无掩模曝光机

主要简介： UTA系列是将DLP投影仪盒金相显微镜相结合的缩小投影型无掩模曝光系统，其价格低于传统系统（用于掩膜光刻的图案投影曝光系统） 可以使用专门为此目的开发的软件来创建想要的图案。主要特点： l 显微镜LED曝光装置概述l 显微镜LED曝光单元UTA系列是不需要掩模的用于光刻的图案投影曝光装置。l 使用金相显微镜盒LED光源DLP投影仪，将具有机微米分辨率的任意图案投影到涂有抗蚀剂的基板上进行曝光。l 图案可以在PC上自由创建。l 因为可以在普通的室内环境中在各种大小盒形状的单晶薄片上形成电极，所以它比电子束光刻便宜且简单，不需要制造昂贵的电极图案掩膜。 主要应用：l 薄膜FET和霍尔效应测量样品的电极形成l 从石墨烯/钼原石中剥离电极形成并评估其特性l 研发应用的图案形成。 技术参数：由于显微镜和DLP的结合，可以用很低的成本来构建系统易于使用的软件可以轻松的创建曝光图案通过物镜放大倍率图案，可以进行大范围的批量曝光可以连接到您自己的显微镜上（选项）分辨率在微米级曝光范围：2.5mm×1.5mm 最小100um×60um可以连接到您自己的显微镜上（选项）分辨率在微米级曝光范围：2.5mm×1.5mm 最小100um×60um

OAI 超过35年的历史按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。OAI 200型光刻机和紫外曝光系统 OAI系统可以处理各种常规和不规则形状的宽范围的基材。 高效光源在各种光谱上提供均匀的紫外线照射。. OAI 200型光刻机和紫外线曝光系统是一种经济高效的高性能工具，采用行业验证的模块化组件进行设计，使OAI成为MEMS，纳米技术和半导体设备行业的领先者。200型是台式机型，需要最小的洁净室空间。它为研发，试验或小批量生产提供了经济的替代方案。利用创新的空气轴承/真空卡盘校平系统，基板被快速和平缓地平整以用于平行光掩模对准和在接触暴露期间在晶片上的均匀接触。该系统具有微米分辨率和对准精度。对准模块具有掩模插入件组和快速更换晶片卡盘，其允许使用各种衬底和掩模，而不需要对机器重新设定。对准模块包含X，Y和θ轴（微米）。200型对准器可以广泛地安装进对准光学仪器，包括背面IR。 IR照明真空吸盘可以被配置用于整个或或部分晶片的对准。 OAI 200型可配置OAI纳米压印模块，使其成为最低成本的NIL工具。 OAI还提供了一个模块，设计用于使用液体光引物进行快速成型或生产微流体器件。 Model 200具有可靠的OAI光源，在近紫外或深紫外线下使用200至2000瓦功率的灯提供准直的紫外光。双传感器，光学反馈回路与恒定强度控制器相关联，以提供在所需强度的±2％内的曝光强度的控制。可以简单快速地改变UV波长。 型号200是一个高度灵活的， 经济的解决方 案，适合任何 入门级掩模对准和紫外线照射应用。 特点:&bull 高效，均匀，曝光系统与强度控制电源&bull 近，中，深紫外线能力可用&bull 亚微米套印和逐层校准&bull 易于互换的掩膜架和掩膜&bull 用户可设置，“基板到掩膜”间的压力&bull 软接触，硬接触，真空接触，接近曝光模式&bull 暴露可用时氮气N2吹扫&bull 超精确的卡盘运动&bull 可变速率电子操纵杆(可选)&bull 红外对准能力(型号200IR)(可选)&bull 顶部侧对齐以及背面对齐选项&bull 系统隔振具有四(4)象限独立调节(可选)&bull 高可靠性和低维护设计与优秀的文件应用MEMSNIL微流体纳米技术II-VI和III-V器件制造多级抗蚀剂处理LCD和FED显示器MCM’S薄膜器件太阳能电池SAW器件 选项提供单或双相机和屏幕（双相机/双屏版本如照片所示）可以安装NIL的Nano Imprint模块可安装微流体模块 OAI 200型台式光刻机和紫外线曝光系统 OAI 200型掩模对准器和UV曝光系统 特征 规格 体积小 基板平台 X, Y TravelZ TravelMicrometerGraduationsRotation ± 10mm 真空吸盘 1,500 microns.001" .0001"or .01mm .001mm± 3.5? 精密对准模块 可互换的面罩架和基板卡盘 掩膜 大小 Up to 14" x 14" 好处 光源 光束尺寸灯功率 Up to 12" square200, 350, 500, 1,000, and2,000 Watt NUV I 需要最小的洁净室空间 500, 1,000 and 2,000 Watt DUV I 对易碎基材材料造成损坏降至最低 快门定时器设施 定时器 0.1 to 99.0 sec. at 0.1second incrementsor 1 to 999 sec. at 1second increments I 精确对准至1微米 I 可轻松容纳各种基材和面罩 电压 110或220 / 400vac（或根据其他国家电源要求） I IR透明晶片的背面掩模对准，精度高达3-5微米 真空 20 - 28” Hg. I 高度准直，均匀的紫外线 空气和氮气 CDA at 60 PSI andN2at 40 PSI 排气 .35“至.5”水 I 快速更改UV光波长 I 曝光控制强度为±2％ 尺寸 高度宽度深度运输重量 37” (200mm), 45” (300mm)31” (200mm) , 60” (300mm)25” (200mm), 70” (300mm)250 Lbs. (200mm), 400lbs (300mm) I 可以配置为NIL的Nano Imprint工具

仪器简介： 光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner) 原产国: 韩国MIDAS公司 型号：MDA-400M, MDA-400LJ，MDA-600S 又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；MIDAS为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！ 此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用Ushio紫外灯或者LED光源，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！ 技术参数：项目 技术规格 曝光系统光源功率 350W 紫外光源及电源品牌：Ushio，使用寿命保证1000小时 *也可以采用LED光源，使用寿命保证10000小时 *以上两种光源需选择一种分辨率 - 真空接触模式 : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- 硬接触模式 : 1um- 软接触模式 : 2um- 20um 渐进模式: 5um 最大光束尺寸*4.25×4.25 inch光束均匀性 *≤ 3% (4inch standard)光束强度 max 30mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统对准精度0.5um对准间隙手动调节光刻模式真空,硬接触，软接触，渐进模式卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation (专利技术)真空卡盘移动范围*X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围*10mm接近调整步幅 1um整体对准移动*气动式，前后纵向移动显微镜及显示器 显微镜及显示器 CCD and Monitor*双CCD显微镜，Dual CCD zoom microscope 17寸LCD显示器 ，放大倍数 : 80x ~ 480x 样品尺寸大小2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inch安装要求真空 Vacuum -200 mbar (*包含进口无油真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电力 Electricity220V, 15A, 1Phase 1）高分辨光刻，至1um水平；2）可使用各种掩模板，小尺寸~4英寸均可用；再大尺寸，可以定制化服务。3）特殊的基底卡盘可定做；4）高精度对准台及显微镜操纵器；5）用于不同紫外曝光的高强度光学装置；6）用于楔形补偿的空气方位系统；7）所有部件均可接触；8）符合人体工程学操作；9）低成本，高品质；10） *两年保修主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

瑞士idonus提出了一种创新的紫外线照明系统，该系统基于大功率LED和高级微透镜阵列的使用。该产品可用于光致抗蚀剂曝光，适用于多种基材。我们完整的UV照明产品线可满足300 mm宽的掩模和晶圆的光刻需求。可以设计定制的解决方案来满足您的特定要求（例如，对掩模对准器进行改造，为将来的产品提供OEM）。LED的好处直到最近，水银弧光灯能够提供适合UV光刻曝光的高强度光的光源。由于LED技术的进步，UV-LED已成为耗能汞灯的极具吸引力的替代品。除了生态和安全方面，与传统的汞灯相比，UV-LED的技术优势众多，并且对光刻具有重要意义。UV-LED的最重要的优点是，它们具有稳定的发射性，使用寿命长。结果，不需要日常校准和维护。此外，通过提高能源效率，LED减少了发热量，从而大大简化了系统冷却。UV-LED技术的好处LED使用寿命长，这意味着不再需要消耗品无需每日校准，即时稳定的照明即时开启，光线仅在曝光期间开启，无需机械快门低功耗有限的加热，这意味着非常低的空气冷却成本没有维护费用紫外线LED曝光系统idonus已经推出了完整的UV-LED曝光产品线。我们的系统将市场上最有效的UV-LED与高级微透镜阵列集成在一起。它们完全组装并在内部进行控制。我们的设计采用全远心光学元件，可在整个曝光区域提供可重复且均匀的照明条件-即高度均匀且稳定的强度，并且发散角很小。这种光学器件可确保整个基板完全均匀地曝光，从而生产出具有笔直侧壁的固化光致抗蚀剂，并具有微米级。应用：光刻曝光纳米压印紫外固化优点：工艺稳定免校准，免维护即时开/关无有害物质，无特殊安全规定

海思科技 吴先生 全自动接近式曝光机、半自动光刻机主要应用：MEMS制造、CMOS图像传感器、存储器、声波器件、微流体芯片、化合物半导体、 晶圆级先进封装、（TSV）等领域。技术参数：1．工作方式：装载机械手将晶圆片从 A 晶圆盒自动装载至预定位工作台，经过定位传感器及自动旋转系统的调节，实现工件的预定位；装载机械手再将完成预定位后的晶圆片装载至对准工作台，经过计算机图像识别及自动对准系统的调节，实现掩模版上图形与晶圆片上的图形的自动对准，也可以不用对位图形完成一次曝光，经过曝光系统的自动曝光后，再由卸载机械手将晶圆片自动放入 B 晶圆盒，直至整个晶圆盒内的晶圆全部完成套刻曝光。2．曝光面积：110×110mm； 支持晶圆4-12寸3．曝光照度不均匀性：≤3%；4．曝光强度：0～≥50mw/cm2可调；5．紫外光束角：≤3°（可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱）；6．紫外光中心波长：365nm；7．紫外光源寿命：≥2 万小时；8．分离量：0～≥1090um 可调；9．对准精度：≤1μm；10．曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；11. 曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光12. 定位传感器及自动旋转系统（含预订位工作台）：旋转角度 Q≥±180°旋转精度 Q≤0.001°；13．图像识别及自动对准系统（含对准工作台）：对准范围 X.Y≥±5mm，升旋转角度 Q≥±3°，显微镜整体横向相对移动≥±70mm。14．掩模版尺寸：5″×5″； 可定制15．晶圆尺寸：4″； 、6、816.A.B 晶圆盒移动：Z≥±100mm；17．装卸载机械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；18.晶圆盒晶圆片数量：根据客户晶圆盒晶圆数量定；19．版架台移动：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；20．曝光定时：0～999.9 秒可调；21. 生产节拍：10 秒+曝光时间；22．电源：单相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；23．洁净空气压力：≥0.4MPa；24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；26．重量：约 200kg

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：美国；型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

志圣曝光机薄丝网印刷表面通常印刷在焊料掩模上。通常，在丝网印刷表面上印刷符号和字符，可以指示电子元件在某一位置的信息和位置。因此，丝网印刷表面也称为图标表面。 1、工作台真空由排气扇产生，通过风道连接到工作台底部，气缸控制风道阀的打开和关闭。 2、气缸伸缩由电磁阀控制。 3、气缸伸出，真空阀关闭；气缸缩回，真空阀打开。 4、用手动模式实验打开和关闭真空阀。电磁阀起作用，但气缸不起作用。气缸始终处于伸出状态。难怪没有真空。 顾名思义，PCB是印刷电路板的缩写。它存在于每个电子设备中。

仪器简介：光刻机/紫外曝光机 (Mask Aligner)原产国: 韩国，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：KCMA-100；又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。感谢南开大学，中科院半导体所,中科院长春应化所，中科院物理所，浙江师范大学使用此设备做课题研究！！此型号光刻机是所有进口设备中性能价格比最高的型号，达到欧美品牌的对准精度，CCD显示屏对准更为方便，液晶触摸屏操作，采用欧司朗紫外灯，寿命长。整机效果皮实耐用，正常使用3年内不会出问题！！目前，上海蓝光已采用该公司全自动型光刻机做LED量化生产，证明其品质达到LED产业标准要求！！而且已经成功提供图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻工艺设备.技术参数：- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；- 光束均匀性：±3%；- 曝光时间可调范围：0.1 to 999.9秒；- 对准精度：0.6-1微米- 分辨率：1微米；- 光束输出强度：15-25mW/cm2； 项目技术规格曝光系统(Exposure System)MDA-400M型光源功率350W UV Exposure Light source with Power supply分辨率- Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )- Hard Contact : 1um- Soft contact : 2um- 20um Proximity: 5um最大光束尺寸4.25×4.25 inch光束均匀性≤ ±3% (4inch standard)光束强度15~20mW/cm2 (365nm Intensity)曝光时间可调整0.1 to 999.9 sec对准系统(Alignment System)对准精度1um对准间隙手动调节(数字显示)光刻模式真空, 硬接触, 软接触，渐进（Proximity）卡盘水平调节楔形错误补偿Wedge Error Compensation真空卡盘移动X, Y: 10 mm, Theta: ±5°Z向移动范围10mm接近调整步幅1um样品(Sample)基底 Substrate2, 3, 4 inch掩模板尺寸4 and 5 inchUtilities真空 Vacuum -200 mbar (系统包含真空泵)压缩空气 CDA 5Kg/cm2氮气 N23Kg/cm2电源 Electricity220V, 15A, 1Phase显微镜及显示器CCD and MonitorDual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor Magnification : 80x ~ 1000x 主要特点：- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 两个CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

μMLA桌面无掩模光刻机 桌面型光刻机μMLA 技术参数直写模式 I*直写模式 II*写入性能（光栅扫描和矢量曝光模式）最小结构尺寸 [μm]0.61最小线宽/线隙 [半宽, μm]0.81.5第二层对准大于 5 x 5 mm2 [3σ, nm]500500第二层对准大于 50 x 50 mm2 [3σ, nm]10001000直写性能 光栅扫描曝光模式线宽变代 [3σ, nm]200300直写速率 MAX [mm2/min]1030可选“可变分辨率光栅扫描曝光模块”的写入速度(UMVAR)，适用于不同最小结构尺寸。 10 mm2/min at 0.6 μm 30 mm2/min at 1 μm20 mm2/min at 1 μm60 mm2/min at 2 μm25 mm2/minat 2 μm 100 mm2/min at 4 μm矢量曝光模式的直写写性能矢量模式下的地址网格 [nm]2020边缘粗糙度 [3σ, nm]3050线宽变化 [3σ, nm]7080线性直写速率MAX200 mm/s200 mm/s系统参数衬底尺寸MAX5″ x 5″5″ x 5″最小衬底尺寸 5 mm x 5 mm 5 mm x 5 mm基板厚度0.1 to 12 mm0.1 to 12 mm光栅扫描模块矢量曝光模块光源LED 390 nm or 365 nmLaser 405 nm and/or 375 nm 系统尺寸(光刻单元) μMLAWidthDepthHeightWeight主机630 mm (25″)800 mm (31.5″)530mm (21″)100 kg (220 lbs)可选配防振表1400mm (55″)700 mm (28″)750 mm (30″)350 kg (770 lbs) 无掩模光刻机于2015年首次推出。从那时起，先进的无掩膜技术已经确立。μMLA提供了新一代的桌面激光光刻工具: 配置设置精确到您的需要与光栅扫描和矢量扫描模式(或两者)和可变分辨率的记录磁头。 在许多应用中，传统的光掩膜已经成为过去，因为你的设计文件是通过二维空间光直接暴露在电阻涂层晶圆上的调制器(SLM)。μMLA是MLA100的直接继承者，是“小”MLA150，是我们先进的无掩模对准器的兄弟，它是许多多用户设备、纳米制造实验室和国家研究所中值得信赖、不可或缺的主力。 在我们全新的入门级系统μMLA的开发过程中，我们引入了诸如可变解决方案等新特性，并创建了一个灵活且高度可定制的桌面系统。当然，小样本处理很简单。μMLA功能保留以前桌面系统的优点，同时提供更多的选择和更高的性能。应用包括研究和发展的领域，如MEMS，微流体，微光学和所有其他领域，负担得起，紧凑，和强大的模式基因rator微结构是必需的。 APPLICATIONS 应用程序微光学:二元衍射光学元件。设计由1个μm2正方形组成。μMLA提供了一个标准的灰度模式，这可以制造低创造的微镜头。防蚀胶：15 μm厚AZ4562。节距30 μm，曲率半径16 μm。CUSTOMIZE YOUR μMLA 定制您的μMLA 两种曝光模式μMLA可以让你选择光栅扫描曝光模式和矢量模式，或者甚至在同一个系统上运行曝光模式! 光栅扫描曝光模式快速，并提供良好的图像质量和保真度，而写入时间独立于结构尺寸或图案密度。矢量扫描模式可以帮助暴露由曲线组成的设计，当需要平滑的轮廓。虽然矢量模式产生的图像质量与光栅扫描曝光模式相似，但它不能达到同样的写入速度，特别是对于高填充系数的模式。 A Choice of Wavelengths 波长的选择因此，你可以在一个系统上使用多达三个不同波长(LED和/或激光二极管)。 Variable Resolution 可变分辨率我们新开发的可变分辨率函数允许您为一个部分的编写模式选择三种不同的分辨率。只需在软件菜单中选择解决方案，并为您的应用程序优化参数。 The Surface at One Glance可选的概述相机提供了一种简单的方法来定位对准标记或其他特征感兴趣的基板上。 Small Sample Handling 小样本处理小样品处理是直接与μMLA: 光学自动对焦选项允许准确曝光，直到样品的边缘。

μMLA桌面无掩模光刻机 桌面型光刻机μMLA 技术参数直写模式 I*直写模式 II*写入性能（光栅扫描和矢量曝光模式）最小结构尺寸 [μm]0.61最小线宽/线隙 [半宽, μm]0.81.5第二层对准大于 5 x 5 mm2 [3σ, nm]500500第二层对准大于 50 x 50 mm2 [3σ, nm]10001000直写性能 光栅扫描曝光模式线宽变代 [3σ, nm]200300最大直写速率 [mm2/min]1030可选“可变分辨率光栅扫描曝光模块”的写入速度(UMVAR)，适用于不同最小结构尺寸。 10 mm2/min at 0.6 μm 30 mm2/min at 1 μm20 mm2/min at 1 μm60 mm2/min at 2 μm25 mm2/minat 2 μm 100 mm2/min at 4 μm矢量曝光模式的直写写性能矢量模式下的地址网格 [nm]2020边缘粗糙度 [3σ, nm]3050线宽变化 [3σ, nm]7080最大线性直写速率200 mm/s200 mm/s系统参数最大衬底尺寸5″ x 5″5″ x 5″最小衬底尺寸 5 mm x 5 mm 5 mm x 5 mm基板厚度0.1 to 12 mm0.1 to 12 mm光栅扫描模块矢量曝光模块光源LED 390 nm or 365 nmLaser 405 nm and/or 375 nm 系统尺寸(光刻单元) μMLAWidthDepthHeightWeight主机630 mm (25″)800 mm (31.5″)530mm (21″)100 kg (220 lbs)可选配防振表1400mm (55″)700 mm (28″)750 mm (30″)350 kg (770 lbs) 无掩模光刻机于2015年首次推出。从那时起，最先进的无掩膜技术已经确立。μMLA提供了新一代的桌面激光光刻工具: 配置设置精确到您的需要与光栅扫描和矢量扫描模式(或两者)和可变分辨率的记录磁头。 在许多应用中，传统的光掩膜已经成为过去，因为你的设计文件是通过二维空间光直接暴露在电阻涂层晶圆上的调制器(SLM)。μMLA是MLA100的直接继承者，是“小”MLA150，是我们先进的无掩模对准器的兄弟，它是许多多用户设备、纳米制造实验室和国家研究所中值得信赖、不可或缺的主力。 在我们全新的入门级系统μMLA的开发过程中，我们引入了诸如可变解决方案等新特性，并创建了一个灵活且高度可定制的桌面系统。当然，小样本处理很简单。μMLA功能所有最好的在我们以前的桌面系统，同时提供更多的选择和更高的性能比以往任何时候。应用包括研究和发展的领域，如MEMS，微流体，微光学和所有其他领域，负担得起，紧凑，和强大的模式基因rator微结构是必需的。 APPLICATIONS 应用程序微光学:二元衍射光学元件。设计由1个μm2正方形组成。μMLA提供了一个标准的灰度模式，这可以制造低创造的微镜头。防蚀胶：15 μm厚AZ4562。节距30 μm，曲率半径16 μm。CUSTOMIZE YOUR μMLA 定制您的μMLA 两种曝光模式μMLA可以让你选择光栅扫描曝光模式和矢量模式，或者甚至在同一个系统上运行曝光模式! 光栅扫描曝光模式快速，并提供优秀的图像质量和保真度，而写入时间独立于结构尺寸或图案密度。矢量扫描模式可以帮助暴露由曲线组成的设计，当需要平滑的轮廓。虽然矢量模式产生的图像质量与光栅扫描曝光模式相似，但它不能达到同样的写入速度，特别是对于高填充系数的模式。 A Choice of Wavelengths 波长的选择因此，你可以在一个系统上使用多达三个不同波长(LED和/或激光二极管)。 Variable Resolution 可变分辨率我们新开发的可变分辨率函数允许您为一个部分的编写模式选择三种不同的分辨率。只需在软件菜单中选择解决方案，并为您的应用程序优化参数。 The Surface at One Glance可选的概述相机提供了一种简单的方法来定位对准标记或其他特征感兴趣的基板上。 Small Sample Handling 小样本处理小样品处理是直接与μMLA: 光学自动对焦选项允许准确曝光，直到样品的边缘。 5 mm x 5 mm

传统的光刻工艺中所使用的铬玻璃掩模板需要由专业供应商提供，但是在研发环境中，掩模板的设计通常需要经常改变。激光直写光刻技术通过以软件设计电子掩模板的方法，克服了这一问题。与通过物理掩模板进行光照的传统工艺不同，激光直写是通过电脑软件控制，在光刻胶上直接曝光绘出所要的图案，无需掩膜工序。绝大多数利用电子束刻蚀制造的器件只有很小的一部分结构需要用到电子束刻蚀的高分辨率，而大部分曝光时间都浪费在了如电极连接等大面积结构的生成上。Microtech可以被用在混合模式刻蚀工艺上：只用费用昂贵、速度缓慢的电子束刻蚀加工细小的结构，用成本低廉的Microtech加工大面积部分。Microtech先进的对准机制可以使两部工序完美结合。因此Microtech也适用于已经拥有电子束刻蚀的实验环境。Microtech是直写刻蚀领域畅销品牌，其创新技术和稳定系统源自美国麻省理工林肯国家实验室，LW405D系列转为科研实验室和小型超净室设计开发的多功能光刻系统，适用于快速微纳米加工和小规模生产，除了可达高分辨的线宽外，其稳定性和多功能性也得到业界的一致认可和好评。Microtech做为世界上很早研发激光光刻技术的供应商，打破了以往的激光直写设备高昂价格壁垒，使得研究人员可以理工与传统光刻机相当的成本完成更具灵活性的激光直写光刻工艺。

产品详情美国OAI边缘曝光机 2000SM,2000AF详细介绍型号2000SM边缘曝光系统2000AF型曝光系统OAI 2000型曝光系统可以配置为边缘曝光系统（2000SM）或曝光系统（2000AF） 这两种配置都基于OAI经过验证的，经过时间测试的平台。两种型号的2000型曝光系统包括UV光源，强度控制电源和机器人衬底处理子系统。 UV光源提供发散半角2.0％的可调强度光束。电源从200W到2,000W。强度控制器传感器直接连接到光源，用于精确的强度监控。机器人衬底处理系统是微处理器控制的，并且可以被编程以适应各种各样的衬底尺寸。阴影掩模能力使得用户能够在保持非常接近掩模的同时对衬底的顶部进行图案化。在25微米的分离时，这些系统能够具有6微米的分辨率。在SM配置中，边缘珠曝光系统提供了一种经济有效的方法，使用标准阴影掩模技术进行边缘珠去除。掩模和基材切换可以快速且容易地实现，从而增加了该大批量生产工具的通用性和生产量。在AF配置中，2000型泛光曝光系统用于增强和/或增强生产和研发环境中的光刻过程。应用包括光刻胶稳定和改性，图像反转和PCM工艺。Model 2000SM Edge-bead Exposure SystemModel 2000AF Flood Exposure SystemThe OAI Model 2000 Exposure Systems may be configured as either an edge-bead exposure system (2000SM) or a flood exposure system (2000AF) both configurations are based on OAI' s proven, time-tested platform.Both versions of the Model 2000 Exposure System include a UV light source, intensity controlling power supply and robotic substrate handling subsystem. UV light sources provide adjustable intensity beams with divergence half-angles of 2.0%. Power supplies are available from 200W to 2,000W. Intensity controller sensors are linked directly to the light source for accurate intensity monitoring. The robotic substrate handling system is microprocessor controlled and may be programmed to accommodate a wide variety of substrate sizes. The shadow mask capability enables the user to pattern the top of a substrate while being held in very close proximity to the mask. At a separation of 25-microns, these systems are capable of 6-micron resolution.In the SM configuration, the Edge-bead Exposure System provides a cost-effective method for edge-bead removal using standard shadow mask technology. Mask and substrate changeover can be accomplished quickly and easily adding to both versatility and throughput of this high-volume production tool.In the AF configuration, the Model 2000 Flood Exposure System is used to augment, and/or enhance the photolithography processes in both production and R&D environments. Applications include photo resist stabilization and modification, image reversal and PCM processes.

PicoMaster XF ATE-500 是一款具有超高精度的多功能紫外激光直写设备，它具有每毫米超过1200条线的输出能力，特别适合用户在光敏层上自由地创造微结构。独有的全息设计软件，提供了许多预先安装的全息效果及其光栅、结构的运算方法，它们可以很轻松地将把这些效果组合起来，十分利于用户的产品开发。同时软件也允许用户添加自己的算法和结构，来定制数据库、完善产品设计。系统优点v使用GLV （Grating Light Valve）技术，可实现高达1000个单位像素的激光束高速并行直写；v构建独立设计库，可完成最高自由度的3D光刻，并支持标准图像源、个性化的3D设计源；v支持最大 0.5米 x 0.5米的激光直写面积，低规格条件下，直写只需55个小时；v选择关闭灰度写入功能，直写相同曝光面积，其直写速度将提升2倍；v可定制更大幅面的无掩模激光直写系统解决方案.大幅面无掩模激光直写系统应用效果性能规格

SMEE 200系列光刻机 —— TFT曝光SSB200系列投影光刻机采用投影光刻机平台技术，用于AM-OLED和LCD显示屏TFT电路制造，可应用于2.5代～6代的TFT显示屏量产线。该系列设备具备高分辨率、高套刻精度等特性，支持6英寸掩模，显著降低用户使用成本。产品特征● 高精度，分辨率可达1.5μm● 支持小Mask，可用6英寸掩模实现12英寸屏幕制造● 具备智能化校准及诊断功能，方便设备参数校调及用户周期性维护主要技术参数型号分辨率套装精度基板尺寸SSB225/102μm L/S0.6μm370mm×470mm500mm×500mmSSB225/2201.5μm L/S0.5μm370mm×470mm500mm×500mmSSB245/10 2μm L/S0.6μm730mm×920mmSSB245/201.5μm L/S0.5μm730mm×920mmSSB260/10T2μm L/S0.6μm1300mm×1500mm1500mm×1850mmSSB260/20T1.5μm L/S0.5μm1300mm×1500mm1500mm×1850mm

PicoMaster XF ATE-800 是一款具有超高精度的多功能紫外激光直写设备，它具有每毫米超过1200条线的输出能力，特别适合用户在光敏层上自由地创造微结构。独有的全息设计软件，提供了许多预先安装的全息效果及其光栅、结构的运算方法，它们可以很轻松地将把这些效果组合起来，十分利于用户的产品开发。同时软件也允许用户添加自己的算法和结构，来定制数据库、完善产品设计。系统优点使用GLV （Grating Light Valve）技术，可实现高达1000个单位像素的激光束高速并行直写；构建独立设计库，可完成最高自由度的3D光刻，并支持标准图像源、个性化的3D设计源；支持最大 0.8米 x 0.8米的激光直写面积，低规格条件下，整幅面激光直写只需48个小时；选择关闭灰度写入功能，直写相同曝光面积，其直写速度将提升2倍；可定制更大幅面的无掩模激光直写系统解决方案；

利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但由于是逐行扫描，曝光效率较低。托托科技的无掩模版光刻设备基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术，实现了高速、高精度、高灵活性的紫外光刻。

OAI 超过35年的历史按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。Model 800E 型正面和背面半自动掩模曝光系统提供了昂贵的自动化生产掩模对准器中最常见的先进功能和规格。随着这款掩模曝光系统的开发，OAI 通过专为研发和小批量生产而设计的新型掩模曝光系统来应对动态半导体和 MEMS 市场日益增长的挑战。Model 800E 基于 OAI 经过验证的模块化平台构建，是一款增强型、高性能、高分辨率光刻系统，能够以极具吸引力的价格提供一定水平的性能。该对准器系统采用 OAI 的先进光束光学器件，可提供卓越的均匀性。800E 型可使用 OAI 的精密光刻模块进行升级，是实验室或小批量生产中的高度通用工具。800E 型采用 Windows 7 PC 控制平台，具有大量配方存储容量。该系统还配备了操纵杆控制的对准和光学平台，并且可以配置非接触式、3 点楔形效应校正和自动对准功能。这些组合功能通常出现在自动化生产掩模对准系统中，但现在可以在 Model 800E 上以更实惠的价格获得。800E 型的独特之处在于它包含了 OAI 6000 型生产掩模对准器工具中的先进功能。通过利用经过验证的 OAI 模块化掩模对准器平台，我们能够采用更先进的工具中的技术，以更实惠的价格生产强大的系统。标准正面功能：双100万像素分辨率CCD相机最大8英寸的基板，掩膜尺寸9' X 9''Windows PC 控制，带配方储存功能调整和定位的电动操纵杆曝光模式：真空、硬软接触和接近模式自动楔形效应补偿标准背面功能：包含正面所有功能另外2个CCD相机数码变焦电动背面光学对焦

基于改装SEM纳米图形电子束曝光机NPGS V9.2仪器简介：在过去的几年中，半导体器件和IC生产等微电子技术已发展到深亚微米阶段及纳米阶段。为了 追求晶片更高的运算速度与更高的效能，三十多年 来，半导体产业遵循著摩尔定律 （Moore’s Law）：每十八个月单一晶片上电晶体的数量倍增，持续地朝微小化努力 。为继续摩尔定律 ，在此期间，与微电子领域相关的微/纳加工技术得到了飞速发展，科学家提出各种解决方案如：图形曝光（光刻）技术、材料刻蚀技术、薄膜生成技术等。其中，图形曝光技术（微影术）是微电子制造技术发展的主要推动者，正是由于曝光图形的分辨率和套刻精度的不断提高，促使集成电路集成度不断提高和制备成本持续降低。 电子束曝光系统（electron beam lithography, EBL）是一种利用电子束在工件面上扫描直接产生图形的装置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式与电子束曝光机十分相近，美国JC Nabity Lithography Systems公司成功研发了基于改造商品SEM、STEM或FIB的电子束曝光装置（Nanometer Pattern Generation System纳米图形发生系统，简称NPGS，又称电子束微影系统）。电子束曝光技术具有可直接刻画精细图案的优点，且高能电子束的波长短（ 1 nm），可避免绕射效应的困扰，是实验室制作微小纳米电子元件非常好的选择。相对于购买昂贵的专用电子束曝光机台，以既有的SEM等为基础，外加电子束控制系统，透过电脑介面控制电子显微镜中电子束之矢量扫描，以进行 直接刻画图案，在造价方面可大幅节省 ，且兼具原SEM 的观测功能，在功能与价格方面均具有优势。由于其具有高分辨率以及低成本等特点，在北美研究机构中，JC Nabity的NPGS是非常热销的配套于扫描电镜的电子束微影曝光系统，而且它的应用在世界各地越来越广泛。 NPGS的技术目标是提供一个功能强大的多样化简易操作系统，结合使用市面上已有的扫描电镜、扫描透射电镜或聚焦离子束装置，用来实现艺术级的电子束或离子束平版印刷技术。NPGS能成功满足这个目的，得到了当前众多用户的强烈推荐和一致肯定。 应用简述 基于改装SEM纳米图形电子束曝光机NPGS V9.2能够制备出具有高深宽比的微细结构纳米线条，从而为微电子领域如高精度掩模制作、微机电器件制造、新型IC研发等相关的微/纳加工技术提供了新的方法。NPGS系统作为制作纳米尺度的微小结构与电子元件的技术平台，以此为基础可与各种制程技术与应用结合。应用范围和领域取决于客户的现有资源，例如： NPGS电子束曝光系统可与等离子应用技术做非常有效的整合，进行 各项等离子制程应用的开发研究，简述如下： (一) 半导体元件制程 等离子制程已广泛应用于当前半导体元件制程，可视为电子束微影曝光技术的下游工程。例如： (1) 等离子刻蚀（plasma etching） (2) 等离子气相薄膜沉积（plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD） (3) 溅镀（sputtering） (二) 微机电元件制程（Semiconductor Processing） 微机电元件在制程上与传统半导体元件制作有其差异性。就等离子相关制程而言，深刻蚀（deep etching）是主要的应用，其目标往往是完成深宽比达到102 等级的深沟刻蚀或晶圆穿透刻蚀。而为达成高深宽比，深刻蚀采用二种气体等离子交替的过程。刻蚀完成后可轻易 以氧等离子去除侧壁覆盖之高分子。在微机电元件制作上，深刻蚀可与电子束微影曝光技术密切 结合。电子束微影曝光技术在图案设计上之自由度 十分符合复杂多变化的微机电元件构图。一旦完成图案定义，将转由深刻蚀技术将图案转移到晶圆基板。技术参数：型号：NPGS V9.2最细线宽（μm）：根据SEM 最小束斑（μm）：根据SEM 扫描场：可调 加速电压：根据SEM，一般为0-40kV 速度：5MHzA. 硬件： 微影控制介面卡：NPGS PCIe-516A High Speed Lithography Board，high resolution (0.25%) 控制电脑：DELL或类似品牌主流配置电脑工作站皮可安培计：KEITHLEY 6485 Picoammeter B. 软件： 微影控制软件 NPGS V9.2 for Windows10图案设计软件 QCAD for Windows主要特点：技术描述： 为满足纳米级电子束曝光要求，JC Nabity出品的NPGS系统设计了一个纳米图形发生器和数模转换电路，并采用PC机控制。PC机通过图形发生器和数模转换电路去驱动SEM等仪器的扫描线圈，从而使电子束偏转并控制束闸的通断。通过NPGS可以对标准样片进行图像采集以及扫描场的校正。配合精密定位的工件台，还可以实现曝光场的拼接和套刻。利用配套软件也可以新建或导入多种通用格式的曝光图形。 (一) 电子源（Electron Source） 曝照所需电子束是由既有的SEM、STEM或FIB产生的电子束（离子束）提供。 (二) 电子束扫描控制（Beam Scanning Control） 电子射出后，受数千乃至数万伏特之加速电压驱动沿显微镜中轴向下移动，并受中轴周围磁透镜（magnetic lens）作用形成聚焦电子束而对样本表面进行 扫描与图案刻画。扫描方式可分为循序扫描（raster scan）与矢量扫描（vector scan）。 循序扫描是控制电子束在既定的扫描范围内进行 逐点逐行 的扫描，扫描的点距与行 距由程式控制，而当扫描到有微影图案的区域时，电子束开启进行 曝光，而当扫描到无图案区域时，电子束被阻断；矢量扫描则是直接将电子束移动到扫描范围内有图案的区域后开启电子束进行 曝光，所需时间较少。 扫描过程中，电子束的开启与阻断是由电子束阻断器（beam blanker）所控制。电子束阻断器通常安装在磁透镜组上方，其功效为产生一大偏转磁场使电子束完全偏离中轴而无法到达样本。 (三) 阻剂（光阻） 阻剂（resist）是转移电子束曝照图案的媒介。阻剂通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。高能电子束的照射会改变阻剂材料 的特性，再经过显影（development）后，曝照（负阻剂）或未曝照（正阻剂）的区域将会留 在基材表面，显出所设计的微影图案，而后续的制程将可进一步将此图案转移到阻剂以下的基材中。 PMMA（poly-methyl methacrylate）是电子束微影中非常常用的正阻剂，是由单体甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）经聚合反应而成。用在电子阻剂的PMMA 通常分子量在数万至数十万之间，受电子束照射的区域PMMA 分子量将变成数百至数千，在显影时低分子量与高分子量PMMA 溶解度 的对比非常大。 负阻剂方面，多半由聚合物的单体构成。在电子束曝照的过程中会产生聚合反应形成长链或交叉链结（crosslinking）聚合物，所产生的聚合物较不 易 被显影液溶解因而在显影后会留 在基板表面形成微影图案。目前常用的负阻剂为化学倍增式阻剂（chemically amplified resist），经电子束曝照后产生氢离子催化链结反应，具有高解析度 、高感度 ，且抗蚀刻性高。 (四) 基本工序 电子束微影曝光技术的基本工序与光微影曝光技术相似，从上阻、曝照到显影，各步骤的参数（如温度 、时间等等）均有赖于使用者视需要进行 校对与调整。

产品介绍： LSCE-800接触式曝光机指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触，曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当 精确，设备简单。产品特点：分辨率相当精确，更广范围的紫外光波长选择； 支持恒定光强或恒定功率模式，广泛应用于半导体、微电子、 生物器件和纳米科技领域。参数：应用领域：半导体制造；光电电子、平板；射频微波，衍射光学；微机电系统；凹凸或覆晶设备等。

ARMS SYSTEM无掩模光刻机/直写光刻机UTA-IA UTA系列是将DLP投影仪盒金相显微镜相结合的缩小投影型无掩模曝光系统，其价格低于传统系统（用于掩模光刻的图案投影曝光系统） 可以使用专门为此目的开发的软件来创建想要的图案。特点：显微镜LED曝光单元UTA系列是不需要掩模的用于光刻的图案投影曝光装置。使用金相显微镜盒LED光源DLP投影仪，将具有机微米分辨率的任意图案投影到涂有抗蚀剂的基板上进行曝光。图案可以在PC上自由创建。因为可以在普通的室内环境中在各种大小盒形状的单晶薄片上形成电极，所以它比电子束光刻便宜且简单，不需要制造昂贵的电极图案掩膜。应用：薄膜FET和霍尔效应测量样品的电极形成。从石墨烯/钼原石中剥离电极形成并评估其特性。研发应用的图案形成。技术参数：由于显微镜和DLP的结合，可以用很低的成本来构建系统易于使用的软件可以轻松的创建曝光图案通过物镜放大倍率图案，可以进行大范围的批量曝光可以连接到您自己的显微镜上（可选）分辨率1um

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。3D SEM image mosaics stitched over large areas and in 3D with CAD shape extractionThe CHIPSCANNER combines high-resolution electron optics, multiple high-efficiency electron detectors, and ultra-precise Laser Interferometer Stage technology with unique software to deliver homogenous large-area image mosaics for each layer with minimum stitching errors and stable brightness/contrast values and CAD shape extraction. With features such as&bull Active focus control using laser height sensing&bull Highest position and beam accuracy and stability, and&bull A wide range of selectable electron detectors,the CHIPSCANNER produces the most accurate large-area, high-resolution image mosaics directly acquired by an SEM instrument. Since the absolute position of each pixel, even over cm² , is ultimately known to the accuracy provided by the laser interferometer stage and ultra-precise image calibrations, these images can be precisely stacked (3D-stitched).Various high-speed detectors, flexible working distance, parallel detector stream handling and a high-speed scan generator allow precise and flexible image acquisition that is also high throughput.Large-area, ultra-high-resolution 3D SEM imaging applications in chip reverse engineering, materials science, and life sciences (e.g. connectomics) require surfaces of up to cm² areas to be scanned with nm resolution and excellent layer to layer accuracy (‘3D stitching’) for layout and schematic extraction or 3D modeling. While traditional SEM instruments are inherently limited by small, uncalibrated fields of view (FOVs) and imprecise sample positioning, the CHIPSCANNER addresses these challenges by combining the resolution and flexibility of an SEM instrument with the accuracy, stability, and automation of an electron beam lithography (EBL) instrument – a core area of expertise at Raith. High-resolution, large-area image mosaics are created by capturing sequential SEM images and stitching them together for further analysis, while the laser interferometer stage and field-of-view calibration reduce overlap to an absolute minimum and thus reduce required computing. A true large-area 3D SEM!

产品类型：1. 紫外光刻胶（Photoresist）各种工艺：喷涂专用胶，化学放大胶，lift-off胶，图形反转胶，高分辨率胶，LIGA用胶等。各种波长: 深紫外(Deep UV)、I线(i-line)、G线(g-line)、长波(longwave)曝光用光刻胶。各种厚度: 光刻胶厚度可从几十纳米到上百微米。 2. 电子束光刻胶（电子束抗蚀剂）（E-beam resist）电子束正胶：PMMA胶，PMMA/MA聚合物， LIGA用胶等。电子束负胶：高分辨率电子束负胶，化学放大胶（高灵敏度电子束胶）等。3. 特殊工艺用胶（Special manufacture/experimental sample）电子束曝光导电层，耐酸碱保护胶，全息光刻用胶，聚酰亚胺胶（耐高温保护胶）等特殊工艺用胶。4. 配套试剂（Process chemicals）显影液、除胶剂、稀释剂、增附剂（粘附剂）、定影液等。 产品特点1. 光刻胶种类齐全，可以满足多种工艺要求的用户。 产品种类包含：各种厚度的紫外光刻胶（正胶或负胶），lift-off工艺用胶，LIGA用胶，图形反转胶，化学放大胶，耐刻蚀保护胶，聚酰亚胺胶，全息曝光用胶，电子束光刻胶（包含PMMA胶、电子束负胶、三维曝光用胶（灰度曝光用胶）、混合曝光用胶等） 2. 光刻胶包装规格灵活多样，适合各种规模的生产、科研需求。 包装规格包含：250毫升、1升、2.5升等常规包装，还提供试验用小包装，如30毫升、100毫升等。 3. 交货时间短。 4. 可以提供高水准的技术咨询服务，具有为客户开发、定制特殊复杂工艺用光刻产品的能力。 5. 储存条件： 密闭储存在容器中并置于避光、干燥阴凉、通风良好之处。 储存在适当的温度下。详情请联系我们的销售人员。 光刻胶理论光刻胶定义 光刻胶是一大类具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝照图案的媒介。光刻胶的英文名为resist，又翻译为抗蚀剂、光阻等。因为光刻胶的作用就是作为抗刻蚀层保护衬底表面。光刻胶只是一种形象的说法，因为光刻胶从外观上呈现为胶状液体。 光刻胶通常是以薄膜形式均匀覆盖于基材表面。当紫外光或电子束的照射时，光刻胶材料本身的特性会发生改变，经过显影液显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶将会留在衬底表面，这样就将设计的微纳结构转移到了光刻胶上，而后续的刻蚀、沉积等工艺，就可进一步将此图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后再使用除胶剂将光刻胶除去就可以了。 光刻胶按其形成图形的极性可以分为：正性光刻胶和负性光刻胶。正胶指的是聚合物的长链分子因光照而截断成短链分子；负胶指的是聚合物的短链分子因光照而交链长链分子。 短链分子聚合物可以被显影液溶解掉，因此正胶的曝光部分被去掉，而负胶的曝光部分被保留。 光刻胶一般由4部分组成：树脂型聚合物（resin/polymer），溶剂（solvent），光活性物质（photoactive compound，PAC），添加剂（Additive）。 其中，树脂型聚合物是光刻胶的主体，它使光刻胶具有耐刻蚀性能；溶剂使光刻胶处于液体状态，便于涂覆；光活性物质是控制光刻胶对某一特定波长光/电子束/离子束/X射线等感光，并发生相应的化学反应；添加剂是用以改变光刻胶的某些特性，如控制胶的光吸收率/溶解度等。 光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度（Sensitivity） 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高，所需的曝光剂量越小。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2．分辨率（resolution） 区别硅片表面相邻图形特征的能力。一般用关键尺寸（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率。形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率越好。 光刻胶的分辨率是一个综合指标。影响该指标的因素通常有如下3个方面： （1）曝光系统的分辨率。 （2）光刻胶的对比度、胶厚、相对分子质量等。一般薄胶容易得到高分辨率图形。 （3）前烘、曝光、显影、后烘等工艺都会影响光刻胶的分辨率。3. 对比度（Contrast） 对比度指光刻胶从曝光区到非曝光区过渡的陡度。 对比度越好，越容易形成侧壁陡直的图形和较高的宽高比。4. 粘滞性/黏度 （Viscosity） 衡量光刻胶流动特性的参数。黏度通常可以使用光刻胶中聚合物的固体含量来控制。同一种光刻胶根据浓度不同可以有不同的黏度，而不同的黏度决定了该胶的不同的涂胶厚度。5. 抗蚀性（Anti-etching） 光刻胶必须保持它的粘附性，在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力。6. 工艺宽容度（Process latitude） 光刻胶的的前后烘温度、曝光工艺、显影液浓度、显影时间等都会对最后的光刻胶图形产生影响。每一套工艺都有相应的最佳的工艺条件，当实际工艺条件偏离最佳值时要求光刻胶的性能变化尽量小，即有较大的工艺宽容度。 这样的光刻胶对工艺条件的控制就有一定的宽容性。 特殊光刻胶介绍1. 化学放大光刻胶（CAR，Chemical Amplified Resist） 化学放大胶中含有一种叫做“光酸酵母”（PAG, Photo Acid Generator）的物质。在光刻胶曝光过程中，PAG分解，首先产生少量的光酸。在曝光后与显影前经过适当温度的烘烤，即后烘（PEB, Post Exposure Baking）这些光酸分子又发连锁反应，产生更多的光酸分子。大量的光酸使光刻胶的曝光部分变成可溶（正胶）或不可溶（负胶）。 主要的化学反应是在后烘过程中发生的，只需要较低的曝光能量来产生初始的光酸，因此化学放大胶通常有很高的灵敏度。 光刻胶推荐： AR-N 4340，AR-N 4400，AR-N 7700等。2. 灰度曝光（Grey Scale Lithography） 灰度曝光可以产生曲面的光刻胶剖面，是制作三维浮雕结构的光学曝光技术之一。灰度曝光的关键在于灰度掩膜板的制作、灰度光刻胶工艺与光刻胶浮雕图形向衬底材料的转移。传统掩膜板只有透光区和不透光区，而灰度掩膜板的透光率则是以灰度等级来表示的。实现灰度掩膜板的方法是改变掩膜的透光点密度。 灰度曝光用胶的特点：光刻胶要有较大的黏度。光刻胶要有比较低的对比度。光刻胶的抗刻蚀比尽量和衬底材料的接近。 光刻胶推荐：AR-N 7720 3. LIGA技术 由厚胶曝光形成深结构的目的是进行电铸，使之转化为金属深结构，因为只有金属结构才是为系统器件所需要的功能结构。这种技术又称为LIGA技术。LIGA是德文Lithographie(LI) Galvanoformung(G) Abformung(A)，即“光刻、电镀、注塑复制”的缩写。 光刻胶推荐：AR-P 6510，AR-N 4400， PMMA等 4. lift-off工艺 溶脱剥离法（lift-off）是微纳加工中应用到的最普遍的图形转移技术之一。其基本原理是由光学或电子束曝光首先形成光刻胶的图形，在薄膜沉积之后将光刻胶用除胶剂等溶解清除，凡是没有被光刻胶覆盖的区域都留下了金属薄膜，实现了由光刻胶图形向金属薄膜图形的转移。 光刻胶推荐: AR-P 5350，AR-P 5400，AR-N 4240，AR-N 4340，AR-N 4400等 5. 电镀法（electroplating） 电镀法是转移较厚的金属结构时使用到的一种转移技术。其过程一般为3个步骤：首先，在衬底材料上制作一层金属导电薄膜作为电镀的起始衬底，然后通过光刻或电子束曝光形成光刻胶或抗蚀剂掩膜； 第二步是将制作有光刻胶图形的基片放在电镀液中与被镀金属电极连接成电流通路，金属电极在电解液作用下释放金属离子并在电场驱动下沉积到基片表面暴露的金属层上； 最后，将光刻胶去除，并腐蚀清除衬底表面其余的金属膜，便得到金属微结构图形。 光刻胶推荐： AR-P 3200, AR-N 4400等

产品简介当代集成电路的发展进程中，紫外光刻技术起着不可替代的作用。利用紫外光源对紫外敏感的光刻胶进行空间选择性的曝光，进而将设计好电路版图转移到硅片上形成集成电路，这一工艺就是紫外光刻技术。光刻机的分辨率和套刻精度直接决定了所制造的集成电路的集成度，也成为了评价光刻设备品质的关键指标。常规光刻机需要定制光学掩模板，不但价格高，且灵活性差。任何设计上的变动，都需要重新制造掩模板。激光直写设备具备很高的灵活性，且可以达到较高的精度，但由于是逐行扫描，曝光效率较低。近些年，基于空间光调制器（DMD/DLP）的技术在紫外曝光方面获得了长足的进展。TTT-07-UV Litho-ACA无掩模板紫外光刻机最小分辨率可达1 μm（光刻镜头B），高性能无铁芯直线驱动电机保证了极佳的套刻精度和最大6英寸的图形拼接，而基于空间光调制器的光刻技术，使得其在光学掩模板设计上有着得天独厚的优势。高效、灵活、高分辨率和高套刻精度等众多优点，必将使其成为二维材料、电输运测试，光电测试、太赫兹器件和毫米波器件等领域的科研利器。系统结构图 TTT-07-UV Litho-ACA的光刻实例产品亮点1、高精度、真紫外曝光 2、光刻图案设计灵活3、所见即所得的精准套刻4、超大面积拼接5、灰度曝光6、高稳定性，操作便捷系统升级选项1、激光光源2、主动隔振平台3、三维重构观测4、手套箱内集成关键技术指标（TTT-07-UV Litho-ACA）曝光机基础参数曝光光源405nm LED数字掩模板分辨率1920×1080像素光刻参数观测镜头大范围样品观测2.6 mm×1.7 mm光刻镜头A1.5 μm（确保值），0.4 mm×0.4 mm，20 mm2/min（50%占空比）光刻镜头B1 μm（确保值），0.16 mm×0.16 mm，3 mm2/min（50%占空比）显微观测参数照明光源强光LED相机大靶面工业相机，实时图像采集尺寸测量线宽测量套刻参数精准套刻单画幅套刻精度：350nm（指引光）全画幅套刻精度：500nm（全局畸变矫正算法）套刻指引520 nm/620 nm，实时虚拟曝光投影，实现所见即所得运动台参数电动位移台类型：高性能无铁芯直线驱动电机行程：150 mm步进精度：50 nm（直线光栅尺精度）双向重复定位精度：±100 nm自动对焦模组机器视觉智能主动对焦功能支持样品厚度：0-15 mm（运动台行程20 mm）定位精度：50 nm旋转位移台类型：手动行程：细调范围±5°，粗调范围320°电动物镜切换线轨支持三个物镜的快速切换（200 ms）重复定位精度优于300 nm基片参数支持基片尺寸3 mm×3 mm（最小），150 mm×150 mm（最大）其他参数软件全自动光刻控制软件集成深度定制的矢量图转像素图软件设备尺寸设备主体：79 cm（长）×70 cm（宽）×68 cm（高）机柜：60 cm（长）×80 cm（宽）×100 cm（高）设备重量200 kg设备外壳UV防护外壳附属配件含光学平台，电脑，无线键鼠，真空泵环境控制机体内除湿装置安装要求温度20 – 40℃湿度RH 60 %电源220V，50Hz应用示例?微流道芯片?二维材料的电极搭建?微纳结构曝光?太赫兹/毫米波器件制备?电输运测试/光电器件测试?光学掩模板的制作

简介：真空曝光机：用于对厚度至7mm的锌板和镁板进行曝光试验.两个型号：板尺寸至75 x 85 cm和90 x 110 cm金属卤化物灯该款曝光机用于研究不适用常规标准的曝光试验，用于测试薄膜和板.我们的目的是减少功耗但曝光时间不变，并且提供一个快速安全的真空环境.曝光试验的光源功率为4000W.与市场上Z好的试验箱比较，我们的曝光时间更短.对灯参数的检查使我们得到连续且相等的曝光.光学积分器不足以得到相同曝光.半透明有机玻璃的正面板可在试验过程期间检查仪器，这样会减少90%的灯晕.我们产品的每个型号都会提供多语种液晶显示，显示信息和可能出现的异常.技术参数：技术参数紫外曝光系统1紫外曝光系统2总长1.106 mm.1.301 mm.宽度1.105 mm.1.510 mm.高度1.890 mm.2.110 mm.工作尺寸750 x 850 mm.900 x 1100 mm.灯（W）4000 W4000 W通道3939光学积分器YESYES4个架子YESYES功率4000W, 380V, 12A4000W, 380V, 12A扩散器YESYES光服务YESYES控制灯YESYES液晶屏YESYES

ChemiMOS 长曝光 CMOS相机ATIK Cameras 科学相机作为迄今为止技术最先进的一代cmos相机，适用于低噪声、高灵敏度和高动态范围的应用。 ChemiMOS是一种冷却的CMOS相机，从头开始设计，非常适合集成到需要长时间曝光图像的科学系统中。以前的曝光时间只能使用CCD技术，但现在可以与ChemiMOS由于零放大器发光和低噪声设计。这个最新一代的CMOS技术将在可预见的将来投入使用确保供应链的长期稳定。优点包括非常低的读取和深像素全好。优点包括非常低的读取和深像素全井，允许前所未有的动态范围。冷却被优化，以最小化暗电流，而不需要极端温度，这可能会使最终用户的设计复杂化。校准程序，如暗帧减影和相机外图像处理，这意味着操作相机时的灵活性和透明度。由于传感器特性随时间的变化，重新校准没有停机时间。 非常适合集成到需要长时间曝光图像的科学系统中规格参数：Image SensorSony IMX533Resolution3000 x 3000Pixel Pitch3.76 μmSensor Size1" CMOS sensorFull Well50,000 e-Read Noise1.5 e-Dark Current Noiseat camera set point0.0005 e-/p/sSet Point Coolingat ambient of 20oC-20 °CFrame Rate14 bit - 16fps12 bit - 20fps.Mount TypeC-MountADC12bit or 14bitReading ModeRolling Shutter CMOSExposure Range10 ms - 24 hourSystem RequirementsWindows 10USB 3.08GB Ram64 bit Operating System

DS-2000/14G 型无掩模光刻机 1．技术特征 .采用 DMD 作为数字掩模，像素数 1024×768 或 1920×1080 或 2560x1600 三种选配 .采用缩小投影光刻物镜成像，分辨力 1um。 .采用专利技术——积木错位蝇眼透镜实现均明。 .采用进口精密光栅、进口电机、进口导轨、进口丝杠实现精确工件定位和曝光拼接，可适应 100mm?100mm 基片。 .采用 CCD 检焦系统实现整场调平、自动逐场调焦或自动选场调焦曝光。 .具备对准功能 2．技术参数 .光源：350W 球形汞灯（曝光谱线： i 线）或紫外 LED； .照明不均匀性：2%； .物镜倍率：7.6 倍（或 14 倍与选择的 DMD 像素尺寸有关） .曝光场面积：1mm×0.7mm （或 1.9mm×1.8mm ，或 2.5mm×1.6mm，与选择的 DMD 像素数有关）?.光刻分辨力：1 μm .工件台运动范围：X：100mm、 Y：100mm；.工件台运动定位精度：± 0. 5μm； .调焦台运动灵敏度：1μm； .对准精度：± 2μm； .调焦台运动行程：6mm .检焦：CCD 检测，检测精度 2 微米 .转动台行程：±6°以上 .直写速度：40mm2 /min 基片尺寸.外径: Ф1mm—Ф100mm，厚度：0.1mm--5mm3．外形尺寸：840mm（长）x450mm(宽) x830mm（高）4．配置（1）照明系统 .350W 直流汞灯（或紫外 LED）、椭球镜、准直镜、蝇眼透镜组、场镜组、365nm 滤光片、气动快门、DMD（美国德州仪器）、冷却风扇。 .投影物镜 7.6 倍，可根据用户要求另增加一种. .分辨力 1?m（缩小倍率 7.6 倍） （2）工件台系统 .X 台：电机驱动器（日本乐孜）、丝杠（日本 NSK）、导轨 2（日本 THK）、光栅（美国） .Y 台：电机及驱动器（日本乐孜）、丝杠（日本 NSK）、导轨 2（日本 THK）、光栅 2（美国） .转动台：电机及驱动器（日本乐孜），转动轴系 .Z 台：电机及驱动器（日本乐孜）、丝杠、上升导向机构 .承片台：4 英寸（可增加 3 英寸、2 英寸、1 英寸等） （3）检焦系统 .焦面光学检测系统、CCD、焦面检测软件 （4）对准系统 .对准光学检测系统、CCD、对准软件 （5）电控系统 .汞灯电源及触发器、主机控制系统、软件、计算机、监视器（19 英寸液晶）、接口（6）气动系统 .电磁阀、旋转气缸、减压阀、压力表、真空表 （7）其他附件 .真空泵一台(无油泵) .空压机一台（静音泵） .管道

接触式曝光机 LSCE-800产品介绍： LSCE-800接触式曝光机指掩膜板直接与基板的光刻胶层接触，曝光出来的图形与掩膜板上的图形分辨率相当精确，设备简单。接触式曝光机 LSCE-800产品特点：分辨率相当精确，更广范围的紫外光波长选择； 支持恒定光强或恒定功率模式，广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域。接触式曝光机 LSCE-800参数：接触式曝光机 LSCE-800应用领域：半导体制造；光电电子、平板；射频微波，衍射光学；微机电系统；凹凸或覆晶设备等。

OAI 超过35年的历史 按照您的具体规格设计和制造紫外线仪器和曝光系统在世界范围内亨有声誉 无论复杂还是简单，OAI都有最聪明的解决方案。 6000 型建立在经过验证的 OAI 模块化平台上，具有完全自动化的正面和背面对准，具有亚微米印刷功能以及亚微米从上到下的正面对准精度，可提供任何价格都无法比拟的性能。选择顶部或可选的背面对齐，使用 OAI 定制的高级识别模式软件。这些掩模对准器采用 OAI 的先进光束光学器件，均匀性优于 ±3%，在第一掩模模式下每小时可处理 200 片晶圆，从而实现更高的良率。6000 系列可以处理各种晶圆，包括厚的粘合基板（最大 7000 微米）、翘曲晶圆（最大 7 毫米 - 10 毫米）、薄基板（最小 100 微米厚）和厚光刻胶。OAI 的增强型模式识别软件具有 +/- 0.5 微米的顶部对准，可提供可靠的可重复结果。对于背面对准，6000 型掩模对准机具有稳定的光学系统、长距离显微镜和先进的自动对准软件，可提供最可重复的正面到背面对准精度。6000 系列具有卓越的工艺重复性，是所有生产环境的完美解决方案。对于整个光刻工艺，Model 6000 可以与集群工具和 OAI 的自动掩模更换器无缝集成。OAI 的生产掩模对准器是完整的套件，也可配备 UV LED 光源。 标准正面功能： 双100万像素分辨率CCD相机 最大8英寸的基板，掩膜尺寸9' X 9'' Windows PC 控制，带配方储存功能 调整和定位的电动操纵杆 曝光模式：真空、硬软接触和接近模式 自动楔形效应补偿 标准背面功能： 包含正面所有功能 另外2个CCD相机 数码变焦 电动背面光学对焦

RAITH电子束曝光设备资料一、基本信息:品牌名称：RAITH主要设备：电子束曝光及成像系统、图形发射器。主要用途：在化合物半导体等领域加工线宽8-350纳米图形或掩膜板加工。 二、设备及应用:(一). 多功能电子束光刻设备Pioneer Two: Pioneer Two是一款高性价比的成套的电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于2英寸以下晶圆的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻。 20keV下在HSQ胶上曝光亚8nm线条(二). 多功能电子束光刻设备eLine Plus: eLine Plus是一款集成了纳米操纵设备，如纳米探针、用于聚焦电子束诱导过程的气体注入系统等各种多功能选件的电子束光刻设备，广泛应用于学校和各大科研机构，采用30kV Gemini电子束技术，应用于4英寸以下基板的纳米级光刻、纳米工程、纳米操纵、纳米探测、纳米轮廓仪、聚焦电子束诱导和成像分析等。 HSQ胶上制作亚5nm线条(三). 专业型电子束光刻设备Raith150 Two: Raith150 Two是一款高分辨电子束光刻设备，采用30kV Gemini电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的纳米级光刻、高分辨成像及低压电子束光刻，可实现亚5nm的曝光结构。 HSQ胶上制作亚4.5nm线条及PMMA胶上制作精细的11nm线条(四). 专业型电子束光刻设备Voyager: Voyager是一款高性价比采用创新的eWrite体系结构的电子束光刻设备，采用50kV eWrite 电子束技术，应用于8英寸以下基板（可曝光面积6英寸）的高速直写，适合衍射光学元件、防伪元件的加工及化合物半导体器件的高速加工。 HSQ胶上制作亚7nm线条(五). 专业型电子束光刻设备EBPG5150/5200: EBPG5150/5200是一款高自动化的电子束光刻设备，采用100kV EBPG 电子束技术，应用于8英寸以下基板（5150可曝光面积6英寸、5200可曝光面积8英寸）的高深宽比纳米结构曝光、高速电子束直写，适合防伪标识的加工及化合物半导体器件的高速加工。 制作GaAs T型器件及在化合物半导体上的应用(六). 纳米加工和纳米光刻升级配件Elphy: Elphy系列光刻升级配件可以将现有的SEM、SEM-FIB、HIM等聚焦离子束电子束系统升级为纳米光刻和纳米加工设备。