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高真空蒸镀仪

仪器信息网高真空蒸镀仪专题为您提供2024年最新高真空蒸镀仪价格报价、厂家品牌的相关信息, 包括高真空蒸镀仪参数、型号等,不管是国产,还是进口品牌的高真空蒸镀仪您都可以在这里找到。 除此之外,仪器信息网还免费为您整合高真空蒸镀仪相关的耗材配件、试剂标物,还有高真空蒸镀仪相关的最新资讯、资料,以及高真空蒸镀仪相关的解决方案。

高真空蒸镀仪相关的仪器

  • 高真空热蒸发镀碳仪 400-860-5168转6180
    高真空热蒸发镀碳仪全自主支持产权,效率更高、颗粒更细,膜厚更均匀。适用于EDS样品制备;EBSD样品制备;MLA系统样品制备;其它需要制备碳膜的领域。全自主支持产权效率更高、颗粒更细,膜厚更均匀应用领域:1、EDS样品制备2、EBSD样品制备3、MLA系统样品制备4、其它需要制备碳膜的领域技术参数:人机界面7英寸TFT彩色液晶触摸屏蒸发源高纯碳纤维(选配碳棒)蒸发源数量1-4根(更多请咨询厂家)工作模式连续、脉冲操作方式全自动一键操作真空系统涡轮分子泵+旋片泵极限真空≤5E-3Pa工作真空<0.1Pa抽气节拍<3分钟真空室~φ170×130mm其它样品台旋转、样品温度检测、蒸发除气等
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  • 德国韦氏纳米系统专门为大学,研究机构提供了一系列高真空/超高真空桌面型热蒸发镀膜工艺平台。特征:All in One 桌面型紧凑设计模块化易于操作灵活性高满足不同的要求的薄膜工艺VapourStation 高真空型-高真空 可切换换源夹紧系统NanoSphere扩展型--超高真空PicoSphere加强型-近超高真空 我公司专业销售高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品,并提供产品的售前售后服务,如您对高真空/超高真空热蒸发镀膜仪产品感兴趣,欢迎前来咨询!
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  • 高真空蒸发镀膜设备 400-860-5168转5919
    1.设备概述EC400高真空蒸发镀膜设备是一台高精度的蒸发镀膜设备,主要用于在物体表面形成一层均匀的薄膜,以改变物体的性质和外观。该设备利用高真空环境下的物理过程,将金属材料蒸发成气体,并在物体表面沉积形成薄膜。2.主要组成部分真空室:用于提供高真空环境,确保蒸发源和物体表面之间没有气体分子的干扰。蒸发源:内置金属材料(如铜、铝、银、金等),通过加热使其蒸发成气体。膜厚监测仪:用于实时监测薄膜的厚度,确保薄膜质量符合要求。样品台:用于放置待处理的物体,确保其在镀膜过程中的稳定性和位置准确性。真空获得系统:包括真空泵等组件,用于将真空室抽成高真空状态。真空测量系统:用于测量真空室内的气体压力等参数,确保设备的安全运行。气路系统:用于向真空室内通入工艺气体,如氮气等,以调节镀膜环境。PLC+触摸屏自动控制系统:实现设备的自动化控制和操作,提高工作效率和镀膜质量。3.技术特点高真空环境:确保蒸发源和物体表面之间没有气体分子的干扰,提高镀膜质量。高精度控制:通过PLC+触摸屏自动控制系统,实现蒸发源加热温度、沉积时间等参数的精确控制。多功能性:可制备多种类型的薄膜,如金属薄膜、氧化物薄膜、氮化物薄膜等。结构紧凑:设备主机与控制一体化设计,操控方便;结构紧凑,占地面积小。4.应用域EC400高真空蒸发镀膜设备在多个域具有广泛的应用,包括但不限于:纳米薄膜制备:用于开发纳米单层、多层及复合膜层等。材料科学:制备金属膜、合金膜、半导体膜、陶瓷膜及介质膜等,如银、铝、铜、C60、BCP等材料的薄膜。高校与科研院所:用于教学、科研实验及新产品开发等。工业生产:在钙钛矿太阳能电池、OLED、OPV太阳能电池等行业中,用于制备高质量的薄膜材料。
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  • 小型高真空不锈钢腔体热蒸发镀膜仪CY-EVP180G-HV本仪器是一款高真空紧凑型热蒸发镀膜仪,蒸发温度从200℃到1700℃,采用钨丝篮作为蒸发源,蒸发源外套高纯氧化铝坩埚。上盖装有可旋转的样品台,能够有效提高成膜的均匀度。仪器拥有高精度的温度控制系统,采用循环加热方式,能够稳定蒸发金属及有机物。采用不锈钢高真空腔体设计,配高精度分子泵,能够达到高真空要求,较高的真空度能够有效提升蒸发镀膜的效率及质量小型高真空热蒸发镀膜仪用途: 本仪器适用于蒸发涂覆大多数金属和某些有机材料薄膜。
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  • 高真空蒸发镀膜设备 400-860-5168转4585
    产品型号:ei-501 本设备是用于在半导体或特种材料基板上进行金属、ITO等材料蒸镀的批处理式高真空蒸发镀膜设备。可通过触摸屏进行集中操作控制,自动完成从真空排气至镀膜的所有过程。适用于半导体、LED、电力电子等行业芯片的科研及小批量生产。 ※产品优点 ※产品用途◆占地面积小 ◆Power device ◆易操作&易管理 ◆LED,LD行业◆高生产量 ◆研究开发◆设备构造简洁,便于安装维护 ◆电力电子行业 ※产品特征 ◆可以搭载多种蒸发源(EB,RH、EB+RH等) ◆可以搭载多种夹具,对应不同工艺(lift-off, planetary,satellite 等). ◆可以搭载多种基板 基板尺寸从2寸到6寸,基板材料为硅,玻璃 ◆等可以通过LCD 触摸屏进行操作 ◆PC控制系统以及各种功能(工艺参数,记录数据,维护保养) ※内部结构 ※产品配置
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  • QBT-I 双腔室高真空高速蒸镀系统产品详情:上下双腔,集表面处理与蒸发镀膜为一体,高效可靠的Indium蒸镀助手。技术参数QBT-I 技术参数 Technical Specifications (Indium Bump等制备)高真空腔体 HV Chamber2个HV腔室,Loadlock离子束刻蚀及蒸镀,极限真空Ultimate Pressure3E-8Torr排气速率Pumping Spead从ATM到8E-7Torr15min (loadlock)极限蒸发速率 High Depostion Rate5-12nm/s (Indium), Ф100基板镀膜均一性3%, 大容量坩埚精准的样品冷却控制 Wafer Cooling-10-40℃ (精度±0.1)离子束清洗 Ion Milling考夫曼离子源, Ф100基板刻蚀均一性3%人机界面 HMI全自动化人机操作界面安全Safety工业标准安全互锁Industry Safety Interlock,报警Alarm,EMO测试结果
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  • 高真空电子束蒸发镀膜机(电子束蒸镀机是在高真空条件下,采用电子束轰击材料加热蒸发的方法,在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等;可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜;可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学,可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求,选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等,从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点,配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温,具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求,选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等,从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空:7×10-5Pa~7×10-6Pa设备总体漏放率:关机12小时,≤10Pa恢复工作真空时间短,大气至7×10-4Pa≤30分钟;设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件(可选配)、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构,膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件:膜厚监控仪,恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW~10kW 其它功率(可根据用户要求选配) 坩埚 1~8只 (可根据用户要求选配) 电阻热蒸发源组件 1~4套 (可根据用户要求配装)电阻热蒸发源种类-钽(钨或钼)金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件(配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚)-束源炉热蒸发组件(配石英坩埚或氮化硼坩埚)操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术(深圳)有限公司(简称:鹏城半导体),由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积(PVD)系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机,离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积(CVD)系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统(LMBE)|OLED中试设备(G1、G2.5)|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备(PECVD+磁控溅射)团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备,用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备,目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备(≥Φ6英寸)。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。
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  • 高真空电阻热蒸发镀膜机(高真空镀膜机)采用电阻热蒸发技术,它是在高真空条件下,通过加热材料的方法,在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验,可根据用户要求专门订制;可用于材料的物理和化学研究;可用于制备金属导电电极;可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室+进样室-单镀膜室+手套箱(可将镀膜室放在手套箱内)-单镀膜室+进样室+手套箱(可将镀膜室放在手套箱内)-多镀膜室+样品传递室+手套箱(组成团簇式结构,样品传递采用真空机械手)设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵(或冷泵)真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构,膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量,可根据用户需要进行配置。可选件:膜厚监控仪,恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件:数量:1~12套(可根据用户要求配装);电阻热蒸发源种类:钽(钨或钼)金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件(配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚)、束源炉热蒸发组件(配石英坩埚或氮化硼坩埚)。高真空电阻热蒸发镀膜机(高真空镀膜机)工作条件(实验室应具备的设备工作条件)供电:4kW,三相五线制~ AC 380V工作环境湿度:10℃~ 40℃工作环境温度:≤50%冷却循环水:0.2m3/h,水温18℃~ 25℃水压:0.15MPa ~ 0.25MPa真空性能极限真空:7×10-5Pa~7×10-6Pa设备总体漏放率:关机12小时,≤10Pa操作方式手动、半自动关于鹏城半导体鹏城半导体技术(深圳)有限公司,由哈尔滨工业大学(深圳)与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点,寻求创新引领与可持续发展,解决产业的痛点和国产化难题,争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造,具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整,有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队;还有来自工业界的高级装备设计师团队,他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学(深圳),具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台,可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市,具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积(PVD)系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机,离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积(CVD)系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统(MBE)、激光分子束外延系统(LMBE)|OLED中试设备(G1、G2.5)|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备(PECVD+磁控溅射)团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延(MBE)设备,包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪(反射高能电子衍射仪)、直线型电子枪、膜厚仪(可计量外延生长的分子层数)、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用,至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统,应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备,应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备,可加水平磁场和垂直磁场,自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉,用于GaN和ZnO的外延生长,实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD,用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备,用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备(采用热激发技术和CVD技术)。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备,制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计,开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备,目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备(≥Φ6英寸)。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。
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  • 更多内容,请访问中国总代理商和服务商“覃思科技”官方网站电镜制样设备CCU-010 HV_CT高真空碳蒸镀仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010 HV_CT-010为一款结构紧凑、全自动型的热蒸发镀碳仪,使用非常简便。采用独特的插入式设计,变换镀膜头非常简单。在镀膜之前和/或之后,可以进行等离子处理(可选项)。模块化设计可轻松避免交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能蒸发镀碳和可选等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜,无需用户干预✬ 独特的即插即用蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置,可兼容不同尺寸的样品巧妙的真空设计CCU-010 HV系列高真空镀膜仪涵盖了最高级的SEM,TEM和薄膜应用。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。CT-010碳蒸发模块电镜制样设备CCU-010 HV_CT高真空碳蒸镀仪采用紧凑的插入式碳蒸发模块,为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 HV镀膜主体后,即可立即使用,既适合EDS喷碳应用,更适合SEM、TEM和任何需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统,可以进行多达数十次涂层的镀膜,而无需更换碳源。除了易于使用外,自动供给系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全,从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄膜到在FIB应用中厚膜层的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的膜层厚度,并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装,通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理,例如,使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理,无需“破”真空或更换处理头,极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010,与所有样品台兼容。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后,可选对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件,可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品,增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理,从而对碳膜表面进行改性。Coating-LAB软件(可选)使用基于PC的Coating-LAB软件,可查看包括图表信息在内的处理数据。数据包括压力、电流、电压、镀膜速率和膜厚,镀膜速率为实时曲线。便捷的软件升级和参数设置让此智能工具更为完美。RC-010手套箱应用的远程控制软件(可选)◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表,包含导出功能(Excel、png等)◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010系列喷金喷碳仪提供一个直径不小于60mm的样品台,该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪及其版本CCU-010 HV 系列高真空镀膜系统专为满足电镜样品制备领域及材料科学薄膜应用的最高要求而设计。CCU-010 HV 高真空镀碳仪采用优质组件和智能设计,可在超高分辨率应用中提供出色的结果。该设备是全自动抽真空和全自动操作,采用TFT 触摸屏,配方可编程,保证结果可重复。CCU-010 HV 标配抽真空系统完全无油,含高性能涡轮泵和前级隔膜泵,均位于内部,外部没有笨重的旋转泵和真空管路。这是一款尺寸合理的桌上型高真空镀膜仪。使用无油抽真空系统可将镀层中的污染或缺陷降至最低。关闭时,该设备可以保持在真空下,这有效地保护了系统免受灰尘和湿气的影响,并为高质量的镀层创造了快速抽真空和有利的真空条件。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪版本:CCU-010 HV高真空磁控离子溅射镀膜仪;CCU-010 HV高真空热蒸发镀碳仪;CCU-010 HV高真空离子溅射和镀碳一体化镀膜仪;CCU-010 HV高真空手套箱专用镀膜仪CCU-010 HV 系列高真空镀膜仪的主要亮点在于实现了两大技术性突破:一是独家采用自动碳纤维供给系统,在不破真空更换碳源的情况下可进行数十次的镀碳运行,比市场上常见的单次、双次或四次碳纤维镀膜方式节省大量的人工操作,既适用于大多数常规镀碳应用,也适用于超薄或超厚碳膜以及温度敏感样品的应用。二是将“镀膜前对样品表面进行等离子清洁(增加附着力)+镀膜+镀膜后对膜层表面进行改性(比如:亲水化)或刻蚀”全流程集于同一台仪器同一次真空下完成,大大提高了镀膜质量,拓宽了应用范围。另外,瑞士制造,是“精密”和“高品质”的代名词;瑞士原厂货源,覃思本地服务,客户买得放心、用得省心!
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  • 中药化工多级分子蒸馏仪AYAN-F80真空度高薄膜蒸发分子蒸馏是一种特殊的液--液分离技术,在高真空状态下,使蒸气分子的平均自由程大于蒸发表面与冷凝表面之间的距离,从而可利用料液中各组分蒸发速率的差异,对液体混合物进行分离产品参数:产品型号AYAN-F80AYAN-F100AYAN-F120AYAN-F150AYAN-F250内径(mm)80100120150250蒸发面积(㎡)0.10.160.20.250.45冷凝面积(㎡)0.20.250.30.450.65进料容积(L)22222处理流量L/H0-40-50-60-80-15电机功率(W)200240240260280转速(r/min)300300300300360冷凝收集(L)2*22*22*22*22*2液膜收集(L)22222冷凝装置二级二级二级二级二级冷却装置有有有有有刮板角度(°C)4545454545真空度(pa)11111抽滤(L/S)22244冷凝温度(°C)-20-20-20-20-20二级冷凝温度 -5-5-5-5-5受热温度(°C)室温-300室温-300室温-300室温-300室温-300蒸馏是利用混合物中各组分具有不同的挥发度,即在同一温度下各组分蒸气压不同的性质,对混合物中各组分进行分离的。挥发度较高的物质在气相中的浓度高于液相中的浓度,挥发度较低的物质在液相中的浓度高于气相中的浓度,所以借助于多次部分汽化与多次部分冷凝,达到轻重组分分离的目的。是分离流体混合物的一种关键技术。分子蒸馏是在高真空情况下,蒸发面和冷凝面的间距小于等于被分离物料的蒸气分子的平均自由行程,由蒸发面逸出的分子,既不与残余的空气分子碰撞,也不自身相互碰撞,毫无阻碍地飞射到并凝集在冷凝面上。通常分子蒸馏压力在绝压 0.0133322Pa-0.133322Pa下进行。 中药化工多级分子蒸馏仪AYAN-F80真空度高薄膜蒸发
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  • 高真空电阻热蒸发镀膜机(高真空镀膜机)采用电阻热蒸发技术,它是在高真空条件下,通过加热材料的方法,在衬底上沉积各种化合物、混合物单层或多层膜。可用于生产和科学实验,可根据用户要求专门订制;可用于材料的物理和化学研究;可用于制备金属导电电极;可用于有机材料的物理化学性能研究实验、有机半导体器件的原理研究实验、OLED实验研究及有机太阳能薄膜电池研究实验等。设备构成-单镀膜室-单镀膜室+进样室-单镀膜室+手套箱(可将镀膜室放在手套箱内)-单镀膜室+进样室+手套箱(可将镀膜室放在手套箱内)-多镀膜室+样品传递室+手套箱(组成团簇式结构,样品传递采用真空机械手)设备组成电阻热蒸发源组件、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵(或冷泵)真空机组、旋转基片加热台、工作气路、手套箱连接部件、样品传递机构,膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。热蒸发源类型和数量,可根据用户需要进行配置。可选件:膜厚监控仪,恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置电阻热蒸发源组件:数量:1~12套(可根据用户要求配装);电阻热蒸发源种类:钽(钨或钼)金属舟热蒸发源组件、石英舟热蒸发源组件、钨极或钨蓝热蒸发源组件、钽炉热蒸发源组件(配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚)、束源炉热蒸发组件(配石英坩埚或氮化硼坩埚)。高真空电阻热蒸发镀膜机(高真空镀膜机) 工作条件(实验室应具备的设备工作条件)供电:4kW,三相五线制~ AC 380V工作环境湿度:10℃~ 40℃工作环境温度:≤50%冷却循环水:0.2m3/h,水温18℃~ 25℃水压:0.15MPa ~ 0.25MPa真空性能极限真空:7×10-5Pa~7×10-6Pa设备总体漏放率:关机12小时,≤10Pa操作方式手动、半自动
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  • 耐腐蚀材质高真空度小试中试实验专用分子蒸馏仪304/316L 不锈钢材质:设备主体采用优质304/316L不锈钢材料制成,确保设备的稳定性以及使用寿命,从而保证持久高效的生产速率。PTEF材料密封 全自动操作:设备密封系统采用优质PTEF材料,以确保整个系统的气密性,和高真空度,全自动的操作系统,自动进料,自动收集,从而确保高效的分离效率。刮片式短程蒸馏系统:由优质不锈钢304/316L制成的刮片式短程蒸馏系统,以短的操作时间获得高的分离效率。耐腐蚀材质高真空度小试中试实验专用分子蒸馏仪产品特征:优质316和304不锈钢制成,稳定性高,仪器寿命长;短程蒸馏,物料停留时间短(几秒钟即可分离成功);真空度高,蒸馏温度低,蒸馏效率高;可连续蒸馏,无需中断;多种型号可供选择,适合小试实验,中试生产或规模生产,可定制化服务,可提供一整套服务;即插即用,自动化蒸馏,操作简单;各个接口采用的是氟胶垫片进行密封,气密性好,如客户需要耐腐蚀可以更换成四氟材质 耐腐蚀材质高真空度小试中试实验专用分子蒸馏仪技术参数:产品型号AYAN-F80-SAYAN-F100-SAYAN-F150-SAYAN-F200-SAYAN-F220-S内径(mm)80100150200220蒸发面积(㎡)0.10.150.250.350.5冷凝面积(㎡)0.150.250.450.550.65进料容积(L)2(可定制)2(可定制)2(可定制)5(可定制)5(可定制)处理流量L/H0.5-4.00.5-5.01.0-8.01.5-102.0-15电机功率(W)120120120120200转速(≤r/min)450450450450450轻组分收集瓶(L)1(可定制)2(可定制)3(可定制)5(可定制)5(可定制)重组成收集瓶(L)1(可定制)2(可定制)3(可定制)5(可定制)5(可定制)冷井有有有有有外置冷凝装置选配选配选配选配选配冷却装置有有有有有真空度(pa)10以下10以下10以下10以下10以下受热温度(°C)室温-200室温-200室温-200室温-200室温-200短程分子蒸馏器在进行选择的过程中需要选择其经济合理的蒸馏温度,这样物料在进行加工的过程中才会有较好的稳定性能,蒸气分子从蒸发面向冷凝面飞射的过程中,两者之间可能会出现其相互碰撞的情况。  短程分子蒸馏器运行的过程中其强度是高的,这样的设备在进行使用的过程中具有很强的耐腐蚀的性能,这样的产品对于大多数的试剂以及化学材料都有好的适用性能。  在进行设计的过程中采用的是先进设计理念以及制造工艺, 短程分子蒸馏器中的核心部件是蒸馏塔柱,在进行使用的过程中设备结构直接关系到设备的分离效果。  短程分子蒸馏器运行时环境以及柱体之间的热交换可以避免其传统的方式,这样就会直接造成设备出现过度加热或者保温导致人为的破坏其平衡所带来的实验数据的误差。  短程分子蒸馏器在进行传质的过程中,可以进行随时调整以及控制设备中的佳温度以及真空的压力条件,设备中的塔柱是采用比较特殊的抗热应力膨胀皱纹段设计,可以有效的防止其塔柱温差出现突变的不安全因素。
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  • 高真空电子束蒸发镀膜机是在高真空条件下,采用电子束轰击材料加热蒸发的方法,在衬底上镀制各种金属、氧化物、导电薄膜、光学薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬膜等;可镀制混合物单层膜、多层膜或掺杂膜;可镀各种高熔点材料。可用于生产、科学实验及教学,可根据用户要求专门订制。可根据用户使用要求,选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式, 通过PLC 和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制, 包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等,从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。设备特点设备具有真空度高、抽速快、基片装卸方便的特点,配备 E 型电子束蒸发源和电阻蒸发源。PID自动控温,具有成膜均匀、放气量小和温度均匀的优点。可根据用户使用要求,选配石英晶体膜厚自动控制及光学膜厚自动控制两种方式,通过PLC和工控机联合实现对整个镀膜过程的全程自动控制,包括真空系统、烘烤系统、蒸发过程和膜层厚度的监控功能等,从而提高了工作效率和保证产品质量的一致性和稳定性。真空性能极限真空:7×10-^5Pa~7×10^-6Pa设备总体漏放率:关机12小时,≤10Pa恢复工作真空时间短,大气至7×10-4Pa≤30分钟;设备构成E 型电子束蒸发枪、电阻热蒸发源组件(可选配)、样品掩膜挡板系统、真空获得系统及真空测量系统、分子泵真空机组或低温泵真空机组、旋转基片加热台、工作气路、样品传递机构,膜厚控制系统、电控系统、恒温冷却水系统等组成。可选件:膜厚监控仪,恒温制冷水箱。热蒸发源种类及配置 E 型电子束蒸发系统 1套 功率 6kW~10kW 其它功率(可根据用户要求选配) 坩埚 1~8只 可根据用户要求选配 电阻热蒸发源组件 1~4套 (可根据用户要求配装)电阻热蒸发源种类-钽(钨或钼)金属舟热蒸发源组件-石英舟热蒸发源组件-钨极或钨蓝热蒸发源组件-钽炉热蒸发源组件(配氮化硼坩埚或陶瓷坩埚)-束源炉热蒸发组件(配石英坩埚或氮化硼坩埚)操作方式手动、半自动
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  • 等离子溅射和蒸发二合一镀膜仪配备了直流溅射靶和热蒸发组件,不但可以用于等离子溅射方式镀金属膜,也可以用蒸发的方式得到碳或者其他金属单质的薄膜。仪器元件高度集成化,在同一个腔体内即实现了两种镀膜功能;本镀膜仪采用304不锈钢腔体作真空腔体,镀膜过程完全可见。仪器标配双极旋片真空泵,能够快速达到1.0E-3Pa的真空度,极限真空度1.0E-5Pa,可满足大多数蒸发镀膜实验和二极溅射实验所需的真空环境。本仪器体积小,节省空间,能够置于试验台上使用,一机多用,性价比突出,非常适合各大高校及研究机构选用。离子溅射和蒸发二合一镀膜仪适用范围:扫描电镜样品表面喷金、蒸金喷碳等操作,以及非导体材料试验电极的制作等。 离子溅射和蒸发二合一镀膜仪技术参数:供电电压AC220V,60Hz最大功率1200W样品台直径φ65mm;与蒸发源间距可调,调节范围60mm-100mm真空腔体材质:304不锈钢 O.Dφ168mm x I.Dφ160mm x 210mm最高温度1700℃热电偶B型热电偶真空计电子式真空计真空系统前级泵:浦发MVP030 无油泵 抽速30L/min次级泵:莱宝TURBOVAC 90iX 抽速90L/s真空接口KF40进气接口1/4卡套接头整机尺寸500x350x400mm
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  • 安研AYAN-F80-S高真空度实验室分子蒸馏器 ?技术参数:产品型号AYAN-F80-SAYAN-F100-SAYAN-F150-SAYAN-F200-SAYAN-F220-S内径(mm)80100150200220蒸发面积(㎡)0.10.150.250.350.5冷凝面积(㎡)0.150.250.450.550.65进料容积(L)2(可定制)2(可定制)2(可定制)5(可定制)5(可定制)处理流量L/H0.5-4.00.5-5.01.0-8.01.5-102.0-15电机功率(W)120120120120200转速(≤r/min)450450450450450轻组分收集瓶(L)1(可定制)2(可定制)3(可定制)5(可定制)5(可定制)重组成收集瓶(L)1(可定制)2(可定制)3(可定制)5(可定制)5(可定制)冷井有有有有有外置冷凝装置选配选配选配选配选配冷却装置有有有有有真空度(pa)10以下10以下10以下10以下10以下受热温度(°C)室温-200室温-200室温-200室温-200室温-200?结构特征:304/316L 不锈钢材质:设备主体采用优质304/316L不锈钢材料制成,确保设备的稳定性以及使用寿命,从而保证持久高效的生产速率。PTEF材料密封 全自动操作:设备密封系统采用优质PTEF材料,以确保整个系统的气密性,和高真空度,全自动的操作系统,自动进料,自动收集,从而确保高效的分离效率。刮片式短程蒸馏系统:由优质不锈钢304/316L制成的刮片式短程蒸馏系统,以短的操作时间获得高的分离效率。安研AYAN-F80-S高真空度实验室分子蒸馏器 ?产品特征:优质316和304不锈钢制成,稳定性高,仪器寿命长;短程蒸馏,物料停留时间短(几秒钟即可分离成功);真空度高,蒸馏温度低,蒸馏效率高;可连续蒸馏,无需中断;多种型号可供选择,适合小试实验,中试生产或规模生产,可定制化服务,可提供一整套服务;即插即用,自动化蒸馏,操作简单;11. 各个接口采用的是氟胶垫片进行密封,气密性好,如客户需要耐腐蚀可以更换成四氟材质安研AYAN-F80-S高真空度实验室分子蒸馏器1. 蒸馏温度低,分子蒸馏是在远低于沸点的温度下进行操作的,只要存在温度差就可以达到分离目的,这是分子蒸馏与常规蒸馏的本质区别。2. 蒸馏真空度高,分子蒸馏装置其内部可以获得很高的真空度,通常分子蒸馏在很低的压强下进行操作,因此物料不易氧化受损。3. 蒸馏液膜薄,传热效率高。4. 物料受热时间短,受加热的液面与加冷凝面之间的距离小于轻分子的平均自由程,所以由液面逸出的轻分子几乎未经碰撞就达到冷凝面。因此,蒸馏物料受热时间短,在蒸馏温度下停留时间一般几秒至几十秒之间,减少了物料热分解的机会。5. 分离程度更高,分子蒸馏能分离常规不易分开的物质6. 没有沸腾鼓泡现象,分子蒸馏是液层表面上的自由蒸发,在低压力下进行,液体中无溶解的空气,因此在蒸馏过程中不能使整个液体沸腾,没有鼓泡现象。7. 无毒、无害、无污染、无残留,可得到纯净安全的产物,且操作工艺简单,设备少。分子蒸馏技术能分离常规蒸馏不易分离的物质。8. 分子蒸馏设备价格昂贵,分子蒸馏装置保证体系压力达到的高真空度,对材料密封要求较高,且蒸发面和冷凝面之间的距离要适中,设备加工难度大,造价高。9. 产品耗能小,由于分子蒸馏整个分离过热损失少,且由于分子蒸馏装置独特的结构形式,内部压强极低,内部阻力远比常规蒸馏小,因而可大大节省能耗。 从分子蒸馏技术以上的特点可知,它在实际工业化的应用中比常规蒸馏技术具有以下明显的优势:(1)对于高沸点、热敏及易氧化物料的分离,分子蒸馏提供了*佳分离方法。因为分子蒸馏在远低于物料沸点的温度下操作,而且物料停留时间短;(2)分子蒸馏可极有效地脱除液体中的物质如有机溶剂、臭味等,这对于采用溶剂萃取后液体的脱溶是*常有效的方法;(3)分子蒸馏可有选择地蒸出目的产物,去除其它杂质,通过多级分离可同时分离2种以上的物质;(4)分子蒸馏的分馏过程是物理过程,因而可很好地保护被分离物质不受污染和侵害。
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  • 1.产品概述:该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统;真空测量系统;蒸发源;样品加热控温;电控系统;配气系统等部分组成。该系统可与手套箱对接。2.设备用途:热蒸发是指把待镀膜的基片或工件置于真空室内,通过对镀膜材料加热使其蒸发气化而沉积于基体或工件表面并形成薄膜或涂层的工艺过程。可在高真空下蒸发高质量的不同厚度的金属薄膜,广泛应用于物理,生物,化学,材料,电子等域。蒸镀薄膜种类:Au, Cr, Ag, Al, Cu, In,有机物等。3.真空室:真空室结构:方形开门真空室尺寸:400×400×450mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:3个钨舟、2个有机源样品尺寸,温度:4寸,1片,高800℃占地面积(长x宽x高):约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性:≤±5%
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  • 1. 产品概述:高真空电子束蒸发薄膜沉积系统是一种先进的物理气相沉积(PVD)技术设备,主要用于在超高真空环境下,通过电子束加热蒸发源材料,使其蒸发并在基片表面沉积形成薄膜。该系统广泛应用于物理学、材料科学、动力与电气工程等域,特别适用于纳米材料、太阳能光伏电池、半导体器件等高精度薄膜的制备。2 设备用途/原理:1. 薄膜制备:该系统能够制备各种金属、半导体、氧化物等材料的薄膜,满足不同材料和器件的制备需求。2. 科学研究:在材料科学研究中,用于探索新材料、新结构的物理和化学性质。3. 工业生产:在半导体、光电子、太阳能电池等行业中,用于大规模生产高精度、高质量的薄膜产品。3 设备特点CMP抛光机具有以下几个显著特点:1 高真空度:系统能够达到高的真空度(≤6.0E-5Pa),有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰,提高薄膜质量。2 电子束加热:采用电子束加热技术,具有热效率高、束流密度大、蒸发速度快等优点,能够蒸发高熔点材料,制备高纯薄膜。3 多源蒸发:系统配备多个蒸发源(如6个40cc坩埚),可同时或分别蒸发多种不同材料,实现多层膜的均匀沉积。4 精确控制:配备高精度的膜厚监控仪和控制系统,能够实现对薄膜厚度、成分和结构的精确控制,确保薄膜的均匀性和一致性。5 灵活定制:样品尺寸及数量可定制,工件架有拱形基片架和行星形基片架等多种选择,可根据用户基片尺寸设计工件架。6 稳定可靠:系统整体设计合理,结构紧凑,具有良好的设备稳定性和可靠性,以及完善的售后及质保服务。综上所述,高真空电子束蒸发薄膜沉积系统以其高真空度、高精度、多源蒸发和灵活定制等特点,在薄膜制备域具有广泛的应用景和重要的科学价值。4 特色参数:本系统配有一套电子枪及电源,可满足在Al,Ni,Ag,Pt,Pd,Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。真空室结构:U形开门真空室尺寸:700x700x900mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸,温度:φ4英寸,26片,高300℃占地面积(长x宽x高):约3.2米x3.9米x2.1米电控描述:全自动控制系统:通过工控机和 PLC 实现对整个系统的控制,具有自动和手动控制两种功能,操作过程可在触摸屏上进行,提供配方设置、真空系统、电子枪系统、工艺系统、充气系统、冷却系统等人机操作界面;在工控机上可通过配方式参数设置方式实现对程序工艺过程和设备参数的设置。工艺:片内膜厚均匀性:≤±3%特色参数 :工件架有拱形基片架和行星形基片架:可根据用户基片尺寸设计工件架
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  • KA-107 石油产品高真空蒸馏 概 述 本产品是根据SH/T 0165《高沸点范围石油产品高真空蒸馏测定法》的标 准要求设计制造的。适用于测定蜡油和润滑油等高沸点范围的石油产品。 技术参数 电炉加热丝功率:1000W 受器量筒加热器功率:100W 馏程管加热器功率:80W 真空泵:电机功率:250W 转速:1400rpm 抽气速率:1升/秒 极限真空:<6×10-2Pa 电源:AC 220V 50Hz 结构特点 仪器是由电控箱、测定仪(玻璃仪器部分),可升降的调温电炉、玻璃保温 罩、受器量筒、空气浴、馏程管加热器、真空系统等部分组成,其结构如图所示: ● 保温罩采用厚壁耐高温的优质玻璃制造,保温效果好,同时便于观察烧瓶中试 样情况。 ● 通过调节炉壳外部的升降旋钮,可以调节电炉的高度。调节电炉调节旋钮可控 制蒸馏升温速度。 ● 后墙板上设有真空调节阀,可调节真空度,并在试验结束时将真空系统放空。 ● 受器量筒插入带有观察窗的空气浴中,由温度计观察,调节量筒调压旋钮,从 而保证了接收量筒的温度与装入试样时的温度差不大于3℃,其浴后设有照明灯, 能清楚观察接收量筒的刻度。馏程管处设加热器,解决高沸点石油产品中途凝结 问题。
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  • 1.产品概述:该设备主要由有机/金属源蒸发沉积室、真空排气系统;真空测量系统;蒸发源;样品加热控温;电控系统;配气系统等部分组成。2.产品应用:在实际应用中,这种系统常用于半导体、光电子、有机电子等域,用于制备各种有机薄膜、金属薄膜或复合薄膜,以满足不同器件和材料的研究与开发需求。3.真空室:沈阳科学仪器的高真空有机及热阻蒸发薄膜沉积系统 DZ350的详细介绍可能因具体型号和配置而有所不同真空室结构:U形开门真空室尺寸:φ350×400mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:2个钨舟、2个有机源样品尺寸,温度:50mmx50mm,1片,高300℃占地面积(长x宽x高):约2.5米×1.2米×1.8米电控描述:采用先进的控制系统,方便用户设置和调整工艺参数,如蒸发温度、沉积时间等。手动:样品台:拥有可旋转或可移动的样品台,以便均匀沉积薄膜。工艺:不含工艺
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  • 1.产品概述:高真空电子束蒸发薄膜沉积系统主要由蒸发室、主抽过渡管路、旋转基片架、光加热系统、电子枪及电源、石英晶体振荡膜厚监控仪、工作气路、抽气系统、控制系统、安装机台等部分组成,体现立方整体外观,适用于超净间间壁隔离安装,操作面板一端处在相对要求较高超净环境,其余部分(含低温泵抽系统)处在相对要求较低超净环境。2.设备用途:高真空电子束蒸发薄膜沉积系统配有一套电子枪及电源,可满足在Al,Ni,Ag,Pt,Pd,Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。该系统的主要功能是利用电子束蒸发技术在基片上沉积各种薄膜材料。3.产品优势:限真空度高:能够达到≤6.×10^-5 Pa,这有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰,提高薄膜质量。电子枪功率可调范围大:电子枪功率 0—10kW 可调,可以满足不同材料蒸发和薄膜沉积的需求,适应多种工艺条件。配备水冷式坩埚:4 穴坩埚,每个容量不少于一定数值(具体容量可能因型号而有所不同),可容纳多种材料同时蒸发。样品台性能优良:可容纳较大尺寸的样品,并且能够加热至较高温度(具体温度可能因型号而有所不同),转速可在一定范围内调节,满足不同实验需求。具备精确的膜厚监测仪:彩色 LCD 显示屏,提供英文或中文版本,设有“quick setup”(快速设定)菜单、多个区分上下文按钮以及简便的参数设定旋钮,易于设定和操作,且测量速率和分辨率较高,存储容量大,能够使用单传感器或多传感器监控源材料,提供精确的源分布监控,有利于实现对薄膜沉积过程的精确控制和质量监测。包含金属蒸发源组件:可提供多套蒸发电源,大输出功率满足一定要求(如 1.8kW,电压 6V,电流×A),有助于提高薄膜沉积的效率和稳定性。拥有较高的分子泵抽速:≥×l/s,能够快速有效地抽取真空室内的气体,维持高真空环境。其他方面:可能还具有良好的设备稳定性、可靠性,以及完善的售后及质保服务等。4.产品参数:真空室结构:U形开门真空室尺寸:900×900×1100mm限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸,温度:φ4英寸,26片,高300℃占地面积(长x宽x高):约3.5米x3.9米x2.1米电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性:≤±3%特色参数 :样品尺寸及数量可定制,工件架有拱形基片架和行星形基片架:可根据用户基片尺寸设计工件架
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  • 实验室短程分子蒸馏仪 高真空分离提纯装置产品说明:短程分子蒸馏仪是一种特殊的液--液分离技术,在高真空状态下,使蒸气分子的平均自由程大于蒸发表面与冷凝表面之间的距离,从而可利用料液中各组分蒸发速率的差异,对液体混合物进行分离.应用领域:精细化工,如芳香油提纯.高聚物中间体的纯化.羊毛脂的提取等等医药领域:如提取天然维生素AE等.制取氨基酸及葡萄糖的衍生物等等食品行业:如精制鱼油.油脂脱酸.精制高碳醇.混合油脂的分离等等其他领域:石油行业,日用化学,环保领域等等实验室短程分子蒸馏仪 高真空分离提纯装置技术参数:产品型号AYAN-F80AYAN-F100AYAN-F150AYAN-F200AYAN-F220内径(mm)80100150200220蒸发面积(㎡)0.10.150.250.350.5冷凝面积(㎡)0.150.250.450.550.65进料容积(L)22255处理流量L/H0.5∽4.00.5∽5.01.0∽8.01.5∽10.02.0∽15.0电机功率(W)120120120120200转速(r/min)≤450≤450≤450≤450≤450轻组分收集瓶(L)12355重组成收集瓶(L)12355冷井有有有有有外置冷凝装置选配选配选配选配选配冷却装置有有有有有真空度(pa)10以下10以下10以下10以下10以下受热温度(°C)室温-200室温-200室温-200室温-200室温-200分子蒸馏设备在沸腾的薄膜和冷凝面之间的压差是蒸汽流向的驱动力,对于微小的压力降就会引起蒸汽的流动。在lmbar下 运行要求在沸腾面和冷凝面之间短的距离,基于这个原理制作的蒸馏器称为短程蒸馏器。短程蒸馏器(分子蒸馏)有--个内置冷凝器在加热面的对面,并使操作压力降到0.001mbar。短程蒸馏器是一个工作在1~0.001mbar压力下热分离技术过程,它较低的沸腾温度,适合热敏性、高沸点物。其基本构成:带有加热夹套的圆柱型简体,转子和内置冷凝器 在转子的固定架上精确装有刮膜器和防飞溅装置。内置冷凝器位于蒸发器的中心,转子在圆柱型简体和冷凝器之间旋转。短程蒸馏器由外加热的垂直圆简体、位于它的中心冷凝器及在蒸馏器和冷凝器之间旋转的刮膜器组成。蒸馏过程是:物料从蒸发器的顶部加入,经转子上的料液分布器将其连续均匀地分布在加热面上,随即刮膜器将料液刮成一层极薄、呈湍流状的液膜,并以螺旋状向下推进。
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  • 1. 产品概述Batch式高真空蒸发设备ei系列是可对应在基板上成金属膜或氧化物膜的设备。可通过操作面板实现抽真空、成膜等作业内容的集中自动化操作,适用于研究开发及少量生产。2. 设备用途/原理Power Device等化合物相关。LED、LD、高速device。各种实验用。其他各种电子部件。3. 设备特点 可搭载多样蒸发源(EB、电阻式、EB+电阻式)。对应不同制程可选多种基板holder(lift-off、行星式、卫星式等)。φ2 in〜 6 in基板、矩形基板、Si、化合物、glass、陶瓷灯各种基板对应。液晶触控板集中现实操作。集成电脑拥有优异的操作性和性能(recipe功能、data-logging、maintenance assistant功能)。
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  • 仪器简介: 英国Q150GB涡轮泵高真空、模块化镀膜系统,自动程序控制,傻瓜相机式的简单操作。其镀膜单元可置于各种手套箱内,外置触摸屏用户界面、电源单元和前级机械泵。可监测手套箱压力。该系统不同的配置可以实现离子溅射镀膜、碳蒸发/金属蒸发镀膜或溅射蒸发二者兼有之功能,可用于SEM、TEM及薄膜样品镀膜,也常用于锂电池科研等需要在手套箱内镀膜的样品。 技术参数: 技术规格 仪器尺寸:267mm W x 490mm D x 494mm H 总重量:40公斤 工作腔室:硼硅酸盐玻璃152mmDia (内部) x 214mm H 安全钟罩:整体PET 样品台:直径为50mm的旋转样品台。转速8-20 rpm 真空范围: 10-5 mbar量级 溅射可选靶材:Au金、Au/Pd金钯合金、Pt铂、Pt/Pd铂钯合金、Ag银、Al铝、C碳、Cr铬等 蒸发源:可选用碳棒进行热蒸发镀碳,也可使用钨丝篮或钨舟/钼舟进行热蒸发镀各种金属膜。 主要特点: &bull 可安装在手套箱内的模块化系统 &bull 整体手套箱压力监测 &bull 金属溅射、碳蒸发 – 或二者兼有 &bull 触摸屏控制模块置于手套箱外部操作 &bull 镀膜颗粒精细 &bull 高真空涡轮分子泵抽真空 &bull 可选通过膜厚监控仪实现厚度控制
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  • 高真空多功能镀膜仪 400-860-5168转6180
    GVC-5000T镀金镀碳一体机(高真空多功能镀膜仪)双组件设计、防污挡板设计、一键切换工作模式、镀膜效率高、颗粒度小、可镀所有金属膜和ITO导电膜。镀金镀碳一体机(高真空多功能镀膜仪)全自主知识产权1、双组件设计2、防污挡板设计3、一键切换工作模式4、镀膜效率高、颗粒度小5、可镀所有金属膜和ITO导电膜6、工作过程全自动7、软硬件互锁,安全可靠 靶材-ITO 靶材-镍 靶材-铜 靶材-银 靶材-钛 靶材-钼 靶材-钨 靶材-铬
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  • 瑞士Safematic CCU-010 HV高真空镀膜仪(电镜附件及外设)(喷金喷碳一体机)紧凑型、模块化和智能化CCU-010 HV为一款结构紧凑、全自动型的高真空离子溅射和蒸发镀碳一体化镀膜仪,使用非常简便。采用独特的插入式设计,通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射或蒸镀设备。在镀膜之前和/或之后,可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免金属和碳沉积之间的交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能离子溅射、蒸发镀碳和可选的等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜,无需用户干预✬ 独特的即插即用溅射和蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置,可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 HV系列高真空镀膜仪涵盖了最高级的SEM、TEM和薄膜应用。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。LC-006金属大腔室可选的LC-006是当前玻璃腔室的扩大版,为铝制结构。这个金属腔室可容纳6"晶圆样品或其它大尺寸样品,而且消除了对内爆防护的需求。在CCU-010 HV上选配LC-006, 无需任何修改就可实现更大样品和晶圆的镀膜。SP-010 & SP-011溅射模块两种溅射模块一旦插入CCU-010 HV镀膜主体单元,均可立即使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能,连续喷涂时间长,非常适合需要较厚膜的应用。 可选多种溅射靶材,适合SEM、FIB和各种薄膜应用。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具,也适合于极细颗粒尺寸镀膜。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时,推荐使用该溅射头。SP-011溅射头与CCU-010 HV高真空镀膜仪(电镜附件及外设)之主体单元相结合,可满足诸如DLC,ITO或铁磁溅射材料镀膜等具有挑战性的应用。(二选一作为标配)CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 HV高真空镀膜仪(电镜附件及外设)之主体单元后,即可立即使用,适合SEM、TEM和任何需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统,可以进行多达数十次涂层的镀膜,而无需更换碳源。除了易于使用外,该系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全,从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄膜到在FIB应用中厚膜层的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的膜层厚度,并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装,通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理,例如,使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理,无需“破”真空或更换处理头,极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010,与所有样品台兼容。HS-010真空储存箱可选的HS-010真空储存箱可在真空条件下存放备用镀膜头、备用行星台或旋转台、所有溅射靶材和碳附件,使它们处于清洁状态。通过集成的真空管路与镀膜主体单元连接,利用CCU-010抽真空系统对储物箱抽真空。可选地,用户也可用外接真空泵替代。舒适的手动锁定装置和放气阀允许对储物箱进行独立的抽真空和放气控制。额外的标准真空腔室可有效地避免蒸碳和溅射金属之间的交叉污染。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后,可选该单元对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件,可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品,增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理,从而对碳膜表面进行改性。Coating-LAB软件使用可选的基于PC的Coating-LAB软件,可查看包括图表信息在内的处理数据。数据包括压力、电流、电压、镀膜速率和膜厚,镀膜速率为实时曲线。便捷的软件升级和参数设置让此智能工具更为完美。RC-010手套箱应用的远程控制软件(可选)◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表,包含导出功能(Excel、png等)◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供了一个直径80mm的样品台,该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪及其版本CCU-010 HV 系列高真空镀膜系统专为满足电镜样品制备领域及材料科学薄膜应用的最高要求而设计。CCU-010 HV 高真空溅射和镀碳仪采用优质组件和智能设计,可在超高分辨率应用中提供出色的结果。该设备是全自动抽真空和全自动操作,采用TFT 触摸屏操控,配方可编程,保证结果可重复。CCU-010 HV 标配抽真空系统完全无油,含高性能涡轮泵和前级隔膜泵,均位于内部,外部没有笨重的旋转泵和真空管路。这是一款尺寸合理的桌上型高真空镀膜仪。使用无油抽真空系统可将镀层中的污染或缺陷降至最低。关闭时,该设备可以保持在真空下,这有效地保护了系统免受灰尘和湿气的影响,并为高质量的镀层创造了快速抽真空和有利的真空条件。CCU-010 HV系列高真空镀膜仪版本:CCU-010 HV高真空磁控离子溅射镀膜仪;CCU-010 HV高真空热蒸发镀碳仪;CCU-010 HV高真空溅射喷碳镀膜仪(高真空喷金喷碳一体机);CCU-010 HV高真空手套箱专用镀膜仪。CCU-010 HV 系列高真空镀膜仪的主要亮点在于实现了两大技术性突破:一是独家采用自动碳纤维供给系统,在不破真空更换碳源的情况下可进行数十次的镀碳运行,比市场上常见的单次、双次或四次碳纤维镀膜方式节省大量的人工操作,既适用于大多数常规镀碳应用,也适用于超薄或超厚碳膜以及温度敏感样品的应用。二是将“镀膜前对样品表面进行等离子清洁(增加附着力)+镀膜+镀膜后对膜层表面进行改性(比如:亲水化)或刻蚀”全流程集于同一台仪器同一次真空下完成,大大提高了镀膜质量,拓宽了应用范围。另外,瑞士制造,是“精密”和“高品质”的代名词;瑞士原厂货源,覃思本地服务,客户买得放心、用得省心!
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  • 1. 产品概述:主要由蒸发真空室、e 型电子枪、热阻蒸发组件、旋转基片加热台、工作气路、抽气系统、真空测量、安装机台及电控系统等部分组成,具备自动控制软件系统。2. 设备用途/原理:沈阳科仪 DZS500 系统用途广泛。电子束蒸发可以蒸发高熔点材料,比一般电阻加热蒸发热效率高、束流密度大、蒸发速度快,制成的薄膜纯度高、质量好,厚度可以较准确地控制,可以广泛应用于制备高纯薄膜和导电玻璃等各种光学材料薄膜。在科研领域,它常用于材料研究和新型器件的开发;在工业生产中,可用于大规模制造高质量的薄膜产品。例如,在制造液晶显示器的导电薄膜时,能够保证薄膜的导电性和均匀性,提高产品的性能和质量。3. 特色参数:o 真空室结构:采用 U 形前开门。o 真空室尺寸:500x500x600mm。o 极限真空度:≤6.67e-5Pa。o 沉积源:4 个 11cc 坩埚。o 样品尺寸与温度:可放置 φ4 英寸的 1 片样品,最高温度可达 800℃。o 占地面积:约 2.7 米 x1.7 米 x2.1 米。o 电控描述:全自动。o 工艺:片内膜厚均匀性≤±3%。 o 特色参数:样品可自转,转速可调。4. 设备特点沈阳科仪 DZS500 系统的真空室具有一些显著特点。其极限真空度表现出色,通常能够达到≤6.67×10⁻ ⁵ Pa(经烘烤除气后)。停泵关机 12 小时后,蒸发室真空度≤5Pa,这表明其真空保持能力较强。真空室的结构通常为 U 形前开门,尺寸一般为 500×500×600mm。这种设计不仅方便操作,还有利于维持真空环境的稳定性。在实际应用中,良好的真空室特点能够为薄膜沉积提供高质量的真空条件,减少杂质和气体对薄膜质量的影响。比如在制备高精度光学薄膜时,稳定的真空环境能够确保薄膜的均匀性和纯度。
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  • 徕卡高真空镀膜仪在电子显微镜领域,往往需要对样品进行表面镀膜从而使样品表面成像或图像质量得到改善。在样品表面覆盖一层导电的金属薄膜可以消除荷电效应,降低电子束对样品的热损伤,并可以提高SEM对样品进行形貌观察时所需的二次电子信号量。精细的碳膜具有电子束透明且导电的特性,因而常应用于X射线微区元素分析,制备网格支持膜,以及制备适宜于TEM观查的复型。需要怎样的镀膜技术取决于分辨率和应用需求。Leica EM ACE镀膜仪家族提供在各应用领域所需的键膜解决方案。Leica EM ACE600 是一款多功能型高真空镀膜系统,用于制备超薄,细颗粒的导电金属膜和碳膜,以适用于FE-SEM和TEM超高分辨率分析所需的镀膜要求。这一款全自动台式镀膜仪,包含内置式无油真空系统、石英膜厚监控系统和马达驱动样品台(旋转为标配,倾斜和高度马达驱动为选配)。徕卡高真空镀膜仪可以配置如下镀膜方式:★★★ 金属溅射镀膜★★★ 碳丝蒸发镀膜★★★ 碳棒蒸发镀膜(带有热阻蒸发镀膜选配件)★★★ 电子束蒸发镀膜★★★ 辉光放电★★★ 连接VCT样品交换仓: 与徕卡EM VCT配套实现冷冻镀膜,冷冻断裂,双复型,冷冻干燥和真空冷冻传输
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  • 1.产品介绍:分子蒸馏是一种特殊的液--液分离技术,在高真空状态下,使蒸气分子的平均自由程大于蒸发表面与冷凝表面之间的距离,从而可利用料液中各组分蒸发速率的差异,对液体混合物进行分离2.应用领域:精细化工,如芳香油提纯.高聚物中间体的纯化.羊毛脂的提取等等医药领域:如提取天然维生素AE等.制取氨基酸及葡萄糖的衍生物等等食品行业:如精制鱼油.油脂脱酸.精制高碳醇.混合油脂的分离等等其他领域:石油行业,日用化学,环保领域等等3. 产品图片: 4. 产品说明:短程分子蒸馏器是一个在1~0.001mbar真空压力下受热分离的技术过程,较低的挥发温度,非常适合热敏性、高沸点物。蒸发装置基本部件:加热夹套的圆柱型筒体(直径可选),转子和内置冷凝器(短程冷凝);在转子上附有刮膜器和防飞溅装置,内置冷凝器位于蒸发器的中心(短程冷凝手记),转子在圆柱型筒体和冷凝器之间旋转。由外加热的垂直圆筒体、位于它的中心冷凝器及在蒸馏器和冷凝器之间旋转的刮膜器组成。蒸馏过程是:物料从蒸发器的顶部加入,经转子上的料液分布器将其连续均匀地分布在加热面上,随即刮膜器将料液刮成一层极薄、呈湍流状的液膜,并以螺旋状向下推进。在此过程中,从加热面上逸出的轻分子,经过短的路线和几乎未经碰撞就到内置冷凝器上冷凝成液,并沿冷凝器管流下,通过位于蒸发器底部的出料管排出;残液即重分子在加热区下的圆形通道中收集,再通过侧面的出料管中流出。5. 产品的构成:1.进料装置 2.传送物料装置(可选)3.蒸发装置(双层夹套中心带冷凝装置).4耦合电机装置5.刮膜装置6.二级冷凝装置7.回收装置(多个)8冷却装置9.真空装置10.热源装置11.冷源装置 12.密封夹套装置(多套)6. 产品特点:1.远低于物料沸点的温度下操作,而且物料停留时间短 利于高沸点、热敏及易氧化物料的分离2.有效地脱除液体中的物质如有机溶剂、臭味等,对于采用溶剂萃取后液体的脱溶是非常有效的方法3.可有选择蒸挥发出产物,去除其它杂质,通过多级分离可同时分离2种以上的物质4.蒸馏真空度高,真空度可达5mmHg以下,其内部可以获得很高的真空度,通常分子蒸馏在很低的压强下进行操作,因此物料不易氧化受损5.蒸馏液膜薄,传热效率高,膜厚度小于0.5mm6.分离程度更高,分子蒸馏能分离常规不易分开的物质7.没有沸腾鼓泡现象,分子蒸馏是液层表面上的自由蒸发,在低压力下进行,液体中无溶解的空气,因此在蒸馏过程中不能使整个液体沸腾,没有鼓泡现象8.物理分离法,无毒、无害、无污染、无残留,可得到纯净安全的产物9.刮板系统由PTFE材料和SS316L不锈钢材料制成,具有极高抗腐蚀的功效;10.进料罐可选实现预加热功能,温度可达300度,温度可调节11.各个接口采用的是硅胶垫片进行密封,气密性好,如客户需要耐腐蚀可以更换成四氟材质7.产品参数:产品型号AYAN-F80AYAN-F100AYAN-F120AYAN-F150AYAN-F250内径(mm)80100120150250蒸发面积(㎡)0.10.160.20.250.45冷凝面积(㎡)0.20.250.30.450.65进料容积(L)22222处理流量L/H0-40-50-60-80-15电机功率(W)200240240260280转速(r/min)300300300300360冷凝收集(L)2*22*22*22*22*2液膜收集(L)22222冷凝装置二级二级二级二级二级冷却装置有有有有有刮板角度(°C)4545454545真空度(pa)11111抽滤(L/S)22244冷凝温度(°C)-20-20-20-20-20二级冷凝温度 -5-5-5-5-5受热温度(°C)室温-300室温-300室温-300室温-300室温-300
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  • 高真空镀膜机 Leica EM ACE600 您选择了用于TEM和FE-SEM分析的最高分辨率。Leica EM ACE600是完美的多用途高真空薄膜沉积系统,设计来根据您的FE-SEM和TEM应用的需要生产非常薄的,细粒度的和导电的金属和碳涂层,用于最高分辨率分析。这种高真空镀膜机可以通过以下方法进行配置:溅射、碳丝蒸发、碳棒蒸发、电子束蒸发和辉光放电。适用于Leica EM ACE600高真空镀膜机的Leica EM VCT真空冷冻传输系统,是无污染的低温扫描电镜样本制备的理想解决方案。高真空镀膜仪 – 配置您的镀膜体系 – 我们铸造您真正需要的镀膜仪Leica EM ACE600 可以配置如下镀膜方式: 金属溅射镀膜 碳丝蒸发镀膜 碳棒蒸发镀膜(带有热阻蒸发镀膜选配件) 电子束蒸发镀膜 辉光放电 连接VCT样品交换仓,与徕卡EM VCT配套实现冷冻镀膜,冷冻断裂,双复型,冷冻干燥和真空冷冻传输Leica EM ACE 镀膜仪 为您开启最优越的镀膜体验 全新一代ACE系列镀膜仪是徕卡与前沿科学家合作研发的结晶,它涵盖了您在样品制备过程中所需的所有镀膜需求,从常温镀膜到冷冻断裂/冷冻镀膜。让我们开启大门来体验全新镀膜设备的先进技术。我们的理念只有一个,即“力求简约,简便,快速并可靠地实现样品表面镀膜,使您的样品在EM中获得最好的图像”。
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  • SD-650MHG是一款高真空磁控溅射镀膜仪,是我们公司一款定制化的产品。首位用户为美国某位大学一位老师提出来的需求。老师的需求为:因为手套箱里要放很多东西,实在没有多余的空间放置镀膜仪,但传统的镀膜仪多多少少都会占用手套箱内的面积。经过工程师认真思考,研制了首款镀膜仪。该镀膜仪前面的观察窗口几乎和手套箱外壁在同一个平面内,而且还保证了密封问题,。该镀膜仪问世后,深受老师们的喜爱,先后为很多科研机构所选择。
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