分析衬底晶体

YAG:Ce闪烁晶体也叫作YAG:Ce闪烁体或YAG:Ce晶体。我们提供优质欧洲进口的YAG:Ce闪烁晶体,并可以在YAG:Ce晶体基础上支撑Ce:YAG闪烁晶体和YAG:Ce晶体作为衬底，从而保证具有超薄和超高分辨率的优点（最薄可达5微米以下）。YAG:Ce闪烁晶体材料具有衰减快以及具有良好的化学、力学和温度性能。Ce:YAG闪烁体和Ce:YAG闪烁晶体发出的光非常适合光电二极管和雪崩二极管读取。这些YAG:Ce闪烁晶体成像荧光屏特意为电子成像、X射线成像和紫外成像应用而设计，并可以提供Al、ITO或C(铝、氧化铟锡、炭）等传导性和反射或者增透镀膜。光学衬底上的YAG:Ce晶体高分辨率的成像屏实际上是高铝成像系统的主要元件.我们提供基于YAG：Ce晶体或YAG:Ce闪烁晶体的超薄显示屏.超薄YAG:Ce浸提屏(左图) 和超薄LuAG:Ce超薄屏(右图)使用这种镀在光学衬底上的超薄成像屏,结合光学系统和CCD相机,可以获得优于1微米(X射线应用)和2纳米(电镜)的分辨率.光纤光学上的成像屏 我们可以提供耦合到FOP上的YAG:Ce和LuAG:Ce成像屏，也可与CCD耦合一起。

YAP:Ce晶体也叫作YAP:Ce闪烁晶体。我们提供优质进口的YAP:Ce闪烁晶体。并可以在YAP:Ce晶体基础上支撑YAP:Ce闪烁晶体和YAP:Ce作为衬底，从而保证具有超薄和超高分辨率的优点（最薄可达5微米以下）。这两种材料具有衰减快以及具有良好的化学、力学和温度性能。YAP:Ce晶体YAP:Ce闪烁发出的光非常适合光电二极管和雪崩二极管读取。这些成像荧光屏特意为电子成像、X射线成像和紫外成像应用而设计，并可以提供Al、ITO或C(铝、氧化铟锡、炭）等传导性和反射或者增透镀膜。光学衬底上的成像屏高分辨率的成像屏实际上是高光谱铝成像系统的主要元件.我们提供基于Ce:YAP闪烁晶体或Ce:YAP晶体的超薄显示屏.超薄Ce:YAP闪烁晶体屏(左图) 和超薄Ce:YAP晶体超薄屏(右图)使用这种镀在光学衬底上的超薄成像屏,结合光学系统和CCD相机,可以获得优于1微米(X射线应用)和2纳米(电镜)的分辨率.光纤光学上的成像屏 我们可以提供耦合到FOP上的YAP:Ce闪烁晶体和YAP:Ce晶体，也可与CCD耦合一起。

优质进口CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Cesium iodide activated by thallium is a scintillation material with high absorption power. It can be used as an efficient gamma ray absorber. CsI:Tl is soluble in water, but is not hygroscopic in laboratory conditions. It has high resistance to mechanical and thermal shocks. CsI:Tl can be easily fabricated into wide a variety of shapes and geometries. It can also be fabricated into detection matrices.CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择：*标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm CsI:Tl晶体或掺铊碘化铯晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

参数：厚度= 1毫米石英衬底上“单层石墨烯”的石英基片表面上没有化学气相沉积石墨烯Parameter:Thickness = 1 mmThe same quartz substrate used for "Single Layer Graphene on Quartz Substrate".No CVD Graphene on the surface.

优质进口Ce:YAP晶体或YAP:Ce晶体作为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Ce:YAP晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄YAG:Ce屏厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： YAG:Ce成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm YAP:Ce晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口BGO晶体或锗酸铋晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Bismuth germanate is an intrinsic scintillation material with high absorption power. Due to its high effective atomic number and high density, BGO is a very efficient gamma ray absorber with high photo-fraction, which results in a very good photo-peak to Compton ratio. BGO detectors are preferred for medium and high-energy gamma counting and high-energy physics experiments.BGO晶体或锗酸铋晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由BGO晶体或锗酸铋晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄BGO晶体或锗酸铋晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口Ce:YAG晶体或YAG:Ce晶体作为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Ce:YAG晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄YAG:Ce屏厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： YAG:Ce成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm YAP:Ce成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Calcium fluoride activated by europium is a light scintillator used in detection of charged particles and soft gamma rays up to several hundreds keV. CaF:Eu is typically used for the detection of beta rays due to its relatively small back scattering. It is not suitable for detection of high-energy gamma rays because it has a small photofraction. The material is not hygroscopic and is relatively chemically inert.Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm Caf:Eu晶体或CaF2:Eu晶体,掺铕氟化钙晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用： 荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石为闪烁体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。LuAG:Ce, Lutetium Aluminum Garnet activated by cerium (chemical formula Lu3Al5O12), is a relatively dense and fast scintillation material. Its density of 6.73 g/cm3 is about 94% of the density of BGO (7.13 g/cm3). Its decay time is much faster (70 ns) than that of BGO (300 ns). This is of advantage in time dependent and coincidence measurements. The wavelength of scintillation emission is about 535 nm, which is ideal for photodiode and avalanche diode readout. The material can also be used for imaging screens, similarly to YAG:Ce. A particular advantage of LuAG:Ce is its higher density resulting in thinner screens with higher spatial resolution. The material is mechanically and chemically stable, and can be machined into a variety of shapes and sizes including prisms, spheres and very thin plates.LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用： 荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由YAG:Ce, LuAG:Ce和YAP:Ce晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体成像屏是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm LuAG:Ce晶体或Ce:LuAG晶体或铝酸镥石榴石成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

优质进口BGO晶体或锗酸铋晶体作为闪烁晶体，可根据用户要求做成薄片的荧光屏，典型的直径范围为2mm到50mm,厚度范围为0.1mm到5mm.当然我们也可以提供其他各种形状和大小的探测器，包括：棱镜型/球形或薄片型，并提供当面抛光，双面抛光和多面抛光。并提供铝、鋯或氧化铟锡的窗口等多种选择。Bismuth germanate is an intrinsic scintillation material with high absorption power. Due to its high effective atomic number and high density, BGO is a very efficient gamma ray absorber with high photo-fraction, which results in a very good photo-peak to Compton ratio. BGO detectors are preferred for medium and high-energy gamma counting and high-energy physics experiments.BGO晶体或锗酸铋晶体可用于电子、X射线、伽玛射线、UV和EUV的探测，具有如下典型应用：荧光屏或成像屏 我们提供的闪烁屏或成像屏是由BGO晶体或锗酸铋晶体晶体材料构成。目前提供如下三种选择： *标准的成像屏：直径可达50mm,厚度0.5-0.1mm.用于：X射线、电子、UV和EUV的成像。 *带衬底超薄屏：超薄BGO晶体或锗酸铋晶体厚度可小到为0.005mm，耦合到光纤光学、玻璃、石英等衬底上使用。可用的规格是：厚度为0.010mm直径最大为40mm, 厚度为0.005mm直径最大为25mm. *独立薄成像屏: 这种超薄BGO晶体或锗酸铋晶体是独立使用的闪烁屏，不需要耦合到衬底上。目前可用的规格如下： BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.050mm的屏直径最大是50mm,厚度为0.025mm的闪烁屏的最大资金是10mm BGO晶体或锗酸铋晶体成像屏：厚度0.1mm的屏直径最大是50mm, 厚度为0.050mm的屏的最大直径是10mm. 这种独立使用的闪烁屏非常脆，极易损坏，为此，我们为您提供了一种刚玉外壳用于保护成像屏，或者可提供陶瓷或钢铁外壳保护。 导光元件 我们为各种探测器提供不同的导光元件，根据不同的闪烁材料和应用，我们提供如下多种材料的导光元件： 有机玻璃（PMMA),近紫外的特殊有机玻璃，光学玻璃BK7, 石英玻璃，有机玻璃或石英玻璃光纤，蓝宝石，YAG 电镜探测器 我们提供独具特色的电镜探测器采用YAG:Ce,YAP:Ce,CRY18材料制成，特别适合电子探测和成像，并配备多样的导光元件，非常方便测量。 闪烁探测器：提供多种类型的探测器用于电镜，这些探测器具有工作寿命长，荧光效率好等特点，提供的标准产品有： 标准探测器：SE, BSE,TEM,Dark Field (ADF) 特殊探测器：带镜头的探测器，阵列探测器，阴极荧光探测器（CL)

我们提供的优质进口LiNbO3 晶体,铌酸锂晶体,铌酸锂是声光级和光学级的高质量LiNbO3晶体。 采用Czochralsky 方法生长，沿着Z轴极化的晶体棒长度可达100mm，我们也可提供其他方向的铌酸锂晶体,铌酸锂晶体棒，用于SAW衬底和 压电传感器/piezotransducers。透光范围：350-5500nm长度公差：+0/-0,1mm孔径公差：+0/-0,1mm切割角定位精度：30arcmin表面质量：S/D10-5平整度：L/8@633nm平行度：20arcsec垂直度：5arcmin激光损伤阈值：250MW/cm2 for 10ns pulses @ 1064 nmLiNbO3晶体,铌酸锂晶体广泛地用作1微米以上激光倍频器和OPO光学参量振荡器，以及准相位匹配器件。LiNbO3晶体和铌酸锂晶体也是光电子器件的最为优秀材料之一。人们利用铌酸锂独特的电光，光弹，压电和非线性特性，以及良好的机械和光学稳定性，宽广的透光范围，制造了许多光电子器件。 领先的进口精密激光光学器件旗舰型服务商--孚光精仪！LiNbO3晶体,铌酸锂晶体由孚光精仪进口，孚光精仪是中国最大的进口精密光学材料器件和仪器供应商！所销售的LiNbO3晶体,铌酸锂晶体,铌酸锂系高质量进口晶体, 经过在国外生长, 严格切割抛光加工和国外高质量的镀膜，并进行严格的质量控制后进口到国内，质量非常可靠。我们已经为上海光机所, 中科院物理所,南开大学,中国工程物理研究院等诸多单位提供大量的激光晶体和非线性光学晶体。

参数：表面电阻：小于600Ω/sq定做：＜300Ω/sq透明度： 95%制备方法：1）采用化学气相沉积方法制备铜基石墨烯2）石墨烯从铜转移到硅衬底Parameter:Sheet Resistance: 600Ω/sqCustom Order: 300Ω/sqTransparency: 95%Preparation Method:1) Copper based graphene is prepared by CVD method.2) Graphene is transferred from copper to silicon substrate.

ZnSe硒化锌晶体 通常硒化锌材料是一种黄色透明的多晶材料, 结晶颗粒大小约为70μm, 透光范围0.5-15μm。由化学气相沉积(CVD)方法合成的基本不存在杂质吸收, 散射损失极低。由于对10.6μm波长光的吸收很小, 因此成为制作高功率CO2激光器系统中光学器件的优秀材料选择。 此外在其整个透光波段内, 也是在不同光学系统中所普遍使用的材料。 硒化锌材料对热冲击具有很高的承受能力, 使它成为高功率CO2激光器系统中的优秀光学材料。硬度只是多光谱级ZnS的2/3, 材质较软易产生划痕, 而且材料折射率较大, 所以需要在其表面镀制高硬度减反射膜来加以保护并获得较高的透过率。在其常用光谱范围内, 散射很低。在用做高功率激光器件时, 需要严格控制材料的体吸收和内部结构缺陷, 并采用最小破坏程度的抛光技术和最高光学质量的镀膜工艺。广泛应用于激光,医学，天文学和红外夜视等领域中。 ZnSe硒化锌也可生成单晶材料，可应用于IR电光调制器等。 ZnSe硒化锌是红外光学、衬底、闪烁体和电光调制器等的材料优秀选择。 基本参数：结构：立方（锌矿）密度5.264 g/ cm3硬度105 kg/ mm2弯曲强度（4pt弯曲）7500 psi杨氏模数10.2 Mpsi泊松比0.28热膨胀系数7.1×10-6 / K比热0.339 J / gK导热系数0.16 W / cmKEg，295 K.2.67 eV介电常数8.976最大透射率（λ=2.5-15μm）≥70.5％吸收系数（λ=10.6μm）（1-2）×10-3 cm-1（包括2个表面）损伤阈值（λ=10.6μm）≥100kWt/ cm2热光系数（dn / dT）6.1（λ=10.6μm）折射率（λ=10.6μm）2.4电光系数r41（λ=10.6μm）2.2×10-12 m / V.γ-辐射耐受剂量 106 J / kgZnSe透射率产品类型ZnSe晶体棒、晶圆、窗片和镜片等直径/宽度1-50 mm厚度/长度0.1-150 mm径向(110), (111),(100)表面质量As-grown, as-cut, 80/50, 60/40, 40/20 per MIL-0-13830用于气相沉积的ZnSe镜片：CVD - ZnSe硒化锌窗片硒化锌透镜纯度99.99%, 99.999%粒度0.01- 10 mm更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

无锡吉致电子25年研发生产——碳化硅晶圆抛光液/硅衬底SIC抛光液/半导体抛光液/CMP化学机械抛光液/硅衬底抛光液/slurry抛光液产品简介：为电力电子器件及LED用碳化硅晶片的CMP化学机械平坦化配制的抛光液。CMP抛光液大大提高了碳化硅晶圆表面去除率和平坦化性能，提供了非常好的表面光洁度吉致电子碳化硅晶圆Slurry抛光液使用方法：1.可根据抛光操作条件用去离子水进行5-20倍稀释。2.稀释后，粗抛时调节PH11左右，精抛时调节PH9.5左右。pH调节可以用10%的盐酸、醋酸、柠檬酸、KOH或氨水在充分搅拌下慢慢加入。3.循环抛光可以用原液。吉致电子碳化硅晶圆Slurry抛光液储存方法：1.贮存时应避免曝晒，贮存温度为5-35℃2.低于0℃以上储存，防止结冰，在无度以下因产生不可再分散结块而失效。 3.避免敞口长期与空气接触。吉致电子碳化硅晶圆Slurry抛光液价格：吉致电子的碳化硅晶圆抛光液生产技术是引进国外生产技术和设备，特殊化学配方制备而成。吉致电子抛光液品质可以媲美进口同类产品。本土化生产使得吉致电子CMP抛光液产品交货周期快，品质好，抛光液价格亲民。

产品分类：吉致碳化硅研磨抛光半导体晶圆抛光产品名称：碳化硅研磨液/碳化硅抛光液/碳化硅sic研磨垫/sic精抛垫产品特点：吉致针对碳化硅sic抛光的4道工艺制程搭配不同型号研磨液、抛光液和抛光垫（粗磨垫/精磨垫/粗抛垫/精抛垫）。在研磨和抛光应用中提高碳化硅衬底表面质量，同时大大提高材料去除率。产品工艺及用途：适用于sic碳化硅衬底DMP和CMP工艺制程，有效提升效率以及良率，碳化硅抛光液/抛光垫实现国产化替代。吉致sic碳化硅抛光液储存方法：通风，阴凉，干燥的库房，本品需在5-35℃储存，防止阳光直射，零度以下因产生不可再分散结块而失效。吉致cmp抛光液/slurry抛光液价格：吉致的cmp金属抛光液生产技术是引进国外生产技术和设备，特殊化学配方制备而成。吉致抛光液品质可以替代进口同类产品。本土化生产的优势使吉致cmp抛光液产品交货周期快，抛光液价格实惠亲民。吉致cmp抛光耗材适用范围 吉致拥有成熟的加工工艺和生产设备，为不锈钢、铜、铝、陶瓷、导光板、五金产品、蓝宝石、光学玻璃等各类抛光加工服务。为您提供可靠有效的抛光解决方案！

产品简介 GaSe硒化镓晶体是一种暗棕色闪光的片状晶体。相对密度5.03，熔点(960±10)℃。GaSe和GaS一样是层状结构半导体，随着温度的降低，GaSe光电效应最大值向短波方向移动。硒化镓作为一种非线性晶体和光电导体，通常被应用于这些方面：于CO2激光器的二次谐波的产生，CO2激光器频率上转换至近红外或可见光，中红外波段的光学混频，以及5.5um-18.0um中红外波段的的不同频率的产生。同时GaSe晶体也可以被用来产生太赫兹辐射。 GaSe（硒化镓晶体）的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe硒化钾晶体是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe硒化钾晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe硒化钾晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe硒化钾晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe 硒化钾晶体参数Structure62m a = 3.74 c = 15.89Density5.03 g/cm3Mohs hardness2Eg, eV2.02Refractive indices at 5.3 μmno = 2.8340 ne = 2.4599Refractive indices at 10.6 μmno = 2.8136 ne = 2.4389Refractive index at 0.633 μmno= 2.9365 GaSe 硒化钾晶体透射谱GaSe硒化钾晶体产品Diameter/Width5-30 mm (can be elliptical)Thickness/Length0.1-40 mmOrientationX, Y, ZSurface qualityCleaved更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH屹持光电提供各种纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒，为工业和科研提供低成本的纳米光子学研究。基板可用于光学、生物学、化学、物理学（例如中子散射）、聚合物研究、纳米压印、微流体等各种应用。如果需要，可以用金属或介电涂层涂覆基底。大多数表面特征具有略微梯形的横截面轮廓，具有直平行台面和沟槽。也可以使用格状结构。提供多种特征尺寸和沟槽深度。可以在发货之前拍摄基板的SEM图像以验证确切的轮廓。表中显示的尺寸代表目标值。周期的精度优于0.5％，而沟槽深度和线和空间的宽度可能与目标值相差15％。SEM用于说明目的。可定制更精确尺寸信息。 纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH规格描述值 基材宽度和高度公差标准公差±0.2 mm通光孔径（CA）距基板边缘0.5 mm（图案可延伸至基板边缘）基材厚度0.675±0.050mmCA表面质量P / N “-P”：60/40，最高20/10CA表面质量P / N “-S” ：80/100CA外表面质量无要求材料单晶硅，反应离子蚀刻 1、线性纳米棒（线+间隔）P/N周期（nm）凹槽深度（nm）工作周期1线宽度2（nm尺寸3（mm）SNS-C72-1212-50-P1395050％69.512.5×12.5×0.7SNS-C72-2525-50-P13950 50％69.525×25×0.7 5SNS-C36-1212-110-P27811050％13912.5×12.5×0.7SNS-C24-1212-110-P416.611050％20812.5×12.5×0.7SNS-C20-0808-150-D45-P50015044％2208×8.3×0.7SNS-C20-0808-350-D45-P50035044％2208×8.3×0.7SNS-C20-0808-150-D60-P50015060％3008×8.3×0.7 SNS-C20-0808-350-D60-P50035060％3008×8.3×0.7SNS-C18-2009-110-D50-P555.511050％27820×9×0.7SNS-C18-2009-140-D50-P555.514050％27820×9×0.7SNS-C18-2009-110-D29-P555.511029％15820×9×0.7SNS-C18-2009-140-D29-P555.514029％15820×9×0.7SNS-C16.7-0808-150-D45-P60015043％2608×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-350-D45-P60035043％2608×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-150-D55-P60015055％3308×8.3×0.7SNS-C16.7-0808-350-D55-P60035055％3308×8.3×0.7SNS-C16.5-2912-190-P60619050％30329×12×0.7SNS-C16.5-2912-190-S 460619050％30329×12×0.7SNS-C16.5-2924-190-P60619050％30329×24.2×0.7 5SNS-C14.8-2410-170-P67517032％21824×10×0.7SNS-C14.8-2430-170-P67517032％21824×30.4×0.7 5SNS-C14.3-0808-150-D45-P70015047％3308×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-350-D45-P70035047％3308×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-150-D55-P70015055％3758×8.3×0.7SNS-C14.3-0808-150-D55-P70015055％3758×8.3×0.7SNS-C12-1212-200-P833.320050％41612.5×12.5×0.7SNS-C12-2525-200-P833.320050％41625×25×0.7 5SNS-C11.7-1212-200-P85520050％42812.5×12.5×0.7SNS-C11.7-2525-200-P85520050％42825×25×0.7 5纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒LIGHTSMYTH1 占空比表示线（台面）宽度与周期的比率。2 表示台面的宽度值。3 第二维对应于凹槽长度。4 以“-S”结尾的是“科研”等级。它至少有80％的可用面积。可能存在高达80/100表面质量值。5 可提供更大的自定义尺寸 2、2D纳米图案（矩形和六边形网格）P/N周期（nm）格子类型凹槽深度特征宽度（nm）尺寸（mm）S2D-24B3-0808-150-P700矩形1502608×8.3×0.7S2D-24B3-0808-350-P700矩形3502608×8.3×0.7S2D-18B3-0808-150-P700矩形1503508×8.3×0.7S2D-18B3-0808-350-P700矩形3503508×8.3×0.7S2D-24C2-0808-150-P600六角1501658×8.3×0.7S2D-24C2-0808-350-P600六角3501658×8.3×0.7S2D-18C2-0808-150-P600六角1502408×8.3×0.7S2D-18C2-0808-350-P600六角3502408×8.3×0.7S2D-24C3-0808-150-P700六角1502208×8.3×0.7S2D-24C3-0808-350-P700 六角3502208×8.3×0.7S2D-18C3-0808-150-P700 六角1502908×8.3×0.7S2D-18C3-0808-350-P700六角3502908×8.3×0.7S2D-24D2-0808-150-P600六角孔1501808×8.3×0.7S2D-24D2-0808-350-P600六角孔3501808×8.3×0.7S2D-18D3-0808-150-P700六角孔1502008×8.3×0.7S2D-18D3-0808-350-P700六角孔3502008×8.3×0.7S2D-24D3-0808-150-P700六角孔1502908×8.3×0.7S2D-24D3-0808-350-P700六角孔3502908×8.3×0.7 rect post hex post hex hole 相关产品： 脉冲压缩透射光栅高功率光束组合光谱衍射光栅 光通信透射衍射光栅 纳米单晶硅衬底2D线性纳米棒

[110]晶向的ZnTe碲化锌晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应，也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲，拥有非常宽的频率分量，这些分量间的相互作用（主要是差频）将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。 太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的晶向ZnTe实现光电探测。太赫兹光脉冲会使碲化锌晶体ZnTe产生双折射，因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在（ZnTe）碲化锌晶体中直线传播时，可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片，偏振分光体，以及平衡光电二极管，我们可以完成对可见光的偏振状态的监控，从而得知太赫兹光脉冲的振幅，延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息（振幅和相位延迟）的能力，是时域太赫兹光谱仪比较具有吸引力的特性之一。产品简介碲化锌晶体(ZnTe)是一种具有立方闪锌矿结构的电光晶体，通常被应用于THz波的产生以及探测。产品特点： — 应用于THz产生、探测和光学限幅器— 晶体纯度高 99.995%-99.999%— 表面质量优不同厚度碲化锌晶体ZnTe的TDS测试数据：产生端ZnTe晶体厚度为0.5mm，探测端晶体厚度分别为0.5mm，1mm，2mm碲化锌晶体参数规格：晶格结构：立方闪锌矿密度: 5.633 g/ cm3比热:0.16 J/gK带隙 (300 K)：2.25 eV最大透过率 (λ =7-12 μm):60 % 最大电阻率：109 Ohm*cm折射率 (λ =10.6 μm):2.7电光系数 r41 (λ =10.6 μm):4.0×10-12 m/V电阻率：a). low: 103 Ohm*cm b). high: 109 Ohm*cm最大 IR-optic blank 直径/长度： 38×20 mm最大单晶尺寸 直径/长度： 38×20 mm碲化锌晶体ZnTe产品：碲化锌晶体ZnTe棒、碲化锌晶体晶圆片、碲化锌晶体窗片和基底直径/边长：1-50 mm厚度/长度：0.1-150 mm晶向：(110), (100), (111)表面质量：As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830

KTA 砷酸氧钛钾(KTiOAsO4)非线性晶体是近年来发展起来的一种用于非线性光学和电光器件应用的优良光学非线性晶体。与KTP相比，这些非线性光学和电光系数更高，并且它们还具有显著降低2.0-5.0μm区域吸收的额外好处。大的非线性系数与宽的角度和温度带宽相结合。砷酸盐的其他优点是较低的介电常数、较低的损耗角正切和比KTP小几个数量级的离子电导率。这些砷酸盐的单晶具有化学和热稳定性，不吸湿，并且对高强度激光辐射具有高度抗性。KTA晶体在二次谐波产生（SHG）、和差频率产生（SFG）/（DFG）、光学参量振荡（OPO）、电光调Q和调制以及作为光波导的衬底方面具有重要作用。基于这些晶体的OPO器件是可靠的固态可调谐激光辐射源，其能量转换效率超过50%。KTA有很高的伤害阈值。皮秒染料激光在10-20 GW/cm2的水平下未观察到光学损伤。这种晶体是用高温熔剂技术生长的。 技术参数主要特性复合物KTiOAsO4透光率, μm 0.35 – 5.5非线性系数, pm/Vd31= 2.76 d32= 4.74 d33= 18.5对称度斜方晶系, mm2 point group晶胞参数, ?a=13.103, b=6.558, c=10.746典型反射系数1064 nm532 nmnx=1.7826, ny=1.7890, nz=1.8677nx=1.8293, ny=1.8356, nz=1.9309光学损坏阈值, GW/cm21064 nm(t=10 ns)1.5电光系数, pm/Vr13=15, r23=21, r33=40莫氏（Mohs）硬度5光学元件参数定向精度, arc min 30平行度, arc sec 30平面度546 nmλ/6表面质量, scratch/dig20/10应用中间红外区域1 - 5.5μm的光学参量振荡器(OPO) 在1 - 5.5μm的红外中间区域产生不同的频率（DFG） 对于所有晶体，我们能够为特定应用提供合适的防反射/保护涂层，以及反射率曲线。

产品介绍： CdSe晶体非常适用于制作红外光学元件，偏振片，1/4、1/2波片，分束镜，基底，真空沉积靶材，DFM频率转换器。产品参数：结构 Wurtzite (Hexagonal)密度: 5.81 g/ cm3杨氏模量:5×1011 dyne/cm2热膨胀系数 (500 K):α 1=6.26×10-6/K α 3=4.28×10-6/K比热:0.49 J/gK 热导率 (at 25 °C):0.04 W/cmK最大透过率 (λ =2.5-15 μm):≥ 71 %吸收系数. (λ =10.6 μm):≤ 0.0015 cm-1 (including 2 surfaces)折射率 (λ =10.6 μm):2.4258 (no), 2.4437 (ne)电阻率a). low: 1 Ohm*cm b). high: about 10^11 Ohm*cm最大单晶尺寸:?40mm X L: 80 mm最大红外光学元件尺寸:?50mm X L:10 mm OR plate 50 mm X 15 mm X 12 mm硒化镉产品透过率曲线：直径/宽度1-50 mm厚度/长度0.1-150 mm晶向(0001), (10-10), (11-20)表面质量As-cut, 80/50, 60/40 per MIL-0-13830CdSe 棒, 晶圆 和基片CdSe 晶体尺寸纯度99.995%, 99.999%颗粒尺寸0.01- 10 mm应用举例CdSe晶体应用于12.3um波片时，单片晶体的厚度：λ/2波片@12.3um：Order: 1 Half-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 2 Half-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 3 Half-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 4 Half-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 5 Half-wave plate thickness: 1.7877 [mm]Order: 6 Half-wave plate thickness: 2.1453 [mm]Order: 7 Half-wave plate thickness: 2.5029 [mm] Order: 8 Half-wave plate thickness: 2.8604 [mm]Order: 9 Half-wave plate thickness: 3.2180 [mm]Order: 10 Half-wave plate thickness: 3.5755 [mm]λ/2波片波片@12.3um：Order: 1 Quarter-wave plate thickness: 0.1787 [mm]Order: 2 Quarter-wave plate thickness: 0.3575 [mm]Order: 3 Quarter-wave plate thickness: 0.5363 [mm]Order: 4 Quarter-wave plate thickness: 0.7151 [mm]Order: 5 Quarter-wave plate thickness: 0.8938 [mm]Order: 6 Quarter-wave plate thickness: 1.0726 [mm]Order: 7 Quarter-wave plate thickness: 1.2514 [mm]Order: 8 Quarter-wave plate thickness: 1.4302 [mm]Order: 9 Quarter-wave plate thickness: 1.6090 [mm]Order: 10 Quarter-wave plate thickness: 1.7877 [mm] 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

青石棉晶体标样可很好的校正分辨率和放大倍率，晶面间距为0.9nm（020）和0.45nm（021）。其中石棉纤维轴向晶面间距为0.9nm，0.45nm的晶面间距出现在合适的晶体方向上约60°的角度上。为防止电镜被石棉纤维污染，采用一种三明治式的技术，将石棉置于碳层和方华膜之间。

这款闪烁体转换屏是欧洲进口的优质荧光转换屏,X射线转换屏,X射线荧光屏,具有全球最高的转换效率和最薄的厚度，非常适合X射线探测,电子成像、X射线成像和紫外成像应用.我们可根据用户要求提供全球领先的Al、ITO或C(铝、氧化铟锡、炭）等传导性和反射或者增透镀膜。这种闪烁体转换屏使用YAG:Ce晶体和LuAG:Ce晶体作为衬底，具有超薄和超高分辨率的优点（最薄可达5微米以下）。这两种闪烁体材料（YAG:Ce晶体 LuAG:Ce晶体）具有具有良好的化学、力学和温度性能，非常适合光电二极管和雪崩二极管读取。中国领先的进口X射线成像系统旗舰型服务商--孚光精仪！闪烁体转换屏特意为电子成像、X射线成像和紫外成像应用而设计，并可以提供Al、ITO或C(铝、氧化铟锡、炭）等传导性和反射或者增透镀膜。 确定成像显示屏的厚度需要考虑到合适的探测效率和高分辨率两种因素。根据多年的经验可以确定的是对于耦合在精密光学衬底上的超薄山活体荧光屏荧光屏而言，如果使用高灵敏度的CCD探测器照相，就X射线应用而言可以给出大约1微米的分辨率。光学衬底上的荧光转换屏,X射线转换屏,X射线荧光屏,闪烁体转换屏高分辨率的闪烁体转换屏实际上是高效率成像系统的主要元件.我们提供基于YAG：Ce或LuAG:Ce 单晶闪烁探测器的超薄显示屏. 超薄YAG:Ce闪烁屏(左图) 和 超薄LuAG:Ce超薄闪烁屏(右图) 使用这种镀在光学衬底上的闪烁体转换屏,结合光学系统和CCD相机,可以获得优于1微米(X射线应用)和2纳米(电镜)的分辨率.光纤光学上的成像屏 （荧光转换屏,X射线转换屏,X射线荧光屏,闪烁体转换屏）我们可以提供耦合到FOP上的YAG:Ce和LuAG:Ce成像屏，也可与CCD耦合一起。 FOP上的薄YAG:Ce闪烁屏(左图）和锥形FO上的YAG:Ce闪烁屏(右图） 我们提供的这种用成像系统获取的X射线图像的分辨率大约是20微米。我们也可以根据用户需求把成像屏耦合到光纤元件和CCD上。超薄独立成像屏： 这种超薄闪烁体转换屏不需要与衬底耦合或其他支持物，不需要胶合在玻璃或FOP上。直径为10mm厚度为0.030mm。也可以提供更大直径的荧光转换屏,X射线转换屏,X射线荧光屏,闪烁体转换屏，但是厚度需要增加到0.050mm左右。

二硒化钨晶体 WSe2(Tungsten Diselenide)-P型晶体尺寸：~10毫米电学性能：半导体，P型晶体结构：六边形晶胞参数：a = b = 0.328 nm, c = 1.298 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a WSe2 single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal WSe2. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Stoichiometric analysis of a single crystal WSe2 by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal WSe2. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

硫硒化钼晶体 MoSSe(Molybdenum Sulfide Diselenide) 晶体尺寸：~6毫米电学性能：半导体晶体结构：六边形晶胞参数：取决于合金成分：a = b = 0.31 -0.33 nm and c = 1.21 -1.29 nm, α = β = 90°, γ = 120°晶体类型：合成晶体纯度：＞99.995%X-ray diffraction on a MoSSe single crystal aligned along the (001) plane. XRD was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker. The 5 XRD peaks correspond, from left to right, to (00l) with l = 2, 4, 6, 8, 10Powder X-ray diffraction (XRD) of a single crystal MoSSe. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.Stoichiometric analysis of a single crystal MoSSe by Energy-dispersive X-ray spectroscopy (EDX).Raman spectrum of a single crystal MoSSe. Measurement was performed with a 785 nm Raman system at room temperature.

青石棉晶体标样可很好的校正分辨率和放大倍率，晶面间距为0.9nm（020）和0.45nm（021）。其中石棉纤维轴向晶面间距为0.9nm，0.45nm的晶面间距出现在合适的晶体方向上约60°的角度上。为防止电镜被石棉纤维污染，采用一种三明治式的技术，将石棉置于碳层和方华膜之间。

THz晶体The application fields of zinc telluride are THz detectors THz emitters IR optics substrates crystal pieces for vapour deposition optical limiters.Basic propertiesZnTe TransmissionProductsZnTe rods, wafers, windows and substratesZnTe crystal pieces for vapour depositionZnTe/ZnS/ZnSe/CdxZn1-xTe/CdS/CdSe/CdTe/CdSSe/ZnCdS第二和第六周期元素形成的化合物ZnSe, ZnS, ZnTe, CdSe, CdS, CdTe, CdZnTe , CdSSe等均为宽带半导体。其中ZnTe,ZnS可利用全固态可调谐双波长光源在非线性晶体中二阶光学混频方法产生太赫兹光。CdxZn1-xTe(CZT/碲锌镉)半导体单晶是发展远红外,可见光,X-射线探测器,γ射线探测器的重要材料。CZT射线探测器具有吸收系数大，结构紧凑，室温操作等优点。而现在工业和医疗方面产用的高纯Ge和Si的探测器，只能工作在液氮温度下。CZT已经成为硬X射线和γ射线的一种关键技术。天文学方面用CZT阵列去研究宇宙中的高能γ射线源

铌酸钾晶体 光折变晶体KNbO3晶体 光折变晶体铌酸钾 铌酸钾KNbO3为优异的非线性光学晶体，属钙钛矿结构，其晶胞这样构成：K+离子占据立方体角顶位置，Nb5+占据体心位置，O2-占据面心位置。铌酸钾(KNbO3，简称KN)晶体除有优异的激光倍频性能外，还具有优异的电光、光折变、压电等性能。它的非线性光学品质因数、电光品质因数、光折变品质因数以及压电性能在非线性晶体及压电晶体中都名列前茅，KN不潮解，耐一般酸碱，化学性质十分稳定。 铌酸钾晶体标准特性? - 可用于电光和非线性光学的高质量非掺杂铌酸钾晶体- 可用于可见红外波段光折变高质量掺杂Rh（铑）, Fe（铁）, Mn（锰）, 和 Ni（镍）的铌酸钾晶体- 非常低的散射损耗 可选特性- 高光敏性铌酸钾晶体，长波可至1000nm - 毫秒级的响应时间 应用- 电光晶体和非线性光学- 光折变应用 （和激光二极管）- 可见红外波段的动态全息和光学相位结合 光折变光栅记录时间（photorefractive grating recording times）Selected KNbO3 crystal at different wavelengths for I=1W/cm2 铌酸钾晶体波长记录时间KNbO3: Fe488nm1sKNbO3: Mn515nm860nm1s3sKNbO3: Fe reduced488nm515nm0.01s0.01sKNbO3: Rh reduced860nm1064nm0.5s50s 铌酸钾晶体吸收光谱 更多晶体相关产品 碲化锌晶体 ZnTe晶体 铌酸锂晶体 LiNbO3晶体 硒化锌晶体 ZnSe晶体 硒化镓晶体 GaSe晶体 硫化锌晶体 ZnS晶体 磷化镓晶体 GaP晶体 有机晶体 DAST晶体 有机晶体 DSTMS晶体 有机晶体 OH1晶体

二硫化铅锡晶体 PbSnS2(Lead Tin Disulfide)晶体结构：六边形类型：天然晶体尺寸：~8mm纯度：99.995%属性：半导体