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低损耗激光镜

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低损耗激光镜相关的仪器

  • HAT500B-6, 高性能柔性低损耗微波同轴电缆, 5.20mm完成外径特性和优点:优异的弯曲性能,优良的功率表现,低损耗,优良的屏蔽性能,出色的焊接性能,更新重量,更高的性价比,典型应用:柔性连接, 测试与测量系统,野外测试系统, 结构参数内导体1.26 mm镀银铜线绞合介质——低密度PTFE外导体——铝箔+镀锡铜丝编织屏蔽护套5.20 mm弹性体,蓝色(或客户定制)电性能参数:阻抗50 Ohm最大使用频率6 GHz电容86 pF/m速率77%最大工作电压2000 VRMS机械性能参数工作温度-55 ~ +100 ℃最小静态弯曲半径16 mm最小动态弯曲半径38 mm重量45 g/mRoHS环保是衰减与功率频率 (GHz) 衰减(dB/m)2.450.64驻波比0~3 GHz≤ 1.20
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  • 一,NuPANDA 通信波段保偏光纤(780/1300/1550nm)具偏振保持电信(Telco)光纤为当今最为先进的网络应用设计。优化设计工作波段为980nm。这些光纤应用于全保偏(all PM)系统的数据传输和电信网络。公司采用自己独te的生产制造工艺和设备制作高性能的保偏光纤,和同类产品相比,在光纤的光学性能,机械性能以及几何尺寸公差控制方面都有根本性的改进和提升。弯曲不敏感系列保偏光纤能够提供在小弯曲半径的情况下提供Zui低的弯曲损耗和高偏振消光比,可以帮助用户减小器件和产品的封装尺寸。该系列保偏光纤提供250um或者400um涂覆层直径,达到200kpsi的强度测试水平。PM980-400 通信保偏光纤,PM980-400 通信保偏光纤通用参数光纤结构技术参数主要特性:&bull 严格的技术指标-高度确定性的产品性能,最高的生产效率。&bull 高的强度测试水平-降低机械处理失效风险&bull 更高的持续抗疲劳性能—最长的服务寿命应用领域:&bull 铌酸锂调制器尾纤&bull 偏振模式色散补偿器件&bull 拉曼增益模块&bull 传感系统等&bull 保偏光纤器件参数单位指标型号PM980-XPPM980B-XPPM980-400PM980B-400工作波长nm970-1550970-1550970-1550970-1550纤芯数值孔径NA0.1200.1200.1200.120模场直径MFD @ 980nmum6.6±0.56.6±0.56.6±0.56.6±0.5最大弯曲损耗 @980nm25mm直径 10 turnsdBN/A0.5N/A0.5截止波长nm920±50920±50920±50920±50纤芯衰减 @ 980nmdB/km≤ 2.5≤ 2.5≤ 2.5≤ 2.5归一化串扰 @ 4m 980nmdB≤ -40≤ -40≤ -40≤ -40归一化串扰 @100m 980nmdB≤ -30≤ -30≤ -30≤ -30拍长 @ 980nmmm≤ 2.7≤ 2.7≤ 2.7≤ 2.7弯曲串扰@980nm25mm OD, 10 turnsdBN/A-30N/A-30包层直径um125.0±1.0125.0±1.0125.0±1.0125.0±1.0纤芯直径um5.55.55.55.5涂覆层直径um245.0±15.0245.0±15.0400.0±15.0400.0±15.0纤芯/包层同心度偏差um≤ 0.50≤ 0.50≤ 0.50≤ 0.50涂覆层同心度um 5.0 5.0 5.0 5.0涂覆层材料UV Cured Dual AcrylateUV Cured Dual AcrylateUV Cured Dual AcrylateUV Cured Dual Acrylate工作温度℃-40 ~ +85-40 ~ +85-40 ~ +85-40 ~ +85强度测试水平kpsi≥200 (1.4GN/m2)≥200 (1.4GN/m2)≥200 (1.4GN/m2)≥200 (1.4GN/m2)二,NuPANDA 紫外到可见光 保偏光纤领xian的短波长,纯二氧化硅纤芯偏振保持光纤具有出色的波导性能,抗辐射性能和机械特性,能够满足不同市场的各种应用需求,公司对光纤的高度一致性和极其严格的端对端(end-to-end)光学性能控制使得该光纤在光谱形状和频率敏感的应用领域具有突出的性能优势。纯二氧化硅纤芯的设计能够满足紫外(UV)和可见(Visible)光谱长距离传输领域的更高要求,纯二氧化硅纤芯的采用能够进一步降低这一波段的光纤传输损耗;同时能够避免辐照导致的光纤系统损害和色心形成(Color Center Formation).这些重要的特性保证了该系列光纤在紫外到可见光波段的重要应用。PM630-HP 紫外到可见光 纯硅芯保偏光纤,PM630-HP 紫外到可见光 纯硅芯保偏光纤通用参数光纤结构技术参数主要特性:&bull PANDA型结构-出色的性能,本身具有良好的抗辐射性能&bull 严格的技术指标-高度确定性的产品性能,最高的生产效率。&bull 高的强度测试水平-降低机械处理失效风险&bull 更高的持续抗疲劳性能—最长的服务寿命应用领域:&bull 激光器尾纤&bull 光谱学&bull 传感器&bull 生物医学&bull 气象学参数单位指标产品编号PM630-HP工作波长nm620-850纤芯数值孔径NA0.120模场直径MFD @630nm (高斯)um4.5±0.5截止波长nm570±50纤芯衰减 @ 630nmdB/km≤ 15.0拍长 @ 630nmmm1.8双折射3.5x10-4包层直径um125.0±1.0纤芯直径um3.5涂覆层直径um245.0±15.0纤芯/包层同心度偏差um≤ 0.5涂覆层同心度um 5.0强度测试水平kpsi≥200 (1.4GN/m2)涂覆层材料UV Cured Dual Acrylate工作温度℃-40 ~ +85三,NuPANDA 通信级低损耗保偏光纤(用于光纤耦合器)公司具有优秀的偏振保持光纤产品线,保偏光纤包括单模,多模,双包层的设计。用于通信级的Panda型偏振保持光纤设计波长从980nm到1620nm。应用于所有电信和数据传输的保偏系统。 公司采用自己独te的生产制造工艺和设备制作高性能的保偏光纤,和同类产品相比,在光纤的光学性能,机械性能以及几何尺寸公差控制方面都有根本性的改进和提升。NuPanda系列保偏光纤更高的强度和持续抗疲劳性能确保用户提高产品的批次一致性,得到更高的生产效率。用于光纤耦合器的低损耗偏振保持光纤PM980C-HP和PM14xxC-HP展示出出色的性能,耦合器插损耗和普通保偏光纤相比降低一个数量级,同时这些光纤依然保持了出色偏振控制能力。PM14xxC-HP 低损耗耦合器保偏光纤,PM14xxC-HP 低损耗耦合器保偏光纤通用参数光纤结构技术参数主要特性:&bull 大幅度降低插入损耗-降低系统成本&bull 高的强度测试水平(200kpsi)-降低机械处理失效风险&bull 更高的持续抗疲劳性能—最长的服务寿命应用领域:&bull 耦合器和合束器&bull 泵浦合束器&bull 拉曼增益模块参数单位指标型号PM14xxC-HP工作波长(一般情况下)nm1390-1625纤芯数值孔径NA0.125模场直径MFD @ 1450nmum9.8±0.8模场直径MFD @ 1550nmum10.4±0.8截止波长nm1320±60纤芯衰减 @ 1450nmdB/km≤ 1.0纤芯衰减 @ 1550nmdB/km≤ 1.0归一化串扰 @2m 1550nmdB≤ -37.0归一化串扰 @100m 1550nmdB≤ -20.0包层直径um125.0±1.0纤芯直径um8.0涂覆层直径um245.0±15.0纤芯/包层同心度偏差um≤ 0.5涂覆层同心度um 5.0强度测试水平kpsi≥200 (1.4GN/m2)涂覆层材料UV Cured Dual Acrylate工作温度℃-40 ~ +85
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  • 一, GTI 啁啾激光反射镜 1030nmGIRES-TOURNOIS-INTERFEROMETER (GTI)啁啾反射镜用于短脉冲激光器(如Yb:YAG或Yb:KGW激光器)中的脉冲压缩。筱晓还为钛宝石波长范围和其他近红外光谱范围的飞秒激光提供GTI反射镜。与棱镜压缩器相比,GTI反射镜减少了腔内损耗。GTI 啁啾激光反射镜 1030nm,GTI 啁啾激光反射镜 1030nm通用参数特点&bull 非常高的反射率&bull 中心波长、带宽和GDD符合客户规格请注意,带宽和GDD是紧密相连的。&bull 负GDD的高值会导致非常窄的带宽光谱&bull 公差为中心波长的±1%。&bull 内部设计计算和测量能力(GDD 250–1700 nm,CRD 210–1800 nm的反射率测量)产品应用● 脉冲压缩● 超快激光器● 光通道诊断 参数材质红外级熔融石英 Infrasil形状圆形直径(Ø )12.7,25.4 mm ,50.8(-0.1 mm)厚度(t)6.35 mm (±0.1 mm)边缘厚度6.35 mm平行度5ʹ 光学参数 正面(S2)光学参数 背面(S1)形状凹面形状平面曲率半径1,000 mm (±1 %)倒角0.3 mm (±0.1 mm)倒角0.3 mm (±0.1 mm)测试区 Ø e20测试区 Ø e20曲面容差3/0.2(0.2) [L/10 @546.1nm]曲面容差3/-(0.2) [L/10 reg. @546.1nm]清洁度5/2x0.04 L1x0.004清洁度5/2x0.04 L1x0.004 内部测试区Ø e 10清洁度 5/2x0.016//5minS1: commercial polish | chamfer 0.3 uncoatedS2(^): Ø e10 | 3/0.2(0.2) [L/10] | 5/2x0.025 L1x0.004 | chamfer 0.3 HRu(10°,1030nm)99.9% GDD-Rp(10°,1030nm)= -2500(±500)fs² 有关操作功率【1】 [1]. ≈ 0.1 J/cm² , 800 nm, 150 fs,Measurements were performed at Laser Zentrum Hannover相关测试GTI&thinsp -&thinsp MIRRORS 应用在Yb:YAG&hairsp - AND Yb:KGW-&hairsp LASERS图4:GDD(0°-10°,1030 nm)~-700 fs2的后侧GTI后视镜的GDD光谱。反射镜通过正面有AR涂层的基板进行照射。背面GTI反射镜对表面污染不敏感,表面污染有时会扭曲正面GTI反射镜的GDD光谱二, 光腔衰荡低色散高反射镜片,标准版激光反射镜 1550nm损耗急低的激光光学器件,对于要求急低损耗的镀膜光学器件应用, 筱晓光子可提供R 99.995 %、总损失小于10 ppm的反射镜。此类超级反射镜片可用于环形激光器陀螺仪组件或光腔衰荡应用。对超抛光基材加工低吸收、低散射镀膜时,我们会采用改进型IBS镀膜机。而为了保证清洁度,此类机器会存放在专用的超清洁室内,并且与生产相关的基材预处理和后期处理流程全部在此清洁室内完成。 此外,超清洁室内还配置有多种测量设备,如检测流程所使用的白光表面光度仪和高分辨率显微镜。利用定制光腔衰荡设置可以确定反射量(精度可达小数点后四位)以及损耗。 而测定以上数值必须使用表面粗糙度小于 1 &angst rms的超抛光基材。为了保证反射镜成品的品质,还会使用白光表面光度仪进行质量检测光腔衰荡低色散高反射镜片,标准版激光反射镜 1550nm,光腔衰荡低色散高反射镜片,标准版激光反射镜 1550nm技术参数产品特点:低损耗可定制不同尺寸入射角:0deg/45deg可选 应用领域:TDLAS光腔衰荡 产品名称140977 标准版激光反射镜类别低色散激光镜片激光器类别Yb:YAG-激光器激光器类型Nd:YAG-激光器涂覆层材料(下面)137683涂覆层材料(背面)140851光学参数材质红外硅302形状圆形直径(Ø )25 mm (-0.1 mm)厚度(t)6.35 mm (±0.1 mm)边缘厚度6.35 mm平行度5ʹ 光学参数 正面(S2)光学参数 背面(S1)形状凹面形状平面曲率半径1,000 mm (±1 %)倒角0.3 mm (±0.1 mm)倒角0.3 mm (±0.1 mm)测试区 Ø e20测试区 Ø e20曲面容差3/0.2(0.2) [L/10 @546.1nm]曲面容差3/-(0.2) [L/10 reg. @546.1nm]清洁度5/2x0.04 L1x0.004清洁度5/2x0.04 L1x0.004内部测试区Ø e 10清洁度 5/2x0.016涂覆层规格 正面(S2) (137683)涂覆层规格 背面(S1) (140851)1st 工作范围 高反射(0°,1550nm)99.99%1st 工作范围 减反射(0°,1450-1650nm)0.2%类别 高反射率偏振 unpol.入射角 0°波长范围 1550 nm高反射 99.99 %类别 减反射偏振 unpol.入射角 0°波长范围 1450 - 1650 nm AR / HT 0.2 %2nd 工作范围 T(0°,1550nm)~0.005%类别 透射率偏振 unpol.入射角 0°波长范围 1550 nmHT ~ 0.005 %三, LAYERTEC 低损耗超高激光反射 平面镜 1550nm损耗急低的激光光学器件,对于要求急低损耗的镀膜光学器件应用, 筱晓光子可提供R 99.995 %、总损失小于10 ppm的反射镜。此类超级反射镜片可用于环形激光器陀螺仪组件或光腔衰荡应用。对超抛光基材加工低吸收、低散射镀膜时,我们会采用改进型IBS镀膜机。而为了保证清洁度,此类机器会存放在专用的超清洁室内,并且与生产相关的基材预处理和后期处理流程全部在此清洁室内完成。 此外,超清洁室内还配置有多种测量设备,如检测流程所使用的白光表面光度仪和高分辨率显微镜。利用定制光腔衰荡设置可以确定反射量(精度可达小数点后四位)以及损耗。 而测定以上数值必须使用表面粗糙度小于 1 &angst rms的超抛光基材。为了保证反射镜成品的品质,还会使用白光表面光度仪进行质量检测LAYERTEC 低损耗超高激光反射 平面镜 1550nm, LAYERTEC 低损耗超高激光反射 平面镜 1550nm通用参数产品特点:低损耗可定制不同尺寸入射角:0deg 应用领域:TDLAS光腔衰荡 产品名称149595标准版激光平面反射镜类别低损耗光学器件涂覆层材料(下面)137683涂覆层材料(背面)140851光学通用参数材质Infrasil 302形状圆形直径(Ø )25 mm (-0.1 mm)厚度(t)6.35 mm (±0.1 mm)平行度5ʹ 光学参数 正面(S2)光学参数 背面(S1)形状平面形状平面倒角0.3 mm (±0.1 mm)倒角0.3 mm (±0.1 mm)测试区(Test area) Ø e21测试区(Test area) Ø e21表面形状公差3/0.2(0.2) [L/10 @546.1nm]表面形状公差3/0.2(0.2) [L/10 @546.1nm]清洁度5/1x0.04 L1x0.004清洁度5/1x0.04 L1x0.004涂层规格正面(S2)(137683)涂层规格后侧(S1)(140851)1st 工作范围HR(0°,1550nm)99.99%1st 工作范围 减反射(0°,1450-1650nm)0.2%类别 高反射率偏振 unpol.入射角 0°波长范围 1550 nmHR 99.99 %类别 减反射(Anti-Reflectance)偏振 unpol.入射角 0°波长范围 1450 - 1650 nm AR / HT 0.2 %2nd 工作范围 T(0°,1550nm)~0.005%类别 透射率(Transmittance)偏振 unpol.入射角 0°波长范围 1550 nmT ~ 0.005 %涂层137683 低损耗反射镜für腔衰荡测量PR(0°,1550nm)99.99%温度(0°,1550nm)~50 ppm带宽(PR99,99%)~130nm精度CWL(产品误差)+/-20 nm图1计算的反射(具有典型吸收损耗,无散射光)_____理论----/……生产误差四,超光滑超高反射率(>99.99%) 反射镜 1572nm环形激光陀螺仪组件或某些科学应用中的所谓超级镜需要具有急低损耗(即吸收和散射)的镀膜光学元件。这些反射镜还具有 R 99.998% 和总损耗 10 ppm 的最大反射率。筱晓使用德国改进的 IBS 机器,能够在超抛光基材上生产涂层。机器和环境的清洁度在专用的超净室中保持,并在此进行广泛的基材预处理和后处理。用于检查程序的测量设备,例如白光轮廓仪和高分辨率显微镜(高达 x 1000)已经到位。定制的腔衰荡设置允许以最多四位小数的精度确定反射并参考损耗。超光滑超高反射率(>99.99%) 反射镜 1572nm,超光滑超高反射率(>99.99%) 反射镜 1572nm通用参数 型号列表 波长基片材料数量直径(英寸)曲率反射率入射角光楔PN #2327Infrasil 30270.5"1m ROC  99.99  %0NoneCRD-126-49-23272004Infrasil 30231.0"1m ROC  99.99  %0NoneCRD-246-49-20042050Infrasil 30210.5"1m ROC  99.99  %0NoneCRD-126-49-20501742Infrasil 30250.5"1m ROC  99.99  %0NoneCRD-126-49-17421650Corning 798050.5"1m ROC  99.99  %0NoneCRD-126-49-16501600Corning 798090.5"1m ROC  99.99  %0NoneCRD-126-49-16001550Corning 7980100.5"1m ROC99.99%0NoneCRD-126-49-15501550Corning 798021.0"1m ROC99.99%0NoneCRD-246-49-15501512Corning 798020.5"1m ROC99.99%0NoneCRD-126-49-15121434Infrasil 30211.0"1m ROC99.99%0NoneCRD-246-49-14340760Corning 798010.5"1m ROC  99.995  %0NoneCRD-126-49-07600760Corning 798041.0"1m ROC  99.995  %0NoneCRD-126-49-07601392Corning 798010.5"1m ROC  99.99  %030ʹ CRD-126-49-13920633Corning 798011.0"1m ROC  99.99  %0NoneCRD-246-49-06331064Corning 798011.0"1m ROC  99.99  %0NoneCRD-246-49-1064 技术参数位于耶拿的弗劳恩霍夫应用光学和精密工程研究所测量了我们当前生产的 633 nm 超级镜的总背散射(TSB,如 ISO 13696 中所述),并达到了 TSB = 1.1 ppm 的值。 15 ppm 的典型吸收和剩余透射率合计相当于至少 99.998% 的反射率。对于更长的波长,甚至可以达到 99.999%,这非常接近 R = 100% 的完quan激光镜。 结果已通过我们的内部腔衰荡设置和散射测量得到证实。对于上述值,使用表面粗糙度 1 &angst rms 的超抛光基板是必要的。用白光轮廓仪检查它们的质量。下面是一些测量值:Scatter TSBAbsorptionReflection CRDHR 532 nm&thinsp /&thinsp 0°4.9 ppm1) (int. ARS)10.2 ppm 2) 99.997% 2) (T~5 ppm)HR 633 nm&thinsp /&thinsp 0°1.1 ppm 1) 99.998% (T~5 ppm)HR 1064 nm&thinsp /&thinsp 0°( 1 ppm) 3) 2 ppm 4) 99.999% (T~5 ppm)HR 2940 nm&thinsp /&thinsp 0°24 ±12 ppm6)99.994% 5) (T=36 ppm)1) Measured at IOF Jena 2) Measured at LZH 3) Calculated from surface roughness 4) Measured at ILT Aachen 5) measured by customer 6) 1-R-T 特点&bull 非常高的反射率(在可见光和近红外光谱范围内R 99.99%&bull R 99.999% 在1000 – 1600 nm 之间的几个波长处得到证实)&bull 中心波长可以定制(起订量:6片)&bull 所有用于 CRD 实验的反射镜都带有背面增透膜&bull 平面和球形弯曲熔融石英基材&bull 优质抛光,RMS 粗糙度:≤ 1.5 &angst 产品应用● 激光陀螺●CRD 腔衰荡系统设计● 光通道诊断 参数材质红外级熔融石英 Infrasil形状圆形直径(Ø )12.7,25.4 mm ,50.8(-0.1 mm)厚度(t)6.35 mm (±0.1 mm)边缘厚度6.35 mm平行度5ʹ Guaranteed RoughnessFlatnessAvailabilityPremiumRMS0.2 nm*(2&angst )入/20Ø 12.7-25 mmalways 2,000 pcs.on stock(various radii and plane)superpolishedRMS0.1 nm*(1&angst )入/10on request* Tested with Zygo NewView 9000 within sample length 3- 1000 um 光学参数 正面(S2)光学参数 背面(S1)形状凹面形状平面曲率半径1,000 mm (±1 %)倒角0.3 mm (±0.1 mm)倒角0.3 mm (±0.1 mm)测试区 Ø e20测试区 Ø e20曲面容差3/0.2(0.2) [L/10 @546.1nm]曲面容差3/-(0.2) [L/10 reg. @546.1nm]清洁度5/2x0.04 L1x0.004清洁度5/2x0.04 L1x0.004 我们的测试方案:相关测试图1测量波长范围 1250 – 1450 nm 的低损耗反射镜的反射率和透射率光谱 a) 反射率与波长的关系b) 透射率与波长的关系 表 1:低损耗反射镜的反射率和透射率值;通过腔衰荡光谱测量的反射率,AOI=0°直接测量光学损失图 2:1550 nm 的低损耗反射镜的反射率、透射率和损耗光谱 a) 针对最高反射率进行了优化(透射率 ~ 0)b) 设计用于 T ≈ S + A 内部测试设备:五, LAYERTEC 低损耗超高激光反射 平面镜 1600-1700nm 反射率99.99%损耗极低的激光光学器件,对于要求极低损耗的镀膜光学器件应用, 筱晓光子可提供R 99.995 %、总损失小于10 ppm的反射镜。此类超级反射镜片可用于环形激光器陀螺仪组件或光腔衰荡应用。对超抛光基材加工低吸收、低散射镀膜时,我们会采用改进型IBS镀膜机。而为了保证清洁度,此类机器会存放在专用的超清洁室内,并且与生产相关的基材预处理和后期处理流程全部在此清洁室内完成。 此外,超清洁室内还配置有多种测量设备,如检测流程所使用的白光表面光度仪和高分辨率显微镜。利用定制光腔衰荡设置可以确定反射量(精度可达小数点后四位)以及损耗。 而测定以上数值必须使用表面粗糙度小于 1 &angst rms的超抛光基材。为了保证反射镜成品的品质,还会使用白光表面光度仪进行质量检测LAYERTEC 低损耗超高激光反射 平面镜 1600-1700nm 反射率99.99% ,LAYERTEC 低损耗超高激光反射 平面镜 1600-1700nm 反射率99.99%型号参数激光反射镜Laser Mirror:Fused silica | plane Ø =25.0mm | te=6.35mm | //5minS1: AR(0°,1600-1700nm)0.25%S2(^): HR(0°,1600-1700nm)99.99% (low loss)T(0°,1650nm)~0.002%曲线图产品特点低损耗可定制不同尺寸入射角:0deg产品应用TDLAS光腔衰荡通用参数
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  • 介质损耗因数测量仪 400-860-5168转3024
    介质损耗因数测量仪 双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。 双测试要素输入 - 测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。介质损耗因数测量仪 作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器,测试频率上限达到目前国内高的160MHz。介质损耗因数测量仪 技术参数:1.Q值测量a.Q值测量范围:2~1023。b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。c.标称误差 频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz): 固有误差:≤5%±满度值的2% 固有误差:≤6%±满度值的2% 工作误差:≤7%±满度值的2% 工作误差:≤8%±满度值的2%2.电感测量范围:4.5nH~7.9mH3.电容测量:1~205 主电容调节范围:18~220pF 准确度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1% 注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明4. 信号源频率覆盖范围 频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz, CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,5.Q合格指示预置功能: 预置范围:5~1000。6.B-测试仪正常工作条件a. 环境温度:0℃~+40℃;b.相对湿度:80%;c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。7.其他a.消耗功率:约25W;b.净重:约7kg;c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。 测试注意事项 a.本仪器应水平安放; b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟; c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调; d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差; e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫; f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。 影响介电性能的因素 下面分别讨论频率、温度、湿度和电气强度对介电性能的影响。1频率 因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的 。r和 tans几乎是恒定的,且被用作工程电介质材料,然而一般的电介质材料必须在所使用的频率下测量其介质损耗因数和电容率。 电容率和介质损耗因数的变化是由于介质极化和电导而产生,重要的变化是极性分子引起的偶极子极化和材料的不均匀性导致的界面极化所引起的.2温度 损耗指数在一个频率下可以出现一个大值,这个频率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的,这取决于在测量温度下的介质损耗指数大值位置。3湿度 极化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加,其结果使电容率、介质损耗因数和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的. 注:湿度的显著影响常常发生在 1MHz以下及微波频率范围内4电场强度 存在界面极化时,自由离子的数目随电场强度增大而增加,其损耗指数大值的大小和位置也随此而变。 在较高的频率下,只要电介质中不出现局部放电,电容率和介质损耗因数与电场强度无关 测量方法的选择: 测量电容率和介质损耗因数的方法可分成两种:零点指示法和谐振法。1 零点指示法适用于频率不超过50 MHz时的测量。测量电容率和介质损耗因数可用替代法 也就是在接人试样和不接试样两种状态下,调节回路的一个臂使电桥平衡。通常回路采用西林电桥、变压器电桥(也就是互感藕合比例臂电桥)和并联 T型网络。变压器电桥的优点:采用保护电极不需任何外加附件或过多操作,就可采用保护电极 它没有其他网络的缺点。2 谐振法适用于10 kHz一几百MHz的频率范围内的测量。该方法为替代法测量,常用的是变电抗法。但该方法不适合采用保护电极。 注:典型的电桥和电路示例见附录。附录中所举的例子自然是不全面的,叙述电桥和侧量方法报导见有关文献和该种仪器的原理说明书。 试验报告 试验报告中应给出下列相关内容: 绝缘材料的型号名称及种类、供货形式、取样方法、试样的形状及尺寸和取样 日期(并注明试样厚度和试样在与电极接触的表面进行处理的情况) 试样条件处理的方法和处理时间 电极装置类型,若有加在试样上的电极应注明其类型 测量仪器 试验时的温度和相对湿度以及试样的温度 施加的电压 施加的频率 相对电容率ε(平均值) 介质损耗因数 tans(平均值) 试验 日期 相对电容率和介质损耗因数值以及由它们计算得到的值如损耗指数和损耗角,必要时,应给出与温度和频率的关系。 特点: ◎ 本公司创新的自动Q值保持技术,使测Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。 ◎ 能对固体绝缘材料在10kHz~120MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。 ◎ 调谐回路残余电感值低至8nH,保证100MHz的(tanδ)和(ε)的误差较小。 ◎ 特制LCD屏菜单式显示多参数:Q值,测试频率,调谐状态等。 ◎ Q值量程自动/手动量程控制。 ◎ DPLL合成发生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz测试信号。独立信号 源输出口,所以本机又是一台合成信号源。 ◎ 测试装置符合国标GB/T 1409-2006,美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。 介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好 概念:电介质在外电场作用下,其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。 主要技术特性:介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据;仪器的基本原理是采用高频谐振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制,测量核心采用了频率数字锁定,标准频率测试点自动设定,谐振点自动搜索,Q值量程自动转换,数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至低,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。 使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。1.测试注意事项a.本仪器应水平安放;b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。2.高频线圈的Q值测量(基本测量法) 原始包装:请保留所有的原始包装材料,如果机器必须回厂维修,请用原来的包装材料包装。并请先与制造厂的维修中心联络。送修时,请务必将全部的附件一起送回,请注明故障现象和原因。另外,请在包装上注明“易碎品”请小心搬运。 安全注意事项:开机之前,敬请仔细阅读本 使用指南,以防止出现对操作人员的意外伤害或对仪器的损坏等的事件。操作前,请阅读“安装与设置”,保证对仪器各部件的正确安装与连接。在*次操作前,务必请有操作经验的人员进行指导,防止误操作造成意外事件的发生。电击危险: 确保在安装或维修该仪器之前使所有导线断电,防止在带电情况下,对人员或设备造成伤害。 注意事项: 1、该仪器初始的包装材料需小心保存,安装需由本公司的专业技术人员进行操作。2、若仪器由于任何原因必须返修,必须将其装入原纸箱中以防运输途中损坏。3、在开机前,操作者要首先熟悉操作方法。 电性能检测仪器:介电强度测试仪、体积表面电阻率测试仪、介电常数介质损耗测试仪、漏电起痕试验仪、耐电弧试验仪;塑料橡胶性能检测仪器:无转子硫化仪、门尼粘度试验机、热变形维卡温度测定仪、简支梁冲击试验机、毛细管流变仪、橡胶塑料滑动摩擦试验机物理性能检测仪器:氧指数测定仪、水平垂直燃烧试验机、熔体流动速率测定仪、低温脆性测试仪力学性能试验机:试验机北广其他检测海绵仪器:海绵泡沫压陷硬度测试仪、海绵泡沫落球回弹测试仪、海绵泡沫压缩变形试验仪另外我公司有:环境测试仪器、生物制药测试仪器、动物行为测试仪、环境监测试验仪
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  • 材料介电常数介质损耗测试仪HRJD技术参数:1.Q值测量a.Q值测量范围:2~1023。b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。c.标称误差 频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz): 固有误差:≤5%±满度值的2% 固有误差:≤6%±满度值的2% 工作误差:≤7%±满度值的2% 工作误差:≤8%±满度值的2%2.电感测量范围:4.5nH~7.9mH3.电容测量:1~205 主电容调节范围:18~220pF 准确度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1% 注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明4. 信号源频率覆盖范围 频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz, CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,5.Q合格指示预置功能: 预置范围:5~1000。6.B-测试仪正常工作条件a. 环境温度:0℃~+40℃;b.相对湿度:80%;c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。存在界面极化时,自由离子的数目随电场下,只要电介质中不出现局部放电,电容率和介质损耗因数与电场强度无关.电容器安装运行海拔不超过1000米 使用周围空气温度于±3%电容器温度系数 ≤ 3×10-5 /℃电容器压力系数 ≤ 3×10-3Mpa电容器的损耗角正切值不大于 1×10-5 、2×10-5 、5×10-5 三档。电容器内充SF6气体。在20℃时 压力为0.4±0.1MpaRY2电极材料介电常数介质损耗测试仪HRJD电桥测量灵敏度 电桥在使用过程中,灵敏度直接影响电桥平稳衡的分辨程度,为保证测量准确度,希望电桥灵敏度达到一定的水平。通常情况下电桥灵敏度与测量电压,标准电容量成正比。 在下面的计算公式中,用户可根据实际情况估算出电桥灵敏度水平,在这个水平上的电容与介质损耗因数的微小变化都能够反应出来。 ΔC/C或Δtgδ=Ig/UωCn(1+Rg/R4+Cn/Cx)式中: U 为测量电压 伏特 (V) ω为角频率2πf=314(50Hz) Cn标准电容器容量 法拉(F) Ig通用指零仪的电流5×10-10 安培(A) Rg平衡指零仪内阻约1500 欧姆(Ω) R4桥臂R4阻值3183 欧姆(Ω) Cx被测试品电容值 法拉(pF)材料介电常数介质损耗测试仪HRJD特点:1 优化的测试电路设计使残值更小2 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术3 LED 数字读出品质因数,手动/自动量程切换4 自动扫描被测件谐振点,标频单键设置和锁定,大大提高测试速度材料介电常数介质损耗测试仪HRJD使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。1.测试注意事项a.本仪器应水平安放;b.如果你需要较准确地测量,请接通电源后,预热30分钟;c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。计算公式Cx=R4× Cn / R3 R4[Ω] R3[Ω] Cn[pF] Cx[pF]tgδ=ωR4C4 R4[Ω] C4[F]当R4=10K/πtgδ=C4当R4=1K/πtgδ=0.1C4我们采取相对固定R4电阻,分别调节R3和C4使桥跟平衡,从而测得试品的电容值Cx和介质损耗tg。本电桥为了直读出损耗值,取电阻R4的阻值为角频率(f=50Hz)若干倍。正常工作条件a. 环境温度:0℃~+40℃;b.相对湿度:80%;c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。d.消耗功率:约25W;e.净重:约7kg;f. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。材料介电常数介质损耗测试仪HRJD特点:1 优化的测试电路设计使残值更小2 高频信号采用数码调谐器和频率锁定技术3 LED 数字读出品质因数,手动/自动量程切换4 自动扫描被测件谐振点,标频单键设置和锁定,大大提高测试速度使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。1.测试注意事项a.本仪器应水平安放;b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。2.高频线圈的Q值测量(基本测量法)电感:线圈号 测试频率 Q值 分布电容p 电感值 9 100KHz 98 9.4 25mH 8 400KHz 138 11.4 4.87mH 7 400KHz 202 16 0.99mH 6 1MHz 196 13 252μH 5 2MHz 198 8.7 49.8μH 4 4.5MHz 231 7 10μH 3 12MHz 193 6.9 2.49μH 2 12MHz 229 6.4 0.508μH 1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外,表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗。在结构紧密的陶瓷中,介质损耗主要来源于玻璃相。为了改善某些陶瓷的工艺性能,往往在配方中引人此易熔物质(如黏土),形成玻璃相,这样就使损耗增大。如滑石瓷、尖晶石瓷随黏土含量增大,介质损耗也增大。因面一般高频瓷,如氧化铝瓷、金红石等很少含有玻璃相。大多数电陶瓷的离子松弛极化损耗较大,主要的原因是:主晶相结构松散,生成了缺固济体、多品型转变等。漏导损耗实际使用中的绝缘材料都不是完善的理想的电介质,在外电场的作用下,总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流,这种微小电流称为漏导电流,漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。由于实阿的电介质总存在一些缺陷,或多或少存在一些带电粒子或空位,因此介质不论在直流电场或交变电场作用下都会发生漏导损耗。介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。
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  • 漆膜介质损耗因数测试仪电感测量:a.测量范围:14.5nH~8.14H。b.分 档:分七个量程。 0.1~1μH, 1~10μH, 10~100μH, 0.1~lmH, 1~10mH, 10~100mH, 100 mH~1H。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。主要配置:a.测试主机一台;b.电感9只;c.夹具一 套漆膜介质损耗因数测试仪使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。1.测试注意事项a.本仪器应水平安放;b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。2.高频线圈的Q值测量(基本测量法)电感:线圈号 测试频率 Q值 分布电容p 电感值 9 100KHz 98 9.4 25mH 8 400KHz 138 11.4 4.87mH 7 400KHz 202 16 0.99mH 6 1MHz 196 13 252μH 5 2MHz 198 8.7 49.8μH 4 4.5MHz 231 7 10μH 3 12MHz 193 6.9 2.49μH 2 12MHz 229 6.4 0.508μH 1 25MHz,50MHz 233,211 0.9 0.125μH 安全措施(1)高压保护:试品短路、击穿或高压电流波动,能迅速切断高压输出。(2)CVT保护:设定自激电压的过流点,一旦超出设置的电流值,仪器自动退出测量,不会损坏设备。(3)接地检测:仪器有接地检测功能,未接地时不能升压测量。(4)防误操作:具备防误操作设计,能判别常见接线错误,安全报警。(5)防“容升”:测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升”效应,仪器能自动跟踪输出电压,保持试验电压恒定。高频电桥由于它不再是一个高压电桥,因此承受电压U1的臂能容易地引人可调元件 替代法在此适用 还应指出,带有分开的初级绕组的电桥允许电源和检测器互换位置。其平衡与在次级绕组中对应的安匝数的补偿相符.售后服务。1、保修期内非人为损坏的零部件免费更换,保修期内接到用户邀请后, 迟响应时间为4小时内,在与用户确认故障后,我公司会在48小时内派工程师到达现场进行免费服务,尽快查清故障所在位置和故障原因,并向用户及时报告故障的原因和排除办法。2、提供实时的远程诊断和维护服务。3、每年进行客户回访。4、保修期外继续为用户提供优质技术服务,在接到用户维修邀请后2天内派工程师到达用户现场进行维修。并享有优惠购买零配件的待遇。5、保修期内人为损坏的零部件按采购(加工)价格收费更换。6、软件升级:终生免费提供新版本控制软件。7、安装及调试合格后,自客户签字认可之日起,我方对于提供的产品免费保修三年。保修期满后,我方将继续跟踪服务,客户享受终生维修,负责及时提供必要的售后服务、技术咨询。8、提供适用、详细、全面的中文产品说明书和维修手册。9、产品交货期:尽量按用户要求,若有特殊要求,需提前完工的,我公司可特别组织生产、安装,力争满足用户需求。10、响应时间:保修期内,产品若发生故障,在接到贵公司报修后,24小时内帮客户解决问题。 11、服务体系:作为设备供应商本公司对本次招标所提供的产品提供保障体系: 当设备出现故障,必要时将派指定的专业技术员在规定时间内上门维修或寄修,产生的运费由本公司承担。12、产品价格承诺 1、在同等竞争条件下,我公司在不以降低产品技术性能、更改产品部件为代价的基础上,真诚以 优惠的价格提供给贵方。 2、在保修期内供方将免费维修和更换属质量原因造成的零部件损坏,保修期外零部件的损坏,提供的配件只收成本费,由需方人为因素造成的设备损坏,供方维修或提供的配件均按成本价计。 13、售后服务保证 公司实力保障:本公司有完善的售后服务体系 14、保修承诺:我司对本次协议供货有效期内所提供的所有产品保质期 ,有效期内所提供的产品,提供正常工作日全天侯服务,终身技术服务支持。 安全措施(1)高压保护:试品短路、击穿或高压电流波动,能迅速切断高压输出。(2)CVT保护:设定自激电压的过流点,一旦超出设置的电流值,仪器自动退出测量,不会损坏设备。(3)接地检测:仪器有接地检测功能,未接地时不能升压测量。(4)防误操作:具备防误操作设计,能判别常见接线错误,安全报警。(5)防“容升”:测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升”效应,仪器能自动跟踪输出电压,保持试验电压恒定。
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  • 高频/音频介电常数介质损耗测试仪操作规程:  1、本仪器必须有专人负责保管,使用,非专职操作者应在使用前了解和熟悉本说明书,以免造成不必要的损失和事故。  2、每次使用前应仔细检查接地线是否完好,确保以后方可通电使用。  3、接通电源前应将灵敏度开关调到低位置。  4、测量试品前应先对试品进行高压试验,在电桥工作电压下无噪声,电离等现象出现,然后才能进行测试(若试品己做过高压试验,该项可不必每次测量都做)。  5、对试品施加高压时缓慢升高,不可以加突变电压。  6、测试时操作人员必须集中思想,工作前做好一切准备工作,测试地点周围应有明显的标记或金属屏蔽围成高压危险区,以防止非操作人员闯入。  7、在测量过程中,如有放电管发光时,则必须及时切断电源,仔细检查接线及试品都无击穿,待检查排除故障后,再进行高压测量工作。高频/音频介电常数介质损耗测试仪使用方法  高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。  1.测试注意事项  a.本仪器应水平安放;  b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;  c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;  d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;  e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;  f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。  2.高频线圈的Q值测量(基本测量法)  技术参数:  1.Q值测量  a.Q值测量范围:2~1023。  b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。  c.标称误差  频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz):  固有误差:≤5%±满度值的2% 固有误差:≤6%±满度值的2%  工作误差:≤7%±满度值的2% 工作误差:≤8%±满度值的2%  2.电感测量范围:4.5nH~7.9mH  3.电容测量:1~205  主电容调节范围:18~220pF  准确度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1%  注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明  4. 信号源频率覆盖范围  频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz,  CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,  5.Q合格指示预置功能: 预置范围:5~1000。  6.B-测试仪正常工作条件  a. 环境温度:0℃~+40℃;  b.相对湿度 lt 80%;  c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。高频/音频介电常数介质损耗测试仪四探针电阻率测试仪测试四探针笔方法:  一般情况下,更换钢针之类,不需要拆开探头,只需要用拔出要更换的钢针,再重新安装新针,如果断针在孔内并且不拆开难以取出,必须按照以下步骤进行操作:  1、先松开笔身尾部端侧面的固定小螺丝,轻轻脱下尾部航空插口,保证探针头部旋转时同步旋转,防止扭线断线,短接   2、轻轻拧开探针头子,然后小心将铜片拉出,记住七片绝缘片与铜片之间的位置,(四片铜片每片间夹一片绝缘片,两边的铜片外侧各两片),将断针从铜片卡口座里取下即可   3、特别注意一定不能将铜片取下时的位置错乱,铜片位置按照航空头四芯1234接线绿红黄黑的顺序一字排列,并且铜片之间按照宽窄顺序互相交叉排列,以免短接   4、安装时铜片及绝缘片按照拆下时的排列轻轻塞进探针头子,并先将探针头子拧紧,再将尾部航空头插上,并且旋紧小螺丝   5、将针装好,注意针头针尾方向,尖头为探针头部。高频/音频介电常数介质损耗测试仪总有机碳分析仪的测定方式主要有三种类型。湿法氧化-非色散红外检测,该方式是在样品经过酸性过钾氧化之前经磷酸处理待测样品,去除无机碳后测定TOC的浓度。但湿法氧化对于含腐殖酸等高相对分子质量化合物的水体氧化不充分。紫外-湿法氧化-非色散红外检测,该方式是紫外氧化和湿法氧化两者的协同作用,针对紫外氧化法无法用于高含量TOC的复杂水体,两者的协同可以测量污染较重的水体。高温催化燃烧氧化-非色散红外检测,样品中有机碳在高温催化氧化条件下转化为二氧化碳后经非色散红外(NDIR)检测,因髙温燃烧相对彻底,适用于污染较重水体或是复杂水体,但需考虑样品的高盐分对于测定结果的影响问题。此外紫外氧化-非色散红外检测、电阻法、紫外吸收光谱、电导法等方式均因稳定性差或对颗粒状、高相对分子质量有机物氧化不完全而未能用于土壤学领域。将土壤、沉积物样品处理成为溶液样品时需要考虑一定粒度的漂浮物或可沉固体物质的处理问题。高频/音频介电常数介质损耗测试仪市面上常见的TOC分析仪都有两大基本功能:  一,先将水中的总有机碳充分氧化,生成二氧化碳CO2;  二,测试新产生的CO2.不同和型号的TOC分析仪的区别在于实现这两大基本功能的方法不同。  常用的氧化技术有:燃烧氧化法、紫外线氧化法以及超临界氧化法;而对CO2的检测方法又分:非分散红外线检测,直接电导率检测以及选择性薄膜电导率检测。
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  • 陶瓷介质损耗测定仪HRJD电感测量:a.测量范围:14.5nH~8.14H。b.分 档:分七个量程。 0.1~1μH, 1~10μH, 10~100μH, 0.1~lmH, 1~10mH, 10~100mH, 100 mH~1H。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。陶瓷介质损耗测定仪HRJD主要配置:a.测试主机一台;b.电感9只;c.夹具一 套高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。陶瓷介质损耗测定仪HRJD测试注意事项a.本仪器应水平安放;b.如果你需要较地测量,请接通电源后,预热30分钟;c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。陶瓷介质损耗测定仪HRJD技术指标:☆电感测量:a.测量范围:14.5nH~8.14H。b.分 档:分七个量程。 0.1~1μH, 1~10μH, 10~100μH, 0.1~lmH, 1~10mH, 10~100mH, 100 mH~1H。☆Q值测量:a.Q值测量范围:2~1023。 b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。c.标称误差 频率范围:20kHz~10MHz; 固有误差:≤5%±满度值的2%;工作误差:≤7%±满度值的2%; 频率范围:10MHz~60MHz; 固有误差:≤6%±满度值的2%;工作误差:≤8%±满度值的2%。☆振荡频率:a.振荡频率范围:10kHz~50MHz;b.频率分段(虚拟)10~99.9999kHz、100~999.999kHz、1~9.99999MHz、10~60MHzc.频率误差:3×10-5±1个字。☆仪器正常工作条件a. 环境温度:0℃~+40℃; b. 相对湿度:80%; c. 电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。 ☆其他a.消耗功率:约25W; b.净重:约7kg; c.外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。☆电容测量:a.测量范围:1~460pF(460pF以上的电容测量见使用规则);b.电容量调节范围 主调电容器:30~500pF; 准 确 度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%; 注:大于直接测量范围的电容测量见使用规则☆ Q合格指示预置功能高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。一般地,偶极矩在0~0.5D(德拜)范围内的是非极性高聚物;偶极矩在0.5D以上的是极性高聚物。非极性高聚物具有较低的介电常数和介质损耗,其介电常数约为2,介质损耗小于10-4;极性高聚物则具有较高的介电常数和介质损耗,并且极性愈大,这两个值愈高。高聚物的交联通常能阻碍极性基团的取向,因此热固性高聚物的介电常数和介质损耗均随交联度的提高而下降。酚醛树脂就是典型的例子,虽然这种高聚物的极性很强,但只要固化比较*,它的介质损耗就不高。相反,支化使分子链间作用力减弱,分子链活动能力增强,介电常数和介质损耗均增大。高聚物的凝聚态结构及力学状态对介电性景响也很大。结品能抑制链段上偶极矩的取向极化,因此高聚物的介质损耗随结晶度升高而下降。当高聚物结晶度大于70%时,链段上的偶极的极化有时*被抑制,介电性能可降至 低值,同样的道理,非晶态高聚物在玻璃态下比在高弹态下具有更低的介质损耗。此外,高聚物中的增塑利、杂质等对介电性能也有很大景响。A/C高频Q表能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。该仪器广泛地用于科研机关、学校、工厂等单位。陶瓷介质损耗测定仪HRJDGBT 1409-2006 测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法平板电容极片Φ50mm/Φ38mm可选频率范围20KHz-60MHz/200KHz-160MHz间距可调范围≥15mm频率指示误差3×10-5±1个字夹具插头间距25mm±0.01mm主电容调节范围30-500/18-220pF测微杆分辨率0.001mm主调电容误差1%或1pF夹具损耗角正切值≦4×10-4 (1MHz)Q测试范围2~1023
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  • QS37A介电常数介质损耗测试仪介质损耗及介电常数测试仪正常工作条件a. 环境温度:0℃~+40℃;b.相对湿度 lt 80%;c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。QS37A介电常数介质损耗测试仪频率范围 20kHz~10MHz;固有误差 ≤5%±满度值的2%;工作误差 ≤7%±满度值的2%;频率范围 10MHz~60MHz;固有误差 ≤6%±满度值的2%;工作误差 ≤8%±满度值的2%。QS37A介电常数介质损耗测试仪并能恒定较长时间,以便通过高压电桥对绝缘油进行介质损耗因素(tgδ)、相对介电常数(er)进行精密测量。本产品温度显示采用内外温同时显示,加热控制采用两片单片机分别对内、外加热器进行加热控制。控制过程采用PID模糊逻辑控制,能消减电网电压、环境温度变化等的影响,具有控温超调量小、控温速度快的优点。温度设置采用数字键盘输入方式,使设定误差真正达到零QS37A介电常数介质损耗测试仪结构采用了双层屏蔽。并通过辅桥的协助平衡,消减寄生参数对电桥平衡的影响。辅桥由电位自动电位跟踪机器与内层屏蔽(S)组成。自动跟踪机器由电子元器件组成。它在桥顶B处取一输入电压,通过放大后,在内屏蔽(S)产生一个与B电位相等的电压。当电桥在平衡时,A、B、S三点电位必然相等,从而达到自动跟踪的目的。本电桥在平衡过程中,辅桥采用自动电位跟踪,在主桥平衡过程的同时,辅桥也自动跟踪始终处于平衡的状态,用户只要对主桥平衡进行操作能得到可靠的所需数据。同时也有效的抑制了电压波动对平衡所带来的影响。在指零部分,采用了指针式电表指示,视觉直观,分辨清楚QS37A介电常数介质损耗测试仪介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据;仪器的基本原理是采用高频谐振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制,测量核心采用了频率数字锁定,标准频率测试点自动设定,谐振点自动搜索,Q值量程自动转换,数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至低,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。  使用方法  高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。  1.测试注意事项  a.本仪器应水平安放;  b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;  c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;  d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;  e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;  f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。
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  • 中长波激光增益介质及非线性晶体可提供Tm、Ho、Cr、Er、Fe、Dy等透明陶瓷/晶体等激光增益介质,以及超低损耗ZnGeP2、GaSe、AgGaS2、BaGa2GeSe6、AgGaGeS4、AgGaGe5Se12等中长波非线性晶体。详情请见官网
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  • 聚合物绝缘材料介质损耗测试仪作为新一代的通用、多用途、多量程的阻抗测试仪器,测试频率上限达到目前国内高的160MHz。 聚合物绝缘材料介质损耗测试仪技术参数:1.Q值测量a.Q值测量范围:2~1023。b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。c.标称误差 频率范围(100kHz~10MHz): 频率范围(10MHz~160MHz): 固有误差:≤5%±满度值的2% 固有误差:≤6%±满度值的2% 工作误差:≤7%±满度值的2% 工作误差:≤8%±满度值的2%2.电感测量范围:4.5nH~7.9mH3.电容测量:1~205 主电容调节范围:18~220pF 准确度:150pF以下±1.5pF; 150pF以上±1% 注:大于直接测量范围的电容测量见后页使用说明4. 信号源频率覆盖范围 频率范围CH1:0.1~0.999999MHz, CH2: 1~9.99999MHz, CH3:10~99.9999MHz, CH1 :100~160MHz,5.Q合格指示预置功能: 预置范围:5~1000。6.B-测试仪正常工作条件a. 环境温度:0℃~+40℃;b.相对湿度:80%;c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。7.其他a.消耗功率:约25W;b.净重:约7kg;c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。高频/音频介电常数测试仪GDAT-A测试注意事项a.本仪器应水平安放;b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。影响介电性能的因素 下面分别讨论频率、温度、湿度和电气强度对介电性能的影响。1频率 因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的 。r和 tans几乎是恒定的,且被用作工程电介质材料,然而一般的电介质材料必须在所使用的频率下测量其介质损耗因数和电容率。 电容率和介质损耗因数的变化是由于介质极化和电导而产生,重要的变化是极性分子引起的偶极子极化和材料的不均匀性导致的界面极化所引起的.2温度 损耗指数在一个频率下可以出现一个大值,这个频率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的,这取决于在测量温度下的介质损耗指数大值位置。3湿度 极化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加,其结果使电容率、介质损耗因数和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的. 注:湿度的显著影响常常发生在 1MHz以下及微波频率范围内4电场强度 存在界面极化时,自由离子的数目随电场强度增大而增加,其损耗指数大值的大小和位置也随此而变。 在较高的频率下,只要电介质中不出现局部放电,电容率和介质损耗因数与电场强度无关测量方法的选择: 高频/音频介电常数测试仪GDAT-A测量电容率和介质损耗因数的方法可分成两种:零点指示法和谐振法。1 零点指示法适用于频率不超过50 MHz时的测量。测量电容率和介质损耗因数可用替代法 也就是在接人试样和不接试样两种状态下,调节回路的一个臂使电桥平衡。通常回路采用西林电桥、变压器电桥(也就是互感藕合比例臂电桥)和并联 T型网络。变压器电桥的优点:采用保护电极不需任何外加附件或过多操作,就可采用保护电极 它没有其他网络的缺点。2 谐振法适用于10 kHz一几百MHz的频率范围内的测量。该方法为替代法测量,常用的是变电抗法。但该方法不适合采用保护电极。 注:典型的电桥和电路示例见附录。附录中所举的例子自然是不全面的,叙述电桥和侧量方法报导见有关文献和该种仪器的原理说明书。试验报告 试验报告中应给出下列相关内容: 绝缘材料的型号名称及种类、供货形式、取样方法、试样的形状及尺寸和取样 日期(并注明试样厚度和试样在与电极接触的表面进行处理的情况) 试样条件处理的方法和处理时间 电极装置类型,若有加在试样上的电极应注明其类型 测量仪器 试验时的温度和相对湿度以及试样的温度 施加的电压 施加的频率 相对电容率ε(平均值) 介质损耗因数 tans(平均值) 试验 日期 相对电容率和介质损耗因数值以及由它们计算得到的值如损耗指数和损耗角,必要时,应给出与温度和频率的关系。特点: ◎ 本公司创新的自动Q值保持技术,使测Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。◎ 能对固体绝缘材料在10kHz~120MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。◎ 调谐回路残余电感值低至8nH,保证100MHz的(tanδ)和(ε)的误差较小。◎ 特制LCD屏菜单式显示多参数:Q值,测试频率,调谐状态等。◎ Q值量程自动/手动量程控制。◎ DPLL合成发生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz测试信号。独立信号 源输出口,所以本机又是一台合成信号源。◎ 测试装置符合国标GB/T 1409-2006,美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。介质损耗:绝缘材料在电场作用下,由于介质电导和介质极化的滞后效应,在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失,简称介损。在交变电场作用下,电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。损耗因子也指耗损正切,是交流电被转化为热能的介电损耗(耗散的能量)的量度,一般情况下都期望耗损因子低些好概念:电介质在外电场作用下,其内部会有发热现象,这说明有部分电能已转化为热能耗散掉,电介质在电场作用下,在单位时间内因发热而消耗的能量称为电介质的损耗功率,或简称介质损耗(diclectric loss)。介质损耗是应用于交流电场中电介质的重要品质指标之一。介质损耗不但消耗了电能,而且使元件发热影响其正常工作。如果介电损耗较大,甚至会引起介质的过热而绝缘破坏,所以从这种意义上讲,介质损耗越小越好。主要技术特性:介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据;仪器的基本原理是采用高频谐振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制,测量核心采用了频率数字锁定,标准频率测试点自动设定,谐振点自动搜索,Q值量程自动转换,数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至低,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。1.测试注意事项a.本仪器应水平安放;b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。2.高频线圈的Q值测量(基本测量法)介电常数介质损耗测试仪 VFD显示 采用新颖的大屏幕VFD点阵显示器,在严冬和盛夏都能清晰显示。全中文操作菜单,操作提示各种警告信息,直观明了,不需查阅说明书即可操作。打印 仪器附有微型打印机,以中文方式打印输出测量结果及状态。RS232 仪器具有RS232接口,与计算机连接便于数据的统计和处理及保存。可选购与计算机通信应用程序。硫化橡胶介电常数介质损耗测试仪 电介质的用途 电介质一般被用在两个不同的方面:用作电气回路元件的支撑,并且使元件对地绝缘及元件之间相互绝缘 用作电容器介质。 低频电桥 一般为高压电桥,这不仅是由于灵敏度的缘故,也因为在低频下正是高电压技术特别对电介质损耗关注的问题。电容臂和测量臂两者的阻抗大小在数量级上相差很多,结果,绝大部分电压都施加在电容Cx和 C}上,使电压分配不平衡 上面给出的电桥平衡条件只是当低压元件对高压元件屏蔽时才成立。同时,屏蔽必须接地,以保证平衡稳定。如图A. 2所示。屏蔽与使用被保护的电容 C、和 C、是一致的,这个保护对于Ch来说是必不可少的。 由于选择不同的接地方法,实际上形成了两类电桥。电极系统 1 加到试样上的电极 电极可选用 5.1.3中任意一种。如果不用保护环。而且试样上下的两个电极难以对齐时,其中一个电极应比另一个电极大些。已经加有电极的试样应放置在两个金属电极之间,这两个金属电极要比试样上的电极稍小些。对于平板形和圆柱形这两种不同电极结构的电容计算公式以及边缘电容近似计算的经验公式由表1给出. 对于介质损耗因数的测量,这种类型的电极在高频下不能满足要求,除非试样的表面和金属板都非常平整。图 1所示的电极系统也要求试样厚度均匀2 试样上不加电极 表面电导率很低的试样可以不加电极而将试样插人电极系统中测量,在这个电极系统中,试样的一侧或两侧有一个充满空气或液体的间隙。 平板电极或圆柱形电极结构的电容计算公式由表 3给出。 下面两种型式的电极装置特别合适2.1 空气填充测微计电极 当试样插人和不插人时,电容都能调节到同一个值 ,不需进行测量系统的电气校正就能测定电容率。电极系统中可包括保护电极.2.2 流体排出法 在电容率近似等于试样的电容率,而介质损耗因数可以忽略的一种液体内进行测量,这种测量与试样厚度测量的精度关系不大。当相继采用两种流体时,试样厚度和电极系统的尺寸可以从计算公式中消去 试样为与试验池电极直径相同的圆片,或对测微计电极来说,试样可以比电极小到足以使边缘效应忽略不计 在测微计电极中,为了忽略边缘效应,试样直径约比测微计电极直径小两倍的试样厚度。 原始包装:请保留所有的原始包装材料,如果机器必须回厂维修,请用原来的包装材料包装。并请先与制造厂的维修中心联络。送修时,请务必将全部的附件一起送回,请注明故障现象和原因。另外,请在包装上注明“易碎品”请小心搬运。安全注意事项:开机之前,敬请仔细阅读本 使用指南,以防止出现对操作人员的意外伤害或对仪器的损坏等的事件。操作前,请阅读“安装与设置”,保证对仪器各部件的正确安装与连接。在*次操作前,务必请有操作经验的人员进行指导,防止误操作造成意外事件的发生。电击危险: 确保在安装或维修该仪器之前使所有导线断电,防止在带电情况下,对人员或设备造成伤害。注意事项: 1、该仪器初始的包装材料需小心保存,安装需由本公司的专业技术人员进行操作。2、若仪器由于任何原因必须返修,必须将其装入原纸箱中以防运输途中损坏。3、在开机前,操作者要首先熟悉操作方法。电性能检测仪器:介电强度测试仪、体积表面电阻率测试仪、介电常数介质损耗测试仪、漏电起痕试验仪、耐电弧试验仪;塑料橡胶性能检测仪器:无转子硫化仪、门尼粘度试验机、热变形维卡温度测定仪、简支梁冲击试验机、毛细管流变仪、橡胶塑料滑动摩擦试验机物理性能检测仪器:氧指数测定仪、水平垂直燃烧试验机、熔体流动速率测定仪、低温脆性测试仪力学性能试验机:试验机北广其他检测海绵仪器:海绵泡沫压陷硬度测试仪、海绵泡沫落球回弹测试仪、海绵泡沫压缩变形试验仪另外我公司其他产品有:环境测试仪器、生物制药测试仪器、动物行为测试仪、环境监测试验仪
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  • 介电常数介质损耗测量方法1、范围本标准规定了在15Hz?300MHz的频率范围内测量电容率、介质损耗因数的方法,并由此计算某些数值,如损耗指数。本标准中所叙述的某些方法,也能用于其他频率下测量。本标准适用于测量液体、易熔材料以及固体材料。测试结果与某些物理条件有关,例如频率、温度、湿度,在特殊情况下也与电场强度有关。有时在超过1000V的电压下试验,则会引起一些与电容率和介质损耗因数无关的效应,对此不予论述。 2、规范性引用文件下列文件中的条款通过本标准的引用而成为本标准的条款。凡是注日期的引用文件,其随后所有的修改单(不包括勘误的内容)或修订版均不适用于本标准,然而,鼓励根据本标准达成协议的各方研究是否可使用这些文件的zui新版本。凡是不注日期的引用文件,其zui新版本适用于本标准。IEC60247:1978 液体绝缘材料相对电容率、介质损耗因数和直流电阻率的测量 3、术语和定义下列术语和定义适用于本标准。3.1相对电容率relative permittivityε r电容器的电极之间及电极周围的空间全部充以绝缘材料时,其电容Cx与同样电极构形的真空电容Co之比; ……………………………(1)式中;εr——相对电容率 Cx——充有绝缘材料时电容器的电极电容;Co——真空中电容器的电极电容。在标准大气压下,不含二氧化碳的干燥空气的相对电容率ε r等于1.00053,因此,用这种电极构形在空气中的电容Cx来代替Co测量相对电容率εr时,也有足够的度。在一个测量系统中,绝缘材料的电容率是在该系统中绝缘材料的相对电容率εr与真空电气常数εr的乘积。在SI制中,电容率用法/米(F/m)表示。而且,在SI单位中,电气常数εr,为: ……………………………(2) 在本标准中,用皮法和厘米来计算电容,真空电气常数为:ε0=0.088 54 pF/cm3.2介质损耗角dielectric loss angleδ由绝缘材料作为介质的电容器上所施加的电压与由此而产生的电流之间的相位差的余角。3.3介质损耗因数1) dielectric dissipation factortanδ损耗角δ的正切。3.4[介质]损耗指数 [dielectric] loss indexε''r该材料的损耗因数tanδ与相对电容率εr的乘积。 3.5复相对电容率 complex relative permittivityεr由相对电容率和损耗指数结合而得到的:式中:εr——复相对电容率; ε''r——损耗指数;ε'r、εr——相对电容率;tanδ——介质损耗因数。注:有损耗的电容器在任何给定的频率下能用电容Cs和电阻Rs的串联电路表示,或用电容CP和电阻RP(或电导CP)并联电路表示。 并联等值电路 串联等值电路 式中:Cs——串联电容;Rs——串联电阻; 1)有些国家用“损耗角正切”来表示“介质损耗因数”,因为损耗的测量结果是用损耗角的正切来报告的。CP——并联电容; RP——并联电阻。虽然以并联电路表示一个具有介质损耗的绝缘材料通常是合适的,但在单一频率下,有时也需要以电容Cs和电阻Rs的串联电路来表示。串联元件与并联元件之间,成立下列关系: 式(9)、(10)、(11)中:Cs、Rs、CP、RP、tanδ同式(7)、(8)。无论串联表示法还是并联表示法,其介质损耗因数tanδ是相等的。 假如测量电路依据串联元件来产生结果,且tanδ太大而在式(9)中不能被忽略,则在计算电容率前必须先计算并联电容。本标准中的计算和测量是根据电流(ω=πf)正弦波形作出的。 4、电气绝缘材料的性能和用途4.1电介质的用途电介质一般被用在两个不同的方面:用作电气回路元件的支撑,并且使元件对地绝缘及元件之间相互绝缘; 用作电容器介质。4.2影响介电性能的因素下面分别讨论频率、温度、湿度和电气强度对介电性能的影响。4.2.1频率因为只有少数材料如石英玻璃、聚苯乙烯或聚乙烯在很宽的频率范围内它们的εr和tanδ几乎是恒定的,且被用作工程电介质材料,然而一般的电介质材料必须在所使用的频率下测量其介质损耗因数和电容率。电容率和介质损耗因数的变化是由于介质极化和电导而产生,重要的变化是极性分子引起的偶极子极化和材料的不均匀性导致的界面极化所引起的。 4.2.2温度损耗指数在一个频率下可以出现一个大值,这个频率值与电介质材料的温度有关。介质损耗因数和电容率的温度系数可以是正的或负的,这取决于在测量温度下的介质损耗指数大值位置。4.2.3湿度极化的程度随水分的吸收量或电介质材料表面水膜的形成而增加,其结果使电容率、介质损耗因数和直流电导率增大。因此试验前和试验时对环境湿度进行控制是必不可少的。注:湿度的显著影响常常发生在1MHz以下及微波频率范围内。4.2.4电场强度存在界面极化时,自由离子的数目随电场强度增大而增加,其损耗指数大值的大小和位置也随此而变。 在较高的频率下,只要电介质中不出现局部放电,电容率和介质损耗因数与电场强度无关。 5、试样和电极5.1固体绝缘材料5.1.1试样的几何形状测定材料的电容率和介质损耗因数,zui好采用板状试样,也可采用管状试样。 在测定电容率需要较高精度时,大的误差来自试样尺寸的误差,尤其是试样厚度的误差,因此厚度应足够大,以满足测量所需要的度。厚度的选取决定于试样的制备方法和各点间厚度的变化。对1%的度来讲,1.5mm的厚度就足够了,但是对于更高度,zui好是采用较厚的试样,例如6mm?12mm。测量厚度必须使测量点有规则地分布在整个试样表面上,且厚度均匀度在±1%内。如果材料的密度是已知的,则可用称量法测定厚度。选取试样的面积时应能提供满足精度要求的试样电容。测量10pF的电容时,使用有良好屏蔽保护的仪器。由于现有仪器的极限分辨能力约1pF,因此试样应薄些,直径为10cm或更大些。需要测低损耗因数值时,很重要的一点是导线串联电阻引人的损耗要尽可能地小,即被测电容和该电阻的乘积要尽可能小。同样,被测电容对总电容的比值要尽可能地大。点表示导线电阻要尽可能低及试样电容要小,第二点表示接有试样桥臂的总电容要尽可能小,且试样电容要大。因此试样电容zui好取值为20pF,在测量回路中,与试样并联的电容不应大于约5pF,5.1.2电极系统5.1.2.1加到试样上的电极电极可选用5.1.3中任意一种。如果不用保护环,而且试样上下的两个电极难以对齐时,其中一个电极应比另一个电极大些。已经加有电极的试样应放置在两个金属电极之间,这两个金属电极要比试样上的电极稍小些。对于平板形和圆柱形这两种不同电极结构的电容计算公式以及边缘电容近似计算的经验公式由表1给出。 对于介质损耗因数的测量,这种类型的电极在高频下不能满足要求,除非试样的表面和金属板都非常平整。图1所示的电极系统也要求试样厚度均匀。.5.1.2.2试样上不加电极表面电导率很低的试样可以不加电极而将试样插入电极系统中测量,在这个电极系统中,试样的一侧或两侧有一个充满空气或液体的间隙。平板电极或圆柱形电极结构的电容计算公式由表3给出。下面两种型式的电极装置特别合适.5.1.2.2.1空气填充测微计电极当试样插入和不插人时,电容都能调节到同一个值,不需进行测量系统的电气校正就能测定电容率。电极系统中可包括保护电极。5.1.2.2.2流体排出法在电容率近似等于试样的电容率,而介质损耗因数可以忽略的一种液体内进行测量,这种测量与试样厚度测量的精度关系不大。当相继采用两种流体时,试样厚度和电极系统的尺寸可以从计算公式中消去。试样为与试验池电极直径相同的圆片,或对测微计电极来说,试样可以比电极小到足以使边缘效应忽略不计。在测微计电极中,为了忽略边缘效应,试样直径约比测微计电极直径小两倍的试样厚度。5.1.2.3边缘效应为了避免边缘效应引起电容率的测量误差,电极系统可加上保护电极。保护电极的宽度应至少为两倍的试样厚度,保护电极和主电极之间的间隙应比试样厚度小。假如不能用保护环,通常需对边缘电容进行修正,表1给出了近似计算公式。这些公式是经验公式,只适用于规定的几种特定的试样形状。此外,在一个合适的频率和温度下,边缘电容可采用有保护环和无保护环的(比较)测量来获得,用所得到的边缘电容修正其他频率和温度下的电容也可满足精度要求。5.1.3构成电极的材料5.1.3.1金属箔电极用极少量的硅脂或其他合适的低损耗粘合剂将金属箔贴在试样上。金属箔可以是纯锡或铅,也可以是这些金属的合金,其厚度大为100μm,也可使用厚度小于10μm的铝箔。但是,铝箔在较高温度下易形成一层电绝缘的氧化膜,这层氧化膜会影响测量结果,此时可使用金箔。5.1.3.2烧熔金属电极烧熔金属电极适用于玻璃、云母和陶瓷等材料,银是普遍使用的,但是在高温或高湿下,zui好采用金。5.1.3.3喷镀金属电极 锌或铜电极可以喷镀在试样上,它们能直接在粗糙的表面上成膜。这种电极还能喷在布上,因为它们不穿透非常小的孔眼。5.1.3.4阴极蒸发或高真空蒸发金属电极假如处理结果既不改变也不破坏绝缘材料的性能,而且材料承受高真空时也不过度逸出气体,则本方法是可以采用的。这一类电极的边缘应界限分明。5.1.3.5汞电极和其他液体金属电极把试样夹在两块互相配合好的凹模之间,凹模中充有液体金属,该液体金属必须是纯净的。汞电极不能用于高温,即使在室温下用时,也应采取措施,这是因为它的蒸气是有毒的。伍德合金和其他低熔点合金能代替汞。但是这些合金通常含有镉,镉象汞一样,也是毒性元素。这些合金只有在良好抽风的房间或在抽风柜中才能用于100℃以上,且操作人员应知道可能产生的健康危害。 5.1.3.6导电漆无论是气干或低温烘干的高电导率的银漆都可用作电极材料。因为此种电极是多孔的,可透过湿气,能使试样的条件处理在涂上电极后进行,对研究湿度的影响时特别有用。此种电极的缺点是试样涂上银漆后不能马上进行试验,通常要求12h以上的气干或低温烘干时间,以便去除所有的微量溶剂,否则,溶剂可使电容率和介质损耗因数增加。同时应注意漆中的溶剂对试样应没有持久的影响。要使用刷漆法做到边缘界限分明的电极较困难,但使用压板或压敏材料遮框喷漆可克服此局限。但在极高的频率下,因银漆电极的电导率会非常低,此时则不能使用。5.1.3.7石墨一般不推荐使用石墨,但是有时候也可采用,特别是在较低的频率下。石墨的电阻会引起损耗的显著增大,若采用石墨悬浮液制成电极,则石墨还会穿透试样。5.1.4电极的选择 5.1.4.1板状试样考虑下面两点很重要:a)不加电极,测量时快而方便,并可避免由于试样和电极间的不良接触而引起的误差。b)若试样上是加电极的,由测量试样厚度h时的相对误差△h/h所引起的相对电容率的相对误差△εr/εr可由下式得到:……………………………(12)式中: △εr——相对电容率的偏差;εr——相对电容率;h——试样厚度; Ah——试样厚度的偏差。若试样上加电极,且试样放在有固定距离Sh的两个电极之间,这时 ……………………………(13)式中:△εr、εr、h同式(12)。εr——试样浸入所用流体的相对电容率,对于在空气中的测量则εr等于1。对于相对电容率为10以上的无孔材料,可采用沉积金属电极。对于这些材料,电极应覆盖在试样的整个表面上,并且不用保护电极。对于相对电容率在3?10之间的材料,能给出zui高精度的电极是金属箔、汞或沉积金属,选择这些电极时要注意适合材料的性能。若厚度的测量能达到足够精度时,试样上不加电极的方法方便而更可取。假如有一种合适的流体,它的相对电容率已知或者能很准确地测出,则采用流体排出法是zui好的。5.1.4.2管状试样对管状试样而言,合适的电极系统将取决于它的电容率、管壁厚度、直径和所要求的测量精度。一般情况下,电极系统应为一个内电极和一个稍为窄一些的外电极和外电极两端的保护电极组成,外电极和保护电极之间的间隙应比管壁厚度小。对小直径和中等直径的管状试样,外表面可加三条箔带或沉积金属带,中间一条用作为外电极(测量电极),两端各有一条用作保护电极。内电极可用汞,沉积金属膜或配合较好的金属芯轴。 高电容率的管状试样,其内电极和外电极可以伸展到管状试样的全部长度上,可以不用保护电极。大直径的管状或圆筒形试样,其电极系统可以是圆形或矩形的搭接,并且只对管的部分圆周进行试验。这种试样可按板状试样对待,金属箔、沉积金属膜或配合较好的金属芯轴内电极与金属箔或沉积金属膜的外电极和保护电极一起使用。如采用金属箔做内电极,为了保证电极和试样之间的良好接触,需在管内采用一个弹性的可膨胀的夹具。对于非常准确的测量,在厚度的测量能达到足够的精度时,可采用试样上不加电极的系统。对于相对电容率εr不超过10的管状试样,方便的电极是用金属箔、汞或沉积金属膜。相对电容率在10以上的管状试样,应采用沉积金属膜电极;瓷管上可采用烧熔金属电极。电极可像带材一样包覆在管状试样的全部圆周或部分圆周上。5.2液体绝缘材料5.2.1试验池的设计对于低介质损耗因数的待测液体,电极系统重要的特点是:容易清洗、再装配(必要时)和灌注液体时不移动电极的相对位置。此外还应注意:液体需要量少,电极材料不影响液体,液体也不影响电极材料,温度易于控制,端点和接线能适当地屏蔽;支撑电极的绝缘支架应不浸沉在液体中,还有,试验池不应含有太短的爬电距离和尖锐的边缘,否则能影响测量精度。满足上述要求的试验池见图2?图4。电极是不锈钢的,用硼硅酸盐玻璃或石英玻璃作绝缘,图2和图3所示的试验池也可用作电阻率的测定,1EC 60247:1978对此已详细叙述。由于有些液体如氯化物,其介质损耗因数与电极材料有明显的关系,不锈钢电极不总是合适的。有时,用铝和杜拉铝制成的电极能得到比较稳定的结果。5.2.2试验池的准备应用一种或几种合适的溶剂来清洗试验池,或用不含有不稳定化合物的溶剂多次清洗。可以通过化学试验方法检查其纯度,或通过一个已知的低电容率和介质损耗因数的液体试样测量的结果来确定。3试验池试验几种类型的绝缘液体时,若单独使用溶剂不能去除污物,可用一种柔和的擦净剂和水来清洁试验池的表面。若使用一系列溶剂清洗时则后要用大沸点低于100°C的分析级的石油醚来再次清洗,或者用任一种对一个已知低电容率和介质损耗因数的液体测量能给出正确值的溶剂来清洗,并且这种溶剂在化学性质上与被试液体应是相似的。推荐使用下述方法进行清洗。试验池应全部拆开,彻底地清洗各部件,用瑢剂回流的方法或放在未使用溶剂中搅动反复洗涤方法均可去除各部件上的溶剂并放在清洁的烘箱中,在110℃左右的温度下烘干30min。 待试验池的各部件冷却到室温,再重新装配起来。池内应注人一些待试的液体,停几分钟后,倒出此液体再重新倒人待试液体,此时绝缘支架不应被液体弄湿。在上述各步骤中,各部件可用干净的钩针或钳子巧妙地处理,以使试验池有效的内表面不与手接触。注1:在同种质量油的常规试验中,上面所说的淸洗步骤可以代之为在每一次试验后用没有残留纸屑的干纸简单地擦擦试验池。注2:采用溶剂时,有些溶剂特别是苯、四氧化碳、甲苯、二甲苯是有毒的,所以要注意防火及毒性对人体的影响,此外,氧化物溶剂受光作用会分解。5.2.3试验池的校正当需要高精度测定液体电介质的相对电容率时,应首先用一种已知相对电容率的校正液体(如苯)来测定“电极常数'。
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  • 总览4.3/4.33/4.43/4.56um 高功耗台式DFB-QCL中红外量子级联激光器是筱晓2019上半年开发出的中红外测试激光,大气窗口低损耗有利于空间光通讯测试研究。我们的台式光源功率高不需要ITAR审核,是目前商用中红外测试光源的第一选择。超过100nm的可调谐范围,输出功率大于100mw满足客户测试的工业需求。我们的激光器内置Znse准直输出输出功率稳定,温度波长稳定性极高比传统大功耗的量子级联激光器的稳定性高出好几个数量级。技术参数技术参数单位技术指标最小值典型值最大值产品型号QCL4300DFB输出功率1mW20-100峰值工作波长2um4.254.34.35光谱宽度(FWHM)MHZ-3-输出边模抑制比(SMSR)dB30--M2因子<1.2输出光发散角Mrad<2全光班束腰直径5mm<4输出隔离度3dB-30-波长温度系数nm/K1.00波长电流系数nm/A57.1输出功率稳定度(15分钟)4%-±0.5±1.0输出功率稳定度(8小时)4%-±1.0±2.0输出功率可调范围%0-100输出功率调节模式软件控制TEC稳定度℃
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  • 总览5.18/6.14/6.83/8.91umum高功耗台式DFB-QCL中红外量子级联激光器是筱晓2019上半年开发出的中红外测试激光,大气窗口低损耗有利于空间光通讯测试研究。我们的台式光源功率高不需要ITAR审核,是目前商用中红外测试光源的第一选择。超过100nm的可调谐范围,输出功率大于100mw满足客户测试的工业需求。我们的激光器内置Znse准直输出输出功率稳定,温度波长稳定性极高比传统大功耗的量子级联激光器的稳定性高出好几个数量级。技术参数技术参数单位技术指标最小值典型值最大值产品型号QCL6140DFB其它波段参考5.18/6.14/6.83/8.91um输出功率1mW50-100峰值工作波长2um6.1256.136.145光谱宽度(FWHM)MHZ-3-输出边模抑制比(SMSR)dB30--M2因子<1.2输出光发散角Mrad<2全光班束腰直径5mm<4输出隔离度3dB-30-波长温度系数nm/K1.00波长电流系数nm/A57.1输出功率稳定度(15分钟)4%-±0.5±1.0输出功率稳定度(8小时)4%-±1.0±2.0输出功率可调范围%0-100输出功率调节模式软件控制T
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  • 一、概述光时域反射计(OTDR)广泛应用于光纤及光缆的研究、生产、敷设及维护过程中。OTDR不仅能够测量光纤的位置/距离和损耗减,其独特的工作原理还使其可以从单端对整个光纤链路事件 (如接头,分路,缺陷,故障点等) 的幅度-位置特性进行定量测量。二、技术指标1、用于单模光时域反射仪的校准,具有单模光纤长度、光纤损耗计量功能;2、符合《JJG 959-2001光时域反射计检定规程》的要求;3、 工作波长1310nm、1550nm;4、长度(0~32)km,扩展不确定度优于U=(0.2+1.5×10-5L)m(k=2);5、损耗扩展不确定度优于U=0.03dB/dB(k=2)。6、接口:光纤接口类型为FC/PC型;7、供电:供电电压220V±10V,50Hz~60Hz。三、OTDR计量参数的选择和测量原理1、OTDR计量参数的选择OTDR的生产厂家一般提供四项技术指标:位置/距离;损耗减;盲区和动态范围。其定义分别为:位置: OTDR 前面板与光纤一个特征点之间的距离(m)。距离: 光纤两个特征点之间的间隔(实际的或累积的)(m)。损耗减: 用dB表示的光功率的减小。如果用Pin (W) 表示进入一段光纤的功率,用Pout 表示离开另一端的功率,则这段光纤的衰减定义为:A = 10 lg(Pin / Pout )。盲区: 在一个反射或衰减事件之后的区域,在这个区域中,OTDR 显示的轨迹偏离未被干扰的背景轨迹的程度大于一个给定的纵坐标距离。动态范围: 使得背向散射信号等于噪声水平的衰减量。依照计量学的概念,并非所有可测量的量都具备计量上的意义。具有计量意义的量应具有以下性质:(1) 可定量测量;(2) 可以比对;(3) 具有溯源性。如果我们用上述标准衡量,OTDR的参数中,显然只有位置/距离和损耗减具备计量的溯源校准性质。 IEC94年发布的OTDR检定规程中也推荐检定这两项指标。OTDR的另外两项指标:盲区和动态范围仅是功能性的技术指标,既不需要专门的仪器设备,也不需要特殊的测试技术,只要OTDR的操作人员使用一段光纤,就可以依照定义直接测出。因此,我们在建立OTDR检定标准装置的课题中,勿需列入盲区和动态范围,但是如果用户要求,我们完全可以在用户的OTDR上立即实现其盲区和动态范围的测量。2、测量原理简介OTDR检定传递标准由光纤损耗传递标准和光纤长度传递标准部分组成。根据1994年国际电工委员会公布的“OTDR检定”IECTC86/WG4/SWG2文件,IEC推荐的OTDR的损耗标尺系数的检定方法有三种,即外光源法、标准光纤法和模拟接头法(又称标准损耗法)。本检定装置中是采用标准光纤法构成OTDT损耗传递标准的。其中选用的标准光纤满足以下条件:a)光纤的背向散射信号曲线与光信号传输的方向无关。b)光纤的背向散射信号的损耗与光纤的长度线性相关。同样根据JJG 959-2001 光时域反射计(OTDR)检定规程,OTDR的位置/距离标尺的检定,可用光纤循环延迟线法,由于循环延迟线法不仅测量精度高,便于传递且成本相对低,将二段优质光纤和一只宽光谱2×2耦合器按图一联接,其中引导光纤a的长度为2公里左右,作循环延迟线法的光纤b的长度12公里左右。光纤环RDL在OTDR上显示一系列在背向瑞利散射背景上由耦合器光纤尾端菲涅尔反射峰组成的”梳”状曲线。(如图2所示) 图2中,0号峰代表OTDR输出接头的反射。1号峰是光脉冲通过光纤1、耦合器和光纤2,并在光纤2远端反射,再沿原路返回到OTDR。2号峰一部分是光脉冲通过一次环路,经耦合器到光纤2远端反射,再经耦合器、光纤1回到OTDR;另一部分是光通过光纤1、耦合器和光纤2,并从光纤2远端反射后,经耦合器并通过环路一次,再经耦合器、光纤1回到OTDR。这两部分光虽然走过的路径不同, 但光程完全相等。其余的依次类推,只是光脉冲通过环路的次数不同。从1号峰起,每两个相邻的峰的间隔都是Lb/2,即环路的长度的一半。用数学表达式描述上述过程即: 1号峰位置 Lotdr.o = La 2号峰位置 Lotdr.1 = La + 3号峰位置 Lotdr.2 = La + Lb … … i 号峰位置 Lotdr i = La + 式中La是光纤循环延迟线引导光纤段长度;Lb是光纤环长度。 三、仪器操作程序1、仪器正常工作的条件a)放置OTDR传递标准装置的实验室应保持清洁,干燥.实验室应采取空调及恒温措施,温度应控制在20℃±3℃ ,在24小时内温度变化2℃.b) OTDR传递标准装置应放置在恒温实验室内24小时以上,使传递标准装置内的温度均匀。c) 被检测的OTDR按该仪器的说明书开机预热。d)注意检定测量所用的外连接跳线的长度值,(变换外连接跳线时,要注意对其数值进行测量和标注)2、OTDR损耗标尺系数的测量a)标准损耗Sref 和测量间隔△S的选择按照IEC TC86 / WG4 / SWG2的建议,选取标准损耗Sref~1dB测量间隔△S~2~3dB b)按图3连接测量装置 c)损耗标尺系数的测量①设置被测OTDR的群折射率nG=1.4600②设置OTDR的中心波长λ0=1310nm④设置衰减器, 使其引入衰减量为0dB选取被测OTDR的设置(如,测量范围,脉冲宽度,平均时间等)以便最大程度地发挥被测OTDR经标定后的测量精度。或是按照用户的要求选取被测OTDR的设置。用跳线连接被测OTDR的光输出端和标准光纤的正向输入端。移动OTDR的光标A,使A远离标准光纤前端产生的反射峰(使得实际反向散射曲线和反向散射曲线的直线部分向前方向的直线外延线之间的差足够小);移动光标B,使AB之间光纤的损耗Sa.b 约等于1 dB。在被测OTDR上读取A,B间光纤段的衰减A01(dB/km)。用跳线连接被测OTDR的光输出端和标准光纤的反向输入端,按上述程序测量反方向的光纤衰减A02计算A0=(A01+A02)/2⑤调整衰减器引入插入损耗△S,重复2.3.2.1的测量,得到A1.1.,A1.2 ,算出A1=(A11+A12)/2⑥调整衰减器引入损耗2△S,重复2.3.2.1 测量,得到A2重复上述测量,直到衰减器引入损耗n△S,使得OTDR显示的标准光纤段反向散射曲线的噪声和OTDR测量损耗的分辨率处于同一量级(此时OTDR测量损耗 / 衰减的重复性明显下降)。⑦设置OTDR的中心波长λ0=1.55nm。按以上步骤测量OTDR在1.55nm波长下的损耗减。⑧计算OTDR的损耗标尺系数SAj SAj为在功率水平“-j△S”下的损耗标尺系数。3、OTDR位置偏差的测量a)选择波长l=1310nm,群折射率nG=1.4600,脉冲宽度PW=100ns,测量范围3km左右,平均时间2min,对图二中的Lotdr.0进行测量,取两次测量结果的平均值作为测量值与标准值相减,D(L0) = (L0)otdr - (L0)ref其差值即为l=1310nm, PW=100ns, nG=1.4600的被测OTDR位置偏差。b)与步骤3.1相同,测出被测OTDR l=1310nm, PW=1ms, nG=1.4600的位置偏差。4、OTDR距离标尺系数的测量a)用被测OTDR测量标准光纤特征点的位置①设定被测OTDR的波长λ0=1310nm,群折射率nG=1.4600②根据标准光纤循环延线反射峰的位置和损耗,选择OTDR的设置(如测量范围/分辨率,脉冲宽度,平均时间,缩放功能,等)以便最大程度发挥被检OTDR标定后的测量准确度③依次在被测OTDR上读取图二梳状反射峰前沿的位置,并记录为:L0, L1, L2,… … … , Ln直到接近OTDR测量动态范围的未端: 由于S/N下降,使得测量第(Ln+1)个反射峰前沿位置时的定位重复性 选取的相应读数分辨率。b)数据处理参照JJG 959-2001 光时域反射计(OTDR)检定规程。c)标准光纤长度的温度修正光纤长度的温度系数α=11.5x10-6,修正公式L=L0+L0´α(t-20)式中L实测光纤长度L0为修正到20o时OTDR的测量值T为实测温度。d)关于测量不确定度的说明标准OTDR的测量不确定度由三部分组成:光纤传递标准的检定不确定度;①被校准OTDR的分辨率引入的测量误差;②被校准OTDR的测量重复性 ③被校准OTDR的标尺系数误差;④测量环境和操作可能引入的误差。在上述第4节的数据处理程序给出的不确定度中,包括了①、②、③、④四种误差。测量总不确定度应是各类可能误差按误差理论合成。
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  • 介电常数测试仪/介质损耗因数和电容率测试仪的详细描述:介电常数介质损耗试验仪满足标准:GBT1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法一、概述A型高频Q表和C型高频Q表主要区别 AC测试频率范围25kHz~60MHz100kHz~160MHz主调电容控制传感器步进马达电容搜索无有 A/C高频Q表能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。该仪器广泛地用于科研机关、学校、工厂等单位。A/C高频Q表是北广精仪仪器设备有限公司最新研制的产品,它以DDS数字直接合成方式产生信号源,频率达60MHz/160MHz,信号源具有信号失真小、频率精确、信号幅度稳定的优点,更保证了测量精度的精确性。A主电容调节用传感器感应,电容读数精确,且频率值可设置。C主电容调节用步进马达控制,电容读数更加精确,频率值和电容值均可设置。A/C电容、电感、Q值、频率、量程都用数字显示,在某一频率下,只要能找到谐振点,都能直接读出电感、电容值,大大扩展了电感的测量范围,而不再是固定的几个频率下才能测出电感值的大小。A/C特有的谐振点频率自动搜索或电容自动搜索功能,能帮助你在使用时快速地找到被测量器件的谐振点,自动读出Q值和其它参数。Q值量程可手动或自动转换。二、工作特性 1.Q值测量 a.Q值测量范围:2~1023; b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档;c.标称误差 A频率范围25kHz~10MHz固有误差≤5%±满度值的2%工作误差≤7%±满度值的2%频率范围10MHz~60MHz固有误差≤6%±满度值的2%工作误差≤8%±满度值的2% 2.电感测量范围A14.5nH~8.14H3.电容测量 A直接测量范围1~460p主电容调节范围40~500pF准确度150pF以下±1.5pF;150pF以上±1% 注:大于直接测量范围的电容测量见使用方法。 4.信号源频率覆盖范围 A频率范围10kHz~60MHzCH110~99.9999kHzCH2100~999.999kHzCH31~9.99999MHzCH410~60MHz频率指示误差3×10-5±1个字 5.Q合格指示预置功能:预置范围:5~1000 6.Q表正常工作条件 a. 环境温度:0℃~+40℃; b.相对湿度:80%; c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。 7.其他 a.消耗功率:约25W; b.净重:约7kg; c.外型尺寸:(宽×高×深)mm:380×132×280。三、使用方法高频Q表是多用途的阻抗测量仪器,为了提高测量精度,除了使Q表测试回路本身残余参量尽可能地小,使耦合回路的频响尽可能地好之外,还要掌握正确的测试方法和残余参数修正方法。1.测试注意事项a.本仪器应水平安放;b.如果你需要较精确地测量,请接通电源后,预热30分钟;c.调节主调电容或主调电容数码开关时,当接近谐振点时请缓调;d.被测件和测试电路接线柱间的接线应尽量短,足够粗,并应接触良好、可靠,以减少因接线的电阻和分布参数所带来的测量误差;e.被测件不要直接搁在面板顶部,离顶部一公分以上,必要时可用低损耗的绝缘材料如聚苯乙烯等做成的衬垫物衬垫;f.手不得靠近试件,以免人体感应影响造成测量误差,有屏蔽的试件,屏蔽罩应连接在低电位端的接线柱。2.高频线圈的Q值测量(基本测量法)四、维修1.新购仪器的检查新购的仪器最好能先用LKI-1电感组,将各个电感在各个不同频率测试Q值,把测试的情况,例使用的电感号、测试频率Q读数、电容读数等多次测得数及测试环境条件逐一详细记录,并把记录保存起来,以供以后维修时作参考。LKI-1电感组是专供测试时作辅助电感用的,不能把这些电感当作高精度的标准电感看待。随着测试环境条件不同,测得电感器Q值和分布电容可能略有不同。2.使用和保养高频Q表是比较精密的阻抗测量仪器,在合理使用和注意保养情况下,才能保证长期稳定和较高的测试精度。a.熟悉本说明书,正确地使用仪器;b.使仪器经常保持清洁、干燥;c.本仪器保用期为18个月,如发现机械故障或失去准确度,可以原封送回本厂,免费修理。 附表二 各Q值均值回路指示值 和测试回路平均残量修正系数表线圈号测试频率C修正系数1100kHz114 2400kHz135136131MHz134128.50.9642MHz154 4.5MHz1831931.0554.5MHz170 12MHz237236.21612MHz234 25MHz3052810.92725MHz2181700.7850MHz2572520.98Qe:标准有效Q值A型Q表在测试Q值时,已对测试回路的残量作了修正,故不再需要对Q值进行均值修正。◇主要特点:空洞共振腔适用于CCL/印刷线路板,薄膜等非破坏性低介电损耗材料量测。 印电路板主要由玻纤与环氧树脂组成的, 玻纤介电常数为5~6, 树脂大约是3, 由于树脂含量, 硬化程度, 溶剂残留等因素会造成介电特性的偏差, 传统测量方法样品制作不易, 尤其是薄膜样品( 小于 10 mil) 量测值偏低,。 ◇主要技术特性:介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据;仪器的基本原理是采用高频谐振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制,测量核心采用了频率数字锁定,标准频率测试点自动设定,谐振点自动搜索,Q值量程自动转换,数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至最低,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。五、仪器技术指标:☆Q值测量:a.Q值测量范围:5~999。 b.Q值量程分档:30、100、300、999、自动换档。c.标称误差频率范围:25kHz~10MHz; 固有误差:≤5%±满度值的2%;工作误差:≤7%±满度值的2%;频率范围:10MHz~50MHz; 固有误差:≤7%±满度值的2%;工作误差:≤10%±满度值的2%。☆电感测量:a.测量范围:0.1μH~1H。b.分 档:分七个量程。0.1~1μH, 1~10μH, 10~100μH, 0.1~lmH, 1~10mH, 10~100mH, 100 mH~1H。☆电容测量:a.测量范围:1~460pF(460pF以上的电容测量见使用规则);b.电容量调节范围主调电容器:40~500pF; 准 确 度:150pF以下±1.5pF;150pF以上±1%;微调电容量:-3pF~0~+3pF; 准 确 度:±0.2pF。☆振荡频率:a.振荡频率范围:25kHz~50MHz;b.频率分档25~74kHz, 74~213kHz, 213-700kHz, 700kHz~1.95MHz,1.95MHz~5.2MHz, 5.2MHz~17MHz, 17~50MHz。c.频率误差:2×10-4±1个字。☆Q合格指示预置功能,预置范围:5~999。☆仪器正常工作条件a. 环境温度:0℃~+40℃; b.相对湿度:80%; c.电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。 ☆试样尺寸圆片形:厚度2+0.5mm,直径为Φ30~40mm(ε12时),Φ25~35mm(ε=12~30时),Φ15~20mm(ε30时)☆其他a.消耗功率:约25W; b.净重:约7kg; c. 外型尺寸:(l×b×h)mm:380×132×280。☆ Q合格指示预置功能预置范围:5~1000。六、仪器特点:☆接线简单(正接法两根线,反接可使用一根线),所有电缆线均有接地屏蔽,所以都能拖地使用,测量电压缓升、缓降,全自动测量,结果直读,无须换算。☆多种测量方式 可选择正/反接线、内/外标准电容器和内/外试验电压进行测量。正接线可测量高压介损。☆ 抗震性能 仪器可承受长途运输中强烈震动颠簸而不会损坏。☆ 抗干扰能力强 采用自动跟踪干扰抵偿电路,将矢量运算法与移相法结合,有效地消除强电场干扰对测量的影响,适用于500kV及其以下电站的现场试验。☆CVT测量 独特自激法测量CVT功能,不需外加任何设备,可完成不可拆头CVT的测量。一次接线(三根电缆,不用倒线),一个测量过程(大约1分钟),两个最终测量结果(C1和C2的介损及电容值)。测量过程中文显示,能实时监测自激电流值和试验电压(高压)值。能消除引线对测试的影响,测量结果准确可靠。☆ 安全措施(1)高压保护:试品短路、击穿或高压电流波动,能迅速切断高压输出。(2)CVT保护:设定自激电压的过流点,一旦超出设置的电流值,仪器自动退出测量,不会损坏设备。(3)接地检测:仪器有接地检测功能,未接地时不能升压测量。(4)防误操作:具备防误操作设计,能判别常见接线错误,安全报警。(5)防“容升”:测量大容量试品时会出现电压抬高的“容升”效应,仪器能自动跟踪输出电压,保持试验电压恒定。☆ VFD显示 采用新颖的大屏幕VFD点阵显示器,在严冬和盛夏都能清晰显示。全中文操作菜单,操作提示各种警告信息,直观明了,不需查阅说明书即可操作。☆打印 仪器附有微型打印机,以中文方式打印输出测量结果及状态。☆RS232 仪器具有RS232接口,与计算机连接便于数据的统计和处理及保存。☆可选购与计算机通信应用程序。介电常数介质损耗测试仪电感器:按测试频率要求,需要配置不同量的电感器。例如:在1MHz测试频率时,要配250μH电感器,在50MHz测试频率时,要配0.1μH电感器等。高频介质样品(选购件):在现行高频介质材料检定系统中,检定部门为高频介质损耗测量仪提供的测量标准是高频标准介质样品。该样品由人工蓝宝石,石英玻璃,氧化铝陶瓷,聚四氟乙烯,环氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm测试样品。用户可按需订购,以保证测试装置的重复性和准确性。 介电常数介质损耗测试仪特点: ◎ 本公司创新的自动Q值保持技术,使测Q分辨率至0.1Q,使tanδ分辨率至0.00005 。◎ 能对固体绝缘材料在10kHz~120MHz介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。◎ 调谐回路残余电感值低至8nH,保证100MHz的(tanδ)和(ε)的误差较小。◎ 特制LCD屏菜单式显示多参数:Q值,测试频率,调谐状态等。◎ Q值量程自动/手动量程控制。◎ DPLL合成发生1kHz~60MHz, 50kHz~160MHz测试信号。独立信号 源输出口,所以本机又是一台合成信号源。◎ 测试装置符合国标GB/T 1409-2006,美标ASTM D150以及IEC60250规范要求。介电常数和介质损耗测试仪工作频率范围是10kHz~160MHz,它能完成工作频率内材料的高频介质损耗角(tanδ)和介电常数(ε)变化的测试。本仪器中测试装置是由平板电容器和测微圆筒线性电容器组成,平板电容器一般用来夹被测样品,配用Q表作为指示仪器。绝缘材料的损耗角正切值是通过被测样品放入平板电容器和不放样品的Q值变化和厚度的刻度读数通过公式计算得到。同样,由测微圆筒线性电容器的电容量读数变化,通过公式计算得到介电常数。
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  • 总览9.68/10.26/10.56/12.15um 高功耗台式 DFB-QCL 中红外量子级联激光器是筱晓开发出的中 红外测试激光光源,大气窗口低损耗有利于空间光通讯测试研究。我们的台式光源功 率高,不需要 ITAR 审核,是目前商用中红外测试光源的优秀选择。超过 100nm 的可 调谐范围,输出功率大于 100mw 满足客户测试的工业需求。我们的激光器内置 Znse 准直镜,输出功率、温度和波长稳定性高,比传统大功耗的量子级联激光器的稳定 性高出好几个数量级。QCL9680–9.68μm高功耗台式DFB-QCL中红外量子级联激光器 100mW,QCL9680–9.68μm高功耗台式DFB-QCL中红外量子级联激光器 100mW产品特点● 高功率 ● 结构紧凑 ● 软件智能控制 ● 内置FPGA产品应用● 中红外测试光源● 中红外器件分析通用参数技术参数单位技术指标最小值典型值最大值产品型号QCL9680DFB波段参考 9.68/10.26/10.56/12.15um输出功率1mW50-100峰值工作波长2um9.669.689.71光谱宽度(FWHM)MHZ-3-输出边模抑制比(SMSR)dB30--M2因子<1.2输出光发散角Mrad<2全光班束腰直径5mm<4输出隔离度3dB-30-波长温度系数nm/K1.00波长电流系数nm/A57.1输出功率稳定度(15分钟)4%-±0.5±1.0输出功率稳定度(8小时)4%-±1.0±2.0输出功率可调范围%0-100输出功率调节模式软件控制TEC稳定度℃-±0.1±0.2TEC工作范围℃03050工作电压VAC100220240电功率功耗5W--5工作温度℃0-90存储温度℃-40-85规格尺寸mm343(L)×193(W)×180(H) 台式
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  • 薄膜介电常数介质损耗因数测试仪液体置换方法——当浸泡介质为一种液体,同时没有使用保护时,应平行板系统结构,以使得绝缘高电位板可以在两个平行低电位或接地板之间平行和等距离进行固定,其中接地板用试验池的相对内壁设计成容纳液体。该结构使得电极系统基本为自我屏蔽,但是通常要求双份试验样本。液体的精确温度测量必须作出规定(9,10)。试验池应为镀黄铜和金结构。高电位电极应可以移动来进行清洗。面必须接近为光学平面,同时尽可能平行。在≤1MHz频率下测量用合适液体池见试验方法D1531的图4所示。该试验池的尺寸变化是有必要的,以提供用于不同厚度或尺寸的薄板样本测试,但是这种变化应不能让充满标准液体的试验池电容降低到小于100pF.。在1~约50MHz频率下进行测量时,试验池尺寸必须大大地减小,同时导线必须尽可能短且直。当在50MHz频率下进行测量时,带液体的试验池电容应不超过30或40pF。受保护平行板电极优点是单个样本可以进行*准确地测量。另外液体电容率的先前知识不作要求,因此其可以直接测量得出(11)。如果试验池结构带一个测微计电极,厚度差异很大的样本可以进行*准确地测量,因为电极可以调节至某一只比样本厚度稍微大一点的间距。如果液体电容率接近样本电容率,样本厚度测定误差影响可以降至小。在测量极其薄的膜层时,使用一种接近匹配液体和一种微米试验池,则将允许获得很高的准确度 如果在两种已知电容率的液体上进行足够的测量,则排除了样本厚度和电极间距测定的必要性(12,13,18)。本方法对任何频率范围都不作限制;然而,限制液体浸泡方法用于液体耗散因子小于0.01(对于低损耗样本,小于0.0001)的频率场合。当使用两种液体方法时,在样本相同样本进行测量是非常重要的,因为厚度将不总是在所有点都是相同的。为确保相同区域被测试两次,同时帮助薄膜的搬运,样本固定架是非常方便的。固定架可为一个V形件,其将能滑入电极池中的沟槽中。同时也有必要控制温度小为0.1℃。这可以通过配备带冷却线圈的试验池来达到效果(13)。装置选择和电容和交流损耗测量方法 频率范围——电容和交流损耗测量方法可分成三种:零值法,共振法和偏转法。任何特殊场合的某一方法选择将主要取决于工作频率。当频率范围为从小于1Hz直到几兆赫兹时,可以使用许多形式的电阻或电感比值臂电容桥。当频率低于1Hz时,要求采用特殊的方法和仪器。在500kHz~30MHz的较高频率下,可使用平行T形网络,因为它们采用了共振电路的一些特征。而当频率从500kHz到几百兆赫兹时,可使用共振法。偏转法只能在从25到60Hz的电源线频率下使用,使用时采用商用指示仪表,此时可以很容易获得要求的较高电压。 直接和替代方法——在任何直接法中,电容和交流损耗值采用该方法所用所有电路元件形式来表示,因此受到所有误差的影响。通过替代方法可以获得更加大的精度,在此方法中可采用连接和断开的未知电容器进行读数。在这些不能改变的电路元件中的误差通常可以排除;然而,仍然保留了连接误差(注4)。两终端和三终端测量——两终端和三终端测量选择通常是在精度和便利性之间作出一个选择。在电介质样本上使用一个保护电极时,则几乎可排除边缘和接地电容的影响,如6.2的解释。规定采用一个保护终端,则可排除电路元件引入的一些误差。在另一方面,补充的电流元件和护罩通常要求提供相当多的保护终端到测量设备上,这可能增加好几倍的调节次数来获得要求的后结果。电阻比值臂电容桥用保护电路很少被用于1MHz以上的频率。电导比值臂桥提供了一个保护终端,而不要求额外的电路或调节。平行T形网络和共振电路不提供保护电路。在偏转方法中,可以仅仅通过额外护罩来提供一个保护。一个两终端测微计电极系统的使用提供了许多三终端测量的优点,即几乎排除了边缘和接地电容的影响,但是可能增加观测或平衡调节的次数。其使用也可以排除在较高频率下连接导线的串联电感和电阻导致的误差,其可以在整个频率范围内使用,直至几百兆赫兹。当使用一个保护时,存在耗散因子测量值将小于真实值的可能性。这可能是由于在测量电路保护点和保护电极之间的任何点位置的保护电路的电阻导致的。这还可能来自高接触电阻,导线电阻,或者来自保护电极自身的高电阻。在场合,耗散因子将显示为负值。当没有保护的耗散因子高于由于表面泄漏导致的标准值时,该情况可能存在。电容耦合到测量电极以及电阻耦合连接到保护点的任何点可成为困难的来源。常见保护电阻产生一个与ChClRg成比例的等效负值耗散因子,其中Ch和Cl为电极保护电容,Rg为保护电阻(14)。液体置换方法——液体置换方法使用时可以采用三终端或自屏蔽两终端试验池。采用三终端试验池,可能直接测定所用液体的电容率。自屏蔽两终端试验池提供了三终端试验池的许多优点,即几乎排除了边缘和接地电容的影响,同时还可以与没有规定一个保护的测量电路一起使用。如果其配有一个完整的测微计电极,在较高频率下连接导线的串联电导电容的影响将可以排除。 精度——8.1所列方法精密考虑了电容率测定精度为±1%,而耗散因子测定精度为±(5%+0.0005)。这些精度取决于至少三个因素:电容和耗散因子观测的精度,所用电极布置导致的这些参量的修正值的精度以及电极之间真空静电容计算的精度。在好的条件以及较低频率下,电容测量可具有±(0.1%+0.02pF)的精度,而耗散因子可具有±(2%+0.00005)的精度。在较高频率下,当电容达到±(0.5%+0.1pF),耗散因子达到±(2%+0.0002)时,这些极限值可能增大。配有一个保护电极的电介质样本测量只具有电容误差和电极之间真空静电容计算的误差。受保护电极和保护电极之间间隙太宽导致的误差将通常为几十个百分比,同时修正值可以计算为几个百分比。当平均厚度为2mm时,样本厚度测量误差可为几十个百分比,此时假设可以测量至±0.005mm。圆形样本直径可以测量至具有±0.1%的精度,但是输入作为平方值。将这些误差合并,电极之间真空静电容可以测量至具有±0.5%的精度。与电极之间静电容不同的是,采用测微计电极进行测量的带接触式电极的样本不需要进行修正,假如样本直径足够小于测微计电极直径的话。当两终端样本以任何其它方式进行测量时,边缘电容计算和接地电容测定将涉及相当大的误差,因为每一种误差都可能为2~40%的样本电容。采用目前的这些电容知识,在计算边缘电容时,可能的误差为10%,而在评估接地电容时,其可能的误差为25%。因此涉及的总误差范围可为几十分之一的1%到10%或者更大。然而,当没有电极接地时,接地电容误差降至小(6.1)。采用测微计电极,0.03阶的耗散因子可以测量精确到±0.0003的真实值,而0.0002阶的耗散因子可以测量精确到±0.00005的真实值。耗散因子范围通常为0.0001到0.1,但是其也可以超过0.1。在10~20MHz的频率下,可以推测0.0002阶的耗散因子。从2到5的电容率值可以测定精确到±2%。该精度受到电极之间真空静电容计算要求测量精度以及测微计电极系统误差的限制。抽样抽样说明见材料规范。薄膜介电常数介质损耗因数测试仪程序样本制备概述——裁剪或模压试验样本至一个合适的形状和厚度,以能按照材料规范进行测试或者按照要求的测量精度,试验方法,和将执行的测量频率来进行测试。按照被测材料要求的标准方法来测量厚度。如果某一特殊材料没有标准,然后按照试验方法D374测量厚度。实际测量点应在材料电极覆盖区域上均匀分布。然后合适的测量电极应用到样本上(第7章)(除非将使用液体置换方法),尺寸和数量选择主要取决于是否将执行三终端或两终端测量,如果执行后者的两终端测量,是否将使用一个测微计电极系统(7.3)。样本电极材料选择将取决于应用的便利性和是否样本必须在高温和高相对湿度下进行调节(第7章)。通过一个移动显微镜来获得电极尺寸(如果电极不等效,则是指较小的电极),或者通过刻度为0.25mm的钢尺和一个允许放大至读数精确到0.05mm的放大镜来进行测量。在几个点上测量圆形电极的直径,或者矩形电极的尺寸,以获得一个平均值。测微计电极——样本面积等于或小于电极面积是可以接受的,但是样本的任何部分应不能延伸越过电极边缘。样本边缘应是光滑的,且垂直于薄板平面,同时也应具有清晰的边界,以使得薄板平面尺寸能够测量精确到0.025mm。厚度≤0.025直到≥6mm的厚度值都是可以接受的,这取决于平行板电极系统的大可用板间距。样本应是扁平的,同时厚度尽可能均匀,且无空隙,外来物质夹杂物,皱纹或任何其它缺陷。已经发现采用一个几个厚度或很多厚度的组合,能更方便和准确得测试极其薄样本。每个样本的平均厚度应尽可能测量精确到±0.0025mm之内。在一些场合,特别是对于薄膜等材料,但通常不包括多孔材料,将通过由已知或测量的材料密度,样本面的面积以及在分析天平上通过精确测量获得的样本(或者组合样本,当在多个厚度薄板上进行测试时)质量来计算得出平均厚度。液体置换——当浸泡介质为一种液体时,如果标准液体电容率在样本电容率的大约1%之内(见试验方法D1531),样本大于电极是可以接受的。另外,对于7.3.3所示类型的试验池,将通常要求双份样本,尽管可以在这类试验池中每次测试单个样本。在任何场合,样本厚度应不小于大约80%的电极间距,当被测材料耗散因子小于大约0.001时,这变得特别重要。 清洗——因为已经发现在某些材料场合,当不带电极进行测试时,样本表面上存在的导电污染物可对结果产生无规律的影响,因此需要采用一种合适的溶剂或其它方式(按照材料规范所述)来清洗试验样本,同时允许在试验之前*干燥样本(15)。当将在空气中在低频率(60~10000Hz)下进行测试时,清洗变得特别重要,但是如在无线电频率下进行测量时,清洗变得不那么重要。在采用一种液体介质进行试验的场合,样本清洗也将降低污染浸泡介质的趋势。被测材料适用的清洗方法参阅ASTM标准或其它规定本试验的文件。在清洗之后,只用镊子转移样本,然后储存在单独的信封套中,以防止在试验之前被进一步污染测量——将带附着电极的试验样本放入一个合适的测量试验池中,然后采用具有要求灵敏度和精度的方法来测量样本的电容和直流损耗。对于日常工作,当高精度不作要求时,或当样本终端都不用接地时,则没有必要将固体样本放入一个试验池中。 警告——本试验执行期间,致命电压是一种潜在的危险。所有试验装置及电连接到其上的所有相关设备需进行适当的设计和安装以便能安全运行,这是非常重要的。试验期间个人可能接触的所有导电连接进行牢固接地。在执行任何试验时,提供方式来对试验期间处于高电压的所有零件进行接地,或者对试验期间获得一个感应电荷而具有电位的所有零件进行接地,或者对甚至在电压源断开之后还保持带电荷而具有电位的所有零件进行接地。认真指导所有操作者,以使得其能采用正确的程序来安全执行试验。当执行高电压试验时,特别是在压缩气体或在油中测试时,在击穿时释放的能量可能足够导致试验箱发生火灾,爆炸,或者破裂。设计试验设备,试验箱和试验样本,以使得这类情况的发生可能性降至小,同时排除人身伤害的可能性。如果存在火灾风险,则需配置灭火设备。注2:将样本连接到测量电路所用的方法是非常重要的,特别是对于两终端测量。对于平行替代测量,试验方法D150先前*的临界间距连接方法可导致0.5pF的负误差。当两终端样本作为一个保护在一个试验池中进行测量时,可产生一个类似的误差。因为目前已知没有方法能用于评估该误差,当必须避免该数值的误差时,必须使用一种替代方法,也就是说,使用测微计电极,液体浸泡池,或者带受保护导线的三终端样本。注3:为获得电容和耗散因子而执行的测量细节说明以及由于测量电路而执行的任何必要的修正细节说明见商用设备提供的说明书所述。以下章节拟用于提供所需的补充说明。固定电极——精确地调节板间距至一个适合被测样本的值。特别对于低损耗材料,板间距和样本厚度应使得样本将占据不少于大约80%的电极间隙。对于在空气中的试验,不建议板间距小于大约0.1mm。当电极间距没有调节到一个合适值时,必须制备具有合适厚度的样本。测量试验池的电容和耗散因子,然后嵌入样本,同时使得样本位于测微计电极的电极或试验池之间的中心位置。重复测量。为获得大的精度,如果可以使用测量设备,直接测定△C和△D。记录试验温度。测微计电极——测微计电极常与那些接触样本或其附着电极的电极一起使用。为执行一次测量,首先将样本夹紧在测微计电极之间,然后平衡或调整测量用网络。接着取出样本,重新设置电极,通过移动测微计电极使得更近地靠在一起,使得电路或桥臂中的总电容重新恢复至其原始值。 液体置换方法——当使用单种液体时,充满试验池中,然后测量电容和耗散因子。小心插入样本(或组合样本,如果使用了两个样本池),然后将其置于中心位置。重复测量。为获得大的精度,如果可以使用测量设备,直接测定△C和△D。从液体中迅速地取出样本,以防止发生膨胀,然后在继续测试另一样本之前重新充满试验池至适当的液位。结果计算公式见表2给出。试验方法D1531详细描述了采用了本方法测量聚乙烯的应用。当受保护试验池为耐震结构时,按照精确温度控制条款,例如试验方法D1531中方法B的建议,则可通过在两种液体中测量样本来获得更大的精度。本方法也排除了已知样本尺寸的需要。该程序与以前的程序相同,除了使用两种不同电容率的流体之外(12,13,18)。使用空气作为*种流体是很方便的,因为这能避免测量期间清洗样本的必要性。受保护试验池的使用能允许测定所用液体或流体电容率测定。当采用一种或两种流体方法时,可能获得大的精度,此时一种液体的电容率较接近匹配样本的电容率。注4:当采用两种流体方法时,可由任一组读数获得耗散因子(其中采用具有较高Kf'的那组数据可获得较精确的耗散因子)。薄膜介电常数介质损耗因数测试仪电容率,耗散因子和损耗指数的计算——对于在某一给定频率下测量的样本,所用测量电路将给出电容值,交流损耗值(用Q表示),耗散因子,或串联或并联电阻。当由观测电容值计算得出电容率时,这些值必须转换为并联电容,如果不是如此来表示,则使用公式5。当使用测微计电极时,表3给出的公式可用于计算样本的电容。对于不同的电极系统,表2给出的公式可用于计算电容率和耗散因子。当使用平行替代方法时,耗散因子读数必须乘以总电路电容与样本或试验池电容的比值。Q和串联或并联电阻也要求由观测值计算得出。电容率为:Kx'=Cp/Cv (11) 平坦平行板和共轴圆柱的真空电容表达(6.4)见表1给出。当交流损耗采用串联电阻或并联电阻或电导来表示时,使用公式3和4给出的关系式来计算耗散因子(见3.1.2.1)。损耗指数等于耗散因子和电容率的乘积(见3.4)。10.4 修正——将样本连接到测量电路所用的导线具有电导和电阻,在高频率下,它们能大测量的电容和耗散因子。当测量中已包括额外电容时,例如边缘电容和接地电容,这些电容在两终端测量时可产生电位,此时观测并联电容将增大,同时观测耗散因子将减小。这些影响的修正值在附录X1和表1中给出。薄膜介电常数介质损耗因数测试仪报告11.1 报告以下信息:11.1.1 描述被测试的材料,也就是指名称,等级,颜色,制造商和其它相关数据,11.1.2 试验样本形状和尺寸,11.1.3 电极和测量池的类型和尺寸,11.1.4 样本调节,和试验条件,11.1.5 测量方法和测量电路,11.1.6 施加电压,有效电压梯度和频率,11.1.7 并联电容值,耗散因子值或功率因子值,电容率值,损耗指数值以及评估的精度值。精度和偏差精度——本规范提出的任一种试验方法的精度相关说明都不可能制定,因为精度受到被测材料和测量所用装置选择的影响。对于特定材料,鼓励这些试验方法用户探寻适用于特定材料的标准精度说明(也可见第8章)。 偏差——任一种或所有这些试验方法未能制定偏差相关的说明。关键字 直流损耗;电容;并联,串联,边缘现象,杂散;电导;接触式电极;电介质;介电常数;耗散因子;电绝缘材料;电极;液体置换;频率;边缘现象电容;受保护电极;Hz;损耗角;损耗因子;损耗正切值;非接触式电极;电容率;相位角;缺相角;功率因子;Q;品质因子;电抗;并联,串联;相对电容率;电阻;平行,串联;tan(Δ);厚度表3 电容计算—测微计电极并联电容符号定义Cp=C'-Cr+CvrC'=在电极重置间距处的测微计电极的校准电容,Cv=由表2计算得出的,在测微计电极之间被样本占据区域的真空电容,Cr=在间距r处的测微计电极的校准电容,r=样本和附着电极的厚度。样本真实厚度和面积必须用于计算电容率。当样本具有与电极相同的直径,通过使用以下程序和公式,可以避免边缘真空电容的双重计算,计算只具有小误差(由于在电极边缘的边缘现象导致的误差,值为0.2~0.5%)。Cp=C'-Cv+CvtCv=在间距t处的测微计电极的校准电容,Cvt=在样本区域的真空电容,t=样本厚度。 附录(非强制性信息)X1.串联电感和电阻和杂散电容的计算X1.1 由于导线电感导致的电容增加和由于导线电阻导致的耗散因子增加按下式计算:式中:Cp=被测量电容器的真实电容,Ls=导线的串联电感,Rs=导线的串联电阻,ω=2π×频率,Hz。注X1.1:对于所用导线,可以由物理尺寸非常小的电容器测量值来计算得出L和R,电容器在测量设备终端和导线很远的末端上进行测量。C是指终端处测量的电容,△C是指两个电容读数的差值,而R为由测量值C和D计算得出的数值。X1.2 当要求这些导线尽可能短时,则难于在1MHz下将其电感和电阻降低到0.1μH和0.05Ω以下。高频率电阻随着频率的平方根而增大。因此当频率大于1MHz时,这些修正变得越来越重要。当测量中已包括额外电容时,例如边缘电容Ce和接地电容Cg,这可能在两终端测量中产生,观测的并联电容将增大,同时观测的耗散因子也将减小。这些观测参量的下标为m,则按下式可计算得出修正值:X1.3 耗散因子表达式假设额外电容没有损耗。这对于接地电容来说是基本真实的,除非在低频率下,同时当电极延伸到样本边缘时,边缘电容也基本无损耗,因为几乎所有的通量线都是在空气中。电容率和损耗指数按下式进行计算:4 当有一个或两个电极小于电极时,边缘电容具有两部分。穿过环境电介质的通量线相关的的电容具有一个耗散因子,对于各项同性材料,该耗散因子与电介质主体的耗散因子相同。穿过空气的、通量线相关的电容没有损耗,因此不可能分隔电容,通常惯例是将测量的耗散因子视为真实的耗散因子。保护电极的有效面积受保护电极在测量电极和保护电极之间具有一个间隙。该间隙具有明确的尺寸来定义间隙面积。受保护电极有效面积大于其实际面积。在多数受保护电极系统中,增加值大约为50%的保护间隙面积。为获得某一采用受保护电极的电极系统的有效面积,通过空气间隙宽度来增大以下每一个尺寸,同时在公式中使用这些增大后的尺寸来计算面积:(a)圆形测量电极的直径,(b)矩形测量电极的每个尺寸,(c)圆柱形测量电极的长度。 在那些间隙宽度g与电极间隔距离t(大约为该样本的厚度)的比值适当的场合,受保护电极尺寸的增大值小于间隙宽度,该数量值识别为保护间隙修正值。保护间隙修正值符号为:2δ。 保护间隙修正值符号受到保护间隙宽度g;电极间隔距离t(该值大约为该样本的厚度);受保护测量电极厚度a;高电压和低电压电极之间介质电容率1/K';和间隙中介质电容率Kg'的影响。有效因子为:X2.1.4.1 比值g/tX2.1.4.2 比值a/gX2.1.4.3 比值K'/Kg'X2.2 对于某些K'/Kg'和a/g比值,2δ/g计算的完整公式见公式X2.1-X2.3所示。X2.3 在计算有效电极面积之前,保护间隙分数加上整体电极尺寸则得B=1-2δ/g。考虑X2.1.2(16)中的(b)和(c),B可以依据公式X2.4的经验公式计算得出。A为比值a/g的函数。当a/g=0(薄电极)时,A=1。当a/g为1或大于1(厚电极)时,A接近极限值0.8106(准确为8/π2)。从图X2.1可得出的A的中间值。X2.4 当g/t≤10时,从公式X2.2得出的lnB与从公式X2.1得出的lnB的比值非常接近1.23。因此,通过写入公式X2.4,可以排除评估公式X2.2的必要性,如公式X2.5所示。X2.5 由公式X2.5计算的B值将不同于准确值,两者差值大为0.01。对于0.25mm保护间隙,该大误差将产生一个0.0025mm的电极直径或电极尺寸误差。而对于25mm电极,这将产生一个0.02%的面积误差。式中.电容率和损耗特征的影响因素频率绝缘材料能在整个电磁波频谱上使用,这些频谱包括从直流电到至少3×1010Hz的无线电频率。仅存在非常少数的材料,如聚苯乙烯,聚乙烯,熔融二氧化硅,它们的电容率和损耗指数在该频率范围内是近似恒定的。有必要在材料将采用的频率下测量电容率和损耗指数,同时有必要在放置时的几个合适频率下测量电容率和损耗指数,如果该材料将在某个频率范围使用的话 当材料存在电介质极化时,则可导致电容率和损耗指数随着频率的变化。两种重要的极化是由于极性分子导致的偶极极化,以及材料不均匀性导致的界面极化。图X3.1显示了电容率和损耗指数随着频率的变化(17)。在高频率下开始,此时电容率通过一种原子或电子的极化来进行测定,每次成功的极化,不管是偶极极化还是界面极化,都促进电容率结果在零频率时具有大值。每一次极化都提供了一个大的损耗指数和耗散因子。在损耗指数为大值时的频率成为该极化的松弛频率。它也是电容率以大速率大的频率以及发生一半的该极化变化的频率。这些极化影响相关的知识将常常有助于确定应在哪个频率下执行测量。X3.1.3 自由离子或电子导致的电介质的任何直流电导不会对电容率产生直接影响,但将产生一个耗散因子,该耗散因子随着频率发生相反得变化,同时在零频率时变得无限大(图X3.1的虚线)。X3.2 温度X3.2.1 温度对某*缘材料的主要电学影响是将增大其极化时的松弛频率。它们随着温度以一定速率成倍大,该速率使得当温度在6~50℃范围内增大时,可导致松弛频率出现十倍的增大。在较低频率下的电容率的温度系数将总是为正值,除了许多原子和电子极化导致电容率温度系数为负值的事实之外。然而在高频率下,温度系数将为负值,在某些中间频率时可变为零,而在偶极或截面极化的松弛频率下该温度系数为负值。X3.2.2 损耗指数和耗散因子的温度系数可为正值或负值,这取决于松弛频率的测量关系式。当频率高于松弛频率时,该值为正值,而对于较低频率,该值为负值。因为界面极化的松弛频率通常低于1Hz,损耗指数和耗散因子的相应温度系数将在所有通用测量频率下为正值。因为某一电介质的直流电导通常随着温度的倒数减小而成倍增大,由此导致损耗指数和耗散因子值将以一种类似的方式增大,同时将产生一个较大的正值温度系数。X3.3 电压X3.3.1 所有电介质极化,除了界面极化几乎与存在的电位梯度无关,直到该梯度值达到在材料空隙或材料表面上发生电离,或者发生击穿的数值。在界面极化中,自由离子数量可能随着电压而增大,同时可能改变极化和其松弛频率的大小。直流电导也会受到类似的影响。X3.4 湿度X3.4.1 湿度对某*缘材料的主要电学影响是将*得增加其界面极化的大小,因此增大其电容率,损耗指数和其直流电导。这些湿度影响是由水吸入材料体积,以及在材料表面形成离子化水膜而导致的。后者在几分钟之内形成,然而前者可能需要几天,有时甚至是几个月来达到平衡,特别是对于较厚和相对不透水材料(15)。X3.5 水浸泡X3.5.1 水浸泡对某*缘材料的影响近似为*相对湿度暴露的影响。水被吸入材料体积中,通常其吸水速率大于*相对湿度下的吸水速率。然而,当终达到平衡时,在两种条件下的吸水的总量基本是相同的。如果材料存在水溶性物质,水浸泡下的滤出将显著快于在*相对湿度且不冷凝前提下的滤出。如果浸泡所用水不纯,其杂质可能进入材料中。当材料去除水进行测量时,与在*相对湿度且不冷凝前提下产生的效果相比,其表面形成的水膜将变得更厚,同时导电性更好,同时这将要求一些时间来达到平衡。X3.6 气候X3.6.1 气候作为一种自然现象,其包括温度和湿度改变,降雨,飓风,大气杂质和太阳紫外线和热量的影响。在这些条件下,某*缘材料表面可能发生*性变化,如物理上的粗糙化和裂解,化学上的更多易溶成分的损失以及表面沉积的盐,酸和其它杂质的反应。表面上形成的任何水膜将变得更厚和更容易导电,同时水将更容易渗入材料体积中。X3.7 损失X3.7.1 在电压和温度的工作条件下,由于吸收湿分,材料表面物理变化,材料成分化学变化,以及材料表面和内部空隙表面的电离影响,某*缘材料可能损失电学强度。通常来说,材料电容率和耗散因子将增大,同时它们的增大值将随着测量频率降低而变得更大。在充分理解X3.1-X3.6列出的影响之后,任何电学性能的观测变化,特别是耗散因子,可作为损失的一种度量方式,也就是指电介质强度减小的一种度量方式。X3.8 调节X3.8.1 许多绝缘材料的电学特征取决于温度,湿度和水浸泡性,正如以上章节所述,因此通常有必要规定某一样本的过去历史以及其与这些因素相关的试验条件。除非将在室温(20-30℃)下执行测量,同时未规定相对湿度,样本应按规程D618进行调节。所选程序应能接近匹配工作条件。当数据要求包含宽范围的温度和相对湿度时,将有必要使用中间值,同时可调节至平衡。X3.8.2 保持规定相对湿度的方法见规程D5032和E104所述。X3.8.3 部件调节规范见规范E197所述。备注:Polarizations:极化;Interfacial:界面;Dipole:偶极Permittivity:电容率;Loss index:损耗指数;Log Frequency:对数频率图X3.1 典型极化(17)典型测量电路的电路图显示的简化电路和方程式仅作为一般参考信息。完整的图形,方程式和所用测量方法应参阅某一特定设备附带的说明书。 备注:GUARD:保护方程式Cx=(R1/R2)CsDx=ωR1C1平衡方法在位置M采用S1来改变C1和R2,以使得探测器D获得小的偏转。通过改变CF和RF在位置G采用S1来重复操作。重复以上程序直到当S1转换到M或G时探测器显示没有变化达到平衡。注1:该电桥类型对在电源频率下的高电压测量特别有用,因为几乎所有的施加电压显示穿过标准电容器Cs和样本Cx。平衡电路和探测器的接地电位都非常接近。图X4.1 高电压西林电桥方程式Cx=(R1/R2)CsDx=ωR1C1平衡方法设置R1和R2的比值(范围),然后改变Cs和C1,以获得平衡。图X4.2 低电压西林电桥,直接法方程式Cx=△Cs△Cs=Cs'-CsDx=(Cs'/△Cs)△C1ωR1△C1=C1-C1'平衡方法改变C1和Cs,可以连接或不连接样本,以获得平衡。不接地导线的未知断开的初始平衡所用符号都是基本符号。图X4.3 低电压西林电桥,平行替代法方程式Cx=(L1/L2)CsGx=(L1/L2)GsDx=(Gs/ω Cs)平衡方法设置L1和L2的比值(范围),然后改变Cs和Gs,以获得平衡。图X4.4 电感比值臂(变压器)电路方程式Cx=Cs'-Cs=△CsGx=(R5ω2C1C2/Cs)(C4-C4')=△GxDx=Gx/ωCx=△Gx/ωCs平衡方法没有连接的平衡,以及带未知连接的重新平衡,采用Cs和C4。初始平衡所用符号都是基本符号。图X4.5 平行T形网络,平行替代法
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  • 基于宽视野的徕卡超高分辨率系统Super Resolution Ground State Depletion可以帮您获得20纳米分辨率的图像.集成了多项功能的解决方案:Leica SR GSD 系统也能够完成高灵敏、高速、多通道荧光以及温度控制下的宽场和TIRF(全内反射荧光术)功能。 激光器选用了3个高能量激光(300-1000mW): 488nm, 532nm 和 642nm, 其中的405nm激光也可以用于标准的TIRF (全内反射荧光术)应用。 SuMo 高精度载物台选用压力运动技术, 可以使系统保持稳定在小于20nm/10min 的侧向漂移。 这保证了实验中精确的分子定位。 能够使用常规荧光染料, 用户不需要为了达到高分辨而改换原有的操作流程 ( 支持的染料有: Alexa Fluor® 488, Rhodamine-6G, Atto 532 and 488, Alexa Fluor® 532, Alexa Fluor® 546, Atto565 and 568, Alexa Fluor® 647,YFP) 在线高分辨成像投射: 用户可以实时看到图像采集的成果。 这项特性令用户可以完全地控制实验进度-可以随时选择停止或继续采图以达到令人满意的成像。使用GSDIM分辨率可达20nmGSDIM是一种经过科学证实的,可使用各种标准荧光探针的显微成像方法。 Leica Microsystems是开发超高清显微镜的先驱者。2007年推出了Leica TCS STED,它预示着分辨率突破衍射极限的新时代的到来。 Leica SR GSD以Leica AM TIRF MC 系统和Leica DMI6000 B倒置显微镜为基础,根据为基态损耗(GSDIM)技术研发而成。 Leica SR GSD系统 为您带来的优势 最大分辨率可达20nm以GSDIM技术为基础的Leica SR GSD,超越了以前其它超高清系统达到的分辨率极限。GSDIM和STED都是德国 Max Planck Institute GottingenStefan Hell的专利技术,并且授权给Leica Microsystems。上图: Ptk2-细胞。NPC-染色:抗NUP153/Alexa FLUOR 532微管染色:抗-β-/Alexa FLUOR 488致谢:Wernher Fouquet, Leica Microsystems与德国海德尔堡 欧洲分子生物学实验所Anna Szymborsak与Jan Ellenberg合作。 可以使用标准荧光剂 - 无需制定特殊操作流程GSD的工作流程。以标准免疫染色技术为基础,可以很好地纳入到现有的显微图像工作流程中。上图: MDCK细胞微管, Alexa FLUOR 642 (红色)和TyrMicrotubules, Alexa FLUOR 488 (绿色)。致谢:德国马尔堡菲利普大学Ralf Jacob.教授。 带有运动抑制技术的SuMo平台,最大程度减小了移动,增加了分子定位的准确性。Leica SR GSD带来了全新的载物台防漂移技术,在图像采集过程中,系统所产生的最大漂移小于物分辨能力。因此,在图像采集的过程中能够观察到超清的影像。 Leica SR GSD可以在超清的图像采集过程中实时显示采集的每一幅图。用户在采像过程中可以实时观察生成的图像。该特点可以使用户完全掌控试验 - 您可以决定终止或继续采像,从而达到满意的结果。 超清TIRF和落射荧光与多功能活细胞成像系统相结合,形成了广泛的应用灵活性。Leica SR GSD将高清晰图像与使用简便的系统,以及广泛的宽视野显微镜应用相结合。您使用该工作站除了可以完成从高速成像到TIRF的日常试验之外,还可以获得超清的影像。 RCC-FG1 cells,免疫荧光标记α-?tubulin with AlexaFluor® 647.图像提供: Prof. Ralf Jacob.Philipps University Marburg,Germany 高尔基体, B16 (小鼠黑色素细胞瘤株),Golgi targeting signal of β?1,4-galactosyltransferase,fused to EYFP.图像提供:Dr. Yasushi Okada,Department of Cell Biologyand Anatomy,Graduate School of Medicine,University of Tokyo, Japan最新技术带来的高性能表现: The SuMo 载物台使用最新的科技, 可以达到完美表现和极低的侧向漂移.
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  • 一、产品概述:介电常数测试仪采用数字液晶显示,是通过GB1409中的Q表法测试固体/液体绝缘材料介电常数及介质损耗因数的分析仪器。它以单片计算机控制仪器,测量核心采用了频率数字锁定、标准频率测试点自动设定、谐振点自动搜索、Q值量程自动转换、数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至低值,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量时更为精确。可直读介电常数及介质损耗结果,免去人工计算的繁琐。经过新升级可通过上位机软件查看测试曲线,北京航天纵横检测仪器是代替进口设备的北京航天纵横仪器产品。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。产地北京房山。二、技术特性:DDS数字合成信号:50KHz-160MHz;信号源频率覆盖比:1600:1;信号源频率精度:6位有效数3×10-5 ±1个字;Q测量范围/Q分辨率:1-1000自动/手动量程;4位有效数,分辨率0.1;Q测量工作误差:5%;电感测量范围/分辨率:1nH-140mH 4位有效数,分辨率0.1nH;电感测量误差:5%;调谐电容:主电容17-240pF;电容直接测量范围:1pF~25nF;调谐电容误差/分辨率:±1pF或1% / 0.1pF;谐振点搜索:自动扫描;Q合格预置范围:5-1000声光提示;Q量程切换:自动/手动;LCD显示参数:F,L,C,Q,Lt,Ct波段等;新增功能:自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能;新增功能:大电容值直接测量显示功能,测量值可达25nF;消耗功率:约25W;净重:约7kg;外型尺寸:(宽×高×深)mm:380×132×280。二、符合标准:GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法;GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法;ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率(介电常数)的标准试验方法;GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法; 三、产品特点:1、双扫描技术 - 测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。2、双测试要素输入 - 北京航天纵横检测仪器测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。3、双数码化调谐 - 数码化频率调谐,数码化电容调谐。4、自动化测量技术 -对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。5、全参数液晶显示 – 数字显示主调电容、电感、 Q 值、信号源频率、谐振指针。6、DDS 数字直接合成的信号源 -确保信源的高葆真,频率的高精确、幅度的高稳定。7、计算机自动修正技术和测试回路优化—使测试回路 残余电感减至低值,彻底根除 Q 读数值在不同频率时要加以修正的困惑。8、新增功能:电感测试时,仪器自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能。大大提高了在电感值(特别是小电感值)测量时的精度。此技术只有北京航天纵横仪器生产的Q表有。9、新增功能:大电容值直接测量显示功能,电容值直接测量值可达25nF(配100uH电感时)。大电容值测量一个按键搞定。此技术只有北京航天纵横检测仪器生产的Q表有。四、工作环境:1、环境温度:0℃~+40℃;2、相对湿度:80%;3、电源:220V±22V,50Hz±2.5Hz。五、配置清单:主机一台电感九只夹具一套液体杯一个电源线一根数据线一根说明书一份合格证一份保修卡一张六、适用单位:可以用于科研机关,学校,例如一些科研院所,大专院校或计量测试部门的实验室需要用介电常数仪对绝缘材料的介质损耗角正切tanδ及介电常数进行测试;北京航天纵横检测仪器同时也适用于工厂或单位,例如一些工厂对无机非金属新材料性能的应用进行研究,另外在电力、电工、化工等领域,如:电厂、电业局实验所、变压器厂、电容器厂、绝缘材料厂、炼油厂等单位对固体及液体绝缘材料的介质损耗和相对介电常数ε的质量检测等等。七、试验步骤:1、按照Q表的操作规程调整仪器,选定测量频率,测定C1和Q1的值。2、将试样放入测试电极中,并调节电容器C,使电路谐振,达到最大Q值记下调谐电容量C2和Q2的值。3、将试样从测试电极中取出,调节C或测试电极的距离,使电路重新谐振,记下C、或测试电极的校正电容值与Q值,北京航天纵横检测仪器并根据测试值计算出损耗角tanδ与介电常数ε。4、其他高频测试仪器按其说明书进行操作,北京航天纵横检测仪器通过测试值计算出损耗角tanδ和介电常数ε。八、试验条件:1、试样表面应清洁、平滑,无裂纹、气泡和杂质等,试样表面应用蘸有无水乙醇的布擦洗。2、试样应在标准实验室温度及湿度下至少调节24h。3、当试样处理有特殊要求时,可按其产品标准规定的进行。九、测试意义:1、介电常数——北京航天纵横检测仪器绝缘材料通常以两种不同方式来使用,即(1)用于固定电学网络部件,同时让其彼此以及与地面绝缘;(2)用于起到某一电容器的电介质作用。在第一种应用中,通常要求固定的电容尽可能小,同时具有可接受且一致的机械,化学和耐热性能。因此要求电容率具有一个低值。在第二种应用中,要求电容率具有一个高值,以使得电容器能够在外型上能尽可能小。有时使用电容率的中间值来评估在导体边缘或末端的应力,以将交流电晕降至最小。2、交流损耗——对于这两种场合(作为电学绝缘材料和作为电容器电介质),交流损耗通常必须是比较小的,以减小材料的加热,同时将其对网络剩余部分的影响降至最小。在高频率应用场合,特别要求损耗指数具有一个低值,因为对于某一给定的损耗指数,电介质损耗直接随着频率而增大。在某些电介质结构中,例如试验用终止衬套和电缆所用的电介质,通常电导增加可获得损耗增大,这有时引入其来控制电压梯度。在比较具有近似相同电容率的材料时或者在材料电容率基本保持恒定的条件下使用任何材料时,这可能有助于考虑耗散因子,功率因子,相位角或损耗角。3、相关性——北京航天纵横检测仪器当获得适当的相关性数据时,耗散因子或功率因子有助于显示某一材料在其它方面的特征,例如电介质击穿,湿分含量,固化程度和任何原因导致的破坏。然而,由于热老化导致的破坏将不会影响耗散因子,除非材料随后暴露在湿分中。当耗散因子的初始值非常重要的,耗散因子随着老化发生的变化通常是及其显著的。十、典型用户:沧州大化集团中国计量大学河南平煤神马聚碳材料有限责任公司温州市鹿城区科学技术局东莞初创应用材料有限公司北京航空航天大学中国科学技术大学惠州市杜科新材料有限公司宁波东烁新材料科技有限公司云南能投硅材科技发展有限公司天津科技大学十一、相关产品:ZJC-50kV电压击穿试验仪ZST-212体积表面电阻率测试仪ZJD-C介电常数介质损耗测试仪ZDH-20KV耐电弧试验仪LDQ-5漏电起痕试验仪XRW-300HB热变形维卡温度测定仪XNR-400H熔体流动速率测定仪JF-6氧指数测定仪CZF-5水平垂直燃烧试验机WDW-50KN材料电子拉力试验机一、介质损耗的基本概念1.介质损耗电介质在电场作用下(加电压后),要发生极化过程和电导过程。有损极化过程有能量损耗;电导过程中,电学性泄漏电流流过绝缘电阻当然也有能量损耗。损耗程度一般用单位时间内损耗的能量,即损耗功率表示。这种电介质出现功率损耗的过程称为介质损耗。显然,介质损耗过程随极化过程和电导过程同时进行。介质损耗掉的能量(电能)变成了热能,使电介质温度升高。若介质损耗过大,则电介质温度将升得过高,这将加速电介质的热分解与老化,最终可能导致绝缘性能的完全失去,所以研究介质损耗有十分重要的意义。2.介质损耗的基本形式(1)电导损耗。电导损耗为电场作用下由泄漏电流引起的那部分损耗。泄漏电流与电场频率无关,故这部分损耗在直流交流下都存在。气体电介质以及绝缘良好的液、固体电介质,电导损耗都不大。液、固体电介质的电导损耗随温度升高而按指数规律增大。(2)极化损耗。极化损耗为偶极子与空间电荷极化引起的损耗。在直流电压作用下,由于极化过程仅在电压施加后很短时间内存在,与电导损耗相比可忽路。而在交流电压作用下,由于电介质随交流电压极性的周期性改变而作周期性的正向极化和反向极化,极化始终存在于整个加压过程之中。极化损耗在频率不太高时随频率升高而增大。但频率过高时,极化过程反而减弱,损耗减小。极化损耗与温度也有关,在某一温度下极化损耗达最大。(3)游离损耗,游离损耗主要是指气体间隙的电晕放电以及液、固体介质内部气泡中局部放电所造成的损耗。这是因为放电时,产生带电粒子需要游离能,放电时出现光、声、热、化学效应也要消耗能量。游离能随电场强度的增大而增大。二、介质损失角正切tanδ由上可见,在直流电压作用下,介质损耗主要为电导损耗,因此,电导率γ或电阻率ρ既表示介质电导的特性,同时也表征了介质损耗的特性。但在交流电压作用下,三种形式的损耗都存在,为此需引入一个新的物理量来表征介质损耗的特性,这个物理量就是tanδ。1.并联等值电路及损耗功率的计算公式电介质两端施加一交流电压时,就有电流流过介质。有三个电流分量组成式中 ——电导过程的电流,为阻性电流,与同相位;——无损极化和有损极化时的电流。对应的等值电路如图2-9(a)所示,此等值电路可进一步简化成如图2-9(b)所示的由R和Cp相并联的等值电路。此并联等值电路的相量图如图2-9(c)所示。我们定义功率因数角θ的余角为δ角。由相量图可见,介质损耗功率越大,IR越大,δ角也越大,因此δ角称为介质损失角。对此并联等值电路,可写出介质损耗功率P的计算公式当然,图2-9(b)的电路也可以简化成由r和Cs相串联的等值电路,可以证明当tanδ 很小时, Cs≈C对于串联等值电路,同样可以推出损耗功率的计算公式2.tanδ值的意义从介质损耗功率P的计算公式看,我们若用P来表征介质损耗的程度是不方便的,因为P值与试验电压U的高低、试验电压的角频率ω(ω=2Πf)、电介质等值电容量Cp (或Cs)以及tanδ值有关。而若在试验电压、频率、电介质尺寸一定的情况下,那么介质损耗功率仅取决于 tanδ,换句话说,也就是tanδ是与电压、频率、绝缘尺寸无关的量,它仪取决于电介质的损耗特性。所以 tanδ是表征介质损耗程度的物理量,与εr、γ相当。这样,我们可以通过试验测量电介质的tanδ值,并以此来判断介质损耗的程度。各种结构固体电介质的tanδ如表2-2所示。表2-2 各种结构固体电介质的tanδ值(1MHz,20℃时)电介质结构名称tanδ分子结构非极性分子石 蜡 聚苯乙烯 聚四氟乙烯小于0.0002极性分子纤维素 有机玻璃0.01~0.015离子结构晶格结构紧密岩 盐 刚 玉小于0.0002 小于0.0002晶格结构不紧密多铝红柱石0.015晶格畸变的晶体锆英石0.02无定形结构硅酸铅玻璃 硅碱玻璃0.001 0.01不均匀结构 绝缘子瓷 浸渍纸绝缘0.01 0.01三、影响 tanδ 的因素影响tanδ 值的因素主要有温度、频率和电压。1.温度对tanδ值的影响随电介质分子结构的不同有显著的差异中性或弱极性介质的损耗主要由电导引起,故温度对tanδ的影响与温度对电导的影响相似,即tanδ随温度的升高而按指数规律增大,且tanδ较小。极性介质中,极化损耗不能忽略,tanδ值与温度的关系如图2-10所示。当温度在t1时,由于温度较低,电导损耗与极化损耗都小,电导损耗随温度升高而略有增大,而极化损耗随温度升高也增大(黏滞性减小,偶极子转向容易),所以tanδ随温度升高而增大。当温度在t1<t<t2时,温度已不太低,此时分子的热运动反而妨碍偶极子沿电场方向作有规则的排列,极化损耗随温度升高而降低,而且降低的程度又要超过电导损耗随温度升高的程度,因此tanδ随温度升高而减小。当温度在t>t2时,温度已很高,电导损耗已占主导地位,tanδ又随温度升高而增大。2.频率对tanδ的影响主要体现于频率对极化损耗的影响tanδ与频率的关系如图2-11所示。在频率不太高的一定范围内,随频率的升高,偶极子往复转向频率加快,极化程度加强,介质损耗增大,tanδ值增大。当频率超过某一数值后,由于偶极子质量的惯性及相互间的摩擦作用,来不及随电压极性的改变而转向,极化作用减弱,极化损耗下降,tanδ值降低。3.电压对tanδ的影响主要表现为电场强度对tanδ值的影响在电场强度不很高的一定范围内,电场强度增大(由于电压升高),介质损耗功率变大,但tanδ几乎不变。当电场强度达到某一较高数值时,随着介质内部不可避免存在的弱点或气泡发生局部放电,tanδ随电场强度升高而迅速增大。因此,在较高电压下测tanδ值,可以检查出介质中夹杂的气隙、分层、龟裂等缺陷来。此外,湿度对暴露于空气中电介质的tanδ影响也很大。介质受潮后,电导损耗增大,tanδ也增大,例如绝缘纸中水分含量从4%增加到10%,tanδ值可增大100倍。然而,假如tanδ值的测试是在温度低于0~5℃时进行,含水量增加tanδ反而不会增大,这是因为此时介质中的水分已凝结成冰,导电性又变差,电导损耗变小的缘故。为此,在进行绝缘试验时规定被试品温度不低于+5℃,这对tanδ的测试尤为重要,在工程实际中,通过tanδ以及tanδ=f(u)曲线的测量及判断,对监督绝缘的工作状况以及老化的进程有非常重要的意义。
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  • 产品介绍:DZ5001是一款测量介质损耗和介电常数的测量仪器,采用高频谐振法,测量准确度高,大电容显示,具有操作简单,液晶显示,测试精度高等优势。测试原理:介电常数测试仪通常采用高频谐振法,并利用平行板电容器来测量物质的电容值。测试过程中,两个平行金属板之间填充了被测物质。当加上电压时,电子会在两个板之间移动,导致电容值发生变化,这个变化取决于介质材料的介电常数。应用范围:DZ5001介电常数测试仪是用于测量介质损耗和介电常数是各种金属氧化物,板材,瓷器(陶器),云母,玻璃,塑料等绝缘材料,通过测定可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据。性能优势:仪器自动扣除残余电感和测试引线电感。大幅提高测量精度。大电容值直接测量显示。数显微测量装置,直接读值。符合的测量标准:1、 GBT 1693-2007 硫化橡胶 介电常数和介质损耗角正切值的测定方法。2、ASTM-D150-介电常数测试方法。3、GB9622.9-88/SJT 11043-1996 电子玻璃高频介质损耗和介电常数的测试方法。技术参数:信号源范围DDS数字合成信号10KHZ-100MHZ信号源频率覆盖比7000:1信号源频率精度6位有效数3×10-5 ±1个字 采样精度12BIT 高精度的AD采样,保证了Q值的稳定性,以及低介质损耗材料测试时候的稳定性Q测量范围1-1000自动/手动量程Q分辨率4位有效数,分辨率0.1Q测量工作误差5%电感测量范围 4位有效数,分辨率0.1nH :1nH-140mH分辨率0.1nH电感测量误差3%调谐电容主电容17-240pF (一体镀银成型,精度高)电容自动搜索是(带步进马达)电容直接测量范围1pF~25nF调谐电容误差 ±1 pF或1%分辨率 0.1pF谐振点搜索自动扫描Q合格预置范围5-1000声光提示Q量程切换自动/手动LCD显示参数F,L,C,Q,Lt,Ct,Er ,Tn等自身残余电感和测试引线电感有
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  • 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪:GDAT-A 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪满足标准:GBT 1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频(包括米波波长在内)下电容率和介质损耗因数的推荐方法 二、介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪的技术指标 1.Q值测量 a.Q值测量范围:2~1023。 b.Q值量程分档:30、100、300、1000、自动换档或手动换档。 c.标称误差项 目 GDAT-A频率范围20kHz~10MHz;固有误差≤5%±满度值的2%;工作误差≤7%±满度值的2%;频率范围10MHz~60MHz;固有误差≤6%±满度值的2%;工作误差≤8%±满度值的2%。电感测量范围介电常数介质损耗试验仪电容测量14.5nH~8.14H1~ 460 项 目GDAT-A直接测量范围1~460pF主电容调节范围30~500pF,精准度150pF以上±1% 150pF以下±1.5pF; 注:大于直接测量范围的电容测量见使用规则 4.介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪信号源频率覆盖范围项 目 GDAT-A: 频率范围10kHz~50MHz频率分段(虚拟)10~99.9999kHz100~999.999kHz1~9.99999MHz10~60MHz 频率指示误差3×10-5±1个字Q合格指示预置功能预置范围:5~1000。Q表正常工作条件环境温度:0℃~+40℃; 相对湿度80%电源220V±22V,50Hz±2.5Hz。消耗功率约25W;净重约7kg外型尺寸(l×b×h)mm:380×132×280 8.产品配置:a. 测试主机一台;b. 电感9只;c. 夹具一套 电感:线圈号 Q 值 测试频率 分布电容p 电感值 9100KHz 98 9.4 25mH8400KHz 13811.4 4.87mH7 400KHz 20216 0.99mH61MHz 196 13252μH52MHz 198 8.749.8μH4 4.5MHz 231 7 10μH 312MHz 1936.9 2.49μH2 12MHz 229 6.4 0.508μH1 25MHz,50MHz233,2110.9 0.125μH 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪的详细资料: 一、 介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪概述介质损耗和介电常数是各种电瓷、装置瓷、电容器等陶瓷,还有复合材料等的一项重要的物理性质,通过测定介质损耗角正切tanδ及介电常数(ε),可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据;仪器的基本原理是采用高频谐振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制,测量核心采用了频率数字锁定,标准频率测试点自动设定,谐振点自动搜索,Q值量程自动转换,数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感减至最低,并保留了原Q表中自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量值更为精确。仪器能在较高的测试频率条件下,测量高频电感或谐振回路的Q值,电感器的电感量和分布电容量,电容器的电容量和损耗角正切值,电工材料的高频介质损耗,高频回路有效并联及串联电阻,传输线的特性阻抗等。介电常数介质损耗试验仪用于科研机关、学校、工厂等单位对无机非金属新材料性能的应用研究。感谢您耐心阅读我们的信息如果您对我们的介电常数介质损耗测试仪/介电常数测试仪/介质损耗测试仪感兴趣或者有什么疑问欢迎您来电咨询 我们会有专业的工程师为您解决您的疑问!! 北广公司其它绝缘材料检测仪器: BDJC-0-100KV 介电击穿试验仪 BDJC系列绝缘材料工频率介电击穿试验仪 BDJC系列电压介电强度试验仪器 BDJC系列 电压击穿试验仪 BDJC系列绝缘漆漆膜击穿强度试验仪 BDJC电容器纸工频电压击穿试验仪 EST-121 体积表面电阻率测定仪 GDAT-A介质损耗测试仪/介电常数测试仪 GDAT-C新型介电常数介质损耗测试仪 BDH 耐漏电起痕试验仪 BDH-B耐电弧试验仪 中国检测行业与验证服务的尖端者和智领者,帮助众多检测质检单位和学校教研单位提供一站式的全面质量解决方案。 注重每一个细节是北广公司对于每个客户的承诺 , 也是北广公司一直追求的宗旨。北京北广精仪仪器设备有限公司
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  • 从建立极化到其稳定所需时间很短(约为10-16~10-12s),这在无线电频率(5×1012Hz 以下)范围均可认为是极短的,因此基本上不消耗能量。其他缓慢极化(例如松弛极化、空间电荷极化等)在外电场作用下,需经过较长时间(10-10s或更长)才达到稳定状态,因此会引起能量的损耗。若外加频率较低,介质中所有的极化都能完全跟上外电场变化,则不产生极化损耗。若外加频率较高时,介质中的极化跟不上外电场变化,于是产生极化损耗。电离损耗电离损耗(又称游离损耗)是由气体引起的,含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时,由于气体的电离吸收能量而造成指耗,这种损耗称为电离损耗。结构损耗在高频电场和低温下,有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。这类损耗与温度关系不大,耗功随频率升高而增大。试验表明结构紧密的晶体成玻璃体的结构损耗都很小,但是当某此原因(如杂质的掺入、试样经淬火急冷的热处理等)使它的内部结构松散后。其结构耗就会大大升高。宏观结构不均勾性的介质损耗工程介质材料大多数是不均匀介质。例如陶瓷材料就是如此,它通常包含有晶相、玻璃相和气相,各相在介质中是统计分布口。由于各相的介电性不同,有可能在两相间积聚了较多的自由电荷使介质的电场分布不均匀,造成局部有较高的电场强度而引起了较高的损耗。但作为电介质整体来看,整个电介质的介质损耗必然介于损耗大的一相和损耗小的一相之间。表征:电介质在恒定电场作用下,介质损耗的功率为  W=U2/R=(Ed)2S/ρd=σE2Sd定义单位体积的介质损耗为介质损耗率为ω=σE2在交变电场作用下,电位移D与电场强度E均变为复数矢量,此时介电常数也变成复数,其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D,E,J之间的相位关系图D,E,J之间的相位关系图如图所示,从电路观点来看,电介质中的电流密度为J=dD/dt=d(εE)/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度,导致能量损耗;Je,相比较E超前90°,称为无功电流密度。
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  • 绝缘油介质损耗体积电阻测试仪概 述绝缘油介质损耗及电阻率测试仪是依据 GB/T5654-2007《液体绝缘材料 相对电容率、介质损耗因数和直流电阻率的测量》设计制造的高精密一体化检测仪器。主要用于绝缘油等液体绝缘介质的介质损耗因数和直流电阻率的测量,内部集成了介损油杯、温控仪、温度传感器、介损测试电桥、交流试验电源、标准电容器、高阻计、直流高压源等主要部件。该仪器应用先进的测控技术,全自动完成升温、控温、高速数据采样、运算、显示、打印及存储等过程。先进的测量原理和高度数字化技术,使您的工作变得更加轻松、便捷。仪器内部采用全数字技术,全部智能自动化测量,配备了大屏幕彩色触摸屏,全中文菜单,每一步骤都有中文提示,测试结果可以打印输出,操作人员不需专业培训就能熟练使用。二、绝缘油介质损耗体积电阻测试仪仪器特点高度自动化,升温、测量介损 、测量电阻率可一次完成;油杯采用符合国标 GB/T5654-2007 的三电极式结构,极间间距2mm,可消除杂散电容及泻漏对介损测试结果的影响;仪器采用中频感应加热,PID控温算法。该加热方式具备油杯与加热体非接触、加热均匀、速度快、控制方便等优点,使温度严格控制在预设温度误差范围以内。采用先进的DSP和FFT技术,确保数据稳定、准确、可靠 。内部标准电容器为SF 6 充气三点极式电容,该电容的介损及电容量不受环境温度、湿度等影响,使仪器精度在长时间使用后仍然得到保证。大屏幕彩色触摸屏,中文操作菜单,人家对话方便,操作简洁明了,一目了然。具有开盖断高压,油杯高低压电极短路等温馨提示,消除安全隐患,确保操作人员的人身安全和设备的正常运行。自带实时时钟,测试日期、时间可随测试结果保存、显示、打印;设备可以显示环境温度,对试验环境实时进行检测。自动存储测量数据,可存储100组测量数据。 空电极杯校准功能。测量空电极杯的电容量和介质损耗因数,以判断空电极杯的清洗和装配状况。校准数据自动保存,以利于相对电容率和直流电阻率的精确计算。产品主要技术指标测 量 范 围: 电容量 5pF~200pF相对电容率 1.000~30.000介质损耗因数 0.00001~100直流电阻率 2.5 MΩm~20 TΩm测 量 精 度: 电容量 ±(1%读数+0.5pF)相对电容率 ±1%读数介质损耗因数 ±(1%读数+0.0001)直流电阻率 ±10%读数分 辨 率: 电容量 0.01pF相对电容率 0.001介质损耗因数 0.00001测 温 范 围: 0~125℃温度测量误差: ±0.5℃交流实验电压: 0~2000V 连续可调,频率 50Hz直流试验电压: 0~500V 连续可调功 耗: 100W外 型 尺 寸: 420mm*380mm*385mm总 重 量: 21Kg使用条件1. 环境温度 0 ~ 40 ℃2. 相对湿度 ≤ 80%3. 工作电源 AC 220V ( 1 ± 10% )4. 电源频率 50 Hz (1 ± 10%)5. 功率消耗 < 200 W外观图图 21. 液晶屏 显示日期、时间、操作参数、测试结果、操作菜单提示等相关信息;2.打印机 打印单次及多次测试结果的平均值;3.电源插座及开关 良好插接 AC 220V 50Hz 电源线;电源开关控制仪器电源通断4.油杯槽 用于放置测试油杯5.测量信号插座 用于插接测量信号线6. 温度信号线 打开后放入或取出油杯,关闭后方可进行测试;7. 接地柱 可靠的地线连接柱操作步骤图解1.将干净的油杯置于油杯槽内(注意油杯的内电极和外电极一定要放置到位),将测量信号线和温度信号线如图 2 连接完好。温度信号线置于油杯中心部位的插孔内。2、将地线与设备连接完好,接通电源线,打开电源开关,设备会自动进入主界面如图 3图33、在图 3 界面下,按试验条件键,设备进入下一级菜单如图 4;4、在图 4 界面中,可以分别对试验参数进行设置,图中是设备的默认参数,如需改动,只要点击需要改动的参数,就会自动弹出一个小键盘,如图 5,在小键盘中直接输入需要的参数并点击小键盘上的确认键即可,选择打印的时候只要点击光标处就可以在是和否之间切换。设定好后点击确定即可回到图 3 主界面。5、在图 3 界面下,点击空杯测试进入图 6,空杯测试主要是对油杯注油前的干净程度和装配进行验证,可以选择介质损耗因数和相对电容率及体积电阻率,点击测试项目前面的光标即可选择测试还是不测试。空杯介损值越小越好,在图 6 中选择完测试项目后点击确定后即可进入图 7,图 7中设备可以在设定的 90℃进行测量,也可以点击立即测试,在当时温度下测量。图6图76、空杯检测完毕没有问题后,将油杯的内电极取出置于油杯架上,取 40ml待测油样置于油杯中(注意:注入油样时一定注意不能出现气泡,应沿着杯壁缓缓注入),油样注入后,再将油杯的内电极慢慢的放到位。(动作要慢一些,防止动作太快,排气不及时,使油样溢出),接好测量信号线和温度信号线,点击图 3 中的自动测试,进入图 6 界面和图 7 界面,一般测油是都按照规程 90℃测量,同样也可以选择立即测试,在当前温度下测量。7、点击图 3 中的数据查询,进入图 8 界面,点击上页和下页进行翻阅,也可以点击打印,对数据进行打印;还可以点击删除键对数据进行删除,按退出键退回到主界面。油杯的清洗及安装方法油杯的技术指标极板间距 2mm 油杯容量 40ml空杯电容量 60±5pF 空杯介损值 <5×10 -51 1 、组装方法(拆解步骤相反)油杯各部件如图六所示:图六、油杯各组装部件图清洗后的零部件禁止用手直接接触,组装时必须戴好丝绸类手套,按照下列步骤进行组装。a.将绝缘圈(6)放入屏蔽电极(4)中。b.二者套在低压电极(2)上。c.将低压电极螺帽(3)拧紧在低压电极(2)上。d.将屏蔽电极螺帽(5)拧紧在屏蔽电极(4)上。e.将绝缘圈(7)套在屏蔽电极(4)上。f.将油杯上盖(8)拧紧在将屏蔽电极螺帽(5)上。g.将以上组装体轻轻地放入高压电极(1)中,组装完成清洗方法在测量绝缘油的损耗值时,清洗油杯是很重要的准备工作。一些不可信的测量结果,往往是由于油杯清洗不彻底所致,因此必须遵循严格的清洗方法,才能得出重复性好、可靠的测量结果。做绝缘油的损耗因数的鉴定试验时,在每次试验之前应彻底清洗油杯,清洗的步骤如下:a.将油杯彻底拆开,依次用化学纯的石油醚(馏程 60~90℃)和苯清洗所有部件。b.用丙酮对所有部件进行漂洗,然后用中性洗涤剂清洗。c.将所有部件放在 5%的磷酸三钠的蒸馏水溶液中煮沸 5 分钟,再用蒸馏水漂洗几次。d.把所有部件放在蒸馏水中煮沸至少 1 小时。e.将所有部件放入温度控制在 105~110℃的烘箱内烘干,烘干时间不少于 1 小时。f.待所有部件冷至不烫手时,组装油杯。注意:在做绝缘油的损耗因数的一般例行试验时,油杯的清洗方法可以简化,即将上述清洗方法的第 c c 项和第 d d 项略去,代之以将所有部件用蒸馏水漂洗几次后,直接进入第 e e 项。此外,当连续对一批油样作例行试验时,如果前一次油样的损耗因数小于规定值,则在做下一个油样时可不必再清洗油杯,但必须用第二个油样洗涮油杯三次以上。八、注意事项1.遵守高压试验安全工作规程。2.因仪器内部有高压及高温,在工作过程中,禁止打开油杯罩。3.仪器在使用过程中要可靠接地。4.要注意仪器使用环境的清洁。5.油杯安装和清洗应严格按规定进行,否则将造成油杯放电,致使仪器无法正常工作。6.保险管损坏,必须更换相同规格保险管。仪器的成套性1. 主机 壹台2.油杯 壹套3. 滲油杯 壹个4. 油杯托架 壹个5. 玻璃注射器 壹支6. 测试线 壹条7. 温度传感器 壹条8. 电源线 壹条9. 合格证 一份10. 说明书 壹本11. 出厂检验报告 壹张12.保险管(5A) 贰支13.打印纸卷 贰卷
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  • 产品介绍:DZ5001介质损耗测试仪采用高频谐振法,提供了通用、多用途、多量程的阻抗测量。测试范围:介质损耗和介电常数是各种金属氧化物,板材,瓷器(陶器),云母,玻璃,塑料等物质的一项重要的物理性质。通过测定可进一步了解影响介质损耗和介电常数的各种因素,为提高材料的性能提供依据。应用范围:DZ5001介质损耗测试仪该用于科研机关、学校、工厂等单位对无机金属新材料性能的应用研究。性能特点:大电容值直接测量显示功能:测量值可达25nF介质损耗系数:精度万分之一/LCD直接显示介电常数:精度千分之一/LCD直接显示材料测试厚度:0.1mm-10mm具备的技术:仪器自动扣除残余电感和测试引线电感。大幅提高测量精度。大电容值直接测量显示。数显微测量装置,直接读值。参照国标:GB/T 1693-2007技术参数:信号源范围DDS数字合成信号10KHZ-100MHZ信号源频率覆盖比7000:1信号源频率精度6位有效数3×10-5 ±1个字 采样精度12BIT 高精度的AD采样,保证了Q值的稳定性,以及低介质损耗材料测试时候的稳定性Q测量范围1-1000自动/手动量程Q分辨率4位有效数,分辨率0.1Q测量工作误差5%电感测量范围 4位有效数,分辨率0.1nH :1nH-140mH分辨率0.1nH电感测量误差3%调谐电容主电容17-240pF (一体镀银成型,精度高)电容自动搜索是(带步进马达)电容直接测量范围1pF~25nF调谐电容误差 ±1 pF或1%分辨率 0.1pF谐振点搜索自动扫描Q合格预置范围5-1000声光提示Q量程切换自动/手动LCD显示参数F,L,C,Q,Lt,Ct,Er ,Tn等自身残余电感和测试引线电感有产品展示:
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  • 介质损耗因数测试仪检测试验机技术参数:信号源范围DDS数字合成信号10KHZ-100MHZ信号源频率覆盖比7000:1信号源频率精度6位有效数3×10-5 ±1个字 采样精度12BIT 高精度的AD采样,保证了Q值的稳定性,以及低介质损耗材料测试时候的稳定性Q测量范围1-1000自动/手动量程Q分辨率4位有效数,分辨率0.1Q测量工作误差5%电感测量范围 4位有效数,分辨率0.1nH :1nH-140mH分辨率0.1nH电感测量误差3%调谐电容主电容17-240pF (一体镀银成型,精度高)电容自动搜索是(带步进马达)电容直接测量范围1pF~25nF调谐电容误差 ±1 pF或1%分辨率 0.1pF谐振点搜索自动扫描Q合格预置范围5-1000声光提示Q量程切换自动/手动LCD显示参数F,L,C,Q,Lt,Ct,Er ,Tn等自身残余电感和测试引线电感有介质损耗因数测试仪检测试验机自动扣除功能大电容值直接测量显示功能: 测量值可达25nF介质损耗系数: 精度 万分之一 / LCD直接显示介电常数: 精度 千分之一 / LCD直接显示材料测试厚度: 0.1mm-10mm独有技术:仪器自动扣除残余电感和测试引线电感。大幅提高测量精度。大电容值直接测量显示。数显微测量装置,直接读值。参照国标GB/T 1693-2007介质损耗因数测试仪检测试验机产品特点:  1、双扫描技术-测试频率和调谐电容的双扫描、自动调谐搜索功能。  2、双测试要素输入-测试频率及调谐电容值皆可通过数字按键输入。  3、双数码化调谐-数码化频率调谐,数码化电容调谐。  4、自动化测量技术-对测试件实施 Q 值、谐振点频率和电容的自动测量。  5、全参数液晶显示–数字显示主调电容、电感、Q 值、信号源频率、谐振指针。数字直接合成的信号源-确保信源的准确,频率的高精度、幅度的高稳定。  7、计算机自动修正技术和测试回路优化—使测试回路残余电感减至低值,解决了Q读数值在不同频率时要加以修正的困惑。  8、新增功能:电感测试时,仪器自身残余电感和测试引线电感的自动扣除功能,提高了在电感值测量时的精度。  9、新增功能:大电容值直接测量显示功能。大电容值测量一个按键搞定。介质损耗因数测试仪检测试验机采用高频谐振法,并提供了通用、多用途、多量程的阻抗测试。它以单片计算机作为仪器的控制,测量核心采用了频率数字锁定,标准频率测试点自动设定,谐振点自动搜索,Q值量程自动转换,数值显示等新技术,改进了调谐回路,使得调谐测试回路的残余电感降低,并保留了自动稳幅等技术,使得新仪器在使用时更为方便,测量值更为准确。介质损耗因数测试仪检测试验机在现行高频介质材料检定系统中,检定部门为高频介质损耗测量仪提供的测量标准是高频标准介质样品。该样品由人工蓝宝石、石英玻璃、氧化铝陶瓷、聚四氟乙烯、环氧板等材料做成Φ50mm,厚1~2mm测试样品。用户可按需订购,以保证测试装置的重复性和准确性。
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  • 介质损耗仪 400-801-8116
    产品介绍:DZ5001系列介质损耗测试采用是高频谐振法,具有测量范围广,准确性高的优势,并且测量操作简单,可以连接电脑,保存数据等优势。技术参数:信号源范围DDS数字合成信号10KHZ-100MHZ信号源频率覆盖比7000:1信号源频率精度6位有效数3×10-5 ±1个字 采样精度12BIT 高精度的AD采样,保证了Q值的稳定性,以及低介质损耗材料测试时候的稳定性Q测量范围1-1000自动/手动量程Q分辨率4位有效数,分辨率0.1Q测量工作误差5%电感测量范围 4位有效数,分辨率0.1nH :1nH-140mH分辨率0.1nH电感测量误差3%调谐电容主电容17-240pF (一体镀银成型,精度高)电容自动搜索是(带步进马达)电容直接测量范围1pF~25nF调谐电容误差 ±1 pF或1%分辨率 0.1pF谐振点搜索自动扫描Q合格预置范围5-1000声光提示Q量程切换自动/手动LCD显示参数F,L,C,Q,Lt,Ct,Er ,Tn等自身残余电感和测试引线电感有
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  • 工频介电常数介质损耗设备大电容值直接测量显示功能() 测量值可达25nF介质损耗系数 精度 万分之一介电常数 精度 千分之一材料测试厚度 0.1mm-10mm工频介电常数介质损耗设备电容直接测量范围 1pF~25nF调谐电容误差分辨率 ±1 pF或0.1pF谐振点搜索 自动扫描Q合格预置范围 5-1000声光提示Q量程切换 自动/手动工频介电常数介质损耗设备GB/T 1693-2007 硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法.GB/T 1409-2006、GB/T 1693-2007、美标ASTM D150以及电工委员会IEC60250的规定设计制作。系统提供了绝缘材料的高频介质损耗角正切值(tanδ)和介电常数(ε)自动测量的解决方案。工频介电常数介质损耗设备电容测量范围:0.1Cn~1000Cn(7位有效数字)外接量程扩展电容量至少测到1100uF  电容的测量准确度:±1×10-5  电桥tgδ范围:-110%到+110%  tgδ测量准确度不大于0.2%rdg±1×10-5  tgδ测量z小分辨率1×10-6(连接电脑可达1×10-7)  试验电压:0~1000kV,精度1%(4位有效数字)  测量频率:35~65Hz,精度1Hz(4位有效数字)  电容值Cx、介损值tgδ、试验电压Upk/√2 、电感量Lx、 品质因数Q、材料的介电常数ε、测试电源频率 fx、视在功率S、有效功率P、无功功率Q等均为直读  电桥内有过电压保护措施。工频介电常数介质损耗设备电介质损耗由以下三部分组成:1. 电导损耗。当给电介质施加交流电压时,电介质中 会有电导电流流过,电介质因此而发热产生损耗,通常这 部分电流都很小。2. 游离损耗。电介质中局部电场集中处(如固体电介质中的气泡,气体电介质中电极的尖端等),当电场强度 高于某一值时,介质局部就会产生放电,同时伴随能量损耗。3. 极化损耗。由于介质结构的不均匀,在交流电场作 用下,使不均匀介质边界面上的电荷,时而积聚,时而消失, 电荷积聚和消失都要通过介质内部,这样就造成了一定的 能量损耗。
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  • 介质损耗测试仪 400-860-5168转6231
    在交变电场作用下,电位移D与电场强度E均变为复数矢量,此时介电常数也变成复数,其虚部就表示了电介质中能量损耗的大小。D,E,J之间的相位关系图D,E,J之间的相位关系图如图所示,从电路观点来看,电介质中的电流密度为J=dD/dt=d(εE)/dt=Jτ+iJe式中Jτ与E同相位。称为有功电流密度,导致能量损耗;Je,相比较E超前90°,称为无功电流密度。定义tanδ=Jτ/Je=ε〞/εˊ式中,δ称为损耗角,tanδ称为损耗角正切值。损耗角正切表示为获得给定的存储电荷要消耗的能量的大小,是电介质作为绝缘材料使用时的重要评价参数。为了减少介质损耗,希望材料具有较小的介电常数和更小的损耗角正切。损耗因素的倒数Q=(tanδ)-1在高频绝缘应用条件下称为电介质的品质因素,希望它的值要高。工程材料:离子晶体的损耗,离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。紧密结构的晶体离子都排列很有规则,键强度比较大,如α-Al2O3、镁橄榄石晶体等,在外电场作用下很难发生离子松弛极化,只有电子式和离子式的位移极化,所以无极化损耗,仅有的一点损耗是由漏导引起的(包括本质电导和少量杂质引起的杂质电导)。这类晶体的介质损耗功率与频率无关,损耗角正切随频率的升高而降低。因此,以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等结构松散的离子晶体,如莫来石(3Al2O32SiO2)、董青石(2MgO2Al2O35SiO2)等,其内部有较大的空隙或晶格畸变,含有缺陷和较多的杂质,离子的活动范围扩大。在外电场作用下,晶体中的弱联系离子有可能贯穿电极运动,产生电导打耗。弱联系离子也可能在一定范围内来回运动,形成热离子松弛,出现极化损耗。所以这类晶体的介质损耗较大,由这类品体作主晶相的陶瓷材料不适用于高频,只能应用于低频场合。玻璃的损耗复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分:电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势,取决于外界因素温度和电场频率。高频和高温下,电导损耗占优势:在高频下,主要的是由弱联系离子在有限范围内移动造成的松弛损耗:在高频和低温下,主要是结构损耗,其损耗机理目前还不清楚,可能与结构的紧密程度有关。般来说,简单玻璃的损耗是很小的,这是因为简单玻璃中的“分子”接近规则的排列,结构紧密,没有弱联系的松弛离子。在纯玻璃中加人碱金属化物后。介质损耗大大增加,并且随着加人量的增大按指数规律增大。这是因为碱性氧化物进人玻璃的点阵结构后,使离子所在处点阵受到破坏,结构变得松散,离子活动性增大,造成电导损耗和松弛损耗增加。
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  • ZJD系列高频介电常数及介质损耗测试系统产品介绍一、符合标准:ASTM D150-11实心电绝缘材料的交流损耗特性和电容率(介电常数)的标准试验方法;GB/T1409-2006测量电气绝缘材料在工频、音频、高频下电容率和介质损耗因数的推荐方法;GB/T1693-2007硫化橡胶介电常数和介质损耗角正切值的测定方法;GBT5594.4-2015电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法第4部分:介电常数和介质损耗角正切值的测试方法;二、主机及夹具参数:项目/型号ZJD-BZJD-AZJD-C信号源DDS数字合成信号频率范围10KHZ-70MHZ10KHZ-110MHZ100KHZ-160MHZ信号源频率覆盖比7000:111000:116000:1采样精度11BIT12BIT信号源频率精度3×10-5 ±1个字,6位有效数Q值测量范围1~1000自动/手动量程Q值量程分档30、100、300、1000、自动换档或手动换档Q分辨率4位有效数,分辨率0.1Q测量工作误差<5%电感测量范围1nH~8.4H,;分辨率0.11nH~140mH;分辨率0.1电感测量误差<3%电容直接测量范围1pF~2.5uF1pF~25uF调谐电容误差分辨率±1pF或<1%主电容调节范围30~540pF17~240pF谐振点搜索自动扫描自身残余电感扣除功能有大电容值直接显示功能有介质损耗系数精度万分之一介电常数精度千分之一LCD显示参数F,L,C,Q,LT,CT,波段等准确度150pF以下±1pF;150pF以上±1%Q合格预置范围5~1000声光提示环境温度0℃~+40℃消耗功率约25W电源220V±22V,50Hz±2.5Hz极片尺寸38mm/50mm(二选一)极片间距可调范围≥15mm材料测试厚度0.1-10mm夹具插头间距25mm±0.01mm夹具损耗正切值≤4×10-4 (1MHz)测微杆分辨率0.001mm测试极片材料测量直径Φ38mm/50mm,厚度可调 ≥ 15mm三、配置:序号标准配置单位/数量1主机一台2S916夹具一套3电感组九只4电源线一根选配:USB模块、液体杯(测量极片直径 Φ38mm; 液体杯内径Φ48mm 、深7mm)
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