物理气相沉积

1. 产品概述eVictor Al PVD 铝物理气相沉积系统，先进的磁控溅射系统，有效提高薄膜均匀性及靶材利用率。2. 设备用途/原理eVictor Al PVD 铝物理气相沉积系统，先进的磁控溅射系统，有效提高薄膜均匀性及靶材利用率，加热基座和高温静电卡盘设计，具备良好的温度均匀性，全新双腔传输平台，可配置性强，多可支持 10 个工艺模块，优质的 Whisker 解决方案，降低产品缺陷，大产能，低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 8、12 英寸，适用材料 高温铝、氮化钽、氮化钛。适用工艺 热铝、铝焊盘、铝线，适用域 新兴应用。

一、高真空互联物理气相薄膜沉积系统概述：沉积系统可用于制备光学薄膜、电学薄膜、磁性薄膜、硬质保护薄膜和装饰薄膜等，工艺性能稳定、模块化结构，采用行业最好的软件控制系统；4英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±2.5%，8英寸镀膜区域内片内膜厚不均匀性：≤±3.5%，测定标准以Ti靶材，溅射200——500nm厚薄膜，边缘去5mm，随机5点取样测定为准。样品托面中心到地面的高度约1360mm；镀膜材料适用于：Au、Ag、Pt、W、Mo、Ta、Ti、Al、Si、Cu、Fe、Ni、氧化铝，氧化钛，氧化锆，ITO，AZO，氮化钽，氮化钛等；二、PVD平台概述：既专注单一功能、又可通过拓展实现多平台联动：1、 关键部件接口都为标准接口，可以通过更换功能单元实现电子束、电阻蒸发、有机蒸发、多靶或单靶磁控溅射、离子束、多弧、样品离子清洗等功能；2、 系统平台为准无油系统，提供更优质的超洁净实验环境，保障实验结果的可靠性和重复性；3、 系统可以选择单靶单样品、多靶单样品等多层沉积方式；4、 靶基距具有腔外手动调节功能；5、 系统设置一键式操作，可以实现自动手动切换、远程控制、远程协助等功能；6、 控制软件分级权限管理，采用配方式自动工艺流程，提供开放式工艺编辑、存储与调取执行、历史数据分析等功能，可以不断更新和升级；7、 可以提供网络和手机端查询控制功能（现场要具备局域网络），实现随时查询数据记录、分析统计等功能；8、 节能环保，设备能耗优化后运行功率相比之前节能10%；；9、 可用于标准镀膜产品小批量生产。 三、互联系统技术描述 真空互联系统由物理气相沉积磁控溅射系统A、物理气相沉积磁控溅射系统B、物理气相沉积、电子束及热阻蒸发镀膜系统A、物理气相沉积电子束及热阻蒸发镀膜系统B、进样室、出样室、传输管、机械手等组成，可以实现样品在真空环境下不同工艺方法的样品薄膜制备和传递。

1. 灵活的沉积平台服务于广泛的应用Veeco 的单靶点 NEXUS PVDi 物理气相沉积（PVD）系统，为各类薄膜沉积应用提供了极大的灵活性和多功能性，使其在当今快速发展的技术环境中脱颖而出。无论是在半导体、光电子材料、显示技术还是其他高科技领域，NEXUS PVD 都能够满足客户的多样化需求。该系统的加工精度高达 200 毫米，不仅保证了沉积过程的精确控制，还使得它能够支持多种不同的工艺需求。NEXUS PVD 的先进工艺能力，结合无与伦比的均匀性，确保了每一层沉积膜的质量和性能都达到行业领先水平。这种优质的性能在提高整体工艺产量方面发挥了关键作用，用户能够以更高的良率实现高效生产。此外，NEXUS PVD 平台彰显了出色的吞吐量和正常运行时间，显著降低了设备的拥有成本。这意味着客户可以在保持高产量的同时，减少维护和运营成本，进一步提升投资回报率。2. NEXUS 平台还集成了 Veeco 多项技术包括离子束沉积、离子束蚀刻和原子层沉积（ALD），使得该系统具备处理多种沉积需求的能力。离子束沉积能够实现高质量薄膜的沉积，适合于对膜厚均匀性和膜缺陷有严格要求的应用；而离子束蚀刻技术则用于精细图案的刻制，更好地满足高精度集成电路制造的需要。原子层沉积技术则在沉积极薄膜方面表现卓越，适用于高技术含量的光电材料、传感器及其他前沿科技领域。Veeco 的 NEXUS PVDi 系统通过其顶尖的灵活性、可靠性和高效性，为广泛的薄膜沉积应用提供了卓越的解决方案，帮助客户在竞争激烈的市场中保持领先地位。无论是从技术创新还是经济效益来看，NEXUS PVDi 系统都为用户创造了巨大的增值潜力。

1. 产品概述Polaris系列 8英寸通用物理气相沉积系统2. 设备用途/原理Polaris系列 8英寸通用物理气相沉积系统，多种材料膜层工艺能力，低损伤，高深宽比填充能力，独立工艺腔室，多可支持 6 个工艺模块，优异的温度，颗粒控制能力，配置灵活、大产能、低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 6、8 英寸，适用材料 银、钨化钛、金、铂、钛、氮化钛、铝、铬等，适用工艺 倒装工艺、金属电等，适用域 新兴应用、科研、化合物半导体。

1. 产品概述eVictor系列 8英寸通用物理气相沉积系统，加热基座设计，具备良好的温度均匀性，高温厚铝工艺连续作业无累温。2. 设备用途/原理eVictor系列 8英寸通用物理气相沉积系统，加热基座设计，具备良好的温度均匀性，高温厚铝工艺连续作业无累温，高温铝工艺具备高深宽比填充能力，背金工艺薄片传输及工艺，过程温度实时监控，优异的温度和应力控制能力，双腔传输平台，多可支持 10 个工艺模块，靶材利用率高，大产能，低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 6、8 英寸，适用材料 钛、氮化钛、铝、 镍、镍钒、银。适用工艺 铝线、正面电工艺、背面金属化工艺等。适用域 科研、化合物半导体、集成电路。

1. 产品概述Polaris系列 12英寸通用物理气相沉积系统，磁控溅射源和腔室结构的设计有效提高靶材利用率。2. 设备用途/原理Polaris系列 12英寸通用物理气相沉积系统，磁控溅射源和腔室结构的设计有效提高靶材利用率，灵活的腔室配置，针对先进封装域优化、稳定的传输系统，兼容玻璃片、翘曲片、键合片等多种类型基片传输，稳定并且低的Rc表现，良好的颗粒和应力控制能力，优化的工艺流程带来大产能表现，低运营成本。3. 设备特点晶圆尺寸 12英寸，适用材料 铜、钛、氮化钛、钽、氮化钽、钨化钛、金、铝等，适用工艺 电、先进封装中的UBM/RDL，适用域 新兴应用、先进封装。

1. 产品概述：SICma System 是 PVA TePla 公司专为通过物理气相传输（PVT）方式生产碳化硅晶体而设计的系统 12。在 PVT 过程中，粉末状的原材料在高温下被加热和升华，最终沉积在特定准备的基片上。该系统采用感应线圈在千赫兹范围内进行加热，在全球范围内拥有十多年的应用经验。 2. 设备应用： 半导体行业：用于生产碳化硅晶体，碳化硅具有更大的禁带带隙、更高的击穿场强和更高的热导率，是制造高达千伏范围的电子器件的理想材料，可应用于功率半导体器件如二极管、晶体管等的制造。 研发领域：为科研机构提供了一个可靠的平台，用于开展关于碳化硅晶体生长、材料特性研究等方面的实验和探索，有助于推动碳化硅相关技术的不断进步和创新。3. 设备特点： 高度自动化：能够实现高度自动化的生产过程，减少了人工干预，提高了生产效率和产品质量的稳定性，降低了人为误差对晶体生长的影响 。 紧凑设计：具有紧凑的产品设计，为泵和电源等提供了高度灵活性的选择，有助于节省空间，同时也方便在不同的生产环境中进行安装和布局。 工艺高复制性：通过丰富的配件选择和高度自动化，实现了工艺的高复制性，使得在不同批次的生产中能够保持较为一致的晶体生长条件和产品质量。 接口灵活：提高了应用灵活性，为客户提供特定过程控制系统接口，如半导体行业中常见的制造执行系统（MES），便于与其他生产设备和管理系统进行集成和协同工作。 实时技术支持：客户可以随时联系 PVA TePla 公司的专家，及时对工艺制作过程中可能发生的意外或变化进行修正、调整和系统优化，确保生产过程的顺利进行和问题的及时解决。 可定制化：支持根据客户需求进行定制，包括籽晶片尺寸的选择等，满足不同客户的特定要求，为客户提供了更多的选择和可能性。4. 产品参数：最大晶体直径： 6"4英寸石英管的内径加工室： 286 mm4英寸石英管的内径加工室： 378 mm频率： 6 - 10 kHz

英国Vac Coat是欧洲高品质薄膜沉积技术的设计者和制造商, 其技术研发团队来自剑桥大学和牛津大学的科学家和工程师, 凭借超过30年以上的物理气相沉积PVD设备的制造经验, 且在多项技术和设计等优势的加持下, Vac Coat产品已获得真空薄膜沉积领域的专家学者, 尤其是Vac Coat可以将多种PVD工艺集成为一体进行多工艺复合镀膜, 如DST多靶磁控溅射系列, PLD脉冲激光沉积系列, DTT多源热蒸发沉积系列以及多工艺一体化系列已遍布欧洲各大科研院所实验室和产业线.

1 产品概述：化合物半导体沉积系统是一种高度专业化的设备，主要用于在特定衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜。这些薄膜在电子、光电、微波通信等领域具有广泛的应用。该系统通常集成了多种先进的沉积技术，如化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）、原子层沉积（ALD）等，以满足不同材料和工艺的需求。2 设备用途： 化合物半导体沉积系统的主要用途包括：薄膜沉积：在硅、蓝宝石、碳化硅等衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，如氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）等。器件制造：用于制造高频、高速、高功率的化合物半导体器件，如射频功率放大器、微波器件、LED等。材料研究：支持新材料的研究与开发，包括新型化合物半导体材料的探索与性能验证。工艺优化：通过精确控制沉积参数，优化薄膜的结晶质量、成分、厚度等，提高器件的性能和可靠性。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：1 高精度与可重复性：采用先进的沉积技术和精密的控制系统，确保薄膜的厚度、成分、结晶质量等关键参数具有高精度和可重复性。2 多工艺兼容性：支持多种沉积工艺，如CVD、PVD、ALD等，可根据具体材料和工艺需求进行选择和优化。3 高度自动化：系统集成度高，自动化程度高，能够实现从衬底预处理、沉积过程到后处理的全程自动化控制，提高生产效率和产品质量。4 广泛的材料适应性：可适用于多种化合物半导体材料的沉积，包括但不限于GaN、GaAs、InP等，满足不同应用领域的需求。5 高效能：沉积速率快，生产效率高，同时能够保持较低的能耗和成本。4 设备参数：1、可用反应器容量：42x2 英寸/11x4 英寸/6x6 英寸 2、最高的晶圆吞吐量和快速的循环时间3、通过提高均匀性和工艺稳定性实现最大生产量4、提高生产率

1 产品概述： 化合物半导体沉积系统是一类专门用于制备化合物半导体材料的设备，这些材料通常由两种或多种元素组成，如GaAs、GaN和SiC等。这些材料因其独特的高功率、高频率等特性，在信息通信、光电应用以及新能源汽车等产业中占据重要地位。2 设备用途：化合物半导体沉积系统的主要用途包括：晶圆制备：通过外延生长技术，在衬底上沉积高质量的化合物半导体薄膜，用于制造高性能的半导体器件。芯片设计与制造：支持化合物半导体器件的设计与制造过程，包括射频功率放大器、高压开关器件等。光电器件：用于制造太阳电池、半导体照明、激光器和探测器等光电器件。微波射频：在移动通信、导航设备、雷达电子对抗以及空间通信等系统中，化合物半导体沉积系统用于制造射频功率放大器等核心组件。3. 设备特点化合物半导体沉积系统通常具备以下特点：高精度与均匀性： 沉积均匀性：能够实现晶圆级的高沉积均匀性，确保薄膜厚度和质量的一致性。 精确控制：通过调节沉积参数，如温度、压力、气体流量等，可以精确控制薄膜的化学成分、形貌、晶体结构和晶粒度。多功能性： 多种沉积方法：支持化学气相沉积（CVD）、物理气相沉积（PVD）等多种沉积方法，满足不同材料和器件的制备需求。 多种薄膜材料：能够沉积金属薄膜、非金属薄膜、多组分合金薄膜以及陶瓷或化合物层等多种薄膜材料。高温与低温兼容性： 高温沉积：部分设备能够在高温下工作，确保薄膜的结晶质量和纯度。 低温辅助：采用等离子或激光辅助技术，可以降低沉积温度，保护基体材料不受高温损伤。高效与自动化： 高吞吐量：通过优化设计和自动化控制，提高生产效率，降低生产成本。 自动装载与卸载：部分设备配备自动卫星装载系统，实现样品的自动装载与卸载，提高操作便捷性。4 设备参数：用于在 150/200 mm 衬底（Si/Sapphire/SiC）上进行高级 GaN 应用 间歇式反应器的成本优势与单晶圆反应器独特的轴对称晶圆上均匀性相结合，在以下方面：o Wafer Bow （威化弓）o 层厚、材料成分、掺杂剂浓度o 组件产量暖吊顶通过晶圆提供最低的热通量o 由于垂直温度梯度最小，晶圆曲率最小o 允许使用标准厚度的硅晶片通过客户特定的衬底腔设计优化晶圆温度配置8x150 毫米5x200 毫米

1. 产品概述：高真空电子束蒸发薄膜沉积系统是一种先进的物理气相沉积（PVD）技术设备，主要用于在超高真空环境下，通过电子束加热蒸发源材料，使其蒸发并在基片表面沉积形成薄膜。该系统广泛应用于物理学、材料科学、动力与电气工程等域，特别适用于纳米材料、太阳能光伏电池、半导体器件等高精度薄膜的制备。2 设备用途/原理：1. 薄膜制备：该系统能够制备各种金属、半导体、氧化物等材料的薄膜，满足不同材料和器件的制备需求。2. 科学研究：在材料科学研究中，用于探索新材料、新结构的物理和化学性质。3. 工业生产：在半导体、光电子、太阳能电池等行业中，用于大规模生产高精度、高质量的薄膜产品。3 设备特点CMP抛光机具有以下几个显著特点：1 高真空度：系统能够达到高的真空度（≤6.0E-5Pa），有助于减少薄膜制备过程中的杂质和气体干扰，提高薄膜质量。2 电子束加热：采用电子束加热技术，具有热效率高、束流密度大、蒸发速度快等优点，能够蒸发高熔点材料，制备高纯薄膜。3 多源蒸发：系统配备多个蒸发源（如6个40cc坩埚），可同时或分别蒸发多种不同材料，实现多层膜的均匀沉积。4 精确控制：配备高精度的膜厚监控仪和控制系统，能够实现对薄膜厚度、成分和结构的精确控制，确保薄膜的均匀性和一致性。5 灵活定制：样品尺寸及数量可定制，工件架有拱形基片架和行星形基片架等多种选择，可根据用户基片尺寸设计工件架。6 稳定可靠：系统整体设计合理，结构紧凑，具有良好的设备稳定性和可靠性，以及完善的售后及质保服务。综上所述，高真空电子束蒸发薄膜沉积系统以其高真空度、高精度、多源蒸发和灵活定制等特点，在薄膜制备域具有广泛的应用景和重要的科学价值。4 特色参数：本系统配有一套电子枪及电源，可满足在Al，Ni，Ag，Pt，Pd，Mo,Cr和Ti等多种金属和介质膜基片上均匀沉积多层膜的需要。真空室结构:U形开门真空室尺寸:700x700x900mm限真空度:≤6.6E-5Pa沉积源:6个40cc坩埚样品尺寸，温度:φ4英寸，26片，高300℃占地面积（长x宽x高）:约3.2米x3.9米x2.1米电控描述:全自动控制系统：通过工控机和 PLC 实现对整个系统的控制，具有自动和手动控制两种功能，操作过程可在触摸屏上进行，提供配方设置、真空系统、电子枪系统、工艺系统、充气系统、冷却系统等人机操作界面；在工控机上可通过配方式参数设置方式实现对程序工艺过程和设备参数的设置。工艺:片内膜厚均匀性：≤±3%特色参数 :工件架有拱形基片架和行星形基片架：可根据用户基片尺寸设计工件架

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

化学气相沉积 LPCVD设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可用于科学研究、实践教学、小型器件制造。LPCVD设备结构及特点：1、小型化，方便实验室操作和使用，大幅降低实验成本两种基片尺寸2英寸或4英寸；每次装片1～3片。基片放置方式：配置三种基片托架，竖直、水平卧式、带倾角。基片形状类型：不规则形状的散片、φ2～4英寸标准基片。2、设备为水平管卧式结构由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。LPCVD设备主要技术指标 类型参数 成膜类型 Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 标准基片:1～3片 不规则尺寸散片:若干 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 手动进出样品生产型LPCVD设备设备功能该设备是在低压高温的条件下，通过化学反应气相外延的方法在衬底上沉积各种功能薄膜（主要是Si3N4、SiO2及Poly硅薄膜）。可提供相关镀膜工艺。设备结构及特点设备为水平管卧式结构，由石英管反应室、隔热罩炉体柜、电气控制系统、真空系统、气路系统、温控系统、压力控制系统及气瓶柜等系统组成。反应室由高纯石英制成，耐腐蚀、抗污染、漏率小、适合于高温使用；设备电控部分采用了先进的检测和控制系统，量值准确，性能稳定、可靠。整个工艺过程由计算机对全部工艺流程进行管理，实现炉温、气体流量、压力、阀门动作、泵的启闭等工艺参数进行监测和自动控制。也可以手动控制。设备主要技术指标 类型参数 成膜类型Si3N4、Poly-Si、SiO2等 最高温度 1200℃ 恒温区长度 根据用户需要配置 恒温区控温精度 ≤±0.5℃ 工作压强范围 13～1330Pa 膜层不均匀性 ≤±5％ 基片每次装载数量 100片 设备总功率 16kW 冷却水用量 2m3/h 压力控制 闭环充气式控制 装片方式 悬臂舟自动送样软件控制界面 关于鹏城半导体鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延 超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

脉冲激光沉积、分子束外延薄膜制备系统美国BlueWave公司是半导体设备、材料生产商。BlueWave提供多种薄膜制备系统，包括脉冲激光沉积(PLD)、电子束蒸发、热蒸发、反应溅射、热丝化学气相沉积(HFCVD)、热化学气相沉积系统(TCVD)。这些系统是理想的薄膜与涂层合成设备。可制备的薄膜包括氮化物、氧化物、多层膜、钻石、石墨烯、碳纳米管、2D材料。Blue Wave还提供相关系统配件，例如基片加热装置、原位监测工具。此外，BlueWave还为您提供标准的薄膜以及材料涂层，例如氧化物涂层、导电薄膜、无定型或纳米晶Si/SiC、晶体AlN-GaN、聚合物、纳米钻石、HFCVD钻石涂层以及器件加工。1、脉冲激光沉积系统产品特点：◆ 电抛光多空不锈钢超高真空腔体◆ 可集成热蒸发源或溅射源◆ 可旋转的耐氧化基片加热台◆ 流量计或针阀控制气体流量◆ 标准真空计◆ 干泵与涡轮真空泵◆ 可选配不锈钢快速进样室 ◆ 可选配基片-靶材距离自动控制系统◆ 可制备：金属氧化物、氮化物、碳化物、金属纳米薄膜、多层膜、超晶格等。 2、物理气相沉积系统（Physical Vapor Deposition Plus）产品特点◆ 超高真空不锈钢腔体◆ 电子束、热蒸发、脉冲激光沉积可集成◆ 立衬底加热，可旋转◆ 多量程气体流量控制器◆ 标准气压计◆ 机械、分子、冷凝真空泵可选不锈钢快速进样室◆ 衬底和源距离可控◆ 可用于金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜 3、热化学气相沉积系统（TCVD）产品特点◆ 高温石英管反应器设计◆ 温度范围：室温到1100℃◆ 多路气体控制◆ 标准气压计◆ 易于操作◆ 可配机械泵实现低压TCVD◆ 可用于制备金属氧化物、氮化物、碳化物、金属薄膜◆ 液体前驱体喷头◆ 2英寸超大温度均匀区4、热丝化学气相沉积系统（HFCVD）产品特点：◆ 水冷不锈钢超高真空腔◆ 热丝易安装、更换 ◆ 4个不同量程气体控制器◆ 标准气压计◆ 衬底与热丝距离可调节◆ 2英寸衬底加热、可旋转 ◆ 制备金刚石和石墨烯

等离子体增强化学气相沉积PECVD主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。设备用途和功能特点1、该设备是高真空单频或双频等离子增强化学气相沉积PECVD薄膜设备，主要用于制备氮化硅和氧化硅薄膜。2、设备保护功能强，具备真空系统检测与保护、水压检测与保护、相序检测与保护、温度检测与保护。3、 配置尾气处理装置。设备安全性设计1、电力系统的检测与保护2、设置真空检测与报警保护功能3、温度检测与报警保护4、冷却循环水系统的压力检测和流量检测与报警保护设备技术指标类型参数样片尺寸≤φ6英寸(或3片2英寸)样片加热台加热温度室温~600℃±0.1℃真空室极限真空≤7×10-5Pa工作背景真空≤8×10-4Pa设备总体漏放率停泵12小时后，真空度≤10Pa样品、电极间距5mm~50mm在线可调工作控制压强10Pa~1500Pa气体控制回路根据工艺要求配置单频电源的频率13.56MHz双频电源的频率13.56MHz/400KHz工作条件类型参数供电三相五线制 AC 380V工作环境温度10℃~40℃气体阀门供气压力0.5MPa~0.7MPa质量流量控制器输入压力0.05MPa~0.2MPa冷却水循环量0.6m3/h 水温18°C~25℃设备总功率7kW设备占地面积2.0m~2.0mPECVD及太阳能薄膜电池设备单室PECVD设备/控制系统五室PECVD设备六室太阳能薄膜电池设备PECVD+磁控溅射关于鹏城半导体 鹏城半导体技术（深圳）有限公司（简称：鹏城半导体），由哈尔滨工业大学（深圳）与有多年实践经验的工程师团队共同发起创建。公司立足于技术前沿与市场前沿的交叉点，寻求创新引领与可持续发展，解决产业的痛点和国产化难题，争取产业链的自主可控。公司核心业务是微纳技术与高端精密制造，具体应用领域包括半导体材料、半导体工艺和半导体装备的研发设计和生产制造。公司人才团队知识结构完整，有以哈工大教授和博士为核心的高水平材料研究和工艺研究团队；还有来自工业界的高级装备设计师团队，他们具有20多年的半导体材料研究、外延技术研究和半导体薄膜制备成套装备设计、生产制造的经验。公司依托于哈尔滨工业大学（深圳），具备先进的半导体研发设备平台和检测设备平台，可以在高起点开展科研工作。公司总部位于深圳市，具备半导体装备的研发、生产、调试以及半导体材料与器件的中试、生产、销售的能力。公司已投放市场的部分半导体设备|物理气相沉积（PVD）系列磁控溅射镀膜机、电子束镀膜机、热蒸发镀膜机，离子束溅射镀膜机、磁控与离子束复合镀膜机|化学气相沉积（CVD）系列MOCVD、PECVD、LPCVD、热丝CVD、ICPECVD、等离子刻蚀机、等离子清洗机|超高真空系列分子束外延系统（MBE）、激光分子束外延系统（LMBE）|OLED中试设备（G1、G2.5）|其它金刚石薄膜制备设备、硬质涂层设备、磁性薄膜设备、电极制备设备、合金退火炉|太阳能薄膜电池设备（PECVD+磁控溅射）团簇式太阳能薄膜电池中试线团队部分业绩分布完全自主设计制造的分子束外延（MBE）设备，包括自主设计制造的MBE超高真空外延生长室、工艺控制系统与软件、高温束源炉、高温样品台、Rheed原位实时在线监控仪（反射高能电子衍射仪）、直线型电子枪、膜厚仪（可计量外延生长的分子层数）、射频源等关键部件。真空度达到2×10-8Pa。设备于2005年在浙江大学光学仪器国家重点实验室投入使用，至今仍在正常使用。设计制造磁控溅射与等离子体增强化学气相沉积法PECVD技术联合系统，应用于团簇式太阳能薄膜电池中试线。使用单位中科院电工所。设计制造了金刚石薄膜制备设备，应用于金刚石薄膜材料的研究与中试生产设备。现使用单位中科院金属研究所。设计制造了全自动磁控溅射设备，可加水平磁场和垂直磁场，自行设计的真空机械手传递基片。应用于高密度磁记录材料与器件的研究和中试。现使用单位国家光电实验室。设计制造了OLED有机半导体发光材料及器件的研究和中试成套装备。现使用单位香港城市大学先进材料实验室。设计制造了MOCVD及合金退火炉，用于GaN和ZnO的外延生长，实现LED无机半导体发光材料与器件的研究和中试。现使用单位南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心。设计制造了磁控溅射研究型设备。现使用单位浙江大学半导体所。设计制造了电子束蒸发仪研究型设备。现使用单位武汉理工大学。团队在第三代半导体装备及工艺方面的技术积累2001年 与南昌大学合作设计了中试型的全自动化监控的MOCVD，用于外延GaN和ZnO。2005年 与浙江大学光学仪器国家重点实验室合作设计制造了第一台完全自主知识产权的分子束外延设备，用于外延光电半导体材料。2006年 与中国科技大学合作设计超高温CVD 和MBE。用于4H晶型SiC外延生长。2007年 与兰州大学物理学院合作设计制造了光学级金刚石生长设备（采用热激发技术和CVD技术）。2015年 中科院金属研究所沈阳材料科学国家（联合）实验室合作设计制造了金刚石薄膜制备，制备了金刚石电极、微米晶和纳米晶金刚石薄膜、导电金刚石薄膜。2017年-优化Rheed设计，开始生产型MBE设计。-开始研制PVD方法外延GaN的工艺和装备，目前正在进行设备工艺验证。2019年 设计制造了大型热丝CVD金刚石薄膜的生产设备。2021年 MBE生产型设计。2022年 大尺寸金刚石晶圆片制备（≥Φ6英寸）。2023年 PVD方法外延氮化镓装备与工艺攻关。

1. 产品概述Savannah® 配备了高速气动脉冲阀，以实现我们独特的曝光模式&trade ，用于在超高宽宽比基板上沉积薄膜。这种经过验证的精密薄膜镀膜方法可用于在纵横比大于 2000：1 基板上沉积保形、均匀的薄膜。Savannah® 提供三种配置：S100、S200 和 S300。Savannah® 能够容纳不同尺寸的基材（S300 可达 300 毫米）。Savannah® 薄膜沉积系统配备了加热的驱体线，并可选择添加多达六条线。Savannah® 能够处理气体、液体或固体体。Veeco 是全球先的原子层沉积 （ALD） 系统供应商，为研究和工业提供全面的服务和多功能的交钥匙系统，这些系统易于访问、经济实惠且精确到原子尺度。薄膜沉积是我们的长。我们的 Savannah® 系列薄膜沉积工具就是这些能力的例证。Savannah® 已成为全球从事原子层沉积 （ALD） 的大学研究人员的选系统，他们正在寻找经济实惠且强大的平台。在过去十年中，我们已经交付了数百个这样的系统。Savannah® 对驱体的高效利用和节能特性大大降低了薄膜沉积系统的运行成本。2. 主要功能包括原位椭圆偏振仪原位质量控制自组装单层膜2循环时间综合臭氧低蒸气压沉积批处理手套箱集成

优异的性能, PVD公司生产的脉冲激光沉积分子束外延系统在国内有较多用户，为众多老师开启薄膜外延制备的新篇章。欢迎前来参观咨询。主腔室，样品传输腔，1100度加热系统，样品旋转，PLD靶材操控器及光路，K-cell热蒸发源，电子束蒸发源，射频RF离子源PVD公司是美国主要制造商，是一家专业从事脉冲激光沉积分子束外延（PLD MBE）和超高真空薄膜沉积系统及组件的设计和制造的公司，提供超高真空薄膜沉积系统，应用于分子束外延、UHV溅射和脉冲激光沉积。产品主要集中在小型研究开发系统，其应用主要包括：用分子束外延进行半导体材料、ZnO、GaN、SiGe和金属/氧化物外延生长；UHV磁控溅射磁性薄膜；脉冲激光沉积超导薄膜、氧化物和陶瓷材料。脉冲激光沉积（PLD）系统通常使用聚焦脉冲准分子或Nd：YAG激光器在真空室中蒸发一小部分固体目标材料，以产生与原始目标材料具有相同化学成分的薄膜。PLD工艺能够在各种背景气体成分和压力下沉积许多复杂材料。此外，可以使用其他类型的激光器，包括ps和fs激光器，并且可以使用适当的激光器提供替代技术，例如矩阵辅助脉冲激光蒸发（MAPLE）和谐振红外脉冲激光蒸发系统。PVD 产品为尺寸从 5 mm 方形到 300 mm 的基板提供各种 PLD 系统。我们还可以为卷对卷应用提供PLD系统。PVD产品将很乐意协助您为您的特定应用选择合适的PLD工具。大多数系统完全由计算机控制，易于使用。应用主要包括：分子束外延系统（MBE）GaAs、InP和GaSb外延HgCdTe外延GaN、InN和AlN外延Ⅱ-Ⅵ族外延SiGe外延Si/金属/氧化物外延 超高真空物理气相沉积（PVD）系统磁控溅射系统脉冲激光沉积（PLD）系统电子束蒸发系统离子束沉积系统热蒸发系统已经在全球范围内安装了超过100套的超高真空系统。绝大部分的产品都是针对用户定制设计复杂的沉积系统。在标准系统制造业中有着深厚的为用户定制设计的背景，在用户中具有很好的声誉。许多的标准系统最初都是起源于针对某些客户对沉积过程特殊需求的解决方案,与广大的中国用户开展更为广泛的交流与合作，为广大的中国用户提供国际顶尖PLD MBE和超高真空薄膜沉积系统制造商的产品和服务。

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价格电议氦质谱检漏仪脉冲激光沉积系统 PLD 检漏脉冲激光沉积系统 PLD脉冲激光沉积系统 Pulsed laser deposition 是制备高通量多晶薄膜, 外延薄膜和多层异质结构和超晶格结构的物理气相沉积设备, 通常需要保证本底真空度达到 10-8mbar, 同时高真空环境对系统配置的 RHEED 及温控系统等关键设备的寿命也至关重要.脉冲激光沉积系统 PLD 需要检漏原因PLD 系统需要高真空环境, 腔室是否有泄露, 是否有内部材料放气等因素对实现高真空及超高真空很关键. 因此需要对整个系统进行泄漏检测. 氦质谱检漏仪利用氦气作为示踪气体可精确定位, 定量漏点. 因此广泛应用于 PLD 设备检漏.脉冲激光沉积系统 PLD 检漏客户案例: 上海伯东某客户 PLD 设备用来制备各种材料, 为了保证产品质量, 采购氦质谱检漏仪 ASM 340 搭配使用.生长多层膜（TiN/ALN）结构, 各层膜厚度可调高通量制备具有不同材料成分的100种材料PLD 制备的 Ag 的纳米多孔材料脉冲激光沉积系统 PLD 检漏方法 采用真空模式检漏, 通过波纹管连接需要检漏的腔体, 设定好需要的漏率值 在怀疑有漏的地方喷氦气（一般需要检漏的部位是焊缝或连接处）,如果有漏,检漏仪会出现声光报警同时在屏幕上显示当前漏率值.上海伯东推荐 Pfeiffer 氦质谱检漏仪 ASM 340 三种类型可选型号ASM 340 WETASM 340 DASM 340 I对氦气的最小检测漏率, 真空模式5E-13 Pa m3/s5E-13 Pa m3/s5E-13 Pa m3/s检测模式真空模式和吸枪模式真空模式和吸枪模式真空模式和吸枪模式检测气体4He, 3He, H24He, 3He, H24He, 3He, H2对氦气的抽气速度 l/s2.52.52.5进气口最大压力 hPa25255前级泵抽速 m3/h油泵 15隔膜泵 3.4不含前级泵重量 kg564532结合了 Pfeiffer 与 Adixen 两家检漏仪的技术优势, 德国 Pfeiffer 推出全系列新型号氦质谱检漏仪, 从便携式检漏仪到工作台式检漏仪满足各种不同的应用. 氦质谱检漏仪替代传统泡沫检漏和压差检漏, 利用氦气作为示踪气体可精确定位, 定量漏点. 氦质谱检漏仪满足单机检漏, 也可集成在检漏系统或 PLC. 推荐氦质谱检漏仪应用 若您需要进一步的了解详细信息或讨论, 欢迎联络上海伯东

1.产品概述： Beneq P1500 是我们大的原子层沉积系统，门用于涂覆大型板材和复杂零件。它还用于为较小组件的批次提供更高的吞吐量。我们的客户将 P1500 用于大直径基板上的光学镀膜、半导体设备部件的防腐镀膜，以及在玻璃或金属板上使用 ALD 的各种应用。2.产品配置:大型零件需要大型原子层沉积工具。 Beneq P1500 可容纳大 1300 × 2400 mm 的零件，并且可以在广域反射镜或透镜上沉积高质量、功能性的光学涂层。它还用于涂覆 300 至 1000 毫米尺寸范围的批量零件。可能的基材包括：第 4 代至第 6 代显示屏玻璃光伏玻璃板天文镜半导体腔室盖、衬垫和淋浴喷头印刷电路板可扩展性3.产品优势：提高较小基材批次的产量。 您目的涂料设备是否已满负荷生产？Beneq P1500 能够扩大批量生产的规模，并为您的工作流程增加额外的涂层容量。与较小的批量工具相比，P1500 可以提高您的涂层产量。此外，其大批量容量可以降低涂装较小零件的成本，使 ALD 在许多应用域中具有商业可行性。P1500 配备了高容量驱体源和驱体灭活和过滤系统，用于沉积厚度从纳米到微米不等的薄膜批次。Beneq P1500 是我们坚固可靠的 P 系列的新示例，它受益于 35+ 多年的工业 ALD 批量生产经验。P1500 可从室温加热到 400°C，轻松处理气态、液态和固体驱体，包括有毒、自燃和腐蚀性驱体材料。预热烤箱Beneq 有的预热器。 我们可选的预热烤箱缩短了加热时间，并进一步提高了您的吞吐量。

1.产品概述：Beneq P400A 为以优化的批量大小涂覆不同类型的基材而设计 - 足够大以提供显着的容量，但又足够小以在批次和较短的循环时间内保持出色的均匀性。我们的客户将 P400A 用于光学镀膜和在玻璃或金属板上使用 ALD 的应用。2.产品配置:Beneq P400A 通常用于直径范围为 20 毫米至 300 毫米的基板批次。批量设置可针对特定零件、片材、晶圆或其他基板进行优化。扁平基板的总批量大小可达8米设计和设置让我们选择和设计佳的工具设置和原子层沉积工艺，以适应您的基材和应用。P400A 的多功能设计使其易于在反应室和底物支架的不同设置之间切换。这意味着您可以使用相同的原子层沉积系统从研发顺利过渡到批量生产。Beneq 提供量身定制的应用开发以及试生产支持，因此您可以在建立自己的 ALD 制造能力之进行测试。厚膜叠层用于厚膜堆叠（ 1 μm） 的理想 ALD 工具。 大批量的厚膜堆叠需要大量的驱体，同时会产生大量的残留物和副产品。为了应对这些挑战，P400A 配备了高容量驱体源以及驱体灭活和过滤系统。Beneq P400A 是 35+ 年工业生产发展的结果，拥有大批量 1μm 厚膜堆叠，。3.产品优势：Beneq P400A 的温度范围从室温到 550°C，可轻松处理气体、液体和固体驱体，包括有毒、自燃和腐蚀性驱体材料。维护更简单、频率更低。沉积厚膜堆叠的原子层沉积工具通常需要每月清洁一次。P400A 的高容量泵管路过滤器使该工具即使在大批量生产中也能运行数月而无需维护。由于需要冷却ALD 反应室，更换 ALD 反应室可能需要一整天的时间，但 P400A 将时间缩短到几分钟。它的设计使操作员只需拉出反应室和其他需要清洁的部件。避免因维护而造成不必要的停机时间。Beneq P400A 使用多个反应室，这些反应室在每次运行之间连续切换。这使您可以大限度地减少与维护相关的生产停机时间。Beneq 有的预热器。我们可选的预热烤箱可缩短加热时间，进一步提高您的吞吐量。

仪器简介：PLD是将脉冲激光透过合成石英窗导入真空腔内照射到成膜靶上，靶被照射后吸收高密度能量而形成的plume状等离子体状态，然后被堆积到设在对面的基板上而成膜。PLD方法可以获得拥有热力学理论上准稳定状态的组成和构造的人工合成新材料。我们PLD系统拥有最好的性能价比,具有以下优异的性能:主真空室腔体直径18英寸，本底真空可达高真空：9X10E-9 Torr（要用Load-lock）。主真空室抽气系统前级泵采用无油干泵★基片加热温度最高可达1000℃。基片台可360度旋转（转速1-20rpm可调）。★基片与靶之间方位采用靶在下方，基片在上方，均水平放置。基片与靶间距沿Z轴（即垂直地面方向）可调。 8个装1英寸靶的坩埚（或靶盘），各坩埚之间要求相互隔离，不互相污染。★激光器：Coherent 公司COMPexPro 201：Wavelength: 248 nm (KrF)；Pulse Energy：700mJ；Max. Rep. Rate ：10 Hz；Energy stability (one sigma) : 1%； Average Power: 5W；Pulse Duration: 25 ns；Beam Dimensions(V×H): 24×10 mm；Beam Divergence(V×H): 3×1 mrad.★ Dual Load Lock System, 两次装样-送样系统，高效保证传片精准设备及光学台可联接在一起，始终保持腔体和激光束位置稳定。支撑腿带可调节的转轮，方便在地面整体（包括腔体系统和激光器）同时移动与固定。感谢上海交通大学 使用此研究级高性能的PLD系统（购买5套）， 望我们高性能价格比的PLD为广大科研人员提供帮助！！具体配置:一， 超高真空腔体二， 分子泵三， 激光扫描系统四， 衬底加热铂金片，最高可达1200度五，基板加热构造设计六， 基板加热电源七， Rheed八， Rheed软件九， 多靶位 ，标准配置6个1英寸靶十，Load-Lock样品传输腔体技术参数：一， 靶。数量6个，大小1-2英寸，被激光照射时可自动旋转，靶的选择可通过步进电机控制。二， 基板。采用适合于氧气环境铂金加热片，大小2英寸，加热温度可达1200摄氏度，温度差3%，加热时基板可旋转，工作环境最大压力是300mtorr。三， 基板加热电源。四， 超高真空成膜室腔体。不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-7 pa。五， 样品传输室。不锈钢sus304材质，内表面电解抛光，本底真空度5e-5 pa。六， 排气系统。分子泵和干式机械泵，进口知名品牌。七， 阀门。采用超高真空挡板阀。八， 真空检测。真空计采用进口产品九， 气路两套。采用气体流量计（MFC）。十， 薄膜成长监控系统。采用扫描型Rheed（可差分抽气）。十一， 监控软件系统。基板温度的监控和设定，基板和靶的旋转，靶的更换。十二， 各种电流导入及测温端子。十三， 其它各种构造各种超高真空位移台，磁力传输杆，超高真空法兰，超高真空密封垫圈，超高真空用波纹管等。另外我公司注重发展和销售大面积的PLD 系统和电子束蒸发器和溅射沉积。目前，公司提供以下物理气相沉积系统和元件产品：? 大面积脉冲激光沉积系统? 脉冲激光沉积元件包括靶材操纵器和智能窗? 电子束蒸发系统? 磁控和/或离子束溅射系统? 组合沉积系统? 定制的基底加热器产品具有如下基本特点：1. 系统可根据客户的特殊要求设计，操作简单方便。可使用大尺寸靶材生长大面积薄膜，基底的尺寸直径可从50mm 到200mm2. 电抛光腔体，主腔呈方形，其前部是铰链门，方便更换基底和靶材3. 双轴磁性耦合旋转靶材操纵器，可手动或计算机控制选定靶材。磁力杆传送基底到基底旋转器上，可手动或电动降低旋转器，实现简单快速地更换4. 主腔室预留备用的腔口，如用于观察靶材和基底，安装原子吸收或发射光谱仪、原位椭偏仪、离子枪或磁控溅射源、残留气体分析器和离子探针或其他的元件等等5. 系统使用程序化的成像链(Optical Train) ，包括聚焦透镜、反射镜台、动力反射镜支撑架和智能视窗等，无需频繁地校准光学组件。在激光通过大直径靶材时可使其光栅扫描化（rastering），以获得均匀性的薄膜。智能视窗不仅可精确监视沉积过程中的靶材激光注入量（OTLF），而且可长时间保持激光束光路的清洁6. 系统使用特有的黑体基底加热设计，高温下（950°C）可与银胶兼容使用 根据PLD 客户的不同需求，提供以下型号：1．NANO PLD2．PLD 30003．PLD 50004．PLD 80005．PLD T100其中NANO PLD 系统简单、紧凑，具有多种功能，非常适合小型的研发实验室，大面积 PLD 系统包括PLD 3000，PLD5000，PLD8000 非常适合于大的公共机构，政府实验室和国防机构的研发和试制生产。PLD T100 系统也就是高温超导带涂层系统非常适合于生产高温超导带和线缆，目前已有两套系统卖到日本知名的国际超导产业技术研究中心超导工学研究所（SRL-ISTEC），而且在高温超导线缆中获得了记录电流密度，创高温超导线材创新记录。 大面积PLD 的每个系统的具体一些参数如下：系统最大基底尺寸靶材数目靶材尺寸最大基底温度温度的均匀性靶材和基底之间的最大距离Nano-PLD2 inches (50 mm)32 inch (75mm)850°C/950°C±4°C100mmPLD30003 inches (75mm)34 inch (100 mm)850°C/950°C±3°C127mmPLD50005 inches(125mm)36 inch (150mm)850°C/950°C±4°C152mmPLD80008 inches(200mm)312 inch(300mm)750°C/800°C±7°C203mm这些型号的设备适用于以下的客户群：1) 高温超导研发-----合成新的高温超导材料或者微调高温超导材料2) 高温超导工业研发-----高温超导线缆和带沉积，移动通信的微波过滤器，电力分配网的错误电流限制器，超导磁能存储器(SMES)，超导量子干涉磁量仪元素制作，超导电子配件，磁共振成像应用，磁悬浮如火车3) 铁电材料和设备-----使用大面积的PLD 研发4) 电-光和光学材料-----电镀铬材料，电-光材料如PLZT, BST 等5) 电介材料---如AlN 薄膜6) 硬质薄膜----如TiCxN(1-x) 薄膜7) 透明导电氧化物 (TCO) 沉积8) 测辐射热敏元素生产商----用于热跟踪的热探测，热成像，热度量衡等9) 制备新材料特别是功能陶瓷10) 制备纳米粒子11) 基质辅助脉冲激光蒸发(MAPLE)聚合物薄膜12) 制备用于MRAMs 和录音磁头上GMR 的铁磁材料等

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。真空室结构:1个中央传输室：蝶形结构；3个沉积室：方形结构； 1个进样室：方形结构真空室尺寸:中央传输室：Φ1000×280mm ； 沉积室：260×260×280mm ；进样室：300×300×300mm限真空度:中央传输室：6.67E-4 Pa；沉积室：6.67E-6 Pa ；进样室：6.67 Pa沉积源:设计待定样品尺寸，温度:114X114X3mm， 加热温度350度，机械手传递样品占地面积（长x宽x高）:约13米x9米x2.3米（设计待定）电控描述:全自动控制工艺:在80X80mm范围内硅膜的厚度均匀性优于±5%特色参数:共有8路工作气体

1 产品概述: 原子层沉积（Atomic Layer Deposition, ALD）是一种先进的薄膜沉积技术，它通过化学反应将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面。这种技术属于化学气相沉积的一种，但其独特之处在于其自限制性和互补性，使得对薄膜的成份和厚度具有出色的控制能力。ALD广泛应用于力学、物理学、材料科学以及纳米技术等领域。2 设备用途：原子层沉积设备主要用于在各种基底上沉积高质量的薄膜，其应用范围包括但不限于：半导体领域：用于晶体管栅极电介质层（如高k材料）、光电元件的涂层、集成电路中的互连种子层、DRAM和MRAM中的电介质层，以及集成电路中嵌入电容器的电介质层等。纳米技术领域：用于制备中空纳米管、隧道势垒层、光电电池性能的提高、纳米孔道尺寸的控制、高宽比纳米图形、纳米晶体、纳米结构、中空纳米碗等复杂纳米结构。此外，还可用于纳米颗粒、纳米线等材料的涂层。其他领域：包括微电子、食品包装、光电、催化剂、储能技术、航天器外壳聚合物涂层等3 设备特点 高度可控性：沉积参数（如厚度、成份和结构）高度可控，能够精确控制薄膜的厚度至纳米级甚至亚纳米级。 优异的均匀性和一致性：所制备的薄膜保形性好、纯度高且均匀，这对于提高器件性能至关重要。 广泛的适应性：设备能够适应不同尺寸和形状的基底，包括平面基底和复杂的三维结构。 高效性：通过优化工艺参数，可以实现高效的薄膜沉积，提高生产效率。 灵活性：可沉积多种类型的材料，包括金属氧化物（如ZnO、TiO2、Al2O3、SnO2）、金属（如Pt、Ir）等，满足不同应用需求。 4 技术参数和特点：卷筒纸宽度：大420mmALD镀膜厚度：大100nm动态沉积速率 （Al2O3）： 10 nm *m/min过程温度：高 250°C

1. 产品概述：高真空等离子体增强化学气相薄膜沉积（PECVD）系统是一种先进的材料制备技术，广泛应用于物理学、化学、材料科学等多个领域。该系统通过在高真空环境下利用射频、微波等能量源将反应气体激发成等离子体状态，进而在基片表面发生化学反应，沉积出所需的薄膜材料。这种技术具有沉积温度低、沉积速率快、薄膜质量高等优点，能够制备出多种功能性薄膜，如氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等。2 设备用途/原理：半导体工业：用于制备集成电路中的钝化层、介电层等关键薄膜，提高器件的可靠性和性能。光伏产业：在太阳能电池制造中，PECVD系统被广泛应用于制备透明导电氧化物（TCO）薄膜、减反射膜等，以提高光电转换效率。平板显示：在液晶显示器（LCD）和有机发光二极管（OLED）等平板显示器件的制造中，PECVD系统用于制备薄膜晶体管（TFT）的栅极绝缘层、钝化层等关键薄膜。微电子与纳米技术：在微纳电子器件、纳米传感器等领域，PECVD系统能够制备出具有优异性能的薄膜材料，如抗腐蚀层、绝缘层等。3. 设备特点 1 高真空环境：PECVD系统通常配备有高真空泵组，以确保反应室内的真空度达到较高水平，从而减少杂质对薄膜质量的影响。 2 等离子体增强：通过射频或微波等能量源将反应气体激发成等离子体，使气体分子高度活化，降低反应温度，提高沉积速率和薄膜质量。 3 精确控制：系统配备有精密的控制系统，可以对反应气体的流量、压力、温度以及射频功率等参数进行精确控制，从而实现对薄膜厚度、成分和结构的精确调控。 4 多功能性：PECVD系统具有广泛的应用范围，可以制备出多种不同成分和结构的薄膜材料，满足不同领域的需求。4 设备参数真空室结构:方形侧开门真空室尺寸:设计待定限真空度:≤6.0E-5Pa沉积源:设计待定 样品尺寸，温度:设计待定占地面积（长x宽x高）:约6米×3米x2米（设计待定）电控描述:全自动工艺:片内膜厚均匀性：≤±5%

原子层沉积系统（Atomic Layer Deposition System，ALD)产地：美国 主要产品系列：1.ALD (传统的热原子层沉积)；2.PEALD (等离子增强原子层沉积)；3.Powder ALD (粉末样品的原子层沉积)； 仪器简介：原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD），也称为原子层外延（Atomic Layer Epitaxy，ALE），或原子层化学气相沉积（Atomic Layer Chemical Vapor Deposition，ALCVD）。原子层沉积是在一个加热反应的衬底上连续引入至少两种气相前驱体源，化学吸附至表面饱和时自动终止，适当的过程温度阻碍了分子在表面的物理吸附。一个基本的原子层沉积循环包括四个步骤：脉冲A，清洗A，脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度，是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。ALD的优点包括：1. 可以通过控制反应周期数精确控制薄膜的厚度，从而达到原子层厚度精度的薄膜；2. 由于前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜； 3. 可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层；4. 可以沉积多组份纳米薄层和混合氧化物；5. 薄膜生长可在低温下进行（室温到400度以下）；6. 可广泛适用于各种形状的衬底；7. 原子层沉积生长的金属氧化物薄膜可用于栅极电介质、电致发光显示器绝缘体、电容器电介质和MEMS器件，生长的金属氮化物薄膜适合于扩散势垒。 技术参数：基片尺寸：6英寸、8英寸、12英寸；加热温度：25℃—400℃（可选配更高）；均匀性： 2%；前驱体数：4路（可选配6路）；兼容性： 可兼容100级超净室；尺寸：950mm x 700mm；ALD及PE-ALD技术； 原子层沉积ALD的应用包括：1) High-K介电材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3)；2) 导电门电极 (Ir, Pt, Ru, TiN)；3) 金属互联结构 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir)；4) 催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5)；5) 纳米结构 (All ALD Material)；6) 生物医学涂层 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN)；7) ALD金属 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni)；8) 压电层 (ZnO, AlN, ZnS)；9) 透明电学导体 (ZnO:Al, ITO) 10) 紫外阻挡层 (ZnO, TiO2) 11) OLED钝化层 (Al2O3) 12) 光子晶体 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5) 13) 防反射滤光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5)；14) 电致发光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce) 15) 工艺层如蚀刻栅栏、离子扩散栅栏等 (Al2O3, ZrO2) 16) 光学应用如太阳能电池、激光器、光学涂层、纳米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO) 17) 传感器 (SnO2, Ta2O5) 18) 磨损润滑剂、腐蚀阻挡层 (Al2O3, ZrO2, WS2)； 目前可以沉积的材料包括：1） 氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...2） 氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ... 3） 氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...4） 金属: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ... 5） 碳化物: TiC, NbC, TaC, ... 6） 复合结构材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ... 7） 硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...

产品详情等离子体增强化学气相沉积（Oxford Plasmalab System100 PECVD） 原理：在保持一定压力的原料气体中，借助射频功率产生气体放电，使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体。在气体放电等离子体中，由于低速电子与气体原子碰撞，产生正、负离子之外，还会产生大量的活性基，从而大大增强反应气体的化学活性。这样，在相对较低的温度下，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。由于PECVD技术是通过反应气体放电来制备薄膜的，有效的利用了非平衡等离子体的反应特征，从根本上改变了反应体系的能量供给方式。一般说来，采用PECVD技术制备薄膜材料时，薄膜的生长主要包含以下三个基本过程：首先，在非平衡等离子体中，电子与反应气体发生初级反应，使得反应气体发生分解，形成离子和活性基团的混合物；其二，各种活性基团向薄膜生长表面和管壁扩散运运输运，同时发生各反应物之间的次级反应；左后，到达生长表面的各种初级反应和次级反应产物被吸附并于表面发生反应，同时伴随有气相分子物的再放出。PECVD的优点是：基本温度低，沉积速率快，成模质量好，针孔较少，不易龟裂。技术指标：可蒸发不同厚度的SiO2 和SiNx薄膜，广泛应用于物理，生物，化学，材料，电子等领域。沉积薄膜种类：SiO2，SiNx，SiONx基底温度：小于400℃薄膜均匀性：±3%（4英寸）装片：小于6英寸的任意规格的样品若干