硝羟碘苄腈

4月18日，“质”造新未来，“谱”写新征程——安益谱高端质谱新品发布会在苏州举行。我国首台/套自主研发的高分辨傅里叶静电阱气质联用仪Anyeep Cassitrap 120K正式发布。　　安益谱从2004年起开始气相色谱质谱技术的自主研发，经过十多年的技术积累与沉淀，在2018年成功推出了7700高性能双腔单四极杆气质联用仪，2021年，推出了首款气相色谱串联三重四极杆质谱仪，并在2022年完成了国产液质三重四极杆产品Anyeep TQ9100的开发工作。　　此次安益谱推出的高分辨傅里叶静电阱质谱Cassitrap 120K融合了四极杆和傅里叶静电阱的优势。具有越小质量越高分辨、单谱较高动态范围、高质量精度、更高效的全谱等特点，其精确定性定量模式可以实现更高的分辨率、更准确的定量和更快的速度，并且在二硫化碳同位素结构的研究以及对18种多氯联苯的测定等应用上表现优秀。　　安益谱总经理张小华介绍，“Cassitrap120K配备了用户友好的操作界面和强大的数据处理软件，提供更便捷、高效的分析体验，能够胜任各种复杂分析任务，轻松获得信息丰富的数据和结果。无论是在科学研究、环境监测、食品安全，还是在石油化工等工业生产领域，都可以确保在化合物鉴别、定量和非靶向分析中获得极高的可靠性。”　　中国仪器仪表学会分析仪器分会理事长、中国计量科学研究院院长方向表示，致力于高端质谱的研发，一直是全体质谱人共同的梦想。Cassitrap 120K傅里叶变换静电阱高分辨气质联用仪的发布，不仅标志着我们在超高分辨率质谱领域取得了重大突破，更是中国高质量质谱技术迅猛发展的起点。期待这台仪器成为中国人的好质谱，成为人人能用得起的好质谱，期待中国质谱技术能够迅速占领市场，引领行业潮流。

p style=" text-indent: 2em " strong span style=" text-indent: 2em " 仪器信息网讯 /span /strong span style=" text-indent: 2em " 2020年1月17日，日本电子（JEOL Ltd.）消息，日本电子完成收购INTEGRATED DYNAMIC ELECTRON SOLUTIONS，INC.（总部位于美国加利福尼亚，以下称IDES）的所有股份，IDES是一家专门从事与透射电子显微镜（TEM）相关技术的创业型企业。收购后，IDES将成为日本电子全资子公司。 /span /p p style=" text-indent: 2em " strong 背景与目的 /strong /p p style=" text-indent: 2em " 正如日本电子正在实施的新的中期业务计划“三角计划2022”中概述—— strong span style=" color: rgb(0, 32, 96) " 公司将通过实施加速业务扩张的举措来推动持续和可持续的增长 /span /strong 。日本电子的旗舰产品TEM系统旨在观察原子分辨率的材料并检查其静态结构。 strong span style=" color: rgb(0, 32, 96) " IDES的独特技术将把这些TEM系统升级为“超快时间分辨的TEMs”，能够在纳秒（十亿分之一秒（10-9））到飞秒(一千万亿分之一秒(10-15秒)之间捕捉静止和动态图像，并用纳米级的空间分辨率进行记录。 /span /strong /p p style=" text-indent: 2em " span style=" color: rgb(0, 32, 96) " strong 这些创新的系统可用于探索常规TEM无法触及的动力学和量子现象。将来，该系统还可以升级以支持在生命科学领域中的应用，如蛋白质运动研究。 /strong /span /p p style=" text-indent: 2em " IDES还提供与高速静电偏转和压缩感测有关的独特技术。 span style=" color: rgb(0, 32, 96) " strong 这些技术可以作为附件集成到TEM中，以微秒级的分辨率提供最小的损坏、高通量的TEM图像采集。 /strong /span /p p style=" text-indent: 2em " 此外， span style=" color: rgb(0, 32, 96) " strong IDES的当前技术及其正在开发的未来技术将使升级冷冻电子断层扫描_、扫描和扫描透射成像技术成为可能。 /strong /span /p p style=" text-indent: 2em " span style=" color: rgb(255, 255, 255) background-color: rgb(112, 48, 160) " strong 关于IDES /strong /span /p p style=" text-align: left text-indent: 2em " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 200px height: 57px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202001/uepic/2de2900a-ac7f-40e8-9020-a5963f29bf1e.jpg" title=" ides.png" alt=" ides.png" width=" 200" height=" 57" border=" 0" vspace=" 0" / /p p br/ /p p style=" text-indent: 2em " strong 名称： /strong INTEGRATED DYNAMIC ELECTRON SOLUTIONS, INC.（集成动态电子解决方案公司） /p p style=" text-indent: 2em " strong 地址： /strong 美国加利福尼亚州普莱森顿市117单元5653号 /p p style=" text-indent: 2em " strong 成立时间： /strong 2009年 /p p style=" text-indent: 2em " span style=" color: rgb(255, 255, 255) background-color: rgb(112, 48, 160) " strong 关于日本电子 /strong /span /p p style=" text-align: left text-indent: 0em " img style=" max-width: 100% max-height: 100% width: 200px height: 92px " src=" https://img1.17img.cn/17img/images/202001/uepic/1b59b8a7-58ee-4a52-8926-50da7ac0baa7.jpg" title=" img_logo_en.png" alt=" img_logo_en.png" width=" 200" height=" 92" border=" 0" vspace=" 0" / /p p style=" text-indent: 2em " 日本电子株式会社（JEOL Ltd., 董事长：栗原 权右卫门）成立于1949年，公司的业务包括三个部分：科学/计量仪器、工业设备以及医疗器械。主要产品如下： /p p style=" text-indent: 2em " strong 科学/计量仪器 /strong /p p style=" text-indent: 2em " 电子光学设备（透射电子显微镜、 扫描电子显微镜、电子探针、 俄歇电镜、光电子谱仪和电子显微镜周边设备等） /p p style=" text-indent: 2em " 分析仪器（核磁共振谱仪、 电子自旋共振谱仪、质谱仪、(飞行时间质谱仪, 气相色谱－质谱联用仪, 液相色谱－质谱联用仪) 、 便携式气相色谱仪、气体监测仪等） /p p style=" text-indent: 2em " 计量检查仪器（扫描电子显微镜、 分析型扫描电子显微镜、电子显微镜周边设备、 复合电子束加工观察设备、 聚焦离子束加工观察设备、截面抛光仪、离子切片仪、半导体缺陷分析仪 、X射线荧光元素分析仪、手持式X射线荧光元素分析仪等） /p p style=" text-indent: 2em " strong 工业设备 /strong /p p style=" text-indent: 2em " 半导体设备（电子束光刻系统(可变矩形束电子束光刻)、电子束光刻系统(圆形电子束光刻)等） /p p style=" text-indent: 2em " 工业设备(电子束蒸镀用的电子枪及电源、大功率电子枪及电源、 内置等离子体枪及电源、产生等离子体的高频电源、高频感应热等离子体装置等) /p p style=" text-indent: 2em " strong 医疗设备 /strong /p p style=" text-indent: 2em " 医疗设备(自动分析仪、 样品传输系统、临床检查信息处理系统、 全自动氨基酸分析仪等) /p p br/ /p

style type=" text/css" .TRS_Editor P{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor DIV{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor TD{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor TH{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor SPAN{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor FONT{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor UL{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor LI{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt }.TRS_Editor A{margin-top:0px margin-bottom:12px line-height:1.8 font-family:宋体 font-size:10.5pt } /style p 　　在光学成像领域中，由于受到衍射极限的限制，常规成像分辨率难以突破200nm。生物医学、集成电路等领域对提高成像分辨率有迫切要求，如何实现更高成像分辨率成为近年来的热门研究方向之一。 /p p 　　受自然界微滴可提高成像分辨率的启发，2011年科学家提出将直径在微米级的介质微球直接放置于待测样品表面，在普通白光显微下即可达到50nm的分辨能力。介质微球超分辨显微方式以其简单灵活的特点，受到国内外广泛关注，但微球的成像对比度一直有待提高。 /p p 　　近日，中国科学院光电技术研究所研究团队发展出一种利用暗场显微有效提高成像高频成分含量的方法，具有降低成像低频成分的特点，结合微球超分辨能力，可实现更高对比度的微结构超分辨显微。该方法通过时域有限差分法模拟分析微球在不同浸没方式、浸没深度情况下的半高宽及光强值等得到更优化的超分辨能力，模拟结果如图1所示。在此基础上，通过二氧化硅和钛酸钡微球在不同浸没情况下观察特征尺寸为139nm的硅光栅结构，实验结果如图2所示。可以看出，在暗场显微时成像对比度明显得到增强。 /p p 　　研究工作得到国家自然科学基金和中科院科研装备研制项目的支持。 /p p style=" text-align:center " img alt=" " oldsrc=" W020171122565441349485.png" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201711/uepic/73b00051-a008-40d3-94d5-c45458140124.jpg" / /p p style=" text-align:center " 不同浸没深度的微球聚焦特性分析 /p p style=" text-align:center " img alt=" " oldsrc=" W020171122569039673281.png" src=" http://img1.17img.cn/17img/images/201711/uepic/f335b35f-486d-4a12-91b4-35f95acbb34a.jpg" uploadpic=" W020171122569039673281.png" / /p p style=" text-align: center " 不同照明方式的微球成像质量对比 /p