学成分与材料表面进行化学反应，形成易抛光的软化层，抛光垫和抛光液中的研磨颗粒对材料表面进行物理机械抛光将软化层除去。在CMP制程中，抛光垫的主要作用有：①使抛光液有效均匀分布至整个加工区域，且可提供新补充的抛光液进行一个抛光液循环；②从工件抛光表面除去抛光过程产生的残留物（如抛光碎屑、抛光碎片等）；③传递材料去除所需的机械载荷；④维持抛光过程所需的机械和化学环境。除抛光垫的力学性能以外，其表面组织特征，如微孔形状、孔隙率、沟槽形状等，可通过影响抛光液流动和分布，来决定抛光效率和平坦性指标。抛光垫必须对抛光液具有良好的保持性，在加工时可以涵养足够的抛光液，使CMP中的机械和化学反应充分作用。为了保持抛光过程的稳定性、均匀性和可重复性，抛光垫材料的物理性质、化学性质以及表面形貌等特性，都需要保持稳定。 2、CMP 抛光垫的种类抛光垫种类可按材质结构主要有：聚合物抛光垫、无纺布抛光垫、带绒毛结构的无纺布抛光垫、复合型抛光垫。 ①聚合物抛光垫聚合物抛光垫的主要成分是发泡体固化聚氨酯，聚氨酯抛光垫具有抗撕裂强度高、耐磨性强、耐酸碱腐蚀性优异的特点，是最常用的抛光垫材料之一。图 聚氨酯抛光垫微观结构在抛光过程中，聚氨酯抛光垫表面微孔可以软化和使抛光垫表面粗糙化，并且能够将磨料颗粒保持在抛光液中，可以实现高效的平坦化加工。聚氨酯抛光垫表面的沟槽有利于抛光残渣的排出。但聚氨酯抛光垫硬度过高，抛光过程中变形小，加工过程中容易划伤芯片表面。粗抛选用发泡固化聚氨酯抛光垫。②无纺布抛光垫无纺布又称不织布，由定向的或随机的纤维构成，微观组织对抛光垫性能产生重要影响。无纺布抛光垫的原材料聚合物棉絮类纤维渗水性能好，容纳抛光液的能力强，但是其硬度较低、对材料去除率低，因此会降低抛光片平坦化效率。常用在细抛工艺中。 图 无纺布抛光垫微观结构 ③带绒毛结构的无纺布抛光垫带绒毛结构的无纺布抛光垫是以无纺布为基体，中间一层为聚合物，表层结构为多孔的绒毛结构，绒毛的长短和均匀性影响抛光效果。当抛光垫受压时，抛光液进入空洞中，压力释放时恢复原来的形状，将旧的抛光液和反应物排出，并补充新的抛光液。图 带绒毛的无纺布抛光垫微观结构图带绒毛结构的无纺布抛光垫硬度小、压缩比大、弹性好，在精抛工序中常被采用。 ④复合型抛光垫复合型抛光垫采用"上硬下软"的上下两层复合结构，兼顾平坦度和非均匀性要求。复合型抛光垫含有双重微孔结构，将目前抛光垫的回弹率大幅降低，减少了抛光垫的凹陷和提高了均匀性，解决了因抛光垫使用过程中易釉化的问题。 图 复合型抛光垫微观结构基体中加入了能溶于抛光液的高分子或无机填充物，如聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮等，这些填充物在抛光过程中溶于抛光液，形成二级微孔，延长抛光垫的使用寿命并降低缺陷率，减少抛光液的使用量。随着半导体产业的高速发展，使得 CMP 技术应用显著增加，对 CMP 抛光垫的需求量也显著增长。然而CMP抛光垫的制备技术门槛高，涉及力学、界面化学、摩擦学、高分子材料学、固体物理和机械工程学等诸多学科领域。目前，全球抛光垫生产几乎都被美日韩企业所垄断，国产替代加速。

我们都知道在实验室进行金相磨抛时，想要得到一个自己满意，客户认可的样品，需要使用到多种金相磨抛耗材，在金相磨抛机上经过多次磨抛才能完成。所以，毫不夸张的说，选择什么样的金相磨抛耗材就决定了你可以收获到什么样的样品。 可脉小编今天就为大家带来金相磨抛过程中不可或缺的一款耗材，一款可以让你轻松高效且满意的磨抛耗材。它就是来自美国QMAXIS原装进口的金相抛光液，是用于高品质的金相制样抛光的，微米级、纳米级的金相抛光液。 美国QMAXIS金相抛光液，分为金刚石研磨抛光液和氧化铝/氧化硅抛光悬浮液。详情介绍如下： 金刚石抛光液：为金相制样研磨、抛光工序常用的微米级的金刚石抛光剂，手工抛光、自动抛光均适用。有单晶、多晶；水基、油基；浓缩型，常规型等多种型号可供大家选择，无毒环保，基本可以满足各种材料的研磨抛光需求。 氧化铝/氧化硅抛光悬浮液：为高品质纳米级氧化物抛光材料，包括氧化铝、氧化硅、硅-铝混悬浮液，是各种材料的抛光理想抛光剂，可以精致地再现材料微观结构。 美国QMAXIS的原装进口金相抛光液不光好用，性价比也很高。而且种类多，型号全，真正做到了可以满足各种材料的金相抛光所需。所以，有需要金相抛光液的小伙伴们赶紧来可脉检测选购吧！

在半导体硅片的制造过程中，抛光是一个至关重要的步骤，它使用高速旋转的低弹性材料抛光盘，如人造革或棉布，或低速旋转的软质弹性或粘弹性材料抛光盘，并添加抛光剂以获得光滑的表面。对于碳化硅（SiC）晶片而言，抛光不仅是研磨后的必经阶段，而且对于去除由研磨引起的表面损伤和硬粒至关重要，这些损伤和硬粒可能会在切割过程中导致晶片破损。抛光过程通常分为两个阶段：粗抛和精抛。化学机械抛光（CMP）是精抛阶段中最常使用的技术。粗抛主要针对晶片的双面进行，目的是提高抛光效率，并改善衬底表面的总厚度偏差（TTV）、弯曲度（BOW）和翘曲度（Warp），同时提升表面质量粗糙度（Ra）。CMP则专注于单面抛光，目的是消除碳化硅晶片表面的划痕，实现极高的表面光洁度。作为SiC单晶衬底加工的最后一步，CMP确保最终表面达到超光滑、无缺陷和无损伤的质量标准。随着碳化硅材料在半导体行业的应用日益广泛，对于高质量的SiC晶片的需求也在不断增长。高质量的抛光设备对于确保SiC晶片满足高性能电子器件的要求至关重要。国内SiC抛光设备厂商通过技术创新和工艺改进，已经能够提供与国际标准相媲美的抛光解决方案，这些解决方案不仅提高了生产效率，还确保了晶片的加工质量。本文将介绍国内在SiC抛光设备领域表现突出的厂商，让读者更全面地了解碳化硅材料的加工技术和产业链的发展情况。晶亦精微：深化 CMP 技术在第三代半导体材料领域的应用晶亦精微科技股份有限公司，作为北京烁科精微电子装备有限公司的延续，承载着推动科技成果转化的重要使命。公司自2019年成立以来，就专注于化学机械抛光（CMP）技术的研发与应用，特别是在第三代半导体材料领域的深耕。作为CMP技术的先行者，晶亦精微科技股份有限公司已经成功实现了8英寸CMP设备的境外批量销售，并推出了国内首款具有自主知识产权的8英寸CMP量产设备。此外，公司的12英寸CMP设备在28nm工艺节点的国际主流集成电路生产线上完成了工艺验证，标志着其技术已经达到了国际先进水平。晶亦精微科技股份有限公司紧跟第三代半导体材料的发展趋势，推出了适用于6英寸和8英寸晶圆的CMP设备，这些设备不仅兼容传统的硅材料，还能够满足碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料的抛光需求。这一创新举措，为国内半导体产业的发展提供了强有力的设备支持。公司的6/8英寸CMP设备——Horizon-T，具备全自动干进干出的功能，工艺切换灵活，适用性广泛。该设备特别支持SiC、GaN等第三代半导体材料的平坦化工艺需求，已经在国内实现了批量销售，为半导体制造商提供了高效、可靠的抛光解决方案。众硅科技：聚焦CMP高端设备杭州众硅电子科技有限公司自2018年5月成立以来，专注于高端化学机械平坦化/抛光（CMP）设备及相关产品的开发与制造，其产品线覆盖了从6英寸到12英寸的多种规格尺寸的CMP设备。众硅科技的12英寸高端CMP设备被认定为国内首台（套）产品，技术水平在同类产品中达到国际领先地位。此外，公司研制的8英寸先进CMP设备已获得国际半导体行业的SEMI认证，并在多家知名集成电路制造企业的生产线中得到应用，证明了其设备的可靠性和先进性。针对碳化硅衬底的CMP设备TNTAS® ECMP，是众硅科技的重要创新成果。该设备采用了独特的碳化硅化学机械抛光工艺，区别于传统工艺，它无需使用强氧化剂，提供更为温和的工艺条件，同时保证了出色的抛光效果。TNTAS® ECMP作为全自动CMP设备，省略了封蜡和贴膜的步骤，这不仅提高了去除率和产能，还降低了综合运营成本（COO）。此外，该设备在化学尾液处理上更为简便和环保，符合当下对绿色生产的要求。苏州郝瑞特：从产品制造商向产品服务商转变苏州赫瑞特电子专用设备科技有限公司，前身为国营兰州风雷机械厂，拥有深厚的军工背景，自1969年成立以来，已经走过了超过四十年的发展历程。2010年6月，兰州赫瑞特集团投资转型，将其建设成为一家专注于研发、生产、销售切割、研磨、抛光等专用设备及提供整体解决方案的高科技企业。公司致力于技术创新体系的构建和技术成果的商业化，将科技成果有效转化为市场产品，以此创造客户价值并推动企业的持续发展。凭借四十多年的技术积累，苏州赫瑞特在电子专用设备领域奠定了坚实的产品创新与开发基础。其产品线涵盖研抛（包括双面和单面抛光）、切割（包括多线和单线切割）以及工控等三大类，通过不断的技术创新和突破，其产品已广泛应用于多个行业。特别值得一提的是，公司的X62 S50D-T抛光机，这是一款专为4-8英寸半导体硅片、碳化硅、蓝宝石、锗片、铌酸锂、钽酸锂、玻璃等片状硬脆材料设计的单面高精度抛光加工设备。该设备以其易于操作、高配置和低噪音等特点，满足了市场对于高精度抛光工艺的需求。晶盛机电：专注“先进材料、先进装备”浙江晶盛机电股份有限公司自2006年成立以来，一直专注于先进材料和先进装备的研发与制造。公司以硅、蓝宝石、碳化硅这三大主要半导体材料为核心，开发了一系列关键设备，并将业务范围拓展至化合物衬底材料领域，致力于为半导体和光伏行业提供具有全球竞争力的高端装备和优质服务。在第三代半导体材料领域，晶盛机电取得了显著成就，成功生长出行业领先的8英寸碳化硅晶体。公司还建立了6英寸碳化硅晶体的生长、切片、抛光环节的研发实验线，其产品已经通过了下游客户的验证。晶盛机电将持续加强技术创新和工艺积累，以实现大尺寸碳化硅晶体生长和加工技术的自主可控，进一步巩固其在行业中的领先地位。晶盛机电还研发了碳化硅、半导体硅、蓝宝石三大领域的研磨抛光设备，这些设备能够满足从6英寸到12英寸多规格的高质量研磨抛光需求。这些设备以其高产能、高精度和高稳定性的特点，满足了市场对高性能半导体材料加工设备的需求。特思迪：探索8英寸SiC衬底的磨抛加工工艺北京特思迪半导体设备有限公司，自2020年成立以来，便致力于半导体领域表面加工设备的研发、生产与销售。公司总部位于北京，产品线覆盖了减薄机、抛光机、CMP设备以及贴蜡、清洗、刷洗等机器，服务于半导体衬底材料、半导体器件、先进封装、MEMS等多个领域。在2023年，特思迪在碳化硅衬底行业的磨抛设备出货量实现了显著增长，同比增长达到87.5%。公司不仅加速了新产品的研发，还成功推出了8英寸碳化硅全自动减薄设备，以及新款双工位单面抛光机、全自动CMP后清洗机和金刚石抛光机等。这些新设备在功能和工艺指标上均达到了国际先进水平，展现了公司在技术创新上的雄厚实力。特思迪在技术创新和产品开发上的成就得益于其强大的研发能力。公司目前拥有100余项自主知识产权的专利申请及授权，其主要产品的核心部件已实现国产化，并已规模化量产化合物半导体专用的减薄和抛光设备。特思迪不断推进新品研发，其产品线得到了进一步的扩充和完善。在碳化硅衬底领域，公司推出的新款双工位单面抛光机，相较于传统单机，效率提升了100%。此外，公司自主研发的全自动CMP后清洗机，以及为满足市场对金刚石衬底加工需求而研发的金刚石抛光机，都标志着特思迪在高端半导体设备制造领域迈出了坚实的步伐。上海致领：8吋SiC晶片全自动抛光线推出上海致领半导体科技发展有限公司自2011年成立以来，专注于精密平面加工领域，提供全面的解决方案，包括设备、配件、辅材、工艺研发及服务。公司在半导体晶片化学机械抛光机领域取得了显著成就，其产品已获得Semi认证，并成功替代了国内头部芯片厂商的进口设备，展现了其在半导体设备国产化方面的重要贡献。2023年，上海致领完成了一项重要的技术突破，开发了HCP-1280R2-SIA重型化学机械抛光机，这是一款专为6寸和8寸碳化硅晶片设计的高效率、高精度抛光设备。该设备能够实现超过10PSI的抛光压力，配备了先进的压力头往复摆动功能和分区加压功能，这些特性使得HCP-1280R2-SIA能够提供卓越的产品精度，满足高精度抛光工艺的需求。上海致领的这一创新成果不仅提升了公司在半导体设备领域的技术实力，也为碳化硅晶片的加工提供了强有力的支持。随着碳化硅材料在半导体行业的应用日益广泛，上海致领的HCP-1280R2-SIA抛光机有望在提高生产效率和产品质量方面发挥重要作用。小结单晶碳化硅以其卓越的物理和化学性质，在半导体行业中扮演着越来越重要的角色。然而，正是这些特性也给碳化硅的加工带来了挑战。单晶碳化硅的莫氏硬度高达9.5，表明它具有极高的硬度，这使得加工过程需要更为先进的技术和设备。同时，碳化硅的化学稳定性意味着它在常温下不会与大多数化学物质发生反应，进一步增加了加工的复杂性。碳化硅的压缩强度远大于其弯曲强度，这一特性使得材料在加工时更易碎裂，特别是在抛光过程中。为了实现高质量的抛光效果，需要施加更大的压力，这就要求抛光设备具备更高的负载能力和更精确的压力控制功能。尽管碳化硅的加工存在诸多挑战，但随着第三代半导体技术的快速发展，国内外设备制造商正在积极寻求突破。目前，长晶设备的国产化已经取得了显著进展，但切磨抛等加工设备的国产化程度相对较低，这些领域仍然是国内设备厂商需要重点攻克的方向。为了减少对进口设备的依赖，国内厂商正在加大研发投入，推动技术创新，以期在切磨抛等关键加工设备上实现国产化。通过不断的技术积累和市场验证，国内设备制造商有望逐步提升产品的技术水平和市场竞争力，满足国内半导体产业对高性能加工设备的需求。

碳化硅作为一种新兴的半导体材料，具有导热率高、宽禁带、高击穿电场、高电子迁移率等特性，使得其成为目前研发比较集中的半导体材料之一。因为这些性能，碳化硅可以广泛地应用于衬底、外延、器件设计、晶圆制造等多个领域。据中研普华产业研究院发布的报告显示，2023年中国碳化硅外延设备市场规模约为13.07亿元，预计到2026年将增至26.86亿元，由此可见其巨大的潜力市场。然而在实际应用过程中，碳化硅非常硬，莫氏硬度约为9.5，接近于金刚石，导致其在抛光研磨过程中存在一定的难点，给现有的加工技术带来了巨大的挑战。金属摩擦诱导反应磨削技术金属摩擦诱导反应磨削技术主要是以金属摩擦诱导化学作用为原理，在反应变质层的不断生成及去除的循环过程中，实现碳化硅的高速去除。碳化硅虽然莫氏硬度非常高，但它不适用于加工黑色金属，因为碳化硅会在高温下分解，碳原子和硅原子会扩散到金属中形成金属硅化物和不稳定的金属碳化物，在冷却过程时逐步进行分解，造成磨损极其严重。根据这一特点，人们推断纯金属可以与碳化硅在一定条件下发生化学反应。在实验过程中，碳化硅衬底的碳面往往有着近乎无损伤的表面，而硅面存在大量裂纹、位错、层错和晶格畸变等晶体缺陷。用铁摩擦碳化硅衬底的碳面材料去除率可达330µ m/h。用纯镍摩擦碳化硅衬底的硅面材料去除率为534µ m/h。目前这一方法的相关研究较少，主要聚焦在小尺寸的碳化硅加工上，但它在碳化硅衬底磨抛和碳化硅芯片减薄加工中具有巨大的潜力。溶胶凝胶抛光技术溶胶凝胶抛光技术是一种绿色、高效的抛光方法，通过使用半固结磨料和柔性基材，借助软质基体所拥有的柔性特点，实现了磨粒的“容没”效应，以在极硬半导体衬底上实现超光滑和低缺陷密度的表面。这种方法结合了化学和机械作用，可以在不造成严重表面或亚表面损伤的情况下，有效的抛光极硬半导体衬底。与传统CMP相比，溶胶凝胶抛光技术能够在短时间内显著降低表面粗糙度，并实现较高的材料去除率；软质基体由于具有较好的柔韧性，可以在较低的抛光压力下工作，减少对工件和设备的压力需求，减少磨粒的磨损和脱落，延长磨粒的使用寿命。前驱体物质（通常是金属有机化合物）转化为溶胶，通过水解和缩合反应形成凝胶，在溶胶-凝胶抛光垫中，磨粒被部分固定在凝胶基质中，这样可以在保持磨粒活动性的同时，提供一定的机械强度。国内学者利用这一技术对HTHP单晶金刚石（111）面进行加工，抛光22h后，表面粗糙度从230nm降至1.3nm。磨粒划擦诱导碳化硅水反应的磨抛技术磨粒划擦诱导碳化硅水反应的磨抛技术是一种先进的材料加工技术，主要应用于碳化硅等硬脆材料的精密加工。这项技术利用磨粒在加工过程中对碳化硅表面产生的划擦作用，结合水反应来改善材料的去除效率和表面质量。通过控制磨粒的容没效应，使得磨粒保持在同一高度上，通过磨粒划擦诱导碳化硅表面生成非晶碳化硅，非晶碳化硅与水可以反应生成软质二氧化硅，再通过磨粒划擦去除二氧化硅的变质层。在纳米尺度中，碳化硅衬底表面在金刚石等压头的反复机械作用下会被诱导成非晶化的碳化硅。非晶化的碳化硅和水反应生成二氧化硅的影响因素包括载荷、接触状态、速度和温度，通过对这一过程的合理利用，可以使碳化硅衬底的加工效率、表面质量得到显著的提升，可以合理避免裂纹的产生。当前以CMP为代表的化学反应研磨抛光技术是加工碳化硅衬底的重要手段，但加工效率非常低，材料去除率只能达到0.5µ m/h左右，而金属摩擦诱导反应磨削技术可以达到300-500µ m/h。目前有关于这部分的研究还较少，在后续表面的处理、材料的选用等还有待进一步的优化，相信在未来，以机械诱导为主的反应磨抛技术可以给我们带来更多的惊喜！

概 述欧波同材料分析研究中心分析测试业务于年初正式上线，受到业内广泛关注。近期中心收到很多客户的咨询，询问一些特殊样品的制样方法或解决方案。我们根据客户咨询和反馈，整理了相关的案例分享给大家，希望能给大家点思路。一、微纳米颗粒 （针对200μm以下样品） 应用范围：微纳米材料内部结构分析例 如：锂电池阳极材料、微纳米颗粒颗粒类的样品多数利用扫描电镜检测形貌、粒度统计、能谱并做一些长度测量，但是一旦涉及内部结构观察普通制样方式很难达到要求。制样方式缺点研钵研磨/刀片压碎只能看到断面的情况，而且成功率不高，电镜观察需要费时寻找镶嵌包埋需要机械抛光，容易脱落；耗时；需考虑镶嵌料对样品影响举例来讲，图1是客户要求观察颗粒表面和断面形貌，研钵研磨后，结果并不理想，视野内可见大量碎裂颗粒，且断面情况各异更无法进行测量等工作。图 1图2是用Gatan Ilion II设备抛光后结果，可见视野内颗粒全部切开，截面平整，易于观察测量；图3为局部放大，颗粒内部结构一览无余。图 2图 3二、多层复合材料/镀层/高分子薄膜应用范围：分层材料、薄膜或其他柔性材料例 如：锂电池隔膜、镀层等多层复合材料其实在我们生活中应用极为广泛，比如各种触摸屏。这类材料主要看截面分层情况，但是由于其柔性大，普通方式比如剪切、液氮脆断等都会导致分层扭曲、断面不齐整等问题，影响后续用电镜进行分层测量。举个例子-样品为电池极板（图4、图5）：图4是剪刀剪切后的电镜结果，可以看到由于剪切力的影响，层次不够分明，无法进行精确测量，无法提供有效的信息。图 4图5为Gatan Ilion II抛光后结果，层次清晰，可进行精确测量。图 5三、电子元器件图 7红框1局部放大，可见有10层结构

AutoMet™ 250 研磨抛光机面向严苛的生产实验室环境的高性能设备AutoMet 研磨抛光机是兼具可靠性、灵活性和易用性的高性能设备。凭借 Pro 型号的智能编程和功能确保用户获得可重复的结果，适用于需要处理大量样品的高要求客户环境。AutoMet 250 研磨抛光机优势制备和清洁过程中可节省时间 直观的薄膜面板控制易于操作。 快速清洁功能包括可伸缩的软水管、一次性碗状内衬和360度冲洗。 D型盘易于更换。选择满足实验室需要的出色方案 无需使用较大的装置时，选择8”和10”尺寸的基座盘可优化砂纸和金刚石成本。先进的编程功能可轻松实现高级的功能【Pro 版】 彩色触摸屏控制增加了多种先进的功能，例如Z轴材料定量去除，以及制备方法存储。 快速切换制备步骤，以便轻松设置流程。 与自动配送系统兼容，可进一步节省成本并获得高度可重复的结果。清洁流程大为简化【Pro 版】 冲洗和旋转功能使您只需按一下按钮即可快速轻松地进行清洁。 伸缩式水管可快捷清洁整个碗型内衬。 碗型内衬可防止盘内区域脏污和碎屑堆积。选择合适的方案，以满足实验室需求【Pro 版】 无需制备较大样品时，选择8”和10”尺寸的磨盘可降低砂纸和金刚石成本。产品规格AutoMet 250 机器电源100-240VAC, 50/60Hz, 单相电机功率1Hp [750W]磨盘直径8in [203mm], 10in [254mm]磨盘转速10-500rpm，调整增量 10rpm磨盘转向顺时针或逆时针供水管外径 0.25in [6mm]供水压力40-100psi [25-60bar]基座耗电量极限1.1kW, 9.6/4.8A @ 115/230VAC基座和动力头耗电量极限1.73kW, 15/7.5A @ 115/230VAC显示面板薄膜面板，显示：3 位 LED 显示, 14 个 LED 状态显示；单位：公制或英制（Pro 版）触摸屏面板，全彩色 LCD 屏 7in [175mm]对角线 防水等级符合 NEMA4 (IP65)基座噪音(在无载荷条件下于 1.5ft [0.5m] 距离处测得)59.5dB @ 100rpm基座与动力头噪音(测得条件同上)61.5dB @ 100/30rpm重量170lbs [77kg]受控标准CE 标志 EC 指令动力头规格AutoMet 250 电机功率0.156Hp [116W]速度30-60rpm，调整增量 10rpm中心力加载5-60 lbs [20-260N]单点力加载1-10 lbs [5-45N]试样尺寸，中心力模式1in, 1.25in, 1.5in, 25mm, 30mm, 40mm 及较大或不规则样品试样尺寸，单点力模式1in, 1.25in, 1.5in, 25mm, 30mm, 40mm压缩空气管外径 0.25in [6mm]压缩空气压力35psi [2.4bar]机器耗电量极限630W, 5.5/2.7A @ 115/230VAC重量70 lbs [32kg]受控标准CE 标志 EC 指令创新点：（1）友好智能化的操作界面； （2）多模式的快速切换，无上限的程序存储功能，程序步骤的自由切换； （3）一键清洗，快速清洁及可更换内衬； （4）Z轴定量磨削模式，内置详细的自动喷液控制系统，真正实现磨抛的自动化操作。 AutoMet™ 250 研磨抛光机

金相样品制备中，镁和镁合金由于基体硬度较低而沉淀相硬度较高而很难制备，容易出现浮雕现象，研磨抛光过程载荷太大又可能造成机械峦晶等缺陷。因此，在抛光过程中，应设法恰当选用金相抛光布。我们实验室制备美镁合金样品通常使用的是四步法，其中第三、四步分别选用了两种材质的金相抛光布。无绒的SatinCloth抛光布和长绒的MicroMet抛光布，这两种金相抛光布均为QMAXIS的抛光布，下面分别介绍一下。SatinCloth金相抛光布：在中等抛光步骤，使用3μm金刚石抛光液，配合使用这款抛光布。其材质是由人工合成丝和蚕丝紧密编织而成，属无绒抛光布，其编织纹理适合配合9µm及以下的金刚石、Al2O3、SiO2 抛光液使用，不但能很好的Hold住研磨介质微粒，还可以使磨料颗粒分布均匀，与样品表面充分接触，达到快速磨削、去掉变形层，表面平整的效果。这款金相抛光布可应用于各种金属、岩相、陶瓷和涂层等材料样品的制备。用它来配合金刚石抛光液给镁合金样品做中等抛光，效果不错。MicroMet 金相抛光布：在精细抛光步骤，使用1μm金刚石抛光液，配合使用这款抛光布。其材质是由人造纤维与棉背衬编织而成，属长绒的抛光布，纤细的绒毛表面，对微细的研磨微粒有很好的分布和承载作用，主要应用于材料的精细抛光步骤，配合3µm及以下的金刚石、Al2O3、SiO2 抛光液使用，令抛光更加柔和细密，有效的去掉样品表面细微划痕，表面平整度和光洁度更佳，用它来配合金刚石抛光液给镁合金样品做精细抛光很是非常理想的。注意：抛光过程加载力不要过大，避免浮雕、机械孪晶等缺陷。温馨提示：由于镁合金容易被水侵蚀。制备步骤中尽量不用水，可将1到3份的甘油混合到酒精中作为润滑剂，也可在研磨制备步骤中都使用配制的甘油酒精混合液。 切记抛光时一定要用冷却剂，因为细的镁粉是火灾隐患，千万注意哦。镁合金样品制备难度大，要制备好，除了具备熟练的制备技术外，还要有无绒的SatinCloth和长绒的MicroMet这两款金相抛光布提供助力！需了解更多制备方法，欢迎与可脉检测的应用工程师联系，愿为您提供更快捷的解决方案。

BUSINESS MEETING会议介绍2020-10-29 14:00，哈佛仪器携仪器信息网将举办“微电极阵列技术对胰岛进行非侵入 性电信号记录的发展与应用”讲座直播会议将对胰岛细胞外中通量电生理记录的新兴技术进行详细的介绍 欢迎大家点击链接报名参加！https://www.instrument.com.cn/webinar/meeting_22140.htmlBUSINESS MEETING主讲人Jessie Wang王娟哈佛仪器亚洲区技术支持会议时间：2021-10-29 14:00BUSINESS MEETING会议内容胰岛电生理活性传统研究方法简介微电极阵列技术与胰岛细胞外电生理记录的发展与特点微电极阵列技术在胰岛细胞外电生理记录中的应用a.氧化应激对胰岛电生理活性的影响b.胰岛在微电极阵列电极上的长期培养与记录Beta Screen与MEA2100-MINI 系统简介BUSINESS MEETING主讲人简介王娟，上海交通大学医学院硕士，曾参与5-HT抑制坏死性调往信号通路改善糖尿病胃肠神经病变的机制研究，具有多年神经电生理、神经电化学、离体器官灌流、动物行为学等产品的应用经验，现任哈佛仪器资 深产品应用专家，为哈佛电生理产品线提供技术支持。BUSINESS MEETING参会说明一、参会条件1.免费报名无需任何差旅费用，只需一台电脑或一部手机，网络宽带超过128K。2.讲座PPT将实时传送给所有参会者，参会者也可通过文字向报告人提问，报告人在报告结束后统一进行解答。二、参会方式1.报名参会并通过审核后，您将收到邮件通知，并在会前一天收到提醒参会的短信通知。2.会议当天进入仪器信息网网络讲堂首页（webinar.instrument .com.cn），点击“进入会场”，填写报报时手机号，即可登陆会场参会。

镁及其合金材料，由于其基体硬度较低，延展性强，而沉淀相相对硬度又较高，因此，在金相样品制备过程中，样品是很难制备的。主要表现在浮凸现象较为突出。解决这个问题，一般的方法是适当减少抛光时间，或者抛光时用金刚石抛光膏替代抛光液。我们实验室，除了采用以上两种方法外，同时使用美国进口ChemoCloth金相抛光布配合抛光剂进行精细抛光，这种方法很有效。可脉检测工程师的建议我们，在镁及其合金样品的制备时，精细抛光步骤使用美国QMAXIS的ChemoCloth 抛光布，浮凸问题轻松可以解决。来自美国QMAXIS的这款ChemoCloth金相抛光布，使用耐化学腐蚀合成织物制成，无绒的表面，适用于配合1µm及以下的Al2O3、SiO2 抛光液，对钛、镁及其合金、不锈钢、铅 / 锡焊料、电子封装、软的有色金属和塑料等类材料的精细抛光。这款金相抛光布，对于我们制备镁合金样品非常适用。其多孔的纤维结构能更好地Hold住研磨介质颗粒，良好的耐化学腐蚀性，以及软硬适度的特性。这些特性使磨料可深入到织物内部，虽然抛光时去除率小了一些，但能有效避免浮凸现象产生，进而达到样品制备的技术要求。 除此之外，ChemoCloth 金相抛光布，非常耐腐蚀，一点也不会出现掉毛，掉色，和卷边的现象。使用了很久，除了表面自然磨耗外，没有给所制备的样品表面带来污染和二次损伤的现象，它比普通金相抛光布要耐用很多，使用寿命长的特点也很突出。解决镁合金样品制备的浮凸问题，用这种金相抛光布的确很有效！了解更多详情，随时联系可脉检测的金相工程师，会获得更专业的帮助。

2024年7月9日，由中国粉体网主办的“2024高端研磨抛光材料技术大会”在河南郑州高新假日酒店隆重召开！本次大会聚焦高端研磨抛光材料应用及技术难点，面对行业的新机遇和新挑战，深入探讨了当前高端研磨抛光行业的发展方向，共寻产学研用交流合作。大会云集了高端研磨抛光材料及仪器装备企业，科研院所以及半导体等终端企业的 300多位行业精英。大会此次特邀我司总经理采访对话并在大会发言演讲：“高速离心纳米粒度仪在超硬材料和高效研磨领域的应用”。我司代理的美国CPS高精度纳米粒度分析仪一直服务于超硬材料、抛光液、氧化粉材料的TOP企业，帮助企业解决了纳米材料粒径的真实粒径分布测量，特别是100nm超细粒径的粒径测试，得到客户的认可，复购率逐年增加。此次展会让更多的企业了解我们仪器的解决方案，再次感谢您对儒亚科技的支持和关注，我们将继续努力不断创新产品，为全行业提高更优质的产品和一体化解决方案!落幕不散场，期待与您再次相遇！

7月8日，在北京亦庄创新发布会上，中电科电子装备集团有限公司发布了离子注入机、化学机械抛光设备、湿法设备等多项技术上的创新成果，为国内外芯片制造企业提供一站式解决方案。作为集成电路制造前道工序中的关键设备，离子注入机的研发难度仅次于光刻机。由于离子注入机对洁净度要求很高。在芯片制造过程中，通常有70多道离子注入工序，因此，这种装备的注入能量要控制得很精准，还要在很多工艺技术上精益求精。据中电科电子装备集团有限公司战略计划部主任李进透露，中电科已实现了离子注入机全谱系产品国产化，可为芯片制造企业提供离子注入机一站式解决方案。此外，中电科的化学机械抛光设备(CMP)和湿法设备作为集成电路制造核心、关键设备，也取得了新突破。北京亦庄发文称，中电科200mm抛光设备已经进入到中芯国际、华虹宏力、台积电、联电等大线，被中芯国际誉为“唯一置换率100%的国产设备供应商”。并且，中国电子科技集团自主研发的湿法设备和先进封装设备也取得了多项突破。据李进介绍，电科装备8英寸CMP设备国内市场占有率已达70%，12英寸CMP进入客户验证阶段，性能表现优异；湿法设备已进入到8英寸集成电路外延片加工和芯片制造领域。多年来，中国电子科技集团攻克了数百项集成电路制造装备关键技术，支撑了半导体和新兴电子元器件产业的快速发展，为国内外用户提供了1万多台（套）电子制造装备。

工业纯钛是非常软的易延展的金属，金相样品制备非常困难，在样品研磨和抛光过程中，容易生成机械孪晶，塑性变形、研磨颗粒嵌入、划痕去除不完全等缺陷。使用手动研磨抛光方法制备时，更容易出现样品表面不平整，导致无法呈现真实微观组织。因此，欲快速方便制备组织清晰、无划痕、无变形、无嵌入的钛金相样品，不仅需要成熟的技术，也需要选择好每一步制备所使用的耗材。我们实验室，在抛光步骤中所选用的两种金相抛光布，配合金刚石抛光液使用，对工业纯钛样品抛光，效果一直都非常稳定，现分享给朋友们，愿能给做金相的朋友一些帮助。当然，我们使用的是自动磨抛机研磨抛光样品，通常采用四步法来制备，分别选用了美国QMAXIS（可脉）的SatinCloth 金相抛光布和MicroMet 金相抛光布。► SatinCloth 金相抛光布配合3µm 金刚石悬浮液，采用抛光冷却润滑液冷却► MicroMet 金相抛光布配合1µm 金刚石悬浮液，采用抛光冷却润滑液冷却具体制备方法如下：切割：精密切割机/砂轮切割机，QMAXIS 切割有色金属的金刚石切割片和砂轮切割片镶嵌：热压镶嵌机METPRESS A，PhenoPowder 酚醛树脂磨抛：自动研磨抛光机METPOL-A，P240和P1200金刚石磨盘，3μm和1μm金刚石悬浮液，SatinCloth和MicroMet 金相抛光布。小贴士：因工业纯钛研磨抛光的速率较低，在精细抛光步骤中应添加侵蚀抛光剂，以获得理想的抛光效果。如果对样品制备的要求较高时，可在精细抛光时使用振动抛光，以去除样品表面浅表层的内应力。 经验证明工业纯钛样品制备，用QMAXIS的这两种金相抛光布，效果很稳定！关于所选用的SatinCloth 金相抛光布和MicroMet 金相抛光布的详细信息和其他方面的应用，可联系可脉检测的应用工程师咨询，这里不做介绍了，他们更专业。

8月的夏日，骄阳似火，蝉鸣蛙叫，南京的这个夏天酷热难挡，空气里带着热浪，炽热的太阳，照着烈日下每个忙碌的身影，人们穿梭在高楼林立的城市水泥森林中，赶路，上班，送快递，送外卖，即便是挥汗如雨，也不能停下脚步。带着满脸汗水，走进实验室，今天要给一家研究所做个电路板的金相试样，看到实验台上的金刚石抛光液，立刻忘记了炎热，心情倍感清新凉爽，有了这瓶金刚石抛光液，制备这个试样，就放心、安心、省心了。分享一下这个产品吧，希望也给你的夏日实验室带去一缕清凉。这款原装进口美国QMAXIS（可脉）金刚石抛光液，金刚石浓度高，纯度高，微粉粒径一致，分散均匀，性能稳定，且无毒环保。金刚石抛光悬浮液磨削能力强，去除率高，表面一致性效果好，抛光表面效果好，能满足各种材料的金相研磨、抛光需求，使金相试样的研磨和抛光既有速度，又有质量。手动抛光和自动抛光均适用，这款金刚石抛光液有多种规格型号可选：PolyDia 水基多晶金刚石抛光液MonoDia 水基单晶金刚石抛光液ComboDia 水基单晶金刚石混合抛光液OilDia 油基单晶金刚石抛光液手动抛光和自动抛光均适用。 八月里，这瓶经济又实用的，原装进口美国QMAXIS（可脉）金刚石抛光液，滴入飞速旋转的湿润的抛光布上，仿佛是给被抛光的试样注入了一丝清凉，也给整个实验室带来了盛夏里的凉爽，更是激发出了老师和同学们的工作热情。经历火热的八月，体会盛夏的味道，成就不一样的自己，一定会有更多的收获。

新加坡科技研究局微电子研究所Institute of Microelectronics Agency for Science的Venkataraman等人与奥地利Nexgen Wafer Systems公司以及新加坡格罗方德公司GlobalFoundries的工程师组成研究团队,共同开发出一种新的晶圆背面抛光技术。在光检测与测距(LiDAR)等各种应用中,背照式三维堆叠CMOS图像传感器备受该领域专家们关注。这种三维集成器件的重要挑战之一,是对单光子雪崩二极管(SPAD)晶圆的精确背面抛光,该晶圆与CMOS晶圆堆叠,晶圆背面抛光通常通过背面研磨和掺杂敏感湿法化学蚀刻硅的组合来实现。研究团队开发了一种湿法蚀刻工艺,基于HF:HNO3:CH3COOH定制化学试剂,能够在p+/ p硅过渡层实现蚀刻停止,掺杂剂选择性高达90:1。他们证明了全晶圆300mm内厚度变化仅约300nm的可行性。此外,也对HNA蚀刻硅表面的着色和表面粗糙度进行了表征,最后,提出一种湿法锥蚀方法来降低表面粗糙度。该研究成果发表于2023年5月30日至6月2日在美国佛罗里达州奥兰多召开的第73届电子组件与技术会议(ECTC)上。论文录用日期为2023年8月3日,并被IEEE Xplore 收录。这项突破将有可能推动背照式CMOS图像传感器在汽车智能驱动等领域的应用。

铝合金在工业应用中十分广泛，作为有色金属结构材料，在航空航天、机械、汽车、船舶等工业中被大量应用。铝合金材料的研究和应用需求不断发展，金相分析作为对材料检测的重要手段和步骤之一，也随之更加深入，可脉检测金相工程师将快速掌握使用氧化铝抛光液制备铝合金样品的经验分享给朋友们，为提高我们的工作质量和效率提供参考。铝合金的金相样品制备，通常情况，在用四步法或五步法的制备时，使用MgO做精细抛光剂是非常理想的，但由于MgO很难以非常细小的粒度提供，实际上使用起来并不容易，所以，采用氧化铝抛光液来代替MgO是不错的方法。但，需要提示的是：标准的煅烧氧化铝抛光介质不适合铝合金金相样品的制备，而胶体三氧化二铝悬浮液才是铝合金样品制备非常理想的抛光剂。在铝合金家族中，许多铝合金的金相样品是通过四步制备法制备的，采用氧化铝抛光液配合短绒/中绒抛光布，对样品进行精细抛光，不仅可保留铝合金中全部的金属间化合物微粒，还能有效控制浮凸缺陷。可脉检测金相工程师的铝合金样品四步制备法如下表所示：温馨提示：在使用6μm和3μmd金刚石抛光液进行中等研磨时，可能会发生嵌入现象，这时，可用金刚石抛光膏替代金刚石抛光液研磨，会有效改善嵌入缺陷。快速掌握使用氧化铝抛光液制备铝合金金相样品的方法简单介绍这些，以上方法采用的是美国QMAXIS研磨抛光耗材，仅供参考！如您还有疑问或未解决的问题，欢迎联系可脉检测金相工程师，共同探讨更适合您的解决方案。

近年来，随着中国科技的发展，美国对中国实行了史上最严的科技制裁，最近的俄乌战争又再一次提醒中国人我们只能发展自己的核心科技才能创造更美好的家园。然而在西方列强众多的科技制裁中半导体成为了重中之重，半导体设备与工艺国产化刻不容缓，令人欣喜的是通过众多科研工作者的努力安集微电子已经实现了化学机械抛光（CMP）中铜／铜阻挡层抛光液、钨抛光液、氧化物抛光液、硅抛光液的国产化。什么是CMP抛光液？CMP全称为 Chemical Mechanical Polishing，即化学机械抛光。该技术是半导体晶圆制造的必备流程之一，对高精度、高性能晶圆制造至关重要。抛光液的主要成分是研磨颗粒，PH值调节剂，氧化剂，分散剂；从成分中我们就大概知道了抛光液是一种对分散要求很高的纳米材料悬浮液，所以对颗粒的尺寸及其在溶液中的分散性都有着极其严苛的要求。低场核磁是如何检测这种悬浮液中颗粒的尺寸和分散性呢？低场核磁弛豫技术可以区分出纳米颗粒与溶剂的固液界面间那一层薄薄的表面溶剂分子，从而推导出溶剂覆盖在颗粒表面的比表面积，从而评价例如抛光液以及相关悬浮液样品的分散性。传统的氮气吸附方法测量比表面积难道不行？其实在核磁技术还没被应用于抛光液领域之前，大家都是用气体吸附这种方法来表征颗粒的比表面积，几乎是行业的金标准，但是在实际的研发与生产过程中发现就算确保了研磨颗粒的比表面积稳定还是会发生抛光液性能不稳定的情况，这种情况很可能是研磨颗粒在溶剂中发生了团聚，从而发生了尺寸上的变化而导致最终研磨性能的问题。低场核磁弛豫技术正是因为解决了溶液体系里颗粒的分散性而被广泛应用于CMP抛光液的研发与生产控制中。低场核磁技术还能用在哪些领域呢？除了半导体CMP抛光液，还有国家大力扶持的新能源电池浆料，光伏产业的导电银浆，石墨烯浆料，电子浆料等新材料都非常适合采用核磁技术来研究其分散性稳定性。

氩离子抛光技术是对样品表面或者截面进行抛光，得到表面光滑无损伤的样品，能够观察到样品内部真实结构。Gatan公司生产的精密刻蚀镀膜系统——PECS II 685（图1），是集抛光和镀膜于一体的氩离子抛光设备，它采用两个宽束氩离子束对样品表面进行抛光。685可以做普通的抛光方法无法解决的问题：a.氩气的工作氛围，可以有效保护容易氧化或者对水蒸气特别敏感的材料；b.样品台采用液氮制冷方式，可以有效的保护热敏感的样品，避免离子束热损伤；c.685自带的精确到纳米级别的镀膜功能，可以有效解决容易氧化且导电性特别不好材料的SEM/EDS/EBSD等的分析。下面我们通过两个案例来说明为什么氩离子抛光技术在镀膜领域的应用是无可替代的。图1 精密刻蚀镀膜系统PECS II 685 例1：光伏作为我国战略性新型产业，其发展牵动着我国的方方面面。光伏玻璃为目前光伏产业链上电池组件封装环节使用的必须辅助材料之一，整个光伏玻璃的发展与光伏产业的发展密切相关。所谓光伏玻璃是指在超白压延玻璃上镀一层减少反射的材料即减反膜，作用是减少或者消除透镜、棱镜、平面镜等光学表面的反射光，增加这些原件的透光量。因此对减反膜的研究显得尤为重要。图2是观察某公司生产的光伏玻璃上减反膜的厚度。图2（a）显示普通制样无法准确观察到减反膜厚度，而利用精密刻蚀镀膜系统PECS II 685制备的样品不仅可以准确测量膜的厚度还可以观察到其真实形貌：这是一种厚度约180 nm的具有多孔结构的膜，见图2(b)。 图2 普通制样及氩离子抛光制样观察减反膜（a普通制样；b PECS II 685制样）例2：以聚碳酸酯为基底，在上面包覆TiO2/SiO2交替膜共8层，每层膜厚度只有50 nm左右，普通制样根本无法观察到膜结构，更无法观察8层交替膜。我们同样使用PECS II 685进行制样，由于样品不导电且容易被氩离子束打伤，故同时利用PECS II 685的冷台、刻蚀、镀膜功能，在同一真空环境下对样品进行抛光和镀膜，利用蔡司的Sigma 300场发射扫描电镜清晰观察到8层TiO2/SiO2交替膜，见图3。 图3 PECS II 685制备TiO2/SiO2交替膜

6月15日，晶盛机电发布公告称，审议通过了《关于部分募集资金投资项目延期的议案》，同意将向特定对象发行股票募集资金投资项目“年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目”达到预定可使用状态日期由原定的2024年6月30日延期至2025年6月30日。项目延期的主要原因为加强提升自动化和智能化，推进新质生产力建设，实施精细化生产管理，提升设备装配制造效率。2022年4月，晶盛机电发布公告称，公司拟向特定对象发行募集资金总额不超过14.2亿元（含本数），扣除发行费用后投向12英寸集成电路大硅片设备测试实验线项目、年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目、补充流动资金。根据公告，年产80台套半导体材料抛光及减薄设备生产制造项目计划投资总额5亿元，原定建设期2年。建成后将形成年产35台半导体材料减薄设备、年产45台套半导体材料抛光设备的产能。项目所生产的8-12英寸减薄设备可应用于硅片端和封装端，边缘抛光机、双面抛光机、最终抛光机专注于硅片制造端，所对应下游客户为硅片厂以及封测厂、IDM厂等。

近期，中国科学院上海光学精密机械研究所研究人员在数字化子孔径抛光中中频误差的研究方面取得进展，研究首次证明工具与光学元件间接触压强分布是影响中频误差不可忽视的重要因素，并提出旋转卷积模型（RPC），实现了受该因素影响下中频误差定量解耦；研究成果进一步深化了对子孔径抛光中频误差产生机制的理解，也为中频误差的进一步抑制提供了新的研究思路。相关研究成果发表于《光学快报》（Optics Express）。随着现代光学系统的快速发展，高功率激光、大型望远系统、光刻系统等对光学元件精度及产能提出了极高的要求，尤其是中频误差指标已成为制约各系统进一步提升的关键瓶颈问题。在高功率激光系统中，中频误差会引起焦斑拖尾和近场调制，甚至会损坏光学元件；在成像系统中，中频误差会引起小角度散射，降低光束质量和成像对比度。在数字化子孔径抛光制造过程中，普遍认为路径及去除函数的形貌是影响中频误差的关键影响因素；但随着制造精度不断提升，很大比例的反常中频误差浮出水面，现有理论的局限性已逐渐暴露。针对该瓶颈问题，研究发现子孔径加工过程中以去除函数为最小计算单元的不完备缺陷，工具与表面接触压强分布的非对称性会在运动过程中不断引入额外中频误差。为定量解析该过程引入的中频误差分布规律，研究基于空变压强分布旋转不变特性修正了Preston经典方程，得到了以实际接触压力分布为最小计算单元的旋转卷积（RPC）模型；通过该模型分析得到了接触压强分布、转速比（自转速度/进给速度）等关键参数对中频误差的定量影响关系；首次提出基于Zernike多项式的接触压强分布不对称性正交解耦算法，实现了接触压强分布对中频误差影响的直观指标分解。实验验证中，该模型对中频误差的预测准确度优于85%。相关研究成果将应用于ICF装置中大口径光学元件工艺优化，可为数字化子孔径抛光中频误差的抑制提供新的手段。相关工作得到国家重点研发计划、国家自然科学基金、上海市扬帆计划、中国科学院青年创新促进会的支持。图1（a）表面压强分布与中频误差的关系。（b）不同路径间隔中转速比与中频误差的关系。图2 （a）不同瓣数的表面压强分布与转速比耦合作用原理。（b）不同瓣数的表面压强分布与转速比耦合作用对中频误差的影响。图3 实验与仿真的对比图。

慕尼黑上海分析生化展（analytica China）是亚洲最大的分析和生化技术领域的国际性博览会，是业内领军企业全面展示最新技术、产品和解决方案的最佳平台。慕尼黑上海分析生化展（analytica China 2016）将于 2016 年 10 月 10 - 12 日在上海新国际博览中心 N1，N2，N3 馆举行。飞纳电镜携帕纳科台式 XRF 及台式离子研磨抛光仪 1060 在 N3.3205 展出，欢迎广大参加本次慕尼黑上海分析生化展的观众们前来参观，体验飞纳台式扫描电镜，帕纳科台式 XRF 及台式离子研磨抛光仪三款台式科学仪器带来的突破与惊喜。一、台式扫描电镜： 飞纳电镜来自于世界领先的扫描电镜制造商 Phenom-World，是快捷、出众、可靠的电镜成像分析设备，主要应用于材料科学，生命科学，工业制造，地球科学，电子，鉴定，教育等领域。飞纳台式扫描电镜自推出以来，深受广大高校老师和学生的欢迎。 飞纳电镜独特的集成化设计，体积小巧，主无需配备专业的实验室，提供在诸多领域中要求的高分辨率以及高质量分析成像。高性价比、操作简便、快速成像的飞纳台式扫描电镜成为工程师，技术员，研究员以及科教专家观测微米以及纳米结构的首选。飞纳电镜具有以下主要优点：1)15 秒抽真空，30 秒快速成像，无需喷金，可直接观测样品；2)独家配置光学导航，方便用户实时定位扫描样品的位置；全触控界面及自动马达样品台，操作便捷；3)是世界上唯一采用 CeB6 灯丝的台式扫描电镜，寿命长（1500 小时，是普通钨灯丝寿命的 20-30 倍）、亮度高、色差低，图像细腻；4)独有的防震设计，能够最大限度的减小外界环境对电镜的干扰，采用软件保护硬件模式，对于电镜起到很好的保护作用；5)功能多样化的样品杯及软件拓展功能；应用软件终生免费升级，国外工程师可 24 小时通过网络对电镜的性能进行监测和调试，后期维护简单。 二、台式X射线荧光光谱仪 作为元素成分分析的一种方法，帕纳科台式 XRF 在环保领域、食品领域、材料领域、化学化工等众多领域有着广泛的应用。XRF 是一种物理分析方法，相比于化学方法，XRF 无需强酸消解等样品前处理步骤，不会产生二次污染，操作简单，检出限可达到 ppm 级。 帕纳科作为飞利浦的分支机构，现已成为全球最大的 X 射线分析仪器生产厂家，是专业的 X 射线仪器制造商。帕纳科台式 XRF 继承了飞利浦节能高效的传统，采用最新一代硅漂移探测器，具有优越的性能。其主要特点如下： 1.提供快速简单精确的元素分析方法，一般 3 分钟即可得到检测结果；2.超高的分辨率（135eV）以及优秀的检出限（ppm 级到亚 ppm 级），可检测元素范围 C（6）－Am（95）；3.对样品状态的强大兼容性，可以测试规则、不规则样品、粉末样品、熔融样品以及液体样品等；4.超快学习上手性能，仅需简单培训即会操作使用；5.自主提供的独特的陶瓷光管，实现完美的仪器匹配和光管超长寿命；6.超小占地面积，占地面积不超过 0.2 平米；7.无损分析，无需强酸消解。在测定中不会引起化学状态的改变，同一试样可反复多次测量，重现性好。 三、台式离子研磨抛光仪：台式离子研磨抛光仪一台高质量的 SEM 样品制备台式精密仪器，满足几乎所有材料应用的样品制备。Fishione 具有目前最先进技术的离子研磨抛光系统，设计精巧，操作方便，性能稳定。可用于制备各种材料的高质量扫描电镜样品，满足苛刻的成像及分析所要求的样品制备。台式离子研磨抛光仪进行加工的材料来源种类十分广泛，包括由多元素组成的试样，以及具有不同机械硬度、尺寸和物理特性的合金、半导体材料、聚合物和矿物等。如焊缝焊缝截面、集成电路焊点、芯片 BGA 切片、多层薄膜截面、颗粒纤维断面、复合材料、陶瓷、金属及合金、岩石矿物及其他无机非金属等各种材料的 SEM 样品。台式离子研磨抛光仪具有以下特点：1、具有高能量双离子束源，可同时聚焦在样品表面，大大提高了研磨抛光速度；2、具有预真空锁，将真空舱体与外部环境隔离，保证样品转移过程中极佳的真空环境；3、可以对样品进行实时的原位观察；4、具有高度自动感应功能，同时可利用编程对样品进行重复定位、调节旋转速度和往复摆动角度。

2021年1月5日，湖北鼎龙汇盛新材料有限公司就集成电路CMP用抛光垫项目（三期工程50万片/年）情况进行公示。项目建设地点位于湖北省潜江市江汉盐化工业园长飞大道1号，总投资高达1.67亿元。据了解，CMP即化学机械抛光（Chemical-MechanicalPlanarization），是在晶圆制造过程中使用化学及机械力对晶圆进行平坦化处理的过程。相关数据显示，CMP材料在半导体材料中整体占比高达7%，其中抛光垫在CMP材料中的价值量占比约60%。目前为止，我国集成电路制造环节所使用的CMP抛光垫几乎100%依赖进口，国产化势在必行。据悉，该项目拟新建车间占地面积6000平方米，建筑面积16500平方米，购置并安装湿法线、片皮机器、压花机、贴合机、抛光机等仪器设备共43台，完善配套设施。建成后将拥有年产50万片CMP用抛光垫生产能力。

由于煤、石油、天然气等资源不可再生的特点使得开发可持续性能源成为当务之急。1991年日本索尼公司推出的锂离子电池让世界看到绿色能源电池新契机，其高比能量和高比功能密度已被广泛应用在电动汽车、国防工业、便携式电子设备等领域中。石墨因比容量高、结构稳定、成本低等特点已广泛用作商业负极材料，因此正极材料成为制约锂离子电池发展的重要因素。在众多的正极材料中，三元正极材料镍钴锰Li（Ni1-x-yCoxMny）O2由于其导电性能优良、成本低廉、环境友好等特点成为具有商业应用价值的电池材料。而正极材料能继承前驱体的形貌和结构特点，所以前驱体的结构、制备工艺对正极材料的性能有着至关重要的影响。因此对三元前驱体材料Ni1-x-yCoxMny(OH)2形貌及结构的研究显得尤为重要。为了更好的观察三元前驱体材料Ni1-x-yCoxMny(OH)2的内部结构，我们使用美国GATAN Ilion II 697精密刻蚀仪（图1）对材料进行刻蚀。Ilion II 配备两支无损、能量范围大的（100V-8KV）聚焦离子枪，样品制备时，高低电压的结合可极大提高抛光的速度和质量。同时聚焦离子枪的设计，可以保证低电压下，快速获得高质量的样品表面。 图1 GATAN Ilion II 697精密刻蚀镀膜仪 我们利用Ilion II 697精密刻蚀镀膜仪并配备蔡司Sigma 500场发射电子显微镜实现对三元前驱体材料的制备及观察。697所制备的粉末样品数量足够多，且表面平整度好，不仅可以看到其内部的孔隙大小、结构情况，还可以看到晶粒的大小和分布情况等。如图2(a)可看出材料整体制备平整、完好无损伤，2(b)可清晰观察到材料内部纳米级别孔隙；图2(c)(d)为另一种结构的前驱体材料，孔隙较小且可观察到晶粒。正所谓“工欲善其事，必先利其器”，选择合适的实验仪器和实验方法能让您的科研达到事半功倍的效果。图2 三元前驱体材料刨面结构