自动光刻设备

全自动紫外纳米压印光刻设备GL300 MLAGL300 MLA是天仁微纳最新型专门为晶圆级光学加工（WLO-Wafer Level Optics）开发的全自动紫外纳米压印光刻设备，可在200/300 mm基底面积上平行复制生产聚合物光学器件。该设备支持cassette to cassette自动上下片、自动复制柔性复合工作模具，工作模具自动更换。整个工艺过程在密闭洁净环境中进行，以保证压印结果质量。内置的高精度自动点胶系统、APC（主动模具基底平行控制）技术、以及自动脱模功能都保证了大面积晶圆级光学生产的精度、均匀性（TTV）与良率。同时，自动模具基底对位系统还可实现晶圆之间对位堆叠工艺（WLS-Wafer Level Stacking）。GL300 MLA纳米压印设备适用于DOE、匀光片（Diffuser）、微透镜阵列、菲涅尔透镜等产品的研发和量产。主要功能● 全自动200/300mm晶圆级光学加工（WLO）生产线● APC主动模具基底平行控制技术，确保大面积晶圆压印TTV均匀性● Cassette to cassette自动上下片，光学巡边预对位● 设备内自动复制柔性复合工作模具，同时支持自动更换工作模具，适合连续生产● 内置高精度自动点胶功能● 自动对位、自动压印、自动曝光固化、自动脱模，工艺过程在密闭洁净环境中自动进行，以保证压印质量● 标配高功率紫外LED面光源（365nm，光强1000mW/cm2 ），水冷冷却，特殊功率以及特殊、混合波长光源可订制，完美支持各种商用纳米压印材料● 随机提供全套纳米压印工艺与材料，包括标准示范WLO等工艺流程，帮助客户零门槛达到国际领先的纳米压印水平设备照片相关参数兼容基底尺寸200mm、300mm特殊尺寸可定制支持基底材料硅片、玻璃、石英、塑料、金属等上下片方式Cassette to cassette全自动上下片晶圆预对位光学巡边预对位纳米压印技术APC主动平行控制技术，适合大面积WLO、WLS等工艺压印精度可小于10纳米*结构深宽比优于10比1*TTV控制微米级精度（200 /300 mm晶圆）紫外固化光源紫外LED（365nm）面光源，光强1000mW/cm2，水冷冷却（2000mW/cm2类型光源可选配）设备内部环境控制标配，外部环境Class 100，内部环境可达Class 10*自动压印支持自动脱模支持自动工作模具复制支持自动工作模具更换支持模具基底对位功能支持如想了解更多产品信息，可通过仪器信息网和我们取得联系 400-860-5168转6144

EVG610单面/双面光刻机 一、 简介 EVG公司成立于1980年，公司总部和制造厂位于奥地利，在美国、日本和台湾设有分公司，并在其他各地设有销售代理及售后服务部，产品和服务遍及世界各地。EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商，其丰富的产品系列包括：涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。目前已有数千台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件，SOI基片制造，3D封装，纳米压印，化合物半导体器件和功率器件等领域。EVG610是一款非常灵活的、适用于研发和小批量试产的对准系统，可处理200mm之内的各种规格的晶片。EVG610支持各种标准的光刻工艺，例如：真空、软、硬接触和接近曝光；也支持其他特殊的应用，如键合对准、纳米压印光刻、微接触印刷等。EVG610系统中的工具更换非常简便快捷，每次更换都可在几分钟之内完成，而不需要专门的工程人员和培训，非常适合大学、研究所的科研实验和小批量生产。 二、应用范围EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、微波器件及微电子机械系统（MEMS）、硅片凸点、化合物半导体等领域，涵盖了微纳电子领域微米或亚微米级线条器件的图形光刻应用。 三、主要特点u 支持背面对准光刻和键合对准工艺u 自动的微米计控制曝光间距u 自动契型补偿系统u 优异的全局光强均匀度u 免维护单独气浮工作台u 最小化的占地面积u Windows图形化用户界面u 完善的多用户管理（用户权限、界面语言、菜单和工艺控制） 四、技术参数设备咨询电话：欢迎您的来电咨询！

研发型Desktop纳米压印光刻设备UniPrinterUniPrinter是一种专门为大学、科研院所和企业产品研发所设计，操作简单、功能强大的台面型纳米压印光刻设备。可实现4英寸以下基底面积上高精度（优于10nm * ）、高深宽比（优于10比1 * ）纳米结构压印，适合用作紫外纳米压印光刻工艺开发，器件原型快速验证，纳米压印材料测试等研发。它沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系，在UniPrinter上开发的工艺可以无障碍转移到天仁微纳其它量产设备上进行生产。UniPrinter纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、线光栅偏振、超透镜、生物芯片、LED等应用领域的研发。主要功能● 沿用天仁微纳量产型纳米压印设备的工艺与材料体系，开发的工艺可以无障碍转移到量产设备上进行生产● 直径100mm以下面积高精度、高深宽比纳米压印● 设备内自动复制柔性复合工作模具● 自动压印、自动曝光固化、自动脱模，工艺过程无需人工干预● 标配高功率紫外LED面光源（365nm，光强300mW/cm2 ），完美支持各种纳米压印材料● 随机提供全套纳米压印工艺与材料，包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构等工艺流程，帮助客户零门槛达到高质量的纳米压印水平设备照片相关参数兼容基底尺寸直径≤100mm支持基底材料硅片、玻璃、石英、塑料、金属等纳米压印技术适合高精度、高深宽比纳米结构压印压印精度优于10纳米*结构深宽比优于10比1*残余层控制可小于10nm*紫外固化光源紫外LED（365nm）面光源，光强300mW/cm2自动压印支持自动脱模支持自动工作模具复制支持上下片方式手动上下片如想了解更多产品信息，可通过仪器信息网和我们取得联系 400-860-5168转6144

魔技纳米UV-Ultra高性能无掩膜直写光刻设备UV-Ultra是一款专为高端和工业级应用而设计的高性能无掩膜直写光刻设备。它采用先进的超高速加工方式，采用自研算法和高性能硬件，实现更高的对准、拼接和套刻精度。具备高直写速度和高分辨率，适用于快速、精准的加工需求。MN-UV-Ultra采用集成化设计和全自动控制，操作简便，适用于高达12英寸的基材。广泛应用于微流控、半导体、生物技术和微电子等领域。如需了解更多产品信息，欢迎查询我司官网 魔技纳米科技或来电咨询。 企业介绍 魔技纳米科技是三维微纳制造领域集研发、生产、销售、服务于一体的高新技术企业。核心研发团队拥有十年以上设备研发经验，深入生物医疗、光电通信、新材料、微纳器件等多个产业应用领域，打造具有自主知识产权的商用纳米级三维激光光刻直写制造系统。拥有应用于多行业场景的成熟加工工艺。可定制研发适配各产业领域生产需求的个性化设备和产品，突破生物制药、传感、光电芯片、超材料等领域从科研到工业生产的屏障，将纳米级制造精度和大范围生产相结合，提供针对精密智造领域的整套专业解决方案。

魔技纳米UV-Smart桌面级无掩膜直写光刻设备专为实验室科研需求和小批量生产设计。其小巧紧凑的设计使其适用于实验室环境，并具有高直写速度、高分辨率和高对准精度等特点。采用集成化设计和全自动控制，操作简便，适合快速加工、建模或小批量生产。广泛应用于微流控、半导体、生物技术和微电子等领域。如需了解更多产品信息，欢迎查询我司官网 魔技纳米科技或来电咨询。 [企业介绍]魔技纳米科技是三维微纳制造领域集研发、生产、销售、服务于一体的高新技术企业。核心研发团队拥有十年以上设备研发经验，深入生物医疗、光电通信、新材料、微纳器件等多个产业应用领域，打造具有自主知识产权的商用纳米级三维激光光刻直写制造系统。拥有应用于多行业场景的成熟加工工艺。可定制研发适配各产业领域生产需求的个性化设备和产品，突破生物制药、传感、光电芯片、超材料等领域从科研到工业生产的屏障，将纳米级制造精度和大范围生产相结合，提供针对精密智造领域的整套专业解决方案。

MLA300批量生产高效能数字光刻解决方案 The Maskless Aligner for Volume Production批量生产高效能数字光刻解决方案批量生产能力，并且实现2μm线宽高分辨率，高产速及高效能。MLA300的特点是搭配全自动硅片自动装取片装置，以及操作软件提供简易的自动化工作流程。在全球半导体产业中，MLA300运用在IC传感器，分立器件，微机电设备(MEMS)，集成电路(ASIC)，OLED显示器，Mirco LED及封装应用的生产领域。关于我们Stella InternationalStella International携手光刻技术领航者-海德堡仪器公司，共同为客户带来*的综合应用效能，同时建立紧密的合作伙伴关系。为了服务客户更广泛多元的应用领域，Stella International于 2016年在苏州成立海德堡仪器演示中心，以海德堡原厂伙伴技术支援，提供客户技术交流平台以及各式前段打样的基础研究，这些年来已服务许多的国内知名大学，研究院所与企业前期研发单位。品牌介绍德国海德堡 高精密无掩膜激光直写设备HEIDELBERG MASKLESS AND LASER LITHOGRAPHY SYSTEM德国海德堡设备(Heidelberg Instruments)，创始于1984年，在激光直写设备的发展和设计上持续地改良、在各种应用上客制化。应用范围包括：微电脑和纳米科技, MEMS, 平面屏幕, BGA, ASICS, TFT, Plasma Displays, Micro Optics, 和其他相关领域。销售横跨欧洲、美国、亚洲等超过50几个国家、700个以上销售据点，用于研发、快速原型制作和工业生产系统，是企业研究和发展的伙伴。

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，紫外曝光机等；美国公司为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。产地：德国；型号：MS-80技术规格：- 掩模尺寸：最大8英寸；- 样品尺寸：最大8英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

EVG620系列单面/双面光刻机 一、 简介 EVG公司成立于1980年，公司总部和制造厂位于奥地利，在美国、日本和台湾设有分公司，并在其他各地设有销售代理及售后服务部，产品和服务遍及世界各地。EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商，其丰富的产品系列包括：涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。目前已有数千台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件，SOI基片制造，3D封装，纳米压印，化合物半导体器件和功率器件等领域。EVG620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备，可配置为半自动也可以为全自动形式。EVG620既可以用作双面光刻机也可以用作150mm硅片的精确对准设备；既可以用作研发设备，也可以用作量产设备。精密的契型补偿系统配以计算机控制的压力调整可以确保良率和掩膜板寿命的大幅提升，进而降低生产成本。EVG620先进的对准台设计在保证精确的对准精度和曝光效果的同时，可以大幅提高产能。 二、应用范围EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、微波器件及微电子机械系统（MEMS）、硅片凸点、化合物半导体等领域，涵盖了微纳电子领域微米或亚微米级线条器件的图形光刻应用。 三、主要特点u 双面对准光刻和键合对准工艺u 自动的微米计控制曝光间距u 自动契型补偿系统u 优异的全局光强均匀度u 免维护单独气浮工作台u 高度自动化系统u 快速更换不同规格尺寸的硅片u 可选配Nanoalign技术包以达到更高的工艺能力u 薄硅片或翘曲硅片处理系统可选u Windows图形化用户界面u 完善的多用户管理（用户权限、界面语言、菜单和工艺控制）u 光刻工艺模拟软件可选u 三花篮上料台，可选五花篮台 四、技术参数

EVG610单面/双面光刻机 一、 简介 EVG公司成立于1980年，公司总部和制造厂位于奥地利，在美国、日本和台湾设有分公司，并在其他各地设有销售代理及售后服务部，产品和服务遍及世界各地。EVG公司是一家致力于半导体制造设备的全球供应商，其丰富的产品系列包括：涂胶和喷胶/显影机/热板/冷板、掩模版光刻/键合对准系统、基片热压键合/低温等离子键合系统、基片清洗机、基片检测系统、SOI 基片键合系统、基片临时键合/分离系统、纳米压印系统。目前已有数千台设备安装在世界各地，被广泛地应用于MEMS微机电系统/微流体器件，SOI基片制造，3D封装，纳米压印，化合物半导体器件和功率器件等领域。EVG610是一款非常灵活的、适用于研发和小批量试产的对准系统，可处理zui大200mm之内的各种规格的晶片。EVG610支持各种标准的光刻工艺，例如：真空、软、硬接触和接近曝光；也支持其他特殊的应用，如键合对准、纳米压印光刻、微接触印刷等。EVG610系统中的工具更换非常简便快捷，每次更换都可在几分钟之内完成，而不需要专门的工程人员和培训，非常适合大学、研究所的科研实验和小批量生产。 二、应用范围EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、微波器件及微电子机械系统（MEMS）、硅片凸点、化合物半导体等领域，涵盖了微纳电子领域微米或亚微米级线条器件的图形光刻应用。 三、主要特点u 支持背面对准光刻和键合对准工艺u 自动的微米计控制曝光间距u 自动契型补偿系统u 优异的全局光强均匀度u 免维护单独气浮工作台u zui小化的占地面积u Windows图形化用户界面u 完善的多用户管理（用户权限、界面语言、菜单和工艺控制） 四、技术参数

Super Lithography 3D 纳米光刻系统提供纳米级高精度的无掩膜光刻和纳米级3D 微纳结构打印，配合定制的软件系统，可以智能完成高精度无掩膜光刻的制造和其它纳米级 3D 器件的激光直写光刻。

详细咨询来电：双面光刻机+EVG610/620光刻机+接触式光刻对准EVG620 是一款非常灵活和可靠的光刻设备，可以是半自动也可以配置为全自动形式。EVG620既可以用作双面光刻机也可以用作150mm硅片的精确对准设备；既可以用作研发设备，也可以用作量产设备。精密的契型补偿系统配以计算机控制的压力调整可以确保良率和掩膜板寿命的大幅提升，进而降低生产成本。EVG620先进的对准台设计在保证精确的对准精度和曝光效果的同时，大幅提高了产能。EVG光刻机主要应用于半导体光电器件、功率器件、传感器、混合电路、微波器件及微电子机械系统（MEMS、）硅片凸点、芯片级封装以及化合物半导体等，涵盖了微电子领域微米或亚微米级线条的芯片的光刻应用。1. 高分辨率的顶部和底部显微镜2. 双面光刻和键合对准工艺3. 自动的微米计控制曝光间距4. 自动契型补偿系统5. 优异的全局光强均匀度6. 快速更换不同规格尺寸的硅片7. 高度自动化系统8. Windows图形化用户界面9. 可选配Nanoalign技术包以达到更高的工艺能力10. 薄硅片或翘曲硅片处理系统可选11. 光刻工艺模拟软件可选12. 三花篮上料台，可选五花篮台

针对超高精度3D打印技术发展的市场需求，托托科技自主研发织雀系列3D光刻设备，旨在为微纳加工领域带来技术进步。该设备融合了先进的光刻技术和精密的制造工艺，涵盖1 μm到5 μm的光刻精度。针对多光刻精度需求，设计了自由切换多种精度模式（1 μm / 2 μm / 5 μm）系列设备，为用户提供了更大的灵活性和选择空间。除了高精度光刻能力外，织雀系列3D光刻设备还支持多种树脂和陶瓷材料的打印，适用于各种应用场景，尤其适合于新材料的开发和研究。其对准驳接打印功能支持在已有样品上进行打印变得更加简便高效，特别适用于微纳3D打印与柔性电子器件结合领域。打印设备最小可加工料池体积仅15 ml，加工最大幅面可达100 mmx100 mm，使其具备了出色的小型化设计和空间利用率。这款设备的问世，标志着微纳加工领域迈向了一个全新的阶段。织雀系列3D光刻设备产品亮点： 光刻精度高达1 μm 多精度自由切换(1 μm / 2 μm / 5 μm) 支持多种树脂/陶瓷材料打印(适合新材料开发) 支持在已有样品上进行对准驳接打印 全画幅聚焦扫描 最小可加工料池体积15 ml高分辨率大幅面加工，织雀系列设备以其卓越的光学精度和大幅面加工能力脱颖而出。它能够制造出更大、更复杂的微纳结构，为微纳3D打印的制造能力和应用范围提供了新的可能性。在光学器件制造领域，织雀系列设备可以制造微透镜阵列、光学波导等，为光通信、显示技术和成像提供更高性能的解决方案。织雀系列3D打印设备案例分享：样品名称：侧壁微孔阵列整体尺寸：2 mm x 2 mm x 10 mm最小截面尺寸：31 μm材料：RA05样品名称：晶格超材料整体尺寸：1.2 mm x 1.2 mm x 1.2 mm杆径：11.8 μm材料：RA05样品名称：微针尖端整体尺寸：11.2 mm x 8.3 mm x 1.06 mm尖端直径：5.75 μm材料：CL01（生物相容性树脂）样品名称：微柱阵列整体尺寸：15 mm x 15 mm x 1.1 mm微柱直径：203 μm材料：CL01

1.基本概述MS6-CA手动光刻机，作为一种手动操作的光刻设备，通过手调旋钮来改变其X轴、Y轴和角度（如theta角）以完成对准。虽然其对准精度相对较低，但在某些特定的应用场景下，如小批量生产、研发实验或教学演示中，仍然具有一定的应用价值。2.主要特点手动操作：MS6-CA光刻机采用手动调节方式，用户可以通过旋钮直接控制设备的移动和定位，无需复杂的程序控制。灵活性高：由于采用手动操作，用户可以根据实际需要灵活调整对准精度和曝光参数，适用于多种不同的应用场景。成本较低：与全自动或半自动光刻机相比，MS6-CA手动光刻机的制造成本和维护成本相对较低，适合预算有限或需求量不大的用户。3.性能指标虽然具体的性能指标可能因产品型号和生产厂家而异，但一般来说，MS6-CA手动光刻机的性能指标可能包括以下几个方面：支持基片尺寸范围：根据设备设计，MS6-CA可能支持多种不同尺寸的基片。分辨率：光刻机的分辨率决定了其能够制造的电路图形的小尺寸。MS6-CA的分辨率可能受到其物镜设计和曝光方式等因素的限制。对准精度：由于MS6-CA是手动操作的光刻机，其对准精度可能相对较低，但仍能满足一定精度的加工需求。曝光方式：MS6-CA可能采用接触式、接近式或投影式等不同的曝光方式，具体取决于设备的设计和应用需求。4.应用场景MS6-CA手动光刻机主要适用于以下场景：小批量生产：在芯片制造、微电子器件生产等域，对于小批量或试制阶段的产品，MS6-CA手动光刻机可以提供灵活且成本较低的解决方案。研发实验：在科研机构或高校实验室中，MS6-CA手动光刻机可用于研发实验和教学演示，帮助学生和研究人员了解光刻工艺的基本原理和操作技巧。特殊应用：在某些特殊应用场景下，如需要处理非标准基片或进行特殊工艺的实验中，MS6-CA手动光刻机也可能发挥重要作用。

光刻机又名：掩模对准曝光机，曝光系统，光刻系统，光刻机，紫外曝光机等；ECOPIA为全球领先的半导体设备供应商，多年来致力于掩模对准光刻机和匀胶机研发与生产，并且广泛应用于半导体、微电子、生物器件和纳米科技领域；该公司是目前世界上最早将光刻机商品化的公司之一，拥有雄厚的技术研发力量和设备生产能力；并且其设备被众多著名企业、研发中心、研究所和高校所采用；以优秀的技术、精湛的工艺和良好的服务，赢得了用户的青睐。 产地：韩国ECOPIA公司，唯一能做到图形化蓝宝石衬底（PSS）光刻机，高性价比型号：M-150技术规格：- 掩模尺寸：最大7英寸；- 样品尺寸：最大6英寸；- 卡盘移动：X,Y,Z,Theta轴手动，楔形补偿调平；- 紫外光源：6.25" X 6.25"；- 光源功率：350瓦紫外灯；- 光源均匀性：+/-3%；- 光源365nm波长强度：最大30毫瓦；- 显微镜：双显微镜系统；- 显微镜移动：X,Y,Z轴手动调节；- 显微镜物镜空间：50-150mm；- 标配放大倍率：80X-400X；- 显示器：20" LCD；- 曝光时间：0.1-999秒；- 接触模式：真空接触，硬接触，软接触，接近接触(距离可调)；- 对准精度：1um (Vacuum Contact), 1.5um(Hard Contact), 3um(Soft Contact), 5um(Proximity Mode)；- 电源：220V，单相，15安培；主要特点:- 光源强度可控；- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；- 系统控制：手动、半自动和全自动控制；- 曝光模式：真空接触模式(接触力可调),Proximity接近模式, 投影模式；- 真空吸盘范围可调；- 专利技术：可双面对准，可双面光刻，具有IR和CCD模式- 双CCD显微镜系统，最大放大1000倍，显示屏直接调节，比传统目镜对准更方便快捷，易于操作。- 特殊的基底卡盘可定做；- 具有楔形补偿功能；

高精度紫外纳米压印光刻设备200mmGL8 CLIV Gen2GL8 CLIV Gen2是天仁微纳新型全幅高精度紫外纳米压印设备，标配天仁微纳CLIV（Contact Litho in Vacuum）压印技术，可实现200mm基底面积上高精度（优于10nm ）、高深宽比（优于10比1 ）纳米结构复制量产。GL8 CLIV Gen2 & GL12 CLIV Gen2 2inch/100/150/200mm & 2inch/100/150/200/300mm是天仁微纳新型全幅高精度紫外纳米压印设备，可实现200/300mm基底面积上高精度（优于10nm ）、高深宽比（优于10比1 ）纳米结构复制量产。该设备支持自动复制柔性复合工作模具，工作模具具有精度高，寿命长等特点，可以显著降低大面积纳米压印工艺中模具使用成本。保证了大面积纳米压印过程中结构精度与高深宽比结构的完整填充，同时保证了大面积结构压印均匀性。GL8/12 CLIV纳米压印设备适用于DOE、AR/VR衍射光波导（包括斜齿光栅）、生物芯片、LED、微透镜阵列等应用领域的量产。主要功能● 经过量产验证的200mm大面积、高精度、高深宽比纳米压印● CLIV技术，确保压印结构精度与结构填充完整性● 设备内自动复制柔性复合工作模具，降低大面积纳米压印模具使用成本● 自动对位、自动压印、自动曝光固化、自动脱模，工艺过程无需人工干预● 标配高功率紫外LED面光源（365nm，光强1000mW/cm2 ），水冷冷却，特殊功率以及特殊、混合波长光源可订制，完美支持各种商用纳米压印材料● 标配设备内部洁净环境与除静电装置● 随机提供全套纳米压印工艺与材料，包括DOE、AR斜齿光栅、高密度、高深宽比结构等工艺流程，帮助客户零门槛达到高质量的纳米压印水平设备照片相关参数兼容基底尺寸2inch、100mm、150mm、200mm特殊尺寸可定制支持基底材料硅片、玻璃、石英、塑料、金属等上下片方式手动上下片晶圆预对位机械夹持预对位，可选装光学巡边预对位纳米压印技术CLIV技术，适合高精度、高深宽比纳米结构压印压印精度优于10纳米*结构深宽比优于10比1*残余层控制可小于10nm*紫外固化光源紫外LED（365nm）面光源，光强1000mW/cm2，水冷冷却（2000mW/cm2类型光源可选配）设备内部环境控制标配，外部环境class 100，内部环境优于Class 10*自动压印支持自动脱模支持自动工作模具复制支持模具基底对位功能自动对位（选配）如想了解更多产品信息，可通过仪器信息网和我们取得联系 400-860-5168转6144

MIDAS SYSTEM公司开发并生产用于半导体、MEMS、LED及纳米技术相关的实验室和工业领域的光罩对准曝光机和甩胶机，是韩国第一家研发并商业化光罩对准曝光机的企业，始终致力于不断完善、增强技术型企业的核心竞争力。MIDAS SYSTEM公司具有专业化的设计团队，以客户需要为己任，生产、供应满足国内外企业、科研院所不断增长的应用需求，并且提供半导体工艺相关的设备需要。MDA-12SA型曝光机是一款MIDAS公司新开发的产品，代表了下一代全区域光刻系统。这一新型半自动化对准曝光平台具有更高的重复光刻精度以及更可靠的操作，非常适合陶瓷及其他探针卡应用，同时MDA-12SA型半动化光罩对准曝光机具有更高的生产能力和容易操控。项目参数光源能量紫外曝光光源光强2000～5000W，输出能量可控光束范围14.25″× 14.25″均匀光束范围13.25″× 13.25″光束均匀性＜3%～5%365nm输出光束强度5KW 25～60mW/cm2，2 KW 15～30mW/cm2400nm输出光束强度5KW 50～100mW/cm2，2 KW30～50mW/cm2可调节曝光时间0.1～999.9s范围观察显微镜/CCD相机安装（480～1000倍可变放大,1600倍可选）电动观察范围移动显微镜x、y、z电动操作（手柄控制）电动样品台样品台x、y、z、Theta电动操作卡盘移动大范围。静态对准工具模块进行x、y、z、Theta移动卡盘水平楔形误差补偿（楔形位置自动感应，压力传感器，警报）基片尺寸直至14″× 14″掩模板规格可替换的直至15″× 15″真空卡盘移动x、y：10mm；Theta：4×Z向移动距离10mm接触模式接近式、软接触式、硬接触式、真空接触式（真空接触力可调节）接近调节1μm步进可调节程序化控制系统对准精度1μm显示器17″触屏气动控制基片、掩膜、接触、接触调节、卡盘锁、N2、N2调节分辨率1μm（真空接触下近紫外）摆放防震桌选件CCD BSA、DUV、紫外强度计

海思科技 吴先生 全自动接近式曝光机、半自动光刻机主要应用：MEMS制造、CMOS图像传感器、存储器、声波器件、微流体芯片、化合物半导体、 晶圆级先进封装、（TSV）等领域。技术参数：1．工作方式：装载机械手将晶圆片从 A 晶圆盒自动装载至预定位工作台，经过定位传感器及自动旋转系统的调节，实现工件的预定位；装载机械手再将完成预定位后的晶圆片装载至对准工作台，经过计算机图像识别及自动对准系统的调节，实现掩模版上图形与晶圆片上的图形的自动对准，也可以不用对位图形完成一次曝光，经过曝光系统的自动曝光后，再由卸载机械手将晶圆片自动放入 B 晶圆盒，直至整个晶圆盒内的晶圆全部完成套刻曝光。2．曝光面积：110×110mm； 支持晶圆4-12寸3．曝光照度不均匀性：≤3%；4．曝光强度：0～≥50mw/cm2可调；5．紫外光束角：≤3°（可选 2?或 1°相对曝光照度会变弱）；6．紫外光中心波长：365nm；7．紫外光源寿命：≥2 万小时；8．分离量：0～≥1090um 可调；9．对准精度：≤1μm；10．曝光方式：硬接触、软接触和接近式曝光；11. 曝光模式：可选择一次曝光或套刻曝光12. 定位传感器及自动旋转系统（含预订位工作台）：旋转角度 Q≥±180°旋转精度 Q≤0.001°；13．图像识别及自动对准系统（含对准工作台）：对准范围 X.Y≥±5mm，升旋转角度 Q≥±3°，显微镜整体横向相对移动≥±70mm。14．掩模版尺寸：5″×5″； 可定制15．晶圆尺寸：4″； 、6、816.A.B 晶圆盒移动：Z≥±100mm；17．装卸载机械手：X≥±100mm，Y≥±100mm,Z≥±20mm；18.晶圆盒晶圆片数量：根据客户晶圆盒晶圆数量定；19．版架台移动：X.Y≥±3mm，Z≥±2mm；20．曝光定时：0～999.9 秒可调；21. 生产节拍：10 秒+曝光时间；22．电源：单相 AC220V 50HZ ，功耗≤1KW；23．洁净空气压力：≥0.4MPa；24．真空度：-0.07MPa～-0.09MPa；25．尺寸：1200*1000*1500mm ；26．重量：约 200kg

基于双光子灰度光刻原理无掩模微纳3D打印- 适合于制造微光学衍射以及折射元件Quantum X新型超高速无掩模光刻技术的核心是Nanoscribe独家专利的双光子灰度光刻技术（2GL）。该技术将灰度光刻的卓越性能与双光子聚合的精确性和灵活性完美结合，使其同时具备高速打印，完全设计自由度和超高精度的特点。从而满足了高端复杂增材制造对于优异形状精度和光滑表面的极高要求。这种具有创新性的增材制造工艺大大缩短了企业的设计迭代，打印样品结构既可以用作技术验证原型，也可以用作工业生产上的加工模具。Nanoscribe双光子灰度光刻微纳打印系统技术要点这项技术的关键是在高速扫描下使激光功率调制和动态聚焦定位达到精准同步，这种智能方法能够轻松控制每个扫描平面的体素大小，并在不影响速度的情况下，使得样品精密部件能具有出色的形状精度和超光滑表面。该技术将灰度光刻的卓越性能与双光子聚合的精确性和灵活性*结合，使其同时具备高速打印，完全设计自由度和超高精度的特点。从而满足了高端复杂增材制造对于优异形状精度和光滑表面的极高要求。技术参数产地：德国全进口打印技术：双光子灰度光刻 （2GL)三维横向特征尺度：160nm最佳分辨率：400nm最小表面粗糙度：≤10nm激光扫描速度：≤250mm/s关键特性 高速的2.5维微纳制造 光学质量表面和极好的形状精度 亚微米级别加工满足设计自由 超快调整控制打印体素大小，优化打印过程 自动化的打印流程，例如校正、打印和实时 监控 广泛的基板-树脂组合选择 按任务顺序连续进行打印 可触摸屏和远程电脑操控纳糯三维科技（上海）有限公司作为德国Nanoscribe独资子公司扩大了亚太地区业务范围，同时也加强了售后服务支持。

产品详情美国OAI全自动上侧或后侧光刻机6000 FSA 详细介绍 型号6000 FSA用于生产的全自动，上侧或后侧光刻机 用于：半导体，MEMS，传感器，微流体，IOT，包装凭借在半导体行业40多年的制造，OAI满足了一个新的精英阶段的生产光刻设备的动态市场的日益增长的挑战。建立在着名的OAI模块化平台上，6000系列具有完全自动化的亚微米分辨率的顶侧或背侧对齐，提供无与伦比的性价比。对准器具有先进的光束光学，在第一掩模模式下具有优于±3％的均匀性和每小时180个晶片的吞吐量，这导致更高的产量。 6000系列可以处理厚和粘合基板（高达7000微米），翘曲晶片（高达7 mm-10mm），薄基板（低至100微米厚）和厚光致抗蚀剂的各种晶片。具有卓越的工艺重复性，6000系列是所有生产环境的完美解决方案。选择顶部或可选的背面对齐，使用OAI的基于Cognex的自定义模式识别软件。对于总体光刻工艺，Series1 6000可以与集束工具无缝集成。 OAI的新生产面罩对齐器是总包。 好处• 全自动• 侧面对齐• 可选：底部对齐UV到NUV• 集群工具集成• 自定义软件规格 曝光系统曝光模式真空接触硬接触软接触接近（2μ间隙）高级光束均匀梁尺寸：50mm - 200mm方形/圆200mm-300mm见方/圆均匀度：优于±3％相机：双摄像头与CCTV扩展的景深对齐系统模式识别CognexvisionPro1™ 与OAI定制软件对准精度0.5μ顶面1.0μ，顶部到底部可选背面对齐预对准精度优于±50μ自动对齐顶部到底部顶部晶片处理基材尺寸50mm-200mm圆形或方形或200mm-300mm圆形或正方形薄晶片低至100M翘曲晶片高达7mm-10mm厚和粘合基板高达7000μ机器人单臂和双臂晶片处理失步补偿标准软件或可选的热卡盘晶片尺寸转换5分钟以内吞吐量第一掩模每小时180个晶片 - 随后75-100个晶片每小时楔形效果平整3点或可选非接触 可用选项IR自动对齐，盒式磁带映射365nm LED曝光光源温度控制晶片卡盘集成屏蔽管理控制用于全光刻的集成光刻集群使用SMIF或FOUP接口模块的过程环境控制非接触式调平边缘夹紧 Model 6000 FSA Fully Automated, Topside or Backside Mask Aligner for Production For: Semiconductors, MEMS, Sensors, Microfluidics, IOT, PackagingWith over 4 decades of manufacturing in the semiconductor industry, OAI meets the growing challenge of a dynamic market with a new elite class of production photolithography equipment.Built on the venerable OAI modular platform, the Series 6000 has topside or backside alignment that is fully automated with sub-micron resolution which delivers performance that is unmatched at any price.The Aligners have Advanced Beam Optics with better than ±3% uniformity and a throughput of 180 wafers per hour in first mask mode, which results in higher yields. The Series 6000 can handle a wide variety of wafers from thick and bonded substrates (up to 7000 microns), warped wafers (up to 7 mm-10mm), thin substrates (down to 100 micron thick), and thick photo resist.With superb process repeatability, the Series 6000 is the perfect solution for all production enviroments. Choose either top side or optional back side alignment which uses OAI' s customized pattern recognition software that is Cognex based. For the total lithography process, the Seriesl 6000 can be integrated seamlessly with cluster tools. OAI' s new production mask Aligners are the total package.BENEFITS• Fully Automated• Topside Alignment• Optional: Bottomside Alignment• DUV to NUV• Cluster Tool Integration• Customized SoftwareSPECIFICATIONSExposure SystemExposure Modes Vacuum contact Hard contact Soft contact Proximity (2μ gap)Advanced Beam OpticsUniform Beam Size: 50mm - 200mm square/round 200mm - 300 mm square/roundUniformity: Better than ±3%Camera: Dual Camera with CCTV with Expanded Depth of FieldAlignment SystemPattern Recognition Cognex visionPro1™ with OAI customized softwareAlignment Accuracy 0.5μ topside 1.0μ with top to bottom optional backside alignmentPre-alignment Accuracy Better than ±50μAuto-alignment Top to bottomside TopsideWafer HandlingSubstrate size 50mm – 200mm round or square or 200mm-300mm round or square Thin wafers Down to 100Μ Warped Wafers Up to 7mm-10mm Thick & Bonded Substrates Up to 7000μ Robotics Single and dual arm wafer handling Run-out compensation Standard software or optional thermal chuck Wafer size conversion 5 minutes or less Throughput 1st mask 180 wafers per hour - subsequent 75-100 wafers per hour Wedge Effect Leveling 3 point or optional non-contact Available Options

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用领域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目前只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有极高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米级别的精细结构，因此在纳米科技领域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有极高的制造精度，能够满足微纳加工领域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。 4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV 光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 10 nm标准写场大小5000 μm□小/大写场大小小 1000 μm□ 大 5000 μm□扫描频率大 400 MHz发射间距小 1.0nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm输送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms&bull 射束调整功能&bull 曝光文件功能&bull 图案数据转换功能&bull 帐户管理功能&bull Python脚本

1 产品概述: 电子束光刻（E-beam Lithography，简称EBL或EBD）设备，是在电子显微镜基础上发展起来的一种用于微电路研究和制造的曝光技术。它作为半导体微电子制造及纳米科技的关键设备，主要通过高能量电子束与光刻胶的相互作用，实现高精度的曝光和图形制作。电子束光刻设备主要包括电子光学系统、图形发生器系统、真空系统以及高精度运动系统等核心组件。2 设备用途：电子束光刻设备具有广泛的应用域，主要包括：半导体制造：用于制作光刻掩模版，是半导体芯片制造中不可或缺的一部分。特别是在EUV光刻机掩模版的制作上，目只能依赖于电子束光刻技术。纳米科学技术研究：由于电子束光刻具有高的分辨率，它能够制造出微米甚至亚微米别的精细结构，因此在纳米科技域有着广泛的应用。集成电路制造：在集成电路的制造过程中，电子束光刻技术用于制作高精度、高密度的芯片结构，提高芯片的性能和可靠性。3 设备特点电子束光刻设备具有以下显著特点：高分辨率：相比于传统光刻技术，电子束光刻技术可以实现更高的分辨率，能够制造出更精细的图案和结构。高精度：电子束光刻设备具有高的制造精度，能够满足微纳加工域对精度的严格要求。灵活性：电子束光刻技术可以灵活曝光任意图形，适应不同形状和尺寸的加工需求。高速度：现代电子束光刻设备已经实现了高速、连续的加工过程，大大提高了生产效率。真空环境：设备中的真空系统提供了稳定的真空环境，消除了空气对加工过程的干扰，保证了设备的稳定性和生产效率。4 技术参数和特点： 电子枪ZrO/W 热场发射型加速电压50 kV光束电流1 nA ～ 800 nA小光束直径D 2.8 nm标准写场大小1000 μm小/大写场大小小 100 μm 大（选项）3000 μm扫描频率大 100 MHz发射间距小 0.2 nm大试样尺寸8” 晶片 / 12” 晶片大绘图区域200 mm x 200 mm / 300 mm x 300 mm搬送机构单自动加载器多自动加载器机器人装载机Softwareelms束流调整功能曝光文件功能图案数据转换功能帐户管理功能Python脚本

EVGLithography 光刻设备 EVG的发明，例如1985年世界上第一个底面对准系统，开创了顶面和双面光刻，对准晶圆键合和纳米压印光刻技术并树立了行业标准。 EVG通过不断开发新一代掩模对准器产品来增强这些核心光刻技术，从而在这些领域做出了贡献。 EVG的掩模对准系统可容纳尺寸多达300 mm的晶圆和基板，尺寸，形状和厚度各不相同，旨在为高级应用提供复杂的解决方案，并具有高度的自动化程度，并为研发提供充分的灵活性。 EVG的掩模对准器和工艺能力已经过现场验证，并已安装在全球的生产设施中，以支持众多应用，包括先进封装，化合物半导体，功率器件，LED，传感器和MEMS制造。

复杂三维微纳结构在微纳机电系统、生物医疗、组织工程、新材料、新能源、高清显示、微流控器件、微纳光学器件、微纳传感器、微纳电子、生物芯片、光电子和印刷电子等领域有着巨大的产业需求，然而现有的各种微纳制造技术无论从技术层面还是在生产率、成本、材料等方面还难以满足高效、低成本批量化复杂三维微纳结构的制造需求。现有的诸如光学光刻、电子束光刻、干涉光刻、激光微细加工、软光刻、纳米压印等微纳制造技术主要实现2D或者2.5D微纳结构(简单几何图形)制造，难以实现复杂真三维微纳结构的制造。而且现有的这些微纳制造方法还面临设备和掩模(或者模具)昂贵、制造成本高、周期长、可用材料少等问题。织雀系列3D光刻打印设备是托托科技自主研发生产的一款微纳3D打印设备，微纳加工设备。可进行高精度，高分辨率的微立体光刻作业。织雀系列微纳3D打印设备的光学精度可达1 μm，高性能无铁芯直线驱动电机保证了 极 佳 的对准套印精度并且可提供 100mm×100mm×40mm的大幅面立体结构拼接尺寸，而基于空间光调制器（DMD/DLP）的微立体光刻技术，在复杂三维微纳结构、高深宽比微纳结构以及复合材料三维微纳结构制造方面具有突出的潜能和优势，此外还具有制造周期短、打印成本低、成型精度高、可使用材料种类多、无需掩模或模具直接成型的优点。【产品亮点】1. 高精度 影响精度的三大要素是：运动部件精度、光学系统精度、以及材料精度。与此同时，光刻机被公认为具有极限精密加工能力的设备。织雀® 系列产品采用光刻级运动平台、光刻级光学系统以及光刻级感光材料，将光刻的技术与3D增材制造紧密融合，将3D光刻的精度推向微米级别。2. 快速度3D光刻的速度主要取决于单个切片光刻所需的速度与切片层数。采用高亮度LED光源，甚至是高亮度激光光源，结合高品质的光学系统，单层切片光刻速度得以达到领先水平。在PL-3D 产品中，使用了扫描式光刻技术，将曝光效率进一步提升一个数量级，做到了名副其实的ULTRA Speed。3. 一键之间，权衡精度与速度的需求在基于空间光调制器的3D光刻设备中，受限于数百万的控制单元数量，精度与速度之间需要权衡取舍。织雀® 系列产品采用可自动切换的光学系统，一键实现高速与高精度的模式切换。同一台设备，可实现多种加工精度。4. 产品覆盖应对不同的精度需求、不同的产能需求、不同的材料体系需求、以及不同的加工尺寸需求，织雀® 系列产品覆盖了客户的各种需求，总有一款适合您。 如有尚未覆盖的特殊需求，请联系我们。5. 来自原厂的全面支持“支持我们的客户，赋能我们的客户，与我们的客户共同成长”是我们不变的追求。无论是新设备的开发，还是新材料的工艺参数优化，亦或者是新应用的探索，我们的强大的技术团队将提供优质的服务。

一、产品概述：Nikon NSR 2205i14E 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其卓越的成像质量和快速的曝光速度，NSR 2205i14E 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i14E 成为现代半导体制造过程中不可或缺的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2205i14E 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.35µ mN.A.0.63曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm四、设备特点Nikon NSR 2205i14E步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.35µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线，广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon SF120/130 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其卓越的成像质量和快速的曝光速度，NSR 2205i14E 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i14E 成为现代半导体制造过程中不可或缺的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.28µ mN.A.0.62曝光光源365nm倍率4:1大曝光现场25mm*33mm对准精度LSA：40nmFIA：45nm四、设备特点Nikon SF120/130步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.28µ m主要用于6寸、8寸及12寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon EX14C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon EX14C非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon Nikon EX14C成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.25µ mN.A.0.6曝光光源248nm倍率5:1大曝光现场 22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm四、设备特点Nikon EX14C步进式光刻机光源波长248nm分辨率优于0.25µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon EX12B 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其卓越的成像质量和快速的曝光速度，Nikon EX12B 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i14E 成为现代半导体制造过程中不可或缺的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备利用高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，通过高分辨率光学系统，将掩模图案精确地投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，接着进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，形成所需的图案。随后，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon SF120/130 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.3µ mN.A.0.55曝光光源248nm倍率5:1大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：55nmFIA：65nm四、设备特点Nikon EX12B步进式光刻机光源波长248nm分辨率优于0.3µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线

一、产品概述：Nikon NSR 2205i12D 步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2205i12D 非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得 Nikon NSR 2205i12D 成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2205i12D 能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标： 曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场 分辨率0.4µ mN.A.0.63 22mm*22mm对准精度LSA：60nmFIA：70nm四、设备特点Nikon NSR 2205i12D步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.4µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述：Nikon NSR 2205i11D步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，专为 200mm 晶圆的生产而设计。该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2205i11D非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2205i11D成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2205i11D能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.4µ mN.A.0.63曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场22mm*22mm对准精度LSA：75nmFIA：80nm四、设备特点Nikon NSR 2205i11D步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.4µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等

一、产品概述： Nikon NSR 2005i10C步进式光刻机是一款高精度的半导体制造设备，该机型采用先进的步进光刻技术，能够实现高分辨率和高精度的图案转移，广泛应用于集成电路（IC）、微处理器和存储器等电子元件的制造。凭借其良好的成像质量和快速的曝光速度，Nikon NSR 2005i10C非常适合大批量生产，同时其用户友好的操作界面和高效的自动化功能提升了生产效率。这使得Nikon NSR 2005i10C成为现代半导体制造过程中的重要工具，满足行业对高质量和高效率的需求。二、设备用途/原理：该设备通过高强度光源将掩模上的图案逐步投影到涂有光刻胶的晶圆表面。光源发出特定波长的光线，经过高分辨率光学系统，精确地将掩模图案投影到晶圆上进行曝光。曝光后，光刻胶的化学性质发生变化，随后进行显影，去除未曝光或已曝光的光刻胶，从而形成所需的图案。接着，利用刻蚀工艺将图案转移到晶圆材料上，最后去除残留的光刻胶。通过这一系列步骤，Nikon NSR 2005i10C能够高效地实现复杂图形的精确转移，满足现代半导体制造的高标准要求。三、主要技术指标：分辨率0.45µ mN.A.0.57曝光光源365nm倍率5:1大曝光现场20mm*20mm对准精度LSA：100nmFIA：110nm四、设备特点Nikon NSR 2005i10C步进式光刻机光源波长365nm分辨率优于0.45µ m主要用于2寸、4寸、6寸及8寸生产线广泛应用于化合物半导体、MEMS、LED等