等离子去胶机

近日，上海稷以科技有限公司（以下简称“稷以科技”）宣布完成亿元级D轮融资。临港科创投、俱成投资、旭诺资本、鹏汇投资等共同投资。稷以科技成立于2015年，是一家专注于等离子体技术应用的半导体设备公司，为业内提供一流的等离子体应用整体解决方案，主要应用于化合物半导体制造、硅基半导体制造、半导体封装、LED 芯片、汽车电子等领域。公司核心团队人员均来自国内外半导体行业领军公司，团队经验丰富，在技术研发、应用、销售以及客户技术支持上都具备全方位的行业竞争力。稷以科技旗下多款设备包括“Triton”、“Hesita”、“Patron”、“Virgo”、“Mars”、“Metis”等，可用于化合物芯片、硅基半导体、晶圆级封装、传统封装、LED等行业的去胶、清洗、表面处理等多种工艺，设备在众多性能以及工艺方面超过海外龙头企业，打破了海外厂商垄断的局面。目前稷以科技的各类型设备已经进入传统芯片封装、LED芯片、先进芯片封装、化合物半导体制造、硅基半导体制造等领域的头部公司，获得大量订单。本次融资后，稷以科技将继续深耕等离子设备领域，同步从等离子体去胶、刻蚀拓展到成膜设备领域，致力于为客户提供更加丰富的解决方案，力争成为半导体行业特色设备的龙头。半导体设备是支撑半导体行业发展的基石，也是半导体产业链上游环节中市场空间广阔、战略价值最重要的环节之一。长期以来，中国大陆的半导体设备市场一直被海外厂商所垄断，主要的半导体设备国产化率普遍较低。随着美国对中国大陆的半导体产业进行针对性制裁，尤其是今年以来限制美国半导体设备厂商向大陆出售14nm及以下制程的设备，迫使国内半导体设备产业坚定不移向全面国产化奋进。发展独立自主的半导体设备产业，推动国产设备厂商替代海外厂商，成为了当前半导体行业发展最迫切的任务。

爱美人士除了日常洁肤和护肤步骤外，不少人也会定期做皮肤深层清洁。如果有暗疮问题，还会选购一些去角质产品，去清除面上死皮和黑头粉刺，希望可以改善暗疮印。近年市面上涌现各式各样的去角质棉片，怎样才能购买到适合自己肤质和需要的产品？看完这篇，学会看成分选购产品。◆ 留神成分 细阅说明以往较常见的去角质护肤品主要透过物理性方法去除皮肤表面角质，例如以磨砂粒子在皮肤上搓揉，用物理方式去除角质或提供较表层的清洁作用，帮助清洁毛孔，可以令皮肤看起来有即时洁净和光亮的效果；部分亦会以化学成分分解角质，软化及去除皮肤表面的角质细胞，亦有部分产品结合物理和化学两种方式去除皮肤表面的角质。1. 磨砂粒子/物理性去角质成分较常用的磨砂粒子或研磨剂有矽石、植物种子粉末或硬壳粉末、矽藻土、海盐、糖、浮石、石英、微晶纤维素、米糠等。2. 常见的化学性去角质成分及其特性以往的去角质产品较常使用传统果酸作为重要的有效成分；而近年市面见到的产品则较多采用或结合相对较温和的果酸成分、多羟基酸、β-羟基酸和脂羟基酸等。【传统果酸：又称α-羟基酸alpha-hydroxy acids，AHAs】属水溶性，由于大部分成分萃取自某些水果，故此被统称为果酸，有去角质的作用。分子量较细小的果酸（如乙醇酸），对皮肤的刺激程度较高。【多羟基酸：poly-hydroxy acids，PHAs】属较新式的果酸，分子量较传统果酸大，故引致刺激反应的机会较低，具保湿效能及抗氧化功能，较适合敏感肤质、玫瑰痤疮和湿疹患者使用。【β-羟基酸：beta-hydroxy acids，BHAs】属脂溶性，较果酸更易渗入皮脂腺，于改善暗疮问题的效果较理想。【脂羟基酸：lipo-hydroxy acids，LHAs】分子量较传统水杨酸大，可以减低对使用者带来的刺激，较适合敏感肤质、玫瑰痤疮和湿疹患者使用。3. 慎用去角质棉片近年市面涌现多款去角质棉片，消委会在去年购买了28款去角质焕肤或爽肤棉片（下文简称为「去角质棉片」）产品。24款为免冲洗式去角质棉片，其中21款只需要取出包装被沾有美容液的棉片，用后毋须冲洗；另有3款为内含2个步骤的护理套装，按次序使用后亦毋须冲洗；余下4款则在擦拭皮肤后须用清水冲洗。消委会检视了这些去角质棉片的标签资料，并对其成分进行分析，帮助消费者留意其中的细节，方便评估和挑选合适的产品。◆ 2款标示含有较高浓度的乙醇酸 未必适合自行使用样本中有17款标示添加了AHAs成分，包括较多样本使用的为乙醇酸、乳酸和苹果酸等。当中乙醇酸是分子量最细小的AHAs成分，皮肤渗透率高，理论上能较有效去除皮肤角质，但对皮肤的刺激性亦相对较高；而乳酸和苹果酸都具保湿功能，刺激性乙醇酸低。有2款源自美国的样本所标示的乙醇酸含量分别为10%和20%。若参考美国化妆品成分分析委员会（CIR）的建议，家用护肤品中乙醇酸、乳酸及其化合物总量应相等于10%或以下（pH≥3.5），才适合供消费者安全地自行使用。而内地的《化妆品安全技术规范》则规定，AHAs及其化合物总量的最大允许使用浓度为6%（pH≥3.5）。此外，AHAs产品的酸碱度是影响其刺激程度的重要因素。酸碱度愈低，虽然可能增加去角质的程度，但刺激皮肤的机会亦会愈高。调查发现，只有少数样本包装或其他官方网页有说明有效成分的浓度或产品的酸碱度。◆ 使用方法及时间各有不同 消费者宜细阅说明本次调查亦发现不同样本在使用频率、敷面及冲洗前驻留时间、是否需要冲洗等用法上差异甚大。样本中，逾8成样本说明棉片可以每日使用，当中10款建议每日使用1次，9款说明可以每日用2次，更有个别样本说明每日使用1至3次。另外，有13款产品说明可当作面膜使用，而当中11款建议的敷面时间亦有明显差异，由最短1分钟至最长10分钟不等，但亦有5款样本说明不适合作敷面用途。在4款冲洗式样本中，有2款分别建议让美容液驻留在脸上2至3分钟和20分钟，当中1款更指在使用3星期后，可视乎皮肤耐受程度而考虑敷一整晚，其余2款则未有说明冲洗前的驻留时间。慎用产品!!焕肤去角质Q&AQ：需要定期去除角质层吗？A：并不是每一个人都有需要定期使用去角质产品。皮肤角质更生周期的长短因人而异，随着年龄增长，更生速度会逐渐减慢。若过度频密去除角质，可能会令皮肤角质受损，削弱皮肤的天然保湿能力，反而可能衍生皮肤干燥的问题，令皮肤泛红、有灼热感受，甚至增加皮肤受外物刺激，引致皮肤发炎的机会。Q：如何应肤质选购去角质产品？A：有皮肤科专科医生指，去角质产品主要分物理性、化学性或将两者结合，适当使用可令皮肤变得有光泽和平滑。若是第一次使用新产品，消费者应按个人面部肤质、皮肤问题、喜好和需要作选择。建议先在局部范围试用产品，确保质地容易推展，不会令皮肤感到严重刺痛，亦不会引致刺激或过敏问题。皮肤干燥、容易有过敏反应和暗疮问题的人士，选用化学去角质成分浓度较低的产品。而物理性去角质成分较易造成刺激或令暗疮情况恶化。Q：去除角质或焕肤后，如何保养肌肤？A：进行去角质或焕肤护理程序后，建议尽快为皮肤作保湿护理。皮肤在去除角质后，可能较容易受阳光日晒影响，故此外出时必须作足够的防晒措施，涂抹可以同时抵御紫外线UVA和UVB的防晒乳霜，并且避免曝晒。使用注意事项&bull 如正服用治疗暗疮的药物，或曾接受入侵性美容，应向医护人员查询是否适合使用去角质或焕肤产品。&bull 避免同时混合使用多种去角质产品。&bull 用后尽快为皮肤作保湿护理，并在外出时作足够的防晒措施，避免曝晒。&bull 谨记按产品说明使用去角质产品，留意使用次数和驻留时间，以及在擦拭时注意力度，避免因过度擦拭而刺激皮肤。&bull 部分成分有机会对眼睛造成刺激或损害，使用产品时要避开眼睛，在靠近眼周的部位（例如鼻头和额前等位置）使用产品时应加倍小心。&bull 若皮肤曾经对化学去角质成分有刺激反应，建议在正式使用产品前，先在小范围使用；如用后有持续刺痛或严重刺激反应，应立即停用并求医。编辑视角：近年来，去角质棉片因其便捷的使用方式和立竿见影的效果，成为众多爱美人士的护肤新宠。然而，面对市场上琳琅满目的产品，消费者往往难以选择适合自己的去角质棉片，甚至在使用过程中出现肌肤问题。那么在选择去角质棉片时，需要关注去角质棉片的种类和成分；同时要根据肤质、皮肤问题进行选购，避免盲目跟风造成肌肤损伤；最后注意去角质棉片的使用方法和注意事项，避免过度去角质造成肌肤损伤。选择适合自己的产品，正确使用，呵护肌肤健康。

半导体材料无机非金属离子和金属元素解决方案——光刻胶篇李小波 潘广文 近年来，随着物联网、人工智能、新能源汽车、消费类电子等领域的应用持续增长以及5G的到来，集成电路（integrated circuit）产业发展正迎来新的契机。集成电路制造过程中，光刻工艺约占整个芯片制造成本的35%，是半导体制造中最核心的工艺。涉及到的材料包括多种溶剂、酸、碱、高纯有机试剂、高纯气体等。在所有试剂中，光刻胶的技术要求最高。赛默飞凭借其在离子色谱和ICPMS的技术实力，不断开发光刻胶及光刻相关材料中痕量无机非金属离子和金属离子的检测方案，助力光刻胶产品国产化进程。从光刻胶溶剂、聚体、显影液等全产业链，帮助半导体客户建立起完整的质量控制体系。 光刻胶是什么？光刻胶又称抗刻蚀剂，是半导体行业的图形转移介质，由感光剂、聚合物、溶剂和添加剂等四种基本成分组成。将光刻胶旋涂在晶圆表面，利用光照反应后光刻胶溶解度不同而将掩膜版图形转移到晶圆表面，实现晶圆表面的微细图形化。根据光刻机的曝光波长不同，光刻胶种类也不同。 光刻相关材料光刻相关材料主要有溶剂、显影剂、清洗剂、刻蚀剂和去胶剂，这些材料被称为高纯湿电子化学品，是集成电路行业应用非常广泛的一类化学试剂。光刻胶常用溶剂有丙二醇甲醚/丙二醇甲醚醋酸酯（PGME/PGMEA）、甲醇、异丙醇、丙酮和N-甲基吡咯烷酮（NMP）等。常见的正胶显影剂有氢氧化钠和四甲基氢氧化铵等，对应的清洗剂是超纯水。 光刻胶及光刻相关材料中金属离子、非金属阴离子对集成电路的影响半导体材料拥有独特的电性能和物理性能，这些性能使得半导体器件和电路具有独特的功能。但半导体材料也容易被污染损害，细微的污染都可能改变半导体的性质。通常光刻胶、显影液和溶剂中无机非金属离子和金属杂质的限量控制在ppb级别，控制和监测光刻工艺中无机非金属离子和金属离子的含量，是集成电路产业链中非常重要的环节。 光刻胶及光刻相关材料中无机金属离子、非金属离子的测定方法国际半导体设备和材料产业协会（Semiconductor Equipment and Materials International,SEMI）对光刻胶、光刻工艺中使用的显影剂、清洗剂、刻蚀剂和去胶剂等制定了严格的无机金属离子和非金属离子的限量要求和检测方法。离子色谱是测定无机非金属离子杂质（F-、Cl-、NO2- 、Br-、NO3- 、SO42-、PO43-、NH4+）最常用的方法。在SEMI标准中，首推用离子色谱测定无机非金属离子，用ICPMS测定金属元素。赛默飞凭借其离子色谱和ICPMS的领先技术，紧扣SEMI标准，为半导体客户提供简单、快速和准确的光刻胶和光刻相关材料中无机金属离子和非金属离子的检测方案，确保半导体产业的发展和升级顺利进行。针对光刻胶及光刻相关材料中痕量无机非金属离子和金属元素的分析，赛默飞离子色谱和ICPMS提供三大解决方案。 方案一 NMP、PGMEA、DMSO等有机溶剂中痕量无机金属和非金属离子的测定方案 光刻胶所用有机溶剂中无机非金属离子的限量要求低至ppb~ppm级别。赛默飞离子色谱提供有机溶剂直接进样的方式，通过谱睿技术在线去除有机基质，一针进样同时分析SEMI标准要求监控的无机非金属离子。整个分析过程无需配制任何淋洗液和再生液，方法高效稳定便捷，避免了试剂、环境、人员等因素可能引入的污染。ICS 6000高压离子色谱有机试剂阀切换流路图 滑动查看更多 光刻胶溶剂中ng/L级超痕量金属杂质的测定，要求将有机溶剂直接进样避免因样品制备过程引起的污染。由于 PGMEA 和 NMP具有高挥发性和高碳含量，其基质对ICPMS分析会引入严重的多原子离子干扰，并对等离子体带来高负载。iCAP TQs ICP-MS 中采用等离子体辅助加氧除碳，并结合冷等离子体、串联四级杆和碰撞反应技术，可有效去除干扰。变频阻抗式匹配的RF发生器设计，可轻松应对有机溶剂直接进样，并可实现冷焰和热焰模式的稳定切换。 冷焰TQ-NH3模式测定NMP中Mg热焰TQ-O2模式测定NMP中V NMP、PGMEA有机溶剂直接进样等离子体状态未加氧（左），加氧（右） 方案二 显影液中无机金属离子及非金属离子测定方案 光刻工艺中常用的正胶显影液是氢氧化钠和四甲基氢氧化铵，对于这两大碱性试剂赛默飞推出强大的在线中和技术，样品仅需稀释2倍或无需稀释直接进样，避免了样品前处理引入的误差和污染，对此类样品中阴离子的定量限达到10ppb以下。这一方法帮助多家高纯试剂客户解决了碱液检测的技术难题，将该领域的高纯试剂纯度提升到国际先进水平。中和器工作原理四甲基氢氧化铵TMAH是具有强碱性的有机物，作为显影液的TMAH常用浓度为2.38%, 为了避免样品处理中引入的污染，ICPMS通常采用直接进样方式测定。在高温下长时间进样碱性样品，会导致腐蚀石英炬管，引起测定空白值的提高。iCAP TQs使用最新设计的SiN陶瓷材料Plus Torch，耐强酸强碱，可一劳永逸地解决碱性样品中痕量金属离子的测定。新型等离子体炬管Plus Torch 方案三 光刻胶单体和聚体中卤素及金属离子测定方案 光刻胶单体和聚体不溶于水，虽溶于有机试剂但容易析出，常规方法难以去除基质影响。赛默飞推出CIC在线燃烧离子色谱-测定单体和聚体中的卤素，通过燃烧，光刻胶样品基质被完全消除，实现一次进样同时分析样品中的所有卤素含量。燃烧过程实时监控，测定结果准确稳定，满足光刻胶中痕量卤素的限量要求。图 CIC燃烧离子色谱仪SEMI P32标准使用原子吸收、ICP光谱和ICP质谱法来测定光刻胶中ppb级的Al Ca Cr 等10种金属杂质，样品前处理可采用溶剂溶解和干法灰化酸提取两种方法。溶剂溶解法是使用PGMEA等有机溶剂将样品稀释50-200倍，超声波振荡充分溶解后，直接进样测定。部分聚合物较难溶解于有机溶剂中，将采用500-800度干法灰化处理，并用硝酸溶解残留物提取。iCAP TQs采用在样品中添加内标工作曲线法测定，对于不同基质样品及处理方法的样品可提供准确的测定结果。 总结 针对集成电路用光刻胶及光刻相关材料，赛默飞离子色谱和ICPMS提供无机非金属离子和金属离子杂质检测的完整解决方案，为光刻胶及高纯试剂客户提供安全、便捷可控的全方位支持。“胶”相辉映，赛默飞在行动，助力集成电路产业发展，促进光刻胶国产化进程，欢迎来询！ 参考文献：1.SEMI F63-0521 GUIDE FOR ULTRAPURE WATER USED IN SEMICONDUCTOR PROCESSING2.SEMI P32-1104 TEST METHOD FOR DETERMINATION OF TRACE METALS IN PHOTORESIST3.SEMI C43-1110 SPECIFICATION FOR SODIUM HYDROXIDE, 50% SOLUTION4.SEMI C46-0812 GUIDE FOR 25% TETRAMETHYLAMMONIUM HYDROXIDE5.SEMI C72-0811 GUIDE FOR PROPYLENE-GLYCOL-MONO-METHYL-ETHER (PGME), PROPYLENE-GLYCOL-MONO-METHYL-ETHER-ACETATE (PGMEA) AND THE MIXTURE 70WT% PGME/30WT% PGMEA6.SEMI C33-0213 SPECIFICATIONS FOR n-METHYL 2-PYRROLIDONE7.SEMI C28-0618 SPECIFICATION AND GUIDE FOR HYDROFLUORIC ACID8.SEMI C35-0118 SPECIFICATION AND GUIDE FOR NITRIC ACID9.SEMI C36-1213 SPECIFICATIONS FOR PHOSPHORIC ACID10.SEMI C44-0618 SPECIFICATION AND GUIDE FOR SULFURIC ACID11.SEMI C41-0618 SPECIFICATION AND GUIDE FOR 2-PROPANOL12.EMI C27-0918 SPECIFICATION AND GUIDE FOR HYDROCHLORIC ACID13.SEMI C23-0714 SPECIFICATIONS FOR BUFFERED OXIDE ETCHANTS