分析衬底晶体

锗片、锗衬底 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径锗片、锗衬底 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 电阻率 0.02-0.04 ohm.cm 4、高纯度高纯锗HPGe晶体 说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。提供各种规格锗单晶、锗片（锗衬底），包含8英寸及以上的规格锗片

碳化硅衬底晶片生产商 4H-N碳化硅衬底片厂家苏州恒迈瑞材料科技有限公司生产供应碳化硅衬底晶片，产品主要有2英寸到6英寸，类型分为导电型4H-N 掺杂氮和半绝缘型4H-SI型掺杂钒以及非掺杂4H-SI型。产品等级分为超低微管密度级碳化硅衬底晶片，产品级碳化硅衬底片，研究级碳化硅衬底晶片，测试级碳化硅晶片，欢迎有需求的客户咨询。碳化硅（Silicon Carbide）是C元素和Si元素形成的化合物，目前已发现的碳化硅同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC（4H-SiC）具有高临界击穿电场、高电子迁移率的优势，是制造高压、高温、抗辐照功率半导体器件的优良半导体材料，也是目前综合性能好、商品化程度高、技术成熟的第三代半导体材料，与硅材料的物理性能对比，主要特性包括：（1）临界击穿电场强度是硅材料近10倍；（2）热导率高，超过硅材料的3倍；（3）饱和电子漂移速度高，是硅材料的2倍；（4）抗辐照和化学稳定性好；（5）与硅材料一样，可以直接采用热氧化工艺在表面生长二氧化硅绝缘层。

锗片、锗衬底 1、晶体习性与几何描述： 该晶体使用直拉法在晶体（100）方向延伸。圆柱形表面（表面光洁度小于2.5 μm RMS）。经红外成像法检测晶体结构稳定可靠。晶体几个结构由直径和长度决定。当一个晶体属于原生态晶体时，其当量直径为： D ----外形尺寸当量直径 W----锗晶体重量 L-----晶体长度 测量值是四舍五入最小可达到毫米级别。为了便于订单出货，我们会依据晶体的体积、直径和长度进行分类。同时我们可以满足客户的特殊需求，提供定制服务。 2、纯度：残留载荷 最大允许净载流子杂质浓度与探头二极管的几个构造有关，请参照如列公式。其纯度依据据霍尔效应测量和计算。 同轴探测器：同轴探测器适用于下列公式： Nmax = 每立方厘米最大杂质含量 VD = 耗尽层电压 = 5000 V εo = 介电常数 = 8,85 10-14 F/cm εr = 相对介电常数(Ge) = 16 q = 电子电荷1,6 10-19C (elementary charge) r1 = 探测器内孔半径 r2 = 探测器外孔半径锗片、锗衬底 3、纯度 ： 假如晶体表面半径减少2mm,由于锂的漫射和刻蚀，内径8毫米的内孔半径， 适用公式变为： D = 晶体外表面 平面探测器：平面探测器（厚度小于2厘米）适用于以下公式： d=探测器外观尺寸厚度 径向分散载荷子（绝对值） 迁移：霍尔迁移 性能： P 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s N 型晶体 μH ≥ 10000 cm2/V.s 能级： P 型晶体 通过深能瞬态测量，Cutot ≤ 4.5*109 cm-3 N 型晶体 通过深能瞬态测量点缺陷 5*108 cm-3 晶体主要指标： P 型晶体 N 型晶体 错位密度 ≤ 10000 ≤ 5000 星型结构 ≤ 3 ≤ 3 镶嵌结构 ≤ 5 ≤ 5 电阻率 0.02-0.04 ohm.cm 4、高纯度高纯锗HPGe晶体 说明： 高纯锗晶体产地法国物理性质颜色银灰色属性半导体材料密度5.32g/cm3熔点937.2℃沸点2830℃ 技术指标材料均匀度特级光洁度特优纯度99.999 999 99%-99.999 999 999 99%（10 N-13N)制备方式锗单晶是以区熔锗锭为原料，用直拉法（CZ）法或者垂直梯度法（VGF法）等方法制备的锗单晶体。产品规格P、N型按客户要求定制产品用途超高纯度，红外器件、γ辐射探测器P型N型高纯锗在高纯金属锗中掺入三价元素如铟、镓、硼等，得到p型锗；在高纯金属锗中掺入五价元素如锑、砷、磷等，得到n型锗。提供各种规格锗单晶、锗片（锗衬底），包含8英寸及以上的规格锗片

碳化硅衬底片工厂 6英寸SiC碳化硅衬底晶片厂商价格苏州恒迈瑞材料科技主要生产供应4英寸、6英寸4H N型导电碳化硅衬底片和4H半绝缘碳化硅衬底片，所生产的碳化硅衬底片产品可广泛应用于以新能源汽车、高速轨道交通、超高压智能电网为代表的功率电子应用领域和以5G通信、航空航天通信、军工相控阵雷达等为代表的高频射频应用领域。碳化硅功率二极管有3种类型：肖特基二极管（SBD），PIN二极管和结势垒控制肖特基二极管（JBS）。由于存在肖特基势垒，SBD具有较低的结势垒高度，因此SBD具有低正向电压的优势。碳化硅SBD的出现将SBD的应用范围从250V提高到1200V。同时，其高温特性好，从室温到由管壳限定的175℃，反向漏电流几乎没有增加。在3kV以上的整流器应用领域，碳化硅PiN和碳化硅JBS二极管由于比硅整流器具有更高的击穿电压、更快的开关速度以及更小的体积和更轻的重量而备受关注。 碳化硅功率MOSFET器件具有理想的栅极电阻、高速的开关性能、低导通电阻和高稳定性。在300V以下的功率器件领域是首选的器件。有报道称已成功研制出阻断电压10kV的碳化硅MOSFET。研究人员认为，碳化硅MOSFET在3kV～5kV领域将占据优势地位。

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底。技术参数：晶体结构：立方：a = 5.6754 ?；生长方法：提拉法；密度：5.765 g/cm3 熔点：937.4 ℃热传导性：640掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺Ga类型：/；N；P；电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2； 产品规格：晶体方向: 111，100and110± 0.5o 标准尺寸:dia1"x 0.50 mm；dia2"x0.5mm；dia4"x0.5mm（110 Ra5A，不化抛）注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

产品名称：Ge晶体基片产品简介：化学符号为Ge ，主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。技术参数：密度：5.765 g/cm3 ；熔点：937.4 ℃；热传导性：640；掺杂物质：不掺杂；掺Sb；掺In或Ga；类型：/；N；P； 电阻率W.cm：35；0.05；0.05-0.1；EPD： 4x103/cm2 4x103/cm2 4x103/cm2 常规尺寸：晶体方向: 111，100and110± 0.5° 或特殊的方向；标准抛光片尺寸:Ф1"x 0.3mm；Ф2"x0.5mm；（110 Ra5A，不化抛）注：也可根据客户需求提供特殊尺寸和方向的基片备注：1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装相关产品： A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

产品名称：硅(Si)晶体基片 产品简介：化学符号为Si,主要用途有：制作半导体器件、红外光学器件及太阳能电池衬底等材料。 技术参数：掺杂物质：掺B掺P类型：P N电阻率Ω.cm：10-3 ~ 4010-3 ~ 40EPD (cm-2 )：≤100≤100氧含量( /cm3 )：≤1.8 x1018≤1.8 x1018碳含量( /cm3 )：≤5x1016≤5x1016 常规规格:晶体方向：111、100、110 ± 0.5° 或 特殊的方向；常规尺寸:dia1"x 0.30 mm dia2"x0.5mm dia3"x0.5mm dia4"x0.6mm 表面粗糙度：Ra10A可提供热氧化SiO2层的Si片；Si+SiO2+Ti+Pt的基片!欢迎您的咨询！ 标准包装：1000级超净室100级超净袋单片盒或25片插盒封装 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

AccuTemp(In-Situ 4000)工艺监控仪可以闭环监控与控制多层薄膜生长。用于MBE、MOCVD以及CIGS等系统中。AccuTemp提供实时、准确的工艺信息，包括衬底温度、薄膜厚度、生长速率。该仪器放置在一个观察窗上。采用双色红外高温测量仪测量温度，该测量仪对观察窗口的附着物不敏感，还可以校准误差。另一部件辐射仪，用来补偿发射率的变化，纠正高温测量仪的温度测量值。Bandgap模块可选，它可以监控很低的衬底温度，还可以进行高温测量仪的简单校准。两个独立的光学反射信号用于分析并实时提供厚度、生长速率及折射系数。 典型应用AccuTemp典型应用于 GaN，GaAs，ZnO，CIGS，Si， ZnTe，SiC，MCT以及STO。AccuTemp 既可用于研究型设备也可用于生产型设备。Bandgap模块可以使IS4K测量低于高温计范围的材料温度，例如在生长GaAs、GaSb及Si材料时可以使用。 特点● 一个窗口就可以同时、实时测量温度和厚度● 采用双波长用于穿过窗口涂层，进行透明度补偿● 采用发射率补偿，提供真实温度● 闭环控制● Bandgap模块用于低温测量和校准高温仪温度范围 450oC - 1,300oC Bandgap模块 室温 - 700oC 衬底材料 Si, GaAs, InP, 蓝宝石，STO，Gasb，MCT等 辐射仪波长 950,850nm噪声等效温差 0.5oC 反射仪波长 950，470nm 噪音等效厚度差1nm @ film100nm靶距离范围7mmΦ 测量斑点大小 1KW-5KW观察窗2.75' ' CF(4.5' ' CF如果带边)尺寸100×140×130mm对正方法 视频监控器计算机要求Windows XP， 序列端口界面

产品名称：Cd1-xZnxTe晶体基片产品简介：CdZnTe晶体是一种闪烁矿结构的连续固溶体，改变Zn的组分，其晶格常数在0.6100 -0.6482urn之间连续可调，能与不同波段的HgCdTe晶格常数精确匹配。因此CdZnTe晶体是目前公认的最佳HgCdTe衬底。 产品特点：良好的导电性能；广发可调和直接带隙较高的吸收系数；与HgCdTe外延膜的晶格匹配性好；温和的热膨胀性； 技术参数：晶体名称Cd 1-x ZnxTe 生长方法Bridgeman结构 立方晶格常数(A)a=6.486密度 ( g/cm3)5.851熔点 (oC)1045热容 (J /g.k)0.210热膨胀系数(10-6/K)5.0类型P-型组成y=4±0.5%红外透过率60% (2um-25um)腐蚀坑密度1e5X射线摇摆曲线半峰宽30弧秒 产品规格：常规晶向：111 或者211,B面，±0.5度尺寸：15x15mm 15x20mm 20x20mm 20x25mm 25x30mm 30x30mm 厚度1mm。注：可按客户要求定制特殊的方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装

产品名称：钪酸铽(TbScO3)晶体基片产品简介：与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配，极佳的铁电薄膜衬底材料技术参数： 晶体 结构(A) 熔点oC 密度g/cm3生长方法 DyScO3 正交a=5.54 b=5.71 c=7.89 2127 6.9 提拉法 GdScO3 正交a=5.45 b=5.75 c=7.93 2127 6.6 提拉法产品规格：110, 公差：+/-0.5度10x10x0.5mm, 5x5x0.5mm单抛，Ra5A标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

Freiberg Instruments的单晶XRD定向仪 主要里程碑： ◆ 1961 - EFG GmbH公司由X-ray Ing.集团亚瑟布拉达切克和他的儿子汉斯布拉达切克创立。 ◆ 1969 - 研制了世界上首台基于集成电路的x射线检测计数装置，名为 COUNTIX 130。◆ 1989 - 开发 Omega-Scan 方法BOSCH 要求提供圆形石英毛坯的定向测量系统 - 振荡器产量从 50% 提高到 95%◆ 2005 - 将 Omega 转移到其他材料，如SiC、蓝宝石、GaN、GaAS、Si、Ni基高温合金 ◆ 2010 - 推出用于晶体取向测量的台式 X 射线衍射仪 ( DDCOM ) 全球售出 约 150台石英分选系统◆ 2015 - X 射线技术和 EFG GmbH 合并到 Freiberg Instruments GmbH 传承60年德国工匠精神-三代X射线工程师 产品优势： ◆ 采用Omega-scan扫描方法（专利技术） ◆ 测试速度快: 5s ◆ 测角精度高: 0.003 ◆ 兼具XRD定向功能以及Flat/Norch功能 ◆ 磨抛定向解决方案 ◆ 拥有晶锭粘接转移的专利技术（堆垛 stacking）专为SiC工业设计，被多家SiC衬底头部企业青睐，如：II-VI Advanced Materials, SiCrystal等，国外四分之三的碳化硅制造商依赖Freiberg Instruments公司的晶体取向测量技术，极大提高了生产效率，提升产品质量。 ◆ Mapping 面扫功能，摇摆曲线测定 ◆ 易于集成到工艺线中 ◆ MES和/或SECS/GEM接口 ◆ 倾斜的典型标准偏差（例如：Si 100）： 0.003 °，小于 0.001 ° Omega/Theta X射线衍射仪是一个全自动的垂直三轴衍射仪，用于使用Omega-Scan和Theta-Scan方法对各种晶体进行取向测定和摇摆曲线测量。大而宽敞的设计可以容纳长度达450毫米、重量达30公斤的样品和样品架。 所有的测量都是自动化的，可以从用户友好的软件界面上的访问。使用Omega扫描，可以在晶体旋转时（5秒）确定完整的晶格方向。Theta扫描更加灵活，但每次扫描只能得到一个取向成分。 倾斜角可以以非常高的精度确定；使用Theta扫描可以达到0.001°。对于所有其他晶体方向，精度取决于与表面垂直的角差。 该系统是模块化的，已经配备了许多不同的扩展，用于特殊的目的，如形状或平面的确定、绘图和不同的样品架。样品的倾斜是通过光学测量检测出来的，并可用于校正所产生的方向。 单晶衍射仪定向仪： ◆ 全自动完整的单晶体晶格取向测量 ◆ 使用欧米茄扫描法进行超快速的晶体取向测量 ◆ 自动摇动曲线测量功能 ◆ 衍射仪的角度分辨率：0.1角秒。 ◆ 样品尺寸可达450毫米 ◆ 适用于生产质量控制和研究 用户友好，成本效益高： ◆ 方便的样品处理，易于操作 ◆ 先进的、用户友好的软件 ◆ 能源消耗和运行成本低 ◆ 模块化设计，灵活性强 ◆ 各种升级选项 ◆ 根据用户的要求进行定制 选配功能： ◆ 自动Mapping面扫功能 ◆ Omega/Theta – 晶锭粘接转移的专利技术（堆垛 stacking） ◆ Omega/Theta - 摇摆曲线测量 ◆ Omega/Theta - 定制的样品台 ◆ 用于样品形状测量的激光扫描仪 ◆ 光学检测，用于平面和凹槽检测 ◆ 额外的样品旋转轴用于3D绘图 ◆ 二级通道切割准直器（分析器） ◆ 用于样品调整的设备

产品名称：钪酸钆(GdScO3)晶体基片 产品简介：与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配 ，极佳的铁电薄膜衬底材料产品规格 ：110, 公差：+/-0.5度10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛，Ra5A标准包装:1000级超净室100级超净袋真空包装

产品名称：钪酸钆(GdScO3)晶体基片产品简介：与钙钛矿结构的超导体有很好的晶格匹配 ，极佳的铁电薄膜衬底材料技术参数： 晶体 结构(A)熔点oC密度g/cm3生长方法 GdScO3 正交 a=5.45b=5.75 c=7.93 2127 6.6 提拉法产品规格：110, 公差：+/-0.5度10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm单抛，Ra5A标准包装：1000级超净室100级超净袋真空包装 相关产品：A-Z系列晶体列表清洗机 基片包装盒系列划片机旋转涂层机

产品名称：铝酸锶镧(LaSrAlO4)晶体基片产品简介：铝酸锶镧晶体从熔点温度直至低温下均无孪晶及相变，与高温超导体YBCO具有相同的结构，001面与其它衬底相比与YBCO001具有适中的晶格失配（2.5~3.5%），同时该晶体的热膨胀系数比其它钙钛矿结构的晶体低，可以在较低的温度下沉积薄膜从而改善晶格失配及减少应力。技术参数： 晶体结构 四方 晶胞参数? a=3.756 c=12.636 熔点℃ 1650 密度g/cm3 5.92 介电常数 16.8 生长方法 提拉法产品规格：常规晶向：001, 100 公差：+/-0.5度常规尺寸:10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm抛光情况：单抛或双抛，Ra5A可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室100级超净袋包装 相关产品： Other SrLaAlO4 LaAlO3MgO LSAT基片包装盒系列 NdCaAlO4 NdGaO3 SrTiO3YSZ旋转涂层机

产品名称：铝酸镁(MgAl2O4)晶体基片产品简介：铝酸镁（尖晶石）单晶广泛应用于声波和微波器件及快速IC外延基片。同时研究发现它是好的III-V族氮化物器件的衬底。MgAl2O4晶体由于很难维持它的单晶结构而难以生长，经过几年的努力，目前科晶公司能够提供世界上质量最优尺寸的MgAl2O4晶体。技术参数：晶体结构立方晶格常数a=8.085?生长方法提拉法熔点2130℃密度3.64g/cm3莫氏硬度 8 Mohs热膨胀系数7.45×10-6/℃声速6500m/s ,[100]剪切波传播损耗（9GHz)6.5db/us颜色及外观白色透明产品规格：常规晶向：100、110、111公差：+/-0.5度常规尺寸:dia2"x0.5mm, 10x10x0.5mm, 10x5x0.5mm；抛光情况：单抛或双抛；表面粗糙度Ra:5A注：可按客户要求定制方向和尺寸。标准包装：1000级超净室，100级超净袋或单片盒封装 相关产品: ZnOSiCGaNMgAl2O4 (spinel)LiGaO2Other Al2O3 AlN template 基片包装盒系列等离子清洗机薄膜制备设备

产品名称：铝酸镧(LaAlO3)晶体基片产品简介：LaAlO3晶体对多种钙钛矿结构材料晶格匹配好，是外延生长高温超导薄膜和巨磁阻薄膜极好的衬底材料，其介电性能适合于低损耗微波及介电共振方面的应用。科晶公司是世界上现有铝酸镧单晶最大的生长厂家，每月能生产10～20公斤，可以提供棒、切割毛坯片及外延抛光基片，能满足全球市场上的各种需求。技术参数：晶向：100、110、111、晶体结构：赝立方晶格常数：a=3.792?生长方法：提拉法熔点：2080℃密度：6.52g/cm3莫氏硬度：6.5 Mohs热膨胀系数：10×10-6/℃介电常数：25损耗正切（10GHz)：～3×10-4@300K,～0.6×10-4@77K颜色及外观：依退火状况而不同，由棕黄色到褐色，抛光基片有自然孪晶畴。化学稳定性：室温下不溶于矿物酸，温度大于150℃时可溶于H3PO4 产品规格：常规尺寸：5x5x0.5mm、10 x 10 x 0.5 mm、dia1″x0.5mm、dia2″x0.5mm ；常规晶向：100、110、111、晶向公差：+/-0.5度抛光情况：单抛或双抛 （110 Ra15A，100和111 Ra5A）注：可按照客户要求加工尺寸及方向。标准包装：1000级超净室100级超净袋或单片盒装 相关产品： LSAT LaAlO3GGGNdCaAlO4 YSZSrTiO3SrLaAlO4 NdGaO3Crystal A-Z基片包装盒系列RTP快速退火炉旋转涂层机

激光加热基座晶体生长炉 法国Cyberstar公司生产的激光加热基座晶体生长（Laser-heated pedestal growth, LHPG）是在提拉法晶体生长基础上发展起来的、一种以激光为热源的无坩埚单晶纤维生长工艺，因局部熔化特性，亦可称其为浮区熔化晶体生长。 激光加热基座晶体生长炉（LHPG）具有无坩埚、无污染、温度梯度大、生长速度快、适合生长高熔点的高质量晶体等特优势。产品特点： 系统具有多束激光，激光功率根据需要可调 温度可以达到2800℃以上 晶体提拉速度、旋转速度精密可调，提拉行程140mm 可通氩气、氧气等各种高纯气体气氛或者混合气体气氛 压力可以达到1.5Bar 真空度可以达到1X10-4mBar 全过程CCD相机实时观测，非接触红外高温计实时监测温度应用案例钛酸锶（SrTiO3，STO）是一种应用非常广泛的衬底材料，比如：多铁或压电等应变工程薄膜材料。化学计量的STO在可见光波段是透明的，尽管方法不同，但目前如果不借助晶体生长后的退火处理步骤，仍然还不可能生长完全无色的大块STO晶体。生长后的晶体颜色一般在橙黄色到蓝紫色之间，有时甚至是黑色，关于这些颜色的成因也尚存争议。Franz Kamutzki等人通过法国Cyberstar公司的LHPG（激光基座加热法单晶炉）设备系统研究了化学计量配比、Sr过量配比、不同气氛（Ar, N2, O2, H2等）等条件下的STO单晶纤维生长实验，相关实验为系统研究STO单晶生长工艺条件和晶体颜色之间的关系具有重要意义。以下为Franz Kamutzki等人在文章中列出的不同工艺条件下生长出的不同颜色的STO单晶。参考文献：The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666测试数据化学计量配比生长的STO单晶样品的吸收谱Sr过量配比生长的STO单晶样品的吸收谱参考文献The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666发表文章1. Up-conversion dynamics in GdAlO3:Er3+ single crystal fibre. Optical Materials，Volume 5, Issue 4, May 1996, Pages 233-238.2. The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666.用户单位山东大学

耗散型石英晶体微天平分析仪QCM-Disspation-NT开放式设计，便于用户进行集成，各种改造，可实验室使用，也可便携使用作为新一代QCM-Dissipation Next， 该款耗散型石英晶体微天平分析仪增加了多倍频同时测量功能，增加了帕尔贴主动控温功能。可同时测量多倍频频率与耗散。用户可选透明（不兼容有机溶剂）\不透明（兼容有机溶剂）测量池、敞口式测量池、电化学测量池EQCM等模块。设计的理念是让大多数实验室都能用得起，价格非常便宜，16万人民币以内。请搜索北京伯英科技（boinst）公司官网联系我们！ 用户可以一次性买一台或多台，进行串联或并联使用。仪器为开放式设计，便于用户根据自己的灵感进行灵活应用，可使用电路板进行各种改造与集成。仪器设计之初用于航空航天，因而体积与重量都小型化轻量化，两个鼠标大小，重量不到300g）。两种使用模式：标准模式与开放模式。开放式可用线缆连接，把电路板可集成到其他电子器件上（如航空航天），便于用于集成以及进行各种改造。 用户可以使用自己的测量池：用户准备好自制的线缆，连接到仪器电极上即可耗散型石英晶体微天平分析仪QCM-Disspation-NT技术参数：测量数据频率与耗散，多倍频同时检测晶片数据直径14mm, 基频5/10 MHz,倍频数达50MHz, 9倍@5MHz晶片灵敏度F:±1Hz, M:4.42x10-9g Hz-1cm-2, D:~ 0.1x10-6最小采样时间~ 125 ms，每个倍频样品池温度15 - 45 °C (帕尔贴温度:5°C-45°C),加热或冷却样品池窗口玻璃,PTFE框架,氟橡胶圈样品池材料顶部镀镍不锈钢，底部镀铬铝主机框架材料铝合金与尼龙连接方式USB，手机数据线即插即用软件Python（耗散型）操作平台Windows, MAC, Linux样品池尺寸2.5 x 2.5 x 0.5 cm产品长宽高/重量20 x 8 x 4 cm，260g仪器输入电压5 VDC（电脑USB电源）帕尔贴电源220VAD转5 VDC仪器260g，两个鼠标大小，可非常灵活使用。QCM是非常灵敏的质量传感器，可在液体与气体中使用。开放式QCM通过USB线连接电脑即可实现数据的采集与分析，简单易用。我们Boinst的耗散型石英晶体微天平分析仪可作为实验室的标准的科研仪器，也可作为便携式传感器，方便携带。通过石英晶体微天平分析仪QCM，您可以获得基本的频率变化、质量、厚度等参数，耗散型QCM还可以测量耗散因子、界面流变、构象变化等。耗散因子可以知道石英晶片表面样品的刚性与柔性，可用于计算表面粘度与弹性模量（界面流变）。可测量的参数：频率、耗散，可进一步计算质量、厚度、界面流变等数据。通过耗散可判断样品构象、刚性与柔性的变化。仪器常用研究方向：分子相互作用、传感器、生物材料、聚合物表面、膜层层组装，表面反应，纳米颗粒，生物相容性，水污染与大气污染，真空镀膜在线厚度监测，空间(航天器)QCM等。仪器常见应用例子：分子相互作用，分子或微量物质在表面的吸附或解吸，表面化学反应, 真空镀膜膜厚在线监测生物分子相互作用，抗体抗原，蛋白分子聚集与纤维化，蛋白构象变化，生物传感器药物筛选释放，药物与蛋白分子相互作用，药物导致的蛋白构象变化，聚合物包覆药物与溶解，定向输送生物材料相容性，细胞、蛋白在表面的吸附生长，膜层层组装，生物膜在表面的生长，抗凝血材料聚合物刷，聚合物智能开关，聚合物构象与界面流变，聚合物电解质，溶胀，分子交联，自组装等。聚合物界面流变，耗散因子测量等气敏、湿敏、盐敏、pH敏感的聚合物，气体传感器，湿度传感器，水处理膜，空气尘埃，气溶胶沉积空间QCM，太空应用，如太空航天器水汽吸附，原子氧腐蚀，腐蚀，尾气，尘埃…耗散型石英晶体微天平分析仪在液体中的应用展示了巨大的潜力。QCM在功能化表面测量绑定事件是非常有效的，比如抗体-抗原绑定，蛋白间反应。仪器在生命科学领域是非常强大的工具，可以检测DAN杂化与特定效果的药物化合物，以上仅仅是部分应用，更多的应用取决于你想在实验室做什么研究。

激光高压光学浮区炉激光加热基座晶体生长炉 法国Cyberstar公司生产的激光加热基座晶体生长（Laser-heated pedestal growth, LHPG）是在提拉法晶体生长基础上发展起来的、一种以激光为热源的无坩埚单晶纤维生长工艺，因局部熔化特性，亦可称其为浮区熔化晶体生长。 激光加热基座晶体生长炉（LHPG）具有无坩埚、无污染、温度梯度大、生长速度快、适合生长高熔点的高质量晶体等特优势。产品特点： 系统具有多束激光，激光功率根据需要可调 温度可以达到2800℃以上 晶体提拉速度、旋转速度精密可调，提拉行程140mm 可通氩气、氧气等各种高纯气体气氛或者混合气体气氛 压力可以达到1.5Bar 真空度可以达到1X10-4mBar 全过程CCD相机实时观测，非接触红外高温计实时监测温度应用案例钛酸锶（SrTiO3，STO）是一种应用非常广泛的衬底材料，比如：多铁或压电等应变工程薄膜材料。化学计量的STO在可见光波段是透明的，尽管方法不同，但目前如果不借助晶体生长后的退火处理步骤，仍然还不可能生长完全无色的大块STO晶体。生长后的晶体颜色一般在橙黄色到蓝紫色之间，有时甚至是黑色，关于这些颜色的成因也尚存争议。Franz Kamutzki等人通过法国Cyberstar公司的LHPG（激光基座加热法单晶炉）设备系统研究了化学计量配比、Sr过量配比、不同气氛（Ar, N2, O2, H2等）等条件下的STO单晶纤维生长实验，相关实验为系统研究STO单晶生长工艺条件和晶体颜色之间的关系具有重要意义。以下为Franz Kamutzki等人在文章中列出的不同工艺条件下生长出的不同颜色的STO单晶。参考文献 The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO 3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666发表文章1. Up-conversion dynamics in GdAlO3:Er3+ single crystal fibre. Optical Materials，Volume 5, Issue 4, May 1996, Pages 233-238.2. The influence of oxygen partial pressure in the growth atmosphere on the coloration of SrTiO3 single crystal fibers. CrystEngComm, 2016,18, 5658-5666.籽晶定位单元、中频加热单 元、热场结构、软件系统、光学观测系统、真空系统、 加热元件。根据实际需求，为达到实验的要求，对仪 器的主要技术指标有：1. 能够在 2200 °C 下生长直 径为 0.5-6 mm 的稀土晶体纤维；2. 籽晶定位单元： 通过手动千分尺调节 X-Y 和 Q-J 之间的运动， X=10 mm (±5 mm)、 Y=10 mm (±5 mm)、  =6°(±3°)、  = 6°(±3°)；3. 中频加热电源输出功率 0-20 kW、 频率 5-30 kHz；4. 软件系统实现生长全过程全自动控 制、记录移动速率和中频功率；5. 高真空度达 10-5 Bar。

一． 结构原理 ZMP9 60 晶体出现率分析仪是工作原理是通过专用高分辨率 CCD 线性传感器和显微光学扫描平台，将颗粒图像信息采集下来并传输到计算机中，用专门的颗粒图像分析软件对颗粒图像进行分析。结合智能的背景分离及超强的颗粒边界搜索算法，将目标颗粒与背景分离，分析出各种测量参数，并通过显示器和打印机输出。 该仪器具有超大测量范围及高分辨率，同时具有直观、可视、准确、操作简单、测量参数全面等特点。能够同时测量颗粒粒度、形状及表面颜色的新型颗粒分析仪器。 二. 产品介绍 ZMP960晶体出现率分析仪，可以直接对透明贴剂中析出的晶体进行扫描，按照规定扫描范围进行扫描一定的面积，将其中的晶体识别出来并做数量统计。软件可以内置公式得出晶体出现率。 三．性能指标 1. 测量范围：1μm ～ 100mm 2图像分辨率：900万像素 3.光学平台：100mm * 120mm 4 背景光源：反射光

耗散型石英晶体微天平分析仪开放式设计，便于用户进行集成，各种灵活改造该款耗散型石英晶体微天平分析仪设计的理念是每个实验室都能用得起，价格非常便宜，从几万到10万人民币以内，常规QCM与耗散型QCM(QCM-D)都比市场上QCM便宜很多, 能便宜10倍左右，用户可以一次性买一台或多台，进行串联或并联使用，仪器为开放式设计，便于用户根据自己的新的想法进行灵活应用。用户可选透明（不兼容有机溶剂）\不透明（兼容有机溶剂）测量池、敞口式测量池、电化学测量池EQCM等模块。如有需要请通过搜索"北京伯英科技有限公司”官网联系我们。耗散型石英晶体微天平分析仪为开放式、可带WIFI，USB数据线即插即用，兼容不同尺寸与频率石英晶片，独立或多台串联使用，应没有价格比这低的进口耗散型QCM, 仪器设计之初用于航空航天，因而体积与重量也找不出再小再轻的(43g）。两种使用模式：标准模式与开放模式。开放式可用线缆连接，把电路板可集成到其他电子器件上（如航空航天），便于用于集成以及进行各种改造。用户可以使用自己的测量池：如下图所示，开放式石英晶体微天平分析仪主机使用标准USB线采集数据，可用于采集用户自制测量池数据，只需把标准USB线剪开，把绿色线与白色线（数据正线与负线）分别连接到用户池正负极即可。 耗散型石英晶体微天平分析仪技术参数：长宽高与重量66 x 50 x 26 mm，43g默认基频10 MHz，兼容5~25 MHz耗散灵敏度10-7，倍频可到50MHz常规灵敏度4.42 x 10 -9 g Hz-1 cm-2常规工作温度 -40°C to 85° C软件Java数据采集频率zui大10个数据/s操作平台Windows, MAC, Linux连接方式USB内置温度传感器10K Thermistor设备材质Polyamide输入电压5 VDC（电脑USB电源）测试窗口材质PMMA电源58 mA (290 mW) @ 10 MHzO-ring 材质Silicone设备生产方式先进的3D打印工艺石英晶体微天平分析仪是非常灵敏的质量传感器，可在液体与气体中使用。我们Boinst的耗散型石英晶体微天平分析仪通过Micro USB手机数据线与电脑连接即可实现数据的采集与分析，简单易用，可作为实验室的标准的科研仪器，也可作为便携式传感器，方便携带。 通过石英晶体微天平分析仪QCM，您可以获得基本的频率变化、质量、厚度等参数，耗散型QCM还可以测量耗散因子、界面流变、构象变化等。耗散因子可以知道石英晶片表面样品的刚性与柔性，可用于计算表面粘度与弹性模量（界面流变）。QCM仪器常用研究方向：分子相互作用等、生物传感器、生物材料、膜层层组装，表面反应，聚合物薄膜组装，纳米颗粒，生物相容性等。我们Boinst的耗散型石英晶体微天平分析仪仅43g，体积如鼠标大小，系统非常灵活。可用于多种条件下的镀膜在线检测，分子层的吸附与解吸附，分子相互作用，分子自组装，薄膜水合作用，同时还可用于分子构象变化检测（比如在表面由于化学反应导致的变化），水处理膜，作为卫星用石英晶体微天平，空间QCM, 用于航空航天，外太空尘埃或原子氧腐蚀，太空污染等方面研究。石英晶体微天平分析仪仪器还可以用于可调谐的气体传感器，检测气体中的特定分子，还用于监测气溶胶在大气环境中的沉积。体积小，可作为便携式传感器应用常见应用：分子相互作用，生物传感器，抗体抗原药物筛选释放，药物与蛋白分子相互作用，药物导致的蛋白构象变化蛋白分子聚集与纤维化，构象变化生物材料相容性，细胞、蛋白在表面的吸附生长，膜层层组装，生物膜在表面的生长，抗凝血材料聚合物刷，聚合物智能开关，聚合物构象与界面流变，聚合物电解质，溶胀，分子交联等。气敏、湿敏、盐敏、pH敏感的聚合物，聚合物界面流变，耗散因子测量等。分子在表面的吸附或解吸，表面化学反应太空应用，如太空航天器水汽吸附，原子氧氧化，腐蚀，尾气，尘埃…环境监测，气溶胶，雾霾，工厂灰尘，河流湖泊污染物...耗散型石英晶体微天平分析仪在液体中的应用展示了巨大的潜力。QCM在功能化表面测量绑定事件是非常有效的，比如抗体-抗原绑定，蛋白间反应。仪器在生命科学领域是非常强大的工具，可以检测DAN杂化与特定效果的药物化合物，以上仅仅是部分应用，更多的应用取决于你想在实验室做什么研究。

TDF系列X射线晶体分析仪概述TDF系列X射线晶体分析仪是研究物质内部微观结构的一种大型分析仪器，主要应用于单晶定向、检验缺陷、测定点阵参数、测定残余应力、研究板材、棒材的结构、研究未知物质的结构和单晶位错等。特点TDF系列X射线晶体分析仪采用立式管套，四个窗口可以同时使用。TDF系列X射线晶体分析仪采用进口PLC控制技术，控制精度高、抗干扰性好，可实现本系统可靠地工作，PLC控制高压的开关、升降、具有自动训练X光管的功能，有效的延长X射线管及仪器的使用寿命。高压发生器（采用进口PLC控制）管电压：10-60KV；管电流：2-60mA；管电压、管电流稳定度≤±0.005%；额定输出功率：3KW。高压电缆 介电电压≥100KV；长度：2M。X射线管额定功率：2.4KW；焦点尺寸（mm2）：点焦点（1×1）线焦点（1×10）；靶材：Cu、Co、Fe、Cr、Mo、W等。 X射线照相机劳厄相机（大小粉末）平板相机三维样品台美国Multiwire相机X射线防护罩采用高密度、高透光性道德铅玻璃作为X射线防护罩，外射线量不大于0.1µ Sv/h

核心参数：DigiSTAR P2010 数字化旋进电子衍射控制器&bull 适合于任意 200-300kV 透射电镜 &bull 电子束的旋进和扫描不依赖于电镜STEM附件,有无STEM附件均可 安装时可选择工作于 TEM 或 STEM 模式；&bull 电子束旋进角范围：0 ~ 2.5° &bull 电子束旋进频率 : 场发射 TEM 典型值为 100/200Hz；安装Merlin 直接电子探测器后可提高到≥ 300Hz（取决于 TEM）；&bull 最小束斑 ≤ 2nm (FEG-TEM)；平行光模式和纳米束模式；&bull 电子束的旋进和去扫描控制可以单独控制和微调 &bull 电子束旋进过程中可以通过控制器独立实现电子束的微调和对中 &bull 旋进电子衍射控制器关闭后对电镜的所有参数均不产生影响。TopSPIN 旋进电子衍射扫描和数据采集软件平台&bull 使用所支持的光学相机和 / 或直接电子探测器实现虚拟 STEM/ 明场像 / 暗场像；&bull 多种扫描方式，如点、线、面；&bull 基本图像处理功能，如亮度直方图、Gama 调整、自动数据转移和图像输出等；&bull 集成旋进电子衍射工作模式；&bull 电子束旋进控制和自动合轴对中；&bull 相机常数辅助校准，畸变辅助矫正；&bull 电子束漂移矫正；&bull 为 ASTAR 优化的数据采集工作流程。ASTAR 纳米晶体取向和晶相分布分析软件&bull 电子束最小扫描步长：≤ 1 nm (FEG TEM)；&bull 空间分辨率 : ≤ 2 nm (FEG TEM) &bull 晶体取向分辨率 ≤ 1° &bull 使用 Merlin 1R 直接电子探测器 , 衍射花样采集速度可达 150 ~≥ 400 幅 / 秒（取决于 TEM） &bull 电子衍射花样模版生成系统包含所有晶系 &bull 电子衍射花样的识别和指标化全自动完成 &bull 自动完成晶体取向图、晶相分布图；&bull 虚拟明场像、虚拟暗场像 ( 可选一个或多个衍射斑点 )；&bull 孪晶、晶界、晶粒度、非晶化区域分析功能。STRAIN 纳米晶体应变分析软件&bull 空间分辨率≤ 3nm；&bull 应变分析精度≤ ±0.02% &bull 在旋进电子衍射条件下快速实现点、线、面分析。ADT-3D 电子衍射花样三维重构分析软件&bull 对序列旋进电子衍射花样 ( 样品倾斜范围 +/-40°或更大，倾斜步长 1° ) 进行三维倒易空间重构，确定晶体的单胞参数 ( 精度 2~3%)； &bull 对特殊晶体结构 ( 如孪晶和位错 ) 进行分析；&bull 对每个衍射斑点自动指标化并提取出其强度，然后使用标准的晶体学软件 ( 本系统未包含这些软件 ) 进行晶体学分析。产品介绍：旋进电子衍射原理示意图DigiSTAR/MerlinEM-1R 应用实例样品：Ti 合金。从左至右：虚拟明场像，相分布图 ( 红色α 相、蓝色 β 相 )，晶体取向图样品：Al-9nm/TiN-1nm 多层膜结构。上：ASTAR 取向图，红色层为 Al 层，绿色层为1nm TiN 层。下：ASTAR 取向图，1nm TiN 标示为黑色带。Si 基底上纳米 SiGe 层的应变分析

总览一, ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体110晶向的ZnTe（碲化锌）晶体常通过光学整流来产生太赫兹振荡。光学整流效应是一种二阶非线性效应，也是一种特殊的差频效应。一定宽度的飞秒激光脉冲，拥有非常宽的频率分量，这些分量间的相互作用（主要是差频）将会产生从0到几个太赫兹的电磁波。太赫兹脉冲可通过另一个自由空间的110晶向ZnTe实现光电探测。太太赫兹光脉冲会使ZnTe晶体产生双折射，因此当太赫兹光脉冲和可见光脉冲同时在ZnTe晶体中直线传播时，可见光的偏振状态将会因此发生变化。使用λ/4波片，偏振分光体，以及平衡光电二极管，我们可以完成对可见光的偏振状态的监控，从而得知太赫兹光脉冲的振幅，延迟等各种参数。而这种监测太赫兹光脉冲的完整电磁场信息（振幅和相位延迟）的能力，是时域太赫兹光谱仪最具吸引力的特性之一。ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体,ZNTE（碲化锌）太赫兹晶体产品特点● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域● 抗损伤阈值高● 非线性系数大● CO2激光的SHG● 多种尺寸可选● 客户导向的解决方案● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源晶体● 中远红外气体探测● CO2激光的SHG● THZ实验光源● 太赫兹成像应用领域红外光学 基板 用于真空沉积的晶体片 THz探测器 THz 发射器 光学限位器生产方法HPVB or HPVZMCAS #1315-11-3结构Cubic zincblende密度5.633 g/cm3Specific Heat0.16 J/gK例如（300 K）2.25 eVMax. 透射 (l =7-12 mm)60 %Max. specific resistivity109 Ohm´ cm折射率 (l =10.6 mm)2.7光电系数r41 (l =10.6 mm)4.0´ 10-12 m/VMax. IR-optic blank diameter/lengthÆ 38´ 20 mmMax. 单晶直径/长度:Æ 38´ 20 mm碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm碲化锌（ZnTe)晶体，是一种具有优异电光性能的II-VI族化合物半导体，自然条件下是闪锌矿（ZB）结构,室温下带隙宽度为2.3eV，其二阶非线性系数与电光系数均较大，辐射和探测THz电磁波的效率比其他电光晶体高，因此ZnTe晶体被认为是比较好的THz辐射源和探测器材料。ZnTe晶体110方向在 800nm附近激光脉冲作用下相位匹配*****,为ZnTe晶体作为太赫兹辐射产生和探测的常规使用方向。此外，ZnTe晶体还可以广泛应用于各种光电子器件中,如绿光发光二极管、电光探测器、太阳能电池等碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm,碲化锌晶体（ZnTe) 5*5*1mm Ø 25.4mm产品特点应用于THz产生、探测和光学限幅器晶体纯度高 99.995%-99.999%表面质量优通用参数晶格结构立方闪锌矿密度5.633g/cm3比热0.16j/gK带隙（300K）2.25eV透过率（λ=7-12um)60%电阻率109 Ohm*cm折射率（λ=10.6um)2.7电光系数r41（λ=10.6um)4.0×10-12m/V电阻率(1) Low:103Ohm*cm(2) High:109Ohm*cm封装尺寸5*5*1nmØ 25.4mm二, GaSe（硒化镓）太赫兹晶体GaSe（硒化镓）晶体的太赫兹振荡能达到有非常宽的频域，至41THz。GaSe是负单轴层状半导体晶体，拥有六边形结构的62m空间点群，300K时禁带宽度为2.2eV。GaSe晶体抗损伤阈值高，非线性系数大（54pm/V），非常合适的透明范围，以及超低的吸收系数，这使其成为中红外宽带电磁波振荡的非常重要的解决方案。因宽带太赫兹振荡和探测使用的是低于20飞秒的激光光源，GaSe发射-探测系统能获得与ZnTe可比的甚至更好的结果。通过对GaSe晶体厚度的选取，我们可以实现对THz波的频率可选择性控制。注：GaSe晶体的解理面为(001)，因此对该晶体使用的一个很大限制在于质软，易碎。GaSe（硒化镓）太赫兹晶体,GaSe（硒化镓）太赫兹晶体产品特点● 太赫兹振荡能达到有非常宽的频域● 抗损伤阈值高● 非线性系数大● CO2激光的SHG● 多种尺寸可选● 客户导向的解决方案● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源晶体● 中远红外气体探测● CO2激光的SHG● THZ实验光源● 太赫兹成像三, CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜微波等离子体CVD金刚石圆片：掺硼盘（蓝色）、光学级金刚石、机械级、未抛光盘。CVD金刚石最重要的性能是无与伦比的硬度，高的导热系数（1800 W/mK，是铜的五倍）宽带光学透明度，极度化学惰性，不受任何酸或其他化学物质的影响。仅在非常高的温度下（T700°C，含氧环境下）石墨化，在惰性环境中为1500℃）CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜,CVD金刚石微波太赫兹窗片/透镜/分束镜产品特点● 宽光谱透射范围● 高透射率产品应用● 太赫兹波传输窗片● X射线检测● 红外光学● 外延基片技术参数PropertyValueVickers hardness*10,000 kg/mm2Young's modulus*1050 GPaPoisson's ratio0.1Density3.515 g/cm3Atom density*1.77×1023 1/cm3Thermal expansion coefficient1.0*10-6/K @300KSound velocity*17,500 m/sFriction coefficient0.1Specific heat @ 20°C0.502 J/gKDebye temperature*1860 10KBandgap5.45 eVResistivity1013 - 1016 ohmmPropertyValueTransmission225nm to far IR , 70% @ 10µ mRefractive index2.38 @ 10µ m, 2.41 @ 500nmAbsorption coefficient0.10 cm-1 @ 10µ mBandgap5.45 eVTensile strength (0.5mm thick)Nucleation surface in tensionGrowth surface in tension600 MPa400 MPaLoss tangent (tan @140 GHz) 2.0×10-5Dielectric constant5.7PropertyValueDimensionsThicknessDiameter10 - 2000 µ mup to 100 mmSurface finishShapeflat, spherical (convex & concave)Roughness 5 nm*Flatness1 fringe/cm*Wedge0 – 1°*Antireflection Coatings (visible and infrared)Spec. Transmission at 10.6 µ m 98.6 %Wavefront distortion 4 fringes at 633 nm over 30 mm*MountingDiamond windows mounted e.g. in UHV flanges (bakeable at 250°C, vacuum tight 10-10 mbar l/s)*四, 太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）Terahertzlabs提供TPX和HRFZ-Si等不同太赫兹材料的THz透镜。我们拥有不同的标准尺寸以及不同的焦距EFL可供客户选择。同时我们也接受定制服务，我们会根据客户提供的具体尺寸图以及所需要的THZ材料提供特殊定制服务。TPX是很硬的固体材料，可以用来加工成不同的光学元件，如透镜和窗口镜。而且通常TPX还可用在CO2激光泵浦分子激光的系统中作为输出窗口镜。因为它对整个THZ波段都是透明的，并且可以反射10微米的泵浦光。TPX窗口镜还可以在低温保持器中作为“冷”窗口。因为TPX在THZ波段的透明度和温度无关，折射率的温度系数3.0*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）,太赫兹透镜（TPX，Tsurupica，HRFZ-Si）产品特点● TPX，Tsurupica，HRSi材料可供选择● 不同标准尺寸1inch，2inch● 多种焦距可供客户选择● 高透射率，高平坦度● 宽谱透射范围0.02-5 THz● 高抗张强度● 接受客户定制服务产品应用● 太赫兹时域系统● 太赫兹源窗片● 中远红外气体探测● 科学实验室研究● THZ量子级联激光器波片● 中远红外滤波片技术参数TPX主要参数：密度（g/cm3）0.83抗张强度4100psi~28.3MPa拉伸模量280000psi~1930.5MPa抗拉伸模量（%）10绕曲强度6100psi~42.1MPa绕曲模量210000psi~1447.8MPa热偏温度（℃）100融化温度（°F/℃）464/240吸收率（ASTM-D1228）（%）＜0.01透水汽性（thk25μm，40C，90%RH）（g/m2*24h）110透气性（thk100μm）（cm3/m2*d*MPa）120000TPX透镜参数：材料TPX形状平凸、双凸最大直径（mm）100mm直径公差（mm）±0.25mm有效焦距公差（mm）±1%通光口径（mm）≥90%表面直径（双面抛光）80/50 Scr/Dig表面精度（mm）±0.01mm（和理想球面和平面的差）五, THz太赫兹TPX窗片我们提供由晶体和聚合物材料制成的太赫兹窗片。同时我们也接受定制服务，我们会根据客户提供的具体尺寸图以及所需要的THZ材料提供特殊定制服务。TPX是很硬的固体材料，可以用来加工成不同的光学元件，如透镜和窗口镜。而且通常TPX还可用在CO2激光泵浦分子激光的系统中作为输出窗口镜。因为它对整个THZ波段都是透明的，并且可以反射10微米的泵浦光。TPX窗口镜还可以在低温保持器中作为“冷”窗口。因为TPX在THZ波段的透明度和温度无关，折射率的温度系数3.0*10-4 K-1 (for the range 8-120 K)。THz太赫兹TPX窗片,THz太赫兹TPX窗片通用参数产品特点：TPX，HRFZ Si，ZEONEX材料可供选择不同标准尺寸1inch，2inch接受客户定制服务产品应用：太赫兹时域系统太赫兹源窗片中远红外气体探测科学实验室研究THZ量子级联激光器波片中远红外滤波片技术参数： 1，晶体材料1.1 HRFZ Si窗片材料HRFZ-Si类型平面-平面可用尺寸, mmto 150直径或横切公差, mm+0.0 / -0.1厚度公差, mm+/-0.1通光孔径, %=90平行度, arc. min3表面质量 (双面抛光), scr/вig60/40表面精度, mm+/-0.01偏离理想平面涂层应要求提供AR涂层以下窗片可从库存中获得No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)1.0238.1 (1.5)1.0350.8 (2.0)1.0476.2 (3.0)1.05101.6 (4.0)1.0可根据要求定制尺寸 1.2 THz级石英晶体和THz级蓝宝石窗片材料THz级石英晶体 (z-cut) and THz 级蓝宝石窗片类型平面-平面尺寸公差, mm+/-0.1通光孔径, %=90平行度, arc. min5表面质量 (双面抛光), scr/dig80/50表面精度, mm+/-0.01 偏离理想平面涂层 （对于石英晶体)应要求提供AR涂层太赫兹级石英晶体窗片尺寸如下：No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)1.0, 2.0, and 3.0238.1 (1.5)1.0, 2.0, and 3.0350.8 (2.0)1.0, 2.0, and 3.0 其他尺寸和定制设计可根据要求制造。以下尺寸的太赫兹级石英晶体可用：对于沿Z轴生长的晶体Z-axis: X =100 mm, Y=150 mm and Z up to 35 mm对于沿X轴生长的晶体 X-axis: X up to 30 mm, Y=100 mm and Z=125 mm. 可根据要求提供太赫兹级蓝宝石窗片。不同尺寸的成品可现货供应或在一周内供应。 2. 聚合物2.1 TPX windows材料TPX类型平面-平面，楔形（楔形为6mrad）可用直径, mmto 300尺寸公差,1mm+ /-0.25通光孔径, %=90表面质量, scr/dig80/50 (双面抛光)表面粗糙度Rz 0.025 (TPX)表面精度, mm±0.01 偏离理想平面以下TPX窗片有现货供应：No.直径, mm (inches)厚度, mm125.4 (1.0)2.0238.1 (1.5)3.0350.8 (2.0)3.5定制尺寸（最大厚度30 mm）可根据要求定制 2.2 ZEONEX 窗片材料ZEONEX类型平面-平面，楔形可用直径, mmto 120尺寸公差,1mm+ /-0.25通光孔径, %=90表面质量, scr/dig80/50 (双面抛光)表面粗糙度Rz 0.05表面精度, mm±0.01 偏离理想平面 ZEONEX窗户可根据要求制造。库存材料的最大厚度为33 mm。五, BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm)德国BATOP公司供应TPX和硅两种材质的太赫兹透镜，尺寸一般为1英寸或2英寸，包括超半球形和椭圆形硅质太赫兹透镜，以及具有不同直径和焦距的非球面TPX太赫兹透镜。BATOP的TPX透镜可用于太赫兹波段中发射器和探测器之间的太赫兹光束引导，还有专用于PCA应用的TPX太赫兹透镜，能够实现太赫兹光束的准直和聚焦。 在代理Tydex太赫兹透镜和BATOP公司TPX透镜的基础上，筱晓上海光子也提供自主开发的太赫兹透镜和窗镜，包括太赫兹透镜和石英透镜，尺寸可以为1英寸至4英寸，为用户提供更大的定制自由度。BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm),BATOP 太赫兹 非球面TPX透镜(直径1英寸/2英寸,焦距10-200mm)通用参数PCA专用TPX透镜特点：使用高透过率TPX（聚甲基戊烯）透镜，可以对太赫兹光束进行整形。搭配一个TPX透镜可以准直来来自超半球形基板透镜的发散太赫兹光束。搭配两个TPX透镜，可以实现清晰的THz聚焦。1英寸直径的TPX透镜可被容易地安装到具有超半球形硅透镜的PCA光导天线上。 PCA专用TPX透镜规格参数PCA专用TPX透镜分为3个型号，其通用参数一致 CTL-D25mm - 已安装的准直非球面TPX透镜，直径25.4 mm以上.. CTLF-D25mm - 用于光纤耦合PCA的安装准直非球面TPX透镜，直径25.4 mm以上.. FTL-f32.5mm - 聚焦平凸TPX透镜 PCA专用TPX透镜 通用参数透镜直径25.4 mm透镜厚度8.0 mm焦距32.5 mm通光孔径 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz吸收系数0.3 cm-1材质TPX（聚甲基戊烯）太赫兹透镜面形平凸（非球面）PCA兼容外壳 以下为BATOP聚焦平凸TPX透镜 标准品型号TPX透镜，直径1英寸和2英寸,其中TPX-D25.4-f10，专门用于空间高分辨率的应用1英寸直径TPX透镜，焦距F：10mm~32.5mm型号TPX-D25.4-f10 TPX-D25.4-f15TPX-D25.4-f25TPX-D25.4-f32.5透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距10 mm15.0 mm25.0 mm32.5 mm通光孔径 20 mm 23.4 mm 22.4 mm 22.0 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.640.590.380.3中心透镜厚度11.2 mm8.0 mm8.0 mm8.0 mm边缘厚度3.3 mm1.6 mm3.1 mm4.2 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格1英寸TPX透镜，焦距F：50mm~150mm型号 TPX-D25.4-f50 TPX-D25.4-f67 TPX-D25.4-f100 TPX-D25.4-f150透镜直径25.4 mm25.4 mm25.4 mm25.4 mm焦距50.0 mm67 mm100 mm150 mm通光孔径 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm 22.4 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.210.160.1070.072中心透镜厚度7.0 mm6.94 mm7.0 mm6.0 mm边缘厚度4.4 mm5.0 mm5.7 mm5.1 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格2英寸TPX透镜，焦距F：35mm~200mm型号TPX-D50-f35 TPX-D50.8-f65 TPX-D50.8-f100TPX-D50.8-f200透镜直径50.0 mm50.8 mm50.8 mm50.8 mm焦距35.0 mm65.0 mm100 mm200 mm通光孔径 47.0 mm 47.8 mm 47.8 mm 47.8 mm折射率1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz1.45 at 1 THz数值孔径NA0.540.330.230.12中心透镜厚度18 mm13 mm10 mm8.3 mm边缘厚度3.0 mm4.1 mm4 mm5.0 mm材质TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）TPX（聚甲基戊烯）形状平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面）平凸（非球面） 注意,价格区分为已装配价格及未已装配价格 六, BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜对于发射器和探测器之间的太赫兹光束引导，我们提供不同直径和焦距的超半球和椭圆硅透镜以及非球面TPX透镜。BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜 , BATOP 太赫兹超半球 Si硅透镜通用参数标准型号1:HSL-12超半球形硅衬底透镜与GaAs PCA芯片相结合，确保THz辐射的大立体角Ω=1.25 sr。由于该透镜提供发散太赫兹光束，因此必须通过附加透镜进行准直。超半球硅透镜:&bull 直径：12 mm&bull 厚度：7.1 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻 ρ：10 kΩcm&bull 表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束收集角α73°发散角ß 17°虚拟焦距L 26.5 mm标准型号2:CSL-20-12准直硅透镜椭圆准直硅透镜设计用于连接0.6 mm厚的天线芯片。&bull 直径：20 mm&bull 厚度：13.8 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻ρ：10 kΩcm&bull 平面和椭圆形表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束直径为20mm的准直收集角α 54.6°标准型号3:FSL-D20-f50-聚焦硅透镜聚焦椭圆硅透镜，直径20 mm，焦距50 mm。&bull 直径：20 mm&bull 厚度：14 mm&bull 折射率：3.41&bull 材料：未掺杂HRFZ硅&bull 比电阻：10 kΩcm&bull 平面和椭圆形表面：抛光&bull PCA芯片厚度：0.6 mm太赫兹光束焦距f 50 mm收集角α 52.7°收敛角ß 10°艾里盘直径at 300 GHz 3.6 mmat 1 THz 1.1 mmat 3 THz 0.36 mm

QCM（石英晶体微天平）级联颗粒物/气溶胶粒径浓度分析仪采用QCM电子传感器实时测量空气中颗粒物/气溶胶粒径和浓度，利用惯性冲击原理低压撞击技术按照粒径大小分级采集颗粒物/气溶胶样品，可将带有样品的晶体直接插入电子显微镜用于扫描电镜和能量色散X射线光谱分析。 主要特点：? 自动快速测量气溶胶粒径分布和质量浓度（mg/m3）?无需额外称量，可直接计算出PM10、PM2.5、PM1的值? 高灵敏度QCM(石英晶体微天平) 质量传感器：1ng/Hz? 宽浓度测量范围：5~1000μg/m3? 可监测到小粒径粒子，样品粒径低至100纳米? 自动控制采样时间? 数据打印输出（粒径分布柱状图、不同粒径质量浓度、采样时间、日期、）? 计算机接口进行数据采集? 带有样品的晶体或采样盘可直接放入光谱仪深入分析粒子的物理、化学、电子特性? 长期记录应用领域：? 大气气溶胶研究? 吸入毒理研究? 烟道测量，大气测量，汽车测量? 工业卫生和职业安全评估? 室内、户外空气质量分析? 药物气溶胶研究同类可选产品： PC-2型10级QCM气溶胶颗粒物分析仪测量粒径范围：0.05~25μm流速：0.24lpm气泵和控制单元粒径分布、质量浓度打印输出中、高浓度测量，高达几十毫克每立方米 PC-2H型10级QCM气溶胶颗粒物分析仪测量的粒径范围：0.05~10μm流速：2lpm气泵和控制单元粒径分布、质量浓度打印输出中、低浓度测量，几微克每立方米 PC-2AS/SK76型10级QCM药物气溶胶颗粒物分析仪测量的粒径范围：0.14~10μm流速：0.24lpm气泵和控制单元粒径分布、质量浓度打印输出12.6lpm高流速采样入口，等动力流量分路器可选高流速30、60、90lpm特殊配置测定剂量吸入器和喷雾器输出气溶胶测量 IMPAQ AS-6型6级撞击式气溶胶采样器测量的粒径范围：0.5~16μm流速：12.6lpm真空泵、流量计和流量控制阀 MPS-4G1型4级无尘室微量气溶胶采样器流速：7lpm切割粒径：低至0.05μm适用于无尘室采样和微量粒子环境采样 Model MPS-3型 3级微量气溶胶采样器流速：2lpm切割粒径：低至0.05μm适用于计算机磁盘驱动器采样和环境大气采样采样器袖珍便携 特殊采样器可根据用户不同需求可定制特殊配置采样器，欢迎垂询！ 打印输出的测量数据 主要客户名单：Perking University 北京大学AT&T Bell Labs (Lucent) AT＆T贝尔实验室（朗讯）Arizona State University 亚利桑那州立大学Bayer (Germany) 拜耳（德国）Corning Glass 康宁玻璃China Steel (Taiwan) 中华钢铁（台湾）Dow Corning 道康宁Fujitsu 富士通Getty Conservatory Institute 盖蒂音乐学院Hitachi 日立Hewlett Packard 惠普Howard University 霍华德大学IBM IntelIIT Research InstituteIndian Institute of Technology 印度理工学院Inhale PharmaceuticsJapan Atomic Energy Agency 日本原子能Jet Propulsion Lab (JPL) 喷气推进实验室（JPL）Johnson Wax 庄臣Lawrence Berkeley National Lab 劳伦斯伯克利国家实验室Lawrence Livermore National Lab 劳伦斯利弗莫尔国家实验室Los Alamos National Lab 洛斯阿拉莫斯国家实验室Lovelace Inhalation Toxicology InstituteMediNuclearProctor & Gamble 宝洁Quantum 量子Schering-Plough 先灵葆雅Sciarra Research Lab Seagate Technology 希捷科技University of Oklahoma 奥克拉荷马大学U.S. EPA 美国环保局U.S. Navy 美国海军U.S. NASA 美国航天局Western Digital 西部数据 应用案例1. 旧金山加州大学医疗中心的医生和科学家使用QCM（石英晶体微天平）级联颗粒物/气溶胶粒径浓度分析仪对手术器材引起的血液气溶胶进行监测，发现血液气溶胶能被工作人员吸入。2. 美国海军将QCM（石英晶体微天平）级联颗粒物/气溶胶粒径浓度分析仪用于监测潜艇里的空气，为改善空气净化器提供支持。3. QCM（石英晶体微天平）级联颗粒物/气溶胶粒径浓度分析仪服役于很多研究飞机上,包括美国国家航空和宇宙航行局的U-2飞机和ER-2飞机，用于监测火山爆发时追踪高层大气微粒羽流。4. 夏威夷环境卫生科学家将QCM（石英晶体微天平）级联颗粒物/气溶胶粒径浓度分析仪用于监测奇劳亚火山连续的火山爆发产生的火山烟雾。5. 美国能源部/洛斯阿拉莫斯国家实验室的微大气测量系统使用QCM（石英晶体微天平）级联颗粒物/气溶胶粒径浓度分析仪用来监测空气中颗粒物粒径分布和质量浓度，测量扩散源颗粒物排放烟羽,比如,危险废弃物站点。6. 台湾电力公司在核电站使用QCM（石英晶体微天平）级联颗粒物/气溶胶粒径浓度分析仪进行可吸入的放射性气溶胶剂量评估。7. 1993年10月27日，加州洛杉矶东北Angeles Crest国家森林群山的南部山坡发生野火， 10月28日，QCM（石英晶体微天平）级联颗粒物/气溶胶粒径浓度分析仪用于监测空气中的烟尘浓度，发现颗粒物粒径峰值在0.23um。

本公司研发团队开展石英晶体微天平化学生物传感分析研究已有三十余年，具有丰富的QCM应用研究经验，可根据客户需求提供个性化服务，解决客户QCM使用中出现的技术问题。该仪器融合多家著名高校相关领域研究成果，仪器模块化结构、便携式设计，可与电化学仪器光学仪器联用。仪器价格优惠、使用简单、性能稳定、检测结果可靠。石英晶体微天平（Quartz Crystal Microbalance，QCM）是一种非常灵敏的质量检测仪器。在一定条件下，石英晶体上沉积的质量变化和振动频率移动之间关系呈线性关系(Sauerbrey公式)，其测量灵敏度可达纳克级，可以测到单原子层的质量变化。本仪器采用10 MHz石英晶体，每Hz的频率变化相当于0.85 ng/cm2。石英晶体微天平作为纳克质量传感器具有结构简单、成本低、灵敏度高的优点，被广泛应用于化学、物理、生物、医学和表面科学等领域中，可实现电化学、光化学、光电化学的现场动态监测分析。可广泛用以进行气体、液体成分分析以及微质量的测量、薄膜厚度、液体粘度（血凝）检测等。例如：电活性聚合物表征、Li+ 嵌入材料、金属腐蚀、自组装单层、生物传感器、免疫检测、 蛋白质的相互作用 、膜表面的吸附/解析 、DNA的杂交 、 细胞吸附 、靶向药物筛选、高分子材料的生物相容性等。 仪器特点l 仪器接触溶液的激励电极做工作电极与电化学仪器联用可构成EQCM测量技术。 l 仪器便携式设计、操作简单、方法选择、操作过程、步步提示。l 锂离子电池可作为电源、抗干扰能力强。l 仪器智能化模块化设计、结构可靠，可适应现场使用。l SD卡储存数据，方便后续数据处理。l 数据同时通过蓝牙无线传输到手机，可在手机上同步进行显示和储存。l 仪器可与其他分析仪器联用，如电化学仪器、光学仪器联用实现现场多信息传感分析。根据科研需要可进一步开发应用。 技术参数 l 使用晶体频率范围5MHz-20MHz，本仪器使用商用镀金10MHz AT切石英晶体。l 频率稳定性，空气中+1Hz/小时，液相中精确控制实验条件可达到相近的信号稳定性。l 3.5英寸触屏彩色液晶显示。l 提供2G SD卡储存数据，每隔2秒储存一组实验数据。l 便携式QCM 配备直流供电电压范围9V-18V，建议使用12V，2A 直流稳压源。l 可配备12V 5400mAh 锂离子电池（12.6V，1A 充电器）。l 便携式仪器尺寸：150*97*40mm；仪器重量：500 g。

桌面式X射线衍射仪在X射线光束通过索拉狭缝、发散狭缝照射在样品上，样品台位于测角仪中心，基于反射几何θs-θd，X射线光束在满足布拉格定律时，在特定的方向上发生衍射现象，经过防散射狭缝、索拉狭缝、接收狭缝到达X射线探测器上，最终经过数据处理系统在分析软件上展现出采集的衍射图谱。FRINGE EV是公司自主研发的一款桌面式X射线衍射仪器，其融合XRD和计算机软件等多项技术，可快速对粉末、块状或薄膜等形态的样品进行主要物相定性、定量分析、晶体结构分析、材料结构分析及结晶度测定，具有精度高、准确度高、稳定性好、应用范围广、操作简便和智能化等特点，为材料研究、大学及研究院所、建筑材料、金属、矿物、塑料制品、医药品和半导体等众多领域提供高精度的分析。使用优势空气弹簧大橱窗升降门空气弹簧大橱窗升降门，节约桌面空间，适合每一台办公桌，有效提高空间利用率。桌面式千瓦级功率FRINGE EV拥有强悍的KW级功率，让他成为桌面式XRD领域无与伦比的收割机。适合所有人的XRDCrystalX在获得衍射数据后，自动进行物相分析，并给出物相各组分百分比，大大降低了使用人员的要求，仅仅需要点击“开始测试”，其它交给CrystalX软件 吧。安全性具有在测试过程中自动切断保护装置、安全联动锁装置，样品舱关闭后属于全封闭性能，操作界面有样品舱关闭提示功能。集成式索拉狭缝集成式索拉狭缝，无任何运动可调部件，增加测角系统的可靠性，从而使得界FRINGE桌面式XRD可安装于车载实验室平台。DPPC探测器DPPC探测器（数字脉冲处理计数探测器），计数吞吐量≥1×10^7CPS，无需使用二级单色仪，DPPC探测器在提供衍射数据的同时提供能量色散光谱数据规格参数测角仪θ/θ立式测角仪、衍射圆半径 150mm2θ角度范围-3° - +150°2θ角度精度全谱范围内＜±0.02°偏差分辨率0.04°2θ 半峰宽FWHM索拉狭缝集成式索拉狭缝，无任何运动可调部件，增加测角系统的可靠性平台X光管金属陶瓷 X 射线管，焦点：1 x 10 mm，默认配置Cu靶，可选配 Co、Cr、Mo靶高压发生器功率标配1200W，最大支持1600W仪器尺寸580 x 450x 680mm（L×W×H）重量120KG电源220V±10V，50Hz，整机功率 最大值2000W散热方式FRINGE EV使用外置水循环冷却系统，强力冷却澎湃动力探测器DPPC探测器（数字脉冲处理计数探测器）接口紧凑的家用墙插插头提供电源，USB接口连接PC用于控制XRD气源提供2路气源接口，可用于原位分析或气氛保护安全性FRINGE EV具有空气弹簧大橱窗升降门，可无死角观察原位分析过程，并可有效屏蔽X射线，具有在测试过程中自动切断的保护、安全联动锁装置，样品舱关闭后属于全封闭性能，操作界面有样品舱关闭提示功能云端服务功能配套使用可同步的移动端APP服务，用于支持衍射数据卡片化管理，并支持接入知识管理系统CrystalX软件CrystalX在获得衍射数据后，自动进行物相分析，并给出物相各组分百分比，大大降低了使用人员的要求，无需手动检索，无需扣背景，无需平滑，无需手动寻峰，仅仅需要点击“开始测试”，其它交给CrystalX 软件 吧

电化学石英晶体微天平EQCM是一款通过测量石英晶体的频率变化实现质量检测的高灵敏度设备。电化学石英晶体微天平EQCM作为高灵敏度的测试仪器， 它可以测量在传感器表面或附近吸附层ng级的“湿质量”。该设备的测量原理是基于石英晶体的阻抗分析，测量谐振频率和谐振电导曲线的峰宽。谐振电导曲线的峰宽或半峰宽与耗散因子（Q）直接相关。可以对多种不同类型表面的分子相互作用和分子吸附进行研究，应用范围包括蛋白质、脂质、聚电解质、高分子和细胞/细菌等与表面或与已吸附分子层之间的相互作用；可提供多个频率和耗散因子数据， 用于充分了解在传感器表面吸附的分子的状态。应用领域? 传感器开发? 蛋白质凝聚研究? 生物膜表面污垢表征? 细胞学表征? 双脂质层表征? 电池材料研发? 电聚合? 各类工业条件（真空、滴铸、油墨喷印）下的覆膜监控? 手套箱环境? ALD逐层沉积仪器参数频率测试范围1-61 MHz (基频为5 MHz时，可测试13级倍频)基频为3MHz时，可测试17阶倍频基频为5MHz时，可测试12阶倍频基频为10MHz时，可测试5阶倍频液体中倍频灵敏度1 Hz液体中耗散灵敏度～1x10-6质量灵敏度5ng cm-2每个倍频下测试参数倍频曲线、频率、频率变化、半峰宽、半峰宽变化、耗散因子、耗散因子变化、温度

CHI400C系列时间分辨电化学石英晶体微天平(EQCM)是CH Instruments与武汉大学合作的产品(武汉大学专利)。石英晶体微天平(QCM)可进行极灵敏的质量测量。在适当的条件下，石英晶体上沉积的质量变化和振动频率移动之间关系呈简单的线性关系(Sauerbrey公式)： Df = -2fo2 Dm / [A · sqrt(mr)] 式中是fo晶体的基本谐振频率，A是镀在晶体上金盘的面积，r是晶体的密度(=2.684g/cm3)，m是晶体切变系数(= 2.947´ 1011 g/cm· s2)。对于我们的晶体(fo = 7.995MHz, A = 0.196 cm2)，每赫兹的频率改变相当于1.34 ng。QCM和EQCM被广泛应用于金属沉积，高分子膜中离子传递，生物传感器，以及吸附解吸动力学的研究等等。 CHI400C系列电化学石英晶体微天平含石英晶体振荡器，频率计数器，快速数字信号发生器，高分辨高速数据采集系统，电位电流信号滤波器，信号增益，iR降补偿电路，以及恒电位仪／恒电流仪（440C）。电位范围为± 10V，电流范围为± 250mA。电流测量下限低于50pA。石英晶体微天平和恒电位仪/恒电流仪集成使得EQCM测量变得十分简单方便。CHI400C系列采用时间分辨的方式测量频率的改变。传统的方法是采用频率直接计数的方法，要得到1Hz的QCM分辨率，需要1秒的采样时间。要得到0.1Hz的QCM分辨率，需要10秒的采样时间。我们是将QCM的频率和一标准频率的差值作周期测量，从而大大缩短了采样时间，提高了时间分辨。我们可在毫秒级的时间里得到1Hz或0.1Hz或更好的频率分辨。当和循环伏安法结合时，可允许在0.5V/s的扫描速度下获得QCM的信号。这对需要较快速的测量(例如动力学测量)尤为重要。允许与QCM结合的电化学实验技术包括CV，LSV，CA，i-t，CP。 400C系列在测量QCM频率变化的同时，还能测量晶体谐振网络的电阻变化。 400C系列也是相当快速的仪器。信号发生器的更新速率为10MHz，数据采集速率为1MHz。循环伏安法的扫描速度为1000V/s时，电位增量仅0.1mV。又如交流伏安法的频率可达10KHz。仪器可工作于二，三，或四电极的方式。四电极对于大电流或低阻抗电解池（例如电池）十分重要，可消除由于电缆和接触电阻引起的测量误差。由于仪器集成了多种常用的电化学测量技术，使得仪器可用作通用电化学测量，也可单独用作石英晶体微天平的测量(不同时进行电化学测量)。 CHI400C系列EQCM还包括一个特殊设计的电解池，如图1(a)所示。电解池由三块圆形的聚四氟乙烯组成。直径为35mm，总高度为37mm。最上面的是盖子，用于安装参比电极和对极。中间的是用于放溶液的池体。石英晶体被固定于中间和底下的部件之间，通过橡胶圈密封，并用螺丝固定。石英晶体的直径为13.7mm，晶体两面的中间镀有5.1mm直径的金盘电极(其它电极材料需特殊定做)。新晶体的谐振频率是7.995 MHz。 硬件参数指标： 恒电位仪恒电流仪 (Model440C)电位范围: -10to10V电位上升时间: 2微秒槽压: ± 12V三电极或四电极设置电流范围: 250mA参比电极输入阻抗: 1´ 1012欧姆灵敏度: 1´ 10-12-0.1A/V共12档量程输入偏置电流: 50pA电流测量分辨率: 1pACV的最小电位增量: 0.1mV电位更新速率: 10MHz数据采集: 16位分辨@1MHz自动及手动iR降补偿 CV和LSV扫描速度: 0.000001-5000V/s电位扫描时电位增量: 0.1mV@1000V/sCA和CC脉冲宽度: 0.0001-1000secCA和CC阶跃次数: 320DPV和NPV脉冲宽度: 0.0001-10secSWV频率: 0.1-100kHzACV频率: 0.1-10kHzSHACV频率: 0.1-5kHz自动电位和电流零位调整电流测量低通滤波器,自动或手动设置，覆盖八个数量级的频率范围旋转电极控制输出: 0-10V(430C以上型号)电解池控制输出: 通氮，搅拌，敲击最大数据长度: 256K-1,384K点可选仪器尺寸: 37cm (宽) x 23cm (深) x 12cm (高)仪器重量: 3.3kg CHI400C系列仪器不同型号的比较： 功能400C410C420C430C440C循环伏安法（CV）lllll线性扫描伏安法（LSV）#lllll阶梯波伏安法（SCV）# llTafel图（TAFEL） ll计时电流法（CA）l lll计时电量法（CC）l lll差分脉冲伏安法（DPV）# llll常规脉冲伏安法（NPV）# llll差分常规脉冲伏安法（DNPV）# l方波伏安法（SWV）# lll交流（含相敏）伏安法（ACV）# ll二次谐波交流（相敏）伏安法（SHACV）# ll电流-时间曲线（i-t） ll差分脉冲电流检测（DPA） l双差分脉冲电流检测（DDPA） l三脉冲电流检测（TPA） l控制电位电解库仑法（BE）l lll流体力学调制伏安法（HMV） l扫描-阶跃混合方法（SSF） l多电位阶跃方法（STEP） l计时电位法（CP） l电流扫描计时电位法（CPCR） l多电流阶跃（ISTEP） l电位溶出分析（PSA） l开路电压-时间曲线（OCPT）lllll 恒电流仪 lRDE控制（0-10V输出） ll任意反应机理CV模拟器 ll预设反应机理CV模拟器lll 注： #：包括相应的极谱法和溶出伏安法．用于极谱法时需要特殊的静汞电极或敲击器． *：价格不包括计算机．仪器的保修期为一年．

产品信息将光谱学与QCM-D相结合。同时使用纳米等离子体光谱技术（NPS）和耗散监测型石英晶体微天平技术（QCM-D）进行实时测量。 主要特征a、同时获得相同表面上相同样品的干质量（折射率RI）、湿质量（声学）和黏弹性的实时变化。b、使用Insplorion的纳米等离子体光谱技术（NPS）和Q-Sense的耗散监测型石英晶体微天平技术（QCM-D）在完全相同的实验条件下同时测量。c、非常容易使用当配备Q-Sense窗口模块时，Insplorion Acoulyte直接安装在Q-sense Explorer（E1）和Analyzer（E4）仪器上。Insplorion Acoulyte传感器是具有NPS结构的Q-Sensor。技术指标传感器 尺寸直径 14 mm 衬底 SiO2涂层的QCM-D传感器 表面 纳米结构金 标准涂层 Si3N4, SiO2, Al2O3, TiO2 测量特征 光源 卤钨灯 灵敏度* 0.03单分子层 测量点直径 3 mm 时间分辨率 每秒10个采样点 典型噪音 0.01 nm 波长范围 450-1000 nmQCM-D的测量不受Acoulyte的影响。 尺寸(宽度x深度x高度) Acoulyte模块 8x5x3 cm Insplorion光学单元 25x27x9 cm 软件 兼容软件 Insplorer 操作系统 兼容Microsoft Windows操作系统 数据输出格式 ASCII码文本文件格式，直接使用的任何绘图软件都兼容此格式 分析的参数 分析的参数多参数输出(比如：LSPR峰处的共振波长和消光)应用领域NPS和QCM-D的互补性测量 感应深度 NPS干质量 30 nmQCM-D湿质量 300 nmAcoulyte干质量和湿质量深度分析InsplorionNPS技术在纳米等离子体光谱技术（NPS）中，纳米结构传感器的局域表面等离激元共振技术（LSPR）用于探测邻近传感器表面（30 nm）的折射率（与光/干质量有关）的微小变化。它能够极其灵敏地检测发生在传感器/样品界面处的变化过程。分子解吸附（吸附） 时间和深度分辨测量厚膜（~1 mm）的分子解吸附（吸附）。Acoulyte也可以辨别溶胀和吸附/解吸附事件。检测到什么？ NPS 邻近表面（30 nm）的折射率变化QCM-D 整个膜的质量变化。 脂质双层膜 Acoulyte能够更详细地阐释表面薄膜的形成过程。检测到什么？ NPS 囊泡吸附时折射率增大囊泡坍塌时折射率增大QCM-D 囊泡吸附时质量增大囊泡坍塌时质量减小气体吸附/解吸附 通过QCM-D技术和NPS技术的联用，就可以实现深度分析以及研究表面支撑膜内的扩散时间和机制。检测到什么？ NPS传感器/样品界面的折射率变化。QCM-D 整个膜和膜的顶部的质量变化。