溅射蒸镀膜仪

1 产品概述: 立式溅射镀膜设备，如TS-CJX/M系列，是一种广泛应用于制备各类光学膜和装饰膜的先进设备。该设备采用磁控溅射技术，通过高能离子轰击靶材表面，使靶材原子或分子被溅射出来并沉积在基材表面，形成所需的薄膜层。立式结构设计使得设备在处理大面积基片时具有更高的效率和稳定性。2 设备用途：溅射镀膜设备（立式）的用途广泛，主要包括以下几个方面：光学领域：用于制备眼镜、光学镜片、摄影镜头等光学设备的镀膜，增加其防反射、增透、反射率等光学性能。电子领域：在半导体器件、集成电路、显示器件、太阳能电池板等电子元件的制造中，用于增加导电性、隔热性、防蚀性等功能。汽车工业：用于汽车镜片、灯具、车身涂层等零部件的制造，提高表面硬度、耐蚀性、抗划伤性等性能。医疗设备：在医疗器械的金属镀膜中采用溅射镀膜技术，以提高耐腐蚀性、生物相容性，并增加设备的功能性。3 设备特点溅射镀膜设备（立式）具有以下显著特点：高效沉积：溅射镀膜技术以其高沉积速率著称，能够在较短时间内形成均匀且高质量的薄膜。磁控溅射通过施加磁场进一步增加等离子体密度，提高溅射速率和沉积效率。低温操作：溅射镀膜过程中的低温环境能够有效避免基片材料因高温而发生降解或形变，保证薄膜和基片的整体性能。这对于温度敏感材料的镀膜尤为重要。均匀薄膜：溅射过程中，等离子体在靶材表面均匀分布，确保靶材原子的溅射均匀性。旋转基片技术进一步提高了薄膜在大面积基片上的均匀性。多样化靶材选择：溅射镀膜技术能够处理多种材料，包括金属、合金、陶瓷和复合材料，适用于不同工艺需求。 4 技术参数和特点：溅射镀膜设备SMD系列（立式）SMD系列是镀金属膜、ITO、IGZO、诱电体膜等的枚叶式溅射镀膜设备。仅SMD系列就有超过1000台的丰富的采用实绩，在各种各样的生产环境下运转。及时反映从生产现场听取的意见，进一步提高设备的可靠性。仅基板搬送和侧面镀膜的方式节约空间的设计可以轻松的完成单独基板管理，如成膜条件根据镀膜物不同选择不同的阴排列丰富的经验和数据支持，广泛的镀膜工艺对应

三靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体。仪器采用触摸屏控制，简单直观易于上手，能够一键实现镀膜启停、切换靶位、挡板旋转等操作，十分适合实验室选购。本镀膜仪标配为双极旋片真空泵，其具有体积小，抽真空快，操作简单的优势，若客户有进一步提升真空度的需要，可以联系技术人员选配分子泵组组成高真空系统。三靶等离子溅射镀膜仪适用范围： 可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。三靶等离子溅射镀膜仪技术参数：三靶等离子溅射镀膜仪样品台尺寸φ138mm控温精度±1℃加热温度*高500℃转速1-20rpm可调直流溅射头数量2"×1 （1~3个靶可选）真空腔体腔体尺寸φ180mm × 150mm观察窗口全向透明腔体材料高纯石英开启方式顶盖上翻式真空系统机械泵旋片泵抽气接口KF16真空测量电阻规排气接口KF16极限真空1.0E-1Pa供电电源AC 220V 50/60Hz抽气速率旋片泵：1.1L/S电源配置数量直流电源 x1*大输出功率150W其他供电电压AC220V,50Hz整机尺寸360mm × 300mm × 470mm整机功率800W整机重量40kg

单靶等离子溅射镀膜仪是我公司自主研发的一款高性价比等离子溅射镀膜设备，具有结构紧凑，简单易用，集成度高，设计感强的优势。等离子溅射靶为2英寸的标准尺寸，客户可以根据需要选择1~3个靶的不同配置，以满足镀单层膜或者多种材料多层膜的不同实验需求。仪器所配电源为150W直流高压电源，可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等贵金属的镀膜。镀膜仪配有通气接口，可以通入保护性气体，若客户需要通入混合气体，可以联系工作人员自行配置高精度质量流量计以满足实验需要。 单靶等离子溅射镀膜仪适用范围：可用于金属溅射镀膜，尤其适合金银铜等金属的镀膜。主要技术参数样品台尺寸Φ138mm加热温度最高500℃控温精度±1℃转速1-20rpm可调等离子溅射头1支2寸等离子靶真空腔体腔体尺寸Φ180mm×150mm 腔体材料高纯石英观察窗口全向透明开启方式顶盖拆卸式前极泵VRD-4抽气速率旋片泵：1.1L/S 极限真空1.0E-1Pa抽气接口KF16排气接口KF16真空测量数字真空计其他供电电压AC220V,50Hz整机功率800W溅射真空20Pa整机尺寸长360mm宽300mm高470mm整机重量30Kg

Q300T T Plus–三靶溅射镀膜仪，适用于200mm直径的试样 Q300T T Plus是一种大腔室涡轮泵溅射镀膜系统，非常适合溅射单个直径高达8〃/200mm的大直径试样或多个直径相似的较小试样。非常适合薄膜应用和SEM/FE-SEM应用。它配备了三个溅射头，以确保单个大样本或多个样本的均匀镀膜。

等离子溅射和蒸发二合一镀膜仪配备了直流溅射靶和热蒸发组件，不但可以用于等离子溅射方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或者其他金属单质的薄膜。仪器元件高度集成化，在同一个腔体内即实现了两种镀膜功能；本镀膜仪采用304不锈钢腔体作真空腔体，镀膜过程完全可见。仪器标配双极旋片真空泵，能够快速达到1.0E-3Pa的真空度,极限真空度1.0E-5Pa，可满足大多数蒸发镀膜实验和二极溅射实验所需的真空环境。本仪器体积小，节省空间，能够置于试验台上使用，一机多用，性价比突出，非常适合各大高校及研究机构选用。离子溅射和蒸发二合一镀膜仪适用范围：扫描电镜样品表面喷金、蒸金喷碳等操作，以及非导体材料试验电极的制作等。 离子溅射和蒸发二合一镀膜仪技术参数：供电电压AC220V，60Hz最大功率1200W样品台直径φ65mm；与蒸发源间距可调，调节范围60mm-100mm真空腔体材质：304不锈钢 O.Dφ168mm x I.Dφ160mm x 210mm最高温度1700℃热电偶B型热电偶真空计电子式真空计真空系统前级泵：浦发MVP030 无油泵 抽速30L/min次级泵：莱宝TURBOVAC 90iX 抽速90L/s真空接口KF40进气接口1/4卡套接头整机尺寸500x350x400mm

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

n产品简介 HEX型PVD镀膜系统采用模块化的设计理念，一套系统可同时进行磁控溅射镀膜，热蒸发镀膜及电子束蒸发镀膜，并且可以兼容手套箱使用，特别适用于科研客户高质量镀膜应用。 n产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小n主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2n主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件PVD热源简介（1）FISSION磁控溅射源- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW）

英国真空镀膜公司(Vac Coat)是欧洲高品质薄膜沉积技术的设计者和制造商, 其技术研发团队来自剑桥大学和牛津大学的科学家和工程师, 凭借超过30年以上的物理气相沉积PVD设备的制造经验, 且在多项技术和设计等优势的加持下, Vac Coat产品已获得真空薄膜沉积领域的专家学者高度认可, 尤其DSR/DST溅射镀膜系列, DCR/DCT热蒸发镀碳系列, 可获得晶粒尺寸很细及无颗粒的高质量均匀薄膜, 十分适用于高分辨率和高质量SEM/TEM/EBSD/EDS样品的制备表征, 已遍布欧洲各大科研院所实验室和产业线.

GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪配备了热蒸发附件，具有溅射和蒸发两种功能。不但可以用等离子溅射的方式镀金属膜，也可以用蒸发的方式得到碳或其他金属单质的薄膜。GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪能够满足扫描电子显微镜样品表面喷金、蒸金或蒸碳过程使用以及非导体材料实验电极的制作，也可以用于材料研究中各种新材料性能的实验。本机体积小，节省实验室空间，操作简单，清理方便，适合初学人员的使用，尤其适用于各大高校的实验室、科研院所、及各企业的实验室的使用。配备了热蒸发附件，可以蒸发碳丝或者其他材料，如铝、不锈钢等材料，同时具有溅射和蒸发的功能。因此扩展了应用范围，特别适用于扫描电镜样品表面喷金或蒸金、蒸碳使用。产品名称GSL-1100X-SPC-16C溅射蒸镀膜仪产品型号GSL-1100X-SPC-16C安装条件本设备要求在海拔1000m以下，温度25℃±15℃，湿度55%Rh±10%Rh下使用。1、水：不需要2、电：AC220V 50Hz，必须有良好接地3、气：设备腔室内需充注氩气（纯度99.99%以上），需自备氩气气瓶（带减压阀）4、工作台：尺寸600mm×600mm×700mm，承重50kg以上5、通风装置：不需要主要参数1、靶：?50mm2、样品台：?50mm3、真空室：?160mm×110mm4、真空度：4×10-1mbar-2×10-2mbar5、极限电流：50mA6、可设定极限时间：9999s7、极限电压：1600V DC可调8、真空泵：4L两级机械旋转泵，极限真空2×10-2mbar（也可选配国产分子泵）产品规格尺寸：L400mm x W310mm x H390mm 重量：50 kg标准配件1金靶材1个2碳绳1根3热蒸发附件1套4进气针阀1个5保险丝2个可选配件金、铟、银、铂等各种靶材

磁控溅射蒸发镀膜仪VTC-1RF-SPC是一套可实现射频磁控溅射和蒸发镀膜功能的系统，包含射频电源、温控型蒸发镀膜模块、真空系统，水冷设备，磁控溅射靶头，不锈钢腔室等。产品名称VTC-1RF-SPC磁控溅射蒸发镀膜仪产品型号VTC-1RF-SPC主要参数 电源：AC380V/50HZ 额定功率：4.2KW外形尺寸：长840*宽750*高1900mm重量：约310KG不锈钢腔室 内径φ250*高度360mm 腔体前部带有一个CF100的真空密封法兰，密封法兰上面安装了一个石英观察窗口； 腔体右侧带有一个从CF60法兰接口，用于和分子泵进行连接 腔室上部有一个LF250法兰接口，法兰端盖上部固定有溅射靶头和样品台； 腔体左侧带有一个KF63法兰接头，用于连接蒸发模块； 腔体右侧带有一个CF35法兰接口，用于连接薄膜测厚仪； 腔体后部带有两个精密调节针阀，用于控制进气量，通过调节进气量的大小，实现腔体内不同真空度的溅射； 腔体后部预留一个1/16英寸的卡套接口，用于客户后期连接质谱仪的检测管道。腔室真空度： 冷态下，用VRD-48机械泵抽30分钟，≤1Pa 冷态下，用FF-160/700分子泵抽30分钟，≤8*10-4Pa溅射靶头磁控溅射靶头固定在上法兰端盖上，通过焊接波纹管密封，方向朝上，和样品台形成45度夹角 标配1英寸的磁控溅射靶头，内部嵌有冷却水管，可以通水冷实现对磁钢和靶材的冷却，从而能够可以长时间进行溅射； 配有一手动操作的挡板，当第一次溅射清除靶材表面的氧化层和污物层，挡住基片，防止污染基片； 样品台和靶头之间的距离可以调节，调节范围：60-100mm。 磁控溅射靶头和法兰端盖可以电动升降 （可选配2英寸磁控溅射靶头）样品台样品台固定在腔体上法兰端盖上，方向垂直朝下样品台通过磁流体密封，可实现样品台旋转样品台旋转速度：0.5-5r/min可调样品台尺寸：φ100mm，通过螺旋压盖固定样品，可选配≤φ100mm的各种尺寸掩膜版，以实现对不同样品尺寸的镀膜制备样品台最高温度可达700度（≤30min），长期使用温度500度，样品台加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PTD调节实现精确控温，控温精度±3℃。样品台和法兰端盖可以电动升降蒸发模块 从腔室右端采用KF50快接法兰与不锈钢腔体进行连接，保证腔室的真空度 采用钨丝作为发热源，并且配有专用的氧化铝坩埚，热电偶安装在坩埚底部，以便于温度测量和控制 标配采用S型热电偶，蒸发工作温度为200-1300度 蒸发模块加热系统通过一程序温控系统进行控制，可实现30段程序控温，通过PID调节实现精确控温，控温精度±3℃。 蒸发模块和样品台之间的距离为：60mm 蒸发模块坩埚尺寸：外径φ19.6*内径φ15.4*高度24mm,可选配其它材质坩埚，如不锈钢坩埚等。控制面板控制面板采用一个7寸触摸屏实现集成控制 可在触摸屏上操作真空系统，显示真空度 可在触摸屏上进行样品台加热温控程序的设定和蒸发模块温控系统的设定 可控制样品台的旋转并设置样品台旋转速度 控制电动插板阀的启动和关闭射频电源 输入电源：220V 输出功率：0-300W 输出频率：13.56 MHZ 冷却方式：设备内部的冷却方式为风冷 尺寸：132（长）*442（宽）*405mm（高）（可根据溅射靶材不同选配直流电源）分子泵 分子泵型号：FF-160/700 抽气速率：700L/S 极限压强：6*10-7Pa（不带负载） 启动时间：＜4min 额定转速：36000 R/min 冷却方式：风冷加水冷 抽气口接口尺寸：CF160 带电动插板阀：可在触摸屏中控制电动阀的启动和关闭分子泵控制器 型号：TCP-II 电压：AC220V/50HZ 输出功率：750W 加速时间：5min 输出频率：0-1300HZ复合真空计 型号：ZDF-III 工作电压：AC220V 50/60HZ 电阻规阻值：约85欧 自动保护（电离）＞10Pa 电阻规测量范围：105-10-1Pa 电离规测量范围：100-10-5Pa前级机械泵（选配） 抽真空接口为KF40接口 真空泵：VRD-48，抽速48M3/H(13.3L/S) 电机功率：1500W 电机电源：AC380V/50HZ 极限真空：4*10-2Pa(不带负载) 真空计：ZDZ-52T V01型电阻真空计水冷设备（选配） 型号：KJ-5000 工作电流：1.4-2.1A 制冷量：2361Btu/h 尺寸：55×28×43cm（长×宽×高）膜厚检测仪（选配） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分别率为0.10 &angst LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据

MiniQS 作为一款高性价比离子溅射镀膜仪，能够提供可重复且操作简单的镀膜效果，其采用一个磁控溅射头及圆形靶材设计。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

一、 产品简介 KORVUS HEX系列PVD真空镀膜系统采用开放式架构，高度模块化，能够提供多种沉积选项。基于基础系统，通过配置不同的模块，可以在一台设备上同时实现真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。这种独特设计操作简单，易于安装，为科研人员提供了一个非常具有成本效益的解决方案。二、 产品特性：- 模块化设计，可根据用户应用需求更换，真空腔体也可以模块化组合- 兼容磁控溅射，电子束蒸发，热蒸发多种沉积技术- 适用于科研用户- 可与手套箱集成- 占地面积小三、 主要指标：- 模块化设计，由快速可拆换的六块独立板面形成真空腔室 (盲板、可视窗口、溅射源窗口、QCM窗口)- 四种溅射源：磁控溅射；电子束蒸发源 、热蒸发、有机物蒸发源- 抽真空速度快 (20分钟内达到 5*10-6Torr)- 适用于6英寸及以下尺寸样品- 多种工作台可选，可选配 2-20 rpm旋转台、500℃加热台，旋转加热台、水冷台、直流偏压等- 可集成膜厚测量功能，- 兼容手套箱系统- 可配备快速进样腔（选配）- 可配备原位监测选件：热成像，原位等离子体谱，石英晶振- 系统占地空间小，约1m2四、主要应用- 化学催化- 电极薄膜制备- 金属半导体薄膜制备- 磁性薄膜制备- 微纳米器件- 光学器件 五、 PVD热源简介（1） FISSION磁控溅射源 Fission磁控溅射源能够快速、无污染地沉积金属或介电薄膜。水冷和气体连接采用快速释放连接器，并消除了每次从腔室中移除源时排放冷却水的危险和不便。Fission 源可以在 DC 模式和 RF 模式下运行。可以引入气体，允许在靶材表面附近实现更高的分压，从而降低沉积过程中所需的整体腔室压力。磁控溅射可用于溅射所有（固体）金属、绝缘体和半导体。可以在一个系统中使用多个来源以生长多层或复合材料薄膜- 靶材尺寸：50mm（2”）- 最大靶材膜厚：6mm（1mm厚强磁体）- 直流电源：780W（600V，1.3A）- 射频电源：300W（13.56MHz）- 气体补偿：通过内置气罩- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（2）TAU电子束蒸发器 TAU 蒸发源非常小巧，无需使用光束弯曲的电磁铁。TAU可以直接轰击靶材棒，也可以轰击位于坩埚里金属材料。TAU 仅被推荐用于厚度从亚原子厚度到 200 纳米的金属薄膜蒸镀。- 工艺腔热源数：4个- 工艺腔单个热源最大功率：250W- 蒸发材料：圆棒（最大直径4mm）或置于坩埚中- 是否支持同时蒸镀：支持- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（3）ORCA有机材料沉积源 材料在低温 (50-600℃) 下的蒸发需要设计为在此范围内运行的专用热源。传统的蒸发源可在 1000℃ 的温度下最有效地运行，这要求将传导热损失保持在最低水平。在较低温度下，辐射损耗显着降低，传统电池中的控制回路会出现过冲和缓慢的温度变化。 ORCA 低温蒸发源采用主动冷却坩埚，以确保加热过程与强烈的反向冷却过程相平衡，从而实现出色的温度稳定性和控制。 坩埚由高导热材料制成，确保不会出现会影响蒸发速率的热点。可选地，可以使用氧化铝或石墨材料。移除/更换坩埚非常简单。 K 型热电偶插入坩埚主体，与典型的接触式布置相比，可提供更准确的读数。该沉积源可与电子束源、热蒸发源或溅射源结合使用。采用冷却的屏蔽帽将热串扰保持在最低限度。- 坩埚容积：15cc- 温度范围：50-600℃- 热电偶：K型- 电源：直流- 冷却：水冷（最小0.5L/min）（4）TES舟型热蒸发源 热蒸发不需要工艺气体，因此该工艺可以在非常高的真空条件下进行，极少的杂质会被沉积到薄膜之中。热蒸发可以很方便补充要蒸发材料。材料可以是颗粒、粉末或涂层线圈/细丝的形式。蒸发皿和灯丝也可以轻松高效地进行更换。每个源都可以配备手动或自动快门。HEX 腔室最多可容纳三个源，HEX-L 最多可容纳六个。这些热源还可以与其他技术结合使用，例如溅射、电子束沉积和低温有机物沉积源。- 舟型载体容积：1cc-5cc- 温度范围：50℃-2200℃- 电源：直流（1.2kW） 六、 样品台简介 七、 操作软件简介 八、 快速降压及配件展示 九、 手套箱集成展示 Korvus Technology 在高真空和超高真空领域拥有 超过 20 年的经验。Korvus Technology 在全球安装 了 100 多个 HEX 系列系统，始终处于 PVD 行业的 前沿。Korvus 现在是 Judges Scientific 集团的一部 分，同时仍然是一家独立运营公司。这使得 Korvus 能够灵活应对客户的研究挑战，并延续其以客户为 中心的文化。

请联系张先生shincron溅射镀膜机

Q300T T Plus–三靶溅射镀膜仪，适用于200mm直径的试样 Q300T T Plus是一种大腔室涡轮泵溅射镀膜系统，非常适合溅射单个直径高达8〃/200mm的大直径试样或多个直径相似的较小试样。非常适合薄膜应用和SEM/FE-SEM应用。它配备了三个溅射头，以确保单个大样本或多个样本的均匀镀膜。

HHV BT150和BT300适用于电镜样晶制备以及其他常规科研用途的新型台式镀膜设备 技术信息：BT150腔室：真空玻璃制，圆柱体165mm直径×150mm高，配内爆防护罩；可选配200mm高度的腔室初级真空泵： 12时／h抽速的双级旋片真空泵；可选配无油干泵分子泵（选项）：621/s抽速的涡轮分子泵 极限真空（无分子泵）：5×10E-2mba「（3分钟内）极限真空（有分子泵） ：5×10E-5mba「（8分钟内） 输入电源： 110/230V, 50/60Hz，单相 工艺附件金属溅射：单个溅射靶枪（54mm直径靶材） 适用溅射靶材：Au, Au/Pd, Cu, Fe, C「等 贱射选项：用于溅射易氧化的金属（如Al），需配置分子泵选项 碳纤维蒸发： 脉冲沉积，可选择电流及除气模式 碳棒蒸发：脉冲沉积，可选择电流及除气模式 水冷SEM样品台： 6个SEM样品位，水冷和偏压功能旋转SEM样品台：6个SEM样品位，单轴旋转或行星运动式 常规科研用旋转样品台：适合最大4” 或100mm直径基片 BT300腔室： 真空玻璃制，圆柱体30mm直径×150mm高，配内爆防护罩；可选配200mm高度的腔室初级真空泵：12时／h抽速的双级旋片真空泵；可选配无油干泵分子泵（选项）：621/s抽速的涡轮分子泵 极限真空（无分子泵）：5×10E-2mba「（12分钟内） 极限真空（有分子泵）： 5×10E-5mba「（20分钟内） 输入电源： 110/230V, 50/60Hz，单相 工艺附件金属溅射： 单个、 双个或者三个溅射靶枪（54mm直径靶材）适用贱射靶材：Au, Au/Pd, Cu, Fe, Cr等溅射选项：用于溅射易氧化的金属（如Al），需配置分子泵选项旋转样品台：常规科研用，适合最大4” 或100mm直径基片（双靶），或150mm直径基片（三靶） 行星运动式样品台： 常规科研用，优化沉积均匀性，适合最大200mm直径基片（三靶） 认证标识：BT150和BT300具有CE标识 主要特点 简单的操作会全彩、 高分辨率、 触摸屏控制系统为可存储和编辑工艺配方多达30个会工艺数据可输出到大容量存储器或计算机会可选的集成式薄膜厚度监测仪为自动识别工艺附件 工功能的薄膜沉积技术会惰性金属溅射（SEM应用）为碳纤维及碳棒蒸发（TEM应用）会用于碳膜表面的亲水改性的辉光放电装置（TEM应用）会普通金属的溅射镀膜（常规科学研究应用， 需要配分子泵选项）会金属的热阻蒸发镀膜为自动快门挡板的选项 多种样晶台为水冷及偏压的SEM样品台女旋转的SEM样品台为行星式运动的SEM样品台会适合最大4” 或100mm直径基片的旋转样品台（BT150)为适合最大8” 或200mm直径基片的旋转／行星运动式样品台（BT300) 新型设计的HHV BT150和BT300是面向电镜工作者及科学研究者需求的经济型台式镀膜系统。BT150己具有电镜工作者所需的全面镀膜能力， 而BT300配置了更大的真空腔室， 可满足更广泛的其他常规科研镀膜应用。通常情况下， 这些系统采用金属溅射来制备SEM样品， 而采用碳纤维（或碳棒）蒸发来制备TEM样品。碳蒸发镀膜也可以用于×射线微区分析的样品。BT系列系统还可配置成适合于常规科学研究需求的金属溅射及金属蒸发能力。 具有自动样晶镀膜能力的触摸屏操控系统为了使用方便， 这两款BT设备都配置了彩色的、 高分辨率的触摸屏操控系统。控制系统可存储多达30个工艺配方程序， 可随时调用执行。控制系统能向外输出工艺数据 便于存储及分析。它还能自动识别所安装的工艺附件。 种类繁多的可选样晶台BT系列设备具有多种样品台可供选择。用于承载SEM样品座的静态样品台具有水冷功能， 可防止样品过热， 而且还含有溅射刻蚀及清洗的装置。使用刻蚀装置可以提高某些样品的图像对比度， 而不太脆弱的样品还能通过刻蚀来去除吸附的水汽， 从而改善薄膜附着力。 BT150可选择旋转甚至行星运动式设计的样品台， 最大基片尺寸可达4英寸或者100mm。而BT300也可选择类似的旋转样品台，其最大基片尺寸可达8英寸或者200mm， 满足更广泛的研究需要。 集成的薄膜厚度测量仪BT系列设备的选项中包括全集成式的薄膜厚度监测系统。该系统集成在触摸屏控制器内， 可提供溅射膜厚的控制。 简单的靶材更换BT150和BT300采用简单快速的靶材更换设计， 在必要时可对样品进行不同材料的镀膜。配置旋片泵的系统可以溅射惰性金属，如金、 金／tE、 铀和铜。增加可选的分子泵之后， 这两款系统还能溅射容易氧化的金属， 比如铝。 真空泵选项BT系列设备可以配置双级旋片真空泵， 用于碳蒸发及惰性金属溅射等普通应用。而可选的分子泵可以提供设备更优秀的性能：真正的高真空环境， 以及溅射非惰性金属（比如铝）的能力。 BT系列设备也可以配置干式真空泵， 满足无油真空的要求。 安全设计及认证BT150和BT300具有完善的安全使用及互锁设计， 确保操作人员安全。这些设备可以提供CE标识以及UL认证。

VTC-3RF是一款小型台式3靶等离子溅射仪(射频磁控型)，配有三个1英寸的磁控等离子溅射头和射频（RF）等离子电源，此款设备主要用于制作非导电薄膜，特别是一些氧化物薄膜。对于新型非导电薄膜的探索，它是一款廉价并且高效的实验帮手。技术参数输入电源220VAC 50/60Hz, 单相800W (包括真空泵）等离子源配有一13.5MHz,100W的射频电源（采用手动匹配）可选配300W射频电源（自动匹配）注意：100W手动调节的RF（射频）电源价格较低，但是每一次对于不同的靶材，都需要手动设置参数才能产生等离子体，比较耗费时间。300W自动匹配的RF（射频）电源，价格较昂贵，但比较节约时间（点击图片查看详细资料）磁控溅射头三个1英寸磁控溅射头（带有水冷夹层），采用快速接头与真空腔体相连接靶材尺寸: 直径为25.4mm,最大厚度3mm一个快速挡板安装在法兰上溅射头所需冷却水：流速10L/min（仪器中配有一台流速为16L/min的循环水冷机） 真空腔体真空腔体：256mm OD x 250mm ID x 276mm H，采用高纯石英制作密封法兰:直径为274mm . 采用金属铝制作，采用硅胶密封圈密封一个不锈钢网罩住整个石英腔体，以屏蔽等离子体（如下图）真空度：1.0×10-2 Torr （采用双极旋片真空泵）,5×10-5 torr （采涡旋分子泵） 载样台载样台可旋转（为了制膜更加均匀）并可加热载样台尺寸：直径50mm （最大可放置2英寸的基片）旋转速度：0 - 20 rpm样品台的最高加热温度为700℃(短期使用，恒温不超过1小时)，长期使用温度500℃控温精度+/- 10℃真空泵我公司有多种真空泵可选，请点击图片，或是致电我公司销售薄膜测厚仪（可选） 一个精密的石英振动薄膜测厚仪安装在仪器上，可实时监测薄膜的厚度，分辨率为0.10 ? LED显示屏显示，同时也输入所制作薄膜的相关数据 质保和质量认证一年质保期，终生维护CE认证外形尺寸 使用注意事项这款1英寸的射频溅射镀膜仪主要是用于在单晶基片上制备氧化物膜，所以并不需要太高的真空度为了较好地排出真空腔体中的氧气，建议用5%H2+95 %N2对真空腔体清洗2-3次，可有效减少真空腔体中的氧含量请用纯度大于5N的Ar来进行等离子溅射，甚至5N的Ar中也含有10- 100 ppm的氧和水，所以建议将钢瓶中的惰性气体通过净化系统过后，再导入到真空腔体内

仪器简介：此系统可以配置多种沉积方式(预留各种功能接口),高度灵活,非常适合多种沉积模式的科研. 高真空条件沉积模式（使用机械泵+分子泵，或冷凝泵）。多种组合沉积模式，同一腔体实现多种功能沉积方式，沉积源模式有:磁控溅射源Sputter source电子束蒸发E-beam SourcesK-cell蒸发热蒸发Thermal sources氧化物源Oxide sources此系统高度灵活，软件操作方便，专业为研究机构沉积超纯度薄膜，真正的高真空沉积系统。The System is designed to be a highly flexible system for thin-film research in ultra pure conditions. The system can be configured to be true-UHV and allows for multiple deposition component options. 感谢中科院上海应用物理研究所上海光源同步实验部用此设备，为广大专业研究人员提供服务！！上海光源同步实验部配置的是磁控溅射（直流和射频均有）和电子束蒸发的组合功能，膜厚均匀性(镀膜500纳米左右厚度)均达到3%，这种组合系统极大地扩展了沉积功能，性能价格比超高，是研究人员的有力工具！！使用此系统的主要用户还有：中国计量院，吉林大学，中国科技大学，中北大学等技术参数：顶部法兰: 12”Radial ports：4 x NW100CF沉积接口: 5 x NW100CF, 4 x NW35CF分子泵: 300ls , 500 ls options样品操作: Quick-open top-lid.极限真空: 5x 10E-10 (24小时烘烤)机柜: Low footprint frame on transport casters样品台操控: Rotation, heating, bias样品操作: Load-Lock （可选）Sample size样品尺寸: 1”, 2”, 3”, 4” ，大到8”，12”等膜厚监控: QCM, Ellipsometry烘烤: Internal or jacket全自动软件操作，方便简单：Automation Touch screen pump down and process automation系统尺寸:Width: 1.5mHeight: 1.6mLength (standard): 1.3mLength: (with Loadlock): 2.0m主要特点：Top-loading chamber (500mm直径)超高真空匹配接口多种沉积源模式接口Analysis, load-lock and viewing ports多种样品夹具， 样品台可旋转，加热/冷却，DC/RF偏压 多种沉积源模式:包括 high-rate e-beam, low-rate (high accuracy) e-beam, DC and RF sputtering, thermal, K-cell,oxide sources.

SD-650MHG是一款高真空磁控溅射镀膜仪，是我们公司一款定制化的产品。首位用户为美国某位大学一位老师提出来的需求。老师的需求为：因为手套箱里要放很多东西，实在没有多余的空间放置镀膜仪，但传统的镀膜仪多多少少都会占用手套箱内的面积。经过工程师认真思考，研制了首款镀膜仪。该镀膜仪前面的观察窗口几乎和手套箱外壁在同一个平面内，而且还保证了密封问题，。该镀膜仪问世后，深受老师们的喜爱，先后为很多科研机构所选择。

1.产品概述MS450多靶磁控溅射镀膜系统由沈阳科友仪器等制造商生产，是一款集高真空、多靶材、磁控溅射技术于一体的镀膜设备。该系统能够在所需基材上沉积多种类型的涂层，包括耐磨损涂层、自润滑涂层、抗腐蚀涂层、抗高温氧化涂层、透明导电涂层等，广泛应用于高校、科研院所的教学、科研实验及生产型企业期探索性实验及开发新产品等。2.产品组成MS450多靶磁控溅射镀膜系统主要由以下几个部分组成：真空室：提供高真空环境，确保镀膜过程中的气体分子干扰小化。溅射靶枪：内置多种靶材，如金属、陶瓷等，通过磁控溅射技术将靶材原子溅射到基材表面。溅射电源：提供稳定的电源供应，支持直流(DC)、中频(MF)、射频(RF)等多种溅射模式。加热样品台：用于加热基材，提高镀膜质量和附着力。流量控制系统：精确控制工艺气体的流量和压强，确保镀膜过程的稳定性和可控性。真空获得系统：包括真空泵等组件，用于将真空室抽至高真空状态。真空测量系统：实时监测真空室内的气体压力等参数。气路系统：用于向真空室内通入工艺气体，如氩气等。PLC+触摸屏自动控制系统：实现设备的自动化控制和操作，提高工作效率和镀膜质量。3.工作原理MS450多靶磁控溅射镀膜系统的工作原理基于磁控溅射技术。在镀膜过程中，电子在电场的作用下飞向基片，并与氩原子发生碰撞，使其电离产生出Ar正离子和新的电子。Ar正离子在电场的作用下加速飞向阴靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。溅射出的靶原子或分子在基片表面沉积成膜。同时，二次电子在电场和磁场的作用下产生E×B漂移，被束缚在靠近靶表面的等离子体区域内，电离出更多的Ar正离子来轰击靶材，从而实现高的沉积速率。4.技术特点多靶材选择：支持多种靶材的溅射镀膜，满足不同材料的镀膜需求。高真空环境：提供高真空环境，确保镀膜过程的稳定性和镀膜质量。高精度控制：通过PLC+触摸屏自动控制系统实现设备的精确控制和操作。高沉积速率：利用磁控溅射技术实现高的沉积速率和均匀的膜层质量。广泛适用性：适用于金属、陶瓷、玻璃等多种基材的镀膜处理。5.应用域MS450多靶磁控溅射镀膜系统广泛应用于以下域：材料科学：用于开发纳米单层、多层及复合膜层等新型材料。电子工程：制备金属膜、合金膜、半导体膜等电子材料，应用于太阳能电池、OLED等域。工业生产：在汽车零部件、航空航天器件等域制备耐磨损、抗腐蚀等高性能涂层。综上所述，MS450多靶磁控溅射镀膜系统以其先进的技术特点和广泛的应用域，在材料科学和工业生产中发挥着重要作用。

SD-3000型离子溅射仪外观亮丽做工精致，旋钮式定时器档位清晰，手感舒适； 特殊定制的真空指示和电流指示表头沉稳大； 前面板上的微泄漏气阀门可以连接多种气体； 调节溅射电流大小，成膜速度快，质量好； 高压输出可使成膜更加牢固快速。 功能控制和定时皆由CPU调度，使用范围广。 工作时结合内部自动控制电路很容易控制真空室压强、电离电流及选择所需的电离气体，获得最佳镀膜效果。 配有高位定性的飞跃真空泵。 SD-3000型是一款针对做电极研究和半导体研究的仪器，相对于基础型溅射仪，SD-3000型的镀层和样品之间更贴合，更有附着力，以便后续的研究。需要镀膜的样品1、电子束敏感的样品:主要包括生物样品，塑料样品等。S EM中的电子束具有较高能量，在与样品的相互作用过程中，它以热的形式将部分能量传递给样品。如果样品是对电子束敏感的材料，那这种相互作用会破坏部分甚至整个样品结构。这种情况下，用一种非电子束敏感材料制备的表面镀层就可以起到保护层的作用，防止此类损伤；2、非导电的样品:由于样品不导电，其表 面带有“电子陷阱”， 这种表面上的电子积累 被称为“充电”。为了 消除荷电效应，可在样 品表面镀一层金属导电 层，镀层作为一个导电 通道，将充电电子从材 料表面转移走，消除荷 电效应。在扫描电镜成 像时，溅射材料增加信 噪比，从而获得更好的成像质量。3、新材料:非导电材料和半导体材料参数：?主机规格：340mm×390mm×300mm（W×D×H）?靶（上部电极）：金：50mm×0.1mm（D×H）?靶材：Au（标配）?样品室：硼硅酸盐玻璃160mm×120mm（D×H）?靶材尺寸：Ф50mm ?真空指示表： 最高真空度：≤ 4X10-2 mbar?离子电流表： 最大电流：50mA?定时器： 最长时间：1-360s?微型真空气阀：可连接φ3mm软管?可通入气体： 多种?最高电压： -2800 DCV?机械泵：标准配置2L/S（国产VRD-8）特点：1、简单、经济、可靠、外观精美。2、可调节溅射电流和真空室压强以控制镀膜的速率和颗粒的大小。3、SETPLASMA手动启动按钮可预先设置好压强和溅射电流避免对膜造成不必要的损伤。4、真空保护可避免真空过低造成设备短路。5、同时可以通过更换不同的靶材（金、铂、铱、银、铜等），以达到更细颗粒的涂层。6、通过通入不同的惰性气体以达到更纯净的涂层。7、涂层牢固，特别适用于非导体材料实验电极制作和半导体材料的研究。

英国真空镀膜公司(Vac Coat)是欧洲高品质薄膜沉积技术的设计者和制造商, 其技术研发团队来自剑桥大学和牛津大学的科学家和工程师, 凭借超过30年以上的物理气相沉积PVD设备的制造经验, 且在多项技术和设计等优势的加持下, Vac Coat产品已获得真空薄膜沉积领域的专家学者高度认可, 尤其DSR/DST溅射镀膜系列, DCR/DCT热蒸发镀碳系列, 可获得晶粒尺寸很细及无颗粒的高质量均匀薄膜, 十分适用于高分辨率和高质量SEM/TEM/EBSD/EDS样品的制备表征, 已遍布欧洲各大科研院所实验室和产业线.

瑞士Safematic CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射和/或蒸发镀碳设备，使用非常简便。采用独特的插入式设计，通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射或蒸镀设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免金属和碳沉积之间的交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。特点和优点✬ 高性能离子溅射、蒸发镀碳和等离子处理✬ 专有的自动碳源卷送设计–多达数十次碳镀膜，无需用户干预✬ 独特的即插即用溅射和蒸碳镀膜模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪专为SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜和镀碳而设计。模块化的设计可将低真空单元后续很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。SP-010 & SP-011溅射模块两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长，非常适合需要较厚膜的应用。 可选多种溅射靶材，适合SEM等导电薄膜应用。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV版本。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。CT-010碳蒸发模块紧凑的插入式碳蒸发模块为镀碳树立了新标杆。将该头插入CCU-010 LV镀膜主体后，即可立即使用，适合SEM等需要高质量碳膜应用的场合。CT-010使用欧洲专有的、独特且技术领先的碳绳供给系统，可以进行多达数十次涂层的镀膜，而无需更换碳源。除了易于使用外，自动供给系统还允许在一个镀膜循环内可控地沉积几乎任何厚度的碳膜。易于选择的镀膜模式可保障镀膜安全，从对温度敏感的样品进行温和的蒸镀薄膜到中厚膜层的高功率闪蒸镀碳。整合脉冲蒸发、自动启动挡板后除气及膜厚监控的智能电源控制提供了精确的膜层厚度，并可避免火花引起的表面不均匀。GD-010辉光放电模块可选的GD-010辉光放电系统可快速安装，通过空气、氩气或其它专用气体进行表面处理，例如，使碳膜亲水。本机可按顺序进行碳镀膜和辉光放电处理，无需破真空或更换处理头，极大地简化了操作过程。本单元安装到CT-010，与所有样品台兼容。HS-010真空储存箱HS-010真空储存箱可在真空条件下存放备用镀膜头、备用行星台或旋转台、所有溅射靶材和碳附件，使它们处于清洁状态。通过集成的真空管路与镀膜主体单元连接，利用CCU-010抽真空系统对储物箱抽真空。可选地，用户也可用外接真空泵替代。舒适的手动锁定装置和放气阀允许对储物箱进行独立的抽真空和放气控制。额外的标准真空腔室可有效地避免蒸碳和溅射金属之间的交叉污染。ET-010等离子刻蚀单元在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀碳后进行等离子处理，从而对碳膜表面进行改性。Coating-LAB软件使用基于PC的Coating-LAB软件，可查看包括图表信息在内的处理数据。数据包括压力、电流、电压、镀膜速率和膜厚，镀膜速率为实时曲线。便捷的软件升级和参数设置让此智能工具更为完美。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV普通真空镀膜仪版本作为真空镀膜系统的基础单元，专为 SEM 和 EDX 的常规高质量溅射和/或碳镀膜而设计。客户可选择：CCU-010 LV磁控离子溅射镀膜仪；CCU-010 LV热蒸发镀碳仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪

产品简介：磁控溅射卷绕镀膜机是磁控溅射多用途卷绕镀膜设备，适用于在 PET 和无纺布上镀制金属膜（铜，铝等）功能性薄膜，设备采用先进的磁控溅射镀膜技术，配备直流、射频磁控溅射系统，适合镀制软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。技术参数卷膜条件镀膜材料：PET 和无纺布适用制膜：软磁合金膜、金属膜、导电膜、合金膜、介质膜等。基材厚度：125～300μm有效镀膜宽幅：≤800 mm最大卷绕直径：Φ400 mm卷绕芯轴内径：4 寸基材卷绕速度：1～2 m/min基材卷绕张力：30 ～ 200 N张力系统：交流伺服溅镀方式：单面真空条件极限真空（空载、洁净）：8×10-4Pa恢复真空时间（空载、清洁）：105Pa ～ 5×10-3Pa≤60 min系统真空漏率：1.0×10-10 Pa.m3/s磁控溅射阴极数量：3 个膜均匀性偏差：≤±10%

Q300T D Plus–双靶顺序溅射镀膜仪，适用150mm直径的试样 Q300T D Plus适用于两种材料的多层顺序溅射，具有两个独立的溅射头，无需破坏真空即可连续溅射两种金属。该系统是全自动的，用户定义的配方可以控制泵、镀膜顺序、镀膜时间、溅射循环次数和工艺过程中使用的电流等。通过在两个靶之间循环，可以依次溅射来自两种靶材料的厚度不同的膜层。不使用时，镀膜腔室可保持在真空环境下，以防止污染。

货号：208HR供应商：广州科适特科学仪器有限公司现货状态：一个月保修期：1年数量：不限规格：208HR208HR高分辨离子溅射仪为场发射扫描电镜应用中遇到的各种样品喷镀难题提供真正的解决方案。场发射扫描电镜观察时，样品需镀上极其薄、无细晶且均匀的膜层以消除电荷积累，并提高低密度材料的对比度。为了将细晶的尺寸减小到最小程度，208HR提供了一系列的镀膜材料，并对膜厚和溅射条件提供无可媲美的控制。208HR分子涡轮泵高真空系统提供宽范围的操作压力，可以对膜层的均匀性和一致性进行精确控制，并最大程度减小充电效应。高/低样品室的结构设计使靶材和样品之间的距离调节变得极为方便。MTM-20高分辨膜厚控制仪分辨率小于0.1nm，其作用是对所镀薄膜的厚度进行精确控制，它尤其适合场发射电镜对膜厚（0.5－3nm）的要求。 场发射扫描电镜镀膜推荐的靶材是：Pt/Pd：非导电样品镀膜的通用镀膜材料Cr：优良的半导体样品的镀膜材料Ir：优良的真正无细晶的镀膜材料208HR系统为得到最佳高分辨镀膜效果提供了多种配置选择，可配备标准的旋片泵或提供干净真空的无油涡旋式真空泵，标配的208HR包含Cr 和 Pt/Pd靶。一、主要特性 可选择多种镀膜材料 精确的膜厚控制 样品台控制灵活：可对样品台进行独立的旋转、行星式转动、倾斜控制，保证形貌差异大的样品也能得到最佳的镀膜效果。 多个样品座：提供4个样品座，每个样品座直径32mm，可装载多达6个小样品座。 样品室几何可变： 样品室几何用于调节镀膜的速率（1.0nm/s ～ 0.002nm/s） 宽范围的操作压力：独立的功率和压力调节，氩气的压力大小范围为0.2 - 0.005 mbar。 紧凑、现代的桌上型设计 操作容易二、技术参数溅射系统镀膜头低电压平面磁控管靶材更换快速环绕暗区护罩靶材调节遮挡靶材Cr, Pt/Pd (标配) Ta, Au, Au/Pd, Pt, W, Ir , Ti（选配）镀膜控制微处理器控制安全互锁电流控制与真空度无关数字化可选电流（20，40，60 和 80mA）样品室大小直径150mm 高度165 - 250mm样品台非重复的旋转、行星式转动，并可手动倾斜0-90° 转动速度可调 晶体头 4个样品台模拟计量真空 Atm - .001mb 电流 0-100mA 控制方法自动气体净化和泄气功能自动处理排序带有“暂停”功能的数字计时器自动放气膜厚控制MTM-20高分辨膜厚控制仪真空系统结构分子涡轮牵引泵和旋叶泵组合，代替旋叶泵的无油涡旋式真空泵（选配）抽真空速度0.1mb 下300 l/min抽真空时间1 mbar 至 1 x 10-3mbar极限真空1 x 10-5mbar桌上型系统旋叶泵置于抗震台上，全金属真空耦合系统膜厚测控仪MTM-20基于微处理器，4位数字显示，复位按钮， 6MHz晶体（具有寿命检查功能），5次/s的更新速率膜厚范围0.0 - 999.9nm分辨率优于 0.1nm密度范围0.50 - 30.00gm/cm3修正系数范围0.25 - 8.00镀膜终止范围膜厚0 - 999.9nm系统要求电气100-120 或 200-240VAC, 50/60Hz功率550VA（最大）氩气最小纯度99.995% 调节压力 5 - 6 psi (0.4 bar)6.0mm ID连接软管

电镜制样设备CCU-010 LV_SP离子溅射镀膜仪紧凑型、模块化和智能化CCU-010为一款结构紧凑、全自动型的离子溅射和/或蒸发镀碳设备，使用非常简便。采用独特的插入式设计，通过简单地变换镀膜头就可轻松配置为溅射或蒸镀设备。在镀膜之前和/或之后，可以进行等离子处理。模块化设计可轻松避免金属和碳沉积之间的交叉污染。CCU-010标配膜厚监测装置。 特点和优点 ✬ 高性能离子溅射✬ 独特的即插即用溅射模块✬ 一流的真空性能和快速抽真空✬ 结构紧凑、可靠且易于维修✬ 双位置膜厚监控装置，可兼容不同尺寸的样品✬ 主动冷却的溅射头可确保镀膜质量并延长连续运行时间巧妙的真空设计CCU-010 LV精细真空镀膜系统专为SEM和EDX的常规高质量溅射镀膜和镀碳而设计，CCU-010 LV_SP-010为磁控离子溅射镀膜仪。模块化的设计可将低真空单元很轻松地升级为高真空单元。特别选择和设计的材料、表面和形状可大大缩短抽真空时间。两个附加的标准真空法兰允许连接第三方设备。溅射模块 SP-010 & SP-011两种溅射模块一旦插入CCU-010 LV镀膜主体单元，即可使用。SP-010和SP-011溅射模块具有有效的主动冷却功能，连续喷涂时间长-非常适合需要较厚膜的应用；可选多种溅射靶材。SP-010溅射装置的磁控组件旨在优化靶材使用。这使其成为电子显微镜中精细颗粒贵金属镀膜的理想工具。对于极细颗粒尺寸镀膜，推荐使用涡轮泵抽真空的CCU-010 HV镀膜主体单元。SP-011溅射装置的磁控组件用于大功率溅射和宽范围材料的镀膜。对那些比常规EM应用要求镀膜速率更高、膜层要求更厚的薄膜应用时，推荐使用该溅射头。等离子刻蚀单元 ET-010在对样品进行镀膜之前或镀膜之后，可以对样品进行等离子刻蚀处理。使用该附件，可以选择氩气、其它蚀刻气体或大气作为处理气体。这样可以在镀膜前清洁样品，增加薄膜的附着力。也可在样品镀膜后进行等离子刻蚀处理，从而对膜层表面进行改性。RC-010手套箱应用的远程控制软件◎基于window的远程控制软件◎创建和调用配方◎实时图表，包含导出功能（Excel、png等）◎自动连接到设备可选多种样品台CCU-010提供一个直径不小于60mm的样品台，该样品台插入到高度可调且可倾斜的样品台支架上。可选其它专用的旋转样品台、行星台、载玻片样品台等。CCU-010 LV系列镀膜仪版本除了电镜制样设备CCU-010 LV_SP离子溅射镀膜仪之外，还可以选择：CCU-010 LV热蒸发镀碳仪；CCU-010 LV离子溅射和镀碳一体化镀膜仪；CCU-010 LV手套箱专用镀膜仪。所有CCU-010 LV版本均采用TFT 触摸屏操控，配方可编程，保证结果可重复；具有断电时系统自动排气功能，防止系统被前级泵油污染。

Q150R PLUS 系列全自动真空镀膜仪Q150R Plus适用于钨灯丝/LaB6/部分场发射和台式SEM。通过Q150R E＆ES Plus碳绳镀膜可用于元素分析，Q150R S＆ES Plus可用贵金属靶材溅射镀膜。推荐放大倍数：? Au、Au/Pd可达5万倍? Pt（可选）可达10万倍推荐应用：? 中低倍放大倍数观察? 增强二次电子信号（1nm或更小）? 台式SEM镀膜? 元素分析（EDS）? 敷铜层研究Q150R Plus 功能特点：1）全新升级的用户界面：? 电容式触摸屏，灵敏度高，更易触控使用? 用户界面软件全面更新，使用现代智能技术界面? 全面的文字帮助页面? USB接口可轻松进行软件更新和数据备份? log文件格式为.csv，内含日期、时间和工作参数，导出后可在Excel或类似软件中分析? 16GB的闪存可储存超过1000条镀膜方案? 双核ARM处理器，可实现快速响应的显示2）允许多用户输入和储存镀膜方案，并根据近期的使用来排列每个用户的方案。3）智能逻辑系统自动识别插入头，并显示相应的操作设置和控制。4）系统提示用户确认靶材，然后自动为该材料选择合适参数。5）直观方便的软件，即使新手也能快速输入和存储其处理参数，创建自己的镀膜程序，且系统已存储典型的溅射和镀碳程序可供直接调用。6）如果软件检测到在一段时间内无法达到设定真空度，系统会终止程序，以防真空泵过热。7）可互换的插入头：允许用户将系统配置为溅射镀膜仪、蒸镀仪或辉光放电系统 - 所有这些系统都可集成在一个设备中，节省空间。可选碳绳蒸发。可自动检测识别插入头类型。8）可拆卸腔室，设有防爆罩：可拆卸玻璃腔室，易清洁底座和顶板。如需要，用户可快速更换腔室以避免敏感样品交叉污染。高腔室选项可用于碳蒸发，避免样品过热；提高溅射的均匀性和承载较高尺寸的样品。9）多种样品台可选：Q150R Plus具有可满足大多数要求的样品台。所有样品台都是插入式（无螺丝），易于更换。10）安全性：Q150R Plus符合行业CE标准Q150R Plus系列镀膜仪具有三种型号：1）Q150R S Plus全自动溅射镀膜仪，可溅射不氧化金属。可溅射的靶材包括金、金/钯合金和铂。2）Q150R E Plus全自动碳绳蒸镀仪，适合SEM领域的EDS和WDS应用。3）Q150R ES Plus集成了离子溅射和碳蒸镀两种方式的全自动镀膜系统。镀膜头可在数秒内更换。Q150R Plus是Quorum Technologies出品的国际认可的Q系列镀膜仪的一部分，全球数千家客户使用此类镀膜仪。Q系列旨在为SEM、TEM和薄膜应用提供高质量的镀膜解决方案，Q系列功能多样、价格合理且易于使用。Q150R Plus主要操作参数：离子溅射：溅射电流范围宽，至预设厚度（需选用FTM）终止或定时终止。超长的可设溅射时间，无需破真空，自动内置冷却占空比。蒸镀：稳定的无杂波直流电源控制的脉冲蒸发，确保碳绳蒸镀的重复性。脉冲蒸发电流范围宽。可视化状态指示：大而多色的LED指示灯，使用户在一定距离就可轻松识别过程状态。指示灯可显示以下状态：◆ 初始化中 ◆ 程序运行◆ 空闲状态 ◆ 正在镀膜◆ 程序完成 ◆ 故障停机状态程序完成后音频声音提示覃思科技是英国QUORUM仪器中国区代理商和服务商，更多仪器信息请访问 精研覃思，无微不至，欢迎新老客户来电来函咨询选购！