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正湮没寿命谱仪

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正湮没寿命谱仪相关的仪器

  • SPM900 系列少子寿命成像测试仪原理说明非平衡少数载流子少数载流子的寿命是半导体材料的一个重要参数,也是评价半导体质量的一个指标。例如在光伏电池中,少子寿命决定了少子扩散长度, 决定了光吸收层、内建电场区域的厚度设计等重要的器件参数;载流子寿命也可以反映器件中杂质或者缺陷的影响,抑或是存在污染, 进行失效分析,对工艺过程进行优化。载流子的复合在一定温度下,处于热平衡状态的半导体材料,电子- 空穴对的产生和复合保持一种动态平衡,载流子浓度是一定的。然而,外界的作用会破坏这种热平衡,使其处于与热平衡相偏离的状态,随之改变的是载流子的浓度, 多于平衡值的载流子就是非平衡载流子。非平衡少数载流子也称也称少子,通常对于半导体器件的性能起到决定性的作用。当外界作用撤掉后,处于非平衡态的载流子会通过复合而产生衰减,直到载流子浓度恢复到之前的热平衡状态。载流子的复合方式可以分为三类:SRH 复合、辐射复合及俄歇复合(直接和间接)。(a) SRH 复合; (b) 辐射复合; (c) 直接俄歇复合;(d)间接俄歇复合少子寿命测试少子寿命的测量通常包括非平衡载流子的注入和检测两个方面,*常用的注入方法是光注入和电注入。对于间接带隙的半导体,常使用电注入或者微波光电导衰减的方法进行少子寿命测试,间接带隙半导体一般寿命较长, 为毫秒量级。而对于GaAs 这类的直接间隙半导体,复合的能量几乎全部以发光的形式放出,发光效率高,寿命较短(典型的寿命在10-8-10-9s),通常使用时间分辨光致发光光谱(TRPL)的方法来进行测试。激光扫描少子寿命成像测量仪SPM900当外界作用停止以后,少子的浓度(ΔC)随时间t 增长呈指数衰减的规律。由以下方程可知,少子的寿命为当少子浓度衰减到初始浓度1/e 时候所经历的时间。在辐射复合中,发光的强度与少子的浓度相关,因此可以通过检测发光的寿命来获得少子的寿命信息。当在显微镜上加载少子寿命测试模块,就可以得到微区下半导体器件的少子寿命分布信息,这对于微小型器件的研究及质量控制十分重要。激光扫描少子寿命成像仪基于时间相关单光子计数进行设计,包含显微镜主体,激光光源,光子计数检测器,单色仪以及自动XY 样品台等部分。位于显微镜上的激光光源用于样品的激发,通过控制样品台的移动,可以进行微区单点少子寿命测量和少子寿命成像。少子寿命成像测试应用外延ZnS 薄膜半导体本征带- 浅杂质复合半导体中施主- 受主对复合深能级复合III-V 族载流子杂质俘获过程研究非辐射中心的电子弛豫及复合机制研究半导体外延片缺陷和杂质检测测试软件控制测试界面测试软件的界面遵循“All In One”的简洁设计思路,用户可在下图所示的控制界面中完成采集数据的所有步骤:包括控制样品平移台移动,通过显微镜的明场光学像定位到合适区域,框选扫描区域进行扫描,逐点获得荧光衰减曲线,实时生成荧光图像等。数据处理界面功能丰富的荧光寿命数据处理软件,充分挖掘用户数据中的宝贵信息。可自动对扫描获得的FLIM 数据,逐点进行多组分荧光寿命拟合(组分数小于等于4),对逐点拟合获得的荧光强度、荧光寿命等信息生成伪彩色图像显示。3D 显示功能少子寿命测试案例MicroLEDMicroLED 显示技术是指以自发光的微米量级的LED 为发光像素单元,将其组装到驱动面板上形成高密度LED 阵列的显示技术, 在发光亮度、分辨率、对比度、稳定性、能量损耗等方面有很大优势,可以应用在AR/VR,可穿戴光电器件,柔性显示屏等领域。由于MicroLED 的尺寸在微米级别,因此需要在显微镜下进行检测。下图为使用少子寿命成像系统对直径为80 微米的MicroLED 微盘进行测试。单组分拟合,可以看到红圈中的污损位置,虽然影响发光强度,但对发光寿命没有影响钙钛矿测试钙钛矿属于直接带隙半导体材料,具有高光学吸收,高增益系数、高缺陷容忍度、带隙可调,制备成本低等优点,可以广泛应用在光子学与光电信息功能器件等领域,例如钙钛矿太阳能电池,钙钛矿量子点,钙钛矿LED 等材料的研究。对于钙钛矿中的载流子辐射复合的研究对于提供器件的光电转换性能有很大的帮助。以下示例为钙钛矿样品的少子辐射复合发光成像和寿命成像。图中可见此钙钛矿样品有两个寿命组分,且不同寿命组分的相对含量也可以从相对振幅成像图中很直观的看到。晶圆级大尺寸的少子寿命成像测试仪4、6、8 英寸晶圆样品测试,可在此基础上增加小行程电动位移台实现数百纳米至微米尺度的精细扫描显微尺度的少子寿命成像测试仪参数指标 系统性能指标:光谱扫描范围200-900nm*小时间分辨率16ps寿命测量范围500ps-1ms(具体视激光器而定)小尺寸空间分辨率≤ 1μm@100X 物镜@405nm 皮秒脉冲激光器大尺寸扫描可适用4 英寸、6 英寸、8 英寸样品配置参数:脉冲激光器375nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:30ps,平均功率1.5mW@50MHz405nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:25ps,平均功率2.5mW@50MHz450nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:50ps,平均功率1.9mW@50MHz488nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:70ps,平均功率1.3mW@50MHz510nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:75ps,平均功率1.1mW@50MHz635nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:65ps,平均功率4.3mW@50MHz660nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:60ps,平均功率1.9mW@50MHz670nm 皮秒脉冲激光器,脉宽:40ps,平均功率0.8mW@50MHz其他皮秒或纳秒脉冲激光器具体视材料及激发波长而定科研级正置显微镜落射明暗场卤素灯照明,12V,100W5 孔物镜转盘,标配明场用物镜:10×,50×,100×监视CCD:高清彩色CMOS 摄像头,像元尺寸:3.6μm*3.6μm,有效像素:1280H*1024V,扫描方式:逐行,快门方式:电子快门小尺寸扫描用电动位移台高精度电动XY 样品台,行程:75*50mm(120*80mm 可选),*小步进:50nm,重复定位精度< 1μm大尺寸扫描用电动位移台XY 轴行程200mm/250mm,单向定位精度≤ 30μm,水平负载:30Kg;光谱仪320mm焦距影像校正单色仪,双入口、狭缝出口、CCD出口,配置三块68×68mm大面积光栅, 波长准确度:±0.1nm,波长重复性:±0.01nm,扫描步距:0.0025nm,焦面尺寸:30mm(w)×14mm(h),狭缝缝宽:0.01-3mm 连续电动可调探测器:制冷型紫外可见光电倍增管,光谱范围:185-900nm(标配,可扩展)光谱CCD( 可扩展PL mapping)低噪音科学级光谱CCD(LDC-DD),芯片格式:2000x256,像元尺寸:15μm*15μm,探测面:30mm*3.8mm,背照式深耗尽芯片,低暗电流,*低制冷温度-60℃ @25℃环境温度,风冷,*高量子效率值95%时间相关单光子计数器(TCSPC)时间分辨率:16/32/64/128/256/512/1024ps… … 33.55μs,死时间< 10ns,*高65535 个直方图时间窗口,瞬时饱和计数率:100Mcps,支持稳态光谱测试;OmniFlμo-FM 寿命成像专用软件控制功能:控制样品平移台移动,通过显微镜的明场光学像定位到合适区域,框选扫描区域进行扫描,逐点获得发光衰减曲线,实时生成发光图像等数据处理功能:自动对扫描获得的寿命成像数据,逐点进行多组分发光寿命拟合( 组分数小于等于4),对逐点拟合获得的发光强度、发光寿命等信息生成伪彩色图像显示图像处理功能:直方图、色表、等高线、截线分析、3D 显示等操作电脑品牌操作电脑,Windows 10 操作系统
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  • 近年来,钙钛矿型闪烁体及钙钛矿型 X 射线直接探测器被广泛研究及报道。在发光闪烁体层面,钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得,成本极低,且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面,铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点,在 X 射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。卓立汉光能够提供基于 X 射线的稳态发光光谱,荧光寿命,瞬态光谱以及 X 射线探测成像的相关测量方案。能够提供全套涵盖 X 射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量(CMOS 成像,单像素成像,TFT 面阵成像)、辐射剂量表、辐射安全防护等,辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》(GBZ115-2023)。如下陈述我们几种测量方案及相关配置明细( 一 ) 稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒 X 射线和 TCSPC 测量原理的方法纳秒脉冲 X 射线 稳态和寿命测量数据( 二 ) X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲 X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵 X 射线成像 成像测量结果( 三 ) 技术参数稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法包含:皮秒脉冲激光器、光激发X 射线管、TCSPC 或条纹相机。 由皮秒脉冲激光器激发“光激发X 射线管”发射出X-ray 作用于样品上,样品发射荧光,经光谱仪分光之后,由探测器探测光信号,数据采集器读取数据。皮秒X 射线测量荧光寿命原理图纳秒脉冲X 射线150KV 纳秒脉冲X 射线* 安全距离要求:a:3 米,b:6 米,c:30 米稳态和寿命测量数据NaI 样品在管电压50KeV,不同管电流激发下的辐射发光光谱 纳秒X 射线激发的荧光衰减曲线X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵X 射线成像TFT 传感芯片规格TFT 读取系统规格成像测量结果 CMOS 成像实物图分辨率指标:TYP39 分辨率卡的X 射线图像。测试1mm 厚的YAG(Ce) 时,分辨率可以优于20lp/mm 手机充电头成像测试密码狗成像测试技术参数稳态X 射线激发发光测量光源 能量:4-50KV,功率:0-50W 连续可调,靶材:钨靶,铍窗厚度 200μm样品位置辐射剂量:0-25Sv/h光路透射和反射双光路,可切换 光谱范围200-900nm(可扩展近红外)监视器内置监视器方便观察样品发光,可拍照快门可控屏蔽快门,辐射光源最大功率下,关闭快门,样品位置辐射剂量小于10uSv/h辐射防护满足国标《X 射线衍射仪和荧光分析仪卫视防护标准》(GBZ115-2023)样品支架配备粉末、液体、薄膜样品架成像测量模块成像面积:直径20mm(可定制更大面积:120mm×80mm)成像耦合光路附件,样品测试夹具相机参数:颜色:黑白,分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V),像元尺寸:2.4μm×2.4μm,量子效率:84%@495nm,暗电流:0.001e-/pixel/s,制冷温度:-15℃,成像分辨率:优于20lp/mm瞬态X 射线激发发光测量光源皮秒脉冲X 射线源纳秒脉冲X 射线源*405nm ps 激光二极管:波长:100Hz-100MHz 可调,峰值功率:400mW@ 典型值,脉冲宽度:100ps光激发X 射线光管:辐射灵敏度:QE10%(@400nm),靶材:钨,操作电压:40KV,操作电流:10μA@ 平均值,50μA@ 最大值 电压:150KV脉冲宽度:50ns重复频率:10Hz平均输出剂量率:2.4mR/pulse数据采集器TCSPC 计数器条纹相机(同时获得光谱和寿命)示波器瞬时饱和计数率:100Mcps 时间分辨率(ps):16/32/64/128/256/512/1024/…/33554432通道数:65535死时间:< 10ns支持稳态光谱采集数据接口:USB3.0最大量程:1.08μs @16ps,67.1μs@1024ps, 2.19s@33554432ps 光谱测量范围:200-900nm时间分辨率:=5ps,( 最小档位时间范围+ 光谱仪光路系统)探测器:同步扫描型通用条纹相机ST10测量时间窗口范围:500ps-100us( 十档可选)工作模式:静态模式,高频同步模式以及 低频触发模式;系统光谱分辨率:0.2nm@1200g/mm单次成谱范围:=100nm@150g/mm静态(稳态)光谱采集,瞬态条纹光谱成像及荧光寿命曲线采集模拟带宽:500 MHz通道数:4+ EXT实时采样率:5GSa/s( 交织模式),2.5GSa/s( 非交织模式)存储深度:250Mpts/ch( 交织模式),125 Mpts/ch( 非交织模式) 寿命尺度500ps-10μs100ps-100μs 100ns-50msX 射线探测成像 方式CMOS 成像单像素探测器TFT 集成的面阵探测器配置成像耦合光路附件,样品测试夹具相机参数:颜色:黑白分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V) 像元尺寸:2.4μm×2.4μm量子效率:84%@495nm暗电流:0.001e-/pixel/s制冷温度:-15℃XY 二维电动位移台:XY5050:行程:X 轴50mm,Y 轴50mm,重复定位精度1.5μm,水平负载4Kg;XY120120:行程:X 轴120mm,Y 轴120mm,重复定位精度3μm,水平负载20KgTFT 阵列传感芯片(可提供直接型和间接型芯片):背板尺寸(H×V×T):44.64×46.64×0.5 mm,有源区尺寸(H×V):32×32mm,分辨率(H×V):64×64, 像素大小:500×500μmTFT 读出系统:成像规格:解析度:64 行×64 列,数据灰阶:支持256 灰阶显示,数据通信方式:WIFI 无线通讯,数据显示载体:手机/ 平板(Android 9.0以上操作系统、6GB 以上运行内存)辐射剂量测定辐射计量表探测器:塑料闪烁体, Ø 30x15 mm连续长期辐射:50 nSv/h ... 10 Sv/h连续短期辐射:5 μSv/h ... 10 Sv/h环境剂量当量测量范围:10 nSv ... 10 Sv连续的短时辐射响应时间:0.03 s相对固有误差:连续和短期辐射:±15% 最大137 Cs 灵敏度:70 cps/(μSvh-1 )剂量率变化0.1 to 1 μSv/h 的反应时间 ( 精度误差 ≤ ±10%) 2 s全光产额测量方案 闪烁晶体的光产额(也称为光输出或光子产额)是指晶体在受到电离辐射(如γ 射线、X 射线或粒子)激发后,发射光子(通常是可见光)的数量。光产额通常以每单位能量沉积产生的光子数来表示,单位可以是光子/MeV。光产额是衡量闪烁晶体性能的重要参数之一,它是衡量闪烁体材料性能的重要指标之一,也直接关系到该材料在实际应用中的灵敏度和效率。常见的闪烁晶体包括碘化钠(NaI),碘化铯(CsI),和氧化镧掺铈(LaBr3)等。不同的晶体材料会有不同的光产额,这取决于其发光机制、能带结构、以及材料的纯度和缺陷等因素。研究闪烁体材料的光产额对于提高其性能、拓展其应用具有重要的意义。一些常见闪烁晶体的光产额值如下:碘化钠(NaI(Tl)):约38,000 photons/MeV氯化铯(CsI(Tl)):约54,000 photons/MeV氧化铈掺杂的氧化镧(LaBr3):约63,000 photons/MeV钇铝石榴石掺杂铈离子(YAG:Ce):约14,000 photons/MeV 光产额越高,意味着该晶体能够在相同的能量沉积条件下产生更多的光子,从而在探测器中生成更强的信号,通常也会导致更好的能量分辨率。卓立汉光提供一整套包含同位素源、屏蔽铅箱(被测器件及光路)、光电倍增管、高压电源、闪烁体前置放大器、谱放大器、多道分析仪及测试软件,实现闪烁体的光产额测量。同位素源Na-22(或 Cs-137 可选),屏蔽铅箱(被测器件及光路),充分保证测试人员安全 光电倍增管 光谱范围:160-650nm,有效面积:46mm 直径,上升时间:≤ 0.8ns 高压稳压电源 提供:0-3000V 闪烁体前置放大器 :上升时间< 60ns积分非线性≤ ±0.02%计数率:250 mV 参考脉冲的增益偏移 0.25%,同时应用 65,000/ 秒的 200 mV 随机脉冲的额外计 数速率,前置放大器下降时间:信号源阻抗为 1 MΩ,则下降时间常数为 50 μs 谱放大器高性能能谱,适合所有类型的辐射探测器(Ge、Si、闪烁体等) 积分非线性(单极输出): 从 0 到 +10V0.025%噪声:增益 100 时,等效输入噪声 5.0uV rms;手动模式下,增益> 1000 时,等效输入噪声 4.5uV rms;或者自动模式下,增益 100 时,等效输入噪声 6.0uV rms温度系数(0 到 50° C)单极输出:增益为 +0.005%/'C,双极输出:增益为 +0.07%/'C,直流电 平为 +30μV/° C误差:双极零交叉误差在 50:1 动态范围内 ±3 ns增益范围:2.5-1500 连接可调,增益是 COARSE(粗调)和 FINE GAIN(微调增益)的乘积。单极脉冲形状:可用开关为 UNIPOLAR(单极)输出端选择近似三角形脉冲形状或近似高斯脉冲形状。配置专用 3kv 高压电源 2K 通道多道分析仪ADC: 包括滑动标度线性化和小于 2us 的死区时间,包括存储器传输 积分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内≤士 0.025%。 差分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内小于士 1%。 增益不稳定性 : 士 50 ppm/° C死区时间校正 : 根据 Gedcke-Hale 方法进行的延长的实时校正。 USB 接口 :USB 2.0 到 PC 的数据传输速度最高可达 480Mbps操作电脑/ 光学平台 尺寸:1500*1200*800mm台面 430 材质,厚度 200mm,带脚轮。固有频率:7-18Hz,整体焊接式支架
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  • 产品简介:LifeSpec II 是一款结构紧凑,高度集成化,高性能的荧光寿命测试光谱仪,与高频闪脉冲飞秒和皮秒激光器联用。这个系统是一个全自动化的解决方案,适合基础研究和常规实验室应用。它的零时间色散光学设置对于测量超快衰减提供了强大的技术支持。技术特点:荧光寿命范围低至5ps(依赖于检测器和光源)采用先进的时间相关单光子计数技术双光栅发射单色器相减模式设计,大限度抑制杂散光,防止脉冲展宽,到达零时间色散标配紫外可见区检测,可升级到近红外可选多种激发光源 EPL脉冲激光二极管:375~670nm可选 EPLED脉冲LED:265~360nm可选 耦合超连续激光器、耦合多种型号飞秒激光器可选检测器 蓝敏光电倍增管、红敏光电倍增管、MC-PMT、NIR PMT
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  • 产品简介:Mini-Tau 是爱丁堡光学一款紧凑型,低成本,滤光片分光的荧光寿命光谱仪。基于时间相关计数(TCSPC)测量技术,Mini-Tau通过T900软件和TC900计算机插卡,实现快速,可信,准确的测量及数据分析。技术特点:寿命测试范围25ps-50us一个带有光源和检测器的样品仓,PC和TCSPC插卡 滤光片分光,标配滤光片转轮标配恒温水浴支架(带有温度探头)标配405nm皮秒脉冲激光光源用于寿命测试亚纳秒脉冲LED或者皮秒激光二极管(需要进行波长选择)超快,蓝敏或者红敏单光子计数检测器
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  • 正电子湮没寿命谱仪 400-860-5168转3524
    正电子湮没寿命谱仪:又名高分子材料分析仪 1930年Dirac从理论上预言了正电子的存在和1932年Anderson在观察宇宙线中发现了正电子之后,揭开了研究物质和反物质相互作用的序幕。1951年Deutsch发现了正电子和电子构成的束缚态—正电子素的存在更加深了对正电子物理的研究工作,同时,也开展了许多应用研究工作,形成了一门独立的课题正电子湮没谱学。 随着对正电子和正电子素及其与物质相互作用特性的深入了解,使正电子湮没技术在原子物理、分子物理、固态物理、表面物理、化学及生物学、医学等领域得到广泛应用,并取得独特的研究成果。它在诸如检验量子电动力学基本理论、研究弱相互作用、基本对称性及天体物理等基础科学中也发挥了重要作用。同时,随着人们对正电子湮没技术方法学上研究的深入进展,使这一门引人注目的新兴课题得到更快的发展。 实验用放射源22Na,其衰变纲图如右图所示。该源发生 衰变放出一个正电子后几乎同时(仅迟3 ps左右)还发射一个能量为1.28 MeV的 光子。因此,测量1.28 MeV的 光子与正电子湮没后放出的 光子(0.511 MeV)之间的时间间隔,就可得到正电子寿命。对每个湮没事件都可测得湮没过程所需时间。对足够多的湮没事件(~106个)进行统计,就可得到一个正电子湮没寿命谱。系统集成测试报告参数:系统时间分辨率(用50μCi 60Co源测量):保证值:≤ 200ps;典型值:≤ 180ps
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  • 正电子湮没寿命谱仪:又名高分子材料分析仪 1930年Dirac从理论上预言了正电子的存在和1932年Anderson在观察宇宙线中发现了正电子之后,揭开了研究物质和反物质相互作用的序幕。1951年Deutsch发现了正电子和电子构成的束缚态—正电子素的存在更加深了对正电子物理的研究工作,同时,也开展了许多应用研究工作,形成了一门独立的课题正电子湮没谱学。 随着对正电子和正电子素及其与物质相互作用特性的深入了解,使正电子湮没技术在原子物理、分子物理、固态物理、表面物理、化学及生物学、医学等领域得到广泛应用,并取得独特的研究成果。它在诸如检验量子电动力学基本理论、研究弱相互作用、基本对称性及天体物理等基础科学中也发挥了重要作用。同时,随着人们对正电子湮没技术方法学上研究的深入进展,使这一门引人注目的新兴课题得到更快的发展。 实验用放射源22Na,其衰变纲图如右图所示。该源发生 衰变放出一个正电子后几乎同时(仅迟3 ps左右)还发射一个能量为1.28 MeV的 光子。因此,测量1.28 MeV的 光子与正电子湮没后放出的 光子(0.511 MeV)之间的时间间隔,就可得到正电子寿命。对每个湮没事件都可测得湮没过程所需时间。对足够多的湮没事件(~106个)进行统计,就可得到一个正电子湮没寿命谱。系统集成测试报告参数:系统时间分辨率(用50μCi 60Co源测量):保证值:≤ 200ps;典型值:≤ 180ps
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  • 正电子湮没寿命谱仪DPLS4000
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  • 高分子材料分析仪1930年Dirac从理论上预言了正电子的存在和1932年Anderson在观察宇宙线中发现了正电子之后,揭开了研究物质和反物质相互作用的序幕。1951年Deutsch发现了正电子和电子构成的束缚态—正电子素的存在更加深了对正电子物理的研究工作,同时,也开展了许多应用研究工作,形成了一门独立的课题正电子湮没谱学。随着对正电子和正电子素及其与物质相互作用特性的深入了解,使正电子湮没技术在原子物理、分子物理、固态物理、表面物理、化学及生物学、医学等领域得到广泛应用,并取得独特的研究成果。它在诸如检验量子电动力学基本理论、研究弱相互作用、基本对称性及天体物理等基础科学中也发挥了重要作用。同时,随着人们对正电子湮没技术方法学上研究的深入进展,使这一门引人注目的新兴课题得到更快的发展。实验用放射源22Na,其衰变纲图如右图所示。该源发生 衰变放出一个正电子后几乎同时(仅迟3 ps左右)还发射一个能量为1.28 MeV的 光子。因此,测量1.28 MeV的 光子与正电子湮没后放出的 光子(0.511 MeV)之间的时间间隔,就可得到正电子寿命。对每个湮没事件都可测得湮没过程所需时间。对足够多的湮没事件(~106个)进行统计,就可得到一个正电子湮没寿命谱。系统集成测试报告参数:系统时间分辨率(用50μCi 60Co源测量):保证值:≤ 200ps;典型值:≤ 180ps
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  • 正电子湮没寿命谱仪/正电子寿命皮秒定时系统positron annihilation lifetime产品简介 放射源发射出高能正电子射入物质中后,首先在极短时间内(约10-12ps以下)通过一系列非弹性碰撞减速,损失绝大部分能量至热能,这一过程称为注入与热化。热化后的正电子将在样品中进行无规扩散热运动,晶格中空位、位错等缺陷往往带有等效负电荷,由于库仑引力 正电子容易被这些缺陷捕获而停止扩散,并将在物质内部与电子发生湮没。从正电子射入物质到发生湮没所经历的时间一般称为正电子寿命。由于湮没是随机的,正电子湮没寿命只能从大量湮没事件统计得出。 正电子寿命谱仪性能特点正电子湮没技术对材料的结构相变和原子尺度的缺陷极为敏感,已经成为研究物质微观结构和电子结构的无损的探测分析手段。正电子湮没作为微观分析技术一种,其主要研究范围在于针对原子尺寸的微结构和缺陷。与通常的微观结构分析如STM、SEM、TEM等技术相比,正电子湮没技术不仅可以提供缺陷的尺寸信息、相变信息,而且可以提供缺陷随深度分布的信息,能够深入的分析材料的电子结构以及正电子湮没处的化学环境等,弥补了其他微观探测技术的不足,具有不可替代性。 应用领域1.金属材料的形变、疲劳、淬火、辐照、掺杂、氢损伤等在材料中造成的空位、位错、空位团等缺陷以及研究这些缺陷的退火效应。2.材料中相变过程,如合金中的沉淀现象、马氏体相变、非晶态材料中的晶化过程、离子固体中的相变、液晶及其他高分子材料,聚合物中的相变,凝聚态物理等3.研究固体的能带结构、费米面、空位形成能等4.研究材料的表面和表层结构和缺陷。 技术优势1.他对样品材料的种类几乎没有什么限制,可以是固体、液体或气体,可以是金属、半导体、绝缘体或高分子材料,可以是单晶、多晶或液晶等,适用于凡是与材料的电子密度及动量有关的问题。2.对样品温度没有限制,可以跨越材料的熔点或凝固点,而信息又是通过贯穿能力很强的γ射线携带而来,因此可以对样品做高低温的动态原位测量,测量时可施加电场、磁场、高气压、真空等特殊环境。3.研究样品中原子尺度的缺陷,如晶格中缺少一个或多个原子的缺陷,这些缺陷在电镜、X衍射中研究颇为困难。技术参数1.时间分辨率=120ps2.计数率1000cps,可自动计数3.自动能窗调节4.高压漂移,自动修正5.数据文件无需修改格式,可直接解谱6.小巧台式,安装环境要求低此外可提供正电子湮没辐射角关联、多普勒展宽谱、慢化正电子谱仪。
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  • 正电子湮没寿命谱仪1.正电子湮没寿命谱仪应用于材料科学领域中半导体材料类缺陷的测试。这是一套测量设备和电源一体化的正电子湮没寿命谱仪。在寿命测试中,使用3GSPS来测算寿命时间,这是由两种BaF2 的闪烁体产生的高速脉冲信号所导入的。在多普勒宽谱(CDB)中,二维的柱图是由两个锗半导体探测器的波高分布特征值所计算出的。此外,这套正电子湮没寿命谱仪也可以用AMOC模式来测试相关材料的寿命时间及电子动量密度分布2.技术特征在寿命测试中,使用3GSPS来测算寿命时间,这是由两种BaF2 的闪烁体产生的高速脉冲信号所导入的。在多普勒宽谱(CDB)中,二维的柱图是由两个锗半导体探测器的波高分布特征值所计算出的。此外,这套测试设备也可以用AMOC模式来测试相关材料的寿命时间及电子动量密度分布3.技术原理时间分析光谱计、DSP多通道分析模块、前置放大器电源模块、高压电源模块、供电支架、BaF2闪烁体探测器、Ge半导体探测器、计算机PC、交换中心(每个模块PC和局域网电缆连接)4.应用案例四川大学中科院高能物理研究所日本各大高校研究所
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  • 超快荧光寿命光谱仪 400-860-5168转1980
    仪器简介:LifeSpecII系列超快荧光寿命光谱仪专门为超快荧光寿命的测量而设计。在设计过程中,LifeSpecII系列超快荧光寿命光谱仪着重解决了传统光路的构架对待测超快信号的脉冲展宽效应,从而大幅度提高了荧光寿命测量的精度。 LifeSpecII系列超快荧光寿命光谱仪可以搭配不同的激发光源和探测器,以保证用户获得不同的荧光寿命测量范围。技术参数:主要技术指标: - 光学结构: 激发光路与发射光路垂直 - 工作原理: 时间相关单光子探测 - 寿命范围: ~5ps-50us - 光谱带宽: 1nm~40nm - 时间色散: 零(运用双减单色仪) - 光衰减器: 电脑控制连续可调衰减率 - 可选激发光源 皮秒脉冲半导体激光器 (多种波长可选) 皮秒脉冲LEDs (多种波长可选) 皮秒脉冲固体激光器 飞秒脉冲激光器 (可选配多种品牌和型号) - 可选探测器 蓝敏PMT 185~650nm 红敏PMT 185~870nm 带有微通道板PMT 200~850nm 近红外PMT 300nm-1400/1700nm主要特点:主要技术特点: - 荧光寿命测试范围5ps至ms范围(由激发光源与探测器决定) - 采用最先进的时间相关单光子计数技术(TCSPC)进行荧光寿命测量,具有最高的测量精度 - 采用大尺寸样品室,更便于对样品的操作 - 运用独特的光路设计,防止脉冲展宽并消除色散,使短寿命测试结果更加精准 - 光谱测量范围可覆盖紫外-可见-近红外 - 可以与多种高重复频率的飞秒或皮秒脉冲激光器配合使用,提高实验室已有设备的利用率 - 紧凑型一体化设计,占用空间更小 - 便于操作的荧光寿命分析软件 主要测量功能: - 荧光寿命/瞬态光谱测试 - 时间分辨荧光光谱 - 准稳态光谱测试 - 全自动时间分辨各项异性光谱测量(需要电动偏振器选件) - 温度扫描过程中的荧光寿命及时间分辨荧光光谱测量(需选择制冷机或TE制冷样品架选件)
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  • TPL200皮秒荧光寿命光谱仪是一款结构紧凑、高集成化、 高性能、高性价比的荧光寿命光谱仪。可根据客户需求定 制化自定义功能。可搭配任意激光器使用。时间计时精度50ps bin精度1ps激发光源:选择1:超连续白光脉冲光源,波长430-2400nm全范围可调,采用窄带滤光片选择波长选择2:单波长皮秒激光器 波长根据用户需求选配选择3:可兼容多种用户自有激光器可见光单光子检测器:时间分辨率: 40ps;死时间: 50ns光谱探测范围: 350nm to 900nm探测量子效率: 35%@500nm整体仪器响应时间(IRF):200ps寿命检测范围:~50ps到ms(时间窗口取决于激光器重频)带通滤光片组(标配5组带通滤光片)USB即插即用;适用溶液和固态薄膜样品数据采集软件:附送荧光寿命分析软件,含单指数、多指数、幂指数等多种数据拟合模型,亦可基于用户需求添加自定义功能
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  • HORIBA Scientific(Jobin Yvon光谱技术)----荧光光谱仪器的全球leader,提供全套稳态、瞬态和稳-瞬态以及各种偶联技术的解决方案。荧光寿命光谱是研究样品受激后辐射出的紫外,可见,或近红外荧光与时间的变化。可利用荧光的衰减测定皮秒到秒,或更长的寿命范围。HORIBA Scientific提供的研究级荧光寿命光谱仪有模块化或紧凑型设计,可按应用需求定制光谱仪。Fluorocube将全新的迷你化光源和检测技术与成熟的TCSPC电子系统,及自动化操作结合起来,提供 灵活和界面友好的光子计数寿命系统。主要特点:灵敏度高:单光子计数技术准确性好:计时电路无需校正灵活性强:可选多种光源,寿命响应范围宽模块化:可以根据需要定制模块配件方便性:全电脑控制,易于操作
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  • 赛梵科填料寿命验证仪Vscreening可耐高压,性能稳定可靠。不论是每天只需处理少量样品,还是焉要高通量纯化。根据分离要求可选择二元高压梯度、四元低压梯度可选以及选配示差检测器。赛梵科填料寿命验证仪Vscreening可搭配DAC30,实现全自动色谱填料/介质寿命验证试验。我们能提供填料寿命测试方案,可验证:反相色谱如(C18,C8,C4),正向色谱如(Sil,Diol,CN,Phenyl),聚合物填料(PA/DVB或PMMA)常见填料品牌如GE,Daiso, Kromasil,Phenomenex, Tosoh, AGC以 及国内填料介质蓝晓 , 华谱,纳微等赛梵科填料寿命验证仪Vscreening技术参数:流速精度: 0.001-50.000 ml/min耐压范围: 0- 20M pa波长范围: 200- 400nm ( DAD检测器)
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  • 武汉东隆科技为德国PicoQuant的中国区独家代理,欢迎您来电垂询!FluoTime 300“ EasyTau”是一款用于稳态,寿命和磷光测量的全自动的高性能荧光光谱仪。FluoTime 300包含测量稳态光谱和荧光衰减曲线所需的完整光学和电子元件,凭借时间相关单光子计数(TCSPC)或者多通道测量(MCS)技术,有效记录稳态光谱以及几皮秒到几秒的荧光衰减。该系统光源采用皮秒脉冲二极管激光器,LED或氙灯(连续和脉冲)。多种单光子探测器选项可实现从UV到IR范围的各种系统配置。该系统极限灵敏度水拉曼信噪比为29000:1。FluoTime 300可用于研究从几皮秒到几秒的荧光和磷光衰减过程,并且拥有丰富的升级附件可选,是大多研究和分析不可或缺的标准系统。应用领域:时间分辨荧光/磷光光谱稳态荧光光谱单线态氧荧光上转换研究荧光各向异性测试量子产率测试光化学研究LED,OLED,量子点研究特点:模块化的全自动系统设计时间分辨和稳态双工作模式简单易用的向导式软件和第三方开发工具荧光寿命时间测量范围从ps-ms灵敏度可达26000:1(水拉曼信噪比)参数:光学结构l L型工作模式l 稳态、TCSPC和MCS灵敏度l 典型信噪比优于29000:1 (PMA 175探测器),激发和发射光路中使用双单色仪,基于水拉曼光谱,激发波长350nm,光谱带宽5nm,积分时间1s荧光寿命范围l 40ps到10μs,采用PMT探测器和TCSPC模式的计数模块;l 10 ps 至 10 µ s,配有 Hybrid 检测器、TCSPC 电子元件和合适的激光器;l 10 ps 至 10 µ s,配有 MCP-PMT 检测器、TCSPC 电子元件和合适的激光器;l 大于几百ms,采用任何探测器和MCS模式的计数模块。激发光源l 皮秒脉冲二极管激光器或LED,波长从260nm-1990nm可选,重复频率高达80MHz,共用驱动单元l 高功率和紫外激光器(VisUV、VisIR)l 亚微秒脉冲氙灯l 300W CW同轴氙灯l 支持外部激光器,如钛宝石激光器、脉冲DPSS或白光激光器单色仪l Czerny-Turner结构l 聚焦长度:300mm,单出口或者双出口;双单色仪焦距长度为2 x 300 mm,单出口或双出口(发射端的+、-模式切换);l 1200g/mm光栅,闪耀波长为500nm;600g/mm光栅,闪耀波长为1250nm;(其他光栅可选);l 狭缝宽度在0mm至10mm之间可调(连续可调,完全电动),色散2.7 nm / mm(单单色仪,聚焦长度300mm)l 杂散光抑制比典型值1:10-5(单单色仪),1:10-8(双单色仪)。探测器l 光电倍增管PMT系列,185~920nm可选;l 微通道光电倍增管MCP-PMT系列,185~910nm可选;l 紫外/可见光-近红外PMT波长范围为200nm至1010nm;l 近红外光电倍增管NIR-PMT系列,950~1700nm可选;l 混合式光电倍增管Hybrid-PMT系列,200~900nm可选。软件l 操作简单,功能全面,基于Windows系统的分析软件;l 在工作区数据归档,数据导出功能和数据运算;l 使用向导进行标准化测量的辅助模式;l 完全控制所有硬件参数的定制模式;l 用于常规测量自动化的脚本模式;l 远程执行脚本(将自动化扩展到第三方设备);l 荧光寿命光谱分析基于数卷积处理,高至五阶指数的衰减函数,含杂散光校正,寿命分布曲线,各向异性测试,全局分析,严密错误分析等功能。
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  • 荧光寿命测试仪(Quantaurus&mdash Tau)Quantaurus-Tau是一套测试ps至ms量级荧光寿命的系统。它的操作十分简单,只需将样品放入样品腔,在软件中输入几个测试条件即可很快得到荧光寿命及光致发光光谱。一般典型实验可在60秒内得到分析结果,最高时间分辨率可达30-50ps. 应用领域荧光寿命测试有着非常广的应用范围。典型应用包括研究有机金属化合物分子内或分子间的电荷运动机能量转移,以及在有机电子发光器件开发中材料的荧光及磷光寿命测试,荧光蛋白中的FRET(荧光共振能量转移)以及太阳能电池及LED行业中的半导体化合物的测试。参数特性利用单光子计数技术实现高灵敏度,高速度的测试时间分辨率优于50ps可以测试低温液体样品(-196℃)荧光各向异性时间分辨测试荧光至磷光寿命测试集成化设计,简便化操作,性能稳定产品原理从有机材料或荧光探针中得到的荧光光谱(峰值波长及荧光强度等)是控制和评估材料的功能及特性的重要参数。然而,荧光光谱通常显示的是时间积分的结果,因此,当材料包含多种物质及活性元素时,这些物质及元素的荧光光谱只能以累积的形式表现出来。在这种情况下进行分析的一个有效手段是通过使用时间轴参数来观察发光的动态信息。这种方法通常也被称为荧光寿命测试,其中物质被脉冲光源激发并回到基态的过程可以在ps至ms的时间尺度内进行测试,这样甚至可以得到在相同波长及浓度下的多个不同的荧光寿命。
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  • FluoTime250将用于时间分辨发光光谱学所需的全部光学元件和电子元件集成到一个紧凑的全自动设备中。PicoQuant基于丰富的脉冲激光源和时间相关单光子计数方面的经验完成了Fluotime250的基础设计。FluoTime250旨在帮助用户快速、可靠地执行常规和复杂测量,而这些性能都得益于全自动硬件组件和向导式的多功能系统软件。再借助自定义模式和集成脚本语言,高级用户可以完全控制光谱仪的各个功能。在其基本配置中,FluoTime250使用电动滤光片轮进行波长选择 。可选配UV / VIS光谱范围的单色仪,将来自PicoQuant的探测器以及各种半导体激光器或LED连接到光谱仪上,还可以通过一系列附件和易于更换的样品架进一步适应您的应用要求。虽然FluoTime 250体积小巧,但是却非常灵敏,它能准确地检测浓度低至10pMol(在coumarin样品上测量)样品的荧光衰减。特点:全自动紧凑型模块化系统基于滤光片技术的发射波长选择,及小型单色仪选项TCSPC和MCS工作模式软件具有测量向导和脚本选项可测寿命范围从皮秒到毫秒 应用领域:FluoTime 250是一款适用于常规和研究应用领域的高性能荧光寿命光谱系统。可用于研究各种样品并进行多种应用,包括:荧光/磷光衰减曲线时间分辨各向异性时间分辨发射谱(需配置单色仪)寿命动力学 产品参数:光学结构l L型工作模式l TCSPC和MCS灵敏度l 低至10pMol(测量coumarin样品,采用400nm激发,500nm探测)荧光寿命范围l 40ps到10μs,采用PMT探测器和TCSPC模式的计数模块;l 10 ps到10 µ s,采用Hybrid系列探测器、TCSPC模式的计数模块和合适的激光器;l 大于几百ms,采用任何探测器和MCS模式的计数模块。激发光源l 波长范围从250nm~1550nm的皮秒脉冲半导体激光器或者LED系列,重复频率高达80MHz,普通激光器驱动器;单色仪l Czerny-Turner,单单色仪结构l 聚焦长度: 150 mm,单出口l 杂散光抑制比典型值1:10-5(单单色仪)探测器l 光电倍增管PMT系列,185~920nm可选l 混合式光电倍增管Hybrid-PMT系列,200~900nm可选l 近红外光电倍增管NIR-PMT系列,950~1400nm可选软件l 操作简单,功能全面,具有分析功能l 在工作区数据归档,数据导出功能和数据运算l 几种典型测量方案的程序向导功能l 能进行全硬件控制的自定义测量模式l 支持远程执行的自动化脚本语言(将自动化功能扩展至第三方设备)l 荧光寿命光谱分析和基于数卷积处理,高至5阶指数的衰减函数,含杂散光校正,寿命分布曲线,各向异性测试分析,全局分析,严密错误分析等功能。
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  • 近年来,钙钛矿型闪烁体及钙钛矿型 X 射线直接探测器被广泛研究及报道。在发光闪烁体层面,钙钛矿纳米晶闪烁体通过溶液即可制得,成本极低,且具备全色彩可调谐辐射发光的特点。在直接探测层面,铅卤钙钛矿材料因其具备较大的原子序数、高吸收系数等优点,在 X 射线直接探测领域同样表现出非常优异的性能。卓立汉光能够提供基于 X 射线的稳态发光光谱,荧光寿命,瞬态光谱以及 X 射线探测成像的相关测量方案。能够提供全套涵盖 X 射线激发源、光谱仪、稳态及瞬态数据处理、成像测量(CMOS 成像,单像素成像,TFT 面阵成像)、辐射剂量表、辐射安全防护等,辐射防护防护满足国标《低能射线装置放射防护标准》(GBZ115-2023)。如下陈述我们几种测量方案及相关配置明细( 一 ) 稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒 X 射线和 TCSPC 测量原理的方法纳秒脉冲 X 射线 稳态和寿命测量数据( 二 ) X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲 X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵 X 射线成像 成像测量结果( 三 ) 技术参数稳态光谱及荧光寿命采集基于皮秒X 射线和TCSPC 测量原理的方法包含:皮秒脉冲激光器、光激发X 射线管、TCSPC 或条纹相机。 由皮秒脉冲激光器激发“光激发X 射线管”发射出X-ray 作用于样品上,样品发射荧光,经光谱仪分光之后,由探测器探测光信号,数据采集器读取数据。皮秒X 射线测量荧光寿命原理图纳秒脉冲X 射线150KV 纳秒脉冲X 射线* 安全距离要求:a:3 米,b:6 米,c:30 米稳态和寿命测量数据NaI 样品在管电压50KeV,不同管电流激发下的辐射发光光谱 纳秒X 射线激发的荧光衰减曲线X 射线探测成像X 射线探测成像光路图X 射线探测成像及脉冲X 射线实现光电流衰减测量TFT 集成的面阵X 射线成像TFT 传感芯片规格TFT 读取系统规格成像测量结果 CMOS 成像实物图分辨率指标:TYP39 分辨率卡的X 射线图像。测试1mm 厚的YAG(Ce) 时,分辨率可以优于20lp/mm 手机充电头成像测试密码狗成像测试技术参数稳态X 射线激发发光测量光源 能量:4-50KV,功率:0-50W 连续可调,靶材:钨靶,铍窗厚度 200μm样品位置辐射剂量:0-25Sv/h光路透射和反射双光路,可切换 光谱范围200-900nm(可扩展近红外)监视器内置监视器方便观察样品发光,可拍照快门可控屏蔽快门,辐射光源最大功率下,关闭快门,样品位置辐射剂量小于10uSv/h辐射防护满足国标《X 射线衍射仪和荧光分析仪卫视防护标准》(GBZ115-2023)样品支架配备粉末、液体、薄膜样品架成像测量模块成像面积:直径20mm(可定制更大面积:120mm×80mm)成像耦合光路附件,样品测试夹具相机参数:颜色:黑白,分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V),像元尺寸:2.4μm×2.4μm,量子效率:84%@495nm,暗电流:0.001e-/pixel/s,制冷温度:-15℃,成像分辨率:优于20lp/mm瞬态X 射线激发发光测量光源皮秒脉冲X 射线源纳秒脉冲X 射线源*405nm ps 激光二极管:波长:100Hz-100MHz 可调,峰值功率:400mW@ 典型值,脉冲宽度:100ps光激发X 射线光管:辐射灵敏度:QE10%(@400nm),靶材:钨,操作电压:40KV,操作电流:10μA@ 平均值,50μA@ 最大值 电压:150KV脉冲宽度:50ns重复频率:10Hz平均输出剂量率:2.4mR/pulse数据采集器TCSPC 计数器条纹相机(同时获得光谱和寿命)示波器瞬时饱和计数率:100Mcps 时间分辨率(ps):16/32/64/128/256/512/1024/…/33554432通道数:65535死时间:< 10ns支持稳态光谱采集数据接口:USB3.0最大量程:1.08μs @16ps,67.1μs@1024ps, 2.19s@33554432ps 光谱测量范围:200-900nm时间分辨率:=5ps,( 最小档位时间范围+ 光谱仪光路系统)探测器:同步扫描型通用条纹相机ST10测量时间窗口范围:500ps-100us( 十档可选)工作模式:静态模式,高频同步模式以及 低频触发模式;系统光谱分辨率:0.2nm@1200g/mm单次成谱范围:=100nm@150g/mm静态(稳态)光谱采集,瞬态条纹光谱成像及荧光寿命曲线采集模拟带宽:500 MHz通道数:4+ EXT实时采样率:5GSa/s( 交织模式),2.5GSa/s( 非交织模式)存储深度:250Mpts/ch( 交织模式),125 Mpts/ch( 非交织模式) 寿命尺度500ps-10μs100ps-100μs 100ns-50msX 射线探测成像 方式CMOS 成像单像素探测器TFT 集成的面阵探测器配置成像耦合光路附件,样品测试夹具相机参数:颜色:黑白分辨率:20MP, 5472 (H) x 3648 (V) 像元尺寸:2.4μm×2.4μm量子效率:84%@495nm暗电流:0.001e-/pixel/s制冷温度:-15℃XY 二维电动位移台:XY5050:行程:X 轴50mm,Y 轴50mm,重复定位精度1.5μm,水平负载4Kg;XY120120:行程:X 轴120mm,Y 轴120mm,重复定位精度3μm,水平负载20KgTFT 阵列传感芯片(可提供直接型和间接型芯片):背板尺寸(H×V×T):44.64×46.64×0.5 mm,有源区尺寸(H×V):32×32mm,分辨率(H×V):64×64, 像素大小:500×500μmTFT 读出系统:成像规格:解析度:64 行×64 列,数据灰阶:支持256 灰阶显示,数据通信方式:WIFI 无线通讯,数据显示载体:手机/ 平板(Android 9.0以上操作系统、6GB 以上运行内存)辐射剂量测定辐射计量表探测器:塑料闪烁体, Ø 30x15 mm连续长期辐射:50 nSv/h ... 10 Sv/h连续短期辐射:5 μSv/h ... 10 Sv/h环境剂量当量测量范围:10 nSv ... 10 Sv连续的短时辐射响应时间:0.03 s相对固有误差:连续和短期辐射:±15% 最大137 Cs 灵敏度:70 cps/(μSvh-1 )剂量率变化0.1 to 1 μSv/h 的反应时间 ( 精度误差 ≤ ±10%) 2 s全光产额测量方案 闪烁晶体的光产额(也称为光输出或光子产额)是指晶体在受到电离辐射(如γ 射线、X 射线或粒子)激发后,发射光子(通常是可见光)的数量。光产额通常以每单位能量沉积产生的光子数来表示,单位可以是光子/MeV。光产额是衡量闪烁晶体性能的重要参数之一,它是衡量闪烁体材料性能的重要指标之一,也直接关系到该材料在实际应用中的灵敏度和效率。常见的闪烁晶体包括碘化钠(NaI),碘化铯(CsI),和氧化镧掺铈(LaBr3)等。不同的晶体材料会有不同的光产额,这取决于其发光机制、能带结构、以及材料的纯度和缺陷等因素。研究闪烁体材料的光产额对于提高其性能、拓展其应用具有重要的意义。一些常见闪烁晶体的光产额值如下:碘化钠(NaI(Tl)):约38,000 photons/MeV氯化铯(CsI(Tl)):约54,000 photons/MeV氧化铈掺杂的氧化镧(LaBr3):约63,000 photons/MeV钇铝石榴石掺杂铈离子(YAG:Ce):约14,000 photons/MeV 光产额越高,意味着该晶体能够在相同的能量沉积条件下产生更多的光子,从而在探测器中生成更强的信号,通常也会导致更好的能量分辨率。卓立汉光提供一整套包含同位素源、屏蔽铅箱(被测器件及光路)、光电倍增管、高压电源、闪烁体前置放大器、谱放大器、多道分析仪及测试软件,实现闪烁体的光产额测量。同位素源Na-22(或 Cs-137 可选),屏蔽铅箱(被测器件及光路),充分保证测试人员安全 光电倍增管 光谱范围:160-650nm,有效面积:46mm 直径,上升时间:≤ 0.8ns 高压稳压电源 提供:0-3000V 闪烁体前置放大器 :上升时间< 60ns积分非线性≤ ±0.02%计数率:250 mV 参考脉冲的增益偏移 0.25%,同时应用 65,000/ 秒的 200 mV 随机脉冲的额外计 数速率,前置放大器下降时间:信号源阻抗为 1 MΩ,则下降时间常数为 50 μs 谱放大器高性能能谱,适合所有类型的辐射探测器(Ge、Si、闪烁体等) 积分非线性(单极输出): 从 0 到 +10V0.025%噪声:增益 100 时,等效输入噪声 5.0uV rms;手动模式下,增益> 1000 时,等效输入噪声 4.5uV rms;或者自动模式下,增益 100 时,等效输入噪声 6.0uV rms温度系数(0 到 50° C)单极输出:增益为 +0.005%/'C,双极输出:增益为 +0.07%/'C,直流电 平为 +30μV/° C误差:双极零交叉误差在 50:1 动态范围内 ±3 ns增益范围:2.5-1500 连接可调,增益是 COARSE(粗调)和 FINE GAIN(微调增益)的乘积。单极脉冲形状:可用开关为 UNIPOLAR(单极)输出端选择近似三角形脉冲形状或近似高斯脉冲形状。配置专用 3kv 高压电源 2K 通道多道分析仪ADC: 包括滑动标度线性化和小于 2us 的死区时间,包括存储器传输 积分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内≤士 0.025%。 差分非线性 : 在动态范围的前 99% 范围内小于士 1%。 增益不稳定性 : 士 50 ppm/° C死区时间校正 : 根据 Gedcke-Hale 方法进行的延长的实时校正。 USB 接口 :USB 2.0 到 PC 的数据传输速度最高可达 480Mbps操作电脑/ 光学平台 尺寸:1500*1200*800mm台面 430 材质,厚度 200mm,带脚轮。固有频率:7-18Hz,整体焊接式支架
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  • 显微拉曼荧光寿命成像系统 德国S&I GmbH成立于1995年,是一家专门从事科研级拉曼光谱分析设备的制造公司,也是美国普林斯顿仪器(Princeton Instruments)在欧洲的OEM客户,其设备以优异的灵活性,高灵敏及易操作性著称。MonoVista CRS+系列产品定位:服务于科学研究的强大“光谱成像综合分析平台”。l S&I公司擅长于提供各种科研级定制化的解决方案;l 根据用户的应用需求,适用并可拓展不同的配置;l 在保证系统自动控制与高可靠性情况下,适合各种光学测试;l 显微拉曼光谱 /显微荧光 / 荧光寿命TCSPC成像/ l 变温红外光谱 / 时间分辨光谱 / 暗场光谱/ l 适用高压科学研究要求的开放式测试环境,如大样品系统,低温,强磁,高温等。l Monovista CRS+系统是基于共聚焦显微镜设计的多功能光谱成像分析系统;l 应用领域:高压科学材料,半导体材料特性,碳纳米材料,钙钛矿材料,生物细胞研究等MonoVista CRS+ 特点:激光器深紫外到近红外波长范围多达内置4个波长激光器,外置外接大型激光器紫外和可见光/近红外双光束路径自动控制激光选择自动对准,聚焦和校准功能超高拉曼光谱分辨率 <0.9cm-1 @ 633 nm低波数拉曼,可测试到 +/- 10 cm-1高波数范围: 9000cm-1(@ 532nm)热电制冷和液氮制冷探测器正置/倒置/双显微镜空间分辨率:XY 1um Z 2um步进电机和压电驱动XYZ位移台快速3D拉曼Mapping荧光寿命成像Mapping功能集成控制液氮温度冷热台集成液氦温度低温恒温器可结合拉曼成像和原子力显微镜成像自动控制的偏振光谱功能L-Crystine的超低波数拉曼(正反斯托克斯)CCL4的超高拉曼分辨率TCSPC荧光寿命测试功能2 激光波长从375纳米到810纳米2 时间通道数:65536 ,分辨精度:4ps 2 各通道采集延时调节范围 :± 100 ns,2 寿命时间抖动误差:12ps2 最大计数率:10MHz 最大同步率:84 MHz2 多种探测器选项,探测器通道:2个2 二维寿命成像,XY扫描压电位移台2 扫描台,范围可达几厘米,XY扫描精度优于500nm 2 固有响应时间:95ns2 仪器响应函数(IRF)200ps荧光寿命测试曲线荧光寿命MappingVistaControl硬件控制界面拉曼Mapping与显微图像对比MonoVista CRS+ 定制系统应用案例Monovista显微光路+宏光路拉曼+AFM Monovista与低温,强磁测试条件(HPSTAR)
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  • HAST高压加速老化试验箱加速寿命高温蒸煮仪技术参数1.1 设定温度: +100 ℃ ~ +147 ℃( 蒸气温度 )1.2 湿度范围: 60~100 % 蒸气湿度1.3湿度控制稳定度:±3%RH1.3 使用压力: 1.2~2.89kg(含1atm)1.4 时间范围: 0 Hr ~ 999 Hr1.5 加压时间: 0.00 Kg ~ 1.04 Kg / cm2 约 45 分1.6 温度波动均匀度 : ±0.5℃1.7 温度显示精度:0.1℃1.8 压力波动均匀度 : ±0.1Kg1.9 湿度分布均度:±3%RHHAST高压加速老化试验箱加速寿命高温蒸煮仪供应特点:1.具有自动加水功能并且在试验过程中水位过低时自动补水。2.试验过程自动运转至完成结束,使用简便。3.温度控制:LED数字型温度控制器可作准确试验温度之设定、控制及显示。4.箱定时器:LED数字型定时器,当锅内温度到达后才开始计时以确保试验*。5.准确的压力/温度表随时显示锅内压力与相对温度。6.运转时流水器自动排出未饱和蒸气以达到佳蒸气品质。7.一体成型硅胶门垫圈,气密度良好,且使用寿命长。8.内经抛光处理经久耐用美观不沾污。HAST高压加速老化试验箱加速寿命高温蒸煮仪-保护装置误操作安全装置:hast老化测试箱厂家锅门若未关紧则机器无法启动;超压安全保护:当锅内压力超过最大工作值自动排气泄压;超温保护:当锅内温度过高时机器鸣叫警报并自动切断加热电源;防烫伤保护:特制材质制成可防止操作人员接触烫伤;手动安全保护排压伐HAST高压加速老化试验箱加速寿命高温蒸煮仪安装条件HAST(Highly Accelerated Stress Test)高压加速老化试验箱是用于对产品进行加速老化测试的设备。安装HAST试验箱需要满足以下条件:电源条件:HAST试验箱通常需要接入稳定可靠的电源,并确保电源符合设备的额定电压和频率要求。空气条件:试验箱需要安装在通风良好的环境中,避免周围空气中有害气体对试验箱和样品产生影响。空间条件:安装HAST试验箱需要考虑到设备的尺寸和通风要求,确保有足够的空间放置和维护设备。环境条件:试验箱应当安装在干燥、无尘、温度适宜的环境中,以确保设备正常运行和测试结果的准确性。安全条件:在安装HAST试验箱时,需要考虑到设备的安全问题,确保设备周围没有易燃易爆物品,设备本身也需要符合相关的安全标准。在安装HAST试验箱时,最好按照制造商提供的安装手册和指导进行操作,以确保设备可以正常运行并达到预期的测试效果。
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  • EzTime-PL 同步可调制半导体激光器-------上转换荧光寿命测试仪◆ 替代OPO,提供大功率,宽波长范围激发波长选择;◆ 波长选择范围:405nm-2200nm;◆ 可实现连续输出和脉冲输出模式;◆ 输出脉宽独立可调;◆ 闪烁频率独立可调;◆ 幅值功率独立可调;☆ 上转换荧光光谱激发;☆ 上转换荧光寿命激发;☆ 微弱样品微秒寿命激发;☆ 防伪及刑侦光源;☆ 荧光标记筛选;☆ 单态氧发光光谱及寿命; ☆ 脉宽—-颜色受控样品表征;应用一:上转换荧光光谱及寿命,980nm 激光器激发;应用二:单态氧发光光谱动态及寿命,405nm 激光器激发;可以匹配已有市场的大部分型号荧光谱仪: 配合 HORIBA 荧光寿命测试系统,EDI FLS系列荧光寿命测试系统; TCPSC 系统中的 MCS 测试模式或磷光测试模式,获得荧光衰减曲线、时间分辨发射谱TRES和延迟荧光光谱;控制器部分1. 荧光寿命测试范围: 1us -10s ;2. 受控输出信号闪烁频率(0.01 -1kHz),可以实现的完全受控同步;3. 主动信号输出:0.1Hz-100kHz;带同步输出端口;4. 独立输出信号脉宽调整 :25ns -500ms 无级可调;5. 电信号 拖尾小于1ns(外接 50 Ω电阻) ;激光器部分6. 半导体 激光器,额定功率2W,功率可调输出,1 -5W 可选7. 激光器 连续输出稳定性,< 2%,依赖于不同激发波长;8. 激光器 可选开放式平行光输出或线端口;可选波长:375-2200nm(请咨询 销售工程师更新列表)
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  • 显微拉曼荧光寿命成像系统 德国S&I GmbH成立于1995年,是一家专门从事科研级拉曼光谱分析设备的制造公司,也是美国普林斯顿仪器(Princeton Instruments)在欧洲的OEM客户,其设备以优异的灵活性,高灵敏及易操作性著称。 显微拉曼荧光寿命成像系统,型号:MonoVista CRS+系列产品定位:服务于科学研究的强大“光谱成像综合分析平台”。lS&I公司擅长于提供各种科研级定制化的解决方案;l根据用户的应用需求,适用并可拓展不同的配置;l在保证系统自动控制与高可靠性情况下,适合各种光学测试;l显微拉曼光谱 /显微荧光 / 荧光寿命TCSPC成像/l变温红外光谱 / 时间分辨光谱 / 暗场光谱/l适用高压科学研究要求的开放式测试环境,如大样品系统,低温,强磁,高温等。 lMonovista CRS+系统是基于共聚焦显微镜设计的多功能光谱成像分析系统;应用领域:高压科学材料,半导体材料特性,碳纳米材料,钙钛矿材料,生物细胞研究等。 低波数性能: Stokes/Anti-Stokes spectrum from L-Cystine显微拉曼荧光寿命成像系统特点:l深紫外到近红外波长范围l多达 4 个集成多线激光器,可选配外接大型激光器端口l紫外和可见光/近红外双光束路径l自动控制激光选择l自动对准,聚焦和校准功能l超高拉曼光谱分辨率,例如 FWHM<25px -1 @ 633 nml利用低波数拉曼附件,低波数可测试到 +/- 10 cm-1 l高波数范围可达 225000px-1(@ 532nm),适用于光致发光l热电制冷和液氮制冷探测器l正置/倒置/双显微镜l步进电机和压电驱动 XYZ 位移台l快速拉曼 mappingl集成控制加热/冷却台,液氦温度低温恒温器l可结合拉曼成像和原子力显微镜成像l自动控制的偏振光谱功能 硬件与激光选择软件自动切换 荧光扣减与背景抑制功能 同一样品不同成分的拉曼成像图显微拉曼荧光寿命成像系统定制应用案例 Monovista显微光路+宏光路拉曼+AFM Monovista与低温,强磁测试条件(HPSTAR)
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  • 产品简介:LifeSpec II 是一款结构紧凑,高度集成化,高性能的荧光寿命测试光谱仪,与高频闪脉冲飞秒和皮秒激光器联用。这个系统是一个全自动化的解决方案,适合基础研究和常规实验室应用。它的零时间色散光学设置对于测量超快衰减提供了强大的技术支持。技术特点:荧光寿命范围低至5ps(依赖于检测器和光源)采用先进的时间相关单光子计数技术双光栅发射单色器相减模式设计,大限度抑制杂散光,防止脉冲展宽,到达零时间色散标配紫外可见区检测,可升级到近红外可选多种激发光源 EPL脉冲激光二极管:375~670nm可选 EPLED脉冲LED:265~360nm可选 耦合超连续激光器、耦合多种型号飞秒激光器可选检测器 蓝敏光电倍增管、红敏光电倍增管、MC-PMT、NIR PMT
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  • 荧光寿命测试系统 400-860-5168转4058
    DeltaHub——DeltaFlex的关键部件 超短的死时间(10ns):配合高重复频率的激光光源和高速检测器,可实现无损失的光子计数,达到快速采集数据和准确的分析结果。 超快寿命测试技术:真正实现了荧光寿命动力学测试,采集时间低至1ms(全球同类产品中 快),支持1ms-10,000min无间断寿命动态监测。新型脉冲半导体光源 DeltaFlex配置新型脉冲半导体光源作为荧光和磷光的激发光源(四大类型,百种可选),即插即用,无需校准,而且终身免维护。 其中DeltaDiode光源的重复频率可达100MHz,是超快寿命测试的 选择光源,同时可配置用于磷光测定的SpectraLED光源。与氙闪灯相比,SpectraLED具有265-1275nm宽波长的覆盖范围,以及实用方便、测试速度更快和信号无拖尾的优点。科研级模块化设计 在DeltaFlex系统上无需更换控制器和检测器,即可实现11个数量级(25ps-1s)范围内的荧光寿命测试。系统采用科研级模块化设计,配合全新的F-Link技术,可自动识别各类部件,软件直接接入、附件即插即用,能够无限满足升级需求。尤其是其中采用了行业优先的寿命拟合软件,没有费用开放数十种主流专业拟合功能,可单独于仪器操作。 多种光谱仪可选,配合像差校正光栅,覆盖200-1600nm宽光谱范围,完美实现时间分辨发射谱功能,支持100条发射波长动态连续监测,软件自动获得衰减相关光谱参数。 荧光寿命技术是科研中强有力的工具,可广阔用于物理、化学、材料、信息、生物和医学等领域。主要应用:FRET(Forster共振能量转移)Stern-Volmer猝灭稀土发光时间分辨和磷光各向异性分子互作,蛋白结构变化太阳能材料单线态氧测试光物理技术参数:基于滤光片或单色仪实现波长选择皮秒超快集成化PPD光子检测模块(标配)可升级NIR检测器(~1700nm)综合分析受命拟合软件,开放数十种拟合功能标准液体样品架,加载温度传感器和搅拌装置大尺寸样品仓,配置高效UV级光学部件F-Link即插即用型交互界面主要特点:超宽寿命测试范围25ps-1s 超快测试时间(低至1ms),完美实现动态反应分析超微量样品测试,低至1μL综合分析软件,5指数寿命拟合高稳定性设计,使用维护简单高度自动化,一键测量分析大尺寸样品仓设计,强劲的附件兼容能力高性能荧光、磷光寿命测试功能
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  • 简介:按键寿命试验机适用于手机、电脑、电子词典、蓝牙耳机、车载播放器、遥控器按键、车辆防盗器、传真机按键、MP5、MP4、MP3、按键开关、轻触开关、薄膜按键、橡胶按键、硅胶按键等各类按键进行寿命试验。本机是将产品分别置于对应工位的试验位置上,按键测试杆在一定的试验荷重、速度、行程、次数下模拟人对产品的使用寿命测试。 主要参数:1、试验工位:4个(同时工作)2、荷重砝码:50、100、200、300、500G各四个(可选配)3、试验次数计数器:0~99999999次(可预置,LCD显示)4、试验导通次数计数器:0~99999999次(四工位导通单独计数,测试品损坏自动停止计数)5、试验速度:5~60次/分(旋钮可调,LCD显示)6、测试行程:0~60MM(手动可调)7、试验夹具常规夹持范围:60X80MM(手动可调)8、测试杆固定装置可调范围:0~180MM9、外形尺寸(LxWxH):550X400X550MM10、机台重量:25KG11、工作电源:AC220V、50Hz 产品特点:1、箱体采用静电喷漆处理,工作台面等采用铝喷砂处理,美观大方,整机设计合理结构紧固、运行稳定、安全、准确;2、根据各类按键产品测试制造,试验夹具、行程可调、应用广泛;3、四组工位同时工作,大大提高测试效率;4、试验速度、次数,人性化设计,操作方便快捷;每个工位有对应的导通计数器,按键失灵,对应计数器会自动停止计数,可设置测试品损坏自动停机,方便及时得知产品相关测试信息
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  • 介子寿命测试仪 400-860-5168转2623
    介子寿命测试仪实验装置 &ldquo 赶超&rdquo 的宇宙射线测量&mu 介子的寿命证明相对论时间膨胀测量本地&mu 子通量测量海平面高度&mu 子荷比来源方便,真正的随机数创建模拟&ldquo 介子&rdquo ,并测量他们的一生光电倍增信号处理研究&mu 介子是一种自然的基本粒子。它的发现在1937年由卡尔· 安德森标志着一个激进出发在物理学家的理解物质的积木。虽然这是第一次分配理论的核力量,这是不正确的地方,它现在被理解为粒子轻子家族中的重要成员。我司制成的第一个商业教学仪器的学生,以确定其物理特性。 &mu 介子是产生丰富地在地球大气层的宇宙射线和大气中的空气分子之间的相互作用,和其在海平面的磁通足以为学生的调查。我们的设备,使用常见的核物理和粒子物理实验技术可以测量&mu 介子的寿命。的停止率&mu 子,作为深度的函数,在大气中,可以用作特殊相对论的时间膨胀效应的示范。由于个别放射性粒子的衰减时间是随机分布的,它们是真正的随机数的一个方便的来源。这些可以被用来证明常见的概率分布。 仪器可实现功能:1/测量&mu 子寿命 2/测量本地&mu 子通量3/测量海平面介子电荷比 4/证明相对论时间膨胀5/方便真正的随机数源 6/无障碍学生分析的原始数据 Introduction"Catching" Cosmic RaysMeasure Muon LifetimeDemonstrate Relativistic Time DilationMeasure Local Muon FluxMeasure Sea Level Muon Charge RatioConvenient Source of Genuinely Random NumbersCreate Simulated "Muons" and Measure their LifetimeStudy Processing of Photomultiplier SignalThe muon is one of Nature&rsquo s fundamental particles. Its discovery in 1937 by Carl Anderson marked a radical departure in physicists' understanding of the building blocks of matter. Although it was first assigned a place in theory of nuclear forces which was incorrect, it is now understood to be an important member of the lepton family of particles. TeachSpin, in collaboration with Thomas Coan and Jingbo Ye of Southern Methodist University, has made the first commercial teaching instrument for students to determine some of its physical characteristics.The muon is produced copiously in Earth&rsquo s atmosphere by interactions between cosmic rays and atmospheric air molecules, and its flux at sea level is sufficient for student investigations. The muon&rsquo s lifetime can be measured with our apparatus using experimental techniques common to nuclear and particle physics. The stopping rate of muons, as a function of depth in the atmosphere, can be used as a demonstration of the time dilation effect of special relativity. Since the decay times of individual radioactive particles are randomly distributed, they are a convenient source of genuinely random numbers. These can be used to demonstrate common probability distributions.With this new TeachSpin Apparatus You Can:&bull Measure Muon Lifetime&bull Measure Local Muon flux&bull Measure Sea-level Muon Charge Ratio&bull Demonstrate Relativistic Time Dilation&bull Convenient Source of Genuinely Random Numbers&bull Raw Data Accessible for Student Analysi
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  • 用于单晶硅锭、硅砖和硅晶圆片的生产和质量监控。用于HJT、HIT、TOPcon、双面PERC、PERC+太阳能电池、钙钛矿等中的硅材料。特征寿命范围20 ns至100 ms(样品电阻率 0.3 Ohm cm)SEMI标准PV9-1110测试速度线扫描 30s完整的面扫秒 5min同时测量寿命μPCD/MDP(QSS)和电阻率直拉硅单晶硅锭中的滑移线自动几何形状识别G12、M10晶砖和晶圆片应用寿命 &电阻率面扫描晶体生长监控(即滑移线)污染监测氧条纹/OSF环p型掺杂硅的铁面扫描图光束感应电流(LBIC)发射极层的方阻更多… 直拉硅单晶硅锭中的滑移线 含有大量缺陷的准单晶硅锭的寿命测量 MDP studio – 操作和评估软件用户友好且先进的操作软件具有:导入和导出功能带有操作员的用户结构所有执行的测量概览样品参数输出单点测量(例如:注入浓度相关的测量)面扫描测试配方 分析功能包线扫描和单点瞬态视图 远程访问基于IP的系统允许在世界任何地方进行远程操作和技术支持配置选项光斑尺寸变化电阻率测量(晶砖和晶圆片) 多晶硅晶圆线扫描背景/偏置光反射测量(MDP)LBICp型掺杂硅中的铁图谱p/n检测条码读取器自动几何识别宽的激光器波长范围 HJT晶圆的寿命 测量多晶硅晶圆线扫描 技术规格材料单晶硅晶锭尺寸125×125至210×210mm2,晶砖长850mm或更长晶圆尺寸直径可达300 mm电阻率范围0.5 – 5 ohm cm。根据要求提供其他范围导电类别p/n可测量的参数 寿命-μPCD/MDP(QSS)、光电导率、电阻率等默认激光器IR激光二极管(980 nm,最大500 mW)和IR激光二极管(905 nm,最大9000 mW)。可根据要求提供其他波长电脑Windows 11或最新版本、.NET Framework更新、2个以太网端口电力要求100 – 250 V AC, 6 A尺寸(宽×高×长)2560 × 1910 × 1440 mm重量约200kg认证根据ISO 9001准则制造,符合CE要求应用铁浓度测定铁浓度的精确测定非常重要,因为铁是硅中最丰富且也是最有害的缺陷之一。因此,有必要尽可能准确、快速地测量铁浓度,并具有非常高的分辨率,最好是在线测量。缺陷浓度测定许多寿命测量方法,如QSSPC、μPCD或CDI,以及MDP在极低的注入浓度下都存在异常高的测量寿命。这种效应是由于样品中的捕获中心造成的。这些捕获中心对于了解材料中载流子的行为非常重要,并且也会对太阳能电池产生影响。因此,需要以高分辨率来测量缺陷密度和这些缺陷中心的活化能。掺杂样品的光电导测量B和P元素的注入在微电子工业中有许多应用,但到目前为止,还没有方法可以在不接触样品,并由于必要的退火步骤而改变其特性的情况下检查这些注入的均匀性。迄今为止的困难是注入区域的深度通常只有几微米,而且注入剂量非常低。MDP能够以高分辨率和不同注入剂量之间的良好区分来表征这些注入样品。与注入浓度相关的测量少数载流子寿命很大程度上取决于注入浓度(过剩载流子浓度)。从寿命曲线的形状和高度可以推断出有关主要重组中心和捕获中心的信息。
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  • 武汉东隆科技为德国PicoQuant的中国区独家代理,欢迎您来电垂询!紧凑型荧光寿命光谱仪 FluoTime 100FluoTime 100 通过时间相关单光子计数来记录荧光衰减,操作简便,体积紧凑。该系统结合了高性能光源与探测器。FluoTime 100 可以分辨50ps的衰减时间,高达100MHz的重复工作频率。特点:即插式测量,设计紧凑基于TCSPC和 MCS皮秒激光器或亚纳秒LED激发高产光率与高灵敏度的滤光器先进的数据分析功能功能:时间分辨荧光光谱超灵敏的分析光化学染料研究参数:光学结构L型工作模式TCSPC 和 MCS荧光寿命范围50ps-几百ms, 取决于探测器和光源激发光源亚纳秒LED(250-600nm);皮秒激光器(266-1990nm)分光仪高品质滤光轮式探测器制冷或非制冷PMT探测器PMT: 185nm-920nm ,软件软件界面易用简单,支持客户定制化测量,仪器所有模块都能独立控制荧光寿命光谱分析基于数值卷积处理,高至四阶指数的衰减函数,含杂散光校正,寿命分布曲线,各向异性测试,全局分析,严密错误分析等功能
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  • 仪器简介: HORIBA Scientific(Jobin Yvon光谱技术)----荧光光谱仪器的全球,提供全套稳态、瞬态和稳-瞬态以及各种偶联技术的解决方案。 荧光寿命光谱是研究样品受激后辐射出的紫外,可见,或近红外荧光与时间的变化。可利用荧光的衰减测定皮秒到秒,或更长的寿命范围。 HORIBA Scientific提供的研究级荧光寿命光谱仪有模块化或紧凑型设计,可按应用需求定制光谱仪。 Fluorocube将新的迷你化光源和检测技术与成熟的TCSPC电子系统,及自动化操作结合起来,提供灵活和界面友好的光子计数寿命系统。 可选附件 激发/发射单色仪:Seya-Namioka型,波长可调(200~800 nm),与样品仓盖之间集成安全锁,同步手动调节狭缝宽度(1~32nm) 四位光束控制反射镜(可选) 偏振器 红外扩展 PPD 模块 (例如PPD-850C 或 PPD-900C) NIR检测器(~1700nm) 固体样品支架 低温附件 低荧光背景滤光片 技术参数: 寿命范围从皮秒至秒 基于滤光片实现波长选择(可选激发/发射单色仪) 外循环液体控温样品架 PPD 光子检测模块(标配) 检测器范围185nm-650nm,可升级至850nm(与样品仓盖之间配有安全锁) Fluorocub计时电子装置,皮秒到秒寿命范围(依赖于激发光源) 综合分析软件 可选偏振器测量自旋相关时间 NanoLED和SpectraLED二管激发光源覆盖全波长范围主要特点: 灵敏度高:单光子计数技术 准确性好:计时电路无需校正 灵活性强:可选多种光源,寿命响应范围宽 模块化:可以根据需要定制模块配件 方便性:全电脑控制,易于操作 Fluorocube产品系列: FluoroCube NL:滤光片分光系统及二管激发光源---基本的荧光寿命测量系统 FluoroCube-01-NL:发射单色器及二管激发光源---基本的荧光寿命测量系统 FluoroCube-11-NL:带有激发/发射单色器和二管激发的寿命体系 FluoroCube-10-CF:激发单色器(滤光片检测通道)和闪光灯激发的寿命系统 FluoroCube-11-CF:激发/发射单色器和闪光灯激发(5000U)的寿命系统 PhosphoCube-10-XF:激发单色器(滤光片检测通道)和微妙氙灯闪光灯激发的磷光寿命系统 PhosphoCube-11-XF:激发/发射单色器和微秒氙灯激发的磷光寿命系统注:具体配置、价格请咨询当地销售工程师
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  • 如何提高热解析仪的使用寿命  全自动热解吸仪是一种样品预处理装置,常与气相色谱仪配套使用。它先把样品热解吸到大注射针管中,然后手工取样进样,进行气相色谱分析。全自动热解吸仪主要由:解吸活化处理炉、大注射器加热恒温炉、双温度控制器和手动操作四部分组成。全自动热解吸仪除配有解吸炉外,还配装了大注射器加热恒温炉实现了一机多用的目的,因此和以往的同类解吸仪相比具有简化操作、提高了工作效率和分析精度。  全自动热解吸仪采用吸活化处理炉和大注射器加热恒温炉一体化设计,一机多用,大大提高全自动热解吸仪的性价比和运行成本;同一样品可以实现多次重复进样,消除进样或分析过程中误操作后带来的不利影响;做的测定时,可以使用廉价的活性碳吸附管等;同国产不同类热解吸仪(装置)相比,安装解吸管简单,且实现了无死体积操作;全自动热解吸仪特别适合于对色谱分析不太熟悉的操作新手。  全自动热解吸仪在使用一段时间后需要进行保养,以保证其后期工作的正常进行,并延长其使用寿命。那么要如何提高全自动热解吸仪的使用寿命呢,接下来我们就一起来看看。  1、操作人员应经过相关培训,并详细阅读全自动热解吸仪有关技术资料。  2、全自动热解吸仪易损件应定期更换。  3、电气设备应定期维护。  4、电控部分的原器件、电源、传感器、触摸屏等要做好绝缘、防鼠、控温。减少因氧化、老化、漏电、短路、断路造成元气件损坏。  5、各种计量仪器上的刀口、刻度、指示器要防止损伤,要保持清洁,并定期请计量部门校准。  6、机械系统因磨损、锈蚀、灰尘、油污、断裂、破损、落入异物、松动或操作不当造成全自动热解吸仪出现死机、打滑、振动、运转不同步、丝杆螺丝调不动,声音温度异常,可通过看、听、测、摸等多种手段进行排查。  7、对电气故障出现起不动,指示灯不亮、显示器不显示或数据显示异常,可检查全自动热解吸仪开关、保险丝、灯丝、电器件是否漏电、或接触不良,并可通过测量电阻、电压、电流信号,更换有疑问的原器件来排查。
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